JP3624792B2 - Flexible wiring board, film carrier, tape-like semiconductor device, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board, and electronic device - Google Patents

Flexible wiring board, film carrier, tape-like semiconductor device, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board, and electronic device Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
従来、可撓性配線基板に半導体チップを実装するＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）が知られている。可撓性配線基板にはリードが形成されており、リードと半導体チップのパッドとが接合され、接合部は樹脂封止される。
【０００３】
ＴＡＢ方式によれば、可撓性配線基板を屈曲させて、リール・ツウ・リールで工程を行うが、半導体チップのパッドとリードとの接合部は樹脂封止されるため屈曲しない。そのため、パッドとリードとの接合部に応力が加えられるという問題があった。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するためのものであり、その目的は、応力を緩和する可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る可撓性配線基板は、長尺状のベース基板と、前記ベース基板に形成された複数の配線パターンと、を含み、
各配線パターンは、電気的接続部を有し、
前記ベース基板には、その幅方向に前記電気的接続部からずれた位置に、前記ベース基板の長さ方向に延びるスリットが形成されてなる。
【０００６】
本発明によれば、スリットによってベース基板が部分的に切断されているので、電気的接続部を通る幅方向の直線に沿ってベース基板を屈曲させたときに、電気的接続部の隣の部分（ベース基板の部分）は、電気的接続部に影響を与えずに屈曲できる。その結果、電気的接続部への応力を緩和することができる。
【０００７】
（２）この可撓性配線基板において、
前記スリットは、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接続部の大きさ以上の長さで形成されていてもよい。
【０００８】
こうすることで、電気的接続部と、その隣の部分（ベース基板の部分）とを、スリットによってベース基板の幅方向に分離できる。
【０００９】
（３）この可撓性配線基板において、
前記電気的接続部は、前記ベース基板の幅方向のほぼ中央部に形成され、
前記スリットは、前記ベース基板の幅方向の端部に形成されていてもよい。
【００１０】
（４）この可撓性配線基板において、
前記スリットは、長穴であってもよい。
【００１１】
（５）この可撓性配線基板において、
前記スリットは、切れ目であってもよい。
【００１２】
（６）この可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、複数のデバイスホールが形成され、
前記電気的接続部は、各デバイスホール内に突出する複数のインナーリードを含んでいてもよい。
【００１３】
（７）本発明に係る可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、前記スリットと前記電気的接続部との間に、前記ベース基板よりも硬い材質の補強部が形成されている。
【００１４】
これによれば、ベース基板の屈曲によって電気的接続部に与える応力を、補強部によって緩和することができる。
【００１５】
（８）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接続部の大きさ以上の長さで形成されていてもよい。
【００１６】
こうすることで、電気的接続部の全体に対する応力を緩和することができる。
【００１７】
（９）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなる部分を含んでいてもよい。
【００１８】
（１０）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、ソルダーレジストからなる部分を含んでいてもよい。
【００１９】
（１１）この可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、その端部に複数のスプロケットホールが長さ方向に並んで形成され、
前記スリットは、前記スプロケットホールよりも、前記ベース基板の中央側に形成されていてもよい。
【００２０】
（１２）この可撓性配線基板において、
いずれかの前記スプロケットホールは、前記ベース基板の幅方向に、前記電気的接続部からずれた位置に形成されていてもよい。
【００２１】
これによれば、スプロケットホールも、上述したスリットと同じ効果を達成する。
【００２２】
（１３）本発明にかかるフィルキャリアは、上記可撓性配線基板の前記ベース基板を、幅方向に延びる直線で切断して得られた形状をなす。
【００２３】
本発明によれば、上述した可撓性配線基板の効果を達成することができる。
【００２４】
（１４）本発明に係るテープ状半導体装置は、上記可撓性配線基板と、
前記可撓性配線基板の前記電気的接続部に、電気的に接続された複数の半導体チップと、
を有する。
【００２５】
本発明によれば、上述した効果を達成できる可撓性配線基板を使用するので、電気的接続部への応力を緩和して、可撓性配線基板を巻き取ることができる。
【００２６】
（１５）このテープ状半導体装置は、
前記電気的接続部を封止するシール部をさらに有してもよい。
【００２７】
これによれば、上述したスリットによって、シール部に対する応力を緩和することができる。
【００２８】
（１６）このテープ状半導体装置において、
前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記スリットの長さの範囲内で形成されていてもよい。
【００２９】
これによれば、シール部の全体に対する応力を緩和することができる。
【００３０】
（１７）このテープ状半導体装置において、
前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、上述した補強部の長さの範囲内で形成されていてもよい。
【００３１】
これによれば、シール部の全体に対する応力を緩和することができる。
【００３２】
（１８）本発明に係る半導体装置は、上記テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップの両側で幅方向に延びる直線で切断した形状をなす。
【００３３】
（１９）本発明に係る半導体装置は、上記テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜いた形状をなす。
【００３４】
（２０）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が電気的に接続されてなる。
【００３５】
（２１）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００３６】
（２２）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記可撓性配線基板をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行う工程を含む。
【００３７】
本発明によれば、上述した効果を達成できる可撓性配線基板を使用するので、電気的接続部への応力を緩和して工程を行うことができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した好適な実施の形態について図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００３９】
（可撓性配線基板）
図１は、本実施の形態に係る可撓性配線基板を示す図である。可撓性配線基板１は、ベース基板１０と、複数の配線パターン２０と、を含む。可撓性配線基板１は、図２（Ａ）に示すリール４８に巻き取って取り扱うことができる。可撓性配線基板１は、ＴＡＢ技術が適用される場合には、ＴＡＢ用基板（フィルムキャリアテープ）であるが、これに限定されるものではなく、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）用基板や、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）用基板であってもよい。
【００４０】
ベース基板１０は、長尺状（テープ状）をなす基材であり、配線パターン２０の支持部材である。ベース基板１０は、フレキシブル性を有する。ベース基板１０は、ポリイミド樹脂で形成されることが多いがそれ以外の周知の材料を使用することができる。ベース基板１０の幅方向の両端部に、長さ方向に並ぶ複数のスプロケットホール１２を形成すれば、これに図示しないツメを係合させて可撓性配線基板１を送り出すことができる。
【００４１】
ＴＡＢ技術が適用される場合には、ベース基板１０には、各配線パターン２０について１つの（全体では複数の）デバイスホール１４が形成されている。デバイスホール１４を介して、半導体チップ６０（図３参照）と、それとの電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）とのボンディングを行うことができる。デバイスホール１４の形状は特に限定されなず、半導体チップ６０を完全に収容できる大きさであっても、一部を収容するだけの大きさであってもよい。
【００４２】
ベース基板１０には、複数の配線パターン２０が形成されている。３層基板の可撓性配線基板１では、配線パターン２０が接着剤（図示せず）を介してベース基板１０に接着されている。２層基板の可撓性配線基板１では、配線パターン２０が、ベース基板１０上に直接形成され、接着剤が介在しない。
【００４３】
配線パターン２０は、長尺状のベース基板１０の長手方向に並んで形成されてもよいし、幅方向に並んで形成されてもよいし、マトリクス状に（長手方向及び幅方向に並んで）形成されてもよい。それぞれの配線パターン２０は、同一の形状であることが多いが、異なる形状であってもよい。例えば、ｎ種類の形状をなすｎ個の配線パターン２０が並んで構成される配線パターングループを、繰り返して形成してもよい。複数の配線パターン２０は、電気メッキを行うために、図示しないメッキリードで電気的に接続されていてもよい。
【００４４】
各配線パターン２０は、複数の配線２２、２４を有する。詳しくは、ベース基板１０の長手方向に沿って、デバイスホール１４の一方の側（図１では上側）に複数の配線２２が形成され、他方の側（図１では下側）に複数の配線２４が形成されている。
【００４５】
各配線２２、２４は、一方の端部に形成されるインナーリード２６、２８と、その間隔を拡げる方向に延びる傾斜部３０、３２と、他方の端部３４、３６と、を含む。
【００４６】
インナーリード２６、２８は、デバイスホール１４内に突出する。インナーリード２６同士及びインナーリード２８同士は、平行に形成されており、ベース基板１０の長手方向に延びて形成されていてもよい。インナーリード２６、２８は、半導体チップ６０との電気的接続部である。
【００４７】
傾斜部３０、３２は、インナーリード２６、２８の間隔を拡げる方向に傾斜して形成される。傾斜部３０、３２は、直線を描いて形成してもよいし、曲線を描いて形成してもよい。
【００４８】
端部３４、３６は、傾斜部３０、３２から、インナーリード２６、２８とは反対側に延設されてなる。端部３４同士及び端部３６同士は、平行に形成されており、ベース基板１０の長手方向に延びて形成されていてもよい。端部３４、３６は、インナーリード２６、２８よりも、その幅及びピッチの少なくとも一方を広く形成してもよい。端部３４、３６は、他の電気部品と電気的に接続される。図１の例では、配線２４の端部３６は、アウターリードホール３８をまたいで形成されており、端部３６のうち、アウターリードホール３８内の部分はアウターリードである。
【００４９】
ベース基板１０には、スリット４０が形成されている。スリット４０は、切れ目であっても長穴であってもよい。スリット４０は、ベース基板１０の長さ方向に延びて形成されている。スリット４０は、上述した電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）から、ベース基板１０の幅方向にずれた位置に形成されている。したがって、ベース基板１０に加えられる応力が、スリット４０によって伝達されなくなるので、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に与える応力を緩和することができる。
【００５０】
電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）のベース基板１０の長さ方向の長さＬ１と、スリット４０のベース基板１０の長さ方向の長さＬ２とは、
Ｌ１≦Ｌ２
であることが好ましく、特に、Ｌ１＜Ｌ２であることが最適である。こうすることで、スリット４０の周囲を回り込んで電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に伝えられる応力を少なくすることができる。
【００５１】
電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）を、ベース基板１０の幅方向のほぼ中央部に形成し、スリット４０を、ベース基板１０の端部に形成してもよい。この場合、ベース基板１０の両端部にスリット４０を形成すれば、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）の両側に加えられる応力を緩和できる。
【００５２】
また、ベース基板１０にスプロケットホール１２が形成される場合には、スプロケットホール１２と、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）との間に、スリット４０を形成することが好ましい。
【００５３】
なお、スプロケットホール１２がスリット４０と同じ効果を達成してもよい。例えば、スプロケットホール１２を、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）から、ベース基板１０の幅方向にずれた位置に形成すれば、スプロケットホール１２を介して、応力を緩和することができる。
【００５４】
ベース基板１０には、補強部４２が形成されている。補強部４２は、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）と、スリット４０と、の間に形成することが好ましい。補強部４２は、ベース基板１０の材質よりも硬い材質で形成されており、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に加えられる応力を緩和する。
【００５５】
補強部４２は、配線パターン２０と同じ材料で形成してもよい。その場合、配線パターン２０の製造工程で同時に補強部４２を形成してもよい。また、補強部４２は、配線パターン２０を覆う保護膜４４（図５参照）と同じ材料（例えばソルダーレジスト）で形成してもよく、その場合、配線パターン２０上に保護膜４４を形成するときに、同時に補強部４２を形成してもよい。さらに、補強部４２を、配線パターン２０と同じ材料で形成した部分と、保護膜４４と同じ材料で形成した部分と、の両方を有する構成としてもよい。この場合も、配線パターン２０及び保護膜４４を形成する工程で同時に補強部４２を形成してもよい。
【００５６】
電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）のベース基板１０の長さ方向の長さＬ１と、補強部４２のベース基板１０の長さ方向の長さＬ３とは、
Ｌ１≦Ｌ３
であることが好ましく、特に、Ｌ１＜Ｌ３であることが最適である。こうすることで、ベース基板１０が巻き取られても、補強部４２によって電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）の屈曲を抑えて、電気的接続部に与える応力を緩和できる。
【００５７】
ただし、補強部４２のベース基板１０の長さ方向の長さＬ３と、スリット４０のベース基板１０の長さ方向の長さＬ２とは、
Ｌ３≦Ｌ２
であることが好ましく、特に、Ｌ３＜Ｌ２であることが最適である。こうすることで、補強部４２を形成しても、スリット４０を挟んで電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）とは反対側の部分（ベース基板１０の部分）が屈曲することができ、応力の集中が避けられる。
【００５８】
配線パターン２０上には、保護膜４４（図５参照）を設けてもよい。保護膜４４は、配線パターン２０を酸化等から保護する。例えば、ソルダレジスト等の樹脂で保護膜４４を形成してもよい。保護膜４４は、配線パターン２０のうち、半導体チップ等の他の部品と電気的に接続される部分（インナーリード、外部端子、アウターリード等）を除いた部分上を覆って設ける。
【００５９】
図２（Ａ）は、本実施の形態に係る可撓性配線基板の使用状態を示す図であり、図２（Ｂ）は、そのときの可撓性配線基板の一部の側面図である。図２（Ａ）に示すように、上述した可撓性配線基板１は、リール４８に巻き取られる。そのとき、ベース基板１０の長手方向の軸線が曲げられるが、本実施の形態では、ベース基板１０にスリット４０が形成されている。したがって、図２（Ｂ）に示すように、ベース基板１０の側端部は湾曲し、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）を含む領域（例えばデバイスホール１４の開口端部）の湾曲を少なくすることができる。こうして、ベース基板１０の側端部での湾曲による応力を、スリット４０によって伝えないようにして、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）への応力を緩和することができる。
【００６０】
こうして、リール４８から可撓性配線基板１を引き出して、工程を行うことができ、リール・ツウ・リールで工程を行うこともできる。
【００６１】
（フィルムキャリア）
本発明を適用した実施の形態に係るフィルムキャリアは、図１に示す可撓性配線基板を、幅方向に示す直線（図１に符号４６で示す二点鎖線）で切断した形状をなす。例えば、フィルムキャリアは、上述した可撓性配線基板から切断された個片のフィルムである。なお、可撓性配線基板を切断する位置は特に限定されない。図１に示す例では、１つの配線パターン２０の両側を切断位置としたが、複数の配線パターン２０の両側を切断位置としてもよい。
【００６２】
（テープ状半導体装置の製造方法）
図３は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置の製造方法を説明する図である。
【００６３】
図３に示すように、可撓性配線基板１はリール４８に巻き取られて用意され、半導体チップの搭載を行うボンディングユニット５０に送り出される。リール４８とボンディングユニット５０との間にはバッファ領域（たるみ）５２が設けられており、リール４８の繰り出し量をボンディングユニット５０のタクトタイムに同期させなくても半導体チップを可撓性配線基板１に搭載できるようにしている。
【００６４】
バッファ領域５２では、可撓性配線基板１を自重により垂らした形態としてあるので、その最下部は自重により屈曲が生じ、可撓性配線基板１に曲げ応力が加わることとなる。しかし、本実施の形態に係る可撓性配線基板１には、スリット４０を形成するなど上述した構成を有するので、屈曲による曲げ応力が集中することがない。故に電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に曲げ応力が集中してストレスがかかり、クラックや断線が生じるのを防止することができる。
【００６５】
（テープ状半導体装置）
図４は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置を示す図であり、ベース基板１０の幅方向に延びる直線に沿った断面図である。
【００６６】
テープ状半導体装置は、上述した可撓性配線基板１と、各配線パターン２０に電気的に接続された複数の半導体チップ６０と、を有する。
【００６７】
半導体チップ６０の平面形状は一般的には矩形であり、長方形であっても正方形であってもよい。半導体チップ６０の一方の面に、複数の電極が形成されている。電極は、半導体チップの面の少なくとも１辺（多くの場合、２辺又は４辺）に沿って並んでいる。半導体チップ６０の外形が長方形である場合には、例えば液晶駆動用ＩＣのように長手方向に電極が配列されてもよいし、短手方向に電極が配列されてもよい。また、電極は、半導体チップ６０の面の端部に並んでいる場合と、中央部に並んでいる場合がある。各電極は、アルミニウムなどで薄く平らに形成されたパッドと、その上に形成されたバンプと、からなることが多い。バンプが形成されない場合は、パッドのみが電極となる。電極の少なくとも一部を避けて半導体チップには、パッシベーション膜（図示しない）が形成されている。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成することができる。
【００６８】
半導体チップ６０の電極は、ＴＡＢ技術を適用して、デバイスホール１４を介して、配線パターン２０のインナーリード２６、２８にボンディングしてもよい。
【００６９】
あるいは、デバイスホール１４が形成されない可撓性配線基板を使用した場合には、半導体チップ６０をフェースダウンボンディングしてもよい。その場合、可撓性配線基板は、半導体チップ６０の能動面（電極が形成された面）とベース基板とが対向した状態で実装される基板、すなわちＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）であってもよい。
【００７０】
あるいは、ワイヤボンディングなどを適用して、半導体チップ６０をフェースアップボンディングしてもよい。その場合、可撓性配線基板は、半導体チップ６０の能動面（電極が形成された面）がベース基板の搭載面と同じ方向を向いて、例えば金線などのワイヤ（細線）にて半導体チップ６０の電極と配線パターン２０とが接続されるフェースアップ型の実装基板であってもよい。
【００７１】
テープ状半導体装置は、シール部６２を有してもよい。シール部６２は、少なくとも半導体チップ６０の電極と配線パターン２０との電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）を封止するものである。シール部６２は、樹脂で形成されることが多い。
【００７２】
また、配線パターン２０における保護膜４４によって覆われる部分と覆われない部分との境界では、シール部６２は、保護膜４４の端部と重複することが好ましい（図５参照）。こうすることで、配線パターン２０が露出することを防止できる。シール部６２は、ポッティングによって設けてもよいし、トランスファモールドによって設けてもよい。
【００７３】
（半導体装置及びその製造方法）
図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。半導体装置は、図５に示すテープ状半導体装置を、幅方向に延びる直線で切断した形状をなす。例えば、図５に示すように、切断ジグ６４（カッタやパンチ等）で、１つの配線パターン２０の両側で、テープ状半導体装置を切断してもよい。その切断位置は、図１に二点鎖線４６で示す位置であってもよい。
【００７４】
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置は、上述したテープ状半導体装置のベース基板１０を打ち抜いた形状をなしていてもよい。打ち抜きの位置は、１つの配線パターン２０を囲む輪郭であってもよい。
【００７５】
（半導体装置及び回路基板）
図６は、本発明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図である。図６に示すように、回路基板７０には、上述した半導体装置７２が電気的に接続されている。回路基板７０は、例えば液晶パネルであってもよい。半導体装置７２は、テープ状半導体装置のベース基板１０を、半導体チップ６０を囲む輪郭で打ち抜いた形状なす。
【００７６】
図６に示すように、半導体装置７２のベース基板１０は、屈曲させて設けてもよい。例えば、回路基板７０の端部の回りにベース基板１０を屈曲させてもよい。
【００７７】
（電子機器）
本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図７には、携帯電話８０が示されている。この携帯電話８０は、本発明を適用した回路基板７０（液晶パネル）も有する。図８には、本発明を適用した半導体装置（図示せず）を有するノート型パーソナルコンピュータ９０が示されている。
【００７８】
なお、本発明の構成要件「半導体チップ」を「電子素子」に置き換えて、半導体素子と同様に電子素子（能動素子か受動素子かを問わない）を、可撓性配線基板に実装して電子部品を製造することもできる。このような電子素子を使用して製造される電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る可撓性配線基板を示す図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る可撓性配線基板の使用状態を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１ 可撓性配線基板
１０ ベース基板
１２ スプロケットホール
１４ デバイスホール
２０ 配線パターン
２６、２８ インナーリード（電気的接続部）
４０ スリット
４２ 補強部
４４ 保護膜
６０ 半導体チップ
６２ シール部
７０ 回路基板
７２ 半導体装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a flexible wiring board, a film carrier, a tape-shaped semiconductor device, a semiconductor device and a manufacturing method thereof, a circuit board, and an electronic device.
[0002]
BACKGROUND OF THE INVENTION
Conventionally, TAB (Tape Automated Bonding) for mounting a semiconductor chip on a flexible wiring board is known. A lead is formed on the flexible wiring board, the lead and the pad of the semiconductor chip are joined, and the joint is sealed with resin.
[0003]
According to the TAB method, the flexible wiring board is bent and the process is performed by reel-to-reel. However, the bonding portion between the pad and the lead of the semiconductor chip is not bent because it is resin-sealed. Therefore, there is a problem that stress is applied to the joint between the pad and the lead.
[0004]
The present invention is for solving this problem, and an object of the present invention is to provide a flexible wiring board, a film carrier, a tape-like semiconductor device, a semiconductor device and a manufacturing method thereof, a circuit board, and an electronic device that relieve stress. Is to provide.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
(1) A flexible wiring board according to the present invention includes a long base substrate and a plurality of wiring patterns formed on the base substrate,
Each wiring pattern has an electrical connection,
The base substrate is formed with a slit extending in the length direction of the base substrate at a position shifted from the electrical connection portion in the width direction.
[0006]
According to the present invention, since the base substrate is partially cut by the slit, when the base substrate is bent along a straight line in the width direction passing through the electrical connection portion, the portion adjacent to the electrical connection portion. The (base substrate portion) can be bent without affecting the electrical connection. As a result, stress on the electrical connection portion can be relaxed.
[0007]
(2) In this flexible wiring board,
The slit may be formed in the length direction of the base substrate with a length equal to or greater than the size of the electrical connection portion.
[0008]
By doing so, the electrical connection portion and the adjacent portion (the portion of the base substrate) can be separated in the width direction of the base substrate by the slit.
[0009]
(3) In this flexible wiring board,
The electrical connection portion is formed at a substantially central portion in the width direction of the base substrate,
The slit may be formed at an end in the width direction of the base substrate.
[0010]
(4) In this flexible wiring board,
The slit may be a long hole.
[0011]
(5) In this flexible wiring board,
The slit may be a cut.
[0012]
(6) In this flexible wiring board,
A plurality of device holes are formed in the base substrate,
The electrical connection part may include a plurality of inner leads protruding into each device hole.
[0013]
(7) In the flexible wiring board according to the present invention ,
Wherein the base substrate is between said slit and said electrical connecting portions, that is rigid reinforced portion of material is formed than the base substrate.
[0014]
According to this, the stress applied to the electrical connection portion by the bending of the base substrate can be relaxed by the reinforcing portion.
[0015]
(8) In this flexible wiring board,
The reinforcing portion may be formed in the length direction of the base substrate with a length greater than or equal to the size of the electrical connection portion.
[0016]
By doing so, it is possible to relieve stress on the entire electrical connection portion.
[0017]
(9) In this flexible wiring board,
The reinforcing portion may include a portion made of the same material as the wiring pattern.
[0018]
(10) In this flexible wiring board,
The reinforcing portion may include a portion made of a solder resist.
[0019]
(11) In this flexible wiring board,
In the base substrate, a plurality of sprocket holes are formed side by side in the length direction at the end,
The slit may be formed closer to the center of the base substrate than the sprocket hole.
[0020]
(12) In this flexible wiring board,
Any of the sprocket holes may be formed at a position shifted from the electrical connection portion in the width direction of the base substrate.
[0021]
According to this, the sprocket hole also achieves the same effect as the slit described above.
[0022]
(13) The fill carrier according to the present invention has a shape obtained by cutting the base substrate of the flexible wiring substrate along a straight line extending in the width direction.
[0023]
According to the present invention, the effect of the flexible wiring board described above can be achieved.
[0024]
(14) A tape-like semiconductor device according to the present invention includes the flexible wiring board,
A plurality of semiconductor chips electrically connected to the electrical connection portion of the flexible wiring board;
Have
[0025]
According to the present invention, since the flexible wiring board that can achieve the above-described effect is used, the stress on the electrical connection portion can be relieved and the flexible wiring board can be wound.
[0026]
(15) This tape-shaped semiconductor device
You may further have the seal part which seals the said electrical-connection part.
[0027]
According to this, the stress with respect to a seal part can be relieved by the slit mentioned above.
[0028]
(16) In this tape-shaped semiconductor device,
The seal portion may be formed within the length of the slit in the length direction of the base substrate.
[0029]
According to this, the stress with respect to the whole seal part can be relieved.
[0030]
(17) In this tape-shaped semiconductor device,
The seal portion may be formed in the length direction of the base substrate within the range of the length of the reinforcing portion described above.
[0031]
According to this, the stress with respect to the whole seal part can be relieved.
[0032]
(18) The semiconductor device according to the present invention has a shape in which the base substrate of the tape-shaped semiconductor device is cut by a straight line extending in the width direction on both sides of any one of the semiconductor chips.
[0033]
(19) A semiconductor device according to the present invention has a shape in which the base substrate of the tape-shaped semiconductor device is punched out with an outline surrounding any one of the semiconductor chips.
[0034]
(20) A circuit board according to the present invention is formed by electrically connecting the semiconductor device.
[0035]
(21) An electronic apparatus according to the present invention includes the semiconductor device.
[0036]
(22) A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of winding and preparing the flexible wiring board on a reel, and pulling out the flexible wiring board from the reel.
[0037]
According to the present invention, since the flexible wiring board capable of achieving the above-described effect is used, the process can be performed while relaxing the stress on the electrical connection portion.
[0038]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments to which the present invention is applied will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments.
[0039]
(Flexible wiring board)
FIG. 1 is a diagram showing a flexible wiring board according to the present embodiment. The flexible wiring board 1 includes a base substrate 10 and a plurality of wiring patterns 20. The flexible wiring board 1 can be handled by being wound around a reel 48 shown in FIG. When the TAB technology is applied, the flexible wiring board 1 is a TAB substrate (film carrier tape), but is not limited thereto, and is not limited to a COF (Chip On Film) substrate or COB. It may be a (Chip On Board) substrate.
[0040]
The base substrate 10 is a long base material (tape shape) and is a support member for the wiring pattern 20. The base substrate 10 has flexibility. The base substrate 10 is often formed of a polyimide resin, but other well-known materials can be used. If a plurality of sprocket holes 12 arranged in the length direction are formed at both ends of the base substrate 10 in the width direction, the flexible wiring board 1 can be sent out by engaging a claw (not shown).
[0041]
When the TAB technology is applied, one (a plurality of) device holes 14 are formed in the base substrate 10 for each wiring pattern 20. The semiconductor chip 60 (see FIG. 3) can be bonded to the electrical connection portions (for example, inner leads 26 and 28) with the semiconductor chip 60 through the device hole 14. The shape of the device hole 14 is not particularly limited, and may be a size that can completely accommodate the semiconductor chip 60 or a size that only partially accommodates the semiconductor chip 60.
[0042]
A plurality of wiring patterns 20 are formed on the base substrate 10. In the flexible wiring board 1 of the three-layer board, the wiring pattern 20 is bonded to the base board 10 via an adhesive (not shown). In the flexible wiring board 1 of the two-layer board, the wiring pattern 20 is formed directly on the base board 10 and no adhesive is interposed.
[0043]
The wiring pattern 20 may be formed side by side in the longitudinal direction of the long base substrate 10, may be formed side by side in the width direction, or may be formed in a matrix (side by side in the longitudinal direction and the width direction). It may be formed. Each wiring pattern 20 has the same shape in many cases, but may have a different shape. For example, a wiring pattern group constituted by n wiring patterns 20 having n types of shapes may be repeatedly formed. The plurality of wiring patterns 20 may be electrically connected by a plating lead (not shown) in order to perform electroplating.
[0044]
Each wiring pattern 20 has a plurality of wirings 22 and 24. Specifically, a plurality of wirings 22 are formed on one side (upper side in FIG. 1) of the device hole 14 along the longitudinal direction of the base substrate 10, and a plurality of wirings 24 are formed on the other side (lower side in FIG. 1). Is formed.
[0045]
Each wiring 22, 24 includes inner leads 26, 28 formed at one end, inclined portions 30, 32 extending in the direction of increasing the interval, and the other ends 34, 36.
[0046]
The inner leads 26 and 28 protrude into the device hole 14. The inner leads 26 and the inner leads 28 are formed in parallel and may be formed to extend in the longitudinal direction of the base substrate 10. The inner leads 26 and 28 are electrical connection portions with the semiconductor chip 60.
[0047]
The inclined portions 30 and 32 are formed so as to be inclined in the direction in which the interval between the inner leads 26 and 28 is increased. The inclined portions 30 and 32 may be formed by drawing a straight line or by drawing a curve.
[0048]
The end portions 34 and 36 are extended from the inclined portions 30 and 32 to the side opposite to the inner leads 26 and 28. The end portions 34 and the end portions 36 are formed in parallel and may be formed to extend in the longitudinal direction of the base substrate 10. The end portions 34 and 36 may be formed wider than at least one of the width and pitch of the inner leads 26 and 28. The end portions 34 and 36 are electrically connected to other electrical components. In the example of FIG. 1, the end portion 36 of the wiring 24 is formed so as to straddle the outer lead hole 38, and a portion of the end portion 36 inside the outer lead hole 38 is an outer lead.
[0049]
A slit 40 is formed in the base substrate 10. The slit 40 may be a cut or a long hole. The slit 40 is formed extending in the length direction of the base substrate 10. The slit 40 is formed at a position shifted in the width direction of the base substrate 10 from the above-described electrical connection portions (for example, the inner leads 26 and 28). Accordingly, since stress applied to the base substrate 10 is not transmitted by the slit 40, the stress applied to the electrical connection portions (for example, the inner leads 26 and 28) can be relaxed.
[0050]
The length L 1 in the length direction of the base substrate 10 of the electrical connection portion (for example, the inner leads 26, 28) and the length L 2 in the length direction of the base substrate 10 of the slit 40 are:
L 1 ≦ L 2
In particular, L 1 <L 2 is optimal. By doing so, the stress transmitted around the slit 40 and transmitted to the electrical connection portions (for example, the inner leads 26 and 28) can be reduced.
[0051]
An electrical connection portion (for example, inner leads 26 and 28) may be formed at a substantially central portion in the width direction of the base substrate 10, and the slit 40 may be formed at an end portion of the base substrate 10. In this case, if the slits 40 are formed at both end portions of the base substrate 10, the stress applied to both sides of the electrical connection portions (for example, the inner leads 26 and 28) can be relieved.
[0052]
Further, when the sprocket hole 12 is formed in the base substrate 10, it is preferable to form the slit 40 between the sprocket hole 12 and the electrical connection portions (for example, the inner leads 26 and 28).
[0053]
The sprocket hole 12 may achieve the same effect as the slit 40. For example, if the sprocket hole 12 is formed at a position shifted in the width direction of the base substrate 10 from the electrical connection portion (for example, the inner leads 26, 28), the stress can be relieved through the sprocket hole 12. .
[0054]
A reinforcing portion 42 is formed on the base substrate 10. The reinforcing portion 42 is preferably formed between the electrical connection portion (for example, the inner leads 26 and 28) and the slit 40. The reinforcing portion 42 is formed of a material harder than the material of the base substrate 10 and relieves stress applied to the electrical connection portions (for example, the inner leads 26 and 28).
[0055]
The reinforcing part 42 may be formed of the same material as the wiring pattern 20. In that case, the reinforcing part 42 may be formed simultaneously in the manufacturing process of the wiring pattern 20. Further, the reinforcing portion 42 may be formed of the same material (for example, solder resist) as the protective film 44 (see FIG. 5) covering the wiring pattern 20, and in that case, when the protective film 44 is formed on the wiring pattern 20. At the same time, the reinforcing portion 42 may be formed. Furthermore, the reinforcing part 42 may be configured to have both a part formed of the same material as the wiring pattern 20 and a part formed of the same material as the protective film 44. Also in this case, the reinforcing portion 42 may be formed at the same time as the step of forming the wiring pattern 20 and the protective film 44.
[0056]
The length L 1 in the length direction of the base substrate 10 of the electrical connection portion (for example, the inner leads 26, 28) and the length L 3 in the length direction of the base substrate 10 of the reinforcing portion 42 are:
L 1 ≦ L 3
In particular, L 1 <L 3 is optimal. By doing so, even if the base substrate 10 is wound up, the reinforcing portion 42 can suppress the bending of the electrical connection portion (for example, the inner leads 26 and 28), and the stress applied to the electrical connection portion can be relieved.
[0057]
However, the length L 3 of the reinforcing substrate 42 in the length direction of the base substrate 10 and the length L 2 of the slit 40 in the length direction of the base substrate 10 are:
L 3 ≦ L 2
In particular, L 3 <L 2 is optimal. In this way, even if the reinforcing portion 42 is formed, a portion (a portion of the base substrate 10) opposite to the electrical connection portion (for example, the inner leads 26 and 28) across the slit 40 can be bent. , Avoid stress concentration.
[0058]
A protective film 44 (see FIG. 5) may be provided on the wiring pattern 20. The protective film 44 protects the wiring pattern 20 from oxidation or the like. For example, the protective film 44 may be formed of a resin such as a solder resist. The protective film 44 is provided so as to cover a portion of the wiring pattern 20 excluding portions (inner leads, external terminals, outer leads, etc.) that are electrically connected to other components such as a semiconductor chip.
[0059]
FIG. 2A is a diagram showing a usage state of the flexible wiring board according to the present embodiment, and FIG. 2B is a side view of a part of the flexible wiring board at that time. . As shown in FIG. 2A, the above-described flexible wiring board 1 is wound around a reel 48. At that time, the longitudinal axis of the base substrate 10 is bent, but in the present embodiment, the slit 40 is formed in the base substrate 10. Therefore, as shown in FIG. 2B, the side end portion of the base substrate 10 is curved, and the region including the electrical connection portion (for example, the inner leads 26 and 28) (for example, the opening end portion of the device hole 14) is curved. Can be reduced. In this way, stress due to the curvature at the side end portion of the base substrate 10 is not transmitted by the slit 40, and the stress on the electrical connection portions (for example, the inner leads 26 and 28) can be relaxed.
[0060]
In this way, the flexible wiring board 1 can be pulled out from the reel 48 and the process can be performed, and the process can also be performed with a reel-to-reel.
[0061]
(Film carrier)
A film carrier according to an embodiment to which the present invention is applied has a shape obtained by cutting the flexible wiring board shown in FIG. 1 along a straight line (two-dot chain line indicated by reference numeral 46 in FIG. 1) in the width direction. For example, the film carrier is a piece of film cut from the flexible wiring board described above. In addition, the position which cut | disconnects a flexible wiring board is not specifically limited. In the example shown in FIG. 1, both sides of one wiring pattern 20 are set as cutting positions, but both sides of a plurality of wiring patterns 20 may be set as cutting positions.
[0062]
(Method for manufacturing a tape-like semiconductor device)
FIG. 3 is a diagram for explaining a method for manufacturing a tape-shaped semiconductor device according to an embodiment to which the present invention is applied.
[0063]
As shown in FIG. 3, the flexible wiring board 1 is prepared by being wound around a reel 48, and sent out to a bonding unit 50 for mounting a semiconductor chip. A buffer area (slack) 52 is provided between the reel 48 and the bonding unit 50, and the semiconductor chip can be transferred to the flexible wiring board 1 without synchronizing the amount of reel 48 fed to the tact time of the bonding unit 50. It can be mounted on.
[0064]
In the buffer region 52, the flexible wiring board 1 is hung by its own weight, so that its lowermost portion is bent by its own weight, and bending stress is applied to the flexible wiring board 1. However, since the flexible wiring board 1 according to the present embodiment has the above-described configuration such as the formation of the slit 40, bending stress due to bending does not concentrate. Therefore, it is possible to prevent the bending stress from being concentrated on the electrical connection portion (for example, the inner leads 26 and 28) and applying the stress, thereby preventing the occurrence of cracks and disconnection.
[0065]
(Tape semiconductor device)
FIG. 4 is a diagram showing a tape-like semiconductor device according to an embodiment to which the present invention is applied, and is a cross-sectional view along a straight line extending in the width direction of the base substrate 10.
[0066]
The tape-like semiconductor device has the above-described flexible wiring board 1 and a plurality of semiconductor chips 60 electrically connected to each wiring pattern 20.
[0067]
The planar shape of the semiconductor chip 60 is generally rectangular, and may be rectangular or square. A plurality of electrodes are formed on one surface of the semiconductor chip 60. The electrodes are arranged along at least one side (in many cases, two sides or four sides) of the surface of the semiconductor chip. When the outer shape of the semiconductor chip 60 is rectangular, for example, electrodes may be arranged in the longitudinal direction as in a liquid crystal driving IC, or electrodes may be arranged in the short direction. The electrodes may be arranged at the end of the surface of the semiconductor chip 60 or may be arranged at the center. Each electrode is often composed of a thin flat pad made of aluminum or the like and a bump formed thereon. When the bump is not formed, only the pad becomes the electrode. A passivation film (not shown) is formed on the semiconductor chip while avoiding at least part of the electrodes. The passivation film can be formed of, for example, SiO2, SiN, polyimide resin, or the like.
[0068]
The electrodes of the semiconductor chip 60 may be bonded to the inner leads 26 and 28 of the wiring pattern 20 through the device holes 14 by applying the TAB technique.
[0069]
Alternatively, when a flexible wiring board in which the device hole 14 is not formed is used, the semiconductor chip 60 may be face-down bonded. In that case, the flexible wiring substrate may be a substrate mounted with the active surface of the semiconductor chip 60 (the surface on which the electrodes are formed) and the base substrate facing each other, that is, a COF (Chip On Film). .
[0070]
Alternatively, the semiconductor chip 60 may be face-up bonded by applying wire bonding or the like. In that case, the flexible wiring board has the active surface of the semiconductor chip 60 (surface on which the electrode is formed) oriented in the same direction as the mounting surface of the base substrate, and the semiconductor chip is made of a wire (thin wire) such as a gold wire. It may be a face-up type mounting substrate to which 60 electrodes and the wiring pattern 20 are connected.
[0071]
The tape-shaped semiconductor device may have a seal portion 62. The seal portion 62 seals at least an electrical connection portion (for example, the inner leads 26 and 28) between the electrode of the semiconductor chip 60 and the wiring pattern 20. The seal part 62 is often made of resin.
[0072]
Moreover, it is preferable that the seal part 62 overlaps with the edge part of the protective film 44 in the boundary of the part covered with the protective film 44 in the wiring pattern 20, and the part which is not covered (refer FIG. 5). By doing so, it is possible to prevent the wiring pattern 20 from being exposed. The seal part 62 may be provided by potting or may be provided by transfer molding.
[0073]
(Semiconductor device and manufacturing method thereof)
FIG. 5 is a diagram showing a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to an embodiment to which the present invention is applied. The semiconductor device has a shape obtained by cutting the tape-shaped semiconductor device shown in FIG. 5 along a straight line extending in the width direction. For example, as shown in FIG. 5, the tape-shaped semiconductor device may be cut on both sides of one wiring pattern 20 with a cutting jig 64 (cutter, punch, etc.). The cutting position may be a position indicated by a two-dot chain line 46 in FIG.
[0074]
The semiconductor device according to the embodiment to which the present invention is applied may have a shape obtained by punching the base substrate 10 of the tape-shaped semiconductor device described above. The punching position may be a contour surrounding one wiring pattern 20.
[0075]
(Semiconductor device and circuit board)
FIG. 6 is a diagram showing a circuit board according to an embodiment to which the present invention is applied. As shown in FIG. 6, the above-described semiconductor device 72 is electrically connected to the circuit board 70. The circuit board 70 may be a liquid crystal panel, for example. The semiconductor device 72 is formed by punching the base substrate 10 of the tape-shaped semiconductor device with a contour surrounding the semiconductor chip 60.
[0076]
As shown in FIG. 6, the base substrate 10 of the semiconductor device 72 may be bent. For example, the base substrate 10 may be bent around the end portion of the circuit board 70.
[0077]
(Electronics)
As an electronic apparatus having a semiconductor device to which the present invention is applied, a mobile phone 80 is shown in FIG. The cellular phone 80 also includes a circuit board 70 (liquid crystal panel) to which the present invention is applied. FIG. 8 shows a notebook personal computer 90 having a semiconductor device (not shown) to which the present invention is applied.
[0078]
The constituent element “semiconductor chip” of the present invention is replaced with “electronic element”, and an electronic element (whether an active element or a passive element) is mounted on a flexible wiring board in the same manner as a semiconductor element. Parts can also be manufactured. Examples of electronic components manufactured using such electronic elements include optical elements, resistors, capacitors, coils, oscillators, filters, temperature sensors, thermistors, varistors, volumes, and fuses.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a flexible wiring board according to an embodiment to which the present invention is applied.
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a usage state of a flexible wiring board according to an embodiment to which the present invention is applied.
FIG. 3 is a diagram showing a method for manufacturing a tape-like semiconductor device according to an embodiment to which the invention is applied.
FIG. 4 is a diagram showing a tape-like semiconductor device according to an embodiment to which the present invention is applied.
FIG. 5 is a diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment to which the present invention has been applied.
FIG. 6 is a diagram showing a circuit board according to an embodiment to which the present invention is applied.
FIG. 7 is a diagram illustrating an electronic apparatus including the semiconductor device according to the present embodiment.
FIG. 8 is a diagram illustrating an electronic apparatus including the semiconductor device according to the present embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Flexible wiring board 10 Base board 12 Sprocket hole 14 Device hole 20 Wiring pattern 26, 28 Inner lead (electrical connection part)
40 Slit 42 Reinforcing Unit 44 Protective Film 60 Semiconductor Chip 62 Sealing Unit 70 Circuit Board 72 Semiconductor Device

Claims (21)

長尺状のベース基板と、前記ベース基板に形成された複数の配線パターンと、を含み、
各配線パターンは、電気的接続部を有し、
前記ベース基板には、その幅方向に前記電気的接続部からずれた位置に、前記ベース基板の長さ方向に延びるスリットが形成され、前記スリットと前記電気的接続部との間に、前記ベース基板よりも硬い材質の補強部が形成されてなる可撓性配線基板。A long base substrate, and a plurality of wiring patterns formed on the base substrate,
Each wiring pattern has an electrical connection,
In the base substrate, a slit extending in the length direction of the base substrate is formed at a position shifted from the electrical connection portion in the width direction, and the base is interposed between the slit and the electrical connection portion. A flexible wiring board in which a reinforcing portion made of a material harder than the board is formed . 請求項１記載の可撓性配線基板において、
前記スリットは、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接続部の大きさ以上の長さで形成されてなる可撓性配線基板。The flexible wiring board according to claim 1,
The slit is a flexible wiring board formed in the length direction of the base substrate with a length equal to or larger than the size of the electrical connection portion. 請求項１又は請求項２記載の可撓性配線基板において、
前記電気的接続部は、前記ベース基板の幅方向のほぼ中央部に形成され、
前記スリットは、前記ベース基板の幅方向の端部に形成されてなる可撓性配線基板。In the flexible wiring board according to claim 1 or 2,
The electrical connection portion is formed at a substantially central portion in the width direction of the base substrate,
The said slit is a flexible wiring board formed in the edge part of the width direction of the said base substrate. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記スリットは、長穴である可撓性配線基板。In the flexible wiring board in any one of Claims 1-3,
The slit is a flexible wiring board which is a long hole. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記スリットは、切れ目である可撓性配線基板。In the flexible wiring board in any one of Claims 1-3,
The slit is a flexible wiring board that is a cut. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、複数のデバイスホールが形成され、
前記電気的接続部は、各デバイスホール内に突出する複数のインナーリードを含んでなる可撓性配線基板。The flexible wiring board according to any one of claims 1 to 5,
A plurality of device holes are formed in the base substrate,
The electrical connection part is a flexible wiring board including a plurality of inner leads protruding into each device hole. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接続部の大きさ以上の長さで形成されてなる可撓性配線基板。The flexible wiring board according to any one of claims 1 to 6 ,
The said reinforcement part is a flexible wiring board formed in the length direction of the said base board by the length more than the magnitude | size of the said electrical-connection part. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなる部分を含む可撓性配線基板。In the flexible wiring board in any one of Claims 1-7,
The said reinforcement part is a flexible wiring board containing the part which consists of the same material as the said wiring pattern. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記補強部は、ソルダーレジストからなる部分を含む可撓性配線基板。The flexible wiring board according to any one of claims 1 to 8 ,
The reinforcing part is a flexible wiring board including a part made of a solder resist. 請求項１から請求項９のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、その端部に複数のスプロケットホールが長さ方向に並んで形成され、
前記スリットは、前記スプロケットホールよりも、前記ベース基板の中央側に形成されてなる可撓性配線基板。In the flexible wiring board according to any one of claims 1 to 9,
In the base substrate, a plurality of sprocket holes are formed side by side in the length direction at the end,
The said slit is a flexible wiring board formed in the center side of the said base substrate rather than the said sprocket hole. 請求項１０記載の可撓性配線基板において、
いずれかの前記スプロケットホールは、前記ベース基板の幅方向に、前記電気的接続部からずれた位置に形成されてなる可撓性配線基板。The flexible wiring board according to claim 10 ,
Any of the sprocket holes is a flexible wiring board formed at a position shifted from the electrical connection portion in the width direction of the base substrate. 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の可撓性配線基板の前記ベース基板を、幅方向に延びる直線で切断して得られた形状をなすフィルムキャリア。Film carrier constituting the base substrate of the flexible wiring board as claimed in any one of claims 11, a shape obtained by cutting along a straight line extending in the width direction. 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の可撓性配線基板と、
前記可撓性配線基板の前記電気的接続部に、電気的に接続された複数の半導体チップと、
を有するテープ状半導体装置。The flexible wiring board according to any one of claims 1 to 11 ,
A plurality of semiconductor chips electrically connected to the electrical connection portion of the flexible wiring board;
A tape-shaped semiconductor device. 請求項１３記載のテープ状半導体装置において、
前記電気的接続部を封止するシール部をさらに有するテープ状半導体装置。The tape-shaped semiconductor device according to claim 13 ,
A tape-shaped semiconductor device further comprising a seal portion for sealing the electrical connection portion. 請求項１４記載のテープ状半導体装置において、
前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記スリットの長さの範囲内で形成されてなるテープ状半導体装置。The tape-shaped semiconductor device according to claim 14 ,
The seal portion, a longitudinal direction of the base substrate, the tape-like device containing a formed within the length of the previous SL slit. 請求項１４又は請求項１５記載のテープ状半導体装置において、
前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記補強部の長さの範囲内で形成されてなるテープ状半導体装置。In tape-shaped semiconductor device 請 Motomeko 14 or claim 15, wherein,
The seal portion, a longitudinal direction of the base substrate, the tape-like device containing a formed within the length of the front Symbol reinforcing portion. 請求項１３から請求項１６のいずれかに記載のテープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップの両側で幅方向に延びる直線で切断した形状をなす半導体装置。The semiconductor device forming the base substrate of the tape-like semiconductor device, any one of the cut in a straight line extending in the width direction on both sides of the semiconductor chip shape according to claim 13 claim 16. 請求項１３記載から請求項１６のいずれかに記載のテープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜いた形状をなす半導体装置。The semiconductor device which makes the shape which pierced the said base substrate of the tape-shaped semiconductor device in any one of Claim 13 to 16 with the outline surrounding any one said semiconductor chip. 請求項１７又は請求項１８記載の半導体装置が電気的に接続された回路基板。A circuit board to which the semiconductor device according to claim 17 or 18 is electrically connected. 請求項１７又は請求項１８記載の半導体装置を有する電子機器。Claim 17 or an electronic apparatus having the semiconductor device according to claim 18, wherein. 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の可撓性配線基板をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行う工程を含む半導体装置の製造方法。12. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a flexible wiring board according to any one of claims 1 to 11 by winding it on a reel, and drawing the flexible wiring board from the reel.
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