JP3609067B2

JP3609067B2 - Pad conditioner for CMP processing

Info

Publication number: JP3609067B2
Application number: JP2002178832A
Authority: JP
Inventors: 憲生今井
Original assignee: Noritake Co Ltd; Noritake Super Abrasive Co Ltd
Current assignee: Noritake Co Ltd; Noritake Super Abrasive Co Ltd
Priority date: 2002-06-19
Filing date: 2002-06-19
Publication date: 2005-01-12
Anticipated expiration: 2022-06-19
Also published as: JP2004017251A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ＬＳＩデバイスの平坦化に用いられるポリッシャのドレッシングに好適なＣＭＰ加工用パッドコンディショナーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品や光学部品の超精密、高品位仕上げのために行われるポリッシングは、ポリッシャの研磨布上に軟質砥粒を散布して被加工物を押し付けることにより実施され、軟質砥粒と被加工物間の化学的、機械的作用により材料除去が行われる。最近ではＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ＆ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）と称される技術が注目を浴びている。このＣＭＰ加工装置としては、たとえば特開平７−２９７１９５号公報や特開平９−１１１１１７号公報に記載の装置がある。
【０００３】
このようなＣＭＰ加工装置により半導体ウエハをポリッシングする場合、ポリッシャとしては一定の弾性率、繊維形状、形状パターンを持ったポリウレタン製の研磨布が使用される。ポリッシングは機械加工としては最終工程であり、平面度１μｍ前後、面粗度Ｒ_Ｚ１０Åレベルが達成されなければならない。
【０００４】
このようなポリッシング工程において、安定した加工性能を維持するためには研磨布表面の定期的修正が必要であり、パッドコンディショナーを使用してＣＭＰ加工と同時に、または定期的に研磨布表面の劣化層を除去するとともに、適正な面状態を得るようにしている。このパッドコンディショナーとしては、ダイヤモンド砥粒などを母材に固着したパッドコンディショナーが使用されている。
【０００５】
図５の（ａ）は従来のパッドコンディショナーの一例としてホイールタイプのパッドコンディショナーを示す断面図であり、円盤状の台金４１の作用面（側面）の外周部４１ａを一段高く盛り上げ、この外周部４１ａにダイヤモンド砥粒などを固着させた砥粒層４２を形成したパッドコンディショナー４０である。このパッドコンディショナー４０を同図（ｂ）に示すように保持具４３で保持し、ＣＭＰ加工装置のポリッシャ４４表面の研磨布４５に押し付けてドレッシングを行う。
【０００６】
このようなパッドコンディショナー４０では、砥粒層４２の上面は平坦に形成されていたので、パッドコンディショナー４０の押圧による研磨布４５の変形により、砥粒層４２の最外周部は研磨布４５と線接触の状態となり、最外周部のみが早く摩耗してしまうという問題があった。この問題に対し、砥粒層の断面形状を凸型の円弧状曲面や山型としたパッドコンディショナーが提案されている。
【０００７】
図６は特開平１１−３００６００号公報で提案されているパッドコンディショナーであり、円盤状の台金５１の側面の外周部５１ａを上面が円弧状曲面５１ｂになるように盛り上げ、この円弧状曲面５１ｂの上に砥粒層５２を形成したものである。このような円弧状曲面５１ｂを形成したことにより、砥粒層５２の研磨布との接触が面接触となり、パッドコンディショナーの長寿命化をはかることができる、とされている。
【０００８】
図７は特開平１０−２７７９１９号公報で提案されているパッドコンディショナーであり、円盤状の台金６１の側面の外周部６１ａに、上面の外周側６１ｂおよび内周側６１ｃが傾斜面で中間部６１ｄが平坦面になるように砥粒層６２を形成したものである。このような山型の砥粒層６２としたことにより、縁部の砥粒の脱落を防止することができ、また研磨布を傷つけるおそれがない、とされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記公開公報に記載のパッドコンディショナーは、ドレッシング時にパッドコンディショナーを研磨布に押し付けたときに、その押圧力で研磨布が弾性により沈んだ状態で変形することを利用して、砥粒層の断面形状を凸型の円弧状曲面や山型とし、砥粒層が研磨布と面接触となるようにしたものである。
【００１０】
しかし、砥粒層の断面形状を一定の凸型形状としたパッドコンディショナーでは、ドレッシング時にパッドコンディショナーを研磨布に押し付けたときに、常に砥粒層形成部分の全体が一定の力で研磨布に押し付けられ、一方研磨布はパッドコンディショナーと当接する面がすべて同じ沈んだ状態で変形するとは限らないので、研磨布の部分によってパッドコンディショナーの押圧力が異なり、パッドコンディショナーの砥粒層の摩耗や研磨布のドレッシングの程度にばらつきが生じる、という問題が残る。
【００１１】
また、台金の精度（平面度・平行度）の良し悪しで研磨布への当たり面積が大きく左右され研磨布の部分によってドレッサの押圧力が異なり、ドレッサの砥粒層の摩耗や研磨布のドレッシングの程度にばらつきが生じる、という問題がある。
【００１２】
本発明において解決すべき課題は、ＣＭＰ加工による半導体ウエハなどの表面仕上げに用いる研磨布をドレッシングするためのパッドコンディショナーにおいて、従来のパッドコンディショナーと同等以上の削れレートを維持したうえで、研磨布に対するパッドコンディショナーの押圧力の面内均一性を高めることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のＣＭＰ加工用パッドコンディショナーは、円盤状台金の作用面に渦巻き状の凹溝が設けられ、作用面の前記凹溝以外の部分に電着法により砥粒層が形成され、前記凹溝には台金裏面に達する間隙が連続的に形成されたパッドコンディショナーである。
【００１４】
台金の作用面に渦巻き状の凹溝および間隙を設けたことにより、台金が渦巻き状に分離された状態になり、パッドコンディショナーを研磨布に押圧したときに台金にばね作用が発生する。このばね作用により、研磨布に対する押圧力は作用面全体に均一に分散され、パッドコンディショナーの砥粒層の摩耗や研磨布のドレッシングの程度が均一になる。また、凹溝の渦巻きの方向を台金の中心部から外周部に向けてパッドコンディショナー回転方向と逆方向とすることで、ドレッシング時の切粉やスラリーの排出性が良くなる。さらに、砥粒層の局部的な摩耗が軽減するので、パッドコンディショナーの寿命が向上する。
【００１５】
ここで、前記凹溝の間隙に軟質樹脂を充填するのが望ましい。凹溝の間隙が開放されたままであると、この間隙に切粉が詰まって、間隙によって互いに分離した渦巻き状の作用面のばね作用が阻害されることになるので、間隙に切粉が詰まらないように軟質樹脂を充填する。充填する樹脂は、たとえばウレタン樹脂、合成ゴムのような弾性を有する軟質樹脂が適している。
【００１６】
また、台金としてばね特性に優れた鋼を使用するのが望ましい。ばね特性に優れた鋼としては、ＳＵＰ材やピアノ線などがあるが、台金の加工性や耐食性、防錆効果の点から、ＪＩＳＧＳＵＳ６３０あるいはＳＵＳ６３１（析出硬化系ステンレス鋼）が最適である。ＳＵＳ６３０あるいはＳＵＳ６３１は耐力が約７５０〜１１７５Ｎ／ｍｍ^２と高く、引っ張り強さ約９３０〜１３１０Ｎ／ｍｍ^２と高く、ばね特性にも優れている。
【００１７】
本発明のパッドコンディショナーの製造は、円盤状台金の凹溝および間隙の形成工程以外は、従来公知のパッドコンディショナーの製造工程に準じて製造することができる。台金の凹溝および間隙は、台金の作用面に電着法により砥粒層を形成した後に、ワイヤー放電加工により砥粒層を含めた凹溝の加工および凹溝内の間隙加工を行う。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施形態におけるパッドコンディショナーの正面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は図２の部分拡大図である。
【００１９】
本実施形態におけるパッドコンディショナー１０は、円盤状の台金１の作用面１ａに電着法により砥粒層２を形成した後、放電加工により渦巻き状の凹溝３を形成し、さらに凹溝２に台金裏面に達する間隙４を連続的に形成して軟質樹脂５を充填したものである。
【００２０】
台金１はＳＵＳ６３０製で、外径１００ｍｍ、厚さ８．２ｍｍである。台金１には、図１および図２に示すように、台金１の作用面１ａに、台金１の中心部に近いところを始点として外周部に向けパッドコンディショナー回転方向（図中、矢印で示す）と逆方向に、渦巻き状の凹溝３を設けている。
【００２１】
凹溝３は、溝幅５ｍｍ、深さ０．５ｍｍで、溝幅の中心部に台金１の裏面に達する間隙４を形成している。間隙４の幅は０．３ｍｍで、凹溝３の始点から終点まで連続的に形成され、間隙４内には軟質樹脂５としてウレタン樹脂が充填されている。
【００２２】
砥粒層２は、図３に示すように、台金１の作用面１ａの凹溝３を除く部分に、平均粒径０．１５ｍｍのダイヤモンド砥粒６が電着により一層固着されている。図３中の符号７はメッキ金属（Ｎｉ）層である。
【００２３】
本実施形態のパッドコンディショナー１０は以上のように構成されているので、台金１のばね作用により、ドレッシング時の研磨布に対する押圧力は作用面全体に均一に分散され、砥粒層２の摩耗や研磨布のドレッシングの程度が均一になる。また、ドレッシング時の切粉やスラリーの排出性が良くなる。さらに、砥粒層２の局部的な摩耗が軽減し、パッドコンディショナー１０の寿命が向上する。
【００２４】
〔試験例〕
図１に示した実施形態のパッドコンディショナー（発明品）と、凹溝と間隙を設けていない点を除いて図１に示したと同じ砥粒層を形成したパッドコンディショナー（比較品）と、外周部断面形状を特開平１０−２７７９１９号公報に記載の形状（図７参照）としたパッドコンディショナー（従来品１）と、外周部断面形状を特開平１１−３００６００号公報に記載の形状（図６参照）としたパッドコンディショナー（従来品２）を用いてドレッシング試験を行った。試験条件は以下の通りである。
使用機械：超精密片面ポリッシングマシン
研磨パッド：ＩＣ１００ＳＵＢＡ４００（発泡ポリウレタン）
パッドコンディショナー回転速度：４０ｍｉｎ^−１
テーブル回転速度：３０ｍｉｎ^−１
荷重：５０Ｎ
加工時間：４５時間
【００２５】
試験結果を表１および図４に示す。
【表１】

【００２６】
表１において、表中の各特性値は従来品１の測定値を１００としたときの指数で表している。ここで、削れレートはドレッシング時の１時間あたりの研磨布の削除量を指標とし、寿命は削れレートが下限値を下回ったときのパッドコンディショナーの使用時間を指標とし、加工精度は被加工材の加工精度を指標とした。表１からわかるように、台金にばね特性をもたせた発明品は、削れレートを維持したうえで、加工精度と寿命が大幅に向上している。
【００２７】
図４は発明品と比較品について、ポリッシングマシンにおけるウエハのポリッシュレート（削れレートに同じ）、および研磨布に対するパッドコンディショナーの押圧力の面内均一性を示す図である。比較品は初期からウエハポリッシュレートが低下し始め、３０時間経過時点で指数８０に到達したが、発明品は初期からのウエハポリッシュレート低下が少なく徐々に低下し、４５時間までウエハを加工することができた。押圧力の面内均一性は、発明品は比較品の２倍以上に向上している。
【００２８】
【発明の効果】
台金の作用面に渦巻き状の凹溝および間隙を設けたことにより、台金にばね作用が発生し、このばね作用により、研磨布に対する押圧力は作用面全体に均一に分散され、パッドコンディショナーの砥粒層の摩耗や研磨布のドレッシングの程度が均一になる。また、ドレッシング時の切粉やスラリーの排出性が良くなり、さらに、砥粒層の局部的な摩耗が軽減するので、パッドコンディショナーの寿命が向上する。凹溝の間隙には、軟質樹脂を充填することによって、間隙に切粉が詰まらないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態におけるパッドコンディショナーの正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示すパッドコンディショナーの凹溝近傍の部分拡大図である。
【図４】試験結果を示す図である。
【図５】従来のパッドコンディショナーの一例とその使用状態を示す図である。
【図６】従来のパッドコンディショナーの改良例を示す図である。
【図７】従来のパッドコンディショナーの別の改良例を示す図である。
【符号の説明】
１台金
１ａ台金の作用面
２砥粒層
３凹溝
４間隙
５軟質樹脂
６ダイヤモンド砥粒
７メッキ金属層
１０パッドコンディショナー[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a CMP processing pad conditioner suitable for dressing a polisher used for planarization of a semiconductor LSI device.
[0002]
[Prior art]
Polishing performed for ultra-precision and high-quality finishing of electronic parts and optical parts is performed by spreading soft abrasive grains on the polishing cloth of the polisher and pressing the work piece. Soft abrasive grains and work piece The material is removed by chemical and mechanical action between them. Recently, a technique called CMP (Chemical & Mechanical Polishing) has attracted attention. As this CMP processing apparatus, for example, there are apparatuses described in JP-A-7-297195 and JP-A-9-111117.
[0003]
When polishing a semiconductor wafer with such a CMP processing apparatus, a polishing cloth made of polyurethane having a certain elastic modulus, fiber shape, and shape pattern is used as the polisher. Polishing is the final step for machining, and a flatness of around 1 μm and a surface roughness R _{Z of} 10 mm must be achieved.
[0004]
In such a polishing process, in order to maintain stable processing performance, it is necessary to periodically modify the surface of the polishing pad. A pad conditioner is used at the same time as CMP processing, or periodically, a layer of deterioration on the surface of the polishing pad. And an appropriate surface state is obtained. As this pad conditioner, a pad conditioner in which diamond abrasive grains are fixed to a base material is used.
[0005]
FIG. 5A is a cross-sectional view showing a wheel type pad conditioner as an example of a conventional pad conditioner. The outer peripheral portion 41a of the working surface (side surface) of the disk-shaped base metal 41 is raised one step higher. This is a pad conditioner 40 in which an abrasive grain layer 42 in which diamond abrasive grains or the like are fixed to 41a is formed. The pad conditioner 40 is held by a holder 43 as shown in FIG. 4B, and dressed by pressing against the polishing cloth 45 on the surface of the polisher 44 of the CMP processing apparatus.
[0006]
In such a pad conditioner 40, since the upper surface of the abrasive grain layer 42 is formed flat, the outermost peripheral portion of the abrasive grain layer 42 is lined with the abrasive cloth 45 by the deformation of the abrasive cloth 45 due to the pressing of the pad conditioner 40. There was a problem that only the outermost peripheral portion was quickly worn out due to contact. For this problem, pad conditioners have been proposed in which the cross-sectional shape of the abrasive layer is a convex arcuate curved surface or a mountain shape.
[0007]
FIG. 6 shows a pad conditioner proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-300600. The outer peripheral portion 51a of the side surface of the disk-shaped base 51 is raised so that the upper surface is an arcuate curved surface 51b. An abrasive layer 52 is formed on the surface. By forming such an arcuate curved surface 51b, the contact of the abrasive layer 52 with the polishing cloth becomes surface contact, and the life of the pad conditioner can be extended.
[0008]
FIG. 7 shows a pad conditioner proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-277919. The outer peripheral side 61b and the inner peripheral side 61c of the upper surface are inclined and the intermediate part on the outer peripheral part 61a of the side surface of the disc-shaped base metal 61. The abrasive grain layer 62 is formed so that 61d becomes a flat surface. By adopting such a chevron-shaped abrasive grain layer 62, it is possible to prevent the abrasive grains from falling off at the edge and prevent the polishing cloth from being damaged.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the pad conditioner described in the above publication uses the fact that when the pad conditioner is pressed against the polishing cloth during dressing, the polishing cloth is deformed in a state where the polishing cloth is sunk due to elasticity by the pressing force. The cross-sectional shape is a convex arcuate curved surface or a mountain shape, and the abrasive layer is in surface contact with the polishing cloth.
[0010]
However, with a pad conditioner that has a constant cross-sectional shape of the abrasive layer, when the pad conditioner is pressed against the polishing cloth during dressing, the entire abrasive layer forming part is always pressed against the polishing cloth with a constant force. On the other hand, since the polishing cloth does not necessarily deform with all the surfaces in contact with the pad conditioner being sunk, the pressing force of the pad conditioner varies depending on the polishing cloth, and the abrasive layer of the pad conditioner is worn or the polishing cloth is worn. The problem remains that the degree of dressing varies.
[0011]
In addition, the accuracy (flatness / parallelism) of the base metal greatly affects the contact area with the polishing cloth, and the pressing force of the dresser varies depending on the polishing cloth part. There is a problem that the degree of dressing varies.
[0012]
The problem to be solved in the present invention is that a pad conditioner for dressing a polishing cloth used for surface finishing of a semiconductor wafer or the like by CMP processing maintains a scraping rate equal to or higher than that of a conventional pad conditioner and It is to improve the in-plane uniformity of the pressing force of the pad conditioner.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In the pad conditioner for CMP processing of the present invention, a spiral groove is provided on the working surface of the disk-shaped base metal, and an abrasive layer is formed by electrodeposition on the portion other than the groove on the working surface. The groove is a pad conditioner in which a gap reaching the back surface of the base metal is continuously formed.
[0014]
By providing spiral concave grooves and gaps on the working surface of the base metal, the base metal is separated into a spiral shape, and when the pad conditioner is pressed against the polishing cloth, a spring action is generated on the base metal. . By this spring action, the pressing force against the polishing cloth is uniformly distributed over the entire working surface, and the degree of wear of the abrasive layer of the pad conditioner and the dressing of the polishing cloth become uniform. Moreover, the discharge | emission property of the chip and slurry at the time of dressing becomes good by making the direction of the spiral of a ditch into the direction opposite to a pad conditioner rotation direction toward the outer peripheral part from the center part of a base metal. Furthermore, since the local wear of the abrasive layer is reduced, the life of the pad conditioner is improved.
[0015]
Here, it is desirable to fill the gap between the grooves with a soft resin. If the gap of the groove is left open, the gap will be clogged with chips, and the spring action of the spiral working surfaces separated from each other will be blocked by the gap, so that the gap will not clog with chips. Fill with a soft resin. As the resin to be filled, a soft resin having elasticity such as urethane resin and synthetic rubber is suitable.
[0016]
Further, it is desirable to use steel having excellent spring characteristics as the base metal. SUP materials and piano wires are examples of steels with excellent spring characteristics, but JIS G SUS630 or SUS631 (precipitation hardening stainless steel) is the most suitable from the viewpoint of the workability, corrosion resistance, and rust prevention effect of the base metal. . SUS630 or SUS631 has a high yield strength of about 750 to 1175 N / mm ² , a high tensile strength of about 930 to 1310 N / mm ^2, and excellent spring characteristics.
[0017]
The pad conditioner of the present invention can be manufactured in accordance with a conventionally known pad conditioner manufacturing process other than the step of forming the concave grooves and gaps of the disk-shaped base metal. For the concave grooves and gaps of the base metal, after forming an abrasive grain layer by electrodeposition on the working surface of the base metal, processing of the concave grooves including the abrasive grain layer and gap processing in the concave grooves are performed by wire electric discharge machining. .
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
1 is a front view of a pad conditioner according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG.
[0019]
In the pad conditioner 10 in this embodiment, after forming the abrasive grain layer 2 on the working surface 1a of the disk-shaped base metal 1 by the electrodeposition method, the spiral groove 3 is formed by electric discharge machining, and the groove 2 A gap 4 reaching the back surface of the base metal is continuously formed and filled with a soft resin 5.
[0020]
The base metal 1 is made of SUS630 and has an outer diameter of 100 mm and a thickness of 8.2 mm. As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the base metal 1 has a pad conditioner rotation direction (in the drawing, an arrow in the drawing) on the working surface 1a of the base metal 1 and starting from a position close to the center of the base metal 1 toward the outer periphery. The spiral groove 3 is provided in the opposite direction to that shown in FIG.
[0021]
The concave groove 3 has a groove width of 5 mm and a depth of 0.5 mm, and forms a gap 4 that reaches the back surface of the base metal 1 at the center of the groove width. The gap 4 has a width of 0.3 mm and is continuously formed from the start point to the end point of the groove 3, and the gap 4 is filled with a urethane resin as a soft resin 5.
[0022]
As shown in FIG. 3, in the abrasive grain layer 2, diamond abrasive grains 6 having an average grain size of 0.15 mm are further fixed to the portion of the working surface 1a of the base metal 1 excluding the concave grooves 3 by electrodeposition. Reference numeral 7 in FIG. 3 denotes a plated metal (Ni) layer.
[0023]
Since the pad conditioner 10 of the present embodiment is configured as described above, the pressing force on the polishing cloth during dressing is uniformly distributed over the entire working surface by the spring action of the base 1, and the abrasive layer 2 is worn. And the degree of dressing of the polishing cloth becomes uniform. In addition, the dischargeability of chips and slurry during dressing is improved. Furthermore, local wear of the abrasive layer 2 is reduced, and the life of the pad conditioner 10 is improved.
[0024]
[Test example]
The pad conditioner (invention product) of the embodiment shown in FIG. 1, the pad conditioner (comparative product) formed with the same abrasive grain layer as shown in FIG. 1 except that the groove and the gap are not provided, and the outer peripheral portion A pad conditioner (conventional product 1) having a cross-sectional shape described in Japanese Patent Laid-Open No. 10-277919 (see FIG. 7) and an outer peripheral cross-sectional shape described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-300600 (see FIG. 6). The dressing test was conducted using the pad conditioner (conventional product 2). The test conditions are as follows.
Machine used: Ultra-precision single-side polishing machine Polishing pad: IC100SUBA400 (Polyurethane polyurethane)
Pad conditioner rotation speed: 40 min ^-1
Table rotation speed: 30 min ^-1
Load: 50N
Processing time: 45 hours [0025]
The test results are shown in Table 1 and FIG.
[Table 1]

[0026]
In Table 1, each characteristic value in the table is represented by an index when the measured value of the conventional product 1 is 100. Here, the scraping rate is based on the amount of abrasive cloth removed per hour during dressing, the life is based on the pad conditioner usage time when the scraping rate falls below the lower limit, and the processing accuracy is based on the workpiece Processing accuracy was used as an index. As can be seen from Table 1, the invention having spring characteristics on the base metal has greatly improved machining accuracy and life while maintaining the scraping rate.
[0027]
FIG. 4 is a view showing the in-plane uniformity of the wafer polishing rate (same as the scraping rate) in the polishing machine and the pressing force of the pad conditioner against the polishing cloth for the inventive product and the comparative product. In the comparative product, the wafer polish rate began to decrease from the beginning, and reached the index 80 after 30 hours. However, the invention product gradually decreased with little decrease in the wafer polish rate from the initial stage, and the wafer was processed until 45 hours. I was able to. The in-plane uniformity of the pressing force is improved more than twice for the inventive product compared to the comparative product.
[0028]
【The invention's effect】
By providing spiral concave grooves and gaps on the working surface of the base metal, a spring action is generated in the base metal. By this spring action, the pressing force against the polishing cloth is evenly distributed over the entire working surface, and the pad conditioner The degree of wear of the abrasive layer and the dressing of the polishing cloth become uniform. In addition, the chip and slurry dischargeability during dressing is improved, and the local wear of the abrasive layer is reduced, so the life of the pad conditioner is improved. By filling the gaps of the concave grooves with a soft resin, it is possible to prevent chips from clogging the gaps.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a front view of a pad conditioner according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 3 is a partially enlarged view of the vicinity of the recessed groove of the pad conditioner shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a diagram showing test results.
FIG. 5 is a view showing an example of a conventional pad conditioner and its usage state.
FIG. 6 is a view showing an improved example of a conventional pad conditioner.
FIG. 7 is a view showing another improved example of the conventional pad conditioner.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base metal 1a Base metal working surface 2 Abrasive grain layer 3 Concave groove 4 Gap 5 Soft resin 6 Diamond abrasive grain 7 Plating metal layer 10 Pad conditioner

Claims

A spiral concave groove is provided on the working surface of the disk-shaped base metal, and an abrasive layer is formed by electrodeposition on a portion other than the concave groove on the working surface, and a gap reaching the back surface of the base metal is formed in the concave groove. Pad conditioner for CMP processing formed continuously.

The pad conditioner for CMP processing according to claim 1, wherein a soft resin is filled in the gaps of the concave grooves.