JP3451313B2 - ＭｎＢｉ薄膜の作製方法 - Google Patents
ＭｎＢｉ薄膜の作製方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭｎＢｉ薄膜の作
製方法及びＭｎＢｉ薄膜に関し、詳しくは、光磁気記録
媒体及び磁気記録媒体などに好適に用いることのでき
る、ＭｎＢｉ薄膜の作製方法及びＭｎＢｉ薄膜に関す
る。
製方法及びＭｎＢｉ薄膜に関し、詳しくは、光磁気記録
媒体及び磁気記録媒体などに好適に用いることのでき
る、ＭｎＢｉ薄膜の作製方法及びＭｎＢｉ薄膜に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＭｎＢｉ薄膜は、基板の表面に垂直に配
向しやすく大きなカー回転角を有することから、光磁気
記録媒体の磁気記録層を構成する材料として有望視され
ていた。しかしながら、記録時における加熱又は冷却の
過程において、構造相転移が生じて強磁性を示さなくな
るとともに、キュリー点が極めて高いため、実際の記録
に際しては高温度に加熱しなければならないという問題
があった。
向しやすく大きなカー回転角を有することから、光磁気
記録媒体の磁気記録層を構成する材料として有望視され
ていた。しかしながら、記録時における加熱又は冷却の
過程において、構造相転移が生じて強磁性を示さなくな
るとともに、キュリー点が極めて高いため、実際の記録
に際しては高温度に加熱しなければならないという問題
があった。
【０００３】そして従来、ＭｎＢｉ薄膜は、スパッタリ
ング法により必要に応じて保護膜などを設けた基板上に
一括して均一に形成した後、３００℃程度に加熱して結
晶化することにより得ていた。したがって、ＭｎＢｉ薄
膜の微細な構造制御や結晶性制御を行うことはできず、
上記構造相転移などの問題を甘受しなければならなかっ
た。このような状況において、極めて高い垂直磁気異方
性を示すとともに、キュリー点が２００℃前後と比較的
低く、０．３度程度のカー回転角を有することからＴｂ
ＦｅＣｏ薄膜が光磁気記録媒体の磁気記録層として注目
を浴びるようになり、実用されるに至っている。
ング法により必要に応じて保護膜などを設けた基板上に
一括して均一に形成した後、３００℃程度に加熱して結
晶化することにより得ていた。したがって、ＭｎＢｉ薄
膜の微細な構造制御や結晶性制御を行うことはできず、
上記構造相転移などの問題を甘受しなければならなかっ
た。このような状況において、極めて高い垂直磁気異方
性を示すとともに、キュリー点が２００℃前後と比較的
低く、０．３度程度のカー回転角を有することからＴｂ
ＦｅＣｏ薄膜が光磁気記録媒体の磁気記録層として注目
を浴びるようになり、実用されるに至っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光磁気
記録媒体にはさらなる記録密度の向上と読み出し速度の
向上が求められており、上述した０．３度程度の大きさ
のカー回転角しか示さないＴｂＦｅＣｏ薄膜ではこれら
の要求に答えることができないでいた。このため、上記
ＴｂＦｅＣｏに代わる新たな垂直磁気記録材料の出現が
望まれていた。
記録媒体にはさらなる記録密度の向上と読み出し速度の
向上が求められており、上述した０．３度程度の大きさ
のカー回転角しか示さないＴｂＦｅＣｏ薄膜ではこれら
の要求に答えることができないでいた。このため、上記
ＴｂＦｅＣｏに代わる新たな垂直磁気記録材料の出現が
望まれていた。
【０００５】本発明は、微細な構造制御及び結晶性制御
を可能とし、ＴｂＦｅＣｏに代わる垂直磁気記録材料と
してのＭｎＢｉ薄膜の提供を可能とする新たなＭｎＢｉ
薄膜の作製方法、並びにこの新たなＭｎＢｉ薄膜を提供
することを目的とする。
を可能とし、ＴｂＦｅＣｏに代わる垂直磁気記録材料と
してのＭｎＢｉ薄膜の提供を可能とする新たなＭｎＢｉ
薄膜の作製方法、並びにこの新たなＭｎＢｉ薄膜を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明のＭｎＢｉ薄膜の作製方法は、基板の表面上にＭ
ｎＢｉシード層を形成した後、このＭｎＢｉシード層を
加熱した状態において、前記ＭｎＢｉシード層上にＭｎ
元素とＢｉ元素とを同時に供給し、前記基板の表面上に
ＭｎＢｉ薄膜をＣ軸方向にエピタキシャル成長させて形
成することを特徴とする。
本発明のＭｎＢｉ薄膜の作製方法は、基板の表面上にＭ
ｎＢｉシード層を形成した後、このＭｎＢｉシード層を
加熱した状態において、前記ＭｎＢｉシード層上にＭｎ
元素とＢｉ元素とを同時に供給し、前記基板の表面上に
ＭｎＢｉ薄膜をＣ軸方向にエピタキシャル成長させて形
成することを特徴とする。
【０００７】
【０００８】本発明者らは、ＴｂＦｅＣｏに代わる垂直
磁気記録材料を得るべく鋭意検討を行った。そして、本
来的に比較的高い垂直磁気異方性を示すとともに、高い
カー回転角を有することから、再度ＭｎＢｉに着目し
た。そして、このＭｎＢｉ薄膜の微細な構造制御を可能
とするとともに、結晶性制御をも可能とすべく、作製方
法からの検討を行った。
磁気記録材料を得るべく鋭意検討を行った。そして、本
来的に比較的高い垂直磁気異方性を示すとともに、高い
カー回転角を有することから、再度ＭｎＢｉに着目し
た。そして、このＭｎＢｉ薄膜の微細な構造制御を可能
とするとともに、結晶性制御をも可能とすべく、作製方
法からの検討を行った。
【０００９】その結果、基板上にＭｎＢｉシード層を予
め形成しておき、このシード層上にＭｎ元素とＢｉ元素
とをそれぞれ別個かつ同時に供給することにより、この
ＭｎＢｉシード層上にＭｎＢｉ薄膜をエピタキシャル成
長できることを見出した。すなわち、本発明の作製方法
によれば、原子レベルの制御によってＭｎＢｉ薄膜を形
成することができるので、微細な構造制御や結晶性制御
が可能となる。このため、構造相転移などがなく、キュ
リー点を自在に制御して、光磁気記録媒体の磁気記録層
などに使用することのできるＭｎＢｉ薄膜を提供するこ
とができる。また、本発明のＭｎＢｉ薄膜の作製方法に
より、光磁気記録媒体などにおいて高密度記録並びに高
速読み出しを可能とするＭｎＢｉ薄膜を容易に提供する
ことが可能となる。
め形成しておき、このシード層上にＭｎ元素とＢｉ元素
とをそれぞれ別個かつ同時に供給することにより、この
ＭｎＢｉシード層上にＭｎＢｉ薄膜をエピタキシャル成
長できることを見出した。すなわち、本発明の作製方法
によれば、原子レベルの制御によってＭｎＢｉ薄膜を形
成することができるので、微細な構造制御や結晶性制御
が可能となる。このため、構造相転移などがなく、キュ
リー点を自在に制御して、光磁気記録媒体の磁気記録層
などに使用することのできるＭｎＢｉ薄膜を提供するこ
とができる。また、本発明のＭｎＢｉ薄膜の作製方法に
より、光磁気記録媒体などにおいて高密度記録並びに高
速読み出しを可能とするＭｎＢｉ薄膜を容易に提供する
ことが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。本発明のＭｎＢｉ薄膜の作
製方法においては、最初に、基板上にＭｎＢｉシード層
を形成する。シード層の態様及び形成方法については、
シード層上にＭｎ元素及びＢｉ元素を同時に供給してＣ
軸配向したＭｎＢｉ薄膜を形成することができれば、特
には限定されない。しかしながら、比較的厚くＣ軸配向
したＭｎＢｉ薄膜を形成するためには、前記シード層は
３０〜９０ｎｍの厚さであることが好ましく、さらには
３０〜５０ｎｍの厚さであることが好ましい。
に基づいて詳細に説明する。本発明のＭｎＢｉ薄膜の作
製方法においては、最初に、基板上にＭｎＢｉシード層
を形成する。シード層の態様及び形成方法については、
シード層上にＭｎ元素及びＢｉ元素を同時に供給してＣ
軸配向したＭｎＢｉ薄膜を形成することができれば、特
には限定されない。しかしながら、比較的厚くＣ軸配向
したＭｎＢｉ薄膜を形成するためには、前記シード層は
３０〜９０ｎｍの厚さであることが好ましく、さらには
３０〜５０ｎｍの厚さであることが好ましい。
【００１１】また、上記厚さを有し、Ｃ軸配向したシー
ド層を簡易に得るべく、シード層は以下に示すような方
法によって形成することが好ましい。最初に、所定の基
板上にＭｎ層及びＢｉ層を積層させて形成する。積層順
序については限定されず、基板上にＭｎ層を形成した
後、このＭｎ層上にＢｉ層を形成してもよいし、基板上
にＢｉ層を形成した後、このＢｉ層上にＭｎ層を形成し
てもよい。Ｍｎ層及びＢｉ層はスパッタリング法など公
知の成膜方法によって形成することができる。
ド層を簡易に得るべく、シード層は以下に示すような方
法によって形成することが好ましい。最初に、所定の基
板上にＭｎ層及びＢｉ層を積層させて形成する。積層順
序については限定されず、基板上にＭｎ層を形成した
後、このＭｎ層上にＢｉ層を形成してもよいし、基板上
にＢｉ層を形成した後、このＢｉ層上にＭｎ層を形成し
てもよい。Ｍｎ層及びＢｉ層はスパッタリング法など公
知の成膜方法によって形成することができる。
【００１２】Ｍｎ層及びＢｉ層の厚さについても特には
限定されないが、以下に示す加熱処理に伴う相互拡散を
容易にして、上記好ましい厚さのシード層の作製を容易
にするという観点から、２０〜６０ｎｍであることが好
ましく、さらには２０〜３０ｎｍであることが好まし
い。
限定されないが、以下に示す加熱処理に伴う相互拡散を
容易にして、上記好ましい厚さのシード層の作製を容易
にするという観点から、２０〜６０ｎｍであることが好
ましく、さらには２０〜３０ｎｍであることが好まし
い。
【００１３】次いで、Ｍｎ層及びＢｉ層を加熱する。こ
れにより、Ｍｎ層及びＢｉ層を構成する各元素が互いに
相互拡散し、これらが混合することによりＭｎＢｉシー
ド層が形成される。Ｍｎ層を構成するＭｎ元素とＢｉ層
を構成するＢｉ元素との相互拡散を容易にするととも
に、得るべくシード層をＣ軸配向させるという観点か
ら、加熱温度は２５０〜３５０℃であることが好まし
く、さらには２８０〜３００℃であることが好ましい。
れにより、Ｍｎ層及びＢｉ層を構成する各元素が互いに
相互拡散し、これらが混合することによりＭｎＢｉシー
ド層が形成される。Ｍｎ層を構成するＭｎ元素とＢｉ層
を構成するＢｉ元素との相互拡散を容易にするととも
に、得るべくシード層をＣ軸配向させるという観点か
ら、加熱温度は２５０〜３５０℃であることが好まし
く、さらには２８０〜３００℃であることが好ましい。
【００１４】また、Ｍｎ層及びＢｉ層の厚さを上記好ま
しい範囲に設定することにより、上記好ましい厚さのシ
ード層を形成するに際しては、上記加熱温度において
０．５〜１時間加熱する。Ｍｎ層及びＢｉ層の加熱は、
基板上にこれら層が積層されてなるアセンブリを所定の
ヒータ上に載置することなどによって実施する。
しい範囲に設定することにより、上記好ましい厚さのシ
ード層を形成するに際しては、上記加熱温度において
０．５〜１時間加熱する。Ｍｎ層及びＢｉ層の加熱は、
基板上にこれら層が積層されてなるアセンブリを所定の
ヒータ上に載置することなどによって実施する。
【００１５】次いで、得られたシード層を所定の温度に
加熱するとともに、このシード層上にＭｎ元素及びＢｉ
元素を同時に供給する。シード層の加熱温度については
特には限定されないが、比較的厚くＣ軸配向したＭｎＢ
ｉ薄膜を得るためには、２５０〜３５０℃であることが
好ましく、さらには２８０〜３００℃であることが好ま
しい。なお、シード層の加熱についても上記Ｍｎ層及び
Ｂｉ層の加熱処理の場合と同様に、基板とシード層とか
らなるアセンブリを所定のヒータ上に載置することによ
って実施する。
加熱するとともに、このシード層上にＭｎ元素及びＢｉ
元素を同時に供給する。シード層の加熱温度については
特には限定されないが、比較的厚くＣ軸配向したＭｎＢ
ｉ薄膜を得るためには、２５０〜３５０℃であることが
好ましく、さらには２８０〜３００℃であることが好ま
しい。なお、シード層の加熱についても上記Ｍｎ層及び
Ｂｉ層の加熱処理の場合と同様に、基板とシード層とか
らなるアセンブリを所定のヒータ上に載置することによ
って実施する。
【００１６】また、Ｍｎ元素及びＢｉ元素の供給は、Ｍ
ｎ元素又はＢｉ元素を含む化合物の分子線、あるいは単
独のＭｎ分子（Ｍｎ原子）又はＢｉ分子（Ｂｉ原子）の
分子線を前記シード層上に入射させることによって行う
ことが好ましい。これによって、ＭｎＢｉ薄膜の微細な
構造制御及び結晶性制御を容易に行うことができる。
ｎ元素又はＢｉ元素を含む化合物の分子線、あるいは単
独のＭｎ分子（Ｍｎ原子）又はＢｉ分子（Ｂｉ原子）の
分子線を前記シード層上に入射させることによって行う
ことが好ましい。これによって、ＭｎＢｉ薄膜の微細な
構造制御及び結晶性制御を容易に行うことができる。
【００１７】Ｍｎ元素を含む化合物としては、ＭｎＣ
ｌ、ＭｎＩ２及びトリメチルマンガンなどの有機金属を
例示することができる。また、Ｂｉ元素を含む化合物と
しては、ＢｉＢｒ３、ＢｉＣｌ、ＢｉＩ３及びトリメチ
ルビスマスなどの有機金属を例示することができる。
ｌ、ＭｎＩ２及びトリメチルマンガンなどの有機金属を
例示することができる。また、Ｂｉ元素を含む化合物と
しては、ＢｉＢｒ３、ＢｉＣｌ、ＢｉＩ３及びトリメチ
ルビスマスなどの有機金属を例示することができる。
【００１８】そして、Ｍｎ元素の供給を分子線によって
行う場合、基板表面の法線に対するその入射角度が０〜
４５度であることが好ましい。これによって、微細な構
造制御を可能とするとともにＣ軸配向したＭｎＢｉ薄膜
を容易に得ることができる。同様の理由から、Ｂｉ元素
の供給を分子線によって行う場合、基板表面の法線に対
するその入射角度が０〜４５度であることが好ましい。
行う場合、基板表面の法線に対するその入射角度が０〜
４５度であることが好ましい。これによって、微細な構
造制御を可能とするとともにＣ軸配向したＭｎＢｉ薄膜
を容易に得ることができる。同様の理由から、Ｂｉ元素
の供給を分子線によって行う場合、基板表面の法線に対
するその入射角度が０〜４５度であることが好ましい。
【００１９】Ｍｎ元素及びＢｉ元素の供給を分子線で行
う場合は、基板とシード層とを具えたアセンブリを分子
線エピタキシー装置内に設置して行う。この場合、シー
ド層を加熱するためのヒータは前記装置内に具えられて
おり、このヒータを利用することによって、Ｍｎ層及び
Ｂｉ層からのシード層の形成をも前記分子線エピタキシ
ー装置内で行うことができる。
う場合は、基板とシード層とを具えたアセンブリを分子
線エピタキシー装置内に設置して行う。この場合、シー
ド層を加熱するためのヒータは前記装置内に具えられて
おり、このヒータを利用することによって、Ｍｎ層及び
Ｂｉ層からのシード層の形成をも前記分子線エピタキシ
ー装置内で行うことができる。
【００２０】なお、Ｍｎ元素及びＢｉ元素の供給は、必
ずしも分子線の形態で行う必要はなく、上記有機金属な
どを用いたＣＶＤやスパッタリングなどによっても行う
ことができる。
ずしも分子線の形態で行う必要はなく、上記有機金属な
どを用いたＣＶＤやスパッタリングなどによっても行う
ことができる。
【００２１】以上のような工程を経ることによって、厚
さ１０〜５００ｎｍのＣ軸配向したＭｎＢｉ薄膜を得る
ことができる。また、基板の種類は特に限定されず、用
途に応じてあらゆるものを使用することができる。
さ１０〜５００ｎｍのＣ軸配向したＭｎＢｉ薄膜を得る
ことができる。また、基板の種類は特に限定されず、用
途に応じてあらゆるものを使用することができる。
【００２２】
【実施例】本発明の具体例を以下の実施例において示
す。基板にＡｌ２Ｏ３基板を用い、この基板上に分子線
エピタキシー法によってＢｉ層を厚さ２０ｎｍに形成す
るとともに、同じく分子線エピタキシー法によって前記
Ｂｉ層上にＭｎ層を厚さ１０ｎｍに形成した。次いで、
上記分子線エピタキシー装置内を１０―６Ｐａ以下に排
気し、かかる真空雰囲気中において、前記Ｂｉ層及び前
記Ｍｎ層に対し３００℃、１時間の加熱処理を行うこと
により、厚さ３０ｎｍのＭｎＢｉシード層を形成した。
す。基板にＡｌ２Ｏ３基板を用い、この基板上に分子線
エピタキシー法によってＢｉ層を厚さ２０ｎｍに形成す
るとともに、同じく分子線エピタキシー法によって前記
Ｂｉ層上にＭｎ層を厚さ１０ｎｍに形成した。次いで、
上記分子線エピタキシー装置内を１０―６Ｐａ以下に排
気し、かかる真空雰囲気中において、前記Ｂｉ層及び前
記Ｍｎ層に対し３００℃、１時間の加熱処理を行うこと
により、厚さ３０ｎｍのＭｎＢｉシード層を形成した。
【００２３】次いで、上記温度を保持した状態におい
て、前記のようにして形成したＭｎＢｉシード層上に、
Ｍｎ分子（Ｍｎ原子）を基板の表面に対して４５度の入
射角度で入射させるとともに、Ｂｉ分子（Ｂｉ原子）を
基板の表面に対して４５度の入射角度で入射させた。
て、前記のようにして形成したＭｎＢｉシード層上に、
Ｍｎ分子（Ｍｎ原子）を基板の表面に対して４５度の入
射角度で入射させるとともに、Ｂｉ分子（Ｂｉ原子）を
基板の表面に対して４５度の入射角度で入射させた。
【００２４】そして、０．５時間経過した後アセンブリ
を取り出し、表面に形成されたＭｎＢｉ薄膜の構造をＸ
線回折によって調べるとともに、そのカー回転角につい
ても調べた。結果を図１及び２に示す。なお、得られた
ＭｎＢｉ薄膜の厚さは１００ｎｍであった。
を取り出し、表面に形成されたＭｎＢｉ薄膜の構造をＸ
線回折によって調べるとともに、そのカー回転角につい
ても調べた。結果を図１及び２に示す。なお、得られた
ＭｎＢｉ薄膜の厚さは１００ｎｍであった。
【００２５】図１は、ＭｎＢｉ薄膜の表面にＸ線を照射
することによって得たＸ線回折パターンである。図１か
ら明らかなように、４０度近傍のＡｌ２Ｏ３基板に起因
する回折ピークに加えて、３０度及び６０度近傍にＭｎ
ＢｉのＣ軸に起因する回折ピークが見られる。したがっ
て、本実施例により得たＭｎＢｉ薄膜は、Ｃ軸配向して
いることが分かる。すなわち、本発明にしたがってＭｎ
Ｂｉ薄膜を作製することにより、１００ｎｍ厚のＣ軸配
向したＭｎＢｉ薄膜が得られることが分かる。
することによって得たＸ線回折パターンである。図１か
ら明らかなように、４０度近傍のＡｌ２Ｏ３基板に起因
する回折ピークに加えて、３０度及び６０度近傍にＭｎ
ＢｉのＣ軸に起因する回折ピークが見られる。したがっ
て、本実施例により得たＭｎＢｉ薄膜は、Ｃ軸配向して
いることが分かる。すなわち、本発明にしたがってＭｎ
Ｂｉ薄膜を作製することにより、１００ｎｍ厚のＣ軸配
向したＭｎＢｉ薄膜が得られることが分かる。
【００２６】図２は、本実施例によって得たＭｎＢｉ薄
膜のカーヒステリシスループを示す図である。図２から
明らかなように、ループは矩形状を呈し垂直磁気異方性
に優れることが分かる。さらに、カー回転角についても
約０．５度の大きな値を示すことが分かる。なお、測定
において波長６３３ｎｍのレーザ光を用いた。さらに、
図示してはいないが、２５０〜３００ｎｍの紫外光領域
においては、約１度のカー回転角が得られた。
膜のカーヒステリシスループを示す図である。図２から
明らかなように、ループは矩形状を呈し垂直磁気異方性
に優れることが分かる。さらに、カー回転角についても
約０．５度の大きな値を示すことが分かる。なお、測定
において波長６３３ｎｍのレーザ光を用いた。さらに、
図示してはいないが、２５０〜３００ｎｍの紫外光領域
においては、約１度のカー回転角が得られた。
【００２７】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
比較的大きな膜厚を有するＣ軸配向のＭｎＢｉ薄膜をエ
ピタキシャル成長によって得ることができる。したがっ
て、垂直磁気記録材料として実用することのできるＭｎ
Ｂｉ薄膜に対して、微細な構造制御や結晶性制御を行う
ことができる。このため光磁気記録媒体などの磁気記録
層として、ＴｂＦｅＣｏに代わる有用なＭｎＢｉ薄膜を
提供することができる。
比較的大きな膜厚を有するＣ軸配向のＭｎＢｉ薄膜をエ
ピタキシャル成長によって得ることができる。したがっ
て、垂直磁気記録材料として実用することのできるＭｎ
Ｂｉ薄膜に対して、微細な構造制御や結晶性制御を行う
ことができる。このため光磁気記録媒体などの磁気記録
層として、ＴｂＦｅＣｏに代わる有用なＭｎＢｉ薄膜を
提供することができる。
【図１】 本発明のＭｎＢｉ薄膜の一例におけるＸ線回
折ピークパターンを示す図である。
折ピークパターンを示す図である。
【図２】 本発明のＭｎＢｉ薄膜の一例におけるカーヒ
ステリシスループを示す図である。
ステリシスループを示す図である。
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭48−16193（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−171024（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−170405（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−157829（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−70151（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−44625（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−267126（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−334882（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−27327（ＪＰ，Ａ)
石橋隆幸 他，分子線エピタキシー法
によるＭｎＢｉ薄膜の作製，日本結晶成
長学会誌，2000年 ７月 １日，Ｖｏ
ｌ．27，Ｎｏ．１，ｐ．94
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C30B 1/00 - 35/00
G11B 5/64
G11B 11/105
H01F 41/30
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＪＳＴＰｌｕｓ（ＪＯＩＳ)
ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の表面上にＭｎＢｉシード層を形成
した後、このＭｎＢｉシード層を加熱した状態におい
て、前記ＭｎＢｉシード層上にＭｎ元素とＢｉ元素とを
同時に供給し、前記基板の表面上にＣ軸配向したＭｎＢ
ｉ薄膜をエピタキシャル成長させて形成することを特徴
とする、ＭｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項２】 前記ＭｎＢｉシード層の厚さが、３０〜
９０ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載のＭ
ｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項３】 前記ＭｎＢｉシード層は、前記基板上に
Ｍｎ層及びＢｉ層を積層させた後、前記Ｍｎ層及び前記
Ｂｉ層を２５０〜３５０℃に加熱することにより、前記
Ｍｎ層を構成するＭｎ元素及び前記Ｂｉ層を構成するＢ
ｉ元素を互いに熱拡散させて形成することを特徴とす
る、請求項１又は２に記載のＭｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項４】 前記Ｍｎ層及び前記Ｂｉ層の厚さが、２
０〜６０ｎｍであることを特徴とする、請求項３に記載
のＭｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項５】 前記ＭｎＢｉシード層を２５０〜３５０
℃に加熱して前記Ｃ軸配向したＭｎＢｉ薄膜を形成する
ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の
ＭｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項６】 前記Ｍｎ元素は分子線として前記基板の
表面に供給することを特徴とする、請求項１〜５のいず
れか一に記載のＭｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項７】 前記分子線と前記基板の表面に対する法
線とのなす角度が、０〜４５度であることを特徴とす
る、請求項６に記載のＭｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項８】 前記Ｂｉ元素は分子線として前記基板の
表面に供給することを特徴とする、請求項１〜７のいず
れか一に記載のＭｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項９】 前記分子線と前記基板の表面に対する法
線とのなす角度が、０〜４５度であることを特徴とす
る、請求項８に記載のＭｎＢｉ薄膜の作製方法。 - 【請求項１０】 前記Ｃ軸配向したＭｎＢｉ薄膜の厚さ
が、１０〜５００ｎｍであることを特徴とする、請求項
１〜９のいずれか一に記載の作製方法。
Priority Applications (1)
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| JP2000127890A JP3451313B2 (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | ＭｎＢｉ薄膜の作製方法 |
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| JP2000127890A JP3451313B2 (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | ＭｎＢｉ薄膜の作製方法 |
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| JP2001302390A JP2001302390A (ja) | 2001-10-31 |
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Family Applications (1)
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|---|---|
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-
2000
- 2000-04-27 JP JP2000127890A patent/JP3451313B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 石橋隆幸 他，分子線エピタキシー法によるＭｎＢｉ薄膜の作製，日本結晶成長学会誌，２０００年 ７月 １日，Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１，ｐ．９４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001302390A (ja) | 2001-10-31 |
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