JP3452502B2 - モールドパッケージ - Google Patents
モールドパッケージInfo
- Publication number
- JP3452502B2 JP3452502B2 JP6028199A JP6028199A JP3452502B2 JP 3452502 B2 JP3452502 B2 JP 3452502B2 JP 6028199 A JP6028199 A JP 6028199A JP 6028199 A JP6028199 A JP 6028199A JP 3452502 B2 JP3452502 B2 JP 3452502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- electronic component
- inner lead
- sealant
- mold package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
プ等の電子部品を収容するとともに、同電子部品を封止
剤によって封止したモールドパッケージに関するもので
ある。
ード部を樹脂材料によってモールドしたインサート成型
品内に、半導体チップ等の電子部品をパッケージングす
る技術が知られている。
1では、モールド樹脂によって形成された本体52の部
品収容部53内に、電子部品54が収容されている。詳
しくは、本体52には複数のリード部55からなるリー
ドフレーム56がインサート成形されており、各リード
部55のインナーリード部55aの一部が部品収容部5
3内に露出している。電子部品54は、これら各インナ
ーリード部55a上に載置されている。そして、電子部
品54の表面に形成された複数の電極54aが、対応す
るインナーリード部55aに対して導電性接着剤57に
よって接合されている。すなわち、各電極54aと対応
する各インナーリード部55aとが電気的に接続されて
いる。
充填されることにより、電子部品54が部品収容53内
に封止されている。
7に示すように、電子部品54の底面54bと部品収容
部53の底面53aとの間にはクリアランスCを有する
空間部59が存在する。この空間部59は、各電極54
aと各インナーリード部55aとの間に導電性接着剤5
7が介在することによって形成されているため、クリア
ランスCは非常に小さい。したがって、この空間部59
には封止剤58が入り込みにくく、封止剤58の充填不
良が生じて空間部59にボイドが発生するおそれがあ
る。そして、ボイドが発生した際には本体52や電子部
品54に偏った応力が加わるため、本体52や電子部品
54にクラックが生じるおそれがある。よって、装置と
しての信頼性が低下してしまう。
起因して、図7に示すように、対向配置されたインナー
リード部55a間に導電性接着剤57によるブリッジが
形成されてしまい、同インナーリード部55a間を短絡
させてしまうおそれがある。
であり、その目的は、電子部品と部品収容部の底面との
間にボイドが発生してしまうことを防止するとともに、
インナーリード部間の短絡を確実に防止することのでき
るモールドパッケージを提供することにある。
めに、請求項1に記載の発明では、リードフレームのイ
ンナーリード部をモールドしている樹脂製の本体に、複
数の電極を有する電子部品を収容するための部品収容部
が設けられ、その部品収容部の底面にて露出する前記各
インナーリード部の上面に導電性接着剤を介して前記各
電極が接合され、かつ非導電性材料からなる封止剤を部
品収容部内に充填することにより前記電子部品が封止さ
れているモールドパッケージにおいて、前記部品収容部
の底面かつ前記インナーリード部間の領域に、凹部が設
けられていることを要旨とする。
載のモールドパッケージにおいて、前記凹部は、前記リ
ードフレームの厚みよりも深く設定されていることを要
旨とする。
は請求項2に記載のモールドパッケージにおいて、前記
凹部は細長状の溝部であり、その溝部の少なくとも一端
は、前記部品収容部内に前記電子部品を収容した状態
で、前記部品収容部の開口側から視認可能であることを
要旨とする。
る。請求項1に記載の発明によると、部品収容部の底面
かつインナーリード部間の領域に凹部を設けることによ
り、部品収容部内に充填された封止剤が凹部内に流れ込
みやすくなる。このため、部品収容部の底面と電子部品
との間に封止剤が充填されやすくなる。したがって、部
品収容部の底面と電子部品との間にボイドが発生するこ
とを防止することができる。
ることにより、導電性接着剤がインナーリード部間にブ
リッジしてしまうことも防止することができる。したが
って、インナーリード部間の短絡も確実に防止すること
ができる。
部内に充填された封止剤が凹部内により流れ込みやすく
なる。このため、部品収容部の底面と電子部品との間で
のボイドの発生、及びリードフレーム間の短絡をより確
実に防止することができる。
を収容した状態のとき、溝部の少なくとも一端が電子部
品の側端からはみ出した状態となる。このため、封止剤
はこの一端側から溝部内に流れ込むことができる。した
がって、封止剤が溝部内に流れ込みやすくなり、部品収
容部の底面と電子部品との間でのボイドの発生をさらに
確実に防止することができる。
より、封止剤を円滑に流入させることができる。
形態を図1〜図4に基づき詳細に説明する。図1に示す
ように、本実施形態のモールドパッケージ1は、リード
フレーム2の一部を合成樹脂からなるモールド樹脂3に
よってモールドして形成した本体4と、同本体4内に収
容されるICチップからなる電子部品5とを備えてい
る。
ち抜いて形成した複数のリード部11から構成されてい
る。本実施形態においてリードフレーム2は8本のリー
ド部11によって構成され、各リード部11の一部分は
本体4の対向する2つの外側面4aからアウターリード
部11aとして4本ずつ突出されている。すなわち、本
実施形態のモールドパッケージ1は、片側に4本のアウ
ターリード部11aを有するDIPタイプのパッケージ
として具体化されている。
その表面には前記電子部品5を収容可能な2つの部品収
容部12が設けられている。これら部品収容部12はそ
れぞれ同じ構成をなしているため、以下においては一方
のみを説明する。
に、平面視で略四角状をなす凹所であり、電子部品5の
収容に充分な深さに設定されている。そして、部品収容
部12の底面12aには、モールド樹脂3に埋設された
前記各リード部11の一部であるインナーリード部11
bの上面の一部が露出している。すなわち、各インナー
リード部11bは2つずつ対向して配置されており、部
品収容部12内には4つのインナーリード部11bの上
面が露出している。
向する各インナーリード部11b間の領域には、凹部と
しての細長状の溝部13が設けられている。溝部13
は、対向するインナーリード部11b間を結ぶ線と直交
して設けられている。この溝部13の両端は、部品収容
部12の内側壁12bに達するように設けられている。
このため、図2に示すように、部品収容部12内に電子
部品5を収容した際においても、溝部13の両端を視認
することができる。また、この溝部13は、図3に示す
ように、幅W1が0.3〜1.0mmの範囲内に設定さ
れ、深さh1が0.25〜1.0mmの範囲内に設定され
ている。なお、幅W1及び深さh1はともに0.3〜
0.7mmの範囲内に設定されていることがより望まし
く、本実施形態においては幅W1及び深さh1がともに
0.5mmに設定されている。
品5の外表面において前記各インナーリード部11bと
対応する箇所には、金属薄膜等からなる電極21がそれ
ぞれ形成されている。すなわち、電子部品5は、4つの
電極を備えたICチップである。そして、これら各電極
21と前記各インナーリード部11bとが導電性接着剤
22を介して接合された状態で、電子部品5が部品収容
部12内に収容されている。導電性接着剤22として
は、銀(Ag)がフィラーとして混入されたものを用い
ている。一般的に、銀をフィラーとして含む導電性接着
剤は、マイグレーションが生じやすいものの、導電性に
優れているという特徴を有する。また、部品収容部12
内には、シリコーン樹脂等の非導電性材料からなる封止
剤23が隙間なく充填されている。したがって、電子部
品5は、この封止剤23によって部品収容部12内に封
止された状態となっている。
の製造手順について説明する。まず、厚さ0.25mm程
度の金属薄板を打ち抜き加工して、前記各リード部11
を有するリードフレーム2を形成する。そして、このリ
ードフレーム2を図示しない金型内に配置し、同金型内
に前記モールド樹脂3を注入・硬化させて本体4を形成
する。金型は前記部品収容部12及び溝部13を成形可
能な形状をなしている。この工程によって、前記部品収
容部12及び溝部13を有する本体4が形成される。す
なわち、部品収容部12及び溝部13は、モールド樹脂
3によってリードフレーム2をモールドしたときに、同
時に形成される。
容部12内に露出した各インナーリード部11b上に導
電性接着剤22を塗布し、次いで電子部品5を部品収容
部12内に収容する。このとき、前記各電極21を対応
する各インナーリード部11bに合わせた状態で電子部
品5を各インナーリード部11b上に載置する。そし
て、導電性接着剤22を凝固させて、各電極21と各イ
ンナーリード部11bとを接合する。これにより、各電
極21と各インナーリード部11bとが電気的に接続す
る。
ィングツール24から前記封止剤23を部品収容部12
内にポッティングする。前述したように、溝部13の両
端は電子部品5の側部からはみ出しているため、図2に
矢印で示すように、封止剤23は溝部13内に流れ込み
やすくなる。したがって、電子部品5の下面側にも充分
に封止剤23が充填される。その結果、図4(c)に示
すように、部品収容部12内には封止剤23が隙間なく
充填される。そして、封止剤23を加熱するなどして硬
化させ、電子部品5を封止する。
うな効果を得ることができる。 (1)部品収容部12の底面12aかつ対向する各イン
ナーリード部11b間の領域には溝部13が設けられて
いる。このため、部品収容部12内に充填された封止剤
23は、溝部13内に流れ込みやすくなる。溝部13は
電子部品5の下方に位置するため、封止剤23が溝部1
3内に流れ込むことによって部品収容部12の底面12
aと電子部品5との間にも封止剤23が充填されやすく
なる。したがって、部品収容部12の底面12aと電子
部品5との間にボイドが発生することを防止することが
できる。
ド部11b間に設けられているため、導電性接着剤22
がしみ出して各インナーリード部11b間を短絡させて
しまうことも防止することができる。
ーム2の厚みh2よりも大きく設定されている。このた
め、封止剤23は溝部13内により流れやすくなる。し
たがって、部品収容部12の底面12aと電子部品5と
の間でのボイドの発生、及び対向するインナーリード部
11b間の短絡をより確実に防止することができる。
子部品5を収容した後においても両端を視認できるよう
に設けられている。すなわち、溝部13の両端は電子部
品5の側端からはみ出した状態となっている。このた
め、封止剤23はこの一端から入り込むことができる。
したがって、封止剤23が溝部13内に流れ込みやすく
なり、部品収容部12の底面12aと電子部品5との間
でのボイドの発生をさらに確実に防止できる。
るため、封止剤23を溝部13内に円滑に流入させるこ
とができる。 (4)金型は前記部品収容部12及び溝部13を成形可
能な形状をなしている。このため、溝部13は、本体4
の成形と同時に成形される。したがって、溝部13を設
けることで生産性が低下することがない。すなわち、モ
ールドパッケージ1の生産性を維持しつつ溝部13を設
けることができる。
の高騰、工数の増加等を防止することができる。 (6)導電性接着剤22のフィラーとして銀を用いてい
るため、高い導電性を得ることができる。しかも、部品
収容部12の底面12aと電子部品5との間には封止剤
23を隙間なく充填させることができるため、マイグレ
ーションの発生を確実に防止することができる。すなわ
ち、マイグレーションを防止しつつ、高い導電性を得る
ことができる。
更してもよい。 ・ 図5に示すように、対向するインナーリード部11
b間に加えて、隣り合うインナーリード部11b間にも
溝部13を設けてもよい。このようにすれば、隣り合う
インナーリードリード部11b間の短絡をも防止するこ
とができる。
のみに溝部13を設けるようにしてもよい。 ・ 電子部品5としては、ICチップの他、チップトラ
ンジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップコン
デンサ等の各種電子部品でも適用可能である。
定されるものではなく、金、銅、タングステン等の他の
導電性金属であってもよい。 ・ 封止剤23はシリコーン樹脂に限定されるものでは
なく、非導電性材料からなる熱硬化性樹脂材料であれ
ば、他の樹脂でも適用可能である。
1を備え、2つの電子部品5を収容可能なモールドパッ
ケージ1に具体化したが、これに限定されるものではな
い。すなわち、電子部品5の収容個数、リード部11の
本数は、任意に変更されてよい。
イプのモールドパッケージ1に具体化したが、これに限
らず、SOPタイプ、QFPタイプ、QFJタイプ等の
種々のパッケージに具体化してもよい。
穴状をなしている。この溝部13の形状は、こうした角
穴状に限定されるものではなく、例えば断面多角形状や
断面半円形状等種々の形状をなしていてもよい。要する
に、溝部13の開口部の幅W1及び深さh1が所定の範
囲となる値(幅W1=0.3〜1.0mm、深さh1=
0.25〜1.0mm)に設定されていればよい。
成されてもよい。このようにすれば、金型の設計変更を
する必要がなく、従来の金型をそのまま用いることがで
きる。
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想を以下に列挙する。 (1) 請求項1〜3のいずれか1項に記載のモールド
パッケージにおいて、前記凹部は、幅0.3〜1.0m
m、深さ0.25〜1.0mmの範囲内に設定されている
ことを特徴とするモールドパッケージ。この技術的思想
(1)に記載の発明によれば、部品収容部の底面と電子
部品との間でのボイドの発生、及びインナーリード部間
の短絡をさらに確実に防止することができる。
のいずれか1項に記載のモールドパッケージにおいて、
前記凹部は、対向配置されたインナーリード部間に設け
られていることを特徴とするモールドパッケージ。この
技術的思想(2)に記載の発明によれば、対向配置され
たインナーリード部間の短絡を確実に防止することでき
る。
(1),(2)のいずれか1項に記載のモールドパッケ
ージにおいて、前記凹部は、前記本体の成形と同時に形
成されることを特徴とするモールドパッケージ。この技
術的思想(3)に記載の発明によれば、生産性を維持す
ることができる。
〜(3)のいずれか1項に記載のモールドパッケージに
おいて、導電性接着剤はフィラーとして銀が用いられて
いることを特徴とするモールドパッケージ。この技術的
思想(4)に記載の発明によれば、高い導電性を得るこ
とができる。しかも、部品収容部の底面と電子部品との
間に封止剤を隙間なく充填することができるため、フィ
ラーとして銀を用いた導電性接着剤の欠点であるマイグ
レーションの発生を防止することができる。
レームのインナーリード部をモールドしているモールド
樹脂とからなり、前記モールド樹脂には複数の電極を有
する電子部品を収容するための部品収容部が設けられ、
その部品収容部の底面にて露出する前記各インナーリー
ド部の上面に導電性接着剤を介して前記各電極を接合
し、かつ非導電性材料からなる封止剤を部品収容部内に
充填することにより前記電子部品を封止して形成される
モールドパッケージの収容体において、前記部品収容部
の底面かつ前記インナーリード部間の領域に、凹部が設
けられていることを特徴とするモールドパッケージの収
容体。
載の発明によれば、電子部品と部品収容部の底面との間
にボイドが発生してしまうことが防止できるとともに、
インナーリード部間の短絡を確実に防止することができ
る。
凹部内により流れ込みやすくなるため、部品収容部の底
面と電子部品との間でのボイドの発生、及びリードフレ
ーム間の短絡をより確実に防止することができる。
なくとも一端が電子部品の側端からはみ出した状態とな
るため、封止剤はこの一端から溝部内に流れ込むことが
できる。したがって、封止剤が溝部内に流れ込みやすく
なり、部品収容部の底面と電子部品との間でのボイドの
発生をさらに確実に防止することができる。
態を示す斜視図。
形態の一部を拡大して示す平面図。
図。
ールド樹脂、4…本体、5…電子部品、11…リード
部、11a…アウターリード部、11b…インナーリー
ド部、12…部品収容部、12a…底面、13…凹部と
しての溝部、21…電極、22…導電性接着剤、23…
封止剤。
Claims (3)
- 【請求項1】 リードフレームのインナーリード部をモ
ールドしている樹脂製の本体に、複数の電極を有する電
子部品を収容するための部品収容部が設けられ、その部
品収容部の底面にて露出する前記各インナーリード部の
上面に導電性接着剤を介して前記各電極が接合され、か
つ非導電性材料からなる封止剤を部品収容部内に充填す
ることにより前記電子部品が封止されているモールドパ
ッケージにおいて、 前記部品収容部の底面かつ前記インナーリード部間の領
域に、凹部が設けられていることを特徴とするモールド
パッケージ。 - 【請求項2】 請求項1に記載のモールドパッケージに
おいて、 前記凹部は、前記リードフレームの厚みよりも深く設定
されていることを特徴とするモールドパッケージ。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載のモール
ドパッケージにおいて、 前記凹部は細長状の溝部であり、その溝部の少なくとも
一端は、前記部品収容部内に前記電子部品を収容した状
態で、前記部品収容部の開口側から視認可能であること
を特徴とするモールドパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6028199A JP3452502B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | モールドパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6028199A JP3452502B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | モールドパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000260909A JP2000260909A (ja) | 2000-09-22 |
JP3452502B2 true JP3452502B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=13137617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6028199A Expired - Fee Related JP3452502B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | モールドパッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3452502B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG148054A1 (en) | 2007-05-17 | 2008-12-31 | Micron Technology Inc | Semiconductor packages and method for fabricating semiconductor packages with discrete components |
JP5711472B2 (ja) | 2010-06-09 | 2015-04-30 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法並びに半導体装置 |
-
1999
- 1999-03-08 JP JP6028199A patent/JP3452502B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000260909A (ja) | 2000-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5665651A (en) | Process for encapsulating a semiconductor device and lead frame | |
JP4352593B2 (ja) | 樹脂封入型回路装置 | |
JP2844316B2 (ja) | 半導体装置およびその実装構造 | |
JP3165078B2 (ja) | 表面実装部品の製造方法 | |
US6213747B1 (en) | Package stack via bottom leaded plastic (BLP) packaging | |
US4303934A (en) | Molded lead frame dual in line package including a hybrid circuit | |
US6262480B1 (en) | Package for electronic device having a fully insulated dissipator | |
KR950021434A (ko) | 반도체 장치와 그 제조방법 | |
JP2604340B2 (ja) | Icカードのための集積回路の封止方法 | |
KR100283299B1 (ko) | 플라스틱캡슐화반도체장치및그의제조방법 | |
KR100237051B1 (ko) | 버텀리드 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
US20090224382A1 (en) | Semiconductor package with mold lock vent | |
JP3452502B2 (ja) | モールドパッケージ | |
JP3426574B2 (ja) | 表面実装部品及びその製造方法 | |
JP2001035961A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100700256B1 (ko) | 전자부품 및 그 제조방법 | |
EP2545584B1 (en) | Package having spaced apart heat sink | |
US7358598B2 (en) | Process for fabricating a semiconductor package and semiconductor package with leadframe | |
JPH10242385A (ja) | 電力用混合集積回路装置 | |
JP4189161B2 (ja) | リードフレーム及び半導体装置並びにそれらの製造方法 | |
JPH0888292A (ja) | 片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003197828A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP4390989B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
JPH10189792A (ja) | 半導体パッケージ | |
JPH11340404A (ja) | リードフレーム及びそれを用いたプラスティックパッケージの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140718 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |