JP2001250255A - Optical apparatus and optical disk device - Google Patents

Optical apparatus and optical disk device

Info

Publication number
JP2001250255A
JP2001250255A JP2000056899A JP2000056899A JP2001250255A JP 2001250255 A JP2001250255 A JP 2001250255A JP 2000056899 A JP2000056899 A JP 2000056899A JP 2000056899 A JP2000056899 A JP 2000056899A JP 2001250255 A JP2001250255 A JP 2001250255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser
optical
wavelength
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000056899A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Nemoto
和彦 根本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000056899A priority Critical patent/JP2001250255A/en
Publication of JP2001250255A publication Critical patent/JP2001250255A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and effectively shorten the wavelength of a laser beam without using a semiconductor laser of a short wavelength, for example in an optical apparatus or an optical disk device that uses a two wavelength laser. SOLUTION: Plural laser diodes LD3, LD2 that emit plural mutually different laser beams L3, L2 respectively are parallelly placed in a direction crossing the emitting direction; and an SHG element 100 for changing the wavelength of the light is provided on the outgoing light side of the laser diodes LD3, LD2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、互いに異なる複数
の光をそれぞれ出射する複数の発光素子が光出射方向と
交差する方向に並置されている光学装置(特にレーザカ
プラ)、及び前記複数の光をディスク状情報記録媒体に
照射してその反射光で情報を読み取る光ディスク装置に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical device (particularly a laser coupler) in which a plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of different lights are juxtaposed in a direction intersecting the light emitting direction, and the plurality of lights. The present invention relates to an optical disc device that irradiates a disc-shaped information recording medium with light and reads information with the reflected light.

【0002】[0002]

【従来の技術】CD(コンパクトディスク)、DVD
(デジタルビデオディスク)又はMD(ミニディスク)
等の如く、光学的に情報を記録及び/又は再生する光学
記録媒体(以下、光ディスクと称することがある。)に
記録された情報の読み取り(再生)、或いはそれらへの
情報の書き込み(記録)を行う装置(以下、光ディスク
装置と称することがある。)には、光ピックアップが内
蔵されている。
2. Description of the Related Art CD (Compact Disk), DVD
(Digital Video Disc) or MD (Mini Disc)
Read (reproduce) information recorded on an optical recording medium for optically recording and / or reproducing information (hereinafter, may be referred to as an optical disk), or write (record) information to or from them. (Hereinafter, may be referred to as an optical disk device) has a built-in optical pickup.

【0003】こうした光ディスク装置や光ピックアップ
においては、一般に、光ディスクの種類(光ディスクシ
ステム)が異なる場合には、波長の異なるレーザ光を用
いる。例えば、CDの再生などには780nm帯の波長
のレーザ光を、DVDの再生などには650nm帯の波
長のレーザ光を用いる。
In such an optical disk device or optical pickup, laser beams having different wavelengths are generally used when the type of optical disk (optical disk system) is different. For example, a laser beam having a wavelength of 780 nm is used for reproducing a CD, and a laser beam having a wavelength of 650 nm is used for reproducing a DVD.

【0004】このように光ディスクの種類によってレー
ザ光の波長が異なる状況において、例えばDVD用の光
ディスク装置でCDの再生を可能にするコンパチブル光
ピックアップが望まれている。
In such a situation where the wavelength of the laser beam differs depending on the type of the optical disk, a compatible optical pickup which enables reproduction of a CD by an optical disk device for a DVD, for example, is desired.

【0005】図14は、上記のようなCD用のレーザダ
イオードLD1(発光波長780nm)とDVD用のレ
ーザダイオードLD2(発光波長650nm)とを搭載
し、CDとDVDの再生を可能にした従来のコンパチブ
ル光ピックアップ100の概略構成図である。
[0005] Fig. 14 shows a conventional laser diode LD1 (emission wavelength 780 nm) for a CD and a laser diode LD2 (emission wavelength 650 nm) for a DVD as described above, which enable reproduction of a CD and a DVD. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a compatible optical pickup 100.

【0006】この光ピックアップ100は、例えば78
0nm帯の波長のレーザ光を出射する第1レーザダイオ
ードLD1、グレーティングG、第1ビームスプリッタ
BS1、第1ミラーM1、第1対物レンズOL1、第1
マルチレンズML1、及び第1フォトダイオードPD1
がそれぞれ個々に(即ち、ディスクリートに)所定の位
置に配設されたCD用光学系を有する。
The optical pickup 100 is, for example, 78
A first laser diode LD1, a grating G, a first beam splitter BS1, a first mirror M1, a first objective lens OL1, a first laser diode LD1, which emits a laser beam having a wavelength of 0 nm band.
Multi-lens ML1 and first photodiode PD1
Have a CD optical system individually (ie, discretely) disposed at predetermined positions.

【0007】さらに、この光ピックアップ100は、例
えば650nm帯の波長のレーザ光を出射する第2レー
ザダイオードLD2、第2ビームスプリッタBS2、コ
リメータC、第2ミラーM2、第2対物レンズOL2、
第2マルチレンズML2、及び第2フォトダイオードP
D2がそれぞれ個々に(即ち、ディスクリートに)所定
の位置に配設されたDVD用光学系を有する。
Further, the optical pickup 100 has a second laser diode LD2, a second beam splitter BS2, a collimator C, a second mirror M2, a second objective lens OL2, which emits a laser beam having a wavelength in the 650 nm band, for example.
Second multi-lens ML2 and second photodiode P
D2 has DVD optical systems individually (ie, discretely) arranged at predetermined positions.

【0008】このように構成された光ピックアップ10
0のCD用光学系において、第1レーザダイオードLD
1からの第1レーザ光L1は、グレーティングGを通過
し、第1ビームスプリッタBS1によって一部反射さ
れ、第1ミラーM1により進路を屈曲して、第1対物レ
ンズOL1により光ディスクD上に集光される。
[0008] The optical pickup 10 thus configured
0, the first laser diode LD
The first laser light L1 from 1 passes through the grating G, is partially reflected by the first beam splitter BS1, bends the path by the first mirror M1, and is condensed on the optical disk D by the first objective lens OL1. Is done.

【0009】光ディスクDからの反射光は、第1対物レ
ンズOL1、第1ミラーM1および第1ビームスプリッ
タBS1を介して、第1マルチレンズML1を通過し、
第1フォトダイオードPD1上に入射され、この反射光
の変化により、光ディスクDのCD用記録面上に記録さ
れた情報の読み出しがなされる。
The reflected light from the optical disc D passes through the first multi-lens ML1 via the first objective lens OL1, the first mirror M1, and the first beam splitter BS1, and
The light is incident on the first photodiode PD1, and the information recorded on the CD recording surface of the optical disk D is read by the change in the reflected light.

【0010】また、光ピックアップ100のDVD用光
学系においても、上記と同様に、第2レーザダイオード
LD2からの第2レーザ光L2は、第2ビームスプリッ
タBS2によって一部反射され、コリメータCを通過し
て、第2ミラーM2により進路を屈曲して、第2対物レ
ンズOL2により光ディスクD上に集光される。
Also in the DVD optical system of the optical pickup 100, the second laser beam L2 from the second laser diode LD2 is partially reflected by the second beam splitter BS2 and passes through the collimator C in the same manner as described above. Then, the path is bent by the second mirror M2, and the light is focused on the optical disk D by the second objective lens OL2.

【0011】光ディスクDからの反射光は、第2対物レ
ンズOL2、第2ミラーM2、コリメータCおよび第2
ビームスプリッタBS2を介して、第2マルチレンズM
L2を通過し、第2フォトダイオードPD2上に入射さ
れ、この反射光の変化により光ディスクDのDVD用記
録面上に記録された情報の読み出しがなされる。
The reflected light from the optical disk D is transmitted to the second objective lens OL2, the second mirror M2, the collimator C, and the second objective lens OL2.
Through the beam splitter BS2, the second multi-lens M
After passing through L2, it is incident on the second photodiode PD2, and the information recorded on the DVD recording surface of the optical disk D is read by the change of the reflected light.

【0012】この光ピックアップ100によれば、CD
用のレーザダイオードとDVD用のレーザダイオードを
搭載し、それぞれの光学系を有することにより、CDと
DVDの再生を可能にしている。
According to the optical pickup 100, the CD
A laser diode for DVD and a laser diode for DVD are mounted, and the respective optical systems enable reproduction of CD and DVD.

【0013】また、図15は、上記のようなCD用のレ
ーザダイオードLD1(発振波長780nm)とDVD
用のレーザダイオードLD2(発振波長650nm)を
搭載し、CDとDVDの再生を可能にした従来の他のコ
ンパチブル光ピックアップ101の概略構成図である。
FIG. 15 shows a laser diode LD1 for a CD (oscillation wavelength of 780 nm) and a DVD as described above.
Configuration diagram of another conventional compatible optical pickup 101 mounted with a laser diode LD2 (oscillation wavelength 650 nm) for reproducing CDs and DVDs.

【0014】この光ピックアップ101は、例えば78
0nm帯の波長のレーザ光を出射する第1レーザダイオ
ードLD1、グレーティングG、第1ビームスプリッタ
BS1、ダイクロイックビームスプリッタDBS、コリ
メータC、ミラーM、CD用開口制限アパーチャR、対
物レンズOL、第1マルチレンズML1、及び第1フォ
トダイオードPD1がそれぞれ個々に(即ち、ディスク
リートに)所定の位置に配設されたCD用光学系を有す
る。
The optical pickup 101 is, for example, 78
A first laser diode LD1, a grating G, a first beam splitter BS1, a dichroic beam splitter DBS, a collimator C, a mirror M, an aperture limiting aperture R for CD, an objective lens OL, a first multi, which emits a laser beam having a wavelength of 0 nm band. The lens ML1 and the first photodiode PD1 each have a CD optical system individually (ie, discretely) disposed at predetermined positions.

【0015】さらに、この光ピックアップ101は、例
えば650nm帯の波長のレーザ光を出射する第2レー
ザダイオードLD2、第2ビームスプリッタBS2、ダ
イクロイックビームスプリッタDBS、コリメータC、
ミラーM、対物レンズOL、第2マルチレンズML2、
及び第2フォトダイオードPD2がそれぞれ個々に(即
ち、ディスクリートに)所定の位置に配設されたDVD
用光学系を有する。
Further, the optical pickup 101 includes, for example, a second laser diode LD2, a second beam splitter BS2, a dichroic beam splitter DBS, a collimator C, which emits a laser beam having a wavelength in the 650 nm band.
Mirror M, objective lens OL, second multi-lens ML2,
And the second photodiode PD2 individually (ie, discretely) disposed at a predetermined position.
Optical system.

【0016】この各光学系において、一部の光学部材は
共有しており、例えば、ダイクロイックビームスプリッ
タDBS、コリメータC、ミラーM及び対物レンズOL
が両光学系により共有されている。また、ダイクロイッ
クビームスプリッタDBSと光ディスクD間の光軸を共
有しているために、CD用の開口制限アパーチャRはD
VD用光学系の光軸上にも配置されることになる。
In each of these optical systems, some optical members are shared, for example, a dichroic beam splitter DBS, a collimator C, a mirror M, and an objective lens OL.
Is shared by both optical systems. Further, since the optical axis is shared between the dichroic beam splitter DBS and the optical disk D, the aperture limiting aperture R for CD is D
It is also arranged on the optical axis of the VD optical system.

【0017】このように構成された光ピックアップ10
1のCD用光学系において、第1レーザダイオードLD
1からの第1レーザ光L1は、グレーティングGを通過
し、第1ビームスプリッタBS1によって一部反射さ
れ、ダイクロイックビームスプリッタDBS、コリメー
タC、ミラーMをそれぞれ通過あるいは反射して、CD
用開口制限アパーチャRを介して対物レンズOL1によ
り光ディスクD上に集光される。
The optical pickup 10 constructed as described above
In the optical system for one CD, the first laser diode LD
The first laser beam L1 from No. 1 passes through the grating G, is partially reflected by the first beam splitter BS1, passes or reflects through the dichroic beam splitter DBS, the collimator C, and the mirror M, and returns to the CD.
The light is condensed on the optical disk D by the objective lens OL1 via the aperture limiting aperture R.

【0018】光ディスクDからの反射光は、対物レンズ
OL、CD用開口制限アパーチャR、ミラーM、コリメ
ータC、ダイクロイックビームスプリッタDBSおよび
第1ビームスプリッタBS1を介して、第1マルチレン
ズML1を通過し、第1フォトダイオードPD1上に入
射され、この反射光の変化により、光ディスクDのCD
用記録面上に記録された情報の読み出しがなされる。
The reflected light from the optical disk D passes through the first multi-lens ML1 via the objective lens OL, the aperture limiting aperture R for CD, the mirror M, the collimator C, the dichroic beam splitter DBS and the first beam splitter BS1. Is incident on the first photodiode PD1, and the change in the reflected light causes the CD
The information recorded on the data recording surface is read.

【0019】また光ピックアップ101のDVD用光学
系においても、上記と同様に、第2レーザダイオードL
D2からの第2レーザ光L2は、第2ビームスプリッタ
BS2によって一部反射され、ダイクロイックビームス
プリッタDBS、コリメータC、ミラーMをそれぞれ通
過あるいは反射して、CD用の開口制限アパーチャRを
介して対物レンズOL1により光ディスクD上に集光さ
れる。
In the DVD optical system of the optical pickup 101, the second laser diode L
The second laser light L2 from D2 is partially reflected by the second beam splitter BS2, passes or reflects through the dichroic beam splitter DBS, the collimator C, and the mirror M, respectively, and passes through the aperture limiting aperture R for CD. The light is focused on the optical disk D by the lens OL1.

【0020】光ディスクDからの反射光は、対物レンズ
OL、CD用開口制限アパーチャR、ミラーM、コリメ
ータC、ダイクロイックビームスプリッタDBS及び第
2ビームスプリッタBS2を介して、第2マルチレンズ
ML2を通過し、第2フォトダイオードPD2上に入射
され、この反射光の変化により、光ディスクDのDVD
用記録面上に記録された情報の読み出しがなされる。
The reflected light from the optical disc D passes through the second multi-lens ML2 via the objective lens OL, the CD aperture limiting aperture R, the mirror M, the collimator C, the dichroic beam splitter DBS and the second beam splitter BS2. Is incident on the second photodiode PD2, and the change in the reflected light causes the DVD of the optical disc D to
The information recorded on the data recording surface is read.

【0021】この光ピックアップ101によれば、図1
4に示した光ピックアップ100と同様に、CD用のレ
ーザダイオードとDVD用のレーザダイオードを搭載
し、それぞれの光学系を有することによりCDとDVD
の再生を可能にしている。
According to the optical pickup 101, FIG.
Similarly to the optical pickup 100 shown in FIG. 4, a laser diode for a CD and a laser diode for a DVD are mounted, and a CD and a DVD are provided by having respective optical systems.
It is possible to play.

【0022】[0022]

【発明に至る経過】本発明者は、こうした従来の光ピッ
クアップに対し、CDやDVDなどの波長の異なる光デ
ィスクシステムを構成することが可能であって、部品点
数を減らして容易に組み立てられ、小型化やコスト削減
を可能にする光学装置及びそれを用いた光ディスク装置
を既に提案した。
The present inventor can construct an optical disk system having a different wavelength, such as a CD or a DVD, with respect to such a conventional optical pickup. We have already proposed an optical device capable of realization and cost reduction and an optical disk device using the same.

【0023】図16〜図19には、その一例を示し、図
16に示すコンパチブル光ピックアップ1aによれば、
CD用のレーザダイオードLD1(発振波長780n
m)とDVD用のレーザダイオードLD2(発振波長6
50nm)を搭載している。
FIGS. 16 to 19 show an example thereof. According to the compatible optical pickup 1a shown in FIG.
Laser diode LD1 for CD (oscillation wavelength 780n
m) and a laser diode LD2 for DVD (oscillation wavelength 6
50 nm).

【0024】この光ピックアップ1aは、それぞれ個々
に(即ち、ディスクリートに)或いは共通の基板上に
(即ち、モノリシックに)構成された光学系を有し、互
いに隣接して並列に形成され、例えば780nm帯の波
長のレーザ光を出射する第1レーザダイオードLD1と
650nm帯の波長のレーザ光を出射する第2レーザダ
イオードLD2を有するレーザダイオードLD、780
nm帯用であって650nm帯に対しては素通しとなる
グレーティングG、ビームスプリッタBS、コリメータ
C、ミラーM、CD用の開口制限アパーチャR、対物レ
ンズOL、マルチレンズML、及びフォトダイオードP
Dがそれぞれ所定の位置に配設されている。フォトダイ
オードPDには、780nm帯の光を受光する第1フォ
トダイオードと、650nm帯の光を受光する第2フォ
トダイオードが互いに隣接して並列に形成されている。
The optical pickup 1a has an optical system individually (ie, discretely) or on a common substrate (ie, monolithically), and is formed adjacent to each other and in parallel, for example, at 780 nm. 780, a laser diode LD having a first laser diode LD1 for emitting laser light of a wavelength in the band and a second laser diode LD2 for emitting laser light of a wavelength in the 650 nm band.
A grating G, a beam splitter BS, a collimator C, a mirror M, an aperture limiting aperture R for CD, an objective lens OL, a multi-lens ML, and a photodiode P for the nm band and transparent to the 650 nm band.
D are respectively provided at predetermined positions. In the photodiode PD, a first photodiode that receives light in the 780 nm band and a second photodiode that receives light in the 650 nm band are formed adjacent to and parallel to each other.

【0025】この光ピックアップ1aにおいて、第1レ
ーザダイオードLD1からの第1レーザ光L1は、グレ
ーティングGを通過し、ビームスプリッタBSによって
一部反射され、コリメータC、ミラーM及びCD用の開
口制限アパーチャRと通過(反射)して、対物レンズO
Lにより光ディスクD上に集光される。
In the optical pickup 1a, the first laser light L1 from the first laser diode LD1 passes through the grating G, is partially reflected by the beam splitter BS, and has an aperture limiting aperture for the collimator C, mirror M, and CD. R passes through (reflects) with the objective lens O
L converges on the optical disc D.

【0026】光ディスクDからの反射光は、対物レンズ
OL、CD用開口制限アパーチャR、ミラーM、コリメ
ータC及びビームスプリッタBSを介して、マルチレン
ズMLを通過し、フォトダイオードPD(第1フォトダ
イオード)上に入射され、この反射光の変化により、C
Dなどの光ディスクDの記録面上に記録された情報の読
み出しがなされる。
The reflected light from the optical disk D passes through the multi-lens ML via the objective lens OL, the CD aperture limiting aperture R, the mirror M, the collimator C, and the beam splitter BS, and passes through the photodiode PD (first photodiode). ), And this change in reflected light causes C
The information recorded on the recording surface of the optical disc D, such as D, is read.

【0027】そして、光ピックアップ1aにおいて、第
2レーザダイオードLD2からの第2レーザ光L2も、
上記と同じ経路を辿って光ディスクD上に集光され、そ
の反射光はフォトダイオードPD(第2フォトダイオー
ド)上に入射され、この反射光の変化により、DVDな
どの光ディスクDの記録面上に記録された情報の読み出
しがなされる。
Then, in the optical pickup 1a, the second laser light L2 from the second laser diode LD2 is also
The light is condensed on the optical disk D by following the same path as described above, and the reflected light is incident on the photodiode PD (second photodiode). Due to the change in the reflected light, the light is reflected on the recording surface of the optical disk D such as a DVD. Reading of the recorded information is performed.

【0028】この光ピックアップ1aによれば、CD用
のレーザダイオードとDVD用のレーザダイオードを搭
載し、共通の光学系によりその反射光をCD用のフォト
ダイオードとDVD用のフォトダイオードに結合させ、
CDとDVDの再生を可能にしている。
According to this optical pickup 1a, a laser diode for CD and a laser diode for DVD are mounted, and the reflected light is coupled to the photodiode for CD and the photodiode for DVD by a common optical system.
It enables playback of CDs and DVDs.

【0029】図17は、上記のレーザダイオードLDの
要部斜視図である。例えば、円盤状の基台21に設けら
れた突起部21a上にモニター用の光検出素子としての
PINダイオード12が形成された半導体ブロック13
が固着され、その上部に第1レーザダイオード14(L
D1)と第2レーザダイオード15(LD2)が配置さ
れている。また、基台1を貫通して端子22が設けられ
ており、リード23により上記の第1及び第2レーザダ
イオード14、15、或いはPINダイオード12に接
続されて、それぞれのダイオードの駆動電源が供給され
る。
FIG. 17 is a perspective view of a main part of the laser diode LD. For example, a semiconductor block 13 in which a PIN diode 12 as a photodetection element for monitoring is formed on a protrusion 21 a provided on a disc-shaped base 21.
Is fixed, and the first laser diode 14 (L
D1) and the second laser diode 15 (LD2). Further, a terminal 22 is provided through the base 1 and is connected to the first and second laser diodes 14, 15 or the PIN diode 12 by a lead 23 to supply power for driving each diode. Is done.

【0030】図18(a)は、上記のレーザダイオード
のレーザ光の出射方向と垂直な方向からの要部平面図で
あり、また図18(b)は、レーザダイオードのレーザ
光の出射方向からの要部平面図である。PINダイオー
ド12が形成された半導体ブロック13の上部に第1レ
ーザダイオード14(LD1)と第2レーザダイオード
15(LD2)がディスクリートに配置されている。こ
れらのレーザダイオードは、図18(c)に14aで示
すように、モノリシックに配置されてよい。
FIG. 18A is a plan view of a main part of the laser diode taken from a direction perpendicular to the laser beam emission direction. FIG. 18B is a plan view of the laser diode taken from the laser beam emission direction. FIG. A first laser diode 14 (LD1) and a second laser diode 15 (LD2) are discretely disposed above a semiconductor block 13 on which a PIN diode 12 is formed. These laser diodes may be monolithically arranged as shown at 14a in FIG.

【0031】ここで、PINダイオード12は、例えば
2つに分割された領域を有し、第1および第2レーザダ
イオード14、15又はLD1、LD2のそれぞれにつ
いて、リア(後部)側に出射されたレーザ光を感知し、
その強度を測定して、レーザ光の強度が一定となるよう
に第1及び第2レーザダイオード14、15又はLD
1、LD2の駆動電流を制御するAPC(Automatic Po
wer Control)制御が行われるように構成されている。
PINダイオード12は、分割されずに1つでもよい
(切換えて使用可能)。
Here, the PIN diode 12 has, for example, two divided regions, and the first and second laser diodes 14, 15 or each of LD1, LD2 are emitted toward the rear (rear) side. Sensing the laser light,
The intensity is measured and the first and second laser diodes 14, 15 or LD are controlled so that the intensity of the laser light is constant.
1. APC (Automatic Po
wer Control) control.
The PIN diode 12 may be one without being divided (can be used by switching).

【0032】第1レーザダイオード14のレーザ光出射
部E1と第2レーザダイオード15のレーザ光出射部E
2の間隔dは例えば200μm程度以下の範囲(例えば
100μm程度)に設定される。各レーザ光出射部E
1、E2からは、それぞれ例えば780nm帯の波長の
レーザ光L1及び650nm帯の波長のレーザ光L2が
互いに同一の方向(平行)に出射される。
The laser beam emitting portion E1 of the first laser diode 14 and the laser beam emitting portion E of the second laser diode 15
The interval d of 2 is set, for example, in a range of about 200 μm or less (eg, about 100 μm). Each laser beam emitting part E
For example, laser beams L1 and L2 having a wavelength of 780 nm and 650 nm, respectively, are emitted from E1 and E2 in the same direction (parallel).

【0033】図19(a)は、上記のフォトダイオード
PDの要部平面図である。例えば、780nm帯の光を
受光する第1フォトダイオード16と、650nm帯の
光を受光する第2フォトダイオード18とが互いに隣接
して並列に形成されている。
FIG. 19A is a plan view of a main part of the photodiode PD. For example, a first photodiode 16 for receiving light in the 780 nm band and a second photodiode 18 for receiving light in the 650 nm band are formed adjacent to and parallel to each other.

【0034】ここで、第1フォトダイオード16は図面
に示すように6分割(a1、b1、c1、d1、e1、
f1)された構成を有している。第1レーザダイオード
14から出射された780nm帯のレーザ光は、グレー
ティングGにて3本のレーザ光に分割された後、上記光
学系を経て、CDなどの光ディスクDからの反射光とし
て、図19(a)に示すように第1フォトダイオード1
6上に3つのスポット(S1a、S1b、S1c)とし
て入射する。
Here, the first photodiode 16 is divided into six parts (a1, b1, c1, d1, e1,.
f1). The laser light in the 780 nm band emitted from the first laser diode 14 is split into three laser lights by the grating G, passes through the optical system, and is reflected as light reflected from an optical disk D such as a CD in FIG. As shown in (a), the first photodiode 1
The light is incident on the light spot 6 as three spots (S1a, S1b, S1c).

【0035】また、第2フォトダイオード18は図面に
示すように4分割(a2、b2、c2、d2)された構
成を有している。第2レーザダイオード15から出射さ
れた650nm帯のレーザ光は、上記光学系を経て、D
VDなどの光ディスクDからの反射光として、図19
(a)に示すように第2フォトダイオード18上に1つ
のスポットS2として入射する。
The second photodiode 18 has a configuration divided into four parts (a2, b2, c2, d2) as shown in the drawing. The laser light in the 650 nm band emitted from the second laser diode 15 passes through the above optical system and
As reflected light from an optical disk D such as VD, FIG.
As shown in (a), the light is incident on the second photodiode 18 as one spot S2.

【0036】第1及び第2フォトダイオード16、18
の間隔、すなわち、例えば第1フォトダイオード16の
中心線と第2フォトダイオード18の中心線との間隔d
は、例えば200μm程度以下の範囲(例えば100μ
m程度)に設定される。ここでは、例えば、上記の第1
レーザダイオード14のレーザ光出射部E1と第2レー
ザダイオード15のレーザ光出射部E2との間隔と実質
的に等しくなるように設定される。
First and second photodiodes 16 and 18
, That is, the distance d between the center line of the first photodiode 16 and the center line of the second photodiode 18, for example.
Is, for example, in the range of about 200 μm or less (for example, 100 μm).
m). Here, for example, the first
The distance between the laser light emitting portion E1 of the laser diode 14 and the laser light emitting portion E2 of the second laser diode 15 is set to be substantially equal.

【0037】上記のように、第1及び第2レーザダイオ
ードのレーザ光出射部の間隔、及び第1及び第2フォト
ダイオードの間隔を設定することにより、共通の光学部
材を用いて、第1レーザダイオード及び第2レーザダイ
オードの出射光をCDやDVDなどの光ディスクに照射
し、光ディスクからの反射光を第1フォトダイオード及
び第2フォトダイオードにそれぞれ入射させることが可
能となる。
As described above, by setting the distance between the laser light emitting portions of the first and second laser diodes and the distance between the first and second photodiodes, the first laser can be used by using a common optical member. It is possible to irradiate the light emitted from the diode and the second laser diode to an optical disc such as a CD or DVD, and to make the reflected light from the optical disc enter the first photodiode and the second photodiode, respectively.

【0038】上記のフォトダイオードPD(第1フォト
ダイオード16及び第2フォトダイオード18)におい
ては、上記のように入射するレーザ光のスポットS1
a、S1b、S1c、S2のスポット径、位置変化等を
検出することができる。
In the photodiode PD (the first photodiode 16 and the second photodiode 18), the spot S1 of the incident laser beam as described above.
a, S1b, S1c, the spot diameter of S2, a change in position, and the like can be detected.

【0039】光ディスク装置の光ピックアップとして、
上記のフォトダイオードPDにより得られる信号から、
トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号、及び
光ディスクに記録された情報信号の読み取りが行われ
る。これら信号の取り出しは、以下のようにそれぞれ行
われる。
As an optical pickup of an optical disk device,
From the signal obtained by the photodiode PD,
The tracking error signal, the focus error signal, and the information signal recorded on the optical disk are read. Extraction of these signals is performed as follows.

【0040】即ち、第1フォトダイオード16において
は、6分割された第1フォトダイオード16上に入射す
る中央部のスポットS1aにおいて得られた信号a1、
b1、c1及びd1を用いて、次式(1)によって、C
Dなどの光ディスクに記録された情報信号RF1を求め
ることができる。 RF1=a1+b1+c1+d1 …(1)
That is, in the first photodiode 16, the signal a 1 obtained at the central spot S 1 a incident on the six divided first photodiode 16,
Using b1, c1 and d1, the following equation (1) gives C
An information signal RF1 recorded on an optical disk such as D can be obtained. RF1 = a1 + b1 + c1 + d1 (1)

【0041】また、上記の信号a1、b1、c1及びd
1を用いて、次式(2)によって、フォーカスエラー信
号FE1を得ることができる。 FE1=(a1+c1)−(b1+d1) …(2)
The signals a1, b1, c1 and d
1, the focus error signal FE1 can be obtained by the following equation (2). FE1 = (a1 + c1)-(b1 + d1) (2)

【0042】また、6分割された第1フォトダイオード
16上に入射する両側部のスポットS1b、S1cにお
いて得られた信号e1及びf1を用いて、次式(3)に
よって、トラッキングエラー信号TE1を得ることがで
きる。 TE1=e1−f1 …(3)
Using the signals e1 and f1 obtained at the spots S1b and S1c on both sides incident on the first photodiode 16 divided into six, a tracking error signal TE1 is obtained by the following equation (3). be able to. TE1 = e1-f1 (3)

【0043】一方、第2フォトダイオード18において
は、4分割された第2フォトダイオード18上に入射す
る中央部のスポットS2において得られた信号a2、b
2、c2及びd2を用いて、次式(4)によって、DV
Dなどの光ディスクに記録された情報信号RF2を求め
ることができる。 RF2=a2+b2+c2+d2 …(4)
On the other hand, in the second photodiode 18, the signals a2 and b obtained at the central spot S2 incident on the quadrant divided second photodiode 18 are obtained.
2, c2, and d2, and DV
An information signal RF2 recorded on an optical disk such as D can be obtained. RF2 = a2 + b2 + c2 + d2 (4)

【0044】また、上記の信号a2、b2、c2及びd
2を用いて、次式(5)によって、フォーカスエラー信
号FE2を得ることができる。 FE2=(a2+c2)−(b2+d2) …(5)
The signals a2, b2, c2 and d
2, a focus error signal FE2 can be obtained by the following equation (5). FE2 = (a2 + c2)-(b2 + d2) (5)

【0045】また、上記の信号a2、b2、c2及びd
2を用いて、図19(b)に示すように、DPD(位相
差検出;Differential Phase Detection)法により、ト
ラッキングエラー信号TE2を得ることができる。たと
えば、位相比較器PCで信号a2とb2、信号c2とd
2の位相を比較した後、加算器ADにて加算演算処理を
行ってトラッキングエラー信号TE2を得る。DPD法
によれば、1スポットでオフセットのない安定なトラッ
キングが可能となる。
The signals a2, b2, c2 and d
19, the tracking error signal TE2 can be obtained by the DPD (Differential Phase Detection) method as shown in FIG. 19B. For example, signals a2 and b2 and signals c2 and d
After comparing the two phases, the adder AD performs an addition operation to obtain a tracking error signal TE2. According to the DPD method, stable tracking without offset in one spot can be performed.

【0046】光ピックアップを内蔵する光ディスクの再
生/記録装置においては、上記のようにして、CD又は
DVDなどの光ディスクの上下の振れによるフォーカス
エラー信号の検出を行い、得られたフォーカスエラー信
号に従ってフォーカシングサーボをかける。また、トラ
ッキングエラー信号の検出を行い、得られたトラッキン
グエラー信号に従ってトラッキングサーボをかける。
In the optical disk reproducing / recording apparatus having a built-in optical pickup, as described above, the focus error signal due to the vertical shake of the optical disk such as a CD or DVD is detected, and the focusing is performed according to the obtained focus error signal. Apply servo. Further, a tracking error signal is detected, and a tracking servo is applied according to the obtained tracking error signal.

【0047】上記した光ピックアップ1aは、CD用の
レーザダイオードLD1(発振波長780nm)とDV
D用のレーザダイオードLD2(発振波長650nm)
を搭載し、CDとDVDの再生を可能にするコンパチブ
ル光ピックアップである。
The optical pickup 1a is composed of a laser diode LD1 for CD (oscillation wavelength 780 nm) and a DV
Laser diode LD2 for D (oscillation wavelength 650 nm)
Is a compatible optical pickup capable of reproducing CDs and DVDs.

【0048】この光ピックアップは、互いに隣接して並
列に配置された第1レーザダイオードLD1及び第2レ
ーザダイオードLD2と、互いに隣接して並列に配置さ
れた第1フォトダイオード16及び第2フォトダイオー
ド18とを有しており、発振波長の異なるレーザダイオ
ードからの光軸を合わせる必要がなく、共通の光学部材
を用いて、第1レーザダイオードLD1及び第2レーザ
ダイオードLD2の出射光をCDやDVDなどの光ディ
スクに照射し、光ディスクからの反射光を第1フォトダ
イオード及び第2フォトダイオードにそれぞれ入射させ
る。従って、図14及び図15に示したものよりも部品
点数が少なく、容易に組み立てられ、小型化やコスト削
減が可能である。
This optical pickup comprises a first laser diode LD1 and a second laser diode LD2 arranged adjacently and in parallel, and a first photodiode 16 and a second photodiode 18 arranged adjacently and in parallel. There is no need to align optical axes from laser diodes having different oscillation wavelengths, and the light emitted from the first laser diode LD1 and the second laser diode LD2 can be converted to a CD or DVD using a common optical member. And the reflected light from the optical disk is incident on the first photodiode and the second photodiode, respectively. Therefore, the number of parts is smaller than that shown in FIGS. 14 and 15, and it is easy to assemble, and it is possible to reduce the size and cost.

【0049】[0049]

【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
等の情報記録媒体をさらに高密度化するためには、レー
ザダイオード等の発光素子から出射されるレーザ光の波
長を短くすることが必要である。
In order to further increase the density of an information recording medium such as an optical disk, it is necessary to shorten the wavelength of laser light emitted from a light emitting element such as a laser diode.

【0050】すなわち、短波長のレーザ光を用いると、
光ディスク等に形成されるレーザ光のスポットの径が小
さくなり、光ディスク等から拾える情報の量を多くする
ことができる。
That is, when a short-wavelength laser beam is used,
The diameter of the laser beam spot formed on the optical disk or the like becomes smaller, and the amount of information that can be picked up from the optical disk or the like can be increased.

【0051】しかしながら、CD用の780nm帯の半
導体レーザとDVD用の650nm帯の半導体レーザと
を一つのチップにまとめた「2波長レーザ」を用いる光
学装置において、レーザ光の波長を短くするための効果
的な提案は未だなされていない。
However, in an optical device using a "two-wavelength laser" in which a 780 nm band semiconductor laser for a CD and a 650 nm band semiconductor laser for a DVD are integrated on a single chip, it is necessary to shorten the wavelength of laser light. No effective proposal has yet been made.

【0052】そこで、本発明の目的は、たとえば2波長
レーザを用いる光学装置や光ディスク装置において、短
波長の半導体レーザ等を使用せずとも、レーザ光等の光
の波長を効果的に短くできる光学装置及び光ディスク装
置を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide an optical device or an optical disk device using a two-wavelength laser, which can effectively shorten the wavelength of light such as laser light without using a short-wavelength semiconductor laser. Device and an optical disk device.

【0053】[0053]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の光学
装置は、互いに波長が異なる複数の光をそれぞれ出射す
る複数の発光素子が光出射方向と交差する方向に並置さ
れている光学装置において、前記発光素子の光出射側
に、前記光の波長を変換するための波長変換素子が設け
られていることを特徴とする。
That is, an optical device according to the present invention is an optical device in which a plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of lights having different wavelengths are juxtaposed in a direction intersecting a light emitting direction. A wavelength conversion element for converting the wavelength of the light is provided on the light emission side of the light emitting element.

【0054】また、本発明の光ディスク装置は、互いに
波長が異なる複数の光をそれぞれ出射する複数の発光素
子が光出射方向と交差する方向に並置され、前記複数の
光がディスク状情報記録媒体に入射し、この反射光をそ
れぞれ受光する複数の受光素子が設けられている光ディ
スク装置において、前記発光素子の光出射側に、前記光
の波長を変換するための波長変換素子が設けられている
ことを特徴とする。
Also, in the optical disk device of the present invention, a plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of lights having different wavelengths are juxtaposed in a direction intersecting the light emitting direction, and the plurality of lights are transferred to a disk-shaped information recording medium. In an optical disc apparatus provided with a plurality of light receiving elements for receiving the reflected light and receiving the reflected light, a wavelength conversion element for converting the wavelength of the light is provided on the light emission side of the light emitting element. It is characterized by.

【0055】本発明の光学装置及び光ディスク装置によ
れば、発光素子の光出射側に、この光の波長を変換する
ための波長変換素子が設けられているので、上記出射光
の波長を所望に変換することができ、たとえば2波長レ
ーザを用いる光学装置や光ディスク装置であれば、特別
の短波長レーザを使用しなくても、少なくとも一方のレ
ーザからの出射光を容易かつ効果的に短くすることがで
き、光ディスク等の情報記録媒体を高密度化することが
可能である。
According to the optical apparatus and the optical disk apparatus of the present invention, the wavelength conversion element for converting the wavelength of the light is provided on the light emission side of the light emitting element. For example, in the case of an optical device or an optical disk device using a two-wavelength laser, the light emitted from at least one of the lasers can be easily and effectively shortened without using a special short-wavelength laser. It is possible to increase the density of an information recording medium such as an optical disk.

【0056】[0056]

【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて本発
明を具体的に説明する。なお、特に言及がない限り、以
下の説明は光学装置及び光ディスク装置の両者に共通す
るものとする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be specifically described based on embodiments. Unless otherwise specified, the following description is common to both the optical device and the optical disk device.

【0057】本発明においては、前記波長変換素子の光
入射面及び/又は光出射面に所定のコーティングが施さ
れ、これによって所定の波長の光が出射されるようにす
ることができる。
In the present invention, a predetermined coating is applied to the light incident surface and / or the light output surface of the wavelength conversion element, so that light of a predetermined wavelength can be emitted.

【0058】また、前記波長変換素子からの出射光をそ
の波長に応じて選択的に通過させるフィルタが設けられ
ていてよい。
Further, a filter may be provided for selectively transmitting light emitted from the wavelength conversion element according to the wavelength.

【0059】また、前記複数の発光素子及び前記波長変
換素子は基体上に固定されているのがよい。
Further, the plurality of light emitting elements and the wavelength conversion element are preferably fixed on a base.

【0060】また、前記複数の発光素子からの出射光
は、対物レンズを通して複数の受光素子にそれぞれ導か
れるのが一般的であるが、この場合、前記複数の発光素
子の出射光が前記対物レンズを通して被照射体、特にデ
ィスク状の情報記録媒体に入射され、この反射光が前記
対物レンズを通して前記複数の受光素子にそれぞれ入射
される構成とするのが望ましい。
The light emitted from the plurality of light emitting elements is generally guided to a plurality of light receiving elements through an objective lens. In this case, the light emitted from the plurality of light emitting elements is transmitted to the objective lens. Through the objective lens, in particular, a disc-shaped information recording medium, and the reflected light is preferably incident on the plurality of light receiving elements through the objective lens.

【0061】なお、前記発光素子としては、特に出射さ
れる光の種類に拘束されないが、互いに異なる波長のレ
ーザ光を出射できるものが実用的に好ましい。
The light emitting element is not particularly limited by the type of emitted light, but is preferably practically capable of emitting laser lights of mutually different wavelengths.

【0062】一方、本発明の光学装置は、前記複数の発
光素子と、これらの各出射光を前記被照射体もしくはデ
ィスク状情報記録媒体へ導き、かつ前記反射光を前記複
数の受光素子へ導くための光学部材と、前記受光素子と
が共通の基体上に設けられ、光カプラとして構成されて
いるものが好ましい。
On the other hand, in the optical device of the present invention, the plurality of light-emitting elements and the respective emitted lights are guided to the irradiation object or the disc-shaped information recording medium, and the reflected light is guided to the plurality of light-receiving elements. And a light receiving element are provided on a common base, and are configured as an optical coupler.

【0063】さらに、光ディスク装置の光ピックアップ
として構成されたものが好ましい。
Further, it is preferable that the optical disk device is configured as an optical pickup.

【0064】具体的に例示すると、本発明によれば、G
aN系半導体レーザなどの短波長レーザを用いなくて
も、従来のGaAs基板上に異なる波長のレーザを気相
成長法などの方法で作り込み、かつ波長変換素子との組
み合せによって、短波長の2波長レーザを作成すること
ができる。これにより、2波長レーザの作成のためにG
aAsおよびGaNという結晶の性質の異なる成長を行
うことなく、従来のGaAs系およびAlGaInP系
の成長によって、波長変換素子を用いた短波長レーザと
の組み合せである2波長レーザ(又は3波長等、それ以
上の波長の組み合せのレーザも可能:以下、同様である
が、2波長レーザを代表例として説明する。)を作成す
ることができる。即ち、AlGaAs系(例えば800
nm:長波長用)と、AlGaInP系(例えば650
nm:短波長用)の半導体を用いた2波長レーザを用い
ても、これに波長変換素子を組み合せることにより、例
えば、650nm帯と400nm帯に使用可能な2波長
レーザを作成することができる。
Specifically, according to the present invention, G
Even if a short wavelength laser such as an aN-based semiconductor laser is not used, a laser of a different wavelength is formed on a conventional GaAs substrate by a method such as a vapor phase growth method, and a short wavelength laser is formed by a combination with a wavelength conversion element. Wavelength lasers can be made. This allows G
The growth of the conventional GaAs-based and AlGaInP-based two-wavelength lasers (or three-wavelength lasers or the like) in combination with the short-wavelength lasers using the wavelength conversion element is performed without growing the different crystal properties of aAs and GaN. A laser having a combination of the above wavelengths is also possible: the same applies hereinafter, but a two-wavelength laser will be described as a representative example). That is, an AlGaAs system (for example, 800
nm: for long wavelength) and AlGaInP-based (for example, 650)
Even if a two-wavelength laser using a semiconductor of (nm: for short wavelength) is used, a two-wavelength laser that can be used in, for example, the 650 nm band and the 400 nm band can be produced by combining this with a wavelength conversion element. .

【0065】短波長レーザとしてはGaN系材料を用い
た410nm帯のレーザーが開発されている。しかしな
がら、この半導体レーザはGaN系半導体(六方晶)で
作成されているために、その結晶の種類がGaAs系
(閃亜鉛型)と異なり、また、格子定数も小さくなるこ
とから、同一の基板上に作成できないという問題点があ
る。
As a short wavelength laser, a 410 nm band laser using a GaN-based material has been developed. However, since this semiconductor laser is made of a GaN-based semiconductor (hexagonal), the type of the crystal is different from that of a GaAs-based (zinc-blende), and the lattice constant is small. There is a problem that can not be created.

【0066】即ち、GaNレーザを作成するには、Ga
As系レーザとは異なる基板(例えばサファイア基板ま
たはGaN基板)を使用する必要があるので、同一基板
上に他のGaAs系半導体レーザを作成することは難し
いが、GaAs基板等を用いると、容易に同一基板上に
より短波長の異なるレーザ光を出射することのできる2
波長(複数波長)のレーザを作成することができる。本
発明では、従来からよく用いられているGaAs基板上
の半導体成長と、上述した2波長レーザの技術と、SH
G(Second Harmonic Generation)の技術とを組み合せ
ることによって、より短波長で使用可能な2波長レーザ
を容易に供給することができるのである。
That is, to produce a GaN laser, Ga
Since it is necessary to use a substrate (for example, a sapphire substrate or a GaN substrate) different from the As-based laser, it is difficult to create another GaAs-based semiconductor laser on the same substrate. 2 capable of emitting laser beams having different short wavelengths on the same substrate
A laser having a wavelength (a plurality of wavelengths) can be produced. In the present invention, the semiconductor growth on a GaAs substrate, which has been widely used, the two-wavelength laser technique described above, and SH
By combining with the technology of G (Second Harmonic Generation), a two-wavelength laser that can be used at a shorter wavelength can be easily supplied.

【0067】次に、本発明の好ましい実施の形態を図面
に基づいて説明する。
Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0068】図1は本発明の第1の実施の形態における
レーザダイオードのレーザ光の出射方向と垂直な方向か
らの要部平面図である。PINダイオード12が形成さ
れた半導体ブロック13の上部に第1レーザダイオード
LD3と第2レーザダイオードLD2がモノリシックに
配置されている。これらのレーザダイオードは図18
(a)のように、ディスクリートに配置されてよい。
FIG. 1 is a plan view of a main part of a laser diode according to a first embodiment of the present invention, as viewed from a direction perpendicular to a laser light emitting direction. A first laser diode LD3 and a second laser diode LD2 are monolithically arranged above a semiconductor block 13 on which a PIN diode 12 is formed. These laser diodes are shown in FIG.
As shown in (a), they may be arranged discretely.

【0069】ここで、PINダイオード12は、例えば
2つに分割された領域を有し、第1および第2レーザダ
イオードLD3、LD2のそれぞれについて、リア(後
部)側に出射されたレーザ光を感知し、その強度を測定
して、レーザ光の強度が一定となるようにレーザダイオ
ードLD3、LD2の駆動電流を制御するAPC(Auto
matic Power Control)制御が行われるように構成され
ている。
The PIN diode 12 has, for example, two divided regions, and detects the laser light emitted to the rear (rear) side of each of the first and second laser diodes LD3 and LD2. Then, the intensity is measured, and the APC (Automatic Power Control) that controls the drive current of the laser diodes LD3 and LD2 so that the intensity of the laser light becomes constant.
matic Power Control) control.

【0070】第1ダイオードLD3及び第2ダイオード
LD2の光出射面側にはこれに対向してSHG素子(二
次高調波発生用の波長変換素子:以下、短にSHGと略
す)100が設けられ、このSHG100の入射面(背
面)には特定の反射率を持つコーティング(Rコート)
が、また、出射面(前面)には特定の反射率を持つコー
ティング(Fコート)が施されている。なお、第1ダイ
オードLD3、及び第2ダイオードLD2は、SHG1
00と同一基板上に固定されていてもよいし、別個に固
定されていてもよい。
On the light emitting surface side of the first diode LD3 and the second diode LD2, an SHG element (wavelength conversion element for generating second harmonic: hereinafter abbreviated as SHG for short) 100 is provided to face the light emitting surface. A coating (R coating) having a specific reflectance is provided on the incident surface (back surface) of the SHG100.
However, the emission surface (front surface) is provided with a coating (F coat) having a specific reflectance. Note that the first diode LD3 and the second diode LD2 are SHG1
00 and may be fixed on the same substrate or may be separately fixed.

【0071】いま、第2レーザダイオードLD2がたと
えばAlGaInP系で構成され、ここから波長650
nmのレーザ光L2が出射される場合を考える。このレ
ーザ光L2に対し、図1の表に示すように、SHG10
0のRコートの反射率が0%、Fコートの反射率が0%
のときは、レーザ光L2は波長650nmのままSHG
100を素通りする。
Now, the second laser diode LD2 is made of, for example, an AlGaInP system,
Consider a case where a laser beam L2 of nm is emitted. As shown in the table of FIG. 1, the SHG 10
The reflectance of the R coat of 0 is 0%, and the reflectance of the F coat is 0%.
In the case of, the laser light L2 remains at 650 nm and the SHG
Pass 100.

【0072】また、第1レーザダイオードLD3がたと
えばAlGaAs系材料で構成され、ここから波長80
0nmのレーザ光L3が出射される場合、このレーザ光
L3はSHG100によって1/2波長(400nm)
のレーザ光L3’に変換される。このため、図1の表に
示すように、800nmに対しSHG100のRコート
の反射率が0%、Fコートの反射率が100%、400
nmに対しFコートの反射率0%のときは、レーザ光L
3は波長が400nmのレーザ光L3’となってSHG
100から出射される。
The first laser diode LD3 is made of, for example, an AlGaAs-based material.
When the laser light L3 of 0 nm is emitted, the laser light L3 is 波長 wavelength (400 nm) by the SHG 100.
Is converted into a laser beam L3 ′. For this reason, as shown in the table of FIG. 1, the reflectance of the R coat of SHG100 is 0%, the reflectance of the F coat is 100%,
When the reflectance of the F coat is 0% with respect to nm, the laser light L
3 is a laser beam L3 ′ having a wavelength of 400 nm,
Emitted from 100.

【0073】このように、SHG100を配置すること
によって、レーザダイオードから出射される一方のレー
ザ光の波長を半分に減ずることができる。従って650
nmのレーザ光はDVD用、400nmのレーザ光は次
世代DVD用として、これらのDVDを両立させること
が可能となる。
As described above, by disposing the SHG 100, the wavelength of one laser beam emitted from the laser diode can be reduced to half. Therefore 650
The laser beam of nm is used for DVD, and the laser beam of 400 nm is used for next-generation DVD.

【0074】次に、図2は、本発明の他の実施の形態を
示すものであり、図1に示す構成に加えて、さらに光の
フィルタ200を、SHG100の出射側に設けたもの
である。この光のフィルタ200は、SHG100から
の出射光を、その波長に応じて選択的に透過させるもの
である。
Next, FIG. 2 shows another embodiment of the present invention. In addition to the configuration shown in FIG. 1, a light filter 200 is further provided on the emission side of the SHG 100. . The light filter 200 selectively transmits light emitted from the SHG 100 according to the wavelength.

【0075】いま、SHG100のFコートの反射率を
波長800nmのレーザ光に対し80%、波長400n
mのレーザ光に対し0%としたこと及びフィルタ200
を設けたことを除いて図1と同じ構成にすると、レーザ
光L2は波長650nmのままSHG100を素通りす
る。それに対し、レーザ光L3はFコートで80%反射
されるため、SHG100を通過すると、出射光は波長
400nmと800nmとの混在した光L3’となる。
Now, the reflectivity of the F coat of the SHG 100 is set to 80% with respect to the laser beam having a wavelength of 800 nm, and the reflectance of the laser beam having a wavelength of 400 n
0% with respect to the laser beam of m
1 except that the laser beam L2 passes through the SHG 100 without changing the wavelength of 650 nm. On the other hand, since the laser light L3 is reflected by the F coat by 80%, when the laser light L3 passes through the SHG 100, the emitted light becomes light L3 ′ having a mixed wavelength of 400 nm and 800 nm.

【0076】ここで、フィルタ200のたとえば上部を
波長800nm透過用、その下部を波長400nm透過
用にそれぞれ構成しておくと、このフィルタ200を紙
面に垂直方向に動かすことによって前記波長の混在した
レーザ光L3’から、波長400nmと800nmのレ
ーザ光をそれぞれ選別して取出すことができる。
If the upper portion of the filter 200 is configured to transmit a wavelength of 800 nm and the lower portion is configured to transmit a wavelength of 400 nm, for example, by moving the filter 200 in a direction perpendicular to the plane of the drawing, a laser having the above-described wavelengths is mixed. Laser light having a wavelength of 400 nm and 800 nm can be selected and extracted from the light L3 '.

【0077】次に、図3(A)は更に別の実施の形態の
要部を示すものであり、半導体ブロック13上に第1レ
ーザダイオードLD4(波長880nm、AlGaAs
系)、第2レーザダイオードLD5(波長780nm、
AlGaAs系)、第3ダイオードLD2(波長650
nm)が形成されている。ここで、SHG100のRコ
ート及びFコートの反射率が図3の表の如く設定されて
いると、波長650nmのレーザ光L2及び波長780
nmのレーザ光L5は、そのまま透過し、波長880n
mのレーザ光L4はFコートによって100%反射さ
れ、その結果、SHG100から出射されるのは波長4
40nmのレーザ光L4’となる。
FIG. 3A shows a main part of still another embodiment, in which a first laser diode LD4 (wavelength 880 nm, AlGaAs
System), the second laser diode LD5 (wavelength 780 nm,
AlGaAs), third diode LD2 (wavelength 650)
nm) is formed. Here, if the reflectance of the R coat and the F coat of the SHG 100 is set as shown in the table of FIG. 3, the laser light L2 having a wavelength of 650 nm and the wavelength 780
nm laser light L5 is transmitted as it is and has a wavelength of 880 n.
m is reflected 100% by the F coat, and as a result, the wavelength 4
It becomes a laser beam L4 'of 40 nm.

【0078】したがって、この例では、3種類のレーザ
光が取出せることになり、そのうち二種類をCD用(7
80nm)及びDVD用(650nm)とし、しかも他
の一種は880nmのレーザダイオードの出射光の波長
の半分(440nm)に減じられているために次世代の
DVD用として使用可能となる。
Therefore, in this example, three types of laser beams can be extracted, and two types of laser beams are used for CD (7
80 nm) and for DVD (650 nm), and the other type is reduced to half (440 nm) of the wavelength of the emitted light of the laser diode of 880 nm, so that it can be used for next-generation DVD.

【0079】なお、図3(B)は、SHG100の出射
面側に前記と同様の機能を備えたフィルタ200を設け
て、波長の異なる混在したレーザ光から、その波長に応
じて選択的にそれぞれのレーザ光を取出せるようにした
ものである。
In FIG. 3B, a filter 200 having the same function as described above is provided on the emission surface side of the SHG 100, and laser beams having different wavelengths are selectively selected according to the wavelength. Laser light can be extracted.

【0080】次に、上述した各実施の形態に共通の構成
を説明する。
Next, a configuration common to the above-described embodiments will be described.

【0081】図4は、例えば800nm帯の波長のレー
ザ光を出射する第1レーザダイオードLD3と650n
m帯の波長のレーザ光を出射する第2レーザダイオード
LD2を1チップ上に搭載するモノリシックレーザダイ
オード14aを示し、またこのレーザダイオード14a
の出射側に搭載したSHG100を示す。
FIG. 4 shows first laser diodes LD3 and 650n which emit laser light having a wavelength in the 800 nm band, for example.
A monolithic laser diode 14a on which a second laser diode LD2 that emits laser light of an m-band wavelength is mounted on one chip is shown.
5 shows the SHG 100 mounted on the emission side of FIG.

【0082】例えば、円盤状の基台21に設けられた突
起部21a上に、モニター用の光検出素子としてのPI
Nダイオード12が形成された半導体ブロック13が固
着され、その上部に、第1及び第2レーザダイオードL
D1、LD2を1チップ上に有するモノリシックレーザ
ダイオード14aとSHG100とが配置されている。
また、基台21を貫通して端子22が設けられており、
リード23により上記の第1及び第2レーザダイオード
LD3、LD2、或いはPINダイオード12に接続さ
れて、それぞれのダイオードの駆動電源が供給される。
For example, a PI as a photodetector for monitoring is provided on a projection 21a provided on a disc-shaped base 21.
A semiconductor block 13 on which an N diode 12 is formed is fixed, and first and second laser diodes L
The monolithic laser diode 14a having D1 and LD2 on one chip and the SHG 100 are arranged.
Further, a terminal 22 is provided through the base 21,
The leads 23 are connected to the first and second laser diodes LD3 and LD2 or the PIN diode 12 to supply drive power for the respective diodes.

【0083】図5はレーザダイオードのレーザ光の出射
方向と垂直な平面での断面図である。PINダイオード
12が形成された半導体ブロック13の上部に第1レー
ザダイオードLD3と第2レーザダイオードLD2を1
チップ上に有するモノリシックレーザダイオード14a
が配置されている。
FIG. 5 is a cross-sectional view taken on a plane perpendicular to the direction in which the laser diode emits laser light. The first laser diode LD3 and the second laser diode LD2 are mounted on the semiconductor block 13 on which the PIN diode 12 is formed.
Monolithic laser diode 14a on chip
Is arranged.

【0084】PINダイオード12においては、第1及
び第2レーザダイオードLD3、LD2のリア側に出射
されたレーザ光を感知し、その強度を測定して、レーザ
光の強度が一定となるように第1及び第2レーザダイオ
ードLD1、LD2の駆動電流を制御するAPC制御が
行われるように構成されている。
The PIN diode 12 senses the laser light emitted to the rear side of the first and second laser diodes LD3 and LD2, measures the intensity thereof, and measures the intensity so that the intensity of the laser light becomes constant. APC control for controlling the drive current of the first and second laser diodes LD1 and LD2 is performed.

【0085】上記のモノリシックレーザダイオード14
aについて説明する。第1レーザダイオードLD3とし
て、n型GaAs基板30上に、n型GaAsバッファ
層31、n型AlGaAsクラッド層32、活性層3
3、p型AlGaAsクラッド層34、p型GaAsキ
ャップ層35が積層している。p型GaAsキャップ層
35表面からp型AlGaAsクラッド層34の途中の
深さまで絶縁化された領域41となって、電流狭窄構造
となるストライプを形成している。
The above monolithic laser diode 14
a will be described. As the first laser diode LD3, an n-type GaAs buffer layer 31, an n-type AlGaAs cladding layer 32, and an active layer 3 are formed on an n-type GaAs substrate 30.
3. A p-type AlGaAs cladding layer 34 and a p-type GaAs cap layer 35 are laminated. The region 41 is insulated from the surface of the p-type GaAs cap layer 35 to a depth in the middle of the p-type AlGaAs cladding layer 34 to form a stripe having a current confinement structure.

【0086】一方、第2レーザダイオードLD2とし
て、n型GaAs基板30上に、n型GaAsバッファ
層31、n型InGaPバッファ層36、n型AlGa
InPクラッド層37、活性層38、p型AlGaIn
Pクラッド層39、p型GaAsキャップ層40が積層
している。p型GaAsキャップ層40表面からp型A
lGaInPクラッド層39の途中の深さまで絶縁化さ
れた領域41となって、電流狭窄構造となるストライプ
を形成している。
On the other hand, as the second laser diode LD2, an n-type GaAs buffer layer 31, an n-type InGaP buffer layer 36, an n-type AlGa
InP clad layer 37, active layer 38, p-type AlGaIn
A P cladding layer 39 and a p-type GaAs cap layer 40 are laminated. From the surface of the p-type GaAs cap layer 40 to the p-type A
The region 41 is insulated to a certain depth in the 1GaInP cladding layer 39 to form a stripe having a current confinement structure.

【0087】上記の第1レーザダイオードLD3及び第
2レーザダイオードLD2においては、p型GaAsキ
ャップ層35、40にはp電極42が、n型GaAs基
板30にはn電極43が接続して形成されている。この
モノリシックレーザダイオード14aは、p電極42側
から、半導体ブロック13上に形成された電極13aに
ハンダなどにより接続及び固定されている。
In the first laser diode LD3 and the second laser diode LD2, the p-type GaAs cap layers 35 and 40 are formed with the p-electrode 42 connected thereto, and the n-type GaAs substrate 30 is formed with the n-electrode 43 connected thereto. ing. The monolithic laser diode 14a is connected and fixed to the electrode 13a formed on the semiconductor block 13 from the p-electrode 42 side by soldering or the like.

【0088】上記の第1レーザダイオードLD3のレー
ザ光出射部と第2レーザダイオードLD2のレーザ光出
射部の間隔dは例えば200μm程度以下の範囲(例え
ば100μm程度)に設定される。各レーザ光出射部か
らは、例えば800nm帯の波長のレーザ光L1及び6
50nm帯の波長のレーザ光L2がほぼ同一の方向(ほ
ぼ平行)に出射される。
The distance d between the laser beam emitting portion of the first laser diode LD3 and the laser beam emitting portion of the second laser diode LD2 is set in a range of, for example, about 200 μm or less (eg, about 100 μm). For example, the laser beams L1 and L6 having a wavelength of 800 nm
Laser light L2 having a wavelength in the 50 nm band is emitted in substantially the same direction (substantially parallel).

【0089】一方、上記した第1及び第2フォトダイオ
ード16−17、18−19間の間隔も上記と同様に2
00μm程度以下の範囲(例えば100μm程度)に設
定され、共通の光学部材を用いて、第1レーザダイオー
ド及び第2レーザダイオードの出射光をCDやDVDな
どの光ディスクに照射し、光ディスクからの反射光を第
1フォトダイオード及び第2フォトダイオードにそれぞ
れ結合させることが可能となる。
On the other hand, the distance between the first and second photodiodes 16-17 and 18-19 is also 2 in the same manner as described above.
The light emitted from the first laser diode and the second laser diode is applied to an optical disc such as a CD or DVD using a common optical member, and the reflected light from the optical disc is set to a range of about 00 μm or less (for example, about 100 μm). Can be coupled to the first photodiode and the second photodiode, respectively.

【0090】次に、上記の第1レーザダイオードLD3
と第2レーザダイオードLD2を1チップ上に搭載する
モノリシックレーザダイオード14aの形成方法につい
て説明する。
Next, the first laser diode LD3
A method for forming the monolithic laser diode 14a in which the second laser diode LD2 and the second laser diode LD2 are mounted on one chip will be described.

【0091】まず、図6(a)に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)などの
エピタキシャル成長法により、n型GaAs基板30上
に、n型GaAsバッファ層31、n型AlGaAsク
ラッド層32、活性層(発振波長800nmの多重量子
井戸構造)33、p型AlGaAsクラッド層34、p
型GaAsキャップ層35を順に積層させる。
First, as shown in FIG. 6A, an n-type GaAs buffer layer 31 and an n-type AlGaAs cladding are formed on an n-type GaAs substrate 30 by an epitaxial growth method such as a metal organic chemical vapor deposition (MOVPE) method. A layer 32, an active layer (a multiple quantum well structure having an oscillation wavelength of 800 nm) 33, a p-type AlGaAs cladding layer 34,
Type GaAs cap layers 35 are sequentially stacked.

【0092】次に、図6(b)に示すように、第1レー
ザダイオードLD1として残す領域をレジスト膜(図示
せず)で保護して、硫酸系の無選択エッチング、及び、
フッ酸系のAlGaAs選択エッチングなどのウエット
エッチング(EC1)により、第1レーザダイオードL
D1領域以外の領域でn型AlGaAsクラッド層32
までの上記の積層体を除去する。
Next, as shown in FIG. 6B, a region left as the first laser diode LD1 is protected by a resist film (not shown), and sulfuric acid-based non-selective etching and
The first laser diode L is formed by wet etching (EC1) such as hydrofluoric acid-based AlGaAs selective etching.
The n-type AlGaAs cladding layer 32 is formed in a region other than the D1 region.
The above laminate up to is removed.

【0093】次に、図7(c)に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)などの
エピタキシャル成長法により、n型GaAsバッファ層
31上に、n型InGaPバッファ層36、n型AlG
aInPクラッド層37、活性層(発振波長650nm
の多重量子井戸構造)38、p型AlGaInPクラッ
ド層39、p型GaAsキャップ層40を順に積層させ
る。
Next, as shown in FIG. 7C, an n-type InGaP buffer layer 36 and an n-type InGaP buffer layer 36 are formed on the n-type GaAs buffer layer 31 by an epitaxial growth method such as a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). AlG
aInP cladding layer 37, active layer (oscillation wavelength 650 nm)
), A p-type AlGaInP cladding layer 39, and a p-type GaAs cap layer 40.

【0094】次に、図7(d)に示すように、第2レー
ザダイオードLD2として残す領域をレジスト膜(図示
せず)で保護して、硫酸系のキャップエッチング、リン
酸塩酸系の4元選択エッチング、塩酸系の分離エッチン
グなどのウエットエッチング(EC2)により、第2レ
ーザダイオードLD2領域以外の領域でn型InGaP
バッファ層36までの上記の積層体を除去し、第1レー
ザダイオードLD1と第2レーザダイオードLD2を分
離する。
Next, as shown in FIG. 7D, a region left as the second laser diode LD2 is protected by a resist film (not shown), and a sulfuric acid-based cap etching and a phosphate-hydrochloric acid-based quaternary are used. The n-type InGaP is formed in a region other than the region of the second laser diode LD2 by wet etching (EC2) such as selective etching or hydrochloric acid-based separation etching.
The stacked body up to the buffer layer 36 is removed, and the first laser diode LD1 and the second laser diode LD2 are separated.

【0095】次に、図8(e)に示すように、レジスト
膜(図示せず)で電流注入領域となる部分を保護して、
不純物Dをイオン注入などにより導入し、p型GaAs
キャップ層35、40の表面からp型AlGaAsクラ
ッド層34、39の途中の深さまで絶縁化された領域4
1を形成し、電流狭窄構造となるストライプとする。
Next, as shown in FIG. 8E, a portion to be a current injection region is protected by a resist film (not shown).
Impurity D is introduced by ion implantation or the like, and p-type GaAs
A region 4 insulated from the surface of the cap layers 35 and 40 to a depth in the middle of the p-type AlGaAs cladding layers 34 and 39
1 to form a stripe having a current confinement structure.

【0096】次に、図8(f)に示すように、p型Ga
Asキャップ層35、40に接続するように、Ti/P
t/Auなどのp型電極42を形成し、一方、n型Ga
As基板30に接続するように、AuGe/Ni/Au
などのn型電極43を形成し、ペレタイズ工程を経て、
所望の第1レーザダイオードLD1と第2レーザダイオ
ードLD2を1チップ上に搭載するモノリシックレーザ
ダイオード14aとする。
Next, as shown in FIG.
Ti / P to connect to the As cap layers 35 and 40
A p-type electrode 42 such as t / Au is formed, while an n-type Ga
AuGe / Ni / Au so as to be connected to the As substrate 30.
After forming an n-type electrode 43 such as
A desired first laser diode LD1 and a desired second laser diode LD2 are mounted on a single chip as a monolithic laser diode 14a.

【0097】図9は、上記したフォトダイオードの配置
(a)を示し、このフォトダイオードにより得られる信
号から、トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信
号、及び光ディスクに記録された情報信号の読み取りが
行われる。
FIG. 9 shows the arrangement (a) of the above-mentioned photodiode, and a tracking error signal, a focus error signal, and an information signal recorded on an optical disk are read from a signal obtained by the photodiode.

【0098】そして、上記のようにして、DVDなどの
光ディスクの上下の振れによるフォーカスエラー信号の
検出を行い、得られたフォーカスエラー信号に従ってフ
ォーカシングサーボをかける。また、トラッキングエラ
ー信号の検出を行い、得られたトラッキングエラー信号
に従ってトラッキングサーボをかける。
Then, as described above, a focus error signal due to a vertical shake of an optical disk such as a DVD is detected, and a focusing servo is applied according to the obtained focus error signal. Further, a tracking error signal is detected, and a tracking servo is applied according to the obtained tracking error signal.

【0099】即ち、前後部第1フォトダイオード16、
17においては、それぞれ8分割及び4分割された前後
部第1フォトダイオード16、17上に入射するスポッ
トS1a、S1bにおいて得られた信号a1、b1、c
1、d1、e1、f1、g1、h1、i1、j1、k1
及びl1を用いて、次式(6)によって、次世代DVD
などの光ディスクに記録された情報信号RF1を求める
ことができる。 RF1=a1+b1+c1+d1+e1+f1+g1+h1 +i1+j1+k1+l1 …(6)
That is, the front and rear first photodiodes 16,
At 17, the signals a 1, b 1, c obtained at the spots S 1 a, S 1 b incident on the front and rear first photodiodes 16, 17 divided into eight and four, respectively.
1, d1, e1, f1, g1, h1, i1, j1, k1
And l1 and the next-generation DVD by the following equation (6):
The information signal RF1 recorded on an optical disk such as the above can be obtained. RF1 = a1 + b1 + c1 + d1 + e1 + f1 + g1 + h1 + i1 + j1 + k1 + 11 (6)

【0100】また、上記の信号a1、b1、c1、d
1、e1、f1、g1、h1、i1、j1、k1及びl
1を用いて、次式(7)によって、フォーカスエラー信
号FE1を得ることができる。 FE1〔(a1+d1+e1+h1)−(b1+c1+f1+g1)〕 −〔(i1+l1)−(j1+k1)〕 …(7)
The signals a1, b1, c1, d
1, e1, f1, g1, h1, i1, j1, k1, and l
1, the focus error signal FE1 can be obtained by the following equation (7). FE1 [(a1 + d1 + e1 + h1)-(b1 + c1 + f1 + g1)]-[(i1 + 11)-(j1 + k1)] (7)

【0101】また、前部第1フォトダイオード16によ
り得られる信号a1、b1、c1、d1、e1、f1、
g1及びh1を用いて、前述の図19(b)に示したと
同様のDPD(位相差検出;Differential Phase Detec
tion)法により、トラッキングエラー信号TE1を得る
ことができる。たとえば、第1加算器(広帯域)AD1
にて、信号a1とb1、信号c1とd1、信号e1とf
1、信号g1とh1の加算演算処理を行い、位相比較器
PCで、信号a1とb1との和信号と信号c1とd1と
の和信号、信号g1とh1との和信号と信号e1とf1
との和信号の位相を比較した後、第2加算器AD2にて
加算演算処理を行ってトラッキングエラー信号TE1を
得る。DPD法によれば、1スポットでオフセットのな
い安定なトラッキングが可能となる。
The signals a1, b1, c1, d1, e1, f1, and
Using g1 and h1, the same DPD (Differential Phase Detec) as shown in FIG.
The tracking error signal TE1 can be obtained by the method. For example, a first adder (wideband) AD1
, Signals a1 and b1, signals c1 and d1, and signals e1 and f
1. The signal g1 and the signal h1 are subjected to an addition operation, and the phase comparator PC uses the signal a1 and the signal b1 and the signal c1 and the signal d1 and the signal g1 and the signal h1 and the signals e1 and f1.
After the phase of the sum signal is compared with the sum, a second adder AD2 performs an addition operation to obtain a tracking error signal TE1. According to the DPD method, stable tracking without offset in one spot can be performed.

【0102】一方、前後部第2フォトダイオード18、
19においては、それぞれ8分割および4分割された前
後部第2フォトダイオード18、19上に入射するスポ
ットS2a、S2bにおいて得られた信号a2、b2、
c2、d2、e2、f2、g2、h2、i2、j2、k
2及びl2を用いて、次式(9)によって、DVDなど
の光ディスクに記録された情報信号RF2を求めること
ができる。 RF2=a2+b2+c2+d2+e2+f2+g2+h2 +i2+j2+k2+l2 …(9)
On the other hand, the front and rear second photodiodes 18,
In 19, the signals a2, b2, obtained at the spots S2a, S2b incident on the front and rear second photodiodes 18, 19 divided into eight and four, respectively.
c2, d2, e2, f2, g2, h2, i2, j2, k
The information signal RF2 recorded on an optical disk such as a DVD can be obtained by the following equation (9) using 2 and l2. RF2 = a2 + b2 + c2 + d2 + e2 + f2 + g2 + h2 + i2 + j2 + k2 + l2 (9)

【0103】また、上記の信号a2、b2、c2、d
2、e2、f2、g2、h2、i2、j2、k2及びl
2を用いて、次式(10)によって、フォーカスエラー
信号FE2を得ることができる。 FE2=〔(a2+d2+e2+h2)−(b2+c2+f2+g2)〕 −〔(i2+l2)−(j2+k2)〕 …(10)
The signals a2, b2, c2, d
2, e2, f2, g2, h2, i2, j2, k2 and l
2, a focus error signal FE2 can be obtained by the following equation (10). FE2 = [(a2 + d2 + e2 + h2)-(b2 + c2 + f2 + g2)]-[(i2 + 12)-(j2 + k2)] (10)

【0104】また、前部第2フォトダイオード18によ
り得られる信号a2、b2、c2、d2、e2、f2、
g2及びh2を用いて、前述の図19(b)に示したと
同様のDPD(位相差検出;Differential Phase Detec
tion)法により、トラッキングエラー信号TE2を得る
ことができる。たとえば、第1加算器(広帯域)AD1
にて、信号a2とb2、信号c2とd2、信号e2とf
2、信号g2とh2の加算演算処理を行い、位相比較器
PCで、信号a2とb2との和信号と信号c2とd2と
の和信号、信号g2とh2との和信号と信号e2とf2
との和信号の位相を比較した後、第2加算器AD2にて
加算演算処理を行ってトラッキングエラー信号TE2を
得る。DPD法によれば、1スポットでオフセットのな
い安定なトラッキングが可能となる。
The signals a2, b2, c2, d2, e2, f2, and
Using g2 and h2, the same DPD (Differential Phase Detec) as shown in FIG.
The tracking error signal TE2 can be obtained by the method. For example, a first adder (wideband) AD1
, Signals a2 and b2, signals c2 and d2, signals e2 and f
2. The addition operation of the signals g2 and h2 is performed, and the phase comparator PC sums the signals a2 and b2, the signals c2 and d2, the signals g2 and h2, and the signals e2 and f2.
After the phase of the sum signal is compared with the sum, a second adder AD2 performs an addition operation to obtain a tracking error signal TE2. According to the DPD method, stable tracking without offset in one spot can be performed.

【0105】このレーザカプラを用いる光ディスクの再
生/記録装置においては、上記のようにして、DVDな
どの光ディスクの上下の振れによるフォーカスエラー信
号の検出を行い、得られたフォーカスエラー信号に従っ
てフォーカシングサーボをかける。また、トラッキング
エラー信号の検出を行い、得られたトラッキングエラー
信号に従ってトラッキングサーボをかける。
In the optical disk reproducing / recording apparatus using this laser coupler, as described above, the focus error signal due to the vertical shake of the optical disk such as a DVD is detected, and the focusing servo is performed in accordance with the obtained focus error signal. Multiply. Further, a tracking error signal is detected, and a tracking servo is applied according to the obtained tracking error signal.

【0106】このレーザカプラは、次世代DVD用のレ
ーザダイオードLD3(発振波長400nm)とDVD
用のレーザダイオードLD2(発振波長650nm)を
搭載し、2種類のDVDの再生を可能にするコンパチブ
ル光ピックアップを構成することが可能である。
This laser coupler is composed of a next-generation DVD laser diode LD3 (oscillation wavelength: 400 nm) and a DVD.
A laser diode LD2 (oscillation wavelength: 650 nm) is mounted, and a compatible optical pickup capable of reproducing two types of DVDs can be configured.

【0107】そして、このレーザカプラは、互いに隣接
して並列に配置された第1レーザダイオードLD3と第
2レーザダイオードLD2と、互いに隣接して並列に配
置された前後部第1フォトダイオード16、17と前後
部第2フォトダイオード18、19とを有しており、発
振波長の異なるレーザダイオードからの光軸を合わせる
必要がなく、共通の光学部材を用いて、第1レーザダイ
オードLD1及び第2レーザダイオードLD2の出射光
をDVDなどの光ディスクに照射し、光ディスクからの
反射光を前後部第1フォトダイオード16、17及び前
後部第2フォトダイオード18、19にそれぞれ入射さ
せる。従って、図14及び図15に示したものよりも部
品点数が少なく、容易に組み立てられ、小型化やコスト
削減が可能である。
The laser coupler comprises a first laser diode LD3 and a second laser diode LD2 which are arranged adjacently and in parallel, and front and rear first photodiodes 16 and 17 which are arranged adjacently and in parallel. And the front and rear second photodiodes 18 and 19, there is no need to align optical axes from laser diodes having different oscillation wavelengths, and the first laser diode LD1 and the second laser The light emitted from the diode LD2 is applied to an optical disc such as a DVD, and the reflected light from the optical disc is made incident on the front and rear first photodiodes 16 and 17 and the front and rear second photodiodes 18 and 19, respectively. Therefore, the number of parts is smaller than that shown in FIGS. 14 and 15, and it is easy to assemble, and it is possible to reduce the size and cost.

【0108】図10は、本実施の形態によるレーザカプ
ラを用いた光ピックアップの構成を示す。このレーザカ
プラ1aに内蔵される第1及び第2レーザダイオードか
らの出射レーザ光L1、L2をコリメータC、ミラー
M、CD用開口制限アパーチャR及び対物レンズOLを
介して、DVDなどの光ディスクDに入射する。光ディ
スクDからの反射光は、入射光と同一の経路をたどって
レーザカプラに戻り、レーザカプラに内蔵される第1及
び第2フォトダイオードにより受光される。
FIG. 10 shows the configuration of an optical pickup using the laser coupler according to the present embodiment. Laser beams L1 and L2 emitted from the first and second laser diodes incorporated in the laser coupler 1a are transmitted to an optical disc D such as a DVD via a collimator C, a mirror M, a CD aperture limiting aperture R and an objective lens OL. Incident. The reflected light from the optical disc D follows the same path as the incident light, returns to the laser coupler, and is received by the first and second photodiodes built in the laser coupler.

【0109】このレーザカプラにおいては、第1及び第
2フォトダイオードを図11に示すように分割すること
も可能である。この場合、前部第1フォトダイオード1
6の領域d1と、前部第2フォトダイオード18の領域
a2とe2が共通化されており、信号a2とe2を加算
することで信号d1が得られる。また、後部第1フォト
ダイオード17の領域l1と、後部第2フォトダイオー
ド19の領域i2が共通化されている。
In this laser coupler, the first and second photodiodes can be divided as shown in FIG. In this case, the front first photodiode 1
The region d1 of No. 6 and the regions a2 and e2 of the front second photodiode 18 are shared, and the signal d1 is obtained by adding the signals a2 and e2. Further, the region 11 of the rear first photodiode 17 and the region i2 of the rear second photodiode 19 are shared.

【0110】図12(a)は、本実施の形態にかかるレ
ーザカプラ1aの概略構成を示す説明図である。レーザ
カプラ1aは、第1パッケージ部材の凹部に装填され、
ガラスなどの透明な第2パッケージ部材3により封止さ
れている。
FIG. 12A is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a laser coupler 1a according to the present embodiment. The laser coupler 1a is loaded in a concave portion of the first package member,
It is sealed by a transparent second package member 3 such as glass.

【0111】図12(b)は上記のレーザカプラ1aの
要部斜視図である。例えば、シリコンの単結晶を切り出
した基板である集積回路基板11上に、モニター用の光
検出素子としてのPINダイオード12が形成された半
導体ブロック13が配置され、さらに、この半導体ブロ
ック13上に、発光素子として第1レーザダイオードL
D3及び第2レーザダイオードLD2を1チップ上に搭
載するモノリシックレーザダイオード14aが配置され
ている。
FIG. 12B is a perspective view of a main part of the laser coupler 1a. For example, a semiconductor block 13 on which a PIN diode 12 as a photodetection element for monitoring is formed is disposed on an integrated circuit substrate 11 which is a substrate obtained by cutting out a single crystal of silicon. First laser diode L as light emitting element
A monolithic laser diode 14a that mounts D3 and the second laser diode LD2 on one chip is arranged.

【0112】第1レーザダイオードLD3から出射され
たレーザ光L3は、L3’として波長変換された後、プ
リズム20の分光面20aで一部反射して進行方向を屈
曲し、第2パッケージに形成された出射窓から出射方向
に出射し、反射ミラーや対物レンズ(図示せず)などを
介して光ディスク(次世代DVD)などの被照射対象物
に照射される。
The laser beam L3 emitted from the first laser diode LD3 is wavelength-converted as L3 ', and then partially reflected on the spectral surface 20a of the prism 20, bends in the traveling direction, and is formed in the second package. The light exits from the exit window in the exit direction, and is irradiated onto an irradiation target such as an optical disk (next generation DVD) via a reflection mirror, an objective lens (not shown), or the like.

【0113】上記の被照射対象物からの反射光は、被照
射対象物への入射方向と反対方向に進み、レーザカプラ
1aからの出射方向からプリズム20の分光面20aに
入射する。このプリズム20の上面で焦点を結びなが
ら、プリズム20の下面となる集積回路基板11上に形
成された前部第1フォトダイオード16及び後部第1フ
ォトダイオード17に入射する。
The reflected light from the object to be irradiated travels in the direction opposite to the direction of incidence on the object to be irradiated, and enters the spectral surface 20a of the prism 20 from the direction of emission from the laser coupler 1a. While focusing on the upper surface of the prism 20, the light is incident on the front first photodiode 16 and the rear first photodiode 17 formed on the integrated circuit substrate 11, which is the lower surface of the prism 20.

【0114】一方、第2レーザダイオードLD2から出
射されたレーザ光L2は、上記と同様に、プリズム20
の分光面20aで一部反射して進行方向を屈曲し、第2
パッケージに形成された出射窓から出射方向に出射し、
反射ミラーや対物レンズなど(図示せず)を介して光デ
ィスク(DVD)などの被照射対象物に照射される。
On the other hand, the laser beam L2 emitted from the second laser diode LD2
Is partially reflected on the spectral surface 20a of the first lens, and the traveling direction is bent.
The light exits from the exit window formed in the package in the emission direction,
The light is irradiated onto an irradiation target such as an optical disk (DVD) via a reflection mirror, an objective lens, etc. (not shown).

【0115】上記の被照射対象物からの反射光は、被照
射対象物への入射方向と反対方向に進み、レーザカプラ
1aからの出射方向からプリズム20の分光面20aに
入射する。このプリズム20の上面で焦点を結びなが
ら、プリズム20の下面となる集積回路基板11上に形
成された前部第2フォトダイオード18および後部第2
フォトダイオード19に入射する。
The reflected light from the object to be irradiated travels in the direction opposite to the direction of incidence on the object to be irradiated, and enters the spectral surface 20a of the prism 20 from the direction of emission from the laser coupler 1a. While focusing on the upper surface of the prism 20, the front second photodiode 18 and the rear second photodiode 18 formed on the integrated circuit substrate 11 serving as the lower surface of the prism 20 are formed.
The light enters the photodiode 19.

【0116】このように、本実施の形態のレーザカプラ
は、次世代DVD用のレーザダイオードLD3(発振波
長800nm)とDVD用のレーザダイオードLD2
(発振波長650nm)を搭載し、種類の異なるDVD
の再生を可能にするコンパチブル光ピックアップを構成
することが可能である。さらに、第1レーザダイオード
と第2レーザダイオードを1チップ上に搭載するモノリ
シックレーザダイオードを用いることから、光学系の組
み立てがさらに容易となる。
As described above, the laser coupler of the present embodiment comprises a laser diode LD3 (oscillation wavelength: 800 nm) for the next generation DVD and a laser diode LD2 for the DVD.
(Oscillation wavelength 650nm), different types of DVD
It is possible to compose a compatible optical pickup that enables reproduction of data. Further, since a monolithic laser diode in which the first laser diode and the second laser diode are mounted on one chip is used, assembly of the optical system is further facilitated.

【0117】以上、本発明を実施の形態により説明した
が、本発明はこれらの実施の形態に何ら限定されるもの
ではない。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to these embodiments.

【0118】例えば、本発明に用いる発光素子として
は、レーザダイオードに限定されず、発光ダイオード
(LED)を用いることも可能である。
For example, the light emitting element used in the present invention is not limited to a laser diode, and a light emitting diode (LED) can be used.

【0119】また、第1及び第2レーザダイオードの発
振波長は、上述した800nm帯と650nm帯などに
限定されるものではなく、その他の光ディスクシステム
に採用されている波長とすることができる。すなわち、
種々の波長の組み合せを用い、種類の異なるDVD、更
にはCDも含む他の組み合わせの光ディスクシステムを
採用することができる。また、波長の異なる光は2種類
に限らず、それ以上としてもよい。
The oscillation wavelengths of the first and second laser diodes are not limited to the 800 nm band and the 650 nm band described above, but may be wavelengths employed in other optical disk systems. That is,
Other combinations of optical disc systems, including different types of DVDs and even CDs, using combinations of various wavelengths can be employed. Further, the light having different wavelengths is not limited to two types, and may be more than two types.

【0120】また、APC制御を行うためのPINダイ
オードは、第1及び第2フォトダイオードが形成されて
いる集積回路基板上に形成する構成としてもよい。この
場合には、プリズムの構成を変更して、第1及び第2レ
ーザダイオードのフロント側の出射光の一部を取り出し
てPINダイオードに結合する構成とすることが好まし
い。再生信号やトラッキング、フォーカスエラー信号の
読み取りは、図19で述べたように行ってもよい。
The PIN diode for performing the APC control may be formed on an integrated circuit substrate on which the first and second photodiodes are formed. In this case, it is preferable that the configuration of the prism is changed so that a part of the emitted light on the front side of the first and second laser diodes is extracted and coupled to the PIN diode. Reading of the reproduction signal, tracking, and focus error signal may be performed as described with reference to FIG.

【0121】また、図13に示すように、レーザダイオ
ードLD3とLD2を別々に(即ち、ディスクリート
に)作製し、それぞれをマウントする構成としたレーザ
カプラ1bとしてもよい。
Further, as shown in FIG. 13, the laser diode LD3 and LD2 may be separately (ie, discretely) manufactured, and the laser coupler 1b may be configured to mount each of them.

【0122】また、上述した波長変換素子100やコー
ティング(Rコート,Fコート)は、出射側又は入射側
において部分的に(即ち、処理が必要な波長光に対して
のみ)設けることもできる。
Further, the wavelength conversion element 100 and the coating (R-coat, F-coat) described above can be partially provided on the emission side or the incidence side (that is, only for the wavelength light that requires processing).

【0123】[0123]

【発明の作用効果】本発明は上述した如く、複数の発光
素子の光出射側に、この光の波長を変換するための波長
変換素子が設けられているので、上記出射光の波長を所
望に変換することができ、たとえば2波長レーザを用い
る光学装置や光ディスク装置であれば、特別の短波長レ
ーザを使用しなくても少なくとも一方のレーザからの出
射光を容易かつ効果的に短波長化することができ、光デ
ィスク等の情報記録媒体を高密度化することが可能であ
る。
As described above, according to the present invention, the wavelength conversion element for converting the wavelength of the light is provided on the light emission side of the plurality of light emitting elements. For example, in the case of an optical device or an optical disk device using a two-wavelength laser, the wavelength of emitted light from at least one of the lasers can be easily and effectively reduced without using a special short-wavelength laser. It is possible to increase the density of an information recording medium such as an optical disk.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態によるレーザダイオードの
レーザ光の出射方向を示す要部平面図である。
FIG. 1 is a main part plan view showing a laser light emitting direction of a laser diode according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態によるレーザダイオードの
レーザ光の出射方向を示す要部平面図である。
FIG. 2 is a main part plan view showing a laser light emitting direction of the laser diode according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の更に別の実施の形態によるレーザダイ
オードのレーザ光の出射方向を示す要部平面図である。
FIG. 3 is a main part plan view showing a laser beam emission direction of a laser diode according to still another embodiment of the present invention.

【図4】本発明の各実施の形態に用いるレーザダイオー
ドの要部斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a main part of a laser diode used in each embodiment of the present invention.

【図5】同、レーザダイオードのレーザ光の出射方向と
垂直方向における断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view in a direction perpendicular to the emission direction of laser light from the laser diode.

【図6】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に示
す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the laser diode in the order of steps.

【図7】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に示
す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a laser diode in the order of steps.

【図8】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に示
す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the laser diode in the order of steps.

【図9】同、フォトダイオードの要部平面図(a)DP
D法を説明するためのブロック図(b)である。
FIG. 9 is a plan view of a main part of the photodiode (a) DP.
It is a block diagram (b) for explaining a D method.

【図10】同、レーザカプラを用いた光ピックアップの
概略構成図である。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of an optical pickup using the laser coupler.

【図11】同、フォトダイオードの変形例の要部平面図
である。
FIG. 11 is a plan view of an essential part of a modified example of the photodiode.

【図12】同、レーザカプラのパッケージの斜視図
(a)と同レーザカプラの斜視図(b)である。
FIG. 12A is a perspective view of a package of the laser coupler, and FIG. 12B is a perspective view of the laser coupler.

【図13】同、レーザカプラの他のパッケージの斜視図
(a)と同レーザカプラの斜視図(b)である。
13A is a perspective view of another package of the laser coupler, and FIG. 13B is a perspective view of the same laser coupler.

【図14】従来例による光ピックアップの概略構成図で
ある。
FIG. 14 is a schematic configuration diagram of an optical pickup according to a conventional example.

【図15】他の従来例による光ピックアップの概略構成
図である。
FIG. 15 is a schematic configuration diagram of an optical pickup according to another conventional example.

【図16】本発明者が既に提案した光ピックアップの概
略構成図である。
FIG. 16 is a schematic configuration diagram of an optical pickup already proposed by the present inventors.

【図17】同、レーザダイオードの要部斜視図である。FIG. 17 is a perspective view of an essential part of the laser diode.

【図18】同、レーザダイオードのレーザ光の出射方向
を示す要部平面図(a)と同出射側の要部側面図(b)
と他のレーザダイオードのレーザ光の出射方向を示す要
部平面図(c)である。
FIG. 18 is a plan view (a) of a main part showing an emission direction of laser light of the laser diode, and a side view (b) of the main part on the same emission side.
FIG. 9C is a main part plan view (c) showing the emission direction of the laser light from another laser diode.

【図19】同、フォトダイオードの要部平面図(a)と
DPD法を説明するためのブロック図(b)である。
FIG. 19 is a plan view (a) of a main part of a photodiode and a block diagram (b) for explaining a DPD method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1b…レーザカプラ、11…集積回路基板、12
…PINダイオード、13…半導体ブロック、14、L
D1、LD3…第1レーザダイオード、14a…モノリ
シックレーザダイオード、15、LD2…第2レーザダ
イオード、16…前部第1フォトダイオード、17…後
部第1フォトダイオード、18…前部第2フォトダイオ
ード、19…後部第2フォトダイオード、20…プリズ
ム、20a…分光面、E1、E2…レーザ光出射部、B
S…ビームスプリッタ、C…コリメータ、R…CD用の
開口制限アパーチャ、ML…マルチレンズ、PD…フォ
トダイオード、G…グレーティング、M…ミラー、OL
…対物レンズ、D…光ディスク、L1…第1レーザ光、
L2…第2レーザ光、PC…位相比較器、AD…加算
器、S1a、S1b、S2a、S2b…スポット、10
0…SHG、200…光フィルタ
1a, 1b: laser coupler, 11: integrated circuit board, 12
... PIN diode, 13 ... Semiconductor block, 14, L
D1, LD3: first laser diode, 14a: monolithic laser diode, 15, LD2: second laser diode, 16: front first photodiode, 17: rear first photodiode, 18: front second photodiode, 19: rear second photodiode, 20: prism, 20a: spectral surface, E1, E2: laser beam emitting portion, B
S: beam splitter, C: collimator, R: aperture limiting aperture for CD, ML: multi-lens, PD: photodiode, G: grating, M: mirror, OL
... Objective lens, D ... Optical disk, L1 ... First laser beam,
L2: second laser beam, PC: phase comparator, AD: adder, S1a, S1b, S2a, S2b: spot, 10
0: SHG, 200: Optical filter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/12 H01L 31/12 H H01S 5/022 H01S 5/022 5/0683 5/0683 5/22 610 5/22 610 Fターム(参考) 2H048 GA13 GA23 GA24 GA48 GA62 2K002 AA05 AB12 BA03 HA20 5D119 AA01 AA04 AA41 BA01 CA10 EC45 EC47 FA09 FA36 JA10 JA29 JA63 JA64 KA02 KA20 LB05 5F073 AA13 AA55 AA74 AB06 BA04 CA05 CA17 CB02 CB07 CB22 DA05 FA02 FA15 5F089 AA10 AB03 AB17 AC02 AC11 CA15 FA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 31/12 H01L 31/12 H H01S 5/022 H01S 5/022 5/0683 5/0683 5/22 610 5/22 610 F term (reference) 2H048 GA13 GA23 GA24 GA48 GA62 2K002 AA05 AB12 BA03 HA20 5D119 AA01 AA04 AA41 BA01 CA10 EC45 EC47 FA09 FA36 JA10 JA29 JA63 JA64 KA02 KA20 LB05 5F073 AA13 AA55 A05 CB05 CA05 CB05 DA05 FA05 FA15 5F089 AA10 AB03 AB17 AC02 AC11 CA15 FA03

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに波長が異なる複数の光をそれぞれ
出射する複数の発光素子が光出射方向と交差する方向に
並置されている光学装置において、前記発光素子の光出
射側に、前記光の波長を変換するための波長変換素子が
設けられている光学装置。
1. An optical device in which a plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of light beams having different wavelengths are arranged side by side in a direction intersecting a light emitting direction. An optical device provided with a wavelength conversion element for converting light.
【請求項2】 前記波長変換素子の光入射面及び/又は
光出射面に所定のコーティングが施され、これによって
所定の波長の光が出射されるようにした、請求項1に記
載の光学装置。
2. The optical device according to claim 1, wherein a predetermined coating is applied to a light incident surface and / or a light output surface of the wavelength conversion element, so that light of a predetermined wavelength is emitted. .
【請求項3】 前記波長変換素子からの出射光をその波
長に応じて選択的に通過させるフィルタが設けられてい
る、請求項1に記載の光学装置。
3. The optical device according to claim 1, further comprising a filter that selectively passes light emitted from the wavelength conversion element according to the wavelength.
【請求項4】 前記複数の発光素子及び前記波長変換素
子が基体上に固定されている、請求項1に記載の光学装
置。
4. The optical device according to claim 1, wherein the plurality of light emitting elements and the wavelength conversion element are fixed on a base.
【請求項5】 前記複数の発光素子からの出射光が、対
物レンズを通して複数の受光素子にそれぞれ導かれる、
請求項1に記載の光学装置。
5. The light emitted from the plurality of light emitting elements is guided to a plurality of light receiving elements through an objective lens, respectively.
The optical device according to claim 1.
【請求項6】 前記複数の発光素子が、互いに異なる波
長のレーザ光を出射する、請求項5に記載の光学装置。
6. The optical device according to claim 5, wherein the plurality of light emitting elements emit laser beams having different wavelengths from each other.
【請求項7】 前記複数の発光素子の出射光が前記対物
レンズを通して被照射体に入射され、この反射光が前記
対物レンズを通して前記複数の受光素子にそれぞれ入射
される、請求項5に記載の光学装置。
7. The light emitting device according to claim 5, wherein light emitted from the plurality of light emitting elements is incident on the irradiation target through the objective lens, and reflected light is incident on the plurality of light receiving elements through the objective lens. Optical device.
【請求項8】 前記複数の発光素子と、これらの各出射
光を前記被照射体へ導き、かつ前記反射光を前記複数の
受光素子へ導くための光学部材と、前記受光素子とが共
通の基体上に設けられ、光カプラとして構成された、請
求項7に記載の光学装置。
8. A common light-receiving element, wherein the plurality of light-emitting elements, an optical member for guiding each of these emitted lights to the object to be irradiated, and the reflected light to the plurality of light-receiving elements, and a common light-receiving element The optical device according to claim 7, wherein the optical device is provided on a base and configured as an optical coupler.
【請求項9】 光ディスク装置の光ピックアップとして
構成された、請求項7に記載の光学装置。
9. The optical device according to claim 7, wherein the optical device is configured as an optical pickup of an optical disk device.
【請求項10】 互いに波長が異なる複数の光をそれぞ
れ出射する複数の発光素子が光出射方向と交差する方向
に並置され、前記複数の光がディスク状情報記録媒体に
入射し、この反射光をそれぞれ受光する複数の受光素子
が設けられている光ディスク装置において、前記発光素
子の光出射側に、前記光の波長を変換するための波長変
換素子が設けられている光ディスク装置。
10. A plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of light beams having different wavelengths are juxtaposed in a direction intersecting a light emitting direction. An optical disk device provided with a plurality of light receiving elements for receiving light, wherein a wavelength conversion element for converting a wavelength of the light is provided on a light emission side of the light emitting element.
【請求項11】 前記波長変換素子の光入射面及び/又
は光出射面に所定のコーティングが施され、これによっ
て所定の波長の光が出射されるようにした、請求項10
に記載の光ディスク装置。
11. A predetermined coating is applied to a light incident surface and / or a light emitting surface of the wavelength conversion element, so that light of a predetermined wavelength is emitted.
An optical disk device according to claim 1.
【請求項12】 前記波長変換素子からの出射光をその
波長に応じて選択的に通過させるフィルタが設けられて
いる、請求項10に記載の光ディスク装置。
12. The optical disk device according to claim 10, further comprising a filter that selectively passes light emitted from the wavelength conversion element according to the wavelength.
【請求項13】 前記複数の発光素子及び前記波長変換
素子が基体上に固定されている、請求項10に記載の光
ディスク装置。
13. The optical disk device according to claim 10, wherein said plurality of light emitting elements and said wavelength conversion element are fixed on a base.
【請求項14】 前記複数の発光素子からの出射光が、
対物レンズを通して前記複数の受光素子にそれぞれ導か
れる、請求項10に記載の光ディスク装置。
14. The light emitted from the plurality of light emitting elements,
The optical disk device according to claim 10, wherein the optical disk device is guided to each of the plurality of light receiving elements through an objective lens.
【請求項15】 前記複数の発光素子が、互いに異なる
波長のレーザ光を出射する、請求項14に記載の光ディ
スク装置。
15. The optical disk device according to claim 14, wherein the plurality of light emitting elements emit laser beams having different wavelengths from each other.
【請求項16】 前記複数の発光素子の出射光が前記対
物レンズを通して被照射体に入射され、この反射光が前
記対物レンズを通して前記複数の受光素子にそれぞれ入
射される、請求項14に記載の光ディスク装置。
16. The light emitting device according to claim 14, wherein the light emitted from the plurality of light emitting elements is incident on the irradiation target through the objective lens, and the reflected light is respectively incident on the plurality of light receiving elements through the objective lens. Optical disk device.
【請求項17】 前記複数の発光素子と、これらの各出
射光を前記ディスク状情報記録媒体へ導き、かつ前記反
射光を前記複数の受光素子へ導くための光学部材と、前
記受光素子とが共通の基体上に設けられた光カプラを有
する、請求項16に記載の光ディスク装置。
17. The plurality of light emitting elements, an optical member for guiding each emitted light to the disc-shaped information recording medium, and guiding the reflected light to the plurality of light receiving elements, and the light receiving element 17. The optical disk device according to claim 16, comprising an optical coupler provided on a common base.
JP2000056899A 2000-03-02 2000-03-02 Optical apparatus and optical disk device Pending JP2001250255A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000056899A JP2001250255A (en) 2000-03-02 2000-03-02 Optical apparatus and optical disk device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000056899A JP2001250255A (en) 2000-03-02 2000-03-02 Optical apparatus and optical disk device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001250255A true JP2001250255A (en) 2001-09-14

Family

ID=18577772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000056899A Pending JP2001250255A (en) 2000-03-02 2000-03-02 Optical apparatus and optical disk device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001250255A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010114260A2 (en) * 2009-03-30 2010-10-07 서울대학교산학협력단 Method for coating light-emitting devices, light coupler, and method for manufacturing the light coupler
JP2012094765A (en) * 2010-10-28 2012-05-17 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor laser device and optical device
JP2013115245A (en) * 2011-11-29 2013-06-10 Kyocera Corp Light receiving/emitting element
US10738987B2 (en) 2017-07-28 2020-08-11 Nichia Corporation Light emitting device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010114260A2 (en) * 2009-03-30 2010-10-07 서울대학교산학협력단 Method for coating light-emitting devices, light coupler, and method for manufacturing the light coupler
WO2010114260A3 (en) * 2009-03-30 2010-12-09 서울대학교산학협력단 Method for coating light-emitting devices, light coupler, and method for manufacturing the light coupler
US8455890B2 (en) 2009-03-30 2013-06-04 Snu R&Db Foundation Method for coating light-emitting devices, light coupler, and method for manufacturing the light coupler
JP2012094765A (en) * 2010-10-28 2012-05-17 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor laser device and optical device
JP2013115245A (en) * 2011-11-29 2013-06-10 Kyocera Corp Light receiving/emitting element
US10738987B2 (en) 2017-07-28 2020-08-11 Nichia Corporation Light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3882210B2 (en) Optical device
JP5240156B2 (en) Manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2006269987A (en) Semiconductor laser device and optical pickup device
KR100624058B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of producing same
JP2002057404A (en) Laser diode, semiconductor light-emitting device and method of manufacture
JP2011204983A (en) Method for manufacturing integrated semiconductor laser device
US6358764B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of producing same
US20110007771A1 (en) Semiconductor laser apparatus, method of manufacturing the same and optical apparatus
US6912234B2 (en) Optical pickup apparatus and laser diode chip
JP2001250255A (en) Optical apparatus and optical disk device
US6614825B1 (en) Monolithic VCSEL-based optical pickup and servo control device
JP2002232077A (en) Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP2000187876A (en) Optical device and optical disk drive
JP4706162B2 (en) OPTICAL DEVICE, OPTICAL DISK DEVICE, AND LIGHT BEAM POSITION ADJUSTING METHOD THEREOF
JP4617600B2 (en) Two-wavelength semiconductor laser device
JP3558121B2 (en) Optical device, optical disk device, and light beam position adjusting method thereof
JP2001250254A (en) Optical apparatus and optical disk device
JP4821829B2 (en) Manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2001250253A (en) Optical apparatus, optical disk device, and method for adjusting optical spot for them
JP4770002B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP4561381B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP3533273B2 (en) Optical device
JPH11144307A (en) Light receiving and emitting element and optical pickup using the element and optical disk device
JP2001250252A (en) Optical disk device
JP4281209B2 (en) Manufacturing method of semiconductor light emitting device