JP3466286B2 - Pattern inspection method and pattern inspection device - Google Patents
Pattern inspection method and pattern inspection deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はパターン検査方法及びこ
のパターン検査方法に直接使用するパターン検査装置に
関し、特に、画像処理を用いたものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern inspection method and a pattern inspection apparatus used directly in this pattern inspection method, and more particularly to one using image processing.
【0002】コンピュータの普及による産業の自動化に
伴い、組立、検査工程で、画像処理を用いたパターン検
査方法を使用して、プリント配線板等のパターン検査を
行う場合が増加している。With the automation of industry due to the widespread use of computers, there is an increasing number of cases in which a pattern inspection method using image processing is used to perform a pattern inspection of a printed wiring board or the like in the assembly and inspection steps.
【0003】このパターン検査方法において、人手に頼
る検査を無くして検査時間を短縮するために、より正確
な検査ができることを必要とされている。In this pattern inspection method, it is necessary to perform more accurate inspection in order to reduce the inspection time by eliminating the inspection relying on manpower.
【0004】[0004]
【従来の技術】図21は、従来のパターン検査装置の二
例の構成図を示す。2. Description of the Related Art FIG. 21 is a block diagram showing two examples of a conventional pattern inspection apparatus.
【0005】図21(A)のパターン検査装置は、ラジ
アル測長手段202とラジアルコード化手段203と欠
陥抽出手段204と欠陥情報出力手段205とで構成さ
れる。The pattern inspection apparatus shown in FIG. 21A comprises a radial length measuring means 202, a radial coding means 203, a defect extracting means 204 and a defect information outputting means 205.
【0006】ラジアル測長手段202は、検知光学系2
00で切り出された被検査物の検査パターン201の画
像データを画素の連続性に応じた8方向の測長値を測長
する。The radial length measuring means 202 is a detection optical system 2
The image data of the inspection pattern 201 of the object to be inspected cut out with 00 is measured in eight directions according to the continuity of pixels.
【0007】ラジアルコード化手段203は、8方向の
測長値からパターンの略中心を検出し、予め設定された
パラメータに従ってラジアルコード化する。The radial coding means 203 detects the approximate center of the pattern from the length measurement values in the eight directions and performs radial coding according to preset parameters.
【0008】欠陥抽出手段204は、検査パターン20
1の所定位置のウィンドウにおいて、ラジアルコード化
手段203で生成されるラジアルコードと、欠陥辞書内
の欠陥コードとを比較し、この比較の結果、ラジアルコ
ードが欠陥辞書内に存在するときは、このコードを欠陥
抽出コードとして抽出する。The defect extracting means 204 uses the inspection pattern 20.
In the window at the predetermined position of 1, the radial code generated by the radial encoding means 203 is compared with the defective code in the defect dictionary, and if the result of this comparison is that the radial code exists in the defect dictionary, this The code is extracted as a defect extraction code.
【0009】この結果、欠陥情報出力手段205から欠
陥情報が出力され、検査パターン201を欠陥パターン
であると判断される。As a result, defect information is output from the defect information output means 205, and the inspection pattern 201 is judged to be a defect pattern.
【0010】また、図21(B)のパターン検査装置
は、位置合わせ手段212と差分パターン抽出手段21
3と差分パターン測長手段214と欠陥抽出手段215
と欠陥情報出力手段216とで構成される。Further, the pattern inspection apparatus of FIG. 21B has a position aligning means 212 and a difference pattern extracting means 21.
3, differential pattern length measuring means 214, and defect extracting means 215
And defect information output means 216.
【0011】位置合わせ手段212は、被検査物の検査
パターン201とCADパターン211との位置合わせ
を行う。The alignment means 212 aligns the inspection pattern 201 of the inspection object with the CAD pattern 211.
【0012】差分パターン抽出手段213は、上記位置
合わせした検査パターン201とCADパターン211
との差分パターンを抽出する。The difference pattern extraction means 213 is configured to detect the aligned inspection pattern 201 and CAD pattern 211.
Extract the difference pattern with.
【0013】差分パターン測長手段214は、上記差分
パターンを測長する。The difference pattern length measuring means 214 measures the length of the difference pattern.
【0014】欠陥抽出手段215は、この測長された差
分パターンを所定のサイズに応じて欠陥抽出領域として
抽出する。The defect extracting means 215 extracts the measured difference pattern as a defect extraction area according to a predetermined size.
【0015】この結果、欠陥情報出力手段216欠陥情
報が出力され、検査パターン201を欠陥パターンであ
ると判断される。As a result, the defect information output means 216 outputs defect information, and the inspection pattern 201 is judged to be a defect pattern.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図21
(A)に示した従来のパターン検査装置では、第1に欠
陥と正常とが同一形状の場合は、両方を検出してしま
い、欠陥の検出が過剰となるという課題があった。However, as shown in FIG.
In the conventional pattern inspection apparatus shown in (A), firstly, when a defect and a normal shape have the same shape, both of them are detected, and the defect is excessively detected.
【0017】詳しくは、図22(A)に示すように、断
線300と正常終端301とを区別することができず、
両方を検出していた。また、短絡302と正常T分岐と
を区別することができず、両方を検出していた。More specifically, as shown in FIG. 22A, it is impossible to distinguish between the wire breakage 300 and the normal termination 301.
Both were detected. Further, the short circuit 302 and the normal T branch could not be distinguished, and both were detected.
【0018】第2にマクロな欠陥の検出が困難であると
いう課題があった。Second, there is a problem that it is difficult to detect macroscopic defects.
【0019】詳しくは、図22(B)に示すように、リ
ード付きランド305には、剥がれ部分306が発生し
ているが、ラジアルコードが304と同じになるため、
剥がれ部分306の領域が大きい場合は、検出できない
ものであった。More specifically, as shown in FIG. 22B, a peeled portion 306 is formed on the land with lead 305, but since the radial code is the same as 304,
When the peeled portion 306 had a large area, it could not be detected.
【0020】第3に測長限界を越えるパターンの検査が
できないという課題があった。Thirdly, there is a problem that it is impossible to inspect a pattern exceeding the length measurement limit.
【0021】詳しくは、図22(C)に示すように、リ
ード付きランド307のランド部分が測長限界を越える
場合は、中心検出ができず、欠陥検出ができないもので
あった。More specifically, as shown in FIG. 22C, when the land portion of the land with lead 307 exceeds the length measurement limit, the center cannot be detected and the defect cannot be detected.
【0022】一方、図21(B)に示すパターン検査装
置にあっては、第4にミクロな欠陥の検出が困難である
という課題があった。On the other hand, the pattern inspection apparatus shown in FIG. 21B has a fourth problem that it is difficult to detect micro defects.
【0023】詳しくは、図23(A)に示すように、検
査パターン310とCADパターン311との差分パタ
ーン312では、欠陥の判定サイズを2×2画素以上に
設定すると、ミクロな欠陥となる断線欠陥部分313を
も逃してしまう。More specifically, as shown in FIG. 23 (A), in the difference pattern 312 between the inspection pattern 310 and the CAD pattern 311, if the defect judgment size is set to 2 × 2 pixels or more, disconnection that causes a micro defect will occur. The defective portion 313 is also missed.
【0024】これを防止するために、判定サイズを1×
1画素に設定すると、欠陥とならない差分パターン31
2のパターンエッジ部分314をも欠陥として検出して
しまい欠陥の検出が過剰となってしまった。In order to prevent this, the judgment size is set to 1 ×
When set to 1 pixel, the difference pattern 31 that does not become a defect
The pattern edge portion 314 of No. 2 was also detected as a defect, and the defect was detected excessively.
【0025】第5に欠陥形状またはマッチング位置によ
る欠陥検出性能が変化してしまうという課題があった。Fifth, there is a problem that the defect detection performance changes depending on the defect shape or the matching position.
【0026】詳しくは、図23(B)に示すように、検
査規格(欠陥の判定サイズ)を、設計パターン幅Wの1
/3以上の欠けの場合が欠陥となるようにする。More specifically, as shown in FIG. 23B, the inspection standard (defect determination size) is set to 1 of the design pattern width W.
A defect of / 3 or more should be considered as a defect.
【0027】(a)の場合では、欠け320aの幅が3
W/8であり、W/3より長いので、欠陥として検出さ
れる。In the case of (a), the width of the chip 320a is 3
Since it is W / 8, which is longer than W / 3, it is detected as a defect.
【0028】(b)の場合では、欠け321a、321
bの幅がW/4であり、W/3より短いので、欠陥とし
て検出されない。In the case of (b), the chips 321a and 321 are missing.
Since the width of b is W / 4, which is shorter than W / 3, it is not detected as a defect.
【0029】(C)の場合では、欠け322aの幅がW
/8で欠陥として検出されないが、欠け322bの幅が
3W/8であり、W/3より長いので、欠陥として検出
される。In the case of (C), the width of the chip 322a is W
Although it is not detected as a defect at / 8, it is detected as a defect because the width of the chip 322b is 3W / 8, which is longer than W / 3.
【0030】このように、検査パターンの欠陥形状また
は検査パターンとCADパターンとのマッチング位置に
よる欠陥検出性能が変化してしまうものであった。As described above, the defect detection performance depends on the defect shape of the inspection pattern or the matching position between the inspection pattern and the CAD pattern.
【0031】そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなさ
れたもので、ミクロな欠陥についてもマクロな欠陥につ
いても検出し、欠陥の過剰検出を防止し、欠陥検出性能
の変化を防止することができるパターン検査方法および
パターン検査装置を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in view of the above points, and detects both micro defects and macro defects, prevents excessive detection of defects, and prevents changes in defect detection performance. It is an object of the present invention to provide a pattern inspection method and a pattern inspection apparatus capable of performing the above.
【0032】[0032]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、被検
査物の検査パターンに発生する欠陥を検出するパターン
検査方法において、予め設定された所定の基準サイズに
応じて、該基準サイズよりサイズの小さな欠陥を検出す
るミクロ欠陥検出工程と、上記基準サイズ以上のサイズ
の欠陥を検出するマクロ欠陥検出工程を含み、上記基準
サイズを、上記被検査物の基準パターン中に存在する最
も細いパターンの許容最小値とし、上記ミクロ欠陥検出
工程を、第1のミクロ欠陥1次処理工程と第1のミクロ
欠陥2次処理工程とで構成し、上記第1のミクロ欠陥1
次処理工程を、上記被検査物の検査パターンの画像デー
タを画素の連続性に基づいてコード化して検査コードを
生成し、予め登録された欠陥パターンの欠陥コードと上
記検査コードとを比較して、上記基準サイズよりサイズ
の小さな欠陥に対応する欠陥コードと一致する検査コー
ドを欠陥候補抽出コードとして抽出する構成とし、上記
第1のミクロ欠陥2次処理工程を、上記検査パターンに
対応する位置の上記基準パターンの画像データを画素の
連続性に基づいてコード化して基準コードを生成し、上
記位置を基準に所定の範囲内における全ての基準コード
と上記欠陥候補抽出コードとを比較して、該基準コード
と一致しない欠陥候補抽出コードを、許容できない真欠
陥に対応する真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出す
る構成としたことを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a pattern inspection method for detecting a defect occurring in an inspection pattern of an object to be inspected, wherein the reference size is set in accordance with a predetermined reference size set in advance. Includes a micro defect detection process for detecting defects of small size, and a macro defect detection process for detecting defects of size above the reference size
The size is the maximum that exists in the reference pattern of the above-mentioned inspection object.
The minimum allowable value for thin patterns is also used to detect the above micro defects.
The process includes a first micro defect primary treatment process and a first micro defect treatment process.
The second micro-defect 1 including the defect secondary treatment step.
The next processing step is the image data of the inspection pattern of the inspection object.
Data based on the pixel continuity and the inspection code
The defect code of the generated and registered defect pattern and
Compared with the inspection code, size more than the above standard size
Inspection code that matches the defect code corresponding to a small defect in
In this configuration, the code is extracted as a defect candidate extraction code.
The first microdefect secondary processing step is applied to the above inspection pattern.
The image data of the reference pattern at the corresponding position
Generate a reference code by encoding based on continuity, and
All reference codes within the specified range based on the position
And the defect candidate extraction code are compared with each other to obtain the reference code.
The defect candidate extraction code that does not match the
Detect defects by extracting them as true defect codes corresponding to pits
It is characterized by having a configuration .
【0033】[0033]
【0034】[0034]
【0035】[0035]
【0036】[0036]
【0037】また、請求項2の発明は、上記ミクロ欠陥
検出工程を、第2のミクロ欠陥1次処理工程と第2のミ
クロ欠陥2次処理工程とで構成し、上記第2のミクロ欠
陥1次処理工程を、上記被検査物の検査パターンの画像
データを画素の連続性に基づいてコード化して検査コー
ドを生成し、各種コードに対応したパターン形状の種類
を示すカテゴリコードを上記検査コードに基づいて検索
して検査カテゴリコードを得、予め登録された欠陥パタ
ーンのカテゴリコードと上記検査カテゴリコードを比較
して、上記基準サイズよりサイズの小さな欠陥に対応す
るカテゴリコードと一致する検査カテゴリコードを欠陥
候補抽出コードとして抽出する構成とし、上記第2のミ
クロ欠陥2次処理工程を、上記検査パターンに対応する
位置の上記基準パターンの画像データを画素の連続性に
基づいてコード化して基準コードを生成し、各種コード
に対応したパターン形状の種類を示すカテゴリコードを
上記基準コードに基づいて検索して基準カテゴリコード
を得、上記位置を基準に所定の範囲内における全ての上
記基準カテゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコー
ドとを比較して、該基準カテゴリコードと一致しない欠
陥候補抽出カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対
応する真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出する構成
としたことを特徴とするパターン検査方法である。Further, in the invention of claim 2 , the microdefect detecting step is constituted by a second microdefect primary processing step and a second microdefect secondary processing step. In the next processing step, the image data of the inspection pattern of the inspection object is coded based on the continuity of pixels to generate an inspection code, and a category code indicating the type of pattern shape corresponding to various codes is set to the inspection code. The inspection category code is obtained by searching based on the above, and the category code of the defect pattern registered in advance is compared with the above inspection category code, and the inspection category code that matches the category code corresponding to the defect having a size smaller than the above reference size is obtained. The second micro-defect secondary processing step is performed by extracting as a defect candidate extraction code, and the reference pattern at the position corresponding to the inspection pattern is used. Image data is encoded based on pixel continuity to generate a reference code, and the category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code is searched based on the above reference code to obtain the reference category code. Comparing all of the reference category codes within the predetermined range with the position as a reference and the defect candidate extraction category codes, a defect candidate extraction category code that does not match the reference category code corresponds to an unacceptable true defect. The pattern inspection method is characterized in that the true defect code is extracted and the defect is detected.
【0038】また、請求項3の発明は、上記第2のミク
ロ欠陥2次処理工程を、上記検査パターンに対応する位
置の上記基準パターンの画像データを画素の連続性に基
づいてコード化して基準コードを生成し、各種コードに
対応したパターン形状の種類を示すカテゴリコードを上
記基準コードに基づいて検索して基準カテゴリコードを
得、上記位置および上記パターンの形状の種類に応じ
て、限定した範囲内における全てのあるいは一部の上記
基準カテゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコード
とを比較して、該基準カテゴリコードと一致しない欠陥
候補抽出カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対応
する真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出する構成に
代えた ことを特徴とするパターン検査方法である。According to a third aspect of the present invention, the second micro-defect secondary processing step is performed by encoding image data of the reference pattern at a position corresponding to the inspection pattern based on pixel continuity. Generate a code, search for a category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code based on the reference code to obtain a reference category code, and set a limited range according to the position and the type of the shape of the pattern. All or some of the reference category codes in the above and the defect candidate extraction category code are compared, and the defect candidate extraction category code that does not match the reference category code is set as the true defect code corresponding to the unacceptable true defect. The pattern inspection method is characterized in that it is replaced with a configuration for extracting and detecting defects.
【0039】また、請求項4の発明は、上記第2のミク
ロ欠陥2次処理工程を、上記欠陥候補抽出カテゴリコー
ドと対象となるカテゴリとの関係を分類し、この分類に
対応したパターン形状の種類を示す各種上位カテゴリコ
ードを格納し、上記欠陥候補抽出カテゴリコードと、該
欠陥候補抽出カテゴリコードを中心とする所定領域内に
おけるカテゴリ分布中の対象となる特定のカテゴリとの
関係に基づいて、この関係に対応する上位カテゴリコー
ドを選択して出力し、上記上位カテゴリコードに基づい
て、許容できない真欠陥に対応する真欠陥コードを判定
して欠陥を検出する構成に代えたことを特徴とするパタ
ーン検査方法である。According to the fourth aspect of the present invention, in the second micro defect secondary processing step, the relationship between the defect candidate extraction category code and the target category is classified, and the pattern shape corresponding to the classification is classified. Stores various upper category codes indicating types, based on the relationship between the defect candidate extraction category code and a specific category that is a target in the category distribution in a predetermined area centered on the defect candidate extraction category code, It is characterized in that the upper category code corresponding to this relationship is selected and output, and based on the upper category code, the true defect code corresponding to the unacceptable true defect is determined and the defect is detected. This is a pattern inspection method.
【0040】また、請求項5の発明は、上記第2のミク
ロ欠陥2次処理工程を、上記欠陥候補抽出カテゴリコー
ドを中心として、この中心から放射状に分布するカテゴ
リを複数検出し、上記検出された複数のカテゴリを相互
に関係づけて階層型ネットワーク構造のデータとして処
理することにより、上位カテゴリを出力し、上記上位カ
テゴリコードに基づいて、許容できない真欠陥に対応す
る真欠陥コードを判定して欠陥を検出する構成に代えた
ことを特徴とするパターン検査方法である。Further, in the invention of claim 5 , the second micro-defect secondary processing step detects a plurality of categories radially distributed from the center of the defect candidate extraction category code, and detects the category. By correlating a plurality of categories with each other and processing them as data of a hierarchical network structure, an upper category is output, and a true defect code corresponding to an unacceptable true defect is determined based on the upper category code. The pattern inspection method is characterized in that it is replaced with a configuration for detecting defects.
【0041】また、請求項6の発明は、上記マクロ欠陥
検出工程を、上記被検査物の検査パターンと基準パター
ンとの位置合わせを行い、上記位置合わせした上記被検
査物の検査パターンと上記基準パターンとの差分パター
ンを抽出し、上記差分パターンを測長し、この測長され
た測長値を上記基準サイズと比較して、該基準サイズ以
上の領域を欠陥抽出領域として抽出して欠陥を検出する
構成としたことを特徴とするパターン検査方法である。According to a sixth aspect of the invention, in the macro defect detecting step, the inspection pattern of the inspection object and the reference pattern are aligned, and the inspection pattern of the inspection object and the reference pattern are aligned. A difference pattern with a pattern is extracted, the difference pattern is measured, the measured length value is compared with the reference size, and an area of the reference size or more is extracted as a defect extraction area to detect a defect. It is a pattern inspection method characterized by being configured to detect.
【0042】[0042]
【0043】また、請求項7の発明は、上記マクロ欠陥
検出工程を、マクロ欠陥1次処理工程とマクロ欠陥2次
処理工程で構成し、上記マクロ欠陥1次処理工程を、上
記被検査物の検査パターンと基準パターンとの位置合わ
せを行い、上記位置合わせした上記被検査物の検査パタ
ーンと上記基準パターンとの差分パターンを抽出し、上
記差分パターンを測長し、この測長された測長値を上記
基準サイズと比較して、該基準サイズ以上の領域を欠陥
候補抽出領域として抽出する構成とし、上記マクロ欠陥
2次処理工程を、上記基準パターンに基づき、欠陥を許
容できない致命領域のパターンを作成し、上記欠陥候補
抽出領域と対応する位置の致命領域のパターンを参照
し、該欠陥候補抽出領域と対応する位置が上記致命領域
に存在する場合を真欠陥領域として抽出して欠陥を検出
する構成としたことを特徴とするパターン検査方法であ
る。Further, the invention of claim 7 relates to the above macro defect.
The detection process includes a macro defect primary treatment process and a macro defect secondary process.
The above-mentioned macro defect primary treatment process
Alignment of the inspection pattern with the reference pattern
The inspection pattern of the above-mentioned inspected object
Pattern and the difference pattern between the above reference pattern and
The difference pattern is measured and the measured value is
Comparing with the reference size, defective areas larger than the reference size
The macro defect secondary processing step is configured to extract a candidate extraction region, and a pattern of a critical region in which a defect cannot be accepted is created based on the reference pattern, and a pattern of a critical region at a position corresponding to the defect candidate extraction region is created. The pattern inspection method is characterized in that the defect is detected by extracting a case where a position corresponding to the defect candidate extraction area exists in the critical area as a true defect area with reference to.
【0044】また、請求項8の発明は、上記致命領域
を、上記基準パターンの各パターンの周縁から外方向お
よび内方向のそれぞれに、一定の幅で設けることを特徴
とするパターン検査方法である。Further, the invention of claim 8 is a pattern inspection method, wherein the fatal area is provided with a constant width in each of an outer direction and an inner direction from a peripheral edge of each pattern of the reference pattern. .
【0045】また、請求項9の発明は、上記致命領域の
一定の幅を、上記外方向と上記内方向とでそれぞれ異な
る値としたことを特徴とするパターン検査方法である。The ninth aspect of the present invention is the pattern inspection method, wherein the constant width of the critical area is set to different values in the outer direction and the inner direction.
【0046】また、請求項10の発明は、上記致命領域
の一定の幅を、上記パターン形状の種類に応じて、予
め、変化させて設定することを特徴とするパターン検査
方法である。Further, the invention of claim 10 is a pattern inspection method, characterized in that the constant width of the critical area is changed and set in advance according to the type of the pattern shape.
【0047】また、請求項11の発明は、上記致命領域
を、上記基準パターンのパターン間隔を測長し、このパ
ターン間隔が、予め、定められた値よりも小さい領域を
第1の領域として抽出し、上記基準パターンのパターン
幅を測長し、このパターン幅が、予め、定められた値よ
りも小さい領域を第2の領域として抽出し、Further, the invention of claim 11 measures the pattern interval of the reference pattern of the fatal area, and extracts an area in which the pattern interval is smaller than a predetermined value as a first area. Then, the pattern width of the reference pattern is measured, and an area in which the pattern width is smaller than a predetermined value is extracted as the second area.
【0048】[0048]
【0049】[0049]
【0050】[0050]
【0051】[0051]
【0052】また、請求項12の発明は、被検査物の検
査パターンに発生する欠陥を検出するパターン検査装置
において、予め設定された所定の基準サイズに応じて、
該基準サイズよりサイズの小さな欠陥を検出するミクロ
欠陥検出手段と、上記基準サイズ以上のサイズの欠陥を
検出するマクロ欠陥検出手段を備え、上記基準サイズ
を、上記被検査物の基準パターン中に存在する最も細い
パターンの許容最小値とし、上記ミクロ欠陥検出手段
を、第1のミクロ欠陥1次処理手段と第1のミクロ欠陥
2次処理手段とで構成し、上記第1のミクロ欠陥1次処
理手段を、上記被検査物の検査パターンの画像データを
画素の連続性に基づいてコード化して検査コードを生成
する検査コード生成手段と、予め登録された欠陥パター
ンの欠陥コードと上記検査コードとを比較して、上記基
準サイズよりサイズの小さな欠陥に対応する欠陥コード
と一致する検査コードを欠陥候補抽出コードとして抽出
するミクロ欠陥候補抽出手段とよりなる構成とし、上記
第1のミクロ欠陥2次処理手段を、上記検査パターンに
対応する位置の上記基準パターンの画像データを画素の
連続性に基づいてコード化して基準コードを生成する基
準コード生成手段と、上記位置を基準に所定の範囲内に
おける全ての基準コードと上記欠陥候補抽出コードとを
比較して、該基準コードと一致しない欠陥候補抽出コー
ドを、許容できない真欠陥に対応する真欠陥コードとし
て抽出して欠陥を検出するミクロ欠陥抽出手段と、より
なる構成としたことを特徴とするパターン検査装置であ
る。The twelfth aspect of the invention is to detect an object to be inspected.
Pattern inspection system for detecting defects in inspection patterns
In, in accordance with a predetermined reference size set in advance,
A micro that detects defects smaller than the reference size
Defect detection means and defects larger than the above standard size
Equipped with macro defect detection means to detect
Is the thinnest existing in the reference pattern of the object to be inspected.
The minimum allowable value of the pattern is set, and the microdefect detecting means is used.
The first microdefect primary treatment means and the first microdefect
The first micro-defect primary treatment is constituted by a second treatment means.
Image data of the inspection pattern of the inspection object
Generate inspection code by encoding based on pixel continuity
Inspection code generating means and a defect pattern registered in advance
The defect code of the
Defect code for defects smaller than sub-size
Extract inspection code that matches with as defect candidate extraction code
More becomes configured and micro defect candidate extracting means, said first micro defects secondary processing means, encoding based on the continuity of the pixel image data of the reference pattern in the position corresponding to the test pattern reference to A reference code generating means for generating a code is compared with all the reference codes within a predetermined range based on the position and the defect candidate extraction code, and a defect candidate extraction code that does not match the reference code cannot be accepted. A pattern inspection apparatus characterized by comprising a microdefect extraction means for extracting a defect by detecting it as a true defect code corresponding to a true defect, and a microdefect extraction means.
【0053】また、請求項13の発明は、上記ミクロ欠
陥検出手段を、第2のミクロ欠陥1次処理手段と第2の
ミクロ欠陥2次処理手段とで構成し、上記第2のミクロ
欠陥1次処理手段を、上記被検査物の検査パターンの画
像データを画素の連続性に基づいてコード化して検査コ
ードを生成する検査コード生成手段と、各種コードに対
応したパターン形状の種類を示すカテゴリコードを上記
検査コードに基づいて検索して検査カテゴリコードを得
る検査カテゴリコード取得手段と、予め登録された欠陥
パターンのカテゴリコードと上記検査カテゴリコードを
比較して、上記基準サイズよりサイズの小さな欠陥に対
応するカテゴリコードと一致する検査カテゴリコードを
欠陥候補抽出コードとして抽出するミクロ欠陥候補抽出
手段と、よりなる構成とし、上記第2のミクロ欠陥2次
処理手段を、上記検査パターンに対応する位置の上記基
準パターンの画像データを画素の連続性に基づいてコー
ド化して基準コードを生成する基準コード生成手段と、
各種コードに対応したパターン形状の種類を示すカテゴ
リコードを上記基準コードに基づいて検索して基準カテ
ゴリコードを得る基準カテゴリコード取得手段と、上記
位置を基準に所定の範囲内における全ての上記基準カテ
ゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコードとを比較
して、該基準カテゴリコードと一致しない欠陥候補抽出
カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対応する真欠
陥コードとして抽出して欠陥を検出するミクロ欠陥抽出
手段と、よりなる構成としたことを特徴とするパターン
検査装置である。In the thirteenth aspect of the present invention, the microdefect detecting means comprises a second microdefect primary processing means and a second microdefect secondary processing means, and the second microdefect 1 Next processing means, inspection code generation means for generating inspection code by encoding image data of the inspection pattern of the inspection object based on the continuity of pixels, and category code indicating the type of pattern shape corresponding to various codes. By comparing the inspection category code with the inspection category code acquisition unit that obtains the inspection category code by searching the inspection category code and the category code of the defect pattern registered in advance, and detects a defect having a size smaller than the reference size. And a micro-defect candidate extraction means for extracting an inspection category code that matches the corresponding category code as a defect candidate extraction code. The second micro-defect secondary processing means, and a reference code generation means for generating a reference code by encoding image data of the reference pattern at a position corresponding to the inspection pattern based on pixel continuity. ,
Reference category code acquisition means for obtaining a reference category code by searching a category code indicating a type of pattern shape corresponding to each code based on the reference code, and all the reference categories within a predetermined range based on the position A micro defect extracting means for comparing a code with the defect candidate extraction category code and extracting a defect candidate extraction category code that does not match the reference category code as a true defect code corresponding to an unacceptable true defect to detect a defect. And a pattern inspection apparatus having the following configuration.
【0054】また、請求項14の発明は、上記第2のミ
クロ欠陥2次処理手段を、上記検査パターンに対応する
位置の上記基準パターンの画像データを画素の連続性に
基づいてコード化して基準コードを生成する基準コード
生成手段と、各種コードに対応したパターン形状の種類
を示すカテゴリコードを上記基準コードに基づいて検索
して基準カテゴリコードを得る基準カテゴリコード取得
手段と、上記位置および上記パターンの形状の種類に応
じて、限定した範囲内における全てのあるいは一部の上
記基準カテゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコー
ドとを比較して、該基準カテゴリコードと一致しない欠
陥候補抽出カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対
応する真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出するミク
ロ欠陥抽出手段と、よりなる構成に代えたことを特徴と
するパターン検査装置である。According to a fourteenth aspect of the present invention, the second micro-defect secondary processing means encodes the image data of the reference pattern at a position corresponding to the inspection pattern on the basis of the continuity of the pixels to form a reference. Reference code generation means for generating a code, reference category code acquisition means for obtaining a reference category code by searching a category code indicating a type of pattern shape corresponding to each code based on the reference code, the position and the pattern Depending on the type of shape, all or some of the reference category codes in the limited range and the defect candidate extraction category code are compared, and the defect candidate extraction category code that does not match the reference category code, Micro defect extraction means for detecting defects by extracting as true defect codes corresponding to unacceptable true defects Is a pattern inspection apparatus being characterized in that instead of the more becomes configurations.
【0055】また、請求項15の発明は、上記第2のミ
クロ欠陥2次処理手段を、上記欠陥候補抽出カテゴリコ
ードと対象となるカテゴリとの関係を分類し、この分類
に対応したパターン形状の種類を示す各種上位カテゴリ
コードを格納し、上記欠陥候補抽出カテゴリコードと、
該欠陥候補抽出カテゴリコードを中心とする所定領域内
におけるカテゴリ分布中の対象となる特定のカテゴリと
の関係に基づいて、この関係に対応する上位カテゴリコ
ードを選択して出力する上位カテゴリ変換手段と、上記
上位カテゴリコードに基づいて、許容できない真欠陥に
対応する真欠陥コードを判定して欠陥を検出するミクロ
欠陥抽出手段と、よりなる構成に代えたことを特徴とす
るパターン検査装置である。According to a fifteenth aspect of the invention, the second micro-defect secondary processing means classifies the relationship between the defect candidate extraction category code and the target category, and the pattern shape corresponding to this classification is obtained. Stores various upper category codes indicating types, and the above defect candidate extraction category code,
A higher category conversion means for selecting and outputting a higher category code corresponding to this relationship based on the relationship with a particular category of interest in a category distribution within a predetermined area centered on the defect candidate extraction category code; The pattern inspection apparatus is characterized in that it is replaced with a microdefect extracting means that determines a true defect code corresponding to an unacceptable true defect based on the upper category code and detects the defect.
【0056】また、請求項16の発明は、上記第2のミ
クロ欠陥2次処理手段を、上記欠陥候補抽出カテゴリコ
ードを中心として、この中心から放射状に分布するカテ
ゴリを複数検出する放射状カテゴリ検出手段と、上記検
出された複数のカテゴリを相互に関係づけて階層型ネッ
トワーク構造のデータとして処理することにより、上位
カテゴリを出力するニューラルネットワークと、上記上
位カテゴリコードに基づいて、許容できない真欠陥に対
応する真欠陥コードを判定して欠陥を検出するミクロ欠
陥抽出手段と、よりなる構成に代えたことを特徴とする
パターン検査装置である。According to a sixteenth aspect of the present invention, the second micro-defect secondary processing means has a radial category detecting means for detecting a plurality of categories radially distributed from the center of the defect candidate extraction category code. And, the detected plurality of categories are correlated with each other and processed as data of a hierarchical network structure, and a neural network that outputs a higher category and, based on the higher category code, correspond to unacceptable true defects. The pattern inspection apparatus is characterized in that the structure is replaced with a microdefect extraction means for determining a true defect code to detect a defect.
【0057】また、請求項17の発明は、上記マクロ欠
陥検出手段を、上記被検査物の検査パターンと基準パタ
ーンとの位置合わせを行う位置合わせ手段と、上記位置
合わせした上記被検査物の検査パターンと上記基準パタ
ーンとの差分パターンを抽出する差分パターン抽出手段
と、上記差分パターンを測長する差分パターン測長手段
と、この測長された測長値を上記基準サイズと比較し
て、該基準サイズ以上の領域を欠陥抽出領域として抽出
して欠陥を検出するマクロ欠陥抽出手段と、よりなる構
成としたことを特徴とするパターン検査装置である。According to a seventeenth aspect of the present invention, the macro defect detecting means includes an aligning means for aligning the inspection pattern of the inspection object with a reference pattern, and an inspection of the aligned inspection object. A difference pattern extracting means for extracting a difference pattern between the pattern and the reference pattern, a difference pattern length measuring means for measuring the difference pattern, and comparing the measured length value with the reference size, A pattern inspection apparatus comprising: a macro defect extraction unit that detects a defect by extracting a region having a size equal to or larger than a reference size as a defect extraction region.
【0058】[0058]
【0059】また、請求項18の発明は、上記マクロ欠
陥2次処理手段を、上記基準パターンに基づき、欠陥を
許容できない致命領域のパターンを作成する致命領域パ
ターン作成手段と、上記欠陥候補抽出領域と対応する位
置の致命領域のパターンを参照し、該欠陥候補抽出領域
と対応する位置が上記致命領域に存在する場合を真欠陥
領域として抽出して欠陥を検出するマクロ欠陥抽出手段
と、よりなる構成としたことを特徴とするパターン検査
装置である。According to the eighteenth aspect of the present invention, the macro defect secondary processing means includes a fatal area pattern creating means for creating a pattern of a fatal area in which a defect cannot be accepted based on the reference pattern, and the defect candidate extraction area. Macro defect extraction means for detecting a defect by extracting a case where a position corresponding to the defect candidate extraction region exists in the fatal region as a true defect region by referring to the pattern of the fatal region corresponding to This is a pattern inspection apparatus having a configuration.
【0060】また、請求項19の発明は、上記致命領域
を、上記基準パターンの各パターンの周縁から外方向お
よび内方向のそれぞれに、一定の幅で設けることを特徴
とするパターン検査装置である。A nineteenth aspect of the present invention is the pattern inspection apparatus, wherein the fatal area is provided with a constant width in each of the outer and inner directions from the peripheral edge of each pattern of the reference pattern. .
【0061】また、請求項20の発明は、上記致命領域
の一定の幅を、上記外方向と上記内方向とでそれぞれ異
なる値としたことを特徴とするパターン検査装置であ
る。According to a twentieth aspect of the invention, there is provided a pattern inspection apparatus characterized in that the constant width of the critical area is set to different values in the outer direction and the inner direction.
【0062】また、請求項21の発明は、上記致命領域
の一定の幅を、上記パターン形状の種類に応じて、予
め、変化させて設定することを特徴とするパターン検査
装置である。According to a twenty-first aspect of the present invention, there is provided a pattern inspection apparatus characterized in that the constant width of the critical area is changed and set in advance according to the type of the pattern shape.
【0063】また、請求項22の発明は、上記致命領域
を、上記基準パターンのパターン間隔を測長し、このパ
ターン間隔が、予め、定められた値よりも小さい領域を
第1の領域として抽出し、上記基準パターンのパターン
幅を測長し、このパターン幅が、予め、定められた値よ
りも小さい領域を第2の領域として抽出し、上記第1の
領域および上記第2の領域のうちの少なくともいずれか
一方を算出して設けることを特徴とするパターン検査装
置である。In the invention of claim 22 , the fatal area is measured by measuring the pattern interval of the reference pattern, and the area in which the pattern interval is smaller than a predetermined value is extracted as the first area. Then, the pattern width of the reference pattern is measured, and an area in which the pattern width is smaller than a predetermined value is extracted as a second area, and the area is extracted from the first area and the second area. The pattern inspection apparatus is characterized in that at least one of the above is calculated and provided.
【0064】[0064]
【作用】請求項1の発明に係るパターン検査方法は、ミ
クロ欠陥検出工程とマクロ欠陥検出工程とを含む構成と
したので、ミクロ欠陥検出工程では、予め設定された所
定の基準サイズに応じて、該基準サイズよりサイズの小
さな欠陥を検出し、マクロ欠陥検出工程では、上記基準
サイズ以上のサイズの欠陥を検出するように作用し、上
記基準サイズを、上記被検査物の基準パターン中に存在
する最も細いパターンの許容最小値としたので、上記許
容最小値よりサイズの小さな欠陥を検出し、上記許容最
小値以上のサイズの欠陥を検出するように作用し、上記
被検査物の検査パターンの画像データを画素の連続性に
基づいてコード化して検査コードを生成し、予め登録さ
れた欠陥パターンの欠陥コードと上記検査コードとを比
較して、上記基準サイズよりサイズの小さな欠陥に対応
する欠陥コードと一致する検査コードを欠陥抽出コード
として抽出して欠陥を検出するように作用し、ミクロ欠
陥検出工程を、第1のミクロ欠陥1次処理工程と第1の
ミクロ欠陥2次処理工程とで構成したので、第1のミク
ロ欠陥1次処理工程では、上記被検査物の検査パターン
の画像データを画素の連続性に基づいてコード化して検
査コードを生成し、予め登録された欠陥パターンの欠陥
コードと上記検査コードとを比較して、上記基準サイズ
よりサイズの小さな欠陥に対応する欠陥コードと一致す
る検査コードを欠陥候補抽出コードとして抽出するよう
に作用し、第1のミクロ欠陥2次処理工程では、上記検
査パターンに対応する位置の上記基準パターンの画像デ
ータを画素の連続性に基づいてコード化して基準コード
を生成し、上記位置を基準に所定の範囲内における全て
の基準コードと上記欠陥候補抽出コードとを比較して、
該基準コードと一致しない欠陥候補抽出コードを、許容
できない真欠陥に対応する真欠陥コードとして抽出して
欠陥を検出するように作用する。 Since the pattern inspection method according to the first aspect of the present invention is configured to include the micro defect detection step and the macro defect detection step, in the micro defect detection step, according to a predetermined reference size set in advance, detecting a small defect in size than the reference size, the macro defect detection process, acts to detect defects of the reference size or larger size, the upper
The reference size exists in the reference pattern of the above-mentioned inspection object.
The minimum allowable value for the thinnest pattern
Defects smaller than the minimum value are detected and
It acts to detect defects with a size above a small value, and
The image data of the inspection pattern of the inspection object is used as pixel continuity.
Generate the inspection code by coding based on the
The defect code of the defective pattern and the above inspection code are compared.
Compared to defects smaller than the above standard size
The inspection code that matches the defect code
As a micro defect.
The defect detection process includes the first microdefect primary treatment process and the first microdefect primary treatment process.
Since it is composed of the micro defect secondary treatment process, the first Miku
(B) In the defect primary treatment process, the inspection pattern of the above-mentioned inspection object
Image data is encoded and detected based on pixel continuity.
Inspection code is generated and the defect of the registered defect pattern
Compare the code with the above inspection code, and use the above standard size
Match the defect code corresponding to the smaller size defect
To extract the inspection code as a defect candidate extraction code.
In the first micro-defect secondary treatment step,
Image data of the reference pattern at the position corresponding to the inspection pattern.
Data is encoded based on pixel continuity and the reference code
Is generated and all within a predetermined range based on the above position
Comparing the reference code and the above defect candidate extraction code,
Allows defect candidate extraction code that does not match the reference code
Extract as a true defect code corresponding to a true defect that cannot
It acts to detect defects.
【0065】[0065]
【0066】[0066]
【0067】[0067]
【0068】[0068]
【0069】[0069]
【0070】また、請求項2の発明に係るパターン検査
方法は、ミクロ欠陥検出工程を、第2のミクロ欠陥1次
処理工程と第2のミクロ欠陥2次処理工程とで構成した
ので、第2のミクロ欠陥1次処理工程では、上記被検査
物の検査パターンの画像データを画素の連続性に基づい
てコード化して検査コードを生成し、各種コードに対応
したパターン形状の種類を示すカテゴリコードを上記検
査コードに基づいて検索して検査カテゴリコードを得、
予め登録された欠陥パターンのカテゴリコードと上記検
査カテゴリコードを比較して、上記基準サイズよりサイ
ズの小さな欠陥に対応するカテゴリコードと一致する検
査カテゴリコードを欠陥候補抽出コードとして抽出する
ように作用する。Further, in the pattern inspection method according to the second aspect of the present invention, the microdefect detecting step is constituted by the second microdefect primary processing step and the second microdefect secondary processing step. In the microdefect primary processing step, the image data of the inspection pattern of the inspection object is coded based on the continuity of the pixels to generate an inspection code, and a category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code is generated. Search based on the above inspection code to get inspection category code,
The category code of the defect pattern registered in advance is compared with the inspection category code, and the inspection category code matching the category code corresponding to the defect having a size smaller than the reference size is extracted as a defect candidate extraction code. .
【0071】その第2のミクロ欠陥2次処理工程では、
上記検査パターンに対応する位置の上記基準パターンの
画像データを画素の連続性に基づいてコード化して基準
コードを生成し、各種コードに対応したパターン形状の
種類を示すカテゴリコードを上記基準コードに基づいて
検索して基準カテゴリコードを得、上記位置を基準に所
定の範囲内における全ての上記基準カテゴリコードと上
記欠陥候補抽出カテゴリコードとを比較して、該基準カ
テゴリコードと一致しない欠陥候補抽出カテゴリコード
を、許容できない真欠陥に対応する真欠陥コードとして
抽出して欠陥を検出するように作用する。In the second micro defect secondary treatment step,
Image data of the reference pattern at the position corresponding to the inspection pattern is coded based on pixel continuity to generate a reference code, and a category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code is based on the reference code. To obtain a reference category code, compare all the reference category codes in the predetermined range with the above-mentioned position with the defect candidate extraction category code, and detect the defect candidate extraction category that does not match the reference category code. It acts to extract the code as a true defect code corresponding to an unacceptable true defect and detect the defect.
【0072】また、請求項3の発明に係るパターン検査
方法の第2のミクロ欠陥2次処理工程では、上記検査パ
ターンに対応する位置の上記基準パターンの画像データ
を画素の連続性に基づいてコード化して基準コードを生
成し、各種コードに対応したパターン形状の種類を示す
カテゴリコードを上記基準コードに基づいて検索して基
準カテゴリコードを得、上記位置および上記パターンの
形状の種類に応じて、限定した範囲内における全てのあ
るいは一部の上記基準カテゴリコードと上記欠陥候補抽
出カテゴリコードとを比較して、該基準カテゴリコード
と一致しない欠陥候補抽出カテゴリコードを、許容でき
ない真欠陥に対応する真欠陥コードとして抽出して欠陥
を検出するように作用する。In the second micro-defect secondary processing step of the pattern inspection method according to the third aspect of the present invention, the image data of the reference pattern at the position corresponding to the inspection pattern is coded based on the continuity of pixels. To generate a reference code, to obtain a reference category code by searching the category code indicating the type of pattern shape corresponding to various codes based on the reference code, depending on the position and the type of the shape of the pattern, All or some of the reference category codes within a limited range are compared with the defect candidate extraction category codes, and defect candidate extraction category codes that do not match the reference category code are identified as true defects corresponding to unacceptable true defects. It acts to detect defects by extracting them as defect codes.
【0073】また、請求項4の発明に係るパターン検査
方法の第2のミクロ欠陥2次処理工程では、上記欠陥候
補抽出カテゴリコードと対象となるカテゴリとの関係を
分類し、この分類に対応したパターン形状の種類を示す
各種上位カテゴリコードを格納し、上記欠陥候補抽出カ
テゴリコードと、該欠陥候補抽出カテゴリコードを中心
とする所定領域内におけるカテゴリ分布中の対象となる
特定のカテゴリとの関係に基づいて、この関係に対応す
る上位カテゴリコードを選択して出力し、上記上位カテ
ゴリコードに基づいて、許容できない真欠陥に対応する
真欠陥コードを判定して欠陥を検出するように作用す
る。In the second micro-defect secondary processing step of the pattern inspection method according to the fourth aspect of the present invention, the relationship between the defect candidate extraction category code and the target category is classified and the classification is dealt with. Various upper category codes indicating types of pattern shapes are stored, and the relationship between the defect candidate extraction category code and a specific category that is a target in a category distribution in a predetermined area centered on the defect candidate extraction category code is stored. Based on this, the upper category code corresponding to this relationship is selected and output, and the true defect code corresponding to the unacceptable true defect is determined and the defect is detected based on the upper category code.
【0074】また、請求項5の発明に係るパターン検査
方法の第2のミクロ欠陥2次処理工程では、上記欠陥候
補抽出カテゴリコードを中心として、この中心から放射
状に分布するカテゴリを複数検出し、上記検出された複
数のカテゴリを相互に関係づけて階層型ネットワーク構
造のデータとして処理することにより、上位カテゴリを
出力し、上記上位カテゴリコードに基づいて、許容でき
ない真欠陥に対応する真欠陥コードを判定して欠陥を検
出するように作用する。In the second micro defect secondary processing step of the pattern inspection method according to the fifth aspect of the present invention, a plurality of categories radially distributed from the center of the defect candidate extraction category code are detected, By processing the detected plurality of categories as data of a hierarchical network structure by associating them with each other, a higher category is output, and a true defect code corresponding to an unacceptable true defect is output based on the higher category code. It acts to judge and detect defects.
【0075】また、請求項6の発明に係るパターン検査
方法のマクロ欠陥検出工程では、上記被検査物の検査パ
ターンと基準パターンとの位置合わせを行い、上記位置
合わせした上記被検査物の検査パターンと上記基準パタ
ーンとの差分パターンを抽出し、上記差分パターンを測
長し、この測長された測長値を上記基準サイズと比較し
て、該基準サイズ以上の領域を欠陥抽出領域として抽出
して欠陥を検出するように作用する。In the macro defect detecting step of the pattern inspection method according to the sixth aspect of the present invention, the inspection pattern of the inspection object and the reference pattern are aligned, and the inspection pattern of the aligned inspection pattern of the inspection object. The difference pattern between the reference pattern and the reference pattern is extracted, the difference pattern is measured, the measured length value is compared with the reference size, and an area of the reference size or more is extracted as a defect extraction area. Acts to detect defects.
【0076】また、請求項11の発明に係るパターン検
査方法は、マクロ欠陥検出工程を、マクロ欠陥1次処理
工程とマクロ欠陥2次処理工程とで構成したので、マク
ロ欠陥1次処理工程では、上記被検査物の検査パターン
と基準パターンとの位置合わせを行い、上記位置合わせ
した上記被検査物の検査パターンと上記基準パターンと
の差分パターンを抽出し、上記差分パターンを測長し、
この測長された測長値を上記基準サイズと比較して、該
基準サイズ以上の領域を欠陥候補抽出領域として抽出す
るように作用する。Further, in the pattern inspection method according to the invention of claim 11, the macro defect detecting step is constituted by the macro defect primary processing step and the macro defect secondary processing step. The inspection pattern and the reference pattern of the inspection object are aligned, the difference pattern between the inspection pattern and the reference pattern of the aligned inspection object is extracted, and the difference pattern is measured,
This length measurement value is compared with the reference size, and an area having a size equal to or larger than the reference size is extracted as a defect candidate extraction area.
【0077】そのマクロ欠陥2次処理工程では、上記欠
陥候補抽出領域から、許容できない真欠陥に対応する真
欠陥領域を抽出して欠陥を検出するように作用する。In the macro defect secondary processing step, the true defect area corresponding to the unacceptable true defect is extracted from the defect candidate extraction area to detect the defect.
【0078】また、請求項7の発明に係るパターン検査
方法のマクロ欠陥2次処理工程では、上記基準パターン
に基づき、欠陥を許容できない致命領域のパターンを作
成し、上記欠陥候補抽出領域と対応する位置の致命領域
のパターンを参照し、該欠陥候補抽出領域と対応する位
置が上記致命領域に存在する場合を真欠陥領域として抽
出して欠陥を検出するように作用する。In the macro defect secondary processing step of the pattern inspection method according to the seventh aspect of the present invention, a pattern of a critical area in which a defect cannot be accepted is created based on the reference pattern and corresponds to the defect candidate extraction area. By referring to the pattern of the critical area of the position, the case where the position corresponding to the defect candidate extraction area exists in the critical area is extracted as a true defect area to detect the defect.
【0079】また、請求項8、9、10の発明に係るパ
ターン検査方法は、致命領域を、上記基準パターンの各
パターンの周縁から外方向および内方向のそれぞれに、
一定の幅で設けるので、基準パターンの測長を不要とす
るように作用する。[0079] The pattern inspection method according to the invention of claim 8, 9, 10 lethal regions, in each of outwardly and inwardly from the peripheral edge of the pattern of the reference pattern,
Since it is provided with a constant width, the length measurement of the reference pattern is unnecessary.
【0080】また、請求項11の発明に係るパターン検
査方法は、致命領域を、上記基準パターンのパターン間
隔を測長し、このパターン間隔が、予め、定められた値
よりも小さい領域を第1の領域として抽出し、上記基準
パターンのパターン幅を測長し、このパターン幅が、予
め、定められた値よりも小さい領域を第2の領域として
抽出し、上記第1の領域および上記第2の領域のうちの
少なくともいずれか一方を算出して設ける。Further, in the pattern inspection method according to the invention of claim 11 , the critical area is measured for the pattern interval of the reference pattern, and the area where the pattern interval is smaller than a predetermined value is first Area, the pattern width of the reference pattern is measured, and an area having a pattern width smaller than a predetermined value is extracted as a second area, and the first area and the second area are extracted. At least one of the areas is calculated and provided.
【0081】このため、第1の領域はパターン同士の接
触の可能性のある致命領域となり、第2の領域はパター
ンの断線の可能性のある致命領域となるように作用す
る。Therefore, the first region acts as a dead region where patterns may come into contact with each other, and the second region acts as a dead region where patterns may be broken.
【0082】[0082]
【0083】[0083]
【0084】[0084]
【0085】[0085]
【0086】また、請求項12の発明に係るパターン検
査装置は、第1のミクロ欠陥2次処理手段を、基準コー
ド生成手段とミクロ欠陥抽出手段とよりなる構成とした
ので、請求項1の発明に係るパターン検査方法の実施に
直接使用されるように作用する。[0086] Also, the pattern inspection apparatus according to the invention of claim 12, the first micro defects secondary processing means, since the more becomes configured as a reference code generating means and micro defect extraction means, the invention of claim 1 It acts so as to be directly used for implementing the pattern inspection method according to the present invention.
【0087】また、請求項13の発明に係るパターン検
査装置は、ミクロ欠陥検出手段を、第2のミクロ欠陥1
次処理手段と第2のミクロ欠陥2次処理手段とで構成し
たので、請求項2の発明に係るパターン検査方法の実施
に直接使用されるように作用する。In the pattern inspection apparatus according to the thirteenth aspect of the present invention, the microdefect detecting means is used as the second microdefect 1
Since the secondary processing means and the second micro-defect secondary processing means are provided, the secondary processing means acts directly to implement the pattern inspection method according to the second aspect of the invention.
【0088】また、請求項14の発明に係るパターン検
査装置は、第2のミクロ欠陥2次処理手段を、基準コー
ド生成手段と基準カテゴリコード取得手段とミクロ欠陥
抽出手段とよりなる構成としたので、請求項3の発明に
係るパターン検査方法の実施に直接使用されるように作
用する。In the pattern inspection apparatus according to the fourteenth aspect of the present invention, the second micro defect secondary processing means is constituted by the reference code generating means, the reference category code acquiring means and the micro defect extracting means. It acts so as to be directly used for carrying out the pattern inspection method according to the invention of claim 3 .
【0089】また、請求項15の発明に係るパターン検
査装置は、第2のミクロ欠陥2次処理手段を、上位カテ
ゴリ変換手段とミクロ欠陥抽出手段とよりなる構成とし
たので、請求項4の発明に係るパターン検査方法の実施
に直接使用されるように作用する。[0089] Also, the pattern inspection apparatus according to the invention of claim 15, the second micro defects secondary processing means, since the more becomes constituting an upper category conversion means and micro defect extraction means, the invention of claim 4 It acts so as to be directly used for implementing the pattern inspection method according to the present invention.
【0090】また、請求項16の発明に係るパターン検
査装置は、第2のミクロ欠陥2次処理手段を、放射状カ
テゴリ検出手段とニューラルネットワークとミクロ欠陥
抽出手段とよりなる構成としたので、請求項5の発明に
係るパターン検査方法の実施に直接使用されるように作
用する。In the pattern inspection apparatus according to the sixteenth aspect of the present invention, the second micro-defect secondary processing means is composed of the radial category detection means, the neural network and the micro-defect extraction means. It acts so as to be directly used for carrying out the pattern inspection method according to the fifth invention.
【0091】また、請求項17の発明に係るパターン検
査装置は、マクロ欠陥検出手段を、位置合わせ手段と差
分パターン抽出手段と差分パターン測長手段とマクロ欠
陥抽出手段とよりなる構成としたので、請求項6の発明
に係るパターン検査方法の実施に直接使用されるように
作用する。In the pattern inspection apparatus according to the seventeenth aspect of the present invention, the macro defect detecting means is constituted by the aligning means, the difference pattern extracting means, the difference pattern length measuring means and the macro defect extracting means. It acts so as to be directly used for implementing the pattern inspection method according to the invention of claim 6 .
【0092】[0092]
【0093】また、請求項18の発明に係るパターン検
査装置は、マクロ欠陥2次処理手段を、致命領域パター
ン作成手段と、マクロ欠陥抽出手段と、よりなる構成と
したので、請求項7の発明に係るパターン検査方法の実
施に直接使用されるように作用する。[0093] Also, the pattern inspection apparatus according to the invention of claim 18, the macro-defect secondary treatment unit, a fatal region pattern creating means, and the macro defect extraction means, since the more becomes configuration, the invention of claim 7 It acts so as to be directly used for implementing the pattern inspection method according to the present invention.
【0094】また、請求項19の発明に係るパターン検
査装置は、上記致命領域を、上記基準パターンの各パタ
ーンの周縁から外方向および内方向のそれぞれに、一定
の幅で設けるので、請求項8の発明に係るパターン検査
方法の実施に直接使用されるように作用する。[0094] Also, the pattern inspection apparatus according to the invention of claim 19, the critical region, in each of the outward and inward from the periphery of each pattern of the reference pattern, so providing a constant width, claim 8 The present invention operates so as to be directly used for implementing the pattern inspection method according to the invention.
【0095】また、請求項20の発明に係るパターン検
査装置は、上記致命領域の一定の幅を、上記外方向と上
記内方向とでそれぞれ異なる値としたので、請求項9の
発明に係るパターン検査方法の実施に直接使用されるよ
うに作用する。Further, in the pattern inspection apparatus according to the invention of claim 20 , the constant width of the critical area is set to have different values in the outward direction and the inward direction. Therefore, the pattern according to the invention of claim 9 Acts as it is used directly to carry out the test method.
【0096】また、請求項21の発明に係るパターン検
査装置は、上記致命領域の一定の幅を、上記パターン形
状の種類に応じて、予め、変化させて設定するので、請
求項10の発明に係るパターン検査方法の実施に直接使
用されるように作用する。[0096] Also, the pattern inspection apparatus according to the invention of claim 21, the constant width of the critical region, depending on the type of the pattern shape, in advance, since the setting is changed, the invention of claim 10 It acts as if it were used directly to implement such a pattern inspection method.
【0097】また、請求項22の発明に係るパターン検
査装置は、上記致命領域を、上記基準パターンのパター
ン間隔を測長し、このパターン間隔が、予め、定められ
た値よりも小さい領域を第1の領域として抽出し、上記
基準パターンのパターン幅を測長し、このパターン幅
が、予め、定められた値よりも小さい領域を第2の領域
として抽出し、上記第1の領域および上記第2の領域の
うちの少なくともいずれか一方を算出して設けるので、
請求項11の発明に係るパターン検査方法の実施に直接
使用されるように作用する。The pattern inspection apparatus according to the invention of claim 22 measures the pattern interval of the reference pattern in the critical area, and determines an area in which the pattern interval is smaller than a predetermined value. The first pattern is extracted as the first region, the pattern width of the reference pattern is measured, and the region in which the pattern width is smaller than a predetermined value is extracted as the second region. Since at least one of the two areas is calculated and provided,
It acts so as to be directly used for carrying out the pattern inspection method according to the invention of claim 11 .
【0098】[0098]
【実施例】図1は本発明の第1実施例の構成図を示す。1 is a block diagram of the first embodiment of the present invention.
【0099】この第1実施例に係るパターン検査装置
は、被検査物となるプリント配線板の配線パターン等の
検査パターンに発生する欠陥を検出するものである。The pattern inspection apparatus according to the first embodiment detects a defect occurring in an inspection pattern such as a wiring pattern of a printed wiring board to be inspected.
【0100】この第1実施例に係るパターン検査装置の
構成は、ミクロ欠陥検出手段3とマクロ欠陥検出手段1
03とを備える。The structure of the pattern inspection apparatus according to the first embodiment is such that the micro defect detecting means 3 and the macro defect detecting means 1 are
And 03.
【0101】ミクロ欠陥検出手段3は、ラジアル測長手
段5aおよびラジアルコード化手段5bで構成する検査
コード生成手段4と、ミクロ欠陥抽出手段6とを備え
る。The microdefect detecting means 3 comprises an inspection code generating means 4 composed of a radial length measuring means 5a and a radial coding means 5b, and a microdefect extracting means 6.
【0102】ラジアル測長手段5aは、検知光学系1で
作成されたプリント配線板配線パターン等の検査パター
ン2の画像データ内のパターン画像の連続性を調べて、
この連続性に応じた測長値を求め、ラジアル測長を行
う。The radial length measuring means 5a checks the continuity of the pattern image in the image data of the inspection pattern 2 such as the printed wiring board wiring pattern created by the detection optical system 1,
Radial length measurement is performed by obtaining the length measurement value according to this continuity.
【0103】上記検知光学系1は、撮影装置、信号処理
回路、量子化回路、画像メモリおよび切り出し回路を有
している。The detection optical system 1 has a photographing device, a signal processing circuit, a quantizing circuit, an image memory and a clipping circuit.
【0104】この検知光学系1では、撮影装置で得られ
る、例えばプリント配線板等の検査パターンの映像信号
を、信号処理回路で増幅等のアナログ処理し、アナログ
信号として、その量子化回路に供給する。In this detection optical system 1, a video signal of an inspection pattern such as a printed wiring board obtained by a photographing device is subjected to analog processing such as amplification by a signal processing circuit and supplied to the quantization circuit as an analog signal. To do.
【0105】上記アナログ信号は、量子化回路でデジタ
ル信号に変換される。上記デジタル信号は、CPU(中
央処理装置)の制御の下で、画像メモリに書き込まれ
る。The analog signal is converted into a digital signal by the quantizing circuit. The digital signal is written in the image memory under the control of the CPU (central processing unit).
【0106】切り出し回路は、画像メモリ内の画像デー
タから、検査対象とするパターンの大きさや、画像のサ
イズを考慮した大きさのウィンドウで画像データとなる
検査パターン2を切り出す。The cutout circuit cuts out the inspection pattern 2 to be image data from the image data in the image memory in a window having a size in consideration of the size of the pattern to be inspected and the size of the image.
【0107】この検査パターン2としての配線パターン
には、銅残2a、断線2b、欠け(ミクロ)2cおよび
欠け(マクロ)2dが生じることがある。In the wiring pattern as the inspection pattern 2, copper residue 2a, disconnection 2b, chip (micro) 2c and chip (macro) 2d may occur.
【0108】ラジアル測長手段5aは、検査パターン2
の各パターンの中心を測長点Oとし、45゜ごとに測長
点Oから8方向に測長する。破線Xが測長結果である。
測長は、測長点Oと同じデータの画素が連続する長さ
(画素数)を求めている。この測長により、8方向に対
する測長結果が得られる。The radial length measuring means 5a uses the inspection pattern 2
The center of each pattern is set to the length measuring point O, and the length is measured from the length measuring point O in 8 directions every 45 °. The broken line X is the measurement result.
In the length measurement, the length (the number of pixels) of continuous pixels of the same data as the length measurement point O is calculated. By this length measurement, length measurement results in eight directions are obtained.
【0109】ラジアルコード化手段5bは、ラジアル測
長手段5aで得られた上記測長値からパターンの略中心
を検出し、予め設定されたパラメータに従ってラジアル
コード化を行い、検査コードを生成する。The radial coding means 5b detects the approximate center of the pattern from the length measurement value obtained by the radial length measuring means 5a, performs radial coding according to preset parameters, and generates an inspection code.
【0110】例えば、複数の閾値を定めて、測長値が閾
値に対してどの範囲にあるかを判定し、8方向の測長値
から求めた判定結果に応じてコード化し、検査コードを
生成する。For example, by setting a plurality of threshold values, it is determined which range the length measurement value is within the threshold value, and coding is performed according to the determination result obtained from the length measurement values in eight directions to generate an inspection code. To do.
【0111】この結果、検査コード生成手段4は、検査
パターン2の画像データを画素の連続性に基づいてコー
ド化し、銅残2a、断線2b、欠け(ミクロ)2cおよ
び欠け(マクロ)2dの各検査コードを生成する。As a result, the inspection code generating means 4 encodes the image data of the inspection pattern 2 on the basis of the continuity of the pixels, and each of the copper residue 2a, the disconnection 2b, the chip (micro) 2c and the chip (macro) 2d. Generate an inspection code.
【0112】ミクロ欠陥抽出手段6は、上記検査コード
を、予め欠陥辞書に登録された欠陥パターンの欠陥コー
ドと比較する。The micro defect extraction means 6 compares the inspection code with the defect code of the defect pattern registered in the defect dictionary in advance.
【0113】上記欠陥辞書には、ラジアルコード化5b
で生成される典型的な欠陥であって、許容最小値Wより
サイズの小さな欠陥パターンのコードとなる銅残2a、
断線2bおよび欠け(ミクロ)2cなどの各欠陥コード
が、予め、登録されている。The defect dictionary has a radial code 5b.
A copper residue 2a, which is a typical defect generated by the above, and becomes a code of a defect pattern having a size smaller than the allowable minimum value W,
Each defect code such as the disconnection 2b and the chipping (micro) 2c is registered in advance.
【0114】そして、欠け(マクロ)2dに対応する欠
陥コードは欠陥辞書に登録されていない。これは、パタ
ーン幅D1と幅D2とが等しくなりラジアルコードも等
しくなるからである。The defect code corresponding to the missing (macro) 2d is not registered in the defect dictionary. This is because the pattern width D1 is equal to the width D2 and the radial codes are also equal.
【0115】許容最小値Wは、予め設定された所定の基
準サイズとなるプリント配線板の配線パターン等の基準
パターン(CAD(Computer Aided Design)データ1
01から作成したCADパターン102)中に存在する
最も細いパターンの許容最小値である。The allowable minimum value W is a reference pattern (CAD (Computer Aided Design) data 1 such as a wiring pattern of a printed wiring board having a predetermined reference size set in advance.
This is the minimum allowable value of the thinnest pattern existing in the CAD pattern 102) created from 01.
【0116】なお、基準パターンとしては、欠陥の無い
ことを確認したプリント配線板の配線パターン等から取
得したパターンでもよい。The reference pattern may be a pattern obtained from a wiring pattern of a printed wiring board which has been confirmed to have no defects.
【0117】CADパターン102には、設計段階のビ
ットマップパターン102aが形成されている。On the CAD pattern 102, a bitmap pattern 102a at the design stage is formed.
【0118】そして、許容最小幅Wは、CADパターン
12中のビットマップパターン102の最小線幅のα%
以上小さくならない場合を基準として決定される。The allowable minimum width W is α% of the minimum line width of the bitmap pattern 102 in the CAD pattern 12.
It is decided on the basis of the case where it does not become smaller than the above.
【0119】例えば、上記最小線幅を150μmとし、
αを33とする場合、許容最小値Wは約100μmとな
る。サイズが100μm未満の欠陥はミクロ欠陥検出手
段3で検出される。For example, the minimum line width is 150 μm,
When α is 33, the allowable minimum value W is about 100 μm. The defects having a size of less than 100 μm are detected by the micro defect detecting means 3.
【0120】したがって、銅残2a、断線2b、欠け
(ミクロ)2cおよび欠け(マクロ)2dの各検査コー
ドが、欠陥辞書に登録された銅残2a、断線2bおよび
欠け(ミクロ)2cなどの各欠陥コードと比較される。Therefore, the inspection codes for the copper residue 2a, the wire break 2b, the chip (micro) 2c and the chip (macro) 2d are respectively registered to the copper residue 2a, the wire 2b and the chip 2c registered in the defect dictionary. It is compared with the defect code.
【0121】この結果、許容最小値Wよりサイズの小さ
な欠陥に対応する欠陥コードと一致する検査コードとな
る銅残2a、断線2bおよび欠け(ミクロ)2cの各検
査コードがミクロ欠陥抽出コードとして抽出される。As a result, the inspection codes of the copper residue 2a, the disconnection 2b, and the chip (micro) 2c, which are the inspection codes corresponding to the defect codes smaller than the allowable minimum value W, are extracted as the micro defect extraction codes. To be done.
【0122】また、欠け(マクロ)2dの検査コード
は、許容最小値Wよりサイズの小さな欠陥に対応する欠
陥コードと一致しないので、ミクロ欠陥抽出コードとし
て抽出されない。Further, the inspection code of the defect (macro) 2d does not match the defect code corresponding to the defect having a size smaller than the allowable minimum value W, and therefore is not extracted as the micro defect extraction code.
【0123】そして、銅残2a、断線2bおよび欠け
(ミクロ)2cの各ミクロ欠陥抽出コードは、ミクロ欠
陥情報として欠陥情報出力手段7に供給される。Then, each microdefect extraction code of the copper residue 2a, the disconnection 2b, and the chipped (micro) 2c is supplied to the defect information output means 7 as microdefect information.
【0124】したがって、欠陥情報出力手段7は、銅残
2a、断線2bおよび欠け(ミクロ)2cの各ミクロ欠
陥情報を出力する。Therefore, the defect information output means 7 outputs each micro defect information of the copper residue 2a, the disconnection 2b, and the chip (micro) 2c.
【0125】次に、マクロ欠陥検出手段103は、位置
合わせ手段104と差分パターン抽出手段105と差分
パターン測長手段106とマクロ欠陥抽出手段107と
を備える。Next, the macro defect detecting means 103 comprises a positioning means 104, a difference pattern extracting means 105, a difference pattern length measuring means 106 and a macro defect extracting means 107.
【0126】位置合わせ手段104は、検査パターン2
とCADパターン102との位置を合わせる。The alignment means 104 uses the inspection pattern 2
And the CAD pattern 102 are aligned.
【0127】差分パターン抽出手段105は、位置合わ
せされた検査パターン2とCADパターン102との差
分パターンを抽出する。The difference pattern extraction means 105 extracts the difference pattern between the aligned inspection pattern 2 and CAD pattern 102.
【0128】この結果、銅残2a、断線2b、欠け(ミ
クロ)2cおよび欠け(マクロ)2dにそれぞれ対応す
るパターンが得られる。As a result, patterns corresponding to the copper residue 2a, the disconnection 2b, the chip (micro) 2c and the chip (macro) 2d are obtained.
【0129】差分パターン測長手段106は、例えば、
上記ラジアル測長5aと同じ方法で、抽出された差分パ
ターン画像の連続性を調べて、この連続性に応じた測長
値を求める。The difference pattern length measuring means 106 is, for example,
The continuity of the extracted difference pattern image is checked by the same method as the radial length measurement 5a, and the length measurement value corresponding to this continuity is obtained.
【0130】この結果、銅残2a、断線2b、欠け(ミ
クロ)2cおよび欠け(マクロ)2dにそれぞれ対応す
る各測長値が得られる。As a result, length measurement values corresponding to the copper residue 2a, the wire break 2b, the chip (micro) 2c and the chip (macro) 2d are obtained.
【0131】マクロ欠陥抽出手段107は、上記各測長
値を上記許容最小値Wと比較して、該許容最小値W以上
の領域をマクロ欠陥抽出領域として抽出する。The macro defect extracting means 107 compares each of the length measurement values with the permissible minimum value W and extracts an area equal to or larger than the permissible minimum value W as a macro defect extraction area.
【0132】この結果、許容最小値W以上の欠け(マク
ロ)2dの領域がマクロ欠陥抽出領域として抽出され
る。また、許容最小値W未満の銅残2a、断線2bおよ
び欠け(ミクロ)2cの各領域がマクロ欠陥抽出領域と
して抽出されない。As a result, the area of the chip (macro) 2d having the allowable minimum value W or more is extracted as the macro defect extraction area. Further, the areas of the copper residue 2a, the disconnection 2b, and the chipped (micro) 2c that are less than the allowable minimum value W are not extracted as macro defect extraction areas.
【0133】そして、欠け(マクロ)2dのマクロ欠陥
抽出領域は、マクロ欠陥情報として欠陥情報出力手段7
に供給される。The macro defect extraction area of the defect (macro) 2d is recorded as defect information output means 7 in the defect information output means 7.
Is supplied to.
【0134】したがって、欠陥情報出力手段7は、欠け
(マクロ)2dのマクロ欠陥情報を出力する。Therefore, the defect information output means 7 outputs the macro defect information of the missing (macro) 2d.
【0135】よって、欠陥情報出力手段7は、ミクロ欠
陥検出手段3から供給された銅残2a、断線2bおよび
欠け(ミクロ)2cの各ミクロ欠陥情報と、マクロ欠陥
検出手段103から供給された欠け(マクロ)2dのマ
クロ欠陥情報と、を両方出力する。Therefore, the defect information output means 7 has the micro defect information of the copper residue 2a, the disconnection 2b and the chip (micro) 2c supplied from the micro defect detection means 3 and the chip defect supplied from the macro defect detection means 103. Both (macro) 2d macro defect information is output.
【0136】このため、プリント配線板の配線パターン
等の検査パターン2に発生する欠陥を全て検出すること
ができる。Therefore, it is possible to detect all the defects occurring in the inspection pattern 2 such as the wiring pattern of the printed wiring board.
【0137】次に、図2の本発明の第2実施例を説明す
る。Next, a second embodiment of the present invention shown in FIG. 2 will be described.
【0138】この第2実施例に係るパターン検査装置
は、許容できる許容欠陥の検出を防止するものである。The pattern inspection apparatus according to the second embodiment prevents the detection of allowable defects.
【0139】この第2実施例に係るパターン検査装置の
構成は、第1のミクロ欠陥1次処理手段となるミクロ欠
陥1次処理8および第1のミクロ欠陥2次処理手段とな
るミクロ欠陥2次処理10を備えるミクロ欠陥検出手段
3と、マクロ欠陥1次処理108およびマクロ欠陥2次
処理109を備えるマクロ欠陥検出手段103とよりな
る。The structure of the pattern inspection apparatus according to the second embodiment is such that the micro defect primary processing 8 serving as the first micro defect primary processing means and the micro defect secondary processing serving as the first micro defect secondary processing means. It comprises a micro defect detecting means 3 having a process 10 and a macro defect detecting means 103 having a macro defect primary process 108 and a macro defect secondary process 109.
【0140】ミクロ欠陥1次処理手段8は、ラジアル測
長手段5aおよびラジアルコード化手段5bよりなる検
査コード生成手段4と、ミクロ欠陥候補抽出手段9とで
構成される。The microdefect primary processing means 8 is composed of an inspection code generating means 4 including a radial length measuring means 5a and a radial coding means 5b, and a microdefect candidate extracting means 9.
【0141】ミクロ欠陥候補抽出手段9は、検査コード
生成手段4のラジアルコード化手段5bで生成された検
査コードを、予め欠陥辞書に登録された欠陥パターンの
欠陥コードと比較して、許容最小値Wよりサイズの小さ
な欠陥に対応する欠陥コードと一致する検査コードをミ
クロ欠陥候補抽出コードとして抽出する。The micro defect candidate extraction means 9 compares the inspection code generated by the radial coding means 5b of the inspection code generation means 4 with the defect code of the defect pattern registered in the defect dictionary in advance, and the allowable minimum value is obtained. An inspection code that matches a defect code corresponding to a defect having a size smaller than W is extracted as a micro defect candidate extraction code.
【0142】ミクロ欠陥2次処理手段10は、上記ミク
ロ欠陥候補抽出コードから許容できない真欠陥に対応す
るミクロ真欠陥コードを抽出し、許容できる許容欠陥に
対応するミクロ許容欠陥コードを抽出しない。The micro defect secondary processing means 10 extracts the micro true defect code corresponding to the unacceptable true defect from the micro defect candidate extraction code, and does not extract the micro permissible defect code corresponding to the allowable defect.
【0143】そして、ミクロ真欠陥コードは、ミクロ欠
陥情報として欠陥情報出力手段7に供給される。Then, the micro true defect code is supplied to the defect information output means 7 as micro defect information.
【0144】したがって、欠陥情報出力手段7は、ミク
ロ真欠陥コードに対応するミクロ欠陥情報を出力し、ミ
クロ許容欠陥コードに対応する許容できる欠陥の情報を
出力しない。Therefore, the defect information output means 7 outputs the micro defect information corresponding to the micro true defect code, and does not output the information of the allowable defect corresponding to the micro allowable defect code.
【0145】次に、マクロ欠陥1次処理手段108は、
位置合わせ手段104と差分パターン抽出手段105と
差分パターン測長手段106とマクロ欠陥候補抽出手段
109とで構成される。Next, the macro defect primary processing means 108
It is composed of the alignment means 104, the difference pattern extraction means 105, the difference pattern length measurement means 106, and the macro defect candidate extraction means 109.
【0146】マクロ欠陥候補抽出手段109は、差分パ
ターン測長手段106で測長された測長値を上記許容最
小値Wと比較して、該許容最小値W以上の領域をマクロ
欠陥候補抽出領域として抽出する。The macro defect candidate extraction means 109 compares the length measurement value measured by the difference pattern length measurement means 106 with the above-mentioned allowable minimum value W, and determines the area above the allowable minimum value W as the macro defect candidate extraction area To extract.
【0147】マクロ欠陥2次処理手段110は、上記マ
クロ欠陥候補抽出領域から許容できない真欠陥に対応す
るマクロ真欠陥領域を抽出し、許容できる許容欠陥に対
応するマクロ許容欠陥領域を抽出しない。The macro defect secondary processing means 110 extracts the macro true defect region corresponding to the unacceptable true defect from the macro defect candidate extraction region, and does not extract the macro permissible defect region corresponding to the allowable defect.
【0148】そして、マクロ真欠陥領域は、マクロ欠陥
情報として欠陥情報出力手段7に供給される。Then, the macro true defect area is supplied to the defect information output means 7 as macro defect information.
【0149】したがって、欠陥情報出力手段7は、マク
ロ真欠陥領域に対応するマクロ欠陥情報を出力し、マク
ロ許容欠陥コードに対応する許容できる欠陥の情報を出
力しない。Therefore, the defect information output means 7 outputs the macro defect information corresponding to the macro true defect area, and does not output the allowable defect information corresponding to the macro allowable defect code.
【0150】よって、欠陥情報出力手段7は、ミクロ欠
陥検出手段3から供給されたミクロ欠陥情報と、マクロ
欠陥検出手段103から供給されたマクロ欠陥情報と、
を両方出力する。Therefore, the defect information output means 7 has the micro defect information supplied from the micro defect detection means 3 and the macro defect information supplied from the macro defect detection means 103.
Are both output.
【0151】このため、検査パターン2に発生する欠陥
を全て検出し、さらに、許容できるミクロ許容欠陥およ
びマクロ許容欠陥の検出を防止することができる。Therefore, it is possible to detect all the defects occurring in the inspection pattern 2 and prevent the detection of the allowable micro allowable defects and the allowable macro allowable defects.
【0152】次に、図3の本発明の第3実施例を説明す
る。Next, a third embodiment of the present invention shown in FIG. 3 will be described.
【0153】この第3実施例に係るパターン検査装置
は、第2の実施例のミクロ欠陥2次処理手段10の具体
例を示すものであり、検査パターン2Aから許容できる
正常終端2fの検出を防止する。The pattern inspection apparatus according to the third embodiment shows a specific example of the micro defect secondary processing means 10 of the second embodiment, and prevents detection of an acceptable normal end 2f from the inspection pattern 2A. To do.
【0154】ラジアル測長手段5aは、検知光学系1で
作成されたプリント配線板の配線パターン等の検査パタ
ーン2Aの画像データ内のパターン画像の連続性を調べ
て、この連続性に応じた測長値を求め、ラジアル測長を
行う。The radial length measuring means 5a checks the continuity of the pattern image in the image data of the inspection pattern 2A such as the wiring pattern of the printed wiring board created by the detection optical system 1, and measures the continuity of the pattern image. Obtain the long value and perform radial length measurement.
【0155】この検査パターン2Aには、断線2eおよ
び正常終端2fが生じており、断線2eおよび正常終端
2fの各測長値が求められる。The inspection pattern 2A has the disconnection 2e and the normal termination 2f, and the respective length measurement values of the disconnection 2e and the normal termination 2f are obtained.
【0156】ラジアルコード化手段5bは、ラジアル測
長手段5aで得られた上記測長値を、予め設定されたパ
ラメータに従ってラジアルコード化を行う。The radial encoding means 5b performs the radial encoding of the length measurement value obtained by the radial length measurement means 5a in accordance with preset parameters.
【0157】この結果、検査コード生成手段4は、検査
パターン2Aの画像データを画素の連続性に基づいてコ
ード化し、断線2eおよび正常終端2fの各検査コード
を生成する。As a result, the inspection code generating means 4 encodes the image data of the inspection pattern 2A on the basis of the continuity of the pixels and generates the inspection codes of the disconnection 2e and the normal termination 2f.
【0158】ミクロ欠陥候補抽出手段9は、断線2eお
よび正常終端2fの各検査コードを、予め欠陥辞書に登
録された欠陥パターンの欠陥コードと比較して、許容最
小値Wよりサイズの小さな欠陥に対応する欠陥コードと
一致する検査コードをミクロ欠陥候補抽出コードとして
抽出する。The micro defect candidate extraction means 9 compares each inspection code of the disconnection 2e and the normal termination 2f with the defect code of the defect pattern registered in the defect dictionary in advance, and determines that the defect has a size smaller than the allowable minimum value W. An inspection code that matches the corresponding defect code is extracted as a micro defect candidate extraction code.
【0159】この結果、断線2eおよび正常終端2fの
各ミクロ欠陥候補抽出コードが抽出される。As a result, the micro defect candidate extraction codes of the disconnection 2e and the normal end 2f are extracted.
【0160】ミクロ欠陥2次処理手段10は、基準コー
ド生成手段13とラジアルコード比較手段16とで構成
される。The micro defect secondary processing means 10 is composed of a reference code generating means 13 and a radial code comparing means 16.
【0161】基準コード生成手段13は、位置合わせ手
段12、ラジアル測長手段14およびラジアルコード化
手段15よりなる。The reference code generating means 13 comprises a positioning means 12, a radial length measuring means 14 and a radial coding means 15.
【0162】位置合わせ手段12は、上記検査パターン
2Aと、CADデータ101から作成したCADパター
ン102Aとを位置合わせする。The alignment means 12 aligns the inspection pattern 2A with the CAD pattern 102A created from the CAD data 101.
【0163】CADパターン102Aには、ビットマッ
プパターン102bが形成されている。A bitmap pattern 102b is formed on the CAD pattern 102A.
【0164】ラジアル測長手段14は、位置合わせされ
たCADパターン102Aの画像データ内のパターン画
像の連続性を調べて、この連続性に応じた測長値を求
め、ラジアル測長を行う。The radial length measuring means 14 checks the continuity of the pattern image in the image data of the aligned CAD pattern 102A, obtains the length measurement value according to this continuity, and performs the radial length measurement.
【0165】ラジアルコード化手段15は、ラジアル測
長手段14で得られた上記測長値を、予め設定されたパ
ラメータに従ってラジアルコード化を行い、基準コード
を生成する。The radial coding means 15 performs radial coding on the length measurement values obtained by the radial length measurement means 14 according to preset parameters to generate a reference code.
【0166】この結果、基準コード生成手段13では、
正常終端2fに対応する基準コードが生成される。As a result, the reference code generating means 13
A reference code corresponding to the normal termination 2f is generated.
【0167】ラジアルコード比較手段16は、上記断線
2eおよび正常終端2fの各ミクロ欠陥候補抽出コード
を、CADパターン102A中に対応する位置にある正
常終端2fに対応する基準コード、および、その位置を
中心として、予め、設定された一定の範囲内における全
てのラジアルコードと比較する。The radial code comparing means 16 determines the reference code corresponding to the normal termination 2f at the corresponding position in the CAD pattern 102A and the position thereof as the micro-defect candidate extraction codes of the disconnection 2e and the normal termination 2f. As a center, comparison is made with all radial codes within a preset fixed range.
【0168】詳しくは、図4に示すように、検査パター
ン2Aのミクロ欠陥候補抽出ラジアルコードCrを、C
ADパターン102Aの(n×n)のエリアの各画素の
ラジアルコードと比較する。More specifically, as shown in FIG. 4, the radial code Cr for extracting the micro defect candidate of the inspection pattern 2A is set to C
It is compared with the radial code of each pixel in the (n × n) area of the AD pattern 102A.
【0169】さらに、正常終端2fに対応する基準コー
ドと一致しないミクロ欠陥候補抽出ラジアルコード、す
なわち断線2eのミクロ欠陥候補抽出ラジアルコード
を、許容できない真欠陥に対応するミクロ真欠陥コード
として抽出する。Further, a micro defect candidate extraction radial code that does not match the reference code corresponding to the normal termination 2f, that is, a micro defect candidate extraction radial code of the disconnection 2e is extracted as a micro true defect code corresponding to an unacceptable true defect.
【0170】また、正常終端2fに対応する基準コード
と一致するミクロ欠陥候補抽出ラジアルコード、すなわ
ち正常終端2fのミクロ欠陥候補抽出ラジアルコードは
抽出されない。Further, the micro defect candidate extraction radial code that matches the reference code corresponding to the normal end 2f, that is, the micro defect candidate extraction radial code of the normal end 2f is not extracted.
【0171】そして、上記ミクロ真欠陥コードは、ミク
ロ欠陥情報として欠陥情報出力手段7に供給される。Then, the micro true defect code is supplied to the defect information output means 7 as micro defect information.
【0172】さらに、欠陥情報出力手段7は、断線2e
に基づくミクロ真欠陥コードに対応するミクロ欠陥情報
を出力し、正常終端2fに基づくミクロ許容欠陥の情報
を出力しない。Further, the defect information output means 7 has a disconnection 2e.
The micro defect information corresponding to the micro true defect code based on the above is output, and the information of the micro allowable defect based on the normal end 2f is not output.
【0173】次に、本発明の第4実施例を図5を参照し
て説明する。この第4実施例では、第2のミクロ欠陥1
次処理手段となるミクロ欠陥1次処理手段20と、第2
のミクロ欠陥2次処理手段となるミクロ欠陥2次処理手
段21よりなり、正常終端2fの検出を防止する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this fourth embodiment, the second microdefect 1
Micro defect primary treatment means 20 as second treatment means, and second
The micro-defect secondary processing means 21 serving as the micro-defect secondary processing means for preventing the normal end 2f from being detected.
【0174】ミクロ欠陥1次処理手段20は、検査コー
ド生成手段4と、検査カテゴリコード化手段22と、ミ
クロ欠陥候補抽出手段23とで構成される。The microdefect primary processing means 20 comprises an inspection code generating means 4, an inspection category coding means 22, and a microdefect candidate extracting means 23.
【0175】検査コード生成手段4は、検査パターン2
Aの画像データを画素の連続性に基づいてラジアルコー
ド化し、断線2eおよび正常終端2fの各検査コードを
生成する。The inspection code generation means 4 uses the inspection pattern 2
The image data of A is converted into a radial code based on the continuity of pixels, and each inspection code of the disconnection 2e and the normal termination 2f is generated.
【0176】検査カテゴリコード化手段22は、図6に
示す各種コードに対応したパターン形状の種類を示すカ
テゴリコードを、断線2eおよび正常終端2fの各検査
コードに基づいて検索する。The inspection category coding means 22 searches the category codes indicating the types of pattern shapes corresponding to the various codes shown in FIG. 6 based on the inspection codes of the disconnection 2e and the normal termination 2f.
【0177】この結果、(F)断線および(K)正常終
端の各検査カテゴリコードを得る。As a result, each inspection category code of (F) disconnection and (K) normal termination is obtained.
【0178】ミクロ欠陥候補抽出手段23は、(F)断
線および(K)正常終端の各検査カテゴリコードを、予
め欠陥辞書に登録された欠陥パターンのカテゴリコード
と比較して、許容最小値Wよりサイズの小さな欠陥に対
応するカテゴリコードと一致する検査カテゴリコードを
ミクロ欠陥候補抽出コードとして抽出する。The micro defect candidate extraction means 23 compares each inspection category code of (F) disconnection and (K) normal termination with the category code of the defect pattern registered in the defect dictionary in advance, and determines from the allowable minimum value W. An inspection category code that matches a category code corresponding to a small size defect is extracted as a micro defect candidate extraction code.
【0179】この結果、断線2eおよび正常終端2fの
各ミクロ欠陥候補抽出コードが抽出される。As a result, the micro defect candidate extraction codes of the disconnection 2e and the normal termination 2f are extracted.
【0180】ミクロ欠陥2次処理手段21は、基準コー
ド生成手段13と基準カテゴリコード化手段24とカテ
ゴリコード比較手段25とよりなる。The micro defect secondary processing means 21 comprises a reference code generating means 13, a reference category coding means 24 and a category code comparing means 25.
【0181】基準コード生成手段13は、位置合わせ手
段12、ラジアル測長手段14、ラジアルコード化手段
15よりなり、検査パターン2Aに対応する位置のCA
Dパターン102Aの画像データを画素の連続性に基づ
いてコード化して正常終端2fに対応する基準コードを
生成する。The reference code generating means 13 is composed of a position aligning means 12, a radial length measuring means 14, and a radial coding means 15, and CA at a position corresponding to the inspection pattern 2A.
The image data of the D pattern 102A is coded based on the continuity of pixels to generate a reference code corresponding to the normal end 2f.
【0182】基準カテゴリコード化手段24は、図6に
示した各種コードに対応したパターン形状の種類を示す
カテゴリコードを正常終端2fに対応する基準コードに
基づいて検索して(K)正常終端の基準カテゴリコード
を得る。The reference category coding means 24 searches the category code indicating the type of the pattern shape corresponding to the various codes shown in FIG. 6 based on the reference code corresponding to the normal termination 2f (K) of the normal termination. Get the reference category code.
【0183】カテゴリコード比較25では、上記断線2
eおよび正常終端2fの各ミクロ欠陥候補抽出コード
を、CADパターン102A中に対応する位置にある
(K)正常終端の基準カテゴリコード、および、その位
置を中心として、予め、設定された一定の範囲内におけ
る全てのカテゴリコードと比較する。In the category code comparison 25, the disconnection 2
Each of the micro defect candidate extraction codes of e and the normal termination 2f is a reference category code of the (K) normal termination at a corresponding position in the CAD pattern 102A, and a predetermined fixed range centered on the reference category code. Compare with all category codes in.
【0184】詳しくは、図7に示すように、検査パター
ン2Aのミクロ欠陥候補抽出カテゴリコードCcを、C
ADパターン102Aの(n×n)のエリアの各画素の
カテゴリコードと比較する。More specifically, as shown in FIG. 7, the microdefect candidate extraction category code Cc of the inspection pattern 2A is set to C
The category code of each pixel in the (n × n) area of the AD pattern 102A is compared.
【0185】さらに、(K)正常終端2fの基準カテゴ
リコードと一致しないミクロ欠陥候補抽出カテゴリコー
ド、すなわち断線2eのミクロ欠陥候補抽出カテゴリコ
ードを、許容できない真欠陥に対応するミクロ真欠陥コ
ードとして抽出する。Further, (K) a micro defect candidate extraction category code that does not match the reference category code of the normal termination 2f, that is, a micro defect candidate extraction category code of the disconnection 2e is extracted as a micro true defect code corresponding to an unacceptable true defect. To do.
【0186】また、(K)正常終端2fの基準カテゴリ
コードと一致するミクロ欠陥候補抽出カテゴリコード、
すなわち正常終端2fのミクロ欠陥候補抽出カテゴリコ
ードを抽出しない。Further, (K) a micro defect candidate extraction category code that matches the reference category code of the normal termination 2f,
That is, the micro defect candidate extraction category code of the normal terminal 2f is not extracted.
【0187】そして、上記ミクロ真欠陥コードは、ミク
ロ欠陥情報として欠陥情報出力手段7に供給される。Then, the micro true defect code is supplied to the defect information output means 7 as micro defect information.
【0188】さらに、欠陥情報出力手段7は、断線2e
のミクロ真欠陥コードに対応するミクロ欠陥情報を出力
し、正常終端2fに基づくミクロ許容欠陥の情報を出力
しない。Further, the defect information output means 7 has a disconnection 2e.
The micro defect information corresponding to the micro true defect code is output, and the information of the micro permissible defect based on the normal termination 2f is not output.
【0189】次に、上記第4実施例の変形例を図8を参
照して説明する。Next, a modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG.
【0190】この変形例では、ミクロ欠陥候補抽出手段
23からミクロ欠陥候補抽出コードとして抽出されたパ
ターンの形状を判断する。In this modification, the shape of the pattern extracted as the micro defect candidate extraction code from the micro defect candidate extracting means 23 is determined.
【0191】例えば、(K)正常終端をミクロ欠陥候補
抽出コードとして抽出したとき、パターンの幅の太さ、
および、パターンの長さが異なった場合においても、検
出される位置は、パターンの太さ方向X1によって変化
しない。For example, (K) when the normal end is extracted as a micro defect candidate extraction code, the width of the pattern width,
Further, even when the patterns have different lengths, the detected position does not change in the thickness direction X1 of the pattern.
【0192】詳しくは、図8の検査パターン2Aに示す
ように、太線a、細線b、2重線c、破線dの各パター
ンは、太さおよび長さを異にするが、太線e、細線f、
2重線g、破線hの各検出される位置は、パターンの太
さ方向X1によって変化しない。More specifically, as shown in the inspection pattern 2A in FIG. 8, the thick line a, the thin line b, the double line c, and the broken line d have different thicknesses and lengths, but the thick line e and the thin line are different from each other. f,
The detected positions of the double line g and the broken line h do not change depending on the thickness direction X1 of the pattern.
【0193】このため、比較するCADパターン102
Aと正確に位置合わせが行われていれば、CADパター
ン102Aにおいて比較するカテゴリコードを検索する
領域をパターンの長さ方向X2に対してのみ限定するこ
とができる。Therefore, the CAD pattern 102 to be compared
If the position is accurately aligned with A, the area for searching the category code to be compared in the CAD pattern 102A can be limited only in the length direction X2 of the pattern.
【0194】次に、本発明の第5実施例を図9を参照し
て説明する。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0195】この第5実施例では、第4実施例と同じミ
クロ欠陥1次手段20と、第2のミクロ欠陥2次処理と
なるミクロ欠陥2次処理30とよりなり、銅残2aの検
出を防止する。This fifth embodiment comprises the same microdefect primary means 20 as in the fourth embodiment and a microdefect secondary treatment 30 which is a second microdefect secondary treatment, and detects the copper residue 2a. To prevent.
【0196】ミクロ欠陥1次処理手段20は、銅残2
a、断線2bおよび欠け(ミクロ)2cの各欠陥候補抽
出カテゴリコードを抽出し、欠け(マクロ)2dを抽出
しない。The microdefects primary treatment means 20 is composed of copper residue 2
The defect candidate extraction category codes of a, disconnection 2b, and chip (micro) 2c are extracted, and chip (macro) 2d is not extracted.
【0197】ミクロ欠陥2次処理手段30は、上位カテ
ゴリ変換手段31と欠陥判定手段32とで構成される。The microdefect secondary processing means 30 is composed of an upper category conversion means 31 and a defect judgment means 32.
【0198】上位カテゴリ変換手段31は、図10に示
すように、カテゴリ分布記憶部31aとカテゴリ探索部
31bと登録ルール記憶部31cと上位カテゴリ出力部
31dとで構成される。As shown in FIG. 10, the higher category conversion means 31 is composed of a category distribution storage section 31a, a category search section 31b, a registration rule storage section 31c and a higher category output section 31d.
【0199】カテゴリ分布記憶部31aは、ミクロ欠陥
候補抽出手段23でミクロ欠陥候補抽出コードが抽出さ
れたことを示す抽出信号が入力されたことを条件とし
て、検査カテゴリコード化手段22から供給される検査
カテゴリコードを検査カテゴリコードの分布として格納
する。The category distribution storage unit 31a is supplied from the inspection category coding unit 22 on condition that an extraction signal indicating that the micro defect candidate extraction code has been extracted by the micro defect candidate extraction unit 23 has been input. The inspection category code is stored as the distribution of the inspection category code.
【0200】カテゴリ探索部31bは、ミクロ欠陥候補
抽出コードと検査カテゴリコードの分布とがCPUに供
給されると、ミクロ欠陥候補抽出コードを中心とする検
査カテゴリコードの分布中における対象となる特定のカ
テゴリを予め定められたルールに基づいて探索する。When the micro-defect candidate extraction code and the distribution of the inspection category code are supplied to the CPU, the category searching unit 31b determines a specific target object in the distribution of the inspection category code centered on the micro-defect candidate extraction code. Search categories according to predetermined rules.
【0201】登録ルール記憶部31cは、ミクロ欠陥候
補抽出コードと対象となるカテゴリの関係を分類し、こ
の分類に対応したパターン形状を示す各種上位カテゴリ
を格納する。The registration rule storage unit 31c classifies the relationship between the micro defect candidate extraction code and the target category, and stores various upper categories indicating the pattern shapes corresponding to this class.
【0202】上位カテゴリ出力部31dは、探索された
特定のカテゴリとミクロ欠陥候補抽出コードとの関係を
演算し、この関係に基づいて登録ルール記憶部31cに
格納された複数の上位カテゴリから該当する上位カテゴ
リを読み出して、欠陥判定手段32に供給する。The upper category output unit 31d calculates the relationship between the searched specific category and the micro defect candidate extraction code, and applies from the plurality of upper categories stored in the registration rule storage unit 31c based on this relationship. The upper category is read out and supplied to the defect determination means 32.
【0203】特定カテゴリBとミクロ欠陥候補抽出コー
ドAとの関係に対応する上位カテゴリは、図11(A)
〜(G)に一例として示すものがある。The upper category corresponding to the relationship between the specific category B and the micro defect candidate extraction code A is shown in FIG.
There is one shown in (G) as an example.
【0204】図11(A)において、ミクロ欠陥候補抽
出コードAから一定距離以内に対象となる特定のカテゴ
リBが存在する場合には、上位カテゴリN1とする(ル
ール)。In FIG. 11 (A), when the target specific category B exists within a certain distance from the micro defect candidate extraction code A, it is set as the higher category N1 (rule).
【0205】図11(B)において、ミクロ欠陥候補抽
出コードAからパターン二値化像1aが連続して一定距
離以内に対象となる特定のカテゴリBが存在する場合に
は、上位カテゴリN2とする(ルール)。In FIG. 11B, when the pattern binarized image 1a is continuously present within a certain distance from the micro defect candidate extraction code A, the target specific category B exists, it is set as the upper category N2. (rule).
【0206】図11(C)において、ミクロ欠陥候補抽
出コードAに対して特定の方向(特定角度の仰角の範囲
内)かつ一定距離以内に対象となる特定のカテゴリBが
存在する場合には、上位カテゴリN3とする(ルール
)。In FIG. 11C, in the case where the target specific category B exists in a specific direction (within the range of the elevation angle of the specific angle) and within a certain distance with respect to the micro defect candidate extraction code A, Upper category N3 (rule).
【0207】図11(D)において、ミクロ欠陥候補抽
出コードAに対して一定距離以内に対象となる特定のカ
テゴリBが特定方向であれば上位カテゴリN4とする
(ルール)。In FIG. 11D, if the specific category B of interest within a certain distance from the micro defect candidate extraction code A is the specific direction, it is set as the upper category N4 (rule).
【0208】図11(E)において、ミクロ欠陥候補抽
出コードAからn画素の一定範囲内の距離に対象となる
特定のカテゴリBおよび他の特定カテゴリCが存在する
場合には、上位カテゴリN5とする(ルール)。In FIG. 11 (E), when the target specific category B and the other specific category C exist at a distance within a fixed range of n pixels from the micro defect candidate extraction code A, the higher category N5 is set. Yes (rule).
【0209】図11(F)において、ミクロ欠陥候補抽
出コードAに対して一定距離以内に対象となる特定のカ
テゴリBが存在する場合には、上位カテゴリN6とする
(ルール)。In FIG. 11 (F), when the target specific category B exists within a certain distance from the micro defect candidate extraction code A, it is set as the upper category N6 (rule).
【0210】ただし、ミクロ欠陥候補抽出コードAに対
するカテゴリBの方向のさらに先にミクロ欠陥候補抽出
コードAが存在する場合には、上位カテゴリN7とす
る。However, if the microdefect candidate extraction code A exists further in the direction of the category B with respect to the microdefect candidate extraction code A, it is set to the higher category N7.
【0211】図11(G)において、ミクロ欠陥候補抽
出コードAが一定の距離以内に所定の個数以上存在する
場合には、上位カテゴリN8とする(ルール)。In FIG. 11 (G), when there are a predetermined number or more of micro defect candidate extraction codes A within a certain distance, it is classified as a higher category N8 (rule).
【0212】図11(A)〜(G)に記載し定義される
各ルール〜は、ルールを基本として図12に示す
ように、各要素を追加して構成したものである。さら
に、図12に示す構成以外に、各要素をそれぞれ組み合
わせて、より多くのルールを作成することもできる。Each of the rules defined and described in FIGS. 11A to 11G is based on the rule and is configured by adding each element as shown in FIG. Further, in addition to the configuration shown in FIG. 12, each element can be combined with each other to create more rules.
【0213】図12において、各要素のうち連続性はパ
ターン二値画像1aが連続して延在している場合、参照
方向はミクロ欠陥候補抽出コードAに対する対象となる
特定のカテゴリBの方向、コード方向は参照するコード
の特定の方向性、複数カテゴリ参照は対象となる特定の
カテゴリB,Cが複数、延長は対象となる特定のカテゴ
リBより先にさらにミクロ欠陥候補抽出コードAが存
在、同種カテゴリが複数個は一定範囲内にミクロ欠陥候
補抽出コードAが複数存在するという各々の要素を示
す。In FIG. 12, in the continuity among the respective elements, when the pattern binary image 1a continuously extends, the reference direction is the direction of the specific category B to be the target for the micro defect candidate extraction code A, The code direction is a specific direction of the code to be referred to, a plurality of category references are a plurality of target specific categories B and C, and the extension is a micro defect candidate extraction code A prior to the target specific category B. A plurality of the same category indicates each element that a plurality of micro defect candidate extraction codes A exist within a certain range.
【0214】上記カテゴリ探索部31bは図13(A)
〜(C)にそれぞれ示すように、16方向の放射状走査
(図13(A))、四角領域走査(図13(B))、円
領域走査(図13(C))等により、一定距離内、例え
ば中心から20画素程度の範囲において対象となる特定
のカテゴリB、Cが存在するか否かを探索する。The category searching unit 31b is shown in FIG.
As shown in each of FIGS. 13A to 13C, within a certain distance by radial scanning in 16 directions (FIG. 13A), rectangular area scanning (FIG. 13B), circular area scanning (FIG. 13C), and the like. For example, it is searched whether or not the target specific categories B and C exist within a range of about 20 pixels from the center.
【0215】この探索された特定のカテゴリB,Cと抽
出されたミクロ欠陥候補抽出コードAとの関係に対応す
る登録ルール記憶部31cに格納された上位カテゴリN
1〜N8を登録ルール参照回路の制御の下に読み出され
て、上位カテゴリN1〜N8を上位カテゴリ出力部31
dから欠陥判定手段32に供給される。[0215] The upper category N stored in the registration rule storage unit 31c corresponding to the relationship between the searched specific categories B and C and the extracted micro defect candidate extraction code A.
1 to N8 are read out under the control of the registration rule reference circuit, and the upper categories N1 to N8 are output to the upper category output unit 31.
It is supplied to the defect determination means 32 from d.
【0216】この欠陥判定手段32は、上位カテゴリN
1〜N8に基づいて検査パターン2の良否を判断する。This defect judging means 32 is of the upper category N.
The quality of the inspection pattern 2 is determined based on 1 to N8.
【0217】すなわち、欠陥判定手段32は、銅残2
a、断線2bおよび欠け(ミクロ)2cに対応する各上
位カテゴリコードに基づいて検査パターン2の良否を判
断し、許容できない真欠陥に対応するミクロ真欠陥コー
ドとして、断線2bおよび欠け(ミクロ)2cを抽出
し、銅残2aを抽出しない。That is, the defect determining means 32 uses the copper residue 2
The quality of the inspection pattern 2 is judged based on the respective upper category codes corresponding to a, the disconnection 2b and the chip (micro) 2c, and the disconnection 2b and the chip 2c are provided as the micro true defect code corresponding to the unacceptable true defect. Is extracted and the copper residue 2a is not extracted.
【0218】そして、ミクロ真欠陥コードは、ミクロ欠
陥情報として欠陥情報出力手段7に供給される。[0218] Then, the micro true defect code is supplied to the defect information output means 7 as micro defect information.
【0219】さらに、欠陥情報出力手段7は、断線2b
および欠け(ミクロ)2cの各ミクロ真欠陥コードに対
応するミクロ欠陥情報を出力し、銅残2aの検出を防止
する。Further, the defect information output means 7 has a disconnection 2b.
And micro defect information corresponding to each micro true defect code of the chip (micro) 2c is output to prevent the detection of the copper residue 2a.
【0220】次に、本発明の第6実施例を図10を参照
して説明する。Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0221】この第6実施例では、第4実施例と同じミ
クロ欠陥1次処理手段20と、第2のミクロ欠陥2次処
理手段となるミクロ欠陥2次処理手段40とよりなり、
銅残2aの検出を防止するものである。The sixth embodiment comprises the same micro-defect primary processing means 20 as in the fourth embodiment and a micro-defect secondary processing means 40 serving as a second micro-defect secondary processing means.
It is intended to prevent detection of the copper residue 2a.
【0222】ミクロ欠陥1次処理手段20は、銅残2
a、断線2bおよび欠け(ミクロ)2cの各ミクロ欠陥
候補抽出コードを抽出し、欠け(マクロ)2dを抽出し
ない。The microdefects primary treatment means 20 is used for the copper residue 2
The micro defect candidate extraction codes of a, disconnection 2b, and chip (micro) 2c are extracted, and chip (macro) 2d is not extracted.
【0223】ミクロ欠陥2次処理手段40は、放射状カ
テゴリ検出手段41とニューラルネットワーク42と欠
陥判定手段43とで構成される。The micro defect secondary processing means 40 is composed of a radial category detecting means 41, a neural network 42 and a defect judging means 43.
【0224】放射状カテゴリ検出手段41は、図15
(A)に示すように、カテゴリ分布メモリ41aとカテ
ゴリ探索部41bと正規化回路41cとで構成される。The radial category detecting means 41 is shown in FIG.
As shown in (A), it comprises a category distribution memory 41a, a category search unit 41b, and a normalization circuit 41c.
【0225】ミクロ欠陥候補抽出手段23がミクロ欠陥
候補抽出コードを抽出してカテゴリ探索部41bに供給
すると共に、検査カテゴリコード化手段22からの検査
カテゴリコードが順次カテゴリ分布メモリ41aに格納
される。The micro defect candidate extraction means 23 extracts the micro defect candidate extraction code and supplies it to the category searching section 41b, and the inspection category codes from the inspection category coding means 22 are sequentially stored in the category distribution memory 41a.
【0226】カテゴリ探索部41bは、抽出されたミク
ロ欠陥候補抽出コードを中心として、カテゴリ分布メモ
リ41aに格納された複数の検査カテゴリコードの中か
ら図15(B)に示すように、8方向の放射状の線上に
おいて検査カテゴリコードを探索する。The category searching unit 41b selects from among the plurality of inspection category codes stored in the category distribution memory 41a centering on the extracted micro defect candidate extraction code, as shown in FIG. Search for inspection category codes on radial lines.
【0227】このカテゴリコードの探索は、カテゴリ分
布メモリ41aの中から中心となるミクロ欠陥候補抽出
コードと異なる対象となる特定カテゴリコードを検出し
たとき、そのカテゴリコードを用いる。This category code search is performed when a specific category code which is a target different from the central micro defect candidate extraction code is detected from the category distribution memory 41a.
【0228】さらに、不明な画素を検出した場合には、
以後、最初に検出したカテゴリコードを用いる。このよ
うにして、図15(B)中における〜のカテゴリコ
ードを検出できることとなる。Furthermore, when an unknown pixel is detected,
After that, the category code detected first is used. In this way, the category codes of ~ in Fig. 15B can be detected.
【0229】この中心となるミクロ欠陥候補抽出コード
をとして示し、総計で9個のカテゴリコードを探索で
きることとなる。The central micro-defect candidate extraction code is shown as, and a total of 9 category codes can be searched.
【0230】また、カテゴリコードの探索は、図15
(C)に示す如く、ミクロ欠陥候補抽出コードを中心
として放射状に8領域に分割し、この領域内でミクロ欠
陥候補抽出コードに近い方から順次探索する構成とする
こともできる。Further, the search for the category code is performed by referring to FIG.
As shown in (C), the micro defect candidate extraction code may be radially divided into eight areas, and the area may be sequentially searched from the area closer to the micro defect candidate extraction code.
【0231】このように探索された各カテゴリコードが
検出され、各カテゴリコードが分布の回転、表裏反転に
関して、正規化回路41cがデータの処理方法を整理・
調整して正規化したカテゴリコードをニューラルネット
ワーク42に供給する。The respective category codes searched in this way are detected, and the normalization circuit 41c sorts out the data processing method regarding the rotation of the distribution and the inversion of the front and back of each category code.
The adjusted and normalized category code is supplied to the neural network 42.
【0232】ニューラルネットワーク42は、順次供給
される各カテゴリコードを階層型のネットワーク構造と
して処理する。このことにより、上位カテゴリコードを
演算して欠陥判定手段43に供給する。The neural network 42 processes the sequentially supplied category codes as a hierarchical network structure. As a result, the upper category code is calculated and supplied to the defect determining means 43.
【0233】この上位カテゴリコードの演算は、3層の
バックプロパゲーション型とする階層形式のネットワー
ク構造で処理される。The operation of this upper category code is processed by a three-layer back propagation type hierarchical network structure.
【0234】すなわち、欠陥判定手段43は、上位カテ
ゴリコードに基づいて、許容できない真欠陥に対応する
断線2bおよび欠け(ミクロ)2cの各真欠陥コードを
判定して抽出し、銅残2aを抽出しない。That is, the defect judging means 43 judges and extracts each true defect code of the disconnection 2b and the chip (micro) 2c corresponding to the unacceptable true defect based on the upper category code, and extracts the copper residue 2a. do not do.
【0235】そして、ミクロ真欠陥コードは、ミクロ欠
陥情報として欠陥情報出力手段7に出力される。The micro true defect code is output to the defect information output means 7 as micro defect information.
【0236】さらに、欠陥情報出力手段7は、断線2b
および欠け(ミクロ)2cの各ミクロ真欠陥コードに対
応するミクロ欠陥情報を出力し、銅残2aの情報を出力
しない。Further, the defect information output means 7 has a disconnection 2b.
And the micro defect information corresponding to each micro true defect code of the chip (micro) 2c is output, and the information of the copper residual 2a is not output.
【0237】なお、図16(A)、(B)のような変形
例とすることもできる。図16(A)は、欠陥候補カテ
ゴリ1〜9までのそれぞれを中心として複数のカテゴ
リ分布からカテゴリを探索し、このそれぞれ探索された
カテゴリに基づいてニューラルネットワークが上位カテ
ゴリコードを演算出力する構成とすることもできる。図
16(B)は、複数のニューラルネットワーク101〜
10nを並列に設け、この各々のニューラルネットワー
ク101〜10nがそれぞれ供給される複数のカテゴリに
基づいて上記カテゴリを演算して上位ニューラルネット
ワークに供給される。この上位ニューラルネットワーク
が、最上位カテゴリを演算する構成とすることもでき
る。Note that a modified example such as shown in FIGS. 16A and 16B can also be adopted. FIG. 16 (A) shows a configuration in which a category is searched from a plurality of category distributions centering on each of defect candidate categories 1 to 9, and a neural network calculates and outputs a higher category code based on each searched category. You can also do it. FIG. 16B shows a plurality of neural networks 101-.
10n are provided in parallel, the above-mentioned categories are calculated based on a plurality of categories to which the respective neural networks 101 to 10n are respectively supplied, and are supplied to the higher order neural network. The upper neural network may be configured to calculate the highest category.
【0238】次に、図17の本発明の第7実施例を説明
する。Next, a seventh embodiment of the present invention shown in FIG. 17 will be described.
【0239】この第7実施例に係るパターン検査装置
は、第2の実施例のマクロ欠陥2次処理手段110の具
体例であり、検査パターン2Bから許容できるサイズ大
の銅残2gの検出を防止するものである。The pattern inspection apparatus according to the seventh embodiment is a specific example of the macro-defect secondary processing means 110 of the second embodiment, and prevents detection of the copper residue 2g having an allowable size from the inspection pattern 2B. To do.
【0240】すなわち、サイズ大の銅残2gは、導体の
近傍に存在するものの、実際上の害はなく、検出する必
要の無い欠陥である。That is, the copper residue 2 g having a large size is a defect which is present in the vicinity of the conductor but has no practical harm and does not need to be detected.
【0241】本当に検出しなければならない欠陥は、サ
イズ大の銅残2gのように導体間(または空隙間)に存
在し、短絡(または断線)を発生させる可能性のある銅
残(またはピンホール)である。Defects that must be really detected are copper residues (or pinholes) that exist between conductors (or voids) and may cause a short circuit (or disconnection), such as a large copper residue 2 g. ).
【0242】マクロ欠陥1次処理手段108は、位置合
わせ手段104と差分パターン抽出手段105と差分パ
ターン測長手段106とマクロ欠陥候補抽出手段109
とよりなる。The macro defect primary processing means 108 includes the alignment means 104, the difference pattern extracting means 105, the difference pattern length measuring means 106, and the macro defect candidate extracting means 109.
And consists of.
【0243】詳しくは、図18に示すように、マクロ欠
陥1次処理手段108の位置合わせ手段104は、CA
Dパターン102Bと検査パターン2Bとの位置合わせ
を行う。More specifically, as shown in FIG. 18, the alignment means 104 of the macro defect primary processing means 108 uses the CA
The D pattern 102B and the inspection pattern 2B are aligned.
【0244】差分パターン抽出手段105は、差分パタ
ーン118を抽出する。差分パターン測長手段106
は、差分パターン118を測長する。The difference pattern extraction means 105 extracts the difference pattern 118. Difference pattern length measuring means 106
Measures the difference pattern 118.
【0245】マクロ欠陥候補抽出手段109は、差分パ
ターン測長手段106で測長された測長値を上記許容最
小値Wと比較して、該許容最小値W以上の領域を差分測
長パターン119として抽出する。The macro defect candidate extraction means 109 compares the length measurement value measured by the difference pattern length measurement means 106 with the above-mentioned allowable minimum value W, and the difference measurement pattern 119 for the area above the allowable minimum value W. To extract.
【0246】この結果、サイズ大の銅残2gのマクロ欠
陥候補抽出領域となる画素120およびサイズ大の銅残
hのマクロ欠陥候補抽出領域となる画素121が差分測
長パターン119に抽出される。As a result, the pixel 120 which becomes the macro defect candidate extraction region of the large size copper residue 2g and the pixel 121 which becomes the macro defect candidate extraction region of the large size copper residue h are extracted to the difference length measurement pattern 119.
【0247】マクロ欠陥2次処理手段110は、致命領
域パターン作成手段111と致命領域パターン参照手段
112とで構成される。The macro defect secondary processing means 110 is composed of a fatal area pattern forming means 111 and a fatal area pattern reference means 112.
【0248】致命領域パターン作成手段111は、CA
Dパターン102Bに基づき、欠陥を許容できない致命
領域116、117が含まれる致命領域パターン115
を作成する。The critical area pattern creating means 111 uses the CA
Based on the D pattern 102B, the fatal area pattern 115 including the fatal areas 116 and 117 in which defects cannot be tolerated.
To create.
【0249】この致命領域116、117は、CADパ
ターン102Bの直線リード113の周縁113a,1
13aから外方向および内方向のそれぞれに、一定の幅
d1で設けられる。また、ランド114の周縁114a
から外方向および内方向のそれぞれに、一定の幅d1で
設けられる。The critical areas 116 and 117 are the peripheral edges 113a and 1 of the linear lead 113 of the CAD pattern 102B.
It is provided with a constant width d1 in each of the outward direction and the inward direction from 13a. In addition, the peripheral edge 114a of the land 114
Is provided with a constant width d1 in each of the outward direction and the inward direction.
【0250】なお、一定の幅d1は、上記外方向と上記
内方向とでそれぞれ異なった値でもよい。The constant width d1 may have different values in the outer direction and the inner direction.
【0251】致命領域パターン参照手段112は、マク
ロ欠陥抽出領域として抽出された画素120、121に
ついて、対応する位置の致命領域パターン115を参照
する。The critical area pattern reference means 112 refers to the critical area pattern 115 at the corresponding position for the pixels 120 and 121 extracted as the macro defect extraction area.
【0252】画素121は致命領域116に対応するの
で、マクロ真欠陥領域として抽出し、画素120は致命
領域116、117に対応しないので抽出しない。Since the pixel 121 corresponds to the critical area 116, it is extracted as a macro true defect area, and the pixel 120 does not correspond to the critical areas 116 and 117, so it is not extracted.
【0253】このため、許容できる許容欠陥となる銅残
2gの検出を防止することができる。すなわち、欠陥の
過剰な検出を減少することができる。For this reason, it is possible to prevent the detection of the copper residue 2 g which is an allowable defect which can be accepted. That is, excessive detection of defects can be reduced.
【0254】そして、銅残2hに対応するマクロ真欠陥
領域は、マクロ欠陥情報として欠陥情報出力手段7に出
力される。Then, the macro true defect area corresponding to the remaining copper 2h is output to the defect information output means 7 as macro defect information.
【0255】したがって、欠陥情報出力手段7は、銅残
2hに対応するマクロ欠陥情報を出力し、許容できる許
容欠陥となる銅残2gの検出を防止することができる。Therefore, the defect information output means 7 can output the macro defect information corresponding to the copper residue 2h and prevent the detection of the copper residue 2g which is an allowable allowable defect.
【0256】また、致命領域116、117が含まれる
ので、欠陥形状または位置合わせによる欠陥検出性能が
変化しない。Further, since the critical areas 116 and 117 are included, the defect detection performance due to the defect shape or alignment does not change.
【0257】次に、図19の本発明の第8実施例を説明
する。Next, an eighth embodiment of the present invention shown in FIG. 19 will be described.
【0258】この第8実施例に係るパターン検査装置
は、第2の実施例のマクロ欠陥2次処理手段110の具
体例であり、検査パターン2Cから許容できるサイズ大
の銅残2g、2iの検出を防止するものである。The pattern inspection apparatus according to the eighth embodiment is a specific example of the macro-defect secondary processing means 110 of the second embodiment, and detects copper residues 2g and 2i of an acceptable size from the inspection pattern 2C. Is to prevent.
【0259】すなわち、銅残2g、2iは、導体の近傍
に存在するものの、実際上の害はなく、検出する必要の
無い欠陥である。That is, the copper residues 2g and 2i are defects which are present in the vicinity of the conductor but have no practical harm and do not need to be detected.
【0260】本当に検出しなければならない欠陥は、銅
残2gのように導体間に存在し、短絡を発生させる可能
性のある銅残である。または、ピンホール2jのように
導体内に存在し、断線を発生させる可能性のあるピンホ
ールである。The defect that should be really detected is the copper residue that exists between the conductors like the copper residue 2g and may cause a short circuit. Alternatively, the pinhole exists in the conductor like the pinhole 2j and may cause disconnection.
【0261】マクロ欠陥1次処理手段108は、位置合
わせ手段104と差分パターン抽出手段105と差分パ
ターン測長手段106とマクロ欠陥候補抽出手段109
とで構成される。The macro defect primary processing means 108 includes the alignment means 104, the difference pattern extracting means 105, the difference pattern length measuring means 106, and the macro defect candidate extracting means 109.
Composed of and.
【0262】詳しくは、図20に示すように、位置合わ
せ手段104は、CADパターン102Bと検査パター
ン2Cとの位置合わせを行う。More specifically, as shown in FIG. 20, the alignment means 104 aligns the CAD pattern 102B with the inspection pattern 2C.
【0263】差分パターン抽出手段105は、差分パタ
ーン140を抽出する。差分パターン測長手段106
は、差分パターン140を測長する。The difference pattern extraction means 105 extracts the difference pattern 140. Difference pattern length measuring means 106
Measures the difference pattern 140.
【0264】マクロ欠陥候補抽出手段109は、差分パ
ターン測長手段106で測長された測長値を上記許容最
小値Wと比較して、該許容最小値W以上の領域を差分測
長パターン141として抽出する。The macro defect candidate extraction means 109 compares the length measurement value measured by the difference pattern length measurement means 106 with the above-mentioned allowable minimum value W, and determines the area of the allowable minimum value W or more as the difference measurement pattern 141. To extract.
【0265】この結果、銅残2gのマクロ欠陥候補抽出
領域となる画素142と、銅残hのマクロ欠陥候補抽出
領域となる画素143と、銅残iのマクロ欠陥候補抽出
領域となる画素144と、ピンホール2jのマクロ欠陥
候補抽出領域となる画素145と、が差分測長パターン
141に抽出される。As a result, a pixel 142 serving as a macro defect candidate extraction area with a copper residue of 2 g, a pixel 143 serving as a macro defect candidate extraction area of a copper residue h, and a pixel 144 serving as a macro defect candidate extraction area of a copper residue i. , The pixel 145 that is the macro defect candidate extraction region of the pinhole 2j is extracted in the differential length measurement pattern 141.
【0266】マクロ欠陥2次処理手段130は、ラジア
ル測長132を含む致命領域パターン作成131と致命
領域パターン参照136を行う。The macro defect secondary processing means 130 carries out a fatal area pattern creation 131 including a radial length measurement 132 and a fatal area pattern reference 136.
【0267】致命領域パターン作成手段131は、CA
Dパターン102Bの直線リード113とランド114
とのパターン間隔を、ラジアル測長手段132によりラ
ジアル測長し、このパターン間隔が、予め、定められた
値よりも小さい領域を第1の領域134として抽出す
る。The critical area pattern creating means 131 uses the CA
Straight lead 113 and land 114 of D pattern 102B
Radial length measurement is performed by the radial length measuring unit 132 to extract a pattern interval between and, and a region where the pattern interval is smaller than a predetermined value is extracted as the first region 134.
【0268】また、CADパターン132の直線リード
113の幅およびランド114の径のパターン幅を、ラ
ジアル測長手段132によりラジアル測長し、このパタ
ーン幅が、予め、定められた値よりも小さい領域を第2
の領域135、135として抽出する。Further, the width of the linear lead 113 of the CAD pattern 132 and the pattern width of the diameter of the land 114 are radially measured by the radial length measuring means 132, and the pattern width is smaller than a predetermined value. The second
Areas 135, 135 of
【0269】さらに、上記第1の領域134および上記
第2の領域135、135のうちの少なくともいずれか
一方を算出する。Further, at least one of the first area 134 and the second areas 135, 135 is calculated.
【0270】なお、ラジアル測長手段132が用いられ
ているので、第1の領域134および第2の領域13
5、135を同時に得ることができる。Since the radial length measuring means 132 is used, the first area 134 and the second area 13 are used.
5,135 can be obtained at the same time.
【0271】致命領域パターン参照手段136は、マク
ロ欠陥抽出領域として抽出された画素142、143、
144、145について、対応する位置の致命領域パタ
ーン133を参照する。The fatal area pattern reference unit 136 uses the pixels 142, 143 extracted as the macro defect extraction area,
For the 144 and 145, the fatal area pattern 133 at the corresponding position is referred to.
【0272】画素142は第1の領域134および第2
の領域135、135に対応しないので、マクロ真欠陥
領域として抽出しない。The pixel 142 includes a first region 134 and a second region 134.
The areas 135 and 135 of No. 1 are not extracted as macro true defect areas.
【0273】また、画素143は第1の領域134に対
応するので、マクロ真欠陥領域として抽出する。Since the pixel 143 corresponds to the first area 134, it is extracted as a macro true defect area.
【0274】また、画素144は第1の領域134およ
び第2の領域135、135に対応しないので、マクロ
真欠陥領域として抽出しない。Since the pixel 144 does not correspond to the first area 134 and the second areas 135, 135, it is not extracted as a macro true defect area.
【0275】また、画素145は第2の領域135に対
応するので、マクロ真欠陥領域として抽出する。Since the pixel 145 corresponds to the second area 135, it is extracted as a macro true defect area.
【0276】このため、許容できる許容欠陥となる銅残
2g,2iの検出を防止することができる。すなわち、
欠陥の過剰な検出を減少することができる。Therefore, it is possible to prevent the detection of the copper residues 2g and 2i, which are tolerable defects. That is,
Excessive detection of defects can be reduced.
【0277】そして、銅残2h、ピンホール2jに対応
する各マクロ真欠陥領域は、マクロ欠陥情報として欠陥
情報出力手段8に供給される。Then, each macro true defect area corresponding to the copper residue 2h and the pinhole 2j is supplied to the defect information output means 8 as macro defect information.
【0278】したがって、欠陥情報出力手段7は、銅残
2h、ピンホール2jに対応する各マクロ欠陥情報を出
力し、許容できる許容欠陥となる銅残2g,2iの検出
を防止することができる。Therefore, the defect information output means 7 can output each macro defect information corresponding to the copper residual 2h and the pinhole 2j, and prevent the detection of the copper residuals 2g and 2i which are the allowable defects.
【0279】また、第1の領域134および第2の領域
135、135が含まれるので、欠陥形状または位置合
わせによる欠陥検出性能が変化しない。Further, since the first area 134 and the second areas 135, 135 are included, the defect detection performance due to the defect shape or alignment does not change.
【0280】[0280]
【発明の効果】上述の如く、請求項1の発明によれば、
ミクロ欠陥検出工程とマクロ欠陥検出工程とを含む構成
としたので、ミクロ欠陥検出工程では、予め設定された
所定の基準サイズに応じて、該基準サイズよりサイズの
小さな欠陥を検出し、マクロ欠陥検出工程では、上記基
準サイズ以上のサイズの欠陥を検出するため、予め設定
された所定の基準サイズよりサイズの小さな欠陥、およ
び、このサイズの小さな欠陥よりサイズの大きな欠陥の
両方を確実に検出することができ、上記基準サイズを、
上記被検査物の基準パターン中に存在する最も細いパタ
ーンの許容最小値としたので、上記許容最小値よりサイ
ズの小さな欠陥を検出し、サイズの小さな欠陥よりサイ
ズの大きな欠陥を検出ため、許容最小値よりサイズの小
さな欠陥、および、許容最小値以上のサイズの欠陥の両
方を確実に検出することができ、ミクロ欠陥検出工程で
は、上記被検査物の検査パターンの画像データを画素の
連続性に基づいてコード化して検査コードを生成し、予
め登録された欠陥パターンの欠陥コードと上記検査コー
ドとを比較して、上記基準サイズよりサイズの小さな欠
陥に対応する欠陥コードと一致する検査コードを欠陥抽
出コードとして抽出して欠陥を検出するため、予め設定
された所定の基準サイズよりサイズの小さな欠陥を確実
に検出することができ、ミクロ欠陥検出工程を、第1の
ミクロ欠陥1次処理工程と第1のミクロ欠陥2次処理工
程とで構成したので、第1のミクロ欠陥1次処理工程で
は、上記被検査物の検査パターンの画像データを画素の
連続性に基づいてコード化して検査コードを生成し、予
め登録された欠陥パターンの欠陥コードと上記検査コー
ドとを比較して、上記基準サイズよりサイズの小さな欠
陥に対応する欠陥コードと一致する検査コードを欠陥候
補抽出コードとして抽出し、第1のミクロ欠陥2次処理
工程では、上記検査パターンに対応する位置の上記基準
パターンの画像データを画素の連続性に基づいてコード
化して基準コードを生成し、上記位置を基準に所定の範
囲内における全ての基準コードと上記欠陥候補抽出コー
ドとを比較して、該基準コードと一致しない欠陥候補抽
出コードを、許容できない真欠陥に対応する真欠陥コー
ドとして抽出して欠陥を検出する。このため、許容でき
るミクロ許容欠陥の検出を防止することができる。 As described above, according to the invention of claim 1,
Since the configuration includes the micro defect detection step and the macro defect detection step, in the micro defect detection step, a defect having a size smaller than the reference size is detected according to a predetermined reference size set in advance, and the macro defect detection is performed. In the process, in order to detect defects of the size above the standard size , preset
Defects smaller than the specified standard size, and
Larger defects than smaller defects of this size
Both can be detected reliably, the above reference size,
The thinnest pattern present in the reference pattern of the object to be inspected
Since the minimum allowable value of the
Defects that are smaller in size and smaller than smaller defects.
Size is smaller than the allowable minimum value to detect large defects.
Both small defects and defects that are larger than the minimum allowable size
Can be reliably detected in the micro defect detection process.
Is the pixel of the image data of the inspection pattern of the inspection object.
Generate inspection code by coding based on continuity
The defect code of the registered defect pattern and the inspection code
Compared to the standard size,
The inspection code that matches the defect code that corresponds to the
Set in advance to detect defects by extracting as outgoing code
Ensures defects smaller than the specified standard size
The micro-defect detection process, which can detect
Micro defect primary treatment process and first micro defect secondary treatment process
Since it was composed of the following, in the first micro defect primary treatment process
Is the pixel of the image data of the inspection pattern of the inspection object.
Generate inspection code by coding based on continuity
The defect code of the registered defect pattern and the inspection code
Compared to the standard size,
Check the inspection code that matches the defect code
Extracted as a complementary extraction code, and the first micro defect secondary processing
In the process, the reference of the position corresponding to the inspection pattern
Code image data of pattern based on pixel continuity
Generate a reference code, and based on the above position,
All the reference codes in the circle and the above defect candidate extraction code
And the defect candidate extraction that does not match the reference code.
The output code is a true defect code that corresponds to an unacceptable true defect.
And the defect is detected. Therefore, acceptable
It is possible to prevent the detection of a micro allowable defect.
【0281】[0281]
【0282】[0282]
【0283】[0283]
【0284】[0284]
【0285】[0285]
【0286】[0286]
【0287】[0287]
【0288】[0288]
【0289】[0289]
【0290】[0290]
【0291】また、請求項2の発明によれば、ミクロ欠
陥検出工程を、第2のミクロ欠陥1次処理工程と第2の
ミクロ欠陥2次処理工程とで構成したので、第2のミク
ロ欠陥1次処理工程では、上記被検査物の検査パターン
の画像データを画素の連続性に基づいてコード化して検
査コードを生成し、各種コードに対応したパターン形状
の種類を示すカテゴリコードを上記検査コードに基づい
て検索して検査カテゴリコードを得、予め登録された欠
陥パターンのカテゴリコードと上記検査カテゴリコード
を比較して、上記基準サイズよりサイズの小さな欠陥に
対応するカテゴリコードと一致する検査カテゴリコード
を欠陥候補抽出コードとして抽出する。According to the second aspect of the invention, since the microdefect detection step is composed of the second microdefect primary treatment step and the second microdefect secondary treatment step, the second microdefect In the primary processing step, the image data of the inspection pattern of the inspection object is coded based on the continuity of pixels to generate an inspection code, and the category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code is added to the inspection code. To obtain the inspection category code, compare the category code of the defect pattern registered in advance with the inspection category code, and the inspection category code that matches the category code corresponding to the defect having a size smaller than the reference size Is extracted as a defect candidate extraction code.
【0292】その第2のミクロ欠陥2次処理工程では、
上記検査パターンに対応する位置の上記基準パターンの
画像データを画素の連続性に基づいてコード化して基準
コードを生成し、各種コードに対応したパターン形状の
種類を示すカテゴリコードを上記基準コードに基づいて
検索して基準カテゴリコードを得、上記位置を基準に所
定の範囲内における全ての上記基準カテゴリコードと上
記欠陥候補抽出カテゴリコードとを比較して、該基準カ
テゴリコードと一致しない欠陥候補抽出カテゴリコード
を、許容できない真欠陥に対応する真欠陥コードとして
抽出して欠陥を検出する。In the second micro defect secondary treatment step,
Image data of the reference pattern at the position corresponding to the inspection pattern is coded based on pixel continuity to generate a reference code, and a category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code is based on the reference code. To obtain a reference category code, compare all the reference category codes in the predetermined range with the above-mentioned position with the defect candidate extraction category code, and detect the defect candidate extraction category that does not match the reference category code. The code is extracted as a true defect code corresponding to an unacceptable true defect to detect the defect.
【0293】このため、許容できるミクロ許容欠陥の検
出を防止することができる。Therefore, it is possible to prevent the detection of an allowable micro allowable defect.
【0294】また、請求項3の発明によれば、第2のミ
クロ欠陥2次処理工程では、上記検査パターンに対応す
る位置の上記基準パターンの画像データを画素の連続性
に基づいてコード化して基準コードを生成し、各種コー
ドに対応したパターン形状の種類を示すカテゴリコード
を上記基準コードに基づいて検索して基準カテゴリコー
ドを得、上記位置および上記パターンの形状の種類に応
じて、限定した範囲内における全てのあるいは一部の上
記基準カテゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコー
ドとを比較して、該基準カテゴリコードと一致しない欠
陥候補抽出カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対
応する真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出する。According to the third aspect of the invention, in the second micro defect secondary processing step, the image data of the reference pattern at the position corresponding to the inspection pattern is coded based on the continuity of the pixels. A reference code is generated, a category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code is searched based on the reference code to obtain a reference category code, and the reference category code is limited according to the position and the type of shape of the pattern. All or some of the reference category codes within the range are compared with the defect candidate extraction category codes, and defect candidate extraction category codes that do not match the reference category code are true defect codes corresponding to unacceptable true defects. To detect the defect.
【0295】このため、許容できるミクロ許容欠陥の検
出を防止することができる。また、検査カテゴリコード
を、上記位置および上記パターンの形状の種類に応じ
て、限定した範囲内における全ての上記基準カテゴリコ
ードと比較したので、限定しない場合より、比較する時
間を短縮することができる。Therefore, it is possible to prevent the detection of an allowable micro allowable defect. Further, since the inspection category code is compared with all the reference category codes in the limited range according to the position and the type of the shape of the pattern, the comparison time can be shortened as compared with the case without limitation. .
【0296】また、請求項4の発明によれば、第2のミ
クロ欠陥2次処理工程では、上記欠陥候補抽出カテゴリ
コードと対象となるカテゴリとの関係を分類し、この分
類に対応したパターン形状の種類を示す各種上位カテゴ
リコードを格納し、上記欠陥候補抽出カテゴリコード
と、該欠陥候補抽出カテゴリコードを中心とする所定領
域内におけるカテゴリ分布中の対象となる特定のカテゴ
リとの関係に基づいて、この関係に対応する上位カテゴ
リコードを選択して出力し、上記上位カテゴリコードに
基づいて、許容できない真欠陥に対応する真欠陥コード
を判定して欠陥を検出する。According to the invention of claim 4 , in the second micro defect secondary processing step, the relationship between the defect candidate extraction category code and the target category is classified, and the pattern shape corresponding to this classification is classified. Based on the relationship between the defect candidate extraction category code and a specific target category in the category distribution within a predetermined area centered on the defect candidate extraction category code. The upper category code corresponding to this relationship is selected and output, and the true defect code corresponding to the unacceptable true defect is determined based on the upper category code to detect the defect.
【0297】このため、許容できるミクロ許容欠陥の検
出を防止することができる。Therefore, it is possible to prevent the detection of an allowable micro allowable defect.
【0298】また、請求項5の発明によれば、第2のミ
クロ欠陥2次処理工程では、上記欠陥候補抽出カテゴリ
コードを中心として、この中心から放射状に分布するカ
テゴリを複数検出し、上記検出された複数のカテゴリを
相互に関係づけて階層型ネットワーク構造のデータとし
て処理することにより、上位カテゴリを出力し、上記上
位カテゴリコードに基づいて、許容できない真欠陥に対
応する真欠陥コードを判定して欠陥を検出する。Further, according to the invention of claim 5 , in the second micro-defect secondary processing step, a plurality of categories radially distributed from the center of the defect candidate extraction category code are detected and the detection is performed. By processing the created multiple categories as data of a hierarchical network structure by relating them to each other, the upper category is output, and the true defect code corresponding to the unacceptable true defect is determined based on the upper category code. Detect defects.
【0299】このため、許容できるミクロ許容欠陥の検
出を防止することができる。Therefore, it is possible to prevent the detection of an allowable micro allowable defect.
【0300】また、請求項6の発明によれば、マクロ欠
陥検出工程では、上記被検査物の検査パターンと基準パ
ターンとの位置合わせを行い、上記位置合わせした上記
被検査物の検査パターンと上記基準パターンとの差分パ
ターンを抽出し、上記差分パターンを測長し、この測長
された測長値を上記基準サイズと比較して、該基準サイ
ズ以上の領域を欠陥抽出領域として抽出して欠陥を検出
する。According to the invention of claim 6 , in the macro defect detecting step, the inspection pattern of the inspection object and the reference pattern are aligned with each other, and the inspection pattern of the aligned inspection object and the inspection pattern of the inspection object are compared with each other. A difference pattern from the reference pattern is extracted, the difference pattern is measured, the measured length value is compared with the reference size, and an area having a size equal to or larger than the reference size is extracted as a defect extraction area to detect a defect. To detect.
【0301】このため、上記基準サイズ以上のサイズの
欠陥を確実に検出することができる。Therefore, it is possible to reliably detect a defect having a size larger than the reference size.
【0302】[0302]
【0303】[0303]
【0304】[0304]
【0305】また、請求項7の発明によれば、マクロ欠
陥2次処理工程では、上記基準パターンに基づき、欠陥
を許容できない致命領域のパターンを作成し、上記欠陥
候補抽出領域と対応する位置の致命領域のパターンを参
照し、該欠陥候補抽出領域と対応する位置が上記致命領
域に存在する場合を真欠陥領域として抽出して欠陥を検
出する。Further, according to the invention of claim 7 , in the macro defect secondary processing step, a pattern of a critical area in which a defect cannot be accepted is created on the basis of the reference pattern, and a position corresponding to the defect candidate extraction area is created. By referring to the pattern of the critical area, a defect is detected by extracting a case where a position corresponding to the defect candidate extraction area exists in the critical area as a true defect area.
【0306】このため、許容できるマクロ許容欠陥の検
出を防止することができる。また、致命領域が含まれる
ので、欠陥形状または位置合わせによる欠陥検出性能が
変化しない。Therefore, it is possible to prevent the detection of an allowable macro allowable defect. Further, since the critical area is included, the defect detection performance due to the defect shape or alignment does not change.
【0307】また、請求項8.9.10の発明によれ
ば、致命領域を、上記基準パターンの各パターンの周縁
から外方向および内方向のそれぞれに、一定の幅で設け
るので、基準パターンの測長を不要とすることができ
る。Further, according to the invention of claim 8.9.10 , since the fatal area is provided with a constant width in the outer and inner directions from the peripheral edge of each pattern of the reference pattern, the reference pattern of the reference pattern is formed. It is possible to eliminate the need for length measurement.
【0308】また、請求項11の発明によれば、致命領
域を、上記基準パターンのパターン間隔を測長し、この
パターン間隔が、予め、定められた値よりも小さい領域
を第1の領域として抽出し、上記基準パターンのパター
ン幅を測長し、このパターン幅が、予め、定められた値
よりも小さい領域を第2の領域として抽出し、上記第1
の領域および上記第2の領域のうちの少なくともいずれ
か一方を算出して設ける。According to the eleventh aspect of the invention, the fatal area is measured by measuring the pattern interval of the reference pattern, and the area in which the pattern interval is smaller than a predetermined value is set as the first area. The pattern width of the reference pattern is extracted and the pattern width is extracted, and a region having a pattern width smaller than a predetermined value is extracted as a second region.
And at least one of the second area and the second area.
【0309】このため、第1の領域はパターン同士の接
触の可能性のある致命領域となり、第2の領域はパター
ンの断線の可能性のある致命領域となることができる。Therefore, the first area can be a dead area in which the patterns can come into contact with each other, and the second area can be a dead area in which the patterns can be broken.
【0310】[0310]
【0311】[0311]
【0312】[0312]
【0313】[0313]
【0314】また、請求項12の発明によれば、第1の
ミクロ欠陥2次処理手段を、基準コード生成手段とミク
ロ欠陥抽出手段とよりなる構成としたので、請求項1の
発明に係るパターン検査方法の実施に直接使用されるこ
とができる。[0314] Also, according to the invention of claim 12, the first micro defects secondary processing means, since the more becomes configured as a reference code generating means and micro defect extraction means according to the invention of claim 1 pattern It can be used directly to carry out the inspection method.
【0315】また、請求項13の発明によれば、ミクロ
欠陥検出手段を、第2のミクロ欠陥1次処理手段と第2
のミクロ欠陥2次処理手段とで構成したので、請求項2
の発明に係るパターン検査方法の実施に直接使用される
ことができる。According to the thirteenth aspect of the present invention, the microdefect detecting means includes the second microdefect primary processing means and the second microdefect primary processing means.
The micro-defect secondary treatment means according to claim 2,
Can be directly used to implement the pattern inspection method according to the invention.
【0316】また、請求項14の発明によれば、第2の
ミクロ欠陥2次処理手段を、基準コード生成手段と基準
カテゴリコード取得手段とミクロ欠陥抽出手段とよりな
る構成としたので、請求項3の発明に係るパターン検査
方法の実施に直接使用されることができる。According to the fourteenth aspect of the present invention, the second micro defect secondary processing means is constituted by the reference code generating means, the reference category code acquiring means and the micro defect extracting means. It can be directly used for implementing the pattern inspection method according to the third invention.
【0317】また、請求項15の発明によれば、第2の
ミクロ欠陥2次処理手段を、上位カテゴリ変換手段とミ
クロ欠陥抽出手段とよりなる構成としたので、請求項4
の発明に係るパターン検査方法の実施に直接使用される
ことができる。[0317] Also, according to the invention of claim 15, the second micro defects secondary processing means, since the more becomes constituting an upper category conversion means and micro defect extraction means according to claim 4
Can be directly used to implement the pattern inspection method according to the invention.
【0318】また、請求項16の発明によれば、第2の
ミクロ欠陥2次処理手段を、放射状カテゴリ検出手段と
ニューラルネットワークとミクロ欠陥抽出手段とよりな
る構成としたので、請求項5の発明に係るパターン検査
方法の実施に直接使用されることができる。[0318] Also, according to the invention of claim 16, the second micro defects secondary processing means, since more become configured as radial category detection means and a neural network and micro defect extraction means, the invention of claim 5 It can be directly used for implementing the pattern inspection method according to the present invention.
【0319】また、請求項17の発明によれば、マクロ
欠陥検出手段を、位置合わせ手段と差分パターン抽出手
段と差分パターン測長手段とマクロ欠陥抽出手段とより
なる構成としたので、請求項6の発明に係るパターン検
査方法の実施に直接使用されることができる。[0319] Also, according to the invention of claim 17, the macro-defect detecting means, since the more becomes constituting the alignment means and the difference pattern extracting means and difference pattern measuring means and the macro defect extraction means according to claim 6 Can be directly used to implement the pattern inspection method according to the invention.
【0320】[0320]
【0321】また、請求項18の発明によれば、マクロ
欠陥2次処理手段を、致命領域パターン作成手段と、マ
クロ欠陥抽出手段と、よりなる構成としたので、請求項
7の発明に係るパターン検査方法の実施に直接使用され
ることができる。According to the eighteenth aspect of the invention, the macro defect secondary processing means is composed of the fatal area pattern forming means and the macro defect extracting means.
It can be directly used for implementing the pattern inspection method according to the seventh invention.
【0322】また、請求項19の発明によれば、上記致
命領域を、上記基準パターンの各パターンの周縁から外
方向および内方向のそれぞれに、一定の幅で設けるの
で、請求項8の発明に係るパターン検査方法の実施に直
接使用されることができる。[0322] Also, according to the invention of claim 19, the critical region, in each of the outward and inward from the periphery of each pattern of the reference pattern, so providing a constant width, the invention of claim 8 It can be used directly to implement such a pattern inspection method.
【0323】また、請求項20の発明によれば、上記致
命領域の一定の幅を、上記外方向と上記内方向とでそれ
ぞれ異なる値としたので、請求項9の発明に係るパター
ン検査方法の実施に直接使用されることができる。[0323] Also, according to the invention of claim 20, the constant width of the critical region, since the different values between the outer direction and the inward direction, the pattern inspection method according to the invention of claim 9 It can be used directly for implementation.
【0324】また、請求項21の発明によれば、上記致
命領域の一定の幅を、上記パターン形状の種類に応じ
て、予め、変化させて設定するので、請求項10の発明
に係るパターン検査方法の実施に直接使用されることが
できる。Further, according to the invention of claim 21 , the constant width of the critical area is set by being changed in advance according to the type of the pattern shape. Therefore, the pattern inspection according to the invention of claim 10 It can be used directly to carry out the method.
【0325】また、請求項22の発明によれば、上記致
命領域を、上記基準パターンのパターン間隔を測長し、
このパターン間隔が、予め、定められた値よりも小さい
領域を第1の領域として抽出し、上記基準パターンのパ
ターン幅を測長し、このパターン幅が、予め、定められ
た値よりも小さい領域を第2の領域として抽出し、上記
第1の領域および上記第2の領域のうちの少なくともい
ずれか一方を算出して設けるので、請求項11の発明に
係るパターン検査方法の実施に直接使用されることがで
きる。According to the twenty-second aspect of the present invention, the fatal area is measured by measuring the pattern interval of the reference pattern,
An area in which the pattern interval is smaller than a predetermined value is extracted as a first area, the pattern width of the reference pattern is measured, and the pattern width is smaller than a predetermined value. Is extracted as a second area, and at least one of the first area and the second area is calculated and provided, and thus is directly used for implementing the pattern inspection method according to the invention of claim 11. You can
【図1】本発明の第1実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2実施例の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3実施例の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a third embodiment of the present invention.
【図4】図3のラジアルコード比較を説明するための図
である。FIG. 4 is a diagram for explaining the radial code comparison of FIG.
【図5】本発明の第4実施例の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a fourth embodiment of the present invention.
【図6】図5のカテゴリの種類を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing types of categories shown in FIG.
【図7】図5のカテゴリコード比較を説明するための図
である。FIG. 7 is a diagram for explaining the category code comparison of FIG.
【図8】図5のカテゴリコード比較を説明するための図
である。FIG. 8 is a diagram for explaining the category code comparison of FIG.
【図9】本発明の第5実施例の構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram of a fifth embodiment of the present invention.
【図10】図9の上位カテゴリ変換手段の概略構成図で
ある。10 is a schematic configuration diagram of a higher category conversion means in FIG.
【図11】上位カテゴリを示す図である。FIG. 11 is a diagram showing upper categories.
【図12】カテゴリ探索部のルールを示す図である。FIG. 12 is a diagram showing rules of a category search unit.
【図13】カテゴリ探索部の走査態様図である。FIG. 13 is a scanning mode diagram of a category search unit.
【図14】本発明の第6実施例の構成図である。FIG. 14 is a configuration diagram of a sixth embodiment of the present invention.
【図15】図14のミクロ欠陥2次処理手段を説明する
ための図である。15 is a diagram for explaining the micro defect secondary processing means of FIG. 14;
【図16】図14の第6実施例の変形例を説明するため
の図である。FIG. 16 is a diagram for explaining a modification of the sixth embodiment of FIG.
【図17】本発明の第7実施例の構成図である。FIG. 17 is a configuration diagram of a seventh embodiment of the present invention.
【図18】図17のマクロ欠陥2次処理を説明するため
の図である。FIG. 18 is a diagram for explaining the macro defect secondary processing of FIG. 17;
【図19】本発明の第8実施例の構成図である。FIG. 19 is a configuration diagram of an eighth embodiment of the present invention.
【図20】図19のマクロ欠陥2次処理を説明するため
の図である。FIG. 20 is a diagram for explaining the macro defect secondary processing of FIG. 19;
【図21】従来のパターン検査方法の構成図である。FIG. 21 is a configuration diagram of a conventional pattern inspection method.
【図22】図21(A)のパターン検査方法の課題の説
明図である。FIG. 22 is an explanatory diagram of a problem of the pattern inspection method of FIG.
【図23】図21(B)のパターン検査方法の課題の説
明図である。FIG. 23 is an explanatory diagram of a problem of the pattern inspection method of FIG.
1 検知光学系 2 検査パターン 2A 検査パターン 2B 検査パターン 2C 検査パターン 2a 銅残 2b 断線 2c 欠け(ミクロ) 2d 欠け(マクロ) 2e 断線 2f 正常終端 2g 銅残 2h 銅残 2i 銅残 2j ピンホール 3 ミクロ欠陥検出手段 4 検査コード生成手段 5a ラジアル測長手段 5b ラジアルコード化手段 6 ミクロ欠陥抽出手段 7 欠陥情報出力手段 8 ミクロ欠陥1次処理手段 9 ミクロ欠陥候補抽出手段 10 ミクロ欠陥2次処理手段 12 位置合わせ手段 13 基準コード生成手段 14 ラジアル測長手段 15 ラジアルコード化手段 16 ラジアルコード比較手段 20 ミクロ欠陥1次処理手段 21 ミクロ欠陥2次処理手段 22 検査カテゴリコード化手段 23 ミクロ欠陥候補抽出手段 24 基準カテゴリコード化手段 25 カテゴリコード比較手段 30 ミクロ欠陥2次処理手段 31 上位カテゴリ変換手段 32 欠陥判定手段 40 ミクロ欠陥2次処理手段 41 放射状カテゴリ検出手段 42 ニューラルネットワーク 43 欠陥判定手段 101 CADデータ 102 CADパターン 102A CADパターン 102B CADパターン 102a ビットマップパターン 102b ビットマップパターン 103 マクロ欠陥検出工程 104 位置合わせ 105 差分パターン抽出 106 差分パターン測長 107 マクロ欠陥抽出 108 マクロ欠陥1次処理 109 マクロ欠陥候補抽出 110 マクロ欠陥2次処理 111 致命領域パターン作成 112 致命領域パターン参照 115 致命領域パターン 116、117 致命領域 130 マクロ欠陥2次処理 131 致命領域パターン作成 132 ラジアル測長 133 致命領域パターン 134 第1の領域 135 第2の領域 136 致命領域パターン参照 1 Detection optical system 2 inspection pattern 2A inspection pattern 2B inspection pattern 2C inspection pattern 2a Copper residue 2b disconnection 2c chip (micro) 2d chip (macro) 2e disconnection 2f Normal termination 2g copper residue 2h Copper residue 2i Copper residue 2j pinhole 3 Micro defect detection means 4 Inspection code generation means 5a Radial length measuring means 5b Radial coding means 6 Micro defect extraction means 7 Defect information output means 8 Micro defect primary treatment means 9 Micro defect candidate extraction means 10 Micro defect secondary treatment means 12 Positioning means 13 reference code generation means 14 Radial length measuring means 15 Radial coding means 16 Radial code comparison means 20 Micro defect primary treatment means 21 Micro defect secondary treatment means 22 Inspection category coding means 23 Micro Defect Candidate Extraction Means 24 Standard category coding means 25 Category Code Comparison Means 30 Micro defect secondary treatment means 31 Upper category conversion means 32 Defect determination means 40 Micro defect secondary treatment means 41 Radial category detection means 42 Neural network 43 Defect determination means 101 CAD data 102 CAD pattern 102A CAD pattern 102B CAD pattern 102a bitmap pattern 102b bitmap pattern 103 Macro defect detection process 104 alignment 105 Difference pattern extraction 106 Difference pattern length measurement 107 Macro defect extraction 108 Macro defect primary processing 109 Macro defect candidate extraction 110 Macro defect secondary processing 111 Create critical area pattern 112 Refer to fatal area pattern 115 Deadly area pattern 116,117 Deadly area 130 Macro defect secondary processing 131 Create critical area pattern 132 Radial length measurement 133 fatal area pattern 134 First Area 135 Second area 136 Refer to the fatal area pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 護俊 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−32666(JP,A) 特開 昭61−245007(JP,A) 特開 昭60−227431(JP,A) 特開 平7−20061(JP,A) 特開 平6−249792(JP,A) 特開 平5−264240(JP,A) 特開 平5−187842(JP,A) 特開 平5−108800(JP,A) 特開 平5−20433(JP,A) 特開 平5−10890(JP,A) 特開 平4−286971(JP,A) 特開 平3−91875(JP,A) 特開 平2−170279(JP,A) 柿本義一ほか,集:高密度実装を支え る光技術 プリント板パターン検査法, O plus E,日本,新技術コミュ ニケーションズ,1992年 3月,No. 148,99−103 安藤護俊,ラジアルマッチングを用い たプリント板検査,精密工学会誌,日 本,精密工学会,1990年 8月 5日, No.668,30−33 岡田英夫ほか,マクロ的視野による高 度なプリント板パターン検査法,電子情 報通信学会1994年春季大会講演論文集, 日本,電子情報通信学会,1994年 3月 26日,Vol.1994,7−140 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06T 1/00 305 G01N 21/88 JICSTファイル(JOIS)─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Gotoshi Ando 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited (56) References JP-A-63-32666 (JP, A) JP-A-61- 245007 (JP, A) JP 60-227431 (JP, A) JP 7-20061 (JP, A) JP 6-249792 (JP, A) JP 5-264240 (JP, A) JP 5-187842 (JP, A) JP 5-108800 (JP, A) JP 5-20433 (JP, A) JP 5-10890 (JP, A) JP 4-286971 (JP, A) JP-A-3-91875 (JP, A) JP-A-2-170279 (JP, A) Yoshikazu Kakimoto et al., Shu: Optical technology to support high-density mounting Printed board pattern inspection method, O plus E , Japan, New Technology Communications, 1992 Month, No. 148,99-103 Ando MamoruShun, printed circuit board inspection using the radial matching, Precision Engineering Journal, Japan, Japan Society for Precision Engineering, August 5, 1990, No. 668, 30-33 Hideo Okada et al., High-performance printed circuit board pattern inspection method with macroscopic view, Proceedings of IEICE Spring Conference 1994, Japan, The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, March 26, 1994, Vol. . 1994, 7-140 (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G06T 1/00 305 G01N 21/88 JISST file (JOIS)
Claims (22)
を検出するパターン検査方法において、 予め設定された所定の基準サイズに応じて、該基準サイ
ズよりサイズの小さな欠陥を検出するミクロ欠陥検出工
程と、 上記基準サイズ以上のサイズの欠陥を検出するマクロ欠
陥検出工程を含み、 上記基準サイズを、上記被検査物の基準パターン中に存
在する最も細いパターンの許容最小値とし、 上記ミクロ欠陥検出工程を、第1のミクロ欠陥1次処理
工程と第1のミクロ欠陥2次処理工程とで構成し、 上記第1のミクロ欠陥1次処理工程を、上記被検査物の
検査パターンの画像データを画素の連続性に基づいてコ
ード化して検査コードを生成し、 予め登録された欠陥パターンの欠陥コードと上記検査コ
ードとを比較して、上記基準サイズよりサイズの小さな
欠陥に対応する欠陥コードと一致する検査コードを欠陥
候補抽出コードとして抽出する構成とし、 上記第1のミクロ欠陥2次処理工程を、上記検査パター
ンに対応する位置の上記基準パターンの画像データを画
素の連続性に基づいてコード化して基準コードを生成
し、 上記位置を基準に所定の範囲内における全ての基準コー
ドと上記欠陥候補抽出コードとを比較して、該基準コー
ドと一致しない欠陥候補抽出コードを、許容できない真
欠陥に対応する真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出
する構成としたことを特徴とするパターン検査方法。1. A pattern inspection method for detecting a defect occurring in an inspection pattern of an inspection object, wherein a micro defect detection step of detecting a defect having a size smaller than the reference size according to a preset predetermined reference size. And a macro defect detection step of detecting a defect having a size equal to or larger than the reference size, wherein the reference size is an allowable minimum value of the thinnest pattern existing in the reference pattern of the inspection object, and the micro defect detection step Is constituted by a first micro-defect primary treatment step and a first micro-defect secondary treatment step, and the first micro-defect primary treatment step is performed by using the image data of the inspection pattern of the inspection object as pixels. The inspection code is generated by encoding based on the continuity of the inspection pattern, the defect code of the defect pattern registered in advance is compared with the inspection code, and the inspection is performed based on the reference size. An inspection code that matches a defect code corresponding to a small defect is extracted as a defect candidate extraction code, and the first micro-defect secondary processing step is performed in the image of the reference pattern at a position corresponding to the inspection pattern. The data is coded based on the continuity of pixels to generate a reference code, all reference codes within a predetermined range are compared with the defect candidate extraction code based on the position, and the reference code does not match. A pattern inspection method, wherein a defect candidate extraction code is extracted as a true defect code corresponding to an unacceptable true defect to detect the defect.
を検出するパターン検査方法において、 予め設定された所定の基準サイズに応じて、該基準サイ
ズよりサイズの小さな欠陥を検出するミクロ欠陥検出工
程と、 上記基準サイズ以上のサイズの欠陥を検出するマクロ欠
陥検出工程を含み、 上記基準サイズを、上記被検査物の基準パターン中に存
在する最も細いパターンの許容最小値とし、 上記ミクロ欠陥検出工程を、第2のミクロ欠陥1次処理
工程と第2のミクロ欠陥2次処理工程とで構成し、 上記第2のミクロ欠陥1次処理工程を、上記被検査物の
検査パターンの画像データを画素の連続性に基づいてコ
ード化して検査コードを生成し、 各種コードに対応したパターン形状の種類を示すカテゴ
リコードを上記検査コードに基づいて検索して検査カテ
ゴリコードを得、 予め登録された欠陥パターンのカテゴリコードと上記検
査カテゴリコードを比較して、上記基準サイズよりサイ
ズの小さな欠陥に対応するカテゴリコードと一致する検
査カテゴリコードを欠陥候補抽出コードとして抽出する
構成とし、 上記第2のミクロ欠陥2次処理工程を、上記検査パター
ンに対応する位置の上記基準パターンの画像データを画
素の連続性に基づいてコード化して基準コードを生成
し、 各種コードに対応したパターン形状の種類を示すカテゴ
リコードを上記基準コードに基づいて検索して基準カテ
ゴリコードを得、 上記位置を基準に所定の範囲内における全ての上記基準
カテゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコードとを
比較して、該基準カテゴリコードと一致しない欠陥候補
抽出カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対応する
真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出する構成とした
ことを特徴とするパターン検査方法。2. A pattern inspection method for detecting defects occurring in an inspection pattern of an object to be inspected, wherein a micro defect detection step of detecting a defect having a size smaller than the reference size according to a predetermined reference size set in advance. And a macro defect detection step of detecting a defect having a size equal to or larger than the reference size, wherein the reference size is an allowable minimum value of the thinnest pattern existing in the reference pattern of the inspection object, and the micro defect detection step Is constituted by a second micro-defect primary treatment step and a second micro-defect secondary treatment step, and the second micro-defect primary treatment step is performed by using the image data of the inspection pattern of the inspection object as pixels. The inspection code is generated by coding based on the continuity of, and the category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code is searched based on the above inspection code. Then, the inspection category code is obtained, and the category code of the defect pattern registered in advance is compared with the above inspection category code, and the inspection category code that matches the category code corresponding to the defect having a size smaller than the reference size is extracted as the defect candidates. In the second micro-defect secondary processing step, the image data of the reference pattern at the position corresponding to the inspection pattern is encoded based on the continuity of pixels to generate a reference code. A category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code is searched based on the reference code to obtain a reference category code, and all the reference category codes and the defect candidate extraction within a predetermined range based on the above position The defect candidate extraction category that does not match the reference category code is compared with the category code. A pattern inspection method characterized in that a Gori code is extracted as a true defect code corresponding to an unacceptable true defect to detect the defect.
画像データを画素の連続性に基づいてコード化して基準
コードを生成し、 各種コードに対応したパターン形状の種類を示すカテゴ
リコードを上記基準コードに基づいて検索して基準カテ
ゴリコードを得、 上記位置および上記パターンの形状の種類に応じて、限
定した範囲内における全てのあるいは一部の上記基準カ
テゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコードとを比
較して、該基準カテゴリコードと一致しない欠陥候補抽
出カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対応する真
欠陥コードとして抽出して欠陥を検出する構成に代えた
ことを特徴とする請求項2記載のパターン検査方法。3. The second micro-defect secondary processing step, wherein image data of the reference pattern at a position corresponding to the inspection pattern is encoded based on pixel continuity to generate a reference code, and various codes are generated. A category code indicating the type of pattern shape corresponding to is searched based on the above reference code to obtain a reference category code, and all or part of a limited range is obtained depending on the above position and the type of shape of the pattern. Comparing the reference category code with the defect candidate extraction category code, a defect candidate extraction category code that does not match the reference category code is extracted as a true defect code corresponding to an unacceptable true defect to detect a defect. The pattern inspection method according to claim 2, wherein the pattern inspection method is replaced with a configuration.
との関係を分類し、この分類に対応したパターン形状の
種類を示す各種上位カテゴリコードを格納し、上記欠陥
候補抽出カテゴリコードと、該欠陥候補抽出カテゴリコ
ードを中心とする所定領域内におけるカテゴリ分布中の
対象となる特定のカテゴリとの関係に基づいて、この関
係に対応する上位カテゴリコードを選択して出力し、 上記上位カテゴリコードに基づいて、許容できない真欠
陥に対応する真欠陥コードを判定して欠陥を検出する構
成に代えたことを特徴とする請求項2記載のパターン検
査方法。4. The second micro-defect secondary processing step classifies the relationship between the defect candidate extraction category code and the target category, and various upper category codes indicating the types of pattern shapes corresponding to this classification. Based on the relationship between the defect candidate extraction category code and a specific category of interest in the category distribution within a predetermined area centered on the defect candidate extraction category code, the upper category corresponding to this relationship. 3. The pattern inspection according to claim 2, wherein the code is selected and output, and the defect is detected by determining a true defect code corresponding to an unacceptable true defect based on the upper category code. Method.
心から放射状に分布するカテゴリを複数検出し、 上記検出された複数のカテゴリを相互に関係づけて階層
型ネットワーク構造のデータとして処理することによ
り、上位カテゴリを出力し、 上記上位カテゴリコードに基づいて、許容できない真欠
陥に対応する真欠陥コードを判定して欠陥を検出する構
成に代えたことを特徴とする請求項2記載のパターン検
査方法。5. The second micro-defect secondary processing step is performed by detecting a plurality of categories radially distributed from the center of the defect candidate extraction category code, and mutually detecting the plurality of detected categories. Instead of the configuration in which the upper category is output by processing the data as a hierarchical network structure in association with each other, the true defect code corresponding to the unacceptable true defect is determined based on the upper category code to detect the defect. The pattern inspection method according to claim 2, wherein
わせを行い、 上記位置合わせした上記被検査物の検査パターンと上記
基準パターンとの差分パターンを抽出し、 上記差分パターンを測長し、 この測長された測長値を上記基準サイズと比較して、該
基準サイズ以上の領域を欠陥抽出領域として抽出して欠
陥を検出する構成としたことを特徴とする請求項1また
は2記載のパターン検査方法。6. The macro defect detection step performs alignment between an inspection pattern of the inspection object and a reference pattern, and extracts a difference pattern between the aligned inspection pattern of the inspection object and the reference pattern. Then, the difference pattern is measured, the measured length value is compared with the reference size, and a region larger than the reference size is extracted as a defect extraction region to detect a defect. The pattern inspection method according to claim 1 or 2, which is characterized.
1次処理工程とマクロ欠陥2次処理工程で構成し、 上記マクロ欠陥1次処理工程を、 上記被検査物の検査パターンと基準パターンとの位置合
わせを行い、 上記位置合わせした上記被検査物の検査パターンと上記
基準パターンとの差分パターンを抽出し、 上記差分パターンを測長し、 この測長された測長値を上記基準サイズと比較して、該
基準サイズ以上の領域を欠陥候補抽出領域として抽出す
る構成とし、 上記マクロ欠陥2次処理工程を、 上記基準パターンに基づき、欠陥を許容できない致命領
域のパターンを作成し、 上記欠陥候補抽出領域と対応する位置の致命領域のパタ
ーンを参照し、該欠陥候補抽出領域と対応する位置が上
記致命領域に存在する場合を真欠陥領域として抽出して
欠陥を検出する構成としたことを特徴とする請求項1ま
たは2または6記載のパターン検査方法。7.The macro defect detection process described above
It consists of a primary treatment process and a macro defect secondary treatment process, The macro defect primary treatment step, Positioning of the inspection pattern of the above-mentioned inspection object and the reference pattern
Do the The inspection pattern of the aligned object and the inspection pattern
Extract the difference pattern from the reference pattern, Measure the difference pattern, This length measurement value is compared with the reference size, and
Areas that are larger than the standard size are extracted as defect candidate extraction areas
Configuration, The macro defect secondary treatment step, Based on the above reference pattern, a critical area where defects cannot be tolerated
Area pattern, The pattern of the critical area at the position corresponding to the defect candidate extraction area
The position corresponding to the defect candidate extraction area is
If it exists in the critical area, it is extracted as a true defect area.
Claims characterized by being configured to detect defects1
Or 2 or 6Described pattern inspection method.
内方向のそれぞれに、一定の幅で設けることを特徴とす
る請求項7記載のパターン検査方法。8. The pattern inspection method according to claim 7, wherein the lethal region is provided with a constant width in each of an outer direction and an inner direction from a peripheral edge of each pattern of the reference pattern.
とを特徴とする請求項8記載のパターン検査方法。9. The pattern inspection method according to claim 8, wherein the constant width of the critical area is set to different values in the outward direction and the inward direction.
定することを特徴とする請求項8または9記載のパター
ン検査方法。10. The pattern inspection method according to claim 8, wherein the certain width of the critical area is set by being changed in advance according to the type of the pattern shape.
ン間隔が、予め、定められた値よりも小さい領域を第1
の領域として抽出し、 上記基準パターンのパターン幅を測長し、このパターン
幅が、予め、定められた値よりも小さい領域を第2の領
域として抽出し、 上記第1の領域および上記第2の領域のうちの少なくと
もいずれか一方を算出して設けることを特徴とする請求
項7記載のパターン検査方法。11. The fatal area is measured by measuring a pattern interval of the reference pattern, and an area in which the pattern interval is smaller than a predetermined value is firstly determined.
Area, the pattern width of the reference pattern is measured, and an area having a pattern width smaller than a predetermined value is extracted as a second area, and the first area and the second area are extracted. 8. The pattern inspection method according to claim 7, wherein at least one of the areas is calculated and provided.
陥を検出するパターン検査装置において、 予め設定された所定の基準サイズに応じて、該基準サイ
ズよりサイズの小さな欠陥を検出するミクロ欠陥検出手
段と、 上記基準サイズ以上のサイズの欠陥を検出するマクロ欠
陥検出手段を備え、 上記基準サイズを、上記被検査物の基準パターン中に存
在する最も細いパターンの許容最小値とし、 上記ミクロ欠陥検出手段を、第1のミクロ欠陥1次処理
手段と第1のミクロ欠陥2次処理手段とで構成し、 上記第1のミクロ欠陥1次処理手段を、上記被検査物の
検査パターンの画像データを画素の連続性に基づいてコ
ード化して検査コードを生成する検査コード生成手段
と、 予め登録された欠陥パターンの欠陥コードと上記検査コ
ードとを比較して、上記基準サイズよりサイズの小さな
欠陥に対応する欠陥コードと一致する検査コードを欠陥
候補抽出コードとして抽出するミクロ欠陥候補抽出手段
とよりなる構成とし、 上記第1のミクロ欠陥2次処理手段を、上記検査パター
ンに対応する位置の上記基準パターンの画像データを画
素の連続性に基づいてコード化して基準コードを生成す
る基準コード生成手段と、 上記位置を基準に所定の範囲内における全ての基準コー
ドと上記欠陥候補抽出コードとを比較して、該基準コー
ドと一致しない欠陥候補抽出コードを、許容できない真
欠陥に対応する真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出
するミクロ欠陥抽出手段とよりなる構成としたことを特
徴とするパターン検査装置。12. A pattern inspection apparatus for detecting defects occurring in an inspection pattern of an object to be inspected, a micro defect detecting means for detecting a defect having a size smaller than the reference size according to a predetermined reference size set in advance. And a macro defect detecting means for detecting a defect having a size equal to or larger than the reference size, wherein the reference size is an allowable minimum value of the thinnest pattern existing in the reference pattern of the inspection object, and the micro defect detecting means Is constituted by a first micro-defect primary processing means and a first micro-defect secondary processing means, and the first micro-defect primary processing means makes the pixel data of the image data of the inspection pattern of the inspection object. The inspection code generating means for generating the inspection code by encoding based on the continuity of the inspection code and the defect code of the previously registered defect pattern are compared with the inspection code. And a microdefect candidate extracting means for extracting an inspection code that matches a defect code corresponding to a defect having a size smaller than the reference size as a defect candidate extracting code, and the first microdefect secondary processing means is provided. A reference code generating means for generating a reference code by encoding the image data of the reference pattern at a position corresponding to the inspection pattern based on the continuity of pixels, and all the references within a predetermined range based on the position. And a defect candidate extraction code that does not match the reference code, extracts a defect candidate extraction code as a true defect code corresponding to an unacceptable true defect, and detects a defect. A pattern inspection apparatus having a configuration.
陥を検出するパターン検査装置において、 予め設定された所定の基準サイズに応じて、該基準サイ
ズよりサイズの小さな欠陥を検出するミクロ欠陥検出手
段と、 上記基準サイズ以上のサイズの欠陥を検出するマクロ欠
陥検出手段を備え、 上記基準サイズを、上記被検査物の基準パターン中に存
在する最も細いパターンの許容最小値とし、 上記ミクロ欠陥検出手段を、第2のミクロ欠陥1次処理
手段と第2のミクロ欠陥2次処理手段とで構成し、 上記第2のミクロ欠陥1次処理手段を、上記被検査物の
検査パターンの画像データを画素の連続性に基づいてコ
ード化して検査コードを生成する検査コード生成手段
と、 各種コードに対応したパターン形状の種類を示すカテゴ
リコードを上記検査コードに基づいて検索して検査カテ
ゴリコードを得る検査カテゴリコード取得手段と、 予め登録された欠陥パターンのカテゴリコードと上記検
査カテゴリコードを比較して、上記基準サイズよりサイ
ズの小さな欠陥に対応するカテゴリコードと一致する検
査カテゴリコードを欠陥候補抽出コードとして抽出する
ミクロ欠陥候補抽出手段とよりなる構成とし、 上記第2のミクロ欠陥2次処理手段を、上記検査パター
ンに対応する位置の上記基準パターンの画像データを画
素の連続性に基づいてコード化して基準コードを生成す
る基準コード生成手段と、 各種コードに対応したパターン形状の種類を示すカテゴ
リコードを上記基準コードに基づいて検索して基準カテ
ゴリコードを得る基準カテゴリコード取得手段と、 上記位置を基準に所定の範囲内における全ての上記基準
カテゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコードとを
比較して、該基準カテゴリコードと一致しない欠陥候補
抽出カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対応する
真欠陥コードとして抽出して欠陥を検出するミクロ欠陥
抽出手段とよりなる構成としたことを特徴とするパター
ン検査装置。13. A pattern inspection apparatus for detecting defects occurring in an inspection pattern of an object to be inspected, said micro defect detecting means for detecting a defect having a size smaller than said reference size in accordance with a predetermined reference size set in advance. And a macro defect detecting means for detecting a defect having a size equal to or larger than the reference size, wherein the reference size is an allowable minimum value of the thinnest pattern existing in the reference pattern of the inspection object, and the micro defect detecting means With a second micro-defect primary processing means and a second micro-defect secondary processing means. The inspection code generating means for generating the inspection code by encoding based on the continuity of, and the category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code are described above. An inspection category code acquisition unit that obtains an inspection category code by searching based on the inspection code is compared with a category code of a defect pattern registered in advance and the inspection category code to deal with a defect having a size smaller than the reference size. A micro defect candidate extraction means for extracting an inspection category code that matches the category code as a defect candidate extraction code, and the second micro defect secondary processing means is used for the reference pattern at a position corresponding to the inspection pattern. A reference code generating means for generating a reference code by encoding the image data of 1) based on the continuity of pixels, and a category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code are searched based on the reference code to obtain a reference category. A reference category code acquisition means for obtaining a code, and a predetermined position based on the above position All the reference category codes within the range of the above and the defect candidate extraction category code are compared, and the defect candidate extraction category code that does not match the reference category code is extracted as a true defect code corresponding to an unacceptable true defect. A pattern inspection apparatus comprising a microdefect extracting means for detecting a defect.
を、 上記検査パターンに対応する位置の上記基準パターンの
画像データを画素の連続性に基づいてコード化して基準
コードを生成する基準コード生成手段と、 各種コードに対応したパターン形状の種類を示すカテゴ
リコードを上記基準コードに基づいて検索して基準カテ
ゴリコードを得る基準カテゴリコード取得手段と、 上記位置および上記パターンの形状の種類に応じて、限
定した範囲内における全てのあるいは一部の上記基準カ
テゴリコードと上記欠陥候補抽出カテゴリコードとを比
較して、該基準カテゴリコードと一致しない欠陥候補抽
出カテゴリコードを、許容できない真欠陥に対応する真
欠陥コードとして抽出して欠陥を検出するミクロ欠陥抽
出手段と、よりなる構成に代えたことを特徴とする請求
項13記載のパターン検査装置。14. A reference code generator that encodes image data of the reference pattern at a position corresponding to the inspection pattern based on pixel continuity in the second micro-defect secondary processing means to generate a reference code. Means, a reference category code acquisition means for obtaining a reference category code by searching a category code indicating the type of pattern shape corresponding to each code on the basis of the reference code, according to the position and the type of shape of the pattern. , All or some of the reference category codes within a limited range are compared with the defect candidate extraction category codes, and defect candidate extraction category codes that do not match the reference category code correspond to unacceptable true defects. The structure is replaced with a micro defect extraction means for extracting defects as true defect codes and detecting defects. 14. The pattern inspection apparatus according to claim 13, wherein:
を、 上記欠陥候補抽出カテゴリコードと対象となるカテゴリ
との関係を分類し、この分類に対応したパターン形状の
種類を示す各種上位カテゴリコードを格納し、上記欠陥
候補抽出カテゴリコードと、該欠陥候補抽出カテゴリコ
ードを中心とする所定領域内におけるカテゴリ分布中の
対象となる特定のカテゴリとの関係に基づいて、この関
係に対応する上位カテゴリコードを選択して出力する上
位カテゴリ変換手段と、 上記上位カテゴリコードに基づいて、許容できない真欠
陥に対応する真欠陥コードを判定して欠陥を検出するミ
クロ欠陥抽出手段と、よりなる構成に代えたことを特徴
とする請求項13記載のパターン検査装置。15. The second micro-defect secondary processing means classifies the relationship between the defect candidate extraction category code and the target category, and various upper category codes indicating the types of pattern shapes corresponding to this classification. Based on the relationship between the defect candidate extraction category code and a specific category of interest in the category distribution within a predetermined area centered on the defect candidate extraction category code, the upper category corresponding to this relationship. An upper category conversion unit that selects and outputs a code, and a microdefect extraction unit that determines a true defect code corresponding to an unacceptable true defect based on the upper category code and detects a defect, instead of the configuration. 14. The pattern inspection apparatus according to claim 13, wherein
を、 上記欠陥候補抽出カテゴリコードを中心として、この中
心から放射状に分布するカテゴリを複数検出する放射状
カテゴリ検出手段と、 上記検出された複数のカテゴリを相互に関係づけて階層
型ネットワーク構造のデータとして処理することによ
り、上位カテゴリを出力するニューラルネットワーク
と、 上記上位カテゴリコードに基づいて、許容できない真欠
陥に対応する真欠陥コードを判定して欠陥を検出するミ
クロ欠陥抽出手段と、よりなる構成に代えたことを特徴
とする請求項13記載のパターン検査装置。16. The second micro-defect secondary processing means comprises: a radial category detecting means for detecting a plurality of categories radially distributed from the center of the defect candidate extraction category code, and the detected plurality of categories. By correlating the above categories with each other and processing them as data of a hierarchical network structure, the true network that outputs the upper category and the true defect code corresponding to the unacceptable true defect are determined based on the above category code. 14. The pattern inspection apparatus according to claim 13, wherein the pattern inspection apparatus is replaced by a microdefect extracting means for detecting a defect.
わせを行う位置合わせ手段と、 上記位置合わせした上記被検査物の検査パターンと上記
基準パターンとの差分パターンを抽出する差分パターン
抽出手段と、 上記差分パターンを測長する差分パターン測長手段と、 この測長された測長値を上記基準サイズと比較して、該
基準サイズ以上の領域を欠陥抽出領域として抽出して欠
陥を検出するマクロ欠陥抽出手段と、よりなる構成とし
たことを特徴とする請求項12〜16いずれか1項記載
のパターン検査装置。17. The macro defect detecting means comprises: an aligning means for aligning an inspection pattern of the inspection object with a reference pattern; and an alignment inspection pattern of the inspection object with the reference pattern. A difference pattern extracting means for extracting a difference pattern, a difference pattern length measuring means for measuring the difference pattern, and a length measurement value thus measured are compared with the reference size, and an area larger than the reference size is defective. The pattern inspection apparatus according to any one of claims 12 to 16, characterized in that the pattern inspection apparatus comprises a macro defect extraction unit that extracts a defect by extracting it as an extraction region.
陥を検出するパターン検査装置において、 予め設定された所定の基準サイズに応じて、該基準サイ
ズよりサイズの小さな欠陥を検出するミクロ欠陥検出手
段と、 上記基準サイズ以上のサイズの欠陥を検出するマクロ欠
陥検出手段を備え、 上記基準サイズを、上記被検査物の基準パターン中に存
在する最も細いパターンの許容最小値とし、 上記マクロ欠陥検出手段を、マクロ欠陥1次処理手段と
マクロ欠陥2次処理手段とで構成し、 上記マクロ欠陥1次処理手段を、上記被検査物の検査パ
ターンと基準パターンとの位置合わせを行う位置合わせ
手段と、 上記位置合わせした上記被検査物の検査パターンと上記
基準パターンとの差分パターンを抽出する差分パターン
抽出手段と、 上記差分パターンを測長する差分パターン測長手段と、 この測長された測長値を上記基準サイズと比較して、該
基準サイズ以上の領域を欠陥候補抽出領域として抽出す
るマクロ欠陥候補抽出手段とよりなる構成とし、 上記マクロ欠陥2次処理手段を、上記基準パターンに基
づき、欠陥を許容できない致命領域のパターンを作成す
る致命領域パターン作成手段と、 上記欠陥候補抽出領域と対応する位置の致命領域のパタ
ーンを参照し、該欠陥候補抽出領域と対応する位置が上
記致命領域に存在する場合を真欠陥領域として抽出して
欠陥を検出するマクロ欠陥抽出手段とよりなる構成とし
たことを特徴とするパターン検査装置。18. A pattern inspection apparatus for detecting a defect occurring in an inspection pattern of an inspection object, a microdefect detecting means for detecting a defect having a size smaller than the reference size in accordance with a predetermined reference size set in advance. And a macro defect detecting means for detecting a defect having a size equal to or larger than the reference size, wherein the reference size is an allowable minimum value of the thinnest pattern existing in the reference pattern of the inspection object, and the macro defect detecting means Is composed of a macro defect primary processing means and a macro defect secondary processing means, and the macro defect primary processing means is an alignment means for aligning the inspection pattern of the inspection object with the reference pattern. A difference pattern extracting means for extracting a difference pattern between the aligned inspection pattern of the inspection object and the reference pattern; The difference pattern length measuring means for measuring the pattern, and the macro defect candidate extracting means for comparing the length measured value with the reference size and extracting the area equal to or larger than the reference size as the defect candidate extraction area. The macro defect secondary processing means includes a fatal area pattern creating means for creating a pattern of a fatal area in which a defect cannot be accepted based on the reference pattern, and a fatal area at a position corresponding to the defect candidate extraction area. A pattern comprising a macro defect extracting unit that refers to a pattern and detects a defect by extracting a case where a position corresponding to the defect candidate extraction region exists in the critical region as a true defect region. Inspection device.
内方向のそれぞれに、一定の幅で設けることを特徴とす
る請求項18記載のパターン検査装置。19. The pattern inspection apparatus according to claim 18, wherein the critical area is provided with a constant width in each of an outer direction and an inner direction from a peripheral edge of each pattern of the reference pattern.
とを特徴とする請求項19記載のパターン検査装置。20. The pattern inspection apparatus according to claim 19, wherein the constant width of the critical area has different values in the outward direction and the inward direction.
定することを特徴とする請求項19または20記載のパ
ターン検査装置。21. The pattern inspection apparatus according to claim 19, wherein the certain width of the critical area is changed and set in advance according to the type of the pattern shape.
ン間隔が、予め、定められた値よりも小さい領域を第1
の領域として抽出し、 上記基準パターンのパターン幅を測長し、このパターン
幅が、予め、定められた値よりも小さい領域を第2の領
域として抽出し、 上記第1の領域および上記第2の領域のうちの少なくと
もいずれか一方を算出して設けることを特徴とする請求
項18記載のパターン検査装置。22. The pattern interval of the reference pattern is measured for the fatal area, and the area where the pattern interval is smaller than a predetermined value is firstly determined.
Area, the pattern width of the reference pattern is measured, and an area having a pattern width smaller than a predetermined value is extracted as a second area, and the first area and the second area are extracted. 19. The pattern inspection apparatus according to claim 18, wherein at least one of the areas is calculated and provided.
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Families Citing this family (3)
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---|---|---|---|---|
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KR20180088924A (en) * | 2005-11-18 | 2018-08-07 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
KR102595447B1 (en) * | 2014-11-19 | 2023-10-27 | 데카 테크놀로지 유에스에이 인코포레이티드 | Automated optical inspection of unit specific patterning |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0671039B2 (en) * | 1984-04-26 | 1994-09-07 | 富士通株式会社 | Die bonding state inspection device |
JPS61245007A (en) * | 1985-04-24 | 1986-10-31 | Hitachi Ltd | Defect inspecting device |
JPH0623999B2 (en) * | 1986-07-28 | 1994-03-30 | 株式会社日立製作所 | Pattern defect detection method |
JPH02170279A (en) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | Method and device for detecting defect of pattern to be checked |
JPH0391875A (en) * | 1989-09-05 | 1991-04-17 | Komatsu Ltd | Device and method for detecting defect of object |
JP2960191B2 (en) * | 1991-03-16 | 1999-10-06 | 富士通株式会社 | Data inspection device |
JPH0510890A (en) * | 1991-03-20 | 1993-01-19 | Fujitsu Ltd | Apparatus for inspecting appearance |
JP3116438B2 (en) * | 1991-07-15 | 2000-12-11 | イビデン株式会社 | Inspection apparatus and inspection method for printed wiring board |
JP2628951B2 (en) * | 1991-10-14 | 1997-07-09 | 日本電信電話株式会社 | Image defect determination processing device |
JP2835232B2 (en) * | 1992-01-09 | 1998-12-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Image pattern inspection method and apparatus |
JPH05264240A (en) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Fujitsu Ltd | Visual inspection device |
JPH0758269B2 (en) * | 1993-03-01 | 1995-06-21 | 日本電気株式会社 | Printed circuit board pattern inspection device |
JP2500758B2 (en) * | 1993-06-24 | 1996-05-29 | 日本電気株式会社 | Printed circuit board pattern inspection device |
-
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- 1994-08-09 JP JP18738894A patent/JP3466286B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
安藤護俊,ラジアルマッチングを用いたプリント板検査,精密工学会誌,日本,精密工学会,1990年 8月 5日,No.668,30−33 |
岡田英夫ほか,マクロ的視野による高度なプリント板パターン検査法,電子情報通信学会1994年春季大会講演論文集,日本,電子情報通信学会,1994年 3月26日,Vol.1994,7−140 |
柿本義一ほか,集:高密度実装を支える光技術 プリント板パターン検査法,O plus E,日本,新技術コミュニケーションズ,1992年 3月,No.148,99−103 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH0855218A (en) | 1996-02-27 |
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