JP3479928B2 - 半導体結晶の製造方法 - Google Patents
半導体結晶の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体結晶の製造方
法に関するものであり、特に、赤外線センサに用いるＨ
ｇＣｄＴｅ結晶中におけるキャリアのライフタイムを長
くするための半導体結晶の製造方法に関するものであ
る。
法に関するものであり、特に、赤外線センサに用いるＨ
ｇＣｄＴｅ結晶中におけるキャリアのライフタイムを長
くするための半導体結晶の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、１０μｍ帯近傍の赤外線を検知す
る赤外線検出装置としては、ＨｇＣｄＴｅ層に形成した
ｐｎ接合ダイオードをフォトダイオードとしたものを用
い、このフォトダイオードを一次元アレイ状或いは二次
元アレイ状に配置すると共に、読出回路との電気的なコ
ンタクトをとるために、フォトダイオードアレイ基板及
び読出回路基板を、双方に形成したＩｎ等の金属のバン
プで貼り合わせる構造が採用されている。
る赤外線検出装置としては、ＨｇＣｄＴｅ層に形成した
ｐｎ接合ダイオードをフォトダイオードとしたものを用
い、このフォトダイオードを一次元アレイ状或いは二次
元アレイ状に配置すると共に、読出回路との電気的なコ
ンタクトをとるために、フォトダイオードアレイ基板及
び読出回路基板を、双方に形成したＩｎ等の金属のバン
プで貼り合わせる構造が採用されている。
【０００３】図５参照
この従来のＨｇＣｄＴｅ赤外線センサアレイは、まず、
閉管チッピング法を用いて、Ｔｅリッチの融液中でＣｄ
Ｔｅ基板１１上にノン・ドープのｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１
２を液相エピタキシャル成長させたのち、Ｈｇ蒸気中で
の熱処理により、Ｈｇ空孔の一部をＨｇ原子で埋めるｐ
処理によって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１２の正孔濃度を
０．５〜５×１０16ｃｍ-3に制御する。
閉管チッピング法を用いて、Ｔｅリッチの融液中でＣｄ
Ｔｅ基板１１上にノン・ドープのｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１
２を液相エピタキシャル成長させたのち、Ｈｇ蒸気中で
の熱処理により、Ｈｇ空孔の一部をＨｇ原子で埋めるｐ
処理によって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１２の正孔濃度を
０．５〜５×１０16ｃｍ-3に制御する。
【０００４】次いで、表面平坦化、及び、厚みの均一化
のために、アルミナ研磨を行なって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ
層１２の厚さを１５〜２５μｍに制御したのち、Ｂイオ
ンを選択的にイオン注入してｎ+ 型領域１３を形成して
フォトダイオードとする。
のために、アルミナ研磨を行なって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ
層１２の厚さを１５〜２５μｍに制御したのち、Ｂイオ
ンを選択的にイオン注入してｎ+ 型領域１３を形成して
フォトダイオードとする。
【０００５】次いで、陽極硫化膜１４及びＺｎＳ膜１５
を設けたのち、コンタクトホール１６を介してｎ側電極
となるＩｎ電極１７を設け、このＩｎ電極１７を利用し
て読出回路基板（図示せず）と貼り合わせて赤外線検出
装置を構成していた。
を設けたのち、コンタクトホール１６を介してｎ側電極
となるＩｎ電極１７を設け、このＩｎ電極１７を利用し
て読出回路基板（図示せず）と貼り合わせて赤外線検出
装置を構成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のノン・
ドープのＨｇＣｄＴｅ液相エピタキシャル成長層を用い
たフォトダイオードの量子効率は、０．２〜０．５であ
り、検出感度が低いという問題があった。
ドープのＨｇＣｄＴｅ液相エピタキシャル成長層を用い
たフォトダイオードの量子効率は、０．２〜０．５であ
り、検出感度が低いという問題があった。
【０００７】これは、ノン・ドープのＨｇＣｄＴｅ液相
エピタキシャル成長層中における、少数キャリアの寿命
（ライフタイム）が短く、ｐｎ接合に集まるキャリアの
数、図５の場合には、電子の数が少ないためである。
エピタキシャル成長層中における、少数キャリアの寿命
（ライフタイム）が短く、ｐｎ接合に集まるキャリアの
数、図５の場合には、電子の数が少ないためである。
【０００８】この様なライフタイムの問題を改善するに
は、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の厚さを薄くして、電子がｐｎ
接合に到達する前に消滅するのを低減させれば良いが、
厚さを薄くすると、フォトキャリアを発生するための体
積が減少するため、量子効率に限界があり、厚さとして
は１５μｍが下限となる。
は、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の厚さを薄くして、電子がｐｎ
接合に到達する前に消滅するのを低減させれば良いが、
厚さを薄くすると、フォトキャリアを発生するための体
積が減少するため、量子効率に限界があり、厚さとして
は１５μｍが下限となる。
【０００９】また、他の方法としては、キャリア濃度を
下げれば、ライフタイムを長くすることができるが、キ
ャリア濃度を低くすると、ゼロバイアス抵抗が低下し、
暗電流が増加し、ノイズが増えるという問題がある。
下げれば、ライフタイムを長くすることができるが、キ
ャリア濃度を低くすると、ゼロバイアス抵抗が低下し、
暗電流が増加し、ノイズが増えるという問題がある。
【００１０】即ち、暗電流Ｉd は、ｋをボルツマン定
数、Ｔを絶対温度、Ｒ0 をゼロバイアス抵抗、及び、ｑ
を電荷素量とした場合、 Ｉd ＝ｋＴ／（Ｒ0 ・ｑ） で表されるため、ゼロバイアス抵抗Ｒ0 に反比例し、ゼ
ロバイアス抵抗Ｒ0 の低下と共に、暗電流Ｉd が増加す
ることになるが、ゼロバイアス抵抗Ｒ0 は、Ａをｐｎ接
合の面積、ＮA をｐ型ＨｇＣｄＴｅ層におけるアクセプ
タ濃度、τe をｐ型ＨｇＣｄＴｅ層における電子のライ
フタイム、ｎi 2 をｐ型ＨｇＣｄＴｅ層及びｎ+ 型領域
における熱平衡状態の真性キャリア濃度の積、及び、ｄ
を空間電荷領域分を除いたｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の厚さと
した場合、 Ｒ0 ・Ａ＝（ｋＴ・ＮA ・τe ）／（ｑ2 ・ｎi 2 ・ｄ） で表されるため、キャリア濃度、即ち、アクセプタ濃度
ＮA を低下させると、ゼロバイアス抵抗Ｒ0 が低下する
ためである。
数、Ｔを絶対温度、Ｒ0 をゼロバイアス抵抗、及び、ｑ
を電荷素量とした場合、 Ｉd ＝ｋＴ／（Ｒ0 ・ｑ） で表されるため、ゼロバイアス抵抗Ｒ0 に反比例し、ゼ
ロバイアス抵抗Ｒ0 の低下と共に、暗電流Ｉd が増加す
ることになるが、ゼロバイアス抵抗Ｒ0 は、Ａをｐｎ接
合の面積、ＮA をｐ型ＨｇＣｄＴｅ層におけるアクセプ
タ濃度、τe をｐ型ＨｇＣｄＴｅ層における電子のライ
フタイム、ｎi 2 をｐ型ＨｇＣｄＴｅ層及びｎ+ 型領域
における熱平衡状態の真性キャリア濃度の積、及び、ｄ
を空間電荷領域分を除いたｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の厚さと
した場合、 Ｒ0 ・Ａ＝（ｋＴ・ＮA ・τe ）／（ｑ2 ・ｎi 2 ・ｄ） で表されるため、キャリア濃度、即ち、アクセプタ濃度
ＮA を低下させると、ゼロバイアス抵抗Ｒ0 が低下する
ためである。
【００１１】したがって、正孔濃度の下限は１×１０16
ｃｍ-3であり、厚さの下限１５μｍと組み合わせた場合
の量子効率は、０．５程度であり、この様な方法では量
子効率の十分な改善が得られなかった。
ｃｍ-3であり、厚さの下限１５μｍと組み合わせた場合
の量子効率は、０．５程度であり、この様な方法では量
子効率の十分な改善が得られなかった。
【００１２】さらに、他の方法としては、ドーピングを
行なってライフタイムを長くする方法も知られており、
ＨｇメルトからＨｇＣｄＴｅ層を成長させる場合には、
Ｖ族元素であるＡｓやＳｂを効果的にドープすることが
できるが、Ｔｅリッチメルトからの液相成長では、Ｖ族
元素のドープが困難であり、且つ、ドープしたとしても
ｐ型不純物として活性化せず、ｎ型を示すという問題が
ある。
行なってライフタイムを長くする方法も知られており、
ＨｇメルトからＨｇＣｄＴｅ層を成長させる場合には、
Ｖ族元素であるＡｓやＳｂを効果的にドープすることが
できるが、Ｔｅリッチメルトからの液相成長では、Ｖ族
元素のドープが困難であり、且つ、ドープしたとしても
ｐ型不純物として活性化せず、ｎ型を示すという問題が
ある。
【００１３】一方、Ｔｅリッチメルトからの液相成長の
場合にも、Ａｇ等のＩ族元素の場合には、結晶中に容易
に取り込まれ、ｐ型不純物として活性化するが、液相成
長後の熱処理工程、即ち、Ｈｇ空孔を埋めるｐ処理工程
において、Ｉ族元素がエピタキシャル成長層表面に移動
し、しかも１００％活性化するため、表面の正孔濃度が
高くなる。
場合にも、Ａｇ等のＩ族元素の場合には、結晶中に容易
に取り込まれ、ｐ型不純物として活性化するが、液相成
長後の熱処理工程、即ち、Ｈｇ空孔を埋めるｐ処理工程
において、Ｉ族元素がエピタキシャル成長層表面に移動
し、しかも１００％活性化するため、表面の正孔濃度が
高くなる。
【００１４】図６（ａ）及び（ｂ）参照
図６（ａ）は、ａｓ ｇｒｏｗｎ結晶、即ち、成長直後
の結晶におけるＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ
Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析によるＡ
ｇ濃度分布を示す図であり、ほぼ２×１０16ｃｍ-3程度
の均一な濃度分布を有しているのに対して、図６（ｂ）
に示すｐ処理後の結晶の場合には、エピタキシャル成長
層表面の不純物濃度が１０18ｃｍ-3程度に上昇している
のが確認されたが、これは、ｐ処理工程において、Ｈｇ
空孔がＨｇ原子で埋められる過程で、ドープされていた
Ａｇ元素が表面に追い出されたことによるものと考えら
れる。
の結晶におけるＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ
Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析によるＡ
ｇ濃度分布を示す図であり、ほぼ２×１０16ｃｍ-3程度
の均一な濃度分布を有しているのに対して、図６（ｂ）
に示すｐ処理後の結晶の場合には、エピタキシャル成長
層表面の不純物濃度が１０18ｃｍ-3程度に上昇している
のが確認されたが、これは、ｐ処理工程において、Ｈｇ
空孔がＨｇ原子で埋められる過程で、ドープされていた
Ａｇ元素が表面に追い出されたことによるものと考えら
れる。
【００１５】したがって、この様なエピタキシャル成長
層にダイオードを形成すると、高キャリア濃度のｐｎ接
合、即ち、ｐ+ ／ｎ+ 接合となるため、トンネル電流に
起因するリーク電流が多く、且つ、微分抵抗が低くな
り、正常な電流−電圧特性を示さないという問題が生ず
る。
層にダイオードを形成すると、高キャリア濃度のｐｎ接
合、即ち、ｐ+ ／ｎ+ 接合となるため、トンネル電流に
起因するリーク電流が多く、且つ、微分抵抗が低くな
り、正常な電流−電圧特性を示さないという問題が生ず
る。
【００１６】図７参照
図７は、この様にして形成したフォトダイオードの電流
−電圧特性、及び、微分抵抗特性を示す図であり、電流
−電圧特性からは、逆バイアス時にリーク電流が流れて
ダイオード特性を示さないことが分かり、また、微分抵
抗特性からは、微分抵抗が低く、且つ、ゼロバイアス抵
抗Ｒ0 が小さいことが分かる。
−電圧特性、及び、微分抵抗特性を示す図であり、電流
−電圧特性からは、逆バイアス時にリーク電流が流れて
ダイオード特性を示さないことが分かり、また、微分抵
抗特性からは、微分抵抗が低く、且つ、ゼロバイアス抵
抗Ｒ0 が小さいことが分かる。
【００１７】したがって、本発明は、ノン・ドープＨｇ
ＣｄＴｅ成長層にＩｂ族元素を制御性良く、且つ、活性
化しないがライフタイムが長くなるようにドープするこ
とを目的とする。
ＣｄＴｅ成長層にＩｂ族元素を制御性良く、且つ、活性
化しないがライフタイムが長くなるようにドープするこ
とを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的フ
ローの説明図であり、この図１を参照して本発明におけ
る課題を解決するための手段を説明する。図１参照 （１）本発明は、半導体結晶の製造方法において、Ｈｇ
ＣｄＴｅエピタキシャル成長層をＩｂ族元素イオンを含
む溶液中に浸析することによって、前記ＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル成長層に前記Ｉｂ族元素のドーピングを行
なうものであって、溶液における過酸化水素水の容量比
が、５〜９０％であることを特徴とする。
ローの説明図であり、この図１を参照して本発明におけ
る課題を解決するための手段を説明する。図１参照 （１）本発明は、半導体結晶の製造方法において、Ｈｇ
ＣｄＴｅエピタキシャル成長層をＩｂ族元素イオンを含
む溶液中に浸析することによって、前記ＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル成長層に前記Ｉｂ族元素のドーピングを行
なうものであって、溶液における過酸化水素水の容量比
が、５〜９０％であることを特徴とする。
【００１９】 この様に、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル
成長層をＩｂ族元素イオンを含む溶液中に浸析する、
「（４）」の液相ドーピング工程を用いることによっ
て、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層中にＩｂ族元素
をドーピングすることができる。この場合、Ｉｂ族元素を含む溶液における過酸化水素水
の容量比を５〜９０％、より好適には３０〜７０％とす
ることによって、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層の
表面にＩｂ族元素とＨｇとの合金等の異物を析出させる
ことなく、Ｉｂ族元素を均一にドープすることができ
る。
成長層をＩｂ族元素イオンを含む溶液中に浸析する、
「（４）」の液相ドーピング工程を用いることによっ
て、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層中にＩｂ族元素
をドーピングすることができる。この場合、Ｉｂ族元素を含む溶液における過酸化水素水
の容量比を５〜９０％、より好適には３０〜７０％とす
ることによって、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層の
表面にＩｂ族元素とＨｇとの合金等の異物を析出させる
ことなく、Ｉｂ族元素を均一にドープすることができ
る。
【００２０】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層として、ノン・
ドープの結晶のキャリア濃度制御をＨｇ空孔濃度制御に
よって行なった、５×１０15ｃｍ-3〜５×１０16ｃｍ-3
の正孔濃度のｐ型ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層を
用いたことを特徴とする。
て、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層として、ノン・
ドープの結晶のキャリア濃度制御をＨｇ空孔濃度制御に
よって行なった、５×１０15ｃｍ-3〜５×１０16ｃｍ-3
の正孔濃度のｐ型ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層を
用いたことを特徴とする。
【００２１】この様に、の液相ドーピング工程をの
Ｈｇ空孔濃度制御によるキャリア濃度制御工程の後に行
なうことにより、Ｉｂ族元素を活性化することなくドー
プすることができる。
Ｈｇ空孔濃度制御によるキャリア濃度制御工程の後に行
なうことにより、Ｉｂ族元素を活性化することなくドー
プすることができる。
【００２２】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、溶液中のＩｂ族元素の濃度を、１ｐｐ
ｂ〜１００ｐｐｍとすることを特徴とする。
（２）において、溶液中のＩｂ族元素の濃度を、１ｐｐ
ｂ〜１００ｐｐｍとすることを特徴とする。
【００２３】この様に、溶液中のＩｂ族元素の濃度を１
ｐｐｂ〜１００ｐｐｍとすることによって、ＨｇＣｄＴ
ｅ結晶中におけるライフタイムを十分長くすることがで
きる。
ｐｐｂ〜１００ｐｐｍとすることによって、ＨｇＣｄＴ
ｅ結晶中におけるライフタイムを十分長くすることがで
きる。
【００２４】 （４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャ
ル成長層をＩｂ族元素イオンを含む溶液中に浸析する前
に、エッチングによって表面を清浄化することを特徴と
する。
（３）のいずれかにおいて、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャ
ル成長層をＩｂ族元素イオンを含む溶液中に浸析する前
に、エッチングによって表面を清浄化することを特徴と
する。
【００２５】 この様に、「（４）」の液相ドーピング
工程の直前に、「（３）」の表面清浄化工程、特に、ブ
ロムメタノールによるエッチングを行なって、ＨｇＣｄ
Ｔｅエピタキシャル成長層に形成されているＩｂ族元素
の拡散バリアとなる自然酸化膜等をエッチング除去する
ことにより、表面を常に清浄に保つことができるので、
Ｉｂ族元素のドーピングがスムーズに行なわれることに
なる。
工程の直前に、「（３）」の表面清浄化工程、特に、ブ
ロムメタノールによるエッチングを行なって、ＨｇＣｄ
Ｔｅエピタキシャル成長層に形成されているＩｂ族元素
の拡散バリアとなる自然酸化膜等をエッチング除去する
ことにより、表面を常に清浄に保つことができるので、
Ｉｂ族元素のドーピングがスムーズに行なわれることに
なる。
【００２６】 （５）また、本発明は、上記（１）乃至
（４）のいずれかにおいて、Ｉｂ族元素濃度を１〜１０
０ｐｐｍ、浸析時間を１０〜９０分、溶液の温度を１０
〜３０℃とすると共に、浸析時に超音波振動を加えるこ
とを特徴とする。
（４）のいずれかにおいて、Ｉｂ族元素濃度を１〜１０
０ｐｐｍ、浸析時間を１０〜９０分、溶液の温度を１０
〜３０℃とすると共に、浸析時に超音波振動を加えるこ
とを特徴とする。
【００２７】 この様に、Ｉｂ族元素濃度を１〜１００
ｐｐｍ、より好適には２〜２０ｐｐｍ、浸析時間を１０
〜９０分、より好適には１５〜６０分、溶液の温度を１
０〜３０℃とすることによって、ライフタイムの改善を
可能にする程度の濃度のＩｂ族元素を再現性良くドープ
することができ、また、浸析時に超音波振動を加えるこ
とによってＩｂ族元素を均一にドープすることができ
る。
ｐｐｍ、より好適には２〜２０ｐｐｍ、浸析時間を１０
〜９０分、より好適には１５〜６０分、溶液の温度を１
０〜３０℃とすることによって、ライフタイムの改善を
可能にする程度の濃度のＩｂ族元素を再現性良くドープ
することができ、また、浸析時に超音波振動を加えるこ
とによってＩｂ族元素を均一にドープすることができ
る。
【００２８】 （６）また、本発明は、上記（１）乃至
（５）のいずれかにおいて、Ｉｂ族元素がＡｇであるこ
とを特徴とする。
（５）のいずれかにおいて、Ｉｂ族元素がＡｇであるこ
とを特徴とする。
【００２９】 この様なＩｂ族元素としては、Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｃｕを用いることができるが、この内で、Ａｇがフ
ォトダイオード特性に悪影響を与える可能性が最も少な
い。
ｕ，Ｃｕを用いることができるが、この内で、Ａｇがフ
ォトダイオード特性に悪影響を与える可能性が最も少な
い。
【００３０】 （７）また、本発明は、半導体結晶の製
造方法において、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層を
Ｉｂ族元素イオンを含む溶液で研磨することによって、
ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層に前記Ｉｂ族元素の
ドーピングを行なうものであって、溶液がコロイダルシ
リカ及び過酸化水素水とを含むことを特徴とする。
造方法において、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層を
Ｉｂ族元素イオンを含む溶液で研磨することによって、
ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層に前記Ｉｂ族元素の
ドーピングを行なうものであって、溶液がコロイダルシ
リカ及び過酸化水素水とを含むことを特徴とする。
【００３１】この様に、Ｉｂ族元素を含む溶液にコロイ
ダルシリカ及び過酸化水素水を加えることによって、コ
ロイダルシリカによる研磨が可能になり、それによっ
て、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層に形成されてい
る自然酸化膜等を研磨除去して表面を常に清浄に保つこ
とができるので、Ｉｂ族元素のドーピングがスムーズに
行なわれることになる。
ダルシリカ及び過酸化水素水を加えることによって、コ
ロイダルシリカによる研磨が可能になり、それによっ
て、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層に形成されてい
る自然酸化膜等を研磨除去して表面を常に清浄に保つこ
とができるので、Ｉｂ族元素のドーピングがスムーズに
行なわれることになる。
【００３２】（８）また、本発明は、上記（７）におい
て、過酸化水素水を加えた後のＩｂ族元素を含む溶液の
ｐＨを７．５以下にすると共に、Ｉｂ族元素濃度を１〜
１００ｐｐｍ、浸析時間を１０〜９０分、溶液の温度を
１０〜３０℃とすることを特徴とする。
て、過酸化水素水を加えた後のＩｂ族元素を含む溶液の
ｐＨを７．５以下にすると共に、Ｉｂ族元素濃度を１〜
１００ｐｐｍ、浸析時間を１０〜９０分、溶液の温度を
１０〜３０℃とすることを特徴とする。
【００３３】この様に、過酸化水素水を加えた後のＩｂ
族元素を含む溶液のｐＨを７．５以下、より好適には
７．０以下にすることによって、ＨｇＣｄＴｅエピタキ
シャル成長層の表面にＩｂ族元素とＨｇとの合金等の異
物が析出することがなく、且つ、Ｉｂ族元素濃度を１〜
１００ｐｐｍ、より好適には２〜２０ｐｐｍ、浸析時間
を１０〜９０分、より好適には１５〜６０分、溶液の温
度を１０〜３０℃とすることによって、ライフタイムの
改善を可能にする程度の濃度のＩｂ族元素を再現性良く
ドープすることができる。
族元素を含む溶液のｐＨを７．５以下、より好適には
７．０以下にすることによって、ＨｇＣｄＴｅエピタキ
シャル成長層の表面にＩｂ族元素とＨｇとの合金等の異
物が析出することがなく、且つ、Ｉｂ族元素濃度を１〜
１００ｐｐｍ、より好適には２〜２０ｐｐｍ、浸析時間
を１０〜９０分、より好適には１５〜６０分、溶液の温
度を１０〜３０℃とすることによって、ライフタイムの
改善を可能にする程度の濃度のＩｂ族元素を再現性良く
ドープすることができる。
【００３４】（９）また、本発明は、上記（７）におい
て、溶液中のＩｂ族元素の濃度を１〜１００ｐｐｂとす
ることを特徴とする。
て、溶液中のＩｂ族元素の濃度を１〜１００ｐｐｂとす
ることを特徴とする。
【００３５】この様に、溶液中のＩｂ族元素の濃度を１
〜１００ｐｐｂとすることによって、ＨｇＣｄＴｅエピ
タキシャル成長層中に結晶性の乱れた領域が点在してい
ても正常な電流−電圧特性を得ることができるので、結
晶性の乱れた領域に起因する画素欠陥の発生を防止する
ことができ、また、この濃度は５〜５０ｐｐｂの範囲が
より好適である。
〜１００ｐｐｂとすることによって、ＨｇＣｄＴｅエピ
タキシャル成長層中に結晶性の乱れた領域が点在してい
ても正常な電流−電圧特性を得ることができるので、結
晶性の乱れた領域に起因する画素欠陥の発生を防止する
ことができ、また、この濃度は５〜５０ｐｐｂの範囲が
より好適である。
【００３６】（１０）また、本発明は、上記（９）にお
いて、溶液中に含有させるＩｂ族元素を、Ｉｂ族元素を
含む物質をＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層と同時
に、或いは、事前に研磨することにより溶液に供給する
ことを特徴とする。
いて、溶液中に含有させるＩｂ族元素を、Ｉｂ族元素を
含む物質をＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層と同時
に、或いは、事前に研磨することにより溶液に供給する
ことを特徴とする。
【００３７】この様に、溶液中のＩｂ族元素の濃度を１
〜１００ｐｐｂとする場合には、秤量により１〜１００
ｐｐｂの濃度にドーピングすることは困難であるので、
Ｉｂ族元素を含む物質をＩｂ族元素の供給源とし、Ｈｇ
ＣｄＴｅエピタキシャル成長層と同時に、或いは、事前
に研磨することにより溶液に供給することが望ましい。
〜１００ｐｐｂとする場合には、秤量により１〜１００
ｐｐｂの濃度にドーピングすることは困難であるので、
Ｉｂ族元素を含む物質をＩｂ族元素の供給源とし、Ｈｇ
ＣｄＴｅエピタキシャル成長層と同時に、或いは、事前
に研磨することにより溶液に供給することが望ましい。
【００３８】（１１）また、本発明は、上記（１０）に
おいて、Ｉｂ族元素を含む物質が、Ｉｂ族元素をドープ
したＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、或いは、ＨｇＣｄＴｅのいず
れかであることを特徴とする。
おいて、Ｉｂ族元素を含む物質が、Ｉｂ族元素をドープ
したＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、或いは、ＨｇＣｄＴｅのいず
れかであることを特徴とする。
【００３９】この様に、Ｉｂ族元素を含む物質としてＩ
ｂ族元素をドープしたＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、或いは、Ｈ
ｇＣｄＴｅを用いた場合には、Ｉｂ族元素をドープした
ＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、或いは、ＨｇＣｄＴｅを事前に研
磨するか、或いは、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層
を研磨する際に、Ｉｂ族元素をドープしたＨｇＴｅ、Ｃ
ｄＴｅ、或いは、ＨｇＣｄＴｅをＨｇＣｄＴｅエピタキ
シャル成長層の周辺に貼り付けておき、ＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル成長層と同時に研磨して供給すれば良い。
ｂ族元素をドープしたＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、或いは、Ｈ
ｇＣｄＴｅを用いた場合には、Ｉｂ族元素をドープした
ＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、或いは、ＨｇＣｄＴｅを事前に研
磨するか、或いは、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層
を研磨する際に、Ｉｂ族元素をドープしたＨｇＴｅ、Ｃ
ｄＴｅ、或いは、ＨｇＣｄＴｅをＨｇＣｄＴｅエピタキ
シャル成長層の周辺に貼り付けておき、ＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル成長層と同時に研磨して供給すれば良い。
【００４０】（１２）また、本発明は、上記（１０）に
おいて、Ｉｂ族元素を含む物質が、Ｉｂ族元素をドープ
した研磨治具であることを特徴とする。
おいて、Ｉｂ族元素を含む物質が、Ｉｂ族元素をドープ
した研磨治具であることを特徴とする。
【００４１】この様に、Ｉｂ族元素を含む物質としてＩ
ｂ族元素をドープした研磨治具、例えば、Ａｇをドープ
したステンレス製の研磨治具を用いることによって、研
磨の際に研磨治具も研磨されてＡｇ等のＩｂ族元素が溶
液中にドープされることになる。
ｂ族元素をドープした研磨治具、例えば、Ａｇをドープ
したステンレス製の研磨治具を用いることによって、研
磨の際に研磨治具も研磨されてＡｇ等のＩｂ族元素が溶
液中にドープされることになる。
【００４２】（１３）また、本発明は、上記（１０）に
おいて、Ｉｂ族元素を含む物質が、ＨｇＣｄＴｅエピタ
キシャル成長層をアルミナ研磨したのちの表面に形成し
たＩｂ族元素の薄膜であることを特徴とする。
おいて、Ｉｂ族元素を含む物質が、ＨｇＣｄＴｅエピタ
キシャル成長層をアルミナ研磨したのちの表面に形成し
たＩｂ族元素の薄膜であることを特徴とする。
【００４３】この様に、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成
長層をアルミナ研磨した場合には、表面層が変質してＩ
ｂ族元素の拡散が起こらないので、アルミナ研磨したの
ちの表面にＩｂ族元素の薄膜を直接堆積させ、研磨する
ことによって溶液にＩｂ族元素を供給することができ
る。
長層をアルミナ研磨した場合には、表面層が変質してＩ
ｂ族元素の拡散が起こらないので、アルミナ研磨したの
ちの表面にＩｂ族元素の薄膜を直接堆積させ、研磨する
ことによって溶液にＩｂ族元素を供給することができ
る。
【００４４】（１４）また、本発明は、上記（１０）に
おいて、Ｉｂ族元素を含む物質が、ＨｇＣｄＴｅエピタ
キシャル成長層の表面に形成した保護膜上に設けたＩｂ
族元素の薄膜であることを特徴とする。
おいて、Ｉｂ族元素を含む物質が、ＨｇＣｄＴｅエピタ
キシャル成長層の表面に形成した保護膜上に設けたＩｂ
族元素の薄膜であることを特徴とする。
【００４５】この様に、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成
長層をアルミナ研磨しない場合には、Ｉｂ族元素の拡散
が起きやすく、Ｉｂ族元素がＨｇＣｄＴｅエピタキシャ
ル成長層内に多量に拡散するので、ＺｎＳ等の保護膜を
介してＩｂ族元素の薄膜を堆積させ、その後、研磨する
ことによって溶液にＩｂ族元素を供給する必要がある。
長層をアルミナ研磨しない場合には、Ｉｂ族元素の拡散
が起きやすく、Ｉｂ族元素がＨｇＣｄＴｅエピタキシャ
ル成長層内に多量に拡散するので、ＺｎＳ等の保護膜を
介してＩｂ族元素の薄膜を堆積させ、その後、研磨する
ことによって溶液にＩｂ族元素を供給する必要がある。
【００４６】 （１５）また、本発明は、上記（７）乃
至（１４）のいずれかにおいて、Ｉｂ族元素がＡｇであ
ることを特徴とする。
至（１４）のいずれかにおいて、Ｉｂ族元素がＡｇであ
ることを特徴とする。
【００４７】この様なＩｂ族元素としては、Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｃｕを用いることができるが、この内で、Ａｇがフ
ォトダイオード特性に悪影響を与える可能性が最も少な
い。
ｕ，Ｃｕを用いることができるが、この内で、Ａｇがフ
ォトダイオード特性に悪影響を与える可能性が最も少な
い。
【００４８】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図２
及び図３を参照して説明する。なお、図２は、第１の実
施の形態のフローの説明図であり、また、図３は、第１
の実施の形態のフォトダイオードの特性の説明図であ
る。
及び図３を参照して説明する。なお、図２は、第１の実
施の形態のフローの説明図であり、また、図３は、第１
の実施の形態のフォトダイオードの特性の説明図であ
る。
【００４９】図２参照
まず、従来と同様に、の液相エピタキシャル成長工程
において、閉管チッピング法を用いて、Ｔｅリッチの融
液中でＣｄＴｅ基板上にノン・ドープのｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層を液相エピタキシャル成長させたのち、のキャリ
ア濃度制御工程において、Ｈｇ蒸気中での熱処理によ
り、Ｈｇ空孔の一部をＨｇ原子で埋めるｐ処理によっ
て、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の正孔濃度を０．５〜５×１０
16ｃｍ-3、例えば、２．０×１０16ｃｍ-3に制御し、次
いで、の表面研磨工程において、表面平坦化、及び、
厚みの均一化のためにアルミナ研磨を行なって、ｐ型Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の厚さを１５〜２５μｍ、例えば、２０μ
ｍに薄層化する。
において、閉管チッピング法を用いて、Ｔｅリッチの融
液中でＣｄＴｅ基板上にノン・ドープのｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層を液相エピタキシャル成長させたのち、のキャリ
ア濃度制御工程において、Ｈｇ蒸気中での熱処理によ
り、Ｈｇ空孔の一部をＨｇ原子で埋めるｐ処理によっ
て、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の正孔濃度を０．５〜５×１０
16ｃｍ-3、例えば、２．０×１０16ｃｍ-3に制御し、次
いで、の表面研磨工程において、表面平坦化、及び、
厚みの均一化のためにアルミナ研磨を行なって、ｐ型Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の厚さを１５〜２５μｍ、例えば、２０μ
ｍに薄層化する。
【００５０】次いで、の表面清浄化工程において、ブ
ロムメタノールを用いてｐ型ＨｇＣｄＴｅ層を軽くエッ
チングすることによって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の表面に
形成されている自然酸化膜等を除去して、表面を清浄化
する。
ロムメタノールを用いてｐ型ＨｇＣｄＴｅ層を軽くエッ
チングすることによって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の表面に
形成されている自然酸化膜等を除去して、表面を清浄化
する。
【００５１】この表面清浄化工程において、次の工程に
おけるＡｇの拡散に対するバリアとなる自然酸化膜等が
除去されるので、Ａｇのドーピングがスムーズに行なわ
れ、且つ、ウェハ面内均一性が保たれることになる。
おけるＡｇの拡散に対するバリアとなる自然酸化膜等が
除去されるので、Ａｇのドーピングがスムーズに行なわ
れ、且つ、ウェハ面内均一性が保たれることになる。
【００５２】次いで、のＡｇ添加過酸化水素水溶液に
浸析する工程において、過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）と水
（Ｈ2 Ｏ）との容量比、即ち、Ｈ2 Ｏ2 ／（Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2Ｏ）が５〜９０％、例えば、５０％となる水溶液中
に、Ａｇ濃度が１〜１００ｐｐｍ、例えば、１０ｐｐｍ
になるように硝酸銀（ＡｇＮＯ3 ）を加えてＡｇ添加過
酸化水素水溶液を作り、常温において、超音波振動をか
けながら、このＡｇ添加過酸化水素水溶液中にｐ型Ｈｇ
ＣｄＴｅ層を１０〜９０分、例えば、３０分浸析させ
る。
浸析する工程において、過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）と水
（Ｈ2 Ｏ）との容量比、即ち、Ｈ2 Ｏ2 ／（Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2Ｏ）が５〜９０％、例えば、５０％となる水溶液中
に、Ａｇ濃度が１〜１００ｐｐｍ、例えば、１０ｐｐｍ
になるように硝酸銀（ＡｇＮＯ3 ）を加えてＡｇ添加過
酸化水素水溶液を作り、常温において、超音波振動をか
けながら、このＡｇ添加過酸化水素水溶液中にｐ型Ｈｇ
ＣｄＴｅ層を１０〜９０分、例えば、３０分浸析させ
る。
【００５３】この工程において、水溶液中に５〜９０
％、より好適には、３０〜７０％のＨ 2 Ｏ2 を加えるこ
とによって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層表面にＡｇとＨｇの合
金等の異物が析出することがなく、また、Ａｇ濃度が１
〜１００ｐｐｍ、より好適には、２〜２０ｐｐｍとなる
ようにＡｇＮＯ3 を加えることによって、ライフタイム
を長くするのに十分で、且つ、フォトダイオードの特性
に悪影響を与えない程度の濃度のＡｇをドープすること
ができる。
％、より好適には、３０〜７０％のＨ 2 Ｏ2 を加えるこ
とによって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層表面にＡｇとＨｇの合
金等の異物が析出することがなく、また、Ａｇ濃度が１
〜１００ｐｐｍ、より好適には、２〜２０ｐｐｍとなる
ようにＡｇＮＯ3 を加えることによって、ライフタイム
を長くするのに十分で、且つ、フォトダイオードの特性
に悪影響を与えない程度の濃度のＡｇをドープすること
ができる。
【００５４】また、この場合の浸析時間を１０〜９０
分、より好適には１５〜６０分とし、溶液の温度を常温
近傍、即ち、１０〜３０℃とすることによってＡｇを再
現性良くドープすることができる。
分、より好適には１５〜６０分とし、溶液の温度を常温
近傍、即ち、１０〜３０℃とすることによってＡｇを再
現性良くドープすることができる。
【００５５】次いで、の水洗・乾燥工程において、ｐ
型ＨｇＣｄＴｅ層の水洗を行い、アセトン等の有機溶剤
で洗浄して水分を除去したのち、乾燥させて、本発明の
半導体結晶の製造工程が完了する。
型ＨｇＣｄＴｅ層の水洗を行い、アセトン等の有機溶剤
で洗浄して水分を除去したのち、乾燥させて、本発明の
半導体結晶の製造工程が完了する。
【００５６】それ以降は、従来と同様に、のダイオー
ド作製工程において、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層にＢイオンを
選択的にイオン注入してｎ+ 型領域を形成してフォトダ
イオードとし、次いで、ＺｎＳ膜等を設けたのち、コン
タクトホールを介してｎ側電極となるＩｎ電極を設け、
このＩｎ電極を利用して読出回路基板と貼り合わせて赤
外線検出装置を構成する。
ド作製工程において、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層にＢイオンを
選択的にイオン注入してｎ+ 型領域を形成してフォトダ
イオードとし、次いで、ＺｎＳ膜等を設けたのち、コン
タクトホールを介してｎ側電極となるＩｎ電極を設け、
このＩｎ電極を利用して読出回路基板と貼り合わせて赤
外線検出装置を構成する。
【００５７】図３参照
図３は、この様にして作製したフォトダイオードの８０
Ｋにおける特性を示す図であり、電流−電圧特性から
は、逆バイアス時のリーク電流が低減して正常なダイオ
ード特性を示しているのが分かり、また、微分抵抗特性
からは、微分抵抗が高くなり、且つ、ゼロバイアス抵抗
Ｒ0 も高くなっているのが分かり、量子効率としては
０．６〜０．７の値が得られた。
Ｋにおける特性を示す図であり、電流−電圧特性から
は、逆バイアス時のリーク電流が低減して正常なダイオ
ード特性を示しているのが分かり、また、微分抵抗特性
からは、微分抵抗が高くなり、且つ、ゼロバイアス抵抗
Ｒ0 も高くなっているのが分かり、量子効率としては
０．６〜０．７の値が得られた。
【００５８】これは、Ａｇの拡散は、Ｈｇ空孔を介して
行なわれ、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層中のＨｇ空孔がＡｇに置
き換わることにより、活性化エネルギーはＨｇ空孔のア
クセプタレベルに相当する１２ｍｅＶから、Ａｇの不純
物レベルに相当する４ｍｅＶに変化しているが、Ａｇの
ドープ後に熱処理工程を伴っていないので、Ａｇが殆ど
活性化しておらず、８０Ｋにおいてはキャリア濃度の変
化は殆ど生じていないため、低正孔濃度のｐ型ＨｇＣｄ
Ｔｅ層のままである。
行なわれ、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層中のＨｇ空孔がＡｇに置
き換わることにより、活性化エネルギーはＨｇ空孔のア
クセプタレベルに相当する１２ｍｅＶから、Ａｇの不純
物レベルに相当する４ｍｅＶに変化しているが、Ａｇの
ドープ後に熱処理工程を伴っていないので、Ａｇが殆ど
活性化しておらず、８０Ｋにおいてはキャリア濃度の変
化は殆ど生じていないため、低正孔濃度のｐ型ＨｇＣｄ
Ｔｅ層のままである。
【００５９】したがって、ドープされたＡｇはキャリア
のライフタイムを短くするＨｇ空孔の不純物準位を無く
す作用だけを行なうことによって、キャリア濃度を高め
ることなく、キャリアのライフタイムを長くすることが
できるものと考えられる。
のライフタイムを短くするＨｇ空孔の不純物準位を無く
す作用だけを行なうことによって、キャリア濃度を高め
ることなく、キャリアのライフタイムを長くすることが
できるものと考えられる。
【００６０】次に、図４を参照して本発明の第２の実施
の形態を説明する。 図４参照 まず、第１の実施の形態と同様に、の液相エピタキシ
ャル成長工程において、閉管チッピング法を用いて、Ｔ
ｅリッチの融液中でＣｄＴｅ基板上にノン・ドープのｐ
型ＨｇＣｄＴｅ層を液相エピタキシャル成長させたの
ち、のキャリア濃度制御工程において、Ｈｇ蒸気中で
の熱処理により、Ｈｇ空孔の一部をＨｇ原子で埋めるｐ
処理によって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の正孔濃度を０．５
〜５×１０ 16ｃｍ-3、例えば、２．０×１０16ｃｍ-3に
制御し、次いで、の表面研磨工程において、表面平坦
化、及び、厚みの均一化のためにアルミナ研磨を行なっ
て、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の厚さを１５〜２５μｍ、例え
ば、２０μｍに薄層化する。
の形態を説明する。 図４参照 まず、第１の実施の形態と同様に、の液相エピタキシ
ャル成長工程において、閉管チッピング法を用いて、Ｔ
ｅリッチの融液中でＣｄＴｅ基板上にノン・ドープのｐ
型ＨｇＣｄＴｅ層を液相エピタキシャル成長させたの
ち、のキャリア濃度制御工程において、Ｈｇ蒸気中で
の熱処理により、Ｈｇ空孔の一部をＨｇ原子で埋めるｐ
処理によって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の正孔濃度を０．５
〜５×１０ 16ｃｍ-3、例えば、２．０×１０16ｃｍ-3に
制御し、次いで、の表面研磨工程において、表面平坦
化、及び、厚みの均一化のためにアルミナ研磨を行なっ
て、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の厚さを１５〜２５μｍ、例え
ば、２０μｍに薄層化する。
【００６１】次いで、のコロイダルシリカ研磨工程に
おいて、コロイダルシリカ（ｐＨ＝８．５）とＨ2 Ｏ2
（ｐＨ＝４．５）とを容量比で１：１にした水溶液中に
Ａｇ濃度が１〜１００ｐｐｍ、例えば、１０ｐｐｍにな
るように硝酸銀（ＡｇＮＯ3）を加えて研磨液を作り、
常温において、この研磨液を用いてｐ型ＨｇＣｄＴｅ層
を１０〜９０分、例えば、３０分研磨する。
おいて、コロイダルシリカ（ｐＨ＝８．５）とＨ2 Ｏ2
（ｐＨ＝４．５）とを容量比で１：１にした水溶液中に
Ａｇ濃度が１〜１００ｐｐｍ、例えば、１０ｐｐｍにな
るように硝酸銀（ＡｇＮＯ3）を加えて研磨液を作り、
常温において、この研磨液を用いてｐ型ＨｇＣｄＴｅ層
を１０〜９０分、例えば、３０分研磨する。
【００６２】このコロイダルシリカ研磨工程において、
Ａｇの拡散に対するバリアとなる自然酸化膜等が除去さ
れるので、Ａｇのドーピングがスムーズに行なわれ、且
つ、ウェハ面内均一性が保たれることになる。
Ａｇの拡散に対するバリアとなる自然酸化膜等が除去さ
れるので、Ａｇのドーピングがスムーズに行なわれ、且
つ、ウェハ面内均一性が保たれることになる。
【００６３】また、研磨液のｐＨが７．５以下、より好
適には、７．０以下になるように、Ｈ2 Ｏ2 の混合比を
選定することによって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層表面にＡｇ
とＨｇの合金等の異物が析出することがなく、また、Ａ
ｇ濃度が１〜１００ｐｐｍ、より好適には、２〜２０ｐ
ｐｍとなるようにＡｇＮＯ3 を加えることによって、ラ
イフタイムを長くするのに十分で、且つ、フォトダイオ
ードの特性に悪影響を与えない程度の濃度のＡｇをドー
プすることができる。
適には、７．０以下になるように、Ｈ2 Ｏ2 の混合比を
選定することによって、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層表面にＡｇ
とＨｇの合金等の異物が析出することがなく、また、Ａ
ｇ濃度が１〜１００ｐｐｍ、より好適には、２〜２０ｐ
ｐｍとなるようにＡｇＮＯ3 を加えることによって、ラ
イフタイムを長くするのに十分で、且つ、フォトダイオ
ードの特性に悪影響を与えない程度の濃度のＡｇをドー
プすることができる。
【００６４】また、この場合の研磨時間を１０〜９０
分、より好適には１５〜６０分とし、溶液の温度を常温
近傍、即ち、１０〜３０℃とすることによってＡｇを再
現性良くドープすることができる。
分、より好適には１５〜６０分とし、溶液の温度を常温
近傍、即ち、１０〜３０℃とすることによってＡｇを再
現性良くドープすることができる。
【００６５】次いで、の水洗・乾燥工程として、ｐ型
ＨｇＣｄＴｅ層の水洗を行い、アセトン等の有機溶剤で
洗浄して水分を除去したのち、乾燥させて、本発明の第
２の実施の形態の半導体結晶の製造工程が完了する。
ＨｇＣｄＴｅ層の水洗を行い、アセトン等の有機溶剤で
洗浄して水分を除去したのち、乾燥させて、本発明の第
２の実施の形態の半導体結晶の製造工程が完了する。
【００６６】それ以降は、従来と同様に、のダイオー
ド作製工程において、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層にＢイオンを
選択的にイオン注入してｎ+ 型領域を形成してフォトダ
イオードとし、次いで、ＺｎＳ膜等を設けたのち、コン
タクトホールを介してｎ側電極となるＩｎ電極を設け、
このＩｎ電極を利用して読出回路基板と貼り合わせて赤
外線検出装置を構成する。
ド作製工程において、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層にＢイオンを
選択的にイオン注入してｎ+ 型領域を形成してフォトダ
イオードとし、次いで、ＺｎＳ膜等を設けたのち、コン
タクトホールを介してｎ側電極となるＩｎ電極を設け、
このＩｎ電極を利用して読出回路基板と貼り合わせて赤
外線検出装置を構成する。
【００６７】この第２の実施の形態においては、表面清
浄化工程とＡｇドープ工程とを、コロイダルシリカ研磨
工程として一度の工程で行なうので、製造工程が簡素化
されるという利点がある。
浄化工程とＡｇドープ工程とを、コロイダルシリカ研磨
工程として一度の工程で行なうので、製造工程が簡素化
されるという利点がある。
【００６８】また、この第２の実施の形態の場合にも、
上記の第１の実施の形態と同様に、正常な電流−電圧特
性、及び、高い微分抵抗特性を示すと共に、量子効率が
０．６〜０．７のフォトダイオードが得られる。
上記の第１の実施の形態と同様に、正常な電流−電圧特
性、及び、高い微分抵抗特性を示すと共に、量子効率が
０．６〜０．７のフォトダイオードが得られる。
【００６９】上述のように、Ａｇを１ｐｐｍ〜１００ｐ
ｐｍ含む溶液中にｐ型ＨｇＣｄＴｅ層を浸漬して、Ａｇ
をドープすることによって正常な電流−電圧特性、及
び、高い微分抵抗特性を示すと共に、量子効率が０．６
〜０．７のフォトダイオードが得られるが、それ以降の
研究によって１ｐｐｂ〜１００ｐｐｍの範囲においても
同様な効果が得られることが判明した。
ｐｍ含む溶液中にｐ型ＨｇＣｄＴｅ層を浸漬して、Ａｇ
をドープすることによって正常な電流−電圧特性、及
び、高い微分抵抗特性を示すと共に、量子効率が０．６
〜０．７のフォトダイオードが得られるが、それ以降の
研究によって１ｐｐｂ〜１００ｐｐｍの範囲においても
同様な効果が得られることが判明した。
【００７０】しかし、使用するｐ型ＨｇＣｄＴｅ層によ
っては、２０ｍｍ角の結晶に数個〜数十個の結晶性の乱
れた領域が存在し、Ａｇ濃度が１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ
の場合には、この結晶性の乱れた領域にＡｇが過剰に集
積してキャリア濃度が高くなり、この領域にｐ+ ／ｎ+
接合が形成されてリーク電流が増大し、画素欠陥が発生
するという問題がある。
っては、２０ｍｍ角の結晶に数個〜数十個の結晶性の乱
れた領域が存在し、Ａｇ濃度が１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ
の場合には、この結晶性の乱れた領域にＡｇが過剰に集
積してキャリア濃度が高くなり、この領域にｐ+ ／ｎ+
接合が形成されてリーク電流が増大し、画素欠陥が発生
するという問題がある。
【００７１】即ち、結晶性の良好な領域においては図３
に示した良好な耐圧特性を示す電流−電圧特性が得られ
るものの、結晶性の乱れた領域においては図７に示した
ような耐圧特性の劣化した電流−電圧特性が得られる。
に示した良好な耐圧特性を示す電流−電圧特性が得られ
るものの、結晶性の乱れた領域においては図７に示した
ような耐圧特性の劣化した電流−電圧特性が得られる。
【００７２】そこで、この様な結晶性の乱れた領域に起
因する問題を解決するためには、上記の第１の実施の形
態及び第２の実施の形態における溶液中に含まれるＡｇ
の濃度を１〜１００ｐｐｂ、より好適には５〜５０ｐｐ
ｂにすれば良いことが判明した。
因する問題を解決するためには、上記の第１の実施の形
態及び第２の実施の形態における溶液中に含まれるＡｇ
の濃度を１〜１００ｐｐｂ、より好適には５〜５０ｐｐ
ｂにすれば良いことが判明した。
【００７３】即ち、上記の第１の実施の形態において
は、過酸化水素水と水との容量比が１：１の水溶液中
に、Ａｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、例えば、１０ｐｐｂ
になるように硝酸銀を加えてＡｇ添加過酸化水素水溶液
を作れば良い。
は、過酸化水素水と水との容量比が１：１の水溶液中
に、Ａｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、例えば、１０ｐｐｂ
になるように硝酸銀を加えてＡｇ添加過酸化水素水溶液
を作れば良い。
【００７４】また、上記の第２の実施の形態において
は、コロイダルシリカとＨ2 Ｏ2 とを容量比で１：１に
した水溶液中にＡｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、例えば、
１０ｐｐｂになるように硝酸銀を加えて研磨液を作れば
良い。
は、コロイダルシリカとＨ2 Ｏ2 とを容量比で１：１に
した水溶液中にＡｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、例えば、
１０ｐｐｂになるように硝酸銀を加えて研磨液を作れば
良い。
【００７５】但し、１〜１００ｐｐｂの濃度のＡｇは、
１０００ｃｃの溶液に対して１〜１００μｇのＡｇに相
当し、これはＡｇの原子数で５．６×１０15〜５．６×
１０ 17ｃｍ-3であるので、この様な低濃度を秤量によっ
て精度良く制御することは非常に困難であり、或いは、
大量の溶液を形成してその一部を使用する場合には秤量
の困難性の問題は解決されるが、不使用の余分な溶液が
無駄になるという問題があるので、この様な問題点を解
決するための４つの方法を以下に示す。
１０００ｃｃの溶液に対して１〜１００μｇのＡｇに相
当し、これはＡｇの原子数で５．６×１０15〜５．６×
１０ 17ｃｍ-3であるので、この様な低濃度を秤量によっ
て精度良く制御することは非常に困難であり、或いは、
大量の溶液を形成してその一部を使用する場合には秤量
の困難性の問題は解決されるが、不使用の余分な溶液が
無駄になるという問題があるので、この様な問題点を解
決するための４つの方法を以下に示す。
【００７６】これらの４つの改良した実施の形態は、い
ずれも上記の第２の実施の形態の変形例であり、第４の
改良した実施の形態以外は、のコロイダルシリカ研磨
工程以外は第２の実施の形態と実質的に同一であり、第
４の改良した実施の形態においては、の表面研磨工程
が存在しない点でも第２の実施の形態と相違するもので
ある。
ずれも上記の第２の実施の形態の変形例であり、第４の
改良した実施の形態以外は、のコロイダルシリカ研磨
工程以外は第２の実施の形態と実質的に同一であり、第
４の改良した実施の形態においては、の表面研磨工程
が存在しない点でも第２の実施の形態と相違するもので
ある。
【００７７】まず、第１の改良した実施の形態を説明す
ると、研磨液にＡｇをドープする際に、Ａｇ供給源とし
てＡｇをドープしたダミーＨｇＣｄＴｅ結晶を用い、こ
のダミーＨｇＣｄＴｅ結晶を、研磨治具の結晶固着面の
研磨すべき結晶の周辺に貼り付けて、研磨液中において
研磨すべきｐ型ＨｇＣｄＴｅ層と同時に研磨する方法で
ある。
ると、研磨液にＡｇをドープする際に、Ａｇ供給源とし
てＡｇをドープしたダミーＨｇＣｄＴｅ結晶を用い、こ
のダミーＨｇＣｄＴｅ結晶を、研磨治具の結晶固着面の
研磨すべき結晶の周辺に貼り付けて、研磨液中において
研磨すべきｐ型ＨｇＣｄＴｅ層と同時に研磨する方法で
ある。
【００７８】この場合、１０００ｃｃの研磨液に対し
て、Ａｇ濃度が１０20ｃｍ-3の２０ｍｍ角のダミーＨｇ
ＣｄＴｅ結晶を１μｍ研磨した場合、 ２０ｍｍ×２０ｍｍ×１μｍ×１０20ｃｍ-3 ＝４×１×１０-4×１０20＝４×１０16 で、４×１０16個の原子数となり、これは （４×１０16）／（５．６×１０15）≒７．１４ で約７．１ｐｐｂに相当する。
て、Ａｇ濃度が１０20ｃｍ-3の２０ｍｍ角のダミーＨｇ
ＣｄＴｅ結晶を１μｍ研磨した場合、 ２０ｍｍ×２０ｍｍ×１μｍ×１０20ｃｍ-3 ＝４×１×１０-4×１０20＝４×１０16 で、４×１０16個の原子数となり、これは （４×１０16）／（５．６×１０15）≒７．１４ で約７．１ｐｐｂに相当する。
【００７９】この場合、ダミーＨｇＣｄＴｅ結晶の研磨
量は、ダミーＨｇＣｄＴｅ結晶のＡｇ濃度、ダミーＨｇ
ＣｄＴｅ結晶の面積、及び、研磨液の使用量に応じて、
研磨液中のＡｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、より好適に
は、５〜５０ｐｐｂになるようにすれば良い。
量は、ダミーＨｇＣｄＴｅ結晶のＡｇ濃度、ダミーＨｇ
ＣｄＴｅ結晶の面積、及び、研磨液の使用量に応じて、
研磨液中のＡｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、より好適に
は、５〜５０ｐｐｂになるようにすれば良い。
【００８０】また、この様なダミーウェハを用いる場合
には、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の研磨と同時に研磨する必要
は必ずしもなく、ダミーウェハのみを固着した研磨治具
を用いて、事前に研磨することによって、研磨液中にＡ
ｇをドープしても良いものであり、この場合の方が、Ａ
ｇのドープ量をｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の研磨量と独立に制
御することができる。
には、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の研磨と同時に研磨する必要
は必ずしもなく、ダミーウェハのみを固着した研磨治具
を用いて、事前に研磨することによって、研磨液中にＡ
ｇをドープしても良いものであり、この場合の方が、Ａ
ｇのドープ量をｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の研磨量と独立に制
御することができる。
【００８１】さらに、この場合のダミーウェハは、Ａｇ
ドープのＨｇＣｄＴｅ結晶に限られるものでなく、Ａｇ
ドープのＨｇＴｅ結晶或いはＡｇドープのＣｄＴｅ結晶
を用いても良いものであり、これらは２元化合物である
のでＡｇドープ結晶の準備・製造が容易であり、特に、
ＨｇＴｅはＣｄＴｅに比べて融点が低いので準備・製造
が容易である。
ドープのＨｇＣｄＴｅ結晶に限られるものでなく、Ａｇ
ドープのＨｇＴｅ結晶或いはＡｇドープのＣｄＴｅ結晶
を用いても良いものであり、これらは２元化合物である
のでＡｇドープ結晶の準備・製造が容易であり、特に、
ＨｇＴｅはＣｄＴｅに比べて融点が低いので準備・製造
が容易である。
【００８２】次に、第２の改良した実施の形態を説明す
ると、研磨液にＡｇをドープする際に、Ａｇ供給源とし
てＡｇをドープしたステンレス製研磨治具を用い、研磨
すべき結晶をこの研磨治具に固着し、研磨液中において
ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層と同時に研磨する方法である。
ると、研磨液にＡｇをドープする際に、Ａｇ供給源とし
てＡｇをドープしたステンレス製研磨治具を用い、研磨
すべき結晶をこの研磨治具に固着し、研磨液中において
ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層と同時に研磨する方法である。
【００８３】この場合、１０００ｃｃの研磨液に対し
て、Ａｇ濃度が１００ｐｐｍ含まれ、研磨される部分の
表面積が１００ｃｍ2 である研磨治具を１μｍ研磨した
場合、研磨されたステンレス中に含有されるＡｇの量は
約６μｇであるので、これは、６ｐｐｂに相当する。
て、Ａｇ濃度が１００ｐｐｍ含まれ、研磨される部分の
表面積が１００ｃｍ2 である研磨治具を１μｍ研磨した
場合、研磨されたステンレス中に含有されるＡｇの量は
約６μｇであるので、これは、６ｐｐｂに相当する。
【００８４】この場合、研磨治具は研磨布との接触面の
みならず、中空円筒部の側面も他の治具と接触し研磨さ
れるので、これらの総研磨量を考慮して、研磨液中のＡ
ｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、より好適には、５〜５０ｐ
ｐｂになるようにすれば良い。
みならず、中空円筒部の側面も他の治具と接触し研磨さ
れるので、これらの総研磨量を考慮して、研磨液中のＡ
ｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、より好適には、５〜５０ｐ
ｐｂになるようにすれば良い。
【００８５】なお、この研磨治具を構成するステンレス
には、通常数〜数百ｐｐｍのＡｇが含まれているので、
この含有量を正確に測定することが望まれる。
には、通常数〜数百ｐｐｍのＡｇが含まれているので、
この含有量を正確に測定することが望まれる。
【００８６】次に、第３の改良した実施の形態を説明す
ると、研磨液にＡｇをドープする際に、Ａｇ供給源とし
てｐ型ＨｇＣｄＴｅ層上に、Ａｇ薄膜を蒸着し、研磨液
中においてｐ型ＨｇＣｄＴｅ層を研磨する工程におい
て、Ａｇ薄膜を研磨する方法である。
ると、研磨液にＡｇをドープする際に、Ａｇ供給源とし
てｐ型ＨｇＣｄＴｅ層上に、Ａｇ薄膜を蒸着し、研磨液
中においてｐ型ＨｇＣｄＴｅ層を研磨する工程におい
て、Ａｇ薄膜を研磨する方法である。
【００８７】この場合、１０００ｃｃの研磨液に対し
て、２０ｍｍ角のｐ型ＨｇＣｄＴｅ層上に１０ｎｍのＡ
ｇ薄膜を蒸着した場合、Ａｇの比重を１０．５とする
と、 ２０ｍｍ×２０ｍｍ×１０ｎｍ×１０．５ｇ／ｃｍ-3＝
４×１×１０-6×１０．５ｇ＝４２×１０-6ｇ＝４２μ
ｇ で、４２ｐｐｂに相当する。
て、２０ｍｍ角のｐ型ＨｇＣｄＴｅ層上に１０ｎｍのＡ
ｇ薄膜を蒸着した場合、Ａｇの比重を１０．５とする
と、 ２０ｍｍ×２０ｍｍ×１０ｎｍ×１０．５ｇ／ｃｍ-3＝
４×１×１０-6×１０．５ｇ＝４２×１０-6ｇ＝４２μ
ｇ で、４２ｐｐｂに相当する。
【００８８】この場合、Ａｇ薄膜の膜厚は、ｐ型ＨｇＣ
ｄＴｅ層の面積、及び、研磨液の使用量に応じて、研磨
液中のＡｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、より好適には、５
〜５０ｐｐｂになるようにすれば良く、例えば、２０ｍ
ｍ角のウェハ及び１０００ｃｃの研磨液を用いる場合に
は、Ａｇ薄膜を約０．２４〜２３．８ｎｍだけ蒸着すれ
ば良い。
ｄＴｅ層の面積、及び、研磨液の使用量に応じて、研磨
液中のＡｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、より好適には、５
〜５０ｐｐｂになるようにすれば良く、例えば、２０ｍ
ｍ角のウェハ及び１０００ｃｃの研磨液を用いる場合に
は、Ａｇ薄膜を約０．２４〜２３．８ｎｍだけ蒸着すれ
ば良い。
【００８９】次に、第４の改良した実施の形態を説明す
ると、これはｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の厚さが薄い場合であ
り、この場合には、アルミナ研磨による薄層化工程が必
要ないので、図４に示したのキャリア濃度制御工程の
後に、厚さ３００ｎｍのＺｎＳ保護膜を蒸着し、次い
で、Ａｇ供給源としてＺｎＳ保護膜上に、Ａｇ薄膜を蒸
着し、研磨液中においてｐ型ＨｇＣｄＴｅ層を研磨する
工程において、Ａｇ薄膜を研磨する方法である。
ると、これはｐ型ＨｇＣｄＴｅ層の厚さが薄い場合であ
り、この場合には、アルミナ研磨による薄層化工程が必
要ないので、図４に示したのキャリア濃度制御工程の
後に、厚さ３００ｎｍのＺｎＳ保護膜を蒸着し、次い
で、Ａｇ供給源としてＺｎＳ保護膜上に、Ａｇ薄膜を蒸
着し、研磨液中においてｐ型ＨｇＣｄＴｅ層を研磨する
工程において、Ａｇ薄膜を研磨する方法である。
【００９０】これは、アルミナ研磨後のｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層の表面は変質してＡｇの進入・拡散が生じなくなっ
ているが、アルミナ研磨をしない状態の表面ではＡｇの
拡散が簡単に生じ、Ａｇが結晶内に入りすぎるので、Ｚ
ｎＳ保護膜を拡散防止膜として設けるものである。
ｅ層の表面は変質してＡｇの進入・拡散が生じなくなっ
ているが、アルミナ研磨をしない状態の表面ではＡｇの
拡散が簡単に生じ、Ａｇが結晶内に入りすぎるので、Ｚ
ｎＳ保護膜を拡散防止膜として設けるものである。
【００９１】この場合、１０００ｃｃの研磨液に対し
て、２０ｍｍ角のｐ型ＨｇＣｄＴｅ層上に１０ｎｍのＡ
ｇ薄膜を蒸着した場合、Ａｇの比重を１０．５とする
と、上記の第３の改良した実施の形態と同様に４２ｐｐ
ｂに相当する。
て、２０ｍｍ角のｐ型ＨｇＣｄＴｅ層上に１０ｎｍのＡ
ｇ薄膜を蒸着した場合、Ａｇの比重を１０．５とする
と、上記の第３の改良した実施の形態と同様に４２ｐｐ
ｂに相当する。
【００９２】この場合も、Ａｇ薄膜の膜厚は、ｐ型Ｈｇ
ＣｄＴｅ層の面積、及び、研磨液の使用量に応じて、研
磨液中のＡｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、より好適には、
５〜５０ｐｐｂになるようにすれば良いが、ＺｎＳ保護
膜中にＡｇが残留不純物的に自然にドープされている場
合があるので、その場合には、ＺｎＳ保護膜中のＡｇに
よるＡｇ供給量の増加を相殺するように、Ａｇ薄膜の膜
厚を決定すれば良い。
ＣｄＴｅ層の面積、及び、研磨液の使用量に応じて、研
磨液中のＡｇ濃度が１〜１００ｐｐｂ、より好適には、
５〜５０ｐｐｂになるようにすれば良いが、ＺｎＳ保護
膜中にＡｇが残留不純物的に自然にドープされている場
合があるので、その場合には、ＺｎＳ保護膜中のＡｇに
よるＡｇ供給量の増加を相殺するように、Ａｇ薄膜の膜
厚を決定すれば良い。
【００９３】なお、上記の各実施の形態においては、ｐ
型ＨｇＣｄＴｅ層にドープする元素として、フォトダイ
オード特性に悪影響を与えないＡｇを用いているが、Ａ
ｇに限られるものではなく、同じＩｂ族に属するＡｕ或
いはＣｕを用いても良いものである。
型ＨｇＣｄＴｅ層にドープする元素として、フォトダイ
オード特性に悪影響を与えないＡｇを用いているが、Ａ
ｇに限られるものではなく、同じＩｂ族に属するＡｕ或
いはＣｕを用いても良いものである。
【００９４】なお、本発明者等は、各種のＩｂ族元素の
ドーピング方法を既に提案しているが（必要ならば、特
願平６−２７６４２０号参照）、この提案はフォトダイ
オード特性に悪影響を与えるＩａ族元素（Ｌｉ，Ｎａ，
Ｋ）をＩｂ族元素によって追い出すためのドーピングで
あり、本発明とは技術思想が異なるものである。
ドーピング方法を既に提案しているが（必要ならば、特
願平６−２７６４２０号参照）、この提案はフォトダイ
オード特性に悪影響を与えるＩａ族元素（Ｌｉ，Ｎａ，
Ｋ）をＩｂ族元素によって追い出すためのドーピングで
あり、本発明とは技術思想が異なるものである。
【００９５】
【発明の効果】本発明によれば、ライフタイムを長くす
るためにのみ、ＨｇＣｄＴｅ結晶中にＩｂ族元素を容易
にドープすることができるので、正常なダイオード特性
を示し、且つ、高い量子効率のフォトダイオードを再現
性良く形成することができ、画素欠陥のない高解像度の
赤外線センサの実用化に寄与するところが大きい。
るためにのみ、ＨｇＣｄＴｅ結晶中にＩｂ族元素を容易
にドープすることができるので、正常なダイオード特性
を示し、且つ、高い量子効率のフォトダイオードを再現
性良く形成することができ、画素欠陥のない高解像度の
赤外線センサの実用化に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的フローの説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のフローの説明図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１の実施の形態のフォトダイオード
の特性の説明図である。
の特性の説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態のフローの説明図で
ある。
ある。
【図５】従来の赤外線センサアレイの説明図である。
【図６】従来の赤外線センサアレイにおけるＡｇ濃度の
説明図である。
説明図である。
【図７】従来の赤外線センサアレイを構成するフォトダ
イオードの特性の説明図である。
イオードの特性の説明図である。
１１ ＣｄＴｅ基板
１２ ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層
１３ ｎ+ 型領域
１４ 陽極硫化膜
１５ ＺｎＳ膜
１６ コンタクトホール
１７ Ｉｎ電極
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−133898（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/388
H01L 21/22
Claims (15)
- 【請求項１】 ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層をＩ
ｂ族元素イオンを含む溶液中に浸析することによって、
前記ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層に前記Ｉｂ族元
素のドーピングを行なうものであって、前記溶液におけ
る過酸化水素水の容量比が、５〜９０％であることを特
徴とする半導体結晶の製造方法。 - 【請求項２】 上記ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層
として、ノン・ドープの結晶のキャリア濃度制御をＨｇ
空孔濃度制御によって行ない、正孔濃度を５×１０１５
ｃｍ―３〜５×１０１６ｃｍ―３としたｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅエピタキシャル成長層を用いたことを特徴とする請求
項１記載の半導体結晶の製造方法。 - 【請求項３】 上記溶液中のＩｂ族元素の濃度を、１ｐ
ｐｂ〜１００ｐｐｍとすることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の半導体結晶の製造方法。 - 【請求項４】 上記ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層
をＩｂ族元素イオンを含む溶液中に浸析する前に、エッ
チングによって表面を清浄化することを特徴とする請求
項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体結晶の製造方
法。 - 【請求項５】 上記Ｉｂ族元素の濃度を１〜１００ｐｐ
ｍ、浸析時間を１０〜９０分、上記溶液の温度を１０〜
３０℃とすると共に、浸析時に超音波振動を加えること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半
導体結晶の製造方法。 - 【請求項６】 上記Ｉｂ族元素がＡｇであることを特徴
とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体結
晶の製造方法。 - 【請求項７】 ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層をＩ
ｂ族元素イオンを含む溶液で研磨することによって、前
記ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層に前記Ｉｂ族元素
のドーピングを行なうものであって、前記溶液がコロイ
ダルシリカ及び過酸化水素水とを含むことを特徴とする
半導体結晶の製造方法。 - 【請求項８】 上記過酸化水素水を加えた後の上記Ｉｂ
族元素を含む溶液のｐＨを７．５以下にすると共に、前
記Ｉｂ族元素の濃度を１〜１００ｐｐｍ、浸析時間を１
０〜９０分、前記溶液の温度を１０〜３０℃とすること
を特徴とする請求項７記載の半導体結晶の製造方法。 - 【請求項９】 上記溶液中のＩｂ族元素の濃度を、１〜
１００ｐｐｂとすることを特徴とする請求項７記載の半
導体結晶の製造方法。 - 【請求項１０】 上記溶液中に含有させるＩｂ族元素
を、前記Ｉｂ族元素を含む物質を上記ＨｇＣｄＴｅエピ
タキシャル成長層と同時に、或いは、事前に研磨するこ
とのいずれかにより前記溶液に供給することを特徴とす
る請求項９記載の半導体結晶の製造方法。 - 【請求項１１】 上記Ｉｂ族元素を含む物質が、前記Ｉ
ｂ族元素をドープしたＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、或いは、Ｈ
ｇＣｄＴｅのいずれかであることを特徴とする請求項１
０記載の半導体結晶の製造方法。 - 【請求項１２】 上記Ｉｂ族元素を含む物質が、前記Ｉ
ｂ族元素をドープした研磨治具であることを特徴とする
請求項１０記載の半導体結晶の製造方法。 - 【請求項１３】 上記Ｉｂ族元素を含む物質が、上記Ｈ
ｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層をアルミナ研磨したの
ちの表面に形成した前記Ｉｂ族元素の薄膜であることを
特徴とする請求項１０記載の半導体結晶の製造方法。 - 【請求項１４】 上記Ｉｂ族元素を含む物質が、上記Ｈ
ｇＣｄＴｅエピタキシャル成長層の表面に形成した保護
膜上に設けた前記Ｉｂ族元素の薄膜であることを特徴と
する請求項１０記載の半導体結晶の製造方法。 - 【請求項１５】 上記Ｉｂ族元素がＡｇであることを特
徴とする請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の半導
体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09757197A JP3479928B2 (ja) | 1996-09-06 | 1997-04-15 | 半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23607496 | 1996-09-06 | ||
| JP8-236074 | 1996-09-06 | ||
| JP09757197A JP3479928B2 (ja) | 1996-09-06 | 1997-04-15 | 半導体結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135244A JPH10135244A (ja) | 1998-05-22 |
| JP3479928B2 true JP3479928B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=26438732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09757197A Expired - Fee Related JP3479928B2 (ja) | 1996-09-06 | 1997-04-15 | 半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3479928B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111776A (ja) | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不純物導入方法、装置および素子 |
-
1997
- 1997-04-15 JP JP09757197A patent/JP3479928B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10135244A (ja) | 1998-05-22 |
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