JPH09321117A - Vacuum treating apparatus - Google Patents

Vacuum treating apparatus

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JPH09321117A
JPH09321117A JP13493896A JP13493896A JPH09321117A JP H09321117 A JPH09321117 A JP H09321117A JP 13493896 A JP13493896 A JP 13493896A JP 13493896 A JP13493896 A JP 13493896A JP H09321117 A JPH09321117 A JP H09321117A
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JP
Japan
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chamber
vacuum
chambers
processing
sample
Prior art date
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Pending
Application number
JP13493896A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Soraoka
稔 空岡
Takeshi Yoshioka
健 吉岡
Yoshinao Kawasaki
義直 川崎
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate adding, changing and expanding of a vacuum treating chamber with reduced space by placing a first treating chamber at nearer position to an entrance/ejection chamber than a second treating chamber to suppress the lateral size increase in plan layout. SOLUTION: Two second large-outer diameter treating chambers 36A, 36C are parallel disposed at the far side of a load lock chamber 34 and longitudinally to a vacuum conveying chamber 37. Two first smaller-outer diameter treating chambers 36B, 36D are disposed approximately at both sides of the chamber 37 at the near side of the load lock chamber 34. This suppresses the lateral size increase in plan layout and length increase of a vacuum treating apparatus 300 away from the load lock chamber 34, thereby saving the entire space. This also minimizes the sample conveying length of a pneumatic conveying means, improves the throughput with adapting to large apertures of samples and suppresses the production cost rise.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置に係
り、特にSi等の半導体素子基板である試料に対して、
エッチング、CVD(化学的気相成長)、スパッタリン
グ、ミリング、アッシング、ベーキング、リンサ(水
洗)等の枚葉処理をするのに好適な真空処理装置と、そ
れを用いて半導体デバィスを製造する半導体製造ライン
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly to a vacuum processing apparatus for a sample which is a semiconductor element substrate such as Si.
Vacuum processing equipment suitable for single-wafer processing such as etching, CVD (chemical vapor deposition), sputtering, milling, ashing, baking, and rinsing (water washing), and semiconductor manufacturing using the same to manufacture semiconductor devices It is about lines.

【0002】[0002]

【従来の技術】試料を処理する真空処理装置は、大別す
ると、カセットブロックと真空処理ブロックから構成さ
れており、カセットブロックは、半導体製造ラインのベ
イ通路に面して長手方向に伸びるフロントを有し、試料
用のカセットや試料のオリエンテーションを合わせるア
ライメントユニットと、大気ロボットがある。真空処理
ブロックには、ロード側ロードロック室、アンロード側
ロードロック室、真空処理室、後処理室、真空ポンプ及
び真空ロボット等が設けられている。
2. Description of the Related Art A vacuum processing apparatus for processing a sample is roughly divided into a cassette block and a vacuum processing block. The cassette block has a front surface extending in a longitudinal direction facing a bay passage of a semiconductor manufacturing line. There are a cassette for sample, an alignment unit for adjusting the orientation of the sample, and an atmospheric robot. The vacuum processing block includes a load-side load lock chamber, an unload-side load lock chamber, a vacuum processing chamber, a post-processing chamber, a vacuum pump, a vacuum robot, and the like.

【0003】これらの真空処理装置では、カセットブロ
ックのカセットから取り出された試料が、大気ロボット
により真空処理ブロックのロード側ロードロック室まで
搬送される。ロード側ロードロック室から真空ロボット
によりさらに処理室に搬送され、電極構造体上にセット
された試料は、プラズマエッチング等の処理がなされ
る。その後、必要に応じて後処理室に搬送、処理され
る。処理済みの試料は、真空ロボット及び大気ロボット
によりカセットブロックのカセットに搬送される。
In these vacuum processing apparatuses, a sample taken out of a cassette in a cassette block is transported to a load-side load lock chamber of the vacuum processing block by an atmospheric robot. The sample further transferred from the load side load lock chamber to the processing chamber by the vacuum robot and set on the electrode structure is subjected to processing such as plasma etching. Thereafter, it is transported to a post-processing chamber and processed as needed. The processed sample is transported to the cassette of the cassette block by the vacuum robot and the atmospheric robot.

【0004】試料をプラズマエッチング処理する真空処
理装置の例としては、例えば特公昭61−8153号公
報、特開昭63−133532号公報、特開平3−19
252号公報、特開平4−226048号公報、特公平
6−30369号公報、特開平6−314729号公
報、特開平6−314730号公報、米国特許第5、3
14、509号明細書に記載されたようなものがある。
Examples of vacuum processing apparatuses for performing plasma etching of a sample include, for example, Japanese Patent Publication No. 61-8153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-133532, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-19.
252, JP-A-4-226048, JP-B-6-30369, JP-A-6-314729, JP-A-6-314730, U.S. Pat.
No. 14,509.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の真空処
理装置は、処理室やロードロック室を同心状に配置した
り、矩形状に配置している。例えば、米国特許第5、3
14、509号明細書に記載された装置は、真空処理ブ
ロックの中央付近に真空ロボット、その周囲に3個の処
理室が同心状に配置され、真空ロボットとカセットブロ
ックの間に、ロード側ロードロック室、アンロード側ロ
ードロック室が設けられている。また、特開平3−19
252号公報や特開平4−226048号公報に記載さ
れた装置も、真空処理ブロックの中央付近に真空ロボッ
ト、その周囲に複数の処理室やロードロック室が同心状
に配置されている。
In the prior art vacuum processing apparatus described above, the processing chamber and the load lock chamber are arranged concentrically or rectangularly. For example, US Pat.
The apparatus described in Japanese Patent Application No. 14,509 has a vacuum robot near the center of a vacuum processing block, and three processing chambers arranged concentrically around the vacuum robot. A lock chamber and an unload-side load lock chamber are provided. In addition, JP-A-3-19
252 and JP-A-4-226048 also have a vacuum robot near the center of a vacuum processing block, and a plurality of processing chambers and load lock chambers arranged concentrically around the vacuum robot.

【0006】これらの装置では、複数の処理室やロード
ロック室が同心状に配置され、ロボットの搬送アームの
回転角度も大きいため、各処理室に付設される真空ポン
プ等も含めるとその外形寸法が大きくなり、特に、真空
処理装置間の横方向の長さが大きくなり、複数の真空処
理装置全体の必要床面積が大きいという問題がある。
In these apparatuses, a plurality of processing chambers and load lock chambers are arranged concentrically, and the rotation angle of the transfer arm of the robot is large. Therefore, the outside dimensions of the apparatus including the vacuum pumps attached to each processing chamber are included. In particular, there is a problem that the horizontal length between the vacuum processing apparatuses is increased, and the required floor area of the plurality of vacuum processing apparatuses as a whole is large.

【0007】一方、真空処理装置の真空処理ブロック内
の処理室や真空ポンプその他各種の配管機器について
は、定期、不定期に点検修理等のメンテナンスを行うこ
とが必要である。そのため、一般に、真空処理ブロック
の周囲には、扉が設けられており、この扉を開けること
により、ロードロック室、アンロードロック室、処理
室、真空ロボット及び各種の配管機器の点検修理が出来
るようになっている。
On the other hand, it is necessary to regularly and irregularly perform maintenance such as inspection and repair of a processing chamber in a vacuum processing block of a vacuum processing apparatus, a vacuum pump, and other various piping devices. Therefore, in general, a door is provided around the vacuum processing block, and by opening this door, inspection and repair of the load lock chamber, the unload lock chamber, the processing chamber, the vacuum robot, and various piping devices can be performed. It has become.

【0008】従来の真空処理装置は、取り扱う試料の直
径dが8インチ(約200mm)以下であるが、カセット
の外形寸法Cwも、約250mm程度であり、これでも床
面積の大きさは大きな問題となっていた。さらに、直径
dが12インチ(約300mm)のような大口径の試料を
取り扱うことを考えると、カセットの外形寸法Cwは、
約350mm程度と大きくなり、複数のカセットを収納す
るカセットブロックの幅も大きくなる。この幅に合わせ
て真空処理ブロックの幅を決定すると、真空処理装置全
体が大きなスペースを必要とすることになる。一例とし
て、4個のカセットを収納するカセットブロックについ
て考えると、試料の直径dが8インチから12インチに
なった場合、カセットブロックの幅は少なくとも約40
cm以上大きくならざるを得ない。
[0008] In the conventional vacuum processing apparatus, the diameter d of the sample to be handled is 8 inches (about 200 mm) or less, but the external dimension Cw of the cassette is also about 250 mm. Had become. Further, considering handling a sample having a large diameter such as a diameter d of 12 inches (about 300 mm), the external dimensions Cw of the cassette are as follows.
As a result, the width of the cassette block for accommodating a plurality of cassettes also increases. If the width of the vacuum processing block is determined according to this width, the entire vacuum processing apparatus requires a large space. As an example, consider a cassette block containing four cassettes, the width of the cassette block is at least about 40 when the sample diameter d is 8 inches to 12 inches.
It must be larger than cm.

【0009】一方、試料に各種の処理を行いながら大量
の処理を行うために、一般の半導体製造ラインでは、同
じ処理を行う複数の真空処理装置を同じベイに集め、各
ベイ間の搬送を自動またはマニュアルで行っている。こ
のような半導体製造ラインは、高いクリーン度を必要と
するため、半導体製造ライン全体が大きなクリーンルー
ム内に設置される。試料の大口径化に伴う真空処理装置
の大型化は、クリーンルーム占有面積の大型化を伴う
が、これはもともと建設コストの高いクリーンルームの
建設コストを一層増加させることになる。もし、同じ面
積のクリーンルームに占有面積の大きな真空処理装置を
設置するとすれば、真空処理装置の全体の台数を減らす
か、あるいは各真空処理装置間の間隔を狭くせざるを得
ない。同じ面積のクリーンルームにおける真空処理装置
の設置台数の減少は、必然的に半導体の製造ラインの生
産性の低下ひいては半導体の製造コストの上昇を伴う。
他方、各真空処理装置間の間隔を狭くすることは、点検
修理のためのメンテナンススペースが不足し、真空処理
装置のメンテナンス性を著しく阻害する。
On the other hand, in order to perform a large amount of processing while performing various kinds of processing on a sample, in a general semiconductor manufacturing line, a plurality of vacuum processing apparatuses performing the same processing are collected in the same bay, and conveyance between the bays is automatically performed. Or do it manually. Since such a semiconductor manufacturing line requires a high degree of cleanliness, the entire semiconductor manufacturing line is installed in a large clean room. The increase in the size of the vacuum processing apparatus accompanying the increase in the diameter of the sample is accompanied by an increase in the area occupied by the clean room, which further increases the construction cost of the clean room, which originally has a high construction cost. If a vacuum processing apparatus having a large occupied area is installed in a clean room having the same area, the total number of vacuum processing apparatuses must be reduced, or the interval between the vacuum processing apparatuses must be reduced. The decrease in the number of vacuum processing apparatuses installed in a clean room having the same area necessarily entails a decrease in the productivity of the semiconductor production line and an increase in the semiconductor production cost.
On the other hand, when the interval between the vacuum processing apparatuses is reduced, a maintenance space for inspection and repair is insufficient, and the maintainability of the vacuum processing apparatuses is significantly impaired.

【0010】他方、試料の大口径化に伴い、半導体製造
装置の占有床面積当たりのスループット(時間あたりの
基板処理枚数)を向上させることが大きな課題となって
いる。
[0010] On the other hand, as the diameter of the sample increases, it is a major problem to improve the throughput per occupied floor area of the semiconductor manufacturing apparatus (the number of processed substrates per time).

【0011】本発明の第1の目的は、占有面積すなわち
平面配置における横方向寸法の増加を抑え、省スペース
で真空処理室の追加、変更、拡張が容易な真空処理装置
もしくは半導体製造装置を提供することにある。
A first object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus or semiconductor manufacturing apparatus which suppresses an increase in an occupied area, that is, a lateral dimension in a planar arrangement, and which can save space, easily add, change, or expand a vacuum processing chamber. Is to do.

【0012】本発明の第2の目的は、真空処理室の追
加、変更、拡張に伴う機能の追加、拡張が容易な真空処
理装置もしくは半導体製造装置及びそれらの制御方法を
提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus or a semiconductor manufacturing apparatus in which functions can be easily added and expanded with addition, change, and expansion of a vacuum processing chamber, and a control method thereof.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明上記第1の目的を
達成するために、本発明は、試料の搬出入を行うための
搬出入室と、前記試料を真空処理する処理室とを有し、
該処理室は第1の処理室と第1の処理室より大きな第2
の処理室とを有し、真空搬送室を経由して前記処理室と
前記搬出入室の間で前記試料を搬送する真空搬送手段と
を備え、前記処理室と前記搬出入室が前記真空搬送室の
周囲に沿って配置された真空処理装置において、第1の
処理室が第2の処理室よりも前記搬出入室に近い位置に
設けられていることを特徴とする真空処理装置にある。
Means for Solving the Problems In order to achieve the first object of the present invention, the present invention comprises a loading / unloading chamber for loading / unloading a sample and a processing chamber for vacuum-treating the sample. ,
The processing chamber has a first processing chamber and a second processing chamber which is larger than the first processing chamber.
And a vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the loading / unloading chamber via a vacuum transfer chamber, wherein the processing chamber and the loading / unloading chamber are connected to the vacuum transfer chamber. In a vacuum processing apparatus arranged along the periphery, a first processing chamber is provided at a position closer to the loading / unloading chamber than a second processing chamber.

【0014】本発明によれば、ロードロック室から遠い
側に外径の大きな第2の処理室(エッチング室)を2個
並べて、真空搬送室とほぼ縦方向に配置し、ロードロッ
ク室に近い側には、比較的外径の小さい第1の処理室
(アッシング室)を真空搬送室ほぼ横の両側方に2個配
置することが出来る。
According to the present invention, two second processing chambers (etching chambers) having a large outer diameter are arranged on the side far from the load lock chamber, and are arranged substantially vertically with the vacuum transfer chamber, and are close to the load lock chamber. On the side, two first processing chambers (ashing chambers) each having a relatively small outer diameter can be arranged on both sides substantially laterally of the vacuum transfer chamber.

【0015】すなわち、エッチング室とアッシング室を
比較した場合、エッチング形状制御のために各種の精密
な制御要素を必要とするエッチング室は付随する装置も
多くなり、ユニットとして見た場合、アッシング室に比
べると大型になる。このようなエッチング室とアッシン
グ室を共通ユニットに組み合わせる場合、大型のユニッ
トであるエッチング室を真空搬送室に対して縦方向に配
置し、小型のユニットであるアッシング室を真空搬送室
の横方向に配置することが、占有面積すなわち平面配置
における横方向寸法の増加を抑えつつ、全体の省スペー
スを図る上で効果的である。これにより、真空搬送室の
周囲に、外形寸法の異なるエッチング室とアッシング室
をそれぞれ2個ずつ、スペースを有効に生かしながら配
置することが出来る。その結果、真空処理装置の横方向
寸法の寸法の増大を抑えつつ、縦方向すなわちロードロ
ック室から遠い方向への真空処理装置の長さの増大も抑
えられ、全体をコンパクトにできる。
That is, when the etching chamber and the ashing chamber are compared with each other, the etching chamber which requires various precise control elements for controlling the etching shape is accompanied by many devices. It will be large in comparison. When such an etching chamber and an ashing chamber are combined in a common unit, the etching unit, which is a large unit, is arranged vertically with respect to the vacuum transfer chamber, and the ashing chamber, which is a small unit, is placed in the horizontal direction of the vacuum transfer chamber. The arrangement is effective in saving the entire space while suppressing an increase in the occupied area, that is, the lateral dimension in the plane arrangement. As a result, it is possible to arrange two etching chambers and two ashing chambers having different outer dimensions around the vacuum transfer chamber while effectively utilizing the space. As a result, it is possible to suppress the increase in the lateral size of the vacuum processing apparatus and also suppress the increase in the length of the vacuum processing apparatus in the vertical direction, that is, the direction away from the load lock chamber, and to make the whole compact.

【0016】このような効果は、本発明の他の特徴であ
る、真空搬送手段による試料の搬送経路を、各処理室に
対しては真空搬送手段の旋回中心から放射状に構成し、
ロードロック室、アンロードロック室に対しては非放射
状に構成することによっても得られる。
Such an effect is another feature of the present invention, in which the sample transfer path by the vacuum transfer means is radially arranged with respect to each processing chamber from the center of rotation of the vacuum transfer means.
The load lock chamber and the unload lock chamber can also be obtained by a non-radial configuration.

【0017】また、本発明によれば、真空搬送室を挟ん
で両ロードロック室と対向する側に第1、第2のエッチ
ング室が配置され、該第1、第2のエッチング室と両ロ
ードロック室の間に第1の、第2のアッシング室が配置
されているため、真空搬送手段による試料の搬送経路を
最短にすることが出来、搬送処理時間を増加させず、試
料の大口径化に対応しつつ、スループットを向上させ、
ひいては製造コストの上昇を抑えることのできる真空処
理装置を提供することができる。
Further, according to the present invention, the first and second etching chambers are arranged on the side opposed to both load lock chambers with the vacuum transfer chamber interposed therebetween, and the first and second etching chambers and both load chambers are arranged. Since the first and second ashing chambers are arranged between the lock chambers, the sample transfer path by the vacuum transfer means can be minimized, the transfer processing time is not increased, and the sample diameter is increased. While improving the throughput,
As a result, a vacuum processing apparatus capable of suppressing an increase in manufacturing cost can be provided.

【0018】本発明の他の特徴によれば、真空搬送室を
挟んで両ロードロック室と対向する側に第1、第2のエ
ッチング室が配置され、第1、第2のエッチング室と前
記両ロードロック室の間に第1の、第2のアッシング室
が配置される。エッチング室とアッシング室を共通ユニ
ットに組み合わせる場合、大型のユニットであるエッチ
ング室を真空搬送室に対して縦方向に配置し、小型のユ
ニットであるアッシング室を真空搬送室の横方向に配置
することが、占有面積すなわち平面配置における横方向
寸法の増加を抑えつつ、全体の省スペースを図る上で効
果的である。
According to another feature of the present invention, the first and second etching chambers are arranged on the side facing the both load lock chambers with the vacuum transfer chamber interposed therebetween, and the first and second etching chambers and The first and second ashing chambers are arranged between the load lock chambers. When combining the etching chamber and the ashing chamber into a common unit, the large-sized etching chamber should be arranged vertically with respect to the vacuum transfer chamber, and the small-sized ashing chamber should be arranged horizontally with the vacuum transfer chamber. However, this is effective in saving the entire space while suppressing an increase in the occupied area, that is, the lateral dimension in the planar arrangement.

【0019】また、本発明の真空処理装置を半導体製造
ラインに組み込むことにより、試料の大口径化に対応し
つつ、真空処理装置の必要設置台数を確保して製造コス
トの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない半
導体製造ラインを提供することができる。
Further, by incorporating the vacuum processing apparatus of the present invention into a semiconductor manufacturing line, it is possible to secure a necessary number of installed vacuum processing apparatuses while suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of a sample. It is possible to provide a semiconductor manufacturing line in which maintainability is not impaired.

【0020】本発明の第2の特徴は、真空処理装置にお
いて、エッチング等の処理室を制御する主装置と、処理
室の動作を補助する複数の従装置とは、共通の情報伝達
手段すなわちI/Oチャンネルバスで接続され、従装置
の制御情報は主装置のメモリに書き込むことにより与え
られ、真空処理装置全体のハード構成とは独立に、従装
置の制御情報を与えることができる様に構成されている
ことにある。
A second feature of the present invention is that, in a vacuum processing apparatus, a main device for controlling a processing chamber such as etching and a plurality of slave devices for assisting the operation of the processing chamber have a common information transmission means, that is, I. It is connected by an / O channel bus, and the control information of the slave device is given by writing it in the memory of the master device, so that the control information of the slave device can be provided independently of the hardware configuration of the entire vacuum processing apparatus. Is being done.

【0021】そのため、主装置、従装置のいずれか一方
だけ、単独にグレードアップすることができ、あるいは
また、メモリを書き替えて、従装置の形態、実装位置の
変更を行うことができる。したがって、使用する処理室
の追加、変更、拡張に際して、メモリの制御情報を書き
替えることにより真空処理装置もしくは半導体製造ライ
ンの機能の追加、拡張が容易となる。
Therefore, only one of the main device and the slave device can be upgraded independently, or the memory can be rewritten to change the form and mounting position of the slave device. Therefore, when adding, changing, or expanding a processing chamber to be used, the control information in the memory is rewritten, so that the function of the vacuum processing apparatus or the semiconductor manufacturing line can be easily added or expanded.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例になる真
空処理装置300の構成を図1乃至図4により説明す
る。真空処理装置は、カセットブロック10と真空処理
ブロック30を具備している。カセットブロック10に
は、カセット12を配置可能なテーブル11及び試料搬
送用の大気搬送ロボット9がある。製品試料用のカセッ
ト12は、カセット12A、12B、12Cである。テ
ーブル11には、カセット12A、12B、12Cおよ
びオリエンテーションフラット合せ12Dが順次(図1
では縦方向)設けられている。試料用カセット12に
は、全て製品用の試料あるいは製品とダミー用の試料が
収納される。カセットの最上段や最下段に、異物チェッ
ク用やクリーニング用の試料が収納される。また、各カ
セット12の周囲にはウエハサーチ機構121A〜12
1Bが設けてあり、カセット12がセットされたとき
に、ウエハサーチ機構が各カセット内の試料3を認識す
る。つまり、各カセット内の試料3の収納位置、枚数等
を認識する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of a vacuum processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The vacuum processing device includes a cassette block 10 and a vacuum processing block 30. The cassette block 10 includes a table 11 on which a cassette 12 can be arranged and an atmospheric transfer robot 9 for transferring a sample. Cassettes 12 for product samples are cassettes 12A, 12B, and 12C. On the table 11, cassettes 12A, 12B, 12C and an orientation flat alignment 12D are sequentially arranged (see FIG. 1).
In the vertical direction). All of the sample cassettes 12 store a product sample or a product and a dummy sample. Samples for checking foreign substances and cleaning are stored at the top and bottom of the cassette. Further, the wafer search mechanisms 121A to 121A are provided around each cassette 12.
1B is provided, and when the cassette 12 is set, the wafer search mechanism recognizes the sample 3 in each cassette. That is, the storage position, the number, and the like of the samples 3 in each cassette are recognized.

【0023】真空処理ブロック30の真空処理室36
は、試料を一枚ずつ処理、例えばエッチング処理や後処
理(アッシング処理)する部屋である。真空搬送室37
を挟んでロードロック室34、アンロードロック室35
の対向側にエッチング室36A、38C、その横にアッ
シング室36B、36Dが設けられている。両ロードロ
ック室34、34は近接して配置されており、大気カセ
ット部すなわちカセットブロック10の長手方向に垂直
な方向に伸びている。また、真空搬送室37を挟んで両
ロードロック室34、35と対向する側に第1、第2の
エッチング室36A、36Cが配置され、これら第1、
第2のエッチング室と両ロードロック室の間に、第1、
第2のアッシング室36B、36Dが配置されている。
The vacuum processing chamber 36 of the vacuum processing block 30.
Is a room for processing samples one by one, for example, an etching process and a post-process (ashing process). Vacuum transfer chamber 37
Between the load lock chamber 34 and the unload lock chamber 35
The etching chambers 36A and 38C are provided on the side opposite to the above, and the ashing chambers 36B and 36D are provided beside them. The two load lock chambers 34 are arranged close to each other, and extend in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the atmospheric cassette unit, that is, the cassette block 10. Further, first and second etching chambers 36A and 36C are arranged on the side opposite to the load lock chambers 34 and 35 with the vacuum transfer chamber 37 interposed therebetween.
Between the second etching chamber and both load lock chambers, the first,
Second ashing chambers 36B and 36D are arranged.

【0024】15は各室の連通を開閉するリング状のゲ
ート弁である。真空処理室36には、エッチングやアッ
シング用の放電手段の電極を兼ねた試料載置用の試料
台、マイクロ波導入手段130及び真空ポンプ38が設
けられている。エッチング用放電電極の内部に、試料押
し上げ機構14Aが設けられている。40は石英製の覗
き窓である。
Reference numeral 15 is a ring-shaped gate valve that opens and closes the communication between the chambers. The vacuum processing chamber 36 is provided with a sample stage for placing a sample, which also serves as an electrode of a discharging means for etching and ashing, a microwave introducing means 130, and a vacuum pump 38. A sample lifting mechanism 14A is provided inside the etching discharge electrode. Reference numeral 40 denotes a viewing window made of quartz.

【0025】図1に示すように、両ロードロック室3
4、35の各中心を結ぶ線L1、第1、第2のアッシン
グ室36B、36Dの各中心を結ぶ線L2、第1、第2
のエッチング室36A、36Cの各中心を結ぶ線L3、
及び両真空ポンプ38A、38Cの各中心を結ぶ線L4
が前記大気カセット部の長手方向に沿って互いに平行で
ある。
As shown in FIG. 1, both load lock chambers 3
Line L1 connecting the centers of 4 and 35, line L2 connecting the centers of the first and second ashing chambers 36B and 36D, the first and the second
Line L3 connecting the centers of the etching chambers 36A and 36C of
And a line L4 connecting the centers of both vacuum pumps 38A and 38C
Are parallel to each other along the longitudinal direction of the atmosphere cassette portion.

【0026】真空搬送室37内には真空ロボット39が
設けられている。また、カセットブロック10と真空処
理ブロック30との間には、真空処理ブロック30のロ
ードロック室34へのウエハ搬入口、アンロードロック
室35からのウエハ搬出口としてのゲートバルブ34A
が設けられている。なお、カセットブロック10のオリ
フラ合せを廃止して、ロードロック室で試料のノッチ合
せをするように構成してもよい。
A vacuum robot 39 is provided in the vacuum transfer chamber 37. A gate valve 34A between the cassette block 10 and the vacuum processing block 30 serves as a wafer loading port into the load lock chamber 34 of the vacuum processing block 30 and a wafer loading port from the unload lock chamber 35.
Is provided. Note that the orientation flat of the cassette block 10 may be omitted, and the notch of the sample may be adjusted in the load lock chamber.

【0027】大気搬送ロボット9は、カセットブロック
10内にカセットテーブル11と平行に設置されたレー
ルの上を走行可能に設けられており、カセット12と真
空処理ブロック30のロードロック室34及びアンロー
ドロック室35の間で、図6のゲートバルブ34Aを介
して試料3を搬送する。大気搬送ロボット9は、前後、
左右、上下及び回転の4軸制御が可能となっている。
The atmospheric transfer robot 9 is provided so as to be able to travel on a rail installed in the cassette block 10 in parallel with the cassette table 11, and the cassette 12 and the load lock chamber 34 and the unload chamber of the vacuum processing block 30. The sample 3 is conveyed between the lock chambers 35 via the gate valve 34A of FIG. The atmosphere transfer robot 9 is
Four-axis control of left / right, up / down, and rotation is possible.

【0028】大気搬送ロボット9は、レール91の上を
移動しつつ伸縮するアーム92の軌跡が、カセット1
2、オリエンテーションフラット合せ12D、ロードロ
ック室34並びにアンロードロック室35を含む軌跡に
なるように構成されている。
In the atmosphere transfer robot 9, the locus of the arm 92 which expands and contracts while moving on the rail 91 is such that the cassette 1 is moved.
2. The trajectory includes the orientation flat 12D, the load lock chamber 34, and the unload lock chamber 35.

【0029】真空ロボット39は、ロードロック室34
から真空処理室36まで試料3を搬送すると共に、エッ
チング室36A、36C、アンロードロック室35、後
処理室36B、36D間で試料3を搬送する。真空ロボ
ット39は、伸縮アーム101を有し、該伸縮アームの
旋回軌跡がロードロック室34並びに真空処理室36を
含む軌跡になるようにして、真空処理ブロック30に設
けられている。ロードロック室34、35には、試料押
し上げ機構14Bがそれぞれ設けられており、それぞれ
各ロボット9、39の伸縮アーム91、101に試料3
を受渡しできる構成となっている。
The vacuum robot 39 has a load lock chamber 34.
From the etching chambers 36A and 36C, the unload lock chamber 35, and the post-processing chambers 36B and 36D. The vacuum robot 39 has a telescopic arm 101, and is provided in the vacuum processing block 30 such that a turning locus of the telescopic arm is a locus including the load lock chamber 34 and the vacuum processing chamber 36. The sample lock mechanism 14B is provided in each of the load lock chambers 34 and 35, and the sample 3 is attached to the telescopic arms 91 and 101 of the robots 9 and 39, respectively.
Can be delivered.

【0030】ロードロック室34内は、真空処理ブロッ
ク30の真空雰囲気と遮断され大気状態に有る。該状態
のロードロック室34内には、大気搬送ロボット9のす
くい部に保持された処理前の試料が搬入され、そして、
すくい部からロートロック室34内に渡される。処理前
の試料をロートロック室34内に渡した大気搬送ロボッ
ト9は、次の操作に備えて所定の位置に退避させられ
る。
The inside of the load lock chamber 34 is shut off from the vacuum atmosphere of the vacuum processing block 30 and is in an atmospheric state. The unprocessed sample held in the rake of the atmospheric transfer robot 9 is loaded into the load lock chamber 34 in this state, and
It passes from the rake section into the funnel lock chamber 34. The atmosphere transfer robot 9 that has transferred the sample before processing into the funnel lock chamber 34 is retracted to a predetermined position in preparation for the next operation.

【0031】図3に示すとおり、ロードロック室34、
アンロードロック室35及び真空搬送室37は一つのベ
ースフレームとして一体に形成されている。真空搬送室
37はその外周部に設けられたエッチング室36A、3
6Cや後処理室36B、36Dを接続するための複数個
の開口(37A〜37D)を備えている。例えば、開口
37Aにはエッチング用の処理室36Aが接続されてい
る。開口37A〜37Dのうち、いずれの処理室とも接
続されないものは、蓋部材(図示せず)により封止され
ている。
As shown in FIG. 3, the load lock chamber 34,
The unload lock chamber 35 and the vacuum transfer chamber 37 are integrally formed as one base frame. The vacuum transfer chamber 37 includes etching chambers 36A,
A plurality of openings (37A to 37D) for connecting 6C and the post-processing chambers 36B and 36D are provided. For example, a processing chamber 36A for etching is connected to the opening 37A. Out of the openings 37A to 37D, those not connected to any of the processing chambers are sealed by a lid member (not shown).

【0032】また、ロードロック室、アンロードロック
室及び真空搬送室は、一つのベースフレームとして一体
成形されており、ベースフレームと大気ブロックとをT
字形に配置することもできる。
Further, the load lock chamber, the unload lock chamber and the vacuum transfer chamber are integrally formed as one base frame, and the base frame and the atmospheric block are connected to each other by T
It can also be arranged in a letter shape.

【0033】次に、図5、図6により、真空処理装置3
00内の試料の処理操作について、プラズマエッチング
処理を例にして簡単に説明する。まず、カセットブロッ
ク10の大気搬送ロボット9をレール91上で移動させ
て例えばロード側カセット12Aに近づけ、さらにその
アーム92をカセット12A側に向かって伸ばすことに
より、すくい部(図示せず)をカセット内の試料3の下
方に挿入し、すくい部上に試料3を移載する。次に、大
気搬送ロボット9をオリエンテーションフラット合せ1
2Dの前に移動させ、アーム92をオリエンテーション
フラット合せ12D上まで移動し、大気搬送ロボット9
を少し下降させてオリエンテーションフラット合せ12
Dに試料3を載置する。試料3のオリエンテーションフ
ラット合せが終わると、大気搬送ロボット9の逆動作に
より再びすくい部上に試料3を移載する。
Next, referring to FIGS. 5 and 6, the vacuum processing apparatus 3
The processing operation of the sample in 00 will be briefly described by taking a plasma etching process as an example. First, the atmospheric transfer robot 9 of the cassette block 10 is moved on the rail 91 so as to approach, for example, the load side cassette 12A, and the arm 92 is further extended toward the cassette 12A, so that a rake portion (not shown) is formed. The sample 3 is inserted below the sample 3, and the sample 3 is transferred onto the rake portion. Next, the atmosphere transfer robot 9 is set to the orientation flat 1
2D, the arm 92 is moved to the orientation flat alignment 12D, and the atmosphere transfer robot 9 is moved.
Is slightly lowered to align the orientation flat 12
The sample 3 is placed on D. When the orientation flat alignment of the sample 3 is completed, the sample 3 is transferred to the rake portion again by the reverse operation of the atmospheric transfer robot 9.

【0034】次に、大気搬送ロボット9からウエハ3を
真空処理部30へ渡す。試料押し上げ機構14Bによっ
て支持部材34Bをロードロック室34の側面のシール
部41に気密に当接させてロードロック室34の上部閉
空間を形成し、さらに、ロードロック室34のゲートバ
ルブ34Aを開いた状態で大気搬送ロボット9のアーム
をロードロック室34まで移動し、試料3を搬入する。
Next, the wafer 3 is transferred from the atmospheric transfer robot 9 to the vacuum processing unit 30. The sample lifting mechanism 14B allows the support member 34B to hermetically contact the seal portion 41 on the side surface of the load lock chamber 34 to form an upper closed space of the load lock chamber 34, and further opens the gate valve 34A of the load lock chamber 34. In this state, the arm of the atmospheric transfer robot 9 is moved to the load lock chamber 34 and the sample 3 is loaded.

【0035】真空ロボット39のアームの軌跡は、例え
ば、ロードロック室34、エッチング室36A及び後処
理室36Bに試料3があって、アンロードロック室35
にはウエハがない状態を考えると次のようになる。すな
わち、真空ロボット39のアームはまず、後処理室36
Bの一枚の試料3をアンロードロック室35に移し、エ
ッチング室36Aの試料3を後処理室36Bに移動させ
る。次に、ロードロック室34の試料3をエッチング室
36Aに搬送する。更に、エッチング室36Aの試料3
を後処理室36Bに搬送する。真空ロボット39のアー
ムは、以下同様の軌跡を繰り返す。
The locus of the arm of the vacuum robot 39 is, for example, the sample 3 in the load lock chamber 34, the etching chamber 36A and the post-treatment chamber 36B, and the unload lock chamber 35.
Considering the state where there is no wafer, the following is obtained. That is, the arm of the vacuum robot 39 is first moved to the post-processing chamber 36.
One sample 3B is moved to the unload lock chamber 35, and the sample 3 in the etching chamber 36A is moved to the post-processing chamber 36B. Next, the sample 3 in the load lock chamber 34 is transferred to the etching chamber 36A. Further, the sample 3 in the etching chamber 36A
To the post-processing chamber 36B. The arm of the vacuum robot 39 repeats the same trajectory.

【0036】図6(a)は大気搬送ロボット9からウエ
ハ3を真空処理部30へ渡す際の動作を示す図である。
ロードロック室34のゲートバルブ34Aを開け、試料
押し上げ機構14Bを動作させて試料3を支持部材34
B上に載せる。この後、ゲートバルブ34Aを閉じて、
ロードロック室34内を真空排気する。ロードロック室
34はシール部41により外部とは区画される。ロード
ロック室の真空排気後、ウエハ支持部材34Bを下降さ
せる。そのときの状態を図6(b)に示し、ロードロッ
ク室34と真空搬送室37とが連通する。
FIG. 6A is a diagram showing an operation when the wafer 3 is transferred from the atmospheric transfer robot 9 to the vacuum processing unit 30.
The gate valve 34A of the load lock chamber 34 is opened, and the sample lifting mechanism 14B is operated to support the sample 3 on the support member 34.
Place on B. Thereafter, the gate valve 34A is closed,
The inside of the load lock chamber 34 is evacuated. The load lock chamber 34 is separated from the outside by a seal portion 41. After evacuation of the load lock chamber, the wafer support member 34B is lowered. The state at that time is shown in FIG. 6B, and the load lock chamber 34 and the vacuum transfer chamber 37 communicate with each other.

【0037】次に、再び試料押し上げ機構14Bを動作
させ、真空搬送室37に設けた真空ロボット39のアー
ムを伸ばし、ロードロック室34にある試料3をアーム
上のブレード42に載せる。
Next, the sample pushing mechanism 14B is operated again, the arm of the vacuum robot 39 provided in the vacuum transfer chamber 37 is extended, and the sample 3 in the load lock chamber 34 is placed on the blade 42 on the arm.

【0038】このようにして真空ロボット39のアーム
に試料3を受渡し、真空処理ブロック内の搬送経路つま
り、真空搬送室37の中を処理室まで搬送する。
In this way, the sample 3 is delivered to the arm of the vacuum robot 39, and is transferred to the processing chamber in the transfer path in the vacuum processing block, that is, the vacuum transfer chamber 37.

【0039】真空搬送ロボットのアーム上に設けたブレ
ードを2枚とすれば、処理室36Aからの試料の受け渡
しに2枚のブレードを使い、処理後の試料3を片方のブ
レードに載せた後、他方のブレードに載せた未処理の試
料3を処理室36Aに近づけることで、真空搬送ロボッ
トのアームの移動に要する時間を短縮できる。
If two blades are provided on the arm of the vacuum transfer robot, two blades are used to transfer the sample from the processing chamber 36A, and after the processed sample 3 is placed on one of the blades, By bringing the unprocessed sample 3 placed on the other blade close to the processing chamber 36A, the time required to move the arm of the vacuum transfer robot can be shortened.

【0040】なお、ゲートバルブ34Aを閉じてロード
ロック室34を真空排気するときは、アンロードロック
室35とロードロック室34との間は仕切られており、
両室間で異物の混入を防ぐ構造となっている。ロードロ
ック室34の真空排気後に、試料押し上げ機構14Bに
より試料を載置した支持部材34Bを下降させることに
より、図6(b)の状態となる。このときは、図3に示
されるように、ロードロック室34とアンロードロック
室35との間には仕切りがないので、真空搬送ロボット
39に試料を移す動作を短時間に行うことで異物の混入
を防ぐことが出来る。つまり、ロードロック室34また
はアンロードロック室35の上部に試料を載置している
時間よりも、下部に試料を載置している時間を短くする
ことで、試料間の異物のコンタミネーションを防ぐよう
に制御する。
When the gate lock 34A is closed and the load lock chamber 34 is evacuated, the unload lock chamber 35 and the load lock chamber 34 are partitioned from each other.
The structure prevents foreign substances from being mixed between the two chambers. After evacuation of the load lock chamber 34, the support member 34B on which the sample is placed is lowered by the sample lifting mechanism 14B, and the state shown in FIG. 6B is obtained. At this time, since there is no partition between the load lock chamber 34 and the unload lock chamber 35 as shown in FIG. Mixing can be prevented. In other words, contamination of foreign substances between samples is reduced by shortening the time during which the sample is mounted on the lower part of the load lock chamber 34 or the unload lock chamber 35 compared with the time when the sample is mounted on the upper part. Control to prevent.

【0041】また、上記動作と逆の動作により試料3を
カセットブロック10のアンロード側カセット位置まで
搬送する。後処理室36Bでは、エッチング処理済みの
試料3に対してアッシングなどのプラズマ後処理が実施
される。
Further, the sample 3 is conveyed to the unload side cassette position of the cassette block 10 by the operation reverse to the above operation. In the post-processing chamber 36B, plasma post-processing such as ashing is performed on the sample 3 that has been subjected to the etching processing.

【0042】図7は、本発明の一実施例になる真空処理
装置の制御装置のブロック図である。300は真空処理
装置をエッチング処理装置として使用するユニットであ
る。100は主装置で、通信媒体150を介して操作ユ
ニット200、エッチング処理ユニット300、排気ユ
ニット500、ガス流量制御器ユニット600、電源ユ
ニット700に接続されている。250は操作・表示手
段である。また、320、520、620、720はそ
れぞれのユニット300〜700を制御する従装置であ
る。
FIG. 7 is a block diagram of a controller of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention. A unit 300 uses the vacuum processing apparatus as an etching processing apparatus. A main unit 100 is connected to an operation unit 200, an etching unit 300, an exhaust unit 500, a gas flow controller unit 600, and a power supply unit 700 via a communication medium 150. Reference numeral 250 denotes operation / display means. 320, 520, 620, and 720 are slave devices that control the respective units 300 to 700.

【0043】図8は、図7に示した制御装置のシステム
構成例を示す図である。主装置100は、CPU11
0、VMEバス112、メモリ(双方向性RAM)12
0、ローカルバス122、I/Oコントローラマイコン
130及び通信制御部140を備えている。従装置32
0を構成するI/Oユニットは、通信制御部322、バ
ス324及びDI/O326を備えている。バス324
は、アドレスバス、データバス、制御SIGを含んでい
る。DI/O326は、機器を起動停止させるDo部
と、機器からの状態信号を入力するDi部とを備えてい
る。DI/O326には、制御対象機器としての、電
源、排気ポンプ、ガス流量制御器、エアオペレーション
バルブ、センサなどが接続されている。他の従装置52
0、620、720も同様な構成のI/Oユニットを備
えている。
FIG. 8 is a diagram showing a system configuration example of the control device shown in FIG. Main device 100 includes CPU 11
0, VME bus 112, memory (bidirectional RAM) 12
0, a local bus 122, an I / O controller microcomputer 130, and a communication control unit 140. Slave device 32
The I / O unit constituting 0 includes a communication control unit 322, a bus 324, and a DI / O 326. Bus 324
Includes an address bus, a data bus, and a control SIG. The DI / O 326 includes a Do unit for starting and stopping the device and a Di unit for inputting a status signal from the device. The DI / O 326 is connected to a power supply, an exhaust pump, a gas flow controller, an air operation valve, a sensor, and the like as devices to be controlled. Other slave device 52
0, 620, and 720 also include I / O units having a similar configuration.

【0044】CPU110は、装置制御の手順にしたが
って、制御対象の各機器(200〜700)への出力、
各機器からのセンサ入力の各処理を、メモリ(双方向性
RAM)120へのライト、リード動作で実行する。I
/Oコントローラマイコン130は、メモリ120のデ
ータを周期的にI/Oユニット(320、520、62
0、720)毎に出力し、その応答として各機器のI/
Oユニットからの機器情報(Di/O)を受取り、該当
するメモリのアドレスにライトする。CPU110の共
有メモリへのリード、ライトと、I/Oコントローラ1
30による共有メモリへのリード、ライトは、非同期に
実行される。
The CPU 110 outputs to each device (200 to 700) to be controlled according to the procedure of device control,
Each process of sensor input from each device is executed by a write / read operation to the memory (bidirectional RAM) 120. I
The I / O controller microcomputer 130 periodically transmits the data in the memory 120 to the I / O units (320, 520, 62).
0, 720), and the response of each device is
The device information (Di / O) from the O unit is received and written to the corresponding memory address. Read / write to / from shared memory of CPU 110 and I / O controller 1
Reading from and writing to the shared memory by 30 are performed asynchronously.

【0045】CPU110はプログラムA、プログラム
B、…プログラムN及びメモリのデータA…により、制
御対象の各機器へのデータ出力や機器情報の読み込みを
制御する。一方、I/Oコントローラマイコン130
は、プログラムa、プログラムb、…プログラムn及び
メモリのデータa…により、制御対象の各機器の制御や
機器情報の書き込み等を制御する。CPU110は、装
置制御手順にしたがって、制御対象の各機器への起動出
力を行うために、機器動作プログラムAを起動し、当該
機器への出力のために割り当てられたメモリ120のア
ドレスに、出力データを書き込む。出力データの書き込
みが終了すると、出力データ書き込み済フラグをセット
し、次の処理に進む。CPU110では装置制御手順に
したがって、制御対象の各機器の動作状態を示すセンサ
ー入力等の入力信号の読み込みを行うために、機器動作
プログラムBを起動し、当該機器からの入力に対して割
り当てられたメモリ120のアドレスのデータを読み込
む。入力データの読み込みが終了すると、入力データ読
み込み済フラグをセットし、次の処理に進む。
The CPU 110 controls the output of data to each device to be controlled and the reading of device information by programs A, B, ... Program N and memory data A. On the other hand, the I / O controller microcomputer 130
Controls the control of each device to be controlled, the writing of device information, and the like by the program a, the program b,..., The program n, and the data a of the memory. The CPU 110 starts the device operation program A in order to perform start-up output to each device to be controlled according to the device control procedure, and stores the output data in the address of the memory 120 allocated for output to the device. Write. When the writing of the output data is completed, the output data written flag is set, and the process proceeds to the next step. The CPU 110 starts the device operation program B in order to read an input signal such as a sensor input indicating the operation state of each device to be controlled according to the device control procedure, and is assigned to the input from the device. The data at the address of the memory 120 is read. When the reading of the input data is completed, the input data reading completed flag is set, and the process proceeds to the next processing.

【0046】I/Oコントローラ130は、主装置に接
続されている各従装置320、520、620、720
の状態情報をセンサー入力等の形で取り込み、メモリ1
20に周期的に、あるいは連続して書き込む。
The I / O controller 130 includes slave devices 320, 520, 620, 720 connected to the master device.
Fetches the status information of the sensor 1
20 is written periodically or continuously.

【0047】図9は、本発明の一実施例になるエッチン
グ処理ユニットの運転フローの例を示す図である。オー
トエッチングモードが選択されたら、カセット12を設
置し、次に、エッチング処理条件を設定する。さらに、
エッチング処理ユニット300を起動し、カセット12
内の全ての試料が処理されるまでオートエッチング処理
を繰り返す。カセット内の全ての試料が処理されたら、
カセットを回収して処理を終了する。この運転フロー
は、機器動作プログラムA、B…及びプログラムa、b
…の実行により達成される。
FIG. 9 is a diagram showing an example of the operation flow of the etching processing unit according to the embodiment of the present invention. When the auto-etching mode is selected, the cassette 12 is set, and then the etching conditions are set. further,
Activating the etching unit 300 and loading the cassette 12
The auto-etching process is repeated until all the samples in are processed. Once all samples in the cassette have been processed,
The cassette is collected and the process is completed. This operation flow includes the equipment operation programs A, B... And the programs a, b.
Is achieved by performing.

【0048】本発明によれば、真空搬送手段による試料
の搬送経路を最短にすることが出来、搬送処理時間を増
加させず、ひいては製造コストの上昇を抑えることがで
きる。
According to the present invention, the sample transfer path by the vacuum transfer means can be minimized, the transfer processing time is not increased, and the increase in manufacturing cost can be suppressed.

【0049】試料は、オートエッチング処理時次のよう
な順序にて搬送、処理される。 カセット内での収納位置チェック ロートロック室34内に渡された処理前試料が、カセッ
ト12A内の何段目から取り出されたものかは、上位コ
ンピュータに、逐次、記憶される。
The sample is conveyed and processed in the following order during the auto etching process. Checking the storage position in the cassette The number of stages in the cassette 12A from which the unprocessed sample delivered to the funnel lock chamber 34 is taken out is sequentially stored in the host computer.

【0050】大気搬送ロボット9によるカセット内の
試料の取り出し 大気搬送ロボット9によるロードロック室34内への
搬入 処理前試料を受け取ったロートロック室34内は、大気
から遮断され、そして真空排気される。その後、真空処
理ブロック30との遮断が解除され、真空搬送室37に
連通させられる。
Extraction of Sample from Cassette by Atmosphere Transfer Robot 9 Carrying in to Load Lock Chamber 34 by Atmosphere Transfer Robot 9 The inside of the funnel lock chamber 34 that has received the sample before processing is shielded from the atmosphere and evacuated. . Thereafter, the block with the vacuum processing block 30 is released, and the block is communicated with the vacuum transfer chamber 37.

【0051】真空ロボットによるロードロック室34
から真空処理領域への搬送 該試料は、真空ロボット39によりロートロック室34
から真空処理ブロック30の真空搬送室37に搬送され
る。
Load lock chamber 34 by vacuum robot
From the sample to the vacuum processing area.
Is transferred to the vacuum transfer chamber 37 of the vacuum processing block 30.

【0052】真空処理領域での真空処理 該試料には、該真空処理領域の処理室で所定の真空処理
が施される。
Vacuum Processing in Vacuum Processing Area The sample is subjected to a predetermined vacuum processing in the processing chamber of the vacuum processing area.

【0053】真空ロボットによる真空処理領域からア
ンロードロック室35への搬送 真空処理が、終了した試料(処理済み試料)は、真空ロ
ボット39により真空処理領域からアンロードロック室
35に搬送され、該室内に搬入される。
Transfer from Vacuum Processing Area to Unload Lock Chamber 35 by Vacuum Robot The sample (processed sample) for which vacuum processing has been completed is transferred from the vacuum processing area to the unload lock chamber 35 by the vacuum robot 39, It is brought into the room.

【0054】大気搬送ロボットによるアンロードロッ
ク室からの搬出 処理済み試料の搬入後、アンロードロック室35内は、
真空搬送室37と遮断され、そして、内圧を大気圧に調
整される。内圧が、大気圧となったアンロードロック室
35内は大気開放される。該状態で、アンロードロック
室35内には、大気搬送ロボット9のすくい部が挿入さ
れ、そして、すくい部に処理済み試料が渡される。処理
済み試料を受け取ったすくい部は、アンロードロック3
5室の外ヘ搬出される。その後、アンロードロック室3
5内は、次の処理済み試料の搬入に備え大気から遮断さ
れて真空排気される。一方、すくい部に処理済み試料を
有する大気搬送ロボット9は、カセット12A内に該処
理済み試料を戻し可能な位置に移動させられて停止され
る。
Carrying out from the unload lock chamber by the atmospheric transfer robot After carrying in the processed sample, the inside of the unload lock chamber 35 is
The vacuum transfer chamber 37 is shut off, and the internal pressure is adjusted to the atmospheric pressure. The interior of the unload lock chamber 35 whose internal pressure has become atmospheric pressure is opened to the atmosphere. In this state, the rake portion of the atmospheric transfer robot 9 is inserted into the unload lock chamber 35, and the processed sample is delivered to the rake portion. The rake part that received the processed sample is unload lock 3
It is carried out to the outside of the 5 rooms. After that, unload lock room 3
The inside of 5 is shielded from the atmosphere and evacuated in preparation for the next loading of the processed sample. On the other hand, the atmospheric transfer robot 9 having the processed sample in the scoop portion is moved to a position where the processed sample can be returned into the cassette 12A and stopped.

【0055】大気搬送ロボットによるカセット内の元
の位置への収納 その後、処理済み試料を有するすくい部は、該状態で、
カセット12A内に挿入される。ここで、該挿入位置
は、処理済み試料が、元来、収納されていた位置に戻さ
れるように上位コンピュータにより制御される。処理済
み試料を有するすくい部の挿入完了後、カセット12A
は、上昇、またはすくい部は下降させられる。これによ
り、処理済み試料は、該試料が、元来、収納されていた
位置に戻されて、再度、カセット12Aに収納される。
Storing in the original position in the cassette by the atmospheric transfer robot After that, the rake part having the processed sample is in that state,
It is inserted into the cassette 12A. Here, the insertion position is controlled by the host computer so that the processed sample is returned to the position where it was originally stored. After completing the insertion of the rake portion having the processed sample, the cassette 12A
Is raised or the rake is lowered. As a result, the processed sample is returned to the position where the sample was originally stored and is stored again in the cassette 12A.

【0056】このような操作が、カセット12A内の残
りの処理前試料、及び、カセット12B内の処理前試料
に対しても同様にして実施される。
Such an operation is similarly performed on the remaining unprocessed sample in the cassette 12A and the unprocessed sample in the cassette 12B.

【0057】上記のように→と試料が移動するたび
に、それぞれのステーションに何番の試料が有るのか、
上位コンピュータのデータが逐次更新処理される。該更
新処理は、試料1枚毎につき実施される。これによりそ
れぞれの試料が、つまり、何番の試料がどのステーショ
ンに有るのかが管理される。
As described above, each time the sample moves, the number of the sample in each station is
The data of the host computer is sequentially updated. The updating process is performed for each sample. This manages each sample, that is, the number of the sample at which station.

【0058】尚、処理前試料のオリエンテーション調整
が成されるものにおいて、該ステップは、上記のと
の間にて実施される。
In the case where the orientation of the untreated sample is adjusted, the step is performed between the above steps.

【0059】上記のような操作は、例えば、上位コンピ
ュータにより指示され、そして、制御される。このよう
な試料の動きの管理・制御は、真空処理ブロック30が
複数の真空処理領域を有する場合にも実施される。
The above-mentioned operation is instructed and controlled by the host computer, for example. Such management / control of the movement of the sample is performed even when the vacuum processing block 30 has a plurality of vacuum processing regions.

【0060】例えば、真空処理ブロック30が2つの真
空処理領域を有するものとする。この場合、試料は、そ
の処理情報により、シリーズ処理されたり、パラレル処
理されたりする。ここで、シリーズ処理とは、試料が1
つの真空処理領域で真空処理され、該真空処理された試
料が、引続き残りの真空処理領域で真空処理されること
をいい、パラレル処理とは、試料が1つの真空処理領域
で真空処理され、他の試料が残りの真空処理領域で真空
処理されることをいう。
For example, assume that the vacuum processing block 30 has two vacuum processing regions. In this case, the sample is subjected to series processing or parallel processing according to the processing information. Here, the series processing means that the sample is 1
Vacuum processing in one vacuum processing area, and the vacuum-processed sample is continuously vacuum-processed in the remaining vacuum processing area. Parallel processing means that the sample is vacuum-processed in one vacuum processing area, Is vacuum-processed in the remaining vacuum processing area.

【0061】例えば、シリーズ処理の場合、上位コンピ
ュータでナンバリングされた試料は、その順序に従って
処理され、そして、カセット内の元の位置に戻される。
For example, in the case of series processing, the sample numbered by the host computer is processed in that order and then returned to its original position in the cassette.

【0062】また、パラレル処理の場合、どの真空処理
領域でどのようにナンバリングされた試料が処理された
かが上位コンピュータにより管理・制御されているた
め、この場合も、各処理済みの試料は、カセット内の元
の位置に戻される。
Further, in the case of parallel processing, since how the numbered sample in which vacuum processing area is processed is controlled and controlled by the host computer, in this case as well, each processed sample is stored in the cassette. Returned to its original position.

【0063】尚、パラレル処理の場合、カセット内の何
段目から取り出され、そして、何番目かの試料により、
どちらの真空処理領域を使用するかを上位コンピュータ
により管理・制御するようにしても良い。
In the case of parallel processing, the number of stages in the cassette taken out and the number of samples
Which vacuum processing area to use may be managed and controlled by a host computer.

【0064】更に、シリーズ処理とパラレル処理とが、
混在するような場合にも、どの真空処理領域でどのよう
にナンバリングされた試料が処理されたかが上位コンピ
ュータにより管理・制御されているため、この場合も、
各処理済みの試料は、カセット内の元の位置に戻され
る。
Further, the series processing and the parallel processing are
Even in the case where they are mixed, since the number of samples processed in which vacuum processing area is managed and controlled by the host computer,
Each processed sample is returned to its original position in the cassette.

【0065】尚、複数の真空処理領域として、例えば、
プラズマ発生方式が同一、若しくは、異なるプラズマ・
エッチング領域の組合せや、プラズマ・エッチング領域
とアッシング等の後処理領域との組合せや、エッチング
領域と成膜領域との組合せ等が挙げられる。
As a plurality of vacuum processing areas, for example,
The same or different plasma generation method
Examples include a combination of an etching region, a combination of a plasma etching region and a post-processing region such as ashing, and a combination of an etching region and a film formation region.

【0066】上記構成によれば、機能を拡張するために
入出力制御を増やす場合、主装置または従装置のいずれ
かを拡張するだけで、他の主装置または従装置を変更す
ること無く、拡張ができる。例えば、制御手順に、従装
置からの入出力信号の相互インターロックを追加する場
合は、もともと入出力信号は主装置に保持されている情
報(データ)であるため、主装置の制御手段を変更し、
従装置は変更すること無く拡張(グレードアップ)する
ことができる。
According to the above configuration, when the input / output control is increased in order to expand the function, only the main device or the slave device is expanded and the other main device or the slave device is expanded without being changed. You can For example, when adding a mutual interlock of input / output signals from the slave device to the control procedure, the control means of the main device is changed because the input / output signal is originally information (data) held in the main device. And
Slave devices can be expanded (upgraded) without change.

【0067】このように、本発明の他の特徴によれば、
主装置100、従装置320、520、620、720
のいずれか一方だけ、単独にグレードアップすることが
できる。また、メモリ120を書き替えて、従装置の形
態、実装位置の変更を行うことができる。また、メモリ
120の制御情報を書き替えることにより機能の追加、
拡張が容易となり、制御用ソフトウエアの開発を平行し
て行うことができる。
Thus, according to another feature of the present invention,
Main device 100, slave devices 320, 520, 620, 720
Only one of them can be upgraded independently. Further, by rewriting the memory 120, the form and mounting position of the slave device can be changed. Also, by rewriting the control information of the memory 120, functions can be added,
Expansion becomes easy, and development of control software can be performed in parallel.

【0068】図10は、図1で説明した実施例の真空処
理装置の使用の態用を変えた例を示すものであり、使用
する処理室の数が少ないときの例を示すものである。使
用する処理室の数が少ないときは、例えば、ロードロッ
ク室の対向側に1つのエッチング室38A、その横に1
つのアッシング室38Bを配置することにより、コンパ
クトな真空処理装置を構成することができる。
FIG. 10 shows an example in which the usage of the vacuum processing apparatus of the embodiment described in FIG. 1 is changed, and shows an example when the number of processing chambers used is small. When the number of processing chambers to be used is small, for example, one etching chamber 38A is provided on the side opposite to the load lock chamber, and one
By arranging the two ashing chambers 38B, a compact vacuum processing apparatus can be configured.

【0069】次に、図11に本発明の他の実施例になる
真空処理装置を示す。この実施例は、図1で説明した実
施例の真空処理装置に対して、エッチング室36A、3
8Cのターボ分子真空ポンプをそれぞれ各エッチング室
の下に配置している点が異なる。この場合でも、真空搬
送室37を挟んでロードロック室34、アンロードロッ
ク室35の対向側にエッチング室36A、38C、その
横にアッシング室36B、36Dが設けられている。ま
た、両ロードロック室が近接して平行配置されており、
第1、第2のエッチング室の各中心を結ぶ線、第1、第
2のアッシング室の各中心を結ぶ線、両ロードロック室
の各中心を結ぶ線は互いに平行である。
Next, FIG. 11 shows a vacuum processing apparatus according to another embodiment of the present invention. This embodiment is different from the vacuum processing apparatus of the embodiment described with reference to FIG.
The difference is that an 8C turbo molecular vacuum pump is arranged below each etching chamber. Also in this case, the etching chambers 36A and 38C are provided on the opposite sides of the load lock chamber 34 and the unload lock chamber 35 with the vacuum transfer chamber 37 interposed therebetween, and the ashing chambers 36B and 36D are provided beside them. In addition, both load lock chambers are closely arranged in parallel,
A line connecting the centers of the first and second etching chambers, a line connecting the centers of the first and second ashing chambers, and a line connecting the centers of both the load lock chambers are parallel to each other.

【0070】図11に示した真空処理装置において、使
用する処理室の数が少ないときは、ロードロック室の対
向側に1つのエッチング室38A、その横に1つのアッ
シング室38Bを配置することにより、コンパクトな真
空処理装置を構成することができる。
In the vacuum processing apparatus shown in FIG. 11, when the number of processing chambers to be used is small, one etching chamber 38A is arranged on the opposite side of the load lock chamber and one ashing chamber 38B is arranged next to it. Thus, a compact vacuum processing device can be configured.

【0071】なお、要求処理能力の増加に対応して、複
数個の開口に処理室として2つのエッチング室と、2つ
のアッシング室を接続した真空処理装置を構成すること
ができる。
Incidentally, in response to an increase in required processing capacity, it is possible to construct a vacuum processing apparatus in which two etching chambers and two ashing chambers are connected to a plurality of openings as processing chambers.

【0072】また、本発明の真空処理装置を半導体製造
ラインに組み込むことにより、試料の大口径化に対応し
つつ、真空処理装置の必要な設置台数を確保して製造コ
ストの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない
半導体製造ラインを提供することができる。
Further, by incorporating the vacuum processing apparatus of the present invention into a semiconductor manufacturing line, it is possible to secure a necessary number of installed vacuum processing apparatuses while suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of a sample. Thus, it is possible to provide a semiconductor manufacturing line that does not impair maintenance.

【0073】このように、本発明によれば、試料の大口
径化にもかかわらず、同じ面積のクリーンルームにおけ
る真空処理室の設置台数を従来に比べて減少させること
が無く、よって半導体の製造ラインの生産性の低下を招
くことも無い。従って、試料の大口径化に対応しつつ、
製造コストの上昇を抑えることができる。
As described above, according to the present invention, the number of vacuum processing chambers installed in a clean room having the same area is not reduced as compared with the conventional one, despite the increase in the diameter of the sample. There is no reduction in productivity. Therefore, while responding to the increase in sample diameter,
An increase in manufacturing cost can be suppressed.

【0074】[0074]

【発明の効果】本発明によれば、シングルチャンバを使
うユーザーにとっても、マルチチャンバを使うユーザー
にとっても、常にスペースファクターの良い真空処理装
置を提供することができる。
According to the present invention, a vacuum processing apparatus having a good space factor can be always provided for a user using a single chamber and a user using a multi-chamber.

【0075】また、本発明によれば、試料の大口径化に
対応しつつ、省スペースで必要な設置台数を確保して製
造コストの上昇を抑え、かつ、省スペースで真空処理室
の追加、変更、拡張が容易な真空処理装置を提供でき
る。さらに、メンテナンス性も損なわない装置を提供で
きる。したがって、試料の大口径化に対応しつつ、製造
コストの上昇を抑えることのできる真空処理装置を提供
できる。
Further, according to the present invention, it is possible to secure a necessary number of installed units in a space-saving manner while suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of a sample, and to add a vacuum processing chamber in a space-saving manner. A vacuum processing apparatus that can be easily changed and expanded can be provided. Further, it is possible to provide a device that does not impair the maintainability. Therefore, it is possible to provide a vacuum processing apparatus capable of suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in sample diameter.

【0076】また、本発明の真空処理装置を半導体製造
ラインに組み込むことにより、試料の大口径化に対応し
つつ、真空処理装置の必要設置台数を確保して製造コス
トの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない半
導体製造ラインを提供することができる。
Further, by incorporating the vacuum processing apparatus of the present invention into a semiconductor manufacturing line, it is possible to secure a necessary number of vacuum processing apparatuses installed while suppressing an increase in manufacturing cost while coping with an increase in the diameter of a sample. It is possible to provide a semiconductor manufacturing line in which maintainability is not impaired.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例になる真空処理装置の平面構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a plan configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のII−II線に沿った真空処理装置の要部縦
断面図である。
FIG. 2 is a vertical sectional view of a main part of the vacuum processing apparatus taken along line II-II of FIG.

【図3】図1の真空処理装置のベースフレーム部の構成
を示す横断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a base frame portion of the vacuum processing apparatus of FIG.

【図4】図3のベースフレーム部の各開口の配置間隔を
示す図である。
FIG. 4 is a view showing an arrangement interval of each opening of the base frame unit of FIG. 3;

【図5】真空処理装置内の試料の処理操作を説明する図
である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a sample processing operation in a vacuum processing apparatus.

【図6】大気搬送ロボットと真空処理部の間で試料を受
渡す際の動作を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an operation when a sample is transferred between an atmospheric transfer robot and a vacuum processing unit.

【図7】本発明の一実施例になる真空処理装置の制御装
置のブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of a control device of the vacuum processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図8】図7に示した制御装置のシステム構成例を示す
図である。
8 is a diagram illustrating an example of a system configuration of the control device illustrated in FIG. 7;

【図9】本発明の一実施例になるエッチング処理ユニッ
トの運転フローの例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of an operation flow of the etching processing unit according to one embodiment of the present invention.

【図10】図1の真空処理装置の使用形態の説明図であ
る。
FIG. 10 is an explanatory diagram of a use mode of the vacuum processing apparatus of FIG. 1;

【図11】本発明の他の実施例であり、エッチング室の
下にターボ分室真空ポンプを配置した真空処理室装置で
ある。
FIG. 11 shows another embodiment of the present invention, which is a vacuum processing chamber apparatus in which a turbo-separation vacuum pump is arranged below an etching chamber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3…試料、10…カセットブロック、12…カセット1
2、30…真空処理ブロック、34…ロードロック室、
35…アンロードロック室、36…真空処理室、37…
真空搬送室
3 ... sample, 10 ... cassette block, 12 ... cassette 1
2, 30: vacuum processing block, 34: load lock chamber,
35 ... Unload lock chamber, 36 ... Vacuum processing chamber, 37 ...
Vacuum transfer chamber

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】試料の搬出入を行うための搬出入室と、前
記試料を真空処理する処理室とを有し、該処理室は第1
の処理室と該第1の処理室よりも大きな第2の処理室と
を有し、真空搬送室を経由して前記処理室と前記搬出入
室の間で前記試料を搬送する真空搬送手段とを備え、前
記処理室と前記搬出入室が前記真空搬送室の周囲に沿っ
て配置された真空処理装置において、 第1の処理室が第2の処理室よりも前記搬出入室に近い
位置に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
An apparatus has a loading / unloading chamber for loading / unloading a sample and a processing chamber for vacuum-treating the sample, wherein the processing chamber is a first processing chamber.
And a vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the loading / unloading chamber via a vacuum transfer chamber. A vacuum processing apparatus, wherein the processing chamber and the loading / unloading chamber are arranged along the periphery of the vacuum transfer chamber, wherein a first processing chamber is provided at a position closer to the loading / unloading chamber than a second processing chamber. A vacuum processing apparatus.
【請求項2】試料の搬出入を行うための搬出入室と、前
記試料を真空処理する処理室と、真空搬送室を経由して
前記処理室と前記搬出入室の間で前記試料を搬送する真
空搬送手段とを備え、前記処理室と前記搬出入室が前記
真空搬送室の周囲に沿って配置された真空処理装置にお
いて、 前記複数の処理室として、前記真空搬送室を挟んで前記
搬出入室と対向する側に第1、第2のエッチング室が配
置され、該第1、第2のエッチング室と前記搬出入室と
の間に第1、第2のアッシング室が配置され、 前記第1、第2のエッチング室の各中心を結ぶ線、前記
第1、第2のアッシング室の各中心を結ぶ線、及び前記
搬出入室の各中心を結ぶ線が互いに平行であることを特
徴とする真空処理装置。
2. A loading / unloading chamber for loading / unloading a sample, a processing chamber for vacuum-treating the sample, and a vacuum for transferring the sample between the processing chamber and the loading / unloading chamber via a vacuum transfer chamber. A vacuum processing apparatus comprising: a transfer unit, wherein the processing chamber and the loading / unloading chamber are arranged along the periphery of the vacuum transport chamber; wherein the plurality of processing chambers face the loading / unloading chamber with the vacuum transport chamber interposed therebetween. First and second etching chambers are disposed on the side of the first and second ashing chambers, and first and second ashing chambers are disposed between the first and second etching chambers and the loading / unloading chamber. A line connecting the centers of the etching chambers, a line connecting the centers of the first and second ashing chambers, and a line connecting the centers of the carry-in / out chambers are parallel to each other.
【請求項3】大気カセット部と真空処理部とを有し、前
記真空処理部は、試料の搬出入を行うためのロ−ド側ロ
−ドロック室及びアンロ−ド側ロ−ドロック室と、前記
試料を真空処理する処理室と、真空搬送室を経由して前
記処理室と前記両ロ−ドロック室の間で前記試料を搬送
する真空搬送手段とを備え、前記処理室と前記両ロ−ド
ロック室が前記真空搬送室の周囲に沿って配置された真
空処理装置において、 前記大気カセット部は、被処理物を複数枚収納する複数
のカセットと、該被処理物をカセットから取り出して該
真空処理部へ搬送する第一の搬送機構部とからなる、平
面形状が長方形のブロックからなり、 前記真空処理部の前記両ロードロック室が近接して平行
に配置されており、前記複数の処理室として、前記真空
搬送室を挟んで前記両ロードロック室と対向する側に第
1、第2のエッチング室が配置され、該第1、第2のエ
ッチング室と前記両ロードロック室の間に第1、第2の
アッシング室が配置され、 前記第1、第2のエッチング室の各中心を結ぶ線、前記
第1、第2のアッシング室の各中心を結ぶ線、及び前記
両ロードロック室の各中心を結ぶ線が、前記大気カセッ
ト部の長手方向に沿って互いに平行であり、前記両ロー
ドロック室が前記大気カセット部の長手方向に垂直な方
向に伸びていることを特徴とする真空処理装置。
3. An air cassette section and a vacuum processing section, wherein the vacuum processing section includes a load-side load lock chamber and an unload-side load lock chamber for loading and unloading a sample. A processing chamber for vacuum processing the sample, and vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the load lock chambers via a vacuum transfer chamber; In a vacuum processing apparatus in which a lock chamber is disposed along the periphery of the vacuum transfer chamber, the atmospheric cassette section includes a plurality of cassettes for storing a plurality of workpieces, and the vacuum processing section removes the workpieces from the cassettes and removes the vacuum from the cassette. The first transport mechanism for transporting to the processing unit, the planar shape is formed of a rectangular block, the two load lock chambers of the vacuum processing unit are disposed in close proximity and parallel, the plurality of processing chambers The vacuum transfer chamber is sandwiched between First and second etching chambers are arranged on the side opposite to the two load lock chambers, and first and second ashing chambers are provided between the first and second etching chambers and the two load lock chambers. A line connecting the centers of the first and second etching chambers, a line connecting the centers of the first and second ashing chambers, and a line connecting the centers of the two load lock chambers, A vacuum processing apparatus, wherein the two load-lock chambers extend in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the atmospheric cassette portion, being parallel to each other along the longitudinal direction of the atmospheric cassette portion.
【請求項4】請求項3に記載の真空処理装置において、 前記ロードロック室が、前記試料のノッチやオリエンテ
−ションフラットの位相合わせをする手段を備えている
ことを特徴とする真空処理装置。
4. A vacuum processing apparatus according to claim 3, wherein said load lock chamber includes means for adjusting a phase of a notch or an orientation flat of said sample.
【請求項5】請求項1ないし4のいずれかに記載の真空
処理装置において、 前記真空処理装置の外形が、真空搬送室を中心に放射状
に構成されていることを特徴とする真空処理装置。
5. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein an outer shape of the vacuum processing apparatus is radially formed around a vacuum transfer chamber.
【請求項6】カセットブロックと真空処理ブロックとか
ら構成され、該カセットブロックには、試料を収納した
複数のカセットを載置するカセット台が設けられ、前記
真空処理ブロックには、前記試料を真空処理する処理室
と、ロードロック室及びアンロードロック室と、前記処
理室と前記両ロ−ドロック室の間で前記試料を搬送する
真空搬送手段が配置された真空搬送室とを有する真空処
理装置において、 前記大気ブロックがオリエンテーションフラット、ノッ
チもしくはレーザマークの位相合せ機構を含み、 前記両ロードロック室が近接して平行配置されており、 前記真空搬送室の周辺に、前記処理室拡張接続用の開口
が複数個形成されており、 前記複数の処理室として、前記真空搬送室を挟んで前記
両ロードロック室と対向する側に第1、第2のエッチン
グ室が配置され、該第1、第2のエッチング室と前記両
ロードロック室の間に第1、第2のアッシング室が配置
され、 前記第1、第2のエッチング室の各中心を結ぶ線、前記
第1、第2のアッシング室の各中心を結ぶ線、及び前記
両ロードロック室の各中心を結ぶ線が互いに平行である
ことを特徴とする真空処理装置。
6. A cassette block comprising a cassette block and a vacuum processing block. The cassette block is provided with a cassette table on which a plurality of cassettes each containing a sample are placed. A vacuum processing apparatus having a processing chamber for processing, a load lock chamber and an unload lock chamber, and a vacuum transfer chamber in which vacuum transfer means for transferring the sample between the processing chamber and the two load lock chambers is disposed. In the atmosphere block includes an orientation flat, a notch or a laser mark phase matching mechanism, the two load lock chambers are arranged in parallel in close proximity to each other, and around the vacuum transfer chamber, the processing chamber expansion connection A plurality of openings are formed, and as the plurality of processing chambers, on a side opposed to the load lock chambers with the vacuum transfer chamber interposed therebetween. First and second etching chambers are disposed, and first and second ashing chambers are disposed between the first and second etching chambers and the load lock chambers. The first and second etching chambers A vacuum processing apparatus, wherein a line connecting the centers of the chambers, a line connecting the centers of the first and second ashing chambers, and a line connecting the centers of the load lock chambers are parallel to each other.
【請求項7】請求項1ないし6のいずれかに記載の真空
処理装置において、 前記複数の処理室を制御する主装置と、該各処理室の動
作を補助する複数の従装置とを備え、該主装置と該従装
置が共通の情報伝達手段で接続され、前記主装置は前記
各従装置の制御情報を書き込む共有メモリを備えている
ことを特徴とする真空処理装置。
7. The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising: a main device for controlling the plurality of processing chambers; and a plurality of slave devices for assisting the operation of each of the processing chambers. A vacuum processing apparatus, wherein the master device and the slave device are connected by a common information transmitting means, and the master device includes a shared memory for writing control information of each slave device.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003109995A (en) * 2001-09-28 2003-04-11 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment method
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