JP3623654B2

JP3623654B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP3623654B2
Application number: JP11517998A
Authority: JP
Inventors: 光雄小笠原; 竹志谷口; 暢生柳沢
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-04-24
Filing date: 1998-04-24
Publication date: 2005-02-23
Anticipated expiration: 2018-04-24
Also published as: JPH11307499A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示器用ガラス基板、カラーフィルタ用ガラス基板、フォトマスク用基板、サーマルヘッド用セラミック基板、プリント基板、半導体ウエハなどの基板の処理を行う基板処理装置、特に、基板を搬入又は搬出するための開口を有する処理チャンバー、その開口を開閉する開閉手段、及び処理チャンバー内の雰囲気を排気する排気手段を備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基板処理装置としては、搬送方向に並設された搬送ローラなどにより処理チャンバー内に基板を搬送して、処理液供給手段から基板上に処理液をシャワー供給することにより所定の基板処理（洗浄、現像、エッチング、剥離等）を行うものが知られている。このような基板処理装置においては、処理液として洗浄液、現像液、エッチング液および剥離液などの薬液が基板面に供給される。これらの処理液は、処理チャンバー内に配設されたノズルから基板の上面に供給される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図５に、連続枚葉式の基板処理装置の一例を示す。この基板処理装置１０１では、薬液貯留槽１５０に貯留した薬液をポンプ１５１によってノズル１５３に供給し、処理チャンバー１１０内に収容された基板にノズル１５３から薬液を吹き付けて基板に薬液処理を施す。基板の薬液処理に使用した薬液は、処理チャンバー１１０の下部から薬液貯留槽１５０に戻され、再び薬液処理に使用される。このように、この基板処理装置１０１では、薬液が循環使用されている。一方、処理チャンバー１１０は、装置外の排気ダクトにつながる排気配管１１２と連通しており、排気ダクトのドラフトにより常時内部の雰囲気が強制排気されている。これにより、処理チャンバー１１０内の薬液を含んだ雰囲気が搬入口１１０ａや搬出口１１０ｂから処理チャンバー１１０の外（例えば、隣接する別の処理チャンバー１２０，１３０）に漏れ出すことを抑制している。
【０００４】
しかしながら、この基板処理装置１０１のような装置では、蒸気やミストとなった薬液が雰囲気とともに大量に排気されてしまう。このため、循環使用されている薬液の量の減少を補う補充薬液が大量に必要になり、また、排気された雰囲気に含まれる薬液を処理するために大きな費用がかかる。
【０００５】
図６に、タクト枚葉式の基板処理装置の一例を示す。この基板処理装置１０２は、図５の基板処理装置１０１の処理チャンバー１１０の搬入口１１０ａ及び搬出口１１０ｂにシャッター１１７，１１８を設けた構造であり、シャッター１１７，１１８により搬入口１１０ａ及び搬出口１１０ｂが開閉される。処理チャンバー１１０内で基板に処理を施している間は搬入口１１０ａ及び搬出口１１０ｂを閉め、処理チャンバー１１０に基板を搬入及び搬出するときには、搬入口１１０ａ及び搬出口１１０ｂを開ける。
【０００６】
ここでは、基板の処理中は搬入口１１０ａ及び搬出口１１０ｂが閉められるため処理チャンバー１１０内の薬液を含んだ雰囲気が処理チャンバー１１０の外に漏れ出すことは殆どないが、この基板の処理中にも、搬入口１１０ａ及び搬出口１１０ｂが開けられているときと同様に処理チャンバー１１０内の雰囲気が大量に排気されている。したがって、上記基板処理装置１０１と同様に、シャッター１１７，１１８を設けた基板処理装置１０２においても、循環使用されている薬液の量の減少を補う補充薬液が大量に必要になり、また、排気された雰囲気に含まれる薬液を処理するために大きな費用がかかる。さらに、大量排気によって基板処理中に処理チャンバー１１０内に外部の雰囲気が多く侵入してくるため、基板処理時間が長くなる等の不具合が出る恐れもある。
【０００７】
本発明の課題は、処理チャンバー外への開口からの雰囲気の漏れ出しを抑制しつつ、処理チャンバー内の雰囲気とともに排気される薬液の量を少なくすることのできる基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る基板処理装置は、処理チャンバーと、排気手段と、開閉手段と、制御手段とを備えている。処理チャンバーは、内部に配備されたノズルから噴射された処理液によって基板に処理を施すチャンバーであって、基板を搬入又は搬出するための開口を有している。排気手段は、処理チャンバーの内部の雰囲気を処理チャンバーの上方から排気する。開閉手段は処理チャンバーの開口を開閉する。制御手段は、開閉手段によって処理チャンバーの開口を開けたときに処理チャンバーの内部の雰囲気が開口から処理チャンバーの外部に出ないように、排気手段による処理チャンバーの内部の雰囲気の排気量が多くなるように制御するとともに、開閉手段によって開口を閉めたときに排気手段による処理チャンバーの内部の雰囲気の排気量が少なくなるように制御し、かつ、開閉手段によって開口を閉めたときであってノズルから処理液が噴射されているときに排気手段による処理チャンバーの内部の雰囲気の排気量が少なくなるように制御する。
【０００９】
本基板処理装置では、排気量を制御することができる構造を採っている。そして、制御手段によって排気量を制御して、処理チャンバーの内部の雰囲気が開口から処理チャンバーの外部に出ないようにしている。したがって、処理チャンバーの内部の雰囲気が開口から処理チャンバーの外部に出ない範囲で適正に排気量を制御することにより、処理チャンバー内の雰囲気とともに排気される処理液の量を減らすことができる。
【００１０】
また、本基板処理装置では、開口が開いているときの排気量よりも開口が閉まっているときの排気量のほうが少なくなるように制御される。これにより、開口が開いていて処理チャンバー内の雰囲気が外部に出ていく恐れの大きいときには、処理チャンバー内の雰囲気を大量に排気して処理チャンバー内の雰囲気の外部への流出が抑えられ、開口が閉まっていて処理チャンバー内の雰囲気が外部へ流出する恐れの小さいときには、排気量を絞って排気により処理チャンバー内から持ち出される処理液の量が抑えられる。
【００１１】
このように、ここでは、開口が閉まっているときには排気量を絞っても処理チャンバー内の雰囲気が開口から外部に流出する恐れが小さいことに着目して、排気手段による排気量の制御を可能とするとともに、開口を閉めたときに排気量が少なくなるように制御している。
【００１２】
請求項２に係る基板処理装置は、請求項１に記載の装置において、排気手段は排気路を有しており、その排気路は処理チャンバーに接続されている。また、排気路は、可変流路抵抗を含んでいる。制御手段は、可変流路抵抗によって、排気路を流れる排気に対する流路抵抗を変更する。具体的には、制御手段は、開閉手段によって開口を閉めたときに排気路を流れる排気に対する流路抵抗が増加するように、制御を行う。
【００１３】
ここでは、可変流路抵抗が排気路に設けられており、制御手段は、この可変流路抵抗により排気路の流路抵抗を変更することによって、排気手段による排気量を調整する。そして、開口を閉めたときに排気路を流れる排気に対する流路抵抗が増加するような制御が行われるため、開口を閉めたときには排気手段による排気量は小さくなる。
【００１４】
請求項３に係る基板処理装置は、請求項２に記載の装置において、可変流路抵抗は、開度を調整することのできる自動開度調整手段である。
【００１５】
ここでは、自動開度調整手段である可変流路抵抗の開度を変えることによって、排気手段による排気量を調整することができる。
【００１６】
請求項４に係る基板処理装置は、請求項１から３のいずれかに記載の装置において、処理チャンバーは、常温以上の高温の処理液によって基板に処理を施す処理チャンバーである。
【００１７】
常温以上の高温の処理液で行う処理では特に処理チャンバー内の雰囲気に処理液の蒸気やミストが多量に存在する。このような処理を基板に施す処理チャンバーにおいては排気によって処理チャンバー外に持ち出される処理液の量が多い。
【００１８】
ここでは、処理中であって開口を閉めているときにおいて排気量が少なくなるように制御されるため、処理チャンバー内から持ち出される処理液の量が抑えられる。このように、基板に常温以上の温度の処理液で処理を施す処理チャンバーを備えた基板処理装置に請求項１から３のいずれかに記載の制御を行うと、その効果はより明確に現れる。
【００１９】
請求項５に係る基板処理装置は、請求項１から４のいずれかに記載の装置において、処理チャンバーの外部に配置された処理液貯留槽と、処理液チャンバーの下部に設けられ処理液貯留槽に処理液チャンバー内の処理液を戻すための戻り管とをさらに備えている。
【００２０】
請求項６に係る基板処理装置は、請求項１から５のいずれかに記載の装置において、処理液は、処理液貯留槽と処理チャンバーとの間を循環する。処理液貯留槽は、処理チャンバーの外部に設けられた処理液を貯留する槽である。
【００２１】
ここでは、処理液を循環させているため、排気により処理液が持ち出されると、処理液貯留槽に新たな処理液を補充しなけれればならない。しかしながら、本基板処理装置では請求項１から５のいずれかに記載の制御が行われるため、処理チャンバー内の雰囲気とともに排気される処理液の量が少なく、処理液貯留槽に補充しなければならない新たな処理液の量も少なくなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１及び図２に本発明の一実施形態における基板処理装置１の一部を示す。この基板処理装置１は、液晶表示器用のガラス基板（以下、基板という。）に各種の処理を施す装置であって、剥離処理のための剥離処理チャンバー１０及び剥離処理チャンバー１０の前後に配置される処理チャンバー２０，３０を含む複数の処理チャンバーが組み合わされた装置である。基板は、基板処理装置１の各処理チャンバーを順に搬送され、例えば洗浄，レジスト塗布，露光，現像，エッチング，剥離等の各処理が施される。図１及び図２において１点鎖線で示すラインが、基板の搬送経路である。
【００２３】
図１に及び図２に示す剥離処理チャンバー１０では、基板を内部に収容して、基板に剥離液（処理液）を吹き付けて、エッチング工程でのマスクの役目を終えた基板上のフォトレジスト膜を剥離（ウェット剥離）する。この剥離処理チャンバー１０には、基板を搬入するための搬入口（開口）１０ａと、基板を搬出するための搬出口（開口）１０ｂとが形成されており、その内部には、基板搬送のための搬送ローラ１６と、基板に剥離液を噴射する複数のノズル５３とが配備されている。また、搬入口１０ａ及び搬出口１０ｂの開閉を行うために、搬入シャッター１７及び搬出シャッター１８が設けられている。
【００２４】
剥離処理チャンバー１０の天井部には、排気配管（排気手段）１２が接続されている。この排気配管１２は、図示しない排気ダクト（排気手段）まで延びており、剥離処理チャンバー１０内の雰囲気を排気として排気ダクトまで通す。排気配管１２の途中には、駆動手段を内蔵した自動開度調整機能付きの自動バタフライバルブである排気ダンパー（自動開度調整手段）１３が設けられている。また、排気配管１２の排気ダンパー１３よりも剥離処理チャンバー１０側には、剥離処理チャンバー１０内の圧力を測定するための圧力計１４が設置されている。
【００２５】
剥離処理チャンバー１０の下部には、剥離処理チャンバー１０内の剥離液を剥離液貯留槽（処理液貯留槽）５０に戻すための戻り管５５が接続されている。剥離液貯留槽５０は、剥離処理チャンバー１０の外部に設けられている貯留槽であって、剥離処理に使用する所定量の剥離液を貯留する。この剥離液貯留槽５０には、適宜新しい剥離液が補充される。剥離液は、図１及び図２に示すように、ポンプ５１によって、フィルター５２及び供給管５４を介して剥離処理チャンバー１０内のノズル５３に運ばれ、ノズル５３から基板に対して噴射される。この剥離液は、アミン系の有機溶剤で、剥離処理促進のために高温で基板に噴射される。
【００２６】
搬入シャッター１７，搬出シャッター１８は、基板の搬入，搬出のために、それぞれ搬入口１０ａ，搬出口１０ｂを開閉する。図１に示す状態が、搬入口１０ａ，搬出口１０ｂが閉まっている状態（以下、それぞれ、搬入シャッター１７が閉の状態，搬出シャッター１８が閉の状態という。）であり、図２に示す状態が、搬入口１０ａ，搬出口１０ｂが開いている状態（以下、それぞれ、搬入シャッター１７が開の状態，搬出シャッター１８が開の状態という。）である。搬入シャッター１７，搬出シャッター１８が閉の状態のときには、搬入シャッター１７，搬出シャッター１８が搬入口１０ａ，搬出口１０ｂを塞ぐ。搬入シャッター１７，搬出シャッター１８が開の状態のときには、搬入シャッター１７，搬出シャッター１８が搬入口１０ａ，搬出口１０ｂと高さ方向にずれるので、搬入口１０ａ，搬出口１０ｂを介した基板の搬入，搬出が可能となる。
【００２７】
また、図３に示すように、搬入シャッター１７，搬出シャッター１８が開の状態であるか閉の状態であるかを検出する搬入シャッター開閉検知手段１７ａ，搬出シャッター開閉検知手段１８ａが設けられている。搬入シャッター１７や搬出シャッター１８の開閉については、これらを開閉するための制御信号によって判断することも可能であるが、ここではより確実に実際の開閉を確認するために搬入シャッター開閉検知手段１７ａ，搬出シャッター開閉検知手段１８ａを設けている。具体的には、機械式のリミットスイッチや光学式の光センサー等が用いられる。
【００２８】
次に、排気ダンパー１３の制御について説明する。
【００２９】
排気配管１２に設けられた排気ダンパー１３は、その開度を変更することによって、排気配管１２の流路抵抗を増減することができる。排気ダンパー１３の開度を大きくすると、排気配管１２の流路抵抗が減少し、排気ダクトに排気される剥離処理チャンバー１０内の雰囲気の排気量が大きくなる。排気ダンパー１３の開度を小さくすると、排気配管１２の流路抵抗が増大し、排気ダクトに排気される剥離処理チャンバー１０内の雰囲気の排気量が小さくなる。この排気ダンパー１３の開度は、図３に示す排気ダンパー制御部（制御手段）１５の制御信号によって変更される。
【００３０】
排気ダンパー制御部１５は、図３に示すように、搬入シャッター開閉検知手段１７ａ、搬出シャッター開閉検知手段１８ａ、及び圧力計１４の検知結果あるいは測定結果を基に、排気ダンパー１３に対して開度調整の指令を与える。この排気ダンパー制御部１５が行う排気ダンパー開度制御を図４に示す。
【００３１】
ここでは、まず、ステップＳ１において、搬入シャッター１７が閉の状態であるか否かを、搬入シャッター開閉検知手段１７ａの検知結果から判断する。搬入シャッター１７が閉の状態であれば、ステップＳ２に移行して、搬出シャッター１８が閉の状態であるか否かを、搬出シャッター開閉検知手段１８ａの検知結果から判断する。搬出シャッター１８が閉の状態であれば、すなわち、搬入及び搬出シャッター１７，１８が共に閉の状態のときには、ステップＳ３に移行する。ステップＳ３では、圧力計１４により測定された剥離処理チャンバー１０内の圧力Ｐが、予め設定されている適正処理中圧力の上限圧力Ｐ１よりも大きいか否かを判断する。圧力Ｐが上限圧力Ｐ１よりも小さければ、ステップＳ４に移行して、圧力Ｐが、予め設定されている適正処理中圧力の下限圧力Ｐ２よりも小さいか否かを判断する。ステップＳ４で圧力Ｐが下限圧力Ｐ２よりも大きいと判断されると、すなわち、圧力Ｐが下限圧力Ｐ２と上限圧力Ｐ１との間の範囲にある場合には、排気ダンパー１３に指令を出さずに、ステップＳ１に戻る。
【００３２】
上記の適正処理中圧力（上限圧力Ｐ１、下限圧力Ｐ２）は、搬入及び搬出シャッター１７，１８を閉め基板に高温の剥離液を噴射して剥離処理を施しているときに、剥離処理チャンバー１０内の剥離液のミストや蒸気を多量に含んだ雰囲気を過剰に排気してしまわないように、且つこの雰囲気が隣接する処理チャンバー２０，３０等に漏れ出さないようにするために設定される剥離処理チャンバー１０内の圧力である。この適正処理中圧力は、上限圧力Ｐ１から下限圧力Ｐ２までの範囲の圧力として、ある程度幅を持って設定されており、隣接する処理チャンバー２０，３０内の圧力よりも若干小さく設定されている。
【００３３】
ステップＳ１において搬入シャッター１７が開であると判断されたとき、あるいはステップＳ２において搬出シャッター１８が開であると判断されたときには、ステップＳ５に移行して、排気ダンパー制御部１５から排気ダンパー１３に開度１００％（全開）の指令が送られる。これにより、図２に示すように排気ダンパー１３が全開となり、排気ダクトのドラフトによって剥離処理チャンバー１０内の雰囲気が大量に排気される。この場合には、搬入口１０ａや搬出口１０ｂを通って剥離処理チャンバー１０内に隣接する処理チャンバー２０，３０の雰囲気が剥離処理チャンバー１０内に侵入してくるが、高温かつ剥離液のミスト等を多量に含んだ剥離処理チャンバー１０内の雰囲気が搬入口１０ａや搬出口１０ｂから処理チャンバー２０，３０に漏れ出すことを防止することが優先されている。
【００３４】
ステップＳ３において圧力Ｐが上限圧力Ｐ１よりも大きいと判断されると、ステップＳ６に移行して、排気ダンパー制御部１５から排気ダンパー１３に開度を大きくするという指令が送られる。これにより、排気ダンパー１３の開度が大きくなり、排気ダクトに排気される排気量が増え、剥離処理チャンバー１０内の圧力Ｐが下がる。排気ダンパー１３の開度をどれだけ大きくするかについては、圧力Ｐと上限圧力Ｐ１との差の大きさに連動させるのが望ましい。このように圧力Ｐが上限圧力Ｐ１よりも大きいときに圧力Ｐを下げるような制御を行うため、剥離処理チャンバー１０内の雰囲気が搬入口１０ａや搬出口１０ｂから処理チャンバー２０，３０に漏れ出すことが抑えられる。
【００３５】
ステップＳ４において圧力Ｐが下限圧力Ｐ２よりも小さいと判断されると、ステップＳ７に移行して、排気ダンパー制御部１５から排気ダンパー１３に開度を小さくするという指令が送られる。これにより、排気ダンパー１３の開度が小さくなり、排気ダクトに排気される排気量が減り、剥離処理チャンバー１０内の圧力Ｐが上がる。排気ダンパー１３の開度をどれだけ小さくするかについては、圧力Ｐと下限圧力Ｐ２との差の大きさに連動させるのが望ましい。このように圧力Ｐが下限圧力Ｐ２よりも小さいときに圧力Ｐを上げるような制御を行うため、剥離処理チャンバー１０内の剥離液のミスト等を多量に含んだ雰囲気が過剰に排気されることが抑えられる。
【００３６】
ここでは、剥離処理チャンバー１０からの排気量を、排気ダンパー制御部１５による排気ダンパー１３の開度調整によって制御して、剥離処理チャンバー１０内の雰囲気が搬入口１０ａや搬出口１０ｂから処理チャンバー２０，３０に流出しないようにする一方、剥離処理チャンバー１０内の雰囲気とともに排気ダクトに排気される剥離液の量を減らしている。
【００３７】
具体的には、搬入口１０ａあるいは搬出口１０ｂが開いているときには排気ダンパー１３を全開にして排気を行い、搬入口１０ａ及び搬出口１０ｂが閉まっているときには排気ダンパー１３を適当に絞って（開度を小さくして）排気量が少なくなるように制御している。これにより、搬入口１０ａあるいは搬出口１０ｂが開いていて剥離処理チャンバー１０内の雰囲気が隣接する処理チャンバー２０，３０に流出する恐れの大きいときには、剥離処理チャンバー１０内の雰囲気を大量に排気して剥離処理チャンバー１０内の雰囲気の隣接する処理チャンバー２０，３０への流出を抑え、搬入口１０ａ及び搬出口１０ｂが閉まっていて剥離処理チャンバー１０内の雰囲気が隣接する処理チャンバー２０，３０に流出する恐れの小さいときには、排気量を絞って剥離処理チャンバー１０内から排気によって持ち出される剥離液の量を抑えている。
【００３８】
なお、ここではステップＳ３，Ｓ６及びステップＳ４，Ｓ７によって剥離処理チャンバー１０内の圧力が所定範囲に収まるように制御しているが、搬入口１０ａおよび、搬出口１０ｂを共に閉めた状態で、剥離処理チャンバー１０内の圧力が所定範囲になるような排気ダンパー１３の開度を予め求めておいた上で、搬入口１０ａ、または、搬出口１０ｂが開いた状態では排気ダンパー１３を全開にし、搬入口１０ａおよび、搬出口１０ｂが共に閉まった状態では排気ダンパー１３の開度を前記予め求めた開度にしてもよい。
【００３９】
このように、ここでは、搬入口１０ａ及び搬出口１０ｂが閉まっているときには排気量を絞っても剥離処理チャンバー１０内の雰囲気が隣接する処理チャンバー２０，３０に流出する恐れが小さいことに着目して、排気配管１２に排気ダンパー１３を設けるとともに、搬入口１０ａ及び搬出口１０ｂを閉めたときに排気量が少なくなるように排気ダンパー１３の開度を制御している。
【００４０】
また、ここでは、剥離処理チャンバー１０の排気量を自動制御できるようにして、排気によって剥離処理チャンバー１０外に持ち出される剥離液の量を抑制している。このように、約８０℃の高温の剥離液を供給して処理が行われる剥離処理では特に、剥離処理チャンバー１０内に剥離液の蒸気やミストが多量に存在する。しかし、剥離処理チャンバー１０の排気量を少なくしているので剥離液の節約や排気された剥離液の処理コスト削減の効果が大きい。
【００４１】
また、同じく約５０℃の高温のエッチング液を供給して処理が行われるエッチング処理を行うエッチング処理チャンバーに本発明を適用すれば、同様にエッチング液の節約や排気されたエッチング液の処理コスト削減の効果が大きい。
【００４２】
このように、常温以上の温度の処理液を供給する処理において本発明を適用すると、処理液を節約でき、排気された処理液の処理コスト削減の効果が大きい。また、常温の処理液を供給する他の処理チャンバー、例えば洗浄処理チャンバー，現像処理チャンバーの排気量についても、これを自動制御して排気量を適正に制御すれば、同様に処理液の節約等の効果が得られる。
【００４３】
なお、本実施形態では基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置に本発明を適用したが、複数の基板を一括して処理を施す基板処理装置に本発明を適用してもよい。
【００４４】
【発明の効果】
本発明では、排気量を制御することができる構造を採り、排気量を制御して処理チャンバーの内部の雰囲気が開口から処理チャンバーの外部に出ないようにしているので、処理チャンバーの内部の雰囲気が開口から処理チャンバーの外部に出ない範囲で適正に排気量を制御することにより、処理チャンバー内の雰囲気とともに排気される処理液の量を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における基板処理装置の剥離処理チャンバーの概略図。
【図２】剥離処理チャンバーの概略図。
【図３】排気ダンパーの制御図。
【図４】排気ダンパー開度の制御フロー図。
【図５】従来の基板処理装置の概略図。
【図６】従来の基板処理装置の概略図。
【符号の説明】
１基板処理装置
１０剥離処理チャンバー（処理チャンバー）
１０ａ搬入口（開口）
１０ｂ搬出口（開口）
１２排気配管（排気路）
１３排気ダンパー（可変流路抵抗）
１５排気ダンパー制御部（制御手段）
１７搬入シャッター（開閉手段）
１８搬出シャッター（開閉手段）
５０剥離液貯留槽（処理液貯留槽）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a color filter, a substrate for a photomask, a ceramic substrate for a thermal head, a printed circuit board, a semiconductor wafer, and the like. The present invention relates to a substrate processing apparatus including a processing chamber having an opening for opening and closing, an opening / closing means for opening and closing the opening, and an exhausting means for exhausting an atmosphere in the processing chamber.
[0002]
[Prior art]
As a conventional substrate processing apparatus, a substrate is transferred into a processing chamber by a transfer roller or the like arranged in parallel in a transfer direction, and a predetermined substrate processing ( Cleaning, developing, etching, peeling, etc.) are known. In such a substrate processing apparatus, a chemical solution such as a cleaning solution, a developing solution, an etching solution, and a stripping solution is supplied to the substrate surface as a processing solution. These processing liquids are supplied to the upper surface of the substrate from a nozzle disposed in the processing chamber.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
FIG. 5 shows an example of a continuous single wafer type substrate processing apparatus. In the substrate processing apparatus 101, the chemical liquid stored in the chemical liquid storage tank 150 is supplied to the nozzle 153 by the pump 151, and the chemical liquid treatment is performed on the substrate by spraying the chemical liquid from the nozzle 153 to the substrate accommodated in the processing chamber 110. The chemical used for the chemical treatment of the substrate is returned to the chemical reservoir 150 from the lower part of the processing chamber 110 and used again for the chemical treatment. Thus, in this substrate processing apparatus 101, the chemical solution is circulated. On the other hand, the processing chamber 110 communicates with an exhaust pipe 112 connected to an exhaust duct outside the apparatus, and an internal atmosphere is always exhausted by a draft of the exhaust duct. Thereby, it is suppressed that the atmosphere containing the chemical | medical solution in the processing chamber 110 leaks out of the processing chamber 110 (for example, another adjacent processing chamber 120,130) from the carrying-in entrance 110a and the carrying-out exit 110b.
[0004]
However, in an apparatus such as the substrate processing apparatus 101, a large amount of chemical liquid that is vapor or mist is exhausted together with the atmosphere. For this reason, a large amount of replenishing chemical solution that compensates for the decrease in the amount of chemical solution that is circulated is required, and it is expensive to process the chemical solution contained in the exhausted atmosphere.
[0005]
FIG. 6 shows an example of a tact single-wafer type substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus 102 has a structure in which shutters 117 and 118 are provided at the carry-in port 110a and the carry-out port 110b of the processing chamber 110 of the substrate processing apparatus 101 in FIG. 5, and the carry-in port 110a and the carry-out port 110b are provided by the shutters 117 and 118, respectively. Is opened and closed. While the substrate is being processed in the processing chamber 110, the loading port 110a and the loading port 110b are closed, and when loading and unloading the substrate into the processing chamber 110, the loading port 110a and the loading port 110b are opened.
[0006]
Here, since the carry-in port 110a and the carry-out port 110b are closed during the processing of the substrate, the atmosphere containing the chemical solution in the processing chamber 110 hardly leaks out of the processing chamber 110. Also, the atmosphere in the processing chamber 110 is exhausted in a large amount in the same manner as when the carry-in port 110a and the carry-out port 110b are opened. Accordingly, in the same manner as the substrate processing apparatus 101, the substrate processing apparatus 102 provided with the shutters 117 and 118 requires a large amount of replenishing chemical solution to compensate for the decrease in the amount of the chemical solution that is circulated and exhausted. It costs a lot to process the chemicals contained in the atmosphere. Further, due to the large amount of exhaust, a large amount of external atmosphere intrudes into the processing chamber 110 during the substrate processing, which may cause problems such as a long substrate processing time.
[0007]
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing the amount of chemical liquid exhausted together with the atmosphere in the processing chamber while suppressing leakage of the atmosphere from the opening to the outside of the processing chamber. .
[0008]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a processing chamber, an exhaust unit, an opening / closing unit, and a control unit. The processing chamber is a chamber for processing a substrate with a processing liquid ejected from a nozzle disposed therein, and has an opening for loading or unloading the substrate. The exhaust means exhausts the atmosphere inside the processing chamber from above the processing chamber . The opening / closing means opens and closes the opening of the processing chamber. Control means, the atmosphere in the processing chamber so as not to outside the processing chamber from the opening, becomes large exhaust amount of the atmosphere in the processing chamber by the exhaust means when opening the opening of the processing chamber by opening and closing means together, it controlled so that the exhaust amount of the atmosphere in the processing Chi Yanba by the exhaust unit is reduced when closing the opening by the opening and closing means, and there is time closing the opening by the opening and closing means nozzle controls to Then, control is performed so that the exhaust amount of the atmosphere inside the processing chamber by the exhaust means is reduced when the processing liquid is being ejected from the exhaust gas.
[0009]
This substrate processing apparatus employs a structure capable of controlling the exhaust amount. The exhaust amount is controlled by the control means so that the atmosphere inside the processing chamber does not come out of the processing chamber from the opening. Therefore, the amount of the processing liquid exhausted together with the atmosphere in the processing chamber can be reduced by appropriately controlling the exhaust amount in a range in which the atmosphere inside the processing chamber does not come out of the processing chamber from the opening.
[0010]
In the present substrate processing apparatus, the exhaust amount when the opening is closed is controlled to be smaller than the exhaust amount when the opening is open. As a result, when the opening is open and there is a high possibility that the atmosphere in the processing chamber will be exposed to the outside, the atmosphere in the processing chamber is exhausted in a large amount to suppress the outflow of the atmosphere in the processing chamber to the outside. When the atmosphere is closed and the atmosphere in the processing chamber is unlikely to flow outside, the amount of processing liquid brought out of the processing chamber by the exhaust is reduced by reducing the exhaust amount.
[0011]
As described above, it is possible to control the exhaust amount by the exhaust means by paying attention to the fact that the atmosphere in the processing chamber is less likely to flow out of the opening even if the exhaust amount is reduced when the opening is closed. At the same time, the exhaust amount is controlled to be small when the opening is closed.
[0012]
A substrate processing apparatus according to a second aspect is the apparatus according to the first aspect , wherein the exhaust means has an exhaust path, and the exhaust path is connected to the processing chamber. The exhaust path includes a variable flow path resistance. The control means changes the flow path resistance with respect to the exhaust gas flowing through the exhaust path by the variable flow path resistance. Specifically, the control means performs control so that the flow path resistance against the exhaust flowing through the exhaust path increases when the opening is closed by the opening / closing means.
[0013]
Here, the variable flow path resistance is provided in the exhaust path, and the control means adjusts the exhaust amount by the exhaust means by changing the flow path resistance of the exhaust path by this variable flow path resistance. Then, control is performed such that the flow resistance against the exhaust flowing through the exhaust passage is increased when the opening is closed, so that the exhaust amount by the exhaust means becomes small when the opening is closed.
[0014]
A substrate processing apparatus according to a third aspect is the apparatus according to the second aspect , wherein the variable flow path resistance is an automatic opening degree adjusting means capable of adjusting the opening degree.
[0015]
Here, the amount of exhaust by the exhaust means can be adjusted by changing the opening of the variable flow path resistance that is the automatic opening adjustment means.
[0016]
A substrate processing apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the processing chamber is a processing chamber for processing the substrate with a high-temperature processing liquid at room temperature or higher.
[0017]
In processing performed with a processing solution having a temperature higher than room temperature, a large amount of processing solution vapor or mist is present in the atmosphere in the processing chamber. In a processing chamber for performing such processing on a substrate, a large amount of processing liquid is taken out of the processing chamber by exhaust.
[0018]
Here, since the amount of exhaust gas is controlled to be small when the opening is closed during processing, the amount of processing liquid taken out from the processing chamber can be suppressed. As described above, when the control according to any one of claims 1 to 3 is performed on a substrate processing apparatus including a processing chamber for processing a substrate with a processing solution having a temperature equal to or higher than room temperature, the effect appears more clearly.
[0019]
A substrate processing apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the processing liquid storage tank is disposed outside the processing chamber, and the processing liquid storage tank is provided below the processing liquid chamber. And a return pipe for returning the processing liquid in the processing liquid chamber.
[0020]
A substrate processing apparatus according to a sixth aspect is the apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the processing liquid circulates between the processing liquid storage tank and the processing chamber. The processing liquid storage tank is a tank for storing a processing liquid provided outside the processing chamber.
[0021]
Here, since the processing liquid is circulated, when the processing liquid is taken out by exhaust, a new processing liquid must be replenished to the processing liquid storage tank. However, since the control according to any one of claims 1 to 5 is performed in this substrate processing apparatus, the amount of the processing liquid exhausted together with the atmosphere in the processing chamber is small, and the processing liquid storage tank must be replenished. The amount of new processing liquid is also reduced.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
1 and 2 show a part of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that performs various types of processing on a glass substrate (hereinafter referred to as a substrate) for a liquid crystal display, and is disposed before and after the peeling processing chamber 10 for the peeling processing and the peeling processing chamber 10. A plurality of processing chambers including the processing chambers 20 and 30 are combined. The substrate is sequentially conveyed through each processing chamber of the substrate processing apparatus 1 and subjected to various processes such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, and peeling. In FIG. 1 and FIG. 2, a line indicated by a one-dot chain line is a substrate transport path.
[0023]
In the peeling treatment chamber 10 shown in FIG. 1 and FIG. 2, the photoresist film on the substrate which has finished the role of a mask in the etching process by accommodating the substrate inside and spraying a peeling liquid (treatment liquid) on the substrate. Is peeled off (wet peeling). In the peeling processing chamber 10, a carry-in port (opening) 10a for carrying in a substrate and a carry-out port (opening) 10b for carrying out the substrate are formed. The transport roller 16 and a plurality of nozzles 53 for injecting the stripping liquid onto the substrate are provided. In addition, a carry-in shutter 17 and a carry-out shutter 18 are provided to open and close the carry-in entrance 10a and the carry-out exit 10b.
[0024]
An exhaust pipe (exhaust means) 12 is connected to the ceiling portion of the peeling treatment chamber 10. The exhaust pipe 12 extends to an exhaust duct (exhaust means) (not shown), and passes the atmosphere in the peeling treatment chamber 10 to the exhaust duct as exhaust. In the middle of the exhaust pipe 12, an exhaust damper (automatic opening adjusting means) 13 which is an automatic butterfly valve with an automatic opening adjusting function with a built-in driving means is provided. Further, a pressure gauge 14 for measuring the pressure in the separation processing chamber 10 is installed on the side of the separation processing chamber 10 from the exhaust damper 13 of the exhaust pipe 12.
[0025]
A return pipe 55 for returning the stripping solution in the stripping processing chamber 10 to the stripping solution storage tank (processing solution storage tank) 50 is connected to the lower part of the stripping processing chamber 10. The stripping solution storage tank 50 is a storage tank provided outside the stripping processing chamber 10 and stores a predetermined amount of stripping liquid used for the stripping process. The stripping solution storage tank 50 is appropriately supplemented with a new stripping solution. As shown in FIGS. 1 and 2, the stripping solution is carried by the pump 51 through the filter 52 and the supply pipe 54 to the nozzle 53 in the stripping processing chamber 10, and is ejected from the nozzle 53 onto the substrate. This stripping solution is an amine-based organic solvent and is sprayed onto the substrate at a high temperature in order to accelerate the stripping process.
[0026]
The carry-in shutter 17 and the carry-out shutter 18 open and close the carry-in entrance 10a and the carry-out exit 10b, respectively, for carrying in and carrying out the substrate. The state shown in FIG. 1 is a state where the carry-in entrance 10a and the carry-out exit 10b are closed (hereinafter, the carry-in shutter 17 is closed and the carry-out shutter 18 is closed), and the state shown in FIG. However, this is a state in which the carry-in port 10a and the carry-out port 10b are open (hereinafter, the carry-in shutter 17 is opened and the carry-out shutter 18 is opened). When the carry-in shutter 17 and the carry-out shutter 18 are closed, the carry-in shutter 17 and the carry-out shutter 18 block the carry-in entrance 10a and the carry-out exit 10b. When the carry-in shutter 17 and the carry-out shutter 18 are in the open state, the carry-in shutter 17 and the carry-out shutter 18 are shifted in the height direction from the carry-in entrance 10a and the carry-out exit 10b, so that the substrate is carried in via the carry-in entrance 10a and the carry-out exit 10b. , Can be carried out.
[0027]
Further, as shown in FIG. 3, a carry-in shutter open / close detection means 17a and a carry-out shutter open / close detection means 18a for detecting whether the carry-in shutter 17 and the carry-out shutter 18 are in an open state or a closed state are provided. . The opening and closing of the carry-in shutter 17 and the carry-out shutter 18 can be determined by a control signal for opening and closing them, but here, the carry-in shutter open / close detection means 17a, A carry-out shutter opening / closing detection means 18a is provided. Specifically, a mechanical limit switch, an optical light sensor, or the like is used.
[0028]
Next, control of the exhaust damper 13 will be described.
[0029]
The exhaust damper 13 provided in the exhaust pipe 12 can increase or decrease the flow resistance of the exhaust pipe 12 by changing its opening degree. When the opening degree of the exhaust damper 13 is increased, the flow resistance of the exhaust pipe 12 is reduced, and the exhaust amount of the atmosphere in the separation processing chamber 10 exhausted to the exhaust duct is increased. When the opening degree of the exhaust damper 13 is reduced, the flow resistance of the exhaust pipe 12 is increased, and the exhaust amount of the atmosphere in the separation processing chamber 10 exhausted to the exhaust duct is reduced. The opening degree of the exhaust damper 13 is changed by a control signal of an exhaust damper control unit (control means) 15 shown in FIG.
[0030]
As shown in FIG. 3, the exhaust damper control unit 15 opens the opening relative to the exhaust damper 13 based on the detection result or measurement result of the carry-in shutter open / close detection means 17 a, the carry-out shutter open / close detection means 18 a, and the pressure gauge 14. Give an adjustment command. FIG. 4 shows the exhaust damper opening degree control performed by the exhaust damper control unit 15.
[0031]
Here, first, in step S1, whether or not the carry-in shutter 17 is in a closed state is determined from the detection result of the carry-in shutter open / close detection means 17a. If the carry-in shutter 17 is in the closed state, the process proceeds to step S2, and it is determined from the detection result of the carry-out shutter open / close detection means 18a whether or not the carry-out shutter 18 is in the closed state. If the carry-out shutter 18 is closed, that is, if both the carry-in and carry-out shutters 17 and 18 are closed, the process proceeds to step S3. In step S3, it is determined whether or not the pressure P in the peeling process chamber 10 measured by the pressure gauge 14 is larger than the upper limit pressure P1 of the preset proper processing pressure. If the pressure P is smaller than the upper limit pressure P1, the process proceeds to step S4, and it is determined whether or not the pressure P is smaller than the lower limit pressure P2 of the preset proper processing pressure. If it is determined in step S4 that the pressure P is greater than the lower limit pressure P2, that is, if the pressure P is in the range between the lower limit pressure P2 and the upper limit pressure P1, a command is not sent to the exhaust damper 13. Return to step S1.
[0032]
The above-described proper processing pressures (upper limit pressure P1 and lower limit pressure P2) are set in the release processing chamber 10 when the carry-in and carry-out shutters 17 and 18 are closed and a high-temperature release liquid is sprayed onto the substrate to perform the release process. An exfoliation process is set so that the atmosphere containing a large amount of the mist or vapor of the exfoliating liquid is not exhausted excessively and the atmosphere does not leak into the adjacent processing chambers 20, 30, etc. This is the pressure in the chamber 10. This pressure during proper processing is set with a certain range as the pressure in the range from the upper limit pressure P1 to the lower limit pressure P2, and is set slightly smaller than the pressure in the adjacent processing chambers 20 and 30.
[0033]
If it is determined in step S1 that the carry-in shutter 17 is open, or if it is determined in step S2 that the carry-out shutter 18 is open, the process proceeds to step S5, and the exhaust damper control unit 15 switches to the exhaust damper 13. A command of 100% opening (fully open) is sent. Thereby, as shown in FIG. 2, the exhaust damper 13 is fully opened, and a large amount of the atmosphere in the peeling treatment chamber 10 is exhausted by the draft of the exhaust duct. In this case, the atmosphere of the processing chambers 20 and 30 adjacent to the inside of the peeling processing chamber 10 enters the peeling processing chamber 10 through the carry-in port 10a and the carrying-out port 10b. It is prioritized to prevent the atmosphere in the peeling treatment chamber 10 containing a large amount of gas from leaking into the treatment chambers 20 and 30 from the carry-in port 10a and the carry-out port 10b.
[0034]
When it is determined in step S3 that the pressure P is higher than the upper limit pressure P1, the process proceeds to step S6, and a command to increase the opening degree is sent from the exhaust damper control unit 15 to the exhaust damper 13. As a result, the opening degree of the exhaust damper 13 increases, the amount of exhaust exhausted into the exhaust duct increases, and the pressure P in the stripping treatment chamber 10 decreases. About how much the opening degree of the exhaust damper 13 is increased, it is desirable to link with the magnitude of the difference between the pressure P and the upper limit pressure P1. As described above, since the control is performed such that the pressure P is lowered when the pressure P is higher than the upper limit pressure P1, the atmosphere in the peeling process chamber 10 leaks out from the carry-in port 10a and the carry-out port 10b to the process chambers 20 and 30. Is suppressed.
[0035]
When it is determined in step S4 that the pressure P is lower than the lower limit pressure P2, the process proceeds to step S7, and a command to reduce the opening degree is sent from the exhaust damper control unit 15 to the exhaust damper 13. As a result, the opening degree of the exhaust damper 13 is reduced, the amount of exhaust exhausted into the exhaust duct is reduced, and the pressure P in the separation processing chamber 10 is increased. It is desirable to make the opening degree of the exhaust damper 13 small in conjunction with the magnitude of the difference between the pressure P and the lower limit pressure P2. Since the control is performed to increase the pressure P when the pressure P is lower than the lower limit pressure P2, the atmosphere containing a large amount of mist of the stripping solution in the stripping processing chamber 10 may be exhausted excessively. It can be suppressed.
[0036]
Here, the amount of exhaust from the peeling treatment chamber 10 is controlled by adjusting the opening degree of the exhaust damper 13 by the exhaust damper control unit 15, and the atmosphere in the peeling treatment chamber 10 is changed from the carry-in entrance 10 a and the carry-out exit 10 b to the treatment chamber 20. , 30, while reducing the amount of stripping liquid exhausted to the exhaust duct together with the atmosphere in the stripping treatment chamber 10.
[0037]
Specifically, when the carry-in port 10a or the carry-out port 10b is open, the exhaust damper 13 is fully opened to perform exhaust, and when the carry-in port 10a and the carry-out port 10b are closed, the exhaust damper 13 is appropriately throttled (open). The engine is controlled so that the engine displacement is reduced (by reducing the degree). As a result, when the carry-in port 10a or the carry-out port 10b is open and the atmosphere in the peeling process chamber 10 is likely to flow out to the adjacent processing chambers 20 and 30, the atmosphere in the peeling process chamber 10 is exhausted in large quantities. The outflow of the atmosphere in the peeling process chamber 10 to the adjacent processing chambers 20 and 30 is suppressed, the inlet 10a and the outlet 10b are closed, and the atmosphere in the peeling processing chamber 10 flows out to the adjacent processing chambers 20 and 30. When the fear is small, the amount of stripping solution taken out by exhausting from the inside of the stripping treatment chamber 10 is suppressed by reducing the amount of exhaust.
[0038]
Here, the pressure in the peeling treatment chamber 10 is controlled to be within a predetermined range by steps S3, S6 and steps S4, S7, but the peeling is performed with both the carry-in port 10a and the carry-out port 10b closed. The opening degree of the exhaust damper 13 is determined in advance so that the pressure in the processing chamber 10 is within a predetermined range, and the exhaust damper 13 is fully opened when the carry-in entrance 10a or the carry-out exit 10b is opened. In a state where both the opening 10a and the carry-out port 10b are closed, the opening of the exhaust damper 13 may be set to the previously determined opening.
[0039]
Thus, here, when the carry-in port 10a and the carry-out port 10b are closed, attention is paid to the fact that the atmosphere in the peeling process chamber 10 is less likely to flow into the adjacent process chambers 20 and 30 even if the exhaust amount is reduced. The exhaust damper 13 is provided in the exhaust pipe 12, and the opening degree of the exhaust damper 13 is controlled so that the exhaust amount is reduced when the carry-in port 10a and the carry-out port 10b are closed.
[0040]
Further, here, the exhaust amount of the peeling treatment chamber 10 can be automatically controlled, and the amount of the peeling liquid taken out of the peeling treatment chamber 10 by the exhaust is suppressed. In this way, particularly in a peeling process in which a high-temperature stripping solution of about 80 ° C. is supplied to perform the processing, a large amount of stripping solution vapor or mist is present in the peeling processing chamber 10. However, since the exhaust amount of the peeling processing chamber 10 is reduced, the effect of saving the stripping solution and reducing the processing cost of the exhausted stripping solution is great.
[0041]
Similarly, if the present invention is applied to an etching chamber that performs an etching process in which a high-temperature etching solution of about 50 ° C. is supplied, the etching solution can be saved and the processing cost of the exhausted etching solution can be reduced. The effect is great.
[0042]
As described above, when the present invention is applied to a process of supplying a processing liquid having a temperature equal to or higher than normal temperature, the processing liquid can be saved, and the effect of reducing the processing cost of the exhausted processing liquid is great. In addition, if the exhaust amount of other processing chambers that supply normal temperature processing liquids, such as cleaning processing chambers and development processing chambers, is automatically controlled to control the exhaust amount appropriately, the processing liquid can be saved in the same manner. The effect is obtained.
[0043]
In the present embodiment, the present invention is applied to a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one. However, the present invention may be applied to a substrate processing apparatus that processes a plurality of substrates at once. .
[0044]
【The invention's effect】
In the present invention, a structure capable of controlling the exhaust amount is adopted and the exhaust amount is controlled so that the atmosphere inside the processing chamber does not come out of the processing chamber from the opening. By appropriately controlling the exhaust amount within a range that does not come out of the processing chamber from the opening, the amount of processing liquid exhausted together with the atmosphere in the processing chamber can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of a peeling processing chamber of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view of a peeling treatment chamber.
FIG. 3 is a control diagram of an exhaust damper.
FIG. 4 is a control flow diagram of an exhaust damper opening degree.
FIG. 5 is a schematic view of a conventional substrate processing apparatus.
FIG. 6 is a schematic view of a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Substrate processing apparatus 10 Peeling processing chamber (processing chamber)
10a Carriage entrance (opening)
10b Unloading port (opening)
12 Exhaust piping (exhaust passage)
13 Exhaust damper (variable flow path resistance)
15 Exhaust damper control part (control means)
17 Loading shutter (opening / closing means)
18 Unloading shutter (opening / closing means)
50 Stripping solution reservoir (treatment solution reservoir)

Claims

A processing chamber having an opening for loading or unloading the substrate, and processing the substrate with a processing liquid sprayed from a nozzle disposed therein ;
An exhaust means for exhausting the atmosphere inside the processing chamber from above the processing chamber ;
Opening and closing means for opening and closing the opening;
The exhaust amount of the atmosphere inside the processing chamber by the exhaust means increases so that the atmosphere inside the processing chamber does not come out of the processing chamber from the opening when the opening is opened by the opening / closing means. And controlling so that the exhaust amount of the atmosphere inside the processing chamber by the exhaust means is reduced when the opening is closed by the opening and closing means, and the opening is closed by the opening and closing means. Control means for controlling the exhaust amount of the atmosphere inside the processing chamber by the exhaust means when the processing liquid is being ejected from the nozzle .
A substrate processing apparatus comprising:

The exhaust means includes an exhaust path that includes a variable flow path resistance and is connected to the processing chamber;
The control means controls the flow path resistance to the exhaust gas flowing through the exhaust path when the opening is closed by the opening / closing means by the variable flow path resistance.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .

The substrate processing apparatus according to claim 2 , wherein the variable flow path resistance is automatic opening degree adjusting means capable of adjusting an opening degree.

Wherein the processing chamber is a processing chamber which processes the substrate by a normal temperature or high temperature of the processing liquid, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.

A processing liquid storage tank disposed outside the processing chamber, and a return pipe provided at a lower part of the processing chamber for returning the processing liquid in the processing liquid chamber to the processing liquid storage tank. Item 5. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 4.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid circulates between a processing liquid storage tank provided outside the processing chamber and the processing chamber.