JP3442764B1 - Connector terminals and connectors - Google Patents

Connector terminals and connectors

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JP3442764B1
JP3442764B1 JP2002242150A JP2002242150A JP3442764B1 JP 3442764 B1 JP3442764 B1 JP 3442764B1 JP 2002242150 A JP2002242150 A JP 2002242150A JP 2002242150 A JP2002242150 A JP 2002242150A JP 3442764 B1 JP3442764 B1 JP 3442764B1
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Abstract

【要約】 【課題】 本発明は、金層が剥離することがなく挿抜性
に優れるとともに高度な耐食性を備えたコネクタ端子お
よびそれを有するコネクタを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明のコネクタ端子は、導電性基体上
にルテニウム層が形成されており、該ルテニウム層上に
金層が形成されていることを特徴としている。また、本
発明のコネクタ端子は、導電性基体とルテニウム層との
間に、Ni、Cu、Au、Agからなる群から選ばれた
少なくとも一種の金属からなる下地層が少なくとも一層
形成されていることを特徴としている。そして、本発明
のコネクタは、上記のコネクタ端子を有するものであ
る。
An object of the present invention is to provide a connector terminal which is excellent in insertion / extraction property without peeling of a gold layer and has high corrosion resistance, and a connector having the same. SOLUTION: The connector terminal of the present invention is characterized in that a ruthenium layer is formed on a conductive substrate, and a gold layer is formed on the ruthenium layer. In the connector terminal of the present invention, at least one underlayer made of at least one metal selected from the group consisting of Ni, Cu, Au, and Ag is formed between the conductive substrate and the ruthenium layer. It is characterized by. And the connector of this invention has the above-mentioned connector terminal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気、電子製品や
半導体製品等において広く接続を目的として用いられて
いるコネクタに関するものであり、より詳細にはその接
触部であるコネクタ端子およびそれを有するコネクタに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connector widely used for connection in electric, electronic products, semiconductor products, etc., and more particularly to a connector terminal which is a contact portion thereof and a connector terminal thereof. Regarding connectors.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、電気、電子製品や半導体製品
のコネクタとしては各種のものが用いられてきた。そし
て、特に接触信頼度が要求される用途においては、その
ようなコネクタの端子として導電性基体上にNi層を形
成し、その上に薄く金層を形成した構造の端子が用いら
れることが多かった。しかし、この構造においてはNi
層および金層の両者の硬度が比較的低いことから、コネ
クタの挿抜を繰り返すと金層が容易に剥離するという問
題があった。この問題は、単に外観が害されるというだ
けでなく、金層が剥離しNi層が表面に現れると該Ni
層は容易に酸化されてしまい接触電気抵抗(以下、単に
接触抵抗と記す)が非常に高くなるという致命的な問題
が生じるものであった。この問題を解決するために金層
を分厚く形成させることが考えられるが、金層を分厚く
するとコストが高くなるだけでなくコネクタの挿抜時の
接触摩擦が増大し挿抜性が害されるとともに金層自体が
さらに摩耗し易くなるため、この方法により問題を解決
することはできなかった。
2. Description of the Related Art Conventionally, various types of connectors have been used for electrical, electronic and semiconductor products. In particular, in applications where contact reliability is required, a terminal having a structure in which a Ni layer is formed on a conductive substrate and a thin gold layer is formed thereon is often used as a terminal of such a connector. It was However, in this structure, Ni
Since the hardness of both the layer and the gold layer is relatively low, there is a problem that the gold layer easily peels off when the connector is repeatedly inserted and removed. The problem is not only that the appearance is impaired, but that if the gold layer peels off and the Ni layer appears on the surface,
There has been a fatal problem that the layer is easily oxidized and the contact electric resistance (hereinafter, simply referred to as contact resistance) becomes very high. In order to solve this problem, it is possible to form a thick gold layer, but thickening the gold layer not only increases the cost, but also increases the contact friction at the time of insertion / removal of the connector and impairs the ease of insertion / removal, and the gold layer itself However, this method has not been able to solve the problem, because it becomes more prone to wear.

【0003】一方さらに、導電性基体上にNi層と金層
を形成した上記構造のコネクタ端子においては、該Ni
層において容易にピンホールが発生し、このピンホール
において導電性基体と金層が直接接触することから両者
のイオン化傾向の差に基づいて電気腐食が生じるという
問題もあった。
On the other hand, in the connector terminal having the above structure in which the Ni layer and the gold layer are formed on the conductive substrate, the Ni layer is used.
There is also a problem that a pinhole is easily generated in the layer, and the conductive substrate and the gold layer are in direct contact with each other in this pinhole, so that electrical corrosion occurs due to the difference in ionization tendency between the two.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な現状に鑑みなされたものであってその目的とするとこ
ろは、金層が剥離することがなく挿抜性に優れるととも
に高度な耐食性を備えたコネクタ端子およびそれを有す
るコネクタを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to prevent the gold layer from being peeled off and to be excellent in insertion / removal property and to have high corrosion resistance. An object of the present invention is to provide a provided connector terminal and a connector having the same.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意研究を重ねたところ、金層の優れた
接触抵抗を保持したまま挿抜性や耐食性を向上させるた
めには金層の下層に位置する層の作用が重要であるとの
知見を得、かかる知見に基づきさらに研究を続けること
によりついに本発明を完成するに至った。
The inventors of the present invention have conducted extensive studies in order to solve the above-mentioned problems. As a result, in order to improve the insertability and the corrosion resistance while maintaining the excellent contact resistance of the gold layer, The present invention was finally completed by obtaining the knowledge that the action of the layer located under the layer is important and continuing the research based on the knowledge.

【0006】すなわち、本発明のコネクタ端子は、導電
性基体上に金属ルテニウムからなるルテニウム層が形成
されており、該ルテニウム層上に金層が形成されている
ことを特徴としている。このように金属ルテニウムから
なるルテニウム層を金層の下層に位置させることによ
り、該ルテニウム層が有する高い硬度によって金層が摩
耗したり剥離したりすることを有効に防止し、金層が有
する優れた接触抵抗を保持したまま優れた挿抜性が得ら
れるとともに、ピンホールの発生をも有効に防止し以っ
て耐食性を飛躍的に向上させることに成功したものであ
る。
That is, the connector terminal of the present invention is characterized in that a ruthenium layer made of metal ruthenium is formed on a conductive substrate, and a gold layer is formed on the ruthenium layer. Thus from ruthenium metal
Ruthenium layer by positioning below the gold layer made of gold layer is effectively prevented from being peeled off or worn by the high hardness in which the ruthenium layer has retained the good contact resistance with gold layer It is possible to obtain excellent mating and unmating properties as it is, and to effectively prevent the occurrence of pinholes, thereby dramatically improving the corrosion resistance.

【0007】また、本発明のコネクタ端子は、導電性基
体と金属ルテニウムからなるルテニウム層との間に、N
i、Cu、Au、Agからなる群から選ばれた少なくと
も一種の金属からなる下地層が少なくとも一層形成され
ていることを特徴としている。該ルテニウム層は高い硬
度を有する反面、応力も大きいものとなるため導電性基
体の種類によっては該ルテニウム層自体が剥離すること
があり、このためこの剥離現象を緩和するために特定の
下地層を形成させたものである。
Further, the connector terminal of the present invention has an N-layered structure between the conductive substrate and the ruthenium layer made of metal ruthenium.
It is characterized in that at least one underlayer made of at least one metal selected from the group consisting of i, Cu, Au, and Ag is formed. Although the ruthenium layer has high hardness, it also has a large stress, and therefore the ruthenium layer itself may peel off depending on the type of the conductive substrate. Therefore, in order to mitigate this peeling phenomenon, a specific underlayer is provided. It was formed.

【0008】一方、本発明においては、上記金属ルテニ
ウムからなるルテニウム層および金層が、バレルめっき
装置、引掛けめっき装置または連続めっき装置のいずれ
かを用いてめっき法により形成されることを特徴として
いる。これにより、これらの層を極めて効率良く形成さ
せることが可能となる。
On the other hand, in the present invention, the metal ruthenium
It is characterized in that the ruthenium layer and the gold layer made of um are formed by a plating method using any one of a barrel plating apparatus, a hook plating apparatus and a continuous plating apparatus. This makes it possible to form these layers extremely efficiently.

【0009】また、本発明のコネクタは、上記のいずれ
かに記載のコネクタ端子を有するものとしている。これ
により、接触抵抗、挿抜性、耐食性に優れた極めて信頼
性の高いコネクタとすることができる。
Further, the connector of the present invention has the connector terminal described in any of the above. As a result, it is possible to obtain an extremely highly reliable connector having excellent contact resistance, insertability and corrosion resistance.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】<導電性基体>本発明に用いられ
る導電性基体は、電気、電子製品や半導体製品等の接続
用のコネクタや各種の基板における接続用のパターン等
に用いられる従来公知の導電性基体であればいずれのも
のであっても用いることができる。たとえば、リン青
銅、黄銅、ベリリウム銅等の銅合金系素材、鉄(F
e)、ステンレス鋼等の鉄系素材、その他ニッケル系素
材や各種基板上の銅パターン等を挙げることができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION <Conductive Substrate> The conductive substrate used in the present invention is conventionally known as a connector for connection of electric, electronic products, semiconductor products, etc. and a connection pattern on various substrates. Any conductive substrate can be used. For example, copper alloy materials such as phosphor bronze, brass, beryllium copper, iron (F
e), iron-based materials such as stainless steel, nickel-based materials, copper patterns on various substrates, and the like.

【0011】<ルテニウム層> 本発明の金属ルテニウムからなるルテニウム層は、上記
導電性基体上に形成されるものであって、金属ルテニウ
ム(Ru)により構成されるものである。通常、このよ
うなルテニウム層は0.05〜1.5μm、好ましくは
0.2〜1.0μmの厚さとして金属ルテニウムを導電
性基体上にめっきすることにより形成される。0.05
μm未満の場合は、挿抜性の向上等本発明により得られ
る効果を十分に得ることができなくなる一方、1.5μ
mを超えるとルテニウム層自体の応力が大きくなり過ぎ
て導電性基体から剥離したりルテニウム層自体に亀裂が
生じたりすることがあるため好ましくない。
<Ruthenium Layer> The ruthenium layer of the present invention made of metal ruthenium is formed on the above-mentioned conductive substrate and is made of metal ruthenium (Ru). Usually this
Una ruthenium layer 0.05~1.5Myuemu, is preferably formed by plating a metal ruthenium on a conductive substrate as a thickness of 0.2 to 1.0 [mu] m. 0.05
When the thickness is less than μm, the effects obtained by the present invention such as improvement of the insertion / removal property cannot be sufficiently obtained, while 1.5 μm
When it exceeds m, the stress of the ruthenium layer itself becomes too large, and the ruthenium layer itself may be separated from the conductive substrate or the ruthenium layer itself may be cracked, which is not preferable.

【0012】<金層> 本発明の金層は、上記ルテニウム層上に形成されるもの
であって、金属金(Au)により構成されるものであ
る。通常、金層は0.025〜1μm、好ましくは0.
1〜0.5μmの厚さとして金属金を金属ルテニウムか
らなるルテニウム層上にめっきすることにより形成され
る。0.025μm未満の場合は、金による優れた接触
抵抗が得られなくなる場合がある一方、1μmを超える
と挿抜時の接触摩擦が大きくなり挿抜性が害されるため
好ましくない。
<Gold Layer> The gold layer of the present invention is formed on the ruthenium layer and is made of metallic gold (Au). Usually, the gold layer is 0.025 to 1 μm, preferably 0.
If the thickness of 1 to 0.5 μm is metallic ruthenium
It is formed by plating on the Ranaru ruthenium layer. If it is less than 0.025 μm, excellent contact resistance due to gold may not be obtained, while if it exceeds 1 μm, the contact friction at the time of insertion / removal becomes large and the removability is impaired, which is not preferable.

【0013】<下地層> 本発明の下地層は、導電性基体の種類により上記ルテニ
ウム層が剥離し易くなる場合に必要に応じ形成されるも
のである。通常、該ルテニウム層は導電性基体がニッケ
ル系の素材で構成されている場合には自己の応力により
剥離することはほとんどないが、導電性基体がニッケル
系素材以外の素材で構成されている場合には容易に剥離
することがあり、このような場合に該下地層を形成させ
る必要がある。すなわち、該下地層は、金属ルテニウム
からなるルテニウム層の剥離を防止する作用を有するも
のである。したがって、該下地層は、導電性基体と金属
ルテニウムからなるルテニウム層の間に(すなわち、ル
テニウム層の下層として)形成され、Ni、Cu、A
u、Agからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属
からなる層であって、少なくとも一層(すなわち、単層
もしくは複数層として)形成される。該下地層を複数層
として形成する場合は、金属ルテニウムからなるルテニ
ウム層の厚さや導電性基体の種類を考慮してそれぞれの
層を構成する金属の種類や厚さを決定することが好まし
い。たとえば、導電性基体が銅合金系素材の場合には、
導電性基体上に厚さ0.05〜5μmのNiからなる第
1の下地層を形成し、その上に厚さ0.05〜1μmの
AuまたはAgからなる第2の下地層を形成することが
好ましい。また、導電性基体が鉄系素材や黄銅の場合に
は、導電性基体上に厚さ0.05〜5μmのCuからな
る第1の下地層を形成し、その上に厚さ0.05〜2μ
mのNiからなる第2の下地層を形成することが好まし
い。このように該下地層は、通常単層もしくは複数層と
してその厚さが0.05〜7μm、好ましくは0.8〜
4.0μmとなるようにそれぞれの金属を導電性基体上
にめっきすることにより形成することができる。該下地
層の厚さが0.05μm未満の場合は、金属ルテニウム
からなるルテニウム層の剥離を防止することができなく
なる場合がある一方、7μmを超えるとコストアップに
つながり経済的に不利となるばかりか、経時的に厚みが
変化し寸法安定性に欠けるとともに導電性基体自体のバ
ネ性が喪失するため好ましくない。
<Underlayer> The underlayer of the present invention is formed as necessary when the above-mentioned ruthenium layer is easily peeled off depending on the type of the conductive substrate. Usually, the ruthenium layer hardly peels off by its own stress when the conductive substrate is made of a nickel-based material, but when the conductive substrate is made of a material other than the nickel-based material May be easily peeled off, and in such a case, it is necessary to form the underlayer. That is, the underlying layer is made of metallic ruthenium.
It has the effect of preventing peeling of the ruthenium layer composed of . Therefore, the underlayer is composed of a conductive substrate and a metal.
Between the ruthenium layer made of ruthenium (i.e., as a lower ruthenium layer) is formed, Ni, Cu, A
It is a layer made of at least one metal selected from the group consisting of u and Ag, and is formed as at least one layer (that is, as a single layer or a plurality of layers). When the underlayer is formed as a plurality of layers, the type and thickness of the metal forming each layer are determined in consideration of the thickness of the ruthenium layer made of metal ruthenium and the type of the conductive substrate. It is preferable. For example, if the conductive substrate is a copper alloy material,
Forming a first underlayer made of Ni having a thickness of 0.05 to 5 μm on a conductive substrate, and forming a second underlayer made of Au or Ag having a thickness of 0.05 to 1 μm on the first underlayer. Is preferred. When the conductive substrate is an iron-based material or brass, a first base layer made of Cu and having a thickness of 0.05 to 5 μm is formed on the conductive substrate, and a thickness of 0.05 to 5 μm is formed thereon. 2μ
It is preferable to form a second underlayer composed of m of Ni. Thus, the underlayer is usually a single layer or a plurality of layers and has a thickness of 0.05 to 7 μm, preferably 0.8 to
It can be formed by plating each metal on the conductive substrate to have a thickness of 4.0 μm. When the thickness of the underlayer is less than 0.05 μm, metal ruthenium
In some cases, it may not be possible to prevent the peeling of the ruthenium layer consisting of 2), but if it exceeds 7 μm, not only is it economically disadvantageous due to increased costs, but the thickness also changes over time and dimensional stability is lacking, as well as electrical conductivity. It is not preferable because the elasticity of the substrate itself is lost.

【0014】<コネクタ端子>本発明のコネクタ端子
は、導電性基体上に上記の各層を形成させた構造を有し
ている。かかる構造を有する限り、メス型端子であって
もまたオス型端子であっても差し支えない。
<Connector Terminal> The connector terminal of the present invention has a structure in which the above layers are formed on a conductive substrate. As long as it has such a structure, it does not matter whether it is a female terminal or a male terminal.

【0015】<コネクタ>本発明のコネクタは、上記コ
ネクタ端子を有するものである。その構造上かかるコネ
クタ端子を有する限り、通常のコネクタのみに限らずた
とえば回路基板上のパターン等をも含む。このように本
発明のコネクタは、挿抜可能でかつ電気的な接続を目的
としたものである限り、その形状の別を問うものではな
い。
<Connector> The connector of the present invention has the above connector terminal. As long as it has such a connector terminal in terms of its structure, not only an ordinary connector but also a pattern on a circuit board, for example, is included. As described above, the connector of the present invention does not matter as to its shape, as long as it is insertable / removable and intended for electrical connection.

【0016】<製造装置>本発明の上記ルテニウム層お
よび金層は、上述の通り通常めっき法により形成される
が、特にそのめっき装置としてはバレルめっき装置、引
掛けめっき装置または連続めっき装置のいずれかを用い
ることにより実行することが好ましい。これらの装置を
用いることにより上記コネクタ端子を極めて効率良く製
造することができる。ここで、バレルめっき装置とは、
コネクタ端子を一個づつ個別にめっきする装置であり、
連続めっき装置とは、一度に複数個のコネクタ端子を連
続的にメッキする装置であり、また引掛けめっき装置と
は、前二者の中間に位置するものであり中規模の製造効
率を持った装置である。これらの装置は、めっき業界に
おいて良く知られた装置であり、構造自体も公知のもの
である限るいずれのものも使用することができる。な
お、上記した本発明の下地層についても、これらの装置
により形成することができる。
<Manufacturing Equipment> The ruthenium layer and the gold layer of the present invention are usually formed by a plating method as described above. Particularly, the plating apparatus is any one of a barrel plating apparatus, a hook plating apparatus and a continuous plating apparatus. It is preferable to carry out by using By using these devices, the connector terminals can be manufactured extremely efficiently. Here, the barrel plating device is
It is a device to individually plate connector terminals one by one,
The continuous plating equipment is an equipment that continuously plating a plurality of connector terminals at a time, and the hook plating equipment is located in the middle of the former two and has a medium-scale manufacturing efficiency. It is a device. These devices are well known in the plating industry, and any structure can be used as long as the structure itself is known. The underlayer of the present invention described above can also be formed by these devices.

【0017】[0017]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

【0018】<実施例1> 本実施例は、導電性基体上に金属ルテニウムからなる
テニウム層および金層をそれぞれこの順で形成させたコ
ネクタ端子に関するものである。以下、図1を参照して
説明する。
<Example 1> This example relates to a connector terminal in which a ruthenium layer made of metal ruthenium and a gold layer are formed in this order on a conductive substrate. Hereinafter, description will be given with reference to FIG.

【0019】まず、導電性基体101として厚さ0.1
mmのテープ状のニッケルをコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを70mmの
長さに切断した。該切断後、50g/lの活性剤(商品
名:エスクリーン30、奥野製薬工業(株)社製)を用
いて53℃で3分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、100
g/lの活性剤(商品名:NCラストール、奥野製薬工
業(株)社製)を用いて50℃で2分間、電流密度5.
0A/dm2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処
理を行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後5%
の硫酸を用いて25℃で1分間処理することにより酸活
性処理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
First, the conductive substrate 101 has a thickness of 0.1.
mm tape-shaped nickel was pressed into the shape of a connector, and a continuous connector terminal was cut into a length of 70 mm. After the cutting, degreasing treatment was carried out by washing with 50 g / l of an activator (trade name: Escreen 30, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) at 53 ° C. for 3 minutes. After washing with water several times, 100
Using a g / l activator (trade name: NC Rustol, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) at 50 ° C. for 2 minutes at a current density of 5.
The electrolytic degreasing treatment was performed by washing under the condition of 0 A / dm 2 . 5% after washing with water several times
The acid activation treatment was carried out by treating with sulfuric acid of No. 1 at 25 ° C. for 1 minute, followed by washing with water several times.

【0020】次に、上記の処理を経た導電性基体101
に対して、ルテニウム濃度8g/lのルテニウムめっき
液(商品名:Ru−33、エヌ・イーケムキャット
(株)社製)を用いて60℃、pH2.0、電流密度
1.5A/dm2の条件下で5分間引掛けめっき装置に
より電気めっきすることにより、厚さ0.4μmの金属
Ruからなるルテニウム層102を形成した。
Next, the conductive substrate 101 which has been subjected to the above-mentioned treatment
On the other hand, using a ruthenium plating solution (trade name: Ru-33, manufactured by NE Chemcat Co., Ltd.) having a ruthenium concentration of 8 g / l, at 60 ° C., pH 2.0 and current density of 1.5 A / dm 2 . The ruthenium layer 102 made of metal Ru having a thickness of 0.4 μm was formed by electroplating for 5 minutes under a hooked plating apparatus.

【0021】その後数回の水洗浄を行なった後、さらに
10%のアンモニア水でリンス洗浄(50℃、5分間)
した後、10%の塩酸を用いて25℃で0.5分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
After washing with water several times, rinse with 10% ammonia water (50 ° C., 5 minutes)
After that, acid activation treatment was carried out by treating with 10% hydrochloric acid at 25 ° C. for 0.5 minutes.

【0022】次いで、数回の水洗浄を行なった後、上記
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層10
2上に、金濃度9g/lの金めっき液(商品名:N7
7、エヌ・イーケムキャット(株)社製)を用いて35
℃、pH4.1、電流密度1.2A/dm2の条件下で
1分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ0.1μmの金属Auからなる金層103を形
成することにより図1に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
Then, after washing with water several times, the ruthenium layer 10 made of metal ruthenium which has been subjected to the above-mentioned treatment.
2 on top of a gold plating solution with a gold concentration of 9 g / l (trade name: N7
7, 35 by using Nchemcat Co., Ltd.
By forming a gold layer 103 made of metal Au having a thickness of 0.1 μm by electroplating with a hook plating device for 1 minute under conditions of ℃, pH 4.1, and current density of 1.2 A / dm 2 . The connector terminal of the present invention shown in No. 1 was obtained.

【0023】このようにして得られたコネクタ端子は、
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
The connector terminal thus obtained is
It has excellent contact resistance, insertability / extractability, and corrosion resistance. Therefore, the connector having this connector terminal was extremely reliable.

【0024】<実施例2> 本実施例は、導電性基体上に下地層、金属ルテニウムか
らなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成させ
たコネクタ端子に関するものである。以下、図2を参照
して説明する。
<Embodiment 2> In this embodiment, an underlayer, metal ruthenium, or a base layer is formed on a conductive substrate .
The present invention relates to a connector terminal in which a ruthenium layer and a gold layer are formed in this order. Hereinafter, description will be made with reference to FIG.

【0025】まず、導電性基体201として厚さ0.1
mmのテープ状のリン青銅をコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを70mmの
長さに切断した。該切断後、50g/lの活性剤(商品
名:エスクリーン30、奥野製薬工業(株)社製)を用
いて53℃で3分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、100
g/lの活性剤(商品名:NCラストール、奥野製薬工
業(株)社製)を用いて50℃で2分間、電流密度5A
/dm2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後5%の硫
酸を用いて25℃で1分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
First, the conductive substrate 201 has a thickness of 0.1.
mm tape-shaped phosphor bronze was pressed into a connector shape, and a continuous connector terminal shape was cut into a length of 70 mm. After the cutting, degreasing treatment was carried out by washing with 50 g / l of an activator (trade name: Escreen 30, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) at 53 ° C. for 3 minutes. After washing with water several times, 100
Using a g / l activator (trade name: NC Rastol, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) at 50 ° C. for 2 minutes, current density 5A
The electrolytic degreasing treatment was performed by washing under the condition of / dm 2 . Then, after washing with water several times, acid activation treatment was carried out by treating with 5% sulfuric acid at 25 ° C. for 1 minute, and then washing with water several times.

【0026】次に、上記の処理を経た導電性基体201
に対して、ニッケルめっき液(240g/lの硫酸ニッ
ケル、50g/lの塩化ニッケル、40g/lの硼酸か
らなるもの)を用いて55℃、pH3.8、電流密度4
A/dm2の条件下で1分間引掛けめっき装置により電
気めっきすることにより厚さ0.95μmのNiからな
る下地層204を形成した。
Next, the conductive substrate 201 which has been subjected to the above-mentioned treatment
On the other hand, a nickel plating solution (made of 240 g / l nickel sulfate, 50 g / l nickel chloride, 40 g / l boric acid) was used at 55 ° C., pH 3.8, and current density 4
An underlayer 204 made of Ni and having a thickness of 0.95 μm was formed by electroplating with a hook plating device under the condition of A / dm 2 for 1 minute.

【0027】続いて、数回の水洗浄を行なった後、上記
下地層204上に、ルテニウム濃度8g/lのルテニウ
ムめっき液(商品名:Ru−33、エヌ・イーケムキャ
ット(株)社製)を用いて60℃、pH2.0、電流密
度1.5A/dm2の条件下で5分間引掛けめっき装置
により電気めっきすることにより、厚さ0.4μmの金
属Ruからなるルテニウム層202を形成した。
Then, after washing with water several times, a ruthenium plating solution having a ruthenium concentration of 8 g / l (trade name: Ru-33, manufactured by NE Chemcat Co., Ltd.) is formed on the underlayer 204. To form a ruthenium layer 202 having a thickness of 0.4 μm and made of metal Ru by electroplating for 5 minutes under the conditions of 60 ° C., pH 2.0, and current density of 1.5 A / dm 2 using a plating machine. did.

【0028】その後数回の水洗浄を行なった後、さらに
10%のアンモニア水でリンス洗浄(50℃、5分間)
した後、10%の塩酸を用いて25℃で0.5分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
After washing several times with water, rinsing with 50% ammonia water (50 ° C., 5 minutes)
After that, acid activation treatment was carried out by treating with 10% hydrochloric acid at 25 ° C. for 0.5 minutes.

【0029】次いで、数回の水洗浄を行なった後、上記
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層20
2上に、金濃度9g/lの金めっき液(商品名:N7
7、エヌ・イーケムキャット(株)社製)を用いて35
℃、pH4.1、電流密度1.2A/dm2の条件下で
1分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ0.1μmの金属Auからなる金層203を形
成することにより図2に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
Next, after washing with water several times, the ruthenium layer 20 made of metal ruthenium which has been subjected to the above-mentioned treatment.
2 on top of a gold plating solution with a gold concentration of 9 g / l (trade name: N7
7, 35 by using Nchemcat Co., Ltd.
By forming a gold layer 203 made of metal Au having a thickness of 0.1 μm by electroplating with a hooking plating apparatus for 1 minute under conditions of ℃, pH 4.1 and current density of 1.2 A / dm 2 . The connector terminal of the present invention shown in 2 was obtained.

【0030】このようにして得られたコネクタ端子は、
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
The connector terminal thus obtained is
It has excellent contact resistance, insertability / extractability, and corrosion resistance. Therefore, the connector having this connector terminal was extremely reliable.

【0031】<実施例3> 本実施例は、導電性基体上に複数の下地層、金属ルテニ
ウムからなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形
成させたコネクタ端子に関するものである。以下、図3
を参照して説明する。
Example 3 In this example, a plurality of underlayers and metal ruthenium were formed on a conductive substrate.
The present invention relates to a connector terminal in which a ruthenium layer made of um and a gold layer are formed in this order. Below, FIG.
Will be described with reference to.

【0032】まず、導電性基体301として厚さ0.1
mmのテープ状の黄銅をコネクタの形状にプレス加工
し、連続状のコネクタ端子状としたものを70mmの長
さに切断した。該切断後、50g/lの活性剤(商品
名:エスクリーン30、奥野製薬工業(株)社製)を用
いて53℃で3分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、100
g/lの活性剤(商品名:NCラストール、奥野製薬工
業(株)社製)を用いて50℃で2分間、電流密度5A
/dm2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後5%の硫
酸を用いて25℃で1分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
First, the conductive substrate 301 has a thickness of 0.1.
mm tape-shaped brass was pressed into a connector shape, and a continuous connector terminal shape was cut into a length of 70 mm. After the cutting, degreasing treatment was carried out by washing with 50 g / l of an activator (trade name: Escreen 30, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) at 53 ° C. for 3 minutes. After washing with water several times, 100
Using a g / l activator (trade name: NC Rastol, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) at 50 ° C. for 2 minutes, current density 5A
The electrolytic degreasing treatment was performed by washing under the condition of / dm 2 . Then, after washing with water several times, acid activation treatment was carried out by treating with 5% sulfuric acid at 25 ° C. for 1 minute, and then washing with water several times.

【0033】次に、上記の処理を経た導電性基体301
に対して、硫酸銅めっき液(硫酸銅90g/l、硫酸1
30g/l、塩素50ppmその他添加剤からなるも
の)を用いて28℃、電流密度2.5A/dm2、空気
攪拌の条件下で引掛けめっき装置により電気めっき処理
を施すことによって厚さ1.5μmのCuからなる第1
の下地層304aを形成した。次いで、数回の水洗浄を
行なった後、この第1の下地層304a上にニッケルめ
っき液(240g/lの硫酸ニッケル、50g/lの塩
化ニッケル、40g/lの硼酸からなるもの)を用いて
55℃、pH3.8、電流密度4A/dm2の条件下で
4分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り厚さ1.8μmのNiからなる第2の下地層304b
を形成した。
Next, the conductive substrate 301 which has been subjected to the above treatment
In contrast, copper sulfate plating solution (copper sulfate 90 g / l, sulfuric acid 1
30 g / l, chlorine 50 ppm and other additives) at 28 ° C., a current density of 2.5 A / dm 2 , and air agitation under the conditions of air agitation to obtain an electroplating treatment by a plating apparatus. First made of Cu of 5 μm
Underlayer 304a was formed. Next, after washing with water several times, a nickel plating solution (made of 240 g / l nickel sulfate, 50 g / l nickel chloride, 40 g / l boric acid) was used on the first underlayer 304a. Second underlayer 304b made of Ni having a thickness of 1.8 μm by electroplating for 4 minutes by a hook plating apparatus under the conditions of 55 ° C., pH 3.8, and current density 4 A / dm 2.
Was formed.

【0034】続いて、数回の水洗浄を行なった後、上記
第2の下地層304b上に、ルテニウム濃度8g/lの
ルテニウムめっき液(商品名:Ru−33、エヌ・イー
ケムキャット(株)社製)を用いて60℃、pH2.
0、電流密度1.5A/dm2の条件下で5分間引掛け
めっき装置により電気めっきすることにより、厚さ0.
4μmの金属Ruからなるルテニウム層302を形成し
た。
Subsequently, after washing with water several times, a ruthenium plating solution having a ruthenium concentration of 8 g / l (trade name: Ru-33, NE Chemcat Co., Ltd.) was formed on the second underlayer 304b. Manufactured by K.K.) at 60 ° C, pH 2.
0, and a current density of 1.5 A / dm 2 for 5 minutes by electroplating with a hook plating apparatus to obtain a thickness of 0.
A ruthenium layer 302 made of 4 μm metal Ru was formed.

【0035】その後数回の水洗浄を行なった後、さらに
10%のアンモニア水でリンス洗浄(50℃、5分間)
した後、10%の塩酸を用いて25℃で0.5分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
Then, after washing with water several times, further rinsing with 10% ammonia water (50 ° C., 5 minutes)
After that, acid activation treatment was carried out by treating with 10% hydrochloric acid at 25 ° C. for 0.5 minutes.

【0036】次いで、数回の水洗浄を行なった後、上記
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層30
2上に、金濃度9g/lの金めっき液(商品名:N7
7、エヌ・イーケムキャット(株)社製)を用いて35
℃、pH4.1、電流密度1.2A/dm2の条件下で
1分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ0.1μmの金属Auからなる金層303を形
成することにより図3に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
Next, after washing with water several times, the ruthenium layer 30 made of ruthenium metal which has been subjected to the above-mentioned treatment
2 on top of a gold plating solution with a gold concentration of 9 g / l (trade name: N7
7, 35 by using Nchemcat Co., Ltd.
By forming a gold layer 303 made of metal Au having a thickness of 0.1 μm by electroplating with a hooking plating apparatus for 1 minute under conditions of ℃, pH 4.1 and current density of 1.2 A / dm 2 . The connector terminal of the present invention shown in No. 3 was obtained.

【0037】このようにして得られたコネクタ端子は、
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
The connector terminal thus obtained is
It has excellent contact resistance, insertability / extractability, and corrosion resistance. Therefore, the connector having this connector terminal was extremely reliable.

【0038】<実施例4> 本実施例は、実施例3と同様、導電性基体上に複数の下
地層、金属ルテニウムからなるルテニウム層、金層をそ
れぞれこの順で形成させたコネクタ端子に関するもので
ある。以下、図3を参照して説明する。
<Embodiment 4> Like Embodiment 3, this embodiment relates to a connector terminal in which a plurality of base layers, a ruthenium layer made of metal ruthenium , and a gold layer are formed in this order on a conductive substrate. Is. Hereinafter, description will be made with reference to FIG.

【0039】まず、導電性基体301として厚さ0.1
mmのテープ状のリン青銅をコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを70mmの
長さに切断した。該切断後、50g/lの活性剤(商品
名:エスクリーン30、奥野製薬工業(株)社製)を用
いて53℃で3分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、100
g/lの活性剤(商品名:NCラストール、奥野製薬工
業(株)社製)を用いて50℃で2分間、電流密度5A
/dm2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後5%の硫
酸を用いて25℃で1分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
First, the conductive substrate 301 has a thickness of 0.1.
mm tape-shaped phosphor bronze was pressed into a connector shape, and a continuous connector terminal shape was cut into a length of 70 mm. After the cutting, degreasing treatment was carried out by washing with 50 g / l of an activator (trade name: Escreen 30, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) at 53 ° C. for 3 minutes. After washing with water several times, 100
Using a g / l activator (trade name: NC Rastol, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) at 50 ° C. for 2 minutes, current density 5A
The electrolytic degreasing treatment was performed by washing under the condition of / dm 2 . Then, after washing with water several times, acid activation treatment was carried out by treating with 5% sulfuric acid at 25 ° C. for 1 minute, and then washing with water several times.

【0040】次に、上記の処理を経た導電性基体301
に対して、ニッケルめっき液(240g/lの硫酸ニッ
ケル、50g/lの塩化ニッケル、40g/lの硼酸か
らなるもの)を用いて55℃、pH3.8、電流密度4
A/dm2の条件下で4分間引掛けめっき装置により電
気めっきすることにより厚さ1.8μmのNiからなる
第1の下地層304aを形成した。次いで、数回の水洗
浄を行なった後、この第1の下地層304a上に銀めっ
き液(30g/lの銀および110g/lのシアン化カ
リウムからなるもの)を用いて48℃、pH12.9、
電流密度1.0A/dm2の条件下で1分間引掛けめっ
き装置により電気めっきすることにより厚さ0.6μm
のAgからなる第2の下地層304bを形成した。
Next, the conductive substrate 301 which has been subjected to the above treatment
On the other hand, a nickel plating solution (made of 240 g / l nickel sulfate, 50 g / l nickel chloride, 40 g / l boric acid) was used at 55 ° C., pH 3.8, and current density 4
The first underlayer 304a made of Ni and having a thickness of 1.8 μm was formed by electroplating for 4 minutes by a hook plating apparatus under the condition of A / dm 2 . Then, after washing with water several times, a silver plating solution (consisting of 30 g / l of silver and 110 g / l of potassium cyanide) was used on the first underlayer 304a at 48 ° C., pH 12.9.
A thickness of 0.6 μm is obtained by electroplating with a hook plating device for 1 minute under the condition of a current density of 1.0 A / dm 2.
The second underlayer 304b made of Ag was formed.

【0041】続いて、数回の水洗浄を行なった後、上記
第2の下地層304b上に、ルテニウム濃度8g/lの
ルテニウムめっき液(商品名:Ru−33、エヌ・イー
ケムキャット(株)社製)を用いて60℃、pH2.
0、電流密度1.5A/dm2の条件下で5分間引掛け
めっき装置により電気めっきすることにより、厚さ0.
4μmの金属Ruからなるルテニウム層302を形成し
た。
Subsequently, after washing with water several times, a ruthenium plating solution (trade name: Ru-33, N Chemcat Co., Ltd.) having a ruthenium concentration of 8 g / l was formed on the second underlayer 304b. Manufactured by K.K.) at 60 ° C, pH 2.
0, and a current density of 1.5 A / dm 2 for 5 minutes by electroplating with a hook plating apparatus to obtain a thickness of 0.
A ruthenium layer 302 made of 4 μm metal Ru was formed.

【0042】その後数回の水洗浄を行なった後、さらに
10%のアンモニア水でリンス洗浄(50℃、5分間)
した後、10%の塩酸を用いて25℃で0.5分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
Then, after washing with water several times, further rinsing with 10% ammonia water (50 ° C., 5 minutes)
After that, acid activation treatment was carried out by treating with 10% hydrochloric acid at 25 ° C. for 0.5 minutes.

【0043】次いで、数回の水洗浄を行なった後、上記
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層30
2上に、金濃度9g/lの金めっき液(商品名:N7
7、エヌ・イーケムキャット(株)社製)を用いて35
℃、pH4.1、電流密度1.2A/dm2の条件下で
1分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ0.1μmの金属Auからなる金層303を形
成することにより図3に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
Then, after washing with water several times, the ruthenium layer 30 made of metallic ruthenium which has been subjected to the above-mentioned treatment.
2 on top of a gold plating solution with a gold concentration of 9 g / l (trade name: N7
7, 35 by using Nchemcat Co., Ltd.
By forming a gold layer 303 made of metal Au having a thickness of 0.1 μm by electroplating with a hooking plating apparatus for 1 minute under conditions of ℃, pH 4.1 and current density of 1.2 A / dm 2 . The connector terminal of the present invention shown in No. 3 was obtained.

【0044】このようにして得られたコネクタ端子は、
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
The connector terminals thus obtained are
It has excellent contact resistance, insertability / extractability, and corrosion resistance. Therefore, the connector having this connector terminal was extremely reliable.

【0045】<比較例1> 実施例2において、金属ルテニウムからなるルテニウム
層を形成させないことを除き、他は全て実施例2と同様
にしてコネクタ端子を製造した。かかるコネクタ端子
は、導電性基体上にNi層および金層がこの順で形成さ
れた構造となっており、従来のコネクタ端子に相当する
ものである。
Comparative Example 1 A connector terminal was manufactured in the same manner as in Example 2 except that the ruthenium layer made of metal ruthenium was not formed in Example 2. Such a connector terminal has a structure in which a Ni layer and a gold layer are formed in this order on a conductive substrate, and corresponds to a conventional connector terminal.

【0046】<硬度試験>実施例1〜4で得られたコネ
クタ端子と比較例1で得られたコネクタ端子とを用い
て、表面硬度計(装置名:ビッカス型表面硬度計、
(株)アカシ製作所社製)を使用して、測定荷重10g
の下それぞれのAu層の表面より表面硬度を測定した。
その結果を以下の表1に示す。
<Hardness Test> Using the connector terminals obtained in Examples 1 to 4 and the connector terminal obtained in Comparative Example 1, a surface hardness tester (device name: Vickus type surface hardness tester,
Using Akashi Seisakusho Co., Ltd., measuring load 10g
The surface hardness of each of the lower Au layers was measured.
The results are shown in Table 1 below.

【0047】<耐食性試験>実施例1〜4で得られたコ
ネクタ端子と比較例1で得られたコネクタ端子とを用い
て、それぞれの耐食性を測定した。測定条件は、5%の
食塩水を噴霧し、35℃で8時間経過後の腐食の度合い
を観察することにより行なった。そして、腐食が起こら
なかったものは「○」、少し腐食したものは「△」、か
なり腐食したものは「×」として評価した。その評価結
果を以下の表1に示す。
<Corrosion Resistance Test> Using the connector terminals obtained in Examples 1 to 4 and the connector terminal obtained in Comparative Example 1, the respective corrosion resistances were measured. The measurement conditions were performed by spraying 5% saline and observing the degree of corrosion after 8 hours at 35 ° C. Then, those that did not corrode were evaluated as “◯”, those that slightly corroded were evaluated as “Δ”, and those that significantly corroded were evaluated as “x”. The evaluation results are shown in Table 1 below.

【0048】[0048]

【表1】 [Table 1]

【0049】表1より明らかなように、比較例1のコネ
クタ端子に比し各実施例のコネクタ端子は、いずれも優
れた表面硬度を有することにより金層の剥離が一切発生
することがなく優れた挿抜性が示されたとともに、また
耐食性試験においても優れた耐食性が示された。なお、
各実施例の表面硬度において数値のばらつきが見られる
のは、金属ルテニウムからなるルテニウム層単独では7
00〜850HVの表面硬度が示されるものの、金属ル
テニウムからなるルテニウム層は比較的薄いため該層の
下層として存在する導電性基体や下地層の影響が現れた
ものと考えられる。
As is clear from Table 1, the connector terminals of the respective examples have an excellent surface hardness as compared with the connector terminal of Comparative Example 1 and are therefore excellent in that no peeling of the gold layer occurs at all. In addition to the excellent mating and unmating properties, the corrosion resistance test also showed excellent corrosion resistance. In addition,
The variation in the surface hardness of each example is observed in the case of the ruthenium layer consisting of metal ruthenium alone.
Although the surface hardness of 00~850HV is shown, metal Le
Since the ruthenium layer made of ruthenium is relatively thin, it is considered that the influence of the conductive substrate and the underlayer existing as the lower layer of the layer appears.

【0050】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
The embodiments and examples disclosed this time must be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description but by the claims, and is intended to include meanings equivalent to the claims and all modifications within the scope.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明のコネクタ端子は、金層の下層と
して金属ルテニウムからなるルテニウム層を形成したこ
とにより優れた表面硬度を有したものとなり、金層が摩
耗したり剥離したりすることを有効に防止し金層が有す
る優れた接触抵抗を保持したまま優れた挿抜性が得られ
るとともに、ピンホールの発生をも有効に防止し以って
耐食性を飛躍的に向上させたものである。また、金属ル
テニウムからなるルテニウム層の下層として下地層を形
成すれば、導電性基体の種類にかかわらず、金属ルテニ
ウムからなるルテニウム層が剥離することを有効に防止
することができる。また、これらのルテニウム層や金層
をバレルめっき装置、引掛けめっき装置または連続めっ
き装置のいずれかを用いてめっき法により形成すれば、
これらの層を極めて効率良く形成させることが可能とな
る。したがって、本発明のコネクタ端子を有するコネク
タは、このようなコネクタ端子が有する固有の利点をそ
のまま踏襲したものであり、優れた接触抵抗、挿抜性、
耐食性を有しており、極めて信頼性の高いものとなる。
このため、本発明のコネクタは、電気、電子製品や半導
体製品等の接続用の用途に広範囲に利用することが可能
である。
The connector terminal of the present invention has an excellent surface hardness due to the formation of a ruthenium layer made of metal ruthenium as a lower layer of the gold layer, so that the gold layer is not worn or peeled off. It is possible to obtain excellent insertion / removal properties while effectively preventing and maintaining the excellent contact resistance of the gold layer, and to effectively prevent the occurrence of pinholes, thereby dramatically improving the corrosion resistance. In addition, metal Le
By forming an underlayer as a lower layer of a ruthenium layer made of ruthenium, metal ruthenium
It is possible to effectively prevent peeling of the ruthenium layer made of um . Further, if these ruthenium layers and gold layers are formed by a plating method using either a barrel plating device, a hook plating device or a continuous plating device,
It becomes possible to form these layers extremely efficiently. Therefore, the connector having the connector terminal of the present invention directly follows the unique advantages of such a connector terminal, and has excellent contact resistance, insertability and detachability,
It has corrosion resistance and is extremely reliable.
Therefore, the connector of the present invention can be widely used for connecting electric, electronic products, semiconductor products and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 導電性基体上に金属ルテニウムからなるルテ
ニウム層および金層をそれぞれこの順で形成させたコネ
クタ端子の概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a connector terminal in which a ruthenium layer made of metal ruthenium and a gold layer are formed in this order on a conductive substrate.

【図2】 導電性基体上に下地層、金属ルテニウムから
なるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成させた
コネクタ端子の概略断面図である。
[FIG. 2] Underlayer on the conductive substrate, from ruthenium metal
Ruthenium layer made, is a schematic sectional view of a gold layer, respectively connector terminal is formed in this order.

【図3】 導電性基体上に複数の下地層、金属ルテニウ
ムからなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成
させたコネクタ端子の概略断面図である。
FIG. 3 shows a plurality of underlayers and metallic ruthenium on a conductive substrate.
Ruthenium layer made of beam, which is a schematic cross-sectional view of a gold layer, respectively connector terminal is formed in this order.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,201,301 導電性基体、102,20
2,302 金属ルテニウムからなるルテニウム層、1
03,203,303 金層、204 下地層、304
a 第1の下地層、304b 第2の下地層。
101, 201, 301 conductive substrate, 102, 20
Ruthenium layer composed of 2,302 metal ruthenium , 1
03,203,303 Gold layer, 204 Underlayer, 304
a first underlayer, 304b second underlayer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01R 13/03 C25D 5/10 C25D 7/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01R 13/03 C25D 5/10 C25D 7/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 導電性基体上に金属ルテニウムからなる
ルテニウム層が形成されており、該ルテニウム層上に金
層が形成されていることを特徴とするコネクタ端子。
1. A connector terminal comprising a ruthenium layer made of metal ruthenium formed on a conductive substrate, and a gold layer formed on the ruthenium layer.
【請求項2】 導電性基体と金属ルテニウムからなる
テニウム層との間に、Ni、Cu、Au、Agからなる
群から選ばれた少なくとも一種の金属からなる下地層が
少なくとも一層形成されていることを特徴とする請求項
1記載のコネクタ端子。
2. An underlayer made of at least one metal selected from the group consisting of Ni, Cu, Au and Ag is provided between the conductive substrate and the ruthenium layer made of metal ruthenium. The connector terminal according to claim 1, wherein the connector terminal is formed.
【請求項3】 金属ルテニウムからなるルテニウム層お
よび金層が、バレルめっき装置、引掛けめっき装置また
は連続めっき装置のいずれかを用いてめっき法により形
成されることを特徴とする請求項1または2記載のコネ
クタ端子。
3. The ruthenium layer and the gold layer made of metal ruthenium are formed by a plating method using any one of a barrel plating apparatus, a hook plating apparatus and a continuous plating apparatus. Connector terminal shown.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載のコネク
タ端子を有するコネクタ。
4. A connector having the connector terminal according to claim 1.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3519726B1 (en) 2002-11-26 2004-04-19 Fcm株式会社 Terminal and parts having it
JP3519727B1 (en) 2002-12-09 2004-04-19 Fcm株式会社 Connector terminal and connector having the same
JP3519731B1 (en) 2003-07-29 2004-04-19 Fcm株式会社 Terminals, parts and products having them
CN110820024A (en) * 2019-12-25 2020-02-21 无锡华晶利达电子有限公司 Coating structure for enhancing corrosion resistance of mobile phone plug connector

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