JP3578188B2 - Surface plasmon sensor - Google Patents
Surface plasmon sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP3578188B2 JP3578188B2 JP23386496A JP23386496A JP3578188B2 JP 3578188 B2 JP3578188 B2 JP 3578188B2 JP 23386496 A JP23386496 A JP 23386496A JP 23386496 A JP23386496 A JP 23386496A JP 3578188 B2 JP3578188 B2 JP 3578188B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- prism
- light beam
- light
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
- G01N21/553—Attenuated total reflection and using surface plasmons
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面プラズモンの発生を利用して試料中の物質を定量分析する表面プラズモンセンサーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
金属中においては、自由電子が集団的に振動して、プラズマ波と呼ばれる粗密波が生じる。そして、金属表面に生じるこの粗密波を量子化したものは、表面プラズモンと呼ばれている。
【0003】
従来より、この表面プラズモンが光波によって励起される現象を利用して、試料中の物質を定量分析する表面プラズモンセンサーが種々提案されている。そして、それらの中で特に良く知られているものとして、 Kretschmann配置と称される系を用いるものが挙げられる(例えば特開平6−167443号参照)。
【0004】
上記の系を用いる表面プラズモンセンサーは基本的に、プリズムと、このプリズムの一面に形成されて試料に接触させられる金属膜と、光ビームを発生させる光源と、上記光ビームをプリズムに通し、該プリズムと金属膜との界面に対して種々の入射角が得られるように入射させる光学系と、上記の界面で全反射した光ビームの強度を種々の入射角毎に検出可能な光検出手段とを備えてなるものである。
【0005】
なお上述のように種々の入射角を得るためには、比較的細い光ビームを偏向させて上記界面に入射させてもよいし、あるいは光ビームに種々の角度で入射する成分が含まれるように、比較的太い光ビームを上記界面で集束するように入射させてもよい。前者の場合は、光ビームの偏向にともなって出射角が変化する光ビームを、光ビームの偏向に同期移動する小さな光検出器によって検出したり、出射角の変化方向に沿って延びるエリアセンサーによって検出することができる。一方後者の場合は、種々の出射角で出射した各光ビームを全て受光できる方向に延びるエリアセンサーによって検出することができる。
【0006】
上記構成の表面プラズモンセンサーにおいて、P偏光(センサー面に垂直な偏光成分)の光ビームを金属膜に対して全反射角以上の特定入射角θSPで入射させると、該金属膜に接している試料中に電界分布をもつエバネッセント波が生じ、このエバネッセント波によって金属膜と試料との界面に表面プラズモンが励起される。エバネッセント光の波数ベクトルが表面プラズモンの波数と等しくて波数整合が成立すると、両者は共鳴状態となり、光のエネルギーが表面プラズモンに移行するので、プリズムと金属膜との界面で全反射する光の強度が鋭く低下する。
【0007】
この現象が生じる入射角θSPより表面プラズモンの波数が分かると、試料の誘電率が求められる。すなわち表面プラズモンの波数をKSP、表面プラズモンの角周波数をω、cを真空中の光速、εm とεs をそれぞれ金属、試料の誘電率とすると、以下の関係がある。
【0008】
【数1】
【0009】
試料の誘電率εs が分かれば、所定の較正曲線等に基づいて試料中の特定物質の濃度が分かるので、結局、上記反射光強度が低下する入射角θSPを知ることにより、試料中の特定物質を定量分析することができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、以上説明した従来の表面プラズモンセンサーにおいては、試料液に微量含まれる物質を分析する際に、分析対象物質の検出感度が低く、またその分析に長い時間を要するという問題が認められる。
【0011】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、試料液中の物質を短時間で、高感度で分析可能な表面プラズモンセンサーを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明による第1の表面プラズモンセンサーは、請求項1に記載の通り、前述したようなプリズムと、金属膜と、光ビームを発生させる光源と、光学系と、光検出手段とを備えてなる表面プラズモンセンサーにおいて、上記金属膜との間に試料液を挟んで該金属膜に対面するように配置された電極と、この電極と上記金属膜との間に直流電圧を印加する手段と、一面に、金属膜からなる前記電極が形成された第2のプリズムと、第2の光ビームを発生させる第2の光源と、前記第2の光ビームを前記第2のプリズムに通し、該プリズムと前記電極との界面に対して、種々の入射角が得られるように入射させる第2の光学系と、前記界面で全反射した第2の光ビームの強度を、前記種々の入射角毎に検出可能な第2の光検出手段とが設けられたことを特徴とするものである。
【0015】
さらに本発明による第2の表面プラズモンセンサーは、請求項2に記載の通り、上記第1の表面プラズモンセンサーにおいて金属膜が直接試料液に接触するように構成したことに換えて、試料液中の分析対象物質と抗原・抗体反応する抗原または抗体が固定されてなるセンサー膜を金属膜の上に形成して、このセンサー膜が試料液に接触するように構成したことを特徴とするものである。
【0016】
【発明の効果】
本発明による第1の表面プラズモンセンサーは、間に試料液を挟んだ金属膜と電極との間に直流電圧が印加される構成となっているので、試料液中で電荷を持っている分析対象物質を金属膜に電着させることができる。なお電圧印加の極性は、分析対象物質が陽イオンであるか陰イオンであるか等に応じて選択しておけばよい。
【0017】
この電着により、試料液の金属膜に接する部分では分析対象物質の濃度が高くなるので、全反射解消角が短時間で大きく変化し、そこで、分析対象物質を高感度で短時間内に分析可能となる。特に抗原・抗体反応を利用して試料液中の物質を検出する場合、つまり例えば金属膜上に抗原(あるいは抗体)を固定し、それに特異的に吸着する試料液中の抗体(あるいは抗原)を検出するような場合は、分析対象物質の濃度が高くなることによりこの反応も促進されるので、上記の効果がより顕著に得られるようになる。
【0018】
さらにこの本発明による第1の表面プラズモンセンサーは、電圧印加用に設ける電極を金属膜から構成した上で、この電極に対してもプリズム、光源、光学系および光検出手段を設けて、該電極側でも試料分析を行なえるようにしたので、試料液中で正の電荷を持つ物質と、負の電荷を持つ物質の双方を同時に分析可能となる。
【0020】
他方、本発明による第2の表面プラズモンセンサーにおいては、試料液中の分析対象物質と抗原・抗体反応する抗原または抗体が固定されてなるセンサー膜を金属膜の上に形成したことにより、試料液中の分析対象物質がこのセンサー膜に引き寄せられるようになる。そこで、このセンサー膜と金属膜とで構成されるセンサー部周辺の分析対象物質の濃度が高くなり、センサーシステムの感度が向上し、抗原・抗体反応の反応速度も高くなる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。まず、本発明を説明するための参考例について説明する。図1は、本発明に対する第1の参考例である表面プラズモンセンサーの側面形状を示すものである。図示されるようにこの表面プラズモンセンサーは、断面三角形のプリズム10と、このプリズム10の一面(図中の上面)に形成されて、試料液11に接触させられる例えば金、銀等からなる金属膜12と、1本の光ビーム13を発生させる半導体レーザー等からなる光源14と、この光源14から発散光状態で出射した光ビーム13をプリズム10の長軸に垂直な面(紙面に平行な面)内のみで集束させるシリンドリカルレンズ15と、プリズム10と金属膜12との界面10aで全反射した光ビーム13の強度を検出する光検出手段16とを備えている。
【0022】
また、上記金属膜12と適当な間隔を置いて対面するように電極17が配設されている。この電極17は、図中上下方向に中心軸が延びる筒状の保持部材18に保持されており、金属膜12と電極17との間の空間は、周囲をこの保持部材18によって閉じられる状態となる。そして金属膜12と電極17にはそれぞれ、直流電源19の正極、負極が接続されている。
【0023】
光ビーム13は、シリンドリカルレンズ15の作用により上述のように集束するので、図中に最小入射角θ1 と最大入射角θ2 とを例示するように、界面10aに対して種々の入射角θで入射する成分を含むことになる。なおこの入射角θは、全反射角以上の角度とされる。そこで、光ビーム13は界面10aで全反射し、この反射した光ビーム13には、種々の反射角で反射する成分が含まれることになる。
【0024】
光検出手段16としては、上記のように種々の反射角で反射した全部の光ビーム13を受光できる方向に受光部が延びる、例えばCCDラインセンサ等が用いられている。そこで、この光検出手段16の各受光素子毎に出力される光検出信号Sは、上記種々の反射角毎に(つまり、種々の入射角毎に)光ビーム13の強度を示すものとなる。
【0025】
以下、上記構成の表面プラズモンセンサーによる試料分析について説明する。金属膜12と電極17との間の空間には、陰イオン化した分析対象物質30を含む試料液11が満たされる。また直流電源19により、金属膜12と電極17との間に直流電圧が印加される。そして、シリンドリカルレンズ15の作用で上述のように集束する光ビーム13が、金属膜12に向けて照射される。この金属膜12とプリズム10との界面10aで全反射した光ビーム13は、光検出手段16によって検出される。
【0026】
前述した通り、光検出手段16の各受光素子毎に出力される光検出信号Sは、全反射した光ビーム13の強度Iを入射角θ毎に示すものとなる。そしてこの反射光強度Iと入射角θとの関係は、概ね図2に示すようなものとなる。
【0027】
ここで、ある特定の入射角θSPで入射した光は、金属膜12と試料液11との界面に表面プラズモンを励起させるので、この光については反射光強度Iが鋭く低下する。光検出手段16の各受光素子毎に出力される光検出信号Sを用いれば上記入射角θSPが分かり、このθSPの値に基づいて試料液11中の物質30を定量分析することができる。その理由は、先に詳しく説明した通りである。
【0028】
また、上述のように直流電源19に接続された金属膜12と電極17との間に直流電圧が印加されるので、試料液11中で陰イオン化している分析対象物質30は金属膜12に電着する。そこで、試料液11の金属膜12に接する部分では分析対象物質30の濃度が高くなり、該分析対象物質30を高感度で短時間内に分析可能となる。このように陰イオン化する分析対象物質30としては、例えばPBSに分散している抗原(α−FP)等が挙げられる。
【0029】
なお、前述した抗原・抗体反応を利用して試料液11中の物質30を検出する際等は、反射光強度Iと入射角θとの関係を、抗原・抗体反応が進む中で時間を追ってリアルタイムで観測したい場合がある。本装置によれば、上述の通り分析対象物質30を短時間内に検出可能であるから、このようなリアルタイムの観測も短時間内に済ますことができる。
【0030】
この参考例においては、種々の入射角θを得るために、比較的太い光ビーム13を界面10aで集束するように入射させているが、比較的細い光ビームを偏向させることによって種々の入射角θを得るようにしてもよい。
【0031】
次に図3を参照して、本発明の一実施形態について説明する。なおこの図3において、図1中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重複した説明は省略する(以下、同様)。
【0032】
この図3の表面プラズモンセンサーは図1のものと比べると、基本的に、第2のプリズム20、光ビーム23を発生させる第2の光源24、第2のシリンドリカルレンズ25および第2の光検出手段26が付加された点が異なるものである。またこの場合、電極17としては、特に金、銀等の金属の膜が用いられている。
【0033】
上述の付加された要素は、金属膜からなる電極17を前記金属膜12と同様に利用して、もう1つ別の表面プラズモンセンサーを構成する。つまり、これら第2のプリズム20、第2の光源24、第2のシリンドリカルレンズ25および第2の光検出手段26は、それぞれプリズム10、光源14、シリンドリカルレンズ15および光検出手段16と同様の作用を果たす。
【0034】
この図3の表面プラズモンセンサーにおいて、試料液11中で陰イオン化している物質30の分析は前述と同様にしてなされる。本装置ではそれに加えて、試料液11中で陽イオン化している分析対象物質31が電極17に電着する。そこで、上記第2のプリズム20、第2の光源24、第2のシリンドリカルレンズ25および第2の光検出手段26により、上記物質31の分析が同様になされ得る。
【0035】
そしてこの場合、試料液11の電極17に接する部分では分析対象物質31の濃度が高くなり、該分析対象物質31を高感度で短時間内に分析可能となる。
【0036】
次に図4を参照して、本発明に対する第2の参考例について説明する。この図4の表面プラズモンセンサーは図1のものと比べると、基本的に、金属膜12の上にセンサー膜40が形成され、試料液11が直接的にはこのセンサー膜40に接触するように構成されている点が異なる。センサー膜40には、試料液11中の分析対象物質30と抗原・抗体反応する抗原または抗体が固定されている。この抗原または抗体の例としては、分析対象物質30が前述した抗原(α−FP)である場合のIgG等が挙げられる。
【0037】
以上の構成においては、試料液11中の分析対象物質30が前述した電着効果により金属膜12側に引き寄せられ、さらに抗原・抗体反応によりセンサー膜40に引き寄せられるようになる。そこで、このセンサー膜40と金属膜12とで構成されるセンサー部周辺の分析対象物質30の濃度が著しく高くなり、センサーシステムの感度が向上し、抗原・抗体反応の反応速度も高くなる。
【0038】
次に図5を参照して、本発明に対する第3の参考例について説明する。この図5の表面プラズモンセンサーは図1のものと比べると、基本的に、金属膜12と電極17とが相対面する状態ではなく、ともにプリズム10の一面上に互いに離して形成されている点が異なる。なお図6には、これら金属膜12と電極17との平面形状を示してある。
【0039】
以上の構成においても、直流電源19により金属膜12と電極17との間に直流電圧を印加すると、試料液11中で陰イオン化している分析対象物質30が電着効果により、金属膜12に引き寄せられる。そこで、試料液11の金属膜12に近接する部分では分析対象物質30の濃度が高くなり、該分析対象物質30を高感度で短時間内に分析可能となる。
【0040】
なおこの第3の参考例においては、金属膜12の上に、図4の第2の参考例で用いられたものと同様のセンサー膜40が形成されている。そこでこの場合も、センサー膜40と金属膜12とで構成されるセンサー部周辺の分析対象物質30の濃度が著しく高くなり、センサーシステムの感度が向上し、抗原・抗体反応の反応速度も高くなる。
【0041】
上述したように金属膜12と電極17とを、プリズム10の一面上に互いに離して形成する場合、それらの平面形状は図6に示した形状に限定されるものではなく、例えば図7、図8に示すような形状を適宜採用することができる。
【0042】
なお図8の形状を採用すると、いわゆるマルチ・チャンネル化が可能である。すなわちその場合は、金属膜12の3つの櫛歯状部分にそれぞれ試料液11中の分析対象物質30を引き寄せることができるから、センサー部を3箇所として、それらにおいて相並行して分析可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に対する第1の参考例である表面プラズモンセンサーの側面図
【図2】表面プラズモンセンサーにおける、プリズムへの光ビーム入射角と全反射光強度との概略関係を示すグラフ
【図3】本発明の一実施形態である表面プラズモンセンサーの側面図
【図4】本発明に対する第2の参考例である表面プラズモンセンサーの側面図
【図5】本発明に対する第3の参考例である表面プラズモンセンサーの側面図
【図6】図5の表面プラズモンセンサーにおける金属膜と電圧印加用電極の位置関係を示す平面図
【図7】本発明の参考例としての表面プラズモンセンサーにおける金属膜と電圧印加用電極の別の位置関係を示す平面図
【図8】本発明の参考例としての表面プラズモンセンサーにおける金属膜と電圧印加用電極のさらに別の位置関係を示す平面図
【符号の説明】
10 プリズム
10a プリズムと金属膜との界面
11 試料液
12 金属膜
13 光ビーム
14 光源
15 シリンドリカルレンズ
16 光検出手段
17 電極
18 保持部材
19 直流電源
20 第2のプリズム
23 第2の光ビーム
24 第2の光源
25 第2のシリンドリカルレンズ
26 第2の光検出手段
30、31 分析対象物質
40 センサー膜[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface plasmon sensor for quantitatively analyzing a substance in a sample by utilizing the generation of surface plasmons.
[0002]
[Prior art]
In a metal, free electrons vibrate collectively, and a compression wave called a plasma wave is generated. The quantized compression wave generated on the metal surface is called surface plasmon.
[0003]
Conventionally, various surface plasmon sensors for quantitatively analyzing a substance in a sample using a phenomenon in which surface plasmons are excited by light waves have been proposed. Among them, a particularly well-known one uses a system called a Kretschmann arrangement (see, for example, JP-A-6-167443).
[0004]
A surface plasmon sensor using the above system basically includes a prism, a metal film formed on one surface of the prism and brought into contact with a sample, a light source for generating a light beam, and passing the light beam through the prism. An optical system for causing various angles of incidence to be obtained with respect to the interface between the prism and the metal film, and a light detecting means capable of detecting the intensity of the light beam totally reflected at the interface at each of various angles of incidence. It is provided with.
[0005]
In order to obtain various angles of incidence as described above, a relatively narrow light beam may be deflected and incident on the interface, or a component may be included in the light beam at various angles. Alternatively, a relatively thick light beam may be incident so as to be focused at the interface. In the former case, a light beam whose emission angle changes with the deflection of the light beam is detected by a small photodetector that moves synchronously with the deflection of the light beam, or by an area sensor extending along the change direction of the emission angle. Can be detected. On the other hand, the latter case can be detected by an area sensor extending in a direction in which all light beams emitted at various emission angles can be received.
[0006]
In the surface plasmon sensor having the above configuration, when a P-polarized light beam (a polarization component perpendicular to the sensor surface) is incident on the metal film at a specific incident angle θ SP equal to or larger than the total reflection angle, the light comes into contact with the metal film. An evanescent wave having an electric field distribution is generated in the sample, and the evanescent wave excites a surface plasmon at an interface between the metal film and the sample. When the wave number vector of the evanescent light is equal to the wave number of the surface plasmon and the wave number matching is established, both are in a resonance state, and the light energy is transferred to the surface plasmon, so the intensity of the light totally reflected at the interface between the prism and the metal film Drops sharply.
[0007]
If the wave number of the surface plasmon is known from the incident angle θ SP at which this phenomenon occurs, the dielectric constant of the sample can be obtained. That is, the wave number of the surface plasmon K SP, the angular frequency of the surface plasmon omega, the speed of light in vacuum c, metal epsilon m and epsilon s respectively, when the dielectric constant of the sample, the following relationship.
[0008]
(Equation 1)
[0009]
Knowing the dielectric constant epsilon s of the sample, since it is found the concentration of a specific substance in the sample based on a predetermined calibration curve or the like, after all, by knowing the incident angle theta SP that the reflected light intensity decreases, in the sample Specific substances can be quantitatively analyzed.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the conventional surface plasmon sensor described above, when analyzing a substance contained in a trace amount in a sample solution, there is a problem that the detection sensitivity of the substance to be analyzed is low and the analysis takes a long time.
[0011]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a surface plasmon sensor capable of analyzing a substance in a sample solution in a short time with high sensitivity.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
A first surface plasmon sensor according to the present invention includes the above-described prism, a metal film, a light source for generating a light beam, an optical system, and light detection means. in the surface plasmon sensor, and means for applying an electrode disposed so as to face with the metal film across the sample solution between the metal film, a DC voltage between the electrode and the metal film, one surface A second prism on which the electrode made of a metal film is formed, a second light source for generating a second light beam, and passing the second light beam through the second prism. A second optical system for entering the interface with the electrode so as to obtain various incident angles, and an intensity of the second light beam totally reflected at the interface is detected for each of the various incident angles. a second light detection means is provided which can be And it is characterized in and.
[0015]
Further, the second surface plasmon sensor according to the present invention, as described in
[0016]
【The invention's effect】
Since the first surface plasmon sensor according to the present invention has a configuration in which a DC voltage is applied between the metal film and the electrode with the sample liquid interposed therebetween, the analysis target having a charge in the sample liquid A substance can be electrodeposited on the metal film. The polarity of the voltage application may be selected according to whether the substance to be analyzed is a cation or an anion.
[0017]
Due to this electrodeposition, the concentration of the analyte in the portion of the sample solution that comes into contact with the metal film increases, so that the angle for eliminating total reflection changes greatly in a short time. It becomes possible. In particular, when detecting a substance in a sample solution using an antigen-antibody reaction, that is, for example, immobilizing an antigen (or an antibody) on a metal film and then adsorbing the antibody (or an antigen) in the sample solution specifically adsorbing thereto. In the case of detection, this reaction is promoted by increasing the concentration of the substance to be analyzed, so that the above-mentioned effects can be obtained more remarkably.
[0018]
Further, in the first surface plasmon sensor according to the present invention, an electrode provided for applying a voltage is formed of a metal film, and a prism, a light source, an optical system, and a light detecting means are provided for this electrode. Since the sample analysis can be performed on the side, both a substance having a positive charge and a substance having a negative charge in the sample liquid can be simultaneously analyzed.
[0020]
On the other hand, in the second surface plasmon sensor according to the present invention, by forming a sensor film on which an antigen or an antibody that reacts with an analyte in a sample solution with an antigen / antibody is fixed on a metal film, Analyte inside is attracted to the sensor membrane. Therefore, the concentration of the substance to be analyzed around the sensor section composed of the sensor film and the metal film increases, the sensitivity of the sensor system improves, and the reaction speed of the antigen / antibody reaction also increases.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, a reference example for explaining the present invention will be described. FIG. 1 shows a side view of a surface plasmon sensor according to a first embodiment of the present invention. As shown, the surface plasmon sensor includes a
[0022]
Further, an
[0023]
[0024]
As the
[0025]
Hereinafter, the sample analysis by the surface plasmon sensor having the above configuration will be described. The space between the
[0026]
As described above, the light detection signal S output for each light receiving element of the light detection means 16 indicates the intensity I of the totally reflected
[0027]
Here, the light incident at a specific incident angle θ SP excites surface plasmons at the interface between the
[0028]
Further, since a DC voltage is applied between the
[0029]
When detecting the
[0030]
In this reference example , in order to obtain various angles of incidence θ, a relatively thick
[0031]
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that, in FIG. 3, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted (the same applies hereinafter).
[0032]
The surface plasmon sensor of FIG. 3 is basically different from that of FIG. 1 in that a
[0033]
The additional element described above uses another
[0034]
In the surface plasmon sensor of FIG. 3, the analysis of the
[0035]
In this case, the concentration of the
[0036]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The surface plasmon sensor of FIG. 4 is basically different from that of FIG. 1 in that a
[0037]
In the above configuration, the
[0038]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The surface plasmon sensor of FIG. 5 is basically different from that of FIG. 1 in that the
[0039]
Also in the above configuration, when a DC voltage is applied between the
[0040]
In the third embodiment , a
[0041]
When the
[0042]
When the shape of FIG. 8 is adopted, so-called multi-channeling is possible. That is, in this case, the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side view of a surface plasmon sensor which is a first reference example of the present invention. FIG. 2 is a graph showing a schematic relationship between a light beam incident angle on a prism and a total reflection light intensity in the surface plasmon sensor. 3 is a side view of a surface plasmon sensor according to one embodiment of the present invention. FIG. 4 is a side view of a surface plasmon sensor as a second reference example of the present invention. FIG. 5 is a third reference example of the present invention. FIG. 6 is a side view of a surface plasmon sensor. FIG. 6 is a plan view showing a positional relationship between a metal film and a voltage application electrode in the surface plasmon sensor of FIG. 5. FIG. 7 is a metal film and a voltage in a surface plasmon sensor as a reference example of the present invention. yet another alternative plan view showing the positional relationship of FIG. 8 metal film and the voltage application electrode in the surface plasmon sensor as a reference example of the present invention the application electrode Plan view illustrating the location relationship EXPLANATION OF REFERENCE NUMERALS
Claims (2)
このプリズムの一面に形成されて、試料に接触させられる金属膜と、
光ビームを発生させる光源と、
前記光ビームを前記プリズムに通し、該プリズムと金属膜との界面に対して、種々の入射角が得られるように入射させる光学系と、
前記界面で全反射した光ビームの強度を、前記種々の入射角毎に検出可能な光検出手段とを備えてなる表面プラズモンセンサーにおいて、
前記金属膜との間に試料液を挟んで該金属膜に対面するように配置された電極と、
この電極と前記金属膜との間に直流電圧を印加する手段と、
一面に、金属膜からなる前記電極が形成された第2のプリズムと、
第2の光ビームを発生させる第2の光源と、
前記第2の光ビームを前記第2のプリズムに通し、該プリズムと前記電極との界面に対して、種々の入射角が得られるように入射させる第2の光学系と、
前記界面で全反射した第2の光ビームの強度を、前記種々の入射角毎に検出可能な第2の光検出手段とが設けられたことを特徴とする表面プラズモンセンサー。Prism and
A metal film formed on one surface of the prism and brought into contact with the sample,
A light source for generating a light beam;
An optical system that passes the light beam through the prism and causes the light beam to enter the interface between the prism and the metal film so as to obtain various incident angles.
In a surface plasmon sensor comprising light detection means capable of detecting the intensity of the light beam totally reflected at the interface at each of the various incident angles,
An electrode disposed so as to face the metal film with the sample liquid interposed between the metal film,
Means for applying a DC voltage between the electrode and the metal film ,
A second prism on one surface on which the electrode made of a metal film is formed;
A second light source for generating a second light beam;
A second optical system that passes the second light beam through the second prism and causes the light beam to enter the interface between the prism and the electrode so as to obtain various incident angles;
A surface plasmon sensor comprising: a second light detection unit that can detect the intensity of the second light beam totally reflected at the interface at each of the various incident angles .
このプリズムの一面に形成された金属膜と、
試料液中の分析対象物質と抗原・抗体反応する抗原または抗体が固定されてなり、前記金属膜の上に形成されて前記試料液に接触させられるセンサー膜と、
光ビームを発生させる光源と、
前記光ビームを前記プリズムに通し、該プリズムと金属膜との界面に対して、種々の入射角が得られるように入射させる光学系と、
前記界面で全反射した光ビームの強度を、前記種々の入射角毎に検出可能な光検出手段と、
前記金属膜との間に試料液を挟んで該金属膜に対面するように配置された電極と、
この電極と前記金属膜との間に直流電圧を印加する手段と、
一面に、金属膜からなる前記電極が形成された第2のプリズムと、
第2の光ビームを発生させる第2の光源と、
前記第2の光ビームを前記第2のプリズムに通し、該プリズムと前記電極との界面に対して、種々の入射角が得られるように入射させる第2の光学系と、
前記界面で全反射した第2の光ビームの強度を、前記種々の入射角毎に検出可能な第2の光検出手段とを備えてなる表面プラズモンセンサー。 Prism and
A metal film formed on one surface of the prism;
An antigen or an antibody that reacts with an analyte / antibody in the sample solution is fixed, and a sensor film formed on the metal film and brought into contact with the sample solution,
A light source for generating a light beam;
An optical system that passes the light beam through the prism and causes the light beam to enter the interface between the prism and the metal film so as to obtain various incident angles.
Light detection means capable of detecting the intensity of the light beam totally reflected at the interface at each of the various incident angles,
An electrode disposed so as to face the metal film with a sample liquid interposed between the metal film,
Means for applying a DC voltage between the electrode and the metal film,
A second prism on one surface on which the electrode made of a metal film is formed;
A second light source for generating a second light beam;
A second optical system that passes the second light beam through the second prism and impinges on the interface between the prism and the electrode so that various angles of incidence are obtained;
A surface plasmon sensor comprising: a second light detection unit capable of detecting the intensity of the second light beam totally reflected at the interface at each of the various incident angles .
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23386496A JP3578188B2 (en) | 1996-04-30 | 1996-09-04 | Surface plasmon sensor |
EP06001542A EP1650549A3 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
EP97107066A EP0805347A3 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
EP06001540A EP1650547B1 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
EP06001541A EP1650548A3 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
EP06001543A EP1650550B1 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
US08/841,620 US5907408A (en) | 1996-04-30 | 1997-04-30 | Surface plasmon sensor |
US09/069,119 US5917608A (en) | 1996-04-30 | 1998-04-29 | Surface plasmon sensor |
US09/069,118 US5856873A (en) | 1996-04-30 | 1998-04-29 | Ellipso sensor using a prism |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10939896 | 1996-04-30 | ||
JP8-109398 | 1996-04-30 | ||
JP23386496A JP3578188B2 (en) | 1996-04-30 | 1996-09-04 | Surface plasmon sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1019769A JPH1019769A (en) | 1998-01-23 |
JP3578188B2 true JP3578188B2 (en) | 2004-10-20 |
Family
ID=26449152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23386496A Expired - Fee Related JP3578188B2 (en) | 1996-04-30 | 1996-09-04 | Surface plasmon sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3578188B2 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10307104A (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Shimadzu Corp | Spr sensor |
DE10023363C1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-12-20 | Jandratek Gmbh | Plasmon resonance sensor |
JP2003254905A (en) * | 2001-03-22 | 2003-09-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Measuring instrument |
JP3918622B2 (en) * | 2002-04-23 | 2007-05-23 | アイシン精機株式会社 | Micro substance guidance device |
JP4109022B2 (en) * | 2002-06-13 | 2008-06-25 | 富士フイルム株式会社 | Measuring device and method of using the measuring device |
JP3999717B2 (en) * | 2003-09-02 | 2007-10-31 | 日本電信電話株式会社 | Optical waveguide sensor |
JP2007085770A (en) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | Biosensor equipped with movable conductor |
CN102884415B (en) * | 2010-05-12 | 2015-10-07 | 松下知识产权经营株式会社 | Phasmon sensor and using method thereof and manufacture method |
JP6372186B2 (en) * | 2014-06-19 | 2018-08-15 | コニカミノルタ株式会社 | Detection device, detection method, detection chip and kit |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8700851A (en) * | 1987-04-10 | 1988-11-01 | Tno | METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING VERY LOW CONCENTRATIONS OF A MEASURING MEDIA CHEMICAL COMPONENT USING SURFACE-PLASMON RESONANCE AND ELECTROCHEMICALLY STIMULATED ADSORPTION |
GB8909702D0 (en) * | 1989-04-27 | 1989-06-14 | Amersham Int Plc | Improvements relating to biosensors |
JPH06167443A (en) * | 1992-10-23 | 1994-06-14 | Olympus Optical Co Ltd | Measuring apparatus utilizing surface plasmon resonance |
JPH09257702A (en) * | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Toto Ltd | Surface plasmon resonance sensor device |
-
1996
- 1996-09-04 JP JP23386496A patent/JP3578188B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1019769A (en) | 1998-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5917608A (en) | Surface plasmon sensor | |
US6417925B1 (en) | Surface plasmon sensor for analyzing liquid sample or humid atmosphere | |
JP3562912B2 (en) | Surface plasmon sensor | |
US5926284A (en) | Surface plasmon sensor | |
US6862398B2 (en) | System for directed molecular interaction in surface plasmon resonance analysis | |
JPH052181B2 (en) | ||
JP4463610B2 (en) | Surface plasmon resonance sensor device | |
JP3578188B2 (en) | Surface plasmon sensor | |
JP3399804B2 (en) | Surface plasmon sensor | |
JPH10239233A (en) | Surface plasmon sensor | |
JPH09292334A (en) | Surface plasmon sensor | |
JP2000019104A (en) | Surface plasmon sensor | |
JP2015021889A (en) | Surface plasmon enhanced fluorescence measuring method and surface plasmon enhanced fluorescence measuring apparatus | |
EP0395222A2 (en) | Improvements relating to biosensors | |
JP3999292B2 (en) | Surface plasmon sensor | |
JP3693750B2 (en) | Electrophoresis sensor | |
JPH09292333A (en) | Surface plasmon sensor | |
JP4043538B2 (en) | Surface plasmon sensor | |
JP3460923B2 (en) | Surface plasmon sensor | |
JP4462902B2 (en) | Novel electrophoretic analysis method and electrophoretic analyzer for performing the same | |
CN111208066B (en) | Biological detection device and method | |
JPH1137934A (en) | Surface plasmon sensor and dark-line locator | |
JPH09292335A (en) | Surface plasmon sensor | |
JP4030796B2 (en) | Measuring chip | |
JP2008249360A (en) | Surface plasmon sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040302 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040506 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040706 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |