JP3539417B2 - Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化珪素半導体装置及びその製造方法に係り、特に、不純物注入後の活性化熱処理を行う際に、基板厚みの変化による注入層の抵抗値の変化を防止する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
低オン抵抗、高耐圧等の優れた特性を有する半導体素子として、トレンチゲート型SiC(炭化珪素)MOS−FETが有望視されている。
【0003】
このような半導体素子を製造する際には、不純物注入後の活性化アニール(活性化熱処理)を高温(例えば、1500℃)で行うと、基板表面が荒れたり、不純物が外向拡散(アウトディフュージョン)するという問題が発生する。
【0004】
そこで、このような問題を解決するために、例えば特開平10−125611号公報(以下、従来例という)に記載された炭化珪素半導体装置の製造方法が知られている。
【0005】
図4は、該従来例に記載された炭化珪素半導体装置の製造方法の処理手順を示す説明図であり、以下、同図を参照しながら、従来例の処理手順について説明する。まず、同図(a)に示すように、n+型単結晶半導体基板1、n-型エピタキシャル層2、及びp型エピタキシャル層3からなるSiC基板100を用意し、更に、表面にマスク材20を形成する。その後、不純物としてN+をイオン注入する。
【0006】
次いで、同図(b)に示すように、基板表面にエピタキシャル膜5を成長させる。このエピタキシャル膜5が、注入した不純物Nの外向拡散や母材であるSi、Cの蒸発を防止するための、キャップ膜として機能する。この状態で、基板温度を1500℃に保持し、不純物であるNを活性化させる。ここで、図中の符号30に示す「×」印は、不純物であるNが活性化する前の状態、符号31に示す「○」印は、不純物Nが活性化した状態を示している。
【0007】
そして、同図(c)に示すように、エピタキシャル層5(キャップ膜)をドライエッチング等により除去し、同図(d)に示すように、層間絶縁膜8、及び電極40を形成することにより、MOSFETを形成することができる。
【0008】
このような手順を用いることにより、高温発生時には、キャップ膜により、基板表面が保護されるので、基板表面が荒れることや、不純物の外向拡散といった問題を解決することができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来例では、キャップ膜(エピタキシャル層5)を除去する際に、基板表面の一部をも除去することがあり、このような場合には、イオン注入層の厚さが変わってしまい、注入層の抵抗値が変化するという問題があった。
【0010】
本発明はこのような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、基板を保護するために用いるキャップ膜を除去する手順を必要としない炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願請求項1に記載の発明は、炭化珪素基板中にイオン注入法を用いて不純物を導入した不純物領域が形成された炭化珪素半導体装置において、前記炭化珪素基板の表面をエピタキシャル層でキャップし、且つ、前記エピタキシャル層を取り除かずに、珪素と反応する金属からなる電極を前記不純物領域の上面に形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
【0012】
請求項2に記載の発明は、炭化珪素基板中にイオン注入法を用いて不純物を導入した不純物領域が形成された炭化珪素半導体装置において、前記炭化珪素基板をエピタキシャル雰囲気中に晒した状態で活性化熱処理を加えることにより、該炭化珪素基板表面にエピタキシャル層を形成し、且つ、前記エピタキシャル層を取り除かずに、珪素と反応する金属からなる電極を前記不純物領域の上面に形成することを特徴とする。
【0013】
請求項3に記載の発明は、前記電極の材料は、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、白金(Pt)のうちのいずれかであることを特徴とする。
【0014】
請求項4に記載の発明は、炭化珪素基板中に、イオン注入法を用いて、不純物を導入した不純物領域を形成するステップと、前記炭化珪素基板の表面をエピタキシャル層を用いてキャップするステップと、前記エピタキシャル層を取り除かずに、珪素と反応する金属からなる電極を前記不純物領域の上面に形成するステップと、を有することを特徴とする。
【0015】
請求項5に記載の発明は、炭化珪素基板中に、イオン注入法を用いて、不純物を導入した不純物領域を形成するステップと、前記炭化珪素基板をエピタキシャル雰囲気中に晒した状態で活性化熱処理を行うことにより、該炭化珪素基板の表面にエピタキシャル層を形成するステップと、前記エピタキシャル層を取り除かずに、珪素と反応する金属からなる電極を前記不純物領域の上面に形成するステップと、を有することを特徴とする。
【0016】
請求項6に記載の発明は、前記電極の材料は、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、白金(Pt)のうちのいずれかであることを特徴とする。
【0017】
【発明の効果】
請求項1の発明では、炭化珪素基板の表面にエピタキシャル層を形成してこれをキャップ層とし、その後、炭化珪素基板内に形成された不純物領域を活性化熱処理するので、基板表面が荒れたり、注入した不純物が外向拡散するという問題を回避することができる。更に、電極の材料として、珪素と反応する金属を用いているので、エピタキシャル層を除去する必要がない。従って、注入層の抵抗値が変化する等の問題を回避することができる。
【0018】
請求項2の発明では、炭化珪素基板をエピタキシャル雰囲気中で、活性化熱処理することにより、該炭化珪素基板内に形成された不純物領域を活性化することができ、更に、基板表面にエピタキシャル層が形成される。従って、基板表面が荒れたり、注入した不純物が外向拡散するという問題を回避することができる。更に、電極の材料として、珪素と反応する金属を用いているので、エピタキシャル層を除去する必要がない。従って、抵抗値が変化する等の問題を回避することができる。
【0019】
請求項3の発明では、電極材料として用いる金属として、ニッケル、タングステン、チタン、タンタル、或いは白金のうちのいずれかを用いるので、請求項1、請求項2に記載した効果をより向上させることができる。
【0020】
請求項4の発明では、炭化珪素基板の表面にエピタキシャル層を形成してこれをキャップ層とし、その後、炭化珪素基板内に形成された不純物領域を活性化熱処理するので、基板表面が荒れたり、注入した不純物が外向拡散するという問題を回避することができる。また、電極の材料として、珪素と反応する金属を用いているので、エピタキシャル層を除去する工程を省略することができ、更に、エピタキシャル層を除去しないので、注入層の抵抗値が変化する等の問題を回避することができる。
【0021】
請求項5の発明では、炭化珪素基板をエピタキシャル雰囲気中で、活性化熱処理することにより、該炭化珪素基板内に形成された不純物領域を活性化することができ、更に、基板表面にエピタキシャル層が形成される。従って、基板表面が荒れたり、注入した不純物が外向拡散するという問題を回避することができる。また、電極の材料として、珪素と反応する金属を用いているので、エピタキシャル層を除去する工程を省略することができる。更に、エピタキシャル層を除去しないので、注入層の抵抗値が変化する等の問題を回避することができる。
【0022】
請求項6の発明では、電極材料として用いる金属として、ニッケル、タングステン、チタン、タンタル、或いは白金のうちのいずれかを用いるので、請求項4、請求項5に記載した効果をより向上させることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、炭化珪素半導体装置の一例として、トレンチゲート型SiCパワーMOSFETについて説明する。
【0024】
同図に示すように、トレンチゲート型SiCパワーMOSFETは、n+型炭化珪素単結晶基板1上に、n-型炭化珪素エピタキシャル層2が形成され、その上にはp型炭化珪素エピタキシャル層3が形成されている。
【0025】
更に、p型炭化珪素エピタキシャル層3上には、イオン注入と熱処理によってn+型ソース領域4が形成されている。
【0026】
その上面には、エピタキシャル層5が形成される。また、このエピタキシャル層5の一部にはトレンチが形成され、該トレンチは、n-型炭化珪素エピタキシャル層2に達する深さにまで達している。また、トレンチ内にはゲート酸化膜6が形成され、更に、その内側にはポリシリコンゲート電極7が形成されている。
【0027】
エピタキシャル層5の一部は、エピタキシャル層5の珪素と、ソース電極9の電極材料との反応層50を形成しており、該エピタキシャル層5の上面全体は層間絶縁膜8で覆われている。
【0028】
更に、n+型炭化珪素単結晶基板1の裏面には、ドレイン電極10が形成され、トレンチゲート型SiCパワーMOSFETを構成している。
【0029】
次に、図1に示した如くの、トレンチゲート型SiCパワーMOSFETを製造する手順について、図2、図3を参照しながら説明する。
【0030】
まず、図2(a)に示すように、n+型炭化珪素単結晶基板1と、n-型炭化珪素エピタキシャル層2、及びp型炭化珪素エピタキシャル層3からなるSiC基板100を用意する。
【0031】
そして、同図(b)に示すように、不純物として燐原子70をp型炭化珪素エピタキシャル層3へイオン注入する。この際のイオン注入条件としては、例えば、基板温度800℃、注入エネルギー20〜180keVの範囲で総ドーズ量が7×1015cm-2であるとする。
【0032】
次に、同図(c)に示すように、酸化膜を堆積し、これをパターニングしてマスク材20を形成する。その後、反応性イオンエッチングにより、n-型炭化珪素エピタキシャル層2へ達する深さのトレンチ60を形成し、マスク材20を除去する。
【0033】
その後、図3(d)に示すように、CVD装置内においてSiC基板100を熱処理し、基板温度を1500℃に保持した状態で、SiH4、C3H8、H2、N2ガスを流し、基板表面にエピタキシャル膜5を形成しつつイオン注入した燐原子70を活性化させる。
【0034】
このエピタキシャル膜5は、活性化熱処理時のキャップ膜として機能すると共に、デバイス動作時において蓄積型チャネル領域としても機能するものである。従って、このエピタキシャル膜5の膜厚は、キャップ膜として機能するのに十分、且つ、蓄積型チャネルとして機能する膜厚であれば良い。本実施形態において、膜厚は例えば2000〜2500Åである。
【0035】
また、p型炭化珪素エピタキシャル層3にイオン注入された燐原子70は、電気的に活性化することにより、p型炭化珪素エピタキシャル層3の上部にn+型ソース領域4を形成する。
【0036】
次いで、図3(e)に示すように、トレンチ60内にゲート酸化膜6、ポリシリコンゲート電極7を形成し、SiC基板100の表面全体を層間絶縁膜8で被う。
【0037】
その後、図3(f)に示すようにフォトレジスト、及びエッチングによりコンタクトホールを開口し、電子線蒸着によりソース電極材料としてのニッケル(Ni)を堆積させ、アルゴン雰囲気中で1000℃1分間のコンタクトアニールを行う。
【0038】
このコンタクトアニール時に、ニッケル原子がエピタキシャル層5中の珪素と反応し、反応層50が形成されソース電極9が形成される。
【0039】
最後に、n+型炭化珪素単結晶基板1の裏面にスパッタ法によりアルミニウムを堆積させドレイン電極10を形成して、トレンチゲート型SiCパワーMOSFETを完成させる。
【0040】
上記で説明してきたように、エピタキシャル層5中の珪素と反応するニッケルを電極材料に用いることにより、活性化熱処理(活性化アニール)時にキャップ膜として用いたエピタキシャル層5を除去することなく、ソース電極9を形成することができる。
【0041】
従って、エピタキシャル層5を除去する必要がなく、n+型ソース領域4の厚みも変わることが無いので、従来のように、n+型ソース領域4の厚みが変化することに起因する抵抗値の変化を無くすことができ、良好な電極を形成することができる。
【0042】
なお、本発明は、上記したトレンチゲート型SiCパワーMOSFETに限らず、SiC基板にイオン注入して形成した半導体領域を有し、且つ、その上面に電極を形成するものであれば、他の炭化珪素半導体装置の製造方法にも適用することができる。
【0043】
また、本実施例では反応層50を形成するソース電極9の材料として、ニッケルを用いた例で説明したが、他にも珪素と反応する金属として、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、白金(Pt)を用いても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る炭化珪素半導体装置(トレンチゲート型SiCパワーMOSFET)の構成を示す断面図である。
【図2】(a)〜(c)は、図1に示した炭化珪素半導体装置を作成する手順を示す説明図である。
【図3】(d)〜(f)は、図1に示した炭化珪素半導体装置を作成する手順を示す説明図である。
【図4】従来例に記載された炭化珪素半導体装置の作成手順を示す説明図である。
【符号の説明】
1 n+型炭化珪素単結晶基板
2 n-型炭化珪素エピタキシャル層
3 p型炭化珪素エピタキシャル層
4 n+型ソース領域
5 エピタキシャル層
6 ゲート酸化膜
7 ポリシリコンゲート電極
8 層間絶縁膜
9 ソース電極
10 ドレイン電極
20 マスク材料
50 反応層
60 トレンチ
70 電気的に不活性な燐原子
100 SiC基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a silicon carbide semiconductor device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a technique for preventing a change in resistance of an implantation layer due to a change in substrate thickness when performing an activation heat treatment after impurity implantation.
[0002]
[Prior art]
As a semiconductor element having excellent characteristics such as low on-resistance and high withstand voltage, a trench gate type SiC (silicon carbide) MOS-FET is expected to be promising.
[0003]
In manufacturing such a semiconductor device, if activation annealing (activation heat treatment) after impurity implantation is performed at a high temperature (for example, 1500 ° C.), the substrate surface becomes rough or impurities diffuse outward (out diffusion). Problem arises.
[0004]
In order to solve such a problem, a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-125611 (hereinafter, referred to as a conventional example) is known.
[0005]
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a processing procedure of a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device described in the conventional example. Hereinafter, a processing procedure of the conventional example will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 1A, a
[0006]
Next, as shown in FIG. 2B, an
[0007]
Then, as shown in FIG. 3C, the epitaxial layer 5 (cap film) is removed by dry etching or the like, and the
[0008]
By using such a procedure, when a high temperature is generated, the substrate surface is protected by the cap film, so that problems such as roughening of the substrate surface and outward diffusion of impurities can be solved.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional example, when the cap film (epitaxial layer 5) is removed, a part of the substrate surface may also be removed. In such a case, the thickness of the ion implantation layer changes. As a result, there is a problem that the resistance value of the injection layer changes.
[0010]
The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a silicon carbide semiconductor device which does not require a procedure for removing a cap film used to protect a substrate and a silicon carbide semiconductor device. It is to provide a manufacturing method.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an invention according to
[0012]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a silicon carbide semiconductor device having an impurity region formed by introducing an impurity into a silicon carbide substrate using an ion implantation method, wherein the silicon carbide substrate is activated while being exposed to an epitaxial atmosphere. Forming an epitaxial layer on the surface of the silicon carbide substrate by applying heat treatment, and forming an electrode made of a metal that reacts with silicon on the upper surface of the impurity region without removing the epitaxial layer. I do.
[0013]
The invention according to
[0014]
The invention according to
[0015]
The invention according to
[0016]
The invention according to
[0017]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, an epitaxial layer is formed on the surface of the silicon carbide substrate, and this is used as a cap layer. Then, activation heat treatment is performed on the impurity regions formed in the silicon carbide substrate. The problem that the implanted impurities diffuse outward can be avoided. Further, since a metal that reacts with silicon is used as a material of the electrode, it is not necessary to remove the epitaxial layer. Therefore, problems such as a change in the resistance value of the injection layer can be avoided.
[0018]
According to the second aspect of the present invention, the silicon carbide substrate is subjected to an activation heat treatment in an epitaxial atmosphere, whereby the impurity region formed in the silicon carbide substrate can be activated. It is formed. Therefore, it is possible to avoid the problem that the substrate surface becomes rough and the implanted impurities diffuse outward. Further, since a metal that reacts with silicon is used as a material of the electrode, it is not necessary to remove the epitaxial layer. Therefore, problems such as a change in the resistance value can be avoided.
[0019]
According to the third aspect of the invention, any one of nickel, tungsten, titanium, tantalum, and platinum is used as the metal used as the electrode material, so that the effects described in the first and second aspects can be further improved. it can.
[0020]
According to the invention of
[0021]
According to the fifth aspect of the present invention, the silicon carbide substrate is subjected to an activation heat treatment in an epitaxial atmosphere, whereby the impurity regions formed in the silicon carbide substrate can be activated. It is formed. Therefore, it is possible to avoid the problem that the substrate surface becomes rough and the implanted impurities diffuse outward. Further, since a metal that reacts with silicon is used as a material of the electrode, the step of removing the epitaxial layer can be omitted. Further, since the epitaxial layer is not removed, problems such as a change in the resistance value of the injection layer can be avoided.
[0022]
According to the invention of
[0023]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a silicon carbide semiconductor device according to one embodiment of the present invention. In the present embodiment, a trench gate type SiC power MOSFET will be described as an example of a silicon carbide semiconductor device.
[0024]
As shown in FIG. 1, in the trench gate type SiC power MOSFET, an n − -type silicon
[0025]
Further, an n + -
[0026]
An
[0027]
Part of the
[0028]
Further, a
[0029]
Next, a procedure for manufacturing a trench gate type SiC power MOSFET as shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.
[0030]
First, as shown in FIG. 2A, a
[0031]
Then, as shown in FIG. 2B,
[0032]
Next, as shown in FIG. 4C, an oxide film is deposited and patterned to form a
[0033]
Thereafter, as shown in FIG. 3D, the
[0034]
The
[0035]
[0036]
Next, as shown in FIG. 3E, a
[0037]
Thereafter, as shown in FIG. 3F, a contact hole is opened by photoresist and etching, nickel (Ni) as a source electrode material is deposited by electron beam evaporation, and the contact is made at 1000 ° C. for 1 minute in an argon atmosphere. Annealing is performed.
[0038]
During this contact annealing, nickel atoms react with silicon in the
[0039]
Finally, aluminum is deposited on the back surface of the n + -type silicon carbide
[0040]
As described above, by using nickel that reacts with silicon in the
[0041]
Therefore, it is not necessary to remove the
[0042]
The present invention is not limited to the above-described trench gate type SiC power MOSFET, but may be any other type of carbonized semiconductor having a semiconductor region formed by ion implantation into a SiC substrate and forming an electrode on the upper surface thereof. The present invention can also be applied to a method for manufacturing a silicon semiconductor device.
[0043]
Further, in this embodiment, an example in which nickel is used as the material of the source electrode 9 forming the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a silicon carbide semiconductor device (trench gate type SiC power MOSFET) according to an embodiment of the present invention.
2 (a) to 2 (c) are explanatory diagrams showing a procedure for producing the silicon carbide semiconductor device shown in FIG.
3 (d) to 3 (f) are explanatory views showing a procedure for producing the silicon carbide semiconductor device shown in FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a procedure for manufacturing a silicon carbide semiconductor device described in a conventional example.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 n + -type silicon carbide single crystal substrate 2 n -- type silicon carbide epitaxial layer 3 p-type silicon carbide epitaxial layer 4 n + -
Claims (6)
前記炭化珪素基板の表面をエピタキシャル層でキャップし、且つ、前記エピタキシャル層を取り除かずに、珪素と反応する金属からなる電極を前記不純物領域の上面に形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置。In a silicon carbide semiconductor device in which an impurity region in which an impurity is introduced by an ion implantation method is formed in a silicon carbide substrate,
A silicon carbide semiconductor device, wherein a surface of the silicon carbide substrate is capped with an epitaxial layer, and an electrode made of a metal that reacts with silicon is formed on an upper surface of the impurity region without removing the epitaxial layer .
前記炭化珪素基板をエピタキシャル雰囲気中に晒した状態で活性化熱処理を加えることにより、該炭化珪素基板表面にエピタキシャル層を形成し、且つ、前記エピタキシャル層を取り除かずに、珪素と反応する金属からなる電極を前記不純物領域の上面に形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置。In a silicon carbide semiconductor device in which an impurity region in which an impurity is introduced by an ion implantation method is formed in a silicon carbide substrate,
By applying an activation heat treatment in a state where the silicon carbide substrate is exposed to an epitaxial atmosphere, an epitaxial layer is formed on the surface of the silicon carbide substrate, and, without removing the epitaxial layer, made of a metal that reacts with silicon. A silicon carbide semiconductor device , wherein an electrode is formed on an upper surface of the impurity region .
前記炭化珪素基板の表面をエピタキシャル層を用いてキャップするステップと、
前記エピタキシャル層を取り除かずに、珪素と反応する金属からなる電極を前記不純物領域の上面に形成するステップと、を有することを特徴とする
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。Forming an impurity region into which impurities are introduced by using an ion implantation method in a silicon carbide substrate;
Capping the surface of the silicon carbide substrate with an epitaxial layer,
Forming an electrode made of a metal that reacts with silicon on the upper surface of the impurity region without removing the epitaxial layer .
前記炭化珪素基板をエピタキシャル雰囲気中に晒した状態で活性化熱処理を行うことにより、該炭化珪素基板の表面にエピタキシャル層を形成するステップと、
前記エピタキシャル層を取り除かずに、珪素と反応する金属からなる電極を前記不純物領域の上面に形成するステップと、
を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。Forming an impurity region into which impurities are introduced by using an ion implantation method in a silicon carbide substrate;
Performing an activation heat treatment while exposing the silicon carbide substrate to an epitaxial atmosphere to form an epitaxial layer on the surface of the silicon carbide substrate;
Forming without removing take the epitaxial layer, an electrode made of a metal which reacts with silicon on the upper surface of the impurity region,
A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, comprising:
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