JP3522855B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気共鳴イメージング
装置（以下、ＭＲＩ装置という）に関し、特に傾斜磁場
発生装置が発生する騒音及び振動の低減を図ったＭＲＩ
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＭＲＩ装置は、静磁場内に置かれた検査
対象に電磁波を照射することによって、検査対象内の原
子核に核磁気共鳴現象を生じさせ、これにより検査対象
から発生する磁気共鳴信号に基づいて検査対象の物理的
性質を表す画像を得るもので、静磁場及び傾斜磁場の各
磁場発生手段と、磁場発生手段の内側に配置され、検査
対象に電磁波を照射し或いは検査対象からの磁気共鳴
（ＮＭＲ）信号を検出する高周波コイルと、検出された
ＮＭＲ信号を使って画像を再構成する画像再構成手段と
を備えている。

【０００３】傾斜磁場は、ＮＭＲ信号に位置情報を付加
するために静磁場に重畳して印加されるもので、静磁場
発生装置の発生する磁場内に位置させた傾斜磁場コイル
とその保持部材とからなり、傾斜磁場コイルにパルス状
電流を流すことにより駆動される。この場合磁場内でパ
ルス電流を流すことによってフレミングの左手の法則に
従い、電磁力が作用する。そしてこの電磁力が傾斜磁場
コイルを変形させようとし、騒音、振動が発生する。こ
のような騒音や振動は検査対象である患者に恐怖感、不
快感を与えるので好ましくなく、防音或いは消音するこ
とが好ましい。

【０００４】このためＭＲＩ装置では従来より装置外周
を覆う化粧カバーの内側に吸音材等を設け傾斜磁場の騒
音を低減すると共に、傾斜磁場コイルを保持する保持部
材に制振部材を用い、制振部材のダンピング特性を利用
して振動振幅の絶対値を軽減すると共に、衰減時間を短
くする方法を採用していた。しかし化粧カバーの内側に
吸音材を配置した場合には、ある程度の消音効果はある
ものの、騒音は充分に減衰せず、良好な消音は行えな
い。また制振部材による制御は、基本的には保持部材に
ゴム系の材料を交ぜることでダンピング効果を得るもの
であるため、保持部材の剛性が下がり、傾斜磁場コイル
の変位が大きくなる。このような傾斜磁場コイルの変位
は、発生する傾斜磁場を変化させ画像劣化を来す。特に
近年、ＭＲＩ装置で行なわれている撮影手法はＮＭＲ信
号の位相の高精度化が必要であり、このため傾斜磁場コ
イルの変位は数ミクロンから数十ミクロンオーダでなけ
ればならなず、従来の振動の制御方法では対応できなく
なってきている。

【０００５】一方、各種の騒音を軽減する方法として、
騒音と逆位相で同一振幅の音波を付加音源から発生して
騒音を消音する能動的消音方法が知られている。この消
音方法では、騒音に関係した信号を検出する装置（マイ
ク）と、消音したい場所附近において騒音源からの音響
エネルギーを最小にする装置（スピーカ）とが常に耳元
に位置しなければ良好な消音はできない。従ってこの消
音方法をＭＲＩ装置に適用する場合、ＭＲＩ装置では被
検者の位置は撮影部位によって変化するので、マイクや
スピーカを被検者に装着しなければならず、被検者に違
和感や不快感を与える。

【０００６】また、ＭＲＩ装置には適用例はないが、圧
電素子を使用して装置の振動を検出するとともに、さら
に検出された振動と逆位相の振動を発生させ、振動を打
ち消す方法が米国特許５０２２２７２号などに記載され
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしこの米国特許に
開示される方法では、複雑な変形を伴うＭＲＩ装置の傾
斜磁場コイルには直接適用することは困難である。まず
複雑な変形パターンを有する傾斜磁場コイルの変形を検
出するためには数多くの振動検出用圧電素子（以下、セ
ンサという）が必要になる。更に、傾斜磁場コイルには
大きな電流を流すため傾斜磁場コイルとその保持部材で
あるボビンの温度上昇が大きく、具体的には８０℃程度
になるが、圧電素子は一般に温度が上昇するとその特性
が変化し、センサとして用いた場合に正確に変形を検出
できない。同様に変形を発生するアクチュエータとして
用いた場合にも、効果的に変形を制御することができな
い。

【０００８】従って本発明は、ＭＲＩ装置の傾斜磁場コ
イルに発生する複雑な変形を抑制し、振動、騒音を効率
よくキャンセルできるＭＲＩ装置を提供することを目的
とし、特に傾斜磁場コイルの発熱による温度上昇の影響
を補償し、電磁力を効率よく打消すことができるＭＲＩ
装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のＭＲＩ装置は、傾斜磁場発生手段は、少なくとも１
つのコイル導体およびこれを保持する保持部材を含む傾
斜磁場コイルと、傾斜磁場コイルに生じる変形を検出お
よびキャンセルするために、機械的エネルギーを電気信
号に変換する変換素子および電気的エネルギーの機械的
エネルギーへ変換する変換素子と、変換素子制御手段と
を有する構成とする。変換素子は、傾斜磁場コイルに接
着する。変換素子制御手段は、変換素子が出力する電気
信号から傾斜磁場コイルに生じる変形を検出する検出手
段と、検出手段の検出した変形に応じて変換素子への電
気的エネルギーの供給を行う供給手段と、傾斜磁場コイ
ル及び／又は変換素子の温度を検出する少なくとも１つ
の温度センサと、変換素子の変換特性の温度依存性を予
め記憶する記憶手段と、変換素子の出力する電気信号お
よび／または変換素子に対して供給する電気的エネルギ
ーを温度センサの出力と温度依存性とを用いて補正する
補正手段とを含み、傾斜磁場コイルの温度変化に対応し
て傾斜磁場コイルの変形とは逆位相の機械的エネルギー
を変換素子に発生させ、傾斜磁場コイルの変形を直接キ
ャンセルするものである。

【００１０】上述の変換素子としては、圧電素子を用い
ることができる。

【００１１】

【００１２】

【作用】機械的エネルギーを電気的エネルギーに変換す
るエネルギー変換素子は傾斜磁場コイルで発生する振動
・変形を検出し、それを電気信号として出力するので、
この検出された変形を打ち消すように傾斜磁場コイルに
変形を与える。一方、電気的エネルギーを機械的エネル
ギーに変換するエネルギー変換素子は、所定の電圧を印
加することによって、傾斜磁場コイルの変形を打ち消す
ような機械的エネルギーを発生する。このエネルギー変
換素子に印加する電圧は、機械的エネルギーを電気的エ
ネルギーに変換するエネルギー変換素子によって検出さ
れた電気信号から、或いは傾斜磁場コイルの駆動を制御
する制御手段からの情報によって制御される。

【００１３】この際、コイルの温度は温度センサによっ
て検出され、このコイルの温度と、予め記憶された温度
補正データとに基づき、エネルギー変換素子の出力であ
る電気信号を補正し、或いはエネルギー変換素子に印加
する電圧を補正するので、コイルの温度に係わりなく変
形を正確に検出し、また制御できる。エネルギー変換素
子を制御する変換素子制御手段は、ＭＲＩ装置の制御手
段からの傾斜磁場コイル制御情報によりエネルギー変換
素子に印加する電圧を決定し、更に予め記憶された補正
データと温度センサによって検出された温度から電圧を
補正するので、振動・変形検出のためのセンサを不要に
し、しかも温度上昇による誤差なく電磁力のキャンセル
が可能となる。

【００１４】エネルギー変換素子が圧電素子の場合に
は、温度上昇によって変換エネルギーが低下するので、
これを補償するように駆動のための印加電圧を高く補正
する。またエネルギー変換素子により変形を検出する場
合には、エネルギー変換素子からの出力電圧を高く補正
する。

【００１５】

【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。図５は本発明の一実施例のＭＲＩ装置の全体
構成を示すブロック図である。このＭＲＩ装置は、磁気
共鳴（ＮＭＲ）現象を利用して被検体１の断層画像を得
るもので、そのために、必要な充分大きなボア径をもっ
た静磁場発生磁気回路２と、傾斜磁場発生系３と、送信
系４と、受信系５と、信号処理系６と、シーケンサ７
と、中央処理装置（以下、ＣＰＵという）８とを備えて
いる。図１において、送信側及び受信側の高周波コイル
１４ａ、１４ｂと傾斜磁場コイル９は、被検体１の周り
の空間に配置された静磁場発生磁気回路２の磁場空間内
に配置されている。

【００１６】静磁場発生磁気回路２は、被検体１の周り
にその体軸方向または体軸と直交する方向に均一な磁束
を発生するもので、被検体１の周りのある広がりをもっ
た空間に永久磁石方式または常電導方式あるいは超電導
方式の磁場発生手段が配置されている。傾斜磁場発生系
３はＸ，Ｙ，Ｚの三方向に巻かれた傾斜磁場コイル９と
それぞれのコイルを駆動する傾斜磁場電源１０とから成
り、シーケンサ７からの命令に従って各コイルの傾斜磁
場電源１０を駆動することにより、Ｘ，Ｙ，Ｚの三方向
の傾斜磁場Ｇｘ，Ｇｙ，Ｇｚを被検体１に印加するよう
になっている。この傾斜磁場の加え方により、被検体１
に対するスライス面を設定することができる。これら傾
斜磁場コイルには、後述するように電気的エネルギーを
機械的エネルギーに変換する変換素子として圧電素子３
０及び傾斜磁場コイルの温度を検出する温度センサ６０
が一体的に設置されている。

【００１７】送信系４は、高周波発振器１１と変調器１
２と高周波増幅器１３と送信側高周波コイル１４ａとか
らなり、高周波発振器１１から出力された高周波パルス
をシーケンサ７の命令に従って、変調器１２で振幅変調
し、この振幅変調された高周波パルスを高周波増幅器１
３で増幅した後に被検体１に近接して配置された高周波
コイル１４ａに供給することにより、電磁波が被検体１
に照射されるようになっている。

【００１８】受信系５は、受信側高周波コイル１４ｂと
増幅器１５と直交位相検波器１６とＡ／Ｄ変換器１７と
からなり、送信側の高周波コイル１４ａから照射された
電磁波による被検体の応答の電磁波（ＮＭＲ信号）を被
検体１に近接して配置された高周波コイル１４ｂで検出
し、増幅器１５及び直交位相検波器１６を介してＡ／Ｄ
変換器１７に入力してデジタル量に変換する。この際、
Ａ／Ｄ変換器１７はシーケンサ７からの命令によるタイ
ミングで、直交位相検波器１６から出力された二系列の
信号をサンプリングし、二系列のデジタルデータを出力
する。それらのデジタル信号は信号処理系６に送られフ
ーリエ変換されるようになっている。

【００１９】信号処理系６は、ＣＰＵ８と磁気ディスク
１８及び磁気テープ１９等の記録装置とＣＲＴ等のディ
スプレイ２０とからなり、デジタル信号を用いてフーリ
エ変換、補正係数計算、像再構成等の処理を行ない、任
意断面の信号強度分布あるいは複数の信号に適当な演算
を行なって得られた分布を画像化してディスプレイ２０
に表示する。

【００２０】シーケンサ７は、ＣＰＵ８の制御で動作
し、被検体１の断層画像のデータ収集に必要な種々の命
令を送信系４及び傾斜磁場発生系３並びに受信系５に送
るものである。ＣＰＵ８は、信号処理系６として前述の
ような画像再構成のための演算を行うとともに、設定さ
れる撮影条件に応じて、高周波磁場の強度、中心周波数
及び傾斜磁場コイルの印加軸、傾斜磁場強度、印加タイ
ミングなどを制御しシーケンサ７を駆動するとともに、
シーケンサ７を介して傾斜磁場駆動の情報を後述する傾
斜磁場コイルに設けられた圧電素子の制御装置に送る。

【００２１】次に本発明における傾斜磁場コイルの構成
を更に詳述する。図１は円筒状の傾斜磁場コイルの横断
面図で、説明のためにその一部を拡大斜視図として示し
てある。本実施例において傾斜磁場コイル９は、Ｘ，
Ｙ，Ｚ方向に線形に変化する磁場を発生するＸ，Ｙ，Ｚ
傾斜磁場コイル導体４０と、それらを保持する保持部材
であるＦＲＰ製ボビン４１とから成り、各傾斜磁場コイ
ル導体はボビン４１に接着剤で接着、もしくはネジ止め
されている。尚、図では傾斜磁場コイル導体４０とボビ
ン４１とがそれぞれ１層のみから成る構成を示したが、
各Ｘ，Ｙ，Ｚ方向のコイル導体が異なる層に形成されて
いてもよい。

【００２２】このような傾斜磁場コイルの内側及び外側
には電気的エネルギーを機械的エネルギーに変換する圧
電素子３０ａ〜３０ｄがダンピングが少ない接着剤で接
着されて配置されている。また傾斜磁場コイル９の温度
を検出するための温度センサ６０がコイル導体４０又は
ボビン４１の表面に接着されている。尚、図では圧電素
子３０ａ（３０ｃ）をボビン４１の内側に、圧電素子３
０ｂ（３０ｄ）をコイル導体４０の外側に配置したが、
いずれか一方をコイル導体４０とボビン４１との間に固
定してもよい。

【００２３】これら圧電素子は、分極方向５０に積層さ
れた薄板状の積層体から成り、各圧電素子３０の間に圧
電素子とほぼ同面積の電極を挟んだ構造をしており、分
極の方向が交互に反対側を向くように積層されている。
これら圧電素子３０は１層おきに外部電極により電気的
に並列接続されており、隣接する圧電素子の境界面の電
圧が同一でも同一方向に変形する。しかも、多数の圧電
素子を積層した構造をしているので、分極方向に大きな
変換エネルギーを発生させることができる。

【００２４】尚、圧電素子としては、圧電現象を生じる
ＢａＴｉＯ₃系、ＰｂＺｒＯ₃−ＰｂＴｉＯ₃系などの圧
電セラミックが好適に用いられる。傾斜磁場コイルの複
雑な変形に対応するために圧電素子は、その分極方向が
異なるものを組合せて用いることが好ましく、図示する
実施例では分極方向が円周方向と一致するように配置さ
れた圧電素子３０ａ、３０ｂと、分極方向が軸方向と一
致するように配置された圧電素子３０ｃ、３０ｄとを用
いている。またこれらはコイル４０とボビン４１の積層
方向（円筒の半径方向）に間隙を持って配置されること
により、円周方向及び軸方向にそれぞれ単純圧縮引張り
力とモーメント力とを発生させることができる。

【００２５】このような構成の圧電素子３０ａ、３０ｂ
（３０ｃ、３０ｄ）は印加した電圧の和の略１／２が単
純圧縮引っ張り力を発生、差の略１／２がモーメント力
を発生するように構成されており、後述する制御手段に
よって実際にコイルで発生する単純圧縮引っ張り力によ
る振動、モーメント力による振動をキャンセルするよう
に電圧を印加する。

【００２６】温度センサ６０は、熱電対、白金測温抵抗
体、サーミスタ、ＩＣ温度センサ等の公知の温度センサ
を用いることができる。このような温度センサ６０は、
傾斜磁場コイル導体４０の外側或いはボビン４１の内側
等の適当な位置に１個ないし数個を固定する。図示した
実施例ではコイル導体４０の外側に一方の面を熱良導性
のよい接着剤で接着され、更に図示は省略したが他方の
面は空気等の温度が影響しないよう断熱材で覆ってい
る。温度センサ６０の位置は、予め傾斜磁場コイル導体
４０及びボビン４１の駆動時の温度分布を計測し、温度
分布の広がりが小さい場合には１ヵ所で代表し、大きい
場合は複数配置し、温度センサ近傍の圧電素子をそれぞ
れ検出温度に応じて制御するのが望ましい。

【００２７】次に上記構成における圧電素子３０ａ〜３
０ｄの駆動制御方法について説明する。図２は圧電素子
に印加する電圧をコントロールする実施例のブロック図
を示すもので、変換素子制御手段として制御装置４３
と、この制御装置４３からの信号により駆動され圧電素
子３３に電圧を印加する電源４４とを備えており、制御
装置４３には、シーケンサ７からの傾斜磁場駆動情報及
び温度センサ６０からの温度情報が入力される。シーケ
ンサ７の情報のうち、利用するのは傾斜磁場強度、印加
タイミング、印加軸である。尚、発生する変形の方向の
異なる複数対の圧電素子（３０ａと３０ｂの対、３０ｃ
と３０ｄの対）については、制御系を同一としても、異
ならせてもよい。

【００２８】制御装置４３は、予め各圧電素子３０ａ〜
３０ｄに加える電圧の比率（重み付量）及び圧電素子の
温度依存性補正量を求めメモリに格納しておき、この重
み付量及び温度依存性補正量に基づき各圧電素子に印加
する電圧を決定する。重み付量は以下のように決定する
ことができる。予め、Ｘ軸のみ、ある傾斜磁場強度（Ｇ
₀）、ある温度で駆動したときに発生する各部の圧電素
子の電圧をＡ／Ｄ変換し、その値を制御装置４３のメモ
リに格納する。同様にＹ、Ｚ軸の傾斜磁場の場合につい
ても各部の圧電素子の電圧の値を求めメモリに格納す
る。ついで、これら各軸の傾斜磁場駆動に伴う各圧電素
子３０ａ〜ｄに加える電圧の比率を演算し、それを各圧
電素子ごとの重み付け量（ｋｘ、ｋｙ、ｋｚ）としてメ
モリへ格納しておく。一方、温度依存性補正量について
は、例えば予め特定の１軸について連続して傾斜磁場コ
イルを駆動し、その温度変化を温度センサ６０で調べる
とともに、各圧電素子に発生する電圧の変化を追跡し、
傾斜磁場コイル温度と圧電素子の電圧との関係をテーブ
ルとしてメモリに格納しておく。或いは用いる圧電素子
の温度依存性が予め知られている場合には、この関係を
テーブルとして又は関数としてメモリ内に格納するよう
にしてもよい。一般には圧電素子は、図３に示すように
一定の温度までは変換特性は変化しないが、温度が上昇
すると変換率が低下する。従ってこのような補正曲線を
予め求めておくことにより所定の温度における補正量を
求めることができる。

【００２９】そして実際の撮影時には、制御装置４３は
シーケンサ７からの傾斜磁場駆動情報を取り込み、印加
軸とその傾斜磁場強度の情報から全体の傾斜磁場強度を
求め、その値を各圧電素子ごとに重み付けする。この
際、重み付量は温度センサ６０からの温度情報に基づ
き、既に決定した重み付量に対しメモリに格納した温度
依存性補正量をかけた値を全重み付量として用いる。こ
のように重み付けされた信号で各圧電素子３０の電源４
４を駆動し圧電素子３０に電圧を印加する。また圧電素
子駆動のタイミングは、シーケンサ７からの印加タイミ
ング情報に合せて行う。ところで実際の撮像シーケンス
実行時においては、複数の傾斜磁場が同時に印加される
場合が多い。例えば撮影時の傾斜磁場強度をＧとし３軸
同時に印加したとすると、一つの圧電素子３０ａ、ｂ、
ｃまたはｄに印加する電圧は、その圧電素子の重み付量
をｋｘ、ｋｙ、ｋｚとすると、−Ｇ（ｋｘ＋ｋｙ＋ｋ
ｚ）／Ｇ ₀となる。この電圧をシーケンサ７の信号の出
力に基づくタイミングで印加される。

【００３０】尚、この実施例では１つの温度センサ６０
からの温度情報に基づき複数の圧電素子を制御する場合
について説明したが、傾斜磁場コイルの温度分布の幅が
大きい場合には、例えば円筒状コイルの端部と中央部の
２ヵ所或いは複数箇所に温度センサを配置し、円筒状コ
イルの端部近傍に配置された圧電素子については端部に
配置された温度センサからの温度情報に基づき、重み付
量を補正し、中央部近傍に配置された圧電素子について
はその近傍にある温度センサからの温度情報に基づき重
み付量を補正することが好ましい。この場合、制御系は
各温度センサとその近傍の圧電素子毎に複数としてもよ
い。

【００３１】また温度センサ、圧電素子の配置、種類は
上記実施例に限定されるものではなく、例えば、図３に
示すように、傾斜磁場コイルは主コイル９とシールドコ
イル９’で構成された傾斜磁場コイルにも適用できる。
この実施例では、主傾斜磁場コイル９及びシールドコイ
ル９’ともＸ，Ｙ，Ｚ方向に線形に変化する磁場を発生
する各コイル導体４０、４０’を有している。シールド
コイル９’を保持するシールドボビン４２はＦＲＰで製
作されており、ボビン４２の外周にエポキシ樹脂系接着
剤でＸ，Ｙ，Ｚシールドコイル導体４０’が固定されて
いる。主傾斜磁場コイル９を保持する主ボビン４１もＦ
ＲＰで製作されており、Ｘ，Ｙ，Ｚ傾斜磁場コイル導体
４０が固定されている。また主傾斜磁場コイル９、シー
ルドコイル９’は樹脂５１で剛性良く接続されている。

【００３２】ここでは図１の実施例と同じ機能の圧電素
子３０ａ、３０ｃは主ボビン４１の内径側に、圧電素子
３０ｂ、３０ｄは、シールドボビン４２の内周に固定さ
れ、温度センサ６０はシールドコイル導体４０’の外側
に接着されている。その他の構成は図１の実施例と同様
である。この場合にも圧電素子を温度センサの情報でコ
ントロールして電圧を印加することにより、コイルで発
生する単純圧縮引っ張り力による振動、モーメント力に
よる振動をコイルの温度変化に係わりなく精度よくキャ
ンセルすることができる。

【００３３】更に以上の実施例では、圧電素子を傾斜磁
場コイルの変形を抑制するアクチュエータとして用いた
場合について述べたが、このような圧電素子を傾斜磁場
コイルの変形を検出するセンサとして用いることも可能
であり、またセンサとしての圧電素子を別途設置するこ
とも可能である。この場合にも温度センサ６０からの温
度情報及び温度補正量によって圧電素子のセンサとして
出力を補正することにより、傾斜磁場コイルの温度に係
わりなく正確にその変形を検出することができる。この
ように圧電素子によって傾斜磁場コイルの変形の検出
し、その情報に基づき変形をキャンセルするようアクチ
ュエータとしての圧電素子を駆動することが可能である
が、応答性、制御の容易さ等の観点からは上述したよう
にシーケンサ７からの傾斜磁場駆動情報をそのまま利用
することが好適である。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように本発明
によれば、振動源、騒音源となる傾斜磁場コイルにエネ
ルギー変換素子、特に圧電素子を設けるとともに傾斜磁
場コイルの温度を検出する温度センサを設け、このエネ
ルギー変換素子に印加する電圧をコントロールして傾斜
磁場コイルに発生する振動・変形と逆位相の力またはモ
ーメントを発生させて電磁力をキャンセルする際に、温
度センサからの情報に基づき印加電圧を補正することに
より、傾斜磁場コイルの温度に係わりなく振動、騒音を
防止できる。即ち温度によるアクチュエータであるエネ
ルギー変換素子の出力低下によって騒音キャンセル効果
が減少するのを効果的に防止することができる。

【００３５】このように本発明のＭＲＩ装置では、常に
振動、騒音を効果的にキャンセルできるので、被検者の
恐怖感、不快感が解消され、さらに難聴になりかねない
環境を解消する。また本発明のＭＲＩ装置によれば、特
に傾斜磁場コイルに印加する電圧を制御するために、撮
影条件を制御する制御手段からの傾斜磁場駆動情報を利
用することにより、振動検出のためのエネルギー変換素
子を不要として、応答性よく振動、騒音を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のＭＲＩ装置の傾斜磁場コイルの一実
施例を示す図。

【図２】 本発明におけるエネルギー変換素子制御の一
実施例を示すブロック図。

【図３】 圧電素子が発生する変形力と温度との関係を
示す図。

【図４】 本発明のＭＲＩ装置の傾斜磁場コイルの他の
実施例を示す図。

【図５】 本発明の磁気共鳴イメージング装置の一実施
例の全体構成ブロック図。

【符号の説明】 ２・・・・・・静磁場発生磁気回路（静磁場発生手段） ３・・・・・・傾斜磁場発生系 ６・・・・・・信号処理系（画像再構成手段） ７・・・・・・シーケンサ（制御手段） ８・・・・・・ＣＰＵ（制御手段） ９、９’・・・・・・傾斜磁場コイル（傾斜磁場発生手段） １４ａ、１４ｂ・・・・・・高周波コイル ３０、３０ａ〜３０ｄ・・・・・・圧電素子（エネルギー変換
素子） ４０、４０’・・・・・・コイル導体 ４１、４２・・・・・・ボビン（保持部材） ４３・・・・・・制御装置（変換素子制御手段） ６０・・・・・・温度センサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−90919（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−184164（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−296378（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−169686（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−1536（ＪＰ，Ａ) 谷順二 他，「分布圧電アクチュエー タによる円筒殻の振動制御」，機械力 学・計測制御講演論文集（Ｖｏｌ. Ｂ），日本，社団法人日本機械学会, 1993年 ７月19日，ｐａｇｅ Ｂ65−Ｂ 70 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) A61B 5/055 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】検査対象の置かれる空間に静磁場を発生す
   る静磁場発生手段と、前記空間に傾斜磁場を発生する傾
   斜磁場発生手段と、前記検査対象に電磁場を照射し或い
   は前記検査対象からの磁気共鳴信号を検出する高周波コ
   イルと、前記磁気共鳴信号を使って前記検査対象の物理
   的性質をあらわす画像を得る画像再構成手段と、検査条
   件を制御する検査条件制御手段とを備えた磁気共鳴イメ
   ージング装置において、 前記傾斜磁場発生手段は、少なくとも１つのコイル導体
   およびこれを保持する保持部材を含む傾斜磁場コイル
   と、該傾斜磁場コイルに生じる変形を検出およびキャン
   セルするために、機械的エネルギーを電気信号に変換す
   る変換素子および電気的エネルギーを機械的エネルギー
   へ変換する変換素子と、変換素子制御手段とを有し、 前記変換素子は、前記傾斜磁場コイルに接着され、 前記変換素子制御手段は、前記変換素子が出力する電気
   信号から前記傾斜磁場コイルに生じる変形を検出する検
   出手段と、前記検出手段の検出した変形に応じて前記変
   換素子への電気的エネルギーの供給を行う供給手段と、
   前記傾斜磁場コイル及び／又は前記変換素子の温度を検
   出する少なくとも１つの温度センサと、前記変換素子の
   変換特性の温度依存性を予め記憶する記憶手段と、前記
   変換素子の出力する電気信号および／または前記変換素
   子に対して供給する電気的エネルギーを前記温度センサ
   の出力と前記温度依存性とを用いて補正する補正手段と
   を含み、前記傾斜磁場コイルの温度変化に対応して前記
   傾斜磁場コイルの変形とは逆位相の機械的エネルギーを
   前記変換素子に発生させ、前記傾斜磁場コイルの変形を
   直接キャンセルすることを特徴とする磁気共鳴イメージ
   ング装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装
   置において、前記変換素子が圧電素子であることを特徴
   とする磁気共鳴イメージング装置。