JP3484505B2 - ホウ素と炭素から成る熱分解生成物の層を有する炭素材料 - Google Patents
ホウ素と炭素から成る熱分解生成物の層を有する炭素材料Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は金属溶融用容器、金属抽
出用ルツボ、金属接合用治具、ガラス封着用治具に使用
される下板、炉内部材、原子炉の中性子吸収体、熱交換
器用部材、しゅう動材などの耐酸化性や表面硬度、及び
高濃度のホウ素等が必要な炭素材料の改良に関する。
出用ルツボ、金属接合用治具、ガラス封着用治具に使用
される下板、炉内部材、原子炉の中性子吸収体、熱交換
器用部材、しゅう動材などの耐酸化性や表面硬度、及び
高濃度のホウ素等が必要な炭素材料の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】炭素材料は、化学安定性、自己潤滑性、
耐熱性が良く、溶融金属と濡れにくいため、これらの特
性を生かして金属溶融用容器等の幅広い用途に使用され
ている。しかしながら、酸素雰囲気下では約400℃以
上になると酸化により消耗が始まるため、これらの特性
が劣化してしまう。そこで、酸素雰囲気下でも好適に使
用できるようにするため、炭素質基体の表面にホウ素と
炭素から成る熱分解生成物を被覆して、耐酸化性を向上
させていた(S.MARINKOVIC etal.,
Carbon(1969)185−193)。
耐熱性が良く、溶融金属と濡れにくいため、これらの特
性を生かして金属溶融用容器等の幅広い用途に使用され
ている。しかしながら、酸素雰囲気下では約400℃以
上になると酸化により消耗が始まるため、これらの特性
が劣化してしまう。そこで、酸素雰囲気下でも好適に使
用できるようにするため、炭素質基体の表面にホウ素と
炭素から成る熱分解生成物を被覆して、耐酸化性を向上
させていた(S.MARINKOVIC etal.,
Carbon(1969)185−193)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、耐酸化性を向
上させようとして、この熱分解生成物の層中のホウ素濃
度を増して行くと、層の熱膨張係数が変化したり、層中
の内部応力がそれに伴って増加したりするため、炭素質
基体からのはく離や層にき裂が生じ易かった。そのた
め、ホウ素濃度を十分に高くすることができず、従来は
約25原子%以下のホウ素濃度のものが公知であり且つ
使用されていた。また、金属などの表面硬度の高い材料
と接触やしゅう動などがあると、炭素材料の表面が著し
く摩耗するため、表面硬度の高い炭素材料の出現が切望
され、この観点からもホウ素の高濃度化が求められてい
た。更に、炭素材料は多孔質体であるため、例えば溶融
した金属等の液状物質をはじめとして液状や気体状の物
質が炭素材料の表面から浸み込み易く、これを防止する
ために表面が緻密な炭素材料が必要であった。本発明
は、この様に層のはく離やき裂を生じずに耐酸化性を向
上させること、表面硬度を高めること、表面を緻密にす
ることなどを企図してなされたものである。
上させようとして、この熱分解生成物の層中のホウ素濃
度を増して行くと、層の熱膨張係数が変化したり、層中
の内部応力がそれに伴って増加したりするため、炭素質
基体からのはく離や層にき裂が生じ易かった。そのた
め、ホウ素濃度を十分に高くすることができず、従来は
約25原子%以下のホウ素濃度のものが公知であり且つ
使用されていた。また、金属などの表面硬度の高い材料
と接触やしゅう動などがあると、炭素材料の表面が著し
く摩耗するため、表面硬度の高い炭素材料の出現が切望
され、この観点からもホウ素の高濃度化が求められてい
た。更に、炭素材料は多孔質体であるため、例えば溶融
した金属等の液状物質をはじめとして液状や気体状の物
質が炭素材料の表面から浸み込み易く、これを防止する
ために表面が緻密な炭素材料が必要であった。本発明
は、この様に層のはく離やき裂を生じずに耐酸化性を向
上させること、表面硬度を高めること、表面を緻密にす
ることなどを企図してなされたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の炭素材料とは、
炭素質基体の表層部にホウ素と炭素から成る熱分解生成
物の層を有する炭素材料において、炭素質基体の灰分が
20質量ppm以下、かつ297〜1273Kにおける
基体の熱膨張係数が1.5×10-6〜5.5×10-6/
Kであり、熱分解生成物の層中のホウ素濃度が30〜1
00原子%、かつ層の厚みが5〜100μmである炭素
材料である。この炭素材料は、基体と層とのはく離等が
なく耐酸化性を有し、表面硬度が高く、更に緻密で強固
な層を有する材料出あり、上記の課題を全て解決するこ
とができる。
炭素質基体の表層部にホウ素と炭素から成る熱分解生成
物の層を有する炭素材料において、炭素質基体の灰分が
20質量ppm以下、かつ297〜1273Kにおける
基体の熱膨張係数が1.5×10-6〜5.5×10-6/
Kであり、熱分解生成物の層中のホウ素濃度が30〜1
00原子%、かつ層の厚みが5〜100μmである炭素
材料である。この炭素材料は、基体と層とのはく離等が
なく耐酸化性を有し、表面硬度が高く、更に緻密で強固
な層を有する材料出あり、上記の課題を全て解決するこ
とができる。
【0005】このような炭素材料は、少なくとも炭素と
ホウ素の二元素を含む単一ガス、または、これらの一方
を含むガスの混合物を熱分解して得られる生成物を炭素
質基体の表層部に含浸、または/及び蒸着することによ
って得ることができる。
ホウ素の二元素を含む単一ガス、または、これらの一方
を含むガスの混合物を熱分解して得られる生成物を炭素
質基体の表層部に含浸、または/及び蒸着することによ
って得ることができる。
【0006】炭素とホウ素の二元素を含む単一ガスとし
ては、トリプロピルボランやビニルジボランなどの有機
ホウ素化合物等が挙げられる。また炭素とホウ素の一方
を含むガスの混合物としては、脂肪族炭化水素ガスとホ
ウ素化合物ガスとの混合物等が挙げられる。かかる脂肪
族炭化水素ガスとしては、炭素数1〜8、とくに炭素数
3〜4の直鎖状または/及び脂環式の炭化水素ガスなど
が好ましい。ホウ素化合物ガスは、ボラン、三塩化ホウ
素ガス等のハロゲン化ホウ素ガス、有機ホウ素化合物ガ
スなどが好ましい。
ては、トリプロピルボランやビニルジボランなどの有機
ホウ素化合物等が挙げられる。また炭素とホウ素の一方
を含むガスの混合物としては、脂肪族炭化水素ガスとホ
ウ素化合物ガスとの混合物等が挙げられる。かかる脂肪
族炭化水素ガスとしては、炭素数1〜8、とくに炭素数
3〜4の直鎖状または/及び脂環式の炭化水素ガスなど
が好ましい。ホウ素化合物ガスは、ボラン、三塩化ホウ
素ガス等のハロゲン化ホウ素ガス、有機ホウ素化合物ガ
スなどが好ましい。
【0007】炭素質基体の表面に熱分解生成物を蒸着す
る方法としては、化学蒸着(CVD)法などの公知の方
法で良い。例えば、メタンと三塩化ホウ素ガスを所望の
ホウ素濃度になるように混合し、この混合ガスの濃度調
整に水素ガスを必要に応じて共存させる。但し、O2、
H2Oの共存は悪影響があるので避けることが望まし
い。蒸着時の温度範囲は800℃以上、1800℃位ま
での広い範囲であるが、好ましくは800℃〜1300
℃である。また反応室内圧力は全圧(混合ガス分圧+水
素分圧)として操作されるが、混合ガス分圧は低い程、
良質の熱分解生成物の層を形成できるが、余りに低すぎ
ると蒸着速度が遅くなる。全圧は300Torr以下、好ま
しくは100Torr以下の条件で操作して、炭素質基体の
表層部に熱分解生成物を蒸着することができる。
る方法としては、化学蒸着(CVD)法などの公知の方
法で良い。例えば、メタンと三塩化ホウ素ガスを所望の
ホウ素濃度になるように混合し、この混合ガスの濃度調
整に水素ガスを必要に応じて共存させる。但し、O2、
H2Oの共存は悪影響があるので避けることが望まし
い。蒸着時の温度範囲は800℃以上、1800℃位ま
での広い範囲であるが、好ましくは800℃〜1300
℃である。また反応室内圧力は全圧(混合ガス分圧+水
素分圧)として操作されるが、混合ガス分圧は低い程、
良質の熱分解生成物の層を形成できるが、余りに低すぎ
ると蒸着速度が遅くなる。全圧は300Torr以下、好ま
しくは100Torr以下の条件で操作して、炭素質基体の
表層部に熱分解生成物を蒸着することができる。
【0008】炭素質基体の表層に熱分解生成物を含浸す
る場合は、前記CVD法の蒸着時の温度や混合ガス分圧
を低く選択することによって、蒸着速度を遅くすれば含
浸することができる(CVI法)。例えば、温度を80
0℃、混合ガス分圧を10Torrに選択すれば、炭素
質基体の気孔中に熱分解生成物を含浸させることができ
る。
る場合は、前記CVD法の蒸着時の温度や混合ガス分圧
を低く選択することによって、蒸着速度を遅くすれば含
浸することができる(CVI法)。例えば、温度を80
0℃、混合ガス分圧を10Torrに選択すれば、炭素
質基体の気孔中に熱分解生成物を含浸させることができ
る。
【0009】このような熱分解生成物の層は、上述した
ように、ホウ素の含有量により層の熱膨張係数や内部応
力が左右されるため、どのようにすれば高濃度のホウ素
を含有した層をはく離やき裂が生じることなく炭素質基
体の表層部に含浸または/及び蒸着できるか不明であっ
た。そのため、層の厚みや炭素質基体の熱膨張係数等を
選択する必要があった。しかしながら、本発明により、
層の厚みが100μm以下、かつ炭素質基体の表面方向
の平均熱膨張係数が1.5×10-6〜5.5×10-6/
K(293〜1273K)であれば、層にはく離やき裂
を生じることなく、高濃度のホウ素を含有した層を形成
できることが判明した。つまり、層の厚みが100μm
を超えたり、熱膨張係数がこの範囲より外れたりする
と、基体と熱分解生成物の層の熱膨張率の差、及び層の
内部応力によって、はく離またはき裂が発生する。この
際、層の厚みが5μm未満では耐酸化性が若干弱まるた
め、層の厚みは5〜100μmが好ましい。
ように、ホウ素の含有量により層の熱膨張係数や内部応
力が左右されるため、どのようにすれば高濃度のホウ素
を含有した層をはく離やき裂が生じることなく炭素質基
体の表層部に含浸または/及び蒸着できるか不明であっ
た。そのため、層の厚みや炭素質基体の熱膨張係数等を
選択する必要があった。しかしながら、本発明により、
層の厚みが100μm以下、かつ炭素質基体の表面方向
の平均熱膨張係数が1.5×10-6〜5.5×10-6/
K(293〜1273K)であれば、層にはく離やき裂
を生じることなく、高濃度のホウ素を含有した層を形成
できることが判明した。つまり、層の厚みが100μm
を超えたり、熱膨張係数がこの範囲より外れたりする
と、基体と熱分解生成物の層の熱膨張率の差、及び層の
内部応力によって、はく離またはき裂が発生する。この
際、層の厚みが5μm未満では耐酸化性が若干弱まるた
め、層の厚みは5〜100μmが好ましい。
【0010】炭素質基体としては、広範な一般の炭素質
材料を適用でき、黒鉛材、または炭素繊維の織物、不織
布類を骨材とし炭素をマトリックスとする、いわゆる炭
素繊維強化炭素複合材料などが例示される。
材料を適用でき、黒鉛材、または炭素繊維の織物、不織
布類を骨材とし炭素をマトリックスとする、いわゆる炭
素繊維強化炭素複合材料などが例示される。
【0011】また炭素質基体の純度は、緻密な熱分解生
成物の層を生成させるため、高純度化されたものが好ま
しい。特に日本工業規格(JIS)R−7223に定め
られた方法で測定した灰分が20質量ppm以下のもの
が好ましく、この灰分値を超えると、層の緻密性が乏し
くなる。更には含浸又は/及び蒸着時に基体中の不純物
が熱分解生成物の層の中へ揮散や熱拡散して耐酸化性を
減少させるためである。また、基体中の不純物元素のう
ち、バナジウム(V)元素の濃度が0.3質量ppm以
下が好ましい。バナジウムが層の中へ揮散や熱拡散する
と、バナジウムはホウ素と反応するため、層に余計な内
部応力が発生してしまう。特にこの内部応力は、層中の
ホウ素濃度が高濃度である程、大きく生じるものであ
る。したがって、バナジウム元素の濃度が0.3質量p
pmを超える基体では、基体と層とのはく離やき裂を生
じたり、バナジウムは酸化消耗を促進する物質なので耐
酸化性を減少させたりするため好ましくない。
成物の層を生成させるため、高純度化されたものが好ま
しい。特に日本工業規格(JIS)R−7223に定め
られた方法で測定した灰分が20質量ppm以下のもの
が好ましく、この灰分値を超えると、層の緻密性が乏し
くなる。更には含浸又は/及び蒸着時に基体中の不純物
が熱分解生成物の層の中へ揮散や熱拡散して耐酸化性を
減少させるためである。また、基体中の不純物元素のう
ち、バナジウム(V)元素の濃度が0.3質量ppm以
下が好ましい。バナジウムが層の中へ揮散や熱拡散する
と、バナジウムはホウ素と反応するため、層に余計な内
部応力が発生してしまう。特にこの内部応力は、層中の
ホウ素濃度が高濃度である程、大きく生じるものであ
る。したがって、バナジウム元素の濃度が0.3質量p
pmを超える基体では、基体と層とのはく離やき裂を生
じたり、バナジウムは酸化消耗を促進する物質なので耐
酸化性を減少させたりするため好ましくない。
【0012】熱分解生成物の層中のホウ素濃度は、層の
厚みと炭素質基体の熱膨張係数が上記に記載の範囲内で
あれば、どの濃度範囲でも層を形成することができる
が、耐酸化性を顕著に発現させるためには、層中のホウ
素濃度が30原子%以上であることが好ましい。ホウ素
濃度が30原子%未満では、耐酸化性があまり良くな
く、表面硬度もあまり高くないためである。
厚みと炭素質基体の熱膨張係数が上記に記載の範囲内で
あれば、どの濃度範囲でも層を形成することができる
が、耐酸化性を顕著に発現させるためには、層中のホウ
素濃度が30原子%以上であることが好ましい。ホウ素
濃度が30原子%未満では、耐酸化性があまり良くな
く、表面硬度もあまり高くないためである。
【0013】以上より、
(a)炭素質基体の平均熱膨張係数が1.5×10−6
〜5.5×10−6/K(293〜1273K)であ
り、かつ層の厚みを5〜100μmにすることにより、
高濃度のホウ素含有層を形成できる。 (b)層中のホウ素濃度が30原子%以上になると耐酸
化性が著しく向上し、かつ表面硬度も高くなる。 (c)炭素質基体の灰分が20質量ppm以下、特にバ
ナジウム濃度が0.3質量ppm以下にすることによ
り、層中の内部応力の発生を抑え、緻密で耐酸化性を有
する層を形成できる。 ことを発見して本発明を完成させたものである。
〜5.5×10−6/K(293〜1273K)であ
り、かつ層の厚みを5〜100μmにすることにより、
高濃度のホウ素含有層を形成できる。 (b)層中のホウ素濃度が30原子%以上になると耐酸
化性が著しく向上し、かつ表面硬度も高くなる。 (c)炭素質基体の灰分が20質量ppm以下、特にバ
ナジウム濃度が0.3質量ppm以下にすることによ
り、層中の内部応力の発生を抑え、緻密で耐酸化性を有
する層を形成できる。 ことを発見して本発明を完成させたものである。
【0014】
【作用】本発明に係る熱分解生成物の層は、ホウ素と炭
素とが均一に固溶したもの、あるいは、その一部が炭化
ホウ素(B4C)を形成しているものであると考えられ
る。いずれにしても、酸化によってホウ素と酸素が化合
してガラス状のホウ酸(B2O3)を形成する。層中のホ
ウ素濃度が30原子%以上になると、このガラス状のホ
ウ酸が全表面をほぼ完全に被覆するようになるため、耐
酸化性が著しく向上するものと考えられる。
素とが均一に固溶したもの、あるいは、その一部が炭化
ホウ素(B4C)を形成しているものであると考えられ
る。いずれにしても、酸化によってホウ素と酸素が化合
してガラス状のホウ酸(B2O3)を形成する。層中のホ
ウ素濃度が30原子%以上になると、このガラス状のホ
ウ酸が全表面をほぼ完全に被覆するようになるため、耐
酸化性が著しく向上するものと考えられる。
【0015】
【実施例】本発明を実施例によって具体的に説明する。
【0016】実験例1
炭素質基体として12.5×20×32mmの等方性黒
鉛(東洋炭素(株)製、灰分15ppm、バナジウム濃
度0.1質量ppm、平均熱膨張係数4.2×10−6
/K(293〜1273K))を用いた。メタンと三塩
化ホウ素の混合割合を適宜選択し、この基体の全表面を
CVD法により1200℃の温度でそれぞれ10μmの
厚さで被覆した。これらの炭素材料における被覆層中の
ホウ素濃度と酸化消耗率の関係、及び表面硬度との関係
を図1に示す。
鉛(東洋炭素(株)製、灰分15ppm、バナジウム濃
度0.1質量ppm、平均熱膨張係数4.2×10−6
/K(293〜1273K))を用いた。メタンと三塩
化ホウ素の混合割合を適宜選択し、この基体の全表面を
CVD法により1200℃の温度でそれぞれ10μmの
厚さで被覆した。これらの炭素材料における被覆層中の
ホウ素濃度と酸化消耗率の関係、及び表面硬度との関係
を図1に示す。
【0017】酸化消耗率は、2リットル/minの空気
を流した1200℃の炉の中に1時間だけ前記炭素材料
を入れ、炉に入れる前と入れた後の質量変化の割合を示
している。酸化消耗率の計算式を数1に記す。また表面
硬度は、該炭素材料の被覆層の厚みが薄いため、JIS
にあるショア硬度、ロックウェル硬度、ビッカース硬度
などの測定方法では基体の影響を受け、十分な測定がで
きない。そこで、島津製作所製ダイナミック超微小硬度
計(DUH−200)を用いて表面硬度を測定した。被
覆層中のホウ素濃度はオージェ電子分光で、基体中のバ
ナジウム濃度はICP−AESで測定した値である。
を流した1200℃の炉の中に1時間だけ前記炭素材料
を入れ、炉に入れる前と入れた後の質量変化の割合を示
している。酸化消耗率の計算式を数1に記す。また表面
硬度は、該炭素材料の被覆層の厚みが薄いため、JIS
にあるショア硬度、ロックウェル硬度、ビッカース硬度
などの測定方法では基体の影響を受け、十分な測定がで
きない。そこで、島津製作所製ダイナミック超微小硬度
計(DUH−200)を用いて表面硬度を測定した。被
覆層中のホウ素濃度はオージェ電子分光で、基体中のバ
ナジウム濃度はICP−AESで測定した値である。
【0018】
【数1】
【0019】図1から分かるように、酸化消耗率はホウ
素濃度が30原子%以上になると著しく減少しており、
耐酸化性が飛躍的に向上している。またホウ素濃度が4
0原子%以上の場合、炉に入れる前よりも入れた後の方
が質量は大きくなっていた。これは、ホウ素が酸素を取
り込んでホウ酸を形成するが、この取り込んだ酸素の質
量によって増加したものと思われる。また、被覆層の厚
みが50と100μmのものを作製して酸化消耗率と表
面硬度を調べたが、被覆層の厚みが10μmの場合と同
様に、ホウ素濃度が30原子%以上になると酸化消耗率
は著しく減少し、表面硬度はホウ素濃度の増加につれて
高くなっていた。
素濃度が30原子%以上になると著しく減少しており、
耐酸化性が飛躍的に向上している。またホウ素濃度が4
0原子%以上の場合、炉に入れる前よりも入れた後の方
が質量は大きくなっていた。これは、ホウ素が酸素を取
り込んでホウ酸を形成するが、この取り込んだ酸素の質
量によって増加したものと思われる。また、被覆層の厚
みが50と100μmのものを作製して酸化消耗率と表
面硬度を調べたが、被覆層の厚みが10μmの場合と同
様に、ホウ素濃度が30原子%以上になると酸化消耗率
は著しく減少し、表面硬度はホウ素濃度の増加につれて
高くなっていた。
【0020】実施例1、2及び比鮫例1〜3
実験例1に記載の方法と同様にして金の溶融用鋳型に被
覆を行い、実際に使用してみた。使用できたバッチ回数
を表1に示す。基体に使用した材質は実験例1の基体と
同一材質のものであり、被覆層の厚みが10μm、該被
覆層中のホウ素濃度はオージェ電子分光で測定した値で
0(比較例1)、11(比較例2)、24(比較例
3)、35(実施例1)及び52原子%(実施例2)の
五種類の鋳型である。金の溶融はガスバーナーで120
0℃に加熱し、大気中で使用した。
覆を行い、実際に使用してみた。使用できたバッチ回数
を表1に示す。基体に使用した材質は実験例1の基体と
同一材質のものであり、被覆層の厚みが10μm、該被
覆層中のホウ素濃度はオージェ電子分光で測定した値で
0(比較例1)、11(比較例2)、24(比較例
3)、35(実施例1)及び52原子%(実施例2)の
五種類の鋳型である。金の溶融はガスバーナーで120
0℃に加熱し、大気中で使用した。
【0021】
【表1】
【0022】従来から金の溶融用鋳型に使用されていた
ホウ素濃度が0原子%、あるいは被覆層中のホウ素濃度
が低い11、24原子%の鋳型は、耐酸化性と表面硬
度、及び表面の緻密性が低いため、それぞれ8バッチ、
11バッチ、15バッチしか使用できなかったが、ホウ
素濃度が35、52原子%のルツボは、耐酸化性が良く
表面硬度も高い、緻密で強固な層を有しているため、使
用寿命が格段と長くなった。またホウ素濃度が60、8
0及び100原子%の被覆層の鋳型を作成し、同じよう
に使用しても、使用寿命がより格段と長くなっていた。
ホウ素濃度が0原子%、あるいは被覆層中のホウ素濃度
が低い11、24原子%の鋳型は、耐酸化性と表面硬
度、及び表面の緻密性が低いため、それぞれ8バッチ、
11バッチ、15バッチしか使用できなかったが、ホウ
素濃度が35、52原子%のルツボは、耐酸化性が良く
表面硬度も高い、緻密で強固な層を有しているため、使
用寿命が格段と長くなった。またホウ素濃度が60、8
0及び100原子%の被覆層の鋳型を作成し、同じよう
に使用しても、使用寿命がより格段と長くなっていた。
【0023】
【発明の効果】本発明にかかる炭素材料は、耐酸化性や
表面硬度が高く、緻密で強固な層を有した炭素材料であ
るため、実施例の金の溶融用鋳型などの金属溶融用容
器、金属接合用治具、ガラス封着用治具に使用される下
板、炉内部材、原子炉の中性子吸収体、熱交換器用部
材、しゅう動材などの耐酸化性、表面硬度または/及び
高濃度のホウ素が必要とする炭素材料を提供することが
できる。特に、金属溶融用容器は、耐酸化性、表面硬
度、及び表面の緻密性が必要であるため、本発明にかか
る炭素材料は、非常に好適な金属溶融用容器として提供
することができる。
表面硬度が高く、緻密で強固な層を有した炭素材料であ
るため、実施例の金の溶融用鋳型などの金属溶融用容
器、金属接合用治具、ガラス封着用治具に使用される下
板、炉内部材、原子炉の中性子吸収体、熱交換器用部
材、しゅう動材などの耐酸化性、表面硬度または/及び
高濃度のホウ素が必要とする炭素材料を提供することが
できる。特に、金属溶融用容器は、耐酸化性、表面硬
度、及び表面の緻密性が必要であるため、本発明にかか
る炭素材料は、非常に好適な金属溶融用容器として提供
することができる。
【図1】層中のホウ素濃度と酸化消耗率、及び表面硬度
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平2−92886(JP,A)
特開 昭62−153189(JP,A)
特開 平5−201781(JP,A)
特開 平7−33565(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
C04B 41/80 - 41/91
Claims (2)
- 【請求項1】炭素質基体の表層部にホウ素と炭素から成
る熱分解生成物の層を有する炭素材料において、該炭素
質基体の灰分が20質量ppm以下、かつ297〜12
73Kにおける基体の平均熱膨張係数が1.5×10-6
〜5.5×10-6/K、及び該熱分解生成物の層中のホ
ウ素濃度が30〜100原子%、かつ層の厚みが5〜1
00μmであることを特徴とする炭素材料。 - 【請求項2】炭素質基体中のバナジウム濃度が0.3質
量ppm以下であることを特徴とする請求項目1に記載
の炭素材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32307493A JP3484505B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | ホウ素と炭素から成る熱分解生成物の層を有する炭素材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32307493A JP3484505B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | ホウ素と炭素から成る熱分解生成物の層を有する炭素材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07138085A JPH07138085A (ja) | 1995-05-30 |
JP3484505B2 true JP3484505B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=18150801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32307493A Expired - Fee Related JP3484505B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | ホウ素と炭素から成る熱分解生成物の層を有する炭素材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3484505B2 (ja) |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP32307493A patent/JP3484505B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07138085A (ja) | 1995-05-30 |
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