JP3454034B2 - Vacuum processing equipment - Google Patents

Vacuum processing equipment

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JP3454034B2
JP3454034B2 JP24291196A JP24291196A JP3454034B2 JP 3454034 B2 JP3454034 B2 JP 3454034B2 JP 24291196 A JP24291196 A JP 24291196A JP 24291196 A JP24291196 A JP 24291196A JP 3454034 B2 JP3454034 B2 JP 3454034B2
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processing
vacuum
chambers
sample
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健 吉岡
三郎 金井
稔 空岡
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置に係
り、特にSi等の半導体素子基板である試料に対して、
エッチング,CVD(化学的気相成長),スパッタリン
グ,ミリング,アッシング,ベーキング,リンサ(水
洗)等の枚葉処理をするのに好適な真空処理装置と、そ
れを用いて半導体デバイスを製造する半導体製造ライン
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and particularly to a sample which is a semiconductor element substrate such as Si,
A vacuum processing apparatus suitable for single-wafer processing such as etching, CVD (chemical vapor deposition), sputtering, milling, ashing, baking, rinser (water washing), and semiconductor manufacturing for manufacturing semiconductor devices using the vacuum processing apparatus. It's about the line.

【0002】[0002]

【従来の技術】試料を処理する真空処理装置は、大別す
ると、カセットブロックと真空処理ブロックから構成さ
れており、カセットブロックは、半導体製造ラインのベ
イ通路に面して長手方向に伸びるフロントを有し、試料
用のカセットや試料のオリエンテーションを合わせるア
ライメントユニットと、大気ロボットがある。真空処理
ブロックには、ロード側ロードロック室,アンロード側
ロードロック室,真空処理室,後処理室,真空ポンプ及
び真空ロボット等が設けられている。
2. Description of the Related Art A vacuum processing apparatus for processing a sample is roughly divided into a cassette block and a vacuum processing block. The cassette block has a front extending in the longitudinal direction facing a bay passage of a semiconductor manufacturing line. There are a cassette for the sample, an alignment unit for adjusting the orientation of the sample, and an atmospheric robot. The vacuum processing block is provided with a load-side load lock chamber, an unload-side load lock chamber, a vacuum processing chamber, a post-processing chamber, a vacuum pump, a vacuum robot, and the like.

【0003】これらの真空処理装置では、カセットブロ
ックのカセットから取り出された試料が、大気ロボット
により真空処理ブロックのロード側ロードロック室まで
搬送される。ロード側ロードロック室から真空ロボット
によりさらに処理室に搬送され、電極構造体上にセット
された試料は、プラズマエッチング等の処理がなされ
る。その後、必要に応じて後処理室に搬送,処理され
る。処理済みの試料は、真空ロボット及び大気ロボット
によりカセットブロックのカセットに搬送される。
In these vacuum processing apparatuses, the sample taken out from the cassette of the cassette block is transferred to the load-side load lock chamber of the vacuum processing block by the atmospheric robot. The sample, which is transferred from the load-side load lock chamber to the processing chamber by the vacuum robot and set on the electrode structure, is subjected to plasma etching or the like. Then, if necessary, they are transferred to the post-processing chamber and processed. The processed sample is transferred to the cassette of the cassette block by the vacuum robot and the atmospheric robot.

【0004】試料をプラズマエッチング処理する真空処
理装置の例としては、例えば特公昭61−8153号公
報,特開昭63−133532号公報,特開平3−192
52号公報,特開平4−226048号公報,特公平6
−30369号公報,特開平6−314729号公報,
特開平6−314730号公報,米国特許第5,314,509号
明細書に記載されたようなものがある。
An example of a vacuum processing apparatus for plasma etching a sample is, for example, Japanese Patent Publication No. 61-8153, Japanese Patent Publication No. 63-133532, and Japanese Patent Laid-Open No. 3-192.
No. 52, Japanese Patent Laid-Open No. 4-226048, Japanese Patent Publication No.
-30369, JP-A-6-314729,
There are those described in JP-A-6-314730 and US Pat. No. 5,314,509.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の真空処
理装置は、処理室やロードロック室を同心状に配置した
り、矩形状に配置している。例えば、米国特許第5,314,
509 号明細書に記載された装置は、真空処理ブロックの
中央付近に真空ロボット、その周囲に3個の処理室が同
心状に配置され、真空ロボットとカセットブロックの間
に、ロード側ロードロック室,アンロード側ロードロッ
ク室が設けられている。また、特開平3−19252号
公報や特開平4−226048号公報に記載された装置
も、真空処理ブロックの中央付近に真空ロボット、その
周囲に複数の処理室やロードロック室が同心状に配置さ
れている。
In the vacuum processing apparatus of the prior art described above, the processing chamber and the load lock chamber are arranged concentrically or in a rectangular shape. For example, U.S. Pat.
The device described in the specification No. 509 has a vacuum robot in the vicinity of the center of the vacuum processing block and three processing chambers arranged concentrically around the vacuum robot. The load side load lock chamber is located between the vacuum robot and the cassette block. A load lock chamber is provided on the unload side. Also, in the devices described in JP-A-3-19252 and JP-A-4-226048, a vacuum robot is arranged near the center of a vacuum processing block, and a plurality of processing chambers and load lock chambers are concentrically arranged around the vacuum robot. Has been done.

【0006】これらの装置では、複数の処理室やロード
ロック室が同心状に配置され、ロボットの搬送アームの
回転角度も大きいため、各処理室に付設される真空ポン
プ等も含めるとその外形寸法が大きくなり、特に、真空
処理装置間の横方向の長さが大きくなり、複数の真空処
理装置全体の必要床面積が大きいという問題がある。
In these devices, a plurality of processing chambers and load lock chambers are concentrically arranged and the rotation angle of the transfer arm of the robot is large, so that the external dimensions of the vacuum pumps and the like attached to each processing chamber are also included. Is large, and in particular, the horizontal length between the vacuum processing apparatuses is large, and there is a problem that the required floor area of the plurality of vacuum processing apparatuses is large.

【0007】一方、真空処理装置の真空処理ブロック内
の処理室や真空ポンプその他各種の配管機器について
は、定期,不定期に点検修理等のメンテナンスを行うこ
とが必要である。そのため、一般に、真空処理ブロック
の周囲には、扉が設けられており、この扉を開けること
により、ロードロック室,アンロードロック室,処理
室,真空ロボット及び各種の配管機器の点検修理が出来
るようになっている。
On the other hand, with respect to the processing chamber in the vacuum processing block of the vacuum processing apparatus, the vacuum pump and other various piping equipment, it is necessary to perform maintenance such as inspection and repair regularly or irregularly. Therefore, in general, a door is provided around the vacuum processing block, and by opening this door, the load lock chamber, the unload lock chamber, the processing chamber, the vacuum robot, and various piping equipment can be inspected and repaired. It is like this.

【0008】従来の真空処理装置は、取り扱う試料の直
径dが8インチ(約200mm)以下であるが、カセット
の外形寸法Cwも、約250mm程度であり、これでも床
面積の大きさは大きな問題となっていた。さらに、直径
dが12インチ(約300mm)のような大口径の試料を取
り扱うことを考えると、カセットの外形寸法Cwは、約
350mm程度と大きくなり、複数のカセットを収納する
カセットブロックの幅も大きくなる。この幅に合わせて
真空処理ブロックの幅を決定すると、真空処理装置全体
が大きなスペースを必要とすることになる。一例とし
て、4個のカセットを収納するカセットブロックについ
て考えると、試料の直径dが8インチから12インチに
なった場合、カセットブロックの幅は少なくとも約40
cm以上大きくならざるを得ない。
In the conventional vacuum processing apparatus, the diameter d of the sample to be handled is 8 inches (about 200 mm) or less, but the outer dimension Cw of the cassette is also about 250 mm, and the size of the floor area is still a big problem. It was. Furthermore, considering that a large-diameter sample such as a diameter d of 12 inches (about 300 mm) is to be handled, the external dimension Cw of the cassette becomes as large as about 350 mm, and the width of the cassette block that stores a plurality of cassettes is also large. growing. If the width of the vacuum processing block is determined according to this width, the entire vacuum processing apparatus requires a large space. As an example, consider a cassette block containing four cassettes, and when the diameter d of the sample is changed from 8 inches to 12 inches, the width of the cassette block is at least about 40.
It has to be larger than cm.

【0009】一方、試料に各種の処理を行いながら大量
の処理を行うために、一般の半導体製造ラインでは、同
じ処理を行う複数の真空処理装置を同じベイに集め、各
ベイ間の搬送を自動またはマニュアルで行っている。こ
のような半導体製造ラインは、高いクリーン度を必要と
するため、半導体製造ライン全体が大きなクリーンルー
ム内に設置される。試料の大口径化に伴う真空処理装置
の大型化は、クリーンルーム占有面積の大型化を伴う
が、これはもともと建設コストの高いクリーンルームの
建設コストを一層増加させることになる。もし、同じ面
積のクリーンルームに占有面積の大きな真空処理装置を
設置するとすれば、真空処理装置の全体の台数を減らす
か、あるいは各真空処理装置間の間隔を狭くせざるを得
ない。同じ面積のクリーンルームにおける真空処理装置
の設置台数の減少は、必然的に半導体の製造ラインの生
産性の低下ひいては半導体の製造コストの上昇を伴う。
他方、各真空処理装置間の間隔を狭くすることは、点検
修理のためのメンテナンススペースが不足し、真空処理
装置のメンテナンス性を著しく阻害する。
On the other hand, in order to perform a large amount of processing while performing various kinds of processing on a sample, in a general semiconductor manufacturing line, a plurality of vacuum processing apparatuses that perform the same processing are collected in the same bay, and the transportation between the bays is automatically performed. Or do it manually. Since such a semiconductor manufacturing line requires high cleanliness, the entire semiconductor manufacturing line is installed in a large clean room. The increase in the size of the vacuum processing apparatus accompanying the increase in the diameter of the sample is accompanied by the increase in the area occupied by the clean room, which further increases the construction cost of the clean room, which originally has a high construction cost. If a vacuum processing apparatus having a large occupied area is installed in a clean room having the same area, the number of vacuum processing apparatuses as a whole must be reduced or the intervals between the vacuum processing apparatuses must be narrowed. A reduction in the number of vacuum processing apparatuses installed in a clean room of the same area inevitably leads to a decrease in the productivity of the semiconductor manufacturing line and an increase in the semiconductor manufacturing cost.
On the other hand, narrowing the intervals between the vacuum processing devices causes a shortage of maintenance space for inspection and repair, and significantly impairs maintainability of the vacuum processing devices.

【0010】他方、試料の大口径化に伴い、半導体製造
装置の占有床面積当たりのスループット(時間あたりの
基板処理枚数)を向上させることが大きな課題となって
いる。
On the other hand, with the increase in the diameter of the sample, it is a major issue to improve the throughput per unit floor space of the semiconductor manufacturing apparatus (the number of substrates processed per time).

【0011】本発明の第1の目的は、占有面積すなわち
平面配置における横方向寸法の増加を抑え、省スペース
で真空処理室の追加,変更,拡張が容易な真空処理装置
もしくは半導体製造装置を提供することにある。
A first object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus or a semiconductor manufacturing apparatus which suppresses an increase in an occupying area, that is, a lateral dimension in a plane arrangement, and which can easily add, change and expand a vacuum processing chamber in a small space. To do.

【0012】本発明の第2の目的は、真空処理室の追
加,変更,拡張に伴う機能の追加,拡張が容易な真空処
理装置もしくは半導体製造装置及びそれらの制御方法を
提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus or a semiconductor manufacturing apparatus in which the functions associated with the addition, modification and expansion of the vacuum processing chamber can be easily added and a control method therefor.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、本発明は、試料の搬出入を行うための搬出入
室と、前記試料を真空処理する処理室とを有し、該処理
室は第1の処理室と第1の処理室より大きな第2の処理
室とを有し、真空搬送室を経由して前記処理室と前記搬
出入室の間で前記試料を搬送する真空搬送手段とを備
え、前記処理室と前記搬出入室が前記真空搬送室の周囲
に沿って配置された真空処理装置において、第1の処理
室が第2の処理室よりも前記搬出入室に近い位置に設け
られていることを特徴とする真空処理装置にある。
To achieve the above first object, according to the Invention The present invention comprises a transport room for performing loading and unloading of the sample, and a processing chamber for vacuum processing the sample, the The processing chamber has a first processing chamber and a second processing chamber larger than the first processing chamber, and vacuum transfer for transferring the sample between the processing chamber and the loading / unloading chamber via a vacuum transfer chamber. In a vacuum processing apparatus comprising a processing chamber and the loading / unloading chamber arranged along the circumference of the vacuum transfer chamber, the first processing chamber is located closer to the loading / unloading chamber than the second processing chamber. The vacuum processing apparatus is characterized in that it is provided.

【0014】本発明によれば、搬出入室(ロードロック
室)から遠い側に外径の大きな第2の処理室(エッチン
グ室)を2個並べて、真空搬送室とほぼ縦方向に配置
し、搬出入室(ロードロック室)に近い側には、比較的
外径の小さい第1の処理室(アッシング室)を真空搬送
室ほぼ横の両側方に2個配置することが出来る。
According to the present invention, the loading / unloading chamber (load lock)
Large second process chamber having an outer diameter from the chamber) to the far side (side by side two etching chamber), disposed substantially in vertical direction and the vacuum transfer chamber, on the side closer to the transport room (load lock chamber) is relatively Two first processing chambers (ashing chambers) having a small outer diameter can be arranged on both sides of the vacuum transfer chamber substantially laterally.

【0015】すなわち、エッチング室とアッシング室と
を別のプラズマ源とで構成する場合、各室は大きさが異
なる。例えばエッチング室のプラズマ源をECR方式と
し、アッシング室のプラズマ源を誘導型プラズマ源とす
ると、誘導型プラズマ源の場合は、ECR方式に比べて
アッシング室の周囲にコイルを設けても、その直径は小
形にできる。またアッシング室の上方にコイルを設ける
ことでアッシング室の直径を更に小形にできる。
That is, when the etching chamber and the ashing chamber are composed of different plasma sources, the chambers have different sizes. For example, if the plasma source in the etching chamber is the ECR system and the plasma source in the ashing chamber is the inductive plasma source, the diameter of the inductive plasma source is smaller than that in the ECR system even if a coil is provided around the ashing chamber. Can be small. Further, the diameter of the ashing chamber can be further reduced by providing the coil above the ashing chamber.

【0016】このようエッチング室とアッシング室を
共通ユニットに組み合わせる場合、大型のユニットであ
るエッチング室を真空搬送室に対して縦方向に配置し、
小型のユニットであるアッシング室を真空搬送室の横方
向に配置することが、占有面積すなわち平面配置におけ
る横方向寸法の増加を抑えつつ、全体の省スペースを図
る上で効果的である。これにより、真空搬送室の周囲
に、外形寸法の異なるエッチング室とアッシング室をそ
れぞれ2個ずつ、スペースを有効に生かしながら配置す
ることが出来る。その結果、真空処理装置の横方向寸法
の増大を抑えつつ、縦方向すなわちロードロック室から
遠い方向への真空処理装置の長さの増大も抑えられ、全
体をコンパクトにできる。
When such an etching chamber and an ashing chamber are combined into a common unit, the etching chamber, which is a large unit, is arranged vertically with respect to the vacuum transfer chamber,
Arranging the ashing chamber, which is a small unit, in the lateral direction of the vacuum transfer chamber is effective in achieving an overall space saving while suppressing an increase in the occupied area, that is, the lateral dimension in the planar arrangement. As a result, it is possible to arrange two etching chambers and two ashing chambers having different outer dimensions around the vacuum transfer chamber while effectively utilizing the space. As a result, the lateral dimensions of the vacuum processing equipment
While suppressing the increase in the length of the vacuum processing apparatus in the vertical direction, that is, the direction away from the load lock chamber, the overall size can be made compact.

【0017】このような効果は、本発明の他の特徴であ
る、真空搬送手段による試料の搬送経路を、各処理室に
対しては真空搬送手段の旋回中心から放射状に構成し、
ロードロック室,アンロードロック室に対しては非放射
状に構成することによっても得られる。
Such an effect, which is another feature of the present invention, is such that the sample transfer path by the vacuum transfer means is radially arranged with respect to each processing chamber from the center of rotation of the vacuum transfer means.
It can also be obtained by configuring the load lock chamber and unload lock chamber non-radially.

【0018】また、本発明によれば、真空搬送室を挟ん
で両ロードロック室と対向する側に第1,第2のエッチ
ング室が配置され、該第1,第2のエッチング室と両ロ
ードロック室の間に第1の、第2のアッシング室が配置
されているため、エッチング室が2個並びその隣にアッ
シング室が配置されるので、複数の処理室を用いるシリ
ーズ処理の場合も真空搬送手段による試料の搬送経路を
最短にすることが出来、搬送処理時間を増加させず、試
料の大口径化に対応しつつ、スループットを向上させ、
ひいては製造コストの上昇を抑えることのできる真空処
理装置を提供することができる。
Further, according to the present invention, the first and second etching chambers are arranged on the side opposed to both load lock chambers with the vacuum transfer chamber interposed therebetween, and the first and second etching chambers and both load chambers are arranged. Since the first and second ashing chambers are arranged between the lock chambers, there are two etching chambers arranged next to each other.
Since a single chamber is installed,
Also in the case of the bleeding process, it is possible to minimize the sample transfer path by the vacuum transfer means, increase the transfer process time without increasing the transfer process time, and improve the throughput while supporting the increase in the sample diameter.
Consequently, it is possible to provide a vacuum processing apparatus that can suppress an increase in manufacturing cost.

【0019】本発明の他の特徴によれば、真空搬送室を
挟んで両ロードロック室と対向する側に第1,第2のエ
ッチング室が配置され、第1,第2のエッチング室と前
記両ロードロック室の間に第1の、第2のアッシング室
が配置される。エッチング室とアッシング室を共通ユニ
ットに組み合わせる場合、大型のユニットであるエッチ
ング室を真空搬送室に対して縦方向に配置し、小型のユ
ニットであるアッシング室を真空搬送室の横方向に配置
することが、占有面積すなわち平面配置における横方向
寸法の増加を抑えつつ、全体の省スペースを図る上で効
果的である。
According to another feature of the present invention, the first and second etching chambers are arranged on the side facing the both load lock chambers with the vacuum transfer chamber interposed therebetween, and the first and second etching chambers and the above-mentioned etching chamber are disposed. The first and second ashing chambers are arranged between the load lock chambers. When combining the etching chamber and ashing chamber into a common unit, the etching chamber, which is a large unit, should be placed vertically with respect to the vacuum transfer chamber, and the ashing chamber, which is a small unit, should be placed laterally with respect to the vacuum transfer chamber. However, it is effective in saving the entire space while suppressing an increase in the occupied area, that is, the lateral dimension in the planar arrangement.

【0020】また、本発明の真空処理装置を半導体製造
ラインに組み込むことにより、試料の大口径化に対応し
つつ、真空処理装置の必要設置台数を確保して製造コス
トの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない半
導体製造ラインを提供することができる。
Further, by incorporating the vacuum processing apparatus of the present invention into a semiconductor manufacturing line, it is possible to secure a necessary number of installed vacuum processing apparatuses while suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of a sample. It is possible to provide a semiconductor manufacturing line in which maintainability is not impaired.

【0021】本発明の第2の特徴は、真空処理装置にお
いて、エッチング等の処理室を制御する主装置と、処理
室の動作を補助する複数の従装置とは、共通の情報伝達
手段すなわちI/Oチャンネルバスで接続され、従装置
の制御情報は主装置のメモリに書き込むことにより与え
られ、真空処理装置全体のハード構成とは独立に、従装
置の制御情報を与えることができる様に構成されている
ことにある。
A second feature of the present invention is that in a vacuum processing apparatus, a main device for controlling a processing chamber such as etching and a plurality of slave devices for assisting the operation of the processing chamber have a common information transmission means, that is, I. It is connected by an / O channel bus, and the control information of the slave device is given by writing it in the memory of the master device, so that the control information of the slave device can be provided independently of the hardware configuration of the entire vacuum processing apparatus. Is being done.

【0022】そのため、主装置,従装置のいずれか一方
だけ、単独にグレードアップすることができ、あるいは
また、メモリを書き替えて、従装置の形態,実装位置の
変更を行うことができる。したがって、使用する処理室
の追加,変更,拡張に際して、メモリの制御情報を書き
替えることにより真空処理装置もしくは半導体製造ライ
ンの機能の追加,拡張が容易となる。
Therefore, only one of the master device and the slave device can be upgraded independently, or the memory can be rewritten to change the form and mounting position of the slave device. Therefore, when the processing chamber to be used is added, changed, or expanded, the function of the vacuum processing apparatus or the semiconductor manufacturing line can be easily added or expanded by rewriting the control information of the memory.

【0023】本発明の他の特徴として、真空搬送室の両
側面に連結した前記複数の処理室へ前記搬送手段が試料
を搬送する方向と前記搬出入室へ外部から試料が搬出入
する方向とがほぼ直交するように前記真空搬送手段を中
心として前記搬出入室と前記処理室とを設けることでメ
ンテが必要な真空搬送手段の周囲の作業スペースを広く
できるため作業性がよいという特徴がある。
As another feature of the present invention, the direction in which the transfer means transfers the sample to the plurality of processing chambers connected to both side surfaces of the vacuum transfer chamber and the direction in which the sample is transferred into and out of the transfer chamber. By providing the carry-in / out chamber and the processing chamber with the vacuum transfer means as the center so as to be substantially orthogonal to each other, the work space around the vacuum transfer means requiring maintenance can be widened, which is advantageous in workability.

【0024】また、本発明の他の特徴として、前記真空
処理室内に2枚の試料を回転させて搬送する際に、試料
の仮想最外円周と近接して前記搬出入室と前記処理室と
を設けることで真空処理装置の横寸法を小さくできると
いう特徴がある。
Further, as another feature of the present invention, when the two samples are rotated and transported into the vacuum processing chamber, the loading / unloading chamber and the processing chamber are placed close to the virtual outermost circumference of the sample. Is provided, the lateral dimension of the vacuum processing apparatus can be reduced.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例になる真
空処理装置300の構成を図1乃至図4により説明す
る。真空処理装置は、カセットブロック10と真空処理
ブロック30を具備している。カセットブロック10に
は、カセット12を配置可能なテーブル11及び試料搬
送用の大気搬送ロボット9がある。製品試料用のカセッ
ト12は、カセット12A,12B,12Cである。テ
ーブル11には、カセット12A,12B,12Cおよ
びオリエンテーションフラット合せ、またはノッチ合わ
せ12Dが順次(図1では横方向)設けられている。試
料用カセット12には、全て製品用のウエハである試料
あるいは製品とダミー用のウエハである試料が収納され
る。カセットの最上段や最下段に、異物チェック用やク
リーニング用のウエハである試料が収納される。また、
各カセット12の周囲にはウエハサーチ機構121A〜
121Cが設けてあり、カセット12がセットされたと
きに、ウエハサーチ機構が各カセット内の試料3を認識
する。つまり、各カセット内の試料3の収納位置,枚数
等を認識する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The structure of a vacuum processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The vacuum processing apparatus includes a cassette block 10 and a vacuum processing block 30. The cassette block 10 has a table 11 on which a cassette 12 can be arranged and an atmospheric transfer robot 9 for transferring a sample. The cassettes 12 for product samples are cassettes 12A, 12B, 12C. The table 11 is provided with cassettes 12A, 12B, 12C and orientation flat alignment or notch alignment 12D sequentially (in the horizontal direction in FIG. 1). The sample cassette 12 accommodates all sample wafers or product wafers and dummy sample wafers . Samples, which are wafers for foreign matter check and cleaning, are stored at the top and bottom of the cassette. Also,
The wafer search mechanism 121A to
121C is provided, and when the cassette 12 is set, the wafer search mechanism recognizes the sample 3 in each cassette. That is, the storage position, the number, etc. of the samples 3 in each cassette are recognized.

【0026】真空処理ブロック30の真空処理室36
は、試料を一枚ずつ処理、例えばエッチング処理や後処
理(アッシング処理)する部屋である。真空搬送室37
を挟んでロードロック室34,アンロードロック室35
の対向側にエッチング室36A,36C、その横にアッ
シング室36B,36Dが設けられている。両ロードロ
ック室34,35は近接して配置されており、試料の搬
出入経路が大気カセット部すなわちカセットブロック1
0の長手方向に垂直な方向に伸びている。また、真空搬
送室37を挟んで両ロードロック室34,35と対向す
る側に第1,第2のエッチング室36A,36Cが配置
され、これら第1,第2のエッチング室と両ロードロッ
ク室の間に、第1,第2のアッシング室36B,36D
が配置されている。
The vacuum processing chamber 36 of the vacuum processing block 30.
Is a room where samples are processed one by one, for example, etching process and post-process (ashing process). Vacuum transfer chamber 37
Across the load lock chamber 34, unload lock chamber 35
Etching chambers 36A and 36C are provided on the opposite side to and ashing chambers 36B and 36D are provided beside them. Both the load lock chambers 34, 35 are arranged close, the sample transportable
The entrance / exit path is the atmosphere cassette part, that is, cassette block 1.
0 extends in a direction perpendicular to the longitudinal direction. Further, the first and second etching chambers 36A and 36C are arranged on the side facing the both load lock chambers 34 and 35 with the vacuum transfer chamber 37 interposed therebetween, and the first and second etching chambers and both load lock chambers are arranged. Between the first and second ashing chambers 36B and 36D
Are arranged.

【0027】図2に示すように、15は各室の連通を開
閉するゲート弁である。真空処理室36には、エッチン
グやアッシング用の放電手段の電極を兼ねた試料載置用
の試料台、マイクロ波導入手段13及び真空ポンプ38
が設けられている。試料載置用の試料台の内部に、試料
押し上げ機構14Aが設けられている。40は石英製の
覗き窓である。
As shown in FIG. 2, reference numeral 15 is a gate valve that opens and closes the communication between the chambers. In the vacuum processing chamber 36, a sample stage for placing a sample, which also serves as an electrode of a discharging means for etching and ashing, a microwave introducing means 13, and a vacuum pump 38.
Is provided. A sample lifting mechanism 14A is provided inside the sample table for mounting the sample. Reference numeral 40 is a viewing window made of quartz.

【0028】図1に示すように、両ロードロック室3
4,35の各中心を結ぶ線L1、第1,第2のアッシン
グ室36B,36Dの各中心を結ぶ線L2、第1,第2
のエッチング室36A,36Cの各中心を結ぶ線L3、
及び両真空ポンプ38A,38Cの各中心を結ぶ線L4
は、前記大気カセット部の長手方向に沿って互いに平行
である。
As shown in FIG . 1, both load lock chambers 3
A line L1 connecting the centers of 4, 35 and a line L2 connecting the centers of the first and second ashing chambers 36B, 36D, and the first, second
Line L3 connecting the centers of the etching chambers 36A and 36C of
And a line L4 connecting the centers of both vacuum pumps 38A and 38C
Are parallel to each other along the longitudinal direction of the atmosphere cassette unit.

【0029】真空搬送室37内には真空ロボット39が
設けられている。また、カセットブロック10と真空処
理ブロック30との間には、真空処理ブロック30のロ
ードロック室34へのウエハ搬入口,アンロードロック
室35からのウエハ搬出口としてのゲートバルブ34A
が設けられている。なお、カセットブロック10のオリ
フラ合せを廃止して、ロードロック室で試料のノッチ合
せをするように構成してもよい。
A vacuum robot 39 is provided in the vacuum transfer chamber 37. In addition, between the cassette block 10 and the vacuum processing block 30, a gate valve 34A as a wafer loading port to the load lock chamber 34 of the vacuum processing block 30 and a wafer loading port from the unload lock chamber 35.
Is provided. The orientation flat alignment of the cassette block 10 may be omitted, and the notch alignment of the sample may be performed in the load lock chamber.

【0030】大気搬送ロボット9は、カセットブロック
10内にテーブル11と平行に設置されたレール91
上を走行可能に設けられており、カセット12と真空処
理ブロック30のロードロック室34及びアンロードロ
ック室35の間で、図6に示すゲートバルブ34Aを介
して試料3を搬送する。大気搬送ロボット9は、前後,
左右,上下及び回転の4軸制御が可能となっている。
The atmospheric transfer robot 9 is provided so as to be able to travel on a rail 91 installed in the cassette block 10 in parallel with the table 11, and the cassette 12 and the load lock chamber 34 of the vacuum processing block 30 and the unloading chamber. The sample 3 is conveyed between the lock chambers 35 via the gate valve 34A shown in FIG. The atmosphere transfer robot 9 is
Four-axis control of left / right, up / down, and rotation is possible.

【0031】大気搬送ロボット9は、レール91の上を
移動しつつ伸縮する伸縮アーム92の軌跡が、カセット
12,オリエンテーションフラット合せ12D,ロード
ロック室34並びにアンロードロック室35を含む軌跡
になるように構成されている。
In the atmospheric transfer robot 9, the locus of the telescopic arm 92 that expands and contracts while moving on the rail 91 is a locus including the cassette 12, the orientation flat alignment 12D, the load lock chamber 34, and the unload lock chamber 35. Is configured.

【0032】真空ロボット39は、ロードロック室34
から真空処理室36まで試料3を搬送すると共に、エッ
チング室36A,36C,アンロードロック室35,後
処理室36B,36D間で試料3を搬送する。真空ロボ
ット39は、伸縮アーム101を有し、該伸縮アームの旋
回軌跡がロードロック室34並びに真空処理室36を含
む軌跡になるようにして、真空処理ブロック30に設け
られている。ロードロック室34,35には、図6に示
試料押し上げ機構14Bがそれぞれ設けられており、
それぞれ各ロボット9,39の伸縮アーム92,101
に試料3を受渡しできる構成となっている。
The vacuum robot 39 has a load lock chamber 34.
To the vacuum processing chamber 36, the sample 3 is transferred between the etching chambers 36A and 36C, the unload lock chamber 35, and the post-processing chambers 36B and 36D. The vacuum robot 39 has a telescopic arm 101, and is provided in the vacuum processing block 30 so that the pivoting locus of the telescopic arm is a locus including the load lock chamber 34 and the vacuum processing chamber 36. The load lock chambers 34 and 35 are shown in FIG.
To sample lifting mechanism 14B is provided respectively,
Telescopic arms 92 and 101 of the robots 9 and 39, respectively.
The sample 3 can be handed over to the user.

【0033】ロードロック室34内は、真空処理ブロッ
ク30の真空雰囲気と遮断され大気状態に有る。該状態
のロードロック室34内には、大気搬送ロボット9のす
くい部に保持された処理前の試料が搬入され、そして、
すくい部からロードロック室34内に渡される。処理前
の試料をロードロック室34内に渡した大気搬送ロボッ
ト9は、次の操作に備えて所定の位置に退避させられ
る。
The interior of the load lock chamber 34 is in an atmospheric state, which is cut off from the vacuum atmosphere of the vacuum processing block 30. Into the load lock chamber 34 in this state, the unprocessed sample held in the rake portion of the atmospheric transfer robot 9 is loaded, and
It is passed from the scoop portion into the load lock chamber 34. The atmosphere transfer robot 9 that has passed the sample before processing into the load lock chamber 34 is retracted to a predetermined position in preparation for the next operation.

【0034】図1の実施例では、真空処理ブロック30
の周囲は化粧板99で囲むようにしてる。
In the embodiment of FIG. 1, the vacuum processing block 30
Around the Ru Oh so as to surround in the decorative plate 99.

【0035】真空搬送室37に設ける真空ロボットを2
ブレード方式にした場合には、一度にウエハを2枚同時
に搬送できるが、真空搬送室37の直径は大きくなる問
題があった。ウエハの直径が300mmになると益々真空
搬送室37の直径が大きくなる問題がある。そうなる
と、前述したように真空処理装置の横方向寸法が大きく
なる。
Two vacuum robots are provided in the vacuum transfer chamber 37.
When the blade method is used, two wafers can be transferred at the same time, but the diameter of the vacuum transfer chamber 37 becomes large. When the diameter of the wafer becomes 300 mm, there is a problem that the diameter of the vacuum transfer chamber 37 becomes larger and larger. Then, as described above, the lateral dimension of the vacuum processing apparatus becomes large.

【0036】そこで、図1に示したようにECR方式の
プラズマ源でエッチング室36A,36Cを構成し、真
空搬送室37の側面にエッチング室より小形の誘導型タ
イプのプラズマ源を用いたアッシング室36B,36D
を設けることで横方向を小型化できる。また、図12の
実施例に示すように、真空ロボット39を2ブレードタ
イプにすると、試料3を同時に2枚搬送でき、搬出入室
34,35と処理室36A,36B,36C,36Dと
の間のウエハの搬送速度を高められる。本実施例の場合
には次のように小型化を図る。ウエハを2枚同時に真空
搬送室37で搬送する場合のウエハ搬送経路の仮想最外
円周121に近接して搬出入室34,35とアッシング
室36B,36Dを設けることで、真空搬送室37の直
径を例えば800mmとでき、アッシング室の直径を65
0mmとすると、真空処理装置の横方向寸法を2100mm
に縮小できる。ここで、近接の距離とは真空ロボットの
回転時の軸ずれ保証余裕値とアッシング室等との間に設
けるゲートバルブの寸法を含めた必要値である。
Therefore, as shown in FIG. 1, the etching chambers 36A and 36C are constituted by an ECR type plasma source, and an ashing chamber using an induction type plasma source smaller than the etching chamber is formed on the side surface of the vacuum transfer chamber 37. 36B, 36D
By providing the, it is possible to reduce the lateral size. Further, as shown in the embodiment of FIG. 12, when the vacuum robot 39 is of a two-blade type, two samples 3 can be transferred at the same time, and between the loading / unloading chambers 34 and 35 and the processing chambers 36A, 36B, 36C and 36D. The wafer transfer speed can be increased. In the case of this embodiment, the miniaturization is achieved as follows. When two wafers are simultaneously transferred in the vacuum transfer chamber 37, loading / unloading chambers 34 and 35 and ashing chambers 36B and 36D are provided in proximity to the virtual outermost circumference 121 of the wafer transfer path, so that the diameter of the vacuum transfer chamber 37 is increased. Can be set to 800 mm, and the diameter of the ashing chamber can be set to 65
If 0 mm, the horizontal dimension of the vacuum processing device is 2100 mm
Can be reduced to Here, the close distance is a necessary value including the dimension of the gate valve provided between the guaranty margin for axial deviation when the vacuum robot rotates and the ashing chamber and the like.

【0037】図2は、図1のII−II部分で切断したとき
の内部構造を示す。ここで、処理室36には、プラズマ
源としてECR方式を用いた場合の実施例を示してい
る。
FIG. 2 shows the internal structure when cut along the line II-II in FIG. Here, an example in which the ECR method is used as the plasma source is shown in the processing chamber 36.

【0038】ウエハの大口径化に伴って、ウエハ表面で
の処理の均一化図るためには、マイクロ波導入手段13
として、例えば、特願平8−78934号に述べられて
いる方式を用いることができる。
In order to make the surface of the wafer uniform as the diameter of the wafer becomes larger, the microwave introducing means 13 is used.
For example, the method described in Japanese Patent Application No. 8-78934 can be used.

【0039】処理チャンバ全体のコンパクト化を図り、
かつ処理室内に必要十分な磁場を形成するためにL形に
配置した2段の磁場コイル360を用いている。
The entire processing chamber is made compact,
In addition, a two-stage magnetic field coil 360 arranged in an L shape is used to form a necessary and sufficient magnetic field in the processing chamber.

【0040】図3に示すとおり、ロードロック室34,
アンロードロック室35及び真空搬送室37は一つのベ
ースフレームとして一体に形成されている。真空搬送室
37はその外周部に設けられたエッチング室36A,3
6Cや後処理室36B,36Dを接続するための複数個
の開口(37A〜37D)を備えている。例えば、開口
37Aにはエッチング用の処理室36Aが接続されてい
る。開口37A〜37Dのうち、いずれの処理室とも接
続されないものは、蓋部材(図示せず)により封止され
ている。図4は、図3のベースフレーム部の各開口の配
置間隔を示す。
As shown in FIG. 3, the load lock chamber 34,
The unload lock chamber 35 and the vacuum transfer chamber 37 are integrally formed as one base frame. The vacuum transfer chamber 37 has an etching chamber 36A, 3
6C and the post-processing chambers 36B and 36D are provided with a plurality of openings (37A to 37D). For example, the processing chamber 36A for etching is connected to the opening 37A. Of the openings 37A to 37D, those that are not connected to any of the processing chambers are sealed by a lid member (not shown). FIG. 4 shows the arrangement of the openings in the base frame portion of FIG.
Indicates the spacing.

【0041】また、ロードロック室,アンロードロック
室及び真空搬送室は、一つのベースフレームとして一体
成形されており、ベースフレームと大気ブロックとをT
字形に配置することもできる。
Further, the load lock chamber, the unload lock chamber and the vacuum transfer chamber are integrally molded as one base frame, and the base frame and the atmospheric block are T-shaped.
It can also be arranged in a glyph.

【0042】次に、図5,図6により、真空処理装置3
00内の試料の処理操作について、プラズマエッチング
処理を例にして簡単に説明する。まず、カセットブロッ
ク10の大気搬送ロボット9をレール91上で移動させ
て例えばロード側カセット12Aに近づけ、さらにその
伸縮アーム92をカセット12A側に向かって伸ばすこ
とにより、すくい部(図示せず)をカセット内の試料3
の下方に挿入し、すくい部上に試料3を移載する。次
に、大気搬送ロボット9をオリエンテーションフラット
合せ12Dの前に移動させ、伸縮アーム92をオリエン
テーションフラット合せ12D上まで移動し、大気搬送
ロボット9を少し下降させてオリエンテーションフラッ
ト合せ12Dに試料3を載置する。試料3のオリエンテ
ーションフラット合せが終わると、大気搬送ロボット9
の逆動作により再びすくい部上に試料3を移載する。
Next, referring to FIGS. 5 and 6, the vacuum processing apparatus 3
The processing operation of the sample in 00 will be briefly described by taking the plasma etching processing as an example. First, the atmosphere transfer robot 9 of the cassette block 10 is moved on the rail 91 to approach, for example, the load side cassette 12A.
By extending the telescopic arm 92 toward the cassette 12A side, the scooping portion (not shown) is placed on the sample 3 in the cassette.
Underneath, and transfer the sample 3 onto the scoop part. Next, the atmosphere transfer robot 9 is moved in front of the orientation flat alignment 12D, the telescopic arm 92 is moved to a position above the orientation flat alignment 12D, and the atmosphere transportation robot 9 is slightly lowered to place the sample 3 on the orientation flat alignment 12D. To do. When the orientation flat alignment of the sample 3 is completed, the atmosphere transfer robot 9
The sample 3 is transferred again onto the scoop portion by the reverse operation of.

【0043】尚、図5,図10では真空ポンプ38A,
38B,38C,38Dのそれぞれは、各エッチング室
36A,36B,36C,36Dの下に設けることで真
空処理装置300の占有面積を小さくできる。
In FIGS. 5 and 10, the vacuum pump 38A,
Since each of 38B, 38C, and 38D is provided below each etching chamber 36A, 36B, 36C, and 36D, the area occupied by the vacuum processing apparatus 300 can be reduced.

【0044】次に、大気搬送ロボット9から試料3を真
空処理部30へ渡す。試料押し上げ機構14Bによって
支持部材34Bをロードロック室34の側面のシール部
41に気密に当接させてロードロック室34の上部閉空
間を形成し、さらに、ロードロック室34のゲートバル
ブ34Aを開いた状態で大気搬送ロボット9のアームを
ロードロック室34まで移動し、試料3を搬入する。
Next, the sample 3 is transferred from the atmospheric transfer robot 9 to the vacuum processing unit 30. The support member 34B is brought into airtight contact with the seal portion 41 on the side surface of the load lock chamber 34 by the sample lifting mechanism 14B to form an upper closed space of the load lock chamber 34, and further the gate valve 34A of the load lock chamber 34 is opened. In this state, the arm of the atmosphere transfer robot 9 is moved to the load lock chamber 34, and the sample 3 is loaded.

【0045】真空ロボット39のアームの軌跡は、例え
ば、ロードロック室34,エッチング室36A及び後処
理室36Bに試料3があって、アンロードロック室35
にはウエハがない状態を考えると次のようになる。すな
わち、真空ロボット39のアームはまず、後処理室36
Bの一枚の試料3をアンロードロック室35に移し、エ
ッチング室36Aの試料3を後処理室36Bに移動させ
る。次に、ロードロック室34の試料3をエッチング室
36Aに搬送する。真空ロボット39のアームは、以下
同様の軌跡を繰り返す。
The locus of the arm of the vacuum robot 39 is, for example, the sample 3 in the load lock chamber 34, the etching chamber 36A and the post-treatment chamber 36B, and the unload lock chamber 35.
Considering the situation where there is no wafer in the wafer, the result is as follows. That is, first, the arm of the vacuum robot 39 first receives the post-processing chamber 36.
The one sample 3 of B is moved to the unload lock chamber 35, and the sample 3 of the etching chamber 36A is moved to the post-treatment chamber 36B. Next, the sample 3 in the load lock chamber 34 is transported to the etching chamber 36A . The arm of the vacuum robot 39 repeats the same locus thereafter.

【0046】図6(a)は大気搬送ロボット9から試料
3を真空処理部30へ渡す際の動作を示す図である。ロ
ードロック室34のゲートバルブ34Aを開け、試料押
し上げ機構14Bを動作させて試料3を支持部材34B
上に載せる。この後、ゲートバルブ34Aを閉じて、ロ
ードロック室34内を真空排気する。ロードロック室3
4はシール部41により外部とは区画される。ロードロ
ック室の真空排気後、ウエハ支持部材34Bを下降させ
る。そのときの状態を図6(b)に示し、ロードロック
室34と真空搬送室37とが連通する。
FIG. 6A is a diagram showing an operation when the sample 3 is transferred from the atmospheric transfer robot 9 to the vacuum processing unit 30. The gate valve 34A of the load lock chamber 34 is opened, and the sample lifting mechanism 14B is operated to support the sample 3 on the support member 34B.
Put it on top. Then, the gate valve 34A is closed and the load lock chamber 34 is evacuated. Load lock chamber 3
4 is separated from the outside by the seal portion 41. After evacuation of the load lock chamber, the wafer support member 34B is lowered. The state at that time is shown in FIG. 6B, and the load lock chamber 34 and the vacuum transfer chamber 37 communicate with each other.

【0047】次に、再び試料押し上げ機構14Bを動作
させ、真空搬送室37に設けた真空ロボット39のアー
ムを伸ばし、ロードロック室34にある試料3をアーム
上のブレード42に載せる。
Next, the sample pushing mechanism 14B is operated again, the arm of the vacuum robot 39 provided in the vacuum transfer chamber 37 is extended, and the sample 3 in the load lock chamber 34 is placed on the blade 42 on the arm.

【0048】このようにして真空ロボット39のアーム
に試料3を受渡し、真空処理ブロック内の搬送経路つま
り、真空搬送室37の中を処理室まで搬送する。
In this way, the sample 3 is delivered to the arm of the vacuum robot 39, and is transferred to the processing chamber in the transfer path in the vacuum processing block, that is, the vacuum transfer chamber 37.

【0049】真空搬送ロボットのアーム上に設けたブレ
ードを2枚とすれば、処理室36Aからの試料の受け渡
しに2枚のブレードを使い、処理後の試料3を片方のブ
レードに載せた後、他方のブレードに載せた未処理の試
料3を処理室36Aに近づけることで、真空搬送ロボッ
トのアームの移動に要する時間を短縮できる。
If two blades are provided on the arm of the vacuum transfer robot, two blades are used to transfer the sample from the processing chamber 36A, and after the processed sample 3 is placed on one blade, By bringing the unprocessed sample 3 placed on the other blade close to the processing chamber 36A, the time required to move the arm of the vacuum transfer robot can be shortened.

【0050】なお、ゲートバルブ34Aを閉じてロード
ロック室34を真空排気するときは、アンロードロック
室35とロードロック室34との間はロードロック室3
4の上部閉空間を形成するウエハ支持部材34Bによっ
仕切られており、両室間で異物の混入を防ぐ構造とな
っている。ロードロック室34の真空排気後に、試料押
し上げ機構14Bにより試料を載置した支持部材34B
を下降させることにより、図6(b)の状態となる。こ
のときは、図3に示されるように、ロードロック室34
とアンロードロック室35との間には仕切りがないの
で、真空搬送ロボット39に試料を移す動作を短時間に
行うことで異物の混入を防ぐことが出来る。つまり、ロ
ードロック室34またはアンロードロック室35の上部
に試料を載置している時間よりも、下部に試料を載置し
ている時間を短くすることで、試料間の異物のコンタミ
ネーションを防ぐように制御する。
When the gate valve 34A is closed and the load lock chamber 34 is evacuated, the load lock chamber 3 is placed between the unload lock chamber 35 and the load lock chamber 34.
4 by the wafer support member 34B forming the upper closed space of
It has a structure that prevents foreign matter from entering between the two rooms. After evacuation of the load lock chamber 34, a support member 34B on which a sample is placed by the sample lifting mechanism 14B
By lowering, the state shown in FIG. At this time, as shown in FIG. 3, the load lock chamber 34
Since there is no partition between the unload lock chamber 35 and the unload lock chamber 35, foreign matter can be prevented from entering by performing the operation of transferring the sample to the vacuum transfer robot 39 in a short time. That is, by making the time of placing the sample on the lower part of the load lock chamber 34 or the unload lock chamber 35 shorter than the time of placing the sample on the lower part, contamination of foreign matter between the samples can be prevented. Control to prevent.

【0051】また、上記動作と逆の動作により試料3を
カセットブロック10のアンロード側カセット位置まで
搬送する。後処理室36Bでは、エッチング処理済みの
試料3に対してアッシングなどのプラズマ後処理が実施
される。
The sample 3 is conveyed to the unload side cassette position of the cassette block 10 by the operation reverse to the above operation. In the post-treatment chamber 36B, plasma post-treatment such as ashing is performed on the etched sample 3.

【0052】図7は、本発明の一実施例になる真空処理
装置の制御装置のブロック図である。300は真空処理
装置をエッチング処理装置として使用するユニットであ
る。100は主装置で、通信媒体150を介して操作ユ
ニット200,エッチング処理ユニット300,排気ユ
ニット500,ガス流量制御器ユニット600,電源ユニ
ット700に接続されている。250は操作・表示手段
である。また、320,520,620,720はそれ
ぞれのユニット300〜700を制御する従装置であ
る。
FIG. 7 is a block diagram of a controller of the vacuum processing apparatus according to the embodiment of the present invention. A unit 300 uses the vacuum processing apparatus as an etching processing apparatus. Reference numeral 100 denotes a main device, which is connected to an operation unit 200, an etching processing unit 300, an exhaust unit 500, a gas flow rate controller unit 600, and a power supply unit 700 via a communication medium 150. Reference numeral 250 is an operation / display means. Further, 320, 520, 620, and 720 are slave devices that control the respective units 300 to 700.

【0053】図8は、図7に示した制御装置のシステム
構成例を示す図である。主装置100は、CPU110,
VMEバス112,メモリ(双方向性RAM)120,
ローカルバス122,I/Oコントローラマイコン13
0及び通信制御部140を備えている。従装置320を
構成するI/Oユニットは、通信制御部322,バス3
24及びDI/O326を備えている。バス324は、
アドレスバス,データバス,制御SIGを含んでいる。
DI/O326は、機器を起動停止させるDo部と、機
器からの状態信号を入力するDi部とを備えている。D
I/O326には、制御対象機器としての、電源,排気
ポンプ,ガス流量制御器,エアオペレーションバルブ,
センサなどが接続されている。他の従装置520,62
0,720も同様な構成のI/Oユニットを備えてい
る。
FIG. 8 is a diagram showing a system configuration example of the control device shown in FIG. The main device 100 includes a CPU 110,
VME bus 112, memory (bidirectional RAM) 120,
Local bus 122, I / O controller microcomputer 13
0 and the communication control unit 140. The I / O unit that constitutes the slave device 320 is the communication control unit 322, the bus 3
24 and DI / O 326. Bus 324
It includes an address bus, a data bus, and a control SIG.
The DI / O 326 includes a Do unit that starts and stops the device, and a Di unit that inputs a status signal from the device. D
The I / O 326 includes a power source, an exhaust pump, a gas flow rate controller, an air operation valve, as control target devices,
Sensors etc. are connected. Other slave devices 520, 62
The 0 and 720 also have I / O units of similar configuration.

【0054】CPU110は、装置制御の手順にしたが
って、制御対象の各機器(200〜700)への出力、
各機器からのセンサ入力の各処理を、メモリ(双方向性
RAM)120へのライト,リード動作で実行する。I/O
コントローラマイコン130は、メモリ120のデータ
を周期的にI/Oユニット(320,520,620,
720)毎に出力し、その応答として各機器のI/Oユ
ニットからの機器情報(Di/O)を受取り、該当する
メモリのアドレスにライトする。CPU110の共有メ
モリへのリード,ライトと、I/Oコントローラ130
による共有メモリへのリード,ライトは、非同期に実行
される。
The CPU 110 outputs to each device (200 to 700) to be controlled according to the procedure of device control,
Each process of sensor input from each device is stored in memory (bidirectional
It is executed by the write and read operations to the RAM 120. I / O
The controller microcomputer 130 periodically transfers the data in the memory 120 to the I / O units (320, 520, 620,
720) every time, as a response, the device information (Di / O) from the I / O unit of each device is received and written to the address of the corresponding memory. Read / write to the shared memory of the CPU 110 and the I / O controller 130
Read and write to the shared memory by the are executed asynchronously.

【0055】CPU110はプログラムA,プログラム
B、…プログラムN及びメモリのデータA…により、制
御対象の各機器へのデータ出力や機器情報の読み込みを
制御する。一方、I/Oコントローラマイコン130
は、プログラムa,プログラムb、…プログラムn及び
メモリのデータa…により、制御対象の各機器の制御や
機器情報の書き込み等を制御する。CPU110は、装
置制御手順にしたがって、制御対象の各機器への起動出
力を行うために、機器動作プログラムAを起動し、当該
機器への出力のために割り当てられたメモリ120のア
ドレスに、出力データを書き込む。出力データの書き込
みが終了すると、出力データ書き込み済フラグをセット
し、次の処理に進む。CPU110では装置制御手順に
したがって、制御対象の各機器の動作状態を示すセンサ
ー入力等の入力信号の読み込みを行うために、機器動作
プログラムBを起動し、当該機器からの入力に対して割
り当てられたメモリ120のアドレスのデータを読み込
む。入力データの読み込みが終了すると、入力データ読
み込み済フラグをセットし、次の処理に進む。
The CPU 110 controls the output of data to each device to be controlled and the reading of device information by the programs A, B, ... N and the data A in the memory. On the other hand, the I / O controller microcomputer 130
Controls the control of each device to be controlled, the writing of device information, etc. by the program a, the program b, the program n, and the data a of the memory. In accordance with the device control procedure, the CPU 110 activates the device operation program A in order to perform activation output to each device to be controlled, and outputs output data to the address of the memory 120 allocated for output to the device. Write. When the writing of the output data is completed, the output data written flag is set and the process proceeds to the next processing. In accordance with the device control procedure, the CPU 110 activates the device operation program B in order to read an input signal such as a sensor input indicating the operation state of each device to be controlled, and is assigned to an input from the device. The data of the address of the memory 120 is read. When the reading of the input data is completed, the input data read completion flag is set and the process proceeds to the next processing.

【0056】I/Oコントローラ130は、主装置に接
続されている各従装置320,520,620,720の
状態情報をセンサー入力等の形で取り込み、メモリ12
0に周期的に、あるいは連続して書き込む。
The I / O controller 130 fetches the status information of each slave device 320, 520, 620, 720 connected to the master device in the form of a sensor input or the like, and stores it in the memory 12.
Write to 0 periodically or continuously.

【0057】図9は、本発明の一実施例になるエッチン
グ処理ユニットの運転フローの例を示す図である。オー
トエッチングモードが選択されたら、カセット12を設
置し、次に、エッチング処理条件を設定する。さらに、
エッチング処理ユニットである真空処理装置300を起
動し、カセット12内の全ての試料が処理されるまでオ
ートエッチング処理を繰り返す。カセット内の全ての試
料が処理されたら、カセットを回収して処理を終了す
る。この運転フローは、機器動作プログラムA,B…及
びプログラムa,b…の実行により達成される。
FIG. 9 is a diagram showing an example of the operation flow of the etching processing unit according to the embodiment of the present invention. When the auto etching mode is selected, the cassette 12 is installed, and then the etching processing conditions are set. further,
The vacuum processing apparatus 300, which is an etching processing unit , is activated, and the automatic etching processing is repeated until all the samples in the cassette 12 have been processed. When all the samples in the cassette have been processed, the cassette is recovered and the process is terminated. This operation flow is achieved by executing the device operation programs A, B ... And the programs a, b.

【0058】本発明によれば、真空搬送手段による試料
の搬送経路を最短にすることが出来、搬送処理時間を増
加させず、ひいては製造コストの上昇を抑えることがで
きる。
According to the present invention, the sample transfer path by the vacuum transfer means can be minimized, the transfer processing time is not increased, and the increase in manufacturing cost can be suppressed.

【0059】試料は、オートエッチング処理時次のよう
な順序にて搬送,処理される。 カセット内での収納位置チェックロード ロック室34内に渡された処理前試料が、カセッ
ト12A内の何段目から取り出されたものかは、上位コ
ンピュータに、逐次、記憶される。 大気搬送ロボット9によるカセット内の試料の取り出
し 大気搬送ロボット9によるロードロック室34内への
搬入 処理前試料を受け取ったロードロック室34内は、大気
から遮断され、そして真空排気される。その後、真空処
理ブロック30との遮断が解除され、真空搬送室37に
連通させられる。 真空ロボットによるロードロック室34から真空処理
領域への搬送 該試料は、真空ロボット39によりロードロック室34
から真空処理ブロック30の真空搬送室37に搬送され
る。 真空処理領域での真空処理 該試料には、該真空処理領域の処理室で所定の真空処理
が施される。 真空ロボットによる真空処理領域からアンロードロッ
ク室35への搬送 真空処理が、終了した試料(処理済み試料)は、真空ロ
ボット39により真空処理領域からアンロードロック室
35に搬送され、該室内に搬入される。 大気搬送ロボットによるアンロードロック室からの搬
出 処理済み試料の搬入後、アンロードロック室35内は、
真空搬送室37と遮断され、そして、内圧を大気圧に調
整される。内圧が、大気圧となったアンロードロック室
35内は大気開放される。該状態で、アンロードロック
室35内には、大気搬送ロボット9のすくい部が挿入さ
れ、そして、すくい部に処理済み試料が渡される。処理
済み試料を受け取ったすくい部は、アンロードロック3
5室の外ヘ搬出される。その後、アンロードロック室3
5内は、次の処理済み試料の搬入に備え大気から遮断さ
れて真空排気される。一方、すくい部に処理済み試料を
有する大気搬送ロボット9は、カセット12A内に該処理
済み試料を戻し可能な位置に移動させられて停止され
る。 大気搬送ロボットによるカセット内の元の位置への収
納 その後、処理済み試料を有するすくい部は、該状態で、
カセット12A内に挿入される。ここで、該挿入位置
は、処理済み試料が、元来、収納されていた位置に戻さ
れるように上位コンピュータにより制御される。処理済
み試料を有するすくい部の挿入完了後、カセット12A
は、上昇、またはすくい部は下降させられる。これによ
り、処理済み試料は、該試料が、元来、収納されていた
位置に戻されて、再度、カセット12Aに収納される。
The sample is transported and processed in the following order during the auto etching process. Storage position check load in cassette The number of stages in the cassette 12A from which the unprocessed sample delivered to the lock chamber 34 is taken out is sequentially stored in the host computer. Atmospheric transfer robot 9 by introducing process before the load lock chamber 34 where the sample has received in the load lock chamber 34 by extraction atmospheric transfer robot 9 of the sample in the cassette is blocked from the atmosphere, and is evacuated. After that, the disconnection with the vacuum processing block 30 is released, and the vacuum processing block 37 is connected to the vacuum transfer chamber 37. Transfer from the load lock chamber 34 to the vacuum processing region by the vacuum robot The sample is transferred by the vacuum robot 39 to the load lock chamber 34.
Is transferred to the vacuum transfer chamber 37 of the vacuum processing block 30. Vacuum Processing in Vacuum Processing Area The sample is subjected to predetermined vacuum processing in the processing chamber of the vacuum processing area. Transfer from vacuum processing area by vacuum robot to unload lock chamber 35 A sample (processed sample) for which vacuum processing has been completed is transferred from the vacuum processing area to the unload lock chamber 35 by the vacuum robot 39 and carried into the chamber. To be done. After loading the sample that has been carried out from the unload lock chamber by the atmospheric transfer robot, the inside of the unload lock chamber 35 is
The vacuum transfer chamber 37 is shut off, and the internal pressure is adjusted to atmospheric pressure. The interior of the unload lock chamber 35 whose internal pressure has become atmospheric pressure is opened to the atmosphere. In this state, the rake portion of the atmospheric transfer robot 9 is inserted into the unload lock chamber 35, and the processed sample is passed to the rake portion. The rake part that received the processed sample is unload lock 3
It is carried out to the outside of the 5 rooms. After that, unload lock room 3
The inside of 5 is shielded from the atmosphere and evacuated in preparation for the next loading of the processed sample. On the other hand, the atmospheric transfer robot 9 having the processed sample in the scoop portion is moved to a position where the processed sample can be returned into the cassette 12A and stopped. Storage in the original position in the cassette by the atmospheric transfer robot After that, the rake portion with the processed sample, in that state,
It is inserted into the cassette 12A. Here, the insertion position is controlled by the host computer so that the processed sample is returned to the position where it was originally stored. After completing the insertion of the rake portion having the processed sample, the cassette 12A
Is raised or the rake is lowered. As a result, the processed sample is returned to the position where the sample was originally stored and is stored again in the cassette 12A.

【0060】このような操作が、カセット12A内の残
りの処理前試料、及び、カセット12B内の処理前試料
に対しても同様にして実施される。
Such an operation is similarly performed on the remaining unprocessed sample in the cassette 12A and the unprocessed sample in the cassette 12B.

【0061】上記のように→と試料が移動するたび
に、それぞれのステーションに何番の試料が有るのか、
上位コンピュータのデータが逐次更新処理される。該更
新処理は、試料1枚毎につき実施される。これによりそ
れぞれの試料が、つまり、何番の試料がどのステーショ
ンに有るのかが管理される。
As described above, every time the sample moves, what number of samples are in each station,
The data of the host computer is sequentially updated. The updating process is performed for each sample. By this, each sample, that is, which sample is in which station is managed.

【0062】尚、処理前試料のオリエンテーション調整
が成されるものにおいて、該ステップは、上記のと
の間にて実施される。
When the orientation of the unprocessed sample is adjusted, the step is carried out between the above steps.

【0063】上記のような操作は、例えば、上位コンピ
ュータにより指示され、そして、制御される。
The above-described operation is instructed and controlled by, for example, a host computer.

【0064】このような試料の動きの管理・制御は、真
空処理ブロック30が複数の真空処理領域を有する場合
にも実施される。例えば、真空処理ブロック30が2つ
の真空処理領域を有するものとする。この場合、試料
は、その処理情報により、シリーズ処理されたり、パラ
レル処理されたりする。ここで、シリーズ処理とは、試
料が1つの真空処理領域で真空処理され、該真空処理さ
れた試料が、引続き残りの真空処理領域で真空処理され
ることをいい、パラレル処理とは、試料が1つの真空処
理領域で真空処理され、他の試料が残りの真空処理領域
で真空処理されることをいう。
Such management / control of the movement of the sample is carried out even when the vacuum processing block 30 has a plurality of vacuum processing regions. For example, assume that the vacuum processing block 30 has two vacuum processing regions. In this case, the sample is subjected to series processing or parallel processing depending on the processing information. Here, the series processing means that the sample is vacuum-processed in one vacuum processing area, and the vacuum-processed sample is subsequently vacuum-processed in the remaining vacuum processing area. The parallel processing means that the sample is processed in parallel. It means that vacuum processing is performed in one vacuum processing region, and another sample is vacuum processed in the remaining vacuum processing region.

【0065】例えば、シリーズ処理の場合、上位コンピ
ュータでナンバリングされた試料は、その順序に従って
処理され、そして、カセット内の元の位置に戻される。
For example, in the case of series processing, the sample numbered by the host computer is processed in the order and returned to the original position in the cassette.

【0066】また、パラレル処理の場合、どの真空処理
領域でどのようにナンバリングされた試料が処理された
かが上位コンピュータにより管理・制御されているた
め、この場合も、各処理済みの試料は、カセット内の元
の位置に戻される。
Further, in the case of parallel processing, since how the numbered sample is processed in which vacuum processing area is controlled and controlled by the host computer, in this case as well, each processed sample is stored in the cassette. Returned to its original position.

【0067】尚、パラレル処理の場合、カセット内の何
段目から取り出され、そして、何番目かの試料により、
どちらの真空処理領域を使用するかを上位コンピュータ
により管理・制御するようにしても良い。
In the case of parallel processing, from what stage of the cassette is taken out, and depending on what number of samples,
A host computer may manage and control which vacuum processing area is used.

【0068】更に、シリーズ処理とパラレル処理とが、
混在するような場合にも、どの真空処理領域でどのよう
にナンバリングされた試料が処理されたかが上位コンピ
ュータにより管理・制御されているため、この場合も、
各処理済みの試料は、カセット内の元の位置に戻され
る。
Further, the series processing and the parallel processing are
Even in the case of mixed use, how the numbered sample was processed in which vacuum processing area is managed and controlled by the host computer.
Each processed sample is returned to its original position in the cassette.

【0069】尚、複数の真空処理領域として、例えば、
プラズマ発生方式が同一、若しくは、異なるプラズマ・
エッチング領域の組合せや、プラズマ・エッチング領域
とアッシング等の後処理領域との組合せや、エッチング
領域と成膜領域との組合せ等が挙げられる。
As a plurality of vacuum processing areas, for example,
The plasma generation method is the same or different.
Examples include a combination of etching regions, a combination of a plasma etching region and a post-treatment region such as ashing, and a combination of an etching region and a film forming region.

【0070】上記構成によれば、機能を拡張するために
入出力制御を増やす場合、主装置または従装置のいずれ
かを拡張するだけで、他の主装置または従装置を変更す
ること無く、拡張ができる。例えば、制御手順に、従装
置からの入出力信号の相互インターロックを追加する場
合は、もともと入出力信号は主装置に保持されている情
報(データ)であるため、主装置の制御手段を変更し、
従装置は変更すること無く拡張(グレードアップ)する
ことができる。
According to the above configuration, when the input / output control is increased in order to expand the function, only the main device or the slave device is expanded and the other main device or the slave device is expanded without being changed. You can For example, when a mutual interlock of input / output signals from the slave device is added to the control procedure, the control means of the main device is changed because the input / output signal is originally information (data) held in the main device. Then
The slave device can be expanded (upgraded) without changing.

【0071】このように、本発明の他の特徴によれば、
主装置100,従装置320,520,620,720の
いずれか一方だけ、単独にグレードアップすることがで
きる。また、メモリ120を書き替えて、従装置の形
態,実装位置の変更を行うことができる。また、メモリ
120の制御情報を書き替えることにより機能の追加,
拡張が容易となり、制御用ソフトウエアの開発を平行し
て行うことができる。
Thus, according to another feature of the present invention,
Only one of the main device 100 and the slave devices 320, 520, 620 and 720 can be independently upgraded. Further, the memory 120 can be rewritten to change the form and mounting position of the slave device. In addition, the function is added by rewriting the control information of the memory 120,
It is easy to expand, and control software can be developed in parallel.

【0072】図10は、図1で説明した実施例の真空処
理装置の使用の態用を変えた例を示すものであり、使用
する処理室の数が少ないときの例を示すものである。使
用する処理室の数が少ないときは、例えば、ロードロッ
ク室の対向側に1つのエッチング室38A、その横に1
つのアッシング室38Bを配置することにより、コンパ
クトな真空処理装置を構成することができる。
FIG. 10 shows an example in which the usage of the vacuum processing apparatus of the embodiment described in FIG. 1 is changed, and shows an example when the number of processing chambers used is small. When the number of processing chambers to be used is small, for example, one etching chamber 38A is provided on the opposite side of the load lock chamber and one is provided beside it.
By arranging one ashing chamber 38B, a compact vacuum processing apparatus can be constructed.

【0073】次に、図11に本発明の他の実施例になる
真空処理装置を示す。この実施例は、図1で説明した実
施例の真空処理装置に対して、エッチング室36A,3
8Cのターボ分子真空ポンプをそれぞれ各エッチング室
の下に配置している点が異なる。この場合でも、真空搬
送室37を挟んでロードロック室34,アンロードロッ
ク室35の対向側にエッチング室36A,38C、その
横にアッシング室36B,36Dが設けられている。ま
た、両ロードロック室が近接して平行配置されており、
第1,第2のエッチング室の各中心を結ぶ線、第1,第
2のアッシング室の各中心を結ぶ線、両ロードロック室
の各中心を結ぶ線は互いに平行である。
Next, FIG. 11 shows a vacuum processing apparatus according to another embodiment of the present invention. This embodiment is different from the vacuum processing apparatus of the embodiment described in FIG.
The difference is that 8C turbo molecular vacuum pumps are arranged below each etching chamber. Even in this case, the etching chambers 36A and 38C are provided on the opposite sides of the load lock chamber 34 and the unload lock chamber 35 with the vacuum transfer chamber 37 interposed therebetween, and the ashing chambers 36B and 36D are provided next to the etching chambers 36A and 38C. In addition, both load lock chambers are arranged in close proximity to each other,
A line connecting the centers of the first and second etching chambers, a line connecting the centers of the first and second ashing chambers, and a line connecting the centers of both load lock chambers are parallel to each other.

【0074】図11に示した真空処理装置において、使
用する処理室の数が少ないときは、ロードロック室の対
向側に1つのエッチング室38A、その横に1つのアッ
シング室38Bを配置することにより、コンパクトな真
空処理装置を構成することができる。
In the vacuum processing apparatus shown in FIG. 11, when the number of processing chambers to be used is small, one etching chamber 38A is arranged on the opposite side of the load lock chamber and one ashing chamber 38B is arranged next to it. Thus, a compact vacuum processing device can be configured.

【0075】なお、要求処理能力の増加に対応して、複
数個の開口に処理室として2つのエッチング室と、2つ
のアッシング室を接続した真空処理装置を構成すること
ができる。
Incidentally, in response to an increase in required processing capacity, it is possible to construct a vacuum processing apparatus in which two etching chambers and two ashing chambers are connected to a plurality of openings as processing chambers.

【0076】また、本発明の真空処理装置を半導体製造
ラインに組み込むことにより、試料の大口径化に対応し
つつ、真空処理装置の必要な設置台数を確保して製造コ
ストの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない
半導体製造ラインを提供することができる。
Further, by incorporating the vacuum processing apparatus of the present invention into a semiconductor manufacturing line, it is possible to secure a necessary number of installed vacuum processing apparatuses while suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of a sample. Thus, it is possible to provide a semiconductor manufacturing line that does not impair maintenance.

【0077】このように、本発明によれば、試料の大口
径化にもかかわらず、同じ面積のクリーンルームにおけ
る真空処理室の設置台数を従来に比べて減少させること
が無く、よって半導体の製造ラインの生産性の低下を招
くことも無い。従って、試料の大口径化に対応しつつ、
製造コストの上昇を抑えることができる。
As described above, according to the present invention, the number of vacuum processing chambers installed in a clean room having the same area is not reduced as compared with the conventional one, even though the diameter of the sample is increased. There is no reduction in productivity. Therefore, while responding to the large diameter of the sample,
It is possible to suppress an increase in manufacturing cost.

【0078】[0078]

【発明の効果】本発明によれば、シングルチャンバを使
うユーザーにとっても、マルチチャンバを使うユーザー
にとっても、常にスペースファクターの良い真空処理装
置を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide a vacuum processing apparatus which always has a good space factor for both users who use a single chamber and users who use a multi-chamber.

【0079】また、本発明によれば、試料の大口径化に
対応しつつ、省スペースで必要な設置台数を確保して製
造コストの上昇を抑え、かつ、1台の真空処理装置が
スペースなので必要な数の真空処理装置を設置しても真
空処理装置間の間隔を狭くすることなくメンテナンスス
ペースを確保でき、真空処理室の追加,変更,拡張が容
易な真空処理装置を提供できる。さらに、メンテナンス
性も損なわない装置を提供できる。したがって、試料の
大口径化に対応しつつ、製造コストの上昇を抑えること
のできる真空処理装置を提供できる。
Further, according to the present invention, it is possible to secure a required number of installed units in a space-saving manner while suppressing the increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of the sample, and to save space in one vacuum processing apparatus. Therefore, it is true even if the required number of vacuum processing devices are installed.
Maintenance space without narrowing the space between empty processing units
It is possible to provide a vacuum processing apparatus that can secure the pace and that can easily add, change, and expand the vacuum processing chamber. Furthermore, it is possible to provide a device that does not impair the maintainability. Therefore, it is possible to provide a vacuum processing apparatus capable of suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of a sample.

【0080】また、本発明の真空処理装置を半導体製造
ラインに組み込むことにより、試料の大口径化に対応し
つつ、真空処理装置の必要設置台数を確保して製造コス
トの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない半
導体製造ラインを提供することができる。
Further, by incorporating the vacuum processing apparatus of the present invention into a semiconductor manufacturing line, it is possible to secure the required number of installed vacuum processing apparatuses while suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of a sample. It is possible to provide a semiconductor manufacturing line in which maintainability is not impaired.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例になる真空処理装置の平面構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a planar configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のII−II線に沿った真空処理装置の要部縦
断面図である。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a main part of the vacuum processing apparatus taken along the line II-II in FIG.

【図3】図1の真空処理装置のベースフレーム部の構成
を示す横断面図である。
3 is a cross-sectional view showing a configuration of a base frame portion of the vacuum processing apparatus of FIG.

【図4】図3のベースフレーム部の各開口の配置間隔を
示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an arrangement interval of each opening of the base frame portion of FIG.

【図5】真空処理装置内の試料の処理操作を説明する図
である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a sample processing operation in a vacuum processing apparatus.

【図6】大気搬送ロボットと真空処理部の間で試料を受
渡す際の動作を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an operation when a sample is delivered between an atmospheric transfer robot and a vacuum processing unit.

【図7】本発明の一実施例になる真空処理装置の制御装
置のブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of a controller of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図8】図7に示した制御装置のシステム構成例を示す
図である。
8 is a diagram showing a system configuration example of the control device shown in FIG.

【図9】本発明の一実施例になるエッチング処理ユニッ
トの運転フローの例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of an operation flow of an etching processing unit according to an embodiment of the present invention.

【図10】図1の真空処理装置の使用形態の説明図であ
る。
10 is an explanatory view of a usage pattern of the vacuum processing apparatus of FIG.

【図11】本発明の他の実施例であり、エッチング室の
下にターボ分室真空ポンプを配置した真空処理室装置で
ある。
FIG. 11 is another embodiment of the present invention, which is a vacuum processing chamber apparatus in which a turbo compartment vacuum pump is arranged below the etching chamber.

【図12】本発明の他の実施例を示す図であり、真空ロ
ボットを2枚のブレードを有するタイプにしたときの実
施例である。
FIG. 12 is a diagram showing another embodiment of the present invention, which is an embodiment when the vacuum robot is of a type having two blades.

【符号の説明】 3…試料、10…カセットブロック、12…カセット、
30…真空処理ブロック、34…ロードロック室、35
…アンロードロック室、36…真空処理室、37…真空
搬送室。
[Explanation of Codes] 3 ... Sample, 10 ... Cassette Block, 12 ... Cassette,
30 ... Vacuum processing block, 34 ... Load lock chamber, 35
... unload lock chamber, 36 ... vacuum processing chamber, 37 ... vacuum transfer chamber.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/3065 H01L 21/302 101G (72)発明者 川崎 義直 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (56)参考文献 特開 平4−226048(JP,A) 特開 平6−214731(JP,A) 特開 平6−5688(JP,A) 特開 平7−335711(JP,A) 特開 平6−51260(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/3065 H01L 21/302 H01L 21/306 H01L 21/461 H01L 21/027 H01L 21/46 H01L 21/203 H01L 21/363 H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/469 H01L 21/86 C03F 1/00 - 4/04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 21/3065 H01L 21/302 101G (72) Inventor Yoshinao Kawasaki 794 Azuma Higashitoyo, Hyomatsu City, Yamaguchi Prefecture Hitachi Kasado Plant (56) Reference JP-A-4-226048 (JP, A) JP-A-6-214731 (JP, A) JP-A-6-5688 (JP, A) JP-A-7-335711 (JP, A) JP-A-6-51260 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 H01L 21/3065 H01L 21/302 H01L 21/306 H01L 21/461 H01L 21 / 027 H01L 21/46 H01L 21/203 H01L 21/363 H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/469 H01L 21/86 C03F 1/00-4/04

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】試料の搬出入を行うための搬出入室と、前
記試料を真空処理する複数の処理室と、前記処理室と前
記搬出入室との間で前記試料を搬送する真空搬送手段を
有する真空搬送室とを具備し、前記真空搬送室の周囲に
沿って前記複数の処理室と前記搬出入室を配置して成る
真空処理装置において、 前記複数の処理室を、第1ユニットでなる2つの第1の
処理室と、該第1の処理室のプラズマ源とは異なるプラ
ズマ源を有する前記第1ユニットより大きい第2ユニッ
トでなる2つの第2の処理室とで構成し、前記搬出入室
から遠い側に前記第2の処理室を前記真空搬送室に対し
て縦方向に左右2個並べて配置し、前記搬出入室に近い
で前記真空搬送室の左右それぞれに前記第1の処理室
を1個ずつ配置したことを特徴とする真空処理装置。
1. A loading / unloading chamber for loading / unloading a sample, a plurality of processing chambers for vacuum- processing the sample, and a vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the loading / unloading chamber. A vacuum processing apparatus comprising a vacuum transfer chamber, wherein the plurality of processing chambers and the carry-in / out chamber are arranged along the circumference of the vacuum transfer chamber, wherein the plurality of processing chambers include two units each including a first unit. A first processing chamber and two second processing chambers each having a second unit larger than the first unit and having a plasma source different from the plasma source of the first processing chamber, The two second processing chambers are arranged side by side in the vertical direction with respect to the vacuum transfer chamber on the far side, and the first processing chamber is provided on each of the left and right sides of the vacuum transfer chamber on the side closer to the loading / unloading chamber.
A vacuum processing apparatus characterized in that one by one is arranged.
【請求項2】試料の搬入または搬出を大気と真空雰囲気
との間で行うための搬入室および搬出室と、前記試料を
真空処理する複数の処理室と、真空搬送室を経由して前
記処理室と前記搬入室または搬出室の間で前記試料を搬
送する真空搬送手段とを備え、前記処理室と前記搬入室
および搬出室が前記真空搬送室の周囲に沿って配置され
た真空処理装置において、 前記複数の処理室として、前記真空搬送室を挟んで前記
搬入室および搬出室と対向する側に第1,第2のエッチ
ング室が配置され、該第1,第2のエッチング室と前記
搬入室および搬出室との間に第1,第2のアッシング室
が配置され、 前記第1,第2のエッチング室の各中心を結ぶ線、前記
第1,第2のアッシング室の各中心を結ぶ線、及び前記
搬入室および搬出室の各中心を結ぶ線が互いに平行であ
ることを特徴とする真空処理装置。
2. A sample is loaded into or unloaded from the atmosphere and a vacuum atmosphere.
A carrying-in chamber and a carrying-out chamber for carrying out the sample, a plurality of processing chambers for vacuum-processing the sample, and carrying the sample between the processing chamber and the carrying-in or carrying-out chamber via a vacuum carrying chamber. Vacuum transfer means for controlling the processing chamber and the loading chamber.
And a vacuum processing apparatus in which a carry-out chamber is arranged along the periphery of the vacuum transfer chamber, wherein the vacuum transfer chamber is sandwiched between the plurality of processing chambers.
First and second etching chambers are arranged on the side facing the carry-in chamber and the carry-out chamber .
First and second ashing chambers are arranged between the carry-in chamber and the carry-out chamber, and a line connecting the centers of the first and second etching chambers and the centers of the first and second ashing chambers Connecting line, and the above
A vacuum processing apparatus, wherein lines connecting the centers of the carry-in chamber and the carry-out chamber are parallel to each other.
【請求項3】大気カセット部と真空処理部とを有し、前
記真空処理部は、試料の搬出入を行うためのロード側ロ
ードロック室及びアンロード側ロードロック室と、前記
試料を真空処理する複数の処理室と、真空搬送室を経由
して前記処理室と前記両ロードロック室の間で前記試料
を搬送する真空搬送手段とを備え、前記処理室と前記両
ロードロック室が前記真空搬送室の周囲に沿って配置さ
れた真空処理装置において、 前記大気カセット部は、被処理物を複数枚収納する複数
のカセットと、該被処理物をカセットから取り出して該
真空処理部へ搬送する第一の搬送機構部とからなる、平
面形状が長方形のブロックからなり、 前記真空処理部の前記両ロードロック室が近接して平行
に配置されており、前記複数の処理室として、前記真空
搬送室を挟んで前記両ロードロック室と対向する側に第
1,第2のエッチング室が配置され、該第1,第2のエ
ッチング室と前記両ロードロック室の間に第1,第2の
アッシング室が配置され、 前記第1,第2のエッチング室の各中心を結ぶ線、前記
第1,第2のアッシング室の各中心を結ぶ線、及び前記
両ロードロック室の各中心を結ぶ線が、前記大気カセッ
ト部の長手方向に沿って互いに平行であり、前記両ロー
ドロック室の前記試料搬出入方向が前記大気カセット部
の長手方向に垂直な方向に伸びていることを特徴とする
真空処理装置。
3. An atmosphere cassette unit and a vacuum processing unit, wherein the vacuum processing unit vacuum-processes the sample, and a load-side load lock chamber and an unload-side load lock chamber for loading and unloading the sample. A plurality of processing chambers, and a vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the load-lock chambers via a vacuum transfer chamber, wherein the processing chambers and the load-lock chambers are vacuumed. In a vacuum processing apparatus arranged along the periphery of a transfer chamber, the atmospheric cassette unit takes out a plurality of cassettes for storing a plurality of objects to be processed and transfers the objects to be processed to the vacuum processing unit. The load transfer chambers of the vacuum processing unit are arranged in close proximity to each other and are parallel to each other, and the vacuum transfer is performed as the plurality of processing chambers. First and second etching chambers are arranged on the side facing the both load-lock chambers with the first and second etching chambers interposed between the first and second etching chambers. A chamber is arranged, and a line connecting the centers of the first and second etching chambers, a line connecting the centers of the first and second ashing chambers, and a line connecting the centers of the two load lock chambers are provided. A vacuum treatment , wherein the sample loading / unloading directions of the load lock chambers are parallel to each other along the longitudinal direction of the atmospheric cassette portion and extend in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the atmospheric cassette portion. apparatus.
【請求項4】請求項3に記載の真空処理装置において、 前記ロードロック室が、前記試料のノッチやオリエンテ
ーションフラットの位相合わせをする手段を備えている
ことを特徴とする真空処理装置。
4. The vacuum processing apparatus according to claim 3, wherein the load lock chamber is provided with means for aligning the phase of the notch or orientation flat of the sample.
【請求項5】請求項1ないし4のいずれかに記載の真空
処理装置において、 前記真空処理装置の外形が、真空搬送室を中心に放射状
に構成されていることを特徴とする真空処理装置。
5. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the outer shape of the vacuum processing apparatus is radially arranged around the vacuum transfer chamber.
【請求項6】カセットブロックと真空処理ブロックとか
ら構成され、該カセットブロックには、試料を収納した
複数のカセットを載置するカセット台が設けられ、前記
真空処理ブロックには、前記試料を真空処理する複数の
処理室と、ロードロック室及びアンロードロック室と、
前記処理室と前記両ロードロック室の間で前記試料を搬
送する真空搬送手段が配置された真空搬送室とを有する
真空処理装置において、 前記カセットブロックがオリエンテーションフラット,
ノッチもしくはレーザマークの位相合せ機構を含み、 前記両ロードロック室が近接して平行配置されており、 前記真空搬送室の周辺に、前記処理室拡張接続用の開口
が複数個形成されており、 前記複数の処理室として、前記真空搬送室を挟んで前記
両ロードロック室と対向する側に第1,第2のエッチン
グ室が配置され、該第1,第2のエッチング室と前記両
ロードロック室の間に第1,第2のアッシング室が配置
され、 前記第1,第2のエッチング室の各中心を結ぶ線、前記
第1,第2のアッシング室の各中心を結ぶ線、及び前記
両ロードロック室の各中心を結ぶ線が互いに平行である
ことを特徴とする真空処理装置。
6. A cassette block and a vacuum processing block, wherein the cassette block is provided with a cassette table on which a plurality of cassettes containing samples are placed, and the vacuum processing block vacuumizes the sample. A plurality of processing chambers for processing, a load lock chamber and an unload lock chamber,
In a vacuum processing apparatus having a vacuum transfer chamber in which vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the load lock chambers is arranged, the cassette block is an orientation flat,
A notch or a laser mark phasing mechanism, both load lock chambers are arranged in parallel in close proximity, a plurality of openings for the processing chamber expansion connection are formed around the vacuum transfer chamber, As the plurality of processing chambers, first and second etching chambers are arranged on the side facing the load lock chambers with the vacuum transfer chamber interposed therebetween, and the first and second etching chambers and the load lock chambers are disposed. First and second ashing chambers are arranged between the chambers, a line connecting the centers of the first and second etching chambers, a line connecting the centers of the first and second ashing chambers, and A vacuum processing apparatus, wherein lines connecting the centers of both load lock chambers are parallel to each other.
【請求項7】請求項1ないし6のいずれかに記載の真空
処理装置において、 前記複数の処理室を制御する主装置と、該各処理室の動
作を補助する複数の従装置とを備え、該主装置と該従装
置が共通の情報伝達手段で接続され、前記主装置は前記
各従装置の制御情報を書き込む共有メモリを備えている
ことを特徴とする真空処理装置。
7. The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising a main device that controls the plurality of processing chambers, and a plurality of slave devices that assist the operations of the processing chambers. A vacuum processing apparatus, wherein the main device and the slave device are connected by a common information transmission means, and the main device includes a shared memory for writing control information of each of the slave devices.
【請求項8】試料の搬出入を行うための搬出入室と、前
記試料を真空処理する複数の処理室と、前記処理室と前
記搬出入室との間で前記試料を搬送する真空搬送手段を
有する真空搬送室とを具備し、前記真空搬送室の周囲に
沿って前記複数の処理室と前記搬出入室を配置して成る
真空処理装置において、 前記複数の処理室を、第1ユニットでなる2つの第1の
処理室と、該第1の処理室のプラズマ源とは異なるプラ
ズマ源を有する前記第1ユニットより大きい第2ユニッ
トでなる2つの第2の処理室とで構成し、前記搬出入室
から遠い側に前記第2の処理室を前記真空搬送室に対し
て縦方向に左右2個並べて配置し、前記搬出入室に近い
で前記真空搬送室の左右それぞれに前記第1の処理室
を1個ず 配置し、前記真空搬送室の両側面に配置した
前記第1の2つの処理室へ前記搬送手段が試料を搬送す
る方向と前記搬出入室へ外部から試料が搬出入される方
向とをほぼ直交させて前記真空搬送手段を中心として前
記搬出入室と前記第1の処理室とを設けたことを特徴と
する真空処理装置。
8. A loading / unloading chamber for loading / unloading a sample, a plurality of processing chambers for vacuum- processing the sample, and a vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the loading / unloading chamber. A vacuum processing apparatus comprising a vacuum transfer chamber, wherein the plurality of processing chambers and the carry-in / out chamber are arranged along the circumference of the vacuum transfer chamber, wherein the plurality of processing chambers include two units each including a first unit. A first processing chamber and two second processing chambers each having a second unit larger than the first unit and having a plasma source different from the plasma source of the first processing chamber, The two second processing chambers are arranged side by side in the vertical direction with respect to the vacuum transfer chamber on the far side, and the first processing chamber is provided on each of the left and right sides of the vacuum transfer chamber on the side closer to the loading / unloading chamber.
One not a One place, the direction the arranged on both sides of the vacuum transfer chamber first of said conveying means to the two processing chamber sample is externally loading and unloading into the transport room and the direction for conveying the sample Is substantially orthogonal to each other, and the carry-in / out chamber and the first processing chamber are provided around the vacuum transfer means as a center.
【請求項9】試料の搬出入を行うための搬出入室と、前
記試料を真空処理する複数の処理室と、前記処理室と前
記搬出入室との間で前記試料を搬送する真空搬送手段を
有する真空搬送室とを具備し、前記真空搬送室の周囲に
沿って前記複数の処理室と前記搬出入室を配置して成る
真空処理装置において、 前記真空搬送室を2枚の試料を並べて回転可能な大きさ
とし、前記複数の処理室を、第1ユニットでなる2つの
第1の処理室と、該第1の処理室のプラズマ源とは異な
るプラズマ源を有する前記第1ユニットより大きい第2
ユニットでなる2つの第2の処理室とで構成し、前記搬
出入室から遠い側に前記第2の処理室を前記真空搬送室
に対して縦方向に左右2個並べて配置し、前記搬出入室
に近い側で前記真空搬送室の左右それぞれに前記第1の
処理室を1個ずつ配置したことを特徴とする真空処理装
置。
9. A loading / unloading chamber for loading / unloading a sample, a plurality of processing chambers for vacuum- processing the sample, and a vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the loading / unloading chamber. A vacuum processing apparatus comprising a vacuum transfer chamber, wherein the plurality of processing chambers and the loading / unloading chamber are arranged along the periphery of the vacuum transfer chamber, wherein the vacuum transfer chamber is rotatable with two samples arranged side by side. A size larger than the first unit having two first processing chambers each including a first unit and a plasma source different from the plasma source of the first processing chamber;
It is composed of two second processing chambers each composed of a unit, and two second processing chambers are arranged side by side in the vertical direction with respect to the vacuum transfer chamber on the side far from the loading / unloading chamber, and the second loading and unloading chamber The first side is provided on each of the left and right sides of the vacuum transfer chamber on the near side.
A vacuum processing apparatus characterized by arranging one processing chamber at a time .
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