JP3552785B2 - フォトインタラプタ装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は光によって物体の有無や位置を検出するフォトインタラプタ装置に関する。より詳しくは、光学式エンコーダに適したフォトインタラプタ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図5を参照して、ロータリエンコーダに組み込まれた従来のフォトインタラプタ装置の一例を簡潔に説明する。入力軸となる回転シャフト101には可動スリット板102が取り付けられている。スリット板102は円板形状を有し、その周方向に沿って一定のピッチでスリット103が形成されている。可動スリット板102に近接して固定スリット板104が配置している。この固定スリット板104にも一定のピッチで配列したスリット105が形成されている。可動スリット板102の一面側には発光素子106が配置しており、固定スリット板104及び可動スリット板102に対して光束を放射する。可動スリット板102の他面側には受光素子107が配置しており、固定スリット板104及び可動スリット板102により強度変調された光束を受光して、対応する光電流を出力する。受光素子107には比較器108が接続されており、光電流を閾処理して、矩形波形を有する出力パルスを生成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図5に示した発光素子106、受光素子107、比較器108は所定の電源電圧の供給を受けて動作する。しかしながら、電源電圧は変動する事が避けられず、この為発光素子106の発光量、受光素子107から出力される光電流量等が変動し、比較器108から得られる出力パルスのデューティ比が変化するという問題がある。出力パルスのデューティ比の変動を除去する為、例えば図6に示したフォトインタラプタ装置の構成が知られている。図示する様に、可動スリット201及び固定スリット202の一面側にはLED等からなる発光素子203が配置している。所定の駆動電流IF の供給を受け、光束を可動スリット201及び固定スリット202に向けて放射する。可動スリット201及び固定スリット202の他面側にはフォトトランジスタ等からなる一対の受光素子204及び205が配置している。一方の受光素子204から出力された光電流は負荷抵抗206により電圧に変換され、比較器(CMP)207の正入力端子に供給される。他方の受光素子205から出力された光電流も同様に負荷抵抗208を介して電圧に変換され、比較器207の負入力端子に供給される。ここで、両検出電圧は互いに比較処理され、矩形波形の出力パルスが得られる。一対の受光素子204,205を組み合わせたプッシュプル方式を採用し、比較器207を用いて差動検出を行なう事により、電源電圧Vcc等の変動を相殺して、出力パルスのデューティ比の安定化を図っている。この他にも、エンコーダ内に電源レギュレータを内蔵して出力パルスのデューティ比の安定化を図っている。しかしながら、差動検出により電源電圧変動に対する出力パルスのデューティ比安定化を図る方法では、受光素子の個数が増加し回路構成が複雑となり小型化を阻むという欠点がある。同様に、電源レギュレータを内蔵した構成でも回路が複雑となり小型化を阻むという欠点がある。
【0004】
受光素子の個数を増やす事なく、電源電圧の変動に対する補償を行なう方式が、例えば特公昭63−49162号公報に開示されている。図7に示す様に、このフォトインタラプタ装置はLED等からなる発光素子301とフォトトランジスタ等からなる受光素子302とを備えている。発光素子301は制限抵抗RL を介して電源電圧Vccの供給を受ける。駆動電流IF が流れると電位差VF が生じ、所定の光束を放射する。受光素子302を構成するフォトトランジスタのコレクタ端子は負荷抵抗RP を介して電源電圧Vccの供給を受ける。フォトトランジスタのベースに照射された光束の受光量に応じて光電流IC が受光素子302に流れる。光電流IC は負荷抵抗RP により検出電圧vO に変換され、TTL,CMOS等からなるシュミットゲート回路(図示せず)に入力され、所望の出力パルスが得られる。ここで、制限抵抗RL と負荷抵抗RP の抵抗値の比を最適化する事により、電源電圧Vccの変動に対して十分安定な検出電圧vO を出力する様にしている。具体的には、受光素子302の入射光量が最大値と最小値の略中間値にある時、受光素子302から出力される光電流IC の値と発光素子301に流れる駆動電流IF の値との比(電流伝達比)に略等しくなる様に、負荷抵抗RP と制限抵抗RL の抵抗値の比を設定している。例えば、IF :IC =10:1になったとすると、RP :RL =10:1に定められる。しかしながら、図7に示した従来構造では、シュミットゲート回路のヒステリシス幅に対し、受光素子302から出力される検出電圧vO の振幅が十分大きくなければならないという制約を受ける。さらに、制限抵抗RL 及び負荷抵抗RP を固定した場合、これに合わせてフォトインタラプタの電流伝達係数を調整する為、発光素子301と受光素子302の間隔を変えたり、フィルタを介在させなければならない。これにより、フォトインタラプタ装置の小型化、最適化、簡素化が制限される場合があるという問題点が生じる。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述した従来の技術の課題を解決する為以下の手段を講じた。即ち、本発明にかかるフォトインタラプタ装置は基本的な構成として、一対のフォトインタラプタを有する。一方のフォトインララプタは、一方の発光素子と、一方の受光素子と、一方の比較器とを備えている。該一方の発光素子は制限抵抗を通じて流れる駆動電流に応じて動作し光束を放射する。該一方の受光素子は可動スリットを介して該光束を受光し、負荷抵抗を通じて受光量に応じた光電流を出力する。該一方の比較器は2個の入力端子と1個の出力端子を備えている。一方の入力端子は該駆動電流により該制限抵抗に生じた電圧降下に従うモニタ電圧を受け入れる。他方の入力端子は該光電流により該負荷抵抗に生じた電圧降下に従う検出電圧を受け入れる。該一方の比較器は該モニタ電圧を基準にして該検出電圧の比較処理を行ない、出力端子から可動スリットの変位を表わすパルスを出力する。同様に他方のフォトインタラプタは、該制限抵抗を通じて流れる駆動電流に応じて動作し光束を放射する他方の発光素子と、可動スリットを介して該光束を受光し負荷抵抗を通じて受光量に応じた光電流を出力する他方の受光素子と、該駆動電流により該制限抵抗に生じた電圧降下に従うモニタ電圧を受け入れる入力端子と、該光電流により該負荷抵抗に生じた電圧降下に従う検出電圧を受け入れる入力端子と、該モニタ電圧を基準にして該検出電圧の比較処理を行ない可動スリットの変位を表わし且つ該一方の比較器から出力されるパルスと所定の位相差を有するパルスを生成する出力端子とを備えた他方の比較器とからなる。ここで、該一方の発光素子と該他方の発光素子は該制限抵抗に直列接続されているとともに、該一方の比較器及び該他方の比較器は該制限抵抗に生じた電圧降下に従う共通のモニタ電圧を受け入れる入力端子を各々有する。前記制限抵抗は感温抵抗部を有しており、周囲温度に依存した該出力パルスの変動を抑制する様にモニタ電圧を調整する。
【0007】
【作用】
本発明によれば、比較器の一方の入力端子には発光素子側の制限抵抗に生じた電圧降下に従うモニタ電圧を供給し、他方の入力端子には受光素子側の負荷抵抗に生じた電圧降下に従う検出電圧を供給する。このモニタ電圧を基準にして検出電圧の比較処理を行ない矩形波形の出力パルスを得ている。かかる構成において、電源電圧が変動すると駆動電流及び光電流も同方向にレベルシフトする。従って、これらに相関するモニタ電圧及び検出電圧も同方向に変動する。比較器はこのモニタ電圧と検出電圧を差分処理して出力パルスを得ている。差分処理により電源電圧変動に起因するレベルシフトが相殺される為、結果として出力パルスのデューティ比の安定化が図れる。さらに、制限抵抗に感温抵抗部を組み込み、その温度/抵抗特性を適宜設定する事により、周囲温度に依存した出力パルスのデューティ比の変動を抑制する事ができる。
【0008】
【実施例】
以下図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。図1は、本発明にかかるフォトインタラプタ装置の第1実施例を示す回路図である。本フォトインタラプタ装置はLED等からなる発光素子1とフォトトランジスタ等からなる受光素子2と比較器(CMP)3とを備えている。発光素子1は制限抵抗RL に直列接続され、所定の電源電圧Vccが印加されている。発光素子1は制限抵抗RL を通じて流れる駆動電流IF に応じて動作し、光束を放射する。なお、発光素子1を構成するLEDのアノード端子/カソード端子間に生じる電圧はVF で示してある。受光素子2のコレクタ端子はVccの供給を受け、そのエミッタ端子は負荷抵抗RP を介して接地されている。受光素子2は可動スリット4を介して光束を受光し、負荷抵抗RP を通じて受光量に応じた光電流IC を出力する。なお、受光素子2の受光領域はフォトトランジスタのベース領域に形成されている。比較器3は2個の正負入力端子と1個の出力端子を有している。正入力端子は、駆動電流IF により制限抵抗RL に生じた電圧降下に従うモニタ電圧vR を受け入れる。負入力端子は、光電流IC により負荷抵抗RP に生じた電圧降下に従う検出電圧vO を受け入れる。比較器3はモニタ電圧vR を基準にして検出電圧vO の比較処理を行ない、可動スリット4の変位を表わす矩形パルスを出力端子から外部に供給する。
【0009】
駆動電流IF はIF =(Vcc−VF )/RL で表わされる。従って、電源電圧Vccが変化すると、駆動電流IF が変動する。さらに、モニタ電圧vR はvR =IF ×RL で表わされ、IF に比例して変動する。一方、受光素子2側の検出電圧vO はvO =IC ×RP で表わされる。ここで、フォトインタラプタ装置の電流伝達係数k=IC /IF を代入すると、検出電圧vO はvO =k×IF ×RP で表わされる。従って、検出電圧vO もIF の変化に比例して変動する。以上により、Vccに相関した駆動電流IF の変動に対し、モニタ電圧vR 及び検出電圧vO が同様に変化する。比較器3はvR とvO の差分処理を行なう為、変化分が相殺され出力パルスのデューティ比は変動しない。
【0010】
図2を参照して、上述した出力パルスのデューティ比安定化動作を具体的に説明する。(A)に示す様に、電源電圧Vccは実線で示すレベルから点線で示すレベルに上方シフトしたとする。これにより、駆動電流IF が増大し、発光素子1の光束量も増加する。従って、受光素子2の受光量も増加し光電流IC の上昇をもたらす。この結果(B)に示す様に、モニタ電圧vR が実線レベルから点線レベルに上方シフトすると共に、検出電圧vO も実線レベルから点線レベルに上昇する。この上昇分は略同量である。従って、vR とvO の差分処理を行なうと、上昇分がキャンセルされ、vR とvO が交差する反転ポイントは時間的に変動しない。この結果、(C)に示す様に出力パルスのデューティ比は電源電圧Vccの上昇に関わらず実質的に変動しない。電源電圧Vccが下方に変化した時も同様に出力パルスのデューティ比は実質的に変動しない。
【0011】
図3は、本発明にかかるフォトインタラプタ装置の第2実施例を示す回路図である。基本的には、図1に示したフォトインタラプタ装置を2個並列接続した構造となっており、90°の位相差を有する一対の出力パルスA,Bを得ている。出力パルスAを生成するフォトインタラプタは発光素子1A、受光素子2A、比較器3Aからなる。出力パルスBを生成する他方のフォトインタラプタは発光素子1B、受光素子2B、比較器3Bから構成されている。2個の発光素子1A,1Bは制限抵抗RL に直列接続され、電源電圧Vccの供給を受ける。本例では、この制限抵抗RL は感温抵抗部R1 と非感温抵抗部R2 とに分かれている。R1 とR2 の接続点からモニタ電圧が取り出され、各々比較器3A,3Bの負入力端子に供給されている。受光素子2A,2Bは可動スリット4に対し90°の空間位相差をもって相対的に配置されている。これにより、可動スリット4の移動量のみならず移動方向も検出できる。即ち、出力パルスAと出力パルスBの相対的な位相関係を検出する事により可動スリット4の移動方向が分かる。一方の受光素子2Aを構成するフォトトランジスタのコレクタ端子はVccの供給を受け、エミッタ端子は負荷抵抗RP を介して接地されている。RP の一方の端子から検出電圧vO が取り出され、比較器3Aの正入力端子に供給される。同様に、受光素子2Bを構成するフォトトランジスタのコレクタ端子はVccの供給を受け、エミッタ端子は負荷抵抗RP を介して接地されている。RP の一方の端子から検出電圧vO が取り出され、比較器3Bの正入力端子に供給される。これらの負荷抵抗RP は可変抵抗から構成されており、場合によっては感温抵抗部を含んでいる。
【0012】
受光素子2Aから出力された検出電圧は共通のモニタ電圧を基準として比較器3Aにより比較処理され、出力パルスAが得られる。同様に、受光素子2B側の検出電圧は共通のモニタ電圧を基準として比較器3Bにより比較処理され、出力パルスBが得られる。この際、可変負荷抵抗RP の調整により、出力パルスA,Bのデューティ比は50%に予め調整されている。さらに、制限抵抗RL から取り出されたモニタ電圧を比較基準としているので、図1に示した第1実施例と同様に、電源電圧Vccが変動してもデューティ比が安定な出力パルスA,Bが得られる。
【0013】
一般に、発光素子と受光素子の対からなるフォトインタラプタは温度特性を持っており、温度変化によっても出力パルスのデューティ比が変動する。一般に、フォトインタラプタの温度特性は図4に示す様に、高温側で光電流が低下する。これに対処する為、制限抵抗RL を構成する分圧抵抗R1 又はR2 の一方を感温抵抗にし、その温度係数を適切に設定する事により、図4に示したフォトインタラプタの温度特性をキャンセルする様にしている。例えば、図3の例では、感温抵抗部R1 の温度係数を正に設定すると、図4に示したフォトインタラプタの温度特性をキャンセルできる。即ち、制限抵抗RL に感温抵抗部R1 を組み込む事により、周囲温度に依存した出力パルスのデューティ比変動を抑制する様にモニタ電圧を調整する。あるいは、負荷抵抗RP に感温抵抗部を組み込んでも良く、周囲温度に依存した出力パルスのデューティ比変動を抑制する様に、検出電圧を調整すれば良い。なお、図1及び図3に示した実施例では、透過型の可動スリット4の両側に発光素子と受光素子を対向配置した透過型のフォトインタラプタを構成している。しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、反射型の可動スリット4を用い、同一面側に発光素子及び受光素子を配置した反射型フォトインタラプタにも適用可能である事は勿論である。
【0014】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明によれば、発光素子の駆動電流をモニタした電圧を比較電圧に使用し、受光素子の検出電圧をこの基準電圧に基づき比較処理する事により出力パルスを得ている。かかる構成により、補償用の受光素子や電源安定化用の回路要素等を追加する事なく、フォトインタラプタの電源電圧変動を相殺して、出力パルスのデューティ比安定化を図る事ができる。又、本発明にかかるフォトインタラプタでは従来構成と異なり、電流変換係数の設定に実質的な制約がない為、発光素子と受光素子の間隔調整やフィルタ挿入等を行なう必要はない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるフォトインタラプタ装置の第1実施例を示す回路図である。
【図2】図1に示した第1実施例の動作説明に供する波形図である。
【図3】本発明にかかるフォトインタラプタ装置の第2実施例を示す回路図である。
【図4】フォトインタラプタ装置の温度特性の一例を示すグラフである。
【図5】従来のロータリエンコーダの一例を示す模式図である。
【図6】従来のフォトインタラプタ装置の一例を示す回路図である。
【図7】従来のフォトインタラプタ装置の他の例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 発光素子
2 受光素子
3 比較器
4 可動スリット
RL 制限抵抗
RP 負荷抵抗
Claims (1)
- 制限抵抗を通じて流れる駆動電流に応じて動作し光束を放射する一方の発光素子と、
可動スリットを介して該光束を受光し負荷抵抗を通じて受光量に応じた光電流を出力する一方の受光素子と、
該駆動電流により該制限抵抗に生じた電圧降下に従うモニタ電圧を受け入れる入力端子と、該光電流により該負荷抵抗に生じた電圧降下に従う検出電圧を受け入れる入力端子と、該モニタ電圧を基準にして該検出電圧の比較処理を行ない可動スリットの変位を表わすパルスを生成する出力端子とを備えた一方の比較器とからなる一方のフォトインタラプタと、
該制限抵抗を通じて流れる駆動電流に応じて動作し光束を放射する他方の発光素子と、
可動スリットを介して該光束を受光し負荷抵抗を通じて受光量に応じた光電流を出力する他方の受光素子と、
該駆動電流により該制限抵抗に生じた電圧降下に従うモニタ電圧を受け入れる入力端子と、該光電流により該負荷抵抗に生じた電圧降下に従う検出電圧を受け入れる入力端子と、該モニタ電圧を基準にして該検出電圧の比較処理を行ない可動スリットの変位を表わし且つ該一方の比較器から出力されるパルスと所定の位相差を有するパルスを生成する出力端子とを備えた他方の比較器とからなる他方のフォトインタラプタとを備え、
該一方の発光素子と該他方の発光素子は該制限抵抗に直列接続されており、
該一方の比較器及び該他方の比較器は該制限抵抗に生じた電圧降下に従う共通のモニタ電圧を受け入れる入力端子を各々有し、
前記制限抵抗は感温抵抗部を有しており、周囲温度に依存した該パルスの変動を抑制する様にモニタ電圧を調整することを特徴とするフォトインタラプタ装置。
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JPH08278166A JPH08278166A (ja) | 1996-10-22 |
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-
1995
- 1995-03-31 JP JP10068795A patent/JP3552785B2/ja not_active Expired - Lifetime
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