JP3597045B2 - 広帯域光増幅器およびこれを含む装置および光信号を増幅する方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信の分野に関し、特に、広帯域光増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通信システムおよびネットワークで用いられる光信号を増幅するために希土類をドープした光ファイバ増幅器を使用することに大きな関心がある。このような希土類ドープ光ファイバ増幅器は費用効果が高いことがわかっており、低ノイズを示し、偏光依存でない比較的広い帯域幅を提供し、クロストークが非常に小さく、関連する動作波長での挿入損失が少ない。これらの好ましい特性の結果、希土類ドープ光ファイバ増幅器（例えば、エルビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）は、多くの光波通信システム、特に、波長分割多重（ＷＤＭ）光通信システムおよびネットワークにおいて、現行の光電子再生器を置換しつつある。
【０００３】
このようなＷＤＭ光通信システムおよびネットワークの容量を増大させるためには、一般に、与えられたＷＤＭシステム内にできるだけ多くの波長分割多重（ＷＤＭ）光チャネルを設けることが好ましいことが示されている。理解されるように、このような「密な」ＷＤＭ（ＤＷＤＭ（ｄｅｎｓｅ ＷＤＭ））光システムおよびネットワークを実現するには、広帯域光増幅器が要求される。
【０００４】
図１に示すように、ＥＤＦＡの可能な全利得スペクトルは非常に広い。しかし、残念ながら、ＥＤＦＡで利用可能な利得帯域幅は約１０ｎｍのみであるため、ＤＷＤＭシステムでこの広いスペクトルを利用することが制限されてしまう。
【０００５】
もちろん、当業者には知られているように、このＥＤＦＡの利得帯域幅は、利得等化フィルタ（ＧＥＦ）を用いることにより、約１５２５ｎｍから１５６５ｎｍまでのおよそ４０ｎｍまで広げることができる（例えば、下記文献参照）。
・Ａ． Ｋ． Ｓｒｉｖｉｓｔａｖａ， Ｊ． Ｂ． Ｊｕｄｋｉｎｓ， Ｙ． Ｓｕｎ， Ｌ． Ｇａｒｒｅｔｔ， Ｊ． Ｌ． Ｚｙｓｋｉｎｄ， Ｊ． Ｗ． Ｓｕｌｈｏｆｆ， Ｃ． Ｗｏｌｆ， Ｒ． Ｍ． Ｄｅｒｏｓｉｅｒ， Ａ． Ｈ． Ｇｎａｕｃｋ， Ｒ． Ｗ． Ｔｋａｃｈ， Ｊ． Ｚｈｏｕ， Ｒ． Ｐ． Ｅｓｐｉｎｄｏｌａ， Ａ． Ｍ． Ｖｅｎｇｓａｒｋａｒ， ａｎｄ Ａ． Ｒ． Ｃｈｒａｐｌｙｖｙ， ”３２ ｘ １０ Ｇｂ／ｓ ＷＤＭ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｏｖｅｒ ６４０ ｋｍ Ｕｓｉｎｇ Ｂｒｏａｄ Ｂａｎｄ Ｇａｉｎ−Ｆｌａｔｔｅｎｅｄ Ｅｒｂｉｕｍ−Ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ”， Ｐｒｏｃ． ＯＦＣ（米国テキサス州ダラス）ｐｐ．ＰＤ１８（１９９７年２月１６〜２１日）
・Ｙ． Ｓｕｎ， Ｊ． Ｂ． Ｊｕｄｋｉｎｓ， Ａ． Ｋ． Ｓｒｉｖａｓｔａｖａ， Ｌ． Ｇａｒｒｅｔｔ， Ｊ． Ｌ． Ｚｙｓｋｉｎｄ， Ｊ． Ｗ． Ｓｕｌｈｏｆｆ， Ｃ． Ｗｏｌｆ， Ｒ． Ｍ． Ｄｅｒｏｓｉｅｒ， Ａ． Ｈ． Ｇｎａｕｃｋ， Ｒ． Ｗ． Ｔｋａｃｈ， Ｊ． Ｚｈｏｕ， Ｒ． Ｐ． Ｅｓｐｉｎｄｏｌａ， Ａ． Ｍ． Ｖｅｎｇｓａｒｋａｒ， ａｎｄ Ａ． Ｒ． Ｃｈｒａｐｌｙｖｙ， ”Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｏｆ ３２ ＷＤＭ １０ Ｇｂ／ｓ Ｃｈａｎｎｅｌｓ Ｕｓｉｎｇ Ｂｒｏａｄ Ｂａｎｄ， Ｇａｉｎ−Ｆｌａｔｔｅｎｅｄ Ｅｒｂｉｕｍ−Ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ”， ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ Ｔｅｃｈ． Ｌｅｔｔ．， １９９７
・Ｐ． Ｆ． Ｗｙｓｏｃｋｙ， Ｊ． Ｂ． Ｊｕｄｋｉｎｓ， Ｒ． Ｐ． Ｅｓｐｉｎｄｏｌａ， Ｍ． Ａｎｄｒｅｊｃｏ， Ａ． Ｍ． Ｖｅｎｇｓａｒｋａｒ， ａｎｄ Ｋ． Ｗａｌｋｅｒ， ”Ｅｒｂｉｕｍ Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｆｌａｔｔｅｎｅｄ Ｂｅｙｏｎｄ ４０ ｎｍ Ｕｓｉｎｇ Ｌｏｎｇ−Ｐｅｒｉｏｄ Ｇｒａｔｉｎｇ”， Ｐｒｏｃ． ＯＦＣ（米国テキサス州ダラス）ｐｐ．ＰＤ２（１９９７年２月１６〜２１日）
【０００６】
さらに図１を参照すればわかるように、ＥＤＦＡの利得は、１５２５ｎｍ以下の領域および１５６５ｎｍ以上の領域で鋭く降下する。その結果、ＥＤＦＡの利得帯域幅をＧＥＦによってさらに増大させるのは実際的でない。そのようなアプローチでは、受け入れられないほど大量のポンプパワーを必要とし、対応して、許容される低ノイズ指数を維持するために多数のＧＥＦが必要となるためである。
【０００７】
従来技術によれば、１．５７〜１．６０μｍの波長範囲で大きな光利得が得られる（例えば、下記文献参照）。
・Ｊ． Ｆ． Ｍａｓｓｉｃｏｔｔ， Ｊ． Ｒ． Ａｒｍｉｔａｇｅ， Ｒ． Ｗｙａｔｔ， Ｂ． Ｊ． Ａｉｎｓｌｉｅ， ａｎｄ Ｓ． Ｐ． Ｃｒａｉｇ−Ｒｙａｎ， ”Ｈｉｇｈ Ｇａｉｎ， Ｂｒｏａｄｂａｎｄ １．６ μｍ Ｅｒ^３＋ Ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａ Ｆｉｂｒｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ”， Ｅｌｅｃ． Ｌｅｔｔ．， Ｖｏｌ．２６， Ｎｏ．１４， ｐｐ．１０３８−１０３９， Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９９０
・Ｊ． Ｆ． Ｍａｓｓｉｃｏｔｔ， Ｒ． Ｗｙａｔｔ， ａｎｄ Ｂ． Ｊ． Ａｉｎｓｌｉｅ， ”Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｅｒ^３＋ Ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａ Ｆｉｂｒｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ａｒｏｕｎｄ １．６ μｍ”， Ｅｌｅｃ． Ｌｅｔｔ．， Ｖｏｌ．２６， Ｎｏ．２０， ｐｐ．１６４５−１６４６， Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９９０
【０００８】
さらに、１．５３〜１．５６μｍの波長範囲でエルビウムドープファイバを改善するために新たなドーピング材料が用いられている。特に、フッ化物ＥＤＦはさらに利得が増大することが示されており、また、テルル化物ＥＤＦは大いに有望であることを示す報告がある（例えば、Ａ． Ｍｏｒｉ， Ｙ． Ｏｈｉｓｈｉ， Ｍ． Ｙａｍａｄａ， Ｈ． Ｏｎｏ， Ｙ． Ｎｉｓｈｉｄａ， Ｋ． Ｏｉｋａｗａ ａｎｄ Ｓ． Ｓｕｄｏ， ”１．５μｍ Ｂｒｏａｄｂａｎｄ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｂｙ Ｔｅｌｌｕｒｉｔｅ−Ｂａｓｅｄ ＥＤＦＡ’ｓ”， Ｐｒｏｃ． ＯＦＣ（米国テキサス州ダラス）ｐｐ．ＰＤ１（１９９７年２月１６〜２１日）、参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような見通しにもかかわらず、これらのＥＤＦの利得スペクトルは一般に非一様であり、機械的安定性のような他の重要な性質はほとんど理解されていない。
【００１０】
従って、以上の背景から明らかなように、広帯域光増幅器を開発する代替アプローチが必要とされている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、分岐（スプリット）バンド構造を有する広帯域光増幅器が実現される。この広帯域増幅器は、第１（共通）セクションと第２（分岐）セクションという少なくとも２つのセクションを有する。動作時には、光信号は共通セクションに入った後、２つ（以上）の独立のサブバンドに分岐される。これらの独立のサブバンドはそれぞれ第２（分岐）セクションの別々の分枝に送られ、そこで例えば増幅された後、再結合して出力信号となる。
【００１２】
本発明によれば、分岐セクションの各分枝は、それを通るサブバンドに対して最適化される。さらに、１つまたは複数の分枝をさらに分岐させ、別の特性を示す混成構造を実現することも可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図２に、本発明の広帯域光ファイバ増幅器の基本原理を示す。広帯域増幅器２００は、基本的に、２つのセクション、すなわち、第１（共通）セクション２０２と第２（分岐）セクション２０４に分けられる。簡単に説明すると、光信号は広帯域光増幅器２００の共通セクション２０２に入る。その後、信号は、２つ（以上）の独立の帯域（バンド）に分岐され、これらの独立のバンドはそれぞれ、第２（分岐）セクション２０４の別々の分枝に送られる。並行して、これらの独立のバンドは、これらの別々の分枝内で増幅された後、再結合して出力信号となる。オプションとして、再結合した出力信号をさらに出力セクション２０６で増幅あるいは処理することが可能である。
【００１４】
この原理に基づいて、広帯域光増幅器は実現される。さらに図２を参照すると、光信号は、入力ポート２０８を通して広帯域光増幅器２００に入り、出力ポート２６６から出る。出力ポート２６６は、入力ポート２０８の「下流」にある。要素２１０〜２１２は光アイソレータである。要素２２０〜２３０はエルビウムドープファイバ増幅器である。要素２４０〜２４３は、ポンプ放射２４４〜２４７を結合するための波長選択光ファイバ結合器（ＷＤＭ）である。要素２３１〜２３８はＧＥＦである。要素２６０は減衰器（アッテネータ）である。要素２５０はデマルチプレクサである。要素２５１はマルチプレクサである。光アイソレータ、減衰器、ＧＥＦ、ＷＤＭ、マルチプレクサ、およびデマルチプレクサは一般に知られているものであり、市販されているものもある。当業者には知られているように、オプションとして、ＥＤＦＡの上流および下流のそれぞれに光アイソレータを設けてもよい。
【００１５】
図２からわかるように、すべての入力光信号は共通セクション２０２を通る。ここで、光信号を、分岐前に、増幅することも可能である。この例示的な構成では、信号は、デマルチプレクサ２５０の作用により３個のサブバンドに分岐される。具体的には、信号は、短波長バンド（Ｓ（ｓｈｏｒｔ）バンド）、中間波長バンド（Ｍ（ｍｉｄｄｌｅ）バンド。通常バンド（Ｃ（ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ）バンド）ともいう）および長波長バンド（Ｌ（ｌｏｎｇ）バンド）に分岐される。これらはそれぞれ、分岐セクション２０４の各分枝に対応する。明らかなように、光信号をこのように複数のバンドに分岐することにより、これらのバンドを並行して別々に増幅することが可能となる。
【００１６】
もちろん当業者には認識されるように、光信号をどのようなサブバンドに分岐するかは一定ではなく変更可能であり、それらの波長の範囲によって記述することができる。しかし、この例では、Ｓバンドは１５１０ｎｍ〜１５２５ｎｍの範囲であり、Ｍバンドは１５２５ｎｍ〜１５６５ｎｍの範囲であり、Ｌバンドは１５６５ｎｍ〜１６１０ｎｍの範囲であるとする。もちろん、これらの範囲は、個々のＥＤＦ、設計および応用に応じて変えることができる。
【００１７】
一般に、共通セクション２０２は、低ノイズ指数を達成するために、強く反転される。さらに、ＳバンドにおけるＥＤＦの反転レベルは、このサブバンドにおける高利得および高出力パワーを達成するために、高く保たれる。また、このことにより、複数の信号チャネルにわたる強い利得変動が生成されるため、ＥＤＦとともに複数のＧＥＦを用いることにより、ほぼ平坦な利得および低ノイズ指数を同時に達成する。
【００１８】
同様に、本実施例の構成に示される残りのサブバンドについても、追加の設計が考慮される。具体的には、Ｍバンドは、ＧＥＦおよび１つ以上の段を用いることにより、高パワー、平坦な利得および低ノイズ指数を実現するように設計される。Ｌバンドでは、反転レベルは低レベルに維持しなければならず、ＧＥＦを用いて利得の平坦性を高めるのが好ましい。同様に、複数の段を用いて、このサブバンドに対する出力パワーを高める。
【００１９】
図２で参照符号２５０および２５１によりそれぞれ表される、光信号の多重化（ＭＵＸ）および分離化（ＤＥＭＵＸ）は、薄膜フィルタ、導波路ルータ、あるいは、ファイバグレーティングとサーキュレータの組合せなどのさまざまの方法を用いて実現することができる。理解されるように、２つの隣接するサブバンド間の導波バンドの幅は主に、使用されるＭＵＸおよびＤＥＭＵＸの鮮鋭度と、ＧＥＦの精度によって決定される。
【００２０】
光スペクトル全体を３個のサブバンドに分割した図２の広帯域光増幅器構成を用いて数値シミュレーションを実行した。このシミュレーションでは、Ｓバンドに６個のＧＥＦ２３１〜２３６を用いた。すべてのポンプレーザ２４５〜２４７は９８０ｎｍで動作し、Ｓバンドでのポンプパワーは２６ｄＢｍであり、ＭバンドおよびＬバンドでのポンプパワーは２０．８ｄＢｍであった。Ｓバンドでは一般に、ＥＤＦに高い反転分布を生成するために高いポンプパワーが要求される。
【００２１】
このシミュレーションから得られた、図２の例示的な構成に対する出力パワースペクトルを図３に示す。この図から、高い出力パワーは、本発明に従って構成された増幅器の特性であることがわかる。
【００２２】
図４は、本発明の原理による広帯域増幅器構成の代替例の概略図である。この例示した構成は、共通セクション４０２と、２個の分枝を有する分岐セクション４０４とを有する。サーキュレータ（回転子）４６０〜４６１および広帯域ブラッグファイバグレーティング４５０〜４５１を用いて、分岐セクション４０４の前後でＤＥＭＵＸおよびＭＵＸを実行する。この例示的な広帯域増幅器構成では、Ｍバンドで１段増幅を用い、Ｌバンドで２段増幅を実行する。すべてのポンプは９８０ｎｍで動作する。
【００２３】
２つの信号、すなわち、Ｍバンドにおける１５３０ｎｍの信号およびＬバンドにおける１５９２ｎｍの信号を、飽和光源として用いた。全入力パワーは−４．７ｄＢｍであり、全出力パワーは１８．３ｄＢｍであって、その結果、利得は２３ｄＢであった。この広帯域増幅器構成の出力スペクトルを図５に示す。
【００２４】
以上説明したことから、当業者には直ちに認識されるように、本発明の分岐バンド構成のさまざまな変形例が可能である。特に、利用されるＥＤＦの利得および損失のスペクトルに応じて、入力光信号から２つ、３つあるいはそれ以上のサブバンドを分岐させることが可能である。また、本発明の実施例の構成では２個のセクションのみを用いたが、それより多くのセクションや、混成構造も、本発明の原理内で実現可能である。
【００２５】
そのような混成広帯域増幅器構成を図６に示す。上記の構成と同様に、図６に概略を図示した混成広帯域増幅器６００は、基本的に２つのセクション、すなわち第１（共通）セクション６０２と、第２（分岐）セクション６０４に分けられる。分岐セクション６０４は、光信号の独立の分岐サブバンドが通るいくつかの分枝を有する。この混成広帯域増幅器構成をさらに特徴づけるのは、分岐セクション６０４がさらに分岐（混成）セクション６０６を含むことである。混成セクション６０６では、１つ（以上）の分枝がさらにいくつかの分枝に分岐する。
【００２６】
光信号は、広帯域光増幅器６００の共通セクション６０２に入り、ＤＥＭＵＸ６５０によって２個の独立のサブバンドに分岐される。これらの独立のサブバンドはそれぞれ、第２（分岐）セクション６０４の別々の分枝へ送られる。分岐セクション６０４の上の分枝を通る信号はさらにＤＥＭＵＸ６５１によって独立のサブバンドに分岐される。並行して、すべての独立のサブバンドは、これらの分枝内で必要に応じて増幅された後、ＭＵＸ６５２によって再結合して出力信号となる。
【００２７】
以上、本発明のいくつかの実施例について説明したが、当業者であれば、本発明の原理に基づいて、さまざまな変形例を構成することができる。特に、光信号のうちの一部あるいは全部は再利用することが可能である。例えば、あるサブバンドから排除されたパワーを用いて別のサブバンドをポンピングすることが可能である。また、当業者には理解されるように、構造をさらに混成化することが可能である。また、サブバンドは、上記のＥＤＦ増幅器の代わりに半導体増幅器で増幅することも可能である。
【００２８】
【発明の効果】
以上述べたごとく、本発明によれば、ほぼ一様な利得スペクトルを有する広帯域光増幅器が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】さまざまな反転レベルにおける、エルビウムドープシリカファイバの利得係数（ｄＢ／ｍ）対波長（ｎｍ）をプロットした図である。
【図２】本発明による広帯域ファイバ増幅器の概略図である。
【図３】本発明による３サブバンドの分岐バンドファイバ増幅器の数値シミュレーションから得られた出力パワー（ｄＢ／ｍ）対波長（ｎｍ）をプロットした図である。
【図４】２個のサブバンドを有する、本発明による分岐バンドファイバ増幅器の実験装置の概略図である。
【図５】図４のファイバ増幅器に対して測定された出力スペクトルをプロットした図である。
【図６】本発明による混成分岐バンド光増幅器の概略図である。
【符号の説明】
２００ 広帯域増幅器
２０２ 第１（共通）セクション
２０４ 第２（分岐）セクション
２０６ 出力セクション
２０８ 入力ポート
２１０〜２１２ 光アイソレータ
２２０〜２３０ エルビウムドープファイバ増幅器
２３１〜２３８ ＧＥＦ
２４０〜２４３ 波長選択光ファイバ結合器（ＷＤＭ）
２４４〜２４７ ポンプ放射（ポンプレーザ）
２５０ デマルチプレクサ
２５１ マルチプレクサ
２６０ 減衰器（アッテネータ）
２６６ 出力ポート
４００ 広帯域増幅器
４０２ 共通セクション
４０４ 分岐セクション
４５０〜４５１ 広帯域ブラッグファイバグレーティング
４６０〜４６１ サーキュレータ（回転子）
６００ 混成広帯域増幅器
６０２ 共通セクション
６０４ 分岐セクション
６０６ 混成セクション
６５０ ＤＥＭＵＸ
６５１ ＤＥＭＵＸ
６５２ ＭＵＸ

Claims (11)

1. 入力セクションと、
   分岐セクションと、
   混成セクションとを有し、
   前記入力セクションに入った光信号は、複数のサブバンドに分岐され、
   前記分岐セクションの別々の分岐に導かれる前記サブバンドのうちの少なくとも１つは、特定のサブバンドが、その後結合されて出力信号となる前に、並列的に増幅されるように、前記分岐セクションの前記別々の分岐のさらなる複数の分岐に導かれる複数の追加のサブバンドにさらに分岐され、
   前記分岐セクションと前記混成セクションは、入力光信号がその波長領域全体に渡り、均等に増幅されるように、前記入力光信号を複数のサブバンドに分岐し、さらにこのサブバンドを複数のサブサブバンドに分岐する
   ことを特徴とする広帯域光増幅器。
2. 出力に先立って、結合された出力信号を増幅する出力増幅セクションをさらに有することを特徴とする請求項１記載の広帯域光増幅器。
3. 前記分岐セクションは、Ｓバンド増幅分岐、Ｍバンド増幅分岐、Ｌバンド増幅分岐のいずれかを含み、
   前記Ｓバンドは、１５１０ｎｍ〜１５２５ｎｍの範囲である
   前記Ｍバンドは、１５２５ｎｍ〜１５６５ｎｍの範囲である
   前記Ｌバンドは、１５６５ｎｍ〜１６１０ｎｍの範囲である
   ことを特徴とする請求項２記載の広帯域光増幅器。
4. （Ａ） 光信号を複数のサブバンド信号に分岐させるステップと、
   （Ｂ） 前記サブバンド信号を複数のサブサブバンドにさらに分岐させるステップと、
   （Ｃ） 入力光信号がその波長領域全体に渡って、均等に増幅されるように、前記サブバンド信号のうちの少なくとも２つを増幅するステップと、
   （Ｄ） 前記サブバンド信号および前記サブサブバンド信号を１つの出力信号に結合するステップと
   を有することを特徴とする光信号を増幅する方法。
5. （Ｅ） 前記結合された出力信号を増幅するステップ
   をさらに有することを特徴とする請求項４記載の方法。
6. 前記（Ｂ）ステップに先立って、
   （Ｆ） 前記光信号を増幅するステップを
   さらに有することを特徴とする請求項４記載の方法。
7. 前記複数のサブバンドは、Ｓバンド、Ｍバンド、Ｌバンドのいずれかを含み、
   前記Ｓバンドは、１５１０ｎｍ〜１５２５ｎｍの範囲にある
   前記Ｍバンドは、１５２５ｎｍ〜１５６５ｎｍの範囲にある
   前記Ｌバンドは、１５６５ｎｍ〜１６１０ｎｍの範囲にある
   ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
8. 入力ポート及び出力ポートを有する広帯域光増幅器を含む装置において、
   （ａ）前記入力ポートに光学的に接続された入力セクションと、
   （ｂ）前記入力セクションに光学的に接続されて、前記入力セクションを通る光信号を複数のサブバンドに分岐させる光スプリッタと、
   （ｃ）前記光スプリッタに光学的に接続された分岐増幅セクションと
   を有し、
   前記分岐増幅セクションは、複数の増幅分岐を含み、前記サブバンドのうちの特定のものが前記増幅分岐のうちの特定のものを並列的に通り、
   前記分岐増幅セクションは、
   （ｃ１）混成分岐増幅セクションと、
   （ｃ２）光結合器と、
   （ｃ３）出力セクションと
   を含み、
   前記混成分岐増幅セクション中で、前記分岐増幅セクションを通る前記サブバンドのうちの少なくとも１つが、複数の追加的なサブバンドにさらに分岐され、前記混成分岐増幅セクションは、前記サブバンドの全てが並列的に増幅され得るように、複数の別々の増幅分岐を有し、
   前記分岐セクションおよび前記混成セクションは、入力光信号がその波長領域全体に渡り、均等に増幅されるように、前記入力光信号を複数のサブバンドに分岐し、さらにこのサブバンドを複数のサブサブバンドに分岐し、
   前記光結合器は、前記サブバンドおよびサブサブバンドを、それらが前記分岐増幅セクションを通った後に、１つの出力信号に結合し、
   前記出力セクションは、前記サブバンド結合手段および前記出力ポートと通信する
   ことを特徴とする装置。
9. 前記出力セクションは、前記結合された出力信号を増幅する手段をさらに含む
   ことを特徴とする請求項８記載の装置。
10. 前記入力セクションは、前記光信号を増幅する手段をさらに含む
    ことを特徴とする請求項８記載の装置。
11. 前記複数のサブバンドは、Ｓバンド、Ｍバンド、Ｌバンドのいずれかを含み、
    前記Ｓバンドは、質的に１５１０ｎｍ〜１５２５ｎｍの範囲にある
    前記Ｍバンドは、１５２５ｎｍ〜１５６５ｎｍの範囲にある
    前記Ｌバンドは、１５６５ｎｍ〜１６１０ｎｍの範囲にある
    ことを特徴とする請求項８記載の装置。

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