JP3470921B2 - 水素及び酸素を含有したガス混合物から遊離水素を除去するための装置 - Google Patents

水素及び酸素を含有したガス混合物から遊離水素を除去するための装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主として水素、酸素及
びスチーム(蒸気)を含有したガス混合物から遊離水素
を除去するための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】原子力発電所において重大な事故が発生
すると、いろいろな種類の化学プロセスによって水素が
発生する。そのために、原子炉格納容器内に可燃性ガス
混合物が発生することがある。長時間にわたって水素が
放出され、蓄積すると、爆発性の混合物の発生につなが
ることがある。このことは、原子炉格納容器の保全性、
即ち核分裂生成物を保持するための最後の遮壁が危険に
さらされる可能性が増大することを意味する。(ここ
で、「原子炉格納容器」という用語は、上述した問題が
発生する可能性があり、従ってその解決を計らなければ
ならないすべてのスペースの総称として用いられてい
る。)そのようなガス混合物は、また、重水減速型原子
炉においても発生することがある。更に、使用済み燃料
棒の中間貯蔵所及び最終貯蔵所においても、水素及びそ
の同位体が酸素含有大気中へ放出され、ある種の危険性
を内包している。
【0003】そのような爆発性ガス混合物に基因する危
険を回避するために、そのガス混合物中の水素を除去す
ることに向けられたいろいろな対策が知られている。そ
れらの対策には、爆発性ガス混合物中に同時に存在する
酸素と水素を触媒作用により再結合して水に変換する方
法や、イグナイター(点火器)を用いる方法などがある
(例えば、発行されたヨーロッパ特許出願EP−A−0
303 144を参照)。特に有望なのは、いろいろ
な形態で知られている触媒再結合材(触媒)を使用する
方法である(例えば、ヨーロッパ特許出願EP−A−0
416 143、ドイツ特許出願DE−A−36 0
4 416、ヨーロッパ特許出願EP−A−0 303
144、及びドイツ特許出願DE−A−40 03
833を参照)。発行されたドイツ特許出願DE−A−
37 25 290は、PdNiCuのような三元パラ
ジウム合金を上記目的のための触媒として用いることの
適性を開示している。そのような触媒は、触媒合金を被
覆したキャリア(担体)の形で使用することができ、或
いは、スポンジ状物質の形で、或いは顆粒として使用す
ることができる。
【0004】触媒作用によって酸化される単位時間当り
の水素の量は、触媒の温度とともに指数関数的に増大す
る。触媒は、発熱反応によって高温になり、その温度
は、発生する熱と放散される熱とが均衡に達するまで上
昇する。触媒が比較的高い温度に達したとき始めて水素
の除去が加速されるのであり、その時に始めて温度上昇
によって惹起される対流が周囲雰囲気の混合をもたら
す。
【0005】図1及び2は、それぞれ、上記のような触
媒を有する反応チャンバー内における温度変化と水素濃
度変化を示すグラフである。これらのグラフに示された
測定結果は、以下の条件下で得られたものである。触媒
は、0.8m2 の表面積を有するオーステナイト鋼のキ
ャリアプレートと、その両面に被覆されたPd合金とか
らなり、そのPd合金は、95重量%のPdと、4重量
%のNiと、1重量%のCuからなるものであった。ま
ず最初に、10m3 の球状の反応チャンバーをスチーム
雰囲気中で加熱し、100°Cの温度に達した後、スチ
ームを反応チャンバーからポンプで排出し、次いで、5
0容積%のスチームと、40容積%の空気と、10容積
%の水素を順次に反応チャンバー内に導入した。
【0006】図1に示された温度変化パターンに見られ
るように、時点t0 で水素を導入した後間もなくして触
媒酸化過程が始まった。この酸化過程により約7分以内
に触媒温度は80°Cから560°Cに上昇した。温度
がこの560°Cの最高温度に達し、最高10容積%の
水素濃度(図2参照)が持続した後、水素の触媒酸化反
応がより高い温度で加速されるので、温度も、水素濃度
も減少し始めた。図1及び2のグラフは、温度が約16
0°Cに達し、水素濃度が約2.8容積%に達した後
は、ガス混合物中の水素濃度のそれ以上の減少はみられ
なかったことを示している。
【0007】水素化物生成の可逆過程によって水素を吸
収することができる(そして再度放出することができ
る)金属、金属合金又は金属間化合物等のいわゆる水素
貯蔵物質は従来周知である(例えば、ジー・サンドロッ
ク(G. Sandrock) 著「金属水素化物技術の基礎と応用」
シュツットガルト大学1991年水素エネルギー源年次
会議講演録、1991年デュッセルドルフのVDI出版
社発行、143−170頁参照)。従来は、このような
水素貯蔵物質は、主として、水素をエネルギー源として
貯蔵するために使用されてきた。日本特許出願JP−A
−63−072851号には、水素吸収合金として機能
することができるジルコニウムとチタン、ニオブ、モリ
ブデン、鉄及びバナジウムとの合金が開示されている。
この物質は、水素の貯蔵、搬送、分離及び精製のためば
かりでなく、熱貯留物質又は温度センサとしても使用さ
れる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、主と
して水素、酸素及びスチームを含有したガス混合物から
遊離水素を比較的低い温度で、より完全に除去するため
の装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、主
として水素、酸素及びスチームを含有したガス混合物か
ら遊離水素を除去するための装置であって、水素の酸化
を触媒作用によって維持するための触媒物質を有する触
媒構成体と、この触媒構成体に対して熱伝導関係に結合
された水素貯蔵デバイスとを具備し、この水素貯蔵デバ
イスは、上記触媒構成体の有効反応温度より低い温度下
では、水素化物の生成によって水素を結合して熱を発生
するようになされている装置によって解決される。
【0010】また、本発明の他の面によれば、主として
水素、酸素及びスチームを含有したガス混合物から遊離
水素を除去するための装置であって、水素の酸化を触媒
作用によって維持するための顆粒、チップ又は粉末の形
の触媒物質と、この触媒物質の有効反応温度より低い温
度下では、水素化物の生成によって水素を結合して熱を
発生する顆粒、チップ又は粉末の形の水素貯蔵物質と、
上記触媒物質と水素貯蔵物質との混合物を収容した、網
状材料で形成された容器とからなる装置が提供される。
【0011】本発明のさらに他の面によれば、主として
水素、酸素及びスチームを含有したガス混合物から遊離
水素を除去するための装置であって、水素酸化作用を有
する触媒物質で被覆されたプレートと、このプレートに
結合されており、水素貯蔵物質を収容した網状容器とか
らなる装置が提供される。
【0012】
【作用】本発明は、水素化物の生成による水素の結合
は、温度及び水素の部分圧の関数として、触媒再結合に
反比例して変化するという事実を見出したことに基づい
ており、その事実を利用することに依存している。水素
化の過程は、図3に示される理論図に基づいて説明する
ことができる。図3は、温度をパラメータとして、水素
/水素貯蔵金属の金属比(水素貯蔵金属の金属に対する
水素の比)に対する水素圧又は水素部分圧を示すグラフ
である。水素の圧力が増大するにつれて、少量の水素が
金属によって吸収されて固溶体を形成する。点Aから点
Bまでの一定圧力(いわゆる高原圧力)下で水素化物の
生成が継続する間、相当な量の水素が吸収される。この
「高原」は、水素飽和金属相と水素化物との2相混合物
に対応する。点Bにおいて、金属は完全に水素化物に変
換されており、水素圧力がそれ以上増大しても、それ以
上水素化物相の溶液内へ吸収される水素は僅かである。
【0013】図3にみられるように、温度が増大するに
つれて、「高原」はより高く、狭くなる。このことは、
低い温度では、水素貯蔵金属はより低い圧力でより多く
の水素を吸収することを意味する。事故発生時の原子力
発電所の原子炉格納容器内の雰囲気条件と温度を考慮す
れば、触媒と、適正に選択された水素貯蔵物質とを組み
合わせて使用すると、理想的な協同作用体(相乗作用を
発揮する構成体)が得られる。
【0014】1)触媒の表面積が水素貯蔵物質のそれよ
り相当に大きいとすると、周囲雰囲気中に包含されたH
2 分子の大部分が触媒の表面に接触する。 2)H2 分子の初期流入量が多く、H2 分子の存在量が
多いとすると、その高いH2 部分圧が急激な触媒変換を
惹起し、それに付随して、図2に示されるように触媒の
温度が急激に上昇する。
【0015】3)触媒表面の温度が上昇するにつれて、
その触媒の作用が増大し、触媒に衝突するH2 分子のう
ち触媒反応のための活性化エネルギーを必要とするH2
分子の割合が多くなる。 4)発熱反応であるために、触媒表面の温度は、発生す
る熱と、熱放射と対流によって周囲へ放散される熱とが
均衡に達するまで上昇し続ける。比較的高温での触媒反
応が、H2 を除去する最も効率的な方法の1つである。
従って、ガス混合物中のH2 濃度が比較的高い場合、そ
の水素の多くが除去される。
【0016】5)水素の大部分が除去された後、その結
果として水素の部分圧が低下することにより触媒反応が
弱まり、従って、熱の発生が減少し、それによって触媒
の温度が低下する。 6)触媒の温度が低下すると、触媒作用が弱まり、その
結果、触媒表面に接触する水素のうちの微少のものが酸
化され、それが連鎖反応のような形で温度低下を加速す
る。
【0017】7)以上に述べた触媒反応に比べて、水素
貯蔵物質の水素化物化は、初期状況下の高い水素分圧及
び高い温度下での水素の除去にはほとんど貢献しない。
しかしながら、水素貯蔵物質を適正に選択しておけば、
触媒反応が著しく減少し始めたときに、発熱水素化物の
生成が水素の除去に貢献し始める可能性がある。本発明
によれば、熱の交換を促進するために水素貯蔵デバイス
(素子又は装置)が触媒構成体と熱的に結合される。上
述した連鎖反応は、この水素貯蔵デバイスから触媒構成
体への熱の流れによって減速される。この水素化物の生
成は、それ自体で水素を除去する作用をするばかりでな
く、触媒表面をより長い時間より高い温度に留めること
ができ、水素貯蔵デバイスからの熱の流れがない場合に
比べて触媒作用を増大する。
【0018】Nb−V合金の固溶体に関する包括的研究
(エイ・ジェイ・メランド(A. J.Maeland)、ジイ・ジイ
・リボビッツ(G. G. Libowitz)、エフ・ジェイ・リンチ
(F. J. Lynch) 及びジイ・ラック(G. Rak)著「希有金属
ジャーナル」104(1984年)、133−139頁
参照)から、これらの合金(Nb−V合金)のうちのあ
る種のものは、何らかの種類の活性化処理の必要なし
に、低い水素分圧下で室温下で極めて迅速に反応するこ
とが判明している。より高い温度での反応時間は、ニオ
ブ単独の場合の反応時間に比べて10の数乗倍も短いこ
とが測定によって判明している。ニオブの固溶体とタン
タルの固溶体の両方に関する研究から、その反応は、そ
の固溶体中の追加の金属(ニオブ固溶体の場合はニオブ
に組み合わせる他の金属、タンタル固溶体の場合はタン
タルに組み合わせる他の金属)が、ニオブ及びタンタル
よりそれぞれ5%小さい原子半径を有するものである場
合に、非常に迅速に進行するということを結論づけるこ
とができる。水素化物の生成が始まるまでの応答時間が
比較的長い固溶体が多数存在する。
【0019】表1は、いろいろな合金と、水素化物生成
の終了までの時間、及びH2 対金属の最終比を示す。多
くの場合、この比率は、0.8より大きく、そのこと
は、それらの侵入型固溶体は水素に対する極めて大きな
結合能力を有することを示す。例えば、100gのこの
種の固溶体は、室温、常圧下での約97.2リットルの
水素に相当する約8.7gの水素を結合することができ
る。
【0020】また、水素化物の生成中、破砕、初期容積
の増大及び粉末化に伴って非常に多量の熱の放出が測定
された。
【0021】
【表1】 本発明に基づく装置においては、水素貯蔵物質は、水素
放出直後の初期段階においては酸化による水素の除去が
主として触媒作用によって行われるように選択される。
それによって、水素の多部分を急速に水に変換する。そ
の結果、選択された水素貯蔵物質は、意図された熱交換
によって水素貯蔵物質に付与された温度では僅かにしか
反応せず、従って、この段階では水素貯蔵物質は有意の
作用を及ぼさない。初期段階における温度上昇は、急激
に生じるので、比較的低い温度の領域が、水素貯蔵物質
の応答時間より短い時間(選択された水素貯蔵物質の種
類によって異なる)内に移動される。触媒作用が鎮静化
し、温度と水素分圧が共に低下すると、水素貯蔵物質に
よる水素化物化が始まり、反応熱が、触媒作用のそれ以
上の低下を防止する。この水素化物化の過程は、触媒再
結合を一時的に増大することさえできる。図1は、本発
明の目的に使用するための水素貯蔵物質として適した、
80重量%のNbと20重量%のVからなる合金の場合
に水素化物化が生じる温度領域を示す。この温度領域
は、他の合金又は金属を選択することによって上下に変
位させることができる。図示の温度領域より上では、水
素化物化はたとえ起るとしてもごく僅かである。何故な
ら、高められた温度では合金からの水素の解離の方が優
勢になるからである。本発明による装置を原子力発電所
に適用する場合には、事故の際に予測される原子炉格納
容器内の温度及び周囲雰囲気の組成及びそれらの経時変
化を考慮して、特に好適な水素貯蔵物質は、各種のニオ
ブ合金、及び、例えば、CaNi5 、LaNi6 、La
Ni4.7 のような合金である。これらの水素貯蔵物質の
場合は、反応温度は約85°Cであり、水素部分圧は0
〜2メガパスカルである。
【0022】水素化物の生成において発生した熱を触媒
構成体へ伝導する最も簡単な方法は、水素貯蔵デバイス
と触媒構成体とを良好な熱伝導を達成するように機械的
態様に結合することである。水素貯蔵デバイスの水素貯
蔵物質は、1つ又はそれ以上のプレートの形で、或いは
チップ(小片)又は顆粒として、或いはスポンジの形で
用いることができる。反応は表面積が大きければ大きい
ほど速くなる。水素貯蔵物質が使用される形態がその表
面積の大きさに影響するので、装置を特定の用途に適合
させるために反応速度を制御することができる。
【0023】例えば、チップのような遊離したばらの水
素貯蔵物質を、触媒物質で被覆されたキャリアプレート
に取り付けるための1つの有利な方法は、キャリアプレ
ートの一部分に1つ又はそれ以上のキャップを取り付
け、キャップとキャリアプレートの間に画定されたスペ
ースに水素貯蔵物質を注ぎ入れること、或いは、キャリ
アプレートと格子状の、従ってガス透過性材料で形成さ
れた容器を取り付け、その容器内へ水素貯蔵物質を注ぎ
入れることである。キャリアプレートに対する容器の締
着態様は、両者の間に良好な熱伝導が設定され、容器の
底部の大部分と、キャリアプレートの触媒被覆表面(触
媒で被覆された表面)との間に中間スペースが残され、
触媒表面への周囲ガス混合物の直接アクセスを可能にす
るような態様とする。
【0024】触媒の表面積を大きくするために触媒物質
を顆粒状とし、網状材料で形成された容器内に収容した
触媒構成体は周知である。その場合、触媒物質と、やは
り顆粒状とした水素貯蔵物質を混ぜ合わせて容器内に収
容することができる。また、水素貯蔵物質が水素に露出
された後水素化物化過程が始まるまでの経過時間、即ち
応答時間は、水素貯蔵物質の種類によって異なることも
周知である。本発明の別の側面によれば、1つの水素貯
蔵デバイス又はいろいろな水素貯蔵デバイス内に応答時
間の異なるいろいろな水素貯蔵物質を収容することによ
ってこの事実を(水素貯蔵物質の種類によって応答時間
が異なること)を利用する。かくして、本発明による装
置は、水素の放出が時差をもって生じることが予想され
る状況下で使用することができる。
【0025】
【実施例】以下に、添付図を参照して本発明の実施例を
詳しく説明する。図4及び5に示された本発明の一実施
例による遊離水素除去装置は、触媒プレート1と、触媒
プレート1にその長手方向両側縁に沿って取り付けられ
た2つの水素貯蔵デバイス2とからなる。触媒プレート
1は、詳細には示されていないが、ステンレス鋼製のキ
ャリアプレートと、その両面に被覆された、上記諸先行
特許出願に開示されているような触媒物質とからなる。
2つの水素貯蔵デバイス2は、いずれも、図示の実施例
では例として半円形の断面形状を有するものとして示さ
れたキャップ3を有する。キャップ3は、触媒プレート
1との間に良好な熱伝導を設定するように、ボルト、リ
ベット又はその他の適当な手段によってこのキャップを
触媒プレート1に固定するための周縁フランジ4を有し
ている。キャップ3は、その周縁フランジ4の内側で
は、ステンレス鋼又は銅で網状又は格子状に形成されて
いる。(キャップ3は、また、例えば図6に示されるよ
うに、全体を格子状材料で形成し、周縁部をエルボ状に
折り曲げ、その上に周縁フランジ4、或いは、単にワッ
シャを載せてボルト又はリベット等で締着してもよ
い。)キャップ3内に水素貯蔵物質6が収容されてい
る。水素貯蔵物質6は、図ではブロックとして概略的に
示されている。キャップ3のメッシュサイズ(格子の開
口又は網目の大きさ)は、キャップ3と触媒プレート1
との間のスペース5へのガスの自由なアクセスを可能に
するように十分に大きいが、ばらの水素貯蔵物質6を保
持するのに十分小さい大きさに選定されている。
【0026】水素化物の生成は、著しい容積膨脹を伴っ
て生じる。水素化物の生成の終了時までに、水素貯蔵物
質6の破砕、又は粉末化さえも生じる。従って、キャッ
プ3と触媒プレート1との間のスペース5は、水素貯蔵
物質6の初期容積より30〜40%大きい容積を有する
ものとすべきである。図6は、本発明の別の実施例の部
分断面図を示す。この実施例は、周囲環境に含有されて
いる場合があり、水素貯蔵物質6の働きを阻害する恐れ
のあるエアゾールが水素貯蔵物質6に付着するのを防止
するためにフィルタ7をキャップ3の内壁に配置した点
で先の実施例と異なる。この防護フィルタ7は、水素貯
蔵物質6を即時利用し得る状態で、作動可能な状態で水
素貯蔵物質6に対する防護を与える。従って、そのよう
な目的のためには、いわゆるHEPA(高効率空気粒
子)フィルタが特に適している。HEPAフィルタは、
エアゾールに対する高い分離効率を有し、水素及び酸素
ガスに対しては良好な透過性を有するからである。その
ようなフィルタは、結合剤で結合したグラスウールで形
成され、高温(最高約750°C)に対して高い安定性
(耐性)を有する。このようなフィルタの層は、キャッ
プ3の内壁に取り付けられる。
【0027】水素貯蔵物質が水素化物の生成を開始する
までの応答時間は、水素貯蔵物質の種類によって異なる
ことは、周知であり、応答時間が相当に長いものもあ
る。例えば、Nb−Ti及びNb−Ta並びにNb−Z
rの応答時間は、約24時間である。原子力発電所の事
故の際原子炉の一次冷却水ループから原子炉格納容器内
への水素の放出の経時変化は、事故がたどる経過によっ
て異なる。コンピュータのシミュレーションによれば、
原子炉格納容器内へのエネルギー及び質量の流れがガス
の空間的分布に影響を与えること、及び、水素の最高濃
度部分は、原子炉格納容器内へ水素が放出された後最初
の何時間かのうちに水素放出場所の直ぐ近傍に生じるこ
とが判明している。反対に、長時間にわたっての水素の
発生及び原子炉格納容器内への水素の侵入が、より遅い
ペースで進行する。このような差異に、応答時間の異な
るいろいろな水素貯蔵物質を用いることによって対処す
ることができる。例えば、水素の初期多量流入の終了時
に水素化物の生成を開始する応答時間の短い水素貯蔵物
質と、効力を後で発揮することができる応答時間の長い
別の水素貯蔵物質とを設けることができる。反応過程の
後段においては水素の濃度は比較的低いが、応答時間の
長い水素貯蔵物質は、触媒温度を高めることによって触
媒作用と水素貯蔵物質の作用の両方の持続時間を長くす
ることができる。
【0028】応答時間の異なるいろいろな水素貯蔵物質
を選択する場合は、格子状キャップの少くとも底部に
は、反応前の水素貯蔵物質の粒子サイズより小さい粒子
サイズの水素化物の粒子を通過させて落下させることが
できるようなメッシュを設けることが望ましい。図6の
実施例に従ってフィルタを用いる場合、一定の温度上昇
の後もろくなり、砕けてキャップ3のメッシュサイズの
大きい底部を通して落下させることができる底部フィル
タを選択することができる。それによって、水素化物の
生成においてそれまでに生じた小さい粒子又は粉末を重
力によってキャップ3から落下させることができる。か
くして、後に触媒プレートの温度が上昇したとき、水素
化物とされた水素の脱水素が起るのを防止することがで
きる。
【0029】事故発生時にはまた、水素と共に多量のス
チームも放出される。例えばモリブデンやパラジウムの
ような、ニオブと共に合金成分の形にある水素貯蔵物質
として適する多くの金属は、後に発生する温度下でスチ
ームと反応して酸化物を生成するのにも適合する。応答
時間の短い水素貯蔵物質の場合は、スチームとのそのよ
うな反応(酸化物生成反応)は、重大な問題を提起しな
いが、応答時間が長く、それだけスチームに露出される
時間が長くなる水素貯蔵物質の場合には問題が生じる。
従って、ニオブとの合金を形成すべき金属のような物質
としては、約300°Cの温度下でスチームと僅かにし
か反応しないような金属を選択するのが有利である。例
えば、ジルコニウムやチタンは、この要件を満足するも
のであり、ニオブとの合金とされた場合は、比較的長い
応答時間の間に消滅される。
【0030】実際の装置に必要とされる触媒構成体の表
面積は、防護すべきスペースの容積に応じて決定され
る。触媒構成体と、勿論、水素貯蔵デバイスは、通常、
その作用が事故のときにのみ発揮されるように意図され
た安全装置である。従って、その装置は、永年にわたっ
ていつでも作動することができる準備状態に保持されて
いなければならない。一方では原子炉格納容器内のスペ
ースの点から、他方では触媒構成体を防護するために、
触媒構成体を、事故が発生したときにのみ放出すべき不
活性ガスを充填した気密容器内にいつでも作動すること
ができる準備状態に保持する方法は周知である。それに
よって、触媒構成体が、触媒ポイズンをたとえ僅かな濃
度ででも含有している雰囲気に長時間露出された場合に
受ける恐れのある触媒作用の阻害を防止する。さらに、
触媒構成体を幾つかの個別素子、例えばプレートに分割
すること、及びそれらのプレートを積重体として気密容
器内にいつでも作動することができる準備状態に収納す
ることも周知である。本発明の教示を適用する場合、気
密容器の内部容積を不必要に大きくする必要がないよう
にするために、積重体中の各隣接する2つの触媒プレー
トの間の間隔が触媒プレートの上に突出した水素貯蔵デ
バイスの高さより大きくならないように積重体として上
下に重ねた触媒プレート上の水素貯蔵デバイスを互い違
いに配置することが有利である。
【0031】図示の実施例においては、水素貯蔵物質と
触媒プレートとの直接接触が、水素化物の生成において
発生した熱の、触媒プレートへの良好な熱伝達を保証す
る。しかしながら、その代わりに、周囲雰囲気に露呈さ
れる触媒プレートの表面積がそれだけ小さくなる。水素
貯蔵物質が例えばペレット又はチップのような顆粒状で
ある場合は、水素貯蔵物質がガス透過性であるから触媒
プレートの表面の、水素貯蔵デバイスによって覆われた
部分も、触媒作用のために利用し得るものとして完全に
は失われない。それにもかかわらず、触媒プレートの表
面の、水素貯蔵デバイスによって覆われた部分の触媒作
用は、ガスの流入が阻害されることによって弱められ
る。
【0032】この事態は、図7に示される本発明の変形
実施例による水素貯蔵デバイス2'を用いることによっ
て解決することができる。図7の実施例では、水素貯蔵
デバイス2' は、先に説明した実施例のキャップ3にで
はなく、底壁3aを有するハウジング3' 内に収容され
ている。ハウジング3' の底壁3aは、触媒プレート1
に近接して配置され、スペーサ8によって触媒プレート
1の上方に一定の距離9離隔されて固定されている。さ
らに、ハウジング3' の周縁フランジの各リベット止め
又はねじ止めの領域にも別体のワッシャーの形でスペー
サを設ければ、周縁フランジの下に中間の間隙が形成さ
れるので、周囲ガス混合物が触媒プレート1の表面の、
ハウジング3' の下に位置する部分へ直接アクセスする
ことができる。以上の相違は別として、先の実施例に加
えた変形のすべてを図7の実施例にも適用することがで
きる。図7の実施例は、フィルタ7を備えたものとして
示されているが、必ずしもフィルタの使用を要件とする
ものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】触媒作用によって水素の酸化を維持するための
温度の経時変化を示すグラフであり、水素貯蔵デバイス
の作動領域をも示す。
【図2】触媒作用によって水素の酸化を維持するための
水素濃度の経時変化を示すグラフである。
【図3】金属水素化物の生成による水素貯蔵に関する仮
想グラフであり、3つの異なる温度をパラメータとし、
水素対金属比に対して水素圧力をプロットしたグラフで
ある。
【図4】本発明の一実施例による遊離水素除去装置の上
からみた概略端面図である。
【図5】図4の遊離水素除去装置の正面図である。
【図6】本発明の他の実施例による遊離水素除去装置の
一部断面による概略図であり、水素貯蔵体の1つと、そ
れに対応する触媒構成体の部分を示す。
【図7】本発明のさらに他の実施例による遊離水素除去
装置の一部分を拡大した概略断面図である。
【符号の説明】
1:触媒プレート 2:水素貯蔵デバイス 3:キャップ 4:周縁フランジ 5:スペース 6:水素貯蔵物質 7:フィルタ 2' :水素貯蔵デバイス 3' :ハウジング 3a:底壁 8:スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G21F 9/02 541 B01D 53/34 120A 561 53/36 A (72)発明者 アミヤ クマール チャクラボルティ ドイツ連邦共和国 ディー−50374 エ ルフトスタット タネンヴェグ 9 エ イ (56)参考文献 特開 昭59−116581(JP,A) 特開 昭62−113098(JP,A) 特開 昭63−72851(JP,A) 特開 平1−176045(JP,A) 特開 平2−83037(JP,A) 特開 平5−125931(JP,A) 特開 平5−164892(JP,A) 特開 平5−188196(JP,A) 特開 平6−182225(JP,A) 特開 平7−151888(JP,A) 米国特許5130079(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G21D 3/08 B01D 53/46 B01D 53/86 C01B 3/00 C01B 5/00 G21F 9/02

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 主として水素、酸素及びスチームを含有
    したガス混合物から遊離水素を除去するための装置であ
    って、 前記水素の酸化を触媒作用によって維持するための触媒
    物質を有する触媒構成体と、 該触媒構成体に対して熱伝導関係に結合された水素貯蔵
    デバイスと、 を具備し、 前記水素貯蔵デバイスは、前記触媒構成体の有効反応温
    度より低い温度においては、水素化物の生成によって水
    素を結合して熱を発生するようになされていることを特
    徴とする装置。
  2. 【請求項2】 前記水素貯蔵デバイスは、前記触媒構成
    体に機械的に結合されている請求項1に記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記触媒構成体は、前記触媒物質で被覆
    されたキャリアプレートを有し、前記水素貯蔵デバイス
    は、プレート、顆粒、チップ又はスポンジの形の1種類
    又はそれ以上の種類の水素貯蔵物質を収容した、網状材
    料で形成された容器を備えている請求項2に記載の装
    置。
  4. 【請求項4】 網状材料で形成された前記容器は、前記
    キャリアプレートに接触し、それによって前記容器及び
    キャリアプレートは前記1種類又はそれ以上の種類の水
    素貯蔵物質を囲っている請求項3に記載の装置。
  5. 【請求項5】 網状材料で形成された前記容器は、前記
    1種類又はそれ以上の種類の水素貯蔵物質を囲っている
    請求項3に記載の装置。
  6. 【請求項6】 前記水素貯蔵デバイスは、1種類又はそ
    れ以上の種類の水素貯蔵物質を有しており、前記触媒構
    成体は、前記触媒物質と前記1種類又はそれ以上の種類
    の水素貯蔵物質との混合物を収容した、網状材料で形成
    された容器を備えており、前記触媒物質は、顆粒、チッ
    プ又は粉末の形であり、前記1種類又はそれ以上の種類
    の水素貯蔵物質は、顆粒、チップ又は粉末の形である請
    求項1に記載の装置。
  7. 【請求項7】 前記水素貯蔵デバイスは、水素化物の生
    成に必要とされる温度に達した後水素化物の生成を開始
    するまでの時間である応答時間がそれぞれ異なる少くと
    も2種類の水素貯蔵物質を有しており、それらの水素貯
    蔵物質のうち応答時間が最も短い水素貯蔵物質は、水素
    化物の生成中比較的細かい粒子サイズに砕け、前記網状
    材料のうち、前記容器の底部を構成している部分は、前
    記比較的細かい粒子サイズより大きいメッシュサイズを
    有する請求項3又は6に記載の装置。
  8. 【請求項8】 前記水素貯蔵デバイスは、水素化物の生
    成に必要とされる温度に達した後水素化物の生成を開始
    するまでの時間である応答時間がそれぞれ異なる少くと
    も2種類の水素貯蔵物質を有する請求項1、2、3又は
    6のいずれかに記載の装置。
  9. 【請求項9】 前記水素貯蔵物質は、ニオブの合金であ
    る請求項8に記載の装置。
  10. 【請求項10】 前記水素貯蔵物質は、ニオブとジルコ
    ニウム又はチタンとの合金である請求項9に記載の装
    置。
  11. 【請求項11】 前記水素貯蔵物質は、ニオブの合金で
    ある請求項1〜6のいずれかに記載の装置。
  12. 【請求項12】 前記水素貯蔵物質は、ニオブとジルコ
    ニウム又はチタンとの合金である請求項11に記載の装
    置。
  13. 【請求項13】 主として水素、酸素及びスチームを含
    有したガス混合物から遊離水素を除去するための装置で
    あって、 前記水素の酸化を触媒作用によって維持するための顆
    粒、チップ又は粉末の形の触媒物質と、 該触媒物質の有効反応温度より低い温度においては、水
    素化物の生成によって水素を結合して熱を発生する顆
    粒、チップ又は粉末の形の水素貯蔵物質と、 前記触媒物質と前記水素貯蔵物質との混合物を収容し
    た、網状材料で形成された容器と、 とを具備することを特徴とする装置。
  14. 【請求項14】 主として水素、酸素及びスチームを含
    有したガス混合物から遊離水素を除去するための装置で
    あって、 水素を酸化する触媒物質で被覆されたプレートと、 該プレートに結合されており、水素貯蔵物質を収容した
    網状容器と、 を具備することを特徴とする装置。
  15. 【請求項15】 前記水素貯蔵物質は、プレート、顆
    粒、チップ又はスポンジの形である請求項14に記載の
    装置。
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