JP3604116B2 - Solid-state imaging device - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 38
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 17
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置の素子構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、固体撮像装置を構成する固体撮像素子は、小型化かつ高画素化が進み、その製造技術は微細化の一途を辿っている。これに伴い高感度化及び低スミア化が課題となっている。
【0003】
以下、図8〜11を参照しながら、従来の固体撮像装置の一例について説明する。図8〜11は、同一の固体撮像装置の受光領域の中心部と周辺部における、垂直方向と水平方向との断面図である。垂直方向とは、後述する垂直CCDの列方向であり、水平方向とはこれと直交する方向である。
【0004】
図8は受光領域の中心部における垂直方向断面図、図9は受光領域の周辺部における垂直方向断面図、図10は受光領域の中心部における水平方向断面図、図11は受光領域の周辺部における水平方向断面図をそれぞれ示している。
【0005】
半導体基板1は、シリコン単結晶であり、受光部を形成する部分には、イオン注入によってp型ウエルが形成されている。p型ウエル中にはn型のヒ素やリンなどを注入することによって、フォトダイオード2が形成されている。同様に、p型ウエル中にはn型のヒ素やリンなどを注入することによって、垂直CCD3(図10、11)が形成されている。
【0006】
フォトダイオード2と垂直CCD3との間には、p型のボロン等を注入することによってポテンシャルの障壁を作り垂直CCD間分離部4(図10、11)が形成されている。同様に、隣り合うフォトダイオード2間にもp型のボロン等を注入することによって、ポテンシャルの障壁を作りフォトダイオード間分離部5(図8、9)が形成されている。
【0007】
垂直CCD3上には、ポリシリコン電極6が形成されている。このポリシリコン電極6によって、垂直CCD3の電位が制御されている。ポリシリコン電極6の表面は、酸化膜7で覆われている。酸化膜7上には金属遮光膜8(図10、11)が形成され、垂直CCD3を入射光から遮蔽して、スミアの発生を抑制している。
【0008】
金属遮光膜8には開口部9(図10、11)が形成され、フォトダイオード2の上側に配置されている。開口部9は、入射光を受光するためのものである。また、開口部9は、垂直CCD3の各列に対して平行な方向にストライプ状に形成されている。
【0009】
金属遮光膜8上には絶縁膜10が形成されており、固体撮像装置を保護している。また、絶縁膜10上には平坦化層11が形成されており、平坦化層11は固体撮像装置を形成している素子の段差を平坦化している。平坦化層11上にはオンチップカラーフィルタA12、オンチップカラーフィルタB13が形成されており、固体撮像装置を形成する素子をカラー化している。
【0010】
オンチップカラーフィルタA12、B13上には、再び平坦化層11が形成され、この平坦化層11上に入射光を集光するためのオンチップマイクロレンズ14が形成されている。
【0011】
以上のように構成された従来の固体撮像装置では、入射光線15は、オンチップマイクロレンズ14によって、開口部9に向かって屈折し、オンチップカラーフィルタA12、B13を通過する(図10、11)。さらにフォトダイオード2に入射し、光電変換により信号電荷16を発生させる。この信号電荷16は垂直CCD3に読み出される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記のような従来の固体撮像装置では、以下のような問題があった。
(1)受光領域の周辺部(図9)では、斜め方向からの入射光によって、混色が起こるため色再現性が悪くなってしまう。これは、以下の理由による。撮影光学系の光学中心は、固体撮像装置の受光領域の中心延長線上に配置する。しかし、射出瞳が有限な場合、受光領域の中心から周辺へ遠ざかる(矢印a方向)につれて入射光線15は傾いていく。このため、周辺部の入射光線は、中心部に比べて斜め方向から入射してくることになる。
【0013】
すなわち、受光領域の中心部では入射光線15は垂直に入ってくるため、1つのカラーフィルタを通過した光は全て1つのフォトダイオード2に入る(図8)が、周辺部では入射光は、一定の傾きを持って入射するため、入射光線15の一部は対応するフォトダイオード2ではない隣のフォトダイオード2に入るという現象(図9)が生じる。
【0014】
このため、周辺部では色の混色が起こり、色再現性が劣化する。特にストライプ遮光膜形状では、垂直方向においてはフォトダイオード間分離部5上は遮光されていないため、入射光15は全てフォトダイオード2に入るためこの影響は顕著である(図9)。
(2)受光領域の中心部(図10)と周辺部(図11)とでは、感度ムラが発生してしまう。これは前記のように、周辺部では入射光線15は中心部に比べると斜め方向から入ってくることによる。すなわち、受光領域の中心部では入射光は垂直に入ってくるため、遮光膜の開口部の中心に集光されるので、入ってきた光のほとんどが有効光となる(図10)。
【0015】
しかし、周辺部では入射光線15はある傾きを持って入ってくるため、対応する開口部9の中心から外れて集光されるので、入射光15の一部は遮光膜8で遮蔽され、いずれのフォトダイオード2にも入らない無効光が多く生じる(図11)。このため、中心部と周辺部とでは周辺部の方が感度が低下し、感度ムラが生じてしまう。
【0016】
近年、カメラの小型化により射出瞳距離の短縮が益々進んでいるため、これらの問題は無視できなくなってきている。
本発明は、前記従来の問題を解決するものであり、受光領域の周辺部の混色を防止し、色再現性に優れ、かつ感度ムラを低減することのできる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の第1番目の固体撮像装置は、受光領域に所定のピッチで配列されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードの各列と交互に配列されたCCDと、前記フォトダイオードの上側に形成された入射光を集光するためのオンチップマイクロレンズとを備えた固体撮像装置であって、前記オンチップマイクロレンズの配列ピッチは、前記CCDの各列に垂直な方向のみが前記フォトダイオードの配列ピッチより小さく、かつ受光領域の中心部では、前記オンチップマイクロレンズの中心と、前記フォトダイオードの中心とは同一直線上にあることを特徴とする。
【0018】
前記第1番目の固体撮像装置によれば、周辺部でも入射光を受光部の中心で集光できる。この結果、中心部と周辺部での感度ムラを低減することができる。それと同時に、周辺部でも入射光を有効に受光できるため感度が向上する。また、オンチップマイクロレンズは、1方向にだけ配列ピッチを小さくしているので、2方向に対して配列ピッチを変えることに比べて、オンチップマイクロレンズの製造が容易になり、かつ精度も向上するという利点がある。
【0019】
前記第1番目の固体撮像装置においては、前記CCD部は金属遮光膜で覆われており、前記金属遮光膜には前記CCDの各列に平行なストライプ状の開口部が前記フォトダイオードの上側に形成されていることが好ましい。
【0024】
また、前記フォトダイオードと前記オンチップマイクロレンズとの間に形成されたオンチップカラーフィルタをさらに備え、前記オンチップカラーフィルタの前記CCDの各列に平行な方向の配列ピッチが、前記フォトダイオードの列方向の配列ピッチよりも小さく、かつ受光領域の中心部では、前記オンチップカラーフィルタの中心と、前記フォトダイオードの中心とは同一直線上にあることが好ましい。
【0025】
次に、本発明の第2番目の固体撮像装置は、受光領域に所定のピッチで配列されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードの各列と交互に配列されたCCDと、前記フォトダイオードの上側に形成された入射光を集光するためのオンチップマイクロレンズとを備えた固体撮像装置であって、前記CCD部は金属遮光膜で覆われており、前記金属遮光膜には前記CCDの各列に平行なストライプ状またはマトリクス状の開口部が形成されており、前記オンチップマイクロレンズの配列ピッチは、前記フォトダイオードの配列ピッチより小さく、かつ受光領域の中心部では、前記オンチップマイクロレンズの中心と、前記フォトダイオードの中心とは同一直線上にあることを特徴とする。
【0026】
前記本発明の第2番目の固体撮像装置によれば、受光領域の中心から周辺へ遠ざかるにつれて、フォトトダイオードと対応するオンチップマイクロレンズの位置がずれていくので、周辺部でも斜め方向からの入射光を遮光膜の開口部のほぼ中心に集光することができる。このため、中心部と周辺部での感度ムラを低減することができ、周辺部の入射光を有効に受光できるので感度が向上する。
【0027】
前記本発明の第2番目の固体撮像装置においては、前記オンチップマイクロレンズの前記CCDの各列に垂直な方向の配列ピッチが、前記フォトダイオードの各列間の配列ピッチより小さいことが好ましい。。
【0028】
さらに、前記オンチップマイクロレンズの前記CCDの各列に水平な方向の配列ピッチが、前記フォトダイオードの列方向の配列ピッチより小さいことが好ましい。
【0029】
また、前記本発明の第2番目の固体撮像装置においては、前記フォトダイオードと前記オンチップマイクロレンズとの間にオンチップカラーフィルタを備えたことが好ましい。
【0030】
前記オンチップカラーフィルタを備えた好ましい固体撮像装置においては、前記オンチップカラーフィルタの前記CCDの各列に平行な方向の配列ピッチが、前記フォトダイオードの列方向の配列ピッチよりも小さく、かつ受光領域の中心部では、前記オンチップカラーフィルタの中心と、前記フォトダイオードの中心とは同一直線上にあることが好ましい。
【0031】
前記のようなオンチップカラーフィルタを備えた好ましい固体撮像装置によれば、受光領域の中心から周辺へ遠ざかるにつれて、フォトダイオードと対応するオンチップカラーフィルタの位置がずれていくので、周辺部でも1つのオンチップカラーフィルタを通過した斜め方向からの入射光は、全て対応する1つのフォトダイオードに入ることになる。このため、隣の色との混色がなく、色再現性の劣化のない良好な特性が得られる。
【0032】
さらに、前記オンチップカラーフィルタの前記CCDの各列に垂直な方向の配列ピッチが、前記フォトダイオードの各列間の配列ピッチよりも小さいことが好ましい。
【0033】
前記本発明の各固体撮像装置においては、前記オンチップマイクロレンズが、前記CCDの各列に平行なレンチキュラー型であることが好ましい。前記のような固体撮像装置によれば、オンチップマイクロレンズの製造が容易になり、かつ画素に対するオンチップマイクロレンズの占有率が垂直方向に実効的に最大となるため感度が向上する。
【0034】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図1〜7を参照しながら説明する。従来例と同一のものは、同一番号を付してその詳細な説明は省略する。
【0035】
(実施の形態1)
図1〜2は、本発明の実施形態1に係る同一の固体撮像装置の受光領域の周辺部における、垂直方向と水平方向との断面図である。垂直方向とは、垂直CCDの列方向であり、水平方向とはこれと直交する方向である。図1は、受光領域の周辺部の垂直方向断面図を示している。図2は、受光領域の周辺部の水平方向断面図を示している。
【0036】
従来例と同様に、入射光線15は、オンチップマイクロレンズ14で遮光膜の開口部9に向かって屈折し、オンチップカラーフィルタA12、B13を通過する。さらに入射光線15は、半導体基板に形成されたフォトダイオード2に入射し、光電変換により信号電荷を発生させる。そして、この信号電荷が垂直CCD3に読み出される。
【0037】
従来例で説明したように、射出瞳が有限である場合、撮影光学系を経て固体撮像装置に入射する光線は、受光領域の中心部では入射光は垂直に入るが、周辺部に近づくにつれて傾きが大きくなる。すなわち、受光領域の周辺部では、1つのオンチップカラーフィルタA12またはB13を通過した入射光線15は、その一部が対応するフォトダイオード2ではない隣のフォトダイオード2に入射することがあり、この場合は混色が生じる。特にストライプ遮光形状の場合、垂直方向においては、フォトダイオード間分離部上は遮光されていないため、この影響が顕著である。
【0038】
本実施形態では、垂直方向(図1の水平方向)すなわち垂直CCD3の列方向では、オンチップカラーフィルタA12、B13の配列ピッチは、フォトダイオード2の列方向の配列ピッチよりも小さくしている。さらに、図示はしていないが受光領域の中心部では、フォトダイオード2の中心と、これと対応するオンチップカラーフィルタA12またはB13の中心とは同一直線上にある。。
【0039】
このため、受光領域の中心部から周辺部へ遠ざかる(図1の矢印a方向)につれて、フォトダイオード2の中心と対応する各オンチップカラーフィルタの中心とが、ずれていくことになる。すなわち、図1に示したように、傾いた状態で1つのオンチップカラーフィルタを通過した入射光線15は、全て対応する1つのフォトダイオード2に入ることになる。この結果、隣の色が混ざり合うことがなく、色再現性の劣化のない良好な特性が得られる。
【0040】
本実施形態では、前記のように垂直方向(図1の水平方向)すなわち垂直CCDの列方向にのみ、オンチップカラーフィルターの配列ピッチは、フォトダイオード2の配列ピッチより小さくしている。これは、以下の理由による。図2に示したように図2の水平方向すなわち垂直CCD3の各列に垂直な方向においては、開口部9以外の部分では金属遮光膜8により入射光線を遮蔽している。このため、垂直CCD3の各列に垂直な方向についてはオンチップカラーフィルタの配列ピッチを、フォトダイオードの配列ピッチに対して小さくする必要がない。
【0041】
また、開口部9の大きさに対してオンチップカラーフィルタの大きさが十分に大きい場合には、開口部9とこれと隣接する開口部9に対応するオンチップカラーフィルタとの距離も長くなるので、混色が生じることはない。
【0042】
本実施形態のように、オンチップカラーフィルターの1方向(垂直方向)についてのみ配列ピッチを小さくすることは、2方向(垂直・水平方向)の配列ピッチを変えることと比べると、オンチップカラーフィルタの製造が容易になり、かつ精度も向上するという利点がある。
【0043】
なお、垂直・水平両方向にピッチを小さく配列しても同様の効果を得ることができる。
図3は、垂直CCD3の各列に平行な方向のレンチキュラー型オンチップマイクロレンズ14aを用いた一実施形態の受光領域の周辺部における垂直方向断面図を示している。レンチキュラー型オンチップマイクロレンズ14aを用いた場合、受光領域の周辺部では、入射してきた斜め光は集光されずにそのまま入ってくるため、より混色が生じやすい。
【0044】
本実施形態では、垂直方向(図3の水平方向)では、オンチップカラーフィルタA12、B13の配列ピッチは、フォトダイオード2の列方向の配列ピッチよりも小さくしている。さらに、図示はしていないが受光領域の中心部では、フォトダイオード2の中心と、オンチップカラーフィルタA12またはB13の中心とは同一直線上にある。
【0045】
このため、受光領域の中心部から周辺部へ遠ざかる(矢印a方向)につれて、フォトダイオード2の中心と対応するオンチップカラーフィルタの中心とが、ずれていくことになる。すなわち、図3に示したように、傾いた状態で1つのオンチップカラーフィルタを通過した入射光線15は、全て対応する1つのフォトダイオード2に入ることになる。この結果、隣の色が混ざり合うことがなく、色再現性の劣化のない良好な特性が得られる。
【0046】
また、レンチキュラー型オンチップマイクロレンズを用いることによって、オンチップマイクロレンズの製造が容易になり、かつ画素に対するオンチップマイクロレンズの占有率が垂直方向に実効的に最大となるため感度が向上する。
【0047】
なお、図3では垂直CCD3の各列に対して平行な向きのレンチキュラー型オンチップマイクロレンズの場合を示したが、二段レンズ等のように水平方向と垂直方向とのレンズ曲率を変えたオンチップマイクロレンズ等を用いてもよい。
【0048】
また、本実施形態においては、金属遮光膜の開口部を垂直CCD3の各列に平行な方向にストライプ状に形成するものとして説明したが、フォトダイオード上にマトリクス状に所定ピッチで設けた遮光膜の開口部でも同様の効果を得ることができる。
【0049】
(実施の形態2)
図4〜5は、本発明の実施形態2に係る同一の固体撮像装置の受光領域の周辺部における、垂直方向と水平方向との断面図である。垂直方向とは、垂直CCDの列方向であり、水平方向とはこれと直交する方向である。図4は、受光領域の周辺部の水平方向断面図を示している。図5は、受光領域の周辺部の垂直方向断面図を示している。
【0050】
本実施形態では、垂直方向(図4の水平方向)では、オンチップマイクロレンズ14の配列ピッチは、フォトダイオード2の列方向の配列ピッチよりも小さくしている。さらに、図示はしていないが受光領域の中心部では、フォトダイオード2の中心とオンチップマイクロレンズ14の中心とは同一直線上にある。
【0051】
このため、受光領域の中心部から周辺部へ遠ざかる(矢印a方向)につれて、フォトダイオード2の中心と、対応するオンチップマイクロレンズ14の中心とがずれていくことになる。すなわち、図4に示したように、周辺部でも入射光を受光部の中心で集光できる。この結果、中心部と周辺部での感度ムラを低減することができる。それと同時に、周辺部でも入射光を有効に受光できるため感度が向上する。
【0052】
また、本実施形態においては、オンチップマイクロレンズ14の配列ピッチがフォトダイオード2の配列ピッチより小さいのは、水平方向のみである。本実施形態では、図5に示したように、垂直方向には遮光膜がないため、入射光15は全てフォトダイオード2に入るので垂直方向には集光する必要がない。このため、垂直方向にはオンチップマイクロレンズ14の配列ピッチをフォトダイオード2の配列ピッチより小さくする必要がない。
【0053】
本実施形態のように、1方向(水平方向)にだけ配列ピッチを小さくすることは、2方向(水平・垂直方向)に対して配列ピッチを変えるのことに比べて、オンチップマイクロレンズ14の製造が容易になり、かつ精度も向上するという利点がある。
【0054】
なお、オンチップマイクロレンズ14は、水平・垂直両方向にピッチを小さく配列した場合であっても同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態においては、オンチップマイクロレンズをドーム型として説明したが、例えば垂直CCD3の各列に対して平行な向きのレンチキュラー型オンチップマイクロレンズや二段レンズ等のように水平方向と垂直方向とのレンズ曲率を変えたオンチップマイクロレンズ等を用いてもよい。
【0055】
また、本実施形態では、金属遮光膜8の開口部9を垂直CCD3の各列に平行な方向にストライプ状に形成するものとして説明したが、フォトダイオード上にマトリクス状に所定ピッチで設けられた遮光膜の開口部でも同様の効果を得ることができる。
【0056】
さらに、本実施形態においては、オンチップカラーフィルタを設けた場合を説明したが、オンチップカラーフィルタの無い白黒の固体撮像装置であっても同様の効果が得られる。
【0057】
(実施の形態3)
図6〜7は、本発明の実施形態3に係る同一の固体撮像装置の受光領域の周辺部における、垂直方向と水平方向との断面図である。垂直方向とは、垂直CCDの列方向であり、水平方向とはこれと直交する方向である。図6は、受光領域の周辺部の水平方向断面図を示している。図7は、受光領域の周辺部の垂直方向断面図を示している。
【0058】
本実施形態では、垂直方向(図6の水平方向)すなわち垂直CCD3の各列に水平な方向では、オンチップカラーフィルタA12、B13の配列ピッチは、フォトダイオード2の列方向の配列ピッチよりも小さくしている。さらに、図示はしていないが、受光領域の中心部では、フォトダイオード2の中心とオンチップカラーフィルタA12またはB13の中心とは同一直線上にある。
【0059】
このため、受光領域の中心部から周辺部へ遠ざかる(矢印a方向)につれて、フォトダイオード2の中心と、対応するオンチップカラーフィルタA12またはB13の中心とがずれていくことになる。すなわち、図6に示したように、傾いた状態で1つのオンチップカラーフィルタを通過した入射光線15は、全て対応する1つのフォトダイオード2に入ることになる。この結果、隣の色が混ざり合うことがなく、色再現性の劣化のない良好な特性が得られる。
【0060】
また、本実施形態では、水平方向(図7の水平方向)すなわち垂直CCD3の各列に垂直な方向では、オンチップマイクロレンズ14の配列ピッチは、フォトダイオード2の各列間の配列ピッチよりも小さくしている。さらに、図示はしていないが受光領域の中心部では、フォトダイオード2の中心とオンチップマイクロレンズ14の中心とは同一直線上にある。
【0061】
このため、受光領域の中心部から周辺部へ遠ざかる(矢印a方向)につれて、フォトダイオード2の中心と、対応するオンチップマイクロレンズ14の中心とがずれていくことになる。すなわち、図7に示したように、周辺部でも入射光を受光部の中心で集光できる。この結果、中心部と周辺部での感度ムラを低減することができる。それと同時に、周辺部でも入射光を有効に受光できるため感度が向上する。
【0062】
なお、本実施形態においては、フォトダイオード2の配列ピッチに対してオンチップカラーフィルタのピッチは、垂直方向にのみ小さく配列しているものとして説明したが、垂直・水平両方向共にピッチを小さく配列しても同様の効果を得ることができる。
【0063】
また、本実施形態においては、フォトダイオードの配列ピッチに対してオンチップマイクロレンズ14のピッチは、水平方向にのみ小さく配列しているものとして説明したが、水平・垂直両方向共にピッチを小さく配列しても同様の効果を得ることができる。
【0064】
また、本実施形態においては、入射光を集光するためのオンチップマイクロレンズをドーム型として説明したが、例えば垂直CCD3の各列に対して平行な向きのレンチキュラー型オンチップマイクロレンズや二段レンズ等のように水平方向と垂直方向とのレンズ曲率を変えたオンチップマイクロレンズ等を用いてもよい。
【0065】
また、本実施形態においては、金属遮光膜の開口部を垂直CCDの各列に平行な向き(垂直方向)にストライプ状に形成するものとして説明したが、フォトダイオード上にマトリクス状に所定ピッチで設けられた遮光膜の開口部でも同様の効果を得ることができる。
【0066】
【発明の効果】
以上のように、本発明の固体撮像装置によれば、オンチップカラーフィルタの配列ピッチが、フォトダイオードの配列ピッチより小さく、かつ受光領域の中心部では、前記オンチップカラーフィルタの中心と、前記フォトダイオードの中心とが同一直線上にあることにより、受光領域の周辺部での斜め方向からの入射光による色の混色を防ぎ、色再現性の劣化のない良好な特性を得ることができる。
【0067】
また、オンチップマイクロレンズの配列ピッチが、フォトダイオードの配列ピッチより小さく、かつ受光領域の中心部では、前記オンチップマイクロレンズの中心と、前記フォトダイオードの中心とが同一直線上にあることにより、受光領域の周辺部での斜め方向からの入射光を遮光膜の開口部の中心に集光することができるので、中心部と周辺部での感度ムラを低減することができ、かつ受光領域の周辺部の入射光を有効に受光できるので感度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1に係る固体撮像装置の受光領域の周辺部における垂直方向断面図
【図2】本発明の実施形態1に係る固体撮像装置の受光領域の周辺部における水平方向断面図
【図3】本発明の実施形態1において、オンチップマイクロレンズを垂直CCDに平行な向きのレンチキュラー型とした場合の、固体撮像装置の受光領域の周辺部における垂直方向断面図
【図4】本発明の実施形態2に係る固体撮像装置の受光領域の周辺部における垂直方向断面図
【図5】本発明の実施形態2に係る固体撮像装置の受光領域の周辺部における水平方向断面図
【図6】本発明の実施形態3に係る固体撮像装置の受光領域の周辺部における垂直方向断面図
【図7】本発明の実施形態3に係る固体撮像装置の受光領域の周辺部における水平方向断面図
【図8】従来の固体撮像装置の一例の受光領域の中心部における垂直方向断面図
【図9】従来の固体撮像装置の一例の受光領域の周辺部における垂直方向断面図
【図10】従来の固体撮像装置の一例の受光領域の中心部における垂直方向断面図
【図11】従来の固体撮像装置の一例の受光領域の周辺部における水平方向断面図
【符号の説明】
1 半導体基板
2 フォトダイオード
3 垂直CCD
4 CCD間分離部
5 フォトダイオード間分離部
6 ポリシリコン電極
7 酸化膜
8 金属遮光膜
9 遮光膜の開口部
10 絶縁膜
11 平坦化層
12 オンチップカラーフィルターA
13 オンチップカラーフィルターB
14 オンチップマイクロレンズ
14a レンチキュラー型オンチップマイクロレンズ
15 入射光線
16 信号電荷[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an element structure of a solid-state imaging device.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, a solid-state imaging device constituting a solid-state imaging device has been reduced in size and pixels, and the manufacturing technology thereof has continued to be miniaturized. Accordingly, high sensitivity and low smear have been issues.
[0003]
Hereinafter, an example of a conventional solid-state imaging device will be described with reference to FIGS. 8 to 11 are cross-sectional views in the vertical direction and the horizontal direction at the center and the periphery of the light receiving region of the same solid-state imaging device. The vertical direction is a column direction of a vertical CCD described later, and the horizontal direction is a direction orthogonal to this.
[0004]
8 is a vertical sectional view at the center of the light receiving region, FIG. 9 is a vertical sectional view at the periphery of the light receiving region, FIG. 10 is a horizontal sectional view at the center of the light receiving region, and FIG. Respectively show horizontal sectional views.
[0005]
The
[0006]
Between the
[0007]
On the
[0008]
An opening 9 (FIGS. 10 and 11) is formed in the metal light-
[0009]
An
[0010]
A
[0011]
In the conventional solid-state imaging device configured as described above, the
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional solid-state imaging device as described above has the following problems.
(1) In the peripheral portion (FIG. 9) of the light receiving area, color mixing occurs due to incident light from an oblique direction, so that color reproducibility deteriorates. This is for the following reason. The optical center of the photographing optical system is arranged on the center extension of the light receiving area of the solid-state imaging device. However, when the exit pupil is finite, the
[0013]
That is, at the center of the light receiving region, the
[0014]
For this reason, color mixing occurs in the peripheral portion, and the color reproducibility deteriorates. In particular, in the case of the stripe light-shielding film shape, the light is not shielded on the inter-photodiode separating
(2) Sensitivity unevenness occurs between the central part (FIG. 10) and the peripheral part (FIG. 11) of the light receiving region. This is because, as described above, the
[0015]
However, in the peripheral portion, the
[0016]
In recent years, as the size of the camera has been reduced, the exit pupil distance has been increasingly reduced, and these problems cannot be ignored.
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problem and to provide a solid-state imaging device capable of preventing color mixing in a peripheral portion of a light receiving area, having excellent color reproducibility, and reducing sensitivity unevenness. And
[0017]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the object, a first solid-state imaging device according to the present invention includes a photodiode arrayed at a predetermined pitch in a light receiving area, a CCD alternately arranged with each row of the photodiode, and the incident light formed on the upper side of the photodiode to a solid-state imaging device including a on-chip microlens for condensing the arrangement pitch of the on-chip microlens is the direction perpendicular to the columns of the CCD Only the center of the light receiving region is smaller than the arrangement pitch of the photodiodes, and the center of the on-chip microlens and the center of the photodiode are on the same straight line.
[0018]
According to the first solid-state imaging device, incident light can be collected at the center of the light receiving unit even in the peripheral part. As a result, it is possible to reduce the sensitivity unevenness in the central part and the peripheral part. At the same time, the sensitivity can be improved because the incident light can be effectively received also in the peripheral portion. In addition, the on-chip microlens has a smaller arrangement pitch in one direction, so that the on-chip microlens is easier to manufacture and has higher accuracy than changing the arrangement pitch in two directions. There is an advantage of doing so .
[0019]
In the first solid-state imaging device, the CCD section is covered with a metal light-shielding film, and the metal light-shielding film has a stripe- shaped opening parallel to each column of the CCD above the photodiode. Preferably, it is formed.
[0024]
The image processing apparatus further includes an on-chip color filter formed between the photodiode and the on-chip microlens, wherein an arrangement pitch of the on-chip color filter in a direction parallel to each column of the CCD is equal to or smaller than that of the photodiode. It is preferable that the center of the on-chip color filter and the center of the photodiode are on the same straight line at the center of the light receiving region , which is smaller than the array pitch in the column direction.
[0025]
Next, a second solid-state imaging device according to the present invention includes a photodiode arrayed at a predetermined pitch in a light-receiving area, CCDs alternately arranged with each row of the photodiodes, and a CCD above the photodiodes. A solid-state imaging device including an on-chip microlens for condensing the formed incident light, wherein the CCD section is covered with a metal light-shielding film, and the metal light-shielding film is provided on each column of the CCD. Are formed in parallel with each other, and the arrangement pitch of the on-chip microlenses is smaller than the arrangement pitch of the photodiodes, and at the center of the light receiving region, the on-chip microlenses are formed. The center and the center of the photodiode are on the same straight line.
[0026]
According to the second solid-state imaging device of the present invention, the positions of the on-chip microlenses corresponding to the photodiodes are shifted as the distance from the center of the light receiving region to the periphery is increased, so that the peripheral portion is also oblique. The incident light can be focused on almost the center of the opening of the light shielding film. For this reason, the sensitivity unevenness in the central part and the peripheral part can be reduced, and the sensitivity can be improved because the incident light in the peripheral part can be effectively received.
[0027]
In the second solid-state imaging device according to the present invention, it is preferable that an arrangement pitch of the on-chip microlenses in a direction perpendicular to each column of the CCD is smaller than an arrangement pitch between the columns of the photodiodes. .
[0028]
Further, it is preferable that an arrangement pitch of the on-chip microlenses in a direction horizontal to each column of the CCD is smaller than an arrangement pitch of the photodiodes in the column direction.
[0029]
Further, in the second solid-state imaging device according to the present invention, it is preferable that an on-chip color filter is provided between the photodiode and the on-chip micro lens.
[0030]
In a preferred solid-state imaging device including the on-chip color filter, an arrangement pitch of the on-chip color filter in a direction parallel to each column of the CCD is smaller than an arrangement pitch of the photodiodes in a column direction, and In the center of the region, it is preferable that the center of the on-chip color filter and the center of the photodiode are on the same straight line.
[0031]
According to the preferred solid-state imaging device having the above-described on-chip color filter, the position of the on-chip color filter corresponding to the photodiode shifts as the distance from the center of the light receiving region to the periphery increases. All the incident light from the oblique direction that has passed through the two on-chip color filters enters the corresponding one photodiode. For this reason, there is no color mixture with an adjacent color, and good characteristics without deterioration of color reproducibility can be obtained.
[0032]
Further, it is preferable that an arrangement pitch of the on-chip color filters in a direction perpendicular to each column of the CCD is smaller than an arrangement pitch between the columns of the photodiode.
[0033]
In each of the solid-state imaging devices of the present invention, it is preferable that the on-chip microlens is a lenticular type parallel to each row of the CCD. According to the solid-state imaging device as described above, the manufacturing of the on-chip microlens becomes easy, and the sensitivity is improved because the occupancy of the on-chip microlens with respect to the pixel is effectively maximized in the vertical direction.
[0034]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The same components as those in the conventional example are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0035]
(Embodiment 1)
1 and 2 are cross-sectional views in a vertical direction and a horizontal direction in a peripheral portion of a light receiving region of the same solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention. The vertical direction is a column direction of the vertical CCD, and the horizontal direction is a direction orthogonal to the column direction. FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of the periphery of the light receiving region. FIG. 2 shows a horizontal cross-sectional view of the periphery of the light receiving region.
[0036]
As in the conventional example, the
[0037]
As described in the conventional example, when the exit pupil is finite, the light beam entering the solid-state imaging device via the imaging optical system is such that the incident light enters vertically at the center of the light receiving region, but tilts as it approaches the peripheral portion. Becomes larger. That is, in the peripheral portion of the light receiving area, the incident light 15 that has passed through one on-chip color filter A12 or B13 may be partially incident on the
[0038]
In the present embodiment, in the vertical direction (horizontal direction in FIG. 1), that is, in the column direction of the
[0039]
For this reason, the center of the
[0040]
In this embodiment, the arrangement pitch of the on-chip color filters is smaller than the arrangement pitch of the
[0041]
When the size of the on-chip color filter is sufficiently larger than the size of the
[0042]
As in the present embodiment, reducing the array pitch in only one direction (vertical direction) of the on-chip color filter is different from changing the array pitch in two directions (vertical and horizontal directions). There is an advantage that the manufacture of the device is easy and the accuracy is improved.
[0043]
Note that the same effect can be obtained even if the pitch is reduced in both the vertical and horizontal directions.
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of a peripheral portion of a light receiving region of one embodiment using a lenticular type on-
[0044]
In the present embodiment, in the vertical direction (the horizontal direction in FIG. 3), the arrangement pitch of the on-chip color filters A12 and B13 is smaller than the arrangement pitch of the
[0045]
For this reason, the center of the
[0046]
Further, by using the lenticular type on-chip micro lens, the manufacture of the on-chip micro lens is facilitated, and the occupation ratio of the on-chip micro lens to the pixel is effectively maximized in the vertical direction, so that the sensitivity is improved.
[0047]
Although FIG. 3 shows a case of a lenticular type on-chip microlens oriented in parallel to each column of the
[0048]
Further, in the present embodiment, the opening of the metal light-shielding film is described as being formed in a stripe shape in a direction parallel to each column of the
[0049]
(Embodiment 2)
4 and 5 are cross-sectional views in a vertical direction and a horizontal direction in a peripheral portion of a light receiving region of the same solid-state imaging device according to the second embodiment of the present invention. The vertical direction is a column direction of the vertical CCD, and the horizontal direction is a direction orthogonal to the column direction. FIG. 4 is a horizontal cross-sectional view of the periphery of the light receiving region. FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of the periphery of the light receiving region.
[0050]
In the present embodiment, in the vertical direction (horizontal direction in FIG. 4), the arrangement pitch of the on-
[0051]
For this reason, the center of the
[0052]
In the present embodiment, the arrangement pitch of the on-
[0053]
As in the present embodiment, reducing the arrangement pitch only in one direction (horizontal direction) is different from changing the arrangement pitch in two directions (horizontal and vertical directions). There is an advantage that manufacturing is easy and accuracy is improved.
[0054]
The same effect can be obtained even when the on-
In the present embodiment, the on-chip micro lens is described as a dome type. However, for example, a lenticular type on-chip micro lens or a two-stage lens in a direction parallel to each column of the
[0055]
In the present embodiment, the
[0056]
Further, in the present embodiment, the case where the on-chip color filter is provided has been described, but the same effect can be obtained even in a monochrome solid-state imaging device without the on-chip color filter.
[0057]
(Embodiment 3)
6 and 7 are cross-sectional views in a vertical direction and a horizontal direction in a peripheral portion of a light receiving region of the same solid-state imaging device according to the third embodiment of the present invention. The vertical direction is a column direction of the vertical CCD, and the horizontal direction is a direction orthogonal to the column direction. FIG. 6 is a horizontal cross-sectional view of the periphery of the light receiving region. FIG. 7 shows a vertical cross-sectional view of the periphery of the light receiving region.
[0058]
In the present embodiment, in the vertical direction (horizontal direction in FIG. 6), that is, in the direction horizontal to each column of the
[0059]
For this reason, the center of the
[0060]
In the present embodiment, in the horizontal direction (horizontal direction in FIG. 7), that is, in the direction perpendicular to each column of the
[0061]
For this reason, the center of the
[0062]
In the present embodiment, the pitch of the on-chip color filters is described as being smaller only in the vertical direction than the array pitch of the
[0063]
In this embodiment, the pitch of the on-
[0064]
Further, in the present embodiment, the on-chip microlens for condensing incident light is described as a dome type, but, for example, a lenticular type on-chip microlens or a two-stage For example, an on-chip microlens having a different horizontal and vertical lens curvature, such as a lens, may be used.
[0065]
In this embodiment, the openings of the metal light-shielding film are formed in stripes in a direction parallel to each column of the vertical CCD (vertical direction). However, the openings are formed in a matrix at a predetermined pitch on the photodiodes. The same effect can be obtained with the opening of the light-shielding film provided.
[0066]
【The invention's effect】
As described above, according to the solid-state imaging device of the present invention, the arrangement pitch of the on-chip color filters is smaller than the arrangement pitch of the photodiodes, and at the center of the light receiving region, Since the center of the photodiode is on the same straight line, color mixing due to oblique incident light at the periphery of the light receiving region can be prevented, and good characteristics without color reproducibility degradation can be obtained.
[0067]
Further, the arrangement pitch of the on-chip microlenses is smaller than the arrangement pitch of the photodiodes, and at the center of the light receiving region, the center of the on-chip microlens and the center of the photodiode are on the same straight line. In addition, since the incident light from the oblique direction at the peripheral portion of the light receiving region can be condensed at the center of the opening of the light shielding film, the sensitivity unevenness at the central portion and the peripheral portion can be reduced, and the light receiving region can be reduced. In this case, the sensitivity can be improved because the incident light at the peripheral portion of the device can be effectively received.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention in a peripheral portion of a light receiving region. FIG. 2 is a horizontal direction of a solid-state imaging device of the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of the periphery of the light receiving region of the solid-state imaging device when the on-chip microlens is a lenticular type parallel to the vertical CCD in the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a vertical sectional view at the periphery of a light receiving region of the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a horizontal sectional view at the periphery of the light receiving region of the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a vertical cross-sectional view of a solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention in a peripheral portion of a light receiving region. FIG. 7 is a horizontal direction of a solid-state imaging device of the third embodiment of the present invention. FIG. 8 is a vertical cross-sectional view at the center of a light receiving region of an example of a conventional solid-state imaging device. FIG. 9 is a vertical cross-sectional view of a peripheral portion of a light receiving region of an example of a conventional solid-state imaging device. FIG. 11 is a vertical cross-sectional view of a central portion of a light receiving region of an example of a conventional solid-state imaging device. FIG. 11 is a horizontal cross-sectional view of a peripheral portion of a light receiving region of an example of a conventional solid-state imaging device.
1
13 On-chip color filter B
14 On-
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27253297A JP3604116B2 (en) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27253297A JP3604116B2 (en) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | Solid-state imaging device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11111962A JPH11111962A (en) | 1999-04-23 |
JP3604116B2 true JP3604116B2 (en) | 2004-12-22 |
Family
ID=17515215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27253297A Expired - Fee Related JP3604116B2 (en) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | Solid-state imaging device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3604116B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6518640B2 (en) * | 1999-12-02 | 2003-02-11 | Nikon Corporation | Solid-state image sensor, production method of the same, and digital camera |
JP4686864B2 (en) * | 2001-01-30 | 2011-05-25 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof |
JP2005057024A (en) | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state imaging device, manufacturing method thereof and camera |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP27253297A patent/JP3604116B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11111962A (en) | 1999-04-23 |
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