JP3429786B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

Semiconductor manufacturing equipment

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JP3429786B2
JP3429786B2 JP13652392A JP13652392A JP3429786B2 JP 3429786 B2 JP3429786 B2 JP 3429786B2 JP 13652392 A JP13652392 A JP 13652392A JP 13652392 A JP13652392 A JP 13652392A JP 3429786 B2 JP3429786 B2 JP 3429786B2
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浩洋 熊谷
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東京エレクトロン株式会社
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【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing device. 【0002】 【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程においては、真空処理室内に半導体ウエハ等の被処理物を設け、減圧雰囲気下で処理を行う工程が多い。 2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a semiconductor device, an object to be processed such as a semiconductor wafer provided in the vacuum processing chamber, the step of performing a process under a reduced pressure atmosphere is large. 【0003】このように減圧雰囲気下で処理を施す半導体製造装置では、半導体ウエハ等の被処理物を真空処理室内に搬入・搬出する度に、真空処理室内を常圧に戻すと、再び真空処理室内を減圧して処理を開始するまでに多くの時間を要し、スループットの悪化を招く。 [0003] In the semiconductor manufacturing apparatus that performs such processing under a reduced pressure atmosphere, an object to be processed such as a semiconductor wafer each time the loading and unloading into the vacuum processing chamber and returned to the vacuum processing chamber to atmospheric pressure, again vacuum treated time consuming room before starting the process under reduced pressure, leading to deterioration of the throughput. このため、真空処理室に隣接して、内部の容積の少ない予備真空室いわゆるロードロック室を設けたものが多い。 Therefore, adjacent to the vacuum processing chamber, in many cases in which a small auxiliary vacuum chamber called a load lock chamber internal volume. 【0004】すなわち、図6に示すように、減圧雰囲気下で処理を行う従来の半導体製造装置(例えばエッチング装置等)では、真空処理室2に隣接して2 つのロードロック室3a、3bを設け、一方のロードロック室3a [0004] That is, as shown in FIG. 6, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus for performing a process in a reduced pressure atmosphere (for example, an etching apparatus, etc.), provided two load lock chambers 3a adjacent to the vacuum processing chamber 2, and 3b , one of the load lock chamber 3a
を介して半導体ウエハ等の被処理物4を真空処理室2内に搬送アーム5aにより搬入し、他方のロードロック室3bを介して処理の終了した半導体ウエハ等の被処理物4を搬送アーム5bにより搬出するようにする。 Carried by the transfer arm 5a of the workpiece 4, such as a semiconductor wafer in the vacuum processing chamber 2 via the transfer arm 5b a workpiece 4 such as a semiconductor wafer has been completed the process through the other load lock chamber 3b so as to carry-out by. このようにして、真空処理室2内を常圧に戻すことなく半導体ウエハ等の被処理物4を、真空処理室2内に搬入・搬出するようにして、スループットの向上を図っている。 In this manner, the workpiece 4, such as a semiconductor wafer without returning the vacuum processing chamber 2 to atmospheric pressure, so as to loading and unloading the vacuum processing chamber 2, thereby improving the throughput. 【0005】なお、エッチング装置の場合、真空処理室2内に、上部電極50と下部電極51が配置されている。 [0005] In the case of an etching apparatus, the vacuum processing chamber 2, the upper electrode 50 and the lower electrode 51 is disposed. 上部電極50には、多数のガス供給口52が設けられており、ここから下部電極51上に載置した半導体ウエハ等の被処理物4に所定のエッチングガスを供給する。 The upper electrode 50, has been a large number of gas supply ports 52 provided to supply a predetermined etching gas to the workpiece 4 such as a semiconductor wafer is placed on the lower electrode 51 from here. 一方、下部電極51には、半導体ウエハ等の被処理物4を冷却するための冷媒循環機構53と、電極間に所定の高周波電圧を印加するための高周波電源54、マッチング回路55が設けられている。 On the other hand, the lower electrode 51, a refrigerant circulation mechanism 53 for cooling the workpiece 4 such as a semiconductor wafer, the high frequency power source 54 for applying a predetermined high frequency voltage between the electrodes, and the matching circuit 55 is provided there. また。 Also. 真空処理室2 Vacuum processing chamber 2
およびロードロック室3a、3bには、それぞれ図示しない真空ポンプに接続された排気配管56が接続されており、これらの内部を真空排気可能に構成されている。 And the load lock chamber 3a, the 3b, are evacuation pipe 56 connected to a vacuum pump (not shown) respectively connected, it is constituted These internal possible evacuation. 【0006】ところで、半導体デバイスの製造工程においては、塵埃が微細な回路パターンの形成に悪影響を及ぼす。 [0006] In the manufacturing process of semiconductor devices, dust adversely affects the formation of fine circuit patterns. このため、半導体製造装置は天井から床に向けて清浄化空気の流れ(ダウンフロー)が形成されたクリーンルーム内に配置される。 Therefore, a semiconductor manufacturing apparatus is arranged in a clean room in which the flow of cleaning air toward the floor from the ceiling (down flow) are formed. 【0007】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半導体デバイスは、急速に高集積化および微細化される傾向にある。 [0007] The present invention is, however, semiconductor devices in recent years, there rapidly tend to be highly integrated and miniaturized. このため半導体製造工程においては、工程数の増加に伴って半導体製造装置数が増大し、これらの装置を収容するクリーンルーム面積の増大により、設備コストが増大し、製品コストの上昇を招くという問題が発生している。 Therefore, in the semiconductor manufacturing process, with an increase in the number of steps increases and the semiconductor manufacturing device number, the increase in clean room areas to accommodate these devices, increasing equipment cost, a problem that causes an increase in product cost It has occurred. 【0008】本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、従来に較べて装置コストを低減することができるとともに、設置スペースを削減することができ、設備コストの削減による製品コストの低減を図ることのできる半導体製造装置を提供しようとするものである。 [0008] The present invention has been made to address the conventional circumstances, it is possible to reduce the apparatus cost as compared with the prior art, it is possible to reduce the installation space, the product cost by reducing equipment cost it is intended to provide a semiconductor manufacturing apparatus which can reduce the. 【0009】 【0010】 【課題を解決するための手段】すなわち、請求項1記載の半導体製造装置は、減圧雰囲気下で1つずつ被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、前記真空処理室に隣接して設けられ、内部に、前記被処理物を搬送するための1つの搬送アームと、2つの前記被処理物を支持するための支持機構とを備え、前記被処理物の搬入・搬出時 [0009] [0010] Means for Solving the Problems] That is, the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing chamber for performing a predetermined processing on one at under a reduced pressure atmosphere to be treated, the vacuum It provided adjacent to the processing chamber, the interior, the provided with one transport arm for transporting an object to be processed, and a support mechanism for supporting two of said object to be processed, loading of the object to be processed • when unloading
に、常圧及び所定の真空度とされる予備真空室とを具備し、前記真空処理室において所定の処理が施された前記被処理物を前記支持機構の一方で支持し、前記真空処理室において所定の処理が施される前の前記被処理物を前記支持機構の他方で支持するように構成し、前記真空処理室と前記予備真空室との間で前記被処理物を搬出入可能な状態において前記搬送アームは、所定の処理が施された前記被処理物を前記真空処理室内から前記支持機構の一方に搬送し、所定の処理が施される前の前記被処理物を前記支持機構の他方から前記真空処理室内に搬送する、よう構成されたことを特徴とする。 In, comprising a preliminary vacuum chamber and that is atmospheric pressure and a predetermined degree of vacuum, to support the object to be treated which predetermined processing has been performed in the vacuum processing chamber with one of the support mechanism, the vacuum processing chamber in the object to be processed before the predetermined processing is performed to configure to support the other of the supporting mechanism, a said object to be processed between the preliminary vacuum chamber and the vacuum processing chamber out entrant the transfer arm in a state conveys the object to be treated which predetermined processing has been performed from said vacuum processing chamber to one of said supporting mechanism, the processing object to the support mechanism before the predetermined processing is performed conveyed from the other to the vacuum processing chamber, characterized in that it is configured. 請求項2記載の半導体製造装置は、請求項1記載の半導体製造装置において、前記支持機構は、上下棚状に2つの前記被処理物を支持可能、且つ、駆動機構によって上下動可能に構成されていることを特徴とする。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein, in the semiconductor manufacturing apparatus of claim 1, wherein the support mechanism is vertically shelf-like allow supporting two of said object to be processed, and is vertically movable by a drive mechanism and wherein the are. 請求項3記載の半導体製造装置は、請求項1記載の半導体製造装置において、前記支持機構は、前記搬送アームの上方位置で2つの前記被処理物を支持可能、且つ、駆動機構によって上下動可能に構成されていることを特徴とする。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3, wherein, in the semiconductor manufacturing apparatus of claim 1, wherein the support mechanism, the two at the upper position of the transfer arm said possible supporting an object to be processed, and, can be moved vertically by a drive mechanism characterized in that it is configured to. 【0011】 【作用】本発明の半導体製造装置では、予備真空室を1 [0011] In the semiconductor manufacturing apparatus of the effects of the present invention, a preliminary vacuum chamber 1
つとすることによって、装置コストの低減および設置スペースの削減を実現することができる。 By bract, it is possible to realize a reduction in the reduction and the installation space of the apparatus cost. また、予備真空室内に設けた被処理物を支持するための支持機構あるいは2 つの被処理物を支持して搬送可能に構成された搬送アームによって、2 つの被処理物を取扱うことができるため、効率的に搬入・搬出を実施することができ、搬入用予備真空室と搬出用予備真空室の2 つの予備真空室を備えた従来の半導体製造装置とほぼ同様なスループットを確保することができる。 Moreover, since it is possible to handle by the support mechanism or two of the object support to conveyable-configured transport arm for supporting an object to be processed provided the preliminary vacuum chamber, two of the workpiece, it can be carried out efficiently loading and unloading, it is possible to secure substantially the same throughput as a conventional semiconductor manufacturing apparatus provided with two spare vacuum chamber carrying-out the preliminary vacuum chamber and loading auxiliary vacuum chamber. 【0012】したがって、従来に較べて装置コストを低減することができるとともに、設置スペースを削減することができ、設備コストの削減による製品コストの低減を図ることができる。 Accordingly, it is possible to reduce the apparatus cost as compared with the prior art, it is possible to reduce the installation space, it is possible to reduce the product cost by reducing equipment costs. 【0013】 【実施例】以下、本発明を半導体ウエハにエッチング処理を施すエッチング装置に適用した実施例を図面を参照して説明する。 [0013] [Embodiment] Hereinafter, an embodiment of applying the present invention to perform etching on an etching apparatus to the semiconductor wafer with reference to the accompanying drawings. 【0014】図1に示すように、エッチング装置1には、減圧雰囲気下で半導体ウエハにエッチング処理を施す真空処理室2が設けられている。 [0014] As shown in FIG. 1, the etching apparatus 1, the vacuum processing chamber 2 of etching treatment on the semiconductor wafer under a reduced pressure atmosphere is provided. この真空処理室2の側方に隣接して、予備真空室3が1 つのみ設けられており、予備真空室3内には、半導体ウエハ4を搬送するための搬送アーム5と、上下に棚状に2 枚の半導体ウエハ4を支持可能に構成されたウエハ支持機構6が設けられている。 Adjacent to the side of the vacuum processing chamber 2, the preliminary vacuum chamber 3 is provided only one, the preliminary vacuum chamber 3, the transfer arm 5 for carrying the semiconductor wafer 4, the shelf up and down wafer support mechanism 6 which is able to support constituting two semiconductor wafers 4 are provided on Jo. このウエハ支持機構6は、図示しない駆動機構により、上下動可能に構成されている。 The wafer support mechanism 6, by a drive mechanism (not shown), and is vertically movable configuration. 【0015】また、予備真空室3には、ゲートバルブ7 [0015] In addition, in the preliminary vacuum chamber 3, the gate valve 7
aを備えた搬入・搬出用開口7が設けられており、この搬入・搬出用開口7の外側には、カセット載置台8が設けられている。 Loading and unloading opening 7 having a a is provided on the outside of the loading and unloading opening 7, a cassette mounting table 8 is provided. このカセット載置台8は、複数枚(例えば25枚程度)の半導体ウエハ4を収容したウエハカセット9を1 台あるいは数台(図示のものでは2 台)載置できるよう構成されている。 The cassette mounting table 8 is a plurality of (for example, about 25 sheets) wafer cassette 9 accommodating the semiconductor wafer 4 one or several units (intended shown two) consists placed it as. 図示矢印の如く、このウエハカセット9は、ボールスクリュー12を駆動して上下動させることができるとともに他のスクリュー12aによってスライド台8aを介して左右動できるよう構成されている。 As illustrated arrow, the wafer cassette 9 is configured for horizontal movement through a slide table 8a by another screw 12a it is possible to move up and down by driving the ball screw 12. 【0016】また、真空処理室2と予備真空室3との間には、ゲートバルブ10aを備えた搬入・搬出用開口1 Further, between the vacuum processing chamber 2 and the preliminary vacuum chamber 3, carried with a gate valve 10a · unloading opening 1
0が設けられている(図2参照)。 0 is provided (see FIG. 2). なお、予備真空室3 In addition, the pre-vacuum chamber 3
には、排気管33と仕切り弁33aを介して真空ポンプ35が接続され、予備真空室3の内部を所定の真空度に排気可能に構成されている。 The vacuum pump 35 is connected through an exhaust pipe 33 and the partition valve 33a, and is evacuable constructed inside the preliminary vacuum chamber 3 at a predetermined degree of vacuum. また、予備真空室3内をパージするためのガス源34が、仕切り弁32aと供給管32を介して予備真空室3に接続されている。 Further, N 2 gas source 34 to purge the pre-vacuum chamber 3 is connected to the preliminary vacuum chamber 3 through the gate valve 32a of the supply pipe 32. 真空処理室2にも同様に真空源とN ガス源が接続されている。 A vacuum source as well to the vacuum processing chamber 2 and N 2 gas source is connected. 【0017】次に、上記構成の本実施例のエッチング装置1の動作を説明する。 [0017] Next, an operation of the etching apparatus 1 of this embodiment of the above structure. 【0018】まず、カセット載置台8を上下動及び左右動させてウエハカセット9を搬入・搬出用開口7に位置させ、搬入・搬出用開口10を閉じた状態で、搬入・搬出用開口7を開け、搬送アーム5をO点を中心に旋回させて、カセット載置台8に設けたウエハカセット9から、一枚ずつ半導体ウエハ4を取り出し、予備真空室3 [0018] First, a cassette mounting table 8 is moved up and down and left and right movement to position the wafer cassette 9 in loading and unloading opening 7, with closed loading and unloading opening 10, the loading and unloading opening 7 opened, the transfer arm 5 to pivot about the point O, the wafer cassette 9 which is provided on the cassette mounting table 8 takes the semiconductor wafers 4 one by one, the preliminary vacuum chamber 3
内に搬入する。 And it carries within. そして、搬送アーム5のアーム50を伸ばして上下どちらか一方のウエハ支持機構6上に半導体ウエハ4を位置させ、この状態でウエハ支持機構6を上昇させることにより、半導体ウエハ4をウエハ支持機構6に受け渡す。 Then, extending the arm 50 of the transfer arm 5 is positioned the semiconductor wafer 4 on the upper or lower one of the wafer support mechanism 6, by raising the wafer support mechanism 6 in this state, the semiconductor wafer 4 wafer support mechanism 6 I received the pass. この際、アーム50の伸縮には2 〜3 秒要する。 At this time, it takes 2-3 seconds to expansion and contraction of the arm 50. また、この際、半導体ウエハ4が搬送アーム5 At this time, the semiconductor wafer 4 is carrying arm 5
上で移動するとダストが生じるので、極力その移動を阻止する。 Since Moving on dust occurs, as much as possible prevents their movement. 【0019】次に、予備真空室3の搬入・搬出用開口7 [0019] Next, loading of the pre-vacuum chamber 3 and out for the opening 7
を閉じて予備真空室3内の排気を真空ポンプ35により実施し、予備真空室3内が所定の真空度に到達した後、 The evacuation of preparatory vacuum chamber 3 carried out by the vacuum pump 35 is closed, after the preliminary vacuum chamber 3 has reached a predetermined degree of vacuum,
ガスを導入してパージを行い、搬入・搬出用開口1 To purge with N 2 gas was introduced, loading and unloading opening 1
0を開ける。 Opening the 0. この際、予備真空室3の真空引きには通常30〜40秒、また、N によるパージには30〜40 At this time, usually 30 to 40 seconds to evacuation of preparatory vacuum chamber 3, also, the purge with N 2 30-40
秒要する。 Seconds required. そして、搬送アーム5によって、真空処理室2内の処理部に設けられた処理済みの半導体ウエハ4を取り出し、上述したようにして予備真空室3内の空いている方のウエハ支持機構6に受け渡す。 Then, the transfer arm 5, the processed semiconductor wafer 4 provided in the processing unit of the vacuum processing chamber 2 is taken out, subjected to a wafer support mechanism 6 your free of auxiliary vacuum chamber 3 as described above hand over. 【0020】この後、搬送アーム5によって、ウエハ支持機構6に支持された未処理の半導体ウエハ4を搬送し、真空処理室2内の処理部にこの未処理の半導体ウエハ4を配置する。 [0020] Thereafter, the transfer arm 5 carries the unprocessed semiconductor wafer 4 which is supported on the wafer support mechanism 6, to place the semiconductor wafer 4 in the unprocessed section of the vacuum processing chamber 2. 【0021】しかる後、搬入・搬出用開口10を閉じ、 [0021] After that, close the loading and unloading opening 10,
予備真空室3内を常圧に戻し、搬入・搬出用開口7を開ける。 It returns the preliminary vacuum chamber 3 to atmospheric pressure, open the loading and unloading opening 7. そして、搬送アーム5によって、ウエハ支持機構6に支持された処理済みの半導体ウエハ4を搬出し、カセット載置台8に設けたウエハカセット9内に戻す。 Then, the transfer arm 5, the processed semiconductor wafer 4 supported on the wafer support mechanism 6 is unloaded and returned to the wafer cassette 9 which is provided on the cassette mounting table 8. この時、真空処理室2内では、上述のようにして搬入した半導体ウエハ4のエッチング処理を並行して行う。 At this time, the vacuum processing chamber 2, carried out in parallel to an etching treatment of a semiconductor wafer 4 which is carried out as described above. 【0022】そして、ウエハカセット9内に未処理の半導体ウエハ4がある場合は、次の半導体ウエハ4を上述したようにして真空処理室2内の処理部に配置し、エッチング処理を行う。 [0022] Then, if in the wafer cassette 9 is semiconductor wafer 4 Untreated the next semiconductor wafer 4 in the manner described above was placed in the processing unit of the vacuum processing chamber 2, an etching treatment is performed. 【0023】このように、本実施例のエッチング装置1 [0023] Thus, the etching apparatus of the embodiment 1
では、真空処理室2に対して、予備真空室3が1 つのみ設けられているので、搬入用予備真空室と搬出用予備真空室の2 つの予備真空室を備えた従来の装置に較べて装置コストの低減および設置スペースの削減を行うことができる。 So to the vacuum processing chamber 2, since the auxiliary vacuum chamber 3 is provided only one, compared to the conventional apparatus provided with two spare vacuum chamber carrying-out the preliminary vacuum chamber and loading auxiliary vacuum chamber it can be performed to reduce the reduction and the installation space of the apparatus cost. 【0024】また、予備真空室3内に設けられたウエハ支持機構6に、一旦半導体ウエハ4を仮置きすることにより、効率的に半導体ウエハ4の搬入・搬出を実施することができ、搬入用予備真空室と搬出用予備真空室の2 Further, the wafer support mechanism 6 provided in the preliminary vacuum chamber 3, once by temporarily placing the semiconductor wafer 4, it is possible to efficiently implement the loading and unloading of the semiconductor wafer 4, for carrying 2 of the preliminary vacuum chamber and carry-out preliminary vacuum chambers
つの予備真空室を備えた従来の装置とほぼ同様なスループットを確保することができる。 One of the auxiliary vacuum chamber with the conventional apparatus having a can be ensured substantially the same throughput. 【0025】なお、例えば予備真空室3内にウエハ支持機構6がない場合は、これに半導体ウエハ4を仮置きすることができないので、処理済みの半導体ウエハ4を搬出してからでないと、次の半導体ウエハ4の搬入動作を実施することができず、大幅なスループットの低下を招くことになる。 [0025] When there is no wafer support mechanism 6 is, for example, preliminary vacuum chamber 3, since this can not be temporarily placed a semiconductor wafer 4, the unless they are out the processed semiconductor wafer 4, the following It can not be carried out loading operation of the semiconductor wafer 4, which leads to decrease in significant throughput. 【0026】したがって、従来に較べて装置コストを低減することができるとともに、設置スペースを削減することができ、設備コストの削減による製品コストの低減を図ることができる。 [0026] Thus, it is possible to reduce the apparatus cost as compared with the prior art, it is possible to reduce the installation space, it is possible to reduce the product cost by reducing equipment costs. 【0027】次に、図2および図3に、本発明の第2の実施例の半導体製造装置を示す。 Next, FIG. 2 and FIG. 3 shows a semiconductor manufacturing apparatus of the second embodiment of the present invention. この第2の実施例では、予備真空室3内には、天井部から吊り下げられる如く、ウエハ支持機構6aが2 つ設けられている。 In this second embodiment, the preliminary vacuum chamber 3, as suspended from a ceiling portion, and the wafer support mechanism 6a is provided with two. これらのウエハ支持機構6aは、天井部に設けた液圧シリンダ等の往復動機構13により上下動可能に構成されていて、そのロッド13aはベロー14によって保護されている。 These wafer support mechanism 6a by reciprocating mechanism 13, such as a hydraulic cylinder provided in the ceiling portion is configured to be vertically movable, the rod 13a is protected by the bellows 14. 図中に矢印で示すように液圧シリンダ15のロッド15aによって回動可能に構成された複数の爪20によって、半導体ウエハ4の周縁部を係止するよう構成されている。 A plurality of pawls 20 that are configured to be rotatable by a rod 15a of the hydraulic cylinder 15 as shown by an arrow in the figure, is configured to lock the peripheral edge portion of the semiconductor wafer 4. そして、搬送アーム5によって半導体ウエハ4を搬送し、ウエハ支持機構6aの下方に位置させると、ウエハ支持機構6aが、爪20の回動によって半導体ウエハ4を係止し、この後僅かに上昇することにより、半導体ウエハ4を搬送アーム5から受け取る。 Then, it transports the semiconductor wafer 4 by the transfer arm 5, when is positioned below the wafer support mechanism 6a, the wafer support mechanism 6a is, locks the semiconductor wafer 4 by the rotation of the pawl 20, slightly raised after this it allows receiving the semiconductor wafer 4 from the transfer arm 5. 一方、爪20の逆の動作によって、その係止を解除してこの半導体ウエハ4を搬送アーム5に受け渡すよう構成されている。 On the other hand, by the reverse operation of the pawl 20, to release the engagement is configured to pass the semiconductor wafer 4 on the transport arm 5. 【0028】このように構成された予備真空室3を用いれば、前述した実施例と同様な効果を得ることができるとともに、予備真空室3をより小形化することができ、 [0028] By using the preliminary vacuum chamber 3 configured in this way, it is possible to obtain the same effect as in the embodiments described above, it is possible to further miniaturize the preliminary vacuum chamber 3,
例えばその内部の排気に要する時間の短縮等を図ることができる。 For example it is possible to shorten the time required to exhaust the inside thereof. 【0029】上述した各実施例では、予備真空室3内にウエハ支持機構6、6aを設けた例について説明したが、例えば図4および図5に示すように、2 枚の半導体ウエハ4を支持可能に構成された搬送アーム5aを用いることもできる。 [0029] In each of the embodiments described above, description has been made of an example in which a wafer support mechanism 6,6a in the preliminary vacuum chamber 3, for example, as shown in FIGS. 4 and 5, support two semiconductor wafers 4 capable constructed can also be used transfer arm 5a. 【0030】すなわち、この第3の実施例では、搬送アーム5aは、軸30を中心として回動可能に構成され、 [0030] That is, in this third embodiment, the transport arm 5a is rotatably configured about a shaft 30,
2 枚の半導体ウエハ4を支持可能に構成されたウエハ支持部31を備えており、ウエハ支持部31を軸30を中心に回転させることにより、例えば処理済みの半導体ウエハ4のアンロード動作と、未処理の半導体ウエハ4のロード動作とを続けて行うことができるよう構成されている。 Includes a wafer support portion 31 supported capable constructed two semiconductor wafers 4, by rotating the wafer support 31 about the axis 30, for example, and unloading operation of the processed semiconductor wafer 4, and it is configured so as to be able to continuously perform the loading operation of the unprocessed semiconductor wafer 4. このような搬送アーム5aを用いれば、前述した実施例のようにウエハ支持機構6、6a等を使用せずにスループットの低下を防止することができる。 The use of such a transfer arm 5a, it is possible to prevent a decrease in throughput without the use of wafer support mechanism 6,6a such as in the embodiment described above. また、例えば前述した搬送アーム5等を、例えば上下2 段に重ねる如く予備真空室内に2 つ設け、2 枚の半導体ウエハ4 Further, for example, the transfer arm 5 or the like as described above, two in the preliminary vacuum chamber as superimposed, for example, two upper and lower stages is provided, the two semiconductor wafers 4
を支持できるようにしてもよい。 The may be able to support. 【0031】なお、本発明は、エッチング装置に限らず、真空雰囲気下で処理を行う枚葉式の半導体製造装置であればあらゆる装置に適用することができる。 [0031] The present invention is not limited to the etching apparatus can be applied to any device as long as the semiconductor manufacturing apparatus of single wafer for performing processing in a vacuum atmosphere. 【0032】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製造装置によれば、従来に較べて装置コストを低減することができるとともに、設置スペースを削減することができ、設備コストの削減による製品コストの低減を図ることができる。 [0032] As has been described in the foregoing, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to reduce the apparatus cost as compared with the prior art, it is possible to reduce the installation space, equipment cost it is possible to reduce product costs reduction.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施例の半導体製造装置の構成を示す図である。 It is a diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus of an embodiment BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】本発明の他の実施例の予備真空室の構成を示す図である。 2 is a diagram showing a configuration of a spare vacuum chamber of another embodiment of the present invention. 【図3】図2の予備真空室の横断面図である。 3 is a cross-sectional view of the spare vacuum chamber of Figure 2. 【図4】本発明の他の実施例の搬送アームの構成を示す図である。 Is a diagram showing a configuration of a transfer arm of another embodiment of the present invention; FIG. 【図5】図4の搬送アームの側面図である。 5 is a side view of the transfer arm in FIG. 【図6】従来の半導体製造装置の構成を示す図である。 6 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus. 【符号の説明】 1 エッチング装置2 真空処理室3 予備真空室4 半導体ウエハ5 搬送アーム6 ウエハ支持機構7 搬入・搬出用開口8 カセット載置台9 ウエハカセット10 搬入・搬出用開口 [Description of Reference Numerals] 1 etching apparatus 2 vacuum processing chamber 3 preliminary vacuum chamber 4 the semiconductor wafer 5 carrying arm 6 wafer supporting mechanism 7 loading and unloading opening 8 cassette table 9 wafer cassette 10 loading and unloading opening

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI H01L 21/3065 H01L 21/302 B (56)参考文献 特開 昭63−153270(JP,A) 特開 平2−140948(JP,A) 特開 昭62−216314(JP,A) 特開 昭63−27035(JP,A) 特開 平3−273606(JP,A) 特開 平4−87785(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 21/68 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page continued (51) Int.Cl. 7 identifications FI H01L 21/3065 H01L 21/302 B (56 ) references Patent Sho 63-153270 (JP, a) Patent Rights 2-140948 ( JP, A) JP Akira 62-216314 (JP, A) JP Akira 63-27035 (JP, A) JP flat 3-273606 (JP, A) JP flat 4-87785 (JP, A) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H01L 21/68

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 減圧雰囲気下で1つずつ被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、 前記真空処理室に隣接して設けられ、内部に、前記被処理物を搬送するための1つの搬送アームと、2つの前記被処理物を支持するための支持機構とを備え、前記被処 (57) and Patent Claims 1. A vacuum processing chamber for performing a predetermined processing on one at under a reduced pressure atmosphere to be treated, disposed adjacent to said vacuum processing chamber, therein, the comprises one transfer arm for transferring the object to be treated, and a support mechanism for supporting two of said object to be processed, the object to be punished
    理物の搬入・搬出時に、常圧及び所定の真空度とされる During loading and unloading of the physical object is a normal pressure and a predetermined degree of vacuum
    予備真空室とを具備し、 前記真空処理室において所定の処理が施された前記被処理物を前記支持機構の一方で支持し、前記真空処理室において所定の処理が施される前の前記被処理物を前記支持機構の他方で支持するように構成し、 前記真空処理室と前記予備真空室との間で前記被処理物を搬出入可能な状態において前記搬送アームは、所定の処理が施された前記被処理物を前記真空処理室内から前記支持機構の一方に搬送し、所定の処理が施される前の前記被処理物を前記支持機構の他方から前記真空処理室内に搬送する、 よう構成されたことを特徴とする半導体製造装置。 ; And a preliminary vacuum chamber, the predetermined processing is performed in the vacuum processing chamber to support an object to be processed in one of the support mechanism, the object before the predetermined processing is performed in the vacuum processing chamber the process was configured to support the other of the supporting mechanism, the transfer arm in the loading and unloading ready the object to be treated between the preliminary vacuum chamber and the vacuum processing chamber, a predetermined processing facilities been transported the object to be processed from said vacuum processing chamber to one of said supporting mechanism, predetermined processing is transported in front of the object to be processed in said vacuum processing chamber from the other of the supporting mechanism to be applied, iodine the semiconductor manufacturing apparatus characterized by being configured. 【請求項2】 前記支持機構は、上下棚状に2つの前記被処理物を支持可能、且つ、駆動機構によって上下動可能に構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。 Wherein said support mechanism is vertically shelf-like allow supporting two of said object to be processed, and a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, characterized in that it is vertically movable by a drive mechanism . 【請求項3】 前記支持機構は、前記搬送アームの上方位置で2つの前記被処理物を支持可能、且つ、駆動機構によって上下動可能に構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。 Wherein said support mechanism, wherein the two at the upper position of the transfer arm said possible supporting an object to be processed, and, according to claim 1, characterized in that it is vertically movable by a drive mechanism semiconductor manufacturing equipment.
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