JP3491131B2 - Liquid crystal devices and electronic equipment - Google Patents

Liquid crystal devices and electronic equipment

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JP3491131B2
JP3491131B2 JP00801498A JP801498A JP3491131B2 JP 3491131 B2 JP3491131 B2 JP 3491131B2 JP 00801498 A JP00801498 A JP 00801498A JP 801498 A JP801498 A JP 801498A JP 3491131 B2 JP3491131 B2 JP 3491131B2
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  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、対向基板にマイク
ロレンズを備えた液晶装置及びこれを用いた電子機器の
技術分野に属し、特に投影型あるいは透過型の液晶装置
の一方の面にマイクロレンズアレイを備えた液晶装置及
びこれを用いた電子機器の技術分野に属する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technical field of a liquid crystal device having a microlens on a counter substrate and electronic equipment using the same, and in particular, a microlens is provided on one surface of a projection or transmission type liquid crystal device. This invention belongs to the technical field of a liquid crystal device having an array and electronic equipment using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の薄膜トランジスタ(以下、TFT
とする)駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の
液晶装置が液晶プロジェクタ等にライトバルブとして用
いられる場合には一般に、液晶層を挟んでTFTアレイ
基板に対向配置される対向基板の側から投射光が入射さ
れる。ここで、投射光がTFTのアモルファスシリコン
膜やポリシリコン膜から構成されたチャネル形成用の領
域に入射すると、この領域において光電変換効果により
光電流が発生してしまいTFTのトランジスタ特性が劣
化する。従って、この種の液晶装置においては、前記チ
ャネル形成用領域への光の入射を確実に防ぐ必要があ
る。
2. Description of the Related Art Conventional thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs)
When a liquid crystal device of an active matrix driving system by driving etc. is used as a light valve in a liquid crystal projector etc., in general, projection light is incident from the side of a counter substrate which is arranged to face the TFT array substrate with a liquid crystal layer in between. To be done. Here, when the projected light is incident on a region for forming a channel formed of an amorphous silicon film or a polysilicon film of the TFT, a photoelectric current is generated in this region due to a photoelectric conversion effect, which deteriorates the transistor characteristics of the TFT. Therefore, in this type of liquid crystal device, it is necessary to surely prevent light from entering the channel forming region.

【0003】また、この種の液晶装置を、電圧非印加時
に透過、印加時に非透過となる、いわゆるノーマリーホ
ワイトモードで使用する場合には、表示コントラスト及
び色再現性を向上させるためには、画素電極とデータ線
との間の光洩れを防止する必要がある。これは、特に画
素電極とデータ線との間においては、液晶の非配向領域
が存在するためであり、この種の液晶装置においては、
この液晶の非配向領域を光吸収性のある黒い部材で覆う
必要がある。
In order to improve the display contrast and color reproducibility when using this type of liquid crystal device in a so-called normally white mode in which the liquid crystal device is transparent when a voltage is not applied and non-transparent when a voltage is applied. It is necessary to prevent light leakage between the pixel electrode and the data line. This is because there is a non-aligned region of liquid crystal especially between the pixel electrode and the data line, and in this type of liquid crystal device,
It is necessary to cover the non-aligned region of the liquid crystal with a black member having a light absorbing property.

【0004】そこで、従来の液晶装置においては、TF
T及びデータ線並びに走査線が設けられたTFTアレイ
基板に対向する対向基板上であって、当該TFT及びデ
ータ線並びに走査線に向き合う部分に、Cr(クロ
ム)、Al(アルミニウム)等の金属材料や樹脂ブラッ
クなどからなる遮光層を増設し、表示に寄与しない光を
吸収また反射させるようにしている。
Therefore, in the conventional liquid crystal device, the TF
A metal material such as Cr (chromium) or Al (aluminum) on a counter substrate facing the TFT array substrate on which the T and data lines and the scanning line are provided and facing the TFT, the data line, and the scanning line. A light-shielding layer made of, for example, resin black is added to absorb or reflect light that does not contribute to display.

【0005】しかしながら、この遮光層は、機械的な位
置合わせにより相互に接着されるTFTアレイ基板と対
向基板との間の位置ずれを考慮して、予め余裕をもった
大きさに形成されており、具体的には、 TFTアレイ
基板上に形成されたデータ線及び走査線の線幅よりも大
きな幅を有するように構成されていた。そのために、液
晶装置の表示画面中の画素領域の占める割合、いわゆる
開口率が小さくなり、表示画面が暗くなるという問題が
あった。
However, the light-shielding layer is formed in advance with a sufficient size in consideration of the positional deviation between the TFT array substrate and the counter substrate which are bonded to each other by mechanical alignment. Specifically, it has a width larger than the line width of the data lines and the scanning lines formed on the TFT array substrate. Therefore, there has been a problem that the ratio of the pixel area in the display screen of the liquid crystal device, that is, the so-called aperture ratio becomes small and the display screen becomes dark.

【0006】そこで、このような問題を解決するため
に、液晶装置を構成する2枚の基板のうち光源側に位置
する基板の液晶層との対向面に、各画素の各々に対応す
る位置に複数のマイクロレンズをマトリクス状に配列し
て形成したり、或いは液晶装置の光源側に別の透明板を
設け、その透明板の片面の各画素の各々に対応する位置
に複数のマイクロレンズをマトリクス状に配列したりし
て、光源から照射される光を各マイクロレンズで画素領
域に各々集光し、それによって表示画面を明るくする方
法が提案され、例えば特開昭60−165621〜16
5624号公報等に掲載されている。
Therefore, in order to solve such a problem, of the two substrates constituting the liquid crystal device, the substrate facing the liquid crystal layer of the substrate located on the light source side is provided at a position corresponding to each pixel. A plurality of microlenses are arranged in a matrix, or another transparent plate is provided on the light source side of the liquid crystal device, and a plurality of microlenses are arranged in a position corresponding to each pixel on one surface of the transparent plate. It is proposed that the light emitted from the light source is condensed in each pixel area by each microlens and the display screen is brightened by arranging the light sources in a circular pattern or the like, for example, JP-A-60-165621-16.
Published in Japanese Patent No. 5624.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年に
おいては、液晶プロジェクタにも高い解像度が要求され
ており、画素ピッチの微細化が進められる傾向にあるた
め、従来以上にマイクロレンズによる光の利用効率を高
める必要が生じている。
However, in recent years, liquid crystal projectors are also required to have high resolution, and the pixel pitch tends to be made finer. Need to increase.

【0008】ここで、マイクロレンズによる光の利用効
率を高める方法としては、マイクロレンズ自体の特性を
向上させる、あるいはマトリクス状に配置された各々の
マイクロレンズ間を集光機能を有する凸状の連結部で連
結する、もしくは各画素の開口領域の拡大を図るなどの
方法が考えられる。
Here, as a method for improving the light utilization efficiency of the microlenses, the characteristics of the microlenses themselves are improved, or the microlenses arranged in a matrix form are connected in a convex shape having a condensing function. It is conceivable to connect the parts with each other or to enlarge the opening area of each pixel.

【0009】しかし、前記従来の構成において各画素の
開口領域を更に大きくしようとすると、前記遮光層の幅
を従来よりも狭くすると共に、前記データ線及び走査線
の線幅を従来よりも更に狭くする必要があが、マイクロ
レンズによる光の利用効率の向上を目視状態で判別でき
る程度に前記線幅を狭くすることは、TFTアレイ基板
の製造工程上極めて困難であった。
However, if it is attempted to further increase the aperture area of each pixel in the conventional structure, the width of the light shielding layer is made narrower than the conventional one, and the line widths of the data line and the scanning line are made narrower than the conventional one. However, it is extremely difficult in the manufacturing process of the TFT array substrate to narrow the line width to the extent that the improvement of the light utilization efficiency of the microlenses can be visually discerned.

【0010】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、各画素の開口領域に対応するマイクロレンズ
を備えると共に、各画素に対応して遮光層を備え、各画
素を構成するTFTに対する遮光と、液晶の非配向領域
における光洩れを防止する場合でも、前記マイクロレン
ズによる光の利用効率をより一層向上させることができ
液晶装置及び当該液晶装置を備えた電子機器を提供する
ことを課題とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is provided with a microlens corresponding to the opening area of each pixel and a light-shielding layer corresponding to each pixel, with respect to a TFT constituting each pixel. An object of the present invention is to provide a liquid crystal device and an electronic apparatus including the liquid crystal device, which can further improve the light utilization efficiency of the microlens even in the case of shielding light and preventing light leakage in the non-aligned region of the liquid crystal. And

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶装置は、前
記課題を解決するために、一対の第1基板及び第2基板
間に液晶が挟持されてなり、前記第1基板上には複数の
データ線と、前記複数のデータ線に交差する複数の走査
線と、前記各データ線と前記各走査線に電気的に接続さ
れたスイッチング素子と、前記各スイッチング素子に電
気的に接続された画素電極とを具備し、前記第2基板上
には前記画素電極の個々に対応してマトリクス状に配置
された複数のマイクロレンズと、隣り合うマイクロレン
ズ間に形成された遮光層とを具備し、前記遮光層は、平
面的に見て前記データ線あるいは走査線と重なるように
形成されてなり、隣り合うマイクロレンズに対応して形
成された遮光層の幅は、前記データ線あるいは走査線の
線幅よりも細いことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a liquid crystal device of the present invention comprises a pair of a first substrate and a second substrate between which a liquid crystal is sandwiched, and a plurality of liquid crystals are provided on the first substrate. Data lines, a plurality of scanning lines intersecting the plurality of data lines, a switching element electrically connected to each data line and each scanning line, and electrically connected to each switching element. A plurality of microlenses arranged in a matrix corresponding to each of the pixel electrodes, and a light shielding layer formed between adjacent microlenses on the second substrate. The light-shielding layer is formed so as to overlap with the data line or the scanning line in a plan view, and the width of the light-shielding layer formed corresponding to the adjacent microlens is equal to that of the data line or the scanning line. Thinner than line width The features.

【0012】本発明の液晶装置によれば、第1基板上に
設けられたスイッチング素子の少なくともチャネル形成
用領域と、同じく第1基板上に設けられた複数の走査線
並びに複数のデータ線の上には、第2基板に設けられた
遮光層が重なるように配置される。従って、第2基板側
から光が入射した場合であっても、前記薄膜トランジス
タのチャネル形成用領域に対する当該光の入射を確実に
防止し、リーク電流の発生を抑える。また、各走査線と
データ線により区画され、スイッチング素子と画素電極
とからなる画素の開口領域は、第1基板に設けられたデ
ータ線または走査線を含む複数の配線によって規定さ
れ、前記遮光層の幅は、前記データ線あるいは走査線の
線幅よりも細い幅なので、たとえ第1基板と第2基板の
接着の際に位置ずれが生じた場合でも、前記遮光層によ
って前記開口領域の大きさが影響を受けることがなく、
常に所望の開口率を得ることができる。更に、前記遮光
層の幅は、記データ線あるいは走査線の線幅よりも細い
幅であり、当該遮光層の開口部は従来よりも大きくな
る。従って、各画素の開口領域に対応して設けられたマ
イクロレンズにより集光される範囲は従来よりも広くな
り、従来よりも光の利用効率が向上することになる。こ
こで、前記遮光層の幅をデータ線または走査線の線幅よ
りも細くした場合には、液晶の非配向領域による光洩れ
を生ずることも考えられるが、各画素の開口領域に対し
ては、マイクロレンズにより所望の適切な領域にのみ集
光させることができるので、前記光洩れを生じさせな
い。以上のように、本発明の液晶装置によれば、各画素
を構成するTFTに対する遮光と、液晶の非配向領域に
おける光洩れを防止する場合でも、前記マイクロレンズ
による光の利用効率をより一層向上させることができ、
上下基板の位置ずれが生じた場合でも、所望の開口率を
得ることができる。
According to the liquid crystal device of the present invention, at least the channel forming region of the switching element provided on the first substrate and the plurality of scanning lines and the plurality of data lines also provided on the first substrate are provided. Are arranged so that the light-shielding layers provided on the second substrate overlap. Therefore, even when light is incident from the second substrate side, the light is reliably prevented from entering the channel forming region of the thin film transistor, and the generation of leak current is suppressed. Further, an opening region of a pixel, which is defined by each scanning line and a data line and is composed of a switching element and a pixel electrode, is defined by a plurality of wirings including a data line or a scanning line provided on the first substrate, and the light shielding layer is provided. Is smaller than the line width of the data line or the scanning line, the size of the opening region can be increased by the light-shielding layer even if a positional deviation occurs during the bonding of the first substrate and the second substrate. Is not affected,
The desired aperture ratio can always be obtained. Further, the width of the light shielding layer is narrower than the line width of the data line or the scanning line, and the opening of the light shielding layer is larger than the conventional one. Therefore, the range in which light is collected by the microlenses provided in correspondence with the aperture area of each pixel is wider than in the conventional case, and the light utilization efficiency is higher than in the conventional case. Here, when the width of the light-shielding layer is made narrower than the line width of the data line or the scanning line, light leakage due to the non-aligned region of the liquid crystal may occur. Since the microlenses can focus light only on a desired and appropriate area, the light leakage does not occur. As described above, according to the liquid crystal device of the present invention, even when light is shielded from the TFTs forming each pixel and light leakage is prevented in the non-aligned region of the liquid crystal, the light utilization efficiency of the microlens is further improved. Can be
Even if the upper and lower substrates are displaced, a desired aperture ratio can be obtained.

【0013】また、本発明の液晶装置は、一対の第1基
板及び第2基板間に液晶が挟持されてなり、前記第1基
板上には複数のデータ線と、前記複数のデータ線に交差
する複数の走査線と、前記各データ線と前記各走査線に
電気的に接続されたスイッチング素子と、前記各スイッ
チング素子に電気的に接続された画素電極と、蓄積容量
を形成する容量線とを具備し、前記第2基板上には前記
画素電極の個々に対応してマトリクス状に配置された複
数のマイクロレンズと、隣り合うマイクロレンズ間に形
成された遮光層とを具備し、前記遮光層は、平面的に見
て前記容量線と重なるように形成されてなり、隣り合う
マイクロレンズに対応して形成された遮光層の幅は、前
記容量線の線幅よりも細いことを特徴とする。上記構成
によっても、各画素の開口領域に対応して設けられたマ
イクロレンズにより集光される範囲は従来よりも広くな
り、従来よりも光の利用効率が向上することになる。
In the liquid crystal device of the present invention, liquid crystal is sandwiched between a pair of a first substrate and a second substrate, and a plurality of data lines intersect with the plurality of data lines on the first substrate. A plurality of scanning lines, a switching element electrically connected to each data line and each scanning line, a pixel electrode electrically connected to each switching element, and a capacitance line forming a storage capacitor. A plurality of microlenses arranged in a matrix corresponding to each of the pixel electrodes, and a light shielding layer formed between adjacent microlenses on the second substrate. The layer is formed so as to overlap with the capacitance line when seen in a plan view, and the width of the light-shielding layer formed corresponding to the adjacent microlenses is smaller than the line width of the capacitance line. To do. Also with the above configuration, the range where light is condensed by the microlenses provided corresponding to the aperture areas of the respective pixels becomes wider than in the conventional case, and the light utilization efficiency is improved as compared with the conventional case.

【0014】また、前記遮光層は、前記マイクロレンズ
の集光部に沿った開口部と、各マイクロレンズ間の連結
部及び該連結部と前記集光部の間に形成される非集光部
を覆う遮光部とを備えると良い。この構成によれば、遮
光層の開口部の形状は、従来のように、各画素の開口領
域に沿った形状ではなく、マイクロレンズの集光部に沿
った形状であり、当該マイクロレンズによる光の利用効
率を従来に比べて著しく向上させることができる。ま
た、遮光層の遮光部の形状は各マイクロレンズ間の連結
部及び非集光部を覆う形状となっているので、マイクロ
レンズ間の非集光部からの光の洩れを確実に防止し、各
画素の開口領域に対しては、マイクロレンズの集光部か
らの光のみを照射することができる。従って、液晶の非
配向領域による影響を受けない所望の領域にのみ光の照
射を行うことができ、光の洩れのない良好な表示を実現
する。
The light-shielding layer has an opening along the light collecting portion of the microlens, a connecting portion between the microlenses, and a non-light collecting portion formed between the connecting portion and the light collecting portion. And a light-shielding portion that covers the According to this configuration, the shape of the opening of the light shielding layer is not the shape along the opening area of each pixel as in the conventional case, but the shape along the condensing portion of the microlens. The utilization efficiency of can be significantly improved compared to the conventional one. Further, since the shape of the light-shielding portion of the light-shielding layer covers the connecting portion between the microlenses and the non-light-collecting portion, it is possible to reliably prevent light from leaking from the non-light-collecting portion between the microlenses. Only the light from the condensing portion of the microlens can be applied to the opening area of each pixel. Therefore, it is possible to irradiate light only on a desired region which is not affected by the non-aligned region of the liquid crystal, and a good display without light leakage is realized.

【0015】また、前記マイクロレンズは、前記各々の
集光部が、凸状に形成された集光連結部により連結され
ていると良い。
Further, in the microlens, it is preferable that the respective condensing parts are connected by a condensing connecting part formed in a convex shape.

【0016】この構成によれば、前記マイクロレンズ
は、いわゆるマイクロレンズアレイを形成し、各マイク
ロレンズの各々の集光部は、凸状に形成された集光連結
部により連結されている。従って、前記開口領域に入射
する光だけでなく、前記開口領域外に入射する光をも、
前記開口領域に集光させるので、光の利用効率を極めて
高くすることができる。
According to this structure, the microlenses form a so-called microlens array, and the light collecting portions of the respective microlenses are connected by the light collecting and connecting portions formed in a convex shape. Therefore, not only the light incident on the opening area, but also the light entering the outside of the opening area,
Since the light is condensed in the opening region, the light utilization efficiency can be extremely increased.

【0017】また、前記第2の基板は、透明な下地基板
と、該下地基板上に取り付けられ前記液晶と接する透明
なカバー部材とを含み、前記マイクロレンズは、前記下
地基板の前記カバー部材との対向側に形成され、前記遮
光層は、前記カバー部材の前記液晶との接触側に形成さ
れると良い。
Further, the second substrate includes a transparent base substrate and a transparent cover member that is mounted on the base substrate and is in contact with the liquid crystal, and the microlens is the cover member of the base substrate. It is preferable that the light shielding layer is formed on the opposite side of the cover member, and the light shielding layer is formed on the contact side of the cover member with the liquid crystal.

【0018】この構成によれば、前記マイクロレンズ
は、従来のように感光性材料の熱変形のみによって作ら
れるのではなく、その後のエッチング処理により、前記
第2の基板を構成する透明な下地基板に形成されるの
で、光吸収性が極めて低く、従来のように感光性材料に
よって形成される場合に比べて光の利用効率を十分に高
めることができる。また、前記下地基板は温度上昇によ
る軟化等が発生せず、高エネルギーの光に対する使用が
可能である。前記遮光層は前記透明な下地基板に取り付
けられる前記カバー部材に形成されるので、遮光層とマ
イクロレンズの集光部との位置合わせを精度良く行うこ
とができ、光洩れのない高輝度の液晶装置を提供する。
According to this structure, the microlens is not formed only by the thermal deformation of the photosensitive material as in the conventional case, but the transparent base substrate forming the second substrate is formed by the subsequent etching process. Since it is formed in the above, the light absorption property is extremely low, and the light utilization efficiency can be sufficiently enhanced as compared with the case where it is formed of a photosensitive material as in the related art. Further, the base substrate does not soften due to temperature rise, and can be used for high energy light. Since the light-shielding layer is formed on the cover member attached to the transparent base substrate, the light-shielding layer and the condensing portion of the microlens can be accurately aligned with each other, and a high-brightness liquid crystal without light leakage can be obtained. Provide a device.

【0019】また、前記遮光層は、前記第1基板の前記
液晶との対向側の面に形成されると良い。
The light shielding layer may be formed on the surface of the first substrate facing the liquid crystal.

【0020】この構成によれば、前記遮光層は、前記第
1基板の前記液晶との対向側の面に形成されるので、各
画素の開口領域に対して位置精度良く形成され、開口率
を低下させることなく確実な遮光を行うことができる。
According to this structure, since the light shielding layer is formed on the surface of the first substrate facing the liquid crystal, the light shielding layer is formed with high positional accuracy in the opening area of each pixel, and the aperture ratio is improved. It is possible to surely shield light without lowering it.

【0021】本発明の電子機器は、上述した液晶装置を
備えたことを特徴とする。
Electronic equipment of the present invention is characterized by including the above-mentioned liquid crystal device.

【0022】本発明の電子機器によれば、上述した液晶
装置を備えたので、リーク電流及び光洩れがなく、か
つ、マイクロレンズにおける光の利用効率を従来に比べ
て著しく向上させることのできる液晶装置により、高品
位な表示を行うことができる。
According to the electronic equipment of the present invention, since it is provided with the above-mentioned liquid crystal device, there is no leak current and no light leakage, and the liquid crystal can remarkably improve the utilization efficiency of light in the microlens as compared with the conventional liquid crystal. The device enables high-quality display.

【0023】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。
The operation and other advantages of the present invention will be apparent from the embodiments described below.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】(液晶装置の構成)先ず、液晶装置の全体
構成を図1から図3に基づいて説明する。図1は、液晶
装置の実施の形態におけるTFTアレイ基板上に設けら
れた各種配線、周辺回路等の構成を示すブロック図であ
り、図2は、TFTアレイ基板をその上に形成された各
構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図
3は、対向基板を含めて示す図2のH−H’断面図であ
る。
(Structure of Liquid Crystal Device) First, the entire structure of the liquid crystal device will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of various wirings, peripheral circuits, etc. provided on a TFT array substrate in an embodiment of a liquid crystal device, and FIG. 2 is a configuration showing a TFT array substrate formed thereon. FIG. 4 is a plan view seen from the counter substrate side together with the elements, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line HH ′ of FIG. 2 showing the counter substrate.

【0026】図1において、液晶装置200は、例えば
石英基板、ハードガラス等からなるTFTアレイ基板1
を備えている。TFTアレイ基板1上には、マトリクス
状に設けられた複数の画素電極11と、X方向に複数配
列されており各々がY方向に沿って伸びるデータ線35
と、Y方向に複数配列されており各々がX方向に沿って
伸びる走査線31と、各データ線35と画素電極11と
の間に各々介在すると共に該間における導通状態及び非
導通状態を、走査線31を介して各々供給される走査信
号に応じて各々制御するスイッチング素子の一例として
の複数のTFT30とが形成されている。またTFTア
レイ基板1上には、蓄積容量のための配線である容量線
31’(蓄電容量電極)が、走査線31と平行に形成さ
れている。なお、容量線31’は、走査線31と平行に
形成する構成だけでなく、前段の走査線下を利用して蓄
積容量を形成するように構成しても良い。容量線31’
と画素電極11とのにより容量が形成されているが、図
1ではこの容量を省略して図示してある。
In FIG. 1, a liquid crystal device 200 includes a TFT array substrate 1 made of, for example, a quartz substrate or hard glass.
Is equipped with. On the TFT array substrate 1, a plurality of pixel electrodes 11 arranged in a matrix and a plurality of data lines 35 arranged in the X direction and extending in the Y direction.
A plurality of scanning lines 31 arranged in the Y direction, each extending along the X direction, and a scanning line 31 interposed between each data line 35 and the pixel electrode 11, and a conductive state and a non-conductive state therebetween. A plurality of TFTs 30 are formed as an example of switching elements that are controlled according to scanning signals respectively supplied via the scanning lines 31. Further, on the TFT array substrate 1, a capacitance line 31 ′ (storage capacitance electrode) which is a wiring for storage capacitance is formed in parallel with the scanning line 31. Note that the capacitance line 31 ′ may be formed not only in parallel with the scanning line 31 but also under the previous scanning line to form a storage capacitor. Capacitance line 31 '
A capacitance is formed by the pixel electrode 11 and the pixel electrode 11, but this capacitance is omitted in FIG.

【0027】TFTアレイ基板1上には更に、複数のデ
ータ線35に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像
信号に先行して各々供給するプリチャージ回路201
と、画像信号をサンプリングして複数のデータ線35に
各々供給するサンプリング回路301と、データ線駆動
回路101と、走査線駆動回路104とが形成されてい
る。なお、これらの回路は、 TFTアレイ基板1上に
必ず設けられている必要はなく、 TFTアレイ基板1
とは別の基板等に設けるように構成しても良い。また、
プリチャージ回路201とサンプリング回路301は、
本発明に必須の要件ではないが、これらの回路を設ける
と、輝度むら、コントラストむらを無くすのに有利であ
る。
Further, on the TFT array substrate 1, a precharge circuit 201 for supplying a precharge signal of a predetermined voltage level to each of the plurality of data lines 35 prior to the image signal.
And a sampling circuit 301 for sampling an image signal and supplying it to each of the plurality of data lines 35, a data line driving circuit 101, and a scanning line driving circuit 104. Note that these circuits are not necessarily provided on the TFT array substrate 1, and the TFT array substrate 1
It may be configured to be provided on a substrate other than the above. Also,
The precharge circuit 201 and the sampling circuit 301 are
Although not essential to the present invention, provision of these circuits is advantageous in eliminating uneven brightness and uneven contrast.

【0028】走査線駆動回路104は、外部制御回路か
ら供給される電源、基準クロック等に基づいて、所定タ
イミングで走査線31(ゲート電極線)に走査信号をパ
ルス的に線順次で印加する。
The scanning line driving circuit 104 applies a scanning signal to the scanning line 31 (gate electrode line) in a pulse-wise line-sequential manner at a predetermined timing based on a power source, a reference clock, etc. supplied from an external control circuit.

【0029】データ線駆動回路101は、外部制御回路
から供給される電源、基準クロック等に基づいて、走査
線駆動回路104が走査信号を印加するタイミングに合
わせて、6つの画像信号線304に画像信号VID1〜
VID6が供給される際に、6つの画像信号線304の
各々とデータ線の導通を図るべく、データ線35毎にサ
ンプリング回路駆動信号をサンプリング回路301にサ
ンプリング回路駆動信号線306を介して供給する。
The data line driving circuit 101 displays images on the six image signal lines 304 in synchronization with the timing at which the scanning line driving circuit 104 applies a scanning signal based on the power supply, the reference clock, etc. supplied from the external control circuit. Signal VID1
When the VID6 is supplied, a sampling circuit drive signal is supplied to each of the six image signal lines 304 to the sampling circuit 301 via the sampling circuit drive signal line 306 so that the data line is electrically connected to each of the six image signal lines 304. .

【0030】プリチャージ回路201は、TFT202
を各データ線35毎に備えており、プリチャージ信号線
204がTFT202のソース電極に接続されており、
プリチャージ回路駆動信号線206がTFT202のゲ
ート電極に接続されている。そして、プリチャージ信号
線204を介して、外部電源からプリチャージ信号を書
き込むために必要な所定電圧の電源が供給され、プリチ
ャージ回路駆動信号線206を介して、各データ線35
について画像信号に先行するタイミングでプリチャージ
信号を書き込むように、外部制御回路からプリチャージ
回路駆動信号が供給される。プリチャージ回路201
は、好ましくは中間階調レベルの画素データに相当する
プリチャージ信号(画像補充信号)を供給する。
The precharge circuit 201 is a TFT 202.
Is provided for each data line 35, the precharge signal line 204 is connected to the source electrode of the TFT 202,
The precharge circuit drive signal line 206 is connected to the gate electrode of the TFT 202. Then, a power supply of a predetermined voltage required for writing a precharge signal is supplied from an external power supply via the precharge signal line 204, and each data line 35 is supplied via the precharge circuit drive signal line 206.
The precharge circuit drive signal is supplied from the external control circuit so that the precharge signal is written at a timing preceding the image signal. Precharge circuit 201
Preferably supplies a precharge signal (image supplement signal) corresponding to pixel data of the intermediate gradation level.

【0031】サンプリング回路301は、TFT302
を各データ線35毎に備えており、画像信号VID1〜
VID6の供給が行われる画像信号線304が、TFT
302のソース電極に接続されており、サンプリング回
路駆動信号線306がTFT302のゲート電極に接続
されている。そして、画像信号線304を介して、例え
ば6相展開された6つのパラレルな画像信号VID1〜
VID6が入力されると、これらの画像信号VID1〜
VID6をサンプリングする。また、サンプリング回路
駆動信号線306を介して、データ線駆動回路101か
らサンプリング回路駆動信号が入力されると、6つの画
像信号線304各々についてサンプリングされた画像信
号VID1〜VID6を、6つの隣接するデータ線35
毎に順次印加する。即ち、データ線駆動回路101とサ
ンプリング回路301とは、画像信号線304から入力
された6つのパラレルな画像信号VID1〜VID6を
6相展開して、データ線35に供給するように構成され
ている。
The sampling circuit 301 is a TFT 302.
Is provided for each data line 35, and the image signals VID1 to
The image signal line 304 to which the VID6 is supplied is the TFT
The sampling circuit drive signal line 306 is connected to the source electrode of the TFT 302 and the gate electrode of the TFT 302. Then, via the image signal line 304, for example, six parallel image signals VID1 to 6 which are expanded in six phases
When VID6 is input, these image signals VID1 to VID1
Sample VID6. When a sampling circuit drive signal is input from the data line drive circuit 101 via the sampling circuit drive signal line 306, six image signals VID1 to VID6 sampled for each of the six image signal lines 304 are adjacent to each other. Data line 35
It is applied sequentially for each. That is, the data line driving circuit 101 and the sampling circuit 301 are configured to expand the six parallel image signals VID1 to VID6 input from the image signal line 304 into six phases and supply the data signals to the data line 35. .

【0032】尚、画像信号の相展開数には制約がない
が、ビデオ表示させる場合には、RGB各々に画像信号
線が必要なことから、3の倍数で構成すると外部制御回
路が比較的容易に構成できる。また、少なくとも画像信
号の相展開数分だけ画像信号線304が必要なことは言
うまでもない。また、このような相展開を行う構成も、
本発明に必須の要件ではないが、ドットクロックが速い
場合には、画像信号の駆動トランジスタの負荷を軽減で
きるという利点がある。
It should be noted that there is no restriction on the number of phase expansions of the image signal, but when video is displayed, an image signal line is required for each of RGB, so if it is configured by a multiple of 3, the external control circuit is relatively easy. Can be configured to. Needless to say, the image signal lines 304 are required at least for the number of phase expansions of the image signal. In addition, the configuration that performs such phase expansion,
Although not an essential requirement of the present invention, when the dot clock is fast, there is an advantage that the load on the drive transistor of the image signal can be reduced.

【0033】本実施の形態では特に、プリチャージ回路
201及びサンプリング回路301は、図1中斜線領域
で示すように且つ図2及び図3に示すように、対向基板
2に形成された遮光性の周辺見切り53に対向する位置
においてTFTアレイ基板1上に設けられており、デー
タ線駆動回路101及び走査線駆動回路104は、液晶
層50に面しないTFTアレイ基板1の狭く細長い周辺
部分上に設けられている。
In the present embodiment, in particular, the precharge circuit 201 and the sampling circuit 301 have a light-shielding property formed on the counter substrate 2 as shown by the shaded area in FIG. 1 and as shown in FIGS. The data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 are provided on the TFT array substrate 1 at positions facing the peripheral partition 53, and the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 are provided on a narrow and narrow peripheral portion of the TFT array substrate 1 which does not face the liquid crystal layer 50. Has been.

【0034】図2及び図3において、TFTアレイ基板
1の上には、複数の画素電極11により規定される表示
領域(即ち、実際に液晶層50の配向状態変化により画
像が表示される液晶装置の領域)の周囲において両基板
を貼り合わせて液晶層50を包囲するシール部材の一例
としての光硬化性樹脂からなるシール材52が、表示領
域に沿って設けられている。そして、対向基板2上にお
ける表示領域とシール材52との間には、遮光性の周辺
見切り53が設けられている。
2 and 3, on the TFT array substrate 1, a display area defined by a plurality of pixel electrodes 11 (that is, a liquid crystal device in which an image is actually displayed by changing the alignment state of the liquid crystal layer 50). A sealing material 52 made of a photo-curable resin as an example of a sealing member that surrounds the liquid crystal layer 50 by bonding both substrates around the area (1) is provided along the display area. A light-blocking peripheral partition 53 is provided between the display area on the counter substrate 2 and the sealing material 52.

【0035】周辺見切り53は、後に表示領域に対応し
て開口が開けられた遮光性のケースにTFTアレイ基板
1が入れられた場合に、当該表示領域が製造誤差等によ
り当該ケースの開口の縁に隠れてしまわないように、あ
るいは単に表示領域を規定するために、例えばTFTア
レイ基板1のケースに対する数百μm程度のずれを許容
するように、表示領域の周囲に500μm以上の幅を持
つ帯状の遮光性材料から形成されたものである。このよ
うな遮光性の周辺見切り53は、例えば、Cr(クロ
ム)やNi(ニッケル)やAl(アルミニウム)などの
金属材料を用いたスパッタリング、フォトリソグラフィ
及びエッチングにより対向基板2に形成される。或い
は、カーボンやTi(チタン)をフォトレジストに分散
した樹脂ブラックなどの材料から形成される。
When the TFT array substrate 1 is put in a light-shielding case in which an opening is subsequently opened corresponding to the display area, the peripheral partition 53 causes the display area to have an edge of the opening of the case due to a manufacturing error or the like. In order not to be hidden behind the display area or simply to define the display area, for example, a strip having a width of 500 μm or more around the display area so as to allow a shift of several hundreds of μm with respect to the case of the TFT array substrate 1. It is formed from the light shielding material. Such a light-blocking peripheral partition 53 is formed on the counter substrate 2 by sputtering, photolithography, and etching using a metal material such as Cr (chrome), Ni (nickel), and Al (aluminum), for example. Alternatively, it is formed from a material such as resin black in which carbon or Ti (titanium) is dispersed in a photoresist.

【0036】シール材52の外側の領域には、表示領域
の下辺に沿ってデータ線駆動回路101及び実装端子1
02が設けられており、表示領域の左右の2辺に沿って
走査線駆動回路104が表示領域の両側に設けられてい
る。そして、シール材52とほぼ同じ輪郭を持つ対向基
板2が当該シール材52によりTFTアレイ基板1に固
着されている。
In the area outside the sealing material 52, the data line driving circuit 101 and the mounting terminal 1 are arranged along the lower side of the display area.
02 are provided, and the scanning line driving circuits 104 are provided on both sides of the display area along the left and right sides of the display area. The counter substrate 2 having substantially the same contour as the sealing material 52 is fixed to the TFT array substrate 1 by the sealing material 52.

【0037】プリチャージ回路201及びサンプリング
回路301は、基本的に交流駆動の回路である。このた
め、シール材52により包囲され両基板間に挟持された
液晶層50に面するTFTアレイ基板1部分にこれらの
プリチャージ回路201及びサンプリング回路301を
設けても、直流電圧印加による液晶層50の劣化という
問題は生じない。これに対して、データ線駆動回路10
1及び走査線駆動回路104は、液晶層50に面するこ
とのないTFTアレイ基板1の周辺部分に設けられてい
る。従って、液晶層50に、特に直流駆動されるデータ
線駆動回路101や走査線駆動回路104からの直流電
圧成分が、漏れ込んで印加されることを未然に防止でき
る。
The precharge circuit 201 and the sampling circuit 301 are basically AC drive circuits. Therefore, even if the precharge circuit 201 and the sampling circuit 301 are provided in the portion of the TFT array substrate 1 facing the liquid crystal layer 50 surrounded by the sealing material 52 and sandwiched between the two substrates, the liquid crystal layer 50 by applying a DC voltage is provided. The problem of deterioration does not occur. On the other hand, the data line drive circuit 10
1 and the scanning line driving circuit 104 are provided in the peripheral portion of the TFT array substrate 1 that does not face the liquid crystal layer 50. Therefore, it is possible to prevent the DC voltage component from the data line driving circuit 101 or the scanning line driving circuit 104, which is driven by DC, from being leaked and applied to the liquid crystal layer 50.

【0038】そして、このように周辺見切り53下に、
プリチャージ回路201及びサンプリング回路301を
設けることで、走査線駆動回路104やデータ線駆動回
路101をTFTアレイ基板1の周辺部分に余裕を持っ
て形成することができ、特定の仕様に沿うようにこれら
の周辺回路を設計することが容易になる。また、言わば
デッドスペースである周辺見切り53下に、プリチャー
ジ回路201やサンプリング回路301を設けること
で、液晶装置200における有効表示面積の減少を招く
こともなく、同時に、特に周辺見切り53は遮光性であ
るので、表示領域を介して入射される光に対する遮光を
プリチャージ回路201やサンプリング回路301を構
成するTFT202及び302に施す必要も無い。
In this way, below the peripheral parting line 53,
By providing the precharge circuit 201 and the sampling circuit 301, the scanning line drive circuit 104 and the data line drive circuit 101 can be formed in a peripheral portion of the TFT array substrate 1 with a margin, and in accordance with specific specifications. It becomes easy to design these peripheral circuits. In addition, by providing the precharge circuit 201 and the sampling circuit 301 below the peripheral partition 53, which is a so-called dead space, the effective display area of the liquid crystal device 200 is not reduced, and at the same time, especially the peripheral partition 53 is light-shielding. Therefore, it is not necessary to shield the light incident through the display region from the TFTs 202 and 302 that form the precharge circuit 201 and the sampling circuit 301.

【0039】一方、対向基板2において、以上のような
周辺見切り53によって囲まれ、画素電極11がマトリ
クス状に設けられたTFTアレイ基板1の表示領域に対
応する領域には、図3に示すように遮光層23が設けら
れている。この遮光層23は、前述の周辺見切り53と
同様に、CrやNiなどの金属材料を用いたスパッタリ
ング、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成さ
れ、あるいカーボンやTiをフォトレジストに分散した
樹脂ブラックなどの材料から形成される。遮光層23
は、このような材料で形成されると共に、TFTアレイ
基板1のTFT30のp−Si(ポリシリコン)層32
を覆う位置に設けられ、 p−Si(ポリシリコン)層
32当該に対する遮光を行って、リーク電流の発生を防
止している。
On the other hand, in the counter substrate 2, a region corresponding to the display region of the TFT array substrate 1 in which the pixel electrodes 11 are provided in a matrix shape and surrounded by the peripheral partition 53 as described above is shown in FIG. Is provided with a light shielding layer 23. This light-shielding layer 23 is formed by sputtering, photolithography, and etching using a metal material such as Cr or Ni, similarly to the above-mentioned peripheral parting 53, or is made of resin black or the like in which carbon or Ti is dispersed in a photoresist. Formed from material. Light-shielding layer 23
Is formed of such a material, and the p-Si (polysilicon) layer 32 of the TFT 30 of the TFT array substrate 1 is formed.
The p-Si (polysilicon) layer 32 is provided at a position to cover the p.

【0040】また、遮光層23は、コントラストの向
上、色材の混色防止などの機能を有する。つまり、液晶
層50は、画素電極11に対する電圧の印加により配光
状態が変化する性質を有するが、画像電極11の表面に
接する全ての液晶層50が一様に等しい配光状態となる
のではなく、画素電極11の周縁側ほど所望の配光状態
に至らない、いわゆる非配光領域が存在する。例えば、
画素電極11に対する電圧印加時に不透過状態となるノ
ーマリーホワイトモードであれば、電圧を印加した場合
でも、画素電極11の周縁部側に光が抜ける部分が生じ
る。その結果、液晶装置を図2のように平面視した場
合、即ち図3における矢印D方向から見た場合には、前
記光が抜ける部分だけが白色に見えるため、表示領域全
域を黒色にすることができず、画像品位を低下させる原
因となっていた。
Further, the light shielding layer 23 has functions of improving contrast, preventing color mixture of color materials, and the like. That is, the liquid crystal layer 50 has a property that the light distribution state changes by the application of a voltage to the pixel electrode 11, but all the liquid crystal layers 50 in contact with the surface of the image electrode 11 have the same light distribution state. In other words, there is a so-called non-light distribution region in which the desired light distribution state is not reached toward the periphery of the pixel electrode 11. For example,
In the normally white mode in which the pixel electrode 11 is in a non-transmissive state when a voltage is applied to the pixel electrode 11, even if a voltage is applied, a portion through which light is emitted occurs on the peripheral side of the pixel electrode 11. As a result, when the liquid crystal device is viewed in plan as shown in FIG. 2, that is, when viewed from the direction of arrow D in FIG. 3, only the part through which the light passes appears white, so the entire display area should be black. Was not possible, which was a cause of deterioration of image quality.

【0041】そこで、各画素における画像表示用の開口
領域を確保しつつ、上述のような非配光部を覆うため
に、前記遮光層23が用いられており、コントラストの
均一化と、混色の防止が図られている。
Therefore, the light-shielding layer 23 is used to cover the non-light distribution portion as described above while ensuring the opening area for image display in each pixel, and to make the contrast uniform and to mix colors. It is being prevented.

【0042】(マイクロレンズの構成)しかしながら、
前記遮光層23に前記非配向部を覆う部分を設けるとい
うことは、その分だけ開口領域が狭められることを意味
しており、開口率の低下を招くことになる。
(Structure of Microlens) However,
Providing the light-shielding layer 23 with a portion that covers the non-oriented portion means that the opening region is narrowed by that amount, which causes a reduction in the aperture ratio.

【0043】そこで、本実施形態においては、対向基板
2における前記遮光層23の各開口領域に対応した位置
に、マイクロレンズ62を各々設けることにより、光源
から照射される光を各マイクロレンズ62で画素領域に
各々集光し、それによって各画素の実効的な開口率を向
上させ、表示画面を明るくする構成となっている。
Therefore, in the present embodiment, by providing the microlenses 62 at the positions corresponding to the respective opening regions of the light shielding layer 23 on the counter substrate 2, the light emitted from the light source is emitted by the respective microlenses 62. The light is focused on each pixel area, thereby improving the effective aperture ratio of each pixel and brightening the display screen.

【0044】本実施形態においては、マイクロレンズ6
2の形成されている位置は、図3の丸印Aで示す部分の
拡大図である図4に示すように、対向基板2を構成する
下地基板2aのTFTアレイ基板側の表面である。本実
施形態においては、図4の丸印Bの部分の拡大図である
図5に示すように、この下地基板2aの前記表面側に、
カバーガラス2bを取り付けており、前記遮光層23は
このカバーガラス2bのTFTアレイ基板1側の表面に
形成される。そして、マイクロレンズ62と遮光層23
の位置関係は、図7に示すように設定されており、マイ
クロレンズ62は、遮光層23の開口領域に対する集光
が可能な位置に形成される。
In this embodiment, the microlens 6
The position where 2 is formed is, as shown in FIG. 4, which is an enlarged view of the portion indicated by the circle A in FIG. 3, the surface of the base substrate 2a forming the counter substrate 2 on the TFT array substrate side. In the present embodiment, as shown in FIG. 5, which is an enlarged view of the portion indicated by the circle B in FIG. 4, on the front surface side of this base substrate 2a,
A cover glass 2b is attached, and the light shielding layer 23 is formed on the surface of the cover glass 2b on the TFT array substrate 1 side. Then, the microlens 62 and the light shielding layer 23
The positional relationship of is set as shown in FIG. 7, and the microlens 62 is formed at a position where light can be condensed on the opening region of the light shielding layer 23.

【0045】本実施形態においては、マイクロレンズ6
2は各画素領域に一対一に対応するようにマトリクス状
に設けられており、全ての画素の実効的な開口率を高く
して、液晶装置の輝度を一様に高くするように構成され
ている。
In this embodiment, the microlens 6
2 are arranged in a matrix so as to correspond one-to-one to each pixel region, and are configured to increase the effective aperture ratio of all pixels and uniformly increase the brightness of the liquid crystal device. There is.

【0046】また、本実施形態のマイクロレンズ62は
単に感光性材料を熱変形させるだけではなく、当該変形
後にエッチング処理を行うことによりネオセラム等の下
地基板2aに形成したものであり、光吸収性が極めて少
なく、光の利用効率を従来よりも高くすることができる 更に、マイクロレンズ62は、ネオセラム等の下地基板
2aに形成しているので、感光性材料のみで形成する場
合に比べて、光吸収による温度上昇、更には温度上昇に
よる軟化等が生じないため、高エネルギーの光に対して
も使用可能である。
Further, the microlens 62 of this embodiment is formed not only by thermally deforming the photosensitive material but also by performing an etching process after the deformation, on the base substrate 2a such as neoceram. Since the microlens 62 is formed on the base substrate 2a such as neoceram, the light utilization efficiency is higher than that of the conventional one. Since temperature rise due to absorption and further softening due to temperature rise do not occur, it can be used for high energy light.

【0047】しかも、上述したように、本実施形態にお
けるマイクロレンズ62は、図6に示すように、マトリ
クス状に配置された各マイクロレンズを集光性のある凸
状の連結部64により連結したマイクロレンズアレイと
なっているので、この連結部64によっても開口領域に
対する集光が行われ、光の利用効率を十分に高くするこ
とができる。
Moreover, as described above, in the microlens 62 in this embodiment, as shown in FIG. 6, the microlenses arranged in a matrix are connected by the convex connecting portion 64 having a light-collecting property. Since it is a microlens array, the connection portion 64 also collects light on the opening region, and the light utilization efficiency can be sufficiently increased.

【0048】しかしながら、従来の遮光層23は、図8
に示すように、TFTアレイ基板1のデータ線に対応す
る部分の幅は当該データ線の線幅と同じかまたは大きく
形成されており、走査線あるいは容量線に対応する部分
の幅は当該走査線あるいは容量線の線幅と同じかまたは
大きく形成されていたため、TFTアレイ基板1と対向
基板2との貼り合わせの際に位置ずれが生じると、前記
開口領域を減少させ、前記マイクロレンズ62の光の利
用効率を減少させるという問題があった。
However, the conventional light-shielding layer 23 is similar to that shown in FIG.
As shown in, the width of the portion corresponding to the data line of the TFT array substrate 1 is formed to be equal to or larger than the line width of the data line, and the width of the portion corresponding to the scanning line or the capacitance line is set to the scanning line. Alternatively, because the line width of the capacitance line is the same as or larger than the line width of the capacitance line, when the TFT array substrate 1 and the counter substrate 2 are misaligned during bonding, the opening area is reduced and the light of the microlens 62 is reduced. There was a problem of reducing the utilization efficiency of.

【0049】そこで、本実施形態では、図7に示すよう
に、対向基板2に設ける遮光層23の幅を上述したよう
にデータ線または走査線あるいは容量線の線幅よりも狭
く形成し、開口領域の開口率を増大することにより、
TFTアレイ基板1と対向基板2の位置ずれが生じた場
合でも、従来よりもマイクロレンズ62による光の利用
効率を向上させるように構成されている。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 7, the width of the light shielding layer 23 provided on the counter substrate 2 is made narrower than the line width of the data line or the scanning line or the capacitance line as described above, and the opening is formed. By increasing the aperture ratio of the area,
Even if the TFT array substrate 1 and the counter substrate 2 are displaced from each other, the light utilization efficiency of the microlens 62 is improved as compared with the conventional case.

【0050】つまり、本実施形態の構成を示す図7と従
来の構成を示す図8を比較すると明らかなように、図7
に示す本実施形態では、データ線あるいは容量線または
走査線より狭い幅の遮光層23を用いているため、マイ
クロレンズ62により集光が行われる各画素の開口領域
は、図8に示す従来に比べて著しく多くなっており、マ
イクロレンズ62の前記集光に寄与できる領域が従来よ
りも広がっていることがわかる。
That is, as is clear from comparison between FIG. 7 showing the configuration of the present embodiment and FIG. 8 showing the conventional configuration, FIG.
In the present embodiment shown in FIG. 8, since the light-shielding layer 23 having a width narrower than that of the data line, the capacitance line, or the scanning line is used, the aperture area of each pixel where the light is condensed by the microlens 62 is different from the conventional one shown in FIG. It can be seen that the area is significantly larger than that of the conventional one, and the area of the microlens 62 that can contribute to the light condensing is wider than before.

【0051】この様子を図9に示す。図9から明らかな
よう、点線で示す従来の幅の遮光層23を用いた場合に
は、この遮光層23の開口部幅であるW1を基準として
マイクロレンズのレンズ特性を決定する必要があり、図
9に点線で示すような範囲で集光を行っていた。
This state is shown in FIG. As is clear from FIG. 9, when the light shielding layer 23 having the conventional width shown by the dotted line is used, it is necessary to determine the lens characteristics of the microlens with reference to the opening width W1 of the light shielding layer 23. The light was collected in the range shown by the dotted line in FIG.

【0052】しかし、図9に実線で示す本実施形態の遮
光層23の場合には、その幅がデータ線31の線幅より
も狭いため、データ線35により規定される開口領域幅
w2を基準としてマイクロレンズアレイ62のレンズ特
性を決定することができるため、従来よりも焦点距離の
長いマイクロレンズ62を用いることができ、マイクロ
レンズ62の光の利用効率を従来よりも著しく高くする
ことができる。
However, in the case of the light shielding layer 23 of the present embodiment shown by the solid line in FIG. 9, since the width thereof is narrower than the line width of the data line 31, the opening region width w2 defined by the data line 35 is used as a reference. Since the lens characteristics of the microlens array 62 can be determined as described above, the microlens 62 having a longer focal length than that of the related art can be used, and the light utilization efficiency of the microlens 62 can be significantly higher than that of the related art. .

【0053】本実施形態では、TFTアレイ基板1と対
向基板2の間隔を4μm、図9に示すようにデータ線3
5との差分t1を1〜1.3μmに設定した場合には、
集光部の直径が26μm、焦点距離80μmのマイクロ
レンズを用いることができた。
In this embodiment, the distance between the TFT array substrate 1 and the counter substrate 2 is 4 μm, and the data line 3 is provided as shown in FIG.
When the difference t1 from 5 is set to 1 to 1.3 μm,
It was possible to use a microlens having a diameter of the light collecting portion of 26 μm and a focal length of 80 μm.

【0054】マイクロレンズを用いると、従来50%程
度だった開口率を、70%程度まで上昇させることがで
きるが、本実施形態のように、対向基板2の遮光層23
の幅を設定すると、更に5%程度開口率を上昇させるこ
とができる。
By using a microlens, the aperture ratio, which was conventionally about 50%, can be increased to about 70%. However, as in the present embodiment, the light shielding layer 23 of the counter substrate 2 is used.
If the width is set, the aperture ratio can be further increased by about 5%.

【0055】現在の段階では、パターン設計上の改良に
よる開口率の上昇率は1割程度が限界とされているの
で、本実施形態の構成は開口率の上昇に対して極めて有
効であると言うこができる。
At the present stage, the increase rate of the aperture ratio due to the improvement in the pattern design is limited to about 10%, so that the structure of this embodiment is extremely effective for the increase of the aperture ratio. I can do it.

【0056】なお、本実施形態のように対向基板2の遮
光層23を構成した場合には、液晶の非配向領域による
光洩れの対策が困難になるとも考えられるが、マイクロ
レンズ62のレンズ特性を適宜設定することにより、液
晶の配向領域にのみ集光が行われるように構成すること
ができるため、前記光洩れを確実に防止することができ
る。
When the light-shielding layer 23 of the counter substrate 2 is formed as in the present embodiment, it may be difficult to prevent light leakage due to the non-aligned region of the liquid crystal, but the lens characteristics of the microlens 62. By appropriately setting, the light can be condensed only in the alignment region of the liquid crystal, so that the light leakage can be surely prevented.

【0057】従って、本実施形態のように構成する場合
には、開口領域の所定領域にのみ集光が行われるように
マイクロレンズ62のレンズ特性を設定する必要があ
る。例えば、マイクロレンズの焦点距離は、マイクロレ
ンズの曲率半径、画素ピッチ、光の入射角、投射レンズ
F値、あるいはカバーガラス2bの厚さ等に基づいて設
定される。
Therefore, in the case of the configuration of this embodiment, it is necessary to set the lens characteristics of the microlens 62 so that the light is condensed only in a predetermined area of the opening area. For example, the focal length of the microlens is set based on the radius of curvature of the microlens, the pixel pitch, the incident angle of light, the F value of the projection lens, the thickness of the cover glass 2b, and the like.

【0058】なお、遮光層23の形状は、図7に示した
形状に限られるのではなく、図10に示すようにマイク
ロレンズ62間の連結部長さが微少に形成されたレンズ
の場合には、遮光層23の開口部をマイクロレンズ62
の円形状に沿った形状とすることができる。一方、遮光
層23の遮光部もマイクロレンズ62に沿った形状とな
っている。このような遮光層23を用いれば、おり、マ
イクロレンズ62間に形成される非集向領域を確実に遮
光することができる。従って、マイクロレンズ62に集
光されない迷候が開口領域に入射されることがなく、リ
ーク電流の発生等を確実に抑えることができる。
The shape of the light-shielding layer 23 is not limited to the shape shown in FIG. 7, but in the case of a lens in which the length of the connecting portion between the microlenses 62 is minutely formed as shown in FIG. , The opening of the light-shielding layer 23 through the microlens 62
The shape can follow the circular shape. On the other hand, the light-shielding portion of the light-shielding layer 23 also has a shape along the microlens 62. By using such a light-shielding layer 23, it is possible to reliably shield the non-collecting region formed between the microlenses 62 from light. Therefore, a stray light that is not condensed by the microlens 62 does not enter the opening region, and it is possible to reliably suppress the generation of leak current and the like.

【0059】(液晶装置の構成)次に、以上のような遮
光層23の幅とデータ線、走査線、あるいは容量線の線
幅との関係を液晶装置の構成と共に図11乃至図14を
用いて更に詳しく説明する。
(Structure of Liquid Crystal Device) Next, the relationship between the width of the light shielding layer 23 and the line width of the data line, the scanning line or the capacitance line as described above will be described with reference to FIGS. 11 to 14 together with the structure of the liquid crystal device. Will be described in more detail.

【0060】本実施形態における遮光層23は、図11
に斜線で示すような形状に形成されている。図11はT
FTアレイ基板1の表示領域の一部を拡大した平面図で
あり、理解を容易にするために、対向基板2に形成され
た遮光層23を重ねて記載してある。
The light-shielding layer 23 in this embodiment is shown in FIG.
It is formed in the shape shown by the diagonal lines. Figure 11 is T
FIG. 3 is an enlarged plan view of a part of the display area of the FT array substrate 1, and the light-shielding layer 23 formed on the counter substrate 2 is overlapped and described for easy understanding.

【0061】図11に示すように、TFTアレイ基板1
上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極11が設
けられており、画素電極11の縦横の境界に各々沿って
データ線35、走査線31及び容量線31’が設けられ
ている。そして、遮光層23は、図11に示すように、
金属等により形成された遮光性のデータ線35やポリシ
リコン等からなる走査線31、更には走査線31と同一
工程で形成される容量線31’と重なる位置に設けられ
ている。また、各画素の開口領域は、データ線35、走
査線31、及び容量線31’により規定されている。
As shown in FIG. 11, the TFT array substrate 1
A plurality of transparent pixel electrodes 11 are provided in a matrix above, and the data lines 35, the scanning lines 31, and the capacitance lines 31 ′ are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrodes 11. Then, the light shielding layer 23, as shown in FIG.
The light-shielding data line 35 made of metal or the like, the scanning line 31 made of polysilicon or the like, and the capacitor line 31 ′ formed in the same step as the scanning line 31 are provided so as to overlap with each other. The opening area of each pixel is defined by the data line 35, the scanning line 31, and the capacitance line 31 ′.

【0062】この遮光層23の幅と、データ線35また
は走査線31の線幅との関係は、図12乃至図14の断
面図に示すようになっている。図12は図11のA−
A’断面を対向基板等と共に示す液晶装置100の断面
図であり、図13は、図11のB−B’断面を対向基板
等と共に示す液晶装置100の断面図である。
The relationship between the width of the light shielding layer 23 and the line width of the data line 35 or the scanning line 31 is as shown in the sectional views of FIGS. FIG. 12 is A- of FIG.
FIG. 13 is a cross-sectional view of the liquid crystal device 100 showing the A ′ cross section together with the counter substrate and the like, and FIG. 13 is a cross sectional view of the liquid crystal device 100 showing the BB ′ cross section of FIG. 11 together with the counter substrate and the like.

【0063】図12に示すように、TFTアレイ基板1
は、例えば石英基板からなり、対向基板2は、例えばガ
ラス基板からなる。TFTアレイ基板1には、画素電極
11が設けられており、その上側には、ラビング処理等
の所定の配向処理が施された配向膜12が設けられてい
る。画素電極11は例えば、ITO膜(インジウム・テ
ィン・オキサイド膜)などの透明導電性薄膜からなる。
また配向膜12は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄
膜からなる。
As shown in FIG. 12, the TFT array substrate 1
Is made of, for example, a quartz substrate, and the counter substrate 2 is made of, for example, a glass substrate. A pixel electrode 11 is provided on the TFT array substrate 1, and an alignment film 12 that has been subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided above the pixel electrode 11. The pixel electrode 11 is made of, for example, a transparent conductive thin film such as an ITO film (indium tin oxide film).
The alignment film 12 is made of an organic thin film such as a polyimide thin film.

【0064】他方、対向基板2には、その全面に渡って
共通電極21が設けられており、その下側には、ラビン
グ処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設け
られている。共通電極21は例えば、ITO膜などの透
明導電性薄膜からなる。また配向膜22は、ポリイミド
薄膜などの有機薄膜からなる。
On the other hand, a common electrode 21 is provided over the entire surface of the counter substrate 2, and an alignment film 22 subjected to a predetermined alignment treatment such as rubbing treatment is provided below the common electrode 21. There is. The common electrode 21 is made of, for example, a transparent conductive thin film such as an ITO film. The alignment film 22 is made of an organic thin film such as a polyimide thin film.

【0065】TFTアレイ基板1には、図12に示すよ
うに、各画素電極11に隣接する位置に、各画素電極1
1をスイッチング制御するTFT30が設けられてい
る。そして、対向基板2の遮光層23は、 図12から
図14に示すように、このTFT30のチャネル層3
2、遮光性のデータ線35、あるいはシリシリコン等か
らなる走査線31もしくは容量線31’の上方に位置す
るように配置されており、チャネル層32等に対する遮
光を行ってリーク電流の発生を防止している。また、画
素電極11とデータ線35等との境界付近に生じる液晶
の非配向領域を覆うことにより、光洩れの発生を防止し
ている。
As shown in FIG. 12, on the TFT array substrate 1, each pixel electrode 1 is provided at a position adjacent to each pixel electrode 11.
A TFT 30 that controls switching of 1 is provided. Then, as shown in FIGS. 12 to 14, the light-shielding layer 23 of the counter substrate 2 includes the channel layer 3 of the TFT 30.
2. The light-shielding data line 35 or the scanning line 31 or the capacitance line 31 'made of silicon or the like is arranged above the channel layer 32 or the like to prevent light leakage. is doing. Further, by covering the non-alignment region of the liquid crystal generated near the boundary between the pixel electrode 11 and the data line 35, the occurrence of light leakage is prevented.

【0066】このように構成され、画素電極11と共通
電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基
板1と対向基板2との間には、上述のシール材52によ
り囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層50が形成さ
れる。液晶層50は、画素電極11からの電界が印加さ
れていない状態で配向膜12及び22により所定の配向
状態を採る。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネ
マティック液晶を混合した液晶からなる。シール材52
は、二つの基板1及び2をそれらの周辺で貼り合わせる
ための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接
着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのスペ
ーサが混入されている。
A space surrounded by the above-mentioned sealing material 52 is provided between the TFT array substrate 1 and the counter substrate 2 which are arranged as described above and are arranged so that the pixel electrode 11 and the common electrode 21 face each other. A liquid crystal is enclosed and a liquid crystal layer 50 is formed. The liquid crystal layer 50 adopts a predetermined alignment state by the alignment films 12 and 22 in a state where the electric field from the pixel electrode 11 is not applied. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, liquid crystal in which one kind or several kinds of nematic liquid crystals are mixed. Seal material 52
Is an adhesive made of, for example, a photo-curing resin or a thermosetting resin for bonding the two substrates 1 and 2 around their periphery, and a spacer for mixing the two substrates 1 and 2 with a predetermined distance is mixed. Has been done.

【0067】なお、TFT30は、走査線31(ゲート
電極)、走査線31からの電界によりチャネルが形成さ
れるチャネル領域32を含む半導体層、走査線31とチ
ャネル領域32とを絶縁するゲート絶縁層33、半導体
層に形成されたソース領域34、データ線35(ソース
電極)、及び半導体層に形成されたドレイン領域36を
備えている。ドレイン領域36には、複数の画素電極1
1のうちの対応する一つが接続されている。ソース領域
34及びドレイン領域36は後述のように、半導体層に
対し、n型又はp型のチャネルを形成するかに応じて所
定濃度のn型用又はp型用のドーパントをドープするこ
とにより形成されている。n型チャネルのTFTは、動
作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素
子であるTFT30として用いられることが多い。本実
施の形態では特にデータ線35(ソース電極)は、Al
等の金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の
薄膜から構成されている。また、走査線31(ゲート電
極)、ゲート絶縁層33及び第1層間絶縁層41の上に
は、ソース領域34へ通じるコンタクトホール37及び
ドレイン領域36へ通じるコンタクトホール38が各々
形成された第2層間絶縁層42が形成されている。この
ソース領域34へのコンタクトホール37を介して、デ
ータ線35(ソース電極)はソース領域34に電気的接
続されている。更に、データ線35(ソース電極)及び
第2層間絶縁層42の上には、ドレイン領域36へのコ
ンタクトホール38が形成された第3層間絶縁層43が
形成されている。このドレイン領域36へのコンタクト
ホール38を介して、画素電極11はドレイン領域36
に電気的接続されている。前述の画素電極11は、この
ように構成された第3層間絶縁層43の上面に設けられ
ている。
The TFT 30 includes a scanning line 31 (gate electrode), a semiconductor layer including a channel region 32 in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 31, and a gate insulating layer that insulates the scanning line 31 from the channel region 32. 33, a source region 34 formed in the semiconductor layer, a data line 35 (source electrode), and a drain region 36 formed in the semiconductor layer. The drain region 36 has a plurality of pixel electrodes 1
Corresponding one of the 1 is connected. The source region 34 and the drain region 36 are formed by doping the semiconductor layer with a predetermined concentration of n-type or p-type dopant depending on whether an n-type or p-type channel is formed, as described later. Has been done. The n-type channel TFT has an advantage of high operation speed and is often used as the TFT 30 which is a pixel switching element. In this embodiment, especially the data line 35 (source electrode) is made of Al.
And a light-shielding thin film such as an alloy film of metal silicide or the like. A second contact hole 37 is formed on the scanning line 31 (gate electrode), the gate insulating layer 33, and the first interlayer insulating layer 41. The contact hole 37 communicates with the source region 34 and the contact hole 38 communicates with the drain region 36. The interlayer insulating layer 42 is formed. The data line 35 (source electrode) is electrically connected to the source region 34 through the contact hole 37 to the source region 34. Furthermore, a third interlayer insulating layer 43 having a contact hole 38 to the drain region 36 is formed on the data line 35 (source electrode) and the second interlayer insulating layer 42. The pixel electrode 11 is connected to the drain region 36 through the contact hole 38 to the drain region 36.
Is electrically connected to. The above-mentioned pixel electrode 11 is provided on the upper surface of the third interlayer insulating layer 43 thus configured.

【0068】TFT30は、好ましくはLDD(Lig
htly Doped Drain)構造を持つ。但
し、TFT30は、オフセット構造を持ってよいし、セ
ルフアライン型のTFTであってもよい。
The TFT 30 is preferably LDD (Lig).
It has an “Htly Doped Drain” structure. However, the TFT 30 may have an offset structure or may be a self-aligned type TFT.

【0069】ここで、一般には、チャネルが形成される
p−Si層からなるチャネル領域32は、光が入射する
とp−Siが有する光電変換効果により光電流が発生し
てしまいTFT30のトランジスタ特性が劣化するが、
本実施の形態では、上述したように、対向基板2に設け
られた遮光層23によりチャネル領域32を覆うと共
に、走査線31(ゲート電極)を上側から覆うようにデ
ータ線35(ソース電極)がAl等の遮光性の金属薄膜
から形成されているので、チャネル領域32への投射光
(即ち、図12乃至図14で上側からの光)の入射を効
果的に防ぐことが出来る。
Here, in general, in the channel region 32 formed of a p-Si layer in which a channel is formed, a photocurrent is generated due to the photoelectric conversion effect of p-Si when light is incident, and the transistor characteristics of the TFT 30 are thus reduced. Deteriorates,
In the present embodiment, as described above, the light-shielding layer 23 provided on the counter substrate 2 covers the channel region 32, and the data line 35 (source electrode) covers the scanning line 31 (gate electrode) from above. Since it is formed of a light-shielding metal thin film such as Al, it is possible to effectively prevent the projection light (that is, the light from the upper side in FIGS. 12 to 14) from entering the channel region 32.

【0070】本実施の形態では特に、図11において、
対向基板2に形成した遮光層23から走査線31に沿っ
た方向についての各画素の開口領域が規定されており、
遮光性のデータ線35からデータ線35に沿った方向に
ついての各画素の開口領域が規定されており、対向基板
2側の遮光層23及びデータ線35は、TFT30のチ
ャネル領域32に対する遮光の他に、コントラストの向
上、色材の混色防止などの機能を有する。より具体的に
は、画素電極11は、図11から図14に示すように、
対向基板2の側から見て、その縁11aが遮光性のデー
タ線35に僅かに重なるように構成されている。データ
線35は、図13に示すように、対向基板2側の遮光層
23部分よりも若干幅広に形成されている。
Particularly in this embodiment, in FIG.
An opening region of each pixel in the direction along the scanning line 31 from the light shielding layer 23 formed on the counter substrate 2 is defined,
The opening area of each pixel in the direction from the light-shielding data line 35 to the data line 35 is defined, and the light-shielding layer 23 and the data line 35 on the side of the counter substrate 2 shield the channel region 32 of the TFT 30 as well as light. In addition, it has functions of improving contrast and preventing color mixture of color materials. More specifically, the pixel electrode 11 is, as shown in FIGS.
When viewed from the side of the counter substrate 2, the edge 11a thereof is configured to slightly overlap the light-shielding data line 35. As shown in FIG. 13, the data line 35 is formed slightly wider than the portion of the light shielding layer 23 on the counter substrate 2 side.

【0071】そして、対向基板2に設けられた遮光層2
3は、図12から図14に示すように、対向基板2の側
から見てデータ線35よりも、その輪郭がデータ線35
の内部に後退している。
The light-shielding layer 2 provided on the counter substrate 2
As shown in FIGS. 12 to 14, the contour 3 of the data line 3 has a contour more than that of the data line 35 as viewed from the counter substrate 2 side.
Is receding inside.

【0072】即ち、図12に示すように、遮光層23の
輪郭は、対向基板2の側から見てデータ線35よりも、
幅LAだけデータ線35の内部に後退している。図13
に示すように、遮光層23の輪郭は、対向基板2の側か
ら見てデータ線35よりも、幅LBだけデータ線35の
内部に後退している。また、図14に示すように、遮光
層23の輪郭は、対向基板2の側から見て内部遮光層3
よりも、幅LCだけ内部遮光層3の内部に後退してい
る。このように遮光層23を構成することにより、例え
ば両基板の位置合わせ精度が1μm程度しか得られなく
ても、或いは遮光層23の寸法精度が1μm程度しか得
られなくても、遮光層23が開口領域に食み出して各画
素における開口率が低下したり不均一になったりする事
態を防止できる。従って、特に両基板間の位置ずれが少
しでも開口率への影響が非常に大きい超高精細パネルに
適用すると、本実施の形態は極めて有利である。
That is, as shown in FIG. 12, the outline of the light-shielding layer 23 is more than that of the data line 35 when viewed from the counter substrate 2 side.
The width LA recedes inside the data line 35. FIG.
As shown in, the contour of the light shielding layer 23 is recessed into the data line 35 by the width LB as compared with the data line 35 when viewed from the counter substrate 2 side. Further, as shown in FIG. 14, the outline of the light shielding layer 23 is such that the inner light shielding layer 3 is seen from the counter substrate 2 side.
Rather, it is recessed into the inner light-shielding layer 3 by the width LC. By configuring the light-shielding layer 23 in this way, for example, even if the alignment accuracy of both substrates is only about 1 μm or the dimensional accuracy of the light-shielding layer 23 is about 1 μm, the light-shielding layer 23 is It is possible to prevent a situation in which the aperture ratio in each pixel is lowered or becomes uneven due to protruding into the aperture region. Therefore, this embodiment is extremely advantageous especially when applied to an ultra-high-definition panel that has a great influence on the aperture ratio even if the positional displacement between both substrates is small.

【0073】しかも、遮光層23の幅をこのように構成
することにより、従来よりも開口領域を大きくとること
ができ、上述したようにマイクロレンズ62の光の利用
効率を著しく向上させることができる。
Moreover, by configuring the width of the light shielding layer 23 in this way, the opening area can be made larger than in the conventional case, and the light utilization efficiency of the microlens 62 can be remarkably improved as described above. .

【0074】なお、本実施形態の液晶装置においては、
図12乃至図14に示すように、TFT30に各々対向
する位置においてTFTアレイ基板1と複数のTFT3
0との間には、例えばWSi(タングステンシリサイ
ド)からなる内部遮光層3が各々設けられている。内部
遮光層3は、好ましくは不透明な高融点金属であるT
i、Cr、W、Ta、Mo及びPdのうちの少なくとも
一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構
成される。このような材料から構成すれば、TFTアレ
イ基板1上の内部遮光層3の形成工程の後に行われるT
FT30の形成工程における高温処理により、内部遮光
層3が破壊されたり溶融しないようにできる。
In the liquid crystal device of this embodiment,
As shown in FIG. 12 to FIG. 14, the TFT array substrate 1 and the plurality of TFTs 3 are provided at positions facing the TFTs 30, respectively.
Internal light-shielding layers 3 made of, for example, WSi (tungsten silicide) are provided between the respective layers and 0. The inner light-shielding layer 3 is preferably an opaque refractory metal, T
It is composed of a simple metal, an alloy, a metal silicide or the like containing at least one of i, Cr, W, Ta, Mo and Pd. With such a material, T which is performed after the step of forming the internal light shielding layer 3 on the TFT array substrate 1 is performed.
The high temperature treatment in the step of forming the FT 30 can prevent the internal light shielding layer 3 from being broken or melted.

【0075】更に、内部遮光層3と複数のTFT30と
の間には、第1層間絶縁層41が設けられている。第1
層間絶縁層41は、TFT30を構成するチャネル領域
32を内部遮光層3から電気的絶縁するために設けられ
るものである。更に、第1層間絶縁層41は、TFTア
レイ基板1の全面に形成されることにより、TFT30
のための下地膜としての機能をも有する。即ち、TFT
アレイ基板1の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に
残る汚れ等でTFT30の特性の劣化を防止する機能を
有する。
Further, a first interlayer insulating layer 41 is provided between the internal light shielding layer 3 and the plurality of TFTs 30. First
The interlayer insulating layer 41 is provided to electrically insulate the channel region 32 forming the TFT 30 from the internal light shielding layer 3. Further, the first interlayer insulating layer 41 is formed on the entire surface of the TFT array substrate 1, so that the TFT 30
Also has a function as a base film. That is, TFT
It has a function of preventing deterioration of the characteristics of the TFT 30 due to roughness of the surface of the array substrate 1 during polishing, stains remaining after cleaning, and the like.

【0076】なお、第1層間絶縁層41は、例えば、N
SG(ノンドープトシリケートガラス)、PSG(リン
シリケートガラス)、BSG(ボロンシリケートガラ
ス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラス)などの
高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜等からなる。
The first interlayer insulating layer 41 is, for example, N
It is made of highly insulating glass such as SG (non-doped silicate glass), PSG (phosphorus silicate glass), BSG (boron silicate glass), BPSG (boron phosphosilicate glass), or a silicon oxide film.

【0077】本実施形態では、対向基板2側の遮光層2
3だけでなく、TFT30の下側には、内部遮光層3が
設けられているので、チャネル領域32への戻り光(即
ち、図12乃至図14で下側からの光)の入射を効果的
に防ぐことが出来る。しかも、対向基板2の遮光層23
により、投射光が遮光層3に対向基板2の側から直接入
射した後に迷光としてチャネル領域32に入射すること
も防止される。
In the present embodiment, the light shielding layer 2 on the counter substrate 2 side
In addition to 3, the internal light-shielding layer 3 is provided below the TFT 30, so that the return light (that is, the light from the lower side in FIGS. 12 to 14) is effectively incident on the channel region 32. Can be prevented. Moreover, the light shielding layer 23 of the counter substrate 2
This prevents the projected light from directly entering the light shielding layer 3 from the counter substrate 2 side and then entering the channel region 32 as stray light.

【0078】尚、図11及び図14に示すように、TF
T30以外の領域においても、データ線35に沿ってデ
ータ線35の下側にも内部遮光層3が設けられている
が、この領域では、データ線35により開口領域が規定
されているので、内部遮光層3を省くことも可能であ
る。
As shown in FIGS. 11 and 14, TF
In the area other than T30, the internal light-shielding layer 3 is also provided below the data line 35 along the data line 35. In this area, however, the opening area is defined by the data line 35. It is also possible to omit the light shielding layer 3.

【0079】以上説明したように、本実施形態の液晶装
置によれば、画素領域のTFT30に対する遮光、及び
液晶の非配向領域からの光洩れを防止しつつ、従来より
も著しく輝度を上昇させることができる。また、遮光層
23の幅を狭くした効果として、上述したように、対向
基板2とTFTアレイ基板1との位置合わせのずれに影
響を受けることなく、常に所定の開口率を得ることがで
きる。
As described above, according to the liquid crystal device of the present embodiment, it is possible to prevent the light leakage from the TFT 30 in the pixel region and the light leakage from the non-aligned region of the liquid crystal, and to remarkably increase the brightness as compared with the conventional case. You can Further, as a result of narrowing the width of the light shielding layer 23, as described above, a predetermined aperture ratio can be always obtained without being affected by misalignment between the counter substrate 2 and the TFT array substrate 1.

【0080】なお、上述の説明においては、周辺見切り
53及び遮光層23は対向基板2側に設けた例について
説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、周
辺見切り53及び遮光層23をTFTアレイ基板1側に
設けるように構成しても良い。このように構成すれば、
周辺見切り53及び遮光層23の、各画素の開口領域及
び表示領域に対する位置精度を向上させることができ、
上述したような位置ずれを考慮したマージンをとる必要
がないので、周辺見切り53及び遮光層23を小さく形
成することが可能となり、実際の開口率を上昇させるこ
とができる。
In the above description, an example in which the peripheral partition 53 and the light shielding layer 23 are provided on the counter substrate 2 side has been described, but the present invention is not limited to this, and the peripheral partition 53 and the light shielding layer 23 are not limited thereto. May be provided on the TFT array substrate 1 side. With this configuration,
It is possible to improve the positional accuracy of the peripheral partition 53 and the light shielding layer 23 with respect to the opening region and the display region of each pixel,
Since it is not necessary to take a margin in consideration of the positional deviation as described above, it is possible to form the peripheral partition 53 and the light shielding layer 23 small, and it is possible to increase the actual aperture ratio.

【0081】(電子機器)次に、以上詳細に説明した液
晶装置を含む液晶装置200を備えた電子機器の実施の
形態について図15ら図18参照して説明する。
(Electronic Device) Next, an embodiment of an electronic device including the liquid crystal device 200 including the liquid crystal device described in detail above will be described with reference to FIGS.

【0082】先ず図15に、このように液晶装置200
を備えた電子機器の概略構成を示す。
First, FIG. 15 shows the liquid crystal device 200 as described above.
1 shows a schematic configuration of an electronic device equipped with.

【0083】図15において、電子機器は、表示情報出
力源1000、表示情報処理回路1002、前述の走査
線駆動回路104及びデータ線駆動回路101を含む駆
動回路1004、前述のように周辺見切り下にプリチャ
ージ回路及びサンプリング回路が設けられた液晶装置1
0、クロック発生回路1008並びに電源回路1010
を備えて構成されている。表示情報出力源1000は、
ROM(Read OnlyMemory)、RAM(Random Access
Memory)、光ディスク装置などのメモリ、同調回路等
を含み、クロック発生回路1008からのクロックに基
づいて、所定フォーマットのビデオ信号などの表示情報
を表示情報処理回路1002に出力する。表示情報処理
回路1002は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ロ
ーテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の
周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック
に基いて入力された表示情報からデジタル信号を順次生
成し、クロックCLKと共に駆動回路1004に出力す
る。駆動回路1004は、走査信号駆動回路104及び
画像信号駆動回路101によって前述の駆動方法により
液晶装置10を駆動する。電源回路1010は、上述の
各回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置10を構成
するTFTアレイ基板の上に、駆動回路1004を搭載
してもよく、これに加えて表示情報処理回路1002を
搭載してもよい。
In FIG. 15, the electronic device includes a display information output source 1000, a display information processing circuit 1002, a drive circuit 1004 including the scan line drive circuit 104 and the data line drive circuit 101, and a peripheral cutout as described above. Liquid crystal device 1 provided with precharge circuit and sampling circuit
0, clock generation circuit 1008 and power supply circuit 1010
It is configured with. The display information output source 1000 is
ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access)
Memory), a memory such as an optical disk device, a tuning circuit, etc., and outputs display information such as a video signal in a predetermined format to the display information processing circuit 1002 based on the clock from the clock generation circuit 1008. The display information processing circuit 1002 is configured to include various known processing circuits such as an amplification / polarity inversion circuit, a phase expansion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit, and display information input based on a clock. Digital signals are sequentially generated from the output signal and output to the drive circuit 1004 together with the clock CLK. The drive circuit 1004 drives the liquid crystal device 10 by the above-described drive method using the scanning signal drive circuit 104 and the image signal drive circuit 101. The power supply circuit 1010 supplies a predetermined power supply to each of the above circuits. The driving circuit 1004 may be mounted on the TFT array substrate that constitutes the liquid crystal device 10, or the display information processing circuit 1002 may be mounted in addition to this.

【0084】このように構成された電子機器の具体例と
しては、図16に示す液晶プロジェクタ、図17に示す
マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)
及びエンジニアリング・ワークステーション(EW
S)、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、
ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレ
コーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーショ
ン装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置などを
挙げることができる。
As a concrete example of the electronic apparatus constructed as above, a liquid crystal projector shown in FIG. 16 and a multimedia-compatible personal computer (PC) shown in FIG.
And engineering workstation (EW
S), or mobile phone, word processor, TV,
Examples thereof include a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, an electronic notebook, an electronic desk calculator, a car navigation device, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel.

【0085】次に図16から図18に基づいて、このよ
うに構成された電子機器の具体例について説明する。
Next, based on FIGS. 16 to 18, specific examples of the electronic apparatus thus configured will be described.

【0086】図16において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ1100は、投射型の液晶プロジェクタで
あり、光源1110と、ダイクロイックミラー111
3,1114と、反射ミラー1115,1116,11
17と、入射レンズ1118,リレーレンズ1119,
出射レンズ1120と、液晶ライトバルブ1122,1
123,1124と、クロスダイクロイックプリズム1
125と、投射レンズ1126とを備えて構成されてい
る。液晶ライトバルブ1122,1123,1124
は、上述した駆動回路1004がTFTアレイ基板上に
搭載された液晶装置10を含む液晶表示モジュールを3
個用意し、各々液晶ライトバルブとして用いたものであ
る。また、光源1110はメタルハライド等のランプ1
111とランプ1111の光を反射するリフレクタ11
12とからなる。
In FIG. 16, a liquid crystal projector 1100, which is an example of an electronic device, is a projection type liquid crystal projector, and includes a light source 1110 and a dichroic mirror 111.
3, 1114 and reflection mirrors 1115, 1116, 11
17, an incident lens 1118, a relay lens 1119,
Output lens 1120 and liquid crystal light valves 1122, 1
123, 1124 and cross dichroic prism 1
125 and a projection lens 1126. Liquid crystal light valves 1122, 1123, 1124
Is a liquid crystal display module including the liquid crystal device 10 in which the drive circuit 1004 described above is mounted on the TFT array substrate.
They were individually prepared and used as liquid crystal light valves. The light source 1110 is a lamp 1 such as a metal halide.
Reflector 11 that reflects the light from 111 and the lamp 1111
It consists of 12.

【0087】以上のように構成される液晶プロジェクタ
1100においては、青色光・緑色光反射のダイクロイ
ックミラー1113は、光源1110からの白色光束の
うちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光と
を反射する。透過した赤色光は反射ミラー1117で反
射されて、赤色光用液晶ライトバルブ1122に入射さ
れる。一方、ダイクロイックミラー1113で反射され
た色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラ
ー1114によって反射され、緑色光用液晶ライトバル
ブ1123に入射される。また、青色光は第2のダイク
ロイックミラー1114も透過する。青色光に対して
は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ11
18、リレーレンズ1119、出射レンズ1120を含
むリレーレンズ系からなる導光手段1121が設けら
れ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ1
124に入射される。各ライトバルブにより変調された
3つの色光はクロスダイクロイックプリズム1125に
入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合
わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光
を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。
これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され
て、カラー画像を表す光が形成される。合成された光
は、投射光学系である投射レンズ1126によってスク
リーン1127上に投射され、画像が拡大されて表示さ
れる。
In the liquid crystal projector 1100 configured as described above, the dichroic mirror 1113 that reflects blue light and green light transmits red light of the white light flux from the light source 1110, and also transmits blue light and green light. To reflect. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 1117 and enters the red light liquid crystal light valve 1122. On the other hand, of the color light reflected by the dichroic mirror 1113, green light is reflected by the green light reflecting dichroic mirror 1114 and is incident on the green light liquid crystal light valve 1123. The blue light also passes through the second dichroic mirror 1114. For blue light, in order to prevent light loss due to a long optical path, the incident lens 11
18, a relay lens 1119 and a light guide means 1121 including a relay lens system including an emission lens 1120 are provided, and blue light is emitted through the light guide means 1121 through the liquid crystal light valve 1 for blue light.
It is incident on 124. The three color lights modulated by the respective light valves enter the cross dichroic prism 1125. This prism is formed by laminating four right-angled prisms, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof.
Three color lights are combined by these dielectric multilayer films to form light representing a color image. The combined light is projected on the screen 1127 by the projection lens 1126 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

【0088】以上のような液晶プロジェクタにおいて使
用される液晶装置10は、上述したように、ネオセラム
あるいは石英等の基板に形成されるので、従来のように
光吸収による温度上昇、更に温度上昇による軟化という
現象を生じさせず、高効率のランプを使用することがで
きる。従って、従来よりも高輝度の液晶プロジェクタを
提供することができる。
Since the liquid crystal device 10 used in the liquid crystal projector as described above is formed on the substrate such as neoceram or quartz as described above, the temperature rise due to light absorption and the softening due to the temperature rise as in the conventional case. It is possible to use a highly efficient lamp without causing such a phenomenon. Therefore, it is possible to provide a liquid crystal projector with higher brightness than before.

【0089】図17において、電子機器の他の例たるラ
ップトップ型のパーソナルコンピュータ1200は、上
述した液晶装置10がトップカバーケース内に備えられ
た液晶表示ディスプレイ1206と、CPU、メモリ、
モデム等を収容すると共にキーボード1202が組み込
まれた本体部1204とを有する。
In FIG. 17, another example of an electronic apparatus, a laptop personal computer 1200, is a liquid crystal display 1206 in which the above-described liquid crystal device 10 is provided in a top cover case, a CPU, a memory,
It has a main body 1204 in which a keyboard 1202 is incorporated while accommodating a modem and the like.

【0090】また、図18に示すように、液晶装置用基
板1304を構成する2枚の透明基板1304a,13
04bの一方に、金属の導電膜が形成されたポリイミド
テーブ1322にICチップ1324を実装したTCP
(Tape Carrier Package)1320を接続して、電子機
器用の一部品である液晶装置として生産、販売、使用す
ることもできる。
Further, as shown in FIG. 18, two transparent substrates 1304a, 13 constituting the liquid crystal device substrate 1304.
04b, a TCP in which an IC chip 1324 is mounted on a polyimide tape 1322 on which a metal conductive film is formed.
By connecting (Tape Carrier Package) 1320, it is possible to produce, sell and use as a liquid crystal device which is one component for electronic equipment.

【0091】以上、図16から図18を参照して説明し
た電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダー
型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビ
ゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、
ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、POS端
末、タッチパネルを備えた装置等が図10に示した電子
機器の例として挙げられる。
As described above, in addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 16 to 18, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-viewing type video tape recorder, a car navigation device, an electronic notebook, a calculator, a word processor,
A workstation, a mobile phone, a videophone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, and the like are examples of the electronic device shown in FIG.

【0092】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。例えば、本発明は上述の各種の液晶装置の
駆動に適用されるものに限らず、エレクトロルミネッセ
ンス、プラズマディスブレ一装置にも適用可能である。
The present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, the present invention is not limited to the driving of the above-mentioned various liquid crystal devices, but is also applicable to electroluminescence and plasma display devices.

【0093】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、マイクロレンズを用いることにより、各画素の実効
的な開口率を上昇させることができるだけでなく、対向
基板側の遮光層の幅を、TFTアレイ基板側のデータ線
または走査線の線幅よりも狭くしたので、マイクロレン
ズによる光の利用効率をより一層高め、高輝度で、且つ
むらのない、高品位の画像表示が可能な液晶装置200
を備えた各種の電子機器を実現できる。
As described above, according to the present embodiment, by using the microlens, not only the effective aperture ratio of each pixel can be increased, but also the width of the light shielding layer on the counter substrate side can be increased. Since the line width of the data line or the scanning line on the TFT array substrate side is made narrower, the light utilization efficiency by the microlens is further enhanced, and high brightness and even liquid crystal capable of high-quality image display Device 200
Various electronic devices equipped with can be realized.

【0094】[0094]

【発明の効果】本発明によれば、第1基板上の各画素の
開口領域に個々に対応したマイクロレンズを第2基板上
に設けると共に、各画素のスイッチング素子等に対する
遮光を行う遮光層の幅を、前記第1基板上に形成された
データ線あるいは走査線の線幅よりも狭くしたので、光
の利用効率が従来よりも著しく高くなり、高輝度の液晶
装置及びこの液晶装置により高品位の画像表示が可能な
電子機器を提供することができる。
According to the present invention, the microlens corresponding to the opening area of each pixel on the first substrate is provided on the second substrate, and the light-shielding layer for shielding the switching element of each pixel is shielded. Since the width is made narrower than the line width of the data line or the scanning line formed on the first substrate, the utilization efficiency of light is significantly higher than before, and a high-brightness liquid crystal device and a high-quality liquid crystal device are provided. It is possible to provide an electronic device capable of displaying the image.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 液晶装置の実施の形態におけるTFTアレイ
基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram of various wirings, peripheral circuits, etc. formed on a TFT array substrate in an embodiment of a liquid crystal device.

【図2】 図1の液晶装置の全体構成を示す平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the liquid crystal device of FIG.

【図3】 図1の液晶装置の全体構成を示す断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the liquid crystal device of FIG.

【図4】 図3の丸印Aで示す部分の拡大図であり、実
施の形態におけるマイクロレンズの設けられた位置を説
明する断面図である。
FIG. 4 is an enlarged view of a portion indicated by a circle A in FIG. 3, which is a cross-sectional view illustrating a position where a microlens is provided in the embodiment.

【図5】 図4の丸印Bで示す部分の拡大図であり、実
施の形態における液晶装置の対向基板の詳細な構成を示
す断面図である。
5 is an enlarged view of a portion indicated by a circle B in FIG. 4, which is a cross-sectional view showing a detailed configuration of a counter substrate of the liquid crystal device according to the embodiment.

【図6】 本実施形態のマイクロレンズの形態を示す斜
視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a form of a microlens of the present embodiment.

【図7】 本実施形態におけるマイクロレンズと対向基
板側の遮光層との位置関係を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a positional relationship between a microlens and a light shielding layer on the counter substrate side in the present embodiment.

【図8】 本発明と比較される従来のマイクロレンズと
対向基板側の遮光層との位置関係を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a positional relationship between a conventional microlens and a light shielding layer on the counter substrate side, which is compared with the present invention.

【図9】 本実施形態におけるマイクロレンズにより集
光される領域と、従来のマイクロレンズにより集光され
る領域とを比較して説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for comparing and explaining a region condensed by a microlens according to the present embodiment and a region condensed by a conventional microlens.

【図10】 本実施形態におけるマイクロレンズと対向
基板側の遮光層との位置関係を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a positional relationship between a microlens and a light shielding layer on the counter substrate side in the present embodiment.

【図11】 図1の液晶装置に備えられる液晶装置の遮
光層の形状を示す平面図である。
11 is a plan view showing the shape of a light shielding layer of the liquid crystal device included in the liquid crystal device of FIG.

【図12】 図11のA−A’断面を対向基板等と共に
示す液晶装置の断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view of a liquid crystal device showing a cross section taken along the line AA ′ of FIG. 11 together with a counter substrate and the like.

【図13】 図11のB−B’断面を対向基板等と共に
示す液晶装置の断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view of a liquid crystal device showing a cross section taken along the line BB ′ of FIG. 11 together with a counter substrate and the like.

【図14】 図11のC−C’断面を対向基板等と共に
示す液晶装置の断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view of a liquid crystal device showing a cross section CC ′ of FIG. 11 together with a counter substrate and the like.

【図15】 本発明による電子機器の実施の形態の概略
構成を示すブロック図である。
FIG. 15 is a block diagram showing a schematic configuration of an embodiment of an electronic device according to the present invention.

【図16】 電子機器の一例としての液晶プロジェクタ
を示す断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a liquid crystal projector as an example of an electronic device.

【図17】 電子機器の他の例としてのパーソナルコン
ピュータを示す正面図である。
FIG. 17 is a front view showing a personal computer as another example of the electronic apparatus.

【図18】 電子機器の一例としてのTCPを用いた液
晶装置を示す斜視図である。
FIG. 18 is a perspective view showing a liquid crystal device using TCP as an example of electronic equipment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…TFTアレイ基板 2…対向基板 2a…下地基板 2b…カバーガラス 10…液晶装置 11…画素電極 21…共通電極 23…遮光層 30…TFT 31…走査線(ゲート電極) 35…データ線(ソース電極) 50…液晶層 52…シール材 53…周辺見切り 62…マイクロレンズ 63…接着剤 64…連結部 101…データ線駆動回路 102…実装端子 104…走査線駆動回路 200…液晶装置 201…プリチャージ回路 301…サンプリング回路 1 ... TFT array substrate 2 ... Counter substrate 2a ... Base substrate 2b ... Cover glass 10 ... Liquid crystal device 11 ... Pixel electrode 21 ... Common electrode 23 ... Light-shielding layer 30 ... TFT 31 ... Scan line (gate electrode) 35 ... Data line (source electrode) 50 ... Liquid crystal layer 52 ... Sealing material 53 ... Surrounding area 62 ... Micro lens 63 ... Adhesive 64 ... Connection part 101 ... Data line drive circuit 102 ... Mounting terminal 104 ... Scan line drive circuit 200 ... Liquid crystal device 201 ... Precharge circuit 301 ... Sampling circuit

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−306926(JP,A) 特開 平9−22031(JP,A) 特開 平5−181159(JP,A) 特開 平2−135424(JP,A) 特開 平7−318914(JP,A) 特開 平9−49906(JP,A) 特開 平8−184816(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1335 G02F 1/136 Continuation of front page (56) Reference JP-A-8-306926 (JP, A) JP-A-9-22031 (JP, A) JP-A-5-181159 (JP, A) JP-A-2-135424 (JP , A) JP-A-7-318914 (JP, A) JP-A-9-49906 (JP, A) JP-A-8-184816 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB) Name) G02F 1/1335 G02F 1/136

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 一対の第1基板及び第2基板間に液晶が
挟持されてなり、前記第1基板上には複数のデータ線
と、前記複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前
記各データ線と前記各走査線の交差に対応して設けられ
たスイッチング素子と、前記各スイッチング素子に対応
して設けられた画素電極とを具備し、 前記第2基板には前記画素電極の個々に対応してマトリ
クス状に配置された複数のマイクロレンズと、隣り合う
マイクロレンズ間に形成された遮光層とを具備し、 前記遮光層は、平面的に見て前記データ線あるいは走査
線と重なるように形成されてなり、隣り合うマイクロレ
ンズに対応して形成された遮光層の幅は、前記データ線
あるいは走査線の線幅よりも細いことを特徴とする液晶
装置。
1. A liquid crystal is sandwiched between a pair of a first substrate and a second substrate, and a plurality of data lines and a plurality of scanning lines intersecting with the plurality of data lines are provided on the first substrate. A switching element provided corresponding to the intersection of each data line and each scanning line, and a pixel electrode provided corresponding to each switching element are provided, and the pixel electrode of the pixel electrode is provided on the second substrate. A plurality of microlenses arranged in a matrix corresponding to each other and a light shielding layer formed between adjacent microlenses are provided, and the light shielding layer includes the data line or the scanning line in plan view. A liquid crystal device, characterized in that the width of the light-shielding layer formed so as to overlap with each other and corresponding to the adjacent microlenses is smaller than the line width of the data line or the scanning line.
【請求項2】 一対の第1基板及び第2基板間に液晶が
挟持されてなり、前記第1基板上には複数のデータ線
と、前記複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前
記各データ線と前記各走査線の交差に対応して設けられ
たスイッチング素子と、前記各スイッチング素子に対応
して設けられた画素電極と、蓄積容量を形成する容量線
とを具備し、 前記第2基板には前記画素電極の個々に対応してマトリ
クス状に配置された複数のマイクロレンズと、隣り合う
マイクロレンズ間に形成された遮光層とを具備し、 前記遮光層は、平面的に見て前記容量線と重なるように
形成されてなり、隣り合うマイクロレンズに対応して形
成された遮光層の幅は、前記容量線の線幅よりも細いこ
とを特徴とする液晶装置。
2. A liquid crystal is sandwiched between a pair of a first substrate and a second substrate, a plurality of data lines on the first substrate, and a plurality of scanning lines intersecting with the plurality of data lines. A switching element provided corresponding to the intersection of each data line and each scanning line, a pixel electrode provided corresponding to each switching element, and a capacitance line forming a storage capacitance, The second substrate includes a plurality of microlenses arranged in a matrix corresponding to each of the pixel electrodes, and a light shielding layer formed between adjacent microlenses, and the light shielding layer is planar. A liquid crystal device, wherein the width of a light-shielding layer formed so as to overlap with the capacitance line when viewed and formed corresponding to the adjacent microlenses is smaller than the line width of the capacitance line.
【請求項3】 前記遮光層は、前記マイクロレンズの集
光部に沿った開口部と、各マイクロレンズ間の連結部及
び該連結部と前記集光部の間に形成される非集光部を覆
う遮光部とを備えていることを特徴とする請求項1また
は2に記載の液晶装置。
3. The light shielding layer includes an opening along the light collecting portion of the microlens, a connecting portion between the microlenses, and a non-light collecting portion formed between the connecting portion and the light collecting portion. 3. A liquid crystal device according to claim 1, further comprising a light-shielding portion that covers the.
【請求項4】 前記マイクロレンズは、前記各々の集光
部が、凸状に形成された集光連結部により連結されてい
ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記
載の液晶装置。
4. The microlens according to claim 1, wherein each of the light converging portions is connected by a convex light condensing connecting portion. Liquid crystal device.
【請求項5】 前記第2の基板は、透明な下地基板と、
該下地基板上に取り付けられ前記液晶と接する透明なカ
バー部材とを含み、前記マイクロレンズは、前記下地基
板の前記カバー部材との対向側に形成され、前記遮光層
は、前記カバー部材の前記液晶との接触側に形成される
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載
の液晶装置。
5. The second substrate is a transparent base substrate,
A transparent cover member that is mounted on the base substrate and is in contact with the liquid crystal, the microlens is formed on a side of the base substrate facing the cover member, and the light-shielding layer is the liquid crystal of the cover member. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the liquid crystal device is formed on a contact side with.
【請求項6】 前記遮光層は、前記第1基板の前記液晶
との対向側の面に形成されることを特徴とする請求項1
乃至5のいずれか一項に記載の液晶装置。
6. The light shielding layer is formed on a surface of the first substrate opposite to the liquid crystal.
6. The liquid crystal device according to any one of items 5 to 5.
【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の
液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
7. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1. Description:
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