JP3470863B2 - 識別回路 - Google Patents
識別回路Info
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- JP3470863B2 JP3470863B2 JP20830897A JP20830897A JP3470863B2 JP 3470863 B2 JP3470863 B2 JP 3470863B2 JP 20830897 A JP20830897 A JP 20830897A JP 20830897 A JP20830897 A JP 20830897A JP 3470863 B2 JP3470863 B2 JP 3470863B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
おいて入力する光データを識別して電気信号に変換する
識別回路に関するものである。
おいて入力する光データを識別して電気信号に変換する
識別回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光データ信号を識別し電気信号に
変換するシステムとして、図１０に示したものが知られ
ている。このシステムは、光通信で用いられている。こ
のシステムでは、光信号をフォトダイオード２１により
受信し、電気信号に変換する。変換された電気信号は、
プリアンプ２２、ポストアンプ２３で増幅された後、識
別回路２４に入力される。
変換するシステムとして、図１０に示したものが知られ
ている。このシステムは、光通信で用いられている。こ
のシステムでは、光信号をフォトダイオード２１により
受信し、電気信号に変換する。変換された電気信号は、
プリアンプ２２、ポストアンプ２３で増幅された後、識
別回路２４に入力される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
光データ入力信号を識別し電気信号に変換するシステム
では、光／電気変換のためのインターフェース回路が必
要であった。また、プリアンプ２２、ポストアンプ２
３、及び識別回路２４はトランジスタにより構成される
ので、これらの回路の速度性能は、トランジスタの速度
性能に律速されていた。このため、光データ信号を識別
し電気信号に変換するシステムの速度性能も、トランジ
スタの速度性能に律速されていた。
光データ入力信号を識別し電気信号に変換するシステム
では、光／電気変換のためのインターフェース回路が必
要であった。また、プリアンプ２２、ポストアンプ２
３、及び識別回路２４はトランジスタにより構成される
ので、これらの回路の速度性能は、トランジスタの速度
性能に律速されていた。このため、光データ信号を識別
し電気信号に変換するシステムの速度性能も、トランジ
スタの速度性能に律速されていた。
【０００４】本発明は以上のような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、光データ信号を入力して高い
周波数帯での識別動作を可能にした識別回路を提供する
ことである。
ものであり、その目的は、光データ信号を入力して高い
周波数帯での識別動作を可能にした識別回路を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の発明は、一端が接地されたトンネルダイオード
の他端に負荷の一端とフォトダイオードのアノードを共
通接続し、前記負荷の他端と前記フォトダイオードのカ
ソードを電気クロック供給端子に共通接続し、前記フォ
トダイオードに光データ信号を入力し、電気出力信号を
前記トンネルダイオードの他端と前記負荷との共通接続
点から取り出すようにした。第２の発明は、第１の発明
において前記負荷が、別のトンネルダイオードであるよ
う構成した。第３の発明は、第１の発明において前記負
荷が、抵抗であるよう構成した。第４の発明は、第１の
発明において前記負荷が、ゲートとソース又はベースと
エミッタが短絡されたトランジスタであるよう構成し
た。
の第１の発明は、一端が接地されたトンネルダイオード
の他端に負荷の一端とフォトダイオードのアノードを共
通接続し、前記負荷の他端と前記フォトダイオードのカ
ソードを電気クロック供給端子に共通接続し、前記フォ
トダイオードに光データ信号を入力し、電気出力信号を
前記トンネルダイオードの他端と前記負荷との共通接続
点から取り出すようにした。第２の発明は、第１の発明
において前記負荷が、別のトンネルダイオードであるよ
う構成した。第３の発明は、第１の発明において前記負
荷が、抵抗であるよう構成した。第４の発明は、第１の
発明において前記負荷が、ゲートとソース又はベースと
エミッタが短絡されたトランジスタであるよう構成し
た。
【０００６】
［第１の実施の形態］図１は本発明の第１の実施の形態
を示す図である。図中、１は光データ入力受信部ＯＤか
らの光を受光するフォトダイオード、２はドライバとし
ての共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）、３は負荷とし
ての共鳴トンネルダイオード、４は電気クロック信号供
給端子、５は電気出力端子、６は接地である。図示のよ
うに、共鳴トンネルダイオード２，３はクロック供給端
子４と接地６との間に直列接続され、フォトダイオード
１は負荷としての共鳴トンネルダイオード３に並列接続
されている。出力電圧信号Ｖｏｕｔは、電気出力端子５
と接地６との間に得られる。
を示す図である。図中、１は光データ入力受信部ＯＤか
らの光を受光するフォトダイオード、２はドライバとし
ての共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）、３は負荷とし
ての共鳴トンネルダイオード、４は電気クロック信号供
給端子、５は電気出力端子、６は接地である。図示のよ
うに、共鳴トンネルダイオード２，３はクロック供給端
子４と接地６との間に直列接続され、フォトダイオード
１は負荷としての共鳴トンネルダイオード３に並列接続
されている。出力電圧信号Ｖｏｕｔは、電気出力端子５
と接地６との間に得られる。
【０００７】図２の（ａ）、（ｂ）はこの識別回路の動
作説明図である。図中、Ａは共鳴トンネルダイオード２
の負性抵抗部分を有する電圧−電流特性曲線、Ｂは共鳴
トンネルダイオード３の負性抵抗部分を有する電圧−電
流特性曲線とフォトダイオード１の特性をあわせた負荷
曲線であり、この共鳴トンネルダイオード３が負荷であ
るので、曲線Ｂは曲線Ａと対称形となっている。この負
荷曲線Ｂと電圧軸との交点は、クロック供給端子４に供
給されるクロック電圧Ｖｃｋに等しい。
作説明図である。図中、Ａは共鳴トンネルダイオード２
の負性抵抗部分を有する電圧−電流特性曲線、Ｂは共鳴
トンネルダイオード３の負性抵抗部分を有する電圧−電
流特性曲線とフォトダイオード１の特性をあわせた負荷
曲線であり、この共鳴トンネルダイオード３が負荷であ
るので、曲線Ｂは曲線Ａと対称形となっている。この負
荷曲線Ｂと電圧軸との交点は、クロック供給端子４に供
給されるクロック電圧Ｖｃｋに等しい。
【０００８】このクロック供給端子４のクロック電圧Ｖ
ｃｋがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに遷移するに伴
い、負荷曲線Ｂは図２（ａ）、（ｂ）の左から右に、つ
まり高電圧側に移動する。逆に、クロック電圧Ｖｃｋが
ＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに遷移する場合は右か
ら左に移動する。
ｃｋがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに遷移するに伴
い、負荷曲線Ｂは図２（ａ）、（ｂ）の左から右に、つ
まり高電圧側に移動する。逆に、クロック電圧Ｖｃｋが
ＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに遷移する場合は右か
ら左に移動する。
【０００９】負荷曲線Ｂの移動の際に、フォトダイオー
ド１に光が照射されている（Ｄａｔａ＝Ｈｉｇｈ）場合
では、図２（ｂ）に示すように、負荷曲線Ｂの電流値が
大きくなった状態で移動し、それに伴い動作点Ｃ（２つ
の曲線Ａ，Ｂが交差する点であり、ここの電圧は、出力
端子５の接地に対する電圧Ｖｏｕｔである。）は高電圧
側に遷移する。逆に、光が照射されていない（Ｄａｔａ
＝Ｌｏｗ）場合では、負荷曲線Ｂの電流値は変わらずに
移動し、動作点Ｃは低電圧側に留まる。
ド１に光が照射されている（Ｄａｔａ＝Ｈｉｇｈ）場合
では、図２（ｂ）に示すように、負荷曲線Ｂの電流値が
大きくなった状態で移動し、それに伴い動作点Ｃ（２つ
の曲線Ａ，Ｂが交差する点であり、ここの電圧は、出力
端子５の接地に対する電圧Ｖｏｕｔである。）は高電圧
側に遷移する。逆に、光が照射されていない（Ｄａｔａ
＝Ｌｏｗ）場合では、負荷曲線Ｂの電流値は変わらずに
移動し、動作点Ｃは低電圧側に留まる。
【００１０】図３はこの識別回路の動作を示す信号波形
図である。クロック電圧Ｖｃｋの立ち上がり時の光の状
態を識別し、クロック電圧ＶｃｋがＨｉｇｈレベルの間
はその識別状態を保持する。クロック電圧ＶｃｋがＬｏ
ｗレベルになると、出力電圧は必ず低電圧側に遷移す
る。以上の結果、出力電圧Ｖｏｕｔの波形はＲＺ（Retu
rn To Zero）信号となる。共鳴トンネルダイオードを
用いた双安定回路（動作点が２個ある）では、その双安
定回路への供給電圧がクロック電圧に等しいので、この
クロック電圧がＬｏｗレベルになることは、双安定回路
への供給電圧がＬｏｗレベルになることを意味する。双
安定回路への供給電圧Ｌｏｗレベルであることは、図２
（ａ）、（ｂ）ではクロック電圧Ｖｃｋが小さい状態の
図に対応しており、動作点ＣとしてはＬｏｗレベルしか
取り得ない。よって、クロック電圧ＶｃｋがＬｏｗレベ
ルの間は、入力する光データに依存せず、出力電圧Ｖｏ
ｕｔはＬｏｗレベルとなる。
図である。クロック電圧Ｖｃｋの立ち上がり時の光の状
態を識別し、クロック電圧ＶｃｋがＨｉｇｈレベルの間
はその識別状態を保持する。クロック電圧ＶｃｋがＬｏ
ｗレベルになると、出力電圧は必ず低電圧側に遷移す
る。以上の結果、出力電圧Ｖｏｕｔの波形はＲＺ（Retu
rn To Zero）信号となる。共鳴トンネルダイオードを
用いた双安定回路（動作点が２個ある）では、その双安
定回路への供給電圧がクロック電圧に等しいので、この
クロック電圧がＬｏｗレベルになることは、双安定回路
への供給電圧がＬｏｗレベルになることを意味する。双
安定回路への供給電圧Ｌｏｗレベルであることは、図２
（ａ）、（ｂ）ではクロック電圧Ｖｃｋが小さい状態の
図に対応しており、動作点ＣとしてはＬｏｗレベルしか
取り得ない。よって、クロック電圧ＶｃｋがＬｏｗレベ
ルの間は、入力する光データに依存せず、出力電圧Ｖｏ
ｕｔはＬｏｗレベルとなる。
【００１１】図４は光入力データが１００Ｇｂｉｔ／
ｓ、出力が５０Ｇｂｉｔ／ｓのＤＥＭＵＸ動作のシミュ
レーションの波形を１００ｐｓごとに折り返し、重ね書
きしたものである。この図４では、いわゆる「アイパタ
ン」（ＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルが各々直線で存在
し、その間に遷移レベルがＸ型に挿入される波形）には
なっていないが、これは出力がＲＺ信号であるためであ
る。このＲＺ信号では、Ｈｉｇｈ又はＬｏｗのデータの
後、次のデータ信号に移る前に必ずＬｏｗレベルに戻る
ので、通常のようにＨｉｇｈレベルの連続がみられな
い。出力信号は確かにランダム入力データ（ＰＮ７段）
に対する出力を１００ｐｓごとに重ね書きしたものであ
る。ＤＥＭＵＸ動作が成されていることが確認できる。
ｓ、出力が５０Ｇｂｉｔ／ｓのＤＥＭＵＸ動作のシミュ
レーションの波形を１００ｐｓごとに折り返し、重ね書
きしたものである。この図４では、いわゆる「アイパタ
ン」（ＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルが各々直線で存在
し、その間に遷移レベルがＸ型に挿入される波形）には
なっていないが、これは出力がＲＺ信号であるためであ
る。このＲＺ信号では、Ｈｉｇｈ又はＬｏｗのデータの
後、次のデータ信号に移る前に必ずＬｏｗレベルに戻る
ので、通常のようにＨｉｇｈレベルの連続がみられな
い。出力信号は確かにランダム入力データ（ＰＮ７段）
に対する出力を１００ｐｓごとに重ね書きしたものであ
る。ＤＥＭＵＸ動作が成されていることが確認できる。
【００１２】ここでは、ＤＥＭＵＸ動作の例を挙げた
が、クロック周波数を光入力データビットレートと同一
の値にする（図３参照）ことにより、識別動作が可能で
ある。また、ＤＥＭＵＸ動作は、伝送されてくるデータ
列をｎ個ごとに区切ったとき、そのうちの１つを識別し
残りのｎ−１個は無視する動作を繰り返し行う。すなわ
ち、一定の間隔でデータをピックアップし識別してい
る。よって、ＤＥＭＵＸ動作の中に識別動作が含まれて
いるので、ＤＥＭＵＸ動作の確認で識別回路が動作する
ということができる。
が、クロック周波数を光入力データビットレートと同一
の値にする（図３参照）ことにより、識別動作が可能で
ある。また、ＤＥＭＵＸ動作は、伝送されてくるデータ
列をｎ個ごとに区切ったとき、そのうちの１つを識別し
残りのｎ−１個は無視する動作を繰り返し行う。すなわ
ち、一定の間隔でデータをピックアップし識別してい
る。よって、ＤＥＭＵＸ動作の中に識別動作が含まれて
いるので、ＤＥＭＵＸ動作の確認で識別回路が動作する
ということができる。
【００１３】以上のように、この実施の形態の識別回路
では、光信号を受信するフォトダイオード１に対して、
識別動作を行う共鳴トンネルダイオード２，３の双安定
回路を直結するので、光／電気変換のインターフェース
回路が不要となる。また、トランジスタと比較して速度
性能に優れた共鳴トンネルダイオード２を用いるので、
トランジスタを用いた従来の識別回路よりも高速な動作
が可能となる。
では、光信号を受信するフォトダイオード１に対して、
識別動作を行う共鳴トンネルダイオード２，３の双安定
回路を直結するので、光／電気変換のインターフェース
回路が不要となる。また、トランジスタと比較して速度
性能に優れた共鳴トンネルダイオード２を用いるので、
トランジスタを用いた従来の識別回路よりも高速な動作
が可能となる。
【００１４】［第２の実施の形態］図５は第２の実施の
形態の識別回路を示す図である。図１と同じものには同
じ符号を付した。図１の構成と異なるところは、負荷と
しての共鳴トンネルダイオード３が、抵抗７に置き換わ
っている点である。
形態の識別回路を示す図である。図１と同じものには同
じ符号を付した。図１の構成と異なるところは、負荷と
しての共鳴トンネルダイオード３が、抵抗７に置き換わ
っている点である。
【００１５】図６はこの識別回路の動作説明図である。
負荷が抵抗７に変わったことにより、そのその負荷抵抗
７とフォトダイオード１の特性をあわせた負荷曲線が直
線Ｄになっている。光が照射された場合、光電流が流れ
ることで、負荷曲線Ｄの電流値が増大する。よって、ク
ロックの立ち上がり時に光が照射されると動作点Ｃは図
６の（ｂ）に示すように高電圧側に移動する。逆に光り
が照射されないときは、負荷曲線Ｄは電流値を変えずに
移動するので、動作点Ｃは図６の（ａ）に示すように低
電圧側となる。
負荷が抵抗７に変わったことにより、そのその負荷抵抗
７とフォトダイオード１の特性をあわせた負荷曲線が直
線Ｄになっている。光が照射された場合、光電流が流れ
ることで、負荷曲線Ｄの電流値が増大する。よって、ク
ロックの立ち上がり時に光が照射されると動作点Ｃは図
６の（ｂ）に示すように高電圧側に移動する。逆に光り
が照射されないときは、負荷曲線Ｄは電流値を変えずに
移動するので、動作点Ｃは図６の（ａ）に示すように低
電圧側となる。
【００１６】図７はこの第２の実施の形態の識別回路に
おいて、光入力データが１００Ｇｂｉｔ／ｓ、出力が５
０Ｇｂｉｔ／ｓのＤＥＭＵＸ動作のシミュレーションの
出力波形を１００ｐｓごとに折り返し、重ね書きしたも
のである。ここでもＤＥＭＵＸ動作が成されていること
が確認できる。ここでは、ＤＥＭＵＸ動作の例を挙げた
が、クロック周波数を光入力データビットレートと同一
の値にすることにより、識別動作が可能である。
おいて、光入力データが１００Ｇｂｉｔ／ｓ、出力が５
０Ｇｂｉｔ／ｓのＤＥＭＵＸ動作のシミュレーションの
出力波形を１００ｐｓごとに折り返し、重ね書きしたも
のである。ここでもＤＥＭＵＸ動作が成されていること
が確認できる。ここでは、ＤＥＭＵＸ動作の例を挙げた
が、クロック周波数を光入力データビットレートと同一
の値にすることにより、識別動作が可能である。
【００１７】［第３の実施の形態］図８は第３の実施の
形態の識別回路を示す図である。図１と同じものには同
じ符号を付した。図１の構成と異なるところは、負荷と
しての共鳴トンネルダイオード３が、トランジスタ８に
置き換わっている点である。このトランジスタ８は、ゲ
ートとソース又はベースとエミッタを短絡させたトラン
ジスタである。
形態の識別回路を示す図である。図１と同じものには同
じ符号を付した。図１の構成と異なるところは、負荷と
しての共鳴トンネルダイオード３が、トランジスタ８に
置き換わっている点である。このトランジスタ８は、ゲ
ートとソース又はベースとエミッタを短絡させたトラン
ジスタである。
【００１８】図９はこの識別回路の動作説明図である。
負荷がトランジスタ８に変わったことにより、その負荷
曲線がＥになっている。光が照射された場合、光電流が
流れることで、負荷曲線Ｅの電流値が増大する。よっ
て、クロックの立ち上がり時に光が照射されると動作点
Ｃは図９の（ｂ）に示すように高電圧側に移動する。逆
に光りが照射されないときは、負荷曲線Ｅは電流値を変
えずに移動するので、動作点Ｂは図９の（ａ）に示すよ
うに低電圧側となる。
負荷がトランジスタ８に変わったことにより、その負荷
曲線がＥになっている。光が照射された場合、光電流が
流れることで、負荷曲線Ｅの電流値が増大する。よっ
て、クロックの立ち上がり時に光が照射されると動作点
Ｃは図９の（ｂ）に示すように高電圧側に移動する。逆
に光りが照射されないときは、負荷曲線Ｅは電流値を変
えずに移動するので、動作点Ｂは図９の（ａ）に示すよ
うに低電圧側となる。
【００１９】［その他の実施の形態］なお、以上では共
鳴トンネルダイオード２，３を使用したが、これは通常
のトンネルダイオードに代えることができることは勿論
である。
鳴トンネルダイオード２，３を使用したが、これは通常
のトンネルダイオードに代えることができることは勿論
である。
【００２０】
【発明の効果】以上から本発明によれば、トンネルダイ
オードを用いた双安定回路に電流変調用のフォトダイオ
ードを付加するので、高周波成分を有する光入力信号に
対して、光／電気信号変換と識別動作を同時に行うこと
ができる。
オードを用いた双安定回路に電流変調用のフォトダイオ
ードを付加するので、高周波成分を有する光入力信号に
対して、光／電気信号変換と識別動作を同時に行うこと
ができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態の識別回路の回路
図である。
図である。
【図２】 同識別回路の動作説明図である。
【図３】 同識別回路の動作波形図である。
【図４】 同識別回路の出力波形図である。
【図５】 第２の実施の形態の識別回路の回路図であ
る。
る。
【図６】 同識別回路の動作説明図である。
【図７】 同識別回路の動作波形図である。
【図８】 第３の実施の形態の識別回路の回路図であ
る。
る。
【図９】 同識別回路の動作説明図である。
【図１０】 光データ信号を識別し電気信号に変換する
従来のシステムのブロック図である。
従来のシステムのブロック図である。
１：フォトダイオード、２：ドライバとしての共鳴トン
ネルダイオード、３：負荷としての共鳴トンネルダイオ
ード、４：クロック供給端子、５：出力端子、６：接
地、７：負荷としての抵抗、８：負荷としてのトランジ
スタ。
ネルダイオード、３：負荷としての共鳴トンネルダイオ
ード、４：クロック供給端子、５：出力端子、６：接
地、７：負荷としての抵抗、８：負荷としてのトランジ
スタ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０４Ｂ 10/28
(56)参考文献 特開2000−332596（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−111540（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−273608（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−270843（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−177402（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−200118（ＪＰ，Ａ)
Ｋ．Ｓａｎｏ，Ｋ．Ｍｕｒａｔａ,
Ｔ．Ａｋｅｙｏｓｈｉ，Ｎ．ＳＨｉｍｉ
ｚｕ，Ｔ．Ｏｔｓｕｊｉ，Ｍ．Ｙａｍａ
ｍｏｔｏ，Ｔ．Ｉｓｈｉｂａｓｈｉ,
Ｅ．Ｓａｎｏ，Ｕｌｔｒａ−ｆａｓｔ
ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｃｉｒ
ｃｕｉｔ ｕｓｉｎｇ ｒｅｓｏｎａｎ
ｔ ｔｕｎｎｅｌｌｉｎｇ ｄｉｏｄｅ
ｓ ａｎｄ ｕｎｉｔｒａｖｅｌｌｉｎ
ｇ−ｃａｒｒｉｅｒ ｐｈｏｔｏｄｉ,
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲ
Ｓ，米国，ＩＥＥＥ，1998年 １月，Ｖ
ｏｌ．34，Ｎｏ．２，ｐｐ．215−217
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H04B 10/00 - 10/28
H04J 14/00 - 14/08
H01L 31/10
Claims (4)
- 【請求項１】一端が接地されたトンネルダイオードの他
端に負荷の一端とフォトダイオードのアノードを共通接
続し、前記負荷の他端と前記フォトダイオードのカソー
ドを電気クロック供給端子に共通接続し、 前記フォトダイオードに光データ信号を入力し、電気出
力信号を前記トンネルダイオードの他端と前記負荷との
共通接続点から取り出すようにしたことを特徴とする識
別回路。 - 【請求項２】前記負荷が、別のトンネルダイオードであ
ることを特徴とする請求項１に記載の識別回路。 - 【請求項３】前記負荷が、抵抗であることを特徴とする
請求項１に記載の識別回路。 - 【請求項４】前記負荷が、ゲートとソース又はベースと
エミッタが短絡されたトランジスタであることを特徴と
する請求項１に記載の識別回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20830897A JP3470863B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 識別回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20830897A JP3470863B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 識別回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1141182A JPH1141182A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3470863B2 true JP3470863B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=16554113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20830897A Expired - Fee Related JP3470863B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 識別回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3470863B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2419053A (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-12 | Yokogawa Electric Corp | Optical repeater with resonant tunnelling diode |
| JP2008312077A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Yokogawa Electric Corp | 光信号処理装置および光パケットアドレス認識システム |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP20830897A patent/JP3470863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｋ．Ｓａｎｏ，Ｋ．Ｍｕｒａｔａ，Ｔ．Ａｋｅｙｏｓｈｉ，Ｎ．ＳＨｉｍｉｚｕ，Ｔ．Ｏｔｓｕｊｉ，Ｍ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，Ｔ．Ｉｓｈｉｂａｓｈｉ，Ｅ．Ｓａｎｏ，Ｕｌｔｒａ−ｆａｓｔ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｃｉｒｃｕｉｔ ｕｓｉｎｇ ｒｅｓｏｎａｎｔ ｔｕｎｎｅｌｌｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ａｎｄ ｕｎｉｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ−ｃａｒｒｉｅｒ ｐｈｏｔｏｄｉ，ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，米国，ＩＥＥＥ，１９９８年 １月，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．２，ｐｐ．２１５−２１７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1141182A (ja) | 1999-02-12 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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