JP3471584B2 - ワイヤレス光通信システム - Google Patents

ワイヤレス光通信システム

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JP3471584B2
JP3471584B2 JP28081797A JP28081797A JP3471584B2 JP 3471584 B2 JP3471584 B2 JP 3471584B2 JP 28081797 A JP28081797 A JP 28081797A JP 28081797 A JP28081797 A JP 28081797A JP 3471584 B2 JP3471584 B2 JP 3471584B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自由空間を介して
可視光や赤外光により通信情報を送受信するワイヤレス
光通信システムに関し、特に、ATMセル等のバースト
状パケット信号を通信情報の単位として双方向に送受信
する光通信モジュールを用いたワイヤレス光通信システ
ムに関する。
【0002】
【従来の技術】非同期転送モード(Asynchronous Trans
fer Mode:以下、「ATM」という)の通信技術を用い
たWAN(Wide Area Network)、LAN(Local Area N
etwork) 等が、光ファイバ通信等の分野にて普及しつつ
ある。
【0003】このような有線通信におけるATM通信の
技術が、ワイヤレス光通信でも応用されることになると
考えられるため、以下では、まず、有線のATM通信で
の通信方式について概説する。
【0004】現在、幹線系光ファイバ伝送では、図16
に示すように、ATMセル51は、同期デジタルハイア
ラーキ(Synchronous Digital Hierarchy :以下、「S
DH」という)ベースのフレーム52に格納されて、た
とえば伝送速度155.52Mbpsで伝送される。ここで、A
TMセル51とは、ATM通信で送受される情報の取扱
い単位であり、当該セル51の転送に必要な制御情報を
格納するヘッダ部53と、ユーザ情報を収容するペイロ
ード部54とからなっている。一方、SDHベースのフ
レーム52構造は、ネットワークの運用、管理に必要な
情報が入るオーバヘッド部55と、ATMセル51が格
納可能であり、また、送るべきATMセル51が存在し
ない場合には、空きセル56を代わりに必ず格納するペ
イロード部57とからなっている。
【0005】尚、上記各ATMセル51は、ヘッダ部5
3が5バイト、ペイロード部54が48バイトで合計53バ
イトからなり、各フレーム52は、オーバヘッド部55
が90バイト、ペイロード部57が2340バイトで合計2430
バイトからなる。
【0006】上記フレーム52を125 マイクロ秒間隔で
連続的に生成すると、一秒間当たり8000フレーム換算と
なる。従って、2430バイト×8 ビット/バイト×8000フ
レーム=155.52メガビット/秒という計算の結果、上記
の場合、伝送速度155.52Mbps が導き出される。ATM
セル51は、上述のように、53バイトからなり、1フレ
ーム当たり2340÷53=44.151セル格納でき、フレーム5
2の最後尾に格納されるATMセル51は、53バイト全
体が収まらないために、次に続くフレーム52のペイロ
ード部57先端部までまたがって格納されるが、これは
この通信方式では、許容され問題とはならない。
【0007】上記の通信方式では、通信のデータ単位と
なるATMセル51自体は、バースト的(間欠的)に発
生するが、空きセル56を絡めながらSDHベースのフ
レーム52に乗せているのは、該フレーム52に格納す
ることで、155.52Mbps の連続同期信号列にして長距離
を信頼性よく通信させるためである。
【0008】プライベートなネットワークであるATM
−LANに関しても、ほぼ上述のSDHベースのフレー
ム52による情報伝送の説明と同様である。
【0009】次に、ワイヤレス光空間伝送においても、
ATM通信方式を採用する場合に、SDHベースのフレ
ーム52に格納する上述の方式にて、連続同期信号列を
作り通信することが容易に推測される。これは、光ファ
イバ伝送等の有線伝送と、ワイヤレス光伝送とを1つの
通信ネットワークの中で併存させる上で、SDH等のフ
レーム52をベースにする方法に共通化すると、通信方
式相互間の変換等が不要となり、通信をシームレス化で
きるからである。つまり、光ファイバ通信で受信した連
続信号列を、そのままワイヤレス光伝送用の送信器にデ
ータとして入力し光空間伝送できる。
【0010】ATM−LANの場合には、有線で繋がる
端末機器までは、伝送速度25Mbps等でシールドなしツ
イストペア線で簡易に送る方法もとられており、この端
末機器からワイヤレス光伝送で携帯情報機器まで同じ伝
送速度25Mbps で双方向にシームレスな通信がなされる
システムが考えられる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のATM
−LANでの端末機器と携帯情報機器との間のワイヤレ
ス光伝送において、SDHをベースとしたフレーム52
を用いると、光送信器の発光素子は、フレーム52に格
納された空きセル56部分にて有効なデータが無いにも
かかわらず発光せねばならず、不要な消費電力を要する
といった問題を生ずる。
【0012】より具体的には、空きセル56を使用する
ことによって、実質伝送すべきデータはないものの、セ
ル同期を取るため等のヘッダ部56aによって光送信器
内の発光素子が発光し、場合によっては、ペイロード部
56bに仮に挿入された無効な情報による発光素子の発
光が起こることになる。
【0013】従って、例えば、充電地等のバッテリ駆動
型の携帯情報機器側から端末機器に送信する場合には、
有効なデータの無い部分での発光によって電力を消費す
る結果、バッテリに不要な負担をかけることとなり、連
続通信時間を長く確保することができないといった問題
を生ずる。
【0014】一方、有線通信の場合は、光送信器を含む
光伝送装置は、専用の電源が備わっているため、データ
伝送を伴わない発光が頻繁に起こっても、バッテリ駆動
のように消費電力の節減を要する場合とは異なり、著し
い不都合は生じない。
【0015】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ワイヤレス光通信において、
データの通信形式に伴う不要な発光をなくして消費電力
の節減を実現するワイヤレス光通信システムを提供する
ことにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係るワ
イヤレス光通信システムは、上記の課題を解決するため
に、発光素子を有する光送信器と受光素子を有する光受
信器との間で、通信情報をATMセルのごとき情報単位
に分割した形態で送受信するワイヤレス光通信システム
であって、通信情報を送信する前記光送信器は、通信情
報を格納した情報単位と、前記発光素子を発光させるヘ
ッダ部をもち、かつ、通信情報をもっていない空の情報
単位とによって構成される連続信号から、前記通信情報
をもっていない空の情報単位を除いて、情報単位を間欠
的に生成させ、もって通信情報を非連続的な情報単位に
分割した形態とする手段と、通信情報送信時に、前記情
報単位が無い部分では発光素子を消灯させる発光素子駆
動手段とを備えていることを特徴としている。
【0017】上記の構成によれば、通信情報を送信する
光送信器では、有効なデータを有していない空きセルの
ごとき空の情報単位を除いた形態として送信データを非
連続的な情報単位に分割し、送信時には、情報単位が存
在しない部分では発光素子を発光させないよう駆動して
光伝送する。
【0018】従って、有効なデータを有していない部分
での不要な発光をなくすことができるので、不要な電力
消費を抑制し、バッテリ等の長寿命化を実現すると共
に、バッテリ等による長時間駆動を図ることができる。
【0019】尚、ここで「情報単位」とは、情報の取扱
い単位であり、固定長を有し、ATMセルのようなバー
スト状(間欠的)に発生するセルを含む意味である。間
欠的情報等の通信情報は、この固定長の情報単位に分割
され送受信される。
【0020】請求項2の発明に係るワイヤレス光通信シ
ステムは、上記の課題を解決するために、請求項1の構
成において、前記光受信器は、間欠的に受信される複数
の情報単位間のビット位相の同期をとるための同期手段
を備えていることを特徴としている。
【0021】上記の構成によれば、光受信器において、
間欠的に受信されるATMセル等の情報単位の1ビット
目からビット位相同期をとることができる。これは、例
えば、受信したバースト状の信号の各ビットを受信側の
ローカルオシレータに同期させる回路を備えることによ
って実現される。
【0022】請求項3の発明に係るワイヤレス光通信シ
ステムは、上記の課題を解決するために、請求項1また
は2の構成において、前記光受信器は、受信される信号
強度の変動に応じて、デジタル信号の“0”又は“1”
を識別するためのしきい値レベルを調整する調整手段を
備えていることを特徴としている。
【0023】上記の構成によれば、受信される信号強度
に応じてしきい値レベルは最適なものに調整されるの
で、受信レベルに適合した正確な受信が可能となる。こ
れは、例えば、ATMセル等の光出力レベルのピーク値
及びボトム値を検出し、その中間値を“0”又は“1”
を判別するためのしきい値レベルとすることで、当該し
きい値レベルを自動的に最適レベルに調整するしきい値
レベル制御回路を備えることによって実現される。
【0024】請求項4の発明に係るワイヤレス光通信シ
ステムは、上記の課題を解決するために、請求項1〜3
のいずれかの構成において、前記光受信器は、受光素子
の受光領域の外側に、光検出電流の応答速度を低下させ
る不要なキャリアの受光領域外部から内部への移動を妨
げる不要キャリア吸収領域を備えていることを特徴とし
ている。
【0025】上記の構成によれば、ホトダイオード等の
受光素子の応答性、とりわけ立ち下がり時間を小さくし
て、高速伝送を達成できる。
【0026】つまり、受信器方向に空間伝播してくる光
は、受光素子の受光径近辺に重点的に指向性を持つよう
にシステムを設計することが多い。ここで、受光径のす
ぐ外側に入射する光成分は、受光径外部から受光径内部
に移動する不要キャリアを生成する。このキャリアは移
動速度が遅く、再結合までの時間が大きいため、受光素
子の応答性、とりわけ立ち下がり時間を大きくしてしま
う。
【0027】従って、例えば、受光素子の受光径のすぐ
外側に不要キャリア吸収領域を設けて、不要キャリアを
受光領域内部に侵入させない構造とすることで、受光素
子の応答性、とりわけ立ち下がり時間を小さくして、高
速伝送を実現できる。
【0028】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
1〜図9に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0029】図2は、非同期転送モードのローカルエリ
アネットワークであるATM−LANのシステム構成を
示す図である。ATM−LANは、端末機器1及び携帯
情報端末(携帯情報機器)2を含み、ATM網3、AT
Mスイッチ4、及び他の端末機器5から構成されてい
る。
【0030】端末機器1は、ATMスイッチ4を介し
て、ATM網3及び他の端末機器5と情報のやりとりを
行う。この情報のやりとりは、光ファイバ6を通じて行
われる。端末機器1は、また、携帯情報端末2との間
で、バースト的に生成するATMセルの光空間伝送を双
方向でワイヤレスに行う。
【0031】上記の端末機器1及び携帯情報端末2が、
本実施形態のワイヤレス光通信システムを構成すること
になる。即ち、端末機器1も携帯情報端末2も、それぞ
れ、後述の光送信器7及び光受信器8(図1(a)参
照)を備えた光通信モジュールを含んでおり、両者間の
空間光伝送路を介して可視光や赤外光により通信情報を
送受信することが可能な構成になっている。
【0032】例えば、後述するように、端末機器1は、
携帯情報端末2から間欠的に光伝送されたATMセル
を、端末機器1にてSDHフレーム等へ格納して、連続
信号列にして上り方向9に光ファイバ伝送する。また、
逆に、下り方向10に光ファイバ伝送されてきた、SD
Hフレーム等に格納され連続信号列の形態のATMセル
は、端末機器1でSDHフレーム等の中から取り出され
てバースト状に生じるATMセルとなって、ワイヤレス
光伝送により携帯情報端末2に送信される。
【0033】図1(a)は、端末機器1及び携帯情報端
末2の双方に設けられた光送信器7並びに光受信器8を
模式的に示す図である。前記光送信器7は、半導体レー
ザ、発光ダイオード等の発光素子11を有する一方、前
記光受信器8は、PINホトダイオード、アバランシェ
ホトダイオード等の受光素子12を有しており、端末機
器1又は携帯情報端末2の一方に設けられた光送信器7
と、他方に設けられた光受信器8との間でワイヤレス光
伝送が行われる。
【0034】図3は、端末機器1に内蔵されている光送
信器7aの概略的構成を示すブロック図である。光送信
器7aは、SDHフレーム等からATMセルを逐次取り
出し、連続信号列からバースト状信号化を行う信号変換
部13と、当該バースト状ATM信号の1レベル又は0
レベルに合わせて発光又は消灯する発光素子駆動部(発
光素子駆動手段)14と、半導体レーザや発光ダイオー
ド等の発光素子15とを備えている。
【0035】端末機器1に光ファイバ6を通じて送られ
てくる情報は、図16に示すように、通信データを格納
したATMセル51と通信データを有していない空きセ
ル56とがSDHフレーム52等に格納されて連続信号
列の形態となっている。信号変換部13は、かかる連続
信号から空きセル56を除いて、図1(b)に示すよう
に、ATMセル16を間欠的に生成させ、もって通信情
報を非連続的なATMセル16に分割した形態とする。
また、発光素子駆動部14は、ATMセル16が無い部
分17では、発光素子15を消灯させるよう駆動する。
【0036】従って、ATMセル16がある場合のみ、
光送信器7aの発光素子15は、セル内のデータ1又は
0に合わせて点灯又は消灯を行い、ATMセル16が無
い場合は、発光素子15も動作せず、全く何も送信され
ない。即ち、光送信器7aは、通信データを格納したA
TMセル51と通信データが無い場合の空きセル56と
によって連続信号列を構成してクロック成分を含んだ一
連の連続信号として光伝送するのではなく、通信データ
のあるATMセル16部分のみ空間光伝送を行い、通信
データの無い空きセル相当部分17では発光素子15を
発光させないのである。換言すれば、光送信器7aは、
空きセル相当部分17でクロック成分を送信することな
く、その結果、全体として連続信号列とはならないバー
スト状セルそのままを間欠的に光伝送するものである。
【0037】これによって、光送信器7aは、有効なデ
ータを有していない部分での不要な発光をなくすことが
できるので、不要な電力消費を抑えることができる。
【0038】一方、図4は、携帯情報端末2に内蔵され
ている光送信器7bの概略的構成を示すブロック図であ
る。光送信器7bは、送信したいデータをバースト状、
即ち間欠的なATMセル16に分割した形態とするAT
Mセル化部18と、このバースト状に間欠発生したAT
Mセル16の1レベル又は0レベルに合わせて発光又は
消灯する発光素子駆動部19と、半導体レーザや発光ダ
イオード等の発光素子20とを備えている。ここで、A
TMセル化部18は、信号変換部13と同様に、本実施
形態において、通信情報をもっていない空の情報単位を
除いて、情報単位を間欠的に生成させ、もって通信情報
を非連続的な情報単位に分割した形態とする手段となっ
ている。また、発光素子駆動部19は、発光素子駆動部
14と同様に、バースト状ATM信号が無い場合、発光
素子20を消灯させるよう駆動する。
【0039】従って、光送信器7aと同様に、ワイヤレ
ス光伝送において、光送信器7bの発光素子20は、A
TMセル16がある場合のみ、セル内のデータ1又は0
に合わせて点灯又は消灯を行い、ATMセル16が無い
場合は、発光素子20も動作せず、全く何も送信されな
い。これによって、光送信器7bは、有効なデータを有
していない部分での不要な発光をなくすことができるの
で、不要な電力消費を抑えることができ、バッテリ駆動
の場合には、負担軽減により連続長時間の通信が可能と
なる。
【0040】図5は、端末機器1に内蔵されている光受
信器8aの概略的構成を示すブロック図である。光受信
器8aは、ワイヤレス光伝送されてきたバースト状のA
TMセル16を受信するPINホトダイオードやアバラ
ンシェホトダイオード等の受光素子21と、バースト状
のATMセル16の光レベルに合わせて自動的にしきい
値レベルを決めて、受信信号をデジタル信号化するAT
C(しきい値レベル自動制御器)付プリアンプ回路部2
2と、デジタル信号化したATMセル16のビット位相
を光受信器8aのローカルオシレータ24に同期させる
データ同期回路部23と、得られたバースト信号をSD
Hフレーム等のフレームに格納して連続信号列化する信
号変換部25とを備えている。
【0041】一方、図6は、携帯情報端末2に内蔵され
ている光受信器8bの概略的構成を示すブロック図であ
る。光受信器8bは、受光素子26、ATC付プリアン
プ回路部27、データ同期回路部28、ローカルオシレ
ータ29、及びATMセル分解部30を備えている。こ
こで、受光素子26、ATC付プリアンプ回路部27、
データ同期回路部28、及びローカルオシレータ29
は、それぞれ、上記の受光素子21、ATC付プリアン
プ回路部22、データ同期回路部23、及びローカルオ
シレータ24と同様の構成及び機能を有する。また、A
TMセル分解部30は、受信されたATMセル16から
データを取り出す。
【0042】図7は、調整手段であるATC付プリアン
プ回路部22・27の回路の一例を示す図である。この
回路は、大略的に、プリアンプ31とATC機能部32
とを備えて構成されている。受光素子21・26によっ
て受信された信号S1は、プリアンプ31に与えられ、
信号S1の受光レベルに応じた出力S2が、プリアンプ
31からATC機能部32に入力される。ATC機能部
32では、この出力S2に応じた比較電圧V1が生成、
出力され、これがプリアンプ31の基準電圧V2とな
る。詳細には、ATC機能部32は、出力S2に基づ
き、ATMセル16の光出力レベルのピーク値及びボト
ム値を検出し、その中間値を“0”又は“1”を判別す
るためのしきい値レベルとして、比較電圧V1を生成、
出力する。これによって、受信される信号強度に応じて
しきい値レベルを最適なものに調整できる。
【0043】図8は、同期手段であるデータ同期回路部
23・28の回路の一例を示す図である。この回路は、
大略的に、再生部33とラッチ部34とを備えて構成さ
れている。ラッチ部34には、受信したバースト状のA
TMセル16であるバースト信号S3が入力されるが、
これらバースト状のATMセル16間では、ビット位相
がずれている。そのため、バースト信号S3は、再生部
33にも入力され、再生部33にて各バースト信号S3
から再生したクロックCK1がラッチ部34に出力され
る。ラッチ部34には、また、ローカルオシレータ24
・29から信号読み出し用のクロックCK2が入力され
る。そして、ラッチ部34に入力されたバースト信号S
3を再生部33からのクロックCK1に同期して読み込
み、さらに、ローカルオシレータ24・29からのクロ
ックCK2に同期して読み出す。これによって、ローカ
ルオシレータ24・29からのクロックCK2に同期し
た信号S4が得られ、ラッチ部34は当該信号S4を出
力する。
【0044】図9は、バースト状のATMセル16のワ
イヤレス光伝送のための光受信器8a・8bに設けられ
た光検出器35を模式的に示した図である。光検出器3
5は、ホトダイオード等の受光素子21・26を備え、
受光素子21・26の受光領域36の外側に、不要キャ
リア吸収領域(ガードリング)37を設けている。不要
キャリア吸収領域37は、光検出電流の応答速度を低下
させる原因となる不要なキャリアの受光領域36外部か
ら受光領域36内部への拡散を妨げる働きをする。光ワ
イヤレス伝送では、たとえ指向性を上げたとしても受光
領域36外部に伝播光が入射するため、何ら対策を施さ
なければ受光領域36外部からの不要拡散電流により、
応答特性が遅れ高速伝送に支障を来すおそれがある。そ
こで、光検出器35に不要キャリア吸収領域37を設け
て不要なキャリアの拡散を妨げ、これにより高速伝送を
実現している。
【0045】上記不要キャリア吸収領域37について、
図10〜図15を参照して、さらに詳細に説明する。
【0046】図10は、本実施形態に使用されるホトダ
イオードであって、拡散電流防止構造として上記不要キ
ャリア吸収領域37を有するpin ホトダイオードを示す
平面図である。また、図11は、図10のA−A線にお
ける断面図である。
【0047】一方、図12は、従来のpin ホトダイオー
ドを示す平面図であり、図13は、図12のB−B線に
おける断面図である。
【0048】本実施形態では、光伝送でよく用いられる
波長帯1.3μm、1.55μmを受光感度領域内に持
つInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)系のpin ホト
ダイオードを用いているが、これ以外のものを用いても
よい。
【0049】図10及び図11に示すように、本実施形
態のpin ホトダイオードは、n+−InP(インジウム・リ
ン) 基板61、n −InP バッファ層62、n-−InGaAs光
吸収層(i層)63、n-−InP 窓層64、Zn拡散など
の不純物拡散によって導電型を反転させたp+領域6
5、p型電極(アノード)67、反射防止膜68、表面
保護膜69、n型電極(カソード)70、及び、空乏層
71を備えて構成されている。
【0050】上記のp+領域65と空乏層71とによ
り、受光領域36が形成される。表面保護膜69は、例
えば、シリコン窒化膜等の絶縁膜により形成され、光を
透過するものになっている。
【0051】さらに、本実施形態のpin ホトダイオード
は、不要キャリア吸収領域37として、リング状p+領
域66とガードリング空乏層72とを有しており、これ
により、拡散電流防止構造を形成している。
【0052】図11において、73・73’は入射光を
示している。また、74a・74bは、電子を示してお
り、75a・75bは、正孔を示している。図11で
は、入射光73が光吸収層63内で吸収され、電子74
a及び正孔75aのペアが生成され、ホトダイオードの
光電流に寄与する様子が概念的に示される。
【0053】一方、従来のpin ホトダイオードは、図1
2及び図13に示すように、n+−InP 基板81、n −In
P バッファ層82、n-−InGaAs光吸収層(i層)83、
n-−InP 窓層84、Zn拡散などの不純物拡散によって
導電型を反転させたp+領域85、p型電極(アノー
ド)87、反射防止膜88、表面保護膜89、n型電極
(カソード)90、及び、空乏層91を備えて構成され
ている。
【0054】図13において、93・93’は入射光を
示している。また、94a・94bは、電子を示してお
り、95a・95bは、正孔を示している。図13で
は、入射光93が光吸収層83内で吸収され、電子94
a及び正孔95aのペアが生成され、ホトダイオードの
光電流に寄与する様子が概念的に示される。
【0055】上記従来のpin ホトダイオードは、不要キ
ャリア吸収領域37としてリング状p+領域66とガー
ドリング空乏層72とを有していない点で、本実施形態
のpin ホトダイオードと異なっている。
【0056】ところで、バースト伝送方式による双方向
通信を行う光送受信モジュールにおける受光素子の使用
条件の特徴としては、以下の点が挙げられる。
【0057】高速応答特性を要することから、RC時
定数τRCを小さくするために接合容量Cjを小さくす
ることが必要で、ホトダイオードの構造としては、Cj
∝S/W(S;接合面積、W;空乏層幅)の関係がある
ことから、接合面積Sを小さくするために、受光領域3
6を形成するp+領域65及び空乏層71の面積を小さ
くしなければならない。このため、光伝送用pin ホトダ
イオードは、通常、受光面となる反射防止膜68につい
て受光径100μm以下のものが使用されている。
【0058】ワイヤレス光伝送システムにおいては、
信号レベルの異なるバースト信号を受信する。
【0059】使用条件の特徴である上記から、光送受
信モジュールにおいては、光送信器から出射した光を、
受光素子の受光面となる反射防止膜68に入射するよう
に集光させているが、受光面積が小さいことから一部の
光が空乏層71外の光吸収層63で吸収され、光生成キ
ャリアである電子74b及び正孔75bが生成されるこ
ととなる。
【0060】これにより、拡散電流成分の割合が増える
結果、従来では、pin ホトダイオードの応答特性が劣化
するという問題が生じていた。かかる拡散電流成分の発
生及びその応答特性への影響について、従来のpin ホト
ダイオードを示す図12及び13に基づいて説明する。
【0061】図13に示すように、空乏層91内で生成
した電子94a及び正孔95aは、空乏層91内の電界
によるドリフト電流として外部回路へ流出し光電流とな
る。また、空乏層91外の光吸収層83内において、電
子94b及び正孔95bのペアが生成した場合、この生
成キャリアたる電子94b及び正孔95bが、空乏層9
1まで拡散により達したものが光電流に寄与することと
なる。
【0062】しかし、このうち正孔95bは拡散が遅い
ため、空乏層91内及びその近傍で生成したキャリアた
る電子94a及び正孔95aと比較して、光電流への寄
与が遅くなる。このような空乏層外生成キャリアによる
光電流成分が、拡散電流である。この拡散電流成分は、
ホトダイオードの応答速度の支配要因として挙げられる
2つの要因(1) RC時定数τRC(ホトダイオードの接
合容量Cj、ダイオードパッケージの端子容量Ct、負
荷抵抗RL)、及び(2) 空乏層外生成キャリアが空乏層
端まで拡散する時間τdiff(応答速度を速くするために
は、τRC、τdiffのそれぞれを小さくすることが必
要)のうちの上記(2) に関連する。即ち、pin ホトダイ
オードの応答特性及び受光感度を高めるためには、拡散
電流の割合を小さくする必要があり、また空乏層91か
ら遠い領域での生成キャリアの光電流への寄与をなくし
て上記τdiffを小さくする必要がある。
【0063】一方、不要キャリア吸収領域37の役割と
しては、図10及び図11に示すように、空乏層71外
で生成したキャリアたる電子74b及び正孔75bの拡
散は、不要キャリア吸収領域37により形成されるガー
ドリング空乏層72によって吸収され、空乏層71に達
することがないため、光電流に寄与する拡散電流成分を
除外することができる。特に、空乏層71から遠い不要
キャリア吸収領域37外側の拡散電流成分を除外できる
ため、τdiffを小さくすることができる。
【0064】ここで、入射光波形が図14(a)に示す
ようなパルス状の場合、ホトダイオードの光電流波形
は、τRC≫τdiffにおいては図14(b)に示すよう
になり、τRC≪τdiffにおいては図14(c)に示す
ようになる。
【0065】空乏層71から遠い空乏層外生成キャリア
の光電流への寄与が多い場合、τdiffが大きくなり、図
14(c)に示すように、光電流波形はパルス頭部の傾
斜及び裾引きが発生する。このような裾引きは、符号間
干渉を招き、符号誤り率を増大させることになる。
【0066】また、受光素子の使用条件の特徴の上記
については、ワイヤレス光伝送システムにおいて、信号
レベルの異なるバースト信号を受信することから、τR
C≪τdiffでは、信号レベルの異なるバースト信号(つ
まり、信号レベルの高いバースト信号と信号レベルの低
いバースト信号との連続)を受信した場合の出力信号波
形は、図15に示すように、信号レベルの高い出力信号
77の裾引き部分の強度が、信号レベルの低い出力信号
78のパルス符号の強度と同等となる。よって、信号レ
ベルの異なるバースト信号を受信する場合のホトダイオ
ードの出力信号波形の裾引き発生は、信号伝送の誤り率
の増大の原因となる。
【0067】このように、τRC≪τdiffにおける裾引
き発生は、高速応答特性が要求される光伝送において、
なかでも信号レベルの異なるバースト伝送方式の光伝送
に悪影響を与える。よって、拡散電流成分を除去するこ
とによってτdiffを小さくすることのできる不要キャリ
ア吸収領域37を設けることは、応答特性及び受光感度
を良好なものにすることができることから、特に望まし
いものである。
【0068】以上のように、本実施形態のワイヤレス光
通信システムは、光送信器7及び光受信器8を備えた光
通信モジュールをそれぞれ有する端末機器1と携帯情報
端末2との間で行われるATMワイヤレス光伝送におい
て、SDH等のフレームにATMセルを格納して連続信
号列の形態で送受信するのではなく、間欠的に生成する
ATMセル16自体をバースト信号の状態のまま伝送し
ている。
【0069】これによって、電力消費の節減を実現し、
バッテリ駆動の携帯情報端末2から端末機器1にワイヤ
レス光伝送する際にも、間欠的に生じるATMセル16
を通信データ単位にする場合の通信に伴う不要な発光が
なくなり、消費電力削減効果を生み、携帯情報端末2の
長時間バッテリ駆動が可能になるという効果を奏するこ
ととなる。
【0070】
【発明の効果】請求項1の発明に係るワイヤレス光通信
システムは、以上のように、通信情報を送信する光送信
器は、通信情報をもっていない空の情報単位を除いて、
情報単位を間欠的に生成させ、もって通信情報を非連続
的な情報単位に分割した形態とする手段と、通信情報送
信時に、前記情報単位が無い部分では発光素子を消灯さ
せる発光素子駆動手段とを備えた構成である。
【0071】これにより、有効なデータを有していない
部分での不要な発光をなくすことができる。
【0072】それゆえ、不要な電力消費を抑制し、バッ
テリ等の長寿命化を実現すると共に、バッテリ等による
長時間駆動を図ることができるという効果を奏する。
【0073】請求項2の発明に係るワイヤレス光通信シ
ステムは、以上のように、請求項1の構成において、前
記光受信器は、間欠的に受信される複数の情報単位間の
ビット位相の同期をとるための同期手段を備えた構成で
ある。
【0074】それゆえ、光受信器において、間欠的に受
信されるATMセル等の情報単位間でビット位相同期を
とることができるという効果を奏する。
【0075】請求項3の発明に係るワイヤレス光通信シ
ステムは、以上のように、請求項1または2の構成にお
いて、前記光受信器は、受信される信号強度の変動に応
じて、デジタル信号の“0”又は“1”を識別するため
のしきい値レベルを調整する調整手段を備えた構成であ
る。
【0076】それゆえ、受信される信号強度に応じてし
きい値レベルは最適なものに調整されるので、受信レベ
ルに適合した正確な受信が可能になるという効果を奏す
る。
【0077】請求項4の発明に係るワイヤレス光通信シ
ステムは、以上のように、請求項1〜3のいずれかの構
成において、前記光受信器は、受光素子の受光領域の外
側に、光検出電流の応答速度を低下させる不要なキャリ
アの受光領域外部から内部への移動を妨げる不要キャリ
ア吸収領域を備えた構成である。
【0078】それゆえ、ホトダイオード等の受光素子の
応答性、とりわけ立ち下がり時間を小さくして、高速伝
送を達成できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態に係るワイヤレス光通信
システムによる光伝送を模式的に示す図であり、(a)
は、端末機器及び携帯情報端末に設けられた光送信器並
びに光受信器を示す図であり、(b)は、ワイヤレス光
伝送において通信データを格納したバースト状のATM
セルを模式的に示す図である。
【図2】上記端末機器及び携帯情報端末を含んだATM
−LANシステムの構成を示す図である。
【図3】上記端末機器に内蔵の光送信器の構成を示すブ
ロック図である。
【図4】上記携帯情報端末に内蔵の光送信器の構成を示
すブロック図である。
【図5】上記端末機器に内蔵の光受信器の構成を示すブ
ロック図である。
【図6】上記携帯情報端末に内蔵の光受信器の構成を示
すブロック図である。
【図7】上記光受信器のATC付プリアンプ回路部の概
略的構成を示す図である。
【図8】上記光受信器のデータ同期回路部の概略的構成
を示すブロック図である。
【図9】上記光受信器の光検出器の構成を模式的に示す
図である。
【図10】上記光受信器に使用されるホトダイオードで
あって、拡散電流防止構造として不要キャリア吸収領域
を有するpin ホトダイオードを示す平面図である。
【図11】図10のA−A線における断面図である。
【図12】従来のpin ホトダイオードを示す平面図であ
る。
【図13】図12のB−B線における断面図である。
【図14】(a)は、入射光波形を示す図であり、
(b)は、τRC≫τdiffにおけるホトダイオードの光
電流波形を示す図であり、(c)は、τRC≪τdiffに
おけるホトダイオードの光電流波形を示す図である。
【図15】τRC≪τdiffにおいて、信号レベルの異な
るバースト信号を受信した場合に、信号レベルの高い出
力信号の裾引き部分の強度が、信号レベルの低い出力信
号のパルス符号の強度と同等となっている状態を示す図
である。
【図16】SDHベースのUNI(ユーザー・網インタ
フェース)における155.52Mbpsのフレーム構
造を示す図である。
【符号の説明】
1 端末機器 2 携帯情報端末 7・7a・7b 光送信器 8・8a・8b 光受信器 11・15・20 発光素子 12・21・26 受光素子 13 信号変換部 14・19 発光素子駆動部(発光素子駆動手段) 16 ATMセル(情報単位) 17 空きセル相当部分 18 ATMセル化部 22・27 ATC付プリアンプ回路部(調整手段) 23・28 データ同期回路部(同期手段) 24・29 ローカルオシレータ 25 信号変換部 30 ATMセル分解部 37 不要キャリア吸収領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H04B 10/22 10/26 10/28 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04B 10/00 - 10/28 H04J 14/00 - 14/08 JICSTファイル(JOIS)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発光素子を有する光送信器と受光素子を有
    する光受信器との間で、通信情報をATMセルのごとき
    情報単位に分割した形態で送受信するワイヤレス光通信
    システムであって、 通信情報を送信する前記光送信器は、通信情報を格納した情報単位と、前記発光素子を発光さ
    せるヘッダ部をもち、かつ、通信情報をもっていない空
    の情報単位とによって構成される連続信号から、前記
    信情報をもっていない空の情報単位を除いて、情報単位
    を間欠的に生成させ、もって通信情報を非連続的な情報
    単位に分割した形態とする手段と、 通信情報送信時に、前記情報単位が無い部分では発光素
    子を消灯させる発光素子駆動手段とを備えていることを
    特徴とするワイヤレス光通信システム。
  2. 【請求項2】前記光受信器は、間欠的に受信される複数
    の情報単位間のビット位相の同期をとるための同期手段
    を備えていることを特徴とする請求項1記載のワイヤレ
    ス光通信システム。
  3. 【請求項3】前記光受信器は、受信される信号強度の変
    動に応じて、デジタル信号の“0”又は“1”を識別す
    るためのしきい値レベルを調整する調整手段を備えてい
    ることを特徴とする請求項1または2記載のワイヤレス
    光通信システム。
  4. 【請求項4】前記光受信器は、受光素子の受光領域の外
    側に、光検出電流の応答速度を低下させる不要なキャリ
    アの受光領域外部から内部への移動を妨げる不要キャリ
    ア吸収領域を備えていることを特徴とする請求項1〜3
    のいずれかに記載のワイヤレス光通信システム。
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