JP3505411B2 - プラグの腐蝕を防止する内部配線の製造方法 - Google Patents
プラグの腐蝕を防止する内部配線の製造方法Info
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- JP3505411B2 JP3505411B2 JP32968198A JP32968198A JP3505411B2 JP 3505411 B2 JP3505411 B2 JP 3505411B2 JP 32968198 A JP32968198 A JP 32968198A JP 32968198 A JP32968198 A JP 32968198A JP 3505411 B2 JP3505411 B2 JP 3505411B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、金属内部配線
（interconnect）の製造方法に関し、特に、プラグの腐
蝕を防止する内部配線の製造方法に関する。
（interconnect）の製造方法に関し、特に、プラグの腐
蝕を防止する内部配線の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造技術の進歩にともなって、デ
バイスの微小寸法（Critical Dimension = CD）もます
ます微細になり、金属内部配線を作製する時、回路レイ
アウト（layout）のニーズに対応するために、誘電膜中
の金属プラグを部分的に露出させる必要があった。例え
ば、図１（ａ）に示したような内部配線構造において、
ビアホール１００を誘電膜１０２中に形成するととも
に、このビアホール１００中のタングステン金属を金属
プラグとして、基板（あるいは金属配線）１０４と配線
１０６との電気的な接続を行っていた。
バイスの微小寸法（Critical Dimension = CD）もます
ます微細になり、金属内部配線を作製する時、回路レイ
アウト（layout）のニーズに対応するために、誘電膜中
の金属プラグを部分的に露出させる必要があった。例え
ば、図１（ａ）に示したような内部配線構造において、
ビアホール１００を誘電膜１０２中に形成するととも
に、このビアホール１００中のタングステン金属を金属
プラグとして、基板（あるいは金属配線）１０４と配線
１０６との電気的な接続を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】デザインルール（desi
gn rule）の縮小により、レイアウトニーズに対応する
ために、配線１０６がビアホール１００を完全に被覆し
なくなり、タングステン金属１０８を部分的に露出させ
ていた。そして、フォトレジスト１１０により配線１０
６をパターニングする工程において、フォトレジスト１
１０の除去が１００％の酸素または酸素含有量が大きな
プラズマ雰囲気でのアッシング（ashing）により行われ
ると、露出された金属タングステン１０８が容易に酸素
プラズマからイオンを吸収して電荷を帯びるので、電荷
１１２が露出された金属タングステン１０８の表面に集
中していた。
gn rule）の縮小により、レイアウトニーズに対応する
ために、配線１０６がビアホール１００を完全に被覆し
なくなり、タングステン金属１０８を部分的に露出させ
ていた。そして、フォトレジスト１１０により配線１０
６をパターニングする工程において、フォトレジスト１
１０の除去が１００％の酸素または酸素含有量が大きな
プラズマ雰囲気でのアッシング（ashing）により行われ
ると、露出された金属タングステン１０８が容易に酸素
プラズマからイオンを吸収して電荷を帯びるので、電荷
１１２が露出された金属タングステン１０８の表面に集
中していた。
【０００４】また、配線をエッチングする時に、チップ
表面には高分子重合体（polymer）など不必要な物質が
残留するので、フォトレジスト１１０を除去した後で、
チップに対する湿式洗浄（wet cleaning）を行って残留
した重合体などを除去する必要があったが、この湿式洗
浄が一般にはアルカリ溶液により行われ、そのアルカリ
性溶液のｐＨ値が１０〜１２にも達していた。しかしな
がら、アルカリ性（alkaline）溶液で湿式洗浄を行った
場合、タングステン金属１０８中の電荷１１２の蓄積さ
れた部位が、電圧差の存在により電気分解（electrolys
is）に類似した電気化学（electrochemical）反応によ
り、タングステン金属１０８を電解物質の供給源として
消費するので、図１（ｂ）に示したように、タングステ
ン金属１０８の腐蝕（erosion）を引き起こしていた。
表面には高分子重合体（polymer）など不必要な物質が
残留するので、フォトレジスト１１０を除去した後で、
チップに対する湿式洗浄（wet cleaning）を行って残留
した重合体などを除去する必要があったが、この湿式洗
浄が一般にはアルカリ溶液により行われ、そのアルカリ
性溶液のｐＨ値が１０〜１２にも達していた。しかしな
がら、アルカリ性（alkaline）溶液で湿式洗浄を行った
場合、タングステン金属１０８中の電荷１１２の蓄積さ
れた部位が、電圧差の存在により電気分解（electrolys
is）に類似した電気化学（electrochemical）反応によ
り、タングステン金属１０８を電解物質の供給源として
消費するので、図１（ｂ）に示したように、タングステ
ン金属１０８の腐蝕（erosion）を引き起こしていた。
【０００５】そして、この湿式洗浄によって引き起こさ
れるタングステン金属１０８の腐蝕は等方性の（isotro
pic）腐蝕であり、配線１０６の下方にあるタングステ
ン金属１０８も侵蝕されるので、配線１０６とタングス
テン金属１０８とのコンタクト面積も小さくなり、コン
タクト抵抗（contact resistance）値が増大し、デバイ
ス性能が低下していた。また、腐蝕現象が著しい場合に
は、配線の下方においてタングステン金属１０８が完全
に侵蝕されて、配線１０６とタングステン金属１０８と
が電気接続できなくなるので、ビアホール１００中の金
属プラグ１００ａが電気接続という機能を果たせなくな
り、デバイス自体が無効になっていた。
れるタングステン金属１０８の腐蝕は等方性の（isotro
pic）腐蝕であり、配線１０６の下方にあるタングステ
ン金属１０８も侵蝕されるので、配線１０６とタングス
テン金属１０８とのコンタクト面積も小さくなり、コン
タクト抵抗（contact resistance）値が増大し、デバイ
ス性能が低下していた。また、腐蝕現象が著しい場合に
は、配線の下方においてタングステン金属１０８が完全
に侵蝕されて、配線１０６とタングステン金属１０８と
が電気接続できなくなるので、ビアホール１００中の金
属プラグ１００ａが電気接続という機能を果たせなくな
り、デバイス自体が無効になっていた。
【０００６】さらに、ビアホール１００中でタングステ
ン金属１０８が露出されるという現象は、配線１０６を
パターニングする時にアライメント誤差があった場合に
も発生する可能性があり、同様に、上述したようなタン
グステン金属１０８の腐蝕が発生してデバイス性能の低
下ないしは失効を引き起こしていた。
ン金属１０８が露出されるという現象は、配線１０６を
パターニングする時にアライメント誤差があった場合に
も発生する可能性があり、同様に、上述したようなタン
グステン金属１０８の腐蝕が発生してデバイス性能の低
下ないしは失効を引き起こしていた。
【０００７】そこで本発明は、内部配線の製造プロセス
において、露出した金属プラグの腐蝕を防止することに
より、デバイス性能の低下もしくは失効という問題を解
決することを目的とする。
において、露出した金属プラグの腐蝕を防止することに
より、デバイス性能の低下もしくは失効という問題を解
決することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決し、
所望の目的を達成するために、この発明にかかる金属内
部配線の製造方法は、プラグの腐蝕を防止する製造方法
にかかり、金属プラグ上にフォトレジストで配線をパタ
ーニングする工程において、フォトレジストを除去する
時に、酸素プラズマ中に不純物を添加するとともに、そ
の酸素含有量を不純物量よりも少なくして、プラズマア
ッシングによりフォトレジストを除去してから、アルカ
リ性溶液で基板に対する湿式洗浄を行う。
所望の目的を達成するために、この発明にかかる金属内
部配線の製造方法は、プラグの腐蝕を防止する製造方法
にかかり、金属プラグ上にフォトレジストで配線をパタ
ーニングする工程において、フォトレジストを除去する
時に、酸素プラズマ中に不純物を添加するとともに、そ
の酸素含有量を不純物量よりも少なくして、プラズマア
ッシングによりフォトレジストを除去してから、アルカ
リ性溶液で基板に対する湿式洗浄を行う。
【０００９】フォトレジストをアッシングする時にプラ
ズマ成分中に水蒸気のような不純物を添加することで、
露出した金属プラグ上に蓄積した電荷を減少させること
ができるので、湿式洗浄において金属プラグの腐蝕によ
る損失を低減させることができ、従来技術においてコン
タクト抵抗値が増大していた現象を改善することができ
る。また、この発明は、酸素プラズマでフォトレジスト
を除去した後で、さらに純水蒸気プラズマによりプラズ
マ処理することによっても、金属プラグの腐蝕を防止す
ることができる。
ズマ成分中に水蒸気のような不純物を添加することで、
露出した金属プラグ上に蓄積した電荷を減少させること
ができるので、湿式洗浄において金属プラグの腐蝕によ
る損失を低減させることができ、従来技術においてコン
タクト抵抗値が増大していた現象を改善することができ
る。また、この発明は、酸素プラズマでフォトレジスト
を除去した後で、さらに純水蒸気プラズマによりプラズ
マ処理することによっても、金属プラグの腐蝕を防止す
ることができる。
【００１０】配線のパターニングは、フォトレジストを
介したフォトリソグラフィーにより行う必要があり、１
００％の酸素または酸素含有量が大きなプラズマでフォ
トレジストを除去する工程において、金属プラグが配線
のパターニングの必要もしくはアライメント誤差により
露出された時、露出された金属プラグが電荷の蓄積によ
って後続の洗浄工程において腐蝕されることで、金属プ
ラグの損失を引き起こし、配線と金属プラグとのコンタ
クト抵抗が増大するので、デバイス性能の低下をもたら
していた。この発明は、従来技術に見られた金属プラグ
の腐蝕が発生する機会を低減して、金属プラグが洗浄工
程で腐蝕されることを防止する。
介したフォトリソグラフィーにより行う必要があり、１
００％の酸素または酸素含有量が大きなプラズマでフォ
トレジストを除去する工程において、金属プラグが配線
のパターニングの必要もしくはアライメント誤差により
露出された時、露出された金属プラグが電荷の蓄積によ
って後続の洗浄工程において腐蝕されることで、金属プ
ラグの損失を引き起こし、配線と金属プラグとのコンタ
クト抵抗が増大するので、デバイス性能の低下をもたら
していた。この発明は、従来技術に見られた金属プラグ
の腐蝕が発生する機会を低減して、金属プラグが洗浄工
程で腐蝕されることを防止する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる好適な発
明に実施の形態を図面に基づいて説明する。図２（ａ）
において、デバイス構造（図示せず）を有する基板２０
０上に誘電膜２０２、例えば化学気相堆積（ＣＶＤ）に
よる二酸化シリコン膜を堆積し、この誘電膜２０２中に
ビアホール２０４を形成して、さらに、このビアホール
２０４中に金属膜、例えばＣＶＤで形成するタングステ
ンを堆積してから化学機械研磨（ＣＭＰ）またはエッチ
バック（etch back）により平坦化して、金属プラグ２
０６を形成する。また、誘電膜２０２と金属プラグ２０
６との間には、前もってバリヤー膜（barrier layer）
２０８、例えばスパッター（sputter）により形成する
チタン／窒化チタン（Ti/TiN）膜を形成しているが、こ
のバリヤー膜２０８により金属プラグ２０６の誘電膜２
０２または基板２００に対するエレクトロマイグレーシ
ョン（electromigration）を防止するとともに、金属プ
ラグ２０６の誘電膜２０２または基板２００に対する付
着性（adhesion）を向上させる。
明に実施の形態を図面に基づいて説明する。図２（ａ）
において、デバイス構造（図示せず）を有する基板２０
０上に誘電膜２０２、例えば化学気相堆積（ＣＶＤ）に
よる二酸化シリコン膜を堆積し、この誘電膜２０２中に
ビアホール２０４を形成して、さらに、このビアホール
２０４中に金属膜、例えばＣＶＤで形成するタングステ
ンを堆積してから化学機械研磨（ＣＭＰ）またはエッチ
バック（etch back）により平坦化して、金属プラグ２
０６を形成する。また、誘電膜２０２と金属プラグ２０
６との間には、前もってバリヤー膜（barrier layer）
２０８、例えばスパッター（sputter）により形成する
チタン／窒化チタン（Ti/TiN）膜を形成しているが、こ
のバリヤー膜２０８により金属プラグ２０６の誘電膜２
０２または基板２００に対するエレクトロマイグレーシ
ョン（electromigration）を防止するとともに、金属プ
ラグ２０６の誘電膜２０２または基板２００に対する付
着性（adhesion）を向上させる。
【００１２】図２（ｂ）において、誘電膜２０２上に配
線２１０をパターニングするが、誘電膜２０２およびビ
アホール２０４上に金属膜２１２を形成して配線２１０
の主要構造とする。金属膜２１２の材料は、例えばアル
ミニウムとする。アルミニウムは、その電気抵抗が極め
て低く、かつ二酸化シリコンに対する付着性に優れてい
るので、配線２１０の主要構造とすることができるが、
アルミニウムはシリコン基板に対してアロイスパイク
（alloy spike）現象を発生させる可能性があるから、
金属膜２１２と誘電膜２０１および基板２００との間に
バリヤー膜２１４、例えばＴｉ／ＴｉＮ膜を形成してア
ロイスパイクが発生する機会を減少させる。
線２１０をパターニングするが、誘電膜２０２およびビ
アホール２０４上に金属膜２１２を形成して配線２１０
の主要構造とする。金属膜２１２の材料は、例えばアル
ミニウムとする。アルミニウムは、その電気抵抗が極め
て低く、かつ二酸化シリコンに対する付着性に優れてい
るので、配線２１０の主要構造とすることができるが、
アルミニウムはシリコン基板に対してアロイスパイク
（alloy spike）現象を発生させる可能性があるから、
金属膜２１２と誘電膜２０１および基板２００との間に
バリヤー膜２１４、例えばＴｉ／ＴｉＮ膜を形成してア
ロイスパイクが発生する機会を減少させる。
【００１３】次に、金属膜２１２上に反射防止（anti-r
eflection）膜２１６、例えばＴｉ／ＴｉＮ膜を形成し
て、後続のフォトリソグラフィー工程でパターン転写に
誤差が発生することを防止する。配線２１０上にフォト
レジスト２１８を形成して、フォトレジスト２１８によ
り配線２１０をパターニングしてから、例えば反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）により配線２１０のエッチン
グを行う。
eflection）膜２１６、例えばＴｉ／ＴｉＮ膜を形成し
て、後続のフォトリソグラフィー工程でパターン転写に
誤差が発生することを防止する。配線２１０上にフォト
レジスト２１８を形成して、フォトレジスト２１８によ
り配線２１０をパターニングしてから、例えば反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）により配線２１０のエッチン
グを行う。
【００１４】そして、フォトレジスト２１８の除去を行
う。フォトレジスト２１８の除去は、プラズマにより行
うが、従来技術によるフォトレジスト除去は、周波数
（ＲＦ）エネルギーの励起によりＯ＋，Ｏ２ ＋，Ｏ２，
Ｏ２ −またはＯなどの原子が充満した酸素プラズマを利
用する。また、フォトレジスト２１８の材料は炭化水素
化合物であるから、フォトレジスト２１８は酸素原子を
含む雰囲気では気相のＣＯ，ＣＯ２またはＨ２Ｏを形成
してアッシング（ashing）される。酸素プラズマが発生
させる高エネルギー電荷が、露出された金属プラグ２０
６の表面へ容易に進入し、電荷の蓄積によって金属プラ
グ２０６と基板２００のその他の部位との間に電圧差が
生じるので、後続する湿式洗浄において、しばしば金属
プラグ２０６の腐蝕速度を増大させ、金属プラグ２０６
と配線２１０との間のコンタクト抵抗値を増大させてい
た。
う。フォトレジスト２１８の除去は、プラズマにより行
うが、従来技術によるフォトレジスト除去は、周波数
（ＲＦ）エネルギーの励起によりＯ＋，Ｏ２ ＋，Ｏ２，
Ｏ２ −またはＯなどの原子が充満した酸素プラズマを利
用する。また、フォトレジスト２１８の材料は炭化水素
化合物であるから、フォトレジスト２１８は酸素原子を
含む雰囲気では気相のＣＯ，ＣＯ２またはＨ２Ｏを形成
してアッシング（ashing）される。酸素プラズマが発生
させる高エネルギー電荷が、露出された金属プラグ２０
６の表面へ容易に進入し、電荷の蓄積によって金属プラ
グ２０６と基板２００のその他の部位との間に電圧差が
生じるので、後続する湿式洗浄において、しばしば金属
プラグ２０６の腐蝕速度を増大させ、金属プラグ２０６
と配線２１０との間のコンタクト抵抗値を増大させてい
た。
【００１５】従って、金属プラグ２０６の損失を防止す
る方法としては、電荷が金属プラグ２０６に蓄積するこ
とを防止するため、湿式洗浄を行う前に、金属プラグ２
０６中の電荷を放出（discharge）させるか、あるいは
湿式洗浄の溶剤を変更する等のやり方がある。この発明
においては、フォトレジスト２１８を除去する時に、同
様に酸素プラズマ２２０を利用するが、エッチング反応
室（図示せず）に不純物、例えば水蒸気（Ｈ２Ｏ）を導
入して、不純物の存在によりプラズマを希釈あるいは電
荷の蓄積を低減させて、露出した金属プラグ２０６中に
堆積した電荷を減少させるものであって、酸素プラズマ
２２０の酸素と水蒸気との比率を金属プラグ２０６を腐
蝕させない程度、すなわち約１：１、または水蒸気の含
有量のほうが多い程度に調整して、湿式洗浄時に金属プ
ラグ２０６の腐蝕現象が発生することを未然に防止す
る。また、フォトレジスト２１８を除去する工程におい
て、反応室内で１００％の酸素または酸素含有量が大き
なプラズマでフォトレジストを除去した後、さらに、純
水蒸気プラズマ処理することによっても、同様に金属プ
ラグ２０６表面に蓄積した電荷を減少させて、湿式洗浄
を行う際の金属プラグ２０６の腐蝕現象を防止すること
ができ、その純水蒸気プラズマの流量を約３００〜５０
０sccm、処理時間を約２０〜３０秒とすることができ
る。
る方法としては、電荷が金属プラグ２０６に蓄積するこ
とを防止するため、湿式洗浄を行う前に、金属プラグ２
０６中の電荷を放出（discharge）させるか、あるいは
湿式洗浄の溶剤を変更する等のやり方がある。この発明
においては、フォトレジスト２１８を除去する時に、同
様に酸素プラズマ２２０を利用するが、エッチング反応
室（図示せず）に不純物、例えば水蒸気（Ｈ２Ｏ）を導
入して、不純物の存在によりプラズマを希釈あるいは電
荷の蓄積を低減させて、露出した金属プラグ２０６中に
堆積した電荷を減少させるものであって、酸素プラズマ
２２０の酸素と水蒸気との比率を金属プラグ２０６を腐
蝕させない程度、すなわち約１：１、または水蒸気の含
有量のほうが多い程度に調整して、湿式洗浄時に金属プ
ラグ２０６の腐蝕現象が発生することを未然に防止す
る。また、フォトレジスト２１８を除去する工程におい
て、反応室内で１００％の酸素または酸素含有量が大き
なプラズマでフォトレジストを除去した後、さらに、純
水蒸気プラズマ処理することによっても、同様に金属プ
ラグ２０６表面に蓄積した電荷を減少させて、湿式洗浄
を行う際の金属プラグ２０６の腐蝕現象を防止すること
ができ、その純水蒸気プラズマの流量を約３００〜５０
０sccm、処理時間を約２０〜３０秒とすることができ
る。
【００１６】図２（ｃ）において、基板２００に対する
湿式洗浄を行うが、例えばＥＫＣ２５６またはＡＣＴ９
３５（いずれも商品名）などのアルカリ性溶液で配線２
１０をエッチングする時に基板２００表面に付着した高
分子重合体などを除去する。かくして、内部配線の製造
プロセスを完了するが、露出した金属プラグ２０６中に
多くの電荷が蓄積することがないので、金属プラグ２０
６の腐蝕による損失を防止することができる。
湿式洗浄を行うが、例えばＥＫＣ２５６またはＡＣＴ９
３５（いずれも商品名）などのアルカリ性溶液で配線２
１０をエッチングする時に基板２００表面に付着した高
分子重合体などを除去する。かくして、内部配線の製造
プロセスを完了するが、露出した金属プラグ２０６中に
多くの電荷が蓄積することがないので、金属プラグ２０
６の腐蝕による損失を防止することができる。
【００１７】以上のごとく、この発明を好適な実施例に
より開示したが、当業者であれば容易に理解できるよう
に、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更
ならびに修正が当然なされうるから、その特許権保護の
範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基
準として定めなければならない。
より開示したが、当業者であれば容易に理解できるよう
に、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更
ならびに修正が当然なされうるから、その特許権保護の
範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基
準として定めなければならない。
【００１８】
【発明の効果】この発明にかかるプラグの腐蝕を防止す
る内部配線の製造方法は、フォトレジストをアッシング
するプラズマの組成を改善することならびにプラズマ処
理の順序を改善することにより、露出された金属プラグ
２０６に蓄積する電荷を減少させる。このため湿式洗浄
時に金属プラグの腐蝕が発生することを防止し、コンタ
クト抵抗値を良好にすることができ、ひいてはデバイス
性能を向上させることができる。
る内部配線の製造方法は、フォトレジストをアッシング
するプラズマの組成を改善することならびにプラズマ処
理の順序を改善することにより、露出された金属プラグ
２０６に蓄積する電荷を減少させる。このため湿式洗浄
時に金属プラグの腐蝕が発生することを防止し、コンタ
クト抵抗値を良好にすることができ、ひいてはデバイス
性能を向上させることができる。
【図１】従来技術にかかる内部配線製造プロセスでの金
属プラグの腐蝕発生を説明する要部断面図である。
属プラグの腐蝕発生を説明する要部断面図である。
【図２】このにかかる金属プラグの腐蝕を防止する内部
配線の製造方法を説明する要部断面図である。
配線の製造方法を説明する要部断面図である。
２００ 基板
２０２ 誘電膜
２０４ ビアホール
２０６ 金属プラグ
２０８ バリヤー膜
２１０ 配線
２１２ 金属膜
２１４ バリヤー膜
２１６ 反射防止膜
２１８ フォトレジスト
２２０ 酸素プラズマ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(73)特許権者 598113542
シーメンス アクチエンゲゼルシャフト
Ｓｉｅｍｅｎｓ ＡＧ
ドイツ連邦共和国 ミュンヘン，ウィッ
テルスッバッチャープラッズ２，Ｄ−
80333
(72)発明者 蔡 念諭
台湾台北市仁愛路四段266巷10号３楼
(72)発明者 張 宏隆
台湾新竹市経国路三段67号12楼の１
(72)発明者 陳 俊維
台湾新竹市光復路一段354巷６号３楼
(72)発明者 ▲ゴン▼ 明麗
台湾基隆市安楽区楽利三街70号３楼
(56)参考文献 特開 平10−189550（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−274172（ＪＰ，Ａ)
国際公開92／000601（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/3205 - 21/3213
H01L 21/768
H01L 21/3065
Claims (11)
- 【請求項１】誘電膜中にビアホールを形成し、そのビア
ホール中にタングステンプラグを形成する方法におい
て、 前記した誘電膜およびタングステンプラグが形成された
ビアホール上にフォトレジストで配線をパターニングす
るとともに、前記タングステンプラグを部分的に露出す
るステップと、 酸素プラズマで前記フォトレジストを除去するものであ
って、少なくとも水蒸気を含んで前記酸素プラズマを希
釈し、前記した水蒸気ならびに酸素プラズマの酸素比率
を調整して、前記金属プラグの腐蝕を防止するステップ
と、アルカリ性溶液で前記基板に対する湿式洗浄を行うステ
ップと を具備するプラグの腐蝕を防止する内部配線の製
造方法。 - 【請求項２】タングステンプラグを有する基板を提供す
るステップと、 前記基板上に金属膜を形成するステップと、 前記金属膜上にフォトレジストを形成し、前記フォトレ
ジストで前記金属膜をパターニングして配線を形成する
とともに、前記タングステンプラグを部分的に露出させ
るステップと、 酸素プラズマ中に水蒸気を導入して、前記フォトレジス
トをアッシングするステップと、アルカリ性溶液で 前記基板に対する湿式洗浄を行うステ
ップとを具備するプラグの腐蝕を防止する内部配線の製
造方法。 - 【請求項３】上記した水蒸気ならびに酸素の比率が、
１：１である請求項１または２記載のプラグの腐蝕を防
止する内部配線の製造方法。 - 【請求項４】上記水蒸気の含有量が、上記酸素の含有量
より多いことを特徴とする請求項１または２記載のプラ
グの腐蝕を防止する内部配線の製造方法。 - 【請求項５】上記金属膜が、アルミニウム金属を含むこ
とを特徴とする請求項２記載のプラグの腐蝕を防止する
内部配線の製造方法。 - 【請求項６】タングステンプラグを有する基板における
内部配線の製造方法であって、 プラズマにより配線をパターニングするフォトレジスト
を除去して、前記配線を前記基板およびタングステンプ
ラグ上に形成するとともに、前記タングステンプラグを
部分的に露出し、アルカリ性溶液で前記基板に対する湿
式洗浄を行うステップにおいて、前記プラズマを水蒸気
ならびに酸素の流量の比率が１：１となるように組成す
るプラグの腐蝕を防止する内部配線の製造方法。 - 【請求項７】タングステンプラグを有する基板に適用す
る内部配線の製造方法であって、 プラズマにより配線をパターニングするフォトレジスト
を除去して、前記配線を前記基板およびタングステンプ
ラグ上に形成するとともに、前記タングステンプラグを
部分的に露出し、アルカリ性溶液で前記基板に対する湿
式洗浄を行うステップにおいて、前記プラズマを水蒸気
の含有量を酸素の含有量よりも多くなるように組成した
ことを特徴とする、プラグの腐蝕を防止する内部配線の
製造方法。 - 【請求項８】誘電膜中にビアホールを形成し、そのビア
ホール中にタングステンプラグを形成する方法におい
て、 前記した誘電膜およびタングステンプラグが形成された
ビアホール上にフォトレジストで配線をパターニングす
るステップと、 酸素プラズマで前記フォトレジストを除去するステップ
と、 純水蒸気プラズマで前記基板に対するプラズマ処理を行
うステップとを具備するプラグのアルカリ性溶液洗浄工
程での腐蝕を防止する内部配線の製造方法。 - 【請求項９】上記酸素プラズマが、１００％の酸素プラ
ズマを含むものである請求項８記載のプラグの腐蝕を防
止する内部配線の製造方法。 - 【請求項１０】上記純水蒸気プラズマを形成するための
純水蒸気の流量が、３００〜５００sccmであり、処理時
間が２０〜３０秒である請求項８記載のプラグの腐蝕を
防止する内部配線の製造方法。 - 【請求項１１】タングステンプラグを有する基板に適用
するものであって、 プラズマ処理により配線をパターニングするフォトレジ
ストを除去して、前記配線を前記基板上に形成するステ
ップにおいて、 前記プラズマ処理は、酸素を導入して酸素プラズマでフ
ォトレジストを除去した後に純水蒸気を導入して純水蒸
気プラズマを形成して前記タングステンプラグの露出す
る基板をプラズマ処理し、前記純水蒸気の流量を３００
〜５００sccm、処理時間を約２０〜３０秒とするもので
あるプラグのアルカリ性溶液洗浄工程での腐蝕を防止す
る内部配線の製造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP32968198A JP3505411B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-19 | プラグの腐蝕を防止する内部配線の製造方法 |
| DE19855924A DE19855924B4 (de) | 1998-11-19 | 1998-12-02 | Herstellungsverfahren für eine Verbindung |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32254998 | 1998-11-12 | ||
| JP10-322549 | 1998-11-12 | ||
| JP32968198A JP3505411B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-19 | プラグの腐蝕を防止する内部配線の製造方法 |
| DE19855924A DE19855924B4 (de) | 1998-11-19 | 1998-12-02 | Herstellungsverfahren für eine Verbindung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208514A JP2000208514A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3505411B2 true JP3505411B2 (ja) | 2004-03-08 |
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ID=27218846
Family Applications (1)
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| JP32968198A Expired - Lifetime JP3505411B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-19 | プラグの腐蝕を防止する内部配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4291811B2 (ja) * | 2005-10-24 | 2009-07-08 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-11-19 JP JP32968198A patent/JP3505411B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000208514A (ja) | 2000-07-28 |
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