JP3589901B2 - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3589901B2 JP3589901B2 JP14521399A JP14521399A JP3589901B2 JP 3589901 B2 JP3589901 B2 JP 3589901B2 JP 14521399 A JP14521399 A JP 14521399A JP 14521399 A JP14521399 A JP 14521399A JP 3589901 B2 JP3589901 B2 JP 3589901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- signal
- signal charges
- potential barrier
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置の構成およびその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在スチルカメラ、パソコンの入力として使用されている固体撮像装置は、カメラ一体型VTR用に開発されたものを流用しており、標準テレビ受像機の表示方式(インタレース方式)とパソコン用モニタとの表示方式(プログレッシブ方式)の違いのため、画素数や走査方式を変換する等の信号処理が必要となっている。
【0003】
このため、電子スティルカメラ、パソコンの入力として使用される固体撮像装置は、画素数や走査方式を変換する等の信号処理が不要で、全画素読み出し可能なプログレッシブ方式固体撮像装置が用いられてきた。
【0004】
しかし、工程数が少なく、セル部の高集積化が容易であり、カメラ一体型VTR用と兼用できるインターレース方式固体撮像装置も数多く使用されている(参考文献:竹村裕夫著「CCDカメラ技術」ラジオ技術社、昭和61年11月3日初版発行、pp23−30、pp46−50)。
第7図は、従来の2層電極4相駆動方式の電荷転送装置を垂直電荷転送部に有するインタレース方式の固体撮像装置の平面概念図である。第7図において、従来のインタレース方式の固体撮像装置は、101の光電変換部、102の2層電極4相駆動方式の電荷転送装置からなる垂直電荷転送部、103の水平電荷転送部、104の出力回路部で構成されている。また、垂直方向の2個の光電変換部に対して1段の垂直電荷転送部、すなわち1個の光電変換部に対して1/2段の垂直電荷転送部が対応して配置されている構成となっている。
【0005】
第8図は、従来の固体撮像装置のセル部の平面図であり、光電変換部101、垂直電荷転送部102、第1の電荷転送電極105、第2の電荷転送電極106から構成されている。
【0006】
第9図は、第8図のI−I’面のセル部の断面図であり、N−型半導体基板107、P−型半導体基板108、N型半導体領域109、P+型半導体領域110、1層目の多結晶シリコン111で形成された第1の電荷転送電極105、2層目の多結晶シリコン112で形成された第2の電荷転送電極106、遮光膜となるアルミニウム膜113、絶縁膜114、カバー絶縁膜115から構成されている。
【0007】
このようなインターレース方式の固体撮像装置は、第10図に示したタイミングチャートにより以下のように動作される。
【0008】
まず、時間t1に光電変換部に存在する不要電荷をリセットするために、第11図に示したようにN−型半導体基板107に逆バイアス電圧VHsubを印加することにより、光電変換部101を構成するN型半導体領域109、および直下形成された濃度の薄いP−型半導体領域108を完全に空乏化させ不要電荷をすべてN−半導体基板107に除去する。このような構造は一般に縦型オーバフロードレイン(縦型OFD)構造と呼ばれている。(参考文献:テレビジョン学会誌 Vol.37,No.10(1983) pp782−787)
続いて、N−型半導体基板107に電圧VBsubを印加し、光電変換部101にて入射光量に応じた信号電荷の蓄積を開始するとともに、光電変換部101に蓄積しきれない余剰電荷を縦型OFD構造を使ってN−半導体基板107に除去するブルーミング制御を行う。次に、時間t2に所定の採光時間(t2−t1)が経過したのち、固体撮像装置の前面に配置された機械式シャッタ等の光遮断手段により入射光を遮断する。
【0009】
次に、時間t4に水平方向の奇数行の光電変換部、たとえば信号電荷11,12,13,31,32,33,51,52,53が対応する垂直電荷転送部102へと読み出されたのち、各垂直電荷転送部102中を垂直方向に転送された水平の1ライン毎に水平電荷転送部103へ送られ、水平電荷転送部103中を水平方向に転送され出力回路部104を介して出力される。
【0010】
最後に、時間t5に水平方向の偶数行の光電変換部、たとえば信号電荷21,22,23,41,42,43,61,62,63が対応する垂直電荷転送部102へと読み出されたのち、前記の場合と同様にして出力される。これにより、1画面分のすべての画素の信号電荷が得られる。(参考文献:竹村裕夫著「CCDカメラ技術」ラジオ技術社 pp23−30,pp46−50)
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の固体撮像装置では、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、光電変換部を所望の領域に分割し、複数回に分けて垂直電荷転送部に信号電荷を読み出し、出力する場合において、読み出しの回数を重ねる毎に飽和信号量が減少するという欠点があった。
【0012】
本発明の目的は、読み出しの回数を重ねる毎に飽和信号量が減少するという欠点を改善した固体撮像装置と駆動方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、入射光量に対して所望の時間、信号電荷を蓄積し、第1の電位障壁を設定することにより過剰電荷を除去するブルーミング抑制機構を有する複数個の光電変換部と、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、前記光電変換部から信号電荷を読み出し、出力する動作を複数回繰り返して全光電変換部の信号電荷を出力する出力手段とを有し、前記出力手段は前記光遮蔽手段により入射光が閉ざし、前記第1の電位障壁より高く、前記光電変換部に隣接した信号読み出し領域に信号読み出し期間外に形成される第3の電位より低い第2の電位障壁に設定した後、信号電荷の読み出しを開始することを特徴とする。
【0017】
また本発明の固体撮像素子の駆動方法は、入射光量に対して所望の時間、信号電荷を蓄積し、第1の電位障壁を設定することにより過剰電荷を除去するブルーミング抑制機構を有する複数個の光電変換部を有し、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、光電変換部から信号電荷を読み出し、出力する動作を複数回繰り返して全光電変換部の信号電荷を出力する固体撮像装置の駆動方法において、前記光遮蔽手段により入射光が閉ざし、前記第1の電位障壁より高く、前記光電変換部に隣接した信号読み出し領域に信号読み出し期間外に形成される第3の電位より低い第2の電位障壁に設定した後、信号電荷の読み出しを開始することを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の第1の実施例を図面を参照して説明する。
【0019】
本発明の第1の実施例の過剰電荷を除去するブルーミング抑制機構として縦型OFD構造を有するインターレース方式の固体撮像装置は、第1図に示したタイミングチャートにより以下のように動作される。
【0020】
まず、時間t1に光電変換部に存在する不要電荷をリセットするために、第2図に示したようにN−型半導体基板107に逆バイアス電圧VHsubを印加することにより、光電変換部101を構成するN型半導体領域109、および直下形成された濃度の薄いP−型半導体領域108を完全に空乏化させ不要電荷をすべてN−半導体基板107に除去する。
【0021】
続いて、N−型半導体基板107に電圧VBsubを印加し、光電変換部101にて入射光量に応じた信号電荷の蓄積を開始するとともに、光電変換部101に蓄積しきれない余剰電荷を縦型OFD構造を使ってN−半導体基板107に除去するブルーミング制御を行う。次に、時間t2に所定の採光時間(t2−t1)が経過したのち、固体撮像装置の前面に配置された機械式シャッタ等の光遮断手段により入射光を遮断する。
【0022】
次に、時間t3にN−型半導体基板107に電圧VLsubを印加し、信号電荷に対する縦型OFD構造の電位障壁を△Φだけ高くすることにより、self−induced drift(静電反発)あるいはthermal diffusion(熱拡散)電流に起因したリークを抑制し、蓄積された信号電荷が減少するのを抑制する。この現象は△Φの値に敏感に依存し、図6に示したように0.4V以上電位障壁を高くすることにより、実用上問題のないレベルに改善されるが、マージンを考慮すると0.7V程度に設定することが望ましい。
【0023】
また、△Φだけ電位障壁を高くした電位Φ’は、光電変換部101に隣接した信号読み出し部120に信号読み出し期間外に電荷転送電極106に印加される電圧VMclにて形成される電位Φtgより深いことが望ましい。この電位Φ’が電位Φtgと同電位、あるいは浅くなった場合、光電変換部101に蓄積された電荷が信号読み出し部120を介して、垂直電荷転送部102に漏れ込むという問題点が生じる。この現象も、電位Φtgと電位Φ’の電位差△Φ’の値に敏感に依存し、電位差△Φ’を0.4V以上にすることにより改善されるが、0.7V程度に設定することが望ましい。
【0024】
次に、時間t4に水平方向の奇数行の光電変換部、たとえば信号電荷11,12,13,31,32,33,51,52,53が対応する垂直電荷転送部102へと読み出されたのち、各垂直電荷転送部102中を垂直方向に転送された水平の1ライン毎に水平電荷転送部103へ送られ、水平電荷転送部103中を水平方向に転送され出力回路部104を介して出力される。
【0025】
最後に、時間t5に水平方向の偶数行の光電変換部、たとえば信号電荷21,22,23,41,42,43,61,62,63が対応する垂直電荷転送部102へと読み出されたのち、前記の場合と同様にして出力される。これにより、1画面分のすべての画素の信号電荷が得られる。
【0026】
本発明の第1の実施例の固体撮像装置は、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、基板電圧をVLsub値に設定し、信号電荷に対する電位障壁を高くし、self−induced drift(静電反発)あるいはthermal diffusion(熱拡散)電流に起因したリークを抑制したのち、光電変換部の所望の領域から垂直電荷転送部に信号電荷を読み出し、出力するため、蓄積時間の違いにより飽和信号量が減少するという欠点を抑制できる。
【0027】
次に、本発明の第2の実施例を図面を参照して説明する。第4図は、XYアドレス方式の固体撮像装置の平面概念図である。
【0028】
第4図において、XYアドレス方式の固体撮像装置は、201の光電変換部、202の垂直シフトレジスタ、203の水平シフトレジスタ、204のロードトランジスタ、205のアドレス線、206の信号線で構成されている。
【0029】
第5図(a)は、光電変換部201の断面図であり、P−型半導体基板221、P型半導体領域222、P+型半導体領域223、N型半導体領域224、N+型半導体領域225、リセットトランジスタ211、ソースフォロア回路のドライブトランジスタ212、選択トランジスタX213から構成されている。
【0030】
本発明の第2の実施例の過剰電荷を除去するブルーミング抑制機構として横型OFD構造を有するXYアドレス方式の固体撮像装置は、第3図に示したタイミングチャートにより以下のように動作される。
【0031】
まず、時間t1に光電変換部に存在する不要電荷をリセットするために、第5図(c)に示したようにリセットトランジスタ211に電圧VHgを印加することにより、リセットトランジスタ211下の電位を深くし、光電変換部201を構成するN型半導体領域224の電位を電源電圧VDDにセットする。
【0032】
続いて、リセットトランジスタ211に電圧VBgを印加し、光電変換部201にて入射光量に応じた信号電荷の蓄積を開始するとともに、光電変換部201に蓄積しきれない余剰電荷を水平OFD構造を使って電源電圧VDDが印加されたN+半導体領域225に除去するブルーミング制御を行う。
【0033】
次に、時間t2に所定の採光時間(t2−t1)が経過したのち、固体撮像装置の前面に配置された機械式シャッタ等の光遮断手段により入射光を遮断する。
【0034】
次に、時間t3にリセットトランジスタ211に電圧VLgを印加し、信号電荷に対する横型OFD構造の電位障壁を△Φだけ高くすることにより、self−induced drift(静電反発)あるいはthermal diffusion(熱拡散)電流に起因したリークを抑制し、蓄積された信号電荷が減少するのを抑制する。この現象は△Φの値に敏感に依存し、0.4V以上電位障壁を高くすることにより、実用上問題のないレベルに改善されるが、マージンを考慮すると0.7V程度に設定することが望ましい。
【0035】
次に、時間t4に水平方向の奇数行の光電変換部から信号電荷が読み出されたのち、出力される。
【0036】
最後に、時間t5に水平方向の偶数行の光電変換部から信号電荷が読み出されたのち、同様にして出力される。これにより、1画面分のすべての画素の信号電荷が得られる。
【0037】
本発明の第2の実施例の固体撮像装置は、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、リセットゲート電圧をVLg値に設定し、信号電荷に対する電位障壁を高くし、self−induced drift(静電反発)あるいはthermal diffusion(熱拡散)電流に起因したリークを抑制したのち、光電変換部の所望の領域から信号電荷を読み出し、出力するため、蓄積時間の違いにより飽和信号量が減少するという欠点を抑制できる。
【0038】
なお、本発明は上記各実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適宜変更され得ることは明らかである。たとえば、第2の実施例では、光電変換部101に隣接した信号読み出し部120がない例を記載したが、信号読み出し部120があるものに対しても、同様に適用できることは言うまでもない。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第1の実施例の固体撮像装置は、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、基板電圧をVLsub値に設定し、信号電荷に対する電位障壁を高くし、self−induced drift(静電反発)あるいはthermal diffusion(熱拡散)電流に起因したリークを抑制したのち、光電変換部の所望の領域から垂直電荷転送部に信号電荷を読み出し、出力するため、蓄積時間の違いにより飽和信号量が減少するという欠点を抑制できるという効果がある。
【0040】
本発明の第2の実施例の固体撮像装置は、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、リセットゲート電圧をVLg値に設定し、信号電荷に対する電位障壁を高くし、self−induced drift(静電反発)あるいはthermal diffusion(熱拡散)電流に起因したリークを抑制したのち、光電変換部の所望の領域から信号電荷を読み出し、出力するため、蓄積時間の違いにより飽和信号量が減少するという欠点を抑制できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャート。
【図2】本発明の第1の実施例の縦型OFD構造を有する光電変換部の電位ポテンシャル図。
【図3】本発明の第2の実施例の固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャート。
【図4】本発明の第2の実施例の固体撮像装置の平面概念図。
【図5】本発明の第2の実施例の水平OFD構造を有する光電変換部の断面図と電位ポテンシャル図。
【図6】本発明の第1の実施例の電位差と飽和信号減少比率の関係を示す図。
【図7】従来の固体撮像装置の平面概念図。
【図8】従来の固体撮像装置の光電変換部の平面図。
【図9】従来の固体撮像装置の光電変換部のI−I’面の断面図。
【図10】従来の固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャート。
【図11】従来の縦型OFD構造を有する光電変換部の電位ポテンシャル図。
【符号の説明】
101 光電変換部
102 垂直電荷転送部
103 水平電荷転送部
104 出力回路部
105 第1の電荷転送電極
106 第2の電荷転送電極
107 N−型半導体基板
108 P−型半導体領域
109 N型半導体領域
110 P+型半導体領域
111 1層目の多結晶シリコン
112 2層目の多結晶シリコン
113 アルミニウム膜
114 絶縁膜
115 カバー絶縁膜
120 信号読み出し部
201 光電変換部
202 垂直シフトレジスタ
203 水平シフトレジスタ
204 ロードトランジスタ
205 アドレス線
206 信号線
221 P−型半導体基板
222 P型半導体領域
223 P+型半導体領域
224 N型半導体領域
225 N+型半導体領域
211 リセットトランジスタ
212 ソースフォロア回路のドライブトランジスタ
213 選択トランジスタX
Claims (5)
- 入射光量に対して所望の時間、信号電荷を蓄積し、第1の電位障壁を設定することにより過剰電荷を除去するブルーミング抑制機構を有する複数個の光電変換部と、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、前記光電変換部から信号電荷を読み出し、出力する動作を複数回繰り返して全光電変換部の信号電荷を出力する出力手段とを有し、前記出力手段は前記光遮蔽手段により入射光が閉ざし、前記第1の電位障壁より高く、前記光電変換部に隣接した信号読み出し領域に信号読み出し期間外に形成される第3の電位より低い第2の電位障壁に設定した後、信号電荷の読み出しを開始することを特徴とする固体撮像装置。
- 入射光量に対して所望の時間、信号電荷を蓄積し、第1の基板電圧により第1の電位障壁を設定することにより過剰電荷を除去するブルーミング抑制機構の縦型OFD構造を有する光電変換部と、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、前記光電変換部から信号電荷を読み出し、出力する動作を複数回繰り返して全光電変換部の信号電荷を出力する出力手段とを有し、前記出力手段は前記光遮蔽手段により入射光が閉ざし、第2の基板電圧により前記第1の電位障壁より高く、前記光電変換部に隣接した信号読み出し領域に信号読み出し期間外に形成される第3の電位より低い第2の電位障壁に設定した後、信号電荷の読み出しを開始することを特徴とする固体撮像装置。
- 入射光量に対して所望の時間、信号電荷を蓄積し、第1の電位障壁を設定することにより過剰電荷を除去するブルーミング抑制機構を有する複数個の光電変換部を有し、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、光電変換部から信号電荷を読み出し、出力する動作を複数回繰り返して全光電変換部の信号電荷を出力する固体撮像装置の駆動方法において、前記光遮蔽手段により入射光が閉ざし、前記第1の電位障壁より高く、前記光電変換部に隣接した信号読み出し領域に信号読み出し期間外に形成される第3の電位より低い第2の電位障壁に設定した後、信号電荷の読み出しを開始することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
- 入射光量に対して所望の時間、信号電荷を蓄積し、第1の基板電圧により第1の電位障壁を設定することにより過剰電荷を除去するブルーミング抑制機構の縦型OFD構造の光電変換部を有し、光遮蔽手段により入射光が閉ざされた後、複数の光電変換部の所望の領域に分割して信号電荷を読み出し、出力する動作を複数回繰り返して全光電変換部の信号電荷を出力する固体撮像装置の駆動方法において、前記光遮蔽手段により入射光が閉ざし、第2の基板電圧により前記第1の電位障壁より高く、前記光電変換部に隣接した信号読み出し領域に信号読み出し期間外に形成される第3の電位より低い第2の電位障壁に設定した後、信号電荷の読み出しを開始することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
- 前記第2の電位障壁と前記第1の電位障壁の電位差が0.4V以上あり、かつ前記第3の電位と前記第2の電位障壁の電位差が0.4V以上あることを特徴とする請求項1または2記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14521399A JP3589901B2 (ja) | 1998-06-03 | 1999-05-25 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-154130 | 1998-06-03 | ||
JP15413098 | 1998-06-03 | ||
JP14521399A JP3589901B2 (ja) | 1998-06-03 | 1999-05-25 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000059695A JP2000059695A (ja) | 2000-02-25 |
JP3589901B2 true JP3589901B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=26476400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14521399A Expired - Fee Related JP3589901B2 (ja) | 1998-06-03 | 1999-05-25 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3589901B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4590659B2 (ja) * | 1999-08-17 | 2010-12-01 | 株式会社ニコン | 撮像装置およびこの撮像装置を備えた電子カメラ |
JP2006086845A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Sony Corp | カメラシステム、および固体撮像素子の駆動方法 |
JP5359315B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2013-12-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2016143850A (ja) | 2015-02-05 | 2016-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP14521399A patent/JP3589901B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000059695A (ja) | 2000-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3219036B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
CN101916765A (zh) | 固态成像装置、其制造方法、其驱动方法和电子设备 | |
JP2004253729A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US6243135B1 (en) | Solid state imaging device having overflow drain region | |
US7196312B2 (en) | Non-volatile solid state image pickup device and its drive | |
JP3833027B2 (ja) | 固体撮像装置及び画像入力装置 | |
JPS62269357A (ja) | 固体撮像装置 | |
US6215521B1 (en) | Solid state image sensor having an unnecessary electric charge exhausting section formed adjacent to a horizontal electric charge transfer section, and a method for manufacturing the same | |
JP3317248B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS622512B2 (ja) | ||
US6278487B1 (en) | Solid-state image sensing device | |
JP3589901B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
US5442208A (en) | Charge-coupled device having charge reset | |
JP4672976B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR100326291B1 (ko) | 고체촬상장치의 구동방법 | |
JP3033524B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2856182B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4533821B2 (ja) | Mos型固体撮像装置 | |
JPH0425714B2 (ja) | ||
Yamada et al. | A 1/2-in 1.3 M-pixel progressive-scan IT-CCD for digital still camera applications | |
JP2003324191A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
JP2594923B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2004140258A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JPH06310700A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2903008B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040818 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070827 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100827 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |