JP3649210B2

JP3649210B2 - Corrosion resistant material

Info

Publication number: JP3649210B2
Application number: JP2002167238A
Authority: JP
Inventors: 一右南澤; 幸男岸
Original assignee: Nihon Ceratec Co Ltd; Taiheiyo Cement Corp
Current assignee: Taiheiyo Cement Corp; NTK Ceratec Co Ltd
Priority date: 2002-06-07
Filing date: 2002-06-07
Publication date: 2005-05-18
Anticipated expiration: 2022-06-07
Also published as: JP2004010981A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも腐食性プラズマガスに曝される部位が酸化物セラミックスの溶射膜で覆われている半導体製造装置用部品等に好適な耐食性部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造工程や、液晶表示装置製造工程には、ドライエッチングのようなＳｉウエハーやガラス基板に形成された所定の膜を各種腐食性プラズマガスにて処理する工程が存在する。従来、このような各種腐食性プラズマガスにて処理を行う処理装置におけるチャンバーや各種部材には、Ａｌ材やステンレス鋼等の金属材が使用されていたが、プラズマガスに対する耐食性が低いため塵埃の発生に加え部材の寿命が短いという大きな問題があった。
【０００３】
このような問題を解決するために、これら部材を耐食性の高いセラミックス焼結体で製造することが行われている。しかしながら、セラミックス焼結体はウエハー回りの比較的小さな部材においては製造が比較的容易であり一般的に用いられているものの、チャンバードーム、壁材のように大きな部材は生産技術の難易度が高く歩留りも低く製造コストが高くならざるを得ない。その上、Ｓｉウエハーやガラス基板が益々大型化してきており、これにともなってこれらの部材も大型化しており、セラミックス焼結体のこれら大型部材への適用にも限界がある。
【０００４】
そこで、Ａｌのような低コストで加工性に優れ大型化が容易な金属材料を基材として用い、その基材の表面に耐食性のあるセラミックスを溶射することによりこれらの問題を解決する方法が採用されている。このようなＡｌ等の金属基材の表面にセラミックスの溶射膜を形成した耐食性部材は、高い絶縁性を要求される場合が多く、静電チャックに適用する場合には、溶射膜の絶縁性を高めるため、各種有機物系、無機系の封孔剤が使われている。また、従来のプラズマ溶射では、プラズマガスとして、Ａｒ、Ｎ_２、Ｈ_２等やこれらの混合系ガスを用いるのが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、溶射膜を形成する際には、セラミックス粉末を溶融させて基材に吹き付けるが、これが基材上で凝固する際、高融点のセラミックス原料は溶融不足となりやすく、多くの気孔を含み、粒子同士の結合力が弱く、表面の射ち放し面粗さが悪いという問題がある。また、このような気孔中には塵埃が付着しやすく、気孔中の塵埃は洗浄で取れにくいという問題がある。さらに、このように多くの気孔を含み、表面の射ち放し面粗さが悪い結果、従来のセラミックス溶射膜は、腐食性プラズマガスに対する耐性が十分とはいえず、これら腐食性プラズマガスによりエッチングされてパーティクルが発生したり、気孔中に付着した塵埃やガスが発生することにより、十分な歩留りが得られないという問題がある。また、静電チャックのような絶縁性が要求される部材に対して、溶射膜の絶縁性を高めるため、各種有機物系、無機系の封孔剤が使われているが、プラズマガスにより封孔剤が選択的に腐食されるため所望の絶縁性が得られず、リーク電流の増大により吸着力を低下させたり、チップを破損したりするといった大きな問題が生じる。
【０００６】
また、上述のように高融点のセラミックス原料は溶融不足となることから、従来の溶射膜は機械的抵抗性が低く、かつ基材との密着性が悪く、加工中や洗浄中に膜にダメージが入ったり剥離したりしてラップ面粗さが悪くなるという問題や、使用中に膜が脱落することにより歩留りが低下するという問題が生じている。
【０００７】
また、従来のプラズマ溶射では、プラズマガスとして、Ａｒ、Ｎ_２、Ｈ_２等で溶射を行なっていたため、高絶縁性材料である酸化物セラミックスを溶射した際に、溶射膜が高温で還元されやすく、溶射膜に欠陥が生じたり、発色したりするという問題がある。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、射ち放し面粗さが小さく、気孔が少なく、高い絶縁性および高い密着力を有する溶射膜を備え、腐食性プラズマガス環境下でパーティクルが少なく、静電チャックのように高絶縁性を要求される部材に適した耐食性部材を提供することを目的とする。また、これらに加えて、さらに、ラップ面粗さが小さく機械的抵抗性の高い溶射膜を有する耐食性部材を提供することを目的とする。さらに、溶射膜の欠陥や発色が生じ難い耐食部材を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、溶射装置のプラズマアーク部に酸化物セラミックス原料を投入して溶射することにより、溶融不足に起因する残留気孔の低減、表面の射ち放し面粗さの改善が可能となり、所望の射ち放し面粗さを有し、所定の大きさの気孔容積が少なく、かつ封孔処理をすることなく絶縁性が良好で、しかも高い密着性を有する溶射膜が得られること、さらには、溶射膜の材料に応じて所望のラップ面粗さを有し、耐摩耗性に代表される機械的抵抗性が良好な溶射膜が得られることを見出した。また、酸素ガス（Ｏ_２）や空気等の酸素元素(Ｏ)含有ガスプラズマを用いることにより、溶射の際にセラミックス原料を還元することなく、溶射膜に欠陥が生じたり、発色したりすることを防止可能なことを見出した。また、このように溶射装置のプラズマアーク発生部に酸化物セラミックス原料を投入して酸化物セラミックス溶射膜を形成するためには、カソードトーチと分離した２つのアノードトーチとからなる溶射装置を用いることが好ましいことを見出した。
【００１０】
本発明は以上のような知見に基づいて完成されたものであり、以下の（１）〜（４）を提供する。
【００１１】
（１）腐食性プラズマガス環境下で用いられ、少なくとも腐食性プラズマガスに曝される部位がＹ _２Ｏ _３の溶射膜で覆われている耐食性部材であって、
前記溶射膜は、カソードトーチと、互いに分離した２つのアノードトーチとを備えた溶射装置を用い、酸素ガス ( Ｏ _２ ) もしくは空気、またはこれらの混合ガスを供給して形成される酸素元素 ( Ｏ ) 含有ガスプラズマによるプラズマアークを発生させ、そのプラズマアーク部にＹ _２Ｏ _３の原料を導入して溶射することによって得られるものであり、
前記溶射膜の射ち放し表面粗さＲａが５μｍ以下であり、０ . １μｍ以上１００μｍ以下の気孔径の累積細孔容積が０ . ００８０ｃｃ／ｇ以下であり、体積抵抗率が１×１０ ^６ Ω・ｃｍ以上、密着力が１０ＭＰａ以上、硬度Ｈｖが５００以上、摩耗量が１５０ｍｇ以下、ラップ面粗さＲａが０ . ００８μｍ以下であることを特徴とする耐食性部材。
【００１２】
（２）腐食性プラズマガス環境下で用いられ、少なくとも腐食性プラズマガスに曝される部位がＡｌ _２Ｏ _３の溶射膜で覆われている耐食性部材であって、
前記溶射膜は、カソードトーチと、互いに分離した２つのアノードトーチとを備えた溶射装置を用い、酸素ガス ( Ｏ _２ ) もしくは空気、またはこれらの混合ガスを供給して形成される酸素元素 ( Ｏ ) 含有ガスプラズマによるプラズマアークを発生させ、そのプラズマアーク部にＡｌ _２Ｏ _３の原料を導入して溶射することによって得られるものであり、
前記溶射膜の射ち放し表面粗さＲａが５μｍ以下であり、０ . １μｍ以上１００μｍ以下の気孔径の累積細孔容積が０ . ００８０ｃｃ／ｇ以下であり、体積抵抗率が１×１０ ^６ Ω・ｃｍ以上、密着力が１０ＭＰａ以上、硬度Ｈｖが１０００以上、摩耗量が５０ｍｇ以下、ラップ面粗さＲａが０ . ００５μｍ以下であることを特徴とする耐食性部材。
【００１３】
（３）上記（１）または（２）において、射ち放し面に発生する発色点の数が１ｃｍ ^２当たり５０個以下であることを特徴とする耐食性部材。
【００１４】
（４）上記（１）または（２）において、射ち放し面のテープ試験による溶射膜の脱落が１ｍｍ ^２当たり５０個以下であることを特徴とする耐食性部材。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明に係る耐食性部材は、半導体製造装置部材等の腐食性プラズマガス環境下で用いられるものであり、少なくとも腐食性プラズマガスに曝される部位が酸化物セラミックスの溶射膜で覆われており、この溶射膜の射ち放し表面粗さＲａが５μｍ以下であり、０.１μｍ以上１００μｍ以下の気孔径の累積細孔容積が０.００８０ｃｃ／ｇ以下であり、体積抵抗率が１×１０^６Ω・ｃｍ以上、密着力が１０ＭＰａ以上である。
【００１６】
溶射面の射ち放し表面粗さＲａが５μｍを超えるとプラズマガスに腐食された際、脱粒しやすくパーティクルの原因となりチップの歩留りを低下させ好ましくない。また、０．１μｍ以上１００μｍ以下の気孔径の累積細孔容積が０.００８０ｃｃ／ｇの範囲を超えると気孔がお互いに連結しやすくなり、脱粒したりパーティクルの原因となりチップの歩留りを低下させてしまい好ましくない。さらに、体積抵抗率が１×１０^６Ω・ｃｍ未満になると絶縁性の低下を招き、静電チャックとした場合リーク電流が増大し、封孔処理が必要になったり、吸着力が低下したり、チップを破損させてしまい好ましくない。さらにまた、密着力が１０ＭＰａ未満であると機械加工中や洗浄中に膜が剥離したり、使用中に膜が脱落したりするため好ましくない。
【００１７】
溶射膜を構成する酸化物セラミックスとしては、耐食性が高いこと、溶射により形成しやすいこと等の観点からＹ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３が好ましい。溶射膜を形成するための基材としては溶射が可能であれば特に制限はないが、Ａｌや鋼板のような低コストで加工性に優れ大型化が容易な金属材料が好ましい。もちろんセラミックスの基材であってもよい。
【００１８】
溶射膜の主成分をＹ_２Ｏ_３とした場合、その硬度Ｈｖが５００以上、摩耗量が１５０ｍｇ以下、ラップ面粗さＲａが０.００８μｍ以下とすることが好ましい。
【００１９】
主成分をＹ_２Ｏ_３とした溶射膜の硬度Ｈｖが５００未満であったり、摩耗量が１５０ｍｇを超えると、プラズマガスによる物理的エッチングでの耐性が低く、脱粒によるパーティクル発生が顕著となり好ましくない。また、ラップ面粗さＲａが０.００８μｍを超えると表面の凸部が脱落しやすくなったり、表面のエッジ部にプラズマが集中し腐食が進行するために好ましくない。
【００２０】
なお、ここで摩耗量は、＃２４０のサンドペーパーを摩耗輪に巻き、評価テストピースへの荷重２ｋｇとして測定した摩耗量であり、密着力は、引張試験機を用い、断面積φ２０、引張りスピード１ｍｍ／ｍｉｎの条件で評価した。
【００２１】
溶射膜の主成分をＡｌ_２Ｏ_３とした場合、その硬度Ｈｖが１０００以上、摩耗量が５０ｍｇ以下、ラップ面粗さＲａが０.００５μｍ以下とすることが好ましい。
【００２２】
主成分をＡｌ_２Ｏ_３とした溶射膜の硬度Ｈｖが１０００未満であったり、摩耗量が５０ｍｇを超えると、プラズマガスによる物理的エッチングでの耐性が低く、脱粒によるパーティクル発生が顕著となり好ましくない。また、ラップ面粗さＲａが０.００５μｍを超えると表面の凸部が脱落しやすくなったり、表面のエッジ部にプラズマが集中し腐食が進行するために好ましくない。
【００２３】
溶射膜の射ち放し面に発生する発色点の数が１ｃｍ^２当たり５０個以下であることが好ましい。射ち放し面に発生する発色点の数が１ｃｍ^２当たり５０個を越えると、酸素欠損による欠陥が多く、プラズマ耐性の低下に加え、外観不良による歩留りが低下するため好ましくない。
【００２４】
溶射膜の射ち放し面のテープ試験による溶射膜の脱落が１ｍｍ^２当たり５０個以下であることが好ましい。射ち放し面のテープ試験による溶射膜の脱落が１ｍｍ^２当たり５０個を越えると、使用中の脱粒が多くなり、チップの歩留りを低下させるため好ましくない。
【００２５】
以上のような溶射膜を形成するために、本発明では、溶射装置によりプラズマアークを発生させ、最も高温であるプラズマアーク部、好ましくは特に高温になるプラズマアーク発生部に酸化物セラミックス原料を導入して前記溶射膜を形成する。すなわち、このように最も高温であるプラズマアーク部に酸化物セラミックス原料を導入することにより、セラミックス原料を完全に溶融することが可能となり、上記所望の特性の溶射膜を得ることができる。
【００２６】
このようなことを実現可能な装置として、カソードトーチと、互いに分離した２つのアノードトーチとを備えた溶射装置を挙げることができる。このような分離した２つのアノードトーチを用いることにより、最も高温であるプラズマアーク部に原料を導入することができるため、セラミックス原料を完全に溶融することが可能となり、これにより所望の溶射膜を得ることができる。従来のアノード一体型の溶射装置では、構造上、原料をプラズマアーク部に導入することができず、セラミックス原料を完全に溶融することが困難であった。
【００２７】
酸化物セラミックス原料を溶射する際には、酸素元素(Ｏ)含有ガスプラズマを用いることが好ましい。Ｏ含有ガスプラズマは、例えば酸素ガス(Ｏ_２)もしくは空気、またはこれらの混合ガスを供給して形成することができる。このようにＯ含有プラズマを用いることにより、酸化物セラミックスを高温で溶融した際、酸化物セラミックスが還元されて欠陥が生じたり、発色したりすることを防止できる。
【００２８】
次に、カソードトーチと、互いに分離した２つのアノードトーチとを備えた溶射装置の具体的構造について説明する。図１はこのような溶射装置の一例を示す概略断面図である。この溶射装置は、溶射粒子射出口１ａを有する装置本体１と、装置本体１の溶射粒子射出口１ａと反対側に設けられたカソードトーチ２と、装置本体１の両側面にそれぞれ支持部材４ａ，４ｂに支持されて設けられた２つのアノードトーチ３ａ，３ｂとを備えている。
【００２９】
カソードトーチ２の先端にはＡｒガス供給配管１１およびＡｒガス導入路１１ａを通ってＡｒガスが供給され、トーチ（電極）の酸化を防止しつつアークを発生させる。カソードトーチ２の下流側にはアクセルノズル５が設けられており、カソードトーチ２で発生したアークが加速されプラズマアーク４０が生成される。カソードトーチ２からのアークには空気供給配管１２から空気導入路１２ａを通って空気が供給され、アクセルノズル５から発生するプラズマアーク４０はＯ含有プラズマとなる。
【００３０】
このプラズマアーク４０の発生部には、図示しない原料供給ホッパーから原料供給配管１３を介して溶射原料粉末である酸化物セラミックス原料粉末が導入され、この原料粉末が完全に溶融して溶射粒子が形成される。プラズマアーク４０の先端部に原料粉末を供給しても同様に原料粉末を完全に溶融させることが可能であるが、プラズマアーク４０の発生部のほうが高温であるため好ましい。
【００３１】
アノードトーチ３ａの先端には、Ａｒガス供給配管２１ａおよびＡｒガス導入路２２ａおよび２３ａを通ってＡｒガスが供給され、トーチ（電極）の酸化を防止しつつアークが生成され、カソードトーチ２から射出されたプラズマジェット４０に対して垂直にプラズマアーク４１ａが延びている。アノードトーチ３ｂの先端にも、Ａｒガス供給配管２１ｂおよびＡｒガス導入路２２ｂおよび２３ｂを通ってＡｒガスが供給されてトーチ（電極）の酸化を防止しつつアークが生成され、カソードトーチ２から射出されたプラズマアーク４０に対して垂直にプラズマアーク４１ｂが延びている。そして、プラズマアーク４０，４１ａ，４１ｂの合流点においてプラズマジェット４０ａとなる。装置本体１の溶射粒子射出口１ａ近傍において、空気配管２４ａ，２４ｂからそれぞれ空気導入路２５ａ，２５ｂを通ってプラズマジェット４０ａに空気を供給し、プラズマジェット４０ａにおける溶融に寄与しない熱をトリミングする。
【００３２】
カソードトーチ２およびアノードトーチ３ａ，３ｂには、アーク発生を開始させる高周波スターターとして機能する補助電源３２ａ，３２ｂと、アークを持続させるエネルギー供給源としての直流主電源３１ａ，３１ｂとが接続されている。なお、これら補助電源３２ａ，３２ｂと、直流主電源３１ａ，３１ｂとは、図示しない制御装置により制御される。
【００３３】
カソードトーチ２およびアクセルノズル５の周囲にはこれらを高温から保護する冷却ジャケット１４が設けられ、アノードトーチ３ａ，３ｂの周囲にも冷却ジャケット２６ａ，２６ｂが設けられている。
【００３４】
このような溶射装置においては、プラズマジェット４０ａにキャリアされた溶射粒子５１が基材５３に当たり溶射膜５２が形成される。
【００３５】
溶射に用いる酸化物セラミックス原料粉末は、通常の市販粉末でよく、必要に応じて造粒を行ない顆粒化して粉末の流動性を改善したものを用いてもよい。基材５３としては必要に応じてブラスト等の表面処理を施したものを用いる。ブラスト処理後の基材は十分洗浄を行ない、表面に付着したブラスト材、削れ屑等をきれいに除去しておくことが好ましい。溶射表面にこれらのゴミが残存していると膜の密着力が低下するので好ましくない。
【００３６】
以上のような装置を用い、溶射の際にセラミックス原料粉末を完全に溶融させることにより、上述したように酸化物セラミックス粒子を完全に溶融させることができ、残留気孔が少なく、所望の表面の射ち放し面粗さを有し、基材との密着性、機械的抵抗性に優れ、欠陥や発色の発生を抑え、封孔処理をすることなしに絶縁性が高い膜を得ることができる。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明の実施例について比較例とともに説明する。
表１に示す基材に表１に示す条件でブラスト処理を行い、油分、ブラストのＧＣなどの溶射面付着物を除去するためエタノール超音波洗浄後、２００℃で３時間乾燥した。一方、表１に示す溶射膜の原料粉末の水分を除去するため、原料粉末を２００℃で３時間乾燥し、再度水分を吸着させないため、素早く供給原料タンクに入れ閉じた。また、セカンダリガスの水分を除去するため、ガス供給系にコンデンサ、ミストセパレータを設置した。
【００３８】
恒温恒湿のブース内に図１に示す構成を有するプラズマ溶射装置(エアロプラズマ社製ＡＰＡ７１００)を設置し、基材を表１に示す所定の温度に加熱した状態とし、表１に示す条件にて溶射を行ない、表１に示す実施例であるＮｏ．１〜９および比較例であるＮｏ．１０、１１、１７の評価用テストピースを得た。なお、表１の原料投入箇所の欄は、図２に示すように、Ａが温度の最も高いプラズマアーク発生部、Ｂがプラズマアークの先端部、Ｃはプラズマアーク発生部から離れたプラズマジェット部である。また、アノード一体型トーチを備えたプラズマ装置を用い、表１に示す条件にて溶射を行って比較例であるＮｏ．１２〜１６の評価用テストピースを得た。なお、膜厚は、試料の断面をＳＥＭで観察し測定した。
【００３９】
これら評価用テストピースについて、表２に示す項目について評価を行った。
これら評価項目のうち表面粗さは、ＪＩＳＢ０６０１に準拠してタリサーフ(装置名；ランクテーラホブソン社製)で測定した。累積細孔容積は、水銀ポロシメータ(島津社製マイクロメトリックスポアサイザー９３２０)を用いて測定した。密着力は、引張試験機(島津製作所製オートグラフＡＧ−１０ＴＥ)を用い、断面積φ２０、引張りスピード１ｍｍ／ｍｉｎの条件で１０個のテストピースについて測定を行い、その平均値を求めた。摩耗量は、ＪＩＳＨ８６８２に準拠して、スガ摩耗試験機(ＮＵＳ−ＩＳＯ−３型)を用い、＃２４０のサンドペーパーを摩耗輪に巻き、評価テストピースへの荷重２ｋｇとして、１０個のテストピースについて摩耗量の測定を行い、その平均値を求めた。硬度は、マイクロビッカース硬さ試験機(アカシ社製、ＭＶＫ−Ｇ１)を用い、表面をラップ後、荷重０．９８Ｎ（１００ｇｆ）、評価テストピース１０個で測定した。射ち放し面発色点数については、３００ｍｍ×３００ｍｍのテストピースについて目視観察により評価した。テープ試験は、カーボンテープ(ＳＨＩＮＴＯ
ＰＡＩＮＴ製、Ｓｈｉｎｔｒｏｎｔａｐｅ)を用い、評価用テストピースの表面にカーボンテープを貼った後、再びカーボンテープを剥し、評価用テストピースと接触したカーボンテープ表面をＳＥＭで観察した。体積抵抗率は、デジタル超高抵抗計(アドバンテスト社製、Ｒ８３４０)とサンプルホルダー（アドバンテスト社製、ＴＲ４２）を用い、印加電圧５００Ｖで測定した。パーティクル量は、エッチング装置(日電アネルバ製、ＤＥＡ−５０６)の壁材に表１の溶射膜を形成し、ガス種ＣＦ_４、流量０．０５Ｌ／ｍｉｎ（５０ｓｃｃｍ）、圧力６．６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）、出力０.５５Ｗ／ｃｍ^２、処理時間２時間で、Ｓｉウエハーを処理した後、Ｓｉウエハー上の１ｍｍ^２当たりのパーティクル数をカウントした。これらの結果を表２に示す。
【００４０】
表１から明らかなように実施例であるＮｏ．１〜９では、アノード分離タイプの溶射装置を用い、セラミックス原料をプラズマアーク部であるＡ，Ｂの位置に導入したので、溶射膜の射ち放し面の表面粗さＲａが５μｍ以下であり、０.１μｍ以上１００μｍ以下の累積細孔容積が０．００８０ｃｃ／ｇ以下であり、体積抵抗率が１×１０^６Ω・ｃｍ以上であるため、静電チャック等の絶縁性が要求される部材に適し、しかも密着力が強く、パーティクルの発生量が少ないことが確認された。また、溶射膜のラップ面の表面粗さも小さく、発光点の数が少なく、摩耗量が少ないことも確認された。
【００４１】
これに対して、比較例であるアノード一体型溶射装置を用いたＮｏ．１２〜１６、およびアノード分離タイプの溶射装置を用いたがセラミック原料粉末の導入位置がプラズマアーク部よりも温度が低いプラズマジェット部であるＮｏ．１７では、溶射膜の射ち放し面の表面粗さが大きく、０.１μｍ以上１００μｍ以下の累積細孔容積も大きく、体積抵抗率が小さい結果となり、静電チャック等の絶縁性が要求される部材への適用が困難であり、パーティクルの発生量も多かった。また、溶射膜のラップ面の表面粗さも大きく、発光点の数が多く、密着力が弱く、摩耗量が多いことも確認された。
【００４２】
【表１】

【００４３】
【表２】

【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、射ち放し面粗さが小さく、気孔が少なく、高い絶縁性および高い密着力を有する溶射膜を備え、腐食性プラズマガス環境下でパーティクルが少なく、静電チャックのように高絶縁性を要求される部材に適した耐食性部材を得ることができる。また、これらに加えて、さらに、ラップ面粗さが小さく機械的抵抗性および密着力の高い溶射膜を有する耐食性部材を得ることができる。さらに、溶射膜の欠陥や発色が生じ難い耐食部材を得ることができる。したがって、本発明の耐食性部材を半導体製造装置用部材に用いた場合に、腐食性プラズマガス中でのパーティクルが低減され、チップの歩留りを飛躍的に向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の耐食性部材における溶射膜を形成する装置を示す概略断面図。
【図２】本発明の実施例における図１の装置の原料投入位置を示す図。
【符号の説明】
１；装置本体
２；カソードトーチ
３ａ，３ｂ；アノードトーチ
４０，４１ａ，４１ｂ；プラズマアーク
４０ａ；プラズマジェット
５１；溶射粒子
５２；溶射膜
５３；基材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a corrosion-resistant member suitable for a component for a semiconductor manufacturing apparatus or the like in which at least a portion exposed to a corrosive plasma gas is covered with a sprayed film of oxide ceramics.
[0002]
[Prior art]
In the semiconductor device manufacturing process and the liquid crystal display device manufacturing process, there is a process of treating a predetermined film formed on a Si wafer or a glass substrate with various corrosive plasma gases, such as dry etching. Conventionally, metal materials such as Al materials and stainless steel have been used for chambers and various members in processing apparatuses that perform processing using such various corrosive plasma gases. In addition to the occurrence, there was a big problem that the life of the member was short.
[0003]
In order to solve such a problem, these members are manufactured from a ceramic sintered body having high corrosion resistance. However, ceramic sintered bodies are relatively easy to manufacture with relatively small members around the wafer and are generally used, but large members such as chamber domes and wall materials are difficult to manufacture. The yield is low and the manufacturing cost is high. In addition, Si wafers and glass substrates are getting larger and larger, and these members are also getting larger, and there is a limit to the application of ceramic sintered bodies to these large members.
[0004]
Therefore, a method that solves these problems by spraying ceramics with corrosion resistance on the surface of the base material is adopted as a base material using a metal material that is low in cost and excellent in workability, such as Al. Has been. Such a corrosion-resistant member having a ceramic sprayed film formed on the surface of a metal substrate such as Al is often required to have high insulation properties, and when applied to an electrostatic chuck, the insulation properties of the sprayed film must be reduced. Various organic and inorganic sealants have been used to enhance it. In the conventional plasma spraying, it is common to use Ar, N ₂ , H ₂ or the like or a mixed gas thereof as the plasma gas.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when forming the sprayed film, the ceramic powder is melted and sprayed onto the base material. When this solidifies on the base material, the high melting point ceramic raw material tends to be insufficiently melted and contains many pores and particles. There is a problem in that the bonding strength between them is weak, and the surface roughness of the surface is poor. In addition, there is a problem that dust easily adheres to such pores, and dust in the pores is difficult to remove by washing. Furthermore, as a result of such a large number of pores and poor surface radiating surface roughness, conventional ceramic sprayed films are not sufficiently resistant to corrosive plasma gases, and are etched by these corrosive plasma gases. There is a problem that sufficient yield cannot be obtained due to generation of particles or generation of dust or gas adhering to the pores. In addition, various organic and inorganic sealing agents are used to improve the thermal insulation of sprayed films for members that require insulating properties such as electrostatic chucks. Since the agent is selectively corroded, desired insulation cannot be obtained, and a large problem arises in that the adsorption power is reduced or the chip is damaged due to an increase in leakage current.
[0006]
In addition, since the high melting point ceramic raw material is insufficiently melted as described above, the conventional sprayed film has low mechanical resistance and poor adhesion to the base material, and damages the film during processing or cleaning. There arises a problem that the roughness of the lap surface is deteriorated due to entering or peeling, and a problem that the yield is lowered by dropping the film during use.
[0007]
Further, in the conventional plasma spraying, since the thermal spraying is performed with Ar, N ₂ , H ₂ or the like as the plasma gas, the thermal spray film is easily reduced at a high temperature when spraying oxide ceramics which is a highly insulating material. There is a problem that defects occur in the sprayed film or color develops.
[0008]
The present invention has been made in view of such circumstances, and is provided with a sprayed film having a small surface roughness, a small number of pores, high insulation and high adhesion, and particles are generated in a corrosive plasma gas environment. An object of the present invention is to provide a corrosion-resistant member suitable for a member requiring a high insulating property such as an electrostatic chuck. In addition to these, another object of the present invention is to provide a corrosion-resistant member having a thermal spray film having a small lap surface roughness and high mechanical resistance. It is another object of the present invention to provide a corrosion-resistant member that is less likely to cause defects or color development in a sprayed film.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
As a result of diligent investigations to solve the above problems, the inventors of the present invention have reduced the residual pores caused by insufficient melting and surface shots by introducing an oxide ceramic material into the plasma arc part of the thermal spraying apparatus and spraying it. The release surface roughness can be improved, the desired release surface roughness is obtained, the pore volume of a predetermined size is small, the insulation is good without sealing treatment, and high adhesion is achieved. It is found that a thermal spray film having a desired lap surface roughness according to the material of the thermal spray film and having a good mechanical resistance typified by wear resistance can be obtained. It was. In addition, by using oxygen element (O) -containing gas plasma such as oxygen gas (O ₂ ) or air, the sprayed film may be defective or colored without reducing the ceramic raw material during spraying. Found that it can be prevented. In addition, in order to form the oxide ceramic sprayed film by introducing the oxide ceramic raw material into the plasma arc generating portion of the spraying apparatus in this way, a spraying apparatus comprising a cathode torch and two separated anode torches is used. Has been found to be preferable.
[0010]
The present invention has been completed based on the above findings, and provides the following (1) to (4) .
[ 0011 ]
(1) A corrosion- resistant member that is used in a corrosive plasma gas environment, and at least a portion exposed to the corrosive plasma gas is covered with a sprayed film of Y ₂ O ₃ ,
The sprayed film uses a thermal spraying device including a cathode torch and two anode torches separated from each other , and supplies oxygen gas ( O ₂ ) or air, or a mixed gas thereof to form an oxygen element ( O ₂ O ₂ ). ) It is obtained by generating a plasma arc by the contained gas plasma , introducing a raw material of Y ₂ O ₃ into the plasma arc part and spraying it,
Wherein among release surface roughness Ra of the sprayed coating is at 5μm or less, 0. Cumulative pore volume of pore diameter of 1μm or 100μm or less is at 0. 0080cc / g or less, a volume resistivity of 1 × 10 ⁶ Ω · cm or more, the adhesion is more than 10 MPa, hardness Hv 500 or more, the wear amount of 150mg or less, the corrosion resistance member, wherein the wrap surface roughness Ra of 0. 008Myuemu below.
[ 0012 ]
(2) A corrosion- resistant member that is used in a corrosive plasma gas environment and at least a portion exposed to the corrosive plasma gas is covered with a sprayed film of Al ₂ O ₃ ,
The sprayed film uses a thermal spraying device including a cathode torch and two anode torches separated from each other , and supplies oxygen gas ( O ₂ ) or air, or a mixed gas thereof to form an oxygen element ( O ₂ O ₂ ). ) It is obtained by generating a plasma arc by the contained gas plasma , introducing a raw material of Al ₂ O ₃ into the plasma arc part and spraying it,
Wherein among release surface roughness Ra of the sprayed coating is at 5μm or less, 0. Cumulative pore volume of pore diameter of 1μm or 100μm or less is at 0. 0080cc / g or less, a volume resistivity of 1 × 10 ⁶ Ω · cm or more, the adhesion is more than 10 MPa, hardness Hv of 1000 or more, the wear amount is 50mg or less, the corrosion resistance member, wherein the wrap surface roughness Ra of 0. 005Myuemu below.
[ 0013 ]
(3) The corrosion-resistant member according to (1) or (2), wherein the number of color spots generated on the exposed surface is 50 or less per 1 cm ² .
[ 0014 ]
(4) In the above (1) or (2), the corrosion-resistant member is characterized in that the number of sprayed films dropped by a tape test on the exposed surface is 50 or less per 1 mm ² .
[ 0015 ]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be specifically described.
The corrosion-resistant member according to the present invention is used in a corrosive plasma gas environment such as a semiconductor manufacturing apparatus member, and at least a portion exposed to the corrosive plasma gas is covered with a sprayed film of oxide ceramics. The sprayed surface roughness Ra of this sprayed film is 5 μm or less, the cumulative pore volume of pores of 0.1 μm or more and 100 μm or less is 0.0008 cc / g or less, and the volume resistivity is 1 × 10 ⁶ Ω · cm or more, and the adhesion is 10 MPa or more.
[ 0016 ]
If the sprayed surface roughness Ra of the sprayed surface exceeds 5 μm, it is not preferable because when it is corroded by the plasma gas, it is easy to fall out and causes particles to decrease the yield of the chip. Further, when the cumulative pore volume of pore diameters of 0.1 μm or more and 100 μm or less exceeds 0.0008 cc / g, the pores are easily connected to each other, which causes grain fall and particles, which reduces the yield of the chip. It is not preferable. Further, when the volume resistivity is less than 1 × 10 ⁶ Ω · cm, the insulation is deteriorated. When the electrostatic chuck is used, the leakage current increases, and a sealing process is required, or the adsorption force is reduced. This is not preferable because it damages the chip. Furthermore, if the adhesive force is less than 10 MPa, the film peels off during machining or washing, or the film falls off during use, which is not preferable.
[ 0017 ]
As oxide ceramics constituting the sprayed film, Y ₂ O ₃ and Al ₂ O ₃ are preferable from the viewpoints of high corrosion resistance and easy formation by thermal spraying. The substrate for forming the sprayed film is not particularly limited as long as spraying is possible, but a metal material such as Al or steel plate that is low in cost and excellent in workability and easy to increase in size is preferable. Of course, it may be a ceramic substrate.
[ 0018 ]
When the main component of the sprayed film is Y ₂ O ₃ , the hardness Hv is preferably 500 or more, the wear amount is 150 mg or less, and the lapping surface roughness Ra is preferably 0.008 μm or less.
[ 0019 ]
When the hardness Hv of the sprayed coating containing Y ₂ O _{3 as the} main component is less than 500 or the wear amount exceeds 150 mg, the resistance to physical etching with plasma gas is low, and particle generation due to degranulation is not preferable. . On the other hand, when the lap surface roughness Ra exceeds 0.008 μm, the convex portions on the surface are likely to drop off, and plasma is concentrated on the edge portions on the surface, which is not preferable.
[ 0020 ]
Here, the amount of wear is the amount of wear measured by winding # 240 sandpaper around a wear wheel and measuring 2 kg as the load on the evaluation test piece, and the adhesion is measured using a tensile tester, with a cross-sectional area of φ20 and a tensile speed. Evaluation was performed under the condition of 1 mm / min.
[ 0021 ]
When the main component of the sprayed film is Al ₂ O ₃ , it is preferable that the hardness Hv is 1000 or more, the wear amount is 50 mg or less, and the lap surface roughness Ra is 0.005 μm or less.
[ 0022 ]
When the hardness Hv of the sprayed coating containing Al ₂ O _{3 as the} main component is less than 1000 or the wear amount exceeds 50 mg, the resistance to physical etching with plasma gas is low, and particle generation due to degranulation is not preferable. . On the other hand, when the lap surface roughness Ra exceeds 0.005 μm, the convex portions on the surface easily fall off, or plasma concentrates on the edge portions of the surface and corrosion is not preferable.
[ 0023 ]
The number of color spots generated on the sprayed surface of the sprayed film is preferably 50 or less per cm ² . If the number of coloring points generated on the exposed surface exceeds 50 per 1 cm ² , there are many defects due to oxygen deficiency, which is not preferable because the yield due to poor appearance is reduced in addition to the decrease in plasma resistance.
[ 0024 ]
It is preferable that the sprayed film fall off by the tape test on the sprayed surface of the sprayed film is 50 or less per 1 mm ² . If the number of sprayed films dropped by the tape test on the exposed surface exceeds 50 per 1 mm ² , it is not preferable because the number of grains dropped during use increases and the yield of chips decreases.
[ 0025 ]
In order to form the sprayed film as described above, in the present invention, a plasma arc is generated by a spraying apparatus, and the oxide ceramic raw material is introduced into the plasma arc part that is the highest temperature, preferably the plasma arc generating part that is particularly hot. Then, the sprayed film is formed. That is, by introducing the oxide ceramic raw material into the plasma arc portion having the highest temperature in this way, the ceramic raw material can be completely melted, and a sprayed film having the desired characteristics can be obtained.
[ 0026 ]
As an apparatus capable of realizing this, a thermal spraying apparatus including a cathode torch and two anode torches separated from each other can be cited. By using such two separated anode torches, the raw material can be introduced into the plasma arc part, which is the highest temperature, so that the ceramic raw material can be completely melted. Can be obtained. In the conventional anode-integrated thermal spraying apparatus, the raw material cannot be introduced into the plasma arc part because of the structure, and it is difficult to completely melt the ceramic raw material.
[ 0027 ]
When thermal spraying the oxide ceramic raw material, it is preferable to use oxygen element (O) -containing gas plasma. The O-containing gas plasma can be formed by supplying, for example, oxygen gas (O ₂ ), air, or a mixed gas thereof. By using the O-containing plasma in this manner, when the oxide ceramic is melted at a high temperature, it is possible to prevent the oxide ceramic from being reduced and causing defects or coloring.
[ 0028 ]
Next, a specific structure of a thermal spraying apparatus including a cathode torch and two anode torches separated from each other will be described. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of such a thermal spraying apparatus. This thermal spraying apparatus includes an apparatus main body 1 having a thermal spray particle injection port 1a, a cathode torch 2 provided on the opposite side of the thermal spray particle injection port 1a of the apparatus main body 1, and support members 4a,

Two anode torches

3a and 3b provided to be supported by 4b are provided.
[ 0029 ]
Ar gas is supplied to the tip of the cathode torch 2 through an Ar gas supply pipe 11 and an Ar gas introduction path 11a to generate an arc while preventing oxidation of the torch (electrode). An accelerator nozzle 5 is provided on the downstream side of the cathode torch 2, and the arc generated in the cathode torch 2 is accelerated to generate a plasma arc 40. Air is supplied to the arc from the cathode torch 2 from the air supply pipe 12 through the air introduction path 12a, and the plasma arc 40 generated from the accelerator nozzle 5 becomes O-containing plasma.
[ 0030 ]
An oxide ceramic raw material powder, which is a thermal spray raw material powder, is introduced from a raw material supply hopper (not shown) through a raw material supply pipe 13 to the generating portion of the plasma arc 40, and the raw material powder is completely melted to form spray particles. Is done. Even if the raw material powder is supplied to the tip portion of the plasma arc 40, it is possible to completely melt the raw material powder in the same manner, but the generating portion of the plasma arc 40 is preferable because it has a higher temperature.
[ 0031 ]
Ar gas is supplied to the tip of the anode torch 3a through the Ar gas supply pipe 21a and the Ar

gas introduction paths

22a and 23a, and an arc is generated while preventing the torch (electrode) from being oxidized. A plasma arc 41a extends perpendicularly to the plasma jet 40 thus formed. Ar gas is also supplied to the tip of the anode torch 3b through the Ar gas supply pipe 21b and the Ar

gas introduction passages

22b and 23b to generate an arc while preventing the torch (electrode) from being oxidized, and is emitted from the cathode torch 2 A plasma arc 41b extends perpendicular to the plasma arc 40 formed. And it becomes the plasma jet 40a in the confluence | merging point of

plasma arc

40,41a, 41b. In the vicinity of the sprayed particle injection port 1a of the apparatus main body 1, air is supplied to the plasma jet 40a from the

air pipes

24a and 24b through the

air introduction paths

25a and 25b, respectively, and heat that does not contribute to melting in the plasma jet 40a is trimmed.
[ 0032 ]
Connected to the cathode torch 2 and the anode torches 3a and 3b are

auxiliary power sources

32a and 32b that function as high-frequency starters for starting arc generation, and DC

main power sources

31a and 31b as energy supply sources for sustaining the arc. . The

auxiliary power supplies

32a and 32b and the DC

main power supplies

31a and 31b are controlled by a control device (not shown).
[ 0033 ]
A cooling jacket 14 is provided around the cathode torch 2 and the accelerator nozzle 5 to protect them from high temperatures, and

cooling jackets

26a and 26b are also provided around the anode torches 3a and 3b.
[ 0034 ]
In such a thermal spraying apparatus, the thermal spraying particle 51 carried by the plasma jet 40a hits the base material 53, and the thermal spraying film 52 is formed.
[ 0035 ]
The oxide ceramic raw material powder used for thermal spraying may be a normal commercial powder, or may be granulated and granulated as necessary to improve the fluidity of the powder. As the base material 53, a material subjected to surface treatment such as blasting is used if necessary. It is preferable that the base material after the blast treatment is sufficiently washed to remove blast material, shavings and the like adhering to the surface. If these dusts remain on the sprayed surface, the adhesion of the film decreases, which is not preferable.
[ 0036 ]
By using the apparatus as described above, the ceramic raw material powder is completely melted during spraying, so that the oxide ceramic particles can be completely melted as described above, and there are few residual pores, and the desired surface is shot. A film having a free surface roughness, excellent adhesion to the base material and mechanical resistance, suppressing the occurrence of defects and coloring, and having a high insulating property without performing a sealing treatment can be obtained.
[ 0037 ]
【Example】
Examples of the present invention will be described below together with comparative examples.
The base material shown in Table 1 was blasted under the conditions shown in Table 1, and dried at 200 ° C. for 3 hours after ultrasonic cleaning with ethanol in order to remove deposits on the sprayed surface such as oil and GC of the blast. On the other hand, the raw material powder was dried at 200 ° C. for 3 hours in order to remove the moisture of the raw material powder of the thermal spray film shown in Table 1, and was quickly put in the feed raw material tank and closed in order not to adsorb moisture again. Moreover, in order to remove the water | moisture content of secondary gas, the capacitor | condenser and the mist separator were installed in the gas supply system.
[ 0038 ]
A plasma spraying apparatus (APA7100 manufactured by Aeroplasma Co., Ltd.) having the configuration shown in FIG. 1 is installed in a constant temperature and humidity booth, and the base material is heated to a predetermined temperature shown in Table 1, and the conditions shown in Table 1 are satisfied. No. 1 which is an example shown in Table 1. 1-9 and No. 1 as a comparative example . Test pieces for evaluation of 10 , 11 , and 17 were obtained. As shown in FIG. 2, the column of the raw material input location in Table 1 shows that A is the plasma arc generating portion having the highest temperature, B is the tip portion of the plasma arc, and C is the plasma jet portion separated from the plasma arc generating portion. It is. Further, using a plasma apparatus equipped with an anode integrated torch, thermal spraying was performed under the conditions shown in Table 1 to obtain a comparative example No. 12 to 16 test pieces for evaluation were obtained. The film thickness was measured by observing the cross section of the sample with an SEM.
[ 0039 ]
About these test pieces for evaluation, the items shown in Table 2 were evaluated.
Among these evaluation items, the surface roughness was measured by Talysurf (device name; manufactured by Rank Taylor Hobson) in accordance with JIS B 0601. The cumulative pore volume was measured using a mercury porosimeter (Shimadzu Micrometric Spore Sizer 9320). The adhesion was measured for 10 test pieces using a tensile tester (Autograph AG-10TE, manufactured by Shimadzu Corporation) under the conditions of a cross-sectional area of φ20 and a pulling speed of 1 mm / min, and the average value was obtained. The amount of wear was determined according to JIS H 8682 by using a Suga abrasion tester (NUS-ISO-3 type), winding # 240 sandpaper around a wear wheel, and applying a load of 2 kg to the evaluation test piece. The amount of wear was measured for the test piece, and the average value was obtained. The hardness was measured with a load of 0.98 N (100 gf) and 10 evaluation test pieces after lapping the surface using a micro Vickers hardness tester (manufactured by Akashi Co., Ltd., MVK-G1). The number of surface-development color points was evaluated by visual observation of a 300 mm × 300 mm test piece. The tape test is carbon tape (SHINTO
After applying a carbon tape to the surface of the test piece for evaluation using PAINT (Shintrontape), the carbon tape was peeled again and the surface of the carbon tape in contact with the test piece for evaluation was observed with SEM. The volume resistivity was measured at an applied voltage of 500 V using a digital ultra high resistance meter (manufactured by Advantest, R8340) and a sample holder (manufactured by Advantest, TR42). The amount of particles is as follows. The sprayed film shown in Table 1 is formed on the wall material of an etching apparatus (manufactured by Nidec Anelva, DEA-506), gas type CF ₄ , flow rate 0.05 L / min (50 sccm), pressure 6.65 Pa (50 mTorr). After processing the Si wafer at an output of 0.55 W / cm ² and a processing time of 2 hours, the number of particles per 1 mm ² on the Si wafer was counted. These results are shown in Table 2.
[ 0040 ]
As is apparent from Table 1, the example No. In Nos. 1 to 9 , since an anode separation type thermal spraying apparatus was used and the ceramic raw material was introduced into positions A and B which are plasma arc portions, the surface roughness Ra of the sprayed surface of the thermal sprayed film was 5 μm or less. Suitable for materials that require insulation, such as electrostatic chucks, because the cumulative pore volume from 1 μm to 100 μm is 0.0080 cc / g or less and the volume resistivity is 1 × 10 ⁶ Ω · cm or more. Moreover, it was confirmed that the adhesion was strong and the amount of particles generated was small. It was also confirmed that the surface roughness of the lap surface of the sprayed film was small, the number of light emitting points was small, and the amount of wear was small.
[ 0041 ]
On the other hand, No. 1 using an anode-integrated thermal spraying apparatus as a comparative example. Nos. 12 to 16 and an anode separation type thermal spraying apparatus were used, but the introduction position of the ceramic raw material powder was No. 1 which is a plasma jet part whose temperature is lower than the plasma arc part. No. 17, the surface roughness of the sprayed surface of the sprayed film is large, the cumulative pore volume of 0.1 μm or more and 100 μm or less is large, the volume resistivity is small, and a member requiring insulation such as an electrostatic chuck Application was difficult, and the amount of particles generated was also large. It was also confirmed that the surface roughness of the lap surface of the sprayed film was large, the number of light emitting points was large, the adhesion was weak, and the amount of wear was large.
[ 0042 ]
[Table 1]

[ 0043 ]
[Table 2]

[ 0044 ]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the sprayed surface roughness is small, the pores are small, the sprayed film has high insulation and high adhesion, and there are few particles in a corrosive plasma gas environment, and static A corrosion-resistant member suitable for a member that requires high insulation, such as an electric chuck, can be obtained. In addition to these, it is possible to obtain a corrosion-resistant member having a thermal spray film having a small lap surface roughness and high mechanical resistance and high adhesion. Furthermore, it is possible to obtain a corrosion-resistant member in which defects or color development of the sprayed film hardly occurs. Therefore, when the corrosion-resistant member of the present invention is used for a member for a semiconductor manufacturing apparatus, particles in the corrosive plasma gas are reduced, and the yield of chips can be dramatically improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an apparatus for forming a sprayed film on a corrosion-resistant member of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a raw material charging position of the apparatus of FIG. 1 in the embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Apparatus main body 2;

Cathode torch

3a, 3b;

Anode torch

40, 41a, 41b; Plasma arc 40a; Plasma jet 51; Thermal spray particle 52;

Claims

The part used in a corrosive plasma gas environment and exposed to at least the corrosive plasma gas is Y _２2 O _３3 A corrosion-resistant member covered with a sprayed coating of
The thermal spray film uses a thermal spraying device having a cathode torch and two anode torches separated from each other, and oxygen gas. ( O _２2 ) Or oxygen element formed by supplying air or mixed gas ( O ) A plasma arc is generated by the contained gas plasma, and Y is generated in the plasma arc part. _２2 O _３3 It is obtained by introducing and spraying the raw material of
The sprayed surface roughness Ra of the sprayed film is 5 μm or less, and 0 . Cumulative pore volume with a pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less is 0 . 0080cc / g or less, and volume resistivity is 1 × 10 ^６6 Ω · cm or more, adhesion strength of 10 MPa or more, hardness Hv of 500 or more, wear amount of 150 mg or less, lapping surface roughness Ra of 0 . A corrosion-resistant member characterized by being 008 μm or less.

It is used in a corrosive plasma gas environment, and at least the part exposed to the corrosive plasma gas is Al. _２2 O _３3 A corrosion-resistant member covered with a sprayed coating of
The thermal spray film uses a thermal spraying device having a cathode torch and two anode torches separated from each other, and oxygen gas. ( O _２2 ) Or oxygen element formed by supplying air or mixed gas ( O ) A plasma arc is generated by the contained gas plasma, and Al is formed in the plasma arc part. _２2 O _３3 It is obtained by introducing and spraying the raw material of
The sprayed surface roughness Ra of the sprayed film is 5 μm or less, and 0 . Cumulative pore volume with a pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less is 0 . 0080cc / g or less, and volume resistivity is 1 × 10 ^６6 Ω · cm or more, adhesion strength of 10 MPa or more, hardness Hv of 1000 or more, wear amount of 50 mg or less, lapping surface roughness Ra of 0 . A corrosion-resistant member characterized by being 005 μm or less.

The corrosion-resistant member according to claim 1 or 2, wherein the number of color spots generated on the exposed surface is 50 or less per 1 cm ² .

The corrosion-resistant member according to claim 1 or 2, wherein the sprayed film is removed by 50 or less per 1 mm ² by a tape test on the exposed surface.