JP3612927B2 - The optical information recording medium - Google Patents

The optical information recording medium Download PDF

Info

Publication number
JP3612927B2
JP3612927B2 JP7947797A JP7947797A JP3612927B2 JP 3612927 B2 JP3612927 B2 JP 3612927B2 JP 7947797 A JP7947797 A JP 7947797A JP 7947797 A JP7947797 A JP 7947797A JP 3612927 B2 JP3612927 B2 JP 3612927B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
layer
recording
recording medium
optical information
information recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7947797A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10275360A (en )
Inventor
昇 山田
克巳 河原
真由美 音羽
Original Assignee
松下電器産業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、レーザー光線の照射等の光学的な手段を用いて、情報を高密度、高速度に記録することができる光学記録情報媒体、及びその製造方法に関するものである。 The present invention uses optical means for irradiating such laser beam, a high density of information, it is an optical recording information medium which can be recorded in high speed, and a manufacturing method intended.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
情報を大容量に記録でき、高速での再生及び書き換えが可能な媒体として、光磁気記録媒体や相変化型記録媒体等が知られている。 Information can record a large capacity, as a medium capable of reproducing and rewriting at a high speed, the magneto-optical recording medium or a phase change type recording medium and the like are known. これら光記録媒体は、レーザー光を局所的に照射することにより生じる記録材料の光学特性の違いを記録として利用したものであり、例えば光磁気記録媒体では、磁化状態の違いにより生じる、反射光偏光面の回転角の違いを記録として利用している。 These optical recording medium is obtained by utilizing the difference in the optical properties of the recording material caused by locally irradiating a laser beam as a recording, for example in magneto-optical recording medium is caused by the difference in magnetized state, the reflected light polarization and by utilizing the difference of the rotation angle of the surface as the recording. また、相変化型記録媒体は、特定波長の光に対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なることを記録として利用しているものであり、レーザーの出力パワーを変調させることにより記録の消去と上書きの記録を同時に行うことができるため、高速で情報信号の書き換えが可能であるという利点がある。 Further, the phase change type recording medium, which reflected light with respect to light having a specific wavelength is used as a recording different between the crystalline state and the amorphous state, the recording by modulating the output power of the laser it is possible to perform erasing and overwrite recording at the same time, there is an advantage that it can be rewritten at high speed information signal.
【0003】 [0003]
光記録媒体の層構成例を図1(a)(b)に示す。 The layer configuration of the optical recording medium shown in FIG. 1 (a) (b). 基板1には、ポリカーボネート、PMMA等の樹脂、またはガラス等が用いられ、一般的にはレーザー光線を導くための案内溝が施されている。 The substrate 1, polycarbonate resin such as PMMA or glass or the like is used, is generally have been subjected to a guide groove for guiding a laser beam.
【0004】 [0004]
記録膜3は、光学特性の異なる状態間を変化しうる物質から成り、書き換え型の相変化型光ディスクの場合、Te−Sb−Ge、Te−Sn−Ge、Te−Sb−Ge−Se、Te−Sn−Ge−Au、Ag−In−Sb−Te、In−Sb−Se、In−Te−Se等を主成分とする材料が知られている。 Recording film 3 is made of material which can vary between different states of the optical characteristics in the case of a rewritable phase change type optical disk, Te-Sb-Ge, Te-Sn-Ge, Te-Sb-Ge-Se, Te -Sn-Ge-Au, Ag-in-Sb-Te, in-Sb-Se, the material mainly composed of in-Te-Se or the like are known.
【0005】 [0005]
反射層5は、一般にAu、Al、Cr等の金属、或いは金属の合金より成り、放熱効果や記録膜の効果的な光吸収を目的として設けられるが、必須の層ではない。 Reflective layer 5 is typically Au, Al, a metal such as Cr, or made of a metal alloy, but is provided for the purpose of efficient light absorption of the radiation effect and the recording film, not an essential layer.
【0006】 [0006]
また、図中では省略したが、光学情報記録媒体の酸化やほこり等の付着の防止を目的として、反射層5の上にオーバーコート層を設けた構成、或いは紫外線硬化樹脂を接着剤として用い、ダミー基板を張り合わせた構成等が一般的に用いられている。 Although omitted in the figure, in order to prevent the adhesion of such oxide and dust of the optical information recording medium, using configuration in which an overcoat layer on the reflective layer 5, or an ultraviolet curable resin as an adhesive, configuration such that bonding a dummy substrate is generally used.
【0007】 [0007]
保護層2、4、6は、記録膜材料の酸化、蒸発や変形を防止するといった記録膜の保護機能を担うと共に、その膜厚を調節することによって光記録媒体の吸収率や記録部分、消去部分の間の反射率差の調節が可能となるため、媒体の光学特性の調節機能も同時に担っている。 Protective layer 2, 4, 6, oxidation, together responsible for the protection of the recording film such to prevent evaporation or deformation, absorption rate and recording portion of the optical recording medium by adjusting the thickness of the recording film material, erasing since the adjustment of the reflectance difference between the portions becomes possible, even play simultaneously regulating function of the optical properties of the medium. また、保護層を構成する材料の条件としては、上記目的を満たすばかりでなく、記録膜の構成材料或いは基板との接着性が良いこと、保護層自身がクラックを生じない耐候性の良い膜であることが不可欠である。 As the condition of the material constituting the protective layer, not only satisfies the above objects, it is good adhesion between the material or substrate of the recording film, with film having good weather-resistant protective layer itself does not crack it is essential that there is.
【0008】 [0008]
これらの保護層が記録膜に接して用いられる場合は、記録材料の光学的変化を損なわない材料でなければならない。 If these protective layers are used in contact with the recording film, it should be a material that does not impair the optical change of the recording material. 例えば図1(b)に示すように、保護層を二層とし異なる材料を用いることにより、基板との接着性に優れた媒体を得る提案や、情報の繰り返し記録の特性に優れた媒体を得る提案が知られている。 For example, as shown in FIG. 1 (b), by using the protective layer as a two-layer different materials, obtained proposals and to obtain good medium adhesion to the substrate, excellent medium to the characteristics of repetitive recording of information proposals have been known.
【0009】 [0009]
保護層2、4、6の材料としては、ZnS等の硫化物、SiO 、Ta 、Al 等の酸化物、GeN、Si 、Al 等の窒化物、GeON、SiON、AlON等の窒酸化物、他、炭化物、フッ化物等の誘電体、或いはこれらの適当な組み合わせ等が各種提案されているが、専ら適用されている材料としてはZnS−SiO が挙げられる。 As the material of the protective layer 2, 4, 6, sulfides such as ZnS, SiO 2, Ta 2 O 5, Al oxides such as 2 O 3, GeN, Si 3 N 4, Al 3 N nitrides such 4 , GeON, SiON, oxynitride, other, carbides, dielectric fluoride such as AlON, or these appropriate combinations have been proposed, as a material that is exclusively applied ZnS-SiO 2 and the like.
【0010】 [0010]
なお、保護層を異なる物質の複合材料とすることにより、良好な膜質を得る技術は公知である。 Note that by the composite material of the protective layer different materials, techniques to obtain a good film quality are known. 例えば特開昭63−50931号公報には、窒化アルミニウムと窒化シリコンの複合誘電体に酸化アルミニウムと酸化シリコンのうち少なくとも一種を添加し、その屈折率を限定することにより基板との接着性に優れた良好な膜質の保護層を得る例が開示されている。 For example, JP 63-50931 discloses, adding at least one of aluminum oxide and silicon oxide to the composite dielectric of aluminum nitride and silicon nitride, excellent adhesion to the substrate by limiting the refractive index examples to obtain a protective layer of good film quality has is disclosed. また、特開平2−105351号公報には、保護層をシリコン及びインジウムの窒化物からなる複合誘電体とすることにより基板との接着性が良く延性に富んだ膜を得る例が開示されている。 JP-A-2-105351, an example of obtaining a film rich in adhesiveness is good ductility to the substrate by the protective layer and the composite dielectric made of a nitride of silicon and indium are disclosed . さらに、特開平2−265051号公報、特開平2−265052号公報には、保護膜がSi、N、Siより比電気抵抗の小さい元素より成ることにより、膜割れが生じにくく記録膜の保護機能に優れた保護層を得る例が開示されている。 Further, JP-A-2-265051 and JP-A No. 2-265052, the protective layer is Si, N, by consisting of small elements having specific electric resistance than Si, film cracking protection occurs hardly recording film examples of obtaining an excellent protective layer is disclosed.
【0011】 [0011]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
記録の書き換えを多数回にわたって繰り返すと、記録膜と保護層との間で構成原子の相互拡散、記録膜組成の経時変化といった現象が見られることが最近判明した。 Repeated rewriting of recording a number of times, the mutual diffusion of constituent atoms between the recording layer and the protective layer, that the phenomenon is observed such aging of the recording film composition has been found recently. このことは、信号の書き換えを繰り返すと、信号の振幅が徐々に低下し、また、記録マークのマーク位置のジッター値が大きくなり記録信号のエラーレートが高くなるため、書き換えの繰り返し可能な回数が限られてしまうといった問題点がある。 This is repeated to rewrite signal, to decrease the amplitude of the signal gradually, Further, since the error rate of the recording signal jitter value of the mark position of the recording mark is increased becomes high, the repeatable number of rewriting there is a problem that would limited to.
【0012】 [0012]
この問題を解決するため、記録膜に接してGeN、GeON等を主成分とする拡散防止層を設ける技術が特願平8−052772号に開示されている。 To solve this problem, a technique of providing a diffusion preventing layer composed mainly GeN, a GeON like in contact with the recording film is disclosed in Japanese Patent Application No. 8-052772. GeNまたはGeONを主成分とする拡散防止層は、記録膜との接着性にも優れるとともに、従来の保護層材料と記録膜の原子拡散を防止する働きをなすため、情報の書き換え可能な回数が飛躍的に向上した光学情報記録媒体を得ることが可能となった。 Diffusion preventing layer mainly composed of GeN or GeON, along with excellent adhesion to the recording film, for making the function of preventing atomic diffusion of the conventional protective layer material as the recording film, the rewritable number of times the information it has become possible to obtain an optical information recording medium dramatically improved.
【0013】 [0013]
しかしながら、生産時の製造条件の制御のし易さという点を考慮すると、良好な膜質が得られる製造条件のマージンが広い保護層材料が求められる。 However, considering the fact that easy control of the preparation conditions during production, the margin is wide protective layer material production conditions good film quality can be obtained is determined. また、更に長期にわたっての保存が可能な媒体が好ましいことはいうまでもない。 Further, it is needless to say more media can be stored for a long time is preferable.
【0014】 [0014]
本発明は上記課題を解決し、より一層耐候性に優れ、良好な記録消去特性及び繰り返し特性を有する光学情報記録媒体、及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention solves the above problems, and an object thereof is to provide a more excellent weather resistance, optical information recording medium having excellent recording and erasing characteristics and repetition characteristics, and a manufacturing method thereof.
【0015】 [0015]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記課題を解決するために、本発明に係る光学情報記録媒体は、光学特性が可逆的に変化する記録膜と、前記記録膜に接し、GeXN若しくはGeXONの何れかを主成分とする第1の層とを有し、前記第1の層の材料成分Xが、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Cのうちの少なくとも1つの元素を含むとともに、前記記録膜が、Te、Se、Sbのいずれかを主成分とする相変化材料であることを特徴とする。 In order to solve the above problems, an optical information recording medium according to the present invention includes a recording layer whose optical characteristics vary reversibly, the recording layer in contact, the first composed mainly of either GeXN or GeXON and a layer, material component X of the first layer, Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, of the C at least one element-containing Mutotomoni of the recording film, Te, Se, characterized in that it is a phase-change material mainly containing one of Sb. また、本発明に係る光学情報記録媒体は、光学特性が可逆的に変化する記録膜と、前記記録膜に接し、GeXN若しくはGeXONの何れかを主成分とする第1の層とを有し、前記第1の層の材料成分Xが、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Cのうちの少なくとも1つの元素を含むとともに、前記記録膜が、Te、Sb、Geの三元素を主成分とする相変化材料であることを特徴とする。 The optical information recording medium according to the present invention includes a recording layer whose optical characteristics vary reversibly, in contact with the recording film, and a first layer mainly composed of any of GeXN or GeXON, material component X of the first layer, Ti, V, Cr, Mn , Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, at least one element of C together comprising the recording film, Te, Sb, characterized in that it is a phase-change material mainly three elements Ge. 前記記録膜に接して第1の層とは反対側に、GeXN若しくはGeXONの何れかを主成分とする第2の層を備えても良い。 Wherein on the opposite side of the first layer in contact with the recording film, it may comprise a second layer mainly containing any of GeXN or GeXON. この場合、前記第1の層の材料成分Xの平均含有量が、前記第2の層の材料成分Xの平均含有量と異なってもよい。 In this case, the average content of the material component X of the first layer may be different from the average content of the material component X of the second layer. また、前記第1の層の面のうち前記記録膜と接する面とは反対側の面に接して、Sを含む材料層を備えてもよい。 Moreover, the the surface in contact with the recording layer of the surface of the first layer in contact with a surface opposite may comprise a material layer containing S.
【0016】 [0016]
このように、記録膜に接して、GeXN若しくはGeXONの何れかを主成分とする層を少なくとも1つ設けることにより、記録膜に対する原子拡散を防止するのみならず、記録膜との接着性を向上させることが可能となる。 Thus, in contact with the recording film, by at least one a layer mainly composed of any of GeXN or GeXON, not only to prevent the atomic diffusion to the recording layer, improving the adhesion between the recording film it is possible to. また、第1の層や第2の層が材料成分Xを含むことにより、 GeN若しくはGeONの何れかを主成分とする層を設けた場合に比べ、更に耐候性に優れた媒体を得ることが可能となる。 Further, that the first layer and the second layer by including a material component X, compared with a case in which a layer mainly composed of any one of GeN or GeON, obtain excellent medium to further weather resistance It can become.
【0019】 [0019]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明の実施形態について図面を用いながら具体的に説明する。 It will be specifically described with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention. 本発明に関する光学情報記録媒体の層構成の一例を図2に示す。 An example of the layer structure of the optical information recording medium relating to the present invention shown in FIG. これは図1(b)の構成において保護層6、4をそれぞれ拡散防止層7、8に置き換えたものである。 This is replaced with the diffusion preventing layers 7 and 8 respectively the protective layer 6,4 in the configuration of FIG. 1 (b).
【0020】 [0020]
拡散防止層7、8は、記録膜3と保護層2、4との原子拡散、特に保護層中に硫黄または硫化物が含まれる場合、これらの成分の拡散防止を主な目的として設けられる。 Diffusion preventing layers 7 and 8, the atomic diffusion between the recording layer 3 and the protective layers 2 and 4, particularly if sulfur or sulfides are included in the protective layer, provided the diffusion prevention of these components as the main purpose. この層を設ける位置は記録膜3のいずれか一方であっても両側であってもよいが、記録膜と保護層との拡散をより効果的に防止するためには両側に設けることが好ましい。 Providing the layer position may be on both sides even either one of the recording film 3, but in order to prevent diffusion between the recording layer and the protective layer more effectively is preferably provided on both sides. 拡散防止層中に含有される成分が情報の繰り返し記録後で記録膜に拡散等する場合もありうるが、このような場合であっても、記録膜の光学変化を妨げにくい材料を、拡散防止層の構成材料として用いればよい。 Although may also have the case of diffusion or the like on the recording film after repeated recording of the components contained in the diffusion preventing layer information, even in such a case, the less likely it interferes with the optical change in the recording film material, to prevent diffusion it may be used as a constituent material of the layer.
【0021】 [0021]
なお、本発明の光学情報記録媒体の構成は、上記構成に限定されるものではなく、拡散防止層8と反射層5の間に他の材料からなる層を設ける構成、保護層2を全て拡散防止層7の材料で置き換えた構成、または反射層のない構成、反射層が二層である構成等、種々の構成に適用することが可能である。 The configuration of the optical information recording medium of the present invention is not limited to the above arrangement, configuration, all the protective layer 2 diffuse providing a layer made of another material between the reflective layer 5 and the diffusion preventing layer 8 construction was replaced with the material of barrier layer 7, or without reflective layer configuration, configuration such as a reflective layer is a double layer, it can be applied to various configurations.
【0022】 [0022]
以下の説明では説明を簡略化するため図2に示した構成で、基板1に厚さ0.6mm、直径120mmのディスク状ポリカーボネート樹脂、誘電体層2、4にはZnSにSiO を20mol%含む混合物、記録膜3には、Ge−Sb−Te合金を主成分とする相変化型材料、反射層5にはAl合金を用いた例について述べる。 In the configuration shown in FIG. 2 for simplicity of explanation in the following description, the thickness of the substrate 1 0.6 mm, 20 mol% disc-shaped polycarbonate resin with a diameter of 120 mm, a SiO 2 to ZnS in the dielectric layers 2 and 4 mixture containing, in the recording film 3, a phase-change material mainly containing Ge-Sb-Te alloy, describes an example of using an Al alloy in the reflective layer 5. 但し、記録膜材料としては、例えばGe−Sb−Te系合金の他に、例えばTe−Sn−Ge、Te−Sb−Ge−Se、Te−Sn−Ge−Au、Ag−In−Sb−Te、In−Sb−Se、In−Te−Se等、種々の材料を用いることが可能であり、反射層5の材料、保護層2、4についても他の材料を用いることができる。 However, as the recording film material, for example, in addition to Ge-Sb-Te-based alloy, for example, Te-Sn-Ge, Te-Sb-Ge-Se, Te-Sn-Ge-Au, Ag-In-Sb-Te , in-Sb-Se, in-Te-Se or the like, it is possible to use various materials may be used material for the reflective layer 5, other materials also protective layers 2 and 4.
【0023】 [0023]
拡散防止層7、8は本発明の特徴を成す部分であり、GeXN若しくはGeXONの何れかを主成分とし、Xが、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Cのうち少なくとも1つの元素を含む材料とする。 Diffusion preventing layers 7 and 8 is a portion forming the feature of the present invention, as a main component one of GeXN or GeXON, X is, Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Pd and Ag, Cd, Hf, Ta, W, a material containing at least one element of C. なお、XはTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Wを含むことが好ましく、Crを含むことが更に好ましい。 Incidentally, X is Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, preferably contains W, it is further preferably contains Cr.
【0024】 [0024]
この拡散防止層7、8は、基本的にはゲルマニウムに窒化物またはゲルマニウムの窒酸化物であるが、例えば従来提案されている窒化硼素、窒化アルミニウムまたは窒化硅素等の窒化物とは全く性質が異なる。 The diffusion preventing layers 7 and 8 is basically a oxycarbonitride of a nitride or germanium germanium, for example, conventionally proposed boron nitride, completely nature and nitrides such as aluminum nitride or silicon nitride different. すなわち、従来提案されているこれら窒化物では、内部応力または滑性等が原因で記録膜及び/または基板との密着性が非常に乏しく、また保護層の構成元素または記録膜の構成元素の何れかの移動を抑制する作用効果は全く見受けられない。 That is, in these nitrides have been proposed conventionally, adhesion to the recording film and / or substrate due to internal stress or lubricity or the like is very poor, and any of the constituent elements of the constituent elements or the recording film of the protective layer advantages are not seen at all inhibit Kano movement. これに対して本発明の窒化ゲルマニウムまたは窒酸化ゲルマニウムでは、元素の移動を抑制する効果があるとともに密着性も良好であり、本発明はこのように傑出した特性を備えた窒化ゲルマニウムまたは窒酸化ゲルマニウムに、より一層の耐候性、繰返し特性、及び製造マージンを付与できる発明である。 In germanium nitride or oxynitride germanium present invention, on the other hand, has good adhesiveness with the effect of suppressing the movement of the elements, the present invention is germanium nitride or oxynitride germanium with outstanding properties as this in a more weather-resistant, repetition characteristics, and the invention of the manufacturing margin can be imparted.
【0025】 [0025]
また、保護層中にAr、Kr等のスパッタガス成分のうち希ガスや、H、C、H O等が不純物として含まれることがあるが、これら不純物の濃度を10at%以下に抑えることにより、不純物が含有されない場合と同様の特性を得ることができる。 Further, Ar in the protective layer, a noble gas or of a sputtering gas component of Kr, etc., H, C, although H 2 O or the like may be included as an impurity, by suppressing the concentration of these impurities below 10at% , it is possible to obtain the same characteristics as if the impurities are not contained.
【0026】 [0026]
拡散防止層7、8の平均組成比は、図3に示す(GeX)・O・Nをそれぞれ頂点とする三元組成図において、組成点A((GeX) 90.00.010.0 )、B((GeX) 83.413.33.3 )、 The average composition ratio of the diffusion preventing layers 7 and 8, in the ternary composition diagram whose vertices shown in FIG. 3 (GeX) · O · N, respectively, the composition point A ((GeX) 90.0 O 0.0 N 10 .0), B ((GeX) 83.4 O 13.3 N 3.3),
C((GeX) 35.00.065.0 )、D((GeX) 31.155.113.8 )、 C ((GeX) 35.0 O 0.0 N 65.0), D ((GeX) 31.1 O 55.1 N 13.8),
で囲まれた範囲内にあることが好ましく、 It is preferably in the range surrounded by,
E((GeX) 65.00.035.0 )、F((GeX) 53.99.2036.9 )、 E ((GeX) 65.0 O 0.0 N 35.0), F ((GeX) 53.9 O 9.20 N 36.9),
C((GeX) 35.00.065.0 )、D((GeX) 31.155.113.8 )、 C ((GeX) 35.0 O 0.0 N 65.0), D ((GeX) 31.1 O 55.1 N 13.8),
で囲まれた範囲内にあることが望ましい。 It is preferably in a range surrounded by.
【0027】 [0027]
この組成範囲の根拠は、窒素または酸素と結合していないGe、またはXの何れかが過剰に存在する(以下、余剰GeまたはXと称す)場合、余剰GeまたはXが記録膜に拡散し、記録膜の光学変化を妨げる傾向にあり、逆にGe、またはXと結合していない窒素または酸素が過剰に存在する場合、これらの原子が同じく記録膜になだれ込み、記録の妨げとなる傾向を示す。 Basis for this composition range, Ge not combined with nitrogen or oxygen or any X is present in excess (hereinafter, referred to as surplus Ge or X) if the surplus Ge or X is diffused into the recording film, tend to interfere with the optical change of the recording film, Ge reversed, or if nitrogen or oxygen is not bonded to X is present in excess, these atoms are also rolled into the recording film, a tendency that might interfere with the recording show.
【0028】 [0028]
拡散防止層7、8中に含有されるGe・Xの平均組成比の範囲は、XがGeに対して50%以下であることが好ましく、10%以上30%以下であることが望ましい。 Range of the average composition ratio of Ge · X contained in the diffusion preventing layers 7 and 8 is preferably X is not more than 50% Ge, is preferably at least 10% to 30% or less. このGe・Xの組成割合の根拠は、Xの含有量がGe含有量の50%より多いと、物質Xが記録の繰り返し後で記録膜へなだれ込んで記録膜の光学変化を妨げてしまう傾向が顕著となる場合があり、10%よりも少ないと、GeN若しくはGeON何れかへの物質Xの添加効果があまり顕著でない場合がある。 Rationale of the composition ratio of the Ge · X is the content of X is more than 50% of the Ge content, the tendency to interfere with the optical change of the recording film is ran into the substance X is a recording film after repeated recording it may become remarkable, if less than 10%, the addition effect of a substance X to either GeN or GeON is not very pronounced.
【0029】 [0029]
拡散防止層7、8の膜厚は1nm以上であることが必要である。 The film thickness of the diffusion preventing layers 7 and 8 is required to be 1nm or more. これは膜厚が1nm以下である場合、拡散防止層としての効果が低下するためであり、拡散防止層の膜厚の上限としては、例えば記録膜にレ−ザ光の入射側では当該記録膜を記録・または再生できるレ−ザ光強度が得られる範囲である。 If this thickness is 1nm or less, in order to decrease the effect as the diffusion preventing layer, the upper limit of the film thickness of the diffusion preventing layer, for example, the recording film - the recording film at the incident side of the laser light recording and or reproducing can record the - range of laser light intensity can be obtained. なお、レ−ザ光強度は、レ−ザパワーまたは適用する記録膜の材料に依存し、適宜設定できる。 Incidentally, Le - The light intensity is - depending on Zapawa or material of the recording film to be applied, it can be set as appropriate.
【0030】 [0030]
次に、これら光学情報記録媒体の製造方法について述べる。 Next, the process for producing these optical information recording media. 上記光学情報記録媒体を構成する多層膜を作製する方法としては、スパッタリング法、真空蒸着、CVD等の方法が可能であるが、ここではスパッタリング法を用いた場合を例に説明し、図4にその成膜装置の一例の概略図を示す。 Said as a method for producing a multilayer film constituting the optical information recording medium, a sputtering method, a vacuum deposition, a method of CVD or the like are possible, described here as an example the case of using a sputtering method, in FIG. 4 It shows a schematic view of an example of the film forming apparatus.
【0031】 [0031]
真空容器9には排気口15を通して真空ポンプ(図示省略)を接続してあり、真空容器9内を高真空に保つことができるようになっている。 The vacuum vessel 9 be connected to one vacuum pump (not shown) through the exhaust port 15, thereby making it possible to keep the inside of the vacuum container 9 in a high vacuum. ガス供給口14からは、一定流量のAr等の希ガス、窒素、酸素、またはこれらの混合ガスを供給することができるようになっている。 From the gas supply port 14, thereby making it possible to supply the rare gas such as Ar at a constant flow rate, nitrogen, oxygen, or mixed gas thereof. 図中10は基板であり、基板の自公転を行うための駆動装置11に取り付けられている。 Figure 10 is a substrate, it is attached to the drive 11 for performing its own revolution of the substrate.
【0032】 [0032]
12はスパッタ膜の材料成分を含むスパッタターゲットであり、陰極13に接続されている。 12 is a sputter target comprising a material component of the sputtered film, and is connected to the cathode 13. ここでは、ターゲット12として直径10cm厚さ6mmのディスク状のものを用いた。 Here, we used as a disk-shaped with a diameter of 10cm 6mm thick as the target 12. 陰極13は図示は省略したが、スイッチを通して直流電源または高周波電源に接続されている。 While the cathode 13 is not shown, it is connected to a DC power supply or high frequency power source through the switch. また、真空容器9を接地することにより、真空容器9及び基板10は陽極に保たれている。 Further, by grounding the vacuum container 9, the vacuum container 9 and the substrate 10 is maintained at the anode.
【0033】 [0033]
記録膜3、及び保護層2を成膜する際は、Arに窒素を2.5%混合したガスを、全圧がそれぞれ1.0mTorr、0.5mTorrrとなるように一定の流量で供給し、陰極にそれぞれDC1.27W/cm 、RF5.10W/cm のパワーを投入して行った。 Recording film 3, and when forming the protective layer 2, a nitrogen 2.5% mixed gas Ar, was supplied at a constant flow rate so that the total pressure is respectively 1.0 mTorr, and 0.5MTorrr, each cathode DC1.27W / cm 2, was performed by introducing the power of RF5.10W / cm 2.
【0034】 [0034]
反射層5を成膜する際は、Arガスを全圧3.0mTorrになるように供給し、DC4.45W/cm のパワーを投入して行った。 When forming the reflection layer 5 supplies so that the Ar gas to the total pressure 3.0 mTorr, was performed by introducing the power of DC4.45W / cm 2. スパッタガス中の希ガスとしては、Ar以外にもKr等のスパッタ可能な希ガスが用いられる。 As the rare gas in the sputtering gas, the sputtering can be rare gas Kr, etc. other than Ar are used.
【0035】 [0035]
拡散防止層7、8を成膜する際は、GeとX、若しくはGe、X、Nとを含む材料をターゲットとし、XをTi、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Cのうち少なくとも1つの元素を含む材料とする。 When forming the diffusion preventing layer 7 and 8, Ge and X, or Ge, X, target the material containing N, the X Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo and Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, a material containing at least one element of C. 成膜ガスは希ガスと窒素を含む混合ガスとし、反応性スパッタリングにより製造する。 Deposition gas is a mixed gas containing a noble gas and nitrogen, produced by reactive sputtering. 膜質が硬質である場合、または膜の内部応力が大きい場合等、必要に応じて微量の酸素を成膜ガス中に混合することにより、良好な膜質の層を得ることができる場合がある。 If the quality is hard, or when the internal stress is large or the like of film, by mixing a small amount of oxygen in the deposition gas if necessary, it may be possible to obtain a layer of good film quality.
【0036】 [0036]
本実施の形態の例として、図2に示した光学情報記録媒体の構成で、拡散防止層7をGeN、拡散防止層8をGeCrN、とした場合を(1)、拡散防止層7をGeN、拡散防止層8をGeMoNとした場合を(2)とする。 Examples of this embodiment, GeN configuration of the optical information recording medium shown in FIG. 2, GeN the diffusion preventing layer 7, a case where the diffusion preventing layer 8 GeCrN, and (1), the diffusion preventing layer 7, the case where the diffusion preventing layer 8 was GeMoN and (2). また、比較例として拡散防止層7、8をいずれもGeNとした場合を(0)とする。 Also, the case of a GeN both the diffusion preventing layers 7 and 8 as comparative examples (0). なお、上記(0)〜(2)の拡散防止層7、8の膜厚はそれぞれ10nm、20nmで共通とした。 Incidentally, the (0), respectively the film thickness of the diffusion preventing layers 7 and 8 of ~ (2) 10 nm, common to 20nm and.
【0037】 [0037]
また、GeCrN層、GeMoN層、GeN層を成膜する際は、ターゲット材料をそれぞれGeCr、GeMo、Geとし、GeCrN膜、GeMoN膜中に含有されるCr、Mo原子数のGe原子数に対する比率は共に25%となるようにした。 Further, GeCrN layer, GeMoN layer, when forming the GeN layer, GeCr target material respectively, Gemo, and Ge, GeCrN film, Cr contained in GeMoN film, the ratio of Ge atoms in the number of Mo atoms both were made to be 25%.
【0038】 [0038]
さらに、拡散防止層7、8を成膜する際のスパッタガスはArと窒素との混合ガス、スパッタガス圧は10mTorr、スパッタパワー密度は6.37W/cm で全て共通とし、拡散防止層7を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を40%で一定、拡散防止層8を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を20%、30%、40%と変化させて成膜を行った。 Further, the mixed gas, the sputtering gas pressure of the sputtering gas at the time of forming the diffusion preventing layers 7 and 8 and Ar and nitrogen 10 mTorr, sputtering power density is common all at 6.37W / cm 2, the diffusion preventing layer 7 constant nitrogen partial pressure of the sputtering gas at the time of forming at 40%, 20% nitrogen partial pressure of the sputtering gas at the time of forming the diffusion preventing layer 8, 30%, formed by changing 40% the membrane was made.
【0039】 [0039]
以上の媒体を評価した結果を(表1)に示す。 The results of the evaluation of the above media is shown in (Table 1). 特性評価は耐候性、及び記録の繰り返し特性について行った。 Characterization was carried out on repetition characteristics of weather resistance, and recording. 耐候性の評価は、90℃80%の加速試験を200時間行い、100時間毎に光学顕微鏡にて剥離の有無を観察した。 Weather resistance evaluation, an acceleration test of 90 ° C. 80% conducted 200 hours to observe the presence or absence of peeling by an optical microscope every 100 hours. 200時間後まで剥離が全く観察されなかったものを○、100時間後では剥離は無く、200時間後で剥離が発生したものを△、100時間後で剥離が観察されたものを×として示した。 ○ those peeling until after 200 hours was observed, rather than delamination after 100 hours showed that delamination after 200 hours has occurred △, as × what peeling was observed after 100 hours .
【0040】 [0040]
記録の繰り返し特性は、EFM信号方式により最短マーク長が0.61μmとなる場合について3Tから11Tの長さのマークを記録し、マークの前端間及び後端間のジッター値をウィンドウ幅Tで割った値(以下ジッター値)が、10万回の繰り返し記録後で前端間、後端間共に13%を越えないものを○、10万回後で前端間、後端間ジッター値のうち少なくとも一方が13%を越えたものを×として示した。 Repetition characteristics of recording, if the shortest mark length is 0.61μm to record a mark of length of 3T to 11T for the EFM signal system, dividing the jitter value between front ends and between the rear end of the mark in the window width T value (hereinafter jitter value), between the front ends after repeated recording of 100,000 times, ○ those that do not together exceed 13% between the rear end, between the front ends after 100,000 times, at least one of the rear end between the jitter value There showed that over 13% as ×.
【0041】 [0041]
【表1】 [Table 1]
【0042】 [0042]
また、拡散防止層8をGeN、拡散防止層7をGeCrN、GeMoNとし、拡散防止層8を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を30%で一定、拡散防止層7を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を40%、50%、60%と変化させた以外は(1)(2)と同条件で作製した媒体をそれぞれ(3)、(4)とする。 Further, GeN diffusion preventing layer 8, GeCrN the diffusion preventing layer 7, and GeMoN, constant nitrogen partial pressure of the sputtering gas at the time of forming the diffusion preventing layer 8 with 30%, forming the diffusion preventing layer 7 the nitrogen partial pressure of the sputtering gas at the time 40%, 50%, except for changing the 60% (1) (2) and each medium prepared under the same conditions (3), and (4). この場合の比較例として拡散防止層7、8を共にGeNとした場合の媒体を(0)'とする。 The medium in the case where both the GeN diffusion preventing layers 7 and 8 as a comparative example in this case the (0) '. これらの媒体を評価した結果を(表2)に示す。 The results of evaluation of these media are shown in (Table 2).
【0043】 [0043]
【表2】 [Table 2]
【0044】 [0044]
以上、(表1)及び(表2)の結果より、拡散防止層としてGeCrN、またはGeMoNを用いた場合、GeNのみの場合に比べて、記録の繰り返し特性を損ねることなく耐候性が向上していることがわかる。 Above, from the results of Table 1 and Table 2, when using GeCrN or GeMoN, as the diffusion preventing layer, as compared with the case of GeN only, and weather resistance is improved without impairing the repetition characteristics of recording it can be seen that you are.
【0045】 [0045]
次に、拡散防止層7、8をそれぞれGeN、GeCrNとし、GeCrN膜中に含まれるCr原子数のGe原子数に対する比率を5%、10%、20%、30%、50%、60%と変化させたディスクを作製し、これらの媒体を順に(5)(6)(7)(8)(9)(10)とする。 Then, GeN diffusion preventing layers 7 and 8 respectively, and GeCrN, 5% ratio with respect to Ge atoms Cr atoms contained in GeCrN layer, 10%, 20%, 30%, 50%, 60% to produce a varying disk, and these media order (5) (6) (7) (8) (9) (10). ディスクの層構成は上記既述のディスク(0)〜(4)と同様とし、拡散防止層7を成膜する際の窒素分圧を40%で一定、拡散防止層8のそれを20%、30%、40%、50%、60%と変化させた。 Layer structure of the disk is the same as in the previously described disk (0) to (4), a constant nitrogen partial pressure at the time of forming the diffusion preventing layer 7 with 40%, it 20% of the diffusion preventing layer 8, 30%, 40%, was changed to 50%, 60%. これらのディスクの評価結果を(表3)に示す。 The evaluation results of these disks are shown in (Table 3).
【0046】 [0046]
【表3】 [Table 3]
【0047】 [0047]
(表3)より、Cr含有量がGeに対して10at%以上になるとCrの添加効果が現われ始めることがわかる。 From (Table 3), it can be seen that the Cr content is the effect of adding Cr becomes equal to or larger than 10at% begin to appear against Ge. 但し、Cr含有量がGeに対して60at%以上となると記録の繰り返し特性が悪化する。 However, Cr content is 60at% or more and the repeating characteristics of recording is deteriorated with respect to Ge. これはCrがGeに比べ窒素と結合しにくく、窒素と結合しない余剰Crが膜中に過剰に存在し、これらの原子が記録膜へなだれ込んで記録の繰り返し特性が悪化しているためと考えられる。 This Cr is hardly bonded to nitrogen compared with Ge, excess Cr is not bonded to nitrogen is present in excess in the film, these atoms are considered to be because the repetition characteristics of recording is ran into the recording film is deteriorated . 以上より、GeCrN膜中のCr含有量は、Geに対して50%以下が好ましく、10%以上30%以下であることが望ましいといえる。 From the above, Cr content in GeCrN film is preferably 50% or less with respect to Ge, it may be desirable is 10% or more and 30% or less.
【0048】 [0048]
上記の説明では、X成分としてMo及びCrを例に説明したが、Xの元素はMo及びCrに限定されるものではなく、上述したように拡散防止層に含有されるXは、情報の繰返しにともない仮に記録膜に拡散等しても、記録膜の光学特性に与える影響が少ない元素であれば良く、このような元素としてはMo及びCr以外に、Ti、V、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、C等があり、その何れを用いても効果の差は若干見られるものの本質的には含有の効果があり、その含有量についてもほぼ同様であった。 In the above description it has been described as an example Mo and Cr as an X component, element X is not limited to Mo and Cr, X contained in the diffusion barrier layer as described above, repetition of information be diffused or the like if the recording film due to, may be a little elemental influence on the optical characteristics of the recording film, in addition to Mo and Cr as such elements, Ti, V, Mn, Cu, Zn, Zr, Nb, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, there are C, etc., there is essentially the effect of containing the the any differences in effect be used that seen slightly, also its content It was almost the same.
【0049】 [0049]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上述べたように、記録膜の少なくとも一方に接してGeXN若しくはGeXONを主成分とする保護層を設け、Xを(Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、C)のうち少なくとも1つの元素を含む材料とすることにより、耐候性に優れ、かつ情報信号の記録消去の繰り返し特性にも優れた光情報記録媒体を得ることが可能になる。 Above As mentioned, a protective layer mainly composed of at least one in contact GeXN or GeXON recording film is provided, the X (Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, by a material containing at least one element of C), excellent weather resistance, and obtain excellent optical information recording medium in repetition characteristics of recording and erasing of information signals it becomes possible.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】従来の光情報記録媒体の層構成例を示す断面図で(a)は、4層構成の光記録媒体の断面図(b)は、5層構成の光記録媒体の断面図【図2】本発明の光情報記録媒体の一層構成を示す断面図【図3】(GeX)・O・Nの組成範囲を示す三角組成図【図4】本発明の成膜装置の一例を示す図【符号の説明】 [1] a sectional view showing a layer configuration example of a conventional optical information recording medium (a) is a sectional view of an optical recording medium of four-layer structure (b) is a sectional view of an optical recording medium of the 5-layer structure [ shows an example of a film formation apparatus of the further cross-sectional view showing the configuration [3] (GeX) · triangular composition diagram showing the composition range of O · N [4] the present invention of an optical information recording medium of Figure 2 the present invention Figure [description of the code]
1 基板2 保護層3 記録膜4 保護層5 反射層6 保護層7 拡散防止層8 拡散防止層9 真空容器10 基板11 基板駆動装置12 ターゲット13 陰極14 ガス供給口15 排気口 1 substrate 2 protective layer 3 recording film 4 protective layer 5 reflecting layer 6 protective layer 7 diffusion prevention layer 8 diffusion preventing layer 9 vacuum chamber 10 the substrate 11 the substrate drive 12 target 13 cathode 14 gas supply port 15 outlet

Claims (10)

  1. 光学特性が可逆的に変化する記録膜と、 A recording film whose optical characteristics vary reversibly,
    前記記録膜に接し、GeXN若しくはGeXONの何れかを主成分とする第1の層とを有し、 The recording layer in contact, and a first layer mainly composed of any of GeXN or GeXON,
    前記第1の層の材料成分Xが、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Cのうちの少なくとも1つの元素を含むとともに、 Material component X of the first layer, Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, at least one element of C including Mutotomoni,
    前記記録膜が、Te、Se、Sbのいずれかを主成分とする相変化材料であることを特徴とする光学情報記録媒体。 Said recording film, Te, Se, optical information recording medium, which is a phase-change material mainly containing one of Sb.
  2. 光学特性が可逆的に変化する記録膜と、 A recording film whose optical characteristics vary reversibly,
    前記記録膜に接し、GeXN若しくはGeXONの何れかを主成分とする第1の層とを有し、 The recording layer in contact, and a first layer mainly composed of any of GeXN or GeXON,
    前記第1の層の材料成分Xが、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Cのうちの少なくとも1つの元素を含むとともに、 Material component X of the first layer, Ti, V, Cr, Mn , Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, at least one element of C with including,
    前記記録膜が、Te、Sb、Geの三元素を主成分とする相変化材料であることを特徴とする光学情報記録媒体。 Said recording film, Te, Sb, optical information recording medium, which is a phase-change material mainly three elements Ge.
  3. 前記第1の層の面のうち前記記録膜と接する面とは反対側の面に接した、Sを含む材料層、を備えたことを特徴とする請求項1 または2記載の光学情報記録媒体。 Said first and said recording layer surface in contact of the surfaces of the layer in contact with the surface opposite the optical information recording medium according to claim 1, wherein further comprising a material layer, including S .
  4. 前記記録膜の、前記第1の層と接する面の反対側の面に接し、GeXN若しくはGeXONの何れかを主成分とする第2の層を有し、前記第1の層の材料成分Xの平均含有量が、前記第2の層の材料成分Xの平均含有量と異なることを特徴とする請求項1 から3のいずれか一項に記載の光学情報記録媒体。 Wherein the recording layer in contact with the surface opposite the surface in contact with the first layer, a second layer mainly containing any of GeXN or GeXON, the material component X of the first layer average content, the optical information recording medium according to any one of claims 1 to 3, characterized in that differ from the average content of the material component X of the second layer.
  5. 前記第1の層と前記第2の層のうち、前記記録膜に対してレーザー入射側に位置する層の平均組成を(Ge 1-xxabc (但し、a>0、b≧0、c>0)とし、レーザー入射側と反対側に位置する層の平均組成を(Ge 1-yydef (但し、d>0、e≧0、f>0)と表わすと、0≦x<yの関係にあることを特徴とする請求項に記載の光学情報記録媒体。 Of the first layer and the second layer, the average composition of the layers located on the laser incident side with respect to the recording film (Ge 1-x X x) a O b N c ( where, a> 0 , b ≧ 0, c> 0 ) and then, the average composition of the layer located on the side opposite to the laser incident side (Ge 1-y X y) d O e N f ( where, d> 0, e ≧ 0 , f > 0) and is expressed, the optical information recording medium according to claim 4, characterized in that a relationship of 0 ≦ x <y.
  6. 前記第1の層に含まれるGeとXとの平均組成比が、(Ge 1-xxabc (但し、a>0、b≧0、c>0、0<x≦0.5)で表される範囲内にあることを特徴とする請求項1 または2記載の光学情報記録媒体。 The average composition ratio of Ge and X contained in the first layer, (Ge 1-x X x ) a O b N c ( where, a> 0, b ≧ 0 , c> 0,0 <x ≦ the optical information recording medium according to claim 1, wherein to be within the scope represented by 0.5).
  7. 前記第1の層に含まれるGeとXとの平均組成比が、(Ge 1-xxabc (但し、a>0、b≧0、c>0、0.10≦x≦0.30)で表される範囲内にあることを特徴とする請求項1 または2記載の光学情報記録媒体。 The average composition ratio of Ge and X contained in the first layer, (Ge 1-x X x ) a O b N c ( where, a> 0, b ≧ 0 , c> 0,0.10 ≦ the optical information recording medium according to claim 1, wherein to be within the scope represented by x ≦ 0.30).
  8. 前記第1の層の平均組成比が、(GeX)・O・Nをそれぞれ頂点とするの三元組成図において、組成点A((GeX) 90.00.010.0 )、B((GeX) 83.413.33.3 )、 The average composition ratio of the first layer, in the ternary composition diagram of the apexes, respectively (GeX) · O · N, composition point A ((GeX) 90.0 O 0.0 N 10.0), B ((GeX) 83.4 O 13.3 N 3.3),
    C((GeX) 35.00.065.0 )、D((GeX) 31.155.113.8 )、 C ((GeX) 35.0 O 0.0 N 65.0), D ((GeX) 31.1 O 55.1 N 13.8),
    で囲まれた範囲内にあることを特徴とする請求項1 または2記載の光学情報記録媒体。 The optical information recording medium according to claim 1 or 2, wherein the within range enclosed by.
  9. 前記第1の層の膜厚が1nm以上であることを特徴とする請求項1 または2記載の光学情報記録媒体。 The optical information recording medium according to claim 1 or 2, wherein the thickness of said first layer is 1nm or more.
  10. 前記XがCrを含むことを特徴とする請求項1〜 8のいずれか一項に記載の光学情報記録媒体。 The optical information recording medium according to any one of claims 1-8, wherein the X comprises Cr.
JP7947797A 1997-03-31 1997-03-31 The optical information recording medium Expired - Lifetime JP3612927B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7947797A JP3612927B2 (en) 1997-03-31 1997-03-31 The optical information recording medium

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7947797A JP3612927B2 (en) 1997-03-31 1997-03-31 The optical information recording medium
CN 98109250 CN1179335C (en) 1997-03-31 1998-03-31 Optic informating recording medium and making method thereof
US09390228 US6821707B2 (en) 1996-03-11 1999-09-03 Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
US09637095 US7037413B1 (en) 1996-03-11 2000-08-10 Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
US10985626 US20050089799A1 (en) 1996-03-11 2004-11-09 Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10275360A true JPH10275360A (en) 1998-10-13
JP3612927B2 true JP3612927B2 (en) 2005-01-26

Family

ID=13690986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7947797A Expired - Lifetime JP3612927B2 (en) 1997-03-31 1997-03-31 The optical information recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3612927B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7897231B2 (en) 2005-04-01 2011-03-01 Panasonic Corporation Optical information recording medium and method for manufacturing the same

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010024949A (en) * 1998-02-23 2001-03-26 아카이 노리오 Information recording medium
US6660451B1 (en) 1999-06-18 2003-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium
US7304930B2 (en) * 2001-09-12 2007-12-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and recording method using the same
CN1255792C (en) 2001-12-07 2006-05-10 松下电器产业株式会社 Information recording medium and production method thereof
US6858278B2 (en) 2001-12-18 2005-02-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Information recording medium and method for producing the same
KR100906056B1 (en) 2002-03-19 2009-07-03 파나소닉 주식회사 Information recording medium and method for producing the same
EP1349160B1 (en) 2002-03-20 2007-12-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for manufacturing the same
JP4217213B2 (en) 2002-09-13 2009-01-28 パナソニック株式会社 Information recording medium and method of manufacturing the same
WO2004032131A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-15 Mitsubishi Chemical Corporation Optical recording medium
JP4181490B2 (en) 2003-03-25 2008-11-12 松下電器産業株式会社 Information recording medium and method of manufacturing the same
EP2296148B1 (en) 2003-07-25 2012-09-19 Panasonic Corporation Information recording medium and method for producing the same
US7858290B2 (en) 2003-10-02 2010-12-28 Panasonic Corporation Information recording medium and method for manufacturing the same
DE602005005885T2 (en) 2004-03-10 2009-06-04 Panasonic Corp., Kadoma the same information recording medium and methods for making
JP4871733B2 (en) 2004-11-10 2012-02-08 パナソニック株式会社 Information recording medium and method of manufacturing the same
JP4593617B2 (en) 2005-06-15 2010-12-08 パナソニック株式会社 Information recording medium and method of manufacturing the same
US8075973B2 (en) 2005-12-02 2011-12-13 Panasonic Corporation Information recording medium and method for manufacturing the same
JP4996607B2 (en) 2006-08-08 2012-08-08 パナソニック株式会社 Information recording medium and method of manufacturing the same, and a sputtering target

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7897231B2 (en) 2005-04-01 2011-03-01 Panasonic Corporation Optical information recording medium and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date Type
JPH10275360A (en) 1998-10-13 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5753413A (en) Rewritable medium for recording information in which the atomic arrangement is changed without the shape being changed and the optical constant is changed
US6177167B1 (en) Optical information recording medium
US6503690B1 (en) Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information
US5505835A (en) Method for fabricating optical information storage medium
EP0195532A1 (en) An information recording medium
EP1347448A1 (en) Optical recording medium and optical recording process using the same
JP2001184725A (en) Optical information recording medium
US6596366B2 (en) Optical recording medium and process for producing an optical recording medium
US6040066A (en) Rewritable optical information medium
EP0849729A2 (en) Optical recording medium
EP1040937A1 (en) Write once optical information recording medium
US5914214A (en) Method for manufacturing an optical information recording medium
JP2004362748A (en) Optical information recording medium
EP0945860A2 (en) Optical information recording medium and method for recording and reproducing information thereon
US6638594B1 (en) Rewritable optical information recording medium
EP1215669A2 (en) Optical information recording medium, method for producing the same, and method and apparatus for recording information theron
JP2001067720A (en) Optical recording medium
JPH08315418A (en) Optical information medium and its production
JP2001322357A (en) Information recording medium and its manufacturing method
EP0978831A2 (en) Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus
JPH08127176A (en) Information recording thin film, manufacture thereof information recording medium and using method therefor
EP1052631A2 (en) Optical information recording medium, method for producing the same, and method and apparatus for recording/reproducing information thereon
JP2005022409A (en) Optical information recording medium and method for manufacturing the same
JPH10172179A (en) Optical information recording medium
US7709073B2 (en) Information recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040210

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040408

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040715

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041005

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041018

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071105

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081105

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101105

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111105

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105

Year of fee payment: 9

EXPY Cancellation because of completion of term