JP2001250254A - Optical apparatus and optical disk device - Google Patents

Optical apparatus and optical disk device

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JP2001250254A
JP2001250254A JP2000056896A JP2000056896A JP2001250254A JP 2001250254 A JP2001250254 A JP 2001250254A JP 2000056896 A JP2000056896 A JP 2000056896A JP 2000056896 A JP2000056896 A JP 2000056896A JP 2001250254 A JP2001250254 A JP 2001250254A
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JP
Japan
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light
optical
laser
temperature
receiving element
Prior art date
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Application number
JP2000056896A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Nemoto
和彦 根本
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical apparatus such as a laser coupler capable of obtaining stable output characteristics by constantly offsetting thermal characteristics for a light beam of an arbitrary wavelength, even in the case plural laser elements are monitored with a PD of the same characteristics; and also to provide an optical disk device using this apparatus. SOLUTION: Among the outgoing laser beams L1, L2 of plural laser diodes LD1, LD2, in one laser beam L1 (e.g. with a wavelength of 780 nm), the protective film 53 of the laser end face is provided with such a reflection characteristic as offsets the thermal characteristics of a PD for monitoring; and, in addition, an optical film 54, in which reflectivity for the other laser beam L2 (e.g. with a wavelength of 650 nm) increases at the time of rising temperature, is provided in the optical path between the plural laser diodes LD1, LD2 and the plural photodiodes 16, 17 and 18, 19, particularly on the spectral surface 20a of a prism 20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置及び光デ
ィスク装置に関し、特に、互いに異なる複数の光をそれ
ぞれ出射する複数の発光素子が光出射方向と交差する方
向に並置され、前記複数の光をそれぞれ受光する複数の
受光素子が設けられている光学装置(特に光ピックアッ
プ)及び前記複数の光をディスク状情報記録媒体に照射
してその反射光で情報を読み取る光ディスク装置に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical device and an optical disk device, and more particularly, to a plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of different lights, which are arranged side by side in a direction intersecting a light emitting direction. The present invention relates to an optical device (in particular, an optical pickup) provided with a plurality of light receiving elements for receiving light, and an optical disk device for irradiating the plurality of lights to a disk-shaped information recording medium and reading information by reflected light.

【0002】[0002]

【従来の技術】CD(コンパクトディスク)、DVD
(デジタルビデオディスク)又はMD(ミニディスク)
等の如く、光学的に情報を記録及び/又は再生する光学
記録媒体(以下、光ディスクと称することがある。)に
記録された情報の読み取り(再生)、或いはそれらへの
情報の書き込み(記録)を行う装置(以下、光ディスク
装置と称することがある。)には、光ピックアップが内
蔵されている。
2. Description of the Related Art CD (Compact Disk), DVD
(Digital Video Disc) or MD (Mini Disc)
Read (reproduce) information recorded on an optical recording medium for optically recording and / or reproducing information (hereinafter, may be referred to as an optical disk), or write (record) information to or from them. (Hereinafter, may be referred to as an optical disk device) has a built-in optical pickup.

【0003】こうした光ディスク装置や光ピックアップ
においては、一般に、光ディスクの種類(光ディスクシ
ステム)が異なる場合には、波長の異なるレーザ光を用
いる。例えば、CDの再生などには780nm帯の波長
のレーザ光を、DVDの再生などには650nm帯の波
長のレーザ光を用いる。
In such an optical disk device or optical pickup, laser beams having different wavelengths are generally used when the type of optical disk (optical disk system) is different. For example, a laser beam having a wavelength of 780 nm is used for reproducing a CD, and a laser beam having a wavelength of 650 nm is used for reproducing a DVD.

【0004】このように光ディスクの種類によってレー
ザ光の波長が異なる状況において、例えばDVD用の光
ディスク装置でCDの再生を可能にするコンパチブル光
ピックアップが望まれている。
In such a situation where the wavelength of the laser beam differs depending on the type of the optical disk, a compatible optical pickup which enables reproduction of a CD by an optical disk device for a DVD, for example, is desired.

【0005】図14は、上記のようなCD用のレーザダ
イオードLD1(発振波長780nm)とDVD用のレ
ーザダイオードLD2(発振波長650nm)とを搭載
し、CDとDVDの再生を可能にした従来のコンパチブ
ル光ピックアップ100の概略構成図である。
[0005] FIG. 14 shows a conventional laser diode LD1 (oscillation wavelength 780 nm) and a laser diode LD2 (oscillation wavelength 650 nm) for DVD, as described above, on which a CD and a DVD can be reproduced. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a compatible optical pickup 100.

【0006】この光ピックアップ100は、例えば78
0nm帯の波長のレーザ光を出射する第1レーザダイオ
ードLD1、グレーティングG、第1ビームスプリッタ
BS1、第1ミラーM1、第1対物レンズOL1、第1
マルチレンズML1、及び第1フォトダイオードPD1
がそれぞれ個々に(即ち、ディスクリートに)所定の位
置に配設されたCD用光学系を有する。
The optical pickup 100 is, for example, 78
A first laser diode LD1, a grating G, a first beam splitter BS1, a first mirror M1, a first objective lens OL1, a first laser diode LD1, which emits a laser beam having a wavelength of 0 nm band.
Multi-lens ML1 and first photodiode PD1
Have a CD optical system individually (ie, discretely) disposed at predetermined positions.

【0007】さらに、この光ピックアップ100は、例
えば650nm帯の波長のレーザ光を出射する第2レー
ザダイオードLD2、第2ビームスプリッタBS2、コ
リメータC、第2ミラーM2、第2対物レンズOL2、
第2マルチレンズML2、及び第2フォトダイオードP
D2がそれぞれ個々に(即ち、ディスクリートに)所定
の位置に配設されたDVD用光学系を有する。
Further, the optical pickup 100 has a second laser diode LD2, a second beam splitter BS2, a collimator C, a second mirror M2, a second objective lens OL2, which emits a laser beam having a wavelength in the 650 nm band, for example.
Second multi-lens ML2 and second photodiode P
D2 has DVD optical systems individually (ie, discretely) arranged at predetermined positions.

【0008】このように構成された光ピックアップ10
0のCD用光学系において、第1レーザダイオードLD
1からの第1レーザ光L1は、グレーティングGを通過
し、第1ビームスプリッタBS1によって一部反射さ
れ、第1ミラーM1により進路を屈曲して、第1対物レ
ンズOL1により光ディスクD上に集光される。
[0008] The optical pickup 10 thus configured
0, the first laser diode LD
The first laser light L1 from 1 passes through the grating G, is partially reflected by the first beam splitter BS1, bends the path by the first mirror M1, and is condensed on the optical disk D by the first objective lens OL1. Is done.

【0009】光ディスクDからの反射光は、第1対物レ
ンズOL1、第1ミラーM1および第1ビームスプリッ
タBS1を介して、第1マルチレンズML1を通過し、
第1フォトダイオードPD1上に入射され、この反射光
の変化により、光ディスクDのCD用記録面上に記録さ
れた情報の読み出しがなされる。
The reflected light from the optical disc D passes through the first multi-lens ML1 via the first objective lens OL1, the first mirror M1, and the first beam splitter BS1, and
The light is incident on the first photodiode PD1, and the information recorded on the CD recording surface of the optical disk D is read by the change in the reflected light.

【0010】また、光ピックアップ100のDVD用光
学系においても、上記と同様に、第2レーザダイオード
LD2からの第2レーザ光L2は、第2ビームスプリッ
タBS2によって一部反射され、コリメータCを通過し
て、第2ミラーM2により進路を屈曲して、第2対物レ
ンズOL2により光ディスクD上に集光される。
Also in the DVD optical system of the optical pickup 100, the second laser beam L2 from the second laser diode LD2 is partially reflected by the second beam splitter BS2 and passes through the collimator C in the same manner as described above. Then, the path is bent by the second mirror M2, and the light is focused on the optical disk D by the second objective lens OL2.

【0011】光ディスクDからの反射光は、第2対物レ
ンズOL2、第2ミラーM2、コリメータCおよび第2
ビームスプリッタBS2を介して、第2マルチレンズM
L2を通過し、第2フォトダイオードPD2上に入射さ
れ、この反射光の変化により光ディスクDのDVD用記
録面上に記録された情報の読み出しがなされる。
The reflected light from the optical disk D is transmitted to the second objective lens OL2, the second mirror M2, the collimator C, and the second objective lens OL2.
Through the beam splitter BS2, the second multi-lens M
After passing through L2, it is incident on the second photodiode PD2, and the information recorded on the DVD recording surface of the optical disk D is read by the change of the reflected light.

【0012】この光ピックアップ100によれば、CD
用のレーザダイオードとDVD用のレーザダイオードを
搭載し、それぞれの光学系を有することにより、CDと
DVDの再生を可能にしている。
According to the optical pickup 100, the CD
A laser diode for DVD and a laser diode for DVD are mounted, and the respective optical systems enable reproduction of CD and DVD.

【0013】また、図15は、上記のようなCD用のレ
ーザダイオードLD1(発振波長780nm)とDVD
用のレーザダイオードLD2(発振波長650nm)を
搭載し、CDとDVDの再生を可能にした従来の他のコ
ンパチブル光ピックアップ101の概略構成図である。
FIG. 15 shows a laser diode LD1 for a CD (oscillation wavelength of 780 nm) and a DVD as described above.
Configuration diagram of another conventional compatible optical pickup 101 mounted with a laser diode LD2 (oscillation wavelength 650 nm) for reproducing CDs and DVDs.

【0014】この光ピックアップ101は、例えば78
0nm帯の波長のレーザ光を出射する第1レーザダイオ
ードLD1、グレーティングG、第1ビームスプリッタ
BS1、ダイクロイックビームスプリッタDBS、コリ
メータC、ミラーM、CD用開口制限アパーチャR、対
物レンズOL、第1マルチレンズML1、及び第1フォ
トダイオードPD1がそれぞれ個々に(即ち、ディスク
リートに)所定の位置に配設されたCD用光学系を有す
る。
The optical pickup 101 is, for example, 78
A first laser diode LD1, a grating G, a first beam splitter BS1, a dichroic beam splitter DBS, a collimator C, a mirror M, an aperture limiting aperture R for CD, an objective lens OL, a first multi, which emits a laser beam having a wavelength of 0 nm band. The lens ML1 and the first photodiode PD1 each have a CD optical system individually (ie, discretely) disposed at predetermined positions.

【0015】さらに、この光ピックアップ101は、例
えば650nm帯の波長のレーザ光を出射する第2レー
ザダイオードLD2、第2ビームスプリッタBS2、ダ
イクロイックビームスプリッタDBS、コリメータC、
ミラーM、対物レンズOL、第2マルチレンズML2、
及び第2フォトダイオードPD2がそれぞれ個々に(即
ち、ディスクリートに)所定の位置に配設されたDVD
用光学系を有する。
Further, the optical pickup 101 includes, for example, a second laser diode LD2, a second beam splitter BS2, a dichroic beam splitter DBS, a collimator C, which emits a laser beam having a wavelength in the 650 nm band.
Mirror M, objective lens OL, second multi-lens ML2,
And the second photodiode PD2 individually (ie, discretely) disposed at a predetermined position.
Optical system.

【0016】この各光学系において、一部の光学部材は
共有しており、例えば、ダイクロイックビームスプリッ
タDBS、コリメータC、ミラーM及び対物レンズOL
が両光学系により共有されている。また、ダイクロイッ
クビームスプリッタDBSと光ディスクD間の光軸を共
有しているために、CD用の開口制限アパーチャRはD
VD用光学系の光軸上にも配置されることになる。
In each of these optical systems, some optical members are shared, for example, a dichroic beam splitter DBS, a collimator C, a mirror M, and an objective lens OL.
Is shared by both optical systems. Further, since the optical axis is shared between the dichroic beam splitter DBS and the optical disk D, the aperture limiting aperture R for CD is D
It is also arranged on the optical axis of the VD optical system.

【0017】このように構成された光ピックアップ10
1のCD用光学系において、第1レーザダイオードLD
1からの第1レーザ光L1は、グレーティングGを通過
し、第1ビームスプリッタBS1によって一部反射さ
れ、ダイクロイックビームスプリッタDBS、コリメー
タC、ミラーMをそれぞれ通過あるいは反射して、CD
用開口制限アパーチャRを介して対物レンズOL1によ
り光ディスクD上に集光される。
The optical pickup 10 constructed as described above
In the optical system for one CD, the first laser diode LD
The first laser beam L1 from No. 1 passes through the grating G, is partially reflected by the first beam splitter BS1, passes or reflects through the dichroic beam splitter DBS, the collimator C, and the mirror M, and returns to the CD.
The light is condensed on the optical disk D by the objective lens OL1 via the aperture limiting aperture R.

【0018】光ディスクDからの反射光は、対物レンズ
OL、CD用開口制限アパーチャR、ミラーM、コリメ
ータC、ダイクロイックビームスプリッタDBSおよび
第1ビームスプリッタBS1を介して、第1マルチレン
ズML1を通過し、第1フォトダイオードPD1上に入
射され、この反射光の変化により、光ディスクDのCD
用記録面上に記録された情報の読み出しがなされる。
The reflected light from the optical disk D passes through the first multi-lens ML1 via the objective lens OL, the aperture limiting aperture R for CD, the mirror M, the collimator C, the dichroic beam splitter DBS and the first beam splitter BS1. Is incident on the first photodiode PD1, and the change in the reflected light causes the CD
The information recorded on the data recording surface is read.

【0019】また光ピックアップ101のDVD用光学
系においても、上記と同様に、第2レーザダイオードL
D2からの第2レーザ光L2は、第2ビームスプリッタ
BS2によって一部反射され、ダイクロイックビームス
プリッタDBS、コリメータC、ミラーMをそれぞれ通
過あるいは反射して、CD用の開口制限アパーチャRを
介して対物レンズOL1により光ディスクD上に集光さ
れる。
In the DVD optical system of the optical pickup 101, the second laser diode L
The second laser light L2 from D2 is partially reflected by the second beam splitter BS2, passes or reflects through the dichroic beam splitter DBS, the collimator C, and the mirror M, respectively, and passes through the aperture limiting aperture R for CD. The light is focused on the optical disk D by the lens OL1.

【0020】光ディスクDからの反射光は、対物レンズ
OL、CD用開口制限アパーチャR、ミラーM、コリメ
ータC、ダイクロイックビームスプリッタDBSおよび
第2ビームスプリッタBS2を介して、第2マルチレン
ズML2を通過し、第2フォトダイオードPD2上に入
射され、この反射光の変化により、光ディスクDのDV
D用記録面上に記録された情報の読み出しがなされる。
The reflected light from the optical disk D passes through the second multi-lens ML2 via the objective lens OL, the aperture limiting aperture R for CD, the mirror M, the collimator C, the dichroic beam splitter DBS and the second beam splitter BS2. Is incident on the second photodiode PD2, and the change in the reflected light causes the DV of the optical disk D to change.
The information recorded on the recording surface for D is read.

【0021】この光ピックアップ101によれば、図1
4に示した光ピックアップ100と同様に、CD用のレ
ーザダイオードとDVD用のレーザダイオードを搭載
し、それぞれの光学系を有することによりCDとDVD
の再生を可能にしている。
According to the optical pickup 101, FIG.
Similarly to the optical pickup 100 shown in FIG. 4, a laser diode for a CD and a laser diode for a DVD are mounted, and a CD and a DVD are provided by having respective optical systems.
It is possible to play.

【0022】[0022]

【発明に至る経過】本発明者は、こうした従来の光ピッ
クアップに対し、CDやDVDなどの波長の異なる光デ
ィスクシステムを構成することが可能であって、部品点
数を減らして容易に組み立てられ、小型化やコスト削減
を可能にする光学装置及びそれを用いた光ディスク装置
を既に提案した。
The present inventor can construct an optical disk system having a different wavelength, such as a CD or a DVD, with respect to such a conventional optical pickup. We have already proposed an optical device capable of realization and cost reduction and an optical disk device using the same.

【0023】図16〜図19には、その一例を示し、図
16に示すコンパチブル光ピックアップ1aによれば、
CD用のレーザダイオードLD1(発振波長780n
m)とDVD用のレーザダイオードLD2(発振波長6
50nm)を搭載している。
FIGS. 16 to 19 show an example thereof. According to the compatible optical pickup 1a shown in FIG.
Laser diode LD1 for CD (oscillation wavelength 780n
m) and a laser diode LD2 for DVD (oscillation wavelength 6
50 nm).

【0024】この光ピックアップ1aは、それぞれ個々
に(即ち、ディスクリートに)或いは共通の基板上に
(即ち、モノリシックに)構成された光学系を有し、互
いに隣接して並列に形成され、例えば780nm帯の波
長のレーザ光を出射する第1レーザダイオードLD1と
650nm帯の波長のレーザ光を出射する第2レーザダ
イオードLD2を有するレーザダイオードLD、780
nm帯用であって650nm帯に対しては素通しとなる
グレーティングG、ビームスプリッタBS、コリメータ
C、ミラーM、CD用の開口制限アパーチャR、対物レ
ンズOL、マルチレンズML、及びフォトダイオードP
Dがそれぞれ所定の位置に配設されている。フォトダイ
オードPDには、780nm帯の光を受光する第1フォ
トダイオードと、650nm帯の光を受光する第2フォ
トダイオードが互いに隣接して並列に形成されている。
The optical pickup 1a has an optical system individually (ie, discretely) or on a common substrate (ie, monolithically), and is formed adjacent to each other and in parallel, for example, at 780 nm. 780, a laser diode LD having a first laser diode LD1 for emitting laser light of a wavelength in the band and a second laser diode LD2 for emitting laser light of a wavelength in the 650 nm band.
A grating G, a beam splitter BS, a collimator C, a mirror M, an aperture limiting aperture R for CD, an objective lens OL, a multi-lens ML, and a photodiode P for the nm band and transparent to the 650 nm band.
D are respectively provided at predetermined positions. In the photodiode PD, a first photodiode that receives light in the 780 nm band and a second photodiode that receives light in the 650 nm band are formed adjacent to and parallel to each other.

【0025】この光ピックアップ1aにおいて、第1レ
ーザダイオードLD1からの第1レーザ光L1は、グレ
ーティングGを通過し、ビームスプリッタBSによって
一部反射され、コリメータC、ミラーM及びCD用の開
口制限アパーチャRと通過(反射)して、対物レンズO
Lにより光ディスクD上に集光される。
In the optical pickup 1a, the first laser light L1 from the first laser diode LD1 passes through the grating G, is partially reflected by the beam splitter BS, and has an aperture limiting aperture for the collimator C, mirror M, and CD. R passes through (reflects) with the objective lens O
L converges on the optical disc D.

【0026】光ディスクDからの反射光は、対物レンズ
OL、CD用開口制限アパーチャR、ミラーM、コリメ
ータC及びビームスプリッタBSを介して、マルチレン
ズMLを通過し、フォトダイオードPD(第1フォトダ
イオード)上に入射され、この反射光の変化により、C
Dなどの光ディスクDの記録面上に記録された情報の読
み出しがなされる。
The reflected light from the optical disk D passes through the multi-lens ML via the objective lens OL, the CD aperture limiting aperture R, the mirror M, the collimator C, and the beam splitter BS, and passes through the photodiode PD (first photodiode). ), And this change in reflected light causes C
The information recorded on the recording surface of the optical disc D, such as D, is read.

【0027】そして、光ピックアップ1aにおいて、第
2レーザダイオードLD2からの第2レーザ光L2も、
上記と同じ経路を辿って光ディスクD上に集光され、そ
の反射光はフォトダイオードPD(第2フォトダイオー
ド)上に入射され、この反射光の変化により、DVDな
どの光ディスクDの記録面上に記録された情報の読み出
しがなされる。
Then, in the optical pickup 1a, the second laser light L2 from the second laser diode LD2 is also
The light is condensed on the optical disk D by following the same path as described above, and the reflected light is incident on the photodiode PD (second photodiode). Due to the change in the reflected light, the light is reflected on the recording surface of the optical disk D such as a DVD. Reading of the recorded information is performed.

【0028】この光ピックアップ1aによれば、CD用
のレーザダイオードとDVD用のレーザダイオードを搭
載し、共通の光学系によりその反射光をCD用のフォト
ダイオードとDVD用のフォトダイオードに結合させ、
CDとDVDの再生を可能にしている。
According to this optical pickup 1a, a laser diode for CD and a laser diode for DVD are mounted, and the reflected light is coupled to the photodiode for CD and the photodiode for DVD by a common optical system.
It enables playback of CDs and DVDs.

【0029】図17は、上記のレーザダイオードLDの
要部斜視図である。例えば、円盤状の基台21に設けら
れた突起部21a上にモニター用の光検出素子としての
PINダイオード12が形成された半導体ブロック13
が固着され、その上部に第1レーザダイオード14(L
D1)と第2レーザダイオード15(LD2)が配置さ
れている。また、基台1を貫通して端子22が設けられ
ており、リード23により上記の第1及び第2レーザダ
イオード14、15、或いはPINダイオード12に接
続されて、それぞれのダイオードの駆動電源が供給され
る。
FIG. 17 is a perspective view of a main part of the laser diode LD. For example, a semiconductor block 13 in which a PIN diode 12 as a photodetection element for monitoring is formed on a protrusion 21 a provided on a disc-shaped base 21.
Is fixed, and the first laser diode 14 (L
D1) and the second laser diode 15 (LD2). Further, a terminal 22 is provided through the base 1 and is connected to the first and second laser diodes 14, 15 or the PIN diode 12 by a lead 23 to supply power for driving each diode. Is done.

【0030】図18(a)は、上記のレーザダイオード
のレーザ光の出射方向と垂直な方向からの要部平面図で
あり、また図18(b)は、レーザダイオードのレーザ
光の出射方向からの要部平面図である。PINダイオー
ド12が形成された半導体ブロック13の上部に第1レ
ーザダイオード14(LD1)と第2レーザダイオード
15(LD2)がディスクリートに配置されている。こ
れらのレーザダイオードは、図18(c)のように、後
述する如くにモノリシックに配置されてよい。
FIG. 18A is a plan view of a main part of the laser diode taken from a direction perpendicular to the laser beam emission direction. FIG. 18B is a plan view of the laser diode taken from the laser beam emission direction. FIG. A first laser diode 14 (LD1) and a second laser diode 15 (LD2) are discretely disposed above a semiconductor block 13 on which a PIN diode 12 is formed. These laser diodes may be monolithically arranged as described later, as shown in FIG.

【0031】ここで、PINダイオード12は、例えば
2つに分割された領域を有し、第1および第2レーザダ
イオード14、15又はLD1、LD2のそれぞれにつ
いて、リア(後部)側に出射されたレーザ光を感知し、
その強度を測定して、レーザ光の強度が一定となるよう
に第1及び第2レーザダイオード14、15又はLD
1、LD2の駆動電流を制御するAPC(Automatic Po
wer Control)制御が行われるように構成されている。
PINダイオード12は、分割されずに1つでもよい
(切換えて使用可能)。
Here, the PIN diode 12 has, for example, two divided regions, and the first and second laser diodes 14, 15 or each of LD1, LD2 are emitted toward the rear (rear) side. Sensing the laser light,
The intensity is measured and the first and second laser diodes 14, 15 or LD are controlled so that the intensity of the laser light is constant.
1. APC (Automatic Po
wer Control) control.
The PIN diode 12 may be one without being divided (can be used by switching).

【0032】第1レーザダイオード14のレーザ光出射
部E1と第2レーザダイオード15のレーザ光出射部E
2の間隔dは例えば200μm程度以下の範囲(例えば
100μm程度)に設定される。各レーザ光出射部E
1、E2からは、それぞれ例えば780nm帯の波長の
レーザ光L1及び650nm帯の波長のレーザ光L2が
互いに同一の方向(平行)に出射される。
The laser beam emitting portion E1 of the first laser diode 14 and the laser beam emitting portion E of the second laser diode 15
The interval d of 2 is set, for example, in a range of about 200 μm or less (eg, about 100 μm). Each laser beam emitting part E
For example, laser beams L1 and L2 having a wavelength of 780 nm and 650 nm, respectively, are emitted from E1 and E2 in the same direction (parallel).

【0033】図19(a)は、上記のフォトダイオード
PDの要部平面図である。例えば、780nm帯の光を
受光する第1フォトダイオード16と、650nm帯の
光を受光する第2フォトダイオード18とが互いに隣接
して並列に形成されている。
FIG. 19A is a plan view of a main part of the photodiode PD. For example, a first photodiode 16 for receiving light in the 780 nm band and a second photodiode 18 for receiving light in the 650 nm band are formed adjacent to and parallel to each other.

【0034】ここで、第1フォトダイオード16は図面
に示すように6分割(a1、b1、c1、d1、e1、
f1)された構成を有している。第1レーザダイオード
14から出射された780nm帯のレーザ光は、グレー
ティングGにて3本のレーザ光に分割された後、上記光
学系を経て、CDなどの光ディスクDからの反射光とし
て、図19(a)に示すように第1フォトダイオード1
6上に3つのスポット(S1a、S1b、S1c)とし
て入射する。
Here, the first photodiode 16 is divided into six parts (a1, b1, c1, d1, e1,.
f1). The laser light in the 780 nm band emitted from the first laser diode 14 is split into three laser lights by the grating G, passes through the optical system, and is reflected as light reflected from an optical disk D such as a CD in FIG. As shown in (a), the first photodiode 1
The light is incident on the light spot 6 as three spots (S1a, S1b, S1c).

【0035】また、第2フォトダイオード18は図面に
示すように4分割(a2、b2、c2、d2)された構
成を有している。第2レーザダイオード15から出射さ
れた650nm帯のレーザ光は、上記光学系を経て、D
VDなどの光ディスクDからの反射光として、図19
(a)に示すように第2フォトダイオード18上に1つ
のスポットS2として入射する。
The second photodiode 18 has a configuration divided into four parts (a2, b2, c2, d2) as shown in the drawing. The laser light in the 650 nm band emitted from the second laser diode 15 passes through the above optical system and
As reflected light from an optical disk D such as VD, FIG.
As shown in (a), the light is incident on the second photodiode 18 as one spot S2.

【0036】第1及び第2フォトダイオード16、18
の間隔、すなわち、例えば第1フォトダイオード16の
中心線と第2フォトダイオード18の中心線との間隔d
は、例えば200μm程度以下の範囲(例えば100μ
m程度)に設定される。ここでは、例えば、上記の第1
レーザダイオード14のレーザ光出射部E1と第2レー
ザダイオード15のレーザ光出射部E2との間隔と実質
的に等しくなるように設定される。
First and second photodiodes 16 and 18
, That is, the distance d between the center line of the first photodiode 16 and the center line of the second photodiode 18, for example.
Is, for example, in the range of about 200 μm or less (for example, 100 μm).
m). Here, for example, the first
The distance between the laser light emitting portion E1 of the laser diode 14 and the laser light emitting portion E2 of the second laser diode 15 is set to be substantially equal.

【0037】上記のように、第1及び第2レーザダイオ
ードのレーザ光出射部の間隔、及び第1及び第2フォト
ダイオードの間隔を設定することにより、共通の光学部
材を用いて、第1レーザダイオード及び第2レーザダイ
オードの出射光をCDやDVDなどの光ディスクに照射
し、光ディスクからの反射光を第1フォトダイオード及
び第2フォトダイオードにそれぞれ入射させることが可
能となる。
As described above, by setting the distance between the laser light emitting portions of the first and second laser diodes and the distance between the first and second photodiodes, the first laser can be used by using a common optical member. It is possible to irradiate the light emitted from the diode and the second laser diode to an optical disc such as a CD or DVD, and to make the reflected light from the optical disc enter the first photodiode and the second photodiode, respectively.

【0038】上記のフォトダイオードPD(第1フォト
ダイオード16及び第2フォトダイオード18)におい
ては、上記のように入射するレーザ光のスポットS1
a、S1b、S1c、S2のスポット径、位置変化等を
検出することができる。
In the photodiode PD (the first photodiode 16 and the second photodiode 18), the spot S1 of the incident laser beam as described above.
a, S1b, S1c, the spot diameter of S2, a change in position, and the like can be detected.

【0039】光ディスク装置の光ピックアップとして、
上記のフォトダイオードPDにより得られる信号から、
トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号、及び
光ディスクに記録された情報信号の読み取りが行われ
る。これら信号の取り出しは、以下のようにそれぞれ行
われる。
As an optical pickup of an optical disk device,
From the signal obtained by the photodiode PD,
The tracking error signal, the focus error signal, and the information signal recorded on the optical disk are read. Extraction of these signals is performed as follows.

【0040】即ち、第1フォトダイオード16において
は、6分割された第1フォトダイオード16上に入射す
る中央部のスポットS1aにおいて得られた信号a1、
b1、c1及びd1を用いて、次式(1)によって、C
Dなどの光ディスクに記録された情報信号RF1を求め
ることができる。 RF1=a1+b1+c1+d1 …(1)
That is, in the first photodiode 16, the signal a 1 obtained at the central spot S 1 a incident on the six divided first photodiode 16,
Using b1, c1 and d1, the following equation (1) gives C
An information signal RF1 recorded on an optical disk such as D can be obtained. RF1 = a1 + b1 + c1 + d1 (1)

【0041】また、上記の信号a1、b1、c1及びd
1を用いて、次式(2)によって、フォーカスエラー信
号FE1を得ることができる。 FE1=(a1+c1)−(b1+d1) …(2)
The signals a1, b1, c1 and d
1, the focus error signal FE1 can be obtained by the following equation (2). FE1 = (a1 + c1)-(b1 + d1) (2)

【0042】また、6分割された第1フォトダイオード
16上に入射する両側部のスポットS1b、S1cにお
いて得られた信号e1及びf1を用いて、次式(3)に
よって、トラッキングエラー信号TE1を得ることがで
きる。 TE1=e1−f1 …(3)
Using the signals e1 and f1 obtained at the spots S1b and S1c on both sides incident on the first photodiode 16 divided into six, a tracking error signal TE1 is obtained by the following equation (3). be able to. TE1 = e1-f1 (3)

【0043】一方、第2フォトダイオード18において
は、4分割された第2フォトダイオード18上に入射す
る中央部のスポットS2において得られた信号a2、b
2、c2及びd2を用いて、次式(4)によって、DV
Dなどの光ディスクに記録された情報信号RF2を求め
ることができる。 RF2=a2+b2+c2+d2 …(4)
On the other hand, in the second photodiode 18, the signals a2 and b obtained at the central spot S2 incident on the quadrant divided second photodiode 18 are obtained.
2, c2, and d2, and DV
An information signal RF2 recorded on an optical disk such as D can be obtained. RF2 = a2 + b2 + c2 + d2 (4)

【0044】また、上記の信号a2、b2、c2及びd
2を用いて、次式(5)によって、フォーカスエラー信
号FE2を得ることができる。 FE2=(a2+c2)−(b2+d2) …(5)
The signals a2, b2, c2 and d
2, a focus error signal FE2 can be obtained by the following equation (5). FE2 = (a2 + c2)-(b2 + d2) (5)

【0045】また、上記の信号a2、b2、c2及びd
2を用いて、図19(b)に示すように、DPD(位相
差検出;Differential Phase Detection)法により、ト
ラッキングエラー信号TE2を得ることができる。たと
えば、位相比較器PCで信号a2とb2、信号c2とd
2の位相を比較した後、加算器ADにて加算演算処理を
行ってトラッキングエラー信号TE2を得る。DPD法
によれば、1スポットでオフセットのない安定なトラッ
キングが可能となる。
The signals a2, b2, c2 and d
19, the tracking error signal TE2 can be obtained by the DPD (Differential Phase Detection) method as shown in FIG. 19B. For example, signals a2 and b2 and signals c2 and d
After comparing the two phases, the adder AD performs an addition operation to obtain a tracking error signal TE2. According to the DPD method, stable tracking without offset in one spot can be performed.

【0046】このレーザカプラを用いる光ディスクの再
生/記録装置においては、上記のようにして、CD又は
DVDなどの光ディスクの上下の振れによるフォーカス
エラー信号の検出を行い、得られたフォーカスエラー信
号に従ってフォーカシングサーボをかける。また、トラ
ッキングエラー信号の検出を行い、得られたトラッキン
グエラー信号に従ってトラッキングサーボをかける。
In the optical disk reproducing / recording apparatus using this laser coupler, as described above, the focus error signal due to the vertical swing of the optical disk such as CD or DVD is detected, and the focusing is performed according to the obtained focus error signal. Apply servo. Further, a tracking error signal is detected, and a tracking servo is applied according to the obtained tracking error signal.

【0047】このレーザカプラは、CD用のレーザダイ
オードLD1(発振波長780nm)とDVD用のレー
ザダイオードLD2(発振波長650nm)を搭載し、
CDとDVDの再生を可能にするコンパチブル光ピック
アップを構成することができる。
This laser coupler is equipped with a laser diode LD1 for CD (oscillation wavelength 780 nm) and a laser diode LD2 for DVD (oscillation wavelength 650 nm).
A compatible optical pickup capable of reproducing CDs and DVDs can be configured.

【0048】このレーザカプラは、互いに隣接して並列
に配置された第1レーザダイオードLD1及び第2レー
ザダイオードLD2と、互いに隣接して並列に配置され
た第1フォトダイオード16及び第2フォトダイオード
18とを有しており、発振波長の異なるレーザダイオー
ドからの光軸を合わせる必要がなく、共通の光学部材を
用いて、第1レーザダイオードLD1及び第2レーザダ
イオードLD2の出射光をCDやDVDなどの光ディス
クに照射し、光ディスクからの反射光を第1フォトダイ
オード及び第2フォトダイオードにそれぞれ入射させ
る。従って、図14及び図15に示したものよりも部品
点数が少なく、容易に組み立てられ、小型化やコスト削
減が可能である。
This laser coupler comprises a first laser diode LD1 and a second laser diode LD2 which are arranged adjacently and in parallel, and a first photodiode 16 and a second photodiode 18 which are arranged adjacently and in parallel. There is no need to align optical axes from laser diodes having different oscillation wavelengths, and the light emitted from the first laser diode LD1 and the second laser diode LD2 can be converted to a CD or DVD using a common optical member. And the reflected light from the optical disk is incident on the first photodiode and the second photodiode, respectively. Therefore, the number of parts is smaller than that shown in FIGS. 14 and 15, and it is easy to assemble, and it is possible to reduce the size and cost.

【0049】[0049]

【発明が解決しようとする課題】図20は、発光素子と
してのレーザダイオードLDと、RF信号等の検出用の
受光素子としてのフォトディテクタPD1、PD2とを
共通基板11上に設けた公知のレーザカプラを示し、こ
れを用いて光ピックアップが構成されている。このレー
ザカプラは、光ディスク(図示せず)側の出射位置にカ
バーガラス3及びλ/4(又はλ/2板)50を有した
パッケージ内に収容されている。レーザダイオードLD
の出射面から出射されたレーザ光Lはプリズム20の斜
面(分光面)20aで反射および一部透過する。
FIG. 20 shows a known laser coupler in which a laser diode LD as a light emitting element and photodetectors PD1 and PD2 as light receiving elements for detecting RF signals and the like are provided on a common substrate 11. And an optical pickup is configured using the same. This laser coupler is housed in a package having a cover glass 3 and a λ / 4 (or λ / 2 plate) 50 at the emission position on the optical disk (not shown) side. Laser diode LD
The laser light L emitted from the emission surface is reflected and partially transmitted by the inclined surface (spectral surface) 20 a of the prism 20.

【0050】この場合、レーザダイオードLDの電流I
と光出力Loutは図21(A)のような関係にある。こ
の光出力は、例えば図20のように、レーザ素子LDの
リア端面51の後方に設けられたPINダイオードから
なるフォトディテクタ(PIN−PD)にリア側の出射
レーザ光L’を入射させることによってモニターされ、
これがフロント面52から出射されるレーザ光Lの光出
力のモニターとして用いられる。
In this case, the current I of the laser diode LD
And the light output L out have a relationship as shown in FIG. This light output is monitored by, for example, making the rear-side emission laser light L ′ incident on a photodetector (PIN-PD) including a PIN diode provided behind the rear end face 51 of the laser element LD as shown in FIG. And
This is used as a monitor of the light output of the laser light L emitted from the front surface 52.

【0051】しかし一般に、レーザ素子から出射される
光の波長には温度依存性があり、また、レーザ光の出射
方向に対してPIN−PDが傾斜状態で配置されている
と、その表面保護膜の反射率も温度依存性があり、入射
光の波長によっても異なる。
However, in general, the wavelength of the light emitted from the laser element has a temperature dependence, and if the PIN-PD is arranged in an inclined state with respect to the emission direction of the laser light, the surface protective film is not provided. Also has a temperature dependence and varies depending on the wavelength of incident light.

【0052】これについて詳細に説明する。まず、系の
温度が上昇すると、PIN−PDの検出出力(Imo
n)の温度変化が正特性を示す場合には、図21(B)
のように、PIN−PDの光出力が増大する。この時、
レーザLDの温度上昇によってレーザ光L(L’)の波
長が長くなり、一般に0.25nm/℃程度の温度依存
性がある。
This will be described in detail. First, when the system temperature rises, the PIN-PD detection output (Imo
In the case where the temperature change of n) shows a positive characteristic, FIG.
As described above, the optical output of the PIN-PD increases. At this time,
The wavelength of the laser light L (L ') becomes longer due to the temperature rise of the laser LD, and generally has a temperature dependence of about 0.25 nm / ° C.

【0053】このとき、レーザの出射光の波長がλ1
λ1’に増加すると、図21(C)のようにレーザ端面
での反射率Rが増加するように(透過分が減少するよう
に)、例えばアルミナ等の端面保護膜53を設定してお
けば、PIN−PDが正の温度特性を有することと、レ
ーザ波長が長くなることによる端面からの出射強度が減
少することによって、全体としてこれらが相殺して、温
度変化に対して常に一定の出射強度となるようにAPC
が機能し、温度変化に対して常に一定のPIN−PDの
光出力が得られ、これをモニターしていればよいことに
なる(特許第2663437号公報参照)。
At this time, the wavelength of the emitted light of the laser is λ 1
When the wavelength is increased to λ 1 ′, the end face protective film 53 of, for example, alumina or the like is set so that the reflectance R at the laser end face increases (the transmission component decreases) as shown in FIG. For example, since the PIN-PD has a positive temperature characteristic and the emission intensity from the end face decreases due to an increase in the laser wavelength, these are offset as a whole, and the emission is always constant with respect to a temperature change. APC for strength
Functions, and a constant PIN-PD light output is always obtained with respect to a temperature change, and this need only be monitored (see Japanese Patent No. 2663437).

【0054】しかしながら、こうした技術を図16〜図
19に示した如き2波長レーザ(即ち、波長の異なるレ
ーザダイオードLD1、LD2を設けた光源)に応用し
ようとすると、以下のような問題が発生する。
However, when such a technique is applied to a two-wavelength laser as shown in FIGS. 16 to 19 (ie, a light source provided with laser diodes LD1 and LD2 having different wavelengths), the following problem occurs. .

【0055】例えば、2波長レーザにおいても、2つの
異なるレーザを同時に動作させることは一般的ではない
ため、モニタ用のPIN−PDは1つでも共用されるこ
とが多い。しかし、レーザ素子相互の波長が互いに異な
るために、一般には、異なる波長に対して、2つのレー
ザの温度特性を同じように逆特性(PIN−PDの温度
特性を相殺する出射強度の減少)とすることは容易では
ない。
For example, even with a two-wavelength laser, it is not common to operate two different lasers at the same time, so that even one PIN-PD for monitoring is often shared. However, since the wavelengths of the laser elements are different from each other, generally, for different wavelengths, the temperature characteristics of the two lasers are similarly reversed (a decrease in emission intensity which offsets the temperature characteristics of the PIN-PD). It is not easy to do.

【0056】即ち、レーザ端面の反射膜(上記した保護
膜53)は、レーザが小型であることから1種類の膜厚
でしか形成できないため、互いに異なる波長(例えばλ
1=780nm、λ2=650nm)のレーザ光に対して
は、図22(図中のdは保護膜の膜厚)のように、反射
率が異なり、またレーザの温度変化による出射光の波長
変化に対して端面での反射率の変化の方向が一定とは限
らないからである(むしろ一定でないのが通常であ
る)。
That is, since the reflection film (the above-described protective film 53) on the laser end face can be formed only with one kind of film thickness because the laser is small, wavelengths different from each other (for example, λ
1 ( = 780 nm, λ 2 = 650 nm), the reflectivity differs as shown in FIG. 22 (d is the thickness of the protective film in the figure), and the wavelength of the emitted light due to the temperature change of the laser. This is because the direction of change of the reflectance at the end face is not always constant with respect to the change (rather, it is usually not constant).

【0057】本発明は、上述の如き問題点に鑑みてなさ
れたものであって、特に複数のレーザ素子を同一特性の
PDでモニタする場合でも、任意の波長の光に対し常に
温度特性を相殺して安定した出力を得ることのできるレ
ーザカプラの如き光学装置、及びこれを用いた光ディス
ク装置を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above-described problems. Particularly, even when a plurality of laser elements are monitored by PDs having the same characteristics, the temperature characteristics are always offset by light of an arbitrary wavelength. It is an object of the present invention to provide an optical device such as a laser coupler capable of obtaining a stable output by using the same, and an optical disk device using the same.

【0058】[0058]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、互いに
異なる複数の光をそれぞれ出射する複数の発光素子が光
出射方向と交差する方向に並置され、前記複数の光をデ
ィスク状等の情報記録媒体に照射してその反射光をそれ
ぞれ受光する複数の受光素子が設けられている光学装
置、及びこれを用いた光ディスク装置において、前記複
数の発光素子の出射光のうち、少なくとも1つの出射光
に対する反射率又は透過率が温度によって変化する光学
手段が、前記複数の発光素子と前記複数の受光素子との
間の光路中に設けられていることを特徴とする光学装置
及び光ディスク装置に係るものである。
That is, according to the present invention, a plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of light beams different from each other are juxtaposed in a direction intersecting the light emitting direction, and the plurality of light beams are disc-shaped or the like. In an optical device provided with a plurality of light receiving elements for irradiating a recording medium and receiving reflected light thereof, and an optical disc device using the same, at least one of the emitted lights of the plurality of light emitting elements An optical device and an optical disk device, characterized in that an optical means whose reflectance or transmittance to light varies with temperature is provided in an optical path between the plurality of light emitting elements and the plurality of light receiving elements. It is.

【0059】この光学装置及び光ディスク装置によれ
ば、複数の発光素子の各出射光のうち少なくとも1つの
出射光については反射率又は透過率が温度によって変化
する(例えば、温度上昇時に反射率が増大する)反射膜
等の光学手段が、複数の発光素子と複数の受光素子との
間の光路中に設けられているので、互いに異なる複数の
発光素子を用いても、上記出射光のうち他方の出射光を
出射する発光素子についてはその出射光の物性の変化
(例えば温度上昇時に波長が増大すること)に対し上述
したようにPIN−PDの如きモニタ用素子の温度特性
を相殺するように端面保護膜などが設定された場合に、
これによっても相殺しきれない発光素子についてはプリ
ズムの端面などに設ける光学膜などの光学手段が温度上
昇時に反射率を増大させる等の物性を有することによっ
て、全体として温度特性を相殺することができる。従っ
て、複数の発光素子を用いても、任意の波長等の物性に
対しても調整の自由度が増し、常に安定した出力特性を
得ることができる。
According to the optical device and the optical disk device, the reflectance or the transmittance of at least one outgoing light of each of the plurality of light emitting elements changes depending on the temperature (for example, the reflectivity increases when the temperature rises). Since the optical means such as a reflective film is provided in the optical path between the plurality of light-emitting elements and the plurality of light-receiving elements, even if a plurality of light-emitting elements different from each other are used, the other of the emitted light As described above, the end face of the light emitting element that emits the emitted light is designed so that the change in the physical properties of the emitted light (for example, the wavelength increases when the temperature rises) cancels out the temperature characteristics of the monitoring element such as the PIN-PD. When a protective film is set,
With respect to the light emitting element that cannot be canceled out even by this, the temperature characteristics can be offset as a whole by the optical means such as the optical film provided on the end face of the prism having the physical properties such as increasing the reflectance when the temperature rises. . Therefore, even when a plurality of light emitting elements are used, the degree of freedom in adjusting physical properties such as arbitrary wavelengths is increased, and stable output characteristics can always be obtained.

【0060】また、本発明は、所定の光を出射する発光
素子と、この光出射をディスク状等の情報記録媒体に照
射してその反射光を受光する受光素子とが設けられてい
る光学装置、及びこれを用いた光ディスク装置におい
て、前記出射光に対する反射率又は透過率が温度によっ
て変化する光学手段が、前記発光素子と前記受光素子と
の間の光路中に設けられていることを特徴とする光学装
置及び光ディスク装置も提供するものである。
Further, the present invention provides an optical device provided with a light emitting element for emitting predetermined light and a light receiving element for irradiating the light emission to an information recording medium such as a disk and receiving the reflected light. And an optical disc device using the same, wherein an optical unit whose reflectance or transmittance for the emitted light changes with temperature is provided in an optical path between the light emitting element and the light receiving element. An optical device and an optical disk device are also provided.

【0061】この光学装置及び光ディスク装置によれ
ば、出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変
化する(例えば、温度上昇時に反射率が減少する)反射
膜等の光学手段が発光素子と受光素子との間の光路中に
設けられているので、上記出射光の物性の変化(例えば
温度上昇時に波長が増大すること)に対し上述したよう
にしてPIN−PDの如きモニタ用素子の温度特性を相
殺するように端面保護膜などが設定された場合に、RF
信号等の受光素子の温度特性(温度上昇時に出力が増大
すること)を上記した反射率の減少による入射受光量の
減少等によって相殺することができ、単数の発光素子で
あっても全体としての温度特性を相殺でき、常に安定し
た出力特性を得ることができる。
According to the optical device and the optical disk device, the optical means such as the reflection film whose reflectance or transmittance for the emitted light changes with temperature (for example, the reflectance decreases when the temperature rises) is composed of the light emitting element and the light receiving element. As described above, the temperature characteristic of the monitoring element such as the PIN-PD is changed with respect to a change in the physical properties of the emitted light (for example, an increase in the wavelength when the temperature rises). If the end face protection film is set to cancel, RF
The temperature characteristics of the light receiving element such as a signal (the output increases when the temperature rises) can be offset by the decrease in the amount of incident light received due to the decrease in the reflectivity, and even a single light emitting element as a whole Temperature characteristics can be offset, and stable output characteristics can always be obtained.

【0062】[0062]

【発明の実施の形態】本発明の光学装置及び光ディスク
装置においては、前記複数の発光素子の出射光のうち、
一の出射光に対する反射率又は透過率と他の出射光に対
する反射率又は透過率とが温度によって互いに逆方向に
変化する光学膜が前記光学手段として、前記光路中に設
けられているのが望ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the optical device and the optical disk device of the present invention, of the light emitted from the plurality of light emitting elements,
It is desirable that an optical film in which the reflectance or transmittance for one emitted light and the reflectance or transmittance for another emitted light change in opposite directions depending on temperature is provided in the optical path as the optical means. .

【0063】この場合、前記複数の発光素子(又は前記
所定の発光素子)と、これらの各出射光を分光面を介し
て前記ディスク状情報記録媒体の如き被照射体へ導きか
つこの反射光を前記分光面から前記複数の受光素子(又
は前記受光素子)へ導くための光学部材と、前記受光素
子とが共通の基体上に設けられた光カプラとして構成さ
れ、前記分光面に前記光学膜が設けられているのがよ
い。この光カプラは、特に光ディスク装置の光ピックア
ップに含まれるのがよい。
In this case, the plurality of light-emitting elements (or the predetermined light-emitting elements) and their respective emitted lights are guided to an object to be illuminated such as the disk-shaped information recording medium via a spectral surface, and the reflected lights are guided. An optical member for guiding the plurality of light receiving elements (or the light receiving elements) from the light-splitting surface and the light-receiving element are configured as an optical coupler provided on a common base, and the optical film is formed on the light-splitting surface. It is good to be provided. This optical coupler is preferably included in an optical pickup of an optical disk device.

【0064】また、前記複数の発光素子の第1の端面か
ら前記複数の光を出力光としてそれぞれ出射すると共に
第2の端面から複数のモニタ光をそれぞれ出射し、前記
出力光の強度を制御するために前記モニタ光を検知する
モニタ用受光素子を有し、前記複数のモニタ光のうち、
一のモニタ光についてその強度の温度依存特性と前記モ
ニタ用受光素子の検知出力の温度依存特性とが互いに逆
特性となるような反射率又は透過率を示す保護膜が前記
第2の端面に形成され、前記一のモニタ光が前記一の出
射光に対応し、他のモニタ光に対応した前記他の出射光
に対する前記光学膜の反射率又は透過率が温度によって
変化して、前記他の出射光に関する温度依存特性が相殺
されるのがよい。
Further, the plurality of light beams are emitted as output light from the first end faces of the plurality of light emitting elements, and the plurality of monitor lights are respectively emitted from the second end faces to control the intensity of the output light. A monitor light-receiving element for detecting the monitor light, and among the plurality of monitor lights,
A protective film is formed on the second end face so as to exhibit a reflectance or a transmittance such that the temperature-dependent characteristic of the intensity of one monitor light and the temperature-dependent characteristic of the detection output of the monitor light receiving element are opposite to each other. The one monitor light corresponds to the one outgoing light, and the reflectance or transmittance of the optical film with respect to the other outgoing light corresponding to the other monitor light changes according to the temperature, and the other outgoing light changes. The temperature-dependent properties of the emitted light should be canceled.

【0065】前記複数の発光素子は、互いに異なる波長
のレーザ光を出射する例えば2波長レーザとして構成さ
れるのがよい。
The plurality of light emitting elements are preferably configured as, for example, a two-wavelength laser that emits laser beams having different wavelengths.

【0066】また、前記発光素子の第1の端面から前記
所定の光を出力光として出射すると共に第2の端面から
モニタ光を出射し、前記出力光の強度を制御するために
前記モニタ光を検知するモニタ用受光素子を有し、前記
モニタ光の強度の温度依存特性と前記モニタ用受光素子
の検知出力の温度依存特性とが互いに逆特性となるよう
な反射率又は透過率を示す保護膜が前記第2の端面に形
成されているのがよい。
Further, the predetermined light is emitted as output light from the first end face of the light emitting element, and monitor light is emitted from the second end face. The monitor light is emitted to control the intensity of the output light. A protective film having a monitoring light receiving element for sensing, and exhibiting a reflectance or a transmittance such that the temperature dependency of the intensity of the monitor light and the temperature dependency of the detection output of the monitoring light receiving element are opposite to each other. Is preferably formed on the second end surface.

【0067】以下、本発明の好ましい実施の形態を図面
について説明する。
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0068】図4(a)は、本実施の形態にかかるレー
ザカプラ1aの概略構成を示す説明図である。レーザカ
プラ1aは、第1パッケージ部材2の凹部に装填され、
ガラスなどの透明な第2パッケージ部材3により封止さ
れている。
FIG. 4A is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the laser coupler 1a according to the present embodiment. The laser coupler 1a is loaded in a concave portion of the first package member 2,
It is sealed by a transparent second package member 3 such as glass.

【0069】図4(b)は上記のレーザカプラ1aの要
部斜視図である。例えば、シリコンの単結晶を切り出し
た基板である集積回路基板11上に、モニター用の光検
出素子としてのPINダイオード12が形成された半導
体ブロック13が配置され、さらに、この半導体ブロッ
ク13上に、発光素子として第1レーザダイオードLD
1及び第2レーザダイオードLD2を1チップ上に搭載
するモノリシックレーザダイオード14aが配置されて
いる。
FIG. 4B is a perspective view of a main part of the laser coupler 1a. For example, a semiconductor block 13 on which a PIN diode 12 as a photodetection element for monitoring is formed is disposed on an integrated circuit substrate 11 which is a substrate obtained by cutting out a single crystal of silicon. First laser diode LD as light emitting element
A monolithic laser diode 14a in which the first and second laser diodes LD2 are mounted on one chip is arranged.

【0070】本実施の形態では、例えば、λ1=780
nm帯の光を受光する前部第1フォトダイオード16及
び後部第1フォトダイオード17と、λ2=650nm
帯の光を受光する前部第2フォトダイオード18及び後
部第2フォトダイオード19とが、基板11上に固定さ
れたプリズム20下に形成されている。
In this embodiment, for example, λ 1 = 780
a first front photodiode 16 and a rear first photodiode 17 for receiving light in the nm band, λ 2 = 650 nm
A front second photodiode 18 and a rear second photodiode 19 that receive light in a band are formed below a prism 20 fixed on the substrate 11.

【0071】ここで、図5に示すように、前部第1フォ
トダイオード16は4分割(a1、b1、c1、d1)
され、後部第1フォトダイオード17も4分割(i1、
j1、k1、l1)された構成を有している。
Here, as shown in FIG. 5, the front first photodiode 16 is divided into four parts (a1, b1, c1, d1).
Then, the rear first photodiode 17 is also divided into four parts (i1,
j1, k1, and l1).

【0072】基板11上に固定されたブロック13上に
第1レーザダイオードLD1がマウントされ、このレー
ザダイオードから出射された780nm帯のレーザ光L
1はプリズム20の分光面20aで反射され、更に上記
光学系を経て、光ディスク(CD)からの反射光とし
て、プリズム20を通して前部及び後部第1フォトダイ
オード16、17上に1つずつのスポットS1a、S1
bとして入射する。
A first laser diode LD1 is mounted on a block 13 fixed on a substrate 11, and a 780 nm band laser beam L emitted from this laser diode is emitted.
1 is reflected by the spectral surface 20a of the prism 20 and further passes through the optical system as reflected light from an optical disk (CD), through the prism 20, and spots on the front and rear first photodiodes 16 and 17 one by one. S1a, S1
incident as b.

【0073】また、前部第2フォトダイオード18は8
分割(a2、b2、c2、d2、e2、f2、g2、h
2)され、後部第2フォトダイオード19は4分割(i
2、j2、k2、l2)された構成を有している。
Also, the front second photodiode 18
Division (a2, b2, c2, d2, e2, f2, g2, h
2), and the rear second photodiode 19 is divided into four parts (i
2, j2, k2, l2).

【0074】第2レーザダイオードLD2から出射され
た650nm帯のレーザ光L2も、上記光学系を経て、
光ディスク(DVD)からの反射光として、前部及び後
部第2フォトダイオード18、19上に1つずつのスポ
ットS2a、S2bとして入射する。
The laser light L2 in the 650 nm band emitted from the second laser diode LD2 also passes through the above optical system,
The reflected light from the optical disk (DVD) is incident on the front and rear second photodiodes 18 and 19 as spots S2a and S2b, respectively.

【0075】上記の前部第1フォトダイオード16及び
前部第2フォトダイオード18の間隔、及び、後部第1
フォトダイオード17及び後部第2フォトダイオード1
9の間隔は、例えば200μm程度以下の範囲(例えば
100μm程度)に設定される。ここでは、例えば、上
記の第1レーザダイオードLD1のレーザ光出射部E1
と第2レーザダイオードLD2のレーザ光出射部E2と
の間隔と実質的に等しくなるように設定される。
The distance between the front first photodiode 16 and the front second photodiode 18 and the rear first photodiode
Photodiode 17 and rear second photodiode 1
The interval 9 is set, for example, in a range of about 200 μm or less (eg, about 100 μm). Here, for example, the laser beam emitting unit E1 of the first laser diode LD1 is used.
Is set so as to be substantially equal to the distance between the laser beam emitting portion E2 of the second laser diode LD2.

【0076】上記のように、第1及び第2レーザダイオ
ードのレーザ光出射部の間隔、および、第1および第2
フォトダイオードの間隔を設定することにより、共通の
光学部材を用いて、第1レーザダイオード及び第2レー
ザダイオードの出射光をCDやDVDなどの光ディスク
に照射し、光ディスクからの反射光を第1フォトダイオ
ードおよび第2フォトダイオードにそれぞれ入射させる
ことが可能となる。
As described above, the distance between the laser light emitting portions of the first and second laser diodes, and the first and second laser diodes
By setting the distance between the photodiodes, the light emitted from the first laser diode and the second laser diode is irradiated on an optical disc such as a CD or DVD using a common optical member, and the reflected light from the optical disc is reflected on the first photodiode. The light can be incident on the diode and the second photodiode, respectively.

【0077】上記のフォトダイオード(前後部第1フォ
トダイオード16、17及び前後部第2フォトダイオー
ド18、19)においては、上記のように入射するレー
ザ光のスポットS1a、S1b、S2a、S2bのスポ
ット径、位置変化等を検出することができる。
In the above-mentioned photodiodes (front and rear first photodiodes 16 and 17 and front and rear second photodiodes 18 and 19), the spots S1a, S1b, S2a and S2b of the incident laser beam as described above. A diameter, a position change, and the like can be detected.

【0078】このレーザカプラを用いて光ディスク装置
の光ピックアップを構成した場合には、上記のフォトダ
イオードPDにより得られる信号から、トラッキングエ
ラー信号、フォーカスエラー信号、及び光ディスクに記
録された情報信号の読み取りが行われる。これら信号の
取り出しは、それぞれ以下のように行われる。
When an optical pickup of an optical disk device is constituted by using this laser coupler, a tracking error signal, a focus error signal, and an information signal recorded on an optical disk are read from the signal obtained by the photodiode PD. Is performed. Extraction of these signals is performed as follows.

【0079】即ち、前後部第1フォトダイオード16、
17においては、それぞれ4分割された前後部第1フォ
トダイオード16、17上に入射するスポットS1a、
S1bにおいて得られた信号a1、b1、c1、d1、
i1、j1、k1及びl1を用いて、次式(6)によっ
て、CDなどの光ディスクに記録された情報信号RF1
を求めることができる。 RF1=a1+b1+c1+d1+i1+j1+k1+l1 …(6)
That is, the front and rear first photodiodes 16,
17, spots S1a incident on the front and rear first photodiodes 16 and 17 divided into four parts, respectively.
The signals a1, b1, c1, d1, and
Using i1, j1, k1 and l1, the information signal RF1 recorded on an optical disc such as a CD is expressed by the following equation (6).
Can be requested. RF1 = a1 + b1 + c1 + d1 + i1 + j1 + k1 + 11 (6)

【0080】また、上記の信号a1、b1、c1、d
1、i1、j1、k1及びl1を用いて、次式(7)に
よって、フォーカスエラー信号FE1を得ることができ
る。 FE1〔(a1+d1)−(b1+c1)〕 −〔(i1+l1)−(j1+k1)〕 …(7)
The signals a1, b1, c1, d
The focus error signal FE1 can be obtained from the following equation (7) using 1, i1, j1, k1, and l1. FE1 [(a1 + d1)-(b1 + c1)]-[(i1 + 11)-(j1 + k1)] (7)

【0081】また、上記の信号a1、b1、c1、d
1、i1、j1、k1及びl1を用いて、次式(8)に
よって、トラッキングエラー信号TE1を得ることがで
きる。 TE1=〔(a1+b1)−(c1+d1)〕 +〔(i1+j1)−(k1+l1)〕 …(8)
The signals a1, b1, c1, d
Using 1, i1, j1, k1, and l1, the tracking error signal TE1 can be obtained by the following equation (8). TE1 = [(a1 + b1)-(c1 + d1)] + [(i1 + j1)-(k1 + 11)] (8)

【0082】一方、前後部第2フォトダイオード18、
19においては、それぞれ8分割および4分割された前
後部第2フォトダイオード18、19上に入射するスポ
ットS2a、S2bにおいて得られた信号a2、b2、
c2、d2、e2、f2、g2、h2、i2、j2、k
2及びl2を用いて、次式(9)によって、DVDなど
の光ディスクに記録された情報信号RF2を求めること
ができる。 RF2=a2+b2+c2+d2+e2+f2+g2+h2 +i2+j2+k2+l2 …(9)
On the other hand, the front and rear second photodiodes 18,
In 19, the signals a2, b2, obtained at the spots S2a, S2b incident on the front and rear second photodiodes 18, 19 divided into eight and four, respectively.
c2, d2, e2, f2, g2, h2, i2, j2, k
The information signal RF2 recorded on an optical disk such as a DVD can be obtained by the following equation (9) using 2 and l2. RF2 = a2 + b2 + c2 + d2 + e2 + f2 + g2 + h2 + i2 + j2 + k2 + l2 (9)

【0083】また、上記の信号a2、b2、c2、d
2、e2、f2、g2、h2、i2、j2、k2及びl
2を用いて、次式(10)によって、フォーカスエラー
信号FE2を得ることができる。 FE2=〔(a2+d2+e2+h2)−(b2+c2+f2+g2)〕 −〔(i2+l2)−(j2+k2)〕 …(10)
The signals a2, b2, c2, d
2, e2, f2, g2, h2, i2, j2, k2 and l
2, a focus error signal FE2 can be obtained by the following equation (10). FE2 = [(a2 + d2 + e2 + h2)-(b2 + c2 + f2 + g2)]-[(i2 + 12)-(j2 + k2)] (10)

【0084】また、前部第2フォトダイオード18によ
り得られる信号a2、b2、c2、d2、e2、f2、
g2及びh2を用いて、後述の図10(b)に示すよう
に、DPD(位相差検出;Differential Phase Detecti
on)法により、トラッキングエラー信号TE2を得るこ
とができる。たとえば、第1加算器(広帯域)AD1に
て、信号a2とb2、信号c2とd2、信号e2とf
2、信号g2とh2の加算演算処理を行い、位相比較器
PCで、信号a2とb2との和信号と信号c2とd2と
の和信号、信号g2とh2との和信号と信号e2とf2
との和信号の位相を比較した後、第2加算器AD2にて
加算演算処理を行ってトラッキングエラー信号TE2を
得る。DPD法によれば、1スポットでオフセットのな
い安定なトラッキングが可能となる。
The signals a2, b2, c2, d2, e2, f2, and
Using g2 and h2, as shown in FIG. 10B described later, DPD (Differential Phase Detecti
The tracking error signal TE2 can be obtained by the on) method. For example, in a first adder (wideband) AD1, signals a2 and b2, signals c2 and d2, and signals e2 and f
2. The addition operation of the signals g2 and h2 is performed, and the phase comparator PC sums the signals a2 and b2, the signals c2 and d2, the signals g2 and h2, and the signals e2 and f2.
After the phase of the sum signal is compared with the sum, a second adder AD2 performs an addition operation to obtain a tracking error signal TE2. According to the DPD method, stable tracking without offset in one spot can be performed.

【0085】このレーザカプラを用いる光ディスクの再
生/記録装置においては、上記のようにして、CDある
いはDVDなどの光ディスクの上下の振れによるフォー
カスエラー信号の検出を行い、得られたフォーカスエラ
ー信号に従ってフォーカシングサーボをかける。また、
トラッキングエラー信号の検出を行い、得られたトラッ
キングエラー信号に従ってトラッキングサーボをかけ
る。
In the optical disk reproducing / recording apparatus using this laser coupler, as described above, the focus error signal due to the vertical shake of the optical disk such as a CD or DVD is detected, and the focusing is performed according to the obtained focus error signal. Apply servo. Also,
A tracking error signal is detected, and a tracking servo is applied according to the obtained tracking error signal.

【0086】このレーザカプラは、CD用のレーザダイ
オードLD1(発振波長780nm)とDVD用のレー
ザダイオードLD2(発振波長650nm)を搭載し、
CDとDVDの再生を可能にするコンパチブル光ピック
アップを構成することが可能である。
This laser coupler is equipped with a laser diode LD1 for CD (oscillation wavelength 780 nm) and a laser diode LD2 for DVD (oscillation wavelength 650 nm).
It is possible to configure a compatible optical pickup that enables reproduction of CD and DVD.

【0087】そして、このレーザカプラは、互いに隣接
して並列に配置された第1レーザダイオードLD1及び
第2レーザダイオードLD2と、互いに隣接して並列に
配置された前後部第1フォトダイオード16、17及び
前後部第2フォトダイオード18、19とを有してお
り、発振波長の異なるレーザダイオードからの光軸を合
わせる必要がなく、共通の光学部材を用いて、第1レー
ザダイオードLD1及び第2レーザダイオードLD2の
出射光をCDやDVDなどの光ディスクに照射し、光デ
ィスクからの反射光を前後部第1フォトダイオード1
6、17及び前後部第2フォトダイオード18、19に
それぞれ入射させる。従って、図14及び図15に示し
たものよりも部品点数が少なく、容易に組み立てられ、
小型化やコスト削減が可能である。
The laser coupler comprises a first laser diode LD1 and a second laser diode LD2 arranged adjacently and in parallel with each other, and front and rear first photodiodes 16 and 17 arranged adjacently and in parallel with each other. And the front and rear second photodiodes 18 and 19, there is no need to align optical axes from laser diodes having different oscillation wavelengths, and the first laser diode LD1 and the second laser The light emitted from the diode LD2 is applied to an optical disc such as a CD or DVD, and the reflected light from the optical disc is transmitted to the front and rear first photodiodes 1.
6, 17 and the front and rear second photodiodes 18 and 19, respectively. Therefore, the number of parts is smaller than that shown in FIGS.
Miniaturization and cost reduction are possible.

【0088】図1は、本実施の形態によるレーザカプラ
の拡大断面図を示す。即ち、複数の(ここでは2つの)
レーザダイオードLD1、LD2とRF信号等の検出用
の受光素子としてのフォトディテクタ16及び17、1
8及び19とを共通基板11上に設けたレーザカプラを
示し、これを用いて光ピックアップが構成されている。
このレーザカプラは、光ディスク(図示せず)側の出射
位置にカバーガラス3及びλ/4(又はλ/2板)50
を有したパッケージ内に収容されている。レーザダイオ
ードLD1、LD2の出射面から出射されたレーザ光L
1、L2はプリズム20の斜面(分光面20a)で反射
および一部透過する。
FIG. 1 is an enlarged sectional view of the laser coupler according to the present embodiment. That is, a plurality (here, two)
Photodetectors 16 and 17, 1 as laser light receiving elements for detecting laser diodes LD1, LD2 and RF signals, etc.
8 and 19 show a laser coupler provided on a common substrate 11, and an optical pickup is configured using the laser coupler.
This laser coupler is provided with a cover glass 3 and a λ / 4 (or λ / 2 plate) 50 at the emission position on the optical disk (not shown) side.
Are housed in a package having Laser light L emitted from the emission surfaces of laser diodes LD1 and LD2
1, L2 is reflected and partially transmitted on the inclined surface (spectral surface 20a) of the prism 20.

【0089】プリズム20の分光面20aには、実際に
は図2に示すようにビームスプリッタ(PBS)膜が形
成され、出射レーザ光を反射し、これが光ディスクに対
し行きと戻りで偏光方向が約90度回転する(s偏光→
p偏光)ので、偏光PBS膜の特性をps逆に設定する
ことによって、波長板50の追加前と同等の検出が可能
になる。
A beam splitter (PBS) film is actually formed on the spectral surface 20a of the prism 20, as shown in FIG. 2, and reflects the emitted laser light, which goes to and returns from the optical disk and has a polarization direction of about Rotate 90 degrees (s-polarized light →
(p-polarized light), the same detection as before the addition of the wave plate 50 becomes possible by setting the characteristics of the polarizing PBS film to ps reverse.

【0090】以上のレーザカプラの構成は図20に示し
たものと同様であるが、ここで注目すべきことは、プリ
ズム20の分光面20a上に特定の反射膜(例えばSi
O系、TiO系)54が設けられ、これによって温度上
昇時に、上述した2波長レーザLD1、LD2の出射レ
ーザ光L1、L2のうち、一方のレーザ光L1(λ1
780nm)の反射率が減少すると同時に他方のレーザ
光L2(λ2=650nm)の反射率が増大するように
構成されていることである。またこれと共に、レーザダ
イオードLD1、LD2のモニタ側の端面には、前述し
たと同様のアルミナ等の保護膜53が設けられ、上記レ
ーザ光L1についての温度特性をPIN−PDに対し相
殺している。
The configuration of the above laser coupler is the same as that shown in FIG. 20, but what should be noted here is that a specific reflection film (for example, Si) is formed on the spectral surface 20a of the prism 20.
O-based or TiO-based) 54 is provided, and when the temperature rises, one of the laser beams L1 (λ 1 = λ 1) of the laser beams L1 and L2 emitted from the two-wavelength lasers LD1 and LD2 described above.
780 nm), and at the same time, the reflectivity of the other laser beam L2 (λ 2 = 650 nm) increases. At the same time, a protective film 53 made of alumina or the like is provided on the monitor-side end faces of the laser diodes LD1 and LD2 to offset the temperature characteristics of the laser light L1 with respect to the PIN-PD. .

【0091】前述したように、レーザダイオードLD
1、LD2の光出力は、レーザ素子のリア端面51の後
方に設けられたPINダイオードからなるフォトディテ
クタ12(PIN−PD)にリア側の出射レーザ光L
1’、L2’を入射させることによってモニタされ、こ
れがフロント面52から出射されるレーザ光L1、L2
の光出力のモニタとして用いられる。
As described above, the laser diode LD
1. The optical output of the LD 2 is applied to the photodetector 12 (PIN-PD), which is a PIN diode provided behind the rear end face 51 of the laser element, and outputs the laser light L on the rear side.
The laser beams L1 and L2 emitted from the front surface 52 are monitored by inputting 1 'and L2'.
Used as a monitor of the optical output of

【0092】しかし、一般に、レーザ素子から出射され
る光の波長には温度依存性があり、また、レーザ光の出
射方向に対してPIN−PDが傾斜状態で配置されてい
ると、その表面保護膜の反射率も温度依存性があり、入
射光の波長によっても異なることは前述した。
However, in general, the wavelength of the light emitted from the laser element has a temperature dependency, and if the PIN-PD is arranged in an inclined state with respect to the emission direction of the laser light, the surface protection of the PIN-PD is prevented. As described above, the reflectivity of the film also has a temperature dependence and varies depending on the wavelength of the incident light.

【0093】ここで、温度が上昇した場合を考える。温
度の上昇により、PIN−PD12の光出力が増大する
(図21(B)参照)と共に、レーザの発振波長が長く
なる。そこで、レーザ端面51の反射膜53はレーザの
波長(λ1、例えば780nm)の近傍で、波長がλ1
λ1’と長くなると、反射率が増加するようにしてお
く。このとき、温度上昇によって、透過するレーザ光L
1’の強度は、発振波長が長くなるために透過する割合
が減少し、一方、PIN−PD12の光出力は大きくな
る(感度が増加する)から、全体として、温度の変化に
対してPIN−PD12の光出力は一定となる。
Here, consider the case where the temperature rises. As the temperature increases, the optical output of the PIN-PD 12 increases (see FIG. 21B), and the oscillation wavelength of the laser increases. Therefore, in the vicinity of the reflection film 53 of the laser facet 51 laser wavelengths (lambda 1, for example 780 nm), wavelength lambda 1
The longer the wavelength λ 1 ′, the higher the reflectance. At this time, the transmitted laser light L
As for the intensity of 1 ′, the transmission ratio decreases due to the longer oscillation wavelength, while the optical output of the PIN-PD 12 increases (sensitivity increases). The light output of the PD 12 is constant.

【0094】こうして、PIN−PDの光出力が一定と
なるようにコントロールすれば、レーザの温度特性に拘
わらず、レーザの出力も一定になるようにAPCで制御
することができる(この詳細な説明は、特許第2663
437号公報参照)。
In this way, if the optical output of the PIN-PD is controlled to be constant, the APC can be controlled so that the output of the laser becomes constant regardless of the temperature characteristics of the laser (this detailed description will be given later). Is a patent no.
No. 437).

【0095】しかし、前述したように、本実施の形態の
如き2波長レーザにおいては、レーザ端面の反射膜53
は、レーザが小型であることから1種類の膜厚でしか形
成できないため、互いに異なる波長(例えばλ1、例え
ば780nm、λ2、例えば650nm)のレーザ光に
対しては反射率が異なり、またレーザの温度変化による
出射光の波長変化に対して端面での反射率の変化の方向
が一定とは限らず、むしろ一定でないのが通常である。
However, as described above, in the two-wavelength laser as in this embodiment, the reflection film 53 on the laser end face is used.
Can be formed with only one kind of film thickness due to the small size of the laser. Therefore, the reflectivity differs for laser beams having mutually different wavelengths (for example, λ 1 , for example, 780 nm, λ 2 , for example, 650 nm), and The direction of change in reflectivity at the end face is not always constant with respect to a change in the wavelength of the emitted light due to a change in the temperature of the laser.

【0096】この問題は、本実施の形態において、次の
ようにして解決した。互いに異なる波長(λ1、例えば
780nm、λ2、例えば650nm)のレーザ光につ
いては、温度上昇時のPIN−PDの光出力の温度特性
は同じ関係にある。波長がλ1とλ2とで異なることか
ら、一般には波長の変化に対するレーザ端面の反射率の
変化は異なるはずである(図22参照)。従って、78
0nm帯のレーザ光に対して、温度特性を相殺できたと
しても、異なる波長である650nm帯のレーザ光に対
しては、温度特性を相殺できることにならない。例え
ば、650nm帯のレーザ光に対してレーザ端面の反射
膜53の反射率Rは、波長の増加に対する変化が減少す
るものとした。
This problem has been solved in the present embodiment as follows. For laser beams having different wavelengths (λ 1 , for example, 780 nm, λ 2 , for example, 650 nm), the temperature characteristics of the optical output of the PIN-PD when the temperature rises have the same relationship. Since the wavelength is different between λ 1 and λ 2 , the change in reflectivity of the laser end face with respect to the change in wavelength should generally be different (see FIG. 22). Therefore, 78
Even if the temperature characteristics can be offset with respect to the laser light in the 0 nm band, the temperature characteristics cannot be offset with respect to the laser light in the 650 nm band which is a different wavelength. For example, it is assumed that the reflectance R of the reflection film 53 on the laser end face with respect to the laser light in the 650 nm band changes less with an increase in wavelength.

【0097】このとき、異なる波長のレーザ光に対して
いずれも温度特性を相殺する必要がある。そこで、例え
ば、図1に示すプリズム端面の反射膜54の膜厚を調節
することにより、異なる波長において全体として温度特
性を相殺することができる。
At this time, it is necessary to cancel the temperature characteristics for the laser beams having different wavelengths. Therefore, for example, by adjusting the thickness of the reflection film 54 on the end face of the prism shown in FIG. 1, the temperature characteristics can be offset as a whole at different wavelengths.

【0098】即ち、プリズム端面の反射膜54の膜厚
を、650nm帯において反射率が大になり、780n
m帯で反射率が小さくなるように設定することにより
(図3(b))、650nm帯(λ2)のレーザ光はレ
ーザ端面での反射率が小さい(図22)ことによりPI
N−PD12の光出力が増大し、APCによってレーザ
出力が減少するように制御されたとしても(PIN−P
Dの温度特性を相殺できないとしても)、プリズム端面
の反射膜54によるレーザ光L2の反射量が増大するこ
とから、この増大分がレーザ出力の減少分を相殺するこ
とになる。
That is, when the film thickness of the reflection film 54 on the prism end face becomes large in the 650 nm band, the reflectance becomes 780 n
By setting the reflectivity to be small in the m-band (FIG. 3B), the laser light in the 650 nm band (λ 2 ) has a small reflectivity at the laser end face (FIG. 22).
Even if the optical output of N-PD 12 is controlled to increase and the laser output is reduced by APC (PIN-P
Even if the temperature characteristic of D cannot be offset), the amount of reflection of the laser beam L2 by the reflection film 54 on the end face of the prism increases, and this increase offsets the decrease in laser output.

【0099】この結果、レーザ光L2についても、温度
上昇時の温度特性を相殺でき、そのレーザ出力を安定化
することができる。従って、上記した理由から、レーザ
端面の保護膜53に波長依存性があっても、これが他の
波長のレーザ出力に影響を与えないようにプリズム端面
の反射膜54が機能することによって、レーザ光L1は
勿論、レーザ光L2についても温度特性を相殺できるこ
とになり、任意の波長に対する設計の自由度が増す。
As a result, the temperature characteristics of the laser beam L2 at the time of temperature rise can be offset, and the laser output can be stabilized. For this reason, even if the protective film 53 on the laser end face has wavelength dependence, the reflection film 54 on the prism end face functions so that this does not affect the laser output of other wavelengths. The temperature characteristics of the laser beam L2 as well as the laser beam L2 can be offset, and the degree of freedom in design for an arbitrary wavelength increases.

【0100】また、信号検出用のフォトダイオード16
及び17、18及び19も温度上昇時に出力が増大する
傾向があるが、この出力増加分は、レーザ光L1につい
ては、プリズム端面の反射膜54の反射率の減少により
相殺でき、またレーザ光L2については、APCによる
レーザ出力の減少分と、プリズム端面の反射膜54の反
射率の増大分及びフォトダイオード出力増加分とが同等
となるように設定することによって、これらを相殺する
ことができる。
The photodiode 16 for signal detection
, 17, 18 and 19 also tend to increase in output when the temperature rises, but this increase in output can be offset by the decrease in the reflectivity of the reflection film 54 on the prism end face, and the increase in the output of the laser light L2. With respect to the above, these can be offset by setting the decrease in the laser output by the APC to be equal to the increase in the reflectance of the reflection film 54 on the prism end face and the increase in the photodiode output.

【0101】なお、プリズム端面の反射膜54につい
て、その反射率の波長依存性は、膜厚、材質などによっ
て図3(a)、(b)、(c)、(d)、(e)の如く
に様々であり、これらの中から適切なものを選択すれば
よい。例えば、反射膜54の膜厚、材質(SiO系、T
iO系など)、SiO系/TiO系などの積層膜構造又
はその膜厚比など、種々の設計により反射率の波長依存
性をコントロールできる。この場合、それに応じて、P
IN−PDの温度特性を相殺する対象となるレーザ光
(例えば上述のレーザ光L1の如きもの)を選択してお
く。
The wavelength dependence of the reflectance of the reflection film 54 on the prism end face depends on the film thickness, material, etc., as shown in FIGS. 3 (a), 3 (b), 3 (c), 3 (d), and 3 (e). There are various types, and an appropriate one may be selected from these. For example, the thickness and material (SiO-based, T
The wavelength dependency of the reflectance can be controlled by various designs, such as a stacked film structure of iO-based or SiO-based / TiO-based or a film thickness ratio thereof. In this case, P
A laser beam (for example, such as the above-described laser beam L1) to be used for canceling the temperature characteristics of the IN-PD is selected.

【0102】次に、本実施の形態によるレーザカプラ、
光ピックアップ及び光ディスク装置の構成を更に詳細に
説明する。
Next, the laser coupler according to the present embodiment,
The configurations of the optical pickup and the optical disk device will be described in more detail.

【0103】図6は、例えば780nm帯の波長のレー
ザ光を出射する第1レーザダイオードLD1と650n
m帯の波長のレーザ光を出射する第2レーザダイオード
LD2を1チップ上に搭載するモノリシックレーザダイ
オード14aを示すものである。
FIG. 6 shows first laser diodes LD1 and 650n that emit laser light having a wavelength in the 780 nm band, for example.
FIG. 14 shows a monolithic laser diode 14a in which a second laser diode LD2 that emits laser light having a wavelength in the m band is mounted on one chip.

【0104】例えば、円盤状の基台21に設けられた突
起部21a上に、モニター用の光検出素子としてのPI
Nダイオード12が形成された半導体ブロック13が固
着され、その上部に、第1及び第2レーザダイオードL
D1、LD2を1チップ上に有するモノリシックレーザ
ダイオード14aが配置されている。また、基台21を
貫通して端子22が設けられており、リード23により
上記の第1及び第2レーザダイオードLD1、LD2、
或いはPINダイオード12に接続されて、それぞれの
ダイオードの駆動電源が供給される。
For example, a PI as a photodetector for monitoring is provided on a projection 21a provided on a disc-shaped base 21.
A semiconductor block 13 on which an N diode 12 is formed is fixed, and first and second laser diodes L
A monolithic laser diode 14a having D1 and LD2 on one chip is arranged. Further, a terminal 22 is provided through the base 21, and the first and second laser diodes LD 1, LD 2,
Alternatively, it is connected to the PIN diode 12 and the driving power of each diode is supplied.

【0105】図7(a)は上記のレーザダイオードのレ
ーザ光の出射方向と垂直な方向からの要部平面図であ
り、図7(b)はレーザダイオードのレーザ光の出射方
向と垂直な平面での断面図である。PINダイオード1
2が形成された半導体ブロック13の上部に第1レーザ
ダイオードLD1と第2レーザダイオードLD2を1チ
ップ上に有するモノリシックレーザダイオード14aが
配置されている。
FIG. 7A is a plan view of a main part of the laser diode from the direction perpendicular to the laser light emission direction, and FIG. 7B is a plan view of the laser diode perpendicular to the laser light emission direction. FIG. PIN diode 1
A monolithic laser diode 14a having a first laser diode LD1 and a second laser diode LD2 on a single chip is disposed above a semiconductor block 13 in which the semiconductor laser 2 is formed.

【0106】PINダイオード12においては、第1及
び第2レーザダイオードLD1、LD2のリア側に出射
されたレーザ光を感知し、その強度を測定して、レーザ
光の強度が一定となるように第1及び第2レーザダイオ
ードLD1、LD2の駆動電流を制御するAPC制御が
行われるように構成されている。
The PIN diode 12 senses the laser light emitted to the rear side of the first and second laser diodes LD1 and LD2, measures the intensity thereof, and measures the intensity of the laser light so that the intensity of the laser light becomes constant. APC control for controlling the drive current of the first and second laser diodes LD1 and LD2 is performed.

【0107】上記のモノリシックレーザダイオード14
aについて説明する。第1レーザダイオードLD1とし
て、n型GaAs基板30上に、n型GaAsバッファ
層31、n型AlGaAsクラッド層32、活性層3
3、p型AlGaAsクラッド層34、p型GaAsキ
ャップ層35が積層している。p型GaAsキャップ層
35表面からp型AlGaAsクラッド層34の途中の
深さまで絶縁化された領域41となって、電流狭窄構造
となるストライプを形成している。
The above monolithic laser diode 14
a will be described. As the first laser diode LD1, an n-type GaAs buffer layer 31, an n-type AlGaAs cladding layer 32, and an active layer 3 are formed on an n-type GaAs substrate 30.
3. A p-type AlGaAs cladding layer 34 and a p-type GaAs cap layer 35 are laminated. The region 41 is insulated from the surface of the p-type GaAs cap layer 35 to a depth in the middle of the p-type AlGaAs cladding layer 34 to form a stripe having a current confinement structure.

【0108】一方、第2レーザダイオードLD2とし
て、n型GaAs基板30上に、n型GaAsバッファ
層31、n型InGaPバッファ層36、n型AlGa
InPクラッド層37、活性層38、p型AlGaIn
Pクラッド層39、p型GaAsキャップ層40が積層
している。p型GaAsキャップ層40表面からp型A
lGaInPクラッド層39の途中の深さまで絶縁化さ
れた領域41となって、電流狭窄構造となるストライプ
を形成している。
On the other hand, as the second laser diode LD2, an n-type GaAs buffer layer 31, an n-type InGaP buffer layer 36, an n-type AlGa
InP clad layer 37, active layer 38, p-type AlGaIn
A P cladding layer 39 and a p-type GaAs cap layer 40 are laminated. From the surface of the p-type GaAs cap layer 40 to the p-type A
The region 41 is insulated to a certain depth in the 1GaInP cladding layer 39 to form a stripe having a current confinement structure.

【0109】上記の第1レーザダイオードLD1及び第
2レーザダイオードLD2においては、p型GaAsキ
ャップ層35、40にはp電極42が、n型GaAs基
板30にはn電極43が接続して形成されている。この
モノリシックレーザダイオード14aは、p電極42側
から、半導体ブロック13上に形成された電極13aに
ハンダなどにより接続及び固定されている。
In the first laser diode LD1 and the second laser diode LD2, the p-type GaAs cap layers 35 and 40 are connected to the p-electrode 42, and the n-type GaAs substrate 30 is connected to the n-electrode 43. ing. The monolithic laser diode 14a is connected and fixed to the electrode 13a formed on the semiconductor block 13 from the p-electrode 42 side by soldering or the like.

【0110】上記の第1レーザダイオードLD1のレー
ザ光出射部と第2レーザダイオードLD2のレーザ光出
射部の間隔dは例えば200μm程度以下の範囲(例え
ば100μm程度)に設定される。各レーザ光出射部か
らは、例えば780nm帯の波長のレーザ光L1及び6
50nm帯の波長のレーザ光L2がほぼ同一の方向(ほ
ぼ平行)に出射される。
The distance d between the laser beam emitting portion of the first laser diode LD1 and the laser beam emitting portion of the second laser diode LD2 is set to a range of, for example, about 200 μm or less (eg, about 100 μm). For example, laser beams L1 and L6 having a wavelength of 780 nm
Laser light L2 having a wavelength in the 50 nm band is emitted in substantially the same direction (substantially parallel).

【0111】一方、上記した第1及び第2フォトダイオ
ード16−17、18−19間の間隔も上記と同様に2
00μm程度以下の範囲(例えば100μm程度)に設
定され、共通の光学部材を用いて、第1レーザダイオー
ド及び第2レーザダイオードの出射光をCDやDVDな
どの光ディスクに照射し、光ディスクからの反射光を第
1フォトダイオード及び第2フォトダイオードにそれぞ
れ結合させることが可能となる。
On the other hand, the distance between the first and second photodiodes 16-17 and 18-19 is also 2 in the same manner as described above.
The light emitted from the first laser diode and the second laser diode is applied to an optical disc such as a CD or DVD using a common optical member, and the reflected light from the optical disc is set to a range of about 00 μm or less (for example, about 100 μm). Can be coupled to the first photodiode and the second photodiode, respectively.

【0112】次に、上記の第1レーザダイオードLD1
と第2レーザダイオードLD2をチップ上に搭載するモ
ノリシックレーザダイオード14aの形成方法について
説明する。
Next, the first laser diode LD1
And a method of forming a monolithic laser diode 14a in which the second laser diode LD2 is mounted on a chip.

【0113】まず、図8(a)に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)などの
エピタキシャル成長法により、n型GaAs基板30上
に、n型GaAsバッファ層31、n型AlGaAsク
ラッド層32、活性層(発振波長780nmの多重量子
井戸構造)33、p型AlGaAsクラッド層34、p
型GaAsキャップ層35を順に積層させる。
First, as shown in FIG. 8 (a), an n-type GaAs buffer layer 31, an n-type AlGaAs cladding, Layer 32, an active layer (a multiple quantum well structure having an oscillation wavelength of 780 nm) 33, a p-type AlGaAs cladding layer 34,
Type GaAs cap layers 35 are sequentially stacked.

【0114】次に、図8(b)に示すように、第1レー
ザダイオードLD1として残す領域をレジスト膜(図示
せず)で保護して、硫酸系の無選択エッチング、及び、
フッ酸系のAlGaAs選択エッチングなどのウエット
エッチング(EC1)により、第1レーザダイオードL
D1領域以外の領域でn型AlGaAsクラッド層32
までの上記の積層体を除去する。
Next, as shown in FIG. 8B, a region left as the first laser diode LD1 is protected by a resist film (not shown), and sulfuric acid-based non-selective etching is performed.
The first laser diode L is formed by wet etching (EC1) such as hydrofluoric acid-based AlGaAs selective etching.
The n-type AlGaAs cladding layer 32 is formed in a region other than the D1 region.
The above laminate up to is removed.

【0115】次に、図9(c)に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)などの
エピタキシャル成長法により、n型GaAsバッファ層
31上に、n型InGaPバッファ層36、n型AlG
aInPクラッド層37、活性層(発振波長650nm
の多重量子井戸構造)38、p型AlGaInPクラッ
ド層39、p型GaAsキャップ層40を順に積層させ
る。
Next, as shown in FIG. 9C, an n-type InGaP buffer layer 36 and an n-type InGaP buffer layer 36 are AlG
aInP cladding layer 37, active layer (oscillation wavelength 650 nm)
), A p-type AlGaInP cladding layer 39, and a p-type GaAs cap layer 40.

【0116】次に、図9(d)に示すように、第2レー
ザダイオードLD2として残す領域をレジスト膜(図示
せず)で保護して、硫酸系のキャップエッチング、リン
酸−塩酸系の4元選択エッチング、塩酸系の分離エッチ
ングなどのウエットエッチング(EC2)により、第2
レーザダイオードLD2領域以外の領域でn型InGa
Pバッファ層36までの上記の積層体を除去し、第1レ
ーザダイオードLD1と第2レーザダイオードLD2を
分離する。
Next, as shown in FIG. 9D, a region left as the second laser diode LD2 is protected by a resist film (not shown), and sulfuric acid-based cap etching and phosphoric acid-hydrochloric acid-based Wet etching (EC2) such as original selective etching and hydrochloric acid-based separation etching
N-type InGa in a region other than the laser diode LD2 region
The stacked body up to the P buffer layer 36 is removed, and the first laser diode LD1 and the second laser diode LD2 are separated.

【0117】次に、図10(e)に示すように、レジス
ト膜(図示せず)で電流注入領域となる部分を保護し
て、不純物Dをイオン注入などにより導入し、p型Ga
Asキャップ層35、40の表面からp型AlGaAs
クラッド層34、39の途中の深さまで絶縁化された領
域41を形成し、電流狭窄構造となるストライプとす
る。
Next, as shown in FIG. 10E, a portion serving as a current injection region is protected by a resist film (not shown), an impurity D is introduced by ion implantation or the like, and p-type Ga is removed.
From the surface of the As cap layers 35 and 40, p-type AlGaAs
A region 41 insulated to a certain depth in the cladding layers 34 and 39 is formed to form a stripe having a current confinement structure.

【0118】次に、図10(f)に示すように、p型G
aAsキャップ層35、40に接続するように、Ti/
Pt/Auなどのp型電極42を形成し、一方、n型G
aAs基板30に接続するように、AuGe/Ni/A
uなどのn型電極43を形成し、ペレタイズ工程を経
て、所望の第1レーザダイオードLD1と第2レーザダ
イオードLD2を1チップ上に搭載するモノリシックレ
ーザダイオード14aとする。
Next, as shown in FIG.
Ti / Ti is connected so as to connect to the aAs cap layers 35 and 40.
A p-type electrode 42 such as Pt / Au is formed.
AuGe / Ni / A to connect to the aAs substrate 30
An n-type electrode 43 such as u is formed, and a monolithic laser diode 14a in which a desired first laser diode LD1 and a desired second laser diode LD2 are mounted on one chip through a pelletizing process.

【0119】図11は、上記の本実施の形態によるレー
ザカプラを用いた光ピックアップの構成を示す。このレ
ーザカプラ1aに内蔵される第1及び第2レーザダイオ
ードからの出射レーザ光L1、L2をコリメータC、ミ
ラーM、CD用開口制限アパーチャR及び対物レンズO
Lを介して、CD又はDVDなどの光ディスクDに入射
する。光ディスクDからの反射光は、入射光と同一の経
路をたどってレーザカプラに戻り、レーザカプラに内蔵
される第1及び第2フォトダイオードにより受光され
る。
FIG. 11 shows the configuration of an optical pickup using the laser coupler according to the present embodiment. The laser beams L1 and L2 emitted from the first and second laser diodes incorporated in the laser coupler 1a are collimated by a collimator C, a mirror M, a CD aperture limiting aperture R and an objective lens O.
The light is incident on an optical disk D such as a CD or DVD via L. The reflected light from the optical disc D follows the same path as the incident light, returns to the laser coupler, and is received by the first and second photodiodes built in the laser coupler.

【0120】このレーザカプラにおいては、第1及び第
2フォトダイオードを図12に示すように分割すること
も可能である。この場合、前部第1フォトダイオード1
6の領域d1と、前部第2フォトダイオード18の領域
a2とe2が共通化されており、信号a2とe2を加算
することで信号d1が得られる。また、後部第1フォト
ダイオード17の領域l1と、後部第2フォトダイオー
ド19の領域i2が共通化されている。
In this laser coupler, the first and second photodiodes can be divided as shown in FIG. In this case, the front first photodiode 1
The region d1 of No. 6 and the regions a2 and e2 of the front second photodiode 18 are shared, and the signal d1 is obtained by adding the signals a2 and e2. Further, the region 11 of the rear first photodiode 17 and the region i2 of the rear second photodiode 19 are shared.

【0121】上記したレーザカプラ1aは、2波長レー
ザLD1、LD2を搭載したものであるが、本発明は1
波長レーザを搭載したレーザカプラ、光ピックアップ及
び光ディスク装置に対しても上記したと同様の効果があ
る。
The above-mentioned laser coupler 1a has two wavelength lasers LD1 and LD2 mounted thereon.
The same effect as described above can be obtained for a laser coupler, an optical pickup, and an optical disk device equipped with a wavelength laser.

【0122】例えば、上記したレーザ光L1について説
明したと同様に、レーザ端面51の反射膜53はレーザ
波長の近傍で、波長が長くなると、反射率が増加するよ
うにしておくことにより、全体として、温度の変化に対
してPIN−PD12の光出力は一定となる。
For example, as described above for the laser beam L1, the reflection film 53 on the laser end face 51 is set near the laser wavelength so that as the wavelength becomes longer, the reflectivity increases so as to increase the whole. The light output of the PIN-PD 12 becomes constant with respect to changes in temperature.

【0123】こうして、PIN−PDの光出力が一定と
なるようにコントロールすれば、レーザの温度特性に拘
わらず、レーザの出力も一定になるようにAPCで制御
することができる(この詳細な説明は、特許第2663
437号公報を参照)。
Thus, by controlling the optical output of the PIN-PD to be constant, it is possible to control the APC so that the output of the laser is constant irrespective of the temperature characteristics of the laser. Is a patent no.
No. 437).

【0124】これと同時に、信号検出用のフォトダイオ
ード16及び17、18及び19も温度上昇時に出力が
増大する傾向があるが、この出力増加分は、レーザ光に
ついてプリズム端面の反射膜54の反射率が減少する
(フォトダイオードへの入射量が減少してその出力が減
少する)ように設定しておくことにより、相殺すること
ができる。
At the same time, the output of the photodiodes 16 and 17, 18 and 19 for signal detection also tends to increase when the temperature rises. This increase in output is reflected by the reflection film 54 on the prism end face with respect to the laser light. By setting the rate to decrease (the amount of light incident on the photodiode decreases and the output decreases), the offset can be offset.

【0125】以上、本発明を実施の形態により説明した
が、本発明はこれらの実施の形態に何ら限定されるもの
ではない。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to these embodiments.

【0126】例えば、本発明に用いる発光素子として
は、レーザダイオードに限定されず、発光ダイオード
(LED)を用いることも可能である。
For example, the light emitting element used in the present invention is not limited to a laser diode, and a light emitting diode (LED) can be used.

【0127】また、第1及び第2レーザダイオードの発
光波長は、780nm帯と650nm帯に限定されるも
のではなく、その他の光ディスクシステムに採用されて
いる波長とすることができる。すなわち、種々の波長の
組み合せを用い、CDとDVD以外の他の組み合わせの
光ディスクシステムを採用することができる。
The emission wavelengths of the first and second laser diodes are not limited to the 780 nm band and the 650 nm band, but may be wavelengths employed in other optical disk systems. That is, an optical disk system of a combination other than a CD and a DVD using a combination of various wavelengths can be adopted.

【0128】また、波長が同じであっても、パワーが異
なる光や偏光方向が異なる光を用いてもよい。また、波
長など、物性の異なる光は2種類に限らず、それ以上と
してもよい。複数の光が3種類又はそれ以上の場合に
は、例えばその2種類の光に対する反射率が温度によっ
て変化する光学膜を設けることができる。
[0128] Even if the wavelength is the same, light having different power or light having different polarization direction may be used. Light having different physical properties such as wavelength is not limited to two types, and may be more than two types. When there are three or more types of light, for example, an optical film whose reflectance for the two types of light changes with temperature can be provided.

【0129】また、APC制御を行うためのPINダイ
オードは、第1及び第2フォトダイオードが形成されて
いる集積回路基板上に形成する構成としてもよい。この
場合には、プリズムの構成を変更して、第1及び第2レ
ーザダイオードのフロント側の出射光の一部を取り出し
てPINダイオードに結合する構成とすることが好まし
い。再生信号やトラッキング、フォーカスエラー信号の
読み取りは、図20で述べたように行ってもよい。
Further, a PIN diode for performing APC control may be formed on an integrated circuit substrate on which the first and second photodiodes are formed. In this case, it is preferable that the configuration of the prism is changed so that a part of the emitted light on the front side of the first and second laser diodes is extracted and coupled to the PIN diode. Reading of the reproduction signal, tracking, and focus error signal may be performed as described with reference to FIG.

【0130】また、上述したプリズム20の反射膜54
の反射率は、一の波長のレーザ光に対し温度変化時に増
大又は減少させ、他の波長のレーザ光に対し温度変化時
に減少又は増大させることができるが、他の波長のレー
ザ光については温度変化しても反射率が変化しなくても
よい。このような光学膜の反射率の変化だけでなく、光
学膜等の光学手段が温度上昇時に透過率変化(透過率の
増大又は減少)を生じる物性を有するように構成して
も、上述したと同様に温度特性を相殺できる。この場合
は、光学手段は、例えば光路中に配置された上記物性の
透光板などであってよいし、或いは透光板に上記物性の
光学膜を形成したものでもよい。
Further, the reflecting film 54 of the prism 20 described above is used.
Can be increased or decreased when the temperature of a laser beam of one wavelength changes, and decreased or increased when the temperature of a laser beam of another wavelength changes. Even if it changes, the reflectance need not change. In addition to such a change in the reflectance of the optical film, even if the optical means such as the optical film is configured to have a physical property that causes a change in transmittance (increase or decrease in transmittance) when the temperature rises, Similarly, the temperature characteristics can be offset. In this case, the optical means may be, for example, a light-transmitting plate or the like having the above-mentioned physical properties arranged in an optical path, or may be a light-transmitting plate formed with an optical film having the above-mentioned physical properties.

【0131】また、図13に示すように、レーザダイオ
ード14(LD1)と15(LD2)を別々に(即ち、
ディスクリートに)作製し、それぞれをマウントする構
成としたレーザカプラ1bとしてもよい。
As shown in FIG. 13, the laser diodes 14 (LD1) and 15 (LD2) are separately (ie,
It may be a laser coupler 1b which is manufactured discretely and mounted.

【0132】その他、フォトダイオードのパターン、レ
イアウトなどは種々変更してよく、ダイオード以外のデ
ィテクタ構造としてもよい。
In addition, the pattern and layout of the photodiode may be variously changed, and a detector structure other than the diode may be used.

【0133】[0133]

【発明の作用効果】本発明は上述した如く、前記複数の
発光素子の出射光のうち少なくとも1つの出射光につい
ては反射率又は透過率が温度によって変化する(例え
ば、温度上昇時に反射率が増大する)反射膜等の光学手
段が、複数の発光素子と複数の受光素子との間の光路中
に設けられているので、互いに異なる複数の発光素子を
用いても、上記出射光のうち他方の出射光を出射する発
光素子についてはその出射光の物性の変化(例えば温度
上昇時に波長が増大すること)に対しモニター用素子の
温度特性を相殺するように端面保護膜などが設定された
場合に、これによっても相殺しきれない発光素子につい
てはプリズムの端面などに設ける光学膜などの光学手段
が温度上昇時に反射率を増大させる等の物性を有するこ
とによって、全体として温度特性を相殺することができ
る。従って、複数の発光素子を用いても、任意の波長等
の物性に対しても調整の自由度が増し、常に安定した出
力特性を得ることができる。
As described above, according to the present invention, the reflectance or transmittance of at least one outgoing light of the plurality of light emitting elements changes with temperature (for example, the reflectivity increases when the temperature rises). Since the optical means such as a reflective film is provided in the optical path between the plurality of light-emitting elements and the plurality of light-receiving elements, even if a plurality of light-emitting elements different from each other are used, the other of the emitted light For a light emitting element that emits outgoing light, when an end face protective film or the like is set so as to offset the temperature characteristics of the monitoring element against changes in physical properties of the outgoing light (for example, an increase in wavelength when the temperature rises). However, for the light emitting element that cannot be offset by this, the optical means such as the optical film provided on the end face of the prism and the like have physical properties such as increasing the reflectance when the temperature rises. It is possible to offset the temperature characteristics Te. Therefore, even when a plurality of light emitting elements are used, the degree of freedom in adjusting physical properties such as arbitrary wavelengths is increased, and stable output characteristics can always be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態によるレーザカプラの概略
断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a laser coupler according to an embodiment of the present invention.

【図2】同、プリズムの拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of the same prism.

【図3】同、プリズムの反射膜の波長依存性を各種示す
グラフである。
FIG. 3 is a graph showing various wavelength dependences of a reflection film of a prism.

【図4】同、レーザカプラのパッケージの斜視図(a)
と同レーザカプラの斜視図(b)である。
FIG. 4 is a perspective view of a laser coupler package according to the first embodiment;
FIG. 3B is a perspective view of the same laser coupler.

【図5】同、フォトダイオードの要部平面図(a)とD
PD法を説明するためのブロック図(b)である。
FIG. 5 is a plan view of a main part of the photodiode (a) and FIG.
It is a block diagram (b) for explaining a PD method.

【図6】同、レーザダイオードの要部斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a main part of the laser diode.

【図7】同、レーザダイオードのレーザ光の出射方向を
示す要部平面図(a)と同出射方向と垂直方向における
断面図(b)である。
FIG. 7 is a plan view (a) of a main part showing a laser beam emission direction of the laser diode, and a sectional view (b) in a direction perpendicular to the emission direction.

【図8】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に示
す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the laser diode in the order of steps.

【図9】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に示
す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the laser diode in the order of steps.

【図10】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に
示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the laser diode in the order of steps.

【図11】同、レーザカプラを用いた光ピックアップの
概略構成図である。
FIG. 11 is a schematic diagram of an optical pickup using a laser coupler.

【図12】同、フォトダイオードの変形例の要部平面図
である。
FIG. 12 is a main part plan view of a modification of the photodiode.

【図13】同、レーザカプラの他のパッケージの斜視図
(a)と同レーザカプラの斜視図(b)である。
13A is a perspective view of another package of the laser coupler, and FIG. 13B is a perspective view of the same laser coupler.

【図14】従来例による光ピックアップの概略構成図で
ある。
FIG. 14 is a schematic configuration diagram of an optical pickup according to a conventional example.

【図15】他の従来例による光ピックアップの概略構成
図である。
FIG. 15 is a schematic configuration diagram of an optical pickup according to another conventional example.

【図16】本発明者が既に提案した光ピックアップの概
略構成図である。
FIG. 16 is a schematic configuration diagram of an optical pickup already proposed by the present inventors.

【図17】同、レーザダイオードの要部斜視図である。FIG. 17 is a perspective view of an essential part of the laser diode.

【図18】同、レーザダイオードのレーザ光の出射方向
を示す要部平面図(a)と同出射側の要部側面図(b)
と他のレーザダイオードのレーザ光の出射方向を示す要
部平面図(c)である。
FIG. 18 is a plan view (a) of a main part showing an emission direction of laser light of the laser diode, and a side view (b) of the main part on the same emission side.
FIG. 9C is a main part plan view (c) showing the emission direction of the laser light from another laser diode.

【図19】同、フォトダイオードの要部平面図(a)と
DPD法を説明するためのブロック図(b)である。
FIG. 19 is a plan view (a) of a main part of a photodiode and a block diagram (b) for explaining a DPD method.

【図20】レーザカプラの概略断面図である。FIG. 20 is a schematic sectional view of a laser coupler.

【図21】同、モニタ用フォトダイオードのI−V特性
図(A)、温度変化時のそのI−V特性図(B)及びレ
ーザ端面の反射率の温度特性図(C)である。
FIG. 21 shows an IV characteristic diagram (A) of the monitoring photodiode, an IV characteristic diagram thereof at the time of temperature change (B), and a temperature characteristic diagram of reflectance of a laser end face (C).

【図22】同、2波長レーザを用いる場合のレーザ端面
の反射率の波長依存性を示すグラフである。
FIG. 22 is a graph showing the wavelength dependence of the reflectance of the laser end face when the same two-wavelength laser is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1b…レーザカプラ、11…集積回路基板、12
…PINダイオード、13…半導体ブロック、14、L
D1…第1レーザダイオード、14a…モノリシックレ
ーザダイオード、15、LD2…第2レーザダイオー
ド、16…前部第1フォトダイオード、17…後部第1
フォトダイオード、18…前部第2フォトダイオード、
19…後部第2フォトダイオード、20…プリズム、2
0a…分光面、51、52…端面、53…端面保護膜、
54…反射膜、LD…レーザダイオード、PD1、PD
2…フォトダイオード、E1、E2…レーザ光出射部、
BS…ビームスプリッタ、C…コリメータ、R…CD用
の開口制限アパーチャ、ML…マルチレンズ、PD…フ
ォトダイオード、G…グレーティング、M…ミラー、O
L…対物レンズ、D…光ディスク、L…レーザ光、L1
…第1レーザ光、L2…第2レーザ光、PC…位相比較
器、AD…加算器、S1a、S1b、S2a、S2b…
スポット
1a, 1b: laser coupler, 11: integrated circuit board, 12
... PIN diode, 13 ... Semiconductor block, 14, L
D1 first laser diode, 14a monolithic laser diode, 15, LD2 second laser diode, 16 front first photodiode, 17 rear first
Photodiode, 18 ... front second photodiode,
19: rear second photodiode, 20: prism, 2
0a: Spectral surface, 51, 52: End face, 53: End face protective film,
54: reflection film, LD: laser diode, PD1, PD
2 ... photodiode, E1, E2 ... laser beam emission part,
BS: beam splitter, C: collimator, R: aperture limiting aperture for CD, ML: multi-lens, PD: photodiode, G: grating, M: mirror, O
L: objective lens, D: optical disk, L: laser beam, L1
... First laser light, L2... Second laser light, PC... Phase comparator, AD... Adder, S1a, S1b, S2a, S2b.
spot

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 5/022 H01S 5/022 Fターム(参考) 5D119 AA05 AA41 AA50 BA01 CA10 EC45 EC47 FA05 FA08 FA09 FA26 JA63 JA64 JA65 KA02 LB04 5F073 AA74 AB12 AB27 BA05 CA14 CB02 DA05 DA22 EA04 EA15 FA02 FA06 FA11 FA23 FA27 FA29 GA02 GA12 5F089 BA04 EA01 FA10 GA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01S 5/022 H01S 5/022 F-term (Reference) 5D119 AA05 AA41 AA50 BA01 CA10 EC45 EC47 FA05 FA08 FA09 FA26 JA63 JA64 JA65 KA02 LB04 5F073 AA74 AB12 AB27 BA05 CA14 CB02 DA05 DA22 EA04 EA15 FA02 FA06 FA11 FA23 FA27 FA29 GA02 GA12 5F089 BA04 EA01 FA10 GA01

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに異なる複数の光をそれぞれ出射す
る複数の発光素子が光出射方向と交差する方向に並置さ
れ、前記複数の光をそれぞれ受光する複数の受光素子が
設けられている光学装置において、 前記複数の発光素子の出射光のうち、少なくとも1つの
出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変化す
る光学手段が、前記複数の発光素子と前記複数の受光素
子との間の光路中に設けられていることを特徴とする光
学装置。
1. An optical device in which a plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of different lights are juxtaposed in a direction intersecting a light emitting direction, and a plurality of light receiving elements respectively receiving the plurality of lights are provided. Optical means whose reflectance or transmittance for at least one outgoing light among the outgoing lights of the plurality of light emitting elements changes depending on temperature is provided in an optical path between the plurality of light emitting elements and the plurality of light receiving elements. An optical device, which is provided.
【請求項2】 前記複数の発光素子の出射光のうち、一
の出射光に対する反射率又は透過率と他の出射光に対す
る反射率又は透過率とが温度によって互いに逆方向に変
化する光学膜が前記光学手段として、前記光路中に設け
られている、請求項1に記載した光学装置。
2. An optical film in which, among the light emitted from the plurality of light emitting elements, the reflectance or transmittance for one emitted light and the reflectance or transmittance for another emitted light change in opposite directions depending on temperature. The optical device according to claim 1, wherein the optical unit is provided in the optical path.
【請求項3】 前記複数の発光素子と、これらの各出射
光を分光面を介して被照射体へ導きかつこの反射光を前
記分光面から前記複数の受光素子へ導くための光学部材
と、前記受光素子とが共通の基体上に設けられた光カプ
ラとして構成され、前記分光面に前記光学膜が設けられ
ている、請求項2に記載した光学装置。
3. An optical member for guiding each of the plurality of light-emitting elements to an object to be irradiated via a spectral surface and guiding the reflected light from the spectral surface to the plurality of light-receiving elements, The optical device according to claim 2, wherein the light receiving element is configured as an optical coupler provided on a common base, and the optical film is provided on the spectral surface.
【請求項4】 前記複数の発光素子の第1の端面から前
記複数の光を出力光としてそれぞれ出射すると共に第2
の端面から複数のモニタ光をそれぞれ出射し、前記出力
光の強度を制御するために前記モニタ光を検知するモニ
タ用受光素子を有し、前記複数のモニタ光のうち、一の
モニタ光についてその強度の温度依存特性と前記モニタ
用受光素子の検知出力の温度依存特性とが互いに逆特性
となるような反射率又は透過率を示す保護膜が前記第2
の端面に形成され、前記一のモニタ光が前記一の出射光
に対応し、他のモニタ光に対応した前記他の出射光に対
する前記光学膜の反射率又は透過率が温度によって変化
して、前記他の出射光に関する温度依存特性が相殺され
る、請求項2に記載した光学装置。
4. A light-emitting device according to claim 1, wherein the plurality of light-emitting elements emit light from the first end face as output light,
Each of the plurality of monitor lights is emitted from an end surface thereof, and has a monitoring light receiving element for detecting the monitor light in order to control the intensity of the output light. The protective film exhibiting a reflectance or a transmittance such that the temperature-dependent characteristic of the intensity and the temperature-dependent characteristic of the detection output of the monitoring light-receiving element have opposite characteristics to each other.
Is formed on the end face, the one monitor light corresponds to the one outgoing light, the reflectance or transmittance of the optical film with respect to the other outgoing light corresponding to the other monitor light changes depending on the temperature, The optical device according to claim 2, wherein a temperature dependence characteristic of the other outgoing light is canceled.
【請求項5】 前記複数の発光素子が、互いに異なる波
長のレーザ光を出射する、請求項1に記載した光学装
置。
5. The optical device according to claim 1, wherein the plurality of light emitting elements emit laser beams having different wavelengths.
【請求項6】 光ディスク装置の光ピックアップとして
構成された、請求項1に記載した光学装置。
6. The optical device according to claim 1, wherein the optical device is configured as an optical pickup of an optical disk device.
【請求項7】 互いに異なる複数の光をそれぞれ出射す
る複数の発光素子が光出射方向と交差する方向に並置さ
れ、前記複数の光をディスク状情報記録媒体に照射して
その反射光をそれぞれ受光する複数の受光素子が設けら
れている光ディスク装置において、 前記複数の発光素子の出射光のうち、少なくとも1つの
出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変化す
る光学手段が、前記複数の発光素子と前記複数の受光素
子との間の光路中に設けられていることを特徴とする光
ディスク装置。
7. A plurality of light emitting elements respectively emitting a plurality of light beams different from each other are juxtaposed in a direction intersecting a light emitting direction, and irradiate the plurality of light beams to a disc-shaped information recording medium to receive reflected lights thereof. An optical disc device provided with a plurality of light receiving elements, wherein, among the light emitted from the plurality of light emitting elements, an optical unit whose reflectance or transmittance with respect to at least one outgoing light changes according to temperature is provided by the plurality of light emitting elements. An optical disk device, which is provided in an optical path between the light receiving element and the plurality of light receiving elements.
【請求項8】 前記複数の発光素子の出射光のうち、一
の出射光に対する反射率又は透過率と他の出射光に対す
る反射率又は透過率とが温度によって互いに逆方向に変
化する光学膜が前記光学手段として、前記光路中に設け
られている、請求項7に記載した光ディスク装置。
8. An optical film in which a reflectance or a transmittance for one emitted light and a reflectance or a transmittance for another emitted light among the emitted lights of the plurality of light emitting elements change in opposite directions depending on temperature. The optical disk device according to claim 7, wherein the optical unit is provided in the optical path.
【請求項9】 前記複数の発光素子と、これらの各出射
光を分光面を介して光ディスク状情報記録媒体へ導きか
つこの反射光を前記分光面から前記複数の受光素子へ導
くための光学部材と、前記受光素子とが共通の基体上に
設けられた光カプラを有し、前記分光面に前記光学膜が
設けられている、請求項8に記載した光ディスク装置。
9. A plurality of light emitting elements and an optical member for guiding each of the emitted light to an optical disk-shaped information recording medium via a spectral surface and guiding the reflected light from the spectral surface to the plurality of light receiving elements. 9. The optical disc device according to claim 8, wherein the light receiving element includes an optical coupler provided on a common base, and the optical film is provided on the spectral surface.
【請求項10】 前記複数の発光素子の第1の端面から
前記複数の光を出力光としてそれぞれ出射すると共に第
2の端面から複数のモニタ光をそれぞれ出射し、前記出
力光の強度を制御するために前記モニタ光を検知するモ
ニタ用受光素子を有し、前記複数のモニタ光のうち、一
のモニタ光についてその強度の温度依存特性と前記モニ
タ用受光素子の検知出力の温度依存特性とが互いに逆特
性となるような反射率又は透過率を示す保護膜が前記第
2の端面に形成され、前記一のモニタ光が前記一の出射
光に対応し、他のモニタ光に対応した前記他の出射光に
対する前記光学膜の反射率又は透過率が温度によって変
化して、前記他の出射光に関する温度依存特性が相殺さ
れる、請求項8に記載した光ディスク装置。
10. The intensity of the output light is controlled by emitting the plurality of lights as output light from a first end face of the plurality of light emitting elements and emitting a plurality of monitor lights from a second end face. A monitor light-receiving element for detecting the monitor light, and the temperature-dependent characteristic of the intensity of one monitor light of the plurality of monitor lights and the temperature-dependent characteristic of the detection output of the monitor light-receiving element. Protective films exhibiting a reflectance or a transmittance having mutually opposite characteristics are formed on the second end face, and the one monitor light corresponds to the one outgoing light and the other monitor light corresponds to the other monitor light. 9. The optical disc device according to claim 8, wherein a reflectance or a transmittance of the optical film with respect to the outgoing light changes depending on a temperature, and a temperature-dependent characteristic of the other outgoing light is offset.
【請求項11】 前記複数の発光素子が、互いに異なる
波長のレーザ光を出射する、請求項7に記載した光ディ
スク装置。
11. The optical disc device according to claim 7, wherein said plurality of light emitting elements emit laser beams having different wavelengths from each other.
【請求項12】 所定の光を出射する発光素子と、この
出射光を受光する受光素子とが設けられている光学装置
において、 前記出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変
化する光学手段が、前記発光素子と前記受光素子との間
の光路中に設けられていることを特徴とする光学装置。
12. An optical device provided with a light-emitting element for emitting predetermined light and a light-receiving element for receiving the emitted light, wherein the optical means whose reflectance or transmittance for the emitted light changes with temperature is provided. An optical device provided in an optical path between the light emitting element and the light receiving element.
【請求項13】 前記発光素子と、この出射光を分光面
を介して被照射体へ導きかつこの反射光を前記分光面か
ら受光素子へ導くための光学部材と、前記受光素子とが
共通の基体上に設けられた光カプラとして構成され、前
記分光面に前記光学手段としての光学膜が設けられてい
る、請求項12に記載した光学装置。
13. The light-receiving element, an optical member for guiding the emitted light to an irradiation target via a spectral surface and guiding the reflected light from the spectral surface to a light-receiving element, and the light-receiving element are common. 13. The optical device according to claim 12, wherein the optical device is configured as an optical coupler provided on a base, and an optical film serving as the optical unit is provided on the spectral surface.
【請求項14】 前記発光素子の第1の端面から前記所
定の光を出力光として出射すると共に第2の端面からモ
ニタ光を出射し、前記出力光の強度を制御するために前
記モニタ光を検知するモニタ用受光素子を有し、前記モ
ニタ光の強度の温度依存特性と前記モニタ用受光素子の
検知出力の温度依存特性とが互いに逆特性となるような
反射率又は透過率を示す保護膜が前記第2の端面に形成
されている、請求項1に記載した光学装置。
14. The light emitting device emits the predetermined light as output light from a first end face and emits monitor light from a second end face, and outputs the monitor light to control the intensity of the output light. A protective film having a monitoring light receiving element for sensing, and exhibiting a reflectance or a transmittance such that the temperature dependency of the intensity of the monitor light and the temperature dependency of the detection output of the monitoring light receiving element are opposite to each other. The optical device according to claim 1, wherein is formed on the second end surface.
【請求項15】 光ディスク装置の光ピックアップとし
て構成された、請求項12に記載した光学装置。
15. The optical device according to claim 12, wherein the optical device is configured as an optical pickup of an optical disk device.
【請求項16】 所定の光を出射する発光素子と、この
光出射をディスク情報記録媒体に照射してその反射光を
受光する受光素子とが設けられている光ディスク装置に
おいて、 前記出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変
化する光学手段が、前記発光素子と前記受光素子との間
の光路中に設けられていることを特徴とする光ディスク
装置。
16. An optical disc apparatus provided with a light emitting element for emitting predetermined light and a light receiving element for irradiating the light emission to a disk information recording medium and receiving the reflected light, An optical disk device, wherein an optical unit whose transmittance or transmittance changes with temperature is provided in an optical path between the light emitting element and the light receiving element.
【請求項17】 前記発光素子と、この出射光を分光面
を介して前記ディスク状情報記録媒体へ導きかつこの反
射光を前記分光面から前記受光素子へ導くための光学部
材と、前記受光素子とが共通の基体上に設けられた光カ
プラとして構成され、前記分光面に前記光学手段として
の光学膜が設けられている、請求項16に記載した光デ
ィスク装置。
17. The light-emitting element, an optical member for guiding the emitted light to the disc-shaped information recording medium via the spectral surface and guiding the reflected light from the spectral surface to the light-receiving element, and the light-receiving element 17. The optical disk device according to claim 16, wherein (a) and (b) are configured as an optical coupler provided on a common base, and an optical film as said optical means is provided on said spectral surface.
【請求項18】 前記発光素子の第1の端面から前記所
定の光を出力光として出射すると共に第2の端面からモ
ニタ光を出射し、前記出力光の強度を制御するために前
記モニタ光を検知するモニタ用受光素子を有し、前記モ
ニタ光の強度の温度依存特性と前記モニタ用受光素子の
検知出力の温度依存特性とが互いに逆特性となるような
反射率又は透過率を示す保護膜が前記第2の端面に形成
されている、請求項16に記載した光ディスク装置。
18. The light emitting device emits the predetermined light as output light from a first end face and emits monitor light from a second end face, and outputs the monitor light to control the intensity of the output light. A protective film having a monitoring light receiving element for sensing, and exhibiting a reflectance or a transmittance such that the temperature dependency of the intensity of the monitor light and the temperature dependency of the detection output of the monitoring light receiving element are opposite to each other. 17. The optical disk device according to claim 16, wherein is formed on the second end surface.
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US7729402B2 (en) 2002-10-29 2010-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser assembly

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