JP3491586B2 - 導電性接着剤層の膜厚制御方法 - Google Patents
導電性接着剤層の膜厚制御方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの電極
にフェースダウンで導電性接着剤を形成する半導体装置
の製造工程において、その導電性接着剤層の膜厚を精度
よく制御できる導電性接着剤層の膜厚制御方法に関する
ものである。
にフェースダウンで導電性接着剤を形成する半導体装置
の製造工程において、その導電性接着剤層の膜厚を精度
よく制御できる導電性接着剤層の膜厚制御方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップの電極に突起電極を
形成し、その突起電極にフェースダウンで導電性接着剤
を形成し、その半導体チップを基板等に実装する半導体
装置の製造工程では、実装信頼性を高めるために突起電
極に形成する導電性接着剤の膜厚の管理が重要になって
きている。
形成し、その突起電極にフェースダウンで導電性接着剤
を形成し、その半導体チップを基板等に実装する半導体
装置の製造工程では、実装信頼性を高めるために突起電
極に形成する導電性接着剤の膜厚の管理が重要になって
きている。
【０００３】従来の導電性接着剤層の制御方法について
図面を参照しながら説明する。図５は従来の導電性接着
剤層の膜厚制御方法を示す平面図である。また、図６は
従来の導電性接着剤層の膜厚制御方法を示す断面図であ
り、図５のＢ−Ｂ’線部分の断面図を示している。図７
は従来の導電性接着剤層の膜厚制御方法による膜厚測定
結果の一例である。
図面を参照しながら説明する。図５は従来の導電性接着
剤層の膜厚制御方法を示す平面図である。また、図６は
従来の導電性接着剤層の膜厚制御方法を示す断面図であ
り、図５のＢ−Ｂ’線部分の断面図を示している。図７
は従来の導電性接着剤層の膜厚制御方法による膜厚測定
結果の一例である。
【０００４】まず転写皿１上に形成され、ブレード２で
撹拌されている導電性接着剤層３に対して、転写皿１を
固定し、レーザー膜厚測定器４を図５の転写エリア５に
かかる膜厚測定ライン６上に沿って移動させながら導電
性接着剤層３の膜厚を測定する。導電性接着剤の膜厚を
測定するレーザー膜厚測定器については、光源となる半
導体レーザーから出たレーザー光に対して対物レンズを
動かすことによって、測定対象物との焦点を合わす。原
点となる転写皿１そのものの上で焦点の合っている対物
レンズの位置から、導電性接着剤層３上で焦点が合う位
置に対物レンズが動いた距離を膜厚として測定する。
撹拌されている導電性接着剤層３に対して、転写皿１を
固定し、レーザー膜厚測定器４を図５の転写エリア５に
かかる膜厚測定ライン６上に沿って移動させながら導電
性接着剤層３の膜厚を測定する。導電性接着剤の膜厚を
測定するレーザー膜厚測定器については、光源となる半
導体レーザーから出たレーザー光に対して対物レンズを
動かすことによって、測定対象物との焦点を合わす。原
点となる転写皿１そのものの上で焦点の合っている対物
レンズの位置から、導電性接着剤層３上で焦点が合う位
置に対物レンズが動いた距離を膜厚として測定する。
【０００５】その測定された図７の測定結果の値７を数
箇所サンプリングし、そのサンプリングされた値の平均
値を測定した膜厚として出力する。
箇所サンプリングし、そのサンプリングされた値の平均
値を測定した膜厚として出力する。
【０００６】そして必要とする導電性接着剤層３の膜厚
と、この測定値として出力された導電性接着剤層３の膜
厚値とを比較する。もし、これらの値に差が生じた場
合、この差を無くす為に、ブレード底面８の高さ位置を
制御している図６の圧電素子９に印加する電圧を加減
し、圧電素子９のひずみ量を調整し、必要とする導電性
接着剤層３の膜厚になるよう制御を行う。必要とする導
電性接着剤層３の膜厚が得られたら、その時に圧電素子
９に印加している電圧を保持し、導電性接着剤層３の膜
厚を維持する。
と、この測定値として出力された導電性接着剤層３の膜
厚値とを比較する。もし、これらの値に差が生じた場
合、この差を無くす為に、ブレード底面８の高さ位置を
制御している図６の圧電素子９に印加する電圧を加減
し、圧電素子９のひずみ量を調整し、必要とする導電性
接着剤層３の膜厚になるよう制御を行う。必要とする導
電性接着剤層３の膜厚が得られたら、その時に圧電素子
９に印加している電圧を保持し、導電性接着剤層３の膜
厚を維持する。
【０００７】以上、従来は転写皿１上の導電性接着剤層
３の転写エリアに対して、レーザー膜厚測定器４を特定
ラインで移動させて導電性接着剤層３の膜厚を測定する
というスキャン方式であり、測定領域の膜厚差の調整
は、圧電素子によるブレード底面８の高さ調整であっ
た。
３の転写エリアに対して、レーザー膜厚測定器４を特定
ラインで移動させて導電性接着剤層３の膜厚を測定する
というスキャン方式であり、測定領域の膜厚差の調整
は、圧電素子によるブレード底面８の高さ調整であっ
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の方法では、転写エリアにおける導電性接着剤層の膜厚
を測定するレーザー膜厚測定器が膜厚測定ラインをスキ
ャンしながら測定するものであり、そのレーザー膜厚測
定器が移動する際の機械的振動により、測定器自体が高
さ方向に変動する。原点出しを行った測定器の高さ位置
に対して、測定移動時に測定器の高さ変動が起きると、
焦点距離が変わってしまい、正確な導電性接着剤の膜厚
を測定できず、この変動量を含んだ導電性接着剤層の膜
厚を出力する。そしてその誤差のある測定値を数箇所サ
ンプリングし、導電性接着剤層の膜厚と認識してしまう
ため、本来の導電性接着剤層の膜厚と違った値を測定結
果として出力してしまう。したがって、この違った値を
元にして導電性接着剤層の膜厚を制御するので、必要と
する導電性接着剤層の膜厚を得ることができなくなって
しまい、結果として半導体チップ上の突起電極に形成す
る導電性接着剤の量に差が生じ、基板実装時の信頼性に
影響を及ぼすという課題となる。
の方法では、転写エリアにおける導電性接着剤層の膜厚
を測定するレーザー膜厚測定器が膜厚測定ラインをスキ
ャンしながら測定するものであり、そのレーザー膜厚測
定器が移動する際の機械的振動により、測定器自体が高
さ方向に変動する。原点出しを行った測定器の高さ位置
に対して、測定移動時に測定器の高さ変動が起きると、
焦点距離が変わってしまい、正確な導電性接着剤の膜厚
を測定できず、この変動量を含んだ導電性接着剤層の膜
厚を出力する。そしてその誤差のある測定値を数箇所サ
ンプリングし、導電性接着剤層の膜厚と認識してしまう
ため、本来の導電性接着剤層の膜厚と違った値を測定結
果として出力してしまう。したがって、この違った値を
元にして導電性接着剤層の膜厚を制御するので、必要と
する導電性接着剤層の膜厚を得ることができなくなって
しまい、結果として半導体チップ上の突起電極に形成す
る導電性接着剤の量に差が生じ、基板実装時の信頼性に
影響を及ぼすという課題となる。
【０００９】また、導電性接着剤の経時変化による粘度
上昇により、導電性接着剤層の膜厚を保持しているブレ
ード底面に圧力が加わる。その圧力がブレードを介して
圧電素子に伝わり、圧電素子のひずみ量が変化する。そ
の結果、導電性接着剤層の膜厚を保持しているブレード
底面の高さが変わり、導電性接着剤の粘度変化にともな
い、膜厚が変化してしまうという課題もある。
上昇により、導電性接着剤層の膜厚を保持しているブレ
ード底面に圧力が加わる。その圧力がブレードを介して
圧電素子に伝わり、圧電素子のひずみ量が変化する。そ
の結果、導電性接着剤層の膜厚を保持しているブレード
底面の高さが変わり、導電性接着剤の粘度変化にともな
い、膜厚が変化してしまうという課題もある。
【００１０】本発明は前記従来の課題を解決するもので
あり、精度の高い膜厚の測定とともに、その膜厚の維
持、制御を行い、半導体チップ上の突起電極に対して信
頼性の高い導電性接着剤層を形成できる導電性接着剤層
の膜厚制御方法を提供することを目的とする。
あり、精度の高い膜厚の測定とともに、その膜厚の維
持、制御を行い、半導体チップ上の突起電極に対して信
頼性の高い導電性接着剤層を形成できる導電性接着剤層
の膜厚制御方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために本発明の導電性接着剤層の膜厚制御方法は、以
下のような構成を有している。
るために本発明の導電性接着剤層の膜厚制御方法は、以
下のような構成を有している。
【００１２】 転写皿上に形成された導電性接着剤層を
ブレード底面で延ばして前記導電性接着剤層の膜厚を制
御する導電性接着剤層の膜厚制御方法であって、前記導
電性接着剤層の転写エリアに対して、少なくとも第１の
箇所で固定静止されたレーザー膜厚測定器により前記導
電性接着剤層の膜厚を測定する第１の測定工程と、前記
第１の箇所から前記レーザー膜厚測定器を移動させ、前
記転写エリア内の第２の箇所で固定静止させて前記レー
ザー膜厚測定器により前記導電性接着剤層の膜厚を測定
する第２の測定工程と、前記第１の箇所と前記第２の箇
所で測定した導電性接着剤層の膜厚と所望とする導電性
接着剤層の膜厚とに差異があった場合、前記転写皿下部
に設けた高さ調整手段を調節して、前記転写エリアにて
前記ブレード底面と前記転写皿表面との間の高さをそろ
える調整工程とよりなる導電性接着剤層の膜厚制御方法
である。
ブレード底面で延ばして前記導電性接着剤層の膜厚を制
御する導電性接着剤層の膜厚制御方法であって、前記導
電性接着剤層の転写エリアに対して、少なくとも第１の
箇所で固定静止されたレーザー膜厚測定器により前記導
電性接着剤層の膜厚を測定する第１の測定工程と、前記
第１の箇所から前記レーザー膜厚測定器を移動させ、前
記転写エリア内の第２の箇所で固定静止させて前記レー
ザー膜厚測定器により前記導電性接着剤層の膜厚を測定
する第２の測定工程と、前記第１の箇所と前記第２の箇
所で測定した導電性接着剤層の膜厚と所望とする導電性
接着剤層の膜厚とに差異があった場合、前記転写皿下部
に設けた高さ調整手段を調節して、前記転写エリアにて
前記ブレード底面と前記転写皿表面との間の高さをそろ
える調整工程とよりなる導電性接着剤層の膜厚制御方法
である。
【００１３】そして具体的には、第１の箇所と第２の箇
所で測定した導電性接着剤層の膜厚と所望とする導電性
接着剤層の膜厚とに差異があった場合、転写皿下部に設
けた高さ調整手段を調節して、転写エリアにてブレード
底面と前記転写皿表面との間の高さをそろえる調整工程
は、前記導電性接着剤層の前記転写エリアの前記第１の
箇所と前記第２の箇所にて各々、前記ブレード底面と前
記転写皿表面との間の高さをそろえる調整工程である導
電性接着剤層の膜厚制御方法である。
所で測定した導電性接着剤層の膜厚と所望とする導電性
接着剤層の膜厚とに差異があった場合、転写皿下部に設
けた高さ調整手段を調節して、転写エリアにてブレード
底面と前記転写皿表面との間の高さをそろえる調整工程
は、前記導電性接着剤層の前記転写エリアの前記第１の
箇所と前記第２の箇所にて各々、前記ブレード底面と前
記転写皿表面との間の高さをそろえる調整工程である導
電性接着剤層の膜厚制御方法である。
【００１４】さらに具体的には、本発明の導電性接着剤
層の膜厚制御方法は、半導体チップの電極に突起電極を
形成し、前記突起電極に導電性接着剤を形成し、前記導
電性接着剤を介して半導体チップを基板等に実装する半
導体装置の製造工程での導電性接着剤の膜厚制御方法で
あって、転写皿上に形成され、ブレードで撹拌された導
電性接着剤層の転写エリアに対して、レーザー膜厚測定
器を前記転写エリアの第１の箇所上に移動させ静止させ
て固定し、前記第１の箇所の導電性接着剤層の導電性接
着剤を一旦除去し、原点となる前記転写皿の表面を出
し、レーザー膜厚測定器の原点出しの測定を行う工程
と、前記転写皿を１回転させてブレードにより導電性接
着剤層を撹拌した後、前記転写皿上の導電性接着剤層の
転写エリアに対して、前記第１の箇所で固定静止された
レーザー膜厚測定器により膜厚を測定する第１の測定工
程と、前記第１の箇所で測定した導電性接着剤層の膜厚
と所望とする導電性接着剤層の膜厚とに差異があった場
合、前記転写皿下部に設けたマイクロメーターを調節し
て、前記第１の箇所にて前記ブレード底面と前記転写皿
表面との間の高さをそろえる第１の調整工程と、前記レ
ーザー膜厚測定器を前記転写エリアの第２の箇所上に移
動させ静止させて固定し、前記第２の箇所の導電性接着
剤層の導電性接着剤を一旦除去し、原点となる前記転写
皿の表面を出し、レーザー膜厚測定器の原点出しの測定
を行う工程と、前記転写皿を１回転させてブレードによ
り導電性接着剤層を撹拌した後、前記転写皿上の導電性
接着剤層の転写エリアに対して、前記第２の箇所で固定
静止されたレーザー膜厚測定器により膜厚を測定する第
２の測定工程と、前記第２の箇所で測定した導電性接着
剤層の膜厚と所望とする導電性接着剤層の膜厚とに差異
があった場合、前記転写皿下部に設けたマイクロメータ
ーを調節して、前記第２の箇所にて前記ブレード底面と
前記転写皿表面との間の高さをそろえる第２の調整工程
とよりなる導電性接着剤層の膜厚制御方法である。
層の膜厚制御方法は、半導体チップの電極に突起電極を
形成し、前記突起電極に導電性接着剤を形成し、前記導
電性接着剤を介して半導体チップを基板等に実装する半
導体装置の製造工程での導電性接着剤の膜厚制御方法で
あって、転写皿上に形成され、ブレードで撹拌された導
電性接着剤層の転写エリアに対して、レーザー膜厚測定
器を前記転写エリアの第１の箇所上に移動させ静止させ
て固定し、前記第１の箇所の導電性接着剤層の導電性接
着剤を一旦除去し、原点となる前記転写皿の表面を出
し、レーザー膜厚測定器の原点出しの測定を行う工程
と、前記転写皿を１回転させてブレードにより導電性接
着剤層を撹拌した後、前記転写皿上の導電性接着剤層の
転写エリアに対して、前記第１の箇所で固定静止された
レーザー膜厚測定器により膜厚を測定する第１の測定工
程と、前記第１の箇所で測定した導電性接着剤層の膜厚
と所望とする導電性接着剤層の膜厚とに差異があった場
合、前記転写皿下部に設けたマイクロメーターを調節し
て、前記第１の箇所にて前記ブレード底面と前記転写皿
表面との間の高さをそろえる第１の調整工程と、前記レ
ーザー膜厚測定器を前記転写エリアの第２の箇所上に移
動させ静止させて固定し、前記第２の箇所の導電性接着
剤層の導電性接着剤を一旦除去し、原点となる前記転写
皿の表面を出し、レーザー膜厚測定器の原点出しの測定
を行う工程と、前記転写皿を１回転させてブレードによ
り導電性接着剤層を撹拌した後、前記転写皿上の導電性
接着剤層の転写エリアに対して、前記第２の箇所で固定
静止されたレーザー膜厚測定器により膜厚を測定する第
２の測定工程と、前記第２の箇所で測定した導電性接着
剤層の膜厚と所望とする導電性接着剤層の膜厚とに差異
があった場合、前記転写皿下部に設けたマイクロメータ
ーを調節して、前記第２の箇所にて前記ブレード底面と
前記転写皿表面との間の高さをそろえる第２の調整工程
とよりなる導電性接着剤層の膜厚制御方法である。
【００１５】前記構成の通り、固定静止されたレーザー
で膜厚測定するので、レーザーの移動等による振動がな
いために測定誤差を低減できる。また測定した個所と同
一箇所である第１の箇所と第２の箇所の各々で高さをマ
イクロメーターで調整するので、転写エリアの導電性接
着剤の膜厚を精度よく制御できる。その結果、高精度で
膜厚制御できるため、半導体チップの突起電極に転写に
よって均一な量の導電性接着剤を形成できる。
で膜厚測定するので、レーザーの移動等による振動がな
いために測定誤差を低減できる。また測定した個所と同
一箇所である第１の箇所と第２の箇所の各々で高さをマ
イクロメーターで調整するので、転写エリアの導電性接
着剤の膜厚を精度よく制御できる。その結果、高精度で
膜厚制御できるため、半導体チップの突起電極に転写に
よって均一な量の導電性接着剤を形成できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の導電性接着剤層の膜厚制
御方法は、転写皿上に形成された導電性接着剤層の転写
エリアに対して、少なくとも第１の箇所で固定静止され
たレーザー膜厚測定器により導電性接着剤層の膜厚を測
定する第１の測定工程と、その第１の箇所からレーザー
膜厚測定器を移動させ、転写エリア内の第２の箇所で固
定静止させてレーザー膜厚測定器により導電性接着剤層
の膜厚を測定する第２の測定工程と、第１の箇所と第２
の箇所で測定した導電性接着剤層の膜厚と、所望とする
導電性接着剤層の膜厚とに差異があった場合、転写皿下
部に設けた高さ調整手段を調節して、転写エリアにてブ
レード底面と転写皿表面との間の高さをそろえる調整工
程とよりなるものである。
御方法は、転写皿上に形成された導電性接着剤層の転写
エリアに対して、少なくとも第１の箇所で固定静止され
たレーザー膜厚測定器により導電性接着剤層の膜厚を測
定する第１の測定工程と、その第１の箇所からレーザー
膜厚測定器を移動させ、転写エリア内の第２の箇所で固
定静止させてレーザー膜厚測定器により導電性接着剤層
の膜厚を測定する第２の測定工程と、第１の箇所と第２
の箇所で測定した導電性接着剤層の膜厚と、所望とする
導電性接着剤層の膜厚とに差異があった場合、転写皿下
部に設けた高さ調整手段を調節して、転写エリアにてブ
レード底面と転写皿表面との間の高さをそろえる調整工
程とよりなるものである。
【００１７】以下、本発明の導電性接着剤層の膜厚制御
方法における一実施形態について図面を参照しながら説
明する。
方法における一実施形態について図面を参照しながら説
明する。
【００１８】図１〜図４は本実施形態の導電性接着剤層
の膜厚制御方法を示す図である。図１は本実施形態の導
電性接着剤層の膜厚制御方法を示す平面図であり、図２
は導電性接着剤層の膜厚制御方法を示す断面図であり、
図１のＡ−Ａ’線部分の断面図を示している。図３，図
４は導電性接着剤層の測定膜厚を示す図である。
の膜厚制御方法を示す図である。図１は本実施形態の導
電性接着剤層の膜厚制御方法を示す平面図であり、図２
は導電性接着剤層の膜厚制御方法を示す断面図であり、
図１のＡ−Ａ’線部分の断面図を示している。図３，図
４は導電性接着剤層の測定膜厚を示す図である。
【００１９】図示するように、まず転写皿１上にエポキ
シ樹脂をバインダーとする銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐ
ｄ）ペーストである導電性接着剤を塗布し、ドクターブ
レード法を用いて転写皿１を回転させ、ブレード２で導
電性接着剤層３を撹拌する。
シ樹脂をバインダーとする銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐ
ｄ）ペーストである導電性接着剤を塗布し、ドクターブ
レード法を用いて転写皿１を回転させ、ブレード２で導
電性接着剤層３を撹拌する。
【００２０】そして撹拌後、レーザー膜厚測定器４を転
写エリア５の第１の箇所１０上に移動させ静止させて固
定する。その第１の箇所１０の導電性接着剤層３の導電
性接着剤をへら等で掻き取り、一旦除去し、原点となる
転写皿１の表面を出す。そこで、第１の箇所１０でのレ
ーザー膜厚測定器４の原点出しの測定を行う。
写エリア５の第１の箇所１０上に移動させ静止させて固
定する。その第１の箇所１０の導電性接着剤層３の導電
性接着剤をへら等で掻き取り、一旦除去し、原点となる
転写皿１の表面を出す。そこで、第１の箇所１０でのレ
ーザー膜厚測定器４の原点出しの測定を行う。
【００２１】そして転写皿１を回転させることにより、
ブレード２で導電性接着剤を延ばして導電性接着剤層３
を再度、転写皿１上に形成し、第１の測定として、第１
の箇所１０にてその導電性接着剤層３の膜厚を測定す
る。ここで転写皿１の表面が出ている第１の箇所１０
は、転写皿が１回転した後、ブレード２のブレード底面
７と転写皿１表面との間の距離と同等の膜厚を形成す
る。
ブレード２で導電性接着剤を延ばして導電性接着剤層３
を再度、転写皿１上に形成し、第１の測定として、第１
の箇所１０にてその導電性接着剤層３の膜厚を測定す
る。ここで転写皿１の表面が出ている第１の箇所１０
は、転写皿が１回転した後、ブレード２のブレード底面
７と転写皿１表面との間の距離と同等の膜厚を形成す
る。
【００２２】この第１の箇所１０での膜厚の測定結果を
図３に示す。そして図３に示すように膜厚測定結果をモ
ニタリングすることによって、第１の箇所１０で形成し
た導電性接着剤層３の膜厚１１を確認できる。
図３に示す。そして図３に示すように膜厚測定結果をモ
ニタリングすることによって、第１の箇所１０で形成し
た導電性接着剤層３の膜厚１１を確認できる。
【００２３】ここでこの１回転した後の第１の箇所１０
での導電性接着剤層３の膜厚１１が、必要とする導電性
接着剤層の膜厚に対して差異があった場合、第１の箇所
１０の膜厚を制御するブレード底面８を上下させる高さ
調整手段である第１のマイクロメーター１２を調整す
る。この第１のマイクロメーター１２による調整は、ブ
レード底面８と転写皿１表面との間の高さをそろえる調
整である。またこの時の調整量は、モニタリングしたと
きに具体的に測定値がでているので、必要とする導電性
接着剤層３の膜厚との差の分だけ調整すればよい。この
調整後、転写皿１を回転させることにより、ブレード２
が導電性接着剤層３を撹拌し、第１の箇所１０での所望
とする導電性接着剤層の膜厚を得ることができる。
での導電性接着剤層３の膜厚１１が、必要とする導電性
接着剤層の膜厚に対して差異があった場合、第１の箇所
１０の膜厚を制御するブレード底面８を上下させる高さ
調整手段である第１のマイクロメーター１２を調整す
る。この第１のマイクロメーター１２による調整は、ブ
レード底面８と転写皿１表面との間の高さをそろえる調
整である。またこの時の調整量は、モニタリングしたと
きに具体的に測定値がでているので、必要とする導電性
接着剤層３の膜厚との差の分だけ調整すればよい。この
調整後、転写皿１を回転させることにより、ブレード２
が導電性接着剤層３を撹拌し、第１の箇所１０での所望
とする導電性接着剤層の膜厚を得ることができる。
【００２４】次に、レーザー膜厚測定器４を転写エリア
５の第２の箇所１３上に移動させ、静止し、固定する。
そして前記した第１の箇所の測定と同様に、その第２の
箇所１３の導電性接着剤をへら等で掻き取り、原点とな
る転写皿１の表面を出す。そこで、第２の箇所１３での
レーザー膜厚測定器４の原点出しの測定を行う。
５の第２の箇所１３上に移動させ、静止し、固定する。
そして前記した第１の箇所の測定と同様に、その第２の
箇所１３の導電性接着剤をへら等で掻き取り、原点とな
る転写皿１の表面を出す。そこで、第２の箇所１３での
レーザー膜厚測定器４の原点出しの測定を行う。
【００２５】そして転写皿１を回転させることにより、
ブレード２で導電性接着剤を延ばして導電性接着剤層３
を再度、転写皿１上に形成し、第２の測定として、第２
の箇所１３にてその導電性接着剤層３の膜厚を測定す
る。ここでも転写皿１表面が出ている第２の箇所１３
は、転写皿１が１回転した後、ブレード底面８と転写皿
１表面との間の距離と同等の膜厚を形成する。
ブレード２で導電性接着剤を延ばして導電性接着剤層３
を再度、転写皿１上に形成し、第２の測定として、第２
の箇所１３にてその導電性接着剤層３の膜厚を測定す
る。ここでも転写皿１表面が出ている第２の箇所１３
は、転写皿１が１回転した後、ブレード底面８と転写皿
１表面との間の距離と同等の膜厚を形成する。
【００２６】この第２の箇所１３での膜厚の測定結果を
図４に示す。そして図４に示すように膜厚測定結果をモ
ニタリングすることによって、第２の箇所１３での形成
した導電性接着剤層３の膜厚１４を確認できる。
図４に示す。そして図４に示すように膜厚測定結果をモ
ニタリングすることによって、第２の箇所１３での形成
した導電性接着剤層３の膜厚１４を確認できる。
【００２７】ここでこの１回転した後の第２の箇所１３
での導電性接着剤層３の膜厚１４が、必要とする導電性
接着剤層の膜厚に対して差異があった場合、前記同様に
第２の箇所１３の膜厚を制御するブレード底面８を上下
させる第２のマイクロメーター１５を調整する。このと
きの調整量はモニタリングしたときに具体的に測定値が
出ているので、必要とする導電性接着剤層３の膜厚との
差の分だけ調整すればよい。この調整後、転写皿１を回
転させることにより、ブレード２が導電性接着剤層３を
撹拌し、第２の箇所１３での所望とする導電性接着剤層
の膜厚を得ることができる。
での導電性接着剤層３の膜厚１４が、必要とする導電性
接着剤層の膜厚に対して差異があった場合、前記同様に
第２の箇所１３の膜厚を制御するブレード底面８を上下
させる第２のマイクロメーター１５を調整する。このと
きの調整量はモニタリングしたときに具体的に測定値が
出ているので、必要とする導電性接着剤層３の膜厚との
差の分だけ調整すればよい。この調整後、転写皿１を回
転させることにより、ブレード２が導電性接着剤層３を
撹拌し、第２の箇所１３での所望とする導電性接着剤層
の膜厚を得ることができる。
【００２８】以上のような導電性接着剤の膜厚制御を行
うことにより、測定器の移動による振動の影響を解消
し、転写エリア５の導電性接着剤層３の膜厚の測定誤差
を低減し、正確な膜厚測定を容易かつ高精度で行うこと
ができる。また、導電性接着剤の粘度上昇による圧力に
対して、ブレード底面８高さ位置の変動の起きない第１
のマイクロメーター１２と第２のマイクロメーター１４
によるブレード２の位置の固定をすることにより、必要
とする導電性接着剤層３の膜厚を長時間にわたり高精度
で維持することができる。
うことにより、測定器の移動による振動の影響を解消
し、転写エリア５の導電性接着剤層３の膜厚の測定誤差
を低減し、正確な膜厚測定を容易かつ高精度で行うこと
ができる。また、導電性接着剤の粘度上昇による圧力に
対して、ブレード底面８高さ位置の変動の起きない第１
のマイクロメーター１２と第２のマイクロメーター１４
によるブレード２の位置の固定をすることにより、必要
とする導電性接着剤層３の膜厚を長時間にわたり高精度
で維持することができる。
【００２９】本実施形態では、転写皿１上の導電性接着
剤層３の膜厚は１０〜２０［μｍ］であり、実質的には
１７［μｍ］を設定している。これは、半導体チップ上
に設ける二段形状を有する突起電極の高さは５０［μ
ｍ］であり、その突起電極の上段部の高さは２８［μ
ｍ］であり、導電性接着剤層３の厚みは、突起電極の先
端部すなわち上段部の６０［％］に相当する膜厚に設定
するためである。この条件で半導体チップの突起電極を
導電性接着剤層に対して押圧させることにより、突起電
極の先端部のみに導電性接着剤を高精度で形成すること
ができる。実際には突起電極の先端部から１０［μｍ］
程度突出した量の導電性接着剤が突起電極上に形成さ
れ、この突出量により、半導体チップを基板実装する
際、基板自体の反り量を吸収して接合することができ、
フェースダウン実装の信頼性を向上させることができ
る。
剤層３の膜厚は１０〜２０［μｍ］であり、実質的には
１７［μｍ］を設定している。これは、半導体チップ上
に設ける二段形状を有する突起電極の高さは５０［μ
ｍ］であり、その突起電極の上段部の高さは２８［μ
ｍ］であり、導電性接着剤層３の厚みは、突起電極の先
端部すなわち上段部の６０［％］に相当する膜厚に設定
するためである。この条件で半導体チップの突起電極を
導電性接着剤層に対して押圧させることにより、突起電
極の先端部のみに導電性接着剤を高精度で形成すること
ができる。実際には突起電極の先端部から１０［μｍ］
程度突出した量の導電性接着剤が突起電極上に形成さ
れ、この突出量により、半導体チップを基板実装する
際、基板自体の反り量を吸収して接合することができ、
フェースダウン実装の信頼性を向上させることができ
る。
【００３０】以上の通り、本実施形態の導電性接着剤層
の膜厚制御方法では、高精度が要求される１０〜２０
［μｍ］程度の薄膜の導電性接着剤層の膜厚管理が可能
となり、要求される高精度の膜厚測定とその調整が実現
できるため、半導体チップの突起電極に転写によって均
一な量の導電性接着剤を形成できる。
の膜厚制御方法では、高精度が要求される１０〜２０
［μｍ］程度の薄膜の導電性接着剤層の膜厚管理が可能
となり、要求される高精度の膜厚測定とその調整が実現
できるため、半導体チップの突起電極に転写によって均
一な量の導電性接着剤を形成できる。
【００３１】
【発明の効果】以上、実施形態で説明したように、本発
明の導電性接着剤層の膜厚制御方法は、固定静止された
状態のレーザー測定器により複数箇所で膜厚測定するの
で、レーザー測定器の移動等の振動がないために測定誤
差を低減でき、高精度が要求される薄膜での膜厚管理が
可能になり、突起電極への導電性接着剤の形成を信頼性
よく実現できる。また膜厚測定した第１の箇所と第２の
箇所とで導電性接着剤の膜厚をマイクロメーターで調
整、維持するので、転写エリアの導電性接着剤の膜厚制
御を容易かつ高精度で長時間行うことができ、半導体チ
ップの突起電極に転写によって均一な量の導電性接着剤
を容易かつ安定に供給することができる。
明の導電性接着剤層の膜厚制御方法は、固定静止された
状態のレーザー測定器により複数箇所で膜厚測定するの
で、レーザー測定器の移動等の振動がないために測定誤
差を低減でき、高精度が要求される薄膜での膜厚管理が
可能になり、突起電極への導電性接着剤の形成を信頼性
よく実現できる。また膜厚測定した第１の箇所と第２の
箇所とで導電性接着剤の膜厚をマイクロメーターで調
整、維持するので、転写エリアの導電性接着剤の膜厚制
御を容易かつ高精度で長時間行うことができ、半導体チ
ップの突起電極に転写によって均一な量の導電性接着剤
を容易かつ安定に供給することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る導電性接着剤層の膜
厚制御方法を示す平面図
厚制御方法を示す平面図
【図２】本発明の一実施形態に係る導電性接着剤層の膜
厚制御方法を示す断面図
厚制御方法を示す断面図
【図３】本発明の一実施形態に係る導電性接着剤層の膜
厚制御方法による膜厚測定結果を示す図
厚制御方法による膜厚測定結果を示す図
【図４】本発明の一実施形態に係る導電性接着剤層の膜
厚制御方法による膜厚測定結果を示す図
厚制御方法による膜厚測定結果を示す図
【図５】従来の導電性接着剤層の膜厚制御方法を示す平
面図
面図
【図６】従来の導電性接着剤層の膜厚制御方法を示す断
面図
面図
【図７】従来の導電性接着剤層の膜厚制御方法による膜
厚測定結果を示す図
厚測定結果を示す図
１ 転写皿
２ ブレード
３ 導電性接着剤層
４ レーザー膜厚測定器
５ 転写エリア
６ 膜厚測定ライン
７ 従来の膜厚測定方法による測定結果の値
８ ブレード底面
９ 圧電素子
１０ 第１の箇所
１１ 第１の箇所での導電性接着剤層の膜厚
１２ 第１のマイクロメーター
１３ 第２の箇所
１４ 第２の箇所での導電性接着剤層の膜厚
１５ 第２のマイクロメーター
Claims (3)
- 【請求項１】 転写皿上に形成された導電性接着剤層を
ブレード底面で延ばして前記導電性接着剤層の膜厚を制
御する導電性接着剤層の膜厚制御方法であって、前記導
電性接着剤層の転写エリアに対して、少なくとも第１の
箇所で固定静止されたレーザー膜厚測定器により前記導
電性接着剤層の膜厚を測定する第１の測定工程と、前記
第１の箇所から前記レーザー膜厚測定器を移動させ、前
記転写エリア内の第２の箇所で固定静止させて前記レー
ザー膜厚測定器により前記導電性接着剤層の膜厚を測定
する第２の測定工程と、前記第１の箇所と前記第２の箇
所で測定した導電性接着剤層の膜厚と所望とする導電性
接着剤層の膜厚とに差異があった場合、前記転写皿下部
に設けた高さ調整手段を調節して、前記転写エリアにて
前記ブレード底面と前記転写皿表面との間の高さをそろ
える調整工程とよりなることを特徴とする導電性接着剤
層の膜厚制御方法。 - 【請求項２】 第１の箇所と第２の箇所で測定した導電
性接着剤層の膜厚と所望とする導電性接着剤層の膜厚と
に差異があった場合、転写皿下部に設けた高さ調整手段
を調節して、転写エリアにてブレード底面と前記転写皿
表面との間の高さをそろえる調整工程は、前記導電性接
着剤層の前記転写エリアの前記第１の箇所と前記第２の
箇所にて各々、前記ブレード底面と前記転写皿表面との
間の高さをそろえる調整工程であることを特徴とする請
求項１に記載の導電性接着剤層の膜厚制御方法。 - 【請求項３】 半導体チップの電極に突起電極を形成
し、前記突起電極に導電性接着剤を形成し、前記導電性
接着剤を介して半導体チップを基板等に実装する半導体
装置の製造工程での導電性接着剤の膜厚制御方法であっ
て、転写皿上に形成され、ブレードで撹拌された導電性
接着剤層の転写エリアに対して、レーザー膜厚測定器を
前記転写エリアの第１の箇所上に移動させ静止させて固
定し、前記第１の箇所の導電性接着剤層の導電性接着剤
を一旦除去し、原点となる前記転写皿の表面を出し、レ
ーザー膜厚測定器の原点出しの測定を行う工程と、前記
転写皿を１回転させてブレードにより導電性接着剤層を
撹拌した後、前記転写皿上の導電性接着剤層の転写エリ
アに対して、前記第１の箇所で固定静止されたレーザー
膜厚測定器により膜厚を測定する第１の測定工程と、前
記第１の箇所で測定した導電性接着剤層の膜厚と所望と
する導電性接着剤層の膜厚とに差異があった場合、前記
転写皿下部に設けたマイクロメーターを調節して、前記
第１の箇所にて前記ブレード底面と前記転写皿表面との
間の高さをそろえる第１の調整工程と、前記レーザー膜
厚測定器を前記転写エリアの第２の箇所上に移動させ静
止させて固定し、前記第２の箇所の導電性接着剤層の導
電性接着剤を一旦除去し、原点となる前記転写皿の表面
を出し、レーザー膜厚測定器の原点出しの測定を行う工
程と、前記転写皿を１回転させてブレードにより導電性
接着剤層を撹拌した後、前記転写皿上の導電性接着剤層
の転写エリアに対して、前記第２の箇所で固定静止され
たレーザー膜厚測定器により膜厚を測定する第２の測定
工程と、前記第２の箇所で測定した導電性接着剤層の膜
厚と所望とする導電性接着剤層の膜厚とに差異があった
場合、前記転写皿下部に設けたマイクロメーターを調節
して、前記第２の箇所にて前記ブレード底面と前記転写
皿表面との間の高さをそろえる第２の調整工程とよりな
ることを特徴とする導電性接着剤層の膜厚制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35543399A JP3491586B2 (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | 導電性接着剤層の膜厚制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35543399A JP3491586B2 (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | 導電性接着剤層の膜厚制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176923A JP2001176923A (ja) | 2001-06-29 |
| JP3491586B2 true JP3491586B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=18443932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35543399A Expired - Fee Related JP3491586B2 (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | 導電性接着剤層の膜厚制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3491586B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4755452B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-08-24 | 麒麟麦酒株式会社 | 接着剤塗布装置、及びこれを用いたラベル貼付装置、並びに接着剤の膜厚測定方法 |
| JP4668833B2 (ja) * | 2006-04-26 | 2011-04-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハ分離装置及び分離方法 |
| CN102121934B (zh) * | 2010-12-23 | 2013-10-16 | 上海应用技术学院 | 一种检测涂抹效果的扫描机构 |
| AU2012267770A1 (en) | 2011-06-07 | 2014-01-23 | Fastcap Systems Corporation | Energy storage media for ultracapacitors |
| US9558894B2 (en) | 2011-07-08 | 2017-01-31 | Fastcap Systems Corporation | Advanced electrolyte systems and their use in energy storage devices |
| WO2013009720A2 (en) | 2011-07-08 | 2013-01-17 | Fastcap Systems Corporation | High temperature energy storage device |
-
1999
- 1999-12-15 JP JP35543399A patent/JP3491586B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2001176923A (ja) | 2001-06-29 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |