JP3497996B2

JP3497996B2 - 光電変換装置およびその製造方法

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Publication number: JP3497996B2
Application number: JP30489598A
Authority: JP
Inventors: 聡田中; 秀章藤井
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-10-27
Filing date: 1998-10-27
Publication date: 2004-02-16
Anticipated expiration: 2018-10-27
Also published as: JP2000133826A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置の電
極に関するものであり、詳しくは結晶系太陽電池の裏面
電極の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体基板にＰＮ接合が形成され
た太陽電池の裏面電極については、低コスト化の観点か
らスクリーン印刷法による金属ペーストの塗布および酸
化性雰囲気中での焼成が一般的であり、特に近年更なる
低コスト化の要請から、特開平５−３２６９９０号公報
あるいは特表平６−５０９９１０号公報に開示されるよ
うに、シリコン基板の裏面の一領域に銀ペーストを塗布
乾燥の後、その領域の一部に重なるようにアルミペース
トを塗布乾燥し、同時に焼成するという方法、すなわち
同時焼成法（１段階焼成）が用いられている。

【０００３】従来の太陽電池の製造方法を図７に従って
説明する。Ｐ型シリコン基板１の受光面１ａとなる表面
に、ＰＴＧ液などＰを含む拡散ソースを用いて熱拡散に
よりＮ型拡散層２とＴｉＯ_xからなる反射防止膜３を同
時に形成する。次いで図７（ｂ）に示すように、裏面１
ｂ側にスクリーン印刷により銀ペーストを塗布して乾燥
し、その一部に重なるように裏面の大部分にアルミペー
ストを同様に塗布乾燥してから、同時に焼成することに
より銀電極４およびアルミ電極５からなる裏面電極を形
成する。この同時焼成時には、受光面側の電極として銀
ペーストが櫛歯状パターンに塗布乾燥されているので、
裏面電極と受光面電極６を同時に形成することができ
る。最後に、はんだ被覆（図示せず）して、一連のセル
化が終了する。また、アルミペーストを焼成することに
より、シリコン基板１への不純物拡散が起こってＰ⁺層
からなるＢＳＦ層７が形成され、セルの電流ー電圧特性
を改善して、高変換効率となる。

【０００４】このようにして製造された太陽電池では、
図８に示すように、複数のセル同士をタブ８、リード線
等の配線材を用いて直列に接続して、電圧を昇圧させて
使用するのが一般的である。このセル間接続には、はん
だが必要となるため、はんだコーティングを行ってい
る。しかしながら、アルミ電極５ははんだ付けが非常に
困難であるので、はんだ濡れ性の良好な銀電極４を形成
して、これに配線材のはんだ付けを行っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の裏面
電極の構造では、同時焼成によってシリコン基板１の裏
面１ｂにアルミ電極５と銀電極４が形成されており、シ
リコンやアルミニウム、銀といった材料の熱膨張率が異
なるため、図７中矢印で示すシリコン基板１上のアルミ
電極５と銀電極４との界面に残留応力による応力集中が
起こり、割れ強度が低下して、セル割れが多発するとい
う問題があった。

【０００６】本発明は、上記に鑑み、金属ペーストを焼
成して電極を形成しているにもかかわらず、応力集中を
回避でき、大きな割れ強度を有する光電変換装置を製造
することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、半導体基板の受光面とは異なる側面あるいは裏面
等の大部分に第１の金属ペースト、例えばアルミペース
トを塗布し、この塗布面の一部分にアルミペーストより
もはんだ濡れ性の良好な金属を主成分とする第２の金属
ペースト、例えば銀ペーストを塗布し、半導体基板の受
光面に金属ペーストを塗布して、その後焼成して両面に
電極を同時に形成するものである。

【０００８】これにより、半導体基板の受光面に受光面
電極が設けられ、半導体基板の裏面の大部分に、焼成さ
れたアルミペーストからなるアルミ電極が設けられ、ア
ルミ電極の上面の一部に、焼成された銀ペーストからな
る銀電極が設けられたセルを製造できる。

【０００９】したがって、半導体基板の裏面にはアルミ
ペーストのみが塗布され、裏面上にはアルミ電極と銀電
極との境界が存在しない構造となり、金属ペーストを焼
成して電極を形成しても応力集中が生じず、割れ強度が
低下することはない。

【００１０】また、他の課題解決手段は、半導体基板の
裏面に、該裏面の一部を除いて第１の金属ペースト、例
えばアルミペーストを塗布し、この塗布面の一部分およ
びアルミペーストを塗布していない裏面上に、アルミペ
ーストよりもはんだ濡れ性の良好な金属を主成分とする
第２の金属ペースト、例えば銀ペーストを塗布し、半導
体基板の受光面に金属ペーストを塗布して、その後焼成
して両面に電極を同時に形成するものである。ここで、
アルミペーストを塗布していない裏面上において、銀ペ
ーストをアルミペーストに対して隙間をあけて塗布して
おく必要がある。

【００１１】これにより、半導体基板の受光面に受光面
電極が設けられ、半導体基板の裏面の一部を除いた部分
に、焼成されたアルミペーストからなるアルミ電極が設
けられ、アルミ電極中に裏面が露出した露出部が形成さ
れ、アルミ電極の上面の一部および露出部内に、焼成さ
れた銀ペーストからなる銀電極がそれぞれ設けられたセ
ルを製造できる。このとき、露出部内の銀電極はアルミ
電極から離間して形成される。

【００１２】したがって、半導体基板の裏面上にはアル
ミ電極と銀電極との境界が存在しない構造となり、金属
ペーストを焼成して電極を形成しても応力集中が生じ
ず、割れ強度が低下することはない。

【００１３】上記のセルを複数接続してモジュール化す
る場合、隣接するセルの受光面電極に接続された配線材
が露出部内の銀電極に接続されるので、アルミペースト
による銀電極のはんだ濡れ性に対する悪影響を排除で
き、配線材と銀電極との接着強度が高くなる。

【００１４】特に、銀ペーストとして、周期表第Ｖ族に
属する元素を含有させておくと、銀電極の部分剥離を防
止できる。また、平均粒径が０．２〜４μｍの銀粉末を
主成分とすることにより、はんだ濡れ性がよくなって、
はんだコーティングのむらがなくなり、優れた外観が得
られる。しかも、はんだ付け性がよくなって、確実なセ
ル間接続を行える。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態の太陽電池を
図１に示す。この結晶シリコン系太陽電池では、Ｐ型シ
リコン基板１の受光面１ａ側にＮ型拡散層２が形成さ
れ、この上に反射防止膜３と受光面電極６が設けられて
いる。シリコン基板１の裏面１ｂ側にはＰ⁺層からなる
ＢＳＦ層７が形成され、この裏面１ｂ上にアルミ電極５
が設けられ、この上面の一部に銀電極４が設けられてい
る。

【００１６】受光面電極６は、銀ペーストを焼成するこ
とにより櫛歯状に形成される。アルミ電極５は、アルミ
ペーストを焼成することにより形成され、裏面１ｂの周
縁を除く大部分を被覆している。銀電極４は、銀ペース
トを焼成することにより形成され、アルミ電極５の上面
の端部に近い位置の２カ所に配置される。

【００１７】アルミペーストは、アルミ粉、ガラスフリ
ット、有機質ビヒクル、有機溶媒を含む金属ペーストで
ある。また、銀ペーストは、銀粉、ガラスフリット、有
機質ビヒクル、有機溶媒を含む金属ペーストであり、銀
はアルミよりもはんだ濡れ性が良い。

【００１８】次に、上記構造の太陽電池の製造方法を図
２（ａ）の工程図に基づいて説明する。なお、同図
（ｂ）は従来構造の工程図である。まず、シリコン基板
１をテクスチャエッチングして、受光面１ａを凹凸にす
る。そして、シリコン基板１にＮ型不純物を熱拡散する
ことによって受光面１ａ側にＮ型拡散層２を形成し、裏
面１ｂおよび側面の不要なＮ型拡散層２を除去する。さ
らにＮ型拡散層２の上に、ＣＶＤ法等によりＴｉＯ₂あ
るいはＳｉＯ₂からなる反射防止膜３を形成する。

【００１９】次いで、シリコン基板１の裏面１ｂの大部
分を覆うようにアルミペーストをスクリーン印刷、ある
いはパッド印刷等により塗布して、乾燥する。その後、
銀ペーストを同様の方法でアルミペーストの塗布面上の
所定の位置に塗布して、乾燥する。また、受光面１ａ側
においても銀ペーストを同様の方法で反射防止膜３の上
面に所定のパターンに塗布して、乾燥する。

【００２０】そして、表面に金属ペーストが塗布された
シリコン基板１をベルト炉等の焼成炉において焼成す
る。すると、受光面電極６およびアルミ電極５と銀電極
４とからなる裏面電極が同時に形成される。このとき、
受光面１ａ側では銀ペーストに添加されているガラスフ
リットの作用によって反射防止膜３が破られ、銀ペース
トの金属成分とＮ型拡散層２とでオーミックコンタクト
が形成される。また、裏面１ｂ側ではアルミペーストを
焼成することにより、シリコン基板１への不純物拡散が
起こってＢＳＦ層７が形成される。

【００２１】各電極が形成されたシリコン基板１をはん
だ槽に浸漬し、受光面電極６および銀電極４上にはんだ
をコーティングしてはんだ層を形成することにより、セ
ルが完成する。そして、この製造されたセルを複数枚並
べ、セルの裏面１ｂの銀電極４および受光面電極６にタ
ブ８等の配線材をはんだ付けして、セルの裏面電極とこ
のセルに隣接するセルの受光面電極６とを電気的に接続
する。このようにしてセルを順に直列に接続することに
より、モジュール化を行う。

【００２２】ここで、各種構造の裏面電極を有するセル
に対して割れ強度の測定を行った。割れ強度測定は、図
３に示すように、セルを４分割した試験片を作成し、こ
れを市販の引張り強度試験機にて受光面側から強度をか
けていき、割れる際の強度を読取って行う。まず、図４
のＡは従来構造である銀電極４の一部にアルミ電極５を
重ねた構造、Ｂはアルミ電極５と銀電極４を上下逆にし
た構造、Ｃはアルミ電極５単独の構造、Ｄは銀電極４単
独の構造、Ｅはアルミ電極５をほぼ全面に形成した構造
である。

【００２３】これらのセル割れ強度を調べた結果、Ａ，
Ｂどちらの構造においても割れ強度はＥのものに比べ半
分程度である。そして、割れる箇所は必ず図中の矢印で
示すアルミ電極５のエッジ部である。また、Ｃ，Ｄのそ
れぞれ単独の構造では、Ｅのものと同等の強度を有する
ことを見出した。

【００２４】以上のことから、１枚の基板１表面にアル
ミペーストと銀ペーストの境界を設けたまま同時に焼成
することにより、形成された両電極４，５のエッジ部に
応力が集中して、ここから割れが発生するため、異なる
材質の電極４，５が基板１の表面上に存在することが割
れ強度の低下を引き起こしていると推察できる。

【００２５】そこで、本発明におけるアルミペーストの
上に銀ペーストを設ける構造とすることにより、１枚の
基板１表面にアルミペーストと銀ペーストとの境界が存
在しなくなるので、焼成しても応力集中を回避できる。
したがって、図４のＥのものと同等の割れ強度を確保す
ることができる。さらに、基板１表面に対するアルミ電
極５の面積の割合は、銀電極４がない分高くなるので、
ＢＳＦ層７が形成される領域が広くなり、その内部電界
による効果が高まって変換効率が向上する。

【００２６】また、製造工程においては、図２に示すよ
うに、従来の工程と比べてアルミペーストと銀ペースト
のそれぞれの塗布の順序を入れ替えるという変更だけで
あり、何ら複雑なことは行っておらず、従来の製造設備
を全てそのまま使用することができる。

【００２７】以下に、本発明の具体的な実施例を説明す
る。（実施例１）テクスチャエッチングされた厚さ３３０μ
ｍ、１２５ｍｍ角のＰ型シリコン基板１の受光面１ａと
なる表面に、ＰＴＧ液の塗布と９００℃での熱拡散を行
うことにより、約５０Ω／□の面抵抗値を有するＮ型拡
散層２と厚さ約６０ｎｍのＴｉＯ_xからなる反射防止膜
３を形成する。裏面１ｂに表１の組成からなるアルミペ
ーストをスクリーン印刷法により約５０μｍ厚に印刷
し、１５０℃で約４分乾燥の後、表２の組成からなる銀
ペーストを同様の方法により塗布面上の所定の位置に約
３０μｍ厚に印刷し、１５０℃で約４分乾燥する。

【００２８】

【表１】

【００２９】

【表２】

【００３０】そして、シリコン基板１の受光面１ａ側に
銀ペーストを同様の方法により所定のパターンに印刷、
乾燥後、８００℃の酸化性雰囲気中で２分間焼成して、
受光面電極６および裏面電極を同時に形成する。最後
に、このセルをはんだ槽に浸して、はんだ層（図示せ
ず）を形成し、図１に示すセルが完成する。

【００３１】ここで、セルの特性測定と割れ強度測定を
行った。表３に結果を示す。なお、試料数は２０であ
る。

【００３２】

【表３】

【００３３】この結果から、本実施例のものによっても
従来と同等のセル特性が得られつつ、割れ強度は２倍強
と著しい向上が図られていることを確認できた。この割
れ強度値３．２ｋｇは、図４のＥに示すアルミ電極５の
みでの強度値３．３ｋｇに匹敵する。すなわち、裏面１
ｂに銀電極４を形成しているにもかかわらず、何も形成
していないものと同じ強度がセル特性を低下させること
なしに得られる。しかも、銀電極４が設けられているこ
とにより、はんだ付け性がよくなり、モジュール化した
ときのセル間の接続の信頼性が高くなる。

【００３４】（実施例２）実施例１では、完成したセル
の銀電極４の一部（エッジ）がめくれるという外観不良
が散見された。そこで、本実施例では、表４に示すよう
な周期表第Ｖ族に属するリンあるいはリン化合物を添加
剤として加えた銀ペーストを用いて、セル化を行う。は
んだ付け時のフラックスは、有機ハロゲンや無機酸を含
まず、わずか数％程度の有機酸を活性剤として含むマイ
ルドなものである。はんだは２％銀入りの６：４はんだ
を用いている。セル化および評価方法は実施例１と同じ
である。結果を表５に示す。

【００３５】

【表４】

【００３６】

【表５】

【００３７】リン化合物としてのＰ₂０₅を添加した銀ペ
ーストを用いて銀電極４を形成することにより、銀電極
４の部分剥離が解消して、外観がよくなる。当然、セル
特性および割れ強度も低下していない。ここで、Ｐ₂０₅
の添加量は、０．５〜５ｗｔ％が好ましい。なぜなら
ば、０．５ｗｔ％以下では、添加剤の効果が少なく、銀
電極４のエッジでの部分剥離が多少発生してしまい、５
ｗｔ％以上では、はんだがほとんど濡れないからであ
る。このようなリン化合物等の添加は、焼成時の銀ペー
ストの収縮を緩和、低減すると推察される。なお、周期
表第Ｖ族の元素として、リン以外にバナジウム、ビスマ
ス等の元素あるいはこの化合物を使用することも可能で
ある。

【００３８】（実施例３）実施例２では、完成したセル
の銀電極４のはんだコーティングが不充分、つまり部分
的にはんだが濡れないという外観不良が散見された。こ
れは次工程のセル間接続における歩留り低下の原因とな
る。そこで、１〜１５μｍと大きな粒径を有する銀粉か
ら、表６に示すような０．２〜０．４μｍあるいは３〜
４μｍと小さな平均粒径の銀粉に変更した銀ペーストを
使用して、セル化を行う。ここで、平均粒径とは、累積
重量比率が５０％に対応する粒径を示す。セル化および
評価方法は実施例２と同じである。結果を表７に示す。

【００３９】

【表６】

【００４０】

【表７】

【００４１】小さな平均粒径の銀粉からなる銀ペースト
を銀電極４の形成に用いることにより、はんだ濡れ性が
よくなり、はんだ付け不良がセル特性および割れ強度を
低下させることなく解消できることがわかる。ここで、
小さな平均粒径の銀粉を使用する効果は、次のように推
察される。まず、アルミペースト上に銀ペーストが塗布
された状態で焼成を行うとき、アルミニウムが銀の内部
に拡散するのであって、その逆はないことがＸ線分析か
ら判明した。はんだ付け性の良、不良は、銀電極、特に
その表面に存在する銀の割合に支配される。同じ焼成条
件では、銀粒径が小さい場合には、大きい場合に比べて
当然、銀電極４の表面にまで拡散到達するアルミニウム
の量が少なく抑えられる。したがって、表面にははんだ
濡れ性が良好な銀が多く存在することになり、銀電極４
本来のはんだ濡れ性が保たれる。すなわち、はんだ外観
不良を解消できる。

【００４２】なお、本実施例では、銀粉の平均粒径を２
通りのものにしているが、これらを混在させた平均粒径
が０．２〜４μｍの銀粉を主成分とする銀ペーストにし
ても、同じように効果が得られる。

【００４３】ところで、実施例３のセルにおいて、タブ
８等の配線材をはんだ付けしたときの接着強度の測定を
行った。接着強度測定は、３ｍｍ幅のタブ８を４５°に
はんだこて付けして、市販の引張り強度試験機により引
っ張り、剥がれる際の強度を読取って行う。その結果、
セルの銀電極４の接着強度が弱いことがわかった。すな
わち、セル間接続に必要とされる強度である３００ｇを
大幅に下回る９０ｇの強度しか得られていない。接着強
度測定時に剥離する箇所は、全数がアルミペーストの焼
成残渣とシリコン基板１との界面であった。

【００４４】そこで、上記の不具合を解消するための電
極構造として、図５に示すように、シリコン基板１の裏
面１ｂに設けられたアルミ電極５中に、裏面１ｂを露出
させた露出部１０を形成し、この露出部１０内に第２銀
電極１１を直接形成する。第２銀電極１１は、周囲のア
ルミ電極５に接触しないようにアルミ電極５から離間し
て形成される。すなわち、アルミ電極５上の銀電極４は
電気特性確保用の電極、露出部１０内の第２銀電極１１
は接着強度確保用の電極として、それぞれ機能する。そ
の他の構造は上記のものと同じであり、基板１表面にア
ルミペーストと銀ペーストとの境界は存在していない。

【００４５】このような裏面電極を製造するには、シリ
コン基板１の裏面１ｂに一部を除いてアルミペーストを
スクリーン印刷法等により塗布、乾燥して、アルミペー
ストが塗布されていない部分、すなわち露出部１０を設
ける。そして、この塗布面上の一部分にスクリーン印刷
法等により銀ペーストを塗布し、これと同時あるいは乾
燥後に、露出部１０に銀ペーストを周囲のアルミペース
トと接触しないように隙間をあけて塗布し、乾燥して、
その後焼成して各電極を形成する。

【００４６】本実施例のセルに対して、接着強度の測定
を行った。その結果を表８に示す。他の評価方法は実施
例３と同じである。

【００４７】

【表８】

【００４８】シリコン基板１の裏面１ｂ内において、ア
ルミペーストの塗布面とシリコン基板１の露出部１０を
設け、その両方の面上に銀ペーストを塗布することによ
り、セル特性を低下させることなく、セル間接続に必要
な基準値を大きく上回る約１１００ｇもの接着強度を得
ることができ、タブ８が剥がれることを防止できる。こ
こで、一般に銀ペーストは、シリコンに対して十分な接
着強度が得られるよう、ガラスフリットの種類や組成が
決められており、アルミペーストの塗布面中にシリコン
基板１の露出部１０を設けることが、１枚のセルとして
の接着強度の向上に寄与している。

【００４９】そして、セル間の接続はタブ８を用いて行
い、図６に示すように、隣接するセルの受光面電極６に
タブ８を接続し、このタブ８を当セルの第２銀電極１１
に直接接続し、そのタブ８のさらに先端側をアルミ電極
５上の銀電極４に接続する。これにより、充分な接着強
度と良好な特性をもったセル間接続ができる。ここで、
第２銀電極１１をセルの端部に配置すると、接続作業を
容易に行える。なお、種々の形態の接続があり得るた
め、各銀電極４，１１の個数や位置関係は本実施例に限
らず、種々選択できることは言うまでもない。

【００５０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることは勿論である。例え
ば、アルミペーストに代わる金属ペーストとして、ガリ
ウム、インジウムをベースとした金属ペーストを使用す
ることも可能である。また、銀ペーストに代わる金属ペ
ーストとして、銅、金、白金をベースとした金属ペース
トを使用することも可能である。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、半導体基板の裏面にアルミペーストといった第
１の金属ペーストを塗布し、この塗布面の一部分に銀ペ
ーストといった第２の金属ペーストを塗布し、その後焼
成して電極を同時に形成することにより、アルミ電極と
銀電極との界面への応力集中をなくすことができ、割れ
強度が高まって、割れの発生を防止でき、高品質なセル
が得られる。また、このような裏面電極の構造にして
も、セル特性は従来のものと変わらず、しかも製造工程
においても金属ペーストの塗布の順序を入れ替えるだけ
で済み、従来の製造設備をそのまま使用できる。

【００５２】そして、複数のセルを接続してモジュール
化する際に、セル同士を接続するための配線材を各電極
にはんだ付けするが、基板上にアルミ電極とは別に直接
銀電極を設けることにより、十分な接着強度が得られ、
セル間接続の信頼性を高めることができる。しかも、こ
の銀電極をアルミ電極から離間させて設けると、割れ強
度も高めることができる。

【００５３】また、銀ペーストに周期表第Ｖ族に属する
元素、例えばリン等を含有させると、銀電極の剥離、特
にエッジ部での剥離を防止することができる。さらに、
銀ペーストの主成分である銀粉末を平均粒径が０．２〜
４μｍのものにすると、銀電極の表面のはんだ濡れ性が
良好となり、はんだコーティングを行ったときの外観不
良を防止できる。

【００５４】したがって、従来と同等のセル特性が得ら
れつつ、割れ強度は２倍強、電極端部の剥離やはんだ外
観不良もなく、さらに確実なセル間接続によってモジュ
ール化できるセルを製造することができる。しかも、以
上のことが製造工程を大きく変更することなく達成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の太陽電池を示し、（ａ）
は断面図、（ｂ）は裏面図

【図２】（ａ）は本発明の太陽電池の製造工程を示す
図、（ｂ）は従来の太陽電池の製造工程を示す図

【図３】（ａ）は割れ強度測定用試料の概略図、（ｂ）
は割れ強度の測定方法を説明する図

【図４】割れ強度測定に用いた試料を示す図

【図５】他の実施形態の太陽電池を示し、（ａ）は部分
断面図、（ｂ）は裏面図

【図６】セル間接続されたセルの断面図

【図７】従来の太陽電池を示し、（ａ）は断面図、
（ｂ）は裏面図

【図８】直列に接続したセルの概略図

【符号の説明】

１シリコン基板２Ｎ型拡散層３反射防止膜４銀電極５アルミ電極６受光面電極７ＢＳＦ層８タブ１０露出部１１第２銀電極

フロントページの続き (56)参考文献特開平５−326990（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−108579（ＪＰ，Ａ) 特開平６−13634（ＪＰ，Ａ) 特開平10−144943（ＪＰ，Ａ) 特開平４−11786（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の受光面とは異なる側の表面
に、該表面の一部を除いて第１の金属ペーストを塗布
し、この塗布面の一部分に第２の金属ペーストを塗布
し、前記表面の前記第１の金属ペーストを塗布していな
い部分に、第２の金属ペーストを前記第１の金属ペース
トに接触しないように隙間をあけて塗布し、その後焼成
して電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製
造方法。
【請求項２】表面上の第１の金属ペーストを塗布して
いない露出部を前記表面の端部に形成することを特徴と
する請求項１記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】第１の金属ペーストにアルミペーストが
用いられ、第２の金属ペーストに前記第１の金属ペース
トよりもはんだ濡れ性の良好な銀ペーストが用いられる
ことを特徴とする請求項１または２記載の光電変換装置
の製造方法。
【請求項４】銀ペーストは、周期表第Ｖ族に属する元
素を含有することを特徴とする請求項３記載の光電変換
装置の製造方法。
【請求項５】銀ペーストは、平均粒径が０．２〜４μ
ｍの銀粉末を主成分とすることを特徴とする請求項４記
載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】半導体基板の受光面に受光面電極が設け
られ、前記半導体基板の受光面とは異なる側の表面の一
部を除いた部分に、焼成されたアルミペーストからなる
アルミ電極が設けられ、該アルミ電極中に前記表面が露
出した露出部が形成され、前記アルミ電極の上面の一部
および前記露出部内に、焼成された銀ペーストからなる
銀電極が設けられ、前記露出部内の銀電極は前記アルミ
電極に接触しないように隙間をあけて形成されたことを
特徴とする光電変換装置。
【請求項７】露出部が半導体基板の端部に配置された
ことを特徴とする請求項６記載の光電変換装置。
【請求項８】隣接する光電変換装置の受光面電極に接
続された配線材が露出部内の銀電極に接続され、前記配
線材の先端側がアルミ電極上の銀電極に接続されたこと
を特徴とする請求項６または７記載の光電変換装置。