JP3478104B2 - Method for producing photosensitive heat-resistant resin precursor composition - Google Patents
Method for producing photosensitive heat-resistant resin precursor compositionInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の表面保護膜
として有用な感光性耐熱性樹脂前駆体組成物に関するも
ので、さらに水系の現像液で短時間に現像できる感光性
耐熱性樹脂前駆体組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、フェノール性水酸基を有したポリ
アミド樹脂、ポリアミド酸がナフトキノンジアジド化合
物を混合することで、露光部が溶解するポジ型の感光性
耐熱性材料として注目を受けている。しかしながら、こ
のような化合物を合成する場合、通常よく知られている
ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンな
どの双極性非プロトン性溶媒中、ビスアミノフェノール
化合物と酸塩化物や酸無水物酸塩化物のような化合物を
トリエチルアミンやピリジンのような3級アミンを脱塩
酸剤としての存在下に反応させるのが一般的な合成法で
ある。しかしながら、このような合成法においては、ア
ミド基とフェノール性の水酸基が近接したものを合成す
る場合、アミンあるいはアミンと塩酸により生成したア
ミンの塩酸塩がアミド結合や水酸基と強固な水素結合を
形成するために、得られるものに塩素などのイオン性の
不純物が高くなるという欠点があった。この点を改良す
るためにイオン交換樹脂を脱塩酸剤として使用するとい
うものが報告されている(特開平8−269198号公
報)。しかしながら、このような方法を利用した場合、
目的とするポリマーがイオン交換樹脂に吸着され収率が
低下するという問題があった。また、このような問題か
ら、塩化物を使用しない合成方法である、ジカルボン酸
化合物とジアミン化合物をジシクロヘキシルカルボジイ
ミドなどの脱水縮合剤を使用する方法が報告されている
(特開昭60−228537号公報)。しかしながら、
ジシクロヘキシルカルボジイミドは皮膚に触れるとかぶ
れるなどの問題があること、脱水反応で副成したジシク
ロヘキシルウレア化合物の溶解性が悪く、ポリマー内に
必ず残存することなどの問題があった。この問題を解消
するため、その他の脱水縮合剤が数々報告されてい
る(”生化学実験講座1 タンパク質の化学IV”、日本
化学会編、東京化学同人(1977))。しかし、この
ような化合物は高価であることなどの問題点があった。
このような問題を回避するために、ポリマーのアミド結
合や水酸基との相互作用が低い脱塩酸工程を確立するこ
とを目的とし、本発明に到達したものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
を解決せしめ、得られるポリマーの塩素イオン濃度が低
く、かつ反応収率が高い感光性耐熱性樹脂前駆体組成物
の製造方法を提供することを目的とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】かかる本発明は、一般式
(1)で表される構造単位を有するポリマーとナフトキ
ノンジアジド化合物を含有する感光性耐熱性樹脂前駆体
組成物の製造方法であって、一般式(1)で表される構
造単位を有するポリマーを合成する過程において、トリ
カルボン酸塩化物とヒドロキシジアミノ化合物を反応さ
せ、一般式(2)で表される酸無水物を合成するとき
に、エポキシ化合物および/または不飽和結合を有する
化合物を用いて、脱塩酸し、得られた前記ポリマーの塩
素イオン濃度を5ppm以下とすることを特徴とする感
光性耐熱性樹脂前駆体組成物の製造方法である。
【0005】
【化3】
【0006】(R1、R3は少なくとも2個以上20個
以下の炭素原子を有する3価または4価の有機基、R2
は、少なくとも2個以上20個以下の炭素原子を有する
3価から6価の有機基、R4は炭素数2個以上30個以
下の有機基、R5、R6は炭素数1個以上10個以下の
有機基または/かつ水素のうち1種または2種以上を含
むもの。mは1から100000までの整数、nは1ま
たは2、pは1から4までの整数を表す。)
【0007】
【化4】
【0008】(R7、R9は炭素数2個以上20個以下
の3価の有機基、R8は炭素数2個以上20個以下の3
から6価の有機基、qは1から4より選ばれる整数を表
す。)
【0009】
【発明の実施の形態】本発明において、一般式(1)で
表されるポリマーはポリヒドロキシアミド−アミド酸交
互共重合体の構造を示しており、一般にフェノール性水
酸基を有したテトラカルボン酸2無水物とジアミン化合
物を縮合反応させることで得られる。一般式(1)にお
いて、R1は、炭素数2個以上20個以下の3から4価
の基を表している。このようなものとして好ましいもの
はピロメリット酸残基、ベンゾフェノンテトラカルボン
酸残基、ビフェニルテトラカルボン酸残基、ジフェニル
エーテルテトラカルボン酸残基、ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸残基、ビス(フタル酸)ヘキサフルオロ
プロパン残基、トリメリット酸残基、トリメシン酸残
基、ナフタレントリカルボン酸残基、ジフェニルエーテ
ルトリカルボン酸残基、ベンゾフェノントリカルボン酸
残基などの含芳香族基、トリカルボキシルプロパン残
基、トリカルボキシルブタン残基、ブタンテトラカルボ
ン酸残基、シクロペンタンテトラカルボン酸残基などの
脂肪族基を挙げることができる。R1はこれら1種で構
成されていても良いし、2種以上を混合して使用しても
良い。
【0010】一般式(1)のR2は炭素数2個以上20
個以下の3から6価の有機基を表しており、好ましい例
としては、ジアミノフェノール残基、ジアミノジヒドロ
キシベンゼン残基、ジアミノトリヒドロキシベンゼン残
基、ジアミノテトラヒドロキシベンゼン残基、ビス(ア
ミノフェノール)プロパン残基、ビス(アミノフェノー
ル)ヘキサフルオロプロパン残基、ジアミノヒドロキシ
ナフタレン、ジアミノヒドロキシターフェニル残基など
の芳香族含有基を好ましく使用することができる。ま
た、R2の1から40モル%を水酸基を有さないフェニ
レンジアミン残基、ジアミノジフェニルエーテル残基、
ジアミノジフェニルメタン残基、ビス(アミノフェノキ
シ)ベンゼン残基、ビス(アミノフェノキシフェニル)
スルホン残基、ビス(アミノフェノキシフェニル)プロ
パン残基などの含芳香族化合物、エチレンジアミン残
基、ヘキサメチレンジアミン残基、ジアミノシクロヘキ
サン残基、ジアミノジシクロヘキシルメタン残基などの
脂肪族ジアミン残基、ビス(アミノプロピル)テトラメ
チルジシロキサン、ビス(アミノフェニル)テトラメチ
ルジシロキサンなどの含ケイ素ジアミノ化合物などで変
性することもできる。R2は1種で構成されていてもよ
いし、2種以上より構成されていても良い。
【0011】一般式(1)のR3はR1と同様なものを
使用することができる。一般式(1)のR4は炭素数2
から30の2価の有機基を示しており、フェニレンジア
ミン残基、ジアミノジフェニルエーテル残基、ジアミノ
ジフェニルメタン残基、ジアミノジフェニルスルホン残
基、ジアミノベンゾフェノン残基、テトラメチルジアミ
ノジフェニルメタン残基、ジアミノビフェニル残基、ビ
ス(トリフルオロメチル)ジアミノビフェニル残基、メ
チルフェニレンジアミン残基、ビス(アミノフェノキ
シ)ベンゼン残基、ビス(アミノフェノキシフェニル)
スルホン残基、ビス(アミノフェノキシフェニル)プロ
パン残基などの2価の芳香族を含んだ基が好ましい。ま
た、脂肪族基であるエチレンジアミン残基、ジアミノブ
タン残基、ヘキサメチレンジアミン残基、ジアミノシク
ロヘキサン残基、ジアミノジシクロヘキシルメタン残基
などを1から40モル%変性することもできる。さらに
ケイ素含有基であるビス(アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサン残基、ビス(アミノフェニル)テトラメ
チルジシロキサン残基などを1から40モル%変性する
こともできる。R4は1種のみで構成されていてもよい
し、2種以上のものを用いて構成しても良い。また、炭
素数が30個以上になると、得られる一般式(1)のポ
リマーのアルカリ水溶液に対する溶解性が低下する恐れ
がある。 一般式(1)のR5、R6については、水素
原子、あるいは炭素数1個以上10個以下の有機基を使
用することができる。このようなものとしては、水素原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、エト
キシエチル基、エトキシメチル基などを好ましい例とし
て挙げることができる。また、水素原子と有機基の量を
制御することでアルカリ水溶液に対する溶解性を制御す
る事ができる。このようにR5、6は1種のみで構成さ
れていても良いし、2種以上を組み合わせて構成しても
良い。
【0012】本発明において、フェノール性水酸基を有
したテトラカルボン酸2無水物については、ビスアミノ
フェノールと無水トリメリット酸塩化物のようなトリカ
ルボン酸の1無水物1酸塩化物の酸塩化物とヒドロキシ
ジアミノ化合物のアミノ基とを選択的に反応させること
で得ることが出来る。このフェノール性水酸基を有した
テトラカルボン酸2無水物を合成する際、一般的に広く
使用される方法は、対応する酸塩化物とアミノ基との反
応で副成する塩酸を除去するためにトリエチルアミンや
ピリジンといった3級アミン化合物を用いて反応させる
方法である。しかしながら、フェノール性水酸基を有し
たテトラカルボン酸2無水物自体が、3級アミン化合物
やその塩酸塩を吸着するために、純度の高いものを得る
ことが出来ない。また、3級アミンを有するイオン交換
樹脂を用いた場合、純度の高いものが得られるが、反応
で生成した化合物がイオン交換樹脂に吸着されるため、
目的物の収率が低下するために好ましくない。
【0013】本発明では脱塩酸剤として、エポキシ化合
物、不飽和結合を有した化合物を用いると、塩酸は塩の
形ではなく塩素化アルコール、ジヒドロピランを用いる
とでは塩素化環状エーテルの形で除去することが出来
る。このような塩素化アルコール、塩素化環状エーテル
は、アミド基、フェノール性水酸基との相互作用がほと
んどなく、目的のフェノール性水酸基を有したテトラカ
ルボン酸2無水物が高い収率と高い純度で得ることが出
来る。このようなエポキシ化合物の例としては、グリシ
ジルメチルエーテル、グリシジルフェニルエーテル、グ
リシジルアリルエーテル、グリシジルブチルエーテル、
プロピレンオキシド、不飽和結合を有した化合物の例と
しては、アマニ油、ひまし油などの不飽和脂肪酸エステ
ル、オレイン酸、リノール酸などの不飽和脂酸、2−メ
チル−1−ブテンなどの(エキソ)メチレン基を有する
末端無置換−二置換オレフィン、アリルメチルエーテル
やβ−メタリルメチルエーテル、3−メトキシ−2−メ
チルプロペン、メチレンシクロヘキサン、メチレンシク
ロペンタン、リモネンなどの化合物、ジヒドロピラン、
メチルジヒドロピランなどの環状ビニルエーテル類など
を挙げることが出来るが、これ以外のエポキシ環を有し
た化合物や不飽和結合を有した化合物も使用することが
出来る。これらの中で特に好ましい化合物として、グリ
シジルメチルエーテル、グリシジルアリルエーテル、ま
たジヒドロピラン、メチルジヒドロピランなどの環状不
飽和結合含有エーテル化合物、メチレンシクロヘキサ
ン、メチレンシクロペンタン、リモネンなどの不飽和結
合を有した化合物を挙げることができる。
【0014】このようなエポキシ化合物、不飽和結合を
有した化合物は発生する塩酸に対して当量以上加えるの
が好ましい。当量以下では、発生する塩酸を完全に除去
することができない。さらに好ましくは4倍モル以上加
えることである。一般に生成する塩酸を除去するという
目的から、エポキシ化合物や不飽和結合を有した化合
物、ジヒドロピラン化合物はなるべく多量に加えること
が望ましいが、20倍モル以上加えると、エポキシ化合
物、不飽和結合を有した化合物とカルボン酸、アミンな
どとの副反応が起こり、得られる目的物の収率が低下す
る恐れがある。このような点より、これらのエポキシ化
合物、不飽和結合を有した化合物の添加量は、酸塩化物
化合物1モルに対して、等量以上20倍モル以下であ
り、さらに好ましくは4倍モル以上、15倍モル以下で
ある。
【0015】一般式(2)で表される水酸基含有酸2無
水物とジアミン化合物をN−メチルピロリドン、ガンマ
ブチロラクトン、ジメチルアセトアミドなどの極性溶媒
やこれらにアセトン、メチルエチルケトンなどのケトン
系溶媒やテトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエーテ
ル系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶
媒、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコ
ール系溶媒との混合溶媒中、−10℃〜100℃の範囲
で反応させることで一般式(1)で表されるポリマーを
得ることが出来る。 ここで、一般式(2)中、R7、
R9は炭素数2個以上20個以下の酸無水物基を有した
3価または4価の有機基を示しており、ピロメリット酸
無水物残基、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物残
基、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物残基、
ビフェニルテトラカルボン酸無水物残基、ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸無水物残基、ブタンテトラカル
ボン酸無水物残基、シクロペンタンテトラカルボン酸無
水物残基、トリメリット酸無水物残基、ジフェニルエー
テルトリカルボン酸無水物基、ジフェニルスルホントリ
カルボン酸残基、ナフタレントリカルボン酸無水物基な
どが好ましい基として挙げることができるが、その他の
1個の酸無水物基を有したものを使用することもでき
る。特に3価の基を使用することが好ましい。また、R
7、R9は1種のみで構成されても良いし、2種以上よ
り構成しても良い。
【0016】一般式(2)のR8は、一般式(1)のR
2と同様のものを使用することができる。
【0017】さらに、一般式(1)で表されるポリマー
は、対応する1酸無水物1酸塩化物2当量とヒドロキシ
ジアミノ化合物1当量をエポキシ化合物やジヒドロピラ
ン化合物の存在下に反応させ、この溶液にジアミン化合
物1当量を反応させることでも出来る。この1酸無水物
1酸塩化物としては、一般式(13)で表される構造の
ものが好ましく、このようなものとしては、無水トリメ
リット酸塩化物を典型的なものとして挙げることが出来
るが、下記のようなトリカルボン酸の2つのカルボキシ
ル基が酸無水物化して、残りのカルボン酸が酸塩化物の
形になっているものであれば使用することが出来る。ま
たR39は炭素数2個以上30個以下の3価の有機基を
表す。このような基として好ましいものは、トリメリッ
ト酸残基、トリメシン酸残基、ナフタレントリカルボン
酸残基、ジフェニルエーテルトリカルボン酸残基、ジフ
ェニルスルホントリカルボン酸残基、ベンゾフェノント
リカルボン酸残基などの芳香族基、ブタントリカルボン
酸残基、シクロヘキサントリカルボン酸残基などの脂肪
族基が好ましい例として挙げることができる。R39は
1種で構成されていても良いし、2種以上で構成されて
いても良い。
【0018】
【化5】
【0019】本発明の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を
得るためのナフトキノンジアジド化合物としては、ナフ
トキノンジアジドスルホン酸フェニルエステル化合物が
好ましい。このような化合物としては、テトラヒドロキ
シベンゾフェノンのナフトキノンジアジドスルホン酸エ
ステル、ビスフェノールAのナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステル、没食子酸のナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステル、ナフトールのナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステルなどの化合物を好ましく使用すること
が出来るが、これ以外のフェノール類のエステル、ある
いはヒドロキシフタルイミド、ヒドロキシベンゾトリア
ゾールなどのナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ル、ベンズアルドキシムなどのオキシム類とのナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルなどを使用することが
出来る。また、ナフトキノンジアジドスルホン酸には、
4位にスルホニル基が結合したものと5位にスルホニル
基が結合したものがあり、本発明ではどちらの化合物で
も使用することが出来る。
【0020】本発明のような感光性耐熱性樹脂前駆体組
成物に使用される光重合開始剤としては、N−フェニル
グリシンなどの芳香族アミン類、ミヒラーケトンなどの
芳香族ケトン類、1−フェニル−1、2−プロパンジオ
ン−2−(o−アセチル)オキシムなどのオキシム類な
どを一般式(12)で表されるポリマー100重量部に
対して、0.5重量部から10重量部添加することがで
きるさらに、光反応の進行を進めるために、アクリルモ
ノマー化合物を添加することが出来る。このようなアク
リルモノマー化合物としては、アクリル酸メチル、メタ
クリル酸メチル、エチレングリコールジメタクリレー
ト、エチレングリコールジアクリレート、トリメチロー
ルプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパン
トリメタクリレートなどのものを挙げることが出来る。
本発明においては、これらのものを1種のみ用いても良
いし、複数種を併用して用いても良い。
【0021】また、増感剤として7−ジエチルアミノベ
ンゾイルクマリンなどのアミノクマリン類、5−ニトロ
アセナフテン、チオキサントン、ロイコクリスタルバイ
オレット、2−(p−ジメチルアミノスチリル)ベンゾ
オキサゾールなどのスチリル類などを併用することもで
きる。
【0022】さらに、感光性能を向上させるために、N
−フェニルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香
酸エチルなどの芳香族アミン類、メルカプトベンゾオキ
サゾールなどのメルカプト類を一般式(12)で表され
るポリマー100重量部に対して0.1から10重量部
添加することもできる。
【0023】本発明に用いられる溶媒としては、N−メ
チル−2−ピロリドン、ガンマブチロラクトン、N,N
−ジメチルフォルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシドなどの極性の非プロトン溶
媒、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケト
ンなどのケトン類、酢酸エチル、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルなどのエス
テル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類な
どの溶剤を単独、または混合して使用することができ
る。
【0024】また、粘度を上昇させるため、あるいは硬
度を上昇させるために、二酸化ケイ素、二酸化チタンな
どの無機粒子、あるいはポリイミドの粉末などを添加す
ることもできる。
【0025】さらにシリコンウェハーなどの下地基板と
の接着性を高めるために、シランカップリング剤、チタ
ンキレート剤などを得られたポリマー溶液のワニスに
0.5から10重量%添加したり、前もって下地基板を
このような薬液で処理したりすることもできる。ワニス
に添加する場合、メチルメタクリロキシジメトキシシラ
ン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、などのシ
ランカップリング剤、チタンキレート剤、アルミキレー
ト剤をワニス中のポリマーに対して0.5から10重量
%添加する。また基板を処理する場合、上記で述べたカ
ップリング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノ
ール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチル
などの溶媒に0.5から20重量%溶解させた溶液をス
ピンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面
処理をする。場合によっては、その後50℃から300
℃までの温度をかけることで、基板と上記カップリング
剤との反応を進行させてから使用する。
【0026】次に、本発明の感光性耐熱性前駆体組成物
を用いて耐熱性樹脂パタ−ンを形成する方法について説
明する。
【0027】感光性耐熱性前駆体組成物を基板上に塗布
する。基板としてはシリコンウエハ、セラミックス類、
ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限定されな
い。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗布、スプ
レー塗布、ロールコーティングなどの方法がある。ま
た、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度
などによって異なるが通常、乾燥後の膜厚が、0.1か
ら150μmになるように塗布される。
【0028】次に感光性耐熱性前駆体組成物を塗布した
基板を乾燥して、感光性耐熱性前駆体組成物皮膜を得
る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使
用し、50度から150度の範囲で1分から数時間行う
のが好ましい。
【0029】次に、この感光性耐熱性前駆体組成物皮膜
上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照
射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外
線、可視光線、電子線、X線などがあるが、本発明では
水銀灯のi線(365nm)、h線(405nm)、g
線(436nm)を用いるのが好ましい。しかしなが
ら、450〜550nmの可視光線、350nm以下の
紫外線、電子線、X線などを使用することもできる。
【0030】ポリイミドパターンを形成するには、露光
後、現像液を用いて露光部を除去することによって達成
される。現像液としては、テトラメチルアンモニウムの
水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノー
ル、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミ
ン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミ
ノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性
を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によって
は、これらのアルカリ水溶液にN−メチル−2−ピロリ
ドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラ
クトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコー
ル類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を
組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリ
ンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステ
ル類、酢酸、2酸化炭素、シュウ酸、リン酸などを水に
加えてリンス処理をしても良い。
【0031】現像後、200度から500度の温度を加
えて耐熱性樹脂皮膜に変換する。この加熱処理は温度を
選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的
に昇温しながら5分から5時間実施する。一例として
は、130度、200度、350度で各30分づつ熱処
理する。あるいは室温より400度まで2時間かけて直
線的に昇温するなどの方法が挙げられる。
【0032】本発明による感光性耐熱性前駆体組成物に
より形成した耐熱性樹脂皮膜は、半導体のパッシベ−シ
ョン膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の
層間絶縁膜などの用途に用いられる。
【0033】
【実施例】以下発明をより詳細に説明するために、実施
例で説明する。
特性の測定方法
塩素イオンの測定
試料3gを水100mlに分散させた。この分散液を9
0から100℃にて2時間抽出処理をした。この抽出液
を堀場製作所(株)製イオンメーターN−8Mを用い
て、塩素イオン電極8002を用いて、溶出した塩素イ
オン濃度を測定した。塩素イオン濃度が5ppmを越え
ると、得られたポリマーを半導体装置の表面保護膜など
に用いたときに塩素イオンのために電極などに腐食が発
生し、好ましくない。
【0034】融点の測定
(株)島津製作所製示差熱分析装置DSC−50を用い
て、試料量約50mgをアルミセルに入れて、昇温速度
20℃/分で室温より350℃までの範囲で測定した。
示差熱曲線の吸熱のピークを融点とした。
【0035】実施例1 エポキシ化合物による脱塩酸剤
として使用した酸無水物(A)の合成
500mlの4つ口フラスコに、攪拌羽、温度計、窒素
流入管を取り付け、2、2’−ビス(3−アミノ−4−
ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(BAH
F)18.3g(0.05モル)をグリシジルメチルエ
ーテル88g(1.0モル)とアセトン50mlの混合
液に溶解させ、−10℃に冷却した。
【0036】無水トリメリット酸クロリド(TMC)2
3.1g(0.11モル)をアセトン50mlに溶解さ
せた溶液を作り、これを上記のBAHFの溶液に、温度
が0℃を越えないように滴下した。
【0037】滴下終了後、−10℃で2時間攪拌を続
け、次いで溶液を室温にまで戻した。この溶液をトルエ
ン1500mlに投入して、黄色の沈殿をろ過で集め、
50℃の真空乾燥機で20時間乾燥させた。この収量は
31.4g(収率:88%)、融点は281℃であっ
た。また、塩素イオン濃度は1.5ppmと良好な値で
あった。
【0038】比較例1 トリエチルアミンを脱塩酸剤と
して使用した酸無水物(A)の合成
500mlの4つ口フラスコに、攪拌羽、温度計、窒素
流入管を取り付け、BAHF18.3g(0.05モ
ル)をトリエチルアミン(TEA)11.1g(0.1
1モル)とアセトン100mlの混合液に溶解させ、−
10℃に冷却した。TMC23.1g(0.11モル)
をアセトン50mlに溶解させた溶液を作り、これを上
記のBAHFの溶液に、温度が0℃を越えないように滴
下した。滴下終了後、−10℃で2時間攪拌を続け、次
いで溶液を室温にまで戻した。
【0039】この溶液をろ過して、トリエチルアミンの
塩酸塩を除き、ろ液をロータリーエバポレーターで全体
量を50mlに濃縮して、トルエン1500mlに投入
して、黄色の沈殿をろ過で集め、50℃の真空乾燥機で
20時間乾燥させた。この収量は37.5g(収率10
5%)、融点はこの範囲で検出できなかった。また、塩
素イオン濃度は100ppmであり、半導体用のポリマ
ー原料とするには問題がある。
【0040】比較例2 イオン交換樹脂を脱塩酸剤とし
て使用した酸無水物(A)の合成
500mlの4つ口フラスコに、攪拌羽、温度計、窒素
流入管を取り付け、BAHF18.3g(0.05モ
ル)とあらかじめ105℃で4時間乾燥させた(株)オ
ルガノ製カチオン型イオン交換樹脂”アンバーリスト”
A−21 69.8g(0.31〜0.35モル等量)
とアセトン200mlの混合液に溶解させ、−10℃に
冷却した。
【0041】TMC23.1g(0.11モル)をアセ
トン50mlに溶解させた溶液を作り、これを上記のB
AHFの溶液に、温度が0℃を越えないように滴下し
た。滴下終了後、−10℃で2時間攪拌を続け、次いで
溶液を室温にまで戻した。この溶液をろ過して、イオン
交換樹脂を除き、ろ液をロータリーエバポレーターで全
体量を50mlに濃縮して、トルエン1500mlに投
入して、黄色の沈殿をろ過で集め、50℃の真空乾燥機
で20時間乾燥させた。このものの収量は16.1g
(収率:45%)と非常に低かった。融点は281℃で
あった。また、塩素イオン濃度は1ppmと良好であっ
たが、収率はエポキシ化合物を用いた実施例1よりはる
かに低かった。
【0042】実施例2 環状不飽和エーテルを脱塩酸剤
として使用したポリヒドロキシアミド−アミド酸交互共
重合体(B)の重合
500mlの4つ口フラスコに、攪拌羽、温度計、窒素
流入管を取り付け、BAHF18.3g(0.05モ
ル)を3,4−ジヒドロ−2H−ピラン84g(1.0
モル)とアセトン50mlの混合液に溶解させ、−10
℃に冷却した。TMC21.1g(0.1モル)をアセ
トン50mlに溶解させた溶液を作り、これを上記のB
AHFの溶液に、温度が0℃を越えないように滴下し
た。
【0043】滴下終了後、−10℃で2時間攪拌を続
け、次いで4,4’−ジアミノジフェニルエーテル9.
01g(0.045モル)、1,3−ビス(3−アミノ
プロピル)テトラメチルジシロキサン1.24g(0.
005モル)をN−メチル−2−ピロリドン100gに
溶解させた溶液を一度に加えた。この溶液を室温で3時
間反応させ、次いで50℃で1時間反応させた。
【0044】反応溶液を水5lに投入して、ポリヒドロ
キシアミド−アミド酸交互共重合体の沈殿を得た。この
沈殿をろ過で集め、さらに水で洗浄して50℃の真空乾
燥機で20時間乾燥させた。塩素イオン含有量は1pp
mであった(収量:90g、収率:98%)。
【0045】比較例3 トリエチルアミンを脱塩酸剤と
して用いたポリヒドロキシアミド−アミド酸交互共重合
体(B)の重合
500mlの4つ口フラスコに、攪拌羽、温度計、窒素
流入管を取り付け、BAHF18.3g(0.05モ
ル)をTEA11.1g(0.11モル)とアセトン9
0mlの混合液に溶解させ、−10℃に冷却した。
【0046】TMC21.1g(0.1モル)をアセト
ン50mlに溶解させた溶液を作り、これを上記のBA
HFの溶液に、温度が0℃を越えないように滴下した。
滴下終了後、−10℃で2時間攪拌を続け、次いで4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル9.01g(0.0
45モル)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テト
ラメチルジシロキサン1.24g(0.005モル)を
N−メチル−2−ピロリドン100gに溶解させた溶液
を一度に加えた。この溶液を室温で3時間反応させ、次
いで50℃で1時間反応させた。
【0047】反応溶液を水5lに投入して、ポリヒドロ
キシアミド−アミド酸交互共重合体の沈殿を得た。この
沈殿をろ過で集め、さらに水で洗浄して50℃の真空乾
燥機で20時間乾燥させた。塩素イオン含有量は50p
pmであった(収量50g)。収率については110%
と理論値を越え、不純物を取り込んでいることがわか
る。
【0048】比較例4 ピリジンを脱塩酸剤として使用
したポリヒドロキシアミド(C)の重合
500mlの4つ口フラスコに、攪拌羽、温度計、窒素
流入管を取り付け、BAHF36.6g(0.1モル)
をピリジン10g(0.13モル)とジエメチルアセト
アミド150mlの混合液に溶解させ、−10℃に冷却
した。イソフタル酸ジクロリド20.3g(0.1モ
ル)をシクロヘキサノン100mlに溶解させた溶液を
作り、これを上記のBAHFの溶液に、温度が0℃を越
えないように滴下した。
【0049】滴下終了後、−10℃で2時間攪拌を続
け、次いでこの溶液を室温にまで温度を上昇させ、さら
に3時間攪拌した。反応溶液を水5lに投入して、ポリ
ヒドロキシアミドの沈殿を得た。この沈殿をろ過で集
め、さらに水で洗浄して50℃の真空乾燥機で20時間
乾燥させた。塩素イオン含有量は80ppmであった
(収量:54g)。また、収率も108%と理論量を越
え、不純物を取り込んだことが分かる。
【0050】比較例5 ピリジンを脱塩酸剤として使用
したポリアミド酸エステル(D)の重合
300mlの4つ口フラスコに、攪拌羽、温度計、乾燥
空気流入管を取り付け、無水ピロメリット酸10.9g
(0.05モル)と3,3’,4,4’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物16.1g(0.05モ
ル)をガンマブチロラクトン100mlとピリジン1
4.1g(0.2モル)に溶解させ、30℃にした。
ここに2−ヒドロキシエチルメタクリレート26.2g
(0.2モル)を加え、30℃で8時間反応させた。こ
の溶液を水1l中に投入して、得られる沈殿をろ過で集
めた。沈殿をさらに水で洗浄して、50℃の真空乾燥機
で20時間乾燥した。
【0051】300mlの4つ口フラスコに、攪拌羽、
温度計、乾燥空気流入管を取り付け、乾燥した沈殿をガ
ンマブチロラクトン100mlに溶解させた。ここにチ
オニルクロリド47.6g(0.4モル)、ハイドロキ
ノンモノメチルエーテル0.2gを加えて、60℃で2
時間反応させた。反応終了後、ロータリーエバポレータ
ーで残ったチオニルクロリドを除去した。
【0052】1lの4つ口フラスコに、攪拌羽、温度
計、乾燥空気流入管を取り付けたものに、4,4’−ジ
アミノジフェニルエーテル20.0g(0.1モル)を
入れ、ピリジン31.6g(0.4モル)とN−メチル
−2−ピロリドン150mlに溶解させた。この溶液を
5℃に冷却して、上記テトラカルボン酸のジエステルジ
クロリドのガンマブチロラクトン溶液を、反応溶液の温
度が10℃を越えないように滴下した。滴下終了後、5
℃で2時間反応させた後、30℃で2時間反応させた。
この溶液を水10lに投入してポリアミド酸エステルの
沈殿を得た。この沈殿を50℃の真空乾燥機で20時間
乾燥させた。このポリマーの塩素イオン含有量は100
ppmであった(収量:71g、収率:97%)。
【0053】実施例3 ポジ型感光性ポリイミド前駆体
の合成
500mlの4つ口フラスコに攪拌羽、温度計、窒素流
入管を取り付け、ここに4,4’−ジアミノジフェニル
エーテル6.0g(0.03モル)、ビス(パラアミノ
フェノキシフェニル)スルホン13.0g(0.03モ
ル)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサン2.48g(0.01モル)をガンマブ
チロラクトン100gに溶解させた。 ここに実施例1
で合成した酸無水物28.6g(0.04モル)、3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
5.9g(0.02モル)をガンマブチロラクトン68
gとともに加え、25℃で1時間攪拌した後、50℃で
2時間反応させた。
【0054】この溶液にナフトキノンジアジド化合物
(東洋合成(株)製4NT−300)を11.2g(ポ
リマー成分に対して20重量%)を加え、露光した部分
がアルカリ水溶液で溶解するポジ型の感光性ポリイミド
前駆体組成物のワニスを得た。塩素イオン含有量は1p
pm以下であった。
【0055】このワニスを6インチシリコンウエハに大
日本スクリーン(株)社製のコーターデベロッパーSC
W−636のスピンコーターを用いてスピンコートし、
100℃で3分SCW−636のホットプレートで乾燥
後の膜厚が7μmとなるように塗布した。これを上記条
件で乾燥後、ニコン(株)社製g線ステッパーNSR−
1505g6Eを用いて所定のレチクルを通して露光時
間800ミリ秒、フォーカス0μmにて露光を行った。
露光後、0.6%のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で3分現像を行った。その後純水に20秒浸
漬後、窒素を吹きかけて乾燥させた。現像後、パターン
を観察した結果、5μmのコンタクトホールが解像して
おり良好なパターンを得ることができた。
【0056】
【発明の効果】本発明によると、塩素イオン濃度を低く
抑えるだけでなく、収率よく目的の耐熱性樹脂前駆体お
よび感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のポリマーを得るこ
とが出来る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[0001]
The present invention relates to a semiconductor surface protective film.
Also useful for photosensitive heat-resistant resin precursor composition useful as
Photosensitivity that can be developed in a short time with an aqueous developer
The present invention relates to a heat-resistant resin precursor composition.
[0002]
2. Description of the Related Art At present, polyphenolic hydroxyl group-containing poly
Amide resin, polyamic acid is a naphthoquinonediazide compound
Positive photosensitivity where the exposed part dissolves by mixing
It is receiving attention as a heat-resistant material. However, this
When synthesizing a compound such as
Dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone
Bisaminophenol in any dipolar aprotic solvent
Compound and compound such as acid chloride and acid anhydride acid chloride
Desalting tertiary amines such as triethylamine and pyridine
The general synthesis method is to react in the presence of an acid agent.
is there. However, in such a synthesis method,
Synthesizes where the amide group and the phenolic hydroxyl group are in close proximity
The amine or the amine formed with the amine and hydrochloric acid.
Min hydrochloride forms strong hydrogen bond with amide bond or hydroxyl group
In order to form, the resulting material should be ionic, such as chlorine.
There is a drawback that impurities become high. Improve this point
Use of ion exchange resin as a dehydrochlorinating agent
(Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-269198)
Information). However, when using such a method,
The target polymer is adsorbed on the ion exchange resin and the yield is
There was a problem of lowering. Also, such a problem
Dicarboxylic acid, a synthesis method without using chloride
Compound and diamine compound with dicyclohexylcarbodii
A method using a dehydrating condensing agent such as amide has been reported
(JP-A-60-22837). However,
Dicyclohexylcarbodiimide turns off on skin contact
Problems, such as the
Poor solubility of rohexyl urea compound, causing
There was a problem that it always remained. Eliminate this problem
For this reason, many other dehydration condensing agents have been reported.
("Biochemistry Experiment Course 1 Protein Chemistry IV", Japan
Edited by The Society of Chemistry, Tokyo Kagaku Doujin (1977)). But this
Such compounds have problems such as being expensive.
To avoid such problems, the polymer amide bond
To establish a dehydrochlorination process with low interaction with
The present invention has been accomplished for the purpose.
[0003]
The present invention addresses such problems.
And the resulting polymer has a low chlorine ion concentration.
And heat-resistant resin precursor composition with high reaction yield
It is an object of the present invention to provide a production method of
[0004]
According to the present invention, there is provided:General formula
Polymer having a structural unit represented by (1) and naphthoki
Photosensitive heat-resistant resin precursor containing non-diazide compound
A method for producing a composition, comprising:Structure represented by general formula (1)
In the process of synthesizing a polymer having structural units,
Reaction of carboxylic acid chloride with hydroxydiamino compound
To synthesize the acid anhydride represented by the general formula (2)
Has an epoxy compound and / or an unsaturated bond
Using the compound, dehydrochloride,Salt of the obtained polymer
Elemental ion concentration should be 5ppm or lessCharacterized byFeeling
LightThis is a method for producing a heat-resistant resin precursor composition.
[0005]
Embedded image
(R1 and R3 are at least 2 and more than 20
A trivalent or tetravalent organic group having the following carbon atoms, R2
Has at least 2 and not more than 20 carbon atoms
R3 is a trivalent to hexavalent organic group, and has 2 to 30 carbon atoms.
The lower organic group, R5, R6 has 1 to 10 carbon atoms.
Containing one or more of organic groups and / or hydrogen
Stuff. m is an integer from 1 to 100000, and n is 1
Or 2, and p represents an integer of 1 to 4. )
[0007]
Embedded image
(R7 and R9 each have 2 to 20 carbon atoms.
R8 is a trivalent organic group having 2 to 20 carbon atoms.
To hexavalent organic group, and q represents an integer selected from 1 to 4.
You. )
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, general formula (1)
The polymer represented is polyhydroxyamide-amide acid
The structure of the copolymer is shown, and phenolic water is generally used.
Tetracarboxylic dianhydride having an acid group and diamine compound
It is obtained by subjecting a product to a condensation reaction. In general formula (1)
And R1 is a trivalent or tetravalent having 2 to 20 carbon atoms.
Represents a group. Preferred as such
Is pyromellitic acid residue, benzophenonetetracarboxylic
Acid residue, biphenyltetracarboxylic acid residue, diphenyl
Ether tetracarboxylic acid residue, diphenyl sulfone
Toracarboxylic acid residue, bis (phthalic acid) hexafluoro
Propane residue, trimellitic acid residue, trimesic acid residue
Group, naphthalene tricarboxylic acid residue, diphenyl ether
Rutricarboxylic acid residue, benzophenone tricarboxylic acid
Aromatic group such as residue, tricarboxyl propane residue
Group, tricarboxylbutane residue, butanetetracarbo
Acid residue, cyclopentanetetracarboxylic acid residue, etc.
Aliphatic groups can be mentioned. R1 is composed of one of these.
May be used, or two or more
good.
In the general formula (1), R2 has 2 or more carbon atoms and 20 or more carbon atoms.
Less than 3 to 6 valent organic groups, preferred examples
As the diaminophenol residue, diaminodihydro
Xybenzene residue, diaminotrihydroxybenzene residue
Group, diaminotetrahydroxybenzene residue, bis (A
Minophenol) propane residue, bis (aminopheno)
Le) Hexafluoropropane residue, diaminohydroxy
Naphthalene, diaminohydroxyterphenyl residue, etc.
Can be preferably used. Ma
In addition, 1 to 40 mol% of R2 is a phenyl group having no hydroxyl group.
Range amine residue, diamino diphenyl ether residue,
Diaminodiphenylmethane residue, bis (aminophenoki
B) benzene residue, bis (aminophenoxyphenyl)
Sulfone residue, bis (aminophenoxyphenyl) pro
Aromatic compounds such as pan residues, ethylene diamine residue
Group, hexamethylenediamine residue, diaminocyclohexene
Sun residue, diaminodicyclohexylmethane residue, etc.
Aliphatic diamine residue, bis (aminopropyl) tetrame
Tyldisiloxane, bis (aminophenyl) tetramethyl
Modified by silicon-containing diamino compounds such as rudisiloxane
You can also. R2 may be composed of one kind
Alternatively, it may be composed of two or more types.
R3 in the general formula (1) is the same as R1.
Can be used. R4 in the general formula (1) has 2 carbon atoms
From 30 to 30 divalent organic groups.
Min residue, diamino diphenyl ether residue, diamino
Diphenylmethane residue, diaminodiphenyl sulfone residue
Group, diaminobenzophenone residue, tetramethyldiamine
Nodiphenylmethane residue, diaminobiphenyl residue, bi
(Trifluoromethyl) diaminobiphenyl residue,
Tylphenylenediamine residue, bis (aminophenoki
B) benzene residue, bis (aminophenoxyphenyl)
Sulfone residue, bis (aminophenoxyphenyl) pro
A group containing a divalent aromatic such as a pan residue is preferred. Ma
In addition, ethylenediamine residue which is an aliphatic group, diaminobu
Tan residue, hexamethylene diamine residue, diamino cycle
Rohexane residue, diaminodicyclohexylmethane residue
Can be modified by 1 to 40 mol%. further
Bis (aminopropyl) tetramethyl which is a silicon-containing group
Rudisiloxane residue, bis (aminophenyl) tetrame
Modifies 1 to 40 mol% of tildisiloxane residue etc.
You can also. R4 may be composed of only one kind
Alternatively, two or more types may be used. Also charcoal
When the prime number is 30 or more, the obtained general formula (1)
The solubility of the limmer in alkaline aqueous solution may be reduced.
There is. For R5 and R6 in the general formula (1), hydrogen
Use atoms or organic groups with 1 to 10 carbon atoms.
Can be used. These include hydrogen sources
, Methyl, ethyl, propyl, butyl, eth
Preferred examples are xyethyl group, ethoxymethyl group and the like.
Can be mentioned. Also, the amount of hydrogen atoms and organic groups
Control the solubility in aqueous alkaline solutions
I can do it. Thus, R5 and R6 are composed of only one type.
Or a combination of two or more
good.
In the present invention, a phenolic hydroxyl group is contained.
Tetracarboxylic dianhydride
Trica such as phenol and anhydrous trimellitate chloride
Acid anhydride of monoanhydride and monoacid chloride of rubonic acid and hydroxy
Selectively reacting with an amino group of a diamino compound
Can be obtained at Having this phenolic hydroxyl group
When synthesizing tetracarboxylic dianhydride, it is generally widely used.
The method used is the reaction between the corresponding acid chloride and the amino group.
To remove hydrochloric acid by-produced in the reaction, triethylamine or
Reaction using tertiary amine compound such as pyridine
Is the way. However, it has a phenolic hydroxyl group
Tetracarboxylic dianhydride itself is a tertiary amine compound
To obtain high-purity to adsorb and its hydrochloride
I can't do that. Also, ion exchange with tertiary amine
When a resin is used, high purity products can be obtained,
Since the compound generated in step is adsorbed on the ion exchange resin,
This is not preferable because the yield of the desired product is reduced.
In the present invention, an epoxy compound is used as a dehydrochlorinating agent.
Hydrochloric acid is converted to a salt
Use chlorinated alcohol, dihydropyran instead of form
Can be removed in the form of chlorinated cyclic ether
You. Such chlorinated alcohols, chlorinated cyclic ethers
Has little interaction with amide groups and phenolic hydroxyl groups.
Most likely, tetraca with the desired phenolic hydroxyl group
It was found that rubonic acid dianhydride could be obtained with high yield and high purity.
come. Examples of such epoxy compounds include
Jil methyl ether, glycidyl phenyl ether,
Lysidyl allyl ether, glycidyl butyl ether,
Examples of propylene oxide, compounds having an unsaturated bond and
Sesame oil, castor oil and other unsaturated fatty acid
Oleic acid, unsaturated fatty acids such as linoleic acid,
Having an (exo) methylene group such as tyl-1-butene
Terminal-unsubstituted-disubstituted olefin, allyl methyl ether
And β-methallyl methyl ether, 3-methoxy-2-me
Tilpropene, methylenecyclohexane, methylenecycline
Compounds such as lopentane, limonene, dihydropyran,
Cyclic vinyl ethers such as methyldihydropyran
Which have other epoxy rings
Compounds with unsaturated bonds or compounds with unsaturated bonds
I can do it. Among these, particularly preferred compounds are
Sidyl methyl ether, glycidyl allyl ether,
Cyclic dihydropyran, methyldihydropyran, etc.
Saturated bond-containing ether compound, methylenecyclohexa
Unsaturated bonds such as ethylene, methylenecyclopentane and limonene.
Compounds having a bond can be mentioned.
Such an epoxy compound has an unsaturated bond.
Add more than the equivalent of the compound you have to the hydrochloric acid generated.
Is preferred. If it is less than the equivalent, the generated hydrochloric acid is completely removed
Can not do it. More preferably, it is added at least 4 times mol.
It is to get. Generally removes hydrochloric acid
For the purpose, epoxy compounds and compounds with unsaturated bonds
Substances and dihydropyran compounds should be added as much as possible
Is desirable, but if it is added in a molar amount of 20 times or more, the epoxy compound
Compounds, compounds with unsaturated bonds and carboxylic acids, amines
Side reaction occurs, and the yield of the obtained target product decreases.
There is a risk that. From such a point, these epoxidation
The amount of the compound or compound having an unsaturated bond is
Not less than an equivalent amount and not more than 20 moles per mole of the compound.
And more preferably at least 4 moles and not more than 15 moles.
is there.
The hydroxyl group-containing acid 2 represented by the general formula (2)
N-methylpyrrolidone, gamma
Polar solvents such as butyrolactone and dimethylacetamide
And ketones such as acetone and methyl ethyl ketone
System solvent, tetrahydrofuran, dioxane, propylene
Ethers such as glycol monomethyl ether acetate
Solvents, ester solvents such as ethyl acetate and butyl acetate
Medium, ethanol, isopropyl alcohol, etc.
-10 ° C to 100 ° C in a mixed solvent with
The polymer represented by the general formula (1) is reacted by
Can be obtained. Here, in the general formula (2), R7,
R9 had an acid anhydride group having 2 to 20 carbon atoms
It represents a trivalent or tetravalent organic group, and pyromellitic acid
Anhydride residue, benzophenonetetracarboxylic anhydride residue
Group, diphenyl ether tetracarboxylic anhydride residue,
Biphenyltetracarboxylic anhydride residue, diphenyls
Rufontetracarboxylic anhydride residue, butanetetracar
No boronic anhydride residue, cyclopentanetetracarboxylic acid
Hydrate residue, trimellitic anhydride residue, diphenyl ether
Tertricarboxylic anhydride group, diphenyl sulfone tri
Carboxylic acid residue, naphthalene tricarboxylic anhydride group
Are preferred groups, but other
Those having one acid anhydride group can also be used.
You. In particular, it is preferable to use a trivalent group. Also, R
7, R9 may be composed of only one kind or two or more kinds.
May be configured.
R8 in the general formula (2) is the same as R8 in the general formula (1)
The same thing as 2 can be used.
Further, a polymer represented by the general formula (1)
Is obtained by adding 2 equivalents of the corresponding monoanhydride monochloride and hydroxy
1 equivalent of diamino compound is added to epoxy compound or dihydropyra
Reaction in the presence of a diamine compound.
The reaction can also be carried out by reacting one equivalent of the product. This one anhydride
As the monoacid chloride, a compound represented by the general formula (13)
Are preferred, such as anhydrous trim
Lit acid chloride can be mentioned as a typical one
But the two carboxy groups of the tricarboxylic acid as follows:
The carboxylic acid group is converted to an acid anhydride, and the remaining carboxylic acid is converted to the acid chloride.
Any shape can be used. Ma
R39 represents a trivalent organic group having 2 to 30 carbon atoms.
Represent. Preferred as such groups are trimellites.
Tonic acid residue, trimesic acid residue, naphthalene tricarboxylic acid
Acid residue, diphenyl ether tricarboxylic acid residue, diph
Phenyl sulfone tricarboxylic acid residue, benzophenone
Aromatic groups such as carboxylic acid residues, butanetricarboxylic acid
Fats such as acid residues and cyclohexanetricarboxylic acid residues
Group groups can be mentioned as preferred examples. R39 is
It may be composed of one kind or composed of two or more kinds
May be.
[0018]
Embedded image
The photosensitive heat-resistant resin precursor composition of the present invention is
The naphthoquinonediazide compound to be obtained
Toquinone diazide sulfonic acid phenyl ester compound
preferable. Such compounds include tetrahydroxy
Naphthoquinonediazidosulfonic acid of cibenzophenone
Stele, naphthoquinonediazidosul of bisphenol A
Naphthoquinone diazide sulfonate, gallic acid
Naphthoquinonediazidos of phonates and naphthols
Preferable use of compounds such as sulfonic acid esters
But there are other phenolic esters,
Or hydroxyphthalimide, hydroxybenzotria
Naphthoquinonediazidesulfonic acid ester such as sol
And oximes such as benzaldoxime
Non-diazide sulfonic acid ester etc. can be used
I can do it. Also, naphthoquinonediazidosulfonic acid includes
One with a sulfonyl group bonded at the 4-position and one with a sulfonyl at the 5-position
Groups are bonded, and in the present invention, either compound
Can also be used.
The photosensitive heat-resistant resin precursor group as in the present invention
As the photopolymerization initiator used for the product, N-phenyl
Aromatic amines such as glycine and Michler's ketone
Aromatic ketones, 1-phenyl-1,2-propanedio
Oximes such as 2--2- (o-acetyl) oxime
To 100 parts by weight of the polymer represented by the general formula (12)
On the other hand, 0.5 to 10 parts by weight can be added.
In order to further promote the photoreaction,
Nomer compounds can be added. Such an action
Methyl acrylate, meta
Methyl acrylate, ethylene glycol dimethacrylate
G, ethylene glycol diacrylate, trimethylo
Lepropane triacrylate, trimethylolpropane
Examples thereof include trimethacrylate.
In the present invention, only one of these may be used.
Alternatively, a plurality of types may be used in combination.
Further, 7-diethylaminobenzene is used as a sensitizer.
Aminocoumarins such as nzoyl coumarin, 5-nitro
Acenaphthene, Thioxanthone, Leuco Crystal Buy
OLET, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzo
It is also possible to use styryls such as oxazole in combination.
Wear.
Further, in order to improve the photosensitive performance, N
-Phenyldiethanolamine, dimethylaminobenzoate
Amines such as ethyl acrylate, mercaptobenzoic acid
Mercaptos such as sasol are represented by the general formula (12).
0.1 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of polymer
It can also be added.
As the solvent used in the present invention, N-meth
Tyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N, N
-Dimethylformamide, N, N-dimethylacetoa
Polar aprotic solvents such as amides and dimethyl sulfoxide
Medium, ethers such as tetrahydrofuran and dioxane
, Acetone, methyl ethyl ketone, diisobutyl keto
Ketones, ethyl acetate, propylene glycol
S, such as monomethyl ether acetate and ethyl lactate
Aromatic hydrocarbons such as ters, toluene and xylene
Any solvent can be used alone or mixed
You.
Further, in order to increase the viscosity or
Silicon dioxide, titanium dioxide, etc.
Add any inorganic particles or polyimide powder
You can also.
Further, a base substrate such as a silicon wafer
Silane coupling agent, titanium
Varnish of the obtained polymer solution
0.5 to 10% by weight, or
It can also be treated with such a chemical solution. varnish
When added to, methyl methacryloxy dimethoxy sila
Silicone, 3-aminopropyltrimethoxysilane, etc.
Run coupling agent, titanium chelating agent, aluminum chelating
0.5 to 10% by weight of the polymer in the varnish
%Added. When processing substrates, the
Use coupling agents such as isopropanol, ethanol,
, Water, tetrahydrofuran, propylene glycol
Monomethyl ether acetate, propylene glycol
Monomethyl ether, ethyl lactate, diethyl adipate
Solution of 0.5 to 20% by weight in a solvent such as
Surface by pin coating, dipping, spray coating, steam treatment, etc.
Do the processing. In some cases, then 50 ° C to 300 ° C
By applying a temperature of up to ℃,
Use after the reaction with the agent has progressed.
Next, the photosensitive heat-resistant precursor composition of the present invention
About the method of forming heat resistant resin pattern using
I will tell.
Applying a photosensitive heat-resistant precursor composition on a substrate
I do. Substrates include silicon wafers, ceramics,
Gallium arsenide is used, but is not limited to these.
No. Spin coating using a spinner,
There are methods such as ray coating and roll coating. Ma
The coating thickness is determined by the coating method, the solid content concentration of the composition, and the viscosity.
Usually, the film thickness after drying is 0.1
To 150 μm.
Next, the photosensitive heat-resistant precursor composition was applied.
The substrate is dried to obtain a photosensitive heat-resistant precursor composition film.
You. Use an oven, hot plate, infrared ray, etc. for drying.
For 1 minute to several hours in the range of 50 to 150 degrees
Is preferred.
Next, the photosensitive heat-resistant precursor composition film
Actinic radiation through a mask with the desired pattern on top
Shoot and expose. Actinic rays used for exposure are ultraviolet
Line, visible light, electron beam, X-ray, etc.
Mercury lamp i-line (365 nm), h-line (405 nm), g
Preferably, a line (436 nm) is used. But
Et al., 450-550 nm visible light, 350 nm or less.
Ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like can also be used.
Exposure to form a polyimide pattern
Later achieved by removing exposed areas using a developer
Is done. As a developer, tetramethylammonium
Aqueous solution, diethanolamine, diethylaminoethanol
, Sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate
, Potassium carbonate, triethylamine, diethylamido
, Methylamine, dimethylamine, dimethylamine acetate
Noethyl, dimethylaminoethanol, dimethylamino
Ethyl methacrylate, cyclohexylamine, ethyl
Alkaline such as diamine, hexamethylenediamine
An aqueous solution of a compound showing Also in some cases
Can be added to these aqueous alkali solutions by N-methyl-2-pyrrolidone.
Don, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethyl
Luacetamide, dimethyl sulfoxide, γ-butyrol
Polar solvents such as octone, dimethylacrylamide, meta
Alcohols such as ethanol, ethanol, and isopropanol
, Ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ester
Esters such as teracetate, cyclopentano
, Cyclohexanone, isobutyl ketone, methyl iso
Use ketones such as butyl ketone alone or several
A combination may be added. After development, remove with water.
Sense processing. Again, ethanol, isopropyl alcohol
Alcohols such as alcohol, ethyl lactate, propylene
Esters such as glycol monomethyl ether acetate
Water, acetic acid, carbon dioxide, oxalic acid, phosphoric acid, etc.
In addition, a rinsing process may be performed.
After development, a temperature of 200 to 500 degrees is applied.
And convert it to a heat-resistant resin film. This heat treatment reduces the temperature
Select and raise the temperature stepwise, or select a certain temperature range and continuously
And for 5 minutes to 5 hours. As an example
Heat treatment at 130, 200 and 350 degrees for 30 minutes each
Manage. Or from room temperature to 400 degrees for 2 hours
For example, a method of linearly raising the temperature may be used.
In the photosensitive heat-resistant precursor composition according to the present invention,
The heat-resistant resin film formed from the
Film, protective film for semiconductor devices, and multilayer wiring for high-density mounting.
Used for applications such as interlayer insulating films.
[0033]
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to explain the present invention in more detail,
An example will be described.
How to measure properties
Chlorine ion measurement
3 g of the sample was dispersed in 100 ml of water. This dispersion was added to 9
Extraction treatment was performed at 0 to 100 ° C. for 2 hours. This extract
Using an ion meter N-8M manufactured by Horiba, Ltd.
Using the chlorine ion electrode 8002
The ON concentration was measured. Chloride ion concentration exceeds 5ppm
Then, the obtained polymer can be used as a surface protection film for semiconductor devices.
When used for electrodes, chlorine ions cause corrosion on electrodes, etc.
Grows and is not preferred.
Measurement of melting point
Using a differential thermal analyzer DSC-50 manufactured by Shimadzu Corporation
Then, put about 50 mg of sample in an aluminum cell,
It was measured at a rate of 20 ° C./min from room temperature to 350 ° C.
The endothermic peak in the differential heat curve was defined as the melting point.
Example 1 Dehydrochlorination agent using epoxy compound
Of acid anhydride (A) used as a catalyst
In a 500 ml four-necked flask, stirrer, thermometer, nitrogen
Attach an inflow tube and attach 2,2'-bis (3-amino-4-
Hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BAH
F) 18.3 g (0.05 mol) of glycidyl methyl ester
Mixing of 88 g (1.0 mol) of acetone and 50 ml of acetone
Dissolved in the liquid and cooled to -10 ° C.
Trimellitic anhydride chloride (TMC) 2
3.1 g (0.11 mol) was dissolved in 50 ml of acetone.
To the above solution of BAHF, temperature
Was dropped so as not to exceed 0 ° C.
After completion of the dropwise addition, stirring was continued at −10 ° C. for 2 hours.
The solution was then brought to room temperature. Add this solution to toluene
And the yellow precipitate was collected by filtration.
It was dried in a vacuum dryer at 50 ° C. for 20 hours. This yield is
31.4 g (yield: 88%), mp 281 ° C.
Was. The chlorine ion concentration is a good value of 1.5 ppm.
there were.
Comparative Example 1 Triethylamine was used as a dehydrochlorinating agent.
Of acid anhydride (A) used as a catalyst
In a 500 ml four-necked flask, stirrer, thermometer, nitrogen
Attach the inflow pipe, BAHF 18.3g (0.05M
Of triethylamine (TEA)
1 mol) and 100 ml of acetone.
Cooled to 10 ° C. 23.1 g (0.11 mol) of TMC
In 50 ml of acetone to make a solution.
Drop the solution so that the temperature does not exceed 0 ° C.
I dropped it. After completion of the dropwise addition, stirring was continued at −10 ° C. for 2 hours.
The solution was then brought back to room temperature.
This solution was filtered to remove triethylamine.
Except for the hydrochloride, collect the filtrate with a rotary evaporator.
Concentrate the volume to 50 ml and add to 1500 ml of toluene
And the yellow precipitate is collected by filtration and dried in a vacuum dryer at 50 ° C.
Dry for 20 hours. This yield was 37.5 g (yield 10
5%), the melting point could not be detected in this range. Also salt
The element ion concentration is 100 ppm,
-There is a problem in using it as a raw material.
Comparative Example 2 An ion exchange resin was used as a dehydrochlorinating agent.
Of acid anhydride (A) used
In a 500 ml four-necked flask, stirrer, thermometer, nitrogen
Attach the inflow pipe, BAHF 18.3g (0.05M
E) and previously dried at 105 ° C for 4 hours.
Lugano's cation-type ion exchange resin "Amberlyst"
A-21 69.8 g (0.31-0.35 mol equivalent)
Dissolved in a mixture of 200 ml of acetone and -10 ° C
Cool.
23.1 g (0.11 mol) of TMC was
A solution dissolved in 50 ml of ton,
Add dropwise to the AHF solution so that the temperature does not exceed 0 ° C.
Was. After completion of the dropwise addition, stirring was continued at −10 ° C. for 2 hours.
The solution was returned to room temperature. This solution is filtered and ion
Except for the exchange resin, collect the filtrate with a rotary evaporator.
Concentrate the body to 50 ml and inject into 1500 ml of toluene.
, And the yellow precipitate was collected by filtration and dried at 50 ° C in a vacuum drier.
For 20 hours. The yield was 16.1 g.
(Yield: 45%). Melting point is 281 ° C
there were. The chlorine ion concentration was as good as 1 ppm.
However, the yield was higher than that of Example 1 using the epoxy compound.
It was low.
Example 2 Cyclic unsaturated ether was dehydrochlorinated
Polyhydroxyamide-amic acid alternate copolymer used as
Polymerization of polymer (B)
In a 500 ml four-necked flask, stirrer, thermometer, nitrogen
Attach the inflow pipe, BAHF 18.3g (0.05M
) Was converted to 84 g of 3,4-dihydro-2H-pyran (1.0 g).
Mol) and acetone (50 ml).
Cooled to ° C. 21.1 g (0.1 mol) of TMC
A solution dissolved in 50 ml of ton,
Add dropwise to the AHF solution so that the temperature does not exceed 0 ° C.
Was.
After completion of the dropwise addition, stirring was continued at -10 ° C for 2 hours.
8.4,4'-diaminodiphenyl ether
01g (0.045 mol), 1,3-bis (3-amino
Propyl) tetramethyldisiloxane 1.24 g (0.
005 mol) to 100 g of N-methyl-2-pyrrolidone
The dissolved solution was added all at once. This solution at room temperature for 3 hours
The reaction was then carried out at 50 ° C. for 1 hour.
The reaction solution was poured into 5 l of water, and
A precipitate of the xyamide-amic acid alternating copolymer was obtained. this
The precipitate is collected by filtration, washed with water, and dried in a vacuum at 50 ° C.
It was dried in a dryer for 20 hours. Chloride ion content is 1pp
m (yield: 90 g, 98%).
Comparative Example 3 Triethylamine was used as a dehydrochlorinating agent.
Copolymerization of Polyhydroxyamide-Amidic Acid
Polymerization of body (B)
In a 500 ml four-necked flask, stirrer, thermometer, nitrogen
Attach the inflow pipe, BAHF 18.3g (0.05M
) With 11.1 g (0.11 mol) of TEA and 9 parts of acetone
Dissolved in 0 ml of the mixture and cooled to -10 ° C.
21.1 g (0.1 mol) of TMC was
Make a solution dissolved in 50 ml of
The solution was added dropwise to the HF solution so that the temperature did not exceed 0 ° C.
After completion of the dropwise addition, stirring was continued at −10 ° C. for 2 hours.
9.01 g of 4'-diaminodiphenyl ether (0.0
45 mol), 1,3-bis (3-aminopropyl) tet
1.24 g (0.005 mol) of lamethyldisiloxane
Solution dissolved in 100 g of N-methyl-2-pyrrolidone
Was added all at once. The solution was reacted at room temperature for 3 hours.
The reaction was carried out at 50 ° C. for 1 hour.
The reaction solution was poured into 5 l of water,
A precipitate of the xyamide-amic acid alternating copolymer was obtained. this
The precipitate is collected by filtration, washed with water, and dried in a vacuum at 50 ° C.
It was dried in a dryer for 20 hours. Chloride ion content is 50p
pm (yield 50 g). 110% for yield
It is clear that impurities are taken in, exceeding the theoretical value
You.
Comparative Example 4 Use of pyridine as a dehydrochlorinating agent
Of the modified polyhydroxyamide (C)
In a 500 ml four-necked flask, stirrer, thermometer, nitrogen
Attach the inflow pipe, 36.6 g (0.1 mol) of BAHF
With 10 g (0.13 mol) of pyridine and
Dissolve in 150 ml of amide mixture and cool to -10 ° C
did. 20.3 g of isophthalic dichloride (0.1 mol
Is dissolved in 100 ml of cyclohexanone.
And add it to the above BAHF solution at a temperature above 0 ° C.
It was dropped so that it could not be removed.
After completion of the dropwise addition, stirring was continued at -10 ° C for 2 hours.
The solution is then allowed to warm to room temperature and
For 3 hours. The reaction solution was poured into 5 liters of water,
A precipitate of hydroxyamide was obtained. This precipitate is collected by filtration.
And further washed with water, and dried in a vacuum dryer at 50 ° C for 20 hours.
Let dry. The chloride ion content was 80 ppm
(Yield: 54 g). Also, the yield is 108%, exceeding the theoretical amount.
It can be seen that impurities were taken in.
Comparative Example 5 Using pyridine as a dehydrochlorinating agent
Of Polyamide Ester (D)
Stirrer, thermometer, drying in a 300 ml four-necked flask
Attach air inlet pipe, pyromellitic anhydride 10.9g
(0.05 mol) and 3,3 ', 4,4'-benzopheno
16.1 g of tetracarboxylic dianhydride (0.05 mole
G) butyralactone 100 ml and pyridine 1
Dissolved in 4.1 g (0.2 mol) and brought to 30 ° C.
Here, 26.2 g of 2-hydroxyethyl methacrylate
(0.2 mol) and reacted at 30 ° C. for 8 hours. This
Is poured into 1 liter of water, and the resulting precipitate is collected by filtration.
I did. The precipitate is further washed with water and dried at 50 ° C. in a vacuum drier.
For 20 hours.
In a 300 ml four-necked flask, stirring wings,
Attach a thermometer and a dry air inlet pipe, and
It was dissolved in 100 ml of numabutyrolactone. Here
47.6 g (0.4 mol) of onyl chloride, hydroxy
Add 0.2 g of non-monomethyl ether and add
Allowed to react for hours. After the reaction is completed, the rotary evaporator
The remaining thionyl chloride was removed with a mouse.
In a 1-liter four-necked flask, stirrer, temperature
4 and 4'-di
20.0 g (0.1 mol) of aminodiphenyl ether
31.6 g (0.4 mol) of pyridine and N-methyl
-2-Pyrrolidone was dissolved in 150 ml. This solution
After cooling to 5 ° C., the diester
Chloride gamma-butyrolactone solution was added to the reaction solution
The solution was dropped so that the temperature did not exceed 10 ° C. After dropping, 5
After the reaction at 2 ° C. for 2 hours, the reaction was carried out at 30 ° C. for 2 hours.
This solution is poured into 10 l of water and the polyamide acid ester is
A precipitate was obtained. This precipitate is dried in a vacuum dryer at 50 ° C. for 20 hours.
Let dry. The chlorine ion content of this polymer is 100
ppm (yield: 71 g, yield: 97%).
Example 3 Positive photosensitive polyimide precursor
Synthesis of
Stirrer, thermometer, nitrogen flow in a 500 ml four-necked flask
Attach the irrigation tube and place 4,4'-diaminodiphenyl
6.0 g (0.03 mol) of ether, bis (paraamino
Phenoxyphenyl) sulfone 13.0 g (0.03 m
), 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyl
2.48 g (0.01 mol) of rudisiloxane
It was dissolved in 100 g of tyrolactone. Example 1 here
28.6 g (0.04 mol) of the acid anhydride synthesized in
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
5.9 g (0.02 mol) of gamma-butyrolactone 68
g, and stirred at 25 ° C. for 1 hour.
The reaction was performed for 2 hours.
A naphthoquinonediazide compound was added to this solution.
(4NT-300 manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.)
20% by weight based on the rimer component)
Positive Photosensitive Polyimide Dissolved in Alkaline Aqueous Solution
A varnish of the precursor composition was obtained. Chloride ion content is 1p
pm or less.
This varnish is applied to a 6-inch silicon wafer.
Coater developer SC manufactured by Nippon Screen Co., Ltd.
Spin coat using a W-636 spin coater,
Dry at 100 ° C for 3 minutes on SCW-636 hot plate
Coating was performed so that the thickness of the film afterwards became 7 μm. This is
After drying, the g-line stepper NSR- manufactured by Nikon Corporation
At the time of exposure through a predetermined reticle using 1505g6E
Exposure was performed at a focus of 0 μm for 800 milliseconds.
After exposure, 0.6% tetramethyl ammonium hydroxide
Development was carried out for 3 minutes with the aqueous sid solution. Then immerse in pure water for 20 seconds
After the pickling, nitrogen was blown to dry. After development, the pattern
As a result, the contact hole of 5 μm was resolved.
A good pattern could be obtained.
[0056]
According to the present invention, the chloride ion concentration can be reduced.
In addition to suppressing, the desired heat-resistant resin precursor and
And a polymer of the photosensitive heat-resistant resin precursor composition.
Can be.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 73/00 - 73/26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C08G 73/00-73/26
Claims (1)
ポリマーとナフトキノンジアジド化合物を含有する感光
性耐熱性樹脂前駆体組成物の製造方法であって、一般式
(1)で表される構造単位を有するポリマーを合成する
過程において、トリカルボン酸塩化物とヒドロキシジア
ミノ化合物を反応させ、一般式(2)で表される酸無水
物を合成するときに、エポキシ化合物および/または不
飽和結合を有する化合物を用いて、脱塩酸し、得られた
前記ポリマーの塩素イオン濃度を5ppm以下とするこ
とを特徴とする感光性耐熱性樹脂前駆体組成物の製造方
法。 【化1】 (R1、R3は少なくとも2個以上20個以下の炭素原
子を有する3価または4価の有機基、R2は、少なくと
も2個以上20個以下の炭素原子を有する3価から6価
の有機基、R4は炭素数2個以上30個以下までの有機
基、R5、R6は炭素数1個以上10個以下までの有機
基および/または水素のうち1種または2種以上を含む
もの。mは1から100000までの整数、nは1また
は2、pは1から4までの整数を表す。) 【化2】(R7、R9は炭素数2個以上20個以下の3価の有機
基、R8は炭素数2個以上20個以下の3から6価の有
機基、qは1から4より選ばれる整数を表す。)(57) [Claim 1] having a structural unit represented by the general formula (1)
Photosensitivity containing polymer and naphthoquinonediazide compound
A method for producing a heat-resistant resin precursor composition , comprising reacting a tricarboxylic acid chloride with a hydroxydiamino compound in a process of synthesizing a polymer having a structural unit represented by the general formula (1), When synthesizing the acid anhydride represented by 2), dehydrochlorination was performed using an epoxy compound and / or a compound having an unsaturated bond to obtain
Method for producing a photosensitive heat-resistant resin precursor composition, wherein the this <br/> to less 5ppm of chlorine ion concentration of the polymer. Embedded image (R1 and R3 are a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 or more and 20 or less carbon atoms, R2 is a trivalent to hexavalent organic group having at least 2 or more and 20 or less carbon atoms, R4 is an organic group having 2 to 30 carbon atoms, R5 and R6 are one or more of an organic group having 1 to 10 carbon atoms and / or hydrogen, and m is 1 An integer from 1 to 100, n represents 1 or 2, and p represents an integer from 1 to 4.) (R7 and R9 represent a trivalent organic group having 2 to 20 carbon atoms, R8 represents a tri- to hexavalent organic group having 2 to 20 carbon atoms, and q represents an integer selected from 1 to 4. .)
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