JP3533273B2 - Optical device - Google Patents

Optical device

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JP3533273B2
JP3533273B2 JP28754695A JP28754695A JP3533273B2 JP 3533273 B2 JP3533273 B2 JP 3533273B2 JP 28754695 A JP28754695 A JP 28754695A JP 28754695 A JP28754695 A JP 28754695A JP 3533273 B2 JP3533273 B2 JP 3533273B2
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light
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正人 土居
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光部からの光を
光記録媒体例えば光ディスク、光磁気ディスクなどの被
照射部に照射し、被照射部からの反射による戻り光を受
光検出する場合に適用して好適な光学装置に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a case where light from a light emitting portion is applied to an irradiated portion such as an optical recording medium such as an optical disk or a magneto-optical disk, and return light due to reflection from the irradiated portion is received and detected. The present invention relates to an optical device suitable for application.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光学装置、いわゆるコンパクトデ
ィスク(CD)プレーヤなどの光ディスクドライブや光
磁気ディスクドライブの光学ピックアップでは、グレー
ティングやビームスプリッタなどの各光学部品を個別に
組み立てるため装置全体の構成が複雑且つ大きくなり、
また、基板上にハイブリッドで組み立てる場合に光学的
な配置設定に際して厳しいアライメント精度を必要とし
ていた。
2. Description of the Related Art In a conventional optical device, that is, an optical pickup of an optical disk drive such as a so-called compact disk (CD) player or a magneto-optical disk drive, each optical component such as a grating and a beam splitter is individually assembled, so that the entire structure of the device is required. Complex and large,
Further, when assembling on a substrate in a hybrid manner, strict alignment accuracy is required for optical arrangement setting.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】一方、例えば発光部に
光が戻るようにして、その戻り光を受光して検出するに
は、光をビームスプリッタやホログラムなどで分割する
必要がある。そのため受光部が受ける光量が減少すると
いう不都合が生じる。
On the other hand, it is necessary to split the light with a beam splitter, a hologram or the like in order to allow the light to return to the light emitting portion and receive and detect the returned light. Therefore, there is a disadvantage that the amount of light received by the light receiving unit is reduced.

【0004】このような点を考慮して、光学部品点数の
削減および光学的な配置設定に際してのアライメントの
簡単化を可能にし、装置全体の簡素化、小型化を図る目
的で、レンズなど収束手段の共焦点位置に発光部を配置
し、この発光部のある共焦点位置近傍に受光部を形成す
るいわゆるCLC(コンフォーカル・レーザ・カプラ)
構成が考えられている。
In consideration of the above points, it is possible to reduce the number of optical components and simplify the alignment at the time of optical arrangement setting, and for the purpose of simplifying and downsizing the entire apparatus, a converging means such as a lens. The so-called CLC (confocal laser coupler) in which the light emitting portion is arranged at the confocal position of and the light receiving portion is formed near the confocal position where the light emitting portion is located.
A configuration is being considered.

【0005】このCLC構成においては、例えば発光部
に面発光レーザを用いた場合にその半導体レーザの特性
や信頼性が充分でなかった。また半導体プロセスによっ
て、このCLC構成を製造しようとした場合に、半導体
基板の凹凸の影響が大きく製造が困難であった。
In this CLC structure, for example, when a surface emitting laser is used for the light emitting portion, the characteristics and reliability of the semiconductor laser are not sufficient. Further, when it was attempted to manufacture this CLC structure by a semiconductor process, the influence of the unevenness of the semiconductor substrate was great and the manufacture was difficult.

【0006】一方、このCLC構成の光学装置における
フォーカスサーボ信号を検出することが困難であった。
On the other hand, it is difficult to detect the focus servo signal in the optical device having the CLC structure.

【0007】本発明はこのような点を考慮してなされた
もので、光学ピックアップなどの光学装置において、そ
の光学部品点数の削減および光学的な配置設定に際して
のアライメントの簡単化を可能にし、装置全体の簡素
化、小型化を図るCLC構成の特性を有し、更に、フォ
ーカスサーボ信号の検出が容易にできるようにしたもの
である。
The present invention has been made in consideration of the above points, and in an optical device such as an optical pickup, it is possible to reduce the number of optical components and simplify alignment when setting an optical arrangement. It has the characteristics of a CLC structure that simplifies and downsizes the whole, and further facilitates detection of the focus servo signal.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の光学装置は、互
いに近接するように発光部と少なくとも1つ以上の第1
の受光部とが同一基板上に積層され、発光部の共振器端
面から出射した光の被照射部からの共振器端面に向かう
戻り光を第1の受光部によって共焦点近傍で受光検出す
る光学素子と、この光学素子外に形成された複数の受光
素子からなる第2の受光部とを有し、第1の受光部が発
光部の共振器端面に対して斜めの角度をなすと共に互い
に異なる方向に形成された複数の受光面を有し、複数の
受光面により共焦点近傍の戻り光を互いに異なる複数の
方向に分割して反射させて、分割した各戻り光をそれぞ
れ対応する第2の受光部の複数の受光素子により受光検
出する構成とされる。
The optical device of the present invention comprises a light emitting portion and at least one or more first portions so as to be close to each other.
The light receiving section of the first light receiving section detects the return light of the light emitted from the resonator end surface of the light emitting section from the irradiated section toward the resonator end surface in the vicinity of the confocal point. An element and a second light receiving portion formed of a plurality of light receiving elements formed outside the optical element, wherein the first light receiving portion forms an oblique angle with respect to the resonator end face of the light emitting portion and is different from each other. A plurality of light receiving surfaces formed in the same direction, the plurality of light receiving surfaces divides and returns the return light in the vicinity of the confocal point in a plurality of different directions, and the divided return light respectively corresponds to the second light beams. A plurality of light receiving elements of the light receiving section are configured to detect light.

【0009】また本発明の光学装置は、互いに近接する
ように発光部と少なくとも1つ以上の第1の受光部とが
同一基板上に積層され、発光部の共振器端面から出射し
た光の被照射部からの共振器端面に向かう戻り光を第1
の受光部によって共焦点近傍で受光検出する光学素子
と、この光学素子上に形成された第1の受光素子と光学
素子外に形成された第2の受光素子とからなる第2の受
光部とを有し、第1の受光素子及び第2の受光素子が受
光面を互いに向かい合わせて平行に配置形成されている
構成とされる。
Further, in the optical device of the present invention, the light emitting portion and at least one or more first light receiving portions are laminated on the same substrate so as to be close to each other, and the light emitted from the cavity end face of the light emitting portion is received. The return light from the irradiation section toward the cavity end face is first
An optical element for receiving and detecting light near the confocal point by the light receiving section, and a second light receiving section including a first light receiving element formed on the optical element and a second light receiving element formed outside the optical element. And the first light receiving element and the second light receiving element
The optical planes are opposed to each other and arranged in parallel .

【0010】上述の本発明の構成によれば、発光部の共
振器端面から出射した光の被照射部からの共振器端面に
向かう戻り光を第1の受光部によって共焦点近傍で受光
検出するCLC構成をなす光学素子に、さらに第2の受
光部を追加することより、例えばこの第2の受光部にお
いて、被照射部への入射光のフォーカス状態の検出すな
わちフォーカスサーボ信号の検出を行うことができる。
According to the above-mentioned configuration of the present invention, the return light of the light emitted from the resonator end surface of the light emitting portion toward the resonator end surface from the irradiated portion is received and detected by the first light receiving portion in the vicinity of the confocal point. By adding a second light receiving portion to the optical element having the CLC structure, for example, in this second light receiving portion, detection of the focus state of the incident light on the irradiated portion, that is, detection of the focus servo signal is performed. You can

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の光学装置は、半導体レー
ザからなる発光部の直上ないしは直下の共焦点近傍に受
光部を形成した前述のCLC構成において、本出願人の
先の出願である特願平7−235680号出願「光学装
置」に記載された、共焦点近傍でプッシュプル法による
トラッキングサーボ信号の検出を行う光学装置を構成
し、さらに第2の受光部を形成し、例えばフォーカスサ
ーボ信号の検出を行う場合に適用できるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The optical device of the present invention is a prior application of the present applicant in the above-mentioned CLC structure in which the light receiving portion is formed in the vicinity of the confocal point immediately above or below the light emitting section made of a semiconductor laser. An optical device described in Japanese Patent Application No. 7-235680 “Optical device” for detecting a tracking servo signal by a push-pull method in the vicinity of a confocal point is formed, and a second light receiving unit is further formed. This is applicable when detecting a signal.

【0012】上述の共焦点近傍でプッシュプル法による
トラッキングサーボ信号の検出を行う光学装置は、例え
ば図17および図18に光学装置の一例の斜視図を示す
ように、例えば同一の半導体基板11上に、基板面に沿
う方向に共振器長方向を有する半導体レーザLDからな
る発光部4と、その直上に2個のフォトダイオードPD
(PD1 、PD2 )からなる受光部5とが積層形成され
た光学素子101、102が構成されてなる。
An optical device for detecting a tracking servo signal by the push-pull method in the vicinity of the confocal point is, for example, on the same semiconductor substrate 11 as shown in perspective views of an example of the optical device in FIGS. 17 and 18. In addition, a light emitting portion 4 formed of a semiconductor laser LD having a cavity length direction along a substrate surface and two photodiodes PD immediately above the light emitting portion 4.
Optical elements 101 and 102 are formed by laminating a light receiving portion 5 made of (PD 1 , PD 2 ).

【0013】図17の光学装置の光学素子101は、第
1導電型例えばn型の高不純物濃度の{100}結晶面
を主面とするGaAs基板11上に、例えばn型のGa
Asからなるバッファ層12、例えばn型のAlGaA
sよりなる第1のクラッド層13、例えばi型GaAs
(真性GaAs)よりなる活性層14、第2導電型すな
わちp型のAlGaAsよりなる第2のクラッド層15
および第2導電型すなわちp型のGaAsからなるキャ
ップ層16がMOCVD等によるエピタキシーによって
形成されてなる。
An optical element 101 of the optical device shown in FIG. 17 has, for example, n-type Ga on a GaAs substrate 11 having a major surface of {100} crystal plane of the first conductivity type, for example, n-type, with a high impurity concentration.
A buffer layer 12 made of As, for example, n-type AlGaA
The first cladding layer 13 made of s, for example, i-type GaAs
Active layer 14 made of (intrinsic GaAs), second clad layer 15 made of second conductivity type, that is, p-type AlGaAs
And the cap layer 16 made of the second conductivity type, that is, p-type GaAs is formed by epitaxy such as MOCVD.

【0014】さらに第2のクラッド層15に第1導電型
例えばn型GaAsよりなる電流狭窄層17を形成して
ブロックし、発光部4すなわちいわゆるスラブ導波路の
水平共振器を有する半導体レーザLDが構成されてい
る。
Further, a semiconductor laser LD having a light emitting portion 4, that is, a horizontal resonator of a so-called slab waveguide, is formed by blocking a current confinement layer 17 made of a first conductivity type, for example, n-type GaAs, on the second cladding layer 15. It is configured.

【0015】そして半導体レーザLDの直上に、MOC
VD等によるエピタキシーによってこの半導体レーザL
Dからの直接光を吸収する例えばp型の高不純物濃度の
GaAsよりなる光吸収層18を介して、pin接合面
が半導体レーザLDの水平共振器方向に平行となりかつ
共振器端面に垂直に臨むように、第2導電型すなわちp
型のGaAsよりなる第1の半導体層19、i型のGa
Asよりなる第2の半導体層20および第1導電型すな
わちn型のGaAsよりなる第3の半導体層21により
構成される2つの受光部5すなわちPIN型のフォトダ
イオードPD(PD1 ,PD2 )による受光素子が形成
されて光学素子101が構成されてなる。そして、フォ
トダイオードPD1 ,PD2 の共振器端面に臨む面が受
光面とされる。
Immediately above the semiconductor laser LD, the MOC
This semiconductor laser L is formed by epitaxy by VD or the like.
The pin junction surface is parallel to the horizontal cavity direction of the semiconductor laser LD and is perpendicular to the cavity facets through the light absorption layer 18 made of, for example, p-type GaAs having a high impurity concentration, which absorbs the direct light from D. , The second conductivity type, that is, p
-Type GaAs first semiconductor layer 19, i-type Ga
Two light-receiving portions 5, ie, PIN photodiodes PD (PD 1 and PD 2 ), each of which is composed of a second semiconductor layer 20 made of As and a third semiconductor layer 21 made of a first conductivity type, that is, n type GaAs. The optical element 101 is configured by forming a light receiving element by. The surfaces of the photodiodes PD 1 and PD 2 that face the end faces of the resonator are the light receiving surfaces.

【0016】光吸収層18は、活性層15と同等あるい
は活性層15より小さいバンドギャップを有する層と
し、ここで戻り光以外を遮断する。
The light absorption layer 18 is a layer having a bandgap equal to that of the active layer 15 or smaller than that of the active layer 15, and blocks light other than the return light here.

【0017】また光吸収層18および受光部5の各半導
体層19〜21は、発光部4の半導体レーザLD上の一
部を残して形成され、この半導体レーザLD上の残した
面上にはその一部を覆って半導体レーザLDのp側電極
とフォトダイオードPDのp側電極とを共用するp側電
極22が形成されている。一方、第3の半導体層21上
にフォトダイオードPD1 ,PD2 のn側電極231、
232が形成され、半導体基板11の下面に半導体レー
ザLDのn側電極23が形成されている。
The light absorption layer 18 and the semiconductor layers 19 to 21 of the light receiving section 5 are formed by leaving a part of the semiconductor laser LD of the light emitting section 4 on the remaining surface of the semiconductor laser LD. A p-side electrode 22 is formed so as to cover a part of the p-side electrode 22 and share the p-side electrode of the semiconductor laser LD and the p-side electrode of the photodiode PD. On the other hand, on the third semiconductor layer 21, the n-side electrodes 231 of the photodiodes PD 1 and PD 2 ,
232 is formed, and the n-side electrode 23 of the semiconductor laser LD is formed on the lower surface of the semiconductor substrate 11.

【0018】そして、受光部5を構成する第1の半導体
層19、第2の半導体層20および第3の半導体層21
の中央には、例えばエッチング等の方法で溝25が形成
され、受光部5が2つのフォトダイオードPD1 ,PD
2 に2分割されている。この2つのフォトダイオードP
1 ,PD2 は、そのpin接合端面が半導体レーザL
Dの共振器端面に臨むように併設される。
Then, the first semiconductor layer 19, the second semiconductor layer 20 and the third semiconductor layer 21 constituting the light receiving portion 5 are formed.
A groove 25 is formed at the center of the photodetector 5 by a method such as etching, and the light receiving section 5 has two photodiodes PD 1 , PD.
It has been divided into two 2. These two photodiodes P
The pin junction end faces of D 1 and PD 2 are semiconductor lasers L.
It is installed side by side so as to face the end face of the D resonator.

【0019】そして図示しないが、発光部4からの出射
光は、収束手段によって光ディスクなど被照射部に収束
照射され、更にこれが被照射部において反射されて戻り
光を生じ、被照射部において反射される前および後にお
いて同軸の経路、すなわち出射光LF と同軸の経路を通
過して、再度収束手段により収束されて受光部5におい
て受光される。この受光部5は収束手段の被照射部から
の戻り光に関する共焦点近傍に配置される。
Although not shown, the light emitted from the light emitting section 4 is converged and irradiated by the converging means onto the irradiated portion such as an optical disk, which is further reflected by the irradiated portion to generate return light and reflected by the irradiated portion. Before and after, the light passes through a coaxial path, that is, a path coaxial with the emitted light L F , is converged again by the converging means, and is received by the light receiving unit 5. The light receiving section 5 is arranged in the vicinity of the confocal point of the returning light from the irradiated section of the converging means.

【0020】戻り光は、収束手段により光回折限界(即
ちレンズの回折限界)近傍まで収束されるものであり、
受光部5はその各フォトダイオードPD1 ,PD2 の少
なくとも一部の受光面が、この光回折限界内、即ち発光
部4からの出射光の波長をλ、収束手段の開口数をNA
とするとき、発光部4からの出射光の光軸からの距離が
光の回折限界である1.22λ/NAの1/2の0.6
1λ/NA以内の位置に設けられるようにする。すなわ
ち、前述のCLC構成をなす。
The return light is converged by the converging means to the vicinity of the light diffraction limit (that is, the diffraction limit of the lens),
In the light receiving section 5, at least a part of the light receiving surface of each of the photodiodes PD 1 and PD 2 is within the light diffraction limit, that is, the wavelength of the light emitted from the light emitting section 4 is λ, and the numerical aperture of the converging means is NA.
Where, the distance from the optical axis of the light emitted from the light emitting unit 4 is 0.6 of 1/2 of 1.22λ / NA which is the diffraction limit of light.
It should be provided at a position within 1λ / NA. That is, the above-mentioned CLC configuration is formed.

【0021】一方、図18の光学装置の光学素子102
は、図17の場合と同様の構成の発光部4が形成され、
その直上に絶縁膜24および24Aをマスクとした選択
成長により、第2導電型すなわちp型の高不純物濃度の
GaAsよりなる光吸収層18、第2導電型すなわちp
型のGaAsからなる第1の半導体層30、第1導電型
すなわちn型のGaAsからなる第2の半導体層31が
形成されて、発光部4の半導体レーザLDの共振器端面
の側の第2の半導体層31には、共振器端面に対して斜
めに(111)または(110)結晶面が形成され、こ
の結晶面がフォトダイオードPD(PD1 ,PD2 )の
受光面とされている。
On the other hand, the optical element 102 of the optical device shown in FIG.
Is formed with a light emitting portion 4 having the same configuration as in FIG.
Immediately above it, by selective growth using the insulating films 24 and 24A as a mask, the light absorption layer 18 of the second conductivity type, that is, p-type GaAs with a high impurity concentration, and the second conductivity type, that is, p
Type semiconductor layer 30 made of GaAs and the second semiconductor layer 31 made of first conductivity type, that is, n type GaAs are formed. In the semiconductor layer 31, a (111) or (110) crystal plane is formed obliquely with respect to the cavity end surface, and this crystal plane is the light receiving surface of the photodiode PD (PD 1 , PD 2 ).

【0022】その他の構成は、図17の光学装置と同じ
であるので、実施例1と対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。
Since the other structure is the same as that of the optical device shown in FIG. 17, the parts corresponding to those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the duplicate description thereof will be omitted.

【0023】なお、発光部および受光部の各層の導電型
やその位置関係は、図17および図18に示した光学装
置の構成以外にもいくつかの組み合わせが考えられる。
それぞれの場合により、電極の取り出し方等が多少異な
る(特願平7−235680号参照)。
The conductive types of the layers of the light-emitting portion and the light-receiving portion and their positional relationships may have some combinations other than the configuration of the optical device shown in FIGS. 17 and 18.
The method of taking out the electrodes is slightly different depending on each case (see Japanese Patent Application No. 7-235680).

【0024】次に、これらの光学装置におけるトラッキ
ングサーボ信号検出について説明する。図19に図17
の光学装置における信号の検出を示すように、発光部4
の半導体レーザLDからレーザ光が出射され、この出射
光LF がディスク等の被照射部からの戻り光LR を生じ
て、この戻り光LR が受光部5を構成する2分割フォト
ダイオードPD1 およびPD2 において受光される。
Next, the tracking servo signal detection in these optical devices will be described. In FIG.
As shown by the detection of the signal in the optical device of the
Laser light is emitted from the semiconductor laser LD, and this emitted light L F produces return light L R from the irradiated portion such as a disk, and this return light L R forms the two-divided photodiode PD that constitutes the light receiving portion 5. Received at 1 and PD 2 .

【0025】そして、これらフォトダイオードPD1
よびPD2 で受光した信号を用いて、プッシュプル法に
より例えば差動増幅器40を介してトラッキングサーボ
信号の検出を行う。この差動増幅器40において、例え
ばフォトダイオードPD1 の信号とフォトダイオードP
2 の信号の差信号、すなわち(PD2 −PD1 )の信
号をトラッキングサーボの検出信号とする。
Then, using the signals received by the photodiodes PD 1 and PD 2 , the tracking servo signal is detected by the push-pull method, for example, via the differential amplifier 40. In the differential amplifier 40, for example, the signal of the photodiode PD 1 and the photodiode P 1
Difference signal D 2 signal, i.e., (PD 2 -PD 1) signal and a tracking servo of the detection signal.

【0026】図18に示した光学装置についても、図2
0に図18の光学装置における信号の検出を示すよう
に、図19に示したと同様にフォトダイオードPD1
よびPD2 で受光した信号を用いて、プッシュプル法に
より例えば差動増幅器40を介してトラッキングサーボ
信号の検出を行うことができる。
The optical device shown in FIG. 18 is also shown in FIG.
0 shows signal detection in the optical device of FIG. 18, the signals received by the photodiodes PD 1 and PD 2 are used in the same manner as shown in FIG. 19 by a push-pull method, for example, via a differential amplifier 40. The tracking servo signal can be detected.

【0027】このような光学装置は、従来の光学装置と
比較して、レンズのずれやディスクの反り・傾きに対す
るマージンを大きくでき、安定して正確にトラッキング
サーボ信号や光ディスク上の記録を読み出したRF信号
等の各種信号の検出ができる。
In comparison with the conventional optical device, such an optical device can increase the margin for lens displacement and disk warp / tilt, and stably and accurately read the tracking servo signal and the recording on the optical disk. Various signals such as RF signals can be detected.

【0028】続いて、本発明の光学装置の一例について
説明する。
Next, an example of the optical device of the present invention will be described.

【0029】図1に本発明の光学装置の一例(以下実施
例1とする)の側面図を示す。図1の光学装置は、図1
8に示した光学装置と同一の光学素子102が構成さ
れ、さらに光学素子102の外、この場合は斜め前方
に、複数の受光素子、すなわち2分割フォトダイオード
PD3 ,PD4 からなる第2の受光部6が形成されてな
る。
FIG. 1 shows a side view of an example of the optical device of the present invention (hereinafter referred to as Example 1). The optical device of FIG.
The same optical element 102 as that of the optical device shown in FIG. 8 is configured, and further, outside the optical element 102, in this case, diagonally forward, a plurality of light receiving elements, that is, a second photo diode PD 3 and PD 4 including a second photo diode PD 3 and PD 4. The light receiving part 6 is formed.

【0030】この実施例1の光学装置においても、前述
の図18に示した光学装置と同様に、図示しないが対物
レンズなどの収束手段を有し、発光部からの出射光LF
は、収束手段によって光ディスクなど被照射部に収束照
射され、更に被照射部から反射された戻り光LR は、被
照射部において反射される前および後において同軸の経
路、すなわち出射光LF と同軸の経路を通過して、再度
収束手段により収束されて第1の受光部5において受光
される。この第1の受光部5は収束手段の被照射部から
の戻り光LR に関する共焦点近傍に配置される。
Similarly to the optical device shown in FIG. 18, the optical device of the first embodiment also has a converging means such as an objective lens (not shown), and the light emitted from the light emitting portion L F
Is convergently irradiated onto the irradiated portion such as an optical disk by the converging means, and the return light L R reflected from the irradiated portion is converted into a coaxial path before and after being reflected by the irradiated portion, that is, the emitted light L F. The light passes through the coaxial path, is converged again by the converging means, and is received by the first light receiving unit 5. The first light receiving unit 5 is arranged near the confocal point for the return light L R from the irradiated portion of the converging means.

【0031】戻り光LR は、収束手段により光回折限界
(即ちレンズの回折限界)近傍まで収束され、第1の受
光部5のフォトダイオードPD3 ,PD4 の一部の受光
面が、この光回折限界内の位置に設けられるようにす
る。すなわち、前述のCLC構成をなすようにする。
The return light L R is converged by the converging means to the vicinity of the light diffraction limit (that is, the diffraction limit of the lens), and a part of the light receiving surfaces of the photodiodes PD 3 and PD 4 of the first light receiving section 5 is It should be provided at a position within the light diffraction limit. That is, the CLC configuration described above is formed.

【0032】そして、光学素子102上の第1の受光部
5の2分割フォトダイオードPD1,PD2 において、
戻り光LR を受光するとともにその一部を反射させて、
反射した光を斜め前方に配置された第2の受光部6の2
分割フォトダイオードPD3,PD4 において受光する
ものである。
Then, in the two-divided photodiodes PD 1 and PD 2 of the first light receiving portion 5 on the optical element 102,
The return light L R is received and a part of it is reflected,
2 of the 2nd light-receiving part 6 arrange | positioned the reflected light diagonally ahead
The divided photodiodes PD 3 and PD 4 receive light.

【0033】第2の受光部6の2分割フォトダイオード
PD3 ,PD4 は、被照射部においてジャストフォーカ
スの状態で、受光量が等しく、フォトダイオードPD3
の信号とフォトダイオードPD4 の信号が等しくなる
(すなわちPD3 =PD4 となる)ように配置され、こ
れによりナイフエッジ法によるフォーカスサーボ信号の
検出を行うことができる。
The two-divided photodiodes PD 3 and PD 4 of the second light receiving section 6 have the same amount of received light in the just-focused state in the irradiated portion, and the photodiode PD 3
And the signal of the photodiode PD 4 are equal to each other (that is, PD 3 = PD 4 ), whereby the focus servo signal can be detected by the knife edge method.

【0034】この光学装置における、ナイフエッジ法に
よるフォーカスサーボ信号の検出について説明する。図
2A、図2B、図2Cにそれぞれ被照射部例えばディス
クが収束手段、例えば対物レンズの焦点より近いとき、
焦点に合うとき、焦点より遠いときの状態を示す。
The detection of the focus servo signal by the knife edge method in this optical device will be described. 2A, 2B, and 2C, when the irradiated portion, for example, the disk is closer to the focusing means, for example, the focus of the objective lens,
When focused, it shows the state when it is far from the focus.

【0035】焦点より近い場合(NEARの状態)に
は、戻り光LR はフォトダイオードPD3 に主に照射さ
れ、受光量がフォトダイオードPD4 より大であるの
で、フォトダイオードPD3 の信号がフォトダイオード
PD4 の信号より大、すなわちPD3 >PD4 となる。
焦点に合うとき(ジャストフォーカスの状態)には、上
述のように2つのフォトダイオードPD3 ,PD4 の信
号が等しく、PD3 =PD4 となる。焦点より遠い場合
(FARの状態)には、戻り光LR はフォトダイオード
PD 4 に主に照射され、受光量がフォトダイオードPD
3 より大であるので、フォトダイオードPD4 の信号が
フォトダイオードPD3 の信号より大、すなわちPD 3
<PD4 となる。
When closer than the focus (NEAR state)
Is the return light LRIs the photodiode PD3Mainly illuminated
And the amount of light received is the photodiode PDFourGreater than
Then, the photodiode PD3Signal is photodiode
PDFourSignal is larger than PD, ie PD3> PDFourBecomes
When in focus (just focus state),
As mentioned above, two photodiodes PD3, PDFourBelief
No. equal, PD3= PDFourBecomes Far from the focus
In the (FAR state), the return light LRIs a photodiode
PD FourIs mainly irradiated to the photodiode PD
3Photodiode PD because it is largerFourSignal of
Photodiode PD3Signal is larger than PD, ie PD 3
<PDFourBecomes

【0036】従って、例えば差信号(PD3 −PD4
を検出信号として、フォーカスサーボ信号の検出を行え
ば、焦点より近い場合(NEARの状態)には、検出信
号PD3 −PD4 >0となり、焦点に合うとき(ジャス
トフォーカスの状態)には、検出信号PD3 −PD4
0となり、焦点より遠い場合(FARの状態)には、検
出信号PD3 −PD4 <0となる。図2Dに、焦点位置
と検出信号との関係を示す。
Therefore, for example, the difference signal (PD 3 -PD 4 )
When the focus servo signal is detected by using as the detection signal, the detection signal PD 3 −PD 4 > 0 when the focus is closer than the focus (NEAR state), and when the focus is achieved (just focus state), detection signal PD 3 -PD 4 =
When it is far from the focal point (FAR state), the detection signal PD 3 −PD 4 <0. FIG. 2D shows the relationship between the focus position and the detection signal.

【0037】尚、トラッキングサーボ信号の検出は、図
18の光学装置と同じく、第1の受光部5の2分割フォ
トダイオードPD1 ,PD2 により、例えば差信号(P
2−PD1 )を検出信号として検出することができ
る。
The tracking servo signal is detected by the two-divided photodiodes PD 1 and PD 2 of the first light receiving section 5 as in the optical device of FIG.
D 2 -PD 1) can be detected as a detection signal.

【0038】また、このフォトダイオードPD1 および
PD2 からの例えば(PD1 +PD 2 )の加算信号を検
出信号として、光ディスク上の記録の読み出しすなわち
RF信号の検出を行うことができる。
Further, this photodiode PD1and
PD2From eg (PD1+ PD 2) Addition signal
As the output signal, the reading of the recording on the optical disk, that is,
RF signals can be detected.

【0039】次に、この実施例1の光学装置の具体例を
図3に示す。図1および図18に示した光学素子102
が、第1の受光部5が形成された側の面を接続面として
下向きにして、表面に光学素子102の半導体レーザL
Dの出力制御モニタ用のフォトダイオードPDM が作り
込まれ、かつ表面の他の部分に電極端子が形成された第
1のシリコン基板1上にマウントされる。そして、光学
素子102の第1の受光部5のフォトダイオードPD1
およびPD2 のそれぞれの電極が配線層Cを介して端子
PD1 およびTPD2 に接続され、発光部4の半導体レー
ザLDの例えばp側の電極が配線層Cを介して端子TL
に接続され、例えばn側電極が金属細線Wを介して共通
の端子TPLに電気的に接続される。また、半導体レーザ
LDの出力制御モニタ用のフォトダイオードPDM は、
配線層Cを介して端子TPDM に接続される。
Next, a concrete example of the optical device of the first embodiment is shown in FIG. Optical element 102 shown in FIGS. 1 and 18.
However, the semiconductor laser L of the optical element 102 is provided on the surface with the surface on the side where the first light receiving section 5 is formed facing downward as the connection surface.
A photodiode PD M for output control monitoring of D is built in and mounted on the first silicon substrate 1 having electrode terminals formed on other portions of the surface. Then, the photodiode PD 1 of the first light receiving portion 5 of the optical element 102
And PD 2 are connected to the terminals T PD1 and T PD2 via the wiring layer C, and the electrode on the p-side of the semiconductor laser LD of the light emitting section 4 is connected to the terminal T L via the wiring layer C.
, And the n-side electrode is electrically connected to the common terminal T PL via the thin metal wire W, for example. Further, the photodiode PD M for the output control monitor of the semiconductor laser LD is
It is connected to the terminal T PDM via the wiring layer C.

【0040】また第1のシリコン基板1は、第2の受光
部6を構成する2分割フォトダイオードPD3 ,PD4
が作り込まれた第2のシリコン基板2上にマウントされ
る。
The first silicon substrate 1 has the two-divided photodiodes PD 3 and PD 4 constituting the second light receiving portion 6.
Is mounted on the second silicon substrate 2 in which is embedded.

【0041】第2の受光部6の2分割フォトダイオード
PD3 ,PD4 はそれぞれ配線層Cを通じて端子
PD3 ,TPD4 に接続される。そして、第2の受光部6
の2分割フォトダイオードPD3 ,PD4 は、前述のよ
うに戻り光LR の第1の受光部5による反射光を受光し
て、ジャストフォーカスの状態で受光量が等しくなるよ
うに配置形成されてなる。
The two-divided photodiodes PD 3 and PD 4 of the second light receiving section 6 are connected to the terminals T PD3 and T PD4 through the wiring layer C, respectively. Then, the second light receiving unit 6
The two-divided photodiodes PD 3 and PD 4 are arranged and formed so as to receive the reflected light of the return light L R by the first light receiving unit 5 as described above, and to equalize the amount of light received in the just-focused state. It becomes.

【0042】このように光学装置を構成することによ
り、単純な構成によりトラッキングサーボ信号、フォー
カスサーボ信号、RF信号等の検出ができる。被照射部
からの戻り光が出射光と同じ光路をたどることから、各
光学部品のアライメント調整が簡単である。また、受光
部に戻る光の割合を大きくできる。
By thus configuring the optical device, it is possible to detect the tracking servo signal, the focus servo signal, the RF signal, etc. with a simple configuration. Since the return light from the irradiated portion follows the same optical path as the emitted light, alignment adjustment of each optical component is easy. Further, the proportion of light returning to the light receiving section can be increased.

【0043】そして、レンズのずれやディスクの反り・
傾きに対するマージンを大きくできることから、安定し
た信号検出ができる。また、半導体レーザLDの端面は
劈開によって作製することができ、半導体レーザをいわ
ゆる面発光構造にする必要がない。
Then, the displacement of the lens and the warp of the disc
Since the margin for the inclination can be increased, stable signal detection can be performed. Further, the end face of the semiconductor laser LD can be produced by cleavage, and it is not necessary to make the semiconductor laser a so-called surface emitting structure.

【0044】第1の受光部5のフォトダイオードP
1 ,PD2 による受光面兼反射面は、特定の結晶面に
より形成する代わりにエッチングによる平坦面として形
成することもできる。この場合この受光面(反射面)と
基板面とのなす角度を任意に設定することができる。
The photodiode P of the first light receiving section 5
The light-receiving surface / reflection surface of D 1 and PD 2 may be formed as a flat surface by etching instead of being formed by a specific crystal surface. In this case, the angle formed by the light receiving surface (reflection surface) and the substrate surface can be set arbitrarily.

【0045】上述の実施例1においては、第2の受光部
のフォトダイオードPD3 ,PD4の受光面を、光学素
子102の半導体レーザLDの共振器長方向に平行に配
置したが、第2の受光部6の受光面の方向・水平面との
なす角度等をその他の配置としても、同様に本発明の光
学装置を構成することができる。
In the first embodiment described above, the light receiving surfaces of the photodiodes PD 3 and PD 4 of the second light receiving section are arranged in parallel with the cavity length direction of the semiconductor laser LD of the optical element 102. Even if the direction of the light receiving surface of the light receiving section 6 and the angle between the light receiving surface and the horizontal plane are other arrangements, the optical device of the present invention can be similarly configured.

【0046】いずれの構成においても、2分割フォトダ
イオードPD3 ,PD4 の受光量がジャストフォーカス
の状態で等しくなり、焦点がずれた状態では異なるよう
に配置することにより、ナイフエッジ法によるフォーカ
スサーボ信号の検出を行うことができる。この場合の光
学装置の一例を次に示す。
In either configuration, the two-divided photodiodes PD 3 and PD 4 are arranged so that the received light amounts are equal in the just-focused state and different in the defocused state, whereby the focus servo by the knife edge method is performed. Signal detection can be performed. An example of the optical device in this case is shown below.

【0047】図4は、本発明の光学装置の他の例(以下
実施例2とする)の斜視図を示す。この実施例2の光学
装置は、光学素子102の第1の受光部5の2分割フォ
トダイオードPD1 ,PD2 が形成された面に垂直に、
かつ第1の受光部5の反射面から斜め後方に第2の受光
部6のフォトダイオードPD3 ,PD4 が配置されてな
る。そして、半導体レーザLDからの出射光LF が収束
手段を介して、図示しないが被照射部に照射され、これ
より反射した戻り光LR が第1の受光部5の受光面に入
射され、かつ戻り光LR の一部が第1の受光面で反射し
て第2の受光部6に入射される。
FIG. 4 is a perspective view of another example (hereinafter referred to as Example 2) of the optical device of the present invention. In the optical device of the second embodiment, the first light receiving portion 5 of the optical element 102 is perpendicular to the surface on which the two-divided photodiodes PD 1 and PD 2 are formed,
Further, the photodiodes PD 3 and PD 4 of the second light receiving portion 6 are arranged obliquely rearward from the reflecting surface of the first light receiving portion 5. Then, the emitted light L F from the semiconductor laser LD is irradiated onto the irradiated portion (not shown) through the converging means, and the return light L R reflected from the irradiated portion is incident on the light receiving surface of the first light receiving portion 5. Moreover, a part of the return light L R is reflected by the first light receiving surface and is incident on the second light receiving unit 6.

【0048】この場合も差信号(PD3 −PD4 )を検
出信号とすることにより、図2Dに示したような検出信
号を得ることができる。
In this case as well, the detection signal as shown in FIG. 2D can be obtained by using the difference signal (PD 3 -PD 4 ) as the detection signal.

【0049】ここで前述のように、第1の受光部5によ
る反射面の角度を任意に設定できることから、第2の受
光部6を、第1の受光部5の反射面から斜め前方に配置
する構成とすることもできる。
Here, as described above, since the angle of the reflecting surface of the first light receiving section 5 can be set arbitrarily, the second light receiving section 6 is arranged obliquely forward from the reflecting surface of the first light receiving section 5. It can also be configured to.

【0050】その他、第1の受光部5と発光部4との境
界面に電流阻止層を形成する構成、第1の受光部5のフ
ォトダイオードを拡散により形成する構成、第1の受光
部5のフォトダイオードPD1 ,PD2 の分割を拡散層
やイオン注入層により行う構成等もとることができる。
In addition, a configuration in which a current blocking layer is formed on the boundary surface between the first light receiving portion 5 and the light emitting portion 4, a configuration in which the photodiode of the first light receiving portion 5 is formed by diffusion, the first light receiving portion 5 The photodiodes PD 1 and PD 2 may be divided by a diffusion layer or an ion implantation layer.

【0051】実施例1では、第1の受光部5のフォトダ
イオードPD1 およびPD2 の受光面が平行とされ、こ
れに応じて第2の受光部6を配置した構成の例である
が、PD1 の受光面とPD2 の受光面とを非平行にし
て、それぞれ異なる方向に反射光を生じさせ、これを受
光するように第2の受光部6を配置する構成とすること
もできる。この例を次に示す。
In the first embodiment, the light receiving surfaces of the photodiodes PD 1 and PD 2 of the first light receiving section 5 are parallel to each other, and the second light receiving section 6 is arranged accordingly. It is also possible to make the light receiving surface of PD 1 and the light receiving surface of PD 2 non-parallel, generate reflected light in different directions, and arrange the second light receiving unit 6 to receive this. An example of this is shown below.

【0052】図5は、本発明の光学装置のさらに他の例
(以下実施例3とする)の斜視図を示す。この実施例3
の光学装置は、第1の受光部5のフォトダイオードPD
1 とPD2 を、絶縁膜24Aをマスクとしてそれぞれ異
なる方位に選択成長させて、半導体レーザLDの共振器
端面に対して傾斜したフォトダイオードPD1 ,PD 2
の各受光面が、そのなす角度が180°でない所定の角
度となるように形成された光学素子103を構成してい
る。
FIG. 5 shows still another example of the optical device of the present invention.
A perspective view of (hereinafter, referred to as Example 3) is shown. This Example 3
The optical device is a photodiode PD of the first light receiving unit 5.
1And PD2With the insulating film 24A as a mask.
Resonator for semiconductor laser LD
Photodiode PD inclined to the end face1, PD 2
Each light-receiving surface of the specified angle is not 180 degrees
The optical element 103 formed so that
It

【0053】そして、被照射部からの戻り光LR は、こ
れら第1の受光部5のフォトダイオードPD1 およびP
2 の各受光面により、それぞれ異なる方向に反射さ
れ、それぞれ光学素子の斜め上方に形成された、第2の
受光部6の2つの2分割フォトダイオードPD3a,PD
4aとPD3b,PD4bにて受光検出される。この場合に
は、第2の受光部6の2つの2分割フォトダイオードP
3a,PD4aとPD3b,PD4bとは、互いに離れた位置
に配置形成される。
Then, the return light L R from the irradiated portion is supplied to the photodiodes PD 1 and P of the first light receiving portion 5.
The two light-receiving surfaces of D 2 reflect the light in different directions, and are formed diagonally above the optical element. The two two-divided photodiodes PD 3a , PD of the second light-receiving portion 6 are formed.
The received light is detected by 4a , PD 3b , and PD 4b . In this case, the two two-divided photodiodes P of the second light receiving unit 6
D 3a , PD 4a and PD 3b , PD 4b are arranged and formed at positions separated from each other.

【0054】このとき、第1の受光部5に照射された戻
り光LR は、それぞれフォトダイオードPD1 ,PD2
の受光面において例えば斜線で示すように照射され、こ
の受光面で反射して、反射光が第2の受光部6の2つの
2分割フォトダイオードPD 3a,PD4aとPD3b,PD
4bにおいて、それぞれ図中斜線で示すように受光検出さ
れる。
At this time, the return light applied to the first light receiving section 5 is returned.
Light LRAre the photodiodes PD1, PD2
The light-receiving surface of the
The reflected light is reflected by the light receiving surface of the
Two-part photodiode PD 3a, PD4aAnd PD3b, PD
4bIn each case, the received light is detected as indicated by the diagonal lines in the figure.
Be done.

【0055】この実施例3の場合は、図1に示した実施
例1の場合と比較して、第2の受光部6の2分割フォト
ダイオードPD3 ,PD4 が中央から2つに分かれ、そ
れぞれ半導体レーザLDからの出射光の光軸に対して対
称な位置に配置された構成に相当する。すなわち、ジャ
ストフォーカス状態で受光量がPD3a=PD4a,PD 3b
=PD4bとなるように配置形成されてなる。
In the case of the third embodiment, the embodiment shown in FIG.
Compared with the case of Example 1, the two-division photo of the second light receiving unit 6
Diode PD3, PDFourIs divided into two from the center,
Each is paired with the optical axis of the light emitted from the semiconductor laser LD.
This corresponds to a configuration arranged in a nominal position. That is, ja
The amount of light received is PD in the stroced state3a= PD4a, PD 3b
= PD4bIt is arranged and formed so that

【0056】その他の構成は、実施例1と同じであるの
で、実施例1と対応する部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。
Since the other structure is the same as that of the first embodiment, the portions corresponding to those of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted.

【0057】この実施例3の光学装置においても、実施
例1の光学装置と同様に、第1の受光部5のフォトダイ
オードPD1 ,PD2 によりプッシュプル法によるトラ
ッキングサーボ信号の検出を行い、第2の受光部6の2
つの2分割フォトダイオードPD3a,PD4aとPD3b
PD4bによりナイフエッジ法によるフォーカスサーボ信
号の検出を行うことができる。この場合は、フォーカス
サーボ信号は、例えば{(PD3a−PD4a)+(PD 3b
−PD4b)}を検出信号として検出を行う。
Also in the optical device of the third embodiment,
Similar to the optical device of Example 1, the photo die of the first light receiving unit 5 is
Aude PD1, PD2By push-pull method
Of the second light receiving section 6 is performed by detecting the locking servo signal.
Two split photodiode PD3a, PD4aAnd PD3b
PD4bFocus servo by the knife edge method
No. detection can be performed. In this case, focus
The servo signal is, for example, {(PD3a-PD4a) + (PD 3b
-PD4b)} Is used as a detection signal for detection.

【0058】この実施例3の光学装置では、第1の受光
部5による反射光を用いて、第2の受光部6の2つの2
分割フォトダイオードPD3a,PD4aとPD3b,PD4b
により、プッシュプル法によるトラッキングサーボ信号
の検出を行う構成とすることもできる。この場合も、反
射光が被照射部例えばディスクのずれや反りの影響を受
けないので、トラッキングサーボ信号にオフセットを生
じることがない。この場合は、トラッキングサーボ信号
は、例えば{(PD3a+PD4a)−(PD3b+P
4b)}を検出信号として検出を行う。尚、このとき第
1の受光部5を単に反射面とする構成をとることもでき
る。
In the optical device according to the third embodiment, the reflected light from the first light receiving portion 5 is used, and the two light receiving portions 6 of the second light receiving portion 6 are used.
Split photodiodes PD 3a , PD 4a and PD 3b , PD 4b
Thus, it is possible to adopt a configuration in which the tracking servo signal is detected by the push-pull method. Also in this case, since the reflected light is not affected by the deviation or warpage of the irradiated portion, for example, the disc, no offset occurs in the tracking servo signal. In this case, the tracking servo signal is, for example, {(PD 3a + PD 4a ) − (PD 3b + P
D4b )} is used as a detection signal for detection. At this time, the first light receiving section 5 may be simply a reflecting surface.

【0059】次に、この実施例3の光学装置の具体例を
図6に示す。図5に示した光学素子103が、第1の受
光部5が形成された側の面を接続面として下向きにし
て、表面に光学素子103の半導体レーザLDの出力制
御モニタ用のフォトダイオードPDM が作り込まれ、か
つ表面の他の部分に電極端子が形成された第1のシリコ
ン基板1上にマウントされる。そして、光学素子103
の第1の受光部5のフォトダイオードPD1 およびPD
2 のそれぞれの電極が配線層Cを介して端子TPD1 およ
びTPD2 に接続され、発光部4の半導体レーザLDの例
えばp側の電極が配線層Cを介して端子TL に接続さ
れ、例えばn側電極が金属細線Wを介して共通の端子T
PLに電気的に接続される。また、半導体レーザLDの出
力制御モニタ用のフォトダイオードPDM は、配線層C
を介して端子TPDM に接続される。
Next, FIG. 6 shows a concrete example of the optical device of the third embodiment. The optical element 103 shown in FIG. 5 faces downward with the surface on which the first light receiving portion 5 is formed as a connecting surface, and the photodiode PD M for monitoring the output control of the semiconductor laser LD of the optical element 103 is provided on the surface. And is mounted on the first silicon substrate 1 having electrode terminals formed on other portions of its surface. Then, the optical element 103
The photodiodes PD 1 and PD of the first light receiving portion 5 of
Each electrode of 2 is connected to the terminals T PD1 and T PD2 via the wiring layer C, and the electrode on the p-side of the semiconductor laser LD of the light emitting section 4 is connected to the terminal T L via the wiring layer C, for example. The n-side electrode has a common terminal T via the thin metal wire W.
Electrically connected to PL . Further, the photodiode PD M for output control monitor of the semiconductor laser LD is provided in the wiring layer C.
Is connected to the terminal T PDM via.

【0060】また第1のシリコン基板1は、第2の受光
部6を構成する2つの2分割フォトダイオードPD3a
PD4aおよびPD3b,PD4bが作り込まれた第2のシリ
コン基板2上にマウントされる。第2の受光部6の2つ
の2分割フォトダイオードPD3a,PD4aとPD3b,P
4bは、それぞれ配線層Cを通じて端子TPD3a,TPD4a
とTPD3b,TPD4bに接続される。
Further, the first silicon substrate 1 has two two-divided photodiodes PD 3a , which form the second light receiving portion 6,
The PD 4a, PD 3b , and PD 4b are mounted on the second silicon substrate 2 in which they are formed. Two two-divided photodiodes PD 3a , PD 4a and PD 3b , P of the second light receiving unit 6
D 4b is connected to terminals T PD3a and T PD4a through the wiring layer C, respectively.
And T PD3b and T PD4b .

【0061】そして、第2の受光部6の2つの2分割フ
ォトダイオードPD3a,PD4aおよびPD3b,PD
4bは、前述のように戻り光LR の第1の受光部5による
反射光を受光して、ジャストフォーカスの状態で受光量
がそれぞれ等しくなるように配置形成されてなる。
Then, the two two-divided photodiodes PD 3a , PD 4a and PD 3b , PD of the second light receiving section 6 are provided.
As described above, the reference numeral 4b receives the reflected light of the return light L R from the first light receiving portion 5, and is arranged and formed so that the received light amounts become equal in the just-focused state.

【0062】このように光学装置を構成することによ
り、実施例1の場合と同様に、単純な構成によりトラッ
キングサーボ信号、フォーカスサーボ信号、RF信号等
の検出ができる。また、その他実施例1と同様な効果を
得ることができる。
By configuring the optical device in this way, it is possible to detect the tracking servo signal, the focus servo signal, the RF signal and the like with a simple configuration, as in the case of the first embodiment. Further, the same effects as those of the other embodiment 1 can be obtained.

【0063】図7は本発明の光学装置をいわゆるレーザ
カプラに適用した場合の例(以下実施例4とする)の斜
視図を示す。
FIG. 7 shows a perspective view of an example (hereinafter referred to as Example 4) in which the optical device of the present invention is applied to a so-called laser coupler.

【0064】図7に示す光学装置は、図6に示した具体
例と同じ構成の第1のシリコン基板1および光学素子1
03をマウントしさらに第1のシリコン基板1を第2の
シリコン基板2上にマウントする。そして、第2のシリ
コン基板2の表面には、第2の受光部6の2つの2分割
フォトダイオードPD3a,PD4aとPD3b,PD4bが作
り込まれ、この2つの2分割フォトダイオードを覆っ
て、第2のシリコン基板2上にマイクロプリズム60が
載置されてなる。
The optical device shown in FIG. 7 has a first silicon substrate 1 and an optical element 1 having the same structure as the specific example shown in FIG.
03, and the first silicon substrate 1 is mounted on the second silicon substrate 2. Then, two two-divided photodiodes PD 3a , PD 4a and PD 3b , PD 4b of the second light receiving portion 6 are formed on the surface of the second silicon substrate 2, and these two two-divided photodiodes are formed. The micro prism 60 is placed on the second silicon substrate 2 so as to cover it.

【0065】マイクロプリズム60には斜面60aが形
成され、この斜面60aが半導体レーザLDの共振器端
面と向かい合って配置される。そして、半導体レーザL
Dからの出射光LF および被照射部からの戻り光LR
この斜面60aで反射され、戻り光LR が第1の受光部
5のフォトダイオードPD1 ,PD2 の受光面で受光さ
れ、かつ戻り光LR の一部がこのフォトダイオードPD
1 ,PD2 の受光面で反射した反射光が斜面60aを透
過する構成とされる。この反射光はマイクロプリズム6
0内を通過し、それぞれ第2の受光部の2分割フォトダ
イオードPD3a,PD4aおよびPD3b,PD4bにおいて
受光検出される。
A slope 60a is formed on the microprism 60, and the slope 60a is arranged so as to face the cavity end face of the semiconductor laser LD. And the semiconductor laser L
The emitted light L F from D and the return light L R from the irradiated portion are reflected by the slope 60a, and the return light L R is received by the light receiving surfaces of the photodiodes PD 1 and PD 2 of the first light receiving portion 5. , And part of the return light L R is the photodiode PD.
The reflected light reflected by the light receiving surfaces of 1 and PD 2 is transmitted through the slope 60a. This reflected light is the micro prism 6
After passing through 0, the light is detected by the two-divided photodiodes PD 3a , PD 4a and PD 3b , PD 4b of the second light receiving portion.

【0066】ここで、図21Aに通常のレーザカプラの
概略構成図を示す。出力制御モニタ用のフォトダイオー
ドPDM が作り込まれたシリコン基板48上にマウント
した半導体レーザLDを光源として、これらの部品とマ
イクロプリズム60とが基盤すなわち、例えばシリコン
基板50上に配置されてレーザカプラを構成している。
そして、マイクロプリズム60下に2つの4分割フォト
ダイオードPD1 〜PD4 ,PD5 〜PD8 が配置され
る。フォトダイオードPD1〜PD8 は、シリコン基板
50の表面に拡散などによって形成される。
Here, FIG. 21A shows a schematic configuration diagram of a normal laser coupler. A semiconductor laser LD mounted on a silicon substrate 48 in which a photodiode PD M for output control monitoring is formed is used as a light source, and these components and a micro prism 60 are arranged on a substrate, that is, a silicon substrate 50, for example, and a laser is provided. It constitutes a coupler.
Then, two 4-division photodiodes PD 1 to PD 4 and PD 5 to PD 8 are arranged below the micro prism 60. The photodiodes PD 1 to PD 8 are formed on the surface of the silicon substrate 50 by diffusion or the like.

【0067】この4分割フォトダイオードは、図21B
にその拡大図を示すように、フォトダイオードPD1
PD2 とフォトダイオードPD3 ,PD4 が対称であ
り、フォーカスおよびトラッキングが合った状態で光量
がPD1 +PD4 =PD2 +PD3 となるように配置形
成されている。PD5 〜PD8 についても同様である。
This 4-division photodiode is shown in FIG. 21B.
As shown the enlarged view, the photodiode PD 1,
The PD 2 and the photodiodes PD 3 and PD 4 are symmetrical, and are arranged and formed so that the amount of light is PD 1 + PD 4 = PD 2 + PD 3 in a state of being in focus and tracking. The same applies to PD 5 to PD 8 .

【0068】このレーザカプラでは、半導体レーザLD
からの出射光LF がマイクロプリズム60の例えば45
°のハーフミラー斜面で反射して図において垂直方向に
向かい、被照射部、例えばディスクに照射される。ディ
スクで反射された戻り光LRはマイクロプリズム60の
ハーフミラー斜面よりマイクロプリズム60内に入射さ
れ、まず4分割フォトダイオードPD1 〜PD4 で受光
されるとともに反射されて、これがマイクロプリズム6
0上面で反射された後にもう一方の4分割フォトダイオ
ードPD5 〜PD8 でも受光される。
In this laser coupler, the semiconductor laser LD
The emitted light L F from the micro prism 60 is, for example, 45.
The light is reflected by the inclined surface of the half mirror at an angle of .degree. The return light L R reflected by the disk enters the micro prism 60 from the half mirror slope of the micro prism 60, is first received by the four-division photodiodes PD 1 to PD 4 and is reflected, and this is reflected by the micro prism 6.
After being reflected by the 0 upper surface, the other four-divided photodiodes PD 5 to PD 8 also receive the light.

【0069】このレーザカプラでは、4分割フォトダイ
オードPD1 〜PD4 ,PD5 〜PD8 から得られる例
えば〔(PD1 +PD2 +PD7 +PD8 )−(PD3
+PD4 +PD5 +PD6 )〕の信号を検出信号として
プッシュプル法によりトラッキングサーボを行ってい
る。また、例えば〔(PD1 +PD4 −PD2 −P
3 )−(PD5 +PD8 −PD6 −PD7 )〕の信号
を検出信号としてフォーカスサーボを行い、例えば(P
1 +PD2 +PD3 +PD4 +PD5 +PD6 +PD
7 +PD8 )の信号すなわち全ての和信号を検出信号と
してRF信号の検出を行っている。
In this laser coupler, for example, [(PD 1 + PD 2 + PD 7 + PD 8 ) − (PD 3 ) obtained from the four-division photodiodes PD 1 to PD 4 and PD 5 to PD 8 is obtained.
+ PD 4 + PD 5 + PD 6 )] is used as a detection signal to perform tracking servo by the push-pull method. In addition, for example, [(PD 1 + PD 4 −PD 2 −P
D 3) - (PD 5 + PD 8 -PD 6 -PD 7) ] signal performs focus servo as a detection signal of, for example, (P
D 1 + PD 2 + PD 3 + PD 4 + PD 5 + PD 6 + PD
The RF signal is detected by using the signal of 7 + PD 8 ), that is, all sum signals as detection signals.

【0070】この図21の構成のレーザカプラでは、前
述のようにディスクやレンズのずれなどによりトラッキ
ングサーボ信号にオフセットが生じる欠点を有する。
The laser coupler having the structure shown in FIG. 21 has a drawback that the tracking servo signal is offset due to the displacement of the disk or the lens as described above.

【0071】これに対して、図7に示した光学装置にお
いては、トラッキングサーボ信号の検出を発光部4とC
LC構成をなす第1の受光部5で行うことにより、共焦
点の特性からオフセットを回避することができる。すな
わち、第1の受光部5の2つのフォトダイオードPD1
およびPD2 により前述の各実施例と同様に、例えば
(PD2 −PD1 )の差信号をトラッキングサーボの検
出信号として検出する。
On the other hand, in the optical device shown in FIG. 7, the tracking servo signal is detected by the light emitting section 4 and C.
By using the first light receiving unit 5 having the LC configuration, offset can be avoided from the confocal characteristic. That is, the two photodiodes PD 1 of the first light receiving unit 5
And PD 2 by the same manner as the embodiment described above, to detect for example the difference signal (PD 2 -PD 1) as the tracking servo detection signal.

【0072】尚、フォーカスサーボ信号およびRF信号
は、マイクロプリズム60下に位置する第2の受光部6
の2つの2分割フォトダイオードPD3a,PD4aおよび
PD 3b,PD4bにより検出する。すなわち、例えば
{(PD3a−PD4a)+(PD3b−PD4b)}を検出信
号としてフォーカスサーボ信号の検出を行う。
The focus servo signal and the RF signal
Is the second light receiving portion 6 located below the micro prism 60.
Two two-part photodiode PD3a, PD4aand
PD 3b, PD4bTo detect. Ie, for example
{(PD3a-PD4a) + (PD3b-PD4b)} Is detected
The focus servo signal is detected as a signal.

【0073】RF信号は、例えば(PD1 +PD2 +P
3a+PD3b+PD4a+PD4b)の信号すなわち全ての
和信号を検出信号とする。
The RF signal is, for example, (PD 1 + PD 2 + P
The signal of D 3a + PD 3b + PD 4a + PD 4b ), that is, all sum signals are used as detection signals.

【0074】このようにレーザカプラに適用した実施例
4の場合にも、実施例3と同様に第2の受光部6の2分
割フォトダイオードを用いてトラッキングサーボを行う
ことができる。
Also in the case of the fourth embodiment applied to the laser coupler as described above, the tracking servo can be performed by using the two-divided photodiode of the second light receiving section 6 as in the case of the third embodiment.

【0075】また図7の構成の光学装置において、図8
に光学素子の概略斜視図を示すように、半導体レーザL
Dの共振器の両外側にその共振器端面に対して斜面10
aを形成した、レーザチップによる光学素子105を光
源に用いることもできる。この斜面10aにより戻り光
R が反射され、図7と同様にしてマイクロプリズム6
0下の2つの2分割フォトダイオードで受光検出され、
これにより図7の場合と同様の効果を得ることができ
る。斜面10aは、例えばエッチング等により平坦面を
形成する。この例では光学素子105の共焦点位置にフ
ォトダイオードPD1 ,PD2 を作り込む必要がなく単
なる反射面(斜面10a)だけでよい。
In addition, in the optical device having the configuration of FIG.
As shown in the schematic perspective view of the optical element in FIG.
Slopes 10 are formed on both outer sides of the resonator of D with respect to the resonator end surface.
It is also possible to use the optical element 105 formed of a laser chip formed of a as a light source. The return light L R is reflected by this slope 10a, and the micro prism 6
Received light is detected by two 2-division photodiodes under 0,
As a result, the same effect as in the case of FIG. 7 can be obtained. The slope 10a forms a flat surface by etching or the like. In this example, it is not necessary to form the photodiodes PD 1 and PD 2 at the confocal position of the optical element 105, and only the reflecting surface (slope 10a) is required.

【0076】次に、図17に示した光学装置と同様に共
振器端面がフォトダイオードの受光面とされた光学素子
を用いた例を示す。図9は、本発明の光学装置のさらに
他の例(以下実施例5とする)の斜視図を示す。この光
学装置は、図17の光学素子101に、さらにその上面
のフォトダイオードPD1 ,PD2 の後方位置にフォト
ダイオードPD3 を形成した光学素子104を構成し、
さらにこの光学素子104から間隔を置いて上方にフォ
トダイオードPD4 が、光学素子104上のフォトダイ
オードPD3 と、互いの受光面が平行となるように配置
形成されてなる。
Next, similar to the optical device shown in FIG. 17, an example in which an optical element whose resonator end surface is the light receiving surface of the photodiode is used will be shown. FIG. 9 shows a perspective view of still another example (hereinafter referred to as Example 5) of the optical device of the present invention. In this optical device, an optical element 104 in which a photodiode PD 3 is formed on the upper surface of the optical element 101 in FIG. 17 and behind the photodiodes PD 1 and PD 2 is formed,
Further, a photodiode PD 4 is arranged above the optical element 104 with a space therebetween so that the photodiode PD 3 on the optical element 104 and the light receiving surfaces thereof are parallel to each other.

【0077】そして、フォトダイオードPD1 ,PD2
により第1の受光部5を構成し、2つのフォトダイオー
ドPD3 とPD4 により第2の受光部6を構成する。こ
の第2の受光部6によりフォーカスサーボ信号の検出を
行う。PD3 とPD 4 は、図示しないが、ジャストフォ
ーカスの状態において、ともに受光面が戻り光LR と平
行で、受光量がともにほぼ0となるように配置される。
Then, the photodiode PD1, PD2
The first light receiving section 5 is constituted by
De PD3And PDFourThe second light receiving portion 6 is configured by. This
Of the focus servo signal by the second light receiving section 6 of
To do. PD3And PD FourIs not shown,
In the circus state, the light receiving surface both returns the light LRAnd flat
The rows are arranged so that the received light amounts are both substantially zero.

【0078】フォトダイオードPD3 は、PD1 ,PD
2 とともに例えばPIN型構造に積層形成されたのち、
エッチングにより溝25を形成してPD1 ,PD2 と分
離されてなる。またフォトダイオードPD3 には、PD
1 ,PD2 と同様に、表面にn側の電極233が形成さ
れる。その他の構成は、図17と同じであるので、図1
7と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。
The photodiode PD 3 includes PD 1 , PD
After being laminated together with 2 , for example, a PIN type structure,
A groove 25 is formed by etching and is separated from PD 1 and PD 2 . The photodiode PD 3 has a PD
Similar to 1 and PD 2 , an n-side electrode 233 is formed on the surface. Since other configurations are the same as those in FIG. 17, FIG.
Portions corresponding to 7 are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

【0079】この実施例5の光学装置における、フォー
カスサーボ信号の検出について説明する。図10A、図
10B、図10Cにそれぞれ被照射部例えばディスクが
収束手段の焦点より近いとき、焦点に合うとき、焦点よ
り遠いときの状態を示す。
The detection of the focus servo signal in the optical device of the fifth embodiment will be described. FIGS. 10A, 10B, and 10C respectively show states when the irradiated portion, for example, the disk is closer to the focus of the converging means, when it is in focus, and when it is far from the focus.

【0080】焦点より近い場合(NEARの状態)に
は、戻り光LR はPD3 に照射され、PD4 には照射さ
れない。焦点に合うとき(ジャストフォーカスの状態)
には、戻り光LR がフォトダイオードの受光面と平行と
なるため、上述のようにともに受光量がほぼ0となる。
焦点より遠い場合(FARの状態)には、戻り光LR
PD4 に照射され、PD3 には第1の受光部5の上端で
光が蹴られるので照射されない。
When it is closer to the focal point (NEAR state), the return light L R is emitted to PD 3 and is not emitted to PD 4 . When in focus (just focus state)
In addition, since the return light L R is parallel to the light receiving surface of the photodiode, the amount of light received is almost zero as described above.
When it is far from the focal point (FAR state), the return light L R is emitted to PD 4 , and PD 3 is not emitted because the light is kicked at the upper end of the first light receiving unit 5.

【0081】従って、例えば差信号(PD3 −PD4
を検出信号として、フォーカスサーボ信号の検出を行え
ば、焦点より近い場合(NEARの状態)には、フォト
ダイオードPD4 の信号はほとんど生じないので検出信
号がPD3 −PD4 =PD3>0となり、焦点に合うと
き(ジャストフォーカスの状態)には、いずれのフォト
ダイオードの信号もほとんど生じないので検出信号がP
3 −PD4 =0−0=0となり、焦点より遠い場合
(FARの状態)には、フォトダイオードPD3の信号
はほとんど生じないので検出信号がPD3 −PD4 =−
PD4 <0となる。図10Dに、焦点位置と検出信号と
の関係を示す。
Therefore, for example, the difference signal (PD 3 −PD 4 )
When the focus servo signal is detected with the detection signal as the detection signal, a signal of the photodiode PD 4 is hardly generated when the focus servo signal is closer to the focus (NEAR state). Therefore, the detection signal is PD 3 −PD 4 = PD 3 > 0. When the focus is achieved (just focus state), almost no photodiode signal is generated, so the detection signal is P
D 3 -PD 4 = 0-0 = 0 becomes, if farther than the focus (the state of the FAR), the detection signal because the signal from the photodiode PD 3 hardly occurs PD 3 -PD 4 = -
PD 4 <0. FIG. 10D shows the relationship between the focus position and the detection signal.

【0082】トラッキングサーボ信号の検出は、図17
の光学装置と同じく、第1の受光部5の2分割フォトダ
イオードPD1 ,PD2 により、例えば差信号(PD2
−PD1 )を検出信号として検出することができる。
The tracking servo signal is detected by the method shown in FIG.
As in the optical device described above, the two-divided photodiodes PD 1 and PD 2 of the first light receiving unit 5 allow, for example, a difference signal (PD 2
-PD 1 ) can be detected as a detection signal.

【0083】また、このフォトダイオードPD1 および
PD2 からの例えば(PD1 +PD 2 )の加算信号を検
出信号として、光ディスク上の記録の読み出しすなわち
RF信号の検出を行うことができる。
Further, this photodiode PD1and
PD2From eg (PD1+ PD 2) Addition signal
As the output signal, the reading of the recording on the optical disk, that is,
RF signals can be detected.

【0084】このとき第1の受光部5は、図18に示し
た光学装置の光学素子102のように、受光面が斜面と
して形成された構成としても、同様にPD3 とPD4
配置形成して、フォーカスサーボ信号の検出を行うこと
ができる。
At this time, in the first light receiving portion 5, PD 3 and PD 4 are similarly arranged and formed even if the light receiving surface is formed as an inclined surface like the optical element 102 of the optical device shown in FIG. Then, the focus servo signal can be detected.

【0085】この実施例5の光学装置の具体例を図11
に示す。前述した第1のシリコン基板1と同様に、半導
体レーザLDの出力制御モニタ用フォトダイオードPD
M とその端子TPDM が作り込まれたシリコン基板3上
に、透明板26を介して光学素子104がマウントされ
ている。
A concrete example of the optical device of the fifth embodiment is shown in FIG.
Shown in. Similar to the first silicon substrate 1 described above, the output control monitor photodiode PD of the semiconductor laser LD
The optical element 104 is mounted via the transparent plate 26 on the silicon substrate 3 in which M and its terminal T PDM are formed.

【0086】透明板26の下のシリコン基板3には、第
2の受光部6を構成する一方のフォトダイオードPD4
(図示せず)が作りこまれ、このPD4 は配線層Cを介
してシリコン基板3の透明板26と接しない位置に形成
された端子TPD4 と接続されている。
On the silicon substrate 3 below the transparent plate 26, one photodiode PD 4 constituting the second light receiving portion 6 is formed.
(Not shown) is formed, and this PD 4 is connected via the wiring layer C to the terminal T PD4 formed at a position not in contact with the transparent plate 26 of the silicon substrate 3.

【0087】また、透明板26の表面には各電極端子が
形成され、光学素子104の第1の受光部5フォトダイ
オードPD1 ,PD2 のそれぞれの電極が配線層Cを介
して端子TPD1 ,TPD2 に接続され、第2の受光部6の
光学素子104に形成されたもう一方のフォトダイオー
ドPD3 の電極が配線層Cを介して端子TPD3 に接続さ
れ、半導体レーザLDの電極が配線層Cを介して端子T
L に接続され、フォトダイオードPDと半導体レーザL
Dの共通電極が金属細線Wにより端子TPLに接続されて
いる。
Each electrode terminal is formed on the surface of the transparent plate 26, and each electrode of the first light receiving portion 5 photodiodes PD 1 and PD 2 of the optical element 104 is connected to the terminal T PD1 via the wiring layer C. , T PD2 , the electrode of the other photodiode PD 3 formed on the optical element 104 of the second light receiving unit 6 is connected to the terminal T PD3 via the wiring layer C, and the electrode of the semiconductor laser LD is Terminal T via wiring layer C
Connected to L , photodiode PD and semiconductor laser L
The common electrode of D is connected to the terminal T PL by the thin metal wire W.

【0088】この透明板26は、レーザ光に対して透明
な材料、例えばガラス等よりなり、また図12に図11
の光学装置の要部の概略断面図を示すように、PD3
PD 4 の間のスペーサとしての役目も果たす。戻り光L
R は、この透明板26を透過し、これにより図10A〜
図10Dに示したようにフォーカスサーボ信号の検出を
行うことができる。
The transparent plate 26 is transparent to the laser light.
11 is shown in FIG.
As shown in the schematic sectional view of the main part of the optical device of FIG.3When
PD FourIt also serves as a spacer between the two. Return light L
RPenetrates through this transparent plate 26, and as a result, FIG.
As shown in FIG. 10D, the focus servo signal is detected.
It can be carried out.

【0089】第2の受光部6のフォトダイオードPD3
およびPD4 は、その一方あるいは両方を透明板26の
表面に形成する構成もとることができる。図13Aに透
明板26の断面図を示すように、例えば透明板26の両
面に、アモルファスシリコンや多結晶シリコン等によ
り、それぞれPD3 およびPD4 を形成することができ
る。この場合の光学装置の要部の概略断面図を、図13
Bに示す。この場合には、図12のように第1の受光部
5とPD3 との間に溝25を形成することや、PD 3
電極を形成する必要がなく、図17に示した光学素子1
01をそのまま用いることができる。
The photodiode PD of the second light receiving section 63
And PDFourOne or both of the transparent plate 26
The structure formed on the surface can also be taken. See FIG. 13A.
As shown in the sectional view of the bright plate 26, for example,
The surface is made of amorphous silicon or polycrystalline silicon.
Each PD3And PDFourCan be formed
It FIG. 13 is a schematic sectional view of the main part of the optical device in this case.
Shown in B. In this case, as shown in FIG.
5 and PD3Forming a groove 25 between the 3of
It is not necessary to form electrodes, and the optical element 1 shown in FIG.
01 can be used as it is.

【0090】この実施例5の光学装置によれば、トラッ
キングサーボ信号およびフォーカスサーボ信号等が安定
して得られる等、実施例1の光学装置と同様な効果を得
ることができる。また、半導体レーザLDの端面と、フ
ォトダイオードPDの受光面とは劈開によって作製する
ことができ、半導体レーザをいわゆる面発光構造にする
必要がない。
According to the optical device of the fifth embodiment, the same effects as those of the optical device of the first embodiment can be obtained such that the tracking servo signal and the focus servo signal are stably obtained. Further, the end surface of the semiconductor laser LD and the light receiving surface of the photodiode PD can be manufactured by cleavage, and it is not necessary to make the semiconductor laser a so-called surface emitting structure.

【0091】上述のように、本発明による光学装置で
は、面発光構造の半導体レーザLDではなく、通常の半
導体レーザの製造工程と同様にして作製可能な劈開共振
器型の半導体レーザLDが形成された、CLC構成の光
学素子を用いることを基本としているため、レーザ特性
や信頼性に有利である。
As described above, in the optical device according to the present invention, not the semiconductor laser LD having the surface emitting structure but the cleave resonator type semiconductor laser LD which can be manufactured in the same manner as the manufacturing process of a normal semiconductor laser is formed. Moreover, since it is basically based on the use of an optical element having a CLC structure, it is advantageous in laser characteristics and reliability.

【0092】また、CLC構成の光学素子とは別にフォ
トダイオード受光素子を追加して配置形成するだけの構
成であるため、装置の構造が非常に単純であり、かつ、
図21の現行のレーザカプラのマイクロプリズムのよう
な特殊な光学部品がなくとも、RF信号、トラッキング
信号、フォーカス信号を得ることができるため、ピック
アップとして、作製プロセスやコスト面で有利である。
Further, the structure of the device is very simple because the photodiode light receiving element is separately arranged and formed separately from the optical element having the CLC structure.
Since it is possible to obtain an RF signal, a tracking signal, and a focus signal without a special optical component such as the micro prism of the existing laser coupler shown in FIG. 21, the pickup is advantageous in terms of manufacturing process and cost.

【0093】さらに、本発明の光学装置は、共焦点近傍
の第1の受光部においてプッシュプル法を適用して1ス
ポット検出によりトラッキングサーボを行うので、レン
ズの横移動やディスクの反り等に対して安定で、しかも
3スポット法によるトラッキングサーボを行う場合と比
較して光の利用効率も高い。
Further, in the optical device of the present invention, the push-pull method is applied in the first light receiving portion near the confocal point to perform the tracking servo by the detection of one spot, so that the lateral movement of the lens and the warp of the disk can be prevented. It is stable and stable, and the light utilization efficiency is higher than that in the case of performing tracking servo by the three-spot method.

【0094】そして、あとはレンズ等の収束手段を加え
るだけで光ピックアップが構成でき、また共焦点光学系
を構成するため、光学部品のアライメントが極めて容易
である。すなわち、光学系に対する設計の自由度や許容
性が非常に大きい。
After that, the optical pickup can be constructed only by adding a converging means such as a lens, and since the confocal optical system is constructed, the alignment of the optical parts is extremely easy. That is, the degree of freedom in designing and tolerance of the optical system is very large.

【0095】さらに、本発明の光学装置は横方向出射構
造を基本としているため、図14に本発明の光学装置を
適用した光学ピックアップの概略構成図を示すように、
例えば図6の実施例3の具体例の光学装置と同様に、光
学素子10がマウントされた第1のシリコン基板1が第
2のシリコン基板2上にマウントされ、第2のシリコン
基板2表面に受光部6が形成された構成をとり、これと
例えば対物レンズ等の収束手段8と立ち上げミラー27
とを組み合わせることができる。
Further, since the optical device of the present invention is based on the lateral emission structure, as shown in FIG. 14, a schematic configuration diagram of an optical pickup to which the optical device of the present invention is applied is shown.
For example, similarly to the optical device of the specific example of Example 3 in FIG. 6, the first silicon substrate 1 on which the optical element 10 is mounted is mounted on the second silicon substrate 2, and the surface of the second silicon substrate 2 is mounted. The light receiving portion 6 is formed, and the light receiving portion 6 and the converging means 8 such as an objective lens and the rising mirror 27 are formed.
And can be combined.

【0096】光学素子10の発光部から出射した光が、
立ち上げミラー27で反射され、その方向を鉛直方向と
され、収束手段8で収束され、被照射部9例えばディス
クに照射される。このようにすると、光学装置の大きさ
に比して厚みが小とされた薄型の光学ピックアップに適
用しやすい構成が取れる。
The light emitted from the light emitting portion of the optical element 10 is
The light is reflected by the rising mirror 27, its direction is changed to the vertical direction, converged by the converging means 8, and irradiated onto the irradiated portion 9, for example, a disk. With this configuration, it is possible to adopt a configuration that can be easily applied to a thin optical pickup whose thickness is smaller than the size of the optical device.

【0097】本発明の光学装置によれば、例えばフリッ
プチップ実装を基本とした、量産性やコストに優れた光
ピックアップが実現できる。また、フォトダイオードを
作り込んだシリコン基板には、種々の信号処理回路を内
蔵することが容易にできる。
According to the optical device of the present invention, it is possible to realize an optical pickup which is based on flip-chip mounting and is excellent in mass productivity and cost. Further, various signal processing circuits can be easily incorporated in the silicon substrate in which the photodiode is built.

【0098】また、本発明の光学装置を光磁気ディスク
の信号検出すなわち光磁気信号の検出にも適用すること
ができる。例えば実施例1の光学装置の場合は、図15
に光学装置の要部の拡大図を示すように、図3の第2の
シリコン基板2表面に形成された、第2の受光部6のフ
ォトダイオードPD3 ,PD4 を、それぞれ2分割して
PD3a,PD3bおよびPD 4a,PD4bとして、各フォト
ダイオードの上にワイヤグリッドからなる偏光子28を
形成する。このとき、偏光子28のワイヤグリッド格子
の方向をPD3aおよびPD4aとPD3bおよびPD4bにお
いて、互いに直交する方向になるように形成する。
Further, the optical device of the present invention is used as a magneto-optical disk.
Also applicable to signal detection, that is, detection of magneto-optical signal
You can For example, in the case of the optical device of Example 1, FIG.
As shown in the enlarged view of the main part of the optical device in FIG.
The second light receiving portion 6 formed on the surface of the silicon substrate 2
Photodiode PD3, PDFourEach into two
PD3a, PD3bAnd PD 4a, PD4bAs each photo
A polarizer 28 consisting of a wire grid on top of the diode
Form. At this time, the wire grid grating of the polarizer 28
The direction of PD3aAnd PD4aAnd PD3bAnd PD4bTo
And are formed so as to be orthogonal to each other.

【0099】そして、フォーカスサーボ信号は、例えば
{(PD3a+PD3b)−(PD4a+PD4b)}を検出信
号として検出を行う。また光磁気信号は、例えば{(P
3a+PD4a)−(PD3b+PD4b)}を検出信号とす
れば、偏光の方向により信号が正負に変わることから、
光磁気信号の検出を行うことができる。
The focus servo signal is detected using, for example, {(PD 3a + PD 3b ) − (PD 4a + PD 4b )} as a detection signal. The magneto-optical signal is, for example, {(P
If D 3a + PD 4a ) − (PD 3b + PD 4b )} is used as the detection signal, the signal changes between positive and negative depending on the polarization direction.
It is possible to detect a magneto-optical signal.

【0100】実施例3および実施例5の光学装置でも同
様にして、光磁気信号の検出を行う構成を採ることがで
きる。
The optical devices of the third and fifth embodiments can also be configured to detect the magneto-optical signal in the same manner.

【0101】図16Aに、光磁気信号を検出する構成の
光学装置の他の例の概略側面図を示す。この光学装置
は、図9に示した実施例5の光学装置に対して、光学素
子106の共焦点近傍の第1の受光部5のフォトダイオ
ードPD1 ,PD2 の受光面を共振器端面に対して斜面
として形成し、この受光面で戻り光LR を反射して、光
学素子106の斜め前方に配置形成した第3の受光部7
で受光するものである。
FIG. 16A shows a schematic side view of another example of the optical device configured to detect a magneto-optical signal. This optical device is different from the optical device of the fifth embodiment shown in FIG. 9 in that the light-receiving surfaces of the photodiodes PD 1 and PD 2 of the first light-receiving section 5 near the confocal point of the optical element 106 are the end faces of the resonator. On the other hand, the third light receiving portion 7 is formed as an inclined surface, the return light L R is reflected by this light receiving surface, and the third light receiving portion 7 is formed obliquely in front of the optical element 106.
Is received by.

【0102】第3の受光部7には、2分割フォトダイオ
ードPD5a,PD5bが形成され、その表面に例えばワイ
ヤグリッドによる格子が形成された偏光子28が形成さ
れる。そして、図16Bに図16Aの第3の受光部の拡
大平面図を示すように、ワイヤグリッド格子の方向は、
PD5aとPD5bでそれぞれ直交する方向に形成する。
In the third light receiving portion 7, two-divided photodiodes PD 5a and PD 5b are formed, and a polarizer 28 having a grid formed by, for example, a wire grid is formed on the surface thereof. Then, as shown in the enlarged plan view of the third light receiving portion of FIG. 16A in FIG. 16B, the direction of the wire grid grating is
PD 5a and PD 5b are formed in directions orthogonal to each other.

【0103】このような構成とすれば、例えば(PD5a
−PD5b)を検出信号として、光磁気信号の検出を行う
ことができる。
With such a configuration, for example (PD 5a
-PD 5b ) can be used as a detection signal to detect a magneto-optical signal.

【0104】また本発明の光学装置は、半導体レーザL
Dを高出力化することで、容易に光磁気記録や相変化記
録等の記録媒体への記録用の光学装置として適用でき
る。半導体レーザLDは、現在用いられているさまざま
な構造を適用することができる。また光学素子を構成す
る材料は、上述のAlGaAs−GaAs系の他に例え
ば、AlGaInP系、ZnMgSSe系、InGaA
sP系やその他の半導体レーザを作成可能な材料系によ
り構成することができる。
The optical device of the present invention is a semiconductor laser L.
By increasing the output of D, it can be easily applied as an optical device for recording on a recording medium such as magneto-optical recording or phase change recording. Various structures currently used can be applied to the semiconductor laser LD. The material forming the optical element is, for example, AlGaInP-based, ZnMgSSe-based, InGaA in addition to the above AlGaAs-GaAs-based material.
It can be made of an sP system or other material system capable of producing a semiconductor laser.

【0105】上述の各例は本発明の光学装置の一例であ
り、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成
が取り得る。
Each of the above examples is an example of the optical device of the present invention, and various other configurations can be adopted without departing from the scope of the present invention.

【0106】本発明の光学装置を適用する被照射部とし
ては、例えばコンパクトディスク、相変化光ディスク、
光磁気ディスク等の各種光学ディスクを適用することが
できる。いずれの場合も本発明の光学装置を適用するこ
とにより、安定してフォーカスサーボ信号およびトラッ
キングサーボ信号等各種信号の検出ができる。
The irradiated portion to which the optical device of the present invention is applied includes, for example, compact discs, phase change optical discs,
Various optical disks such as a magneto-optical disk can be applied. In any case, by applying the optical device of the present invention, various signals such as the focus servo signal and the tracking servo signal can be stably detected.

【0107】[0107]

【発明の効果】上述の本発明によれば、発光部に戻る光
の共焦点の近傍に第1の受光部を配置し、特に発光部と
第1の受光部とを同一基板上に形成することにより、光
学装置全体のサイズが縮小でき、光学部品の点数を少な
くすることができる。これにより光学装置の小型化が図
られることになる。
According to the present invention described above, the first light receiving portion is arranged in the vicinity of the confocal point of the light returning to the light emitting portion, and in particular, the light emitting portion and the first light receiving portion are formed on the same substrate. As a result, the size of the entire optical device can be reduced, and the number of optical components can be reduced. As a result, the size of the optical device can be reduced.

【0108】また出射光と戻り光が同軸の経路をたどる
ことから、光学系が単純になり、特殊な部品を必要とせ
ず、しかも位置合わせの調整が簡単になる。その上ビー
ムスプリッタ等で分割する従来の場合と比較して、受光
部に戻る光の割合を大きくでき、受光量を多くできる。
従って、より低いレーザ出力で同じ受光量を実現でき、
消費電力の少ない光学装置を構成することができる。
Further, since the emitted light and the returned light follow the coaxial path, the optical system becomes simple, no special parts are required, and the alignment adjustment becomes easy. In addition, the proportion of light returning to the light receiving portion can be increased and the amount of light received can be increased as compared with the conventional case of splitting with a beam splitter or the like.
Therefore, the same amount of light received can be achieved with a lower laser output,
An optical device with low power consumption can be constructed.

【0109】戻り光の共焦点近傍で受光することによ
り、遠視野で行う場合よりも安定して正確にプッシュプ
ル検出を行うことができることから、安定したトラッキ
ングサーボ信号検出が可能である。さらに戻り光を分割
させ第2の受光部で検出することにより、特殊なプリズ
ム等を必要とせずにフォーカスサーボ信号等の各種信号
の検出ができる。
By receiving the return light in the vicinity of the confocal point, the push-pull detection can be performed more accurately and more stably than in the case of performing in the far field. Therefore, stable tracking servo signal detection can be performed. Further, by dividing the return light and detecting it by the second light receiving portion, various signals such as focus servo signals can be detected without the need for a special prism or the like.

【0110】そして本発明の光学装置は、水平共振器型
のレーザを有するCLC構成の光学素子と、その外に追
加したフォトダイオード等の受光素子とからなる単純な
構成とされる。従って、簡易な製造工程で光学ピックア
ップ等の光学装置を製造できる。
The optical device of the present invention has a simple structure including an optical element having a CLC structure having a horizontal resonator type laser and a light receiving element such as a photodiode added to the optical element. Therefore, an optical device such as an optical pickup can be manufactured by a simple manufacturing process.

【0111】また本発明の光学装置では発光部を面発光
構造にする必要がないため、通常の半導体レーザ構造の
製造プロセスと同様にして作製でき、かつレーザ特性や
信頼性に有利である。また半導体レーザの構造や光学装
置を構成する光学系の設計の許容性・自由度も大きい。
従って、光学装置の設計および製造が容易にできるよう
になる。
Further, in the optical device of the present invention, since it is not necessary to make the light emitting portion have a surface emitting structure, it can be manufactured in the same manner as the manufacturing process of a normal semiconductor laser structure, and is advantageous in laser characteristics and reliability. In addition, the design and tolerance of the structure of the semiconductor laser and the optical system constituting the optical device are large.
Therefore, the optical device can be easily designed and manufactured.

【0112】本発明を、光ディスク、相変化光ディス
ク、光磁気ディスクを光記録媒体として用いる光学装置
に適用することにより、従来より低消費電力化、装置の
小型化、信号検出すなわち再生や記録の安定化を図るこ
とができることから、性能の優れた光学装置を実現する
ことができる。
By applying the present invention to an optical device using an optical disk, a phase change optical disk, or a magneto-optical disk as an optical recording medium, lower power consumption than before, downsizing of the device, stable signal detection, that is, reproduction and recording can be achieved. Therefore, it is possible to realize an optical device having excellent performance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光学装置の一例の側面図である。FIG. 1 is a side view of an example of an optical device of the present invention.

【図2】A、B、C 図1の光学装置におけるフォーカ
スサーボ信号の検出を示す図である。 D 焦点位置とフォーカスサーボ信号の検出信号の図で
ある。
2A, 2B, and 2C are diagrams showing detection of focus servo signals in the optical device of FIG. FIG. 6 is a diagram showing detection signals of a focus position and a focus servo signal.

【図3】図1の光学装置の具体例を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing a specific example of the optical device of FIG.

【図4】第2の受光部の受光面を共振器端面と平行とし
た例の図である。
FIG. 4 is a diagram of an example in which a light receiving surface of a second light receiving section is parallel to a resonator end surface.

【図5】本発明の光学装置の他の例の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of another example of the optical device of the present invention.

【図6】図5の光学装置の具体例を示した図である。FIG. 6 is a diagram showing a specific example of the optical device of FIG.

【図7】図5の光学装置をレーザカプラに適用した概略
図である。
7 is a schematic diagram in which the optical device of FIG. 5 is applied to a laser coupler.

【図8】共振器の両外側に共振器端面に対して斜面を形
成した光学素子の概略斜視図である。
FIG. 8 is a schematic perspective view of an optical element in which slopes are formed on both outer sides of the resonator with respect to the resonator end surface.

【図9】本発明の光学装置のさらに他の例の概略図であ
る。
FIG. 9 is a schematic view of still another example of the optical device of the present invention.

【図10】A、B、C 図1の光学装置におけるフォー
カスサーボ信号の検出を示す図である。 D フォーカスサーボ信号の検出信号の曲線である。
10A, 10B, and 10C are diagrams showing detection of a focus servo signal in the optical device of FIGS. D is a curve of the detection signal of the focus servo signal.

【図11】図9の光学装置の具体例を示した図である。FIG. 11 is a diagram showing a specific example of the optical device of FIG.

【図12】図11の光学装置の要部の概略断面図であ
る。
12 is a schematic cross-sectional view of a main part of the optical device in FIG.

【図13】A 透明板の概略断面図である。 B 図13Aの透明板を用いた光学装置の要部の概略断
面図である。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of an A transparent plate. B is a schematic cross-sectional view of a main part of an optical device using the transparent plate of FIG. 13A.

【図14】本発明の光学装置を適用した光学装置を適用
した光学ピックアップの概略構成図である。
FIG. 14 is a schematic configuration diagram of an optical pickup to which an optical device to which the optical device of the present invention is applied.

【図15】本発明の光学装置の一例の要部の拡大図であ
る。
FIG. 15 is an enlarged view of a main part of an example of the optical device of the present invention.

【図16】A 光磁気信号を検出する構成の光学装置の
例の概略側面図である。 B 図16Aの第3の受光部の拡大平面図である。
FIG. 16 is a schematic side view of an example of an optical device configured to detect an A magneto-optical signal. 16B is an enlarged plan view of the third light receiving unit of FIG. 16A.

【図17】本発明の光学装置に供するCLC構成の光学
素子を有する光学装置の一例の斜視図である。
FIG. 17 is a perspective view of an example of an optical device having an optical element having a CLC configuration, which is used in the optical device of the present invention.

【図18】本発明の光学装置に供するCLC構成の光学
素子を有する光学装置の他の例の斜視図である。
FIG. 18 is a perspective view of another example of an optical device having an optical element having a CLC configuration, which is used in the optical device of the present invention.

【図19】図17の光学装置における信号の検出を示す
図である。
19 is a diagram showing detection of a signal in the optical device of FIG.

【図20】図18の光学装置における信号の検出を示す
図である。
20 is a diagram showing detection of a signal in the optical device of FIG.

【図21】A 通常のレーザカプラの概略斜視図であ
る。 B 図21Aの4分割フォトダイオードの拡大平面図で
ある。
FIG. 21 is a schematic perspective view of a normal laser coupler. B is an enlarged plan view of the 4-division photodiode of FIG. 21A.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のシリコン基板 2 第2のシリコン基板 3 シリコン基板 4 発光部 LD 半導体レーザ 5 受光部、第1の受光部 6 第2の受光部 7 第3の受光部 8 収束手段 9 被照射部 LF 出射光 LR 戻り光 PD(PD1 〜PD8 ) フォトダイオード 10、101、102、103、104、105、10
6 光学素子 11 半導体基板 12 バッファ層 13 第1のクラッド層 14 活性層 15 第2のクラッド層 16 キャップ層 17 電流狭窄層 18 光吸収層 19 第1の半導体層(第2導電型) 20 第2の半導体層(i型) 21 第3の半導体層(第1導電型) 22 p側電極 23、231、232、233 n側電極 24、24A 絶縁膜 25 溝 26 透明板 27 立ち上げミラー 28 偏光子 30 第1の半導体層(第2導電型) 31 第2の半導体層(第1導電型) 35 絶縁膜 40 差動増幅器 45 絶縁膜 PDM 出力制御モニタ用フォトダイオード TPD1 、TPD2 、TPD3 、TPD4 端子 TL 、TPL、TM 端子 48、50 シリコン基板 60 マイクロプリズム
1 1st silicon substrate 2 2nd silicon substrate 3 silicon substrate 4 light-emitting part LD semiconductor laser 5 light-receiving part, 1st light-receiving part 6 2nd light-receiving part 7 3rd light-receiving part 8 converging means 9 irradiated part L F emission light L R return light PD (PD 1 to PD 8 ) photodiodes 10, 101, 102, 103, 104, 105, 10
6 Optical element 11 Semiconductor substrate 12 Buffer layer 13 First clad layer 14 Active layer 15 Second clad layer 16 Cap layer 17 Current confinement layer 18 Light absorption layer 19 First semiconductor layer (second conductivity type) 20 Second Semiconductor layer (i type) 21 third semiconductor layer (first conductivity type) 22 p-side electrode 23, 231, 232, 233 n-side electrode 24, 24A insulating film 25 groove 26 transparent plate 27 rising mirror 28 polarizer 30 first semiconductor layer (second conductivity type) 31 second semiconductor layer (first conductivity type) 35 insulating film 40 differential amplifier 45 insulating film PD M output control monitor photodiodes T PD1 , T PD2 , T PD3 , T PD4 terminal T L , T PL , T M terminal 48, 50 Silicon substrate 60 Micro prism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘンドリック ザバト 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−244881(JP,A) 特開 平6−215432(JP,A) 特開 平1−18291(JP,A) 国際公開95/18444(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/08 - 7/135 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hendrick Zabat 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Within Sony Corporation (56) Reference JP-A-7-244881 (JP, A) JP-A 6-215432 (JP, A) JP-A-1-18291 (JP, A) International Publication 95/18444 (WO, A1) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 7/ 08- 7/135

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 互いに近接するように発光部と少なくと
も1つ以上の第1の受光部とが同一基板上に積層され、 上記発光部の共振器端面から出射した光の被照射部から
の該共振器端面に向かう戻り光を上記第1の受光部によ
って共焦点近傍で受光検出する光学素子と、 上記光学素子外に形成された複数の受光素子からなる第
2の受光部とを有し、 上記第1の受光部が、上記発光部の共振器端面に対して
斜めの角度をなすと共に互いに異なる方向に形成された
複数の受光面を有し、 上記複数の受光面により共焦点近傍の上記戻り光を互い
に異なる複数の方向に分割して反射させて、分割した各
戻り光をそれぞれ対応する上記第2の受光部の複数の受
光素子により受光検出することを特徴とする光学装置。
1. A light emitting section and at least one or more first light receiving sections are laminated on the same substrate so as to be close to each other, and the light emitted from a resonator end face of the light emitting section from an irradiated section is emitted from the irradiated section. An optical element for detecting return light traveling toward the cavity end face by the first light receiving section near the confocal point, and a second light receiving section formed of a plurality of light receiving elements formed outside the optical element, The first light receiving portion has a plurality of light receiving surfaces that are formed in different directions while forming an oblique angle with respect to the resonator end surface of the light emitting portion, and the plurality of light receiving surfaces are provided near the confocal point. An optical device, characterized in that return light is divided and reflected in a plurality of different directions, and each of the divided return lights is detected by a plurality of light receiving elements of the corresponding second light receiving section.
【請求項2】 上記第2の受光部によりフォーカスサー
ボ信号の検出を行うことを特徴とする請求項1に記載の
光学装置。
2. The optical device according to claim 1 , wherein a focus servo signal is detected by the second light receiving section.
【請求項3】 互いに近接するように発光部と少なくと
も1つ以上の第1の受光部とが同一基板上に積層され、 上記発光部の共振器端面から出射した光の被照射部から
の該共振器端面に向かう戻り光を上記第1の受光部によ
って共焦点近傍で受光検出する光学素子と、 上記光学素子上に形成された第1の受光素子と上記光学
素子外に形成された第2の受光素子とから成る第2の受
光部とを有し、 上記第1の受光素子及び上記第2の受光素子が、受光面
を互いに向かい合わせて平行に配置形成されていること
を特徴とする光学装置。
3. A light emitting part and at least one or more first light receiving parts are laminated on the same substrate so as to be close to each other, and the light emitted from the end face of the resonator of the light emitting part is irradiated from the irradiated part. An optical element for detecting return light traveling toward the cavity end face by the first light receiving section near the confocal point, a first light receiving element formed on the optical element, and a second light receiving element formed outside the optical element. And a second light receiving section including a second light receiving element, and the first light receiving element and the second light receiving element are arranged in parallel with their light receiving surfaces facing each other. Optical device.
【請求項4】 上記第2の受光部によりフォーカスサー
ボ信号の検出を行うことを特徴とする請求項3に記載の
光学装置。
4. The optical device according to claim 3 , wherein a focus servo signal is detected by the second light receiving section.
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