JP3441435B2 - motor - Google Patents

motor

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JP3441435B2
JP3441435B2 JP2000402009A JP2000402009A JP3441435B2 JP 3441435 B2 JP3441435 B2 JP 3441435B2 JP 2000402009 A JP2000402009 A JP 2000402009A JP 2000402009 A JP2000402009 A JP 2000402009A JP 3441435 B2 JP3441435 B2 JP 3441435B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コイルへの電流路
を複数個のトランジスタにより電子的に切り換えるモー
タに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a motor in which a current path to a coil is electronically switched by a plurality of transistors.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、OA機器やAV機器の駆動用モー
タとして、複数個のトランジスタにより電子的に電流路
を切り換えるモータが広く使用されている。このような
モータの例として、PNP型パワートランジスタとNP
N型パワートランジスタを用いてコイルへの電流路を切
り換えるモータがある。図34に従来のモータを示し、
その動作について簡単に説明する。ロータ2011は永
久磁石による界磁部を有し、ロータ2011の回転に応
動して、位置検出器2041は2組の3相の電圧信号K
1、K2、K3とK4、K5、K6を発生する。第1の
分配器2042は電圧信号K1、K2、K3に応動した
3相の下側通電制御信号L1、L2、L3を作りだし、
下側のNPN型パワートランジスタ2021、202
2、2023のベースに供給し、NPN型パワートラン
ジスタ2021、2022、2023の通電を制御す
る。第2の分配器2043は電圧信号K4、K5、K6
に応動した3相の上側通電制御信号M1、M2、M3を
作りだし、上側のPNP型パワートランジスタ202
5、2026、2027のベースに供給し、PNP型パ
ワートランジスタ2025、2026、2027の通電
を制御する。これにより、3相のコイル2012、20
13、2014に3相の駆動電圧を供給する。
2. Description of the Related Art In recent years, as a driving motor for OA equipment and AV equipment, a motor in which a current path is electronically switched by a plurality of transistors is widely used. An example of such a motor is a PNP type power transistor and an NP.
Some motors use N-type power transistors to switch the current path to the coil. FIG. 34 shows a conventional motor,
The operation will be briefly described. The rotor 2011 has a magnetic field portion formed by a permanent magnet, and the position detector 2041 responds to the rotation of the rotor 2011, so that the position detector 2041 has two sets of three-phase voltage signals K.
1, K2, K3 and K4, K5, K6 are generated. The first distributor 2042 produces three-phase lower side energization control signals L1, L2, L3 in response to the voltage signals K1, K2, K3,
Lower NPN power transistors 2021 and 202
It is supplied to the bases of 2, 2023 to control the energization of NPN power transistors 2021, 2022, 2023. The second distributor 2043 receives the voltage signals K4, K5, K6.
In response to the three-phase upper side energization control signals M1, M2, M3, and the upper side PNP type power transistor 202
5, 2026, 2027 are supplied to the bases to control the energization of the PNP type power transistors 2025, 2026, 2027. As a result, the three-phase coils 2012, 20
A three-phase drive voltage is supplied to 13, 2014.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来のモ
ータでは、下記の各種の課題が問題になっていた。 (1)電力損失が大きい。 従来の構成では、NPN型パワートランジスタ202
1、2022、2023およびPNP型パワートランジ
スタ2025、2026、2027は、そのエミッタ−
コレクタ間の電圧をアナログ的に制御し、コイル201
2、2013、2014に必要な振幅の駆動電流を供給
している。そのため、各パワートランジスタの残留電圧
が大きく、この残留電圧とパワートランジスタの通電電
流の積によって、大きな電力損失が生じていた。特に、
モータコイルへの駆動電流が大きいので、電力損失は著
しく大きかった。そのため、モータの電力効率は極めて
悪かった。 (2)コストが高い。 コストを安くするためには、トランジスタや抵抗類を1
チップの集積回路(IC)にまとめることが有効であ
る。しかし、PNP型パワートランジスタ2025、2
026、2027を形成するためには大きなチップ面積
が必要になり、コスト増加を招く大きな要因になってい
た。また、集積回路化した場合の寄生容量の影響によ
り、PNP型パワートランジスタを高速動作させること
が難しかった。また、パワートランジスタの電力損失・
発熱が大きく、集積回路化が難しかった。特に、モータ
コイルへの駆動電流が大きいので、パワートランジスタ
の発熱により集積回路の熱破壊を生じる恐れも大きい。
また、熱破壊を防止するために放熱板を取り付けた場合
には、コスト増加が大きかった。 (3)モータの振動が大きい。 近年、光ディスク装置(DVD装置、CD装置、等)や
磁気ディスク装置(HDD装置、FDD装置、等)など
のディスク装置では、ディスクの高密度記録再生に伴っ
て、振動の小さなモータが要望されてきた。しかし、従
来の構成では、パワートランジスタの急峻な切り換えに
伴ってコイルにスパイク電圧が生じ、駆動電流の脈動を
生じていた。これにより、発生駆動力が脈動し、大きな
モータ振動を生じていた。これらの課題をそれぞれもし
くは同時に解決したモータが強く望まれていた。本発明
の目的は、上記の各種の問題点をそれぞれまたは同時に
解決した構成のモータを提供することにある。
However, the conventional motor has the following problems. (1) Power loss is large. In the conventional configuration, the NPN power transistor 202
1, 2022, 2023 and PNP type power transistors 2025, 2026, 2027 have their emitters
The voltage between the collectors is controlled in an analog manner, and the coil 201
A drive current having a required amplitude is supplied to 2, 2013, and 2014. Therefore, the residual voltage of each power transistor is large, and a large power loss occurs due to the product of this residual voltage and the energizing current of the power transistor. In particular,
Since the drive current to the motor coil was large, the power loss was extremely large. Therefore, the power efficiency of the motor was extremely poor. (2) The cost is high. To reduce the cost, add 1 transistor or resistors.
It is effective to combine them into an integrated circuit (IC) of a chip. However, PNP type power transistors 2025, 2
In order to form 026 and 2027, a large chip area is required, which is a major factor in increasing cost. Further, it is difficult to operate the PNP type power transistor at high speed due to the influence of the parasitic capacitance when integrated into a circuit. Also, the power loss of the power transistor
It generated a lot of heat and was difficult to make into an integrated circuit. In particular, since the drive current to the motor coil is large, there is a high possibility that the integrated circuit will be thermally destroyed due to the heat generation of the power transistor.
Further, when a heat dissipation plate is attached to prevent thermal destruction, the cost increases greatly. (3) Vibration of the motor is large. 2. Description of the Related Art In recent years, in disk devices such as optical disk devices (DVD devices, CD devices, etc.) and magnetic disk devices (HDD devices, FDD devices, etc.), there has been a demand for motors with small vibrations accompanying high-density recording / reproduction of disks. It was However, in the conventional configuration, the spike voltage is generated in the coil due to the abrupt switching of the power transistor, and the pulsation of the drive current is generated. As a result, the generated driving force pulsates, causing large motor vibration. There has been a strong demand for a motor that solves these problems individually or simultaneously. An object of the present invention is to provide a motor having a configuration in which the above various problems are solved individually or simultaneously.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の構成のモータ
は、移動体と、複数相のコイルと、直流電圧を供給する
電圧供給手段と、前記電圧供給手段の一方の出力端子側
と前記コイルの一つへの電流路を形成する第1の電界効
果型パワートランジスタをそれぞれ含むQ個(ここに、
Qは3以上の整数)の第1のパワー増幅手段と、前記電
圧供給手段の他方の出力端子側と前記コイルの一つへの
電流路を形成する第2の電界効果型パワートランジスタ
をそれぞれ含むQ個の第2のパワー増幅手段と、複数相
の切換信号を作りだす切換作成手段と、前記切換作成手
段の出力信号に応動した第1のQ相の信号を作成し、前
記第1のQ相の信号によって前記Q個の第1のパワー増
幅手段のそれぞれの通電を電気角で360/Q度よりも
大きな角度幅に制御する第1の制御手段と、前記切換作
成手段の出力信号に応動した第2のQ相の信号を作成
し、前記第2のQ相の信号によって前記Q個の第2のパ
ワー増幅手段のそれぞれの通電を電気角で360/Q度
よりも大きな角度幅に制御する第2の制御手段と、Q個
の前記第1の電界効果型パワートランジスタとQ個の前
記第2の電界効果型パワートランジスタのうちで少なく
とも1個の電界効果型パワートランジスタを高周波スイ
ッチング動作させるスイッチング動作手段と、を具備す
るモータであって、前記スイッチング動作手段は、前記
複数相のコイルへの合成供給電流に応動した電流検出信
号を得る電流検出手段と、前記電流検出手段の出力信号
と指令信号を比較したパルス信号を作成し、前記パルス
信号に応動して、Q個の前記第1の電界効果型パワート
ランジスタとQ個の前記第2の電界効果型パワートラン
ジスタのうちで少なくとも一方のQ個の電界効果型パワ
ートランジスタを同時にオフ状態にさせるスイッチング
制御手段と、を含んで構成している。
A motor having a structure of the present invention includes a moving body, coils of a plurality of phases, voltage supply means for supplying a DC voltage, one output terminal side of the voltage supply means, and the coil. Q each including a first field effect power transistor forming a current path to one of
Q is an integer equal to or greater than 3), and a second field effect power transistor forming a current path to the other output terminal side of the voltage supply means and one of the coils. Q second power amplifying means, switching creating means for creating switching signals of a plurality of phases, and a first Q-phase signal in response to an output signal of the switching creating means are created, and the first Q-phase is created. Signal in response to the output signals of the switching control means and the first control means for controlling the energization of each of the Q first power amplification means to an angle width larger than 360 / Q degrees in electrical angle. A second Q-phase signal is generated, and the energization of each of the Q second power amplifying means is controlled by the second Q-phase signal to an angular width larger than 360 / Q degrees in electrical angle. Second control means and Q first electric field effects At least one FET power transistor among the type power transistors and Q pieces of said second FET power transistors A motor comprising a switching operation means for high-frequency switching operation, wherein the switching operation means Is a current detection means for obtaining a current detection signal in response to a combined supply current to the coils of the plurality of phases, and a pulse signal is generated by comparing an output signal of the current detection means with a command signal.
In response to a signal, at least one Q field effect power transistor among the Q first field effect power transistors and the Q second field effect power transistors is simultaneously turned off. And a switching control means for controlling the switching control means.

【0005】このように構成することにより、第1の電
界効果型パワートランジスタと第2の電界効果型パワー
トランジスタのうちで少なくとも1個の電界効果型パワ
ートランジスタを高周波スイッチング動作させているの
で、これらのパワートランジスタの電力損失を大幅に低
減できる。従って、電力効率の良いモータになる。ま
た、Q個の第1のパワー増幅手段のそれぞれの通電を電
気角で360/Q度よりも大きな角度幅に制御し、Q個
の第2のパワー増幅手段のそれぞれの通電を電気角で3
60/Q度よりも大きな角度幅に制御した。これによ
り、電流路の切換動作を滑らかにできる。その結果、コ
イルへの駆動電流が滑らかに変化し、発生駆動力の脈動
は低減される。また、コイルへの合成供給電流を検出
し、検出信号と指令信号を比較したパルス信号に応動し
て少なくとも一方のQ個の電界効果型パワートランジス
タをパルス的に同時にオフ状態にさせた。これにより、
第1のパワー増幅手段や第2のパワー増幅手段の通電を
電気角で360/Q度よりも大きな角度幅にしても、指
令信号によって電流制御された駆動電流をコイルに供給
でき、駆動電流の脈動や発生駆動力の脈動が大幅に低減
し、振動の小さい高性能なモータを実現できる。すなわ
ち、電力効率が良く、振動の小さいモータになる。
With this configuration, at least one field effect power transistor among the first field effect power transistor and the second field effect power transistor is subjected to high frequency switching operation. The power loss of the power transistor can be greatly reduced. Therefore, the motor has high power efficiency. Further, the energization of each of the Q first power amplifying means is controlled to an angle width larger than 360 / Q degrees in electrical angle, and the energization of each of the Q second power amplifying means is controlled in electrical angle of 3
The angle width was controlled to be larger than 60 / Q degrees. This makes it possible to smoothly switch the current path. As a result, the drive current to the coil changes smoothly, and the pulsation of the generated drive force is reduced. Further, the combined supply current to the coil was detected, and at least one Q field effect power transistor was turned off simultaneously in a pulsed manner in response to the pulse signal obtained by comparing the detection signal and the command signal. This allows
Even if the energization of the first power amplifying means and the second power amplifying means is made to have an electrical angle larger than 360 / Q degrees, the drive current controlled by the command signal can be supplied to the coil, and the drive current Pulsations and pulsations of generated driving force are significantly reduced, and a high-performance motor with less vibration can be realized. That is, the motor has high power efficiency and small vibration.

【0006】また、第1の電界効果型パワートランジス
タと第2の電界効果型パワートランジスタのうちで少な
くとも1個の電界効果型パワートランジスタを高周波ス
イッチング動作させる場合に、たとえば、第1のQ相の
信号と第2のQ相の信号を、立ち上がり傾斜部分と立ち
下がり傾斜部分のうちの少なくとも一方の傾斜部分にお
いて実質的に滑らかに変化する電流信号にすることが可
能になり、コイルへの駆動電流を容易に滑らかに変化さ
せることができる。その結果、駆動電流の脈動や発生駆
動力の脈動が大幅に低減され、振動の小さい高性能なモ
ータを実現できる。
Further, when at least one field effect power transistor among the first field effect power transistor and the second field effect power transistor is subjected to high frequency switching operation, for example, the first Q phase It becomes possible to make the signal and the signal of the second Q-phase a current signal which changes substantially smoothly in at least one of the rising slope portion and the falling slope portion, and the driving current to the coil can be obtained. Can be changed easily and smoothly. As a result, the pulsation of the driving current and the pulsation of the generated driving force are significantly reduced, and a high-performance motor with small vibration can be realized.

【0007】また、電流検出手段の出力信号と指令信号
の比較結果に応動して少なくとも一方のQ個の電界効果
型パワートランジスタをパルス的に同時にオフ状態にさ
せているので、スイッチング動作を行わせるパルス信号
が1つになる。
Further, in response to the result of comparison between the output signal of the current detecting means and the command signal, at least one of the Q field effect power transistors is turned off simultaneously in a pulsed manner, so that the switching operation is performed. There is only one pulse signal.

【0008】その結果、スイッチングタイミングの管理
が容易になり、モータの構成が簡素になる。
As a result, it becomes easy to manage the switching timing and the structure of the motor is simplified.

【0009】すなわち、電力効率が良く、振動が小さ
く、低コストのモータを実現できる。
That is, it is possible to realize a motor which has high power efficiency, small vibration, and low cost.

【0010】また、パワー増幅手段の電界効果型パワー
トランジスタの発熱が小さいので、たとえば、電界効果
型パワートランジスタを1チップのシリコン基板上に他
のトランジスタ素子や抵抗素子と一緒に集積回路化する
ことも可能になる。従って、低コストなモータにでき
る。
Further, since the heat generation of the field effect type power transistor of the power amplifying means is small, for example, the field effect type power transistor is integrated on a one-chip silicon substrate together with other transistor elements and resistance elements into an integrated circuit. Will also be possible. Therefore, a low-cost motor can be obtained.

【0011】これらおよびその他の構成や動作について
は、実施の形態の説明において詳細に説明する。
These and other configurations and operations will be described in detail in the description of the embodiments.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい数個の実施例を
添付の図1〜図33を参照して詳細に説明する。 《実施例1》図1から図8に本発明の実施例1のモータ
を示す。図1に全体構成を示す。移動体1は、たとえ
ば、永久磁石の発生磁束により複数極の界磁磁束を発生
する界磁部を取り付けられたロータである。ここでは、
移動体1の界磁部を2極着磁された永久磁石で示してあ
る。変形例では、多極であっても良く、多数の磁極片に
よって構成しても良い。3相コイル2、3、4は、固定
体であるステータに配設され、移動体1との相対関係に
関して、電気的に120度相当ずらされて配置されてい
る。3相コイル2、3、4は3相の駆動電流I1、I
2、I3により3相の磁束を発生し、移動体1の界磁部
との相互作用によって駆動力を発生し、移動体1に駆動
力を与える。ディスク1bは、移動体1に取り付けら
れ、移動体1と一緒に回転する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Several preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying FIGS. << Embodiment 1 >> FIGS. 1 to 8 show a motor according to Embodiment 1 of the present invention. The overall structure is shown in FIG. The moving body 1 is, for example, a rotor provided with a field magnet portion that generates a magnetic flux of a plurality of poles by a magnetic flux generated by a permanent magnet. here,
The field magnet portion of the moving body 1 is shown by a two-pole magnetized permanent magnet. In a modified example, it may have multiple poles or may be composed of a large number of magnetic pole pieces. The three-phase coils 2, 3, 4 are arranged on a stator, which is a fixed body, and are electrically displaced by 120 degrees with respect to the relative relationship with the moving body 1. The three-phase coils 2, 3, and 4 are three-phase drive currents I1 and I.
Magnetic fluxes of three phases are generated by 2 and I3, a driving force is generated by the interaction with the field portion of the moving body 1, and the driving force is given to the moving body 1. The disk 1b is attached to the moving body 1 and rotates together with the moving body 1.

【0013】電圧供給部である直流電源50は、負極端
子側(−)をアース電位にされ、正極端子側(+)に所
要の直流電圧Vccおよび直流電流を供給している。直
流電源50の負極端子側には、電流検出器21を介し
て、3個の第1のパワー増幅器11、12、13の電流
流出端子側が共通接続されている。第1のパワー増幅器
11は、第1のNMOS型パワートランジスタ61と、
第1のNMOS型パワートランジスタ61に並列に逆接
続された第1のパワーダイオード61dを含んで構成さ
れている。ここで、NMOS型トランジスタはNチャン
ネルMOS構造の電界効果型トランジスタを意味する。
第1のNMOS型パワートランジスタ61の電流流出端
子側は直流電源50の負極端子側に電流検出器21を介
して接続され、電流流入端子側はコイル2の電力供給端
子に接続されている。第1のパワーダイオード61dの
電流流入端子側は第1のNMOS型パワートランジスタ
61の電流流出端子側に接続され、電流流出端子側は第
1のNMOS型パワートランジスタ61の電流流入端子
側に接続されている。第1のパワー増幅器11は、第1
のNMOS型パワートランジスタ61とNMOS型トラ
ンジスタ71により第1の電界効果型パワー部カレント
ミラー回路を形成し、通電制御端子側への入力電流信号
を電流増幅して出力する。ここで、電界効果型パワー部
カレントミラー回路は電界効果型パワートランジスタを
用いた電界効果型カレントミラー回路を意味する。
The DC power supply 50, which is a voltage supply unit, has its negative electrode terminal side (-) set to the ground potential and supplies the required DC voltage Vcc and DC current to the positive electrode terminal side (+). To the negative electrode terminal side of the DC power supply 50, the current outflow terminal sides of the three first power amplifiers 11, 12, and 13 are commonly connected via the current detector 21. The first power amplifier 11 includes a first NMOS power transistor 61,
It is configured to include a first power diode 61d reversely connected in parallel to the first NMOS power transistor 61. Here, the NMOS type transistor means a field effect type transistor having an N channel MOS structure.
The current outflow terminal side of the first NMOS power transistor 61 is connected to the negative electrode terminal side of the DC power supply 50 via the current detector 21, and the current inflow terminal side is connected to the power supply terminal of the coil 2. The current inflow terminal side of the first power diode 61d is connected to the current outflow terminal side of the first NMOS type power transistor 61, and the current outflow terminal side is connected to the current inflow terminal side of the first NMOS type power transistor 61. ing. The first power amplifier 11 has a first
The NMOS power transistor 61 and the NMOS transistor 71 form a first field effect power section current mirror circuit, and current-amplify and output the input current signal to the energization control terminal side. Here, the field effect type power part current mirror circuit means a field effect type current mirror circuit using a field effect type power transistor.

【0014】第1のNMOS型パワートランジスタ61
とNMOS型トランジスタ71のセル面積比を100倍
にし、第1のNMOS型パワートランジスタ61が能動
領域でハーフオン動作している場合の第1のパワー部カ
レントミラー回路の電流増幅率を100倍にしている。
ここで、電界効果型トランジスタの動作状態には、3つ
の状態:フルオン状態、ハーフオン状態、オフ状態があ
る。ハーフオン状態では、電界効果型トランジスタは能
動領域の増幅動作を行っている。また、フルオン状態と
ハーフオン状態の時に、電界効果型トランジスタは活性
状態または能動状態にある。なお、第1のNMOS型パ
ワートランジスタ61は、たとえば二重拡散Nチャンネ
ルMOS構造の電界効果型トランジスタによって構成さ
れ、第1のNMOS型パワートランジスタ61の電流流
出端子側から電流流入端子側に向けて寄生ダイオード素
子が等価回路的に逆接続される。この寄生ダイオード素
子を第1のパワーダイオード61dとして使用してい
る。
First NMOS type power transistor 61
And the cell area ratio of the NMOS transistor 71 to 100 times, and the current amplification factor of the first power current mirror circuit to 100 times when the first NMOS power transistor 61 is half-on operating in the active region. There is.
Here, there are three operating states of the field effect transistor: a full-on state, a half-on state, and an off state. In the half-on state, the field effect transistor is performing the amplifying operation of the active region. The field effect transistor is in the active state or the active state in the full-on state and the half-on state. The first NMOS power transistor 61 is composed of, for example, a field effect transistor having a double diffused N-channel MOS structure, and extends from the current outflow terminal side of the first NMOS power transistor 61 toward the current inflow terminal side. The parasitic diode element is reversely connected in an equivalent circuit. This parasitic diode element is used as the first power diode 61d.

【0015】同様に、第1のパワー増幅器12は、第1
のNMOS型パワートランジスタ62と、第1のNMO
S型パワートランジスタ62に並列に逆接続された第1
のパワーダイオード62dを含んで構成されている。第
1のNMOS型パワートランジスタ62の電流流出端子
側は直流電源50の負極端子側に電流検出器21を介し
て接続され、電流流入端子側はコイル3の電力供給端子
に接続されている。第1のパワーダイオード62dの電
流流入端子側は第1のNMOS型パワートランジスタ6
2の電流流出端子側に接続され、電流流出端子側は第1
のNMOS型パワートランジスタ62の電流流入端子側
に接続されている。第1のパワー増幅器12は、第1の
NMOS型パワートランジスタ62とNMOS型トラン
ジスタ72により第1の電界効果型パワー部カレントミ
ラー回路を形成し、通電制御端子側への入力電流信号を
電流増幅して出力する(セル面積比は100倍)。な
お、第1のNMOS型パワートランジスタ62は、たと
えば二重拡散NチャンネルMOS構造の電界効果型トラ
ンジスタによって構成され、第1のNMOS型パワート
ランジスタ62の寄生ダイオード素子を第1のパワーダ
イオード62dとして使用している。
Similarly, the first power amplifier 12 has a first
NMOS power transistor 62 and first NMO
A first reverse connection in parallel with the S-type power transistor 62
The power diode 62d is included. The current outflow terminal side of the first NMOS power transistor 62 is connected to the negative electrode terminal side of the DC power supply 50 via the current detector 21, and the current inflow terminal side is connected to the power supply terminal of the coil 3. The current inflow terminal side of the first power diode 62d is the first NMOS type power transistor 6
2 is connected to the current outflow terminal side, and the current outflow terminal side is the first
Is connected to the current inflow terminal side of the NMOS power transistor 62. The first power amplifier 12 forms a first field effect power section current mirror circuit by the first NMOS type power transistor 62 and the NMOS type transistor 72, and current-amplifies an input current signal to the energization control terminal side. (The cell area ratio is 100 times). The first NMOS power transistor 62 is formed of, for example, a field effect transistor having a double diffused N-channel MOS structure, and the parasitic diode element of the first NMOS power transistor 62 is used as the first power diode 62d. is doing.

【0016】同様に、第1のパワー増幅器13は、第1
のNMOS型パワートランジスタ63と、第1のNMO
S型パワートランジスタ63に並列に逆接続された第1
のパワーダイオード63dを含んで構成されている。第
1のNMOS型パワートランジスタ63の電流流出端子
側は直流電源50の負極端子側に電流検出器21を介し
て接続され、電流流入端子側はコイル4の電力供給端子
に接続されている。第1のパワーダイオード63dの電
流流入端子側は第1のNMOS型パワートランジスタ6
3の電流流出端子側に接続され、電流流出端子側は第1
のNMOS型パワートランジスタ63の電流流入端子側
に接続されている。第1のパワー増幅器13は、第1の
NMOS型パワートランジスタ63とNMOS型トラン
ジスタ73により第1の電界効果型パワー部カレントミ
ラー回路を形成し、通電制御端子側への入力電流信号を
電流増幅して出力する(セル面積比は100倍)。な
お、第1のNMOS型パワートランジスタ63は、たと
えば二重拡散NチャンネルMOS構造の電界効果型トラ
ンジスタによって構成され、第1のNMOS型パワート
ランジスタ63の寄生ダイオード素子を第1のパワーダ
イオード63dとして使用している。
Similarly, the first power amplifier 13 has a first
NMOS type power transistor 63 and the first NMO
A first reverse connection in parallel with the S-type power transistor 63
The power diode 63d is included. The current outflow terminal side of the first NMOS power transistor 63 is connected to the negative electrode terminal side of the DC power supply 50 via the current detector 21, and the current inflow terminal side is connected to the power supply terminal of the coil 4. The current inflow terminal side of the first power diode 63d is connected to the first NMOS power transistor 6
3 is connected to the current outflow terminal side, and the current outflow terminal side is the first
Is connected to the current inflow terminal side of the NMOS power transistor 63. The first power amplifier 13 forms a first field effect power section current mirror circuit by the first NMOS type power transistor 63 and the NMOS type transistor 73, and current-amplifies an input current signal to the energization control terminal side. (The cell area ratio is 100 times). The first NMOS power transistor 63 is formed of, for example, a field effect transistor having a double diffused N-channel MOS structure, and the parasitic diode element of the first NMOS power transistor 63 is used as the first power diode 63d. is doing.

【0017】第1のパワー増幅器11、12、13の各
第1のパワー部カレントミラー回路は、それぞれ各通電
制御端子側への入力電流信号を電流増幅して出力する。
スイッチング制御器22の制御パルス信号Y1、Y2、
Y3は、第1のパワー増幅器11、12、13の第1の
NMOS型パワートランジスタ61、62、63をオン
・オフ制御して高周波スイッチング動作させる。第1の
パワー増幅器11、12、13は、コイル2、3、4の
各電力供給端子への駆動電圧V1、V2、V3を高周波
スイッチングして電力供給し、コイル2、3、4への駆
動電流I1、I2、I3の負極側電流を供給する。この
動作については、後述する。
Each of the first power section current mirror circuits of the first power amplifiers 11, 12 and 13 current-amplifies and outputs an input current signal to each energization control terminal side.
Control pulse signals Y1, Y2 of the switching controller 22,
Y3 turns on / off the first NMOS type power transistors 61, 62 and 63 of the first power amplifiers 11, 12 and 13 to perform a high frequency switching operation. The first power amplifiers 11, 12, and 13 drive the driving voltages V1, V2, and V3 to the power supply terminals of the coils 2, 3, and 4 by high-frequency switching to supply power to the coils 2, 3, and 4, respectively. The negative currents of the currents I1, I2, and I3 are supplied. This operation will be described later.

【0018】直流電源50の正極端子側には、3個の第
2のパワー増幅器15、16、17の電流流入端子側が
共通接続されている。第2のパワー増幅器15は、第2
のNMOS型パワートランジスタ65と、第2のNMO
S型パワートランジスタ65に並列に逆接続された第2
のパワーダイオード65dを含んで構成されている。第
2のNMOS型パワートランジスタ65の電流流入端子
側は直流電源50の正極端子側に接続され、電流流出端
子側はコイル2の電力供給端子に接続されている。第2
のパワーダイオード65dの電流流入端子側は第2のN
MOS型パワートランジスタ65の電流流出端子側に接
続され、電流流出端子側は第2のNMOS型パワートラ
ンジスタ65の電流流入端子側に接続されている。第2
のパワー増幅器15は、第2のNMOS型パワートラン
ジスタ65とNMOS型トランジスタ75により第2の
電界効果型パワー部カレントミラー回路を形成し、通電
制御端子側への入力電流信号を電流増幅して出力する。
第2のNMOS型パワートランジスタ65とNMOS型
トランジスタ75のセル面積比を100倍にし、第2の
NMOS型パワートランジスタ65が能動領域で動作し
ている場合の第2のパワー部カレントミラー回路の電流
増幅率を101倍にしている。なお、第2のNMOS型
パワートランジスタ65は、たとえば二重拡散型Nチャ
ンネルMOS構造の電界効果型トランジスタによって構
成され、第2のNMOS型パワートランジスタ65の電
流流出端子側から電流流入端子側に向けて寄生ダイオー
ド素子が等価回路的に逆接続される。この寄生ダイオー
ド素子を第2のパワーダイオード65dとして使用して
いる。
To the positive electrode terminal side of the DC power supply 50, the current inflow terminal sides of the three second power amplifiers 15, 16 and 17 are commonly connected. The second power amplifier 15 has a second
NMOS power transistor 65 and second NMO
Second reverse connection in parallel with S-type power transistor 65
The power diode 65d is included. The current inflow terminal side of the second NMOS type power transistor 65 is connected to the positive electrode terminal side of the DC power supply 50, and the current outflow terminal side is connected to the power supply terminal of the coil 2. Second
The power inflow terminal side of the power diode 65d is the second N
It is connected to the current outflow terminal side of the MOS type power transistor 65, and the current outflow terminal side is connected to the current inflow terminal side of the second NMOS type power transistor 65. Second
Power amplifier 15 forms a second field effect type power part current mirror circuit by the second NMOS type power transistor 65 and the NMOS type transistor 75, and current-amplifies and outputs the input current signal to the energization control terminal side. To do.
The current of the second power section current mirror circuit when the cell area ratio of the second NMOS type power transistor 65 and the NMOS type transistor 75 is set to 100 times and the second NMOS type power transistor 65 operates in the active region. The amplification factor is 101 times. The second NMOS power transistor 65 is formed of, for example, a field effect transistor having a double diffusion N-channel MOS structure, and is directed from the current outflow terminal side of the second NMOS power transistor 65 toward the current inflow terminal side. The parasitic diode element is reversely connected in an equivalent circuit. This parasitic diode element is used as the second power diode 65d.

【0019】同様に、第2のパワー増幅器16は、第2
のNMOS型パワートランジスタ66と、第2のNMO
S型パワートランジスタ66に並列に逆接続された第2
のパワーダイオード66dを含んで構成されている。第
2のNMOS型パワートランジスタ66の電流流入端子
側は直流電源50の正極端子側に接続され、電流流出端
子側はコイル3の電力供給端子に接続されている。第2
のパワーダイオード66dの電流流入端子側は第2のN
MOS型パワートランジスタ66の電流流出端子側に接
続され、電流流出端子側は第2のNMOS型パワートラ
ンジスタ66の電流流入端子側に接続されている。第2
のパワー増幅器16は、第2のNMOS型パワートラン
ジスタ66とNMOS型トランジスタ76により第2の
電界効果型パワー部カレントミラー回路を形成し、通電
制御端子側への入力電流信号を電流増幅して出力する
(セル面積比は100倍)。なお、第2のNMOS型パ
ワートランジスタ66は、たとえば二重拡散型Nチャン
ネルMOS構造の電界効果型トランジスタによって構成
され、第2のNMOS型パワートランジスタ66の寄生
ダイオード素子を第2のパワーダイオード66dとして
使用している。
Similarly, the second power amplifier 16 has a second
NMOS power transistor 66 and second NMO
Second reverse connection in parallel with S-type power transistor 66
The power diode 66d is included. The current inflow terminal side of the second NMOS type power transistor 66 is connected to the positive electrode terminal side of the DC power supply 50, and the current outflow terminal side is connected to the power supply terminal of the coil 3. Second
The power inflow terminal side of the power diode 66d is a second N
It is connected to the current outflow terminal side of the MOS type power transistor 66, and the current outflow terminal side is connected to the current inflow terminal side of the second NMOS type power transistor 66. Second
Power amplifier 16 forms a second field effect type power section current mirror circuit by the second NMOS type power transistor 66 and NMOS type transistor 76, current-amplifies and outputs an input current signal to the energization control terminal side. (Cell area ratio is 100 times). The second NMOS power transistor 66 is formed of, for example, a field effect transistor having a double diffusion N-channel MOS structure, and the parasitic diode element of the second NMOS power transistor 66 is used as a second power diode 66d. I'm using it.

【0020】同様に、第2のパワー増幅器17は、第2
のNMOS型パワートランジスタ67と、第2のNMO
S型パワートランジスタ67に並列に逆接続された第2
のパワーダイオード67dを含んで構成されている。第
2のNMOS型パワートランジスタ67の電流流入端子
側は直流電源50の正極端子側に接続され、電流流出端
子側はコイル4の電力供給端子に接続されている。第2
のパワーダイオード67dの電流流入端子側は第2のN
MOS型パワートランジスタ67の電流流出端子側に接
続され、電流流出端子側は第2のNMOS型パワートラ
ンジスタ67の電流流入端子側に接続されている。第2
のパワー増幅器17は、第2のNMOS型パワートラン
ジスタ67とNMOS型トランジスタ77により第2の
電界効果型パワー部カレントミラー回路を形成し、通電
制御端子側への入力電流信号を電流増幅して出力する
(セル面積比は100倍)。なお、第2のNMOS型パ
ワートランジスタ67は、たとえば二重拡散型Nチャン
ネルMOS構造の電界効果型トランジスタによって構成
され、第2のNMOS型パワートランジスタ67の寄生
ダイオード素子を第2のパワーダイオード67dとして
使用している。
Similarly, the second power amplifier 17 has a second
NMOS type power transistor 67 and second NMO
Second reverse connection in parallel with S-type power transistor 67
The power diode 67d is included. The current inflow terminal side of the second NMOS type power transistor 67 is connected to the positive electrode terminal side of the DC power supply 50, and the current outflow terminal side is connected to the power supply terminal of the coil 4. Second
Of the power inflow terminal of the power diode 67d of the second N
It is connected to the current outflow terminal side of the MOS type power transistor 67, and the current outflow terminal side is connected to the current inflow terminal side of the second NMOS type power transistor 67. Second
The second power amplifier 17 forms a second field effect power section current mirror circuit by the second NMOS power transistor 67 and the NMOS transistor 77, current-amplifies and outputs the input current signal to the energization control terminal side. (Cell area ratio is 100 times). The second NMOS type power transistor 67 is constituted by, for example, a field effect transistor having a double diffusion type N channel MOS structure, and a parasitic diode element of the second NMOS type power transistor 67 is used as a second power diode 67d. I'm using it.

【0021】第2のパワー増幅器15、16、17の各
第2のパワー部カレントミラー回路は、それぞれ各通電
制御端子側への入力電流信号を電流増幅して出力し、コ
イル2、3、4への駆動電流I1、I2、I3の正極側
電流を供給する。この動作については、後述する。この
ように、第1のパワー増幅器11、12、13は、直流
電源50の負極端子側と正極端子側の間に並列的に接続
され、直流電源50の負極端子側からコイル2、3、4
への電流路を電子的に切り換えている。同様に、第2の
パワー増幅器15、16、17は、直流電源50の負極
端子側と正極端子側の間に並列的に接続され、直流電源
50の正極端子側からコイル2、3、4への電流路を電
子的に切り換えている。指令器20の指令信号Adは、
電流供給器30とスイッチング制御器22に入力され
る。指令器20は、たとえば、移動体1の回転移動速度
を検出し、該速度を所定値に制御する速度制御ブロック
によって構成されている。従って、指令信号Adはコイ
ル2、3、4への駆動電流や駆動電圧を制御し、コイル
への供給電力を変化させる。
Each of the second power section current mirror circuits of the second power amplifiers 15, 16 and 17 current-amplifies and outputs the input current signal to each energization control terminal side, and outputs the coils 2, 3, 4 respectively. Drive currents I1, I2, and I3 on the positive electrode side are supplied. This operation will be described later. As described above, the first power amplifiers 11, 12, and 13 are connected in parallel between the negative electrode terminal side and the positive electrode terminal side of the DC power source 50, and the coils 2, 3, 4 are connected from the negative electrode terminal side of the DC power source 50.
Electronically switching the current path to. Similarly, the second power amplifiers 15, 16 and 17 are connected in parallel between the negative electrode terminal side and the positive electrode terminal side of the DC power supply 50 and are connected from the positive electrode terminal side of the DC power supply 50 to the coils 2, 3, and 4. The current path of is switched electronically. The command signal Ad of the command device 20 is
It is input to the current supplier 30 and the switching controller 22. The command device 20 is composed of, for example, a speed control block that detects the rotational speed of the moving body 1 and controls the speed to a predetermined value. Therefore, the command signal Ad controls the drive current and drive voltage to the coils 2, 3 and 4, and changes the power supplied to the coils.

【0022】電流供給器30は、指令信号Adに応動す
る第1の供給電流信号C1と第2の供給電流信号C2を
出力する。図3に電流供給器30の具体的な構成を示
す。電圧電流変換回路151は、指令信号Adに比例し
た変換電流信号Bjを出力する。電圧電流変換回路15
1の変換電流信号Bjは、トランジスタ171、17
2、173と抵抗174、175、176によるカレン
トミラー回路に供給され、変換電流信号Bjに比例した
2つの電流信号をトランジスタ172、173のコレク
タ側に作りだす。トランジスタ172のコレクタ電流
は、トランジスタ181、182のカレントミラー回路
を介して出力される。トランジスタ182のコレクタ電
流Bp1と定電流源183の第1の所定電流Qq1を加
算し、第1の供給電流信号C1として出力する。すなわ
ち、C1=Bp1+Qq1。また、トランジスタ173
のコレクタ電流Bp2と定電流源184の第2の所定電
流Qq2を加算し、第2の供給電流信号C2として出力
する。すなわち、C2=Bp2+Qq2。これにより、
第1の供給電流信号C1と第2の供給電流信号C2は指
令信号Adに比例もしくは略比例した電流信号になる。
また、第1の供給電流信号C1と第2の供給電流信号C
2は、定電流源183、184の電流値Qq1、Qq2
による所定のバイアス電流を含んでいる。なお、定電流
源183、184の電流値Qq1、Qq2は、必要に応
じて設定すれば良く、零であっても良い。
The current supplier 30 outputs a first supply current signal C1 and a second supply current signal C2 in response to the command signal Ad. FIG. 3 shows a specific configuration of the current supplier 30. The voltage / current conversion circuit 151 outputs a converted current signal Bj proportional to the command signal Ad. Voltage-current conversion circuit 15
The converted current signal Bj of 1 corresponds to the transistors 171, 17
2, 173 and resistors 174, 175, and 176 are supplied to the current mirror circuit, and two current signals proportional to the converted current signal Bj are generated on the collector side of the transistors 172 and 173. The collector current of the transistor 172 is output via the current mirror circuit of the transistors 181 and 182. The collector current Bp1 of the transistor 182 and the first predetermined current Qq1 of the constant current source 183 are added and output as the first supply current signal C1. That is, C1 = Bp1 + Qq1. In addition, the transistor 173
Collector current Bp2 and the second predetermined current Qq2 of the constant current source 184 are added and output as a second supply current signal C2. That is, C2 = Bp2 + Qq2. This allows
The first supply current signal C1 and the second supply current signal C2 are current signals proportional or substantially proportional to the command signal Ad.
Also, the first supply current signal C1 and the second supply current signal C
2 is the current values Qq1 and Qq2 of the constant current sources 183 and 184.
Includes a predetermined bias current due to The current values Qq1 and Qq2 of the constant current sources 183 and 184 may be set as necessary and may be zero.

【0023】図1の切換作成器34は、滑らかに変化す
る3相の切換電流信号D1、D2、D3を出力する。図
2に切換作成器34の具体的な構成を示す。この例で
は、切換作成器34は位置検出部100と切換信号部1
01によって構成されている。位置検出部100は、移
動体1の発生磁束を検知する磁電変換素子(例えばホー
ル素子)からなる位置検出素子111、112を含んで
構成されている。位置検出素子111、112は、電気
的に120度の位相差を有し、移動体1の移動に伴って
滑らかな正弦波状に変化する2相の位置検出信号Ja1
とJb1、および、Ja2とJb2を出力する。ここ
で、Ja1とJa2は逆相の関係にあり(電気的に18
0度の位相差)、Jb1とJb2は逆相の関係にある。
なお、逆相の信号は新たな相数に数えない。位置検出信
号Ja2とJb2は抵抗113、114により合成され
て3相目の位置検出信号Jc1を作りだし、位置検出信
号Ja1とJb1は抵抗115、116により合成され
て3相目の位置検出信号Jc2を作りだす。これによ
り、位置検出部100は電気的に120度の位相差を有
して正弦波状に変化する3相の位置検出信号Ja1、J
b1、Jc1(Ja2、Jb2、Jc2)を得ている。
なお、3個の位置検出素子を用いて3相の位置検出信号
を作りだしても良い。
The switching generator 34 of FIG. 1 outputs three-phase switching current signals D1, D2, D3 that change smoothly. FIG. 2 shows a specific configuration of the switching generator 34. In this example, the switching generator 34 includes a position detecting unit 100 and a switching signal unit 1.
It is composed of 01. The position detection unit 100 is configured to include position detection elements 111 and 112 that are magnetoelectric conversion elements (for example, Hall elements) that detect the magnetic flux generated by the moving body 1. The position detection elements 111 and 112 have a phase difference of 120 degrees electrically, and the two-phase position detection signals Ja1 that change in a smooth sine wave shape as the moving body 1 moves.
And Jb1, and Ja2 and Jb2 are output. Here, Ja1 and Ja2 have a reverse phase relationship (electrically 18
(0 degree phase difference), and Jb1 and Jb2 have an opposite phase relationship.
It should be noted that the signal having the opposite phase is not counted as a new phase number. The position detection signals Ja2 and Jb2 are combined by the resistors 113 and 114 to generate the position detection signal Jc1 of the third phase, and the position detection signals Ja1 and Jb1 are combined by the resistors 115 and 116 to generate the position detection signal Jc2 of the third phase. Create. As a result, the position detector 100 has three-phase position detection signals Ja1 and J that have a phase difference of 120 degrees and change sinusoidally.
b1 and Jc1 (Ja2, Jb2, Jc2) are obtained.
A three-phase position detection signal may be created using three position detection elements.

【0024】切換信号部101は、3相の位置検出信号
に応動して滑らかに変化する正弦波状の切換電流信号D
1、D2、D3を作りだす。トランジスタ122と12
3は、1相目の位置検出信号Ja1とJa2の差電圧に
応動して定電流源121の電流をコレクタ側に分流す
る。トランジスタ123のコレクタ電流は、トランジス
タ124、125のカレントミラー回路によって2倍に
増幅され、トランジスタ125のコレクタより出力され
る。トランジスタ125のコレクタ電流は、定電流源1
26の電流値と比較され、両者の差電流が1相目の切換
電流信号D1として出力される。従って、切換電流信号
D1は、位置検出信号Ja1に応動して滑らかに変化
し、電気角で180度区間は電流が流出し(正極性の電
流)、次の180度区間は電流が流入する(負極性の電
流)。同様に、切換電流信号D2は、位置検出信号Jb
1に応動して滑らかに変化し、電気角で180度区間は
電流が流出し(正極性の電流)、次の180度区間は電
流が流入する(負極性の電流)。同様に、切換電流信号
D3は、位置検出信号Jc1に応動して滑らかに変化
し、電気角で180度区間は電流が流出し(正極性の電
流)、次の180度区間は電流が流入する(負極性の電
流)。これにより、切換電流信号D1、D2、D3は所
定の位相差を有する正弦波状の3相の電流信号になる。
図9(a)に3相の切換電流信号D1、D2、D3の波
形を示す。なお。図9の横軸は移動体1の回転移動位置
である。
The switching signal section 101 has a sinusoidal switching current signal D that changes smoothly in response to the three-phase position detection signals.
Create 1, D2, D3. Transistors 122 and 12
3 shunts the current of the constant current source 121 to the collector side in response to the differential voltage between the position detection signals Ja1 and Ja2 of the first phase. The collector current of the transistor 123 is doubled by the current mirror circuit of the transistors 124 and 125 and output from the collector of the transistor 125. The collector current of the transistor 125 is the constant current source 1
It is compared with the current value of 26, and the difference current between the two is output as the switching current signal D1 of the first phase. Therefore, the switching current signal D1 changes smoothly in response to the position detection signal Ja1, the current flows out in the electrical angle 180 ° section (current of positive polarity), and the current flows in the next 180 ° section ( Negative current). Similarly, the switching current signal D2 is the position detection signal Jb.
It changes smoothly in response to 1 and a current flows out in an electrical angle of 180 degrees (positive current) and a current flows in the next 180 degrees (negative current). Similarly, the switching current signal D3 changes smoothly in response to the position detection signal Jc1, a current flows out in an electrical angle of 180 degrees (current of positive polarity), and a current flows in in the next 180 degrees. (Negative current). As a result, the switching current signals D1, D2, D3 become sinusoidal three-phase current signals having a predetermined phase difference.
FIG. 9A shows the waveforms of the three-phase switching current signals D1, D2, D3. Incidentally. The horizontal axis of FIG. 9 represents the rotational movement position of the moving body 1.

【0025】図1の分配作成器36は、第1の分配器3
7と第2の分配器38を含んで構成されている。第1の
分配器37は、切換作成器34の3相の切換電流信号D
1、D2、D3に応動して電流供給器30の第1の供給
電流信号C1を実質的に分配し、滑らかに変化する3相
の第1の分配電流信号E1、E2、E3を作り出す。第
2の分配器38は、切換作成器34の3相の切換電流信
号D1、D2、D3に応動して電流供給器30の第2の
供給電流信号C2を実質的に分配し、滑らかに変化する
3相の第2の分配電流信号G1、G2、G3を作り出
す。
The distribution generator 36 of FIG. 1 is the first distributor 3
7 and a second distributor 38. The first distributor 37 has a three-phase switching current signal D of the switching generator 34.
In response to 1, D2, D3, the first supply current signal C1 of the current supplier 30 is substantially distributed to produce three smoothly varying first distribution current signals E1, E2, E3. The second distributor 38 substantially distributes the second supply current signal C2 of the current supplier 30 in response to the three-phase switching current signals D1, D2, D3 of the switching generator 34, and changes smoothly. To generate three-phase second distributed current signals G1, G2, and G3.

【0026】図4に分配作成器36の具体的な構成を示
す。第1の分配器37の第1の分離回路216は、切換
作成器34の切換電流信号D1の負極側電流に相当もし
くは応動する第1の分離信号D1nを出力する。第1の
分離回路217は、切換作成器34の切換電流信号D2
の負極側電流に相当もしくは応動する第1の分離信号D
2nを出力する。第1の分離回路218は、切換作成器
34の切換電流信号D3の負極側電流に相当もしくは応
動する第1の分離信号D3nを出力する。これにより、
第1の分配器37の第1の分離回路216、217、2
18は、3相の切換電流信号D1、D2、D3の負極側
電流に相当もしくは応動する3相の第1の分離信号D1
n、D2n、D3nを得ている。第1の分配器37の第
1の乗算回路211は、第1の分離回路216の第1の
分離信号D1nと第1の帰還回路215の第1の帰還信
号Ebを乗算し、乗算結果に比例した第1の分配電流信
号E1を出力する。同様に、第1の分配器37の第1の
乗算回路212は、第1の分離回路217の第1の分離
信号D2nと第1の帰還回路215の第1の帰還信号E
bを乗算し、乗算結果に比例した第1の分配電流信号E
2を出力する。同様に、第1の分配器37の第1の乗算
回路213は、第1の分離回路218の第1の分離信号
D3nと第1の帰還回路215の第1の帰還信号Ebを
乗算し、乗算結果に比例した第1の分配電流信号E3を
出力する。
FIG. 4 shows a specific configuration of the distribution generator 36. The first separation circuit 216 of the first distributor 37 outputs a first separation signal D1n corresponding to or responsive to the negative side current of the switching current signal D1 of the switching generator 34. The first separation circuit 217 controls the switching current signal D2 of the switching generator 34.
First separation signal D that corresponds to or responds to the negative electrode side current of
2n is output. The first separation circuit 218 outputs a first separation signal D3n corresponding to or responsive to the negative side current of the switching current signal D3 of the switching generator 34. This allows
The first separation circuits 216, 217, 2 of the first distributor 37.
Reference numeral 18 denotes a three-phase first separation signal D1 which corresponds to or responds to the negative polarity side current of the three-phase switching current signals D1, D2, D3.
n, D2n, D3n are obtained. The first multiplication circuit 211 of the first distributor 37 multiplies the first separation signal D1n of the first separation circuit 216 by the first feedback signal Eb of the first feedback circuit 215, and is proportional to the multiplication result. The first distributed current signal E1 is output. Similarly, the first multiplication circuit 212 of the first distributor 37 includes the first separation signal D2n of the first separation circuit 217 and the first feedback signal E of the first feedback circuit 215.
b is multiplied, and the first distribution current signal E proportional to the multiplication result is obtained.
2 is output. Similarly, the first multiplication circuit 213 of the first distributor 37 multiplies the first separation signal D3n of the first separation circuit 218 by the first feedback signal Eb of the first feedback circuit 215 and performs multiplication. The first distribution current signal E3 proportional to the result is output.

【0027】第1の合成回路214は、3相の第1の分
配電流信号E1、E2、E3の加算合成値に応動した第
1の合成信号Eaを出力する。第1の帰還回路215
は、第1の合成回路214の第1の合成信号Eaと電流
供給器30の第1の供給電流信号C1の差信号に応動し
た第1の帰還信号Ebを得ている。これにより、第1の
乗算回路211、212、213と第1の合成回路21
4と第1の帰還回路215は帰還ループを構成し、第1
の合成信号Eaを第1の供給電流信号C1に対応した値
にしている。
The first synthesizing circuit 214 outputs the first synthesizing signal Ea in response to the added and synthesizing value of the three-phase first distribution current signals E1, E2, E3. First feedback circuit 215
Obtains a first feedback signal Eb in response to a difference signal between the first combined signal Ea of the first combining circuit 214 and the first supply current signal C1 of the current supplier 30. As a result, the first multiplication circuits 211, 212, 213 and the first synthesis circuit 21 are
4 and the first feedback circuit 215 form a feedback loop,
The combined signal Ea of is set to a value corresponding to the first supply current signal C1.

【0028】第1の合成信号Eaは3相の第1の分配電
流信号E1、E2、E3の加算値に対応し、3相の第1
の分配電流信号E1、E2、E3はそれぞれ3相の第1
の分離信号D1n、D2n、D3nに比例している。そ
の結果、第1の分配器37の3相の第1の分配電流信号
E1、E2、E3は、切換作成器34の3相の切換電流
信号D1、D2、D3の負極側電流に応動して電流供給
器30の第1の供給電流信号C1を実質的に分配した3
相の電流信号になる。すなわち、第1の分配電流信号E
1、E2、E3の大きさは、第1の供給電流信号C1に
比例して変化する。図9(b)に3相の第1の分配電流
信号E1、E2、E3の波形を示す。第1の分配器37
は、第1の供給電流信号C1を移動体1の回転移動に伴
って1相分もしくは2相分に交互に分配し、電気的に1
20度の位相差を有する3相の第1の分配電流信号E
1、E2、E3を出力する。なお、第1の分配電流信号
E1、E2、E3は、正極性電流(流出方向電流)にな
っている。
The first combined signal Ea corresponds to the added value of the three-phase first distributed current signals E1, E2, E3, and corresponds to the first three-phase signal.
The distributed current signals E1, E2, E3 of
Is proportional to the separated signals D1n, D2n, and D3n. As a result, the three-phase first distribution current signals E1, E2, E3 of the first distributor 37 respond to the negative side currents of the three-phase switching current signals D1, D2, D3 of the switching generator 34. The first supply current signal C1 of the current supply 30 is substantially distributed 3
It becomes the phase current signal. That is, the first distribution current signal E
The magnitudes of 1, E2 and E3 change in proportion to the first supply current signal C1. FIG. 9B shows the waveforms of the three-phase first distributed current signals E1, E2, E3. First distributor 37
Distributes the first supply current signal C1 to one phase or two phases alternately with the rotational movement of the moving body 1, and electrically
Three-phase first distribution current signal E having a phase difference of 20 degrees
It outputs 1, E2 and E3. The first distribution current signals E1, E2, E3 are positive currents (currents flowing out).

【0029】第2の分配器38の第2の分離回路226
は、切換作成器34の切換電流信号D1の正極側電流に
相当もしくは応動する第2の分離信号D1pを出力す
る。第2の分離回路227は、切換作成器34の切換電
流信号D2の正極側電流に相当もしくは応動する第2の
分離信号D2pを出力する。第2の分離回路228は、
切換作成器34の切換電流信号D3の正極側電流に相当
もしくは応動する第2の分離信号D3pを出力する。こ
れにより、第2の分配器38の第2の分離回路226、
227、228は、3相の切換電流信号D1、D2、D
3の正極側電流に相当もしくは応動する3相の第2の分
離信号D1p、D2p、D3pを得ている。
The second separation circuit 226 of the second distributor 38.
Outputs a second separation signal D1p corresponding to or responsive to the positive electrode side current of the switching current signal D1 of the switching generator 34. The second separation circuit 227 outputs a second separation signal D2p corresponding to or responsive to the positive side current of the switching current signal D2 of the switching generator 34. The second separation circuit 228 is
The second separation signal D3p corresponding to or responsive to the positive side current of the switching current signal D3 of the switching generator 34 is output. As a result, the second separation circuit 226 of the second distributor 38,
227 and 228 are three-phase switching current signals D1, D2, D
Three-phase second separation signals D1p, D2p, and D3p corresponding to or responding to the positive electrode side current of 3 are obtained.

【0030】第2の分配器38の第2の乗算回路221
は、第2の分離回路226の第2の分離信号D1pと第
2の帰還回路225の第2の帰還信号Gbを乗算し、乗
算結果に比例した第2の分配電流信号G1を出力する。
同様に、第2の分配器38の第2の乗算回路222は、
第2の分離回路227の第2の分離信号D2pと第2の
帰還回路225の第2の帰還信号Gbを乗算し、乗算結
果に比例した第2の分配電流信号G2を出力する。同様
に、第2の分配器38の第2の乗算回路223は、第2
の分離回路228の第2の分離信号D3pと第2の帰還
回路225の第2の帰還信号Gbを乗算し、乗算結果に
比例した第2の分配電流信号G3を出力する。
The second multiplication circuit 221 of the second distributor 38.
Multiplies the second separation signal D1p of the second separation circuit 226 by the second feedback signal Gb of the second feedback circuit 225, and outputs the second distribution current signal G1 proportional to the multiplication result.
Similarly, the second multiplication circuit 222 of the second distributor 38
The second separation signal D2p of the second separation circuit 227 is multiplied by the second feedback signal Gb of the second feedback circuit 225, and the second distribution current signal G2 proportional to the multiplication result is output. Similarly, the second multiplication circuit 223 of the second distributor 38
The second separation signal D3p of the second separation circuit 228 and the second feedback signal Gb of the second feedback circuit 225 are multiplied, and the second distribution current signal G3 proportional to the multiplication result is output.

【0031】第2の合成回路224は、3相の第2の分
配電流信号G1、G2、G3の加算合成値に応動した第
2の合成信号Gaを出力する。第2の帰還回路225
は、第2の合成回路224の第2の合成信号Gaと電流
供給器30の第2の供給電流信号C2の差信号に応動し
た第2の帰還信号Gbを得ている。これにより、第2の
乗算回路221、222、223と第2の合成回路22
4と第2の帰還回路225は帰還ループを構成し、第2
の合成信号Gaを第2の供給電流信号C2に対応した値
にしている。第2の合成信号Gaは3相の第2の分配電
流信号G1、G2、G3の加算値に対応し、3相の第2
の分配電流信号G1、G2、G3はそれぞれ3相の第2
の分離信号D1p、D2p、D3pに比例している。そ
の結果、第2の分配器38の3相の第2の分配電流信号
G1、G2、G3は、切換作成器34の切換電流信号D
1、D2、D3に応動して電流供給器30の第2の供給
電流信号C2を実質的に分配した3相の電流信号にな
る。すなわち、第2の分配電流信号G1、G2、G3の
大きさは、第2の供給電流信号C2に比例して変化す
る。図9(c)に3相の第2の分配電流信号G1、G
2、G3の波形を示す。第2の分配器38は、第2の供
給電流信号C2を移動体1の回転移動に伴って1相分も
しくは2相分に交互に分配し、電気的に120度の位相
差を有する3相の第2の分配電流信号G1、G2、G3
を出力する。なお、第2の分配電流信号G1、G2、G
3は、実際には負極性電流(流入方向電流)になってい
る。
The second synthesizing circuit 224 outputs the second synthesizing signal Ga in response to the added and synthesizing value of the three-phase second distribution current signals G1, G2 and G3. Second feedback circuit 225
Obtains the second feedback signal Gb in response to the difference signal between the second combined signal Ga of the second combining circuit 224 and the second supply current signal C2 of the current supplier 30. As a result, the second multiplication circuits 221, 222, 223 and the second synthesis circuit 22 are
4 and the second feedback circuit 225 form a feedback loop,
The combined signal Ga is set to a value corresponding to the second supply current signal C2. The second combined signal Ga corresponds to the added value of the three-phase second distributed current signals G1, G2, and G3, and corresponds to the three-phase second
The distributed current signals G1, G2, G3 of
In proportion to the separated signals D1p, D2p, and D3p. As a result, the three-phase second distribution current signals G1, G2, and G3 of the second distributor 38 become the switching current signal D of the switching generator 34.
In response to 1, D2, D3, the second supply current signal C2 of the current supplier 30 is substantially distributed into a three-phase current signal. That is, the magnitudes of the second distributed current signals G1, G2, G3 change in proportion to the second supply current signal C2. FIG. 9C shows the three-phase second distributed current signals G1 and G.
2 and G3 waveforms are shown. The second distributor 38 alternately distributes the second supply current signal C2 into one phase or two phases according to the rotational movement of the moving body 1, and three phases having an electrical phase difference of 120 degrees. Second distributed current signals G1, G2, G3 of
Is output. The second distribution current signals G1, G2, G
3 is actually a negative polarity current (inflow direction current).

【0032】また、第1の分配電流信号E1と第2の分
配電流信号G1は180度の位相差を有し、相補的に滑
らかに変化する(E1とG1は必ず一方が零になる)。
同様に、第1の分配電流信号E2と第2の分配電流信号
G2は180度の位相差を有し、相補的に滑らかに変化
する(E2とG2は必ず一方が零になる)。同様に、第
1の分配電流信号E3と第2の分配電流信号G3は18
0度の位相差を有し、相補的に滑らかに変化する(E3
とG3は必ず一方が零になる)。図1の第1の分配器3
7の第1の分配電流信号E1、E2、E3は、それぞれ
第1の電流増幅器41、42、43に入力される。第1
の電流増幅器41、42、43は、それぞれ第1の分配
電流信号E1、E2、E3を所定倍の電流増幅して第1
の増幅電流信号F1、F2、F3を作りだす。
Further, the first distributed current signal E1 and the second distributed current signal G1 have a phase difference of 180 degrees, and smoothly change in a complementary manner (E1 and G1 are always zero).
Similarly, the first distributed current signal E2 and the second distributed current signal G2 have a phase difference of 180 degrees and change smoothly in a complementary manner (one of E2 and G2 is always zero). Similarly, the first distribution current signal E3 and the second distribution current signal G3 are 18
It has a phase difference of 0 degree and changes smoothly complementarily (E3
And G3 is always zero on one side). First distributor 3 of FIG.
The seventh distributed current signals E1, E2, E3 are input to the first current amplifiers 41, 42, 43, respectively. First
Current amplifiers 41, 42, and 43 of the first current amplifiers 41, 42, and 43, respectively, amplify the first distributed current signals E1, E2, and E3 by a predetermined number of times to perform first amplification.
To generate amplified current signals F1, F2, and F3.

【0033】図5に第1の電流増幅器41、42、43
の具体的な構成を示す。第1の電流増幅器41は、トラ
ンジスタ231、232による初段のカレントミラー回
路と、トランジスタ233、234と抵抗235、23
6による次段のカレントミラー回路を縦続接続した第1
の増幅部カレントミラー回路により構成している。トラ
ンジスタ231と232のエミッタ面積は等しくされ、
初段のカレントミラー回路の電流増幅率は1倍にされて
いる。また、トランジスタ233と234のエミッタ面
積比を50倍、抵抗236と235の抵抗比を50倍に
して、次段のカレントミラー回路では電流増幅率で50
倍の所定の増幅を行う。同様に、第1の電流増幅器42
は、トランジスタ241、242、243、244と抵
抗245、246による第1の増幅部カレントミラー回
路によって構成され、電流増幅率で50倍の所定の増幅
を行う。同様に、第1の電流増幅器43は、トランジス
タ251、252、253、254と抵抗255、25
6による第1の増幅部カレントミラー回路によって構成
され、電流増幅率で50倍の所定の増幅を行う。これに
より、第1の電流増幅器41、42、43は、3相の第
1の分配電流信号E1、E2、E3をそれぞれ50倍の
増幅し、3相の第1の増幅電流信号F1、F2、F3を
出力する。
FIG. 5 shows the first current amplifiers 41, 42, 43.
The specific configuration of is shown. The first current amplifier 41 includes a first stage current mirror circuit including transistors 231, 232, transistors 233, 234 and resistors 235, 23.
1st of the current mirror circuits of the next stage by 6 are connected in cascade
It is composed of an amplifier current mirror circuit. The emitter areas of the transistors 231 and 232 are made equal,
The current amplification factor of the first-stage current mirror circuit is set to one. Further, the emitter area ratio of the transistors 233 and 234 is set to 50 times, and the resistance ratio of the resistors 236 and 235 is set to 50 times.
Double predetermined amplification. Similarly, the first current amplifier 42
Is composed of a first amplifier current mirror circuit including transistors 241, 242, 243, 244 and resistors 245, 246, and performs a predetermined amplification of 50 times with a current amplification factor. Similarly, the first current amplifier 43 includes transistors 251, 252, 253, 254 and resistors 255, 25.
The first amplification unit current mirror circuit according to No. 6 performs a predetermined amplification of 50 times with a current amplification factor. As a result, the first current amplifiers 41, 42, 43 amplify the three-phase first distributed current signals E1, E2, E3 by 50 times, respectively, and generate the three-phase first amplified current signals F1, F2, Output F3.

【0034】図1の第2の分配器38の第2の分配電流
信号G1、G2、G3は、それぞれ第2の電流増幅器4
5、46、47に入力される。第2の電流増幅器45、
46、47は、それぞれ第2の分配電流信号G1、G
2、G3を所定倍の電流増幅して第2の増幅電流信号H
1、H2、H3を作りだし、高電圧出力器51の高電位
点Vuから各第2のパワー増幅器15、16、17に供
給する。高電圧出力器51は高周波パルス信号に応動し
て昇圧用コンデンサに充電・蓄積させることにより、直
流電源50の正極端子側電位Vccよりも高い高電位点
電位Vuを作り出す。高電圧出力器51の高電位点Vu
から第2のパワー増幅器15、16、17の第2の電界
効果型パワー部カレントミラー回路の各通電制御端子側
に第2の増幅電流信号H1、H2、H3を供給し、第2
の電流増幅器45、46、47の出力用トランジスタの
飽和を防ぎ、第2のNMOS型パワートランジスタ6
5、66、67を十分な通電状態にする。
The second distribution current signals G1, G2, G3 of the second distributor 38 of FIG.
5, 46 and 47 are input. The second current amplifier 45,
46 and 47 are second distribution current signals G1 and G, respectively.
The second amplified current signal H is obtained by amplifying the current G2 and G3 by a predetermined factor.
1, H2, H3 are produced and supplied to the respective second power amplifiers 15, 16, 17 from the high potential point Vu of the high voltage output device 51. The high voltage output device 51 creates a high potential point potential Vu higher than the positive electrode terminal side potential Vcc of the DC power supply 50 by charging and accumulating in the boosting capacitor in response to the high frequency pulse signal. High potential point Vu of high voltage output device 51
Supplies the second amplified current signals H1, H2, H3 to the respective conduction control terminals of the second field effect type power section current mirror circuits of the second power amplifiers 15, 16, 17,
Of the second NMOS power transistor 6 by preventing the output transistors of the current amplifiers 45, 46 and 47 from being saturated.
5, 66, 67 are fully energized.

【0035】図6に第2の電流増幅器45、46、47
と高電圧出力器51の具体的な構成を示す。第2の電流
増幅器45は、トランジスタ261、262と抵抗26
3、264による第2の増幅部カレントミラー回路によ
り構成されている。トランジスタ261と262のエミ
ッタ面積比を50倍、抵抗264と263の抵抗比を5
0倍にして、第2の電流増幅器45は電流増幅率で50
倍の所定の増幅を行う。同様に、第2の電流増幅器46
は、トランジスタ271、272と抵抗273、274
による第2の増幅部カレントミラー回路によって構成さ
れ、電流増幅率で50倍の増幅を行う。同様に、第2の
電流増幅器47は、トランジスタ281、282と抵抗
283、284による第2の増幅部カレントミラー回路
によって構成され、電流増幅率で50倍の増幅を行う。
これにより、第2の電流増幅器45、46、47は、3
相の第2の分配電流信号G1、G2、G3をそれぞれ5
0倍の増幅し、3相の第2の増幅電流信号H1、H2、
H3を出力する。
The second current amplifiers 45, 46, 47 are shown in FIG.
And a specific configuration of the high voltage output device 51. The second current amplifier 45 includes transistors 261, 262 and a resistor 26.
The second amplifying section current mirror circuit is composed of three and two 264. The emitter area ratio of the transistors 261 and 262 is 50 times, and the resistance ratio of the resistors 264 and 263 is 5 times.
The second current amplifier 45 has a current amplification factor of 50
Double predetermined amplification. Similarly, the second current amplifier 46
Are transistors 271, 272 and resistors 273, 274.
The second amplifying section current mirror circuit according to (1), and performs 50 times amplification at the current amplification factor. Similarly, the second current amplifier 47 is composed of a second amplifier current mirror circuit including transistors 281, 282 and resistors 283, 284, and amplifies the current by 50 times.
As a result, the second current amplifiers 45, 46, 47 are
The second distributed current signals G1, G2, G3 of the phase are respectively set to 5
0 times amplification and three-phase second amplified current signals H1, H2,
Outputs H3.

【0036】高電圧出力器51は、100kHz程度の
高周波パルス信号Paを出力するパルス発生回路421
と、第1の昇圧用コンデンサ411と、第2の昇圧用コ
ンデンサ412と、ダイオード425〜428からなる
第1の電圧制限回路と、ダイオード429からなる第2
の電圧制限回路を含んで構成されている。パルス発生回
路421のパルス信号Paに応動してインバータ回路4
22がディジタル的に変化する。インバータ回路422
が“L”(直流電源50の負極端子側電位)の時にダイ
オード423を介して第1の昇圧用コンデンサ411が
充電される。インバータ回路422が“H”(直流電源
50の正極端子側電位)に変わると、第1の昇圧用コン
デンサ411に蓄積された電荷は、ダイオード424を
介して第2の昇圧用コンデンサ412に移され、第2の
昇圧用コンデンサ412を充電・蓄積する。その結果、
第2の昇圧用コンデンサ412の端子には、直流電源5
0の正極端子側電位Vccよりも高電位になる高電位点
電位Vuが出力される。高電位点電位Vuは第2の電流
増幅器45、46、47に接続されている。
The high voltage output device 51 is a pulse generation circuit 421 which outputs a high frequency pulse signal Pa of about 100 kHz.
A first voltage boosting capacitor 411, a second voltage boosting capacitor 412, a first voltage limiting circuit including diodes 425 to 428, and a second voltage limiting circuit including a diode 429.
The voltage limiting circuit is included. The inverter circuit 4 responds to the pulse signal Pa of the pulse generation circuit 421.
22 digitally changes. Inverter circuit 422
Is "L" (potential on the negative electrode terminal side of the DC power supply 50), the first boosting capacitor 411 is charged via the diode 423. When the inverter circuit 422 changes to “H” (potential on the positive electrode terminal side of the DC power supply 50), the charges accumulated in the first boost capacitor 411 are transferred to the second boost capacitor 412 via the diode 424. , The second boosting capacitor 412 is charged and accumulated. as a result,
The DC power supply 5 is connected to the terminal of the second boosting capacitor 412.
A high potential point potential Vu that is higher than the positive electrode terminal side potential Vcc of 0 is output. The high potential point potential Vu is connected to the second current amplifiers 45, 46 and 47.

【0037】また、第2の昇圧用コンデンサ412への
充電を続けると、高電位点の電圧Vuが非常に高くな
り、集積回路化されたトランジスタやダイオードの耐圧
破壊を起こす恐れがある。そこで、ダイオード425〜
428による第1の電圧制限回路を設け、高電位点電圧
Vuが所定値以上にならないように制限した。なお、耐
圧破壊の心配がないならば、第1の電圧制限回路を無く
しても良い。また、第2の増幅電流信号H1、H2、H
3は第2の昇圧用コンデンサ412の電荷を放電させる
ように作用する。モータの起動時などの大電流動作が長
時間続くと、第2の昇圧用コンデンサ412の放電量が
多くなり、高電圧出力器51の出力電圧点の電位Vuが
著しく低下する場合もある。そこで、ダイオード429
による第2の電圧制限回路を設けて、高電圧出力器51
の高電位点電圧Vuが直流電源50の正極端子側電位V
ccより大幅に小さくならないように制限した。なお、
電流レベルの小さい通常制御状態では、第2の電圧制限
回路は動作しない。また、電位Vuの変動が小さい場合
には、第2の電圧制限回路を無くしても良い。
If the second boosting capacitor 412 is continuously charged, the voltage Vu at the high potential point becomes very high, which may cause breakdown of the integrated circuit transistor or diode. Therefore, the diodes 425-
A first voltage limiting circuit 428 is provided to limit the high potential point voltage Vu so as not to exceed a predetermined value. The first voltage limiting circuit may be omitted if there is no fear of breakdown of the withstand voltage. Also, the second amplified current signals H1, H2, H
3 acts to discharge the electric charge of the second boosting capacitor 412. When a large current operation such as when the motor is started continues for a long time, the amount of discharge of the second boosting capacitor 412 increases, and the potential Vu at the output voltage point of the high voltage output device 51 may significantly decrease. Therefore, the diode 429
And a high voltage output device 51 is provided.
Of the high-potential point Vu is the positive-electrode-side potential V of the DC power supply 50.
It was restricted so that it would not be significantly smaller than cc. In addition,
In the normal control state where the current level is small, the second voltage limiting circuit does not operate. Further, when the fluctuation of the potential Vu is small, the second voltage limiting circuit may be omitted.

【0038】図1の電流検出器21は、直流電源50の
供給する通電電流Igを検出し、通電電流Igに応動し
た電流検出信号Agを出力する。スイッチング制御器2
2は、指令信号Adと電流検出信号Agを比較し、比較
結果に応動して制御パルス信号Y1、Y2、Y3をオン
・オフし、第1のパワー増幅器11、12、13の第1
のNMOS型パワートランジスタ61、62、63を高
周波スイッチング動作させる。なお、スイッチング制御
器22と電流検出器21によってスイッチング動作ブロ
ックを構成している。
The current detector 21 of FIG. 1 detects the energizing current Ig supplied from the DC power supply 50 and outputs a current detection signal Ag in response to the energizing current Ig. Switching controller 2
2 compares the command signal Ad with the current detection signal Ag, turns on / off the control pulse signals Y1, Y2, Y3 in response to the comparison result, and outputs the first power amplifiers 11, 12, 13 with the first
The NMOS power transistors 61, 62, 63 are subjected to high frequency switching operation. The switching controller 22 and the current detector 21 form a switching operation block.

【0039】図7に電流検出器21とスイッチング制御
器22の具体的な構成を示す。電流検出器21は、直流
電源50の電流供給路に挿入された電流検出用の抵抗3
11によって構成され、抵抗311に生じる電圧降下に
より直流電源50の通電電流Igを検出し、電流検出信
号Agを出力する。スイッチング制御器22は、スイッ
チング制御信号W1を得るスイッチングパルス回路33
0を含んで構成されている。スイッチングパルス回路3
30の比較回路331は、指令信号Adと電流検出信号
Agを比較した比較出力信号Crを得る。トリガ発生回
路332は、100kHz程度の高周波のトリガパルス
信号Dpを出力し、所定時間間隔毎に繰り返し状態保持
回路333をトリガする。
FIG. 7 shows a specific configuration of the current detector 21 and the switching controller 22. The current detector 21 includes a resistor 3 for current detection inserted in a current supply path of the DC power supply 50.
The current flowing signal Ig of the DC power supply 50 is detected by the voltage drop generated in the resistor 311 and the current detection signal Ag is output. The switching controller 22 includes a switching pulse circuit 33 that obtains a switching control signal W1.
It is configured to include 0. Switching pulse circuit 3
The comparison circuit 331 of 30 obtains a comparison output signal Cr obtained by comparing the command signal Ad and the current detection signal Ag. The trigger generation circuit 332 outputs a high-frequency trigger pulse signal Dp of about 100 kHz, and repeatedly triggers the state holding circuit 333 at predetermined time intervals.

【0040】状態保持回路333は、トリガパリス信号
Dpの立ち上がりエッジにおいてスイッチング制御信号
W1を“Lb”(低電位状態)に変化させ、比較出力信
号Crの立ち上がりエッジにおいてスイッチング制御信
号W1を“Hb”(高電位状態)に変化させる。スイッ
チング制御信号W1が“Lb”の時には、制御トランジ
スタ341、342、343は同時にオフになり、制御
パルス信号Y1、Y2、Y3はオフ(非電流通電状態)
になる。このとき、第1のパワー増幅器11、12、1
3はそれぞれ第1の増幅電流信号F1、F2、F3を電
流増幅するように動作し、コイル2、3、4に負極性電
流を供給する電流路を形成する。スイッチング制御信号
W1が“Hb”の時には、制御トランジスタ341、3
42、343は同時にオンになり、制御パルス信号Y
1、Y2、Y3をオン(電流通電状態)にし、第1のパ
ワー増幅器11、12、13の通電制御端子側への入力
電流をバイパスする。従って、第1のパワー増幅器1
1、12、13の第1のNMOS型パワートランジスタ
61、62、63はすべて同時にオフになる。このよう
にして、第1のパワー増幅器11、12、13は単一の
スイッチング制御信号W1により通電状態と遮断状態を
高周波でスイッチング制御され、コイル2、3、4への
駆動電圧V1、V2、V3をパルス的な電圧にし、コイ
ル2、3、4への駆動電流I1、I2、I3を指令信号
Adに応動するように制御している。これについて説明
する。
The state holding circuit 333 changes the switching control signal W1 to "Lb" (low potential state) at the rising edge of the trigger parity signal Dp, and changes the switching control signal W1 to "Hb" (at the rising edge of the comparison output signal Cr). High potential). When the switching control signal W1 is "Lb", the control transistors 341, 342, 343 are turned off at the same time, and the control pulse signals Y1, Y2, Y3 are turned off (non-current conduction state).
become. At this time, the first power amplifiers 11, 12, 1
3 operates so as to current-amplify the first amplified current signals F1, F2, F3, respectively, and forms a current path for supplying a negative current to the coils 2, 3, 4. When the switching control signal W1 is "Hb", the control transistors 341, 3
42 and 343 are turned on at the same time, and the control pulse signal Y
1, Y2, Y3 are turned on (current energization state), and the input current to the energization control terminal side of the first power amplifiers 11, 12, 13 is bypassed. Therefore, the first power amplifier 1
The first NMOS type power transistors 61, 62 and 63 of 1, 12, and 13 are all turned off at the same time. In this way, the first power amplifiers 11, 12, and 13 are switching-controlled by the single switching control signal W1 between the energized state and the cutoff state at a high frequency, and the drive voltages V1 and V2 to the coils 2, 3, and 4 are V3 is set to a pulse voltage, and the drive currents I1, I2, and I3 to the coils 2, 3, and 4 are controlled so as to respond to the command signal Ad. This will be described.

【0041】トリガパルス信号Dpの立ち上がりエッジ
によって状態保持回路333のスイッチング制御信号W
1が“Lb”に変化した時には、第1の分配器37によ
って選択分配された第1の分配電流信号E1、E2、E
3および第1の増幅電流信号F1、F2、F3に応動し
て、第1のパワー増幅器11、12、13の第1のNM
OS型パワートランジスタが通電状態になる。たとえ
ば、第1の分配電流信号E1および第1の増幅電流信号
F1のみが選択されている場合を考えると、第1のパワ
ー増幅器11の第1のNMOS型パワートランジスタ6
1が通電状態になる。第1のNMOS型パワートランジ
スタ61はフルオン状態にされ、コイル2に駆動電流I
1の負極側電流を供給する電流路を形成する。ここに、
電界効果型トランジスタのフルオン状態とは、電流流入
端子側と電流流出端子側の間はオン抵抗による非常に小
さな電圧降下動作を行っている。コイルのインダクタン
ス作用によって、コイル2の駆動電流I1の負極側電流
値は徐々に増加する。従って、直流電源50の供給する
通電電流Igも増加し、電流検出器21の電流検出信号
Agは大きくなる。電流検出信号Agが指令信号Adよ
り大きくなった瞬間に、比較回路331の比較出力信号
Crが立ち上がりエッジを発生し、状態保持回路333
のスイッチング制御信号W1は“Hb”に変化する。
The switching control signal W of the state holding circuit 333 is generated by the rising edge of the trigger pulse signal Dp.
1 changes to "Lb", the first distribution current signals E1, E2, E selectively distributed by the first distributor 37
3 and the first amplified current signals F1, F2, F3 in response to the first NM of the first power amplifiers 11, 12, 13.
The OS type power transistor is turned on. For example, considering the case where only the first distributed current signal E1 and the first amplified current signal F1 are selected, the first NMOS type power transistor 6 of the first power amplifier 11 is considered.
1 is energized. The first NMOS type power transistor 61 is fully turned on, and the drive current I is applied to the coil 2.
A current path for supplying the negative electrode side current of 1 is formed. here,
In the full-on state of the field effect transistor, a very small voltage drop operation is performed due to the on resistance between the current inflow terminal side and the current outflow terminal side. The negative side current value of the drive current I1 of the coil 2 gradually increases due to the inductance action of the coil. Therefore, the energizing current Ig supplied from the DC power supply 50 also increases, and the current detection signal Ag of the current detector 21 increases. At the moment when the current detection signal Ag becomes larger than the command signal Ad, the comparison output signal Cr of the comparison circuit 331 generates a rising edge, and the state holding circuit 333.
Switching control signal W1 changes to "Hb".

【0042】スイッチング制御信号W1が“Hb”にな
ると、制御トランジスタ341、342、343がオン
になる。その結果、第1のパワー増幅器11、12、1
3の通電制御端子側は同時に直流電源50の負極端子側
に接続され、第1のNMOS型パワートランジスタ6
1、62、63はすべて同時にオフ状態になる。従っ
て、通電電流Igは零になる。ここに、電界効果型トラ
ンジスタのオフ状態とは、電流流入端子側から電流流出
端子側にかけてトランジスタ電流を流さない状態であ
る。このとき、コイル2のインダクタンス作用によっ
て、電力供給端子側の駆動電圧V1がパルス的に大きく
なり、第2のパワー増幅器15の第2のパワーダイオー
ド65dを通る電流路を形成し、コイル2の駆動電流I
1の負極側電流を連続的に流し続ける。その結果、コイ
ル2の駆動電流I1の負極側電流値は徐々に小さくな
る。少しの時間を経過した後に、トリガパルス信号Dp
の次の立ち上がりエッジが到来し、上述のスイッチング
動作を繰り返す。これにより、所定の時間間隔毎に繰り
返し発生するトリガパルス信号Dpによって、第1のパ
ワー増幅器を高周波スイッチング動作させている。な
お、100kHz程度の高周波スイッチング動作を行っ
ているので、コイルの駆動電流の高周波リップル分は非
常に小さい。
When the switching control signal W1 becomes "Hb", the control transistors 341, 342 and 343 are turned on. As a result, the first power amplifiers 11, 12, 1
The energization control terminal side of 3 is simultaneously connected to the negative electrode terminal side of the DC power source 50, and the first NMOS type power transistor 6
1, 62 and 63 are all turned off at the same time. Therefore, the energizing current Ig becomes zero. Here, the off state of the field effect transistor is a state in which no transistor current flows from the current inflow terminal side to the current outflow terminal side. At this time, due to the inductance action of the coil 2, the drive voltage V1 on the power supply terminal side increases in a pulsed manner, forming a current path that passes through the second power diode 65d of the second power amplifier 15, and drives the coil 2. Current I
The negative electrode side current of 1 is continuously supplied. As a result, the negative side current value of the drive current I1 of the coil 2 gradually decreases. After a short time, the trigger pulse signal Dp
Then, the next rising edge arrives and the above switching operation is repeated. As a result, the first power amplifier is caused to perform a high frequency switching operation by the trigger pulse signal Dp which is repeatedly generated at predetermined time intervals. Since the high frequency switching operation of about 100 kHz is performed, the high frequency ripple of the coil drive current is very small.

【0043】このようにして、直流電源50の通電電流
Igを指令信号Adに応動した値にパルス的に制御し、
コイル2、3、4への合成供給電流を指令信号Adに応
動した値に制御する。これにより、コイル2、3、4へ
の連続的な駆動電流を制御する。第1のパワー増幅器の
第1のNMOS型パワートランジスタのオン時の通電電
流は、直流電源50の通電電流Igを超えることはな
い。従って、指令信号Adに応動した第1の供給電流信
号C1を分配増幅して第1のパワー増幅器に供給するこ
とにより、第1のパワー増幅器の第1のパワートランジ
スタを確実にオン状態のスイッチング動作をさせること
ができる。
In this way, the energizing current Ig of the DC power source 50 is controlled in a pulse manner to a value in response to the command signal Ad,
The combined supply current to the coils 2, 3, 4 is controlled to a value in response to the command signal Ad. This controls the continuous drive current to the coils 2, 3, 4. The conduction current when the first NMOS power transistor of the first power amplifier is on does not exceed the conduction current Ig of the DC power supply 50. Therefore, the first supply current signal C1 responsive to the command signal Ad is distributed and amplified and supplied to the first power amplifier, so that the first power transistor of the first power amplifier is reliably turned on. You can

【0044】さらに、移動体1の移動に伴って第1の分
配電流信号を1相分もしくは2相分に交互に滑らかに分
配しているので、電流路の切換は滑らかになる。たとえ
ば、第1の分配電流信号E1、E2および第1の増幅電
流信号F1、F2が通電されている場合を考える。トリ
ガパルス信号Dpの立ち上がりエッジによって状態保持
回路333のスイッチング制御信号W1が“Lb”に変
化した時には、第1のパワー増幅器11の第1のNMO
S型パワートランジスタ61と第1のパワー増幅器12
の第1のNMOS型パワートランジスタ62が通電状態
になる。第1の増幅電流信号F1に応動して第1のNM
OS型パワートランジスタ61はオン状態(フルオン状
態もしくはハーフオン状態)になり、コイル2の駆動電
流I1の負極側電流を供給する電流路を形成する。第1
の増幅電流信号F2に応動して第1のNMOS型パワー
トランジスタ62はオン状態(フルオン状態もしくはハ
ーフオン状態)になり、コイル3の駆動電流I2の負極
側電流を供給する電流路を形成する。
Further, since the first distributed current signal is alternately and smoothly distributed to one phase or two phases as the moving body 1 moves, the switching of the current path becomes smooth. For example, consider a case where the first distributed current signals E1 and E2 and the first amplified current signals F1 and F2 are energized. When the switching control signal W1 of the state holding circuit 333 changes to “Lb” due to the rising edge of the trigger pulse signal Dp, the first NMO of the first power amplifier 11 is generated.
S-type power transistor 61 and first power amplifier 12
The first NMOS power transistor 62 is turned on. In response to the first amplified current signal F1, the first NM
The OS type power transistor 61 is turned on (full on state or half on state) and forms a current path for supplying the negative side current of the drive current I1 of the coil 2. First
In response to the amplified current signal F2, the first NMOS power transistor 62 is turned on (full on state or half on state), and forms a current path for supplying the negative side current of the drive current I2 of the coil 3.

【0045】第1のNMOS型パワートランジスタ61
と62は、少なくともいずれか一方はフルオン状態にな
されている。ここに、電界効果型トランジスタのハーフ
オン状態とは、能動領域において増幅動作を行っている
状態である。特に、パワートランジスタがハーフオン状
態で動作している場合には、パワー増幅器の電界効果型
カレントミラー回路は通電制御端子側への入力電流信号
を所定の電流増幅率で電流増幅動作する。コイル2、3
に供給される駆動電流I1、I2の負極側電流の合成電
流値が、直流電源50の通電電流Igになる。
First NMOS power transistor 61
At least one of and 62 is in a full-on state. Here, the half-on state of the field effect transistor is a state in which the amplification operation is being performed in the active region. In particular, when the power transistor is operating in the half-on state, the field effect current mirror circuit of the power amplifier current-amplifies the input current signal to the energization control terminal side with a predetermined current amplification factor. Coils 2, 3
The combined current value of the negative electrode side currents of the drive currents I1 and I2 supplied to the DC power supply 50 becomes the conduction current Ig of the DC power supply 50.

【0046】コイルのインダクタンス作用によって、通
電電流Igは徐々に大きくなる。電流検出信号Agが指
令信号Adより大きくなると比較出力信号Crが立ち上
がりエッジを発生し、スイッチング制御信号W1が“H
b”に変化し、制御トランジスタ341、342、34
3がオンになる。その結果、第1のパワー増幅器11、
12、13の通電制御端子側は同時に直流電源50の負
極端子側に接続され、第1のNMOS型パワートランジ
スタ61、62、63はすべて同時にオフ状態になる。
従って、通電電流Igは零になる。コイル2のインダク
タンス作用によって、電力供給端子側の駆動電圧V1が
パルス的に大きくなり、第2のパワー増幅器15の第2
のパワーダイオード65dを通る電流路を形成し、コイ
ル2の駆動電流I1の負極側電流を流し続ける。その結
果、コイル2の駆動電流I1の負極側電流値は徐々に小
さくなる。また、コイル3のインダクタンス作用によっ
て、電力供給端子側の駆動電圧V2がパルス的に大きく
なり、第2のパワー増幅器16の第2のパワーダイオー
ド66dを通る電流路を形成し、コイル3の駆動電流I
2の負極側電流を流し続ける。その結果、コイル3の駆
動電流I2の負極側電流値は徐々に小さくなる。少しの
時間を経過した後に、トリガパルス信号Dpの次の立ち
上がりエッジが到来し、上述のスイッチング動作を繰り
返す。このようにして、移動体1の移動動作に伴って第
1の分配電流信号E1、E2および第1の増幅電流信号
F1、F2を変化させ、コイル2、3の駆動電流I1、
I2の負極側電流値を滑らかに変化する。他の相の電流
路の切換動作も同様である。ここで、3相の第1の増幅
電流信号を指令信号Adに比例もしくは略比例して変化
させているので、指令信号Adが変化した場合にも常に
滑らかな電流路の切り換え動作を行うことができる。
The conducting current Ig gradually increases due to the inductance action of the coil. When the current detection signal Ag becomes larger than the command signal Ad, the comparison output signal Cr generates a rising edge and the switching control signal W1 becomes "H".
b ″, and the control transistors 341, 342, 34
3 turns on. As a result, the first power amplifier 11,
The energization control terminal sides of 12 and 13 are simultaneously connected to the negative electrode terminal side of the DC power supply 50, and the first NMOS type power transistors 61, 62 and 63 are all turned off at the same time.
Therefore, the energizing current Ig becomes zero. Due to the inductance action of the coil 2, the drive voltage V1 on the power supply terminal side increases in a pulse manner, and the second power amplifier 15 has a second drive voltage V1.
A current path that passes through the power diode 65d is formed, and the negative side current of the drive current I1 of the coil 2 continues to flow. As a result, the negative side current value of the drive current I1 of the coil 2 gradually decreases. Further, due to the inductance action of the coil 3, the drive voltage V2 on the power supply terminal side increases in a pulsed manner, forming a current path that passes through the second power diode 66d of the second power amplifier 16, and the drive current of the coil 3 is generated. I
Continue to flow the negative electrode side current of 2. As a result, the negative current value of the drive current I2 of the coil 3 gradually decreases. After a short time, the next rising edge of the trigger pulse signal Dp arrives and the above switching operation is repeated. In this way, the first distributed current signals E1 and E2 and the first amplified current signals F1 and F2 are changed in accordance with the moving operation of the moving body 1, and the drive currents I1 and C1 of the coils 2 and 3 are changed.
The current value on the negative electrode side of I2 is changed smoothly. The same applies to the switching operation of the current paths of the other phases. Here, since the three-phase first amplified current signals are changed in proportion to or substantially in proportion to the command signal Ad, a smooth current path switching operation can always be performed even when the command signal Ad changes. it can.

【0047】また、第2の分配器38によって選択分配
された第2の分配電流信号G1、G2、G3および第2
の増幅電流信号H1、H2、H3に応動して、第2のパ
ワー増幅器15、16、17の第2のNMOS型パワー
トランジスタが通電状態になる。たとえば、第2の分配
電流信号G2および第2の増幅電流信号H2のみが選択
されている場合を考えると、第2のパワー増幅器16の
第2のNMOS型パワートランジスタ66が通電状態に
なる。第2のNMOS型パワートランジスタ66はフル
オン状態にされ、コイル3に駆動電流I2の正極側電流
を供給する電流路を形成する。直流電源50の通電電流
Igおよびコイルへの合成供給電流は、すでに説明した
ように、指令信号Adに応動した値に制御されているの
で、コイル3の駆動電流I2の正極側電流も指令信号A
dに応動した値になる。従って、指令信号Adに応動し
て変化する第2の供給電流信号C2を分配増幅した第2
の増幅電流信号を第2のパワー増幅器の通電制御端子側
に供給することにより、第2のパワー増幅器の第2のパ
ワートランジスタを確実にフルオン状態にすることがで
きる。
Further, the second distribution current signals G1, G2, G3 and the second distribution current signals selectively distributed by the second distributor 38.
The second NMOS power transistors of the second power amplifiers 15, 16 and 17 are turned on in response to the amplified current signals H1, H2 and H3. Considering, for example, the case where only the second distributed current signal G2 and the second amplified current signal H2 are selected, the second NMOS power transistor 66 of the second power amplifier 16 is turned on. The second NMOS type power transistor 66 is in the full-on state, and forms a current path for supplying the positive current of the drive current I2 to the coil 3. Since the energizing current Ig of the DC power supply 50 and the combined supply current to the coil are controlled to values in response to the command signal Ad, as described above, the positive side current of the drive current I2 of the coil 3 is also the command signal A.
It becomes a value in response to d. Therefore, the second supply current signal C2 that changes in response to the command signal Ad is distributed and amplified.
By supplying the amplified current signal of 1 to the energization control terminal side of the second power amplifier, the second power transistor of the second power amplifier can be surely brought into the full-on state.

【0048】さらに、移動体1の移動に伴って第2の分
配電流信号を1相分もしくは2相分に交互に滑らかに分
配しているので、電流路の切換は滑らかになる。たとえ
ば、第2の分配電流信号G2、G3および第2の増幅電
流信号H2、H3が通電されている場合を考える。第2
のパワー増幅器16の第2のNMOS型パワートランジ
スタ66と第2のパワー増幅器17の第2のNMOS型
パワートランジスタ67が通電状態になる。第2の増幅
電流信号H2に応動して第2のNMOS型パワートラン
ジスタ66はオン状態(フルオン状態もしくはハーフオ
ン状態)になり、コイル3の駆動電流I2の正極側電流
を供給する。第2の増幅電流信号H3に応動して第2の
NMOS型パワートランジスタ67はオン状態(フルオ
ン状態もしくはハーフオン状態)になり、コイル4の駆
動電流I3の正極側電流を供給する。第2のNMOS型
パワートランジスタ66と67は、少なくともいずれか
一方がフルオン状態になるようにされている。このよう
にして、移動体1の移動動作に伴って第2の分配電流信
号G2、G3および第2の増幅電流信号H2、H3が変
化させ、コイル3、4の駆動電流I2、I3の正極側電
流値を滑らかに変化させる。他の相の電流路の切換動作
も同様である。ここで、3相の第2の増幅電流信号を指
令信号Adに比例もしくは略比例して変化させているの
で、指令信号Adが変化した場合にも常に滑らかな電流
路の切り換え動作を行うことができる。
Further, since the second distributed current signal is alternately and smoothly distributed to one phase or two phases as the moving body 1 moves, the switching of the current path becomes smooth. For example, consider a case where the second distributed current signals G2 and G3 and the second amplified current signals H2 and H3 are energized. Second
The second NMOS power transistor 66 of the power amplifier 16 and the second NMOS power transistor 67 of the second power amplifier 17 are turned on. In response to the second amplified current signal H2, the second NMOS power transistor 66 is turned on (full on state or half on state) and supplies the positive side current of the drive current I2 of the coil 3. In response to the second amplified current signal H3, the second NMOS power transistor 67 is turned on (full on state or half on state) and supplies the positive side current of the drive current I3 of the coil 4. At least one of the second NMOS type power transistors 66 and 67 is set to the full-on state. In this way, the second distributed current signals G2, G3 and the second amplified current signals H2, H3 are changed in accordance with the moving operation of the moving body 1, and the positive sides of the drive currents I2, I3 of the coils 3, 4 are changed. Change the current value smoothly. The same applies to the switching operation of the current paths of the other phases. Here, since the three-phase second amplified current signal is changed in proportion to or substantially in proportion to the command signal Ad, a smooth current path switching operation can always be performed even when the command signal Ad changes. it can.

【0049】図1の第1のパワー増幅器11、12、1
3の第1のNMOS型パワートランジスタ61、62、
63と第2のパワー増幅器15、16、17の第2のN
MOS型パワートランジスタ65、66、67は、指令
器20や電流検出器21やスイッチング制御器22や電
流供給器30や切換作成器34や分配作成器36や第1
の電流増幅器41、42、43や第2の電流増幅器4
5、46、47や高電圧出力器51の所要のトランジス
タや抵抗等の半導体素子と一緒に単一のシリコン基板上
に接合分離して集積回路化されている。図8に集積回路
の構造の一例を示す。P型シリコン基板上に所要のN+
層やN−層やP+層やP−層等を拡散させて各種のトラ
ンジスタを形成している。番号191は、二重拡散され
たNMOS型トランジスタの例であり、第1のNMOS
型パワートランジスタや第2のNMOS型パワートラン
ジスタとして使用する。この二重拡散NMOS型トラン
ジスタの寄生ダイオード素子は、第1のパワーダイオー
ドや第2のパワーダイオードとして使用される。
The first power amplifiers 11, 12, 1 of FIG.
Third NMOS power transistors 61, 62,
63 and the second N of the second power amplifiers 15, 16 and 17
The MOS type power transistors 65, 66, 67 include the command device 20, the current detector 21, the switching controller 22, the current supply device 30, the switching generator 34, the distribution generator 36, and the first generator.
Current amplifiers 41, 42, 43 and the second current amplifier 4
5, 46, 47 and the semiconductor elements such as required transistors and resistors of the high voltage output device 51 are joined and separated on a single silicon substrate to form an integrated circuit. FIG. 8 shows an example of the structure of the integrated circuit. Required N + on P-type silicon substrate
Various transistors are formed by diffusing layers, N− layers, P + layers, P− layers, and the like. Reference numeral 191 is an example of a double-diffused NMOS transistor, which is the first NMOS.
Type power transistor and a second NMOS type power transistor. The parasitic diode element of this double diffusion NMOS type transistor is used as a first power diode or a second power diode.

【0050】番号192は、NPN型バイポーラトラン
ジスタの例であり、信号増幅トランジスタとして使用す
る。番号193は、PNP型バイポーラトランジスタの
例であり、信号増幅トランジスタとして使用する。番号
194は、PチャンネルおよびNチャンネルのCMOS
型電界効果トランジスタの例であり、論理信号処理に使
用する。また、各トランジスタの間は、アース電位(0
V)に接続されたシリコン基板と同電位になるP層によ
って接合分離される。接合分離された集積回路は、誘電
分離された集積回路と比較して、低コストの製造プロセ
スを用いて、小さな1チップ基板上に多数のパワー用ト
ランジスタ素子や信号用トランジスタを高密度に集積化
できる。すなわち、安価に集積回路化できる。なお、具
体的なマスク配置は設計事項であり、詳細な説明を省略
する。次に、図1のモータの全体的な動作について説明
する。切換作成器34は、滑らかに変化する3相の切換
電流信号D1、D2、D3を作りだし、分配作成器36
の第1の分配器37と第2の分配器38に供給する。第
1の分配器37は、3相の第1の分離信号D1n、D2
n、D3nに応動して、第1の供給電流信号C1に比例
した3相の第1の分配電流信号E1、E2、E3を出力
する。第1の電流増幅器41、42、43は、それぞれ
第1の分配電流信号E1、E2、E3を電流増幅した第
1の増幅電流信号F1、F2、F3を出力し、第1のパ
ワー増幅器11、12、13の各通電制御端子側に供給
する。第1のパワー増幅器11、12、13の第1のN
MOS型パワートランジスタ61、62、63は、スイ
ッチング制御器22のスイッチング制御信号W1に応動
した制御パルス信号Y1、Y2、Y3によってオン・オ
フの高周波スイッチング動作する。
Reference numeral 192 is an example of an NPN type bipolar transistor, which is used as a signal amplifying transistor. Reference numeral 193 is an example of a PNP type bipolar transistor, which is used as a signal amplification transistor. Reference numeral 194 is a P-channel and N-channel CMOS
Type field effect transistor, which is used for logic signal processing. In addition, the ground potential (0
The junction is separated by the P layer having the same potential as the silicon substrate connected to V). Junction-separated integrated circuits use a low-cost manufacturing process compared to dielectric-isolated integrated circuits to integrate a large number of power transistor elements and signal transistors on a small single-chip substrate at high density. it can. That is, the integrated circuit can be inexpensively formed. Note that the specific mask layout is a design item, and detailed description thereof will be omitted. Next, the overall operation of the motor shown in FIG. 1 will be described. The switching generator 34 generates three-phase switching current signals D1, D2, D3 that change smoothly, and a distribution generator 36.
To the first distributor 37 and the second distributor 38 of The first distributor 37 includes three-phase first separation signals D1n and D2.
In response to n and D3n, three-phase first distribution current signals E1, E2, E3 proportional to the first supply current signal C1 are output. The first current amplifiers 41, 42, 43 output first amplified current signals F1, F2, F3 obtained by current-amplifying the first distributed current signals E1, E2, E3, respectively, and the first power amplifier 11, It supplies to each energization control terminal side of 12, 13. The first N of the first power amplifiers 11, 12, 13
The MOS type power transistors 61, 62 and 63 perform on / off high frequency switching operation by control pulse signals Y1, Y2 and Y3 in response to the switching control signal W1 of the switching controller 22.

【0051】スイッチング制御信号W1が“Lb”の時
には、第1のパワー増幅器11、12、13はそれぞれ
第1の増幅電流信号F1、F2、F3を電流増幅動作
し、3相のコイル2、3、4に駆動電流I1、I2、I
3の負極側電流を供給する電流路を形成する。スイッチ
ング制御信号W1が“Hb”時には、第1のパワー増幅
器11、12、13の第1のNMOS型パワートランジ
スタ61、62、63はすべてオフになる。このとき、
3相のコイル2、3、4に駆動電流I1、I2、I3の
負極側電流を連続的に供給する電流路は、第2のパワー
増幅器15、16、17の第2のパワーダイオード65
d、66d、67dによって形成される。その結果、第
1のパワー増幅器11、12、13が高周波スイッチン
グ動作しているにもかかわらず、コイルへの駆動電流は
滑らかに変化させることができる。その結果、第1のパ
ワー増幅器11、12、13による電流路の切換動作は
滑らかにできる。
When the switching control signal W1 is "Lb", the first power amplifiers 11, 12, 13 perform current amplification operation on the first amplified current signals F1, F2, F3, respectively, and the three-phase coils 2, 3 are used. Drive currents I1, I2, I
A current path for supplying the negative electrode side current of No. 3 is formed. When the switching control signal W1 is "Hb", all the first NMOS type power transistors 61, 62 and 63 of the first power amplifiers 11, 12 and 13 are turned off. At this time,
The current path for continuously supplying the negative side currents of the drive currents I1, I2, and I3 to the three-phase coils 2, 3, and 4 is the second power diode 65 of the second power amplifiers 15, 16, and 17.
It is formed by d, 66d and 67d. As a result, the drive current to the coil can be changed smoothly even though the first power amplifiers 11, 12, and 13 are performing the high-frequency switching operation. As a result, the switching operation of the current paths by the first power amplifiers 11, 12, 13 can be made smooth.

【0052】電流検出器21は直流電源50の通電電流
Igを検出し、通電電流Igに応動した電流検出信号A
gを出力する。スイッチング制御器22は、指令器20
の指令信号Adと電流検出器21の電流検出信号Agの
両者を比較し、その比較結果に応動してスイッチング制
御信号W1を変化させ、第1のパワー増幅器11、1
2、13の第1のNMOS型パワートランジスタ61、
62、63(および第1のパワー部カレントミラー回
路)を同時にオフさせる。その結果、第1のパワー増幅
器11、12、13の第1のNMOS型パワートランジ
スタ61、62、63のうちで1個もしくは2個の電界
効果型パワートランジスタが単一のパルス信号W1に応
動してオン・オフの高周波スイッチング動作を行ない、
直流電源50の通電電流Igおよびコイルへの合成供給
電流を指令信号Adに応動した値に制御する。なお、電
流供給器30と第1の分配器37と第1の電流増幅器4
1、42、43は第1の分配制御ブロックを形成し、第
1のパワー増幅器11、12、13の第1のNMOS型
パワートランジスタ61、62、63の通電区間を制御
している。なお、上記第1の分配制御ブロックは特許請
求の範囲における第1の制御手段を構成している。
The current detector 21 detects the energizing current Ig of the DC power supply 50 and detects the current detection signal A in response to the energizing current Ig.
Output g. The switching controller 22 is the commander 20.
Command signal Ad and current detection signal Ag of current detector 21 are compared, and switching control signal W1 is changed in response to the comparison result, and first power amplifier 11, 1
2, 13 first NMOS type power transistors 61,
62 and 63 (and the first power section current mirror circuit) are turned off at the same time. As a result, one or two field effect type power transistors of the first NMOS type power transistors 61, 62 and 63 of the first power amplifiers 11, 12 and 13 respond to the single pulse signal W1. High-frequency switching operation of on and off,
The energization current Ig of the DC power supply 50 and the combined supply current to the coil are controlled to values in response to the command signal Ad. In addition, the current supplier 30, the first distributor 37, and the first current amplifier 4
1, 42, 43 form a first distribution control block, and control the energization section of the first NMOS type power transistors 61, 62, 63 of the first power amplifiers 11, 12, 13. The first distribution control block constitutes the first control means in the claims.

【0053】一方、第2の分配器38は、3相の第2の
分離信号D1p、D2p、D3pに応動して、第2の供
給電流信号C2に比例した3相の第2の分配電流信号G
1、G2、G3を出力する。第2の電流増幅器45、4
6、47は、それぞれ第2の分配電流信号G1、G2、
G3を電流増幅した第2の増幅電流信号H1、H2、H
3を出力し、第2のパワー増幅器15、16、17の各
通電制御端子側に供給する。第1のパワー増幅器11、
12、13がオン・オフの高周波スイッチング動作して
いるにもかかわらず、第2のパワー増幅器15、16、
17はそれぞれ第2の増幅電流信号H1、H2、H3を
増幅して出力し、3相のコイル2、3、4に駆動電流I
1、I2、I3の正極側電流を供給する。その結果、第
2のパワー増幅器15、16、17による電流路の切換
動作は滑らかにできる。なお、電流供給器30と第2の
分配器38と第2の電流増幅器45、46、47は第2
の分配制御ブロックを形成し、第2のパワー増幅器1
5、16、17の第2のNMOS型パワートランジスタ
65、66、67の通電区間を制御している。なお、上
記第2の分配制御ブロックは特許請求の範囲における第
2の制御手段を構成している。
On the other hand, the second distributor 38 responds to the three-phase second separation signals D1p, D2p, and D3p to generate a three-phase second distribution current signal proportional to the second supply current signal C2. G
1, G2, G3 are output. Second current amplifier 45, 4
6 and 47 are second distributed current signals G1, G2,
Second amplified current signals H1, H2, H obtained by current amplification of G3
3 is output and supplied to each energization control terminal side of the second power amplifiers 15, 16 and 17. The first power amplifier 11,
Despite the fact that 12 and 13 are performing high-frequency switching operation of on / off, the second power amplifiers 15 and 16,
Reference numeral 17 amplifies and outputs the second amplified current signals H1, H2, and H3, respectively, and outputs the drive current I to the three-phase coils 2, 3, and 4.
The currents on the positive electrode side of 1, I2 and I3 are supplied. As a result, the current path switching operation by the second power amplifiers 15, 16 and 17 can be made smooth. The current supplier 30, the second distributor 38, and the second current amplifiers 45, 46, 47 are the second
Forming a distribution control block of the second power amplifier 1
The conduction sections of the second NMOS type power transistors 65, 66 and 67 of 5, 16, and 17 are controlled. The second distribution control block constitutes second control means in the claims.

【0054】このように、立ち上がり傾斜部分および立
ち下がり傾斜部分において滑らかに変化する3相の第1
の増幅電流信号F1、F2、F3を第1のパワー増幅器
11、12、13の通電制御端子側に供給し、スイッチ
ング制御器22の制御パルス信号Y1、Y2、Y3によ
って第1のパワー増幅器11、12、13の通電制御端
子側をオン・オフのスイッチングした。これにより、第
1のNMOS型パワートランジスタ61、62、63を
単一のスイッチング制御信号W1に応動してオン・オフ
の高周波スイッチング動作させながらも、コイル2、
3、4に供給する駆動電流I1、I2、I3の負極側電
流を滑らかに変化させることができる。
In this way, the first of the three phases that changes smoothly in the rising slope portion and the falling slope portion.
The amplified current signals F1, F2, F3 of the first power amplifier 11, 12, 13 are supplied to the energization control terminal side of the first power amplifiers 11, 12, 13, and the first power amplifier 11, by the control pulse signals Y1, Y2, Y3 of the switching controller 22. The energization control terminal sides of 12 and 13 were switched on and off. As a result, the first NMOS type power transistors 61, 62 and 63 are turned on / off in high frequency switching operation in response to the single switching control signal W1 and the coil 2,
It is possible to smoothly change the negative electrode side currents of the drive currents I1, I2, I3 supplied to 3, 4 respectively.

【0055】また、立ち上がり傾斜部分および立ち下が
り傾斜部分において滑らかに変化する3相の第2の増幅
電流信号H1、H2、H3を第2のパワー増幅器15、
16、17の通電制御端子側に供給した。これにより、
コイル2、3、4への正極側電流を滑らかに変化させる
ことができる。その結果、第1のパワー増幅器11、1
2、13と第2のパワー増幅器15、16、17による
コイル2、3、4への駆動電流I1、I2、I3は脈動
が極めて少ない滑らかな電流波形になる。これにより、
モータの発生駆動力の脈動は大幅に小さくなり、振動・
騒音が少ない高性能なモータを実現できる。
Also, the three-phase second amplified current signals H1, H2, and H3 that change smoothly in the rising slope portion and the falling slope portion are supplied to the second power amplifier 15,
It was supplied to the power supply control terminals 16 and 17. This allows
The current on the positive electrode side to the coils 2, 3, 4 can be changed smoothly. As a result, the first power amplifiers 11, 1
The driving currents I1, I2, I3 to the coils 2, 3, 4 by the second and the third power amplifiers 15, 16, 17 have a smooth current waveform with very few pulsations. This allows
The pulsation of the driving force generated by the motor is greatly reduced,
A high-performance motor with less noise can be realized.

【0056】さらに、3相の第1の増幅電流信号を指令
信号Adに比例もしくは略比例して変化させ、常に適切
な入力電流が第1のパワー増幅器の通電制御端子側に供
給されるようにした。これにより、指令信号Adに応動
してコイルへの駆動電流が変化した場合であっても、滑
らかに変化する駆動電流をコイルに供給でき、常に滑ら
かな電流路の切換動作を実現できる。また、3相の増幅
電流信号を指令信号Adに比例もしくは略比例して変化
させ、常に適切な入力電流が第2のパワー増幅器の通電
制御端子側に供給されるようにした。これにより、指令
信号Adに応動してコイルへの駆動電流が変化した場合
であっても、滑らかに変化する駆動電流をコイルに供給
でき、常に滑らかな電流路の切換動作を実現できる。ま
た、第1の分配器37と第2の分配器38の動作によっ
て、同一相の第1の分配電流信号と第2の分配電流信号
は相補的に流れるので、第1のパワー増幅器の第1のN
MOS型パワートランジスタと第2のパワー増幅器の第
2のNMOS型パワートランジスタも相補的に動作す
る。従って、滑らかに連続的に変化する両方向の駆動電
流がコイルに供給され、かつ、同一相の第1のパワート
ランジスタと第2のパワートランジスタによる短絡電流
は生じない。
Further, the three-phase first amplified current signals are changed in proportion to or substantially in proportion to the command signal Ad so that an appropriate input current is always supplied to the energization control terminal side of the first power amplifier. did. As a result, even when the drive current to the coil changes in response to the command signal Ad, a smoothly changing drive current can be supplied to the coil, and a smooth current path switching operation can be realized. Further, the three-phase amplified current signals are changed in proportion to or substantially in proportion to the command signal Ad so that an appropriate input current is always supplied to the energization control terminal side of the second power amplifier. As a result, even when the drive current to the coil changes in response to the command signal Ad, a smoothly changing drive current can be supplied to the coil, and a smooth current path switching operation can be realized. Further, the first distributor 37 and the second distributor 38 operate so that the first distribution current signal and the second distribution current signal of the same phase flow complementarily to each other, so that the first power amplifier of the first power amplifier 1 N
The MOS type power transistor and the second NMOS type power transistor of the second power amplifier also operate complementarily. Therefore, a smoothly and continuously changing drive current in both directions is supplied to the coil, and a short circuit current due to the first power transistor and the second power transistor in the same phase does not occur.

【0057】本実施例では、第1のパワー増幅器の第1
のNMOS型パワートランジスタをオン・オフの高周波
スイッチング動作させているので、第1のパワー増幅器
の電力損失は小さい。第2のパワー増幅器の第2のNM
OS型パワートランジスタをオン動作させているので、
第2のパワー増幅器の電力損失は小さい。従って、電力
効率の非常に良いモータになる。また、第1の増幅電流
信号や第2の増幅電流信号を指令信号Adに応動して変
化させているので、第1のパワー増幅器や第2のパワー
増幅器への入力電流による電力損失も小さくしている。
In this embodiment, the first power amplifier
Since the NMOS type power transistor of (1) is turned on and off at high frequency, the power loss of the first power amplifier is small. Second NM of second power amplifier
Since the OS type power transistor is turned on,
The power loss of the second power amplifier is small. Therefore, the motor is very power efficient. Moreover, since the first amplified current signal and the second amplified current signal are changed in response to the command signal Ad, the power loss due to the input current to the first power amplifier and the second power amplifier can be reduced. ing.

【0058】また、本実施例では、立ち上がり傾斜部分
や立ち下がり傾斜部分において滑らかに変化する3相の
第1の増幅電流信号F1、F2、F3(第1の3相の電
流信号)を3個の第1のパワー増幅器の通電制御端子側
に供給した。これにより、第1のパワー増幅器11、1
2、13の第1のNMOS型パワートランジスタ61、
62、63のうちで1個もしくは2個の第1のNMOS
型パワートランジスタをオン・オフの高周波スイッチン
グ動作させながらも、コイル2、3、4への駆動電流I
1、I2、I3の負極側電流を滑らかに変化させた。同
様に、立ち上がり傾斜部分や立ち下がり傾斜部分におい
て滑らかに変化する3相の第2の増幅電流信号H1、H
2、H3(第2の3相の電流信号)を3個の第2のパワ
ー増幅器の通電制御端子側に供給した。これにより、第
2のパワー増幅器15、16、17の第2のNMOS型
パワートランジスタ65、66、67のうちで1個もし
くは2個の第2のNMOS型パワートランジスタをオン
動作させながらも、コイル2、3、4への駆動電流I
1、I2、I3の正極側電流を滑らかに変化させた。
Further, in the present embodiment, three three-phase first amplified current signals F1, F2, F3 (first three-phase current signals) that change smoothly in the rising slope portion and the falling slope portion are used. Was supplied to the energization control terminal side of the first power amplifier. Thereby, the first power amplifiers 11, 1
2, 13 first NMOS type power transistors 61,
One or two first NMOSs of 62 and 63
Current I to the coils 2, 3 and 4 while the high frequency switching operation of the power transistor is turned on and off.
The negative electrode side currents of 1, I2 and I3 were changed smoothly. Similarly, three-phase second amplified current signals H1 and H that smoothly change in the rising slope portion and the falling slope portion.
2, H3 (second three-phase current signals) were supplied to the energization control terminals of the three second power amplifiers. As a result, one or two second NMOS type power transistors of the second NMOS type power transistors 65, 66, 67 of the second power amplifiers 15, 16, 17 are turned on while the coil is turned on. Drive current I to 2, 3, 4
The positive electrode side currents of 1, I2 and I3 were changed smoothly.

【0059】これにより、電流路の切換動作を滑らかに
でき、駆動電流の脈動を小さくし、発生駆動力の脈動や
モータ振動を著しく低減した。また、第1の3相の電流
信号や第2の3相の電流信号の少なくとも傾斜部分を指
令信号Adに応動して変化させることにより、モータ負
荷に応動して指令信号Adが変化した場合でも常に滑ら
かな電流路の切換動作を実現できる。なお、パワー増幅
器の通電制御端子側に供給する電流信号は、実質的に滑
らかに変化する電流信号で有れば良く、たとえば、階段
状のステップ的もしくは段階状のディジタル的に値を変
化させる電流信号であっても良い。また、立ち上がり傾
斜部分と立ち下がり傾斜部分と平坦部分などのなかで、
少なくとも立ち上がり傾斜部分および/または立ち下が
り傾斜部分において実質的に滑らかに変化する電流信号
をパワー増幅器の通電制御端子側に供給することによ
り、電流路の切換動作を滑らかにできる。
As a result, the switching operation of the current path can be made smooth, the pulsation of the drive current is reduced, and the pulsation of the generated driving force and the motor vibration are significantly reduced. Further, even when the command signal Ad changes in response to the motor load by changing at least the inclined portion of the first three-phase current signal or the second three-phase current signal in response to the command signal Ad. A smooth current path switching operation can always be realized. The current signal supplied to the energization control terminal side of the power amplifier may be a current signal that changes substantially smoothly. For example, a current that changes its value stepwise in steps or digitally in steps. It may be a signal. In addition, among rising slope part, falling slope part and flat part,
The current path switching operation can be smoothed by supplying a current signal that changes substantially smoothly at least at the rising slope portion and / or the falling slope portion to the energization control terminal side of the power amplifier.

【0060】また、本実施例では、電流検出器21は直
流電源50の通電電流Igに応動した電流検出信号Ag
を得ている。従って、電流検出器21の電流検出信号A
gは3相のコイルへの合成供給電流(駆動電流I1、I
2、I3の負極側電流もしくは正極側電流の合成値)に
対応して変化する。スイッチング制御器22は指令信号
Adと電流検出器21の出力信号Agを比較し、その比
較結果に応動して第1のパワー増幅器11、12、13
の第1のNMOS型パワートランジスタ61、62、6
3をオン・オフのパルス的な高周波スイッチング動作さ
せる。すなわち、トリガパルス信号Dpの繰り返しタイ
ミングにおいてスイッチング制御器22のスイッチング
制御信号W1を“Lb”に変化させ、第1の3相電流信
号F1、F2、F3に応動して第1のパワー増幅器の第
1のNMOS型パワートランジスタを通電状態に変化さ
せる。
Further, in the present embodiment, the current detector 21 uses the current detection signal Ag in response to the current Ig of the DC power source 50.
Is getting Therefore, the current detection signal A of the current detector 21
g is a combined supply current (driving current I1, I
2, I3 corresponding to the negative side current or the positive side current). The switching controller 22 compares the command signal Ad with the output signal Ag of the current detector 21 and, in response to the comparison result, the first power amplifiers 11, 12, 13
First NMOS type power transistors 61, 62, 6
3 is turned on / off in a pulse-like high frequency switching operation. That is, the switching control signal W1 of the switching controller 22 is changed to "Lb" at the repetition timing of the trigger pulse signal Dp, and in response to the first three-phase current signals F1, F2, F3, The NMOS type power transistor No. 1 is turned on.

【0061】電流検出器21の出力信号Agが指令信号
Adよりも大きくなった瞬間に、スイッチング制御器2
2のスイッチング制御信号W1を“Hb”に変化させ、
3個の第1のパワー増幅器11、12、13の第1のN
MOS型パワートランジスタ61、62、63を同時に
オフ状態にする。これにより、1相もしくは2相のコイ
ルに負極側の駆動電流を供給しながらも、指令信号Ad
に応動して通電電流Igを制御でき、モータの発生駆動
力を指令信号Adに応動した値に正確に制御できる。ま
た、指令信号Adと電流検出器21の出力信号Agの比
較結果に応動した単一のパルス信号(スイッチング制御
信号W1)により、3個の第1のパワー増幅器を同時に
オン・オフの高周波スイッチング動作をさせた。これに
より、極めて簡素な構成によって、3相コイルへの駆動
電流の正確な制御を実現した。すなわち、全体構成が極
めて簡素になる。また、高周波スイッチングのタイミン
グを決めるパルス信号が1個であるから、検出タイミン
グの管理が簡単であり、電流検出動作および電流制御動
作が安定になる。なお、スイッチング制御器22と電流
検出器21は、パワー増幅器のスイッチング動作を制御
するスイッチング動作ブロックを形成している。
At the moment when the output signal Ag of the current detector 21 becomes larger than the command signal Ad, the switching controller 2
2 switching control signal W1 is changed to "Hb",
The first N of the three first power amplifiers 11, 12, 13
The MOS type power transistors 61, 62, 63 are simultaneously turned off. As a result, the command signal Ad is supplied while the negative-side drive current is supplied to the one-phase or two-phase coil.
It is possible to control the energizing current Ig in response to, and to accurately control the generated driving force of the motor to a value corresponding to the command signal Ad. Further, the single pulse signal (switching control signal W1) responding to the result of comparison between the command signal Ad and the output signal Ag of the current detector 21 turns on / off the three first power amplifiers at the same time. I was allowed to. As a result, accurate control of the drive current to the three-phase coil was realized with an extremely simple configuration. That is, the entire configuration becomes extremely simple. Further, since there is only one pulse signal that determines the timing of high frequency switching, the management of the detection timing is simple and the current detection operation and the current control operation are stable. The switching controller 22 and the current detector 21 form a switching operation block that controls the switching operation of the power amplifier.

【0062】本実施例では、集積回路化に好適のモータ
構成になっている。パワー素子としてパワートランジス
タとその寄生素子として形成されるパワーダイオードを
使用して構成しているので、部品点数が少なく、これら
のパワー素子を小さなチップ上に集積回路化することが
可能である。また、指令器20、電流検出器21、スイ
ッチング制御器22、電流供給器30、切換作成器3
4、分配作成器36(第1の分配器37と第2の分配器
38)、3個の第1の電流増幅器41、42、43、3
個の第2の電流増幅器45、46、47、高電圧出力器
51の所要のトランジスタや抵抗等の半導体素子を、パ
ワートランジスタと同一チップ上に集積回路化できる。
In this embodiment, the motor structure is suitable for integration into an integrated circuit. Since a power transistor and a power diode formed as a parasitic element thereof are used as power elements, the number of components is small, and these power elements can be integrated on a small chip. Further, the commander 20, the current detector 21, the switching controller 22, the current supplier 30, and the switching generator 3
4, distribution generator 36 (first distributor 37 and second distributor 38), three first current amplifiers 41, 42, 43, 3
The semiconductor elements such as required transistors and resistors of the second current amplifiers 45, 46, 47 and the high voltage output device 51 can be integrated on the same chip as the power transistor.

【0063】また、各パワー素子における発熱を極めて
小さくしているので、集積回路化に適した構成になって
いる。すなわち、第1のNMOS型パワートランジスタ
をオン・オフの高周波スイッチング動作させ、第2のN
MOS型パワートランジスタをオン動作させているの
で、第1のNMOS型パワートランジスタや第2のNM
OS型パワートランジスタや第1のパワーダイオードや
第2のパワーダイオードにおける電力損失・発熱が極め
て小さい。従って、これらのパワー素子を1チップに集
積回路化しても、熱破壊が生じることはない。また、放
熱板等の発熱対策は不要である。
Further, since the heat generation in each power element is made extremely small, it has a structure suitable for integration into an integrated circuit. That is, the first NMOS power transistor is turned on / off in a high frequency switching operation, and the second N type power transistor is turned on / off.
Since the MOS type power transistor is turned on, the first NMOS type power transistor and the second NM
Power loss and heat generation in the OS type power transistor, the first power diode, and the second power diode are extremely small. Therefore, thermal destruction does not occur even if these power elements are integrated into one chip. In addition, it is not necessary to take measures against heat generation such as a heat sink.

【0064】また、本実施例では、接合分離部分に形成
される寄生トランジスタ素子の動作を防止し、集積回路
化に適した構成にしている。図8に示したような接合分
離技術を用いた集積回路は、高密度集積に適した低コス
トのICを実現できる。しかし、直流電源の負極端子側
(アース電位)に接続された接合分離部分をベース端子
とする多数の寄生トランジスタ素子が形成される欠点が
ある。通常、これらの寄生トランジスタが動作しないよ
うに、逆バイアスされている。しかし、集積されたトラ
ンジスタの端子電位がアース電位よりもダイオードの順
方向電圧分低くなると、寄生トランジスタが動作し、他
の集積されたトランジスタから電流を抜き取る現象が生
じる。モータのように、インダクタンス作用を有するコ
イルに大電流を供給する用途では、寄生トランジスタが
動作すると、集積トランジスタの働きを著しく妨害する
恐れがある。特に、コイルに電流を供給するパワートラ
ンジスタをオン・オフの高周波スイッチングを行わせる
場合には、コイル電圧がパルス的に暴れやすく、寄生ト
ランジスタが動作しやすい。
Further, in this embodiment, the operation of the parasitic transistor element formed in the junction isolation portion is prevented, and the structure suitable for integration into an integrated circuit is provided. The integrated circuit using the junction separation technique as shown in FIG. 8 can realize a low-cost IC suitable for high-density integration. However, there is a drawback in that a large number of parasitic transistor elements having a junction isolation portion connected to the negative terminal side (ground potential) of the DC power source as a base terminal are formed. Normally, these parasitic transistors are reverse biased so that they do not operate. However, when the terminal potential of the integrated transistor becomes lower than the ground potential by the forward voltage of the diode, the parasitic transistor operates, and a phenomenon occurs in which current is extracted from other integrated transistors. In an application such as a motor for supplying a large current to a coil having an inductance effect, the operation of the parasitic transistor may significantly disturb the operation of the integrated transistor. In particular, when the power transistor that supplies a current to the coil is subjected to high-frequency switching of on / off, the coil voltage is likely to be pulsed and the parasitic transistor is likely to operate.

【0065】これに対して、本実施例では、第1のパワ
ー増幅器の第1のNMOS型パワートランジスタのみを
オン・オフの高周波スイッチング動作させ、コイルに電
流を供給する構成にした。第1のNMOS型パワートラ
ンジスタの電流流出端子側は直流電源の負極端子側に接
続されているので、高周波スイッチング動作を行わせて
も、第1のNMOS型パワートランジスタの電流流入端
子側電位および電流流出端子側電位はアース電位以下に
ならない。また、第1のNMOS型パワートランジスタ
の電流流入端子側電位は直流電源50の正極端子電位以
上になるが、集積トランジスタの動作を妨害する寄生ト
ランジスタの動作は起こらない。従って、第1のNMO
S型パワートランジスタが高周波スイッチングを行って
も、安定な回路動作を得ることができる。また、第2の
パワー増幅器の第2のNMOS型パワートランジスタは
電流路を滑らかに切り換えている。従って、第2のNM
OS型パワートランジスタによる電流路の切換動作を行
っても、コイルの各電力供給端子側電位は直流電源50
の負極端子側電位以下にならない。
On the other hand, in this embodiment, only the first NMOS type power transistor of the first power amplifier is turned on / off in a high frequency switching operation to supply a current to the coil. Since the current outflow terminal side of the first NMOS power transistor is connected to the negative electrode terminal side of the DC power supply, even if a high frequency switching operation is performed, the current inflow terminal side potential and current of the first NMOS power transistor The potential on the outflow terminal side does not fall below the ground potential. Further, the electric potential on the current inflow terminal side of the first NMOS power transistor becomes higher than the electric potential of the positive electrode terminal of the DC power supply 50, but the operation of the parasitic transistor which hinders the operation of the integrated transistor does not occur. Therefore, the first NMO
Even if the S-type power transistor performs high frequency switching, stable circuit operation can be obtained. The second NMOS power transistor of the second power amplifier smoothly switches the current path. Therefore, the second NM
Even when the current path switching operation is performed by the OS type power transistor, the potential of each power supply terminal of the coil is the DC power source 50.
Does not fall below the negative terminal potential.

【0066】従って、第1のパワー増幅器の第1のNM
OS型パワートランジスタや第2のパワー増幅器の第2
のNMOS型パワートランジスタによる電流路の切換動
作や高周波スイッチング動作を行っても、寄生トランジ
スタによる妨害動作は生じない。その結果、第1のNM
OS型パワートランジスタや第2のNMOS型パワート
ランジスタを他のトランジスタと一緒に1チップの集積
回路化しても、集積回路内のトランジスタを安定に回路
動作させることができる。これにより、3相のコイルへ
の電流路を電子的に滑らかに切り換えるモータの回路部
分を、寄生トランジスタ素子による妨害動作を心配する
ことなく、1チップのシリコン基板上に集積回路化する
ことが可能になる。
Therefore, the first NM of the first power amplifier
The second of the OS type power transistor and the second power amplifier
Even if the switching operation of the current path or the high-frequency switching operation by the NMOS type power transistor is performed, the disturbing operation by the parasitic transistor does not occur. As a result, the first NM
Even if the OS type power transistor and the second NMOS type power transistor are integrated with other transistors into a one-chip integrated circuit, the transistors in the integrated circuit can be stably operated. As a result, the circuit part of the motor that electronically switches the current paths to the three-phase coils can be integrated on a single-chip silicon substrate without worrying about the disturbing operation by the parasitic transistor element. become.

【0067】また、本実施例では、第1のパワー増幅器
を第1の電界効果型パワー部カレントミラー回路によっ
て構成し、第2のパワー増幅器を第2の電界効果型パワ
ー部カレントミラー回路によって構成し、第1のパワー
増幅器11、12、13と第2のパワー増幅器15、1
6、17の電流増幅率のばらつきを大幅に小さくした。
また、切換信号に応動して滑らかに変化する第1の3相
の電流信号F1、F2、F3を作りだし、立ち上がり傾
斜部分と立ち下がり傾斜部分と平坦部分などのなかで、
少なくとも立ち上がり傾斜部分および/または立ち下が
り傾斜部分において実質的に滑らかに変化する第1の3
相の電流信号F1、F2、F3を、3個の第1のパワー
増幅器11、12、13の通電制御端子側に供給した。
Further, in the present embodiment, the first power amplifier is composed of the first field effect type power section current mirror circuit, and the second power amplifier is composed of the second field effect type power section current mirror circuit. The first power amplifiers 11, 12, 13 and the second power amplifiers 15, 1
The variations in the current amplification factors of 6 and 17 were significantly reduced.
In addition, the first three-phase current signals F1, F2, and F3 that smoothly change in response to the switching signal are generated, and among the rising slope portion, the falling slope portion, and the flat portion,
A first three that changes substantially smoothly at least in the rising slope portion and / or the falling slope portion.
The phase current signals F1, F2, F3 were supplied to the energization control terminal sides of the three first power amplifiers 11, 12, 13.

【0068】また、切換信号に応動して滑らかに変化す
る第2の3相の電流信号H1、H2、H3を作りだし、
立ち上がり傾斜部分と立ち下がり傾斜部分と平坦部分な
どのなかで、少なくとも立ち上がり傾斜部分および/ま
たは立ち下がり傾斜部分において実質的に滑らかに変化
する第2の3相の電流信号H1、H2、H3を、3個の
第2のパワー増幅器15、16、17の通電制御端子側
に供給した。これにより、第1のパワー増幅器の第1の
電界効果型パワートランジスタ61、62、63をオン
・オフの高周波スイッチング動作させながらも、3個の
第1の電界効果型パワートランジスタ61、62、63
および3個の第2の電界効果型パワートランジスタ6
5、66、67による電流路の切換動作を滑らかに行わ
せた。その結果、駆動電流の脈動やモータ振動や騒音は
著しく小さくできた。なお、電界効果型パワートランジ
スタを集積回路化することにより、電界効果型パワー部
カレントミラー回路の電流増幅率のばらつきをさらに低
減できる。また、第1のパワー増幅器と第1の分配制御
ブロックの合成伝達利得および第2のパワー増幅器と第
2の分配制御ブロックの合成伝達利得のばらつきが小さ
くなる利点もある。
Further, the second three-phase current signals H1, H2, H3 that smoothly change in response to the switching signal are produced.
Among the rising slope portion, the falling slope portion, the flat portion, etc., the second three-phase current signals H1, H2, H3 that change substantially smoothly at least in the rising slope portion and / or the falling slope portion, The power was supplied to the energization control terminal side of the three second power amplifiers 15, 16 and 17. As a result, the three first field-effect power transistors 61, 62, 63 are operated while the first field-effect power transistors 61, 62, 63 of the first power amplifier are switched on and off at high frequencies.
And three second field effect power transistors 6
The switching operation of the current paths by 5, 66 and 67 was smoothly performed. As a result, the pulsation of drive current, motor vibration, and noise were significantly reduced. By integrating the field effect power transistor into an integrated circuit, it is possible to further reduce the variation in the current amplification factor of the field effect power current mirror circuit. There is also an advantage that variations in the combined transmission gain of the first power amplifier and the first distribution control block and the combined transmission gain of the second power amplifier and the second distribution control block are reduced.

【0069】また、指令信号Adに応動して電流供給器
30の第1の供給電流信号C1と第2の供給電流信号C
2を変化させることにより、第1の3相の電流信号や第
2の3相の電流信号を指令信号Adに応動して変化させ
た。これにより、3個の第1のNMOS型パワートラン
ジスタのうちで少なくとも1個の第1のNMOS型パワ
ートランジスタをフルオン状態とオフ状態の高周波スイ
ッチング動作させながらも、滑らかに電流路の切換動作
を行わせることができた。また、3個の第2のNMOS
型パワートランジスタのうちで少なくとも1個の第2の
NMOS型パワートランジスタを確実にフルオン動作さ
せながらも、滑らかに電流路の切換動作を行わせること
ができた。このように構成することにより、指令信号A
dに応動した起動時の大電流供給時であっても定常制御
時の小電流供給時であっても、実質的に滑らかに変化す
る適切な傾斜部分を持った第1の3相の電流信号を第1
のパワー増幅器の通電制御端子側に供給でき、実質的に
滑らかに変化する適切な傾斜部分を持った第2の3相の
電流信号を第2のパワー増幅器の通電制御端子側に供給
できる。
Further, in response to the command signal Ad, the first supply current signal C1 and the second supply current signal C of the current supply unit 30 are supplied.
By changing 2, the current signals of the first three phases and the current signals of the second three phases are changed in response to the command signal Ad. Accordingly, at least one first NMOS power transistor among the three first NMOS power transistors performs a high-frequency switching operation in a full-on state and an off state, while smoothly performing a current path switching operation. I was able to make it. Also, three second NMOSs
Among the type power transistors, at least one second NMOS type power transistor could be surely fully turned on, while smoothly switching the current path. With this configuration, the command signal A
The current signal of the first three phases having an appropriate slope portion that changes substantially smoothly, even when a large current is supplied at the time of startup in response to d or a small current is supplied during steady control. The first
Can be supplied to the energization control terminal side of the power amplifier, and can be supplied to the energization control terminal side of the second power amplifier with the second three-phase current signal having an appropriate inclined portion that changes substantially smoothly.

【0070】その結果、脈動の少ない駆動電流をコイル
に供給でき、発生駆動力の脈動は著しく小さくなる。な
お、滑らかな電流路の切り換えを行うためには、第1の
3相の電流信号F1、F2、F3のそれぞれの角度幅を
電気角で120度よりも広くすることが重要であり、1
80度もしくは略180度にすることが最も好ましい。
しかし、150度以上でも効果はある。また、滑らかな
電流路の切り換えを行うためには、第2の3相の電流信
号H1、H2、H3のそれぞれの角度幅を電気角で12
0度よりも広くすることが重要であり、180度もしく
は略180度にすることが最も好ましい。しかし、15
0度以上でも効果はある。
As a result, a driving current with a small pulsation can be supplied to the coil, and the pulsation of the generated driving force becomes extremely small. In order to smoothly switch the current paths, it is important to make the angular width of each of the first three-phase current signals F1, F2, and F3 wider than 120 electrical degrees.
Most preferably, it is 80 degrees or approximately 180 degrees.
However, it is effective even at 150 degrees or more. In order to smoothly switch the current path, the angular width of each of the second three-phase current signals H1, H2, and H3 is 12 electrical degrees.
It is important to make it wider than 0 degree, and it is most preferable to set it to 180 degrees or approximately 180 degrees. But 15
It is effective even at 0 degrees or more.

【0071】さらに、本実施例では、第1相目を形成す
る第1の3相の電流信号F1と第2の3相の電流信号H
1は電気角で180度の位相差を有し、相補的に流れる
ようになっている。第2相目を形成する第1の3相の電
流信号F2と第2の3相の電流信号H2についても同様
であり、第3相目を形成する第1の3相の電流信号F3
と第2の3相の電流信号H3についても同様である。こ
れにより、同一相の第1のパワー増幅器と第2のパワー
増幅器が同時に通電状態になることが生じない。その結
果、短絡電流が発生しないので、パワートランジスタの
電流破壊や熱破壊は生じない。
Further, in this embodiment, the first three-phase current signal F1 and the second three-phase current signal H forming the first phase are used.
Reference numeral 1 denotes an electrical angle having a phase difference of 180 degrees, and flows in a complementary manner. The same applies to the first three-phase current signal F2 forming the second phase and the second three-phase current signal H2, and the first three-phase current signal F3 forming the third phase.
The same applies to the second three-phase current signal H3. This prevents the first power amplifier and the second power amplifier of the same phase from being energized at the same time. As a result, a short circuit current does not occur, so that neither current destruction nor thermal destruction of the power transistor occurs.

【0072】なお、本実施例では、第1のパワー増幅器
11、12、13と第2のパワー増幅器15、16、1
7と指令器20と電流検出器21とスイッチング制御器
22と電流供給器30と切換作成器34と分配作成器3
6(第1の分配器37と第2の分配器38)と第1の電
流増幅器41、42、43と第2の電流増幅器45、4
6、47と高電圧出力器51によって、3相の負荷(コ
イル2、3、4)への駆動電流を供給する駆動回路を形
成している。また、本実施例の切換作成器34は、2個
の磁電変換素子を使用して3相の位置検出信号を得る位
置検出部100を含んで構成した。しかし、3個の磁電
変換素子を用いても構成できる。また、そのような検出
素子を用いることなく、たとえば、コイル2、3、4に
生じる逆起電力を利用して切換信号D1、D2、D3を
作り出しても良い。
In this embodiment, the first power amplifiers 11, 12, 13 and the second power amplifiers 15, 16, 1 are used.
7, command device 20, current detector 21, switching controller 22, current supply device 30, switching generator 34, and distribution generator 3
6 (first distributor 37 and second distributor 38), first current amplifiers 41, 42, 43 and second current amplifiers 45, 4
6, 47 and the high voltage output device 51 form a drive circuit for supplying a drive current to the three-phase loads (coils 2, 3, 4). In addition, the switching generator 34 of the present embodiment is configured to include the position detection unit 100 that obtains a three-phase position detection signal by using two magnetoelectric conversion elements. However, it can be configured by using three magnetoelectric conversion elements. Alternatively, the switching signals D1, D2, D3 may be generated by using the counter electromotive force generated in the coils 2, 3, 4 without using such a detection element.

【0073】また、第1の3相の電流信号F1、F2、
F3もしくは第2の3相の電流信号H1、H2、H3
は、立ち上がり傾斜部分や立ち下がり傾斜部分において
実質的に時間的に傾斜を持って切り換わればよい。これ
により、駆動電流I1、I2、I3も立ち上がり傾斜部
分や立ち下がり傾斜部分において時間的に傾斜を持って
滑らかに電流路を切り換えていく。さらに、駆動電流の
極性が変化する時に連続的に電流値を変化させることが
好ましいが、同一相の第1の3相の電流信号と第2の3
相の電流信号が同時に零になる期間があり、その相の駆
動電流を零にする時間が存在してもかまわない。しか
し、各第1のNMOS型パワートランジスタの通電角度
幅を電気角で120度よりも大きくし(好ましくは15
0度以上)、2個の第1のNMOS型パワートランジス
タが同時に通電状態になる期間を設けることにより、モ
ータ振動は小さくなる。また、各第2のNMOS型パワ
ートランジスタの通電角度幅を電気角で120度よりも
大きくし(好ましくは150度以上)、2個の第2のN
MOS型パワートランジスタが同時に通電状態になる期
間を設けることにより、モータ振動は小さくなる。この
とき、各第1のNMOS型パワートランジスタの通電角
度幅を180度に等しくもしくは略等しくすることが、
最も好ましい。また、各第2のNMOS型パワートラン
ジスタの通電角度幅を180度に等しくもしくは略等し
くすることが、最も好ましい。
The first three-phase current signals F1, F2,
F3 or second three-phase current signals H1, H2, H3
May be switched with a substantially temporal inclination in the rising slope portion and the falling slope portion. As a result, the drive currents I1, I2, and I3 also switch the current paths smoothly with a temporal gradient in the rising slope portion and the falling slope portion. Furthermore, it is preferable to continuously change the current value when the polarity of the drive current changes, but the current signals of the first three phases of the same phase and the second three-phase current signals are used.
There is a period in which the phase current signals become zero at the same time, and there may be a time in which the phase drive current becomes zero. However, the conduction angle width of each first NMOS power transistor is set to be larger than 120 degrees in electrical angle (preferably 15 degrees).
The motor vibration is reduced by providing a period in which the two first NMOS type power transistors are simultaneously energized (0 degrees or more). Further, the conduction angle width of each second NMOS type power transistor is set to be larger than 120 degrees in electrical angle (preferably 150 degrees or more) and two second N-type power transistors are provided.
By providing a period in which the MOS type power transistors are simultaneously energized, motor vibration is reduced. At this time, making the conduction angle width of each first NMOS power transistor equal to or substantially equal to 180 degrees,
Most preferred. Further, it is most preferable that the conduction angle width of each second NMOS type power transistor is equal to or substantially equal to 180 degrees.

【0074】また、本実施例において、第1のパワー増
幅器11、12、13や第2のパワー増幅器15、1
6、17は図1に示された構成に限らず、種々の変形が
可能である。たとえば、第1のパワー増幅器11、1
2、13や第2のパワー増幅器15、16、17のそれ
ぞれの代わりに、図10に示した構成のパワー増幅器4
50を使用しても良い。パワー増幅器450は電界効果
型パワートランジスタ451とパワーダイオード451
dと電界効果型トランジスタ452と抵抗453を有
し、電界効果型パワー部カレントミラー回路を含んで構
成されている。この電界効果型パワー部カレントミラー
回路は、電界効果型パワートランジスタ451の制御端
子側が電界効果型トランジスタ452の制御端子側に
(直接あるいは例えば抵抗などの何らかの要素を介し
て)接続され、電界効果型トランジスタ452の電流路
端子対の一方の端子側が電界効果型パワートランジスタ
451の電流路端子対の一方の端子側に抵抗453を介
して接続され、電界効果型トランジスタ452の電流路
端子対のもう一方の端子側がパワー増幅器450の通電
制御端子側に(直接あるいは何らかの要素を介して)接
続され、かつ電界効果型トランジスタ452の制御端子
側がパワー増幅器452の通電制御端子側に(直接ある
いは何らかの要素を介して)接続されるように構成され
ている。この電界効果型パワー部カレントミラー回路
は、通電制御端子側への入力電流が小さい時から大きな
電流増幅率を有し、パワー増幅器への入力電流を小さく
できる利点がある。
In the present embodiment, the first power amplifiers 11, 12, 13 and the second power amplifiers 15, 1 are also provided.
6 and 17 are not limited to the configuration shown in FIG. 1, but various modifications are possible. For example, the first power amplifier 11, 1
2 and 13 and second power amplifiers 15, 16 and 17, respectively, instead of the power amplifier 4 having the configuration shown in FIG.
50 may be used. The power amplifier 450 includes a field effect power transistor 451 and a power diode 451.
d, a field effect transistor 452, and a resistor 453, and is configured to include a field effect power section current mirror circuit. In this field effect type current mirror circuit, the control terminal side of the field effect type power transistor 451 is connected (directly or via some element such as a resistor) to the control terminal side of the field effect type transistor 452, and One terminal side of the current path terminal pair of the transistor 452 is connected to one terminal side of the current path terminal pair of the field effect power transistor 451 via the resistor 453, and the other terminal side of the current path terminal pair of the field effect transistor 452 is connected. Is connected (directly or via some element) to the power control terminal side of the power amplifier 450, and the control terminal side of the field effect transistor 452 is connected to the power control terminal side of the power amplifier 452 (directly or via some element). Are configured to be connected. This field effect type power section current mirror circuit has a large current amplification factor even when the input current to the energization control terminal side is small, and has an advantage that the input current to the power amplifier can be made small.

【0075】また、たとえば、図11に示した構成のパ
ワー増幅器460を使用しても良い。パワー増幅器46
0はNMOS型パワートランジスタ461とパワーダイ
オード461dとNMOS型トランジスタ462と抵抗
463を有し、電界効果型パワー部カレントミラー回路
を含んで構成されている。電界効果型パワー部カレント
ミラー回路は、電界効果型パワートランジスタ461の
制御端子側が電界効果型トランジスタ462の制御端子
側に(直接あるいは何らかの要素を介して)接続され、
電界効果型トランジスタ462の電流路端子対の一方の
端子側がパワー増幅器460の通電制御端子側に抵抗4
63を介して接続され、電界効果型トランジスタ462
の電流路端子対のもう一方の端子側が電界効果型パワー
トランジスタ461の電流路端子対の一方の端子側に
(直接あるいは何らかの要素を介して)接続され、かつ
電界効果型トランジスタ462の制御端子側がパワー増
幅器460の通電制御端子側に(直接あるいは何らかの
要素を介して)接続されるように構成されている。この
電界効果型パワー部カレントミラー回路は、通電制御端
子側への入力電流が小さい内は所定の電流増幅率を有
し、入力電流が大きくなると、その電流増幅率が急激に
大きくなる。これにより、モータの起動時のように大電
流をコイルに供給する場合に、パワー増幅器への入力電
流を小さくできる利点がある。なお、NMOS型パワー
トランジスタ451とパワーダイオード451dやNM
OS型パワートランジスタ461とパワーダイオード4
61dは二重拡散NチャンネルMOS構造の電界効果型
パワートランジスタとその寄生ダイオード素子によって
構成でき、集積回路化は容易である。
Further, for example, the power amplifier 460 having the structure shown in FIG. 11 may be used. Power amplifier 46
Reference numeral 0 has an NMOS power transistor 461, a power diode 461d, an NMOS transistor 462, and a resistor 463, and is configured to include a field effect power section current mirror circuit. In the field effect power section current mirror circuit, the control terminal side of the field effect power transistor 461 is connected (directly or through some element) to the control terminal side of the field effect transistor 462,
One terminal side of the pair of current path terminals of the field effect transistor 462 is connected to the energization control terminal side of the power amplifier 460 with the resistor 4
A field effect transistor 462 connected through 63.
The other terminal side of the current path terminal pair of is connected to one terminal side of the current path terminal pair of the field effect power transistor 461 (directly or through some element), and the control terminal side of the field effect transistor 462 is connected to It is configured to be connected (directly or via some element) to the energization control terminal side of the power amplifier 460. This field effect type power part current mirror circuit has a predetermined current amplification factor while the input current to the energization control terminal side is small, and when the input current increases, the current amplification factor rapidly increases. This has the advantage that the input current to the power amplifier can be reduced when a large current is supplied to the coil, such as when the motor is started. The NMOS power transistor 451 and the power diode 451d and NM
OS type power transistor 461 and power diode 4
61d can be constituted by a field effect type power transistor having a double diffused N channel MOS structure and its parasitic diode element, and is easily integrated into an integrated circuit.

【0076】また、本実施例において、スイッチング制
御器22のスイッチングパルス回路330には、種々の
変形が可能である。たとえば、スイッチングパルス回路
330の代わりに図12に示した構成のスイッチングパ
ルス回路480が使用可能である。スイッチングパルス
回路480の比較回路481は、指令信号Adと電流検
出信号Agを比較した比較出力信号Crを出力する。す
なわち、電流検出信号Agが指令信号Adよりも小さい
時に比較出力信号Crは“Lb”になり、電流検出信号
Agが指令信号Adよりも大きくなると比較出力信号C
rは“Hb”に変わる。時定数回路482は、比較回路
481の比較出力信号Crの立ち上がりエッジ(“L
b”から“Hb”への変化時点)をトリガとして、所定
の時間幅Wpだけ“Hb”になるスイッチング制御信号
W1を発生する。この時間幅Wpはコンデンサ483へ
の充放電によって決められる。
In the present embodiment, the switching pulse circuit 330 of the switching controller 22 can be modified in various ways. For example, instead of the switching pulse circuit 330, the switching pulse circuit 480 having the configuration shown in FIG. 12 can be used. The comparison circuit 481 of the switching pulse circuit 480 outputs a comparison output signal Cr that compares the command signal Ad and the current detection signal Ag. That is, when the current detection signal Ag is smaller than the command signal Ad, the comparison output signal Cr becomes "Lb", and when the current detection signal Ag becomes larger than the command signal Ad, the comparison output signal C
r changes to “Hb”. The time constant circuit 482 has a rising edge (“L”) of the comparison output signal Cr of the comparison circuit 481.
A switching control signal W1 which becomes "Hb" for a predetermined time width Wp is generated by using (a change time point from "b" to "Hb") as a trigger. This time width Wp is determined by charging and discharging the capacitor 483.

【0077】スイッチング制御信号W1が“Lb”の時
には、制御パルス信号Y1、Y2、Y3をオフ(非通電
状態)にし、第1の増幅電流信号F1、F2、F3に応
じて第1のパワー増幅器11、12、13がオン状態
(フルオン状態もしくはハーフオン状態)になり、コイ
ル2、3、4への電流路を形成する。スイッチング制御
信号W1が“Hb”になると、制御パルス信号Y1、Y
2、Y3がオン(電流通電状態)になり、第1のパワー
増幅器11、12、13の第1のNMOS型パワートラ
ンジスタ61、62、63は同時にオフになる。
When the switching control signal W1 is "Lb", the control pulse signals Y1, Y2 and Y3 are turned off (non-energized state), and the first power amplifier is turned on in response to the first amplified current signals F1, F2 and F3. 11, 12, and 13 are turned on (full on state or half on state) to form current paths to the coils 2, 3, and 4. When the switching control signal W1 becomes "Hb", the control pulse signals Y1 and Y
2, Y3 are turned on (current-carrying state), and the first NMOS type power transistors 61, 62, 63 of the first power amplifiers 11, 12, 13 are simultaneously turned off.

【0078】これにより、電流検出信号Agが指令信号
Adよりも小さい時にスイッチング制御信号W1が“L
b”になり、第1のパワー増幅器はオン状態になる。直
流電源50の通電電流Igが増加し、電流検出信号Ag
が指令信号Adよりも大きくなったタイミングにおい
て、比較出力信号Crは“Hb”に変化する。比較回路
481の比較出力信号Crの立ち上がりエッジによって
時定数回路482がトリガされ、スイッチング制御器信
号W1は所定時間幅Wpだけ“Hb”になる。その結
果、第1のパワー増幅器11、12、13は所定の時間
幅Wbの間は同時にオフ状態になる。第1のパワー増幅
器がオフになってから所定時間幅Wpを経過後に、スイ
ッチング制御信号W1は“Lb”に変わり、再度、第1
のパワー増幅器はオン状態になる。このようにして、第
1のパワー増幅器11、12、13の第1のNMOS型
パワートランジスタ61、62、63はオン・オフの高
周波スイッチング動作を行う。また、移動体1の移動動
作に伴って、コイル2、3、4への電流路は滑らかに切
り換えられていく。
As a result, when the current detection signal Ag is smaller than the command signal Ad, the switching control signal W1 becomes "L".
b ″ and the first power amplifier is turned on. The energizing current Ig of the DC power supply 50 increases and the current detection signal Ag
At a timing when is larger than the command signal Ad, the comparison output signal Cr changes to “Hb”. The rising edge of the comparison output signal Cr of the comparison circuit 481 triggers the time constant circuit 482, and the switching controller signal W1 becomes "Hb" for the predetermined time width Wp. As a result, the first power amplifiers 11, 12, and 13 are simultaneously turned off during the predetermined time width Wb. The switching control signal W1 changes to "Lb" after a lapse of a predetermined time width Wp after the first power amplifier is turned off, and the first power amplifier is turned on again.
Power amplifier is turned on. In this way, the first NMOS type power transistors 61, 62, 63 of the first power amplifiers 11, 12, 13 perform on / off high frequency switching operation. Further, the current paths to the coils 2, 3, 4 are smoothly switched as the moving body 1 moves.

【0079】《実施例2》図13から図15に本発明の
実施例2のモータを示す。図13に全体構成を示す。本
実施例は、前述の実施例1において、さらに、補助供給
器500と第1の合成器81、82、83と第2の合成
器85、86、87を設けたものである。その他の構成
において、前述の実施例1と同様なものには同一の番号
を付し、詳細な説明を省略する。図13の補助供給器5
00は、切換作成器34の出力信号に応動して3相の第
1の補助電流信号F4、F5、F6と3相の第2の補助
電流信号H4、H5、H6を供給する。図14に補助供
給器500の具体的な構成を示す。補助供給器500は
補助切換作成部510と補助電流切換部520によって
構成されている。補助切換作成部510は、切換作成器
34の3相の位置検出信号Ja1、Jb1、Jc1が入
力され、これらの位置検出信号に応動した補助切換信号
J4〜J9を出力する。
<Second Embodiment> FIGS. 13 to 15 show a motor according to a second embodiment of the present invention. FIG. 13 shows the overall configuration. In this embodiment, the auxiliary feeder 500, the first combiners 81, 82 and 83, and the second combiners 85, 86 and 87 are further provided in the first embodiment. In other configurations, the same components as those in the first embodiment described above are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Auxiliary feeder 5 of FIG.
00 supplies three-phase first auxiliary current signals F4, F5, F6 and three-phase second auxiliary current signals H4, H5, H6 in response to the output signal of the switching generator 34. FIG. 14 shows a specific configuration of the auxiliary feeder 500. The auxiliary supply device 500 is composed of an auxiliary switching preparation unit 510 and an auxiliary current switching unit 520. The auxiliary switching creation unit 510 receives the three-phase position detection signals Ja1, Jb1, and Jc1 of the switching creation unit 34, and outputs auxiliary switching signals J4 to J9 in response to these position detection signals.

【0080】図15に補助切換作成部510の具体的な
構成例を示す。補助切換作成部510のコンパレータ回
路541、542、543は、それぞれ、3相の位置検
出信号Ja1、Jb1、Jc1の内の2相の信号を比較
し、比較結果に応動した3相のディジタル信号Jd、J
e、Jfを出力する。図16(a)〜(c)にディジタ
ル信号Jd、Je、Jfの波形関係を示す。これらの3
相のディジタル信号Jd、Je、Jfは、反転回路55
1、552、553とアンド回路561〜567によっ
て論理合成され、補助切換信号J4〜J9を作りだす。
図16(d)〜(i)に補助切換信号J4〜J9の波形
関係を示す。ディジタル信号Jd、Je、Jfは、それ
ぞれ電気角で180度もしくは略180度の角度幅にわ
たって“Hb”、残りの180度の角度幅にわたって
“Lb”になる。また、ディジタル信号Jd、Je、J
fは、120度の位相差を有する3相の信号になる。補
助切換信号J4、J5、J6は、それぞれ電気角で12
0度もしくは略120度の角度幅にわたって“Hb”に
なり、残りの240度の角度幅にわたって“Lb”にな
る。これらの補助切換信号J4、J5、J6は、順番に
変化する3相のディジタル信号である。また、補助切換
信号J7、J8、J9は、それぞれ電気角で120度も
しくは略120度の角度幅にわたって“Hb”になり、
残りの240度の角度幅にわたって“Lb”になる。こ
れらの補助切換信号J7、J8、J9は、順番に変化す
る3相のディジタル信号である。
FIG. 15 shows a specific example of the configuration of the auxiliary switching creation section 510. The comparator circuits 541, 542, and 543 of the auxiliary switching creation unit 510 compare the two-phase signals of the three-phase position detection signals Ja1, Jb1, and Jc1, respectively, and the three-phase digital signal Jd corresponding to the comparison result. , J
e and Jf are output. 16 (a) to 16 (c) show the waveform relationships of the digital signals Jd, Je, Jf. These three
The phase digital signals Jd, Je, and Jf are supplied to the inverting circuit 55.
1, 552, 553 and AND circuits 561 to 567 are logically combined to generate auxiliary switching signals J4 to J9.
16D to 16I show the waveform relationships of the auxiliary switching signals J4 to J9. The digital signals Jd, Je, and Jf are "Hb" over an angular width of 180 degrees or approximately 180 degrees, respectively, and "Lb" over the remaining 180 degrees in electrical angle. In addition, digital signals Jd, Je, J
f becomes a three-phase signal having a phase difference of 120 degrees. The auxiliary switching signals J4, J5, and J6 are each 12 electrical degrees.
It becomes "Hb" over an angle width of 0 degree or approximately 120 degrees, and becomes "Lb" over the remaining angle width of 240 degrees. These auxiliary switching signals J4, J5, J6 are three-phase digital signals that change in order. Further, the auxiliary switching signals J7, J8, J9 become "Hb" over an angular width of 120 degrees or approximately 120 degrees in electrical angle,
It becomes "Lb" over the remaining 240 degree angular width. These auxiliary switching signals J7, J8, J9 are three-phase digital signals that change in order.

【0081】図14の補助切換作成部510の補助切換
信号J4〜J9は、補助電流切換部520に入力され
る。補助電流切換部520は、3個の第1の電流源52
1、522、523と3個の第2の電流源525、52
6、527と3個の第1のスイッチ回路531、53
2、533と3個の第2のスイッチ回路535、53
6、537を有している。第1の電流源521、52
2、523と第2の電流源525、526、527は、
高電圧出力器51の高電位点電位Vuから流出する方向
に接続されている。第1のスイッチ回路531、53
2、533は、補助切換作成部510の補助切換信号J
4、J5、J6が“Hb”になるとスイッチをオンにす
る。これにより、第1の電流源521、522、523
の電流を補助切換信号J4、J5、J6に応動して出力
し、3相の第1の補助電流信号F4、F5、F6を作り
だす。また、第2のスイッチ回路535、536、53
7は、補助切換作成部510の補助切換信号J7、J
8、J9が“Hb”になるとスイッチをオンにする。こ
れにより、第2の電流源525、526、527の電流
を補助切換信号J7、J8、J9に応動して出力し、3
相の第2の補助電流信号H4、H5、H6を作りだす。
図17(a)、(b)、(c)に第1の補助電流信号F
4、F5、F6の波形を示し、図17(d)、(e)、
(f)に第2の補助電流信号H4、H5、H6の波形を
示す。
The auxiliary switching signals J4 to J9 of the auxiliary switching generating section 510 of FIG. 14 are input to the auxiliary current switching section 520. The auxiliary current switching unit 520 includes the three first current sources 52.
1, 522, 523 and three second current sources 525, 52
6,527 and three first switch circuits 531 and 53
2, 533 and three second switch circuits 535, 53
6, 537. First current sources 521, 52
2, 523 and the second current sources 525, 526, 527,
The high voltage output device 51 is connected in a direction to flow out from the high potential point potential Vu. First switch circuits 531 and 53
2, 533 are auxiliary switching signals J of the auxiliary switching creating unit 510.
When 4, J5 and J6 become "Hb", the switch is turned on. Thereby, the first current sources 521, 522, 523
To output three-phase first auxiliary current signals F4, F5, F6 in response to the auxiliary switching signals J4, J5, J6. In addition, the second switch circuits 535, 536, 53
Reference numeral 7 denotes auxiliary switching signals J7, J of the auxiliary switching creating section 510.
8. When J9 becomes "Hb", the switch is turned on. As a result, the currents of the second current sources 525, 526, 527 are output in response to the auxiliary switching signals J7, J8, J9.
The second auxiliary current signals H4, H5, H6 of the phase are produced.
17 (a), (b), and (c) show the first auxiliary current signal F
Waveforms of F4, F5, and F6 are shown in FIGS.
The waveforms of the second auxiliary current signals H4, H5, and H6 are shown in (f).

【0082】図13の第1の合成器81は単純に結節点
で構成され、第1の電流増幅器41の第1の増幅電流信
号F1と第1の補助電流信号F4を加算合成し、第1の
合成電流信号F1+F4を出力する。第1の合成器82
は単純に結節点で構成され、第1の電流増幅器42の第
1の増幅電流信号F2と第1の補助電流信号F5を加算
合成し、第1の合成電流信号F2+F5を出力する。第
1の合成器83は単純に結節点で構成され、第1の電流
増幅器43の第1の増幅電流信号F3と第1の補助電流
信号F6を加算合成し、第1の合成電流信号F3+F6
を出力する。第2の合成器85は単純に結節点で構成さ
れ、第2の電流増幅器45の第2の増幅電流信号H1と
第2の補助電流信号H4を加算合成し、第2の合成電流
信号H1+H4を出力する。第2の合成器86は単純に
結節点で構成され、第2の電流増幅器46の第2の増幅
電流信号H2と第2の補助電流信号H5を加算合成し、
第2の合成電流信号H2+H5を出力する。第2の合成
器87は単純に結節点で構成され、第2の電流増幅器4
7の第2の増幅電流信号H3と第2の補助電流信号H6
を加算合成し、第2の合成電流信号H3+H6を出力す
る。
The first combiner 81 of FIG. 13 is simply composed of nodes, and the first amplified current signal F1 of the first current amplifier 41 and the first auxiliary current signal F4 are added and combined to form the first combined current signal F1. And outputs a combined current signal F1 + F4. First synthesizer 82
Is simply a node, and adds and synthesizes the first amplified current signal F2 of the first current amplifier 42 and the first auxiliary current signal F5 to output the first synthesized current signal F2 + F5. The first combiner 83 is simply composed of nodes, and the first amplified current signal F3 of the first current amplifier 43 and the first auxiliary current signal F6 are added and combined to form a first combined current signal F3 + F6.
Is output. The second combiner 85 is simply composed of nodes, and the second amplified current signal H1 of the second current amplifier 45 and the second auxiliary current signal H4 are added and combined to obtain the second combined current signal H1 + H4. Output. The second combiner 86 is simply composed of nodes, and adds and combines the second amplified current signal H2 of the second current amplifier 46 and the second auxiliary current signal H5,
The second combined current signal H2 + H5 is output. The second combiner 87 is simply composed of nodes, and the second current amplifier 4
7 second amplified current signal H3 and second auxiliary current signal H6
Are added and combined, and a second combined current signal H3 + H6 is output.

【0083】図17(g)に第1の増幅電流信号F1、
F2、F3の波形を示し、図17(h)に第2の増幅電
流信号H1、H2、H3の波形を示す。また、図17
(i)に第1の合成電流信号F1+F4、F2+F5、
F3+F6の波形を示し、図17(j)に第2の合成電
流信号H1+H4、H2+H5、H3+H6の波形を示
す。第1の合成電流信号F1+F4、F2+F5、F3
+F6は、零からの立ち上がり傾斜部分および零への立
ち下がり傾斜部分において、約30度の角度幅(電気
角)にわたって滑らかに変化する第1の3相の電流信号
になっている。同様に、第2の合成電流信号H1+H
4、H2+H5、H3+H6は、零からの立ち上がり傾
斜部分および零への立ち下がり傾斜部分において、約3
0度の角度幅(電気角)にわたって滑らかに変化する第
2の3相の電流信号になっている。
FIG. 17G shows the first amplified current signal F1,
The waveforms of F2 and F3 are shown, and the waveforms of the second amplified current signals H1, H2, and H3 are shown in FIG. 17 (h). In addition, FIG.
In (i), the first combined current signals F1 + F4, F2 + F5,
The waveform of F3 + F6 is shown, and the waveforms of the second combined current signals H1 + H4, H2 + H5, and H3 + H6 are shown in FIG. 17 (j). First combined current signals F1 + F4, F2 + F5, F3
+ F6 is a first three-phase current signal that smoothly changes over an angular width (electrical angle) of about 30 degrees in the rising slope portion from zero and the falling slope portion to zero. Similarly, the second combined current signal H1 + H
4, H2 + H5 and H3 + H6 are about 3 at the rising slope portion from zero and the falling slope portion to zero.
The current signal of the second three phases smoothly changes over the angular width of 0 degree (electrical angle).

【0084】第1の合成電流信号F1+F4、F2+F
5、F3+F6は、それぞれ第1のパワー増幅器11、
12、13の通電制御端子側に供給され、第1のNMO
S型パワートランジスタ61、62、63の通電を分配
制御し、コイル2、3、4への電流路を滑らかに切り換
える。実際には、第1のNMOS型パワートランジスタ
61、62、63はスイッチング制御器22によってオ
ン・オフの高周波スイッチング動作を制御されながら、
第1の合成電流信号に応動してコイルへの通電の分配制
御を行っている。同様に、第2の合成電流信号H1+H
4、H2+H5、H3+H6は、それぞれ第2のパワー
増幅器15、16、17の通電制御端子側に供給され、
第2のNMOS型パワートランジスタ65、66、67
の通電を分配制御し、コイル2、3、4への電流路を滑
らかに切り換える。
First combined current signals F1 + F4, F2 + F
5, F3 + F6 are respectively the first power amplifier 11,
The first NMO is supplied to the energization control terminals 12 and 13 side.
The energization of the S-type power transistors 61, 62, 63 is distributed and controlled, and the current paths to the coils 2, 3, 4 are smoothly switched. Actually, while the first NMOS power transistors 61, 62, 63 are controlled by the switching controller 22 to turn on / off high frequency switching operation,
Distribution control of energization to the coils is performed in response to the first combined current signal. Similarly, the second combined current signal H1 + H
4, H2 + H5, H3 + H6 are supplied to the energization control terminal sides of the second power amplifiers 15, 16 and 17, respectively.
Second NMOS power transistors 65, 66, 67
The distribution of the energization of the coils is controlled to smoothly switch the current paths to the coils 2, 3, and 4.

【0085】その他の構成及び動作は、前述の実施例1
と同様であり、詳細な説明を省略する。本実施例では、
第1のパワー増幅器の通電制御端子側に供給される3相
の第1の合成電流信号(第1の3相の電流信号)を、そ
れぞれ、少なくとも立ち上がり傾斜部分および/または
立ち下がり傾斜部分において滑らかに変化させ、第1の
NMOS型パワートランジスタによる電流路の切換動作
を滑らかにし、滑らかに変化する駆動電流をコイルに供
給した。このとき、第1の合成電流信号に第1の補助電
流信号を含ませることにより、支配的に電流路を形成す
る第1のNMOS型パワートランジスタのオン抵抗を小
さくし、電力損失を低減した。また、第1のパワー増幅
器の通電制御端子側をスイッチング制御器の制御パルス
信号Y1、Y2、Y3によりオン・オフさせ、第1のN
MOS型パワートランジスタを高周波スイッチング動作
させて、電力損失を大幅に低減させた。
Other configurations and operations are the same as those in the first embodiment described above.
The detailed description is omitted. In this embodiment,
Smooth the three-phase first combined current signals (first three-phase current signals) supplied to the energization control terminal side of the first power amplifier at least at the rising slope portion and / or the falling slope portion. To smooth the current path switching operation by the first NMOS type power transistor, and to supply a smoothly varying drive current to the coil. At this time, by including the first auxiliary current signal in the first combined current signal, the on-resistance of the first NMOS power transistor that predominantly forms the current path is reduced, and the power loss is reduced. Further, the energization control terminal side of the first power amplifier is turned on / off by the control pulse signals Y1, Y2, Y3 of the switching controller, and the first N
High-frequency switching operation was performed on the MOS power transistor to significantly reduce power loss.

【0086】同様に、第2のパワー増幅器の通電制御端
子側に供給される3相の第2の合成電流信号(第2の3
相の電流信号)を、それぞれ、少なくとも立ち上がり傾
斜部分および/または立ち下がり傾斜部分において滑ら
かに変化させ、第2のNMOS型パワートランジスタに
よる電流路の切換動作を滑らかにし、滑らかに変化する
駆動電流をコイルに供給した。このとき、第2の合成電
流信号に第2の補助電流信号を含ませることにより、支
配的に電流路を形成する第2のNMOS型パワートラン
ジスタのオン抵抗を小さくし、電力損失を低減した。こ
れにより、第1のパワー増幅器の第1のNMOS型パワ
ートランジスタと第2のパワー増幅器の第2のNMOS
型パワートランジスタの電力損失を大幅に低減でき、モ
ータの電力効率は大幅に改善される。また、コイルへの
駆動電流の脈動が低減でき、モータ振動や騒音を大幅に
小さくできる。
Similarly, a three-phase second combined current signal (second third current) supplied to the energization control terminal side of the second power amplifier.
Phase current signal) is smoothly changed at least at the rising slope portion and / or the falling slope portion to smooth the switching operation of the current path by the second NMOS type power transistor, and to smoothly change the driving current. Supplied to the coil. At this time, by including the second auxiliary current signal in the second combined current signal, the on-resistance of the second NMOS power transistor that predominantly forms the current path is reduced, and the power loss is reduced. As a result, the first NMOS type power transistor of the first power amplifier and the second NMOS type of the second power amplifier are
The power loss of the die-type power transistor can be greatly reduced, and the power efficiency of the motor can be greatly improved. Further, pulsation of the drive current to the coil can be reduced, and motor vibration and noise can be significantly reduced.

【0087】前述の実施例の具体的な構成では、第1の
合成電流信号の通電幅を180度もしくは略180度に
し、第1の補助電流信号の通電幅を120度もしくは略
120度にした。その結果、第1の合成電流信号は、立
ち上がり傾斜部分の30度もしくは略30度の角度幅を
滑らかに変化し、立ち下がり傾斜部分の30度もしくは
略30度の角度幅を滑らかに変化する。これにより、滑
らかな電流路の切換動作と第1のNMOS型パワートラ
ンジスタのオン抵抗による電力損失の低減を同時に実現
した。また、3相の第1の補助電流信号F4、F5、F
6を順番に切り換えて供給し、いずれか1個の第1の補
助電流信号を供給するようにした。また、同一期間に2
個以上の第1の補助電流信号が重複して流れないように
した。
In the specific configuration of the above-described embodiment, the conduction width of the first combined current signal is 180 degrees or approximately 180 degrees, and the conduction width of the first auxiliary current signal is 120 degrees or approximately 120 degrees. . As a result, the first combined current signal smoothly changes the angular width of 30 degrees or approximately 30 degrees in the rising slope portion and smoothly changes the angular width of 30 degrees or approximately 30 degrees in the falling slope portion. As a result, a smooth current path switching operation and a reduction in power loss due to the on-resistance of the first NMOS power transistor are realized at the same time. In addition, the three-phase first auxiliary current signals F4, F5, F
6 are sequentially switched and supplied, and any one of the first auxiliary current signals is supplied. In addition, 2 in the same period
One or more first auxiliary current signals are prevented from overlapping.

【0088】また、第2の合成電流信号の通電幅を18
0度もしくは略180度にし、第2の補助電流信号の通
電幅を120度もしくは略120度にした。その結果、
第2の合成電流信号は、立ち上がり傾斜部分の30度も
しくは略30度の角度幅を滑らかに変化し、立ち下がり
傾斜部分の30度もしくは略30度の角度幅を滑らかに
変化する。これにより、滑らかな電流路の切換動作と第
2のNMOS型パワートランジスタのオン抵抗による電
力損失の低減を同時に実現した。また、3相の第2の補
助電流信号H4、H5、H6を順番に切り換えて供給
し、いずれか1個の第2の補助電流信号を供給するよう
にした。また、同一期間に2個以上の第2の補助電流信
号が重複して流れないようにした。しかし、これらの角
度幅は、適時、変更が可能である。第1の合成電流信号
や第2の合成電流信号の角度幅は、たとえば、150度
にしても良い。また、第1の補助電流信号や第2の補助
電流信号の角度幅も120度と異ならせることも可能で
ある。さらに、本実施例でも、前述の実施例1と同様な
各種の利点を得ることができる。
Further, the conduction width of the second combined current signal is set to 18
The current width of the second auxiliary current signal was set to 0 degree or about 180 degrees, and the conduction width of the second auxiliary current signal was set to 120 degrees or about 120 degrees. as a result,
The second combined current signal smoothly changes the angular width of 30 degrees or approximately 30 degrees in the rising slope portion and smoothly changes the angular width of 30 degrees or approximately 30 degrees in the falling slope portion. As a result, the smooth switching operation of the current path and the reduction of the power loss due to the on-resistance of the second NMOS power transistor are realized at the same time. Further, the three-phase second auxiliary current signals H4, H5, and H6 are sequentially switched and supplied, and any one second auxiliary current signal is supplied. In addition, two or more second auxiliary current signals are prevented from overlapping in the same period. However, these angular widths can be changed in a timely manner. The angular width of the first combined current signal and the second combined current signal may be 150 degrees, for example. Further, the angular width of the first auxiliary current signal and the second auxiliary current signal can be different from 120 degrees. Further, also in this embodiment, various advantages similar to those of the above-described first embodiment can be obtained.

【0089】《実施例3》図18と図19に本発明の実
施例3のモータを示す。図18に全体構成を示す。本実
施例は、前述の実施例2において、補助供給器500の
出力電流信号をパワー増幅器の通電制御端子側に直接供
給するようにしたものである。その他の構成において、
前述の実施例1もしくは実施例2と同様なものには同一
の番号を付し、詳細な説明を省略する。図18におい
て、第1のパワー増幅器611は、通電制御端子側の第
1端子に第1の電流増幅器41の第1の増幅電流信号F
1が入力され、通電制御端子側の第2端子に補助供給器
500の第1の補助電流信号F4が入力され、通電制御
端子側の第3端子にスイッチング制御器22の制御パル
ス信号Y1が入力されている。
<< Third Embodiment >> FIGS. 18 and 19 show a motor according to a third embodiment of the present invention. FIG. 18 shows the overall configuration. In the present embodiment, the output current signal of the auxiliary feeder 500 in the above-described Embodiment 2 is directly supplied to the energization control terminal side of the power amplifier. In other configurations,
The same components as those in the first or second embodiment described above are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In FIG. 18, the first power amplifier 611 has the first amplified current signal F of the first current amplifier 41 at the first terminal on the energization control terminal side.
1 is input, the first auxiliary current signal F4 of the auxiliary supply device 500 is input to the second terminal on the energization control terminal side, and the control pulse signal Y1 of the switching controller 22 is input to the third terminal on the energization control terminal side. Has been done.

【0090】同様に、第1のパワー増幅器612は、通
電制御端子側の第1端子に第1の電流増幅器42の第1
の増幅電流信号F2が入力され、通電制御端子側の第2
端子に補助供給器500の第1の補助電流信号F5が入
力され、通電制御端子側の第3端子にスイッチング制御
器22の制御パルス信号Y2が入力されている。同様
に、第1のパワー増幅器613は、通電制御端子側の第
1端子に第1の電流増幅器43の第1の増幅電流信号F
3が入力され、通電制御端子側の第2端子に補助供給器
500の第1の補助電流信号F6が入力され、通電制御
端子側の第3端子にスイッチング制御器22の制御パル
ス信号Y3が入力されている。
Similarly, in the first power amplifier 612, the first terminal of the first current amplifier 42 is connected to the first terminal on the energization control terminal side.
The amplified current signal F2 of
The first auxiliary current signal F5 of the auxiliary feeder 500 is input to the terminal, and the control pulse signal Y2 of the switching controller 22 is input to the third terminal on the energization control terminal side. Similarly, the first power amplifier 613 has the first amplified current signal F of the first current amplifier 43 at the first terminal on the energization control terminal side.
3 is input, the first auxiliary current signal F6 of the auxiliary supply device 500 is input to the second terminal on the energization control terminal side, and the control pulse signal Y3 of the switching controller 22 is input to the third terminal on the energization control terminal side. Has been done.

【0091】また、第2のパワー増幅器615は、通電
制御端子側の第1端子に第2の電流増幅器45の第2の
増幅電流信号H1が入力され、通電制御端子側の第2端
子に補助供給器500の第2の補助電流信号H4が入力
されている。同様に、第2のパワー増幅器616は、通
電制御端子側の第1端子に第2の電流増幅器46の第2
の増幅電流信号H2が入力され、通電制御端子側の第2
端子に補助供給器500の第2の補助電流信号H5が入
力されている。同様に、第2のパワー増幅器617は、
通電制御端子側の第1端子に第2の電流増幅器47の第
2の増幅電流信号H3が入力され、通電制御端子側の第
2端子に補助供給器500の第2の補助電流信号H6が
入力されている。
In the second power amplifier 615, the second amplified current signal H1 of the second current amplifier 45 is input to the first terminal on the energization control terminal side and the second terminal on the energization control terminal side is supplemented. The second auxiliary current signal H4 of the supplier 500 is input. Similarly, the second power amplifier 616 has a second terminal of the second current amplifier 46 at the first terminal on the energization control terminal side.
The amplified current signal H2 of
The second auxiliary current signal H5 of the auxiliary feeder 500 is input to the terminal. Similarly, the second power amplifier 617 is
The second amplified current signal H3 of the second current amplifier 47 is input to the first terminal on the energization control terminal side, and the second auxiliary current signal H6 of the auxiliary feeder 500 is input to the second terminal on the energization control terminal side. Has been done.

【0092】図19に第1のパワー増幅器611、61
2、613や第2のパワー増幅器615、616、61
7の具体的な構成に相当するパワー増幅器620を示
す。ここでは、パワー増幅器620を第1のパワー増幅
器611として使用する場合を示している。パワー増幅
器620は、NMOS型パワートランジスタ621と、
NMOS型パワートランジスタ621に並列に逆接続さ
れたパワーダイオード621dを含んで構成されてい
る。パワーダイオード621dの電流流入端子側はNM
OS型パワートランジスタ621の電流流出端子側に接
続され、電流流出端子側はNMOS型パワートランジス
タ621の電流流入端子側に接続されている。パワー増
幅器620は、NMOS型パワートランジスタ621と
NMOS型トランジスタ622により電界効果型パワー
部カレントミラー回路を形成している(セル面積比は1
00倍)。
FIG. 19 shows the first power amplifiers 611 and 61.
2, 613 and second power amplifiers 615, 616, 61
7 shows a power amplifier 620 corresponding to a specific configuration of No. 7. Here, the case where the power amplifier 620 is used as the first power amplifier 611 is shown. The power amplifier 620 includes an NMOS power transistor 621,
The NMOS power transistor 621 includes a power diode 621d reversely connected in parallel. The current inflow terminal side of the power diode 621d is NM
It is connected to the current outflow terminal side of the OS type power transistor 621, and the current outflow terminal side is connected to the current inflow terminal side of the NMOS type power transistor 621. The power amplifier 620 forms a field effect type power section current mirror circuit by the NMOS type power transistor 621 and the NMOS type transistor 622 (the cell area ratio is 1).
00 times).

【0093】パワー増幅器620の通電制御端子側の第
1端子とNMOS型トランジスタ622の電流路端子対
の一方の端子側の間に抵抗623が接続され、通電制御
端子側の第1端子と第2端子の間に抵抗624が接続さ
れ、通電制御端子側の第3端子はNMOS型パワートラ
ンジスタ621の制御端子側に接続されている。これに
より、パワー増幅器620の電界効果型パワー部カレン
トミラー回路は、通電制御端子側の第1端子への第1の
増幅電流信号F1が小さい内は所定の電流増幅率を有
し、第1の増幅電流信号F1が大きくなると、その電流
増幅率が急激に大きくなる。また、通電制御端子側の第
2端子への第1の補助電流信号F4によってNMOS型
パワートランジスタ621のオン抵抗を低減している。
さらに、パワー増幅器620のNMOS型パワートラン
ジスタ621および電界効果型パワー部カレントミラー
回路は、通電制御端子側の第3端子への制御パルス信号
Y1によってオン・オフの高周波スイッチング動作を行
っている。
A resistor 623 is connected between the first terminal on the energization control terminal side of the power amplifier 620 and one terminal side of the current path terminal pair of the NMOS type transistor 622, and the first terminal and the second terminal on the energization control terminal side are connected. A resistor 624 is connected between the terminals, and the third terminal on the energization control terminal side is connected to the control terminal side of the NMOS power transistor 621. As a result, the field effect type power section current mirror circuit of the power amplifier 620 has a predetermined current amplification factor as long as the first amplified current signal F1 to the first terminal on the energization control terminal side is small and has the first current amplification factor. When the amplified current signal F1 becomes large, the current amplification factor rapidly increases. Further, the ON resistance of the NMOS power transistor 621 is reduced by the first auxiliary current signal F4 to the second terminal on the energization control terminal side.
Further, the NMOS type power transistor 621 and the field effect type power section current mirror circuit of the power amplifier 620 perform high frequency switching operation of on / off by the control pulse signal Y1 to the third terminal on the energization control terminal side.

【0094】なお、NMOS型パワートランジスタ62
1は、たとえば二重拡散NチャンネルMOS構造の電界
効果型トランジスタによって構成され、NMOS型パワ
ートランジスタ621の寄生ダイオード素子をパワーダ
イオード621dとして使用している。なお、パワー増
幅器620の抵抗623または/および抵抗624は、
零にしても動作上問題はない。また、第1の増幅電流信
号F1と第1の補助電流信号F4はパワー増幅器620
の内部で合成され、NMOS型パワートランジスタ62
1やパワー部カレントミラー回路に供給されている。
The NMOS power transistor 62
1 is composed of a field effect transistor having a double diffused N-channel MOS structure, for example, and uses a parasitic diode element of the NMOS power transistor 621 as a power diode 621d. The resistor 623 and / or the resistor 624 of the power amplifier 620 are
Even if it is zero, there is no problem in operation. In addition, the first amplified current signal F1 and the first auxiliary current signal F4 are output to the power amplifier 620.
NMOS power transistor 62 synthesized inside the
1 and the power mirror current mirror circuit.

【0095】パワー増幅器620を第1のパワー増幅器
612、613として使用する場合は、図19に示した
構成と同様である。また、パワー増幅器620を第2の
パワー増幅器615、616、617として使用する場
合には、通電制御端子側の第3端子を接続しなければ良
い。その他の構成及び動作は、前述の実施例2もしくは
実施例1と同様であり、詳細な説明を省略する。
When the power amplifier 620 is used as the first power amplifiers 612 and 613, it has the same configuration as that shown in FIG. When the power amplifier 620 is used as the second power amplifiers 615, 616, 617, the third terminal on the energization control terminal side need not be connected. Other configurations and operations are similar to those of the above-described second embodiment or first embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

【0096】本実施例では、第1のパワー増幅器の通電
制御端子側の第1端子に供給される3相の第1の増幅電
流信号(第1の3相の電流信号)を、それぞれ、少なく
とも立ち上がり傾斜部分および/または立ち下がり傾斜
部分において滑らかに変化させ、第1のNMOS型パワ
ートランジスタによる電流路の切換動作を滑らかにし、
滑らかに変化する駆動電流をコイルに供給した。また、
第1のパワー増幅器の通電制御端子側の第2端子に第1
の補助電流信号を供給し、支配的に電流路を形成する第
1のNMOS型パワートランジスタのオン抵抗を小さく
するようにした。ここに、支配的に電流路を形成する第
1のNMOS型パワートランジスタとは、3個の第1の
NMOS型パワートランジスタのうちで最も大きな駆動
電流を供給するパワートランジスタを意味する。さら
に、第1のパワー増幅器の通電制御端子側の第3端子に
スイッチング制御器の制御パルス信号を供給し、第1の
NMOS型パワートランジスタをオン・オフの高周波ス
イッチング動作させるようにした。
In this embodiment, at least the three-phase first amplified current signals (first three-phase current signals) supplied to the first terminal on the energization control terminal side of the first power amplifier are at least supplied. Smoothly changing the rising slope portion and / or the falling slope portion to smooth the current path switching operation by the first NMOS power transistor,
A smoothly varying drive current was applied to the coil. Also,
The first terminal is connected to the second terminal on the energization control terminal side of the first power amplifier.
The auxiliary current signal is supplied to reduce the on-resistance of the first NMOS type power transistor that predominantly forms the current path. Here, the first NMOS-type power transistor that predominantly forms a current path means a power transistor that supplies the largest drive current among the three first NMOS-type power transistors. Further, the control pulse signal of the switching controller is supplied to the third terminal on the energization control terminal side of the first power amplifier so that the first NMOS type power transistor is turned on and off at high frequency.

【0097】同様に、第2のパワー増幅器の通電制御端
子側の第2端子に供給される3相の第2の増幅電流信号
(第2の3相の電流信号)を、それぞれ、少なくとも立
ち上がり傾斜部分および/または立ち下がり傾斜部分に
おいて滑らかに変化させ、第2のNMOS型パワートラ
ンジスタによる電流路の切換動作を滑らかにし、滑らか
に変化する駆動電流をコイルに供給した。また、第2の
パワー増幅器の通電制御端子側の第2端子に第2の補助
電流信号を供給し、支配的に電流路を形成する第2のN
MOS型パワートランジスタのオン抵抗を小さくするよ
うにした。ここに、支配的に電流路を形成する第2のN
MOS型パワートランジスタとは、3個の第2のNMO
S型パワートランジスタのうちで最も大きな駆動電流を
供給するパワートランジスタを意味する。
Similarly, at least a rising slope of each of the three-phase second amplified current signals (second three-phase current signals) supplied to the second terminal on the energization control terminal side of the second power amplifier is obtained. Smooth changes were made in the portion and / or the falling slope portion to smooth the current path switching operation by the second NMOS power transistor, and a smoothly changing drive current was supplied to the coil. Also, the second auxiliary current signal is supplied to the second terminal on the energization control terminal side of the second power amplifier to predominantly form the current path.
The ON resistance of the MOS type power transistor is reduced. Here, the second N that predominantly forms the current path
The MOS type power transistor means three second NMOs.
It means a power transistor that supplies the largest drive current among S-type power transistors.

【0098】さらに、本実施例でも、前述の実施例と同
様な各種の利点を得ることができる。また、本実施例に
おいて、第1のパワー増幅器611、612、613や
第2のパワー増幅器615、616、617は図19に
示された構成のパワー増幅器620に限らず、種々の変
形が可能である。図20に第1のパワー増幅器611、
612、613や第2のパワー増幅器615、616、
617に使用可能な別の構成のパワー増幅器640を示
す。ここでは、パワー増幅器640を第1のパワー増幅
器611として使用する場合を示している。パワー増幅
器640は、NMOS型パワートランジスタ641と、
NMOS型パワートランジスタ641に並列に逆接続さ
れたパワーダイオード641dを含んで構成されてい
る。パワーダイオード641dの電流流入端子側はNM
OS型パワートランジスタ641の電流流出端子側に接
続され、電流流出端子側はNMOS型パワートランジス
タ641の電流流入端子側に接続されている。パワー増
幅器640は、NMOS型パワートランジスタ641と
NMOS型トランジスタ642により電界効果型パワー
部カレントミラー回路を形成している(セル面積比は1
00倍)。
Further, in this embodiment, various advantages similar to those of the above-mentioned embodiments can be obtained. Further, in the present embodiment, the first power amplifiers 611, 612, 613 and the second power amplifiers 615, 616, 617 are not limited to the power amplifier 620 having the configuration shown in FIG. 19, and various modifications are possible. is there. In FIG. 20, the first power amplifier 611,
612 and 613 and the second power amplifiers 615 and 616,
617 shows another configuration of power amplifier 640 that can be used. Here, the case where the power amplifier 640 is used as the first power amplifier 611 is shown. The power amplifier 640 includes an NMOS power transistor 641 and
It is configured to include a power diode 641d reversely connected in parallel to the NMOS power transistor 641. The current inflow terminal side of the power diode 641d is NM
It is connected to the current outflow terminal side of the OS type power transistor 641, and the current outflow terminal side is connected to the current inflow terminal side of the NMOS type power transistor 641. The power amplifier 640 forms a field effect power section current mirror circuit by the NMOS power transistor 641 and the NMOS transistor 642 (the cell area ratio is 1).
00 times).

【0099】パワー増幅器640の通電制御端子側の第
1端子はNMOS型トランジスタ622の電流路端子対
の一方の端子側に接続され、NMOS型トランジスタ6
22の電流路端子対の他方の端子側とNMOS型パワー
トランジスタ641の電流路端子対の一方の端子側の間
に抵抗643が接続され、通電制御端子側の第1端子と
第2端子の間に抵抗644が接続され、通電制御端子側
の第3端子はNMOS型パワートランジスタ641の制
御端子側に接続されている。これにより、パワー増幅器
640の電界効果型パワー部カレントミラー回路は、通
電制御端子側の第1端子への第1の増幅電流信号F1が
小さいときから大きな電流増幅動作を行うようになる。
The first terminal on the energization control terminal side of the power amplifier 640 is connected to one terminal side of the current path terminal pair of the NMOS type transistor 622, and the NMOS type transistor 6 is connected.
A resistor 643 is connected between the other terminal side of the current path terminal pair of No. 22 and one terminal side of the current path terminal pair of the NMOS power transistor 641, and between the first terminal and the second terminal on the energization control terminal side. Is connected to the resistor 644, and the third terminal on the energization control terminal side is connected to the control terminal side of the NMOS power transistor 641. As a result, the field effect type power section current mirror circuit of the power amplifier 640 starts performing a large current amplification operation even when the first amplified current signal F1 to the first terminal on the energization control terminal side is small.

【0100】また、通電制御端子側の第2端子への第1
の補助電流信号F4によってNMOS型パワートランジ
スタ641のオン抵抗を低減している。さらに、パワー
増幅器640のNMOS型パワートランジスタ641お
よび電界効果型パワー部カレントミラー回路は、通電制
御端子側の第3端子への制御パルス信号Y1によってオ
ン・オフの高周波スイッチング動作を行っている。な
お、NMOS型パワートランジスタ641は、たとえば
二重拡散NチャンネルMOS構造の電界効果型トランジ
スタによって構成され、NMOS型パワートランジスタ
641の寄生ダイオード素子をパワーダイオード641
dとして使用している。なお、パワー増幅器640の抵
抗643または/および抵抗644は、零にしても動作
上問題はない。
Further, the first terminal to the second terminal on the energization control terminal side is
On-resistance of the NMOS power transistor 641 is reduced by the auxiliary current signal F4. Further, the NMOS type power transistor 641 and the field effect type power section current mirror circuit of the power amplifier 640 perform high frequency on / off switching operation by the control pulse signal Y1 to the third terminal on the energization control terminal side. The NMOS power transistor 641 is formed of, for example, a field effect transistor having a double diffused N-channel MOS structure, and the parasitic diode element of the NMOS power transistor 641 is replaced by the power diode 641.
It is used as d. Note that there is no operational problem even if the resistance 643 and / or the resistance 644 of the power amplifier 640 is zero.

【0101】《実施例4》図21と図22に本発明の実
施例4のモータを示す。図21に全体構成を示す。本実
施例は、前述の実施例3において、第1のパワー増幅器
の第1のNMOS型パワートランジスタと第2のパワー
増幅器の第2のNMOS型パワートランジスタをオン・
オフの高周波スイッチング動作させるスイッチング制御
器700を設けたものである。その他の構成において、
前述の実施例1もしくは実施例2もしくは実施例3と同
様なものには同一の番号を付し、詳細な説明を省略す
る。
<Embodiment 4> FIGS. 21 and 22 show a motor according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 21 shows the overall configuration. In this embodiment, the first NMOS type power transistor of the first power amplifier and the second NMOS type power transistor of the second power amplifier in the third embodiment are turned on.
A switching controller 700 for performing a high frequency switching operation of OFF is provided. In other configurations,
The same components as those in the first, second, or third embodiment described above are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0102】図21のスイッチング制御器700は、指
令信号Adと電流検出器21の電流検出信号Agの比較
結果に応動して、制御パルス信号Y1、Y2、Y3、Y
4、Y5、Y6を作り、第1のパワー増幅器611、6
12、613と第2のパワー増幅器615、616、6
17をオン・オフの高周波スイッチング動作させる。第
1のパワー増幅器611、612、613および第2の
パワー増幅器615、616、617の具体的な構成
は、前述の図19のパワー増幅器620もしくは図20
のパワー増幅器640と同様であり、詳細な説明は省略
する。
The switching controller 700 of FIG. 21 responds to the result of comparison between the command signal Ad and the current detection signal Ag of the current detector 21 to generate control pulse signals Y1, Y2, Y3, Y.
4, Y5, Y6 are made and the first power amplifiers 611, 6 are made.
12, 613 and the second power amplifiers 615, 616, 6
17 is turned on and off at high frequency switching operation. The specific configurations of the first power amplifiers 611, 612 and 613 and the second power amplifiers 615, 616 and 617 are the same as those of the power amplifier 620 or FIG.
The power amplifier 640 is similar to the power amplifier 640 in FIG.

【0103】図22にスイッチング制御器700の具体
的な構成を示す。スイッチング制御器700のスイッチ
ングパルス回路330の比較回路331は、指令信号A
dと電流検出信号Agを比較した比較出力信号Crを得
る。トリガ発生回路332は、100kHz程度の高周
波のトリガパルス信号Dpを出力する。状態保持回路3
33は、トリガパルス信号Dpの立ち上がりエッジにお
いてスイッチング制御信号W1を“Lb”(低電位状
態)に変化させ、比較出力信号Crの立ち上がりエッジ
においてスイッチング制御信号W1を“Hb”(高電位
状態)に変化させる。スイッチング制御信号W1が“L
b”の時には、制御トランジスタ741、742、74
3、744、745、746は同時にオフになり、制御
パルス信号Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6はオフ
(無通電状態)になる。このとき、第1のパワー増幅器
611、612、613は、それぞれ第1の増幅電流信
号F1、F2、F3を電流増幅し、コイル2、3、4に
駆動電流I1、I2、I3の負極側電流を供給する電流
路を形成する。
FIG. 22 shows a specific structure of the switching controller 700. The comparison circuit 331 of the switching pulse circuit 330 of the switching controller 700 uses the command signal A
A comparison output signal Cr obtained by comparing d with the current detection signal Ag is obtained. The trigger generation circuit 332 outputs a high frequency trigger pulse signal Dp of about 100 kHz. State holding circuit 3
33 changes the switching control signal W1 to "Lb" (low potential state) at the rising edge of the trigger pulse signal Dp, and changes the switching control signal W1 to "Hb" (high potential state) at the rising edge of the comparison output signal Cr. Change. The switching control signal W1 is "L"
b ″, the control transistors 741, 742, 74
3, 744, 745, and 746 are turned off at the same time, and the control pulse signals Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, and Y6 are turned off (non-energized state). At this time, the first power amplifiers 611, 612, and 613 current-amplify the first amplified current signals F1, F2, and F3, respectively, and the coils 2, 3, and 4 perform negative current amplification on the drive currents I1, I2, and I3. To form a current path for supplying

【0104】また、第2のパワー増幅器615、61
6、617は、それぞれ第2の増幅電流信号H1、H
2、H3を電流増幅し、コイル2、3、4に駆動電流I
1、I2、I3の正極側電流を供給する電流路を形成す
る。スイッチング制御信号W1が“Hb”の時には、制
御トランジスタ741、742、743、744、74
5、746は同時にオンになり、制御パルス信号Y1、
Y2、Y3、Y4、Y5、Y6はオン(通電状態)にな
る。このとき、第1のパワー増幅器611、612、6
13の第1のNMOS型パワートランジスタはすべて同
時にオフになり、かつ、第2のパワー増幅器615、6
16、617の第2のNMOS型パワートランジスタは
すべて同時にオフになる。このようにして、第1のパワ
ー増幅器611、612、613および第2のパワー増
幅器615、616、617は単一のスイッチング制御
信号W1によりオン状態とオフ状態を高周波スイッチン
グ制御され、コイルへの駆動電流を指令信号Adに応動
するようにしている。これについて説明する。
In addition, the second power amplifiers 615 and 61
Reference numerals 6 and 617 denote second amplified current signals H1 and H, respectively.
2 and H3 are current-amplified, and drive current I is applied to coils 2, 3, and 4.
A current path for supplying the positive electrode side current of 1, I2, I3 is formed. When the switching control signal W1 is "Hb", the control transistors 741, 742, 743, 744, 74
5, 746 are turned on at the same time, and the control pulse signal Y1,
Y2, Y3, Y4, Y5 and Y6 are turned on (energized state). At this time, the first power amplifiers 611, 612, 6
All 13 first NMOS power transistors are simultaneously turned off, and the second power amplifiers 615, 6
The second NMOS type power transistors 16 and 617 are all turned off at the same time. In this way, the first power amplifiers 611, 612, 613 and the second power amplifiers 615, 616, 617 are high-frequency switching-controlled in the ON state and the OFF state by the single switching control signal W1, and drive to the coil. The current is made to respond to the command signal Ad. This will be described.

【0105】トリガパルス信号Dpの立ち上がりエッジ
によって状態保持回路333のスイッチング制御信号W
1が“Lb”に変化した時には、第1の増幅電流信号F
1、F2、F3が零でない相の第1のパワー増幅器が通
電状態になり、第2の増幅電流信号H1、H2、H3が
零でない相の第2のパワー増幅器が通電状態になる。た
とえば、第1の増幅電流信号F1のみが選択され、第2
の増幅電流信号H2のみが選択された場合を考える。第
1の増幅電流信号F1に応動して第1のパワー増幅器6
11の第1のNMOS型パワートランジスタが通電状態
になり、コイル2の駆動電流I1の負極側電流を供給す
る電流路を形成する。第2の増幅電流信号H2に応動し
て第2のパワー増幅器616の第2のNMOS型パワー
トランジスタが通電状態になり、コイル3の駆動電流I
2の正極側電流を供給する電流路を形成する。
The switching control signal W of the state holding circuit 333 is generated by the rising edge of the trigger pulse signal Dp.
When 1 changes to “Lb”, the first amplified current signal F
The first power amplifier in the phase where 1, F2 and F3 are not zero is energized, and the second power amplifier in the phase where the second amplified current signals H1, H2 and H3 are not zero is energized. For example, only the first amplified current signal F1 is selected and the second amplified current signal F1 is selected.
Consider a case where only the amplified current signal H2 of is selected. In response to the first amplified current signal F1, the first power amplifier 6
The first NMOS type power transistor 11 is turned on to form a current path for supplying the negative side current of the drive current I1 of the coil 2. In response to the second amplified current signal H2, the second NMOS type power transistor of the second power amplifier 616 becomes conductive and the drive current I of the coil 3 is reached.
A current path for supplying the positive electrode side current of 2 is formed.

【0106】コイル2、3に十分な駆動電流を供給する
ために、第1のパワー増幅器611の第1のNMOS型
パワートランジスタおよび第2のパワー増幅器616の
第2のNMOS型パワートランジスタはフルオン状態に
なる。コイルのインダクタンス作用によって、コイル
2、3の駆動電流値は徐々に増加する。従って、直流電
源50の供給する通電電流Igが増加し、電流検出器2
1の電流検出信号Agは大きくなる。電流検出信号Ag
が指令信号Adより大きくなった瞬間に、比較回路33
1の比較出力信号Crが立ち上がりエッジを発生し、状
態保持回路333のスイッチング制御信号W1は“H
b”に変化する。スイッチング制御信号W1が“Hb”
になると制御パルス信号Y1〜Y6がオンになり、第1
のパワー増幅器611、612、613の第1のNMO
S型パワートランジスタおよび第2のパワー増幅器61
5、616、617の第2のNMOS型パワートランジ
スタはすべて同時にオフ状態に変わる。このとき、コイ
ル2のインダクタンス作用によって、コイル2の電力供
給端子側の駆動電圧を急激に大きくし、第2のパワー増
幅器615の第2のパワーダイオードを通る電流路を形
成する。その結果、コイル2への駆動電流I1の負極側
電流は連続的に流れ続ける。
In order to supply a sufficient drive current to the coils 2 and 3, the first NMOS type power transistor of the first power amplifier 611 and the second NMOS type power transistor of the second power amplifier 616 are in a full on state. become. The driving current value of the coils 2 and 3 gradually increases due to the inductance action of the coils. Therefore, the energizing current Ig supplied from the DC power supply 50 increases, and the current detector 2
The current detection signal Ag of 1 becomes large. Current detection signal Ag
Is greater than the command signal Ad, the comparison circuit 33
The comparison output signal Cr of 1 generates a rising edge, and the switching control signal W1 of the state holding circuit 333 is "H".
b ". The switching control signal W1 is" Hb ".
When the control pulse signals Y1 to Y6 are turned on,
Power amplifiers 611, 612, 613 of the first NMO
S-type power transistor and second power amplifier 61
The second NMOS type power transistors 5, 616 and 617 are all turned off at the same time. At this time, due to the inductance action of the coil 2, the drive voltage on the power supply terminal side of the coil 2 is suddenly increased to form a current path that passes through the second power diode of the second power amplifier 615. As a result, the negative electrode side current of the drive current I1 to the coil 2 continues to flow continuously.

【0107】また、コイル3のインダクタンス作用によ
って、コイル3の電力供給端子側の駆動電圧を急激に小
さくし、第1のパワー増幅器612の第1のパワーダイ
オードを通る電流路を形成する。その結果、コイル3へ
の駆動電流I2の正極側電流は連続的に流れ続ける。こ
れにより、コイル2、3の駆動電流値は徐々に小さくな
る。少しの時間を経過した後に、トリガパルス信号Dp
の次の立ち上がりエッジが到来し、上述のスイッチング
動作を繰り返す。このようにして、直流電源50の通電
電流Igのピーク値を指令信号Adに応動した値に制御
し、コイル2、3、4への駆動電流を制御する。また、
第1の補助電流信号F4が第1のパワー増幅器611の
通電制御端子側に供給されている場合には、第1のパワ
ー増幅器611の第1のNMOS型パワートランジスタ
のオン抵抗を小さくする効果がある。また、第2の補助
電流信号H5が第2のパワー増幅器616の通電制御端
子側に供給されている場合には、第2のパワー増幅器6
16の第2のNMOS型パワートランジスタのオン抵抗
を小さくする効果がある。
Further, due to the inductance action of the coil 3, the drive voltage on the power supply terminal side of the coil 3 is drastically reduced, and a current path passing through the first power diode of the first power amplifier 612 is formed. As a result, the positive electrode side current of the drive current I2 to the coil 3 continues to flow continuously. As a result, the drive current values of the coils 2 and 3 gradually decrease. After a short time, the trigger pulse signal Dp
Then, the next rising edge arrives and the above switching operation is repeated. In this way, the peak value of the energizing current Ig of the DC power supply 50 is controlled to a value in response to the command signal Ad, and the drive current to the coils 2, 3, 4 is controlled. Also,
When the first auxiliary current signal F4 is supplied to the energization control terminal side of the first power amplifier 611, the effect of reducing the on-resistance of the first NMOS type power transistor of the first power amplifier 611 is obtained. is there. In addition, when the second auxiliary current signal H5 is supplied to the energization control terminal side of the second power amplifier 616, the second power amplifier 6
This has the effect of reducing the on-resistance of the 16th second NMOS type power transistor.

【0108】さらに、移動体1の移動に伴って第1の増
幅電流信号を1相分もしくは2相分に交互に滑らかに分
配しているので、第1のパワー増幅器611、612、
613による電流路の切換は滑らかになる。第1のパワ
ー増幅器611、612、613の第1のNMOS型パ
ワートランジスタの高周波スイッチング動作は、前述の
説明と同様である。また、移動体1の移動に伴って第2
の増幅電流信号を1相分もしくは2相分に交互に滑らか
に分配しているので、第2のパワー増幅器615、61
6、617による電流路の切換は滑らかになる。
Furthermore, since the first amplified current signal is alternately and smoothly distributed to one phase or two phases as the moving body 1 moves, the first power amplifiers 611 and 612,
The switching of the current path by 613 becomes smooth. The high frequency switching operation of the first NMOS type power transistors of the first power amplifiers 611, 612 and 613 is the same as that described above. In addition, the second
Of the second power amplifiers 615 and 61, since the amplified current signal of 1 is smoothly distributed to one phase or two phases alternately.
Switching of the current paths by 6, 617 becomes smooth.

【0109】第2のパワー増幅器615、616、61
7の第2のNMOS型パワートランジスタの高周波スイ
ッチング動作は、前述の説明と同様である。これによ
り、駆動電流が滑らかに変化し、電流脈動やモータ振動
が著しく小さくなる。なお、第1の増幅電流信号F1、
F2、F3や第2の増幅電流信号H1、H2、H3を指
令信号Adに応動した必要最小限の値に小さくしている
ので、指令信号Adが変化した場合でも常に滑らかな電
流路の切り換え動作を行わせることができる。また、第
1の増幅電流信号や第2の増幅電流信号による電力損失
を低減できる。その他の構成及び動作は、前述の実施例
1もしくは実施例2もしくは実施例3と同様であり、詳
細な説明を省略する。
Second power amplifiers 615, 616, 61
The high frequency switching operation of the second NMOS power transistor 7 is the same as that described above. As a result, the drive current changes smoothly, and current pulsation and motor vibration are significantly reduced. In addition, the first amplified current signal F1,
Since F2, F3 and the second amplified current signals H1, H2, H3 are reduced to the minimum necessary values in response to the command signal Ad, a smooth current path switching operation is always performed even when the command signal Ad changes. Can be done. In addition, power loss due to the first amplified current signal and the second amplified current signal can be reduced. Other configurations and operations are similar to those of the above-described first embodiment, second embodiment, or third embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

【0110】本実施例では、第1のパワー増幅器の第1
のNMOS型パワートランジスタおよび第2のパワー増
幅器の第2のNMOS型パワートランジスタを高周波ス
イッチング動作しているので、これらのパワートランジ
スタにおける電力損失は大幅に低減される。このとき、
第1のパワー増幅器と第2のパワー増幅器は単一のスイ
ッチング制御信号W1に応動して同時にオン・オフする
ので、高周波スイッチング動作させる構成やコイルへの
駆動電流を制御する構成を極めて簡単にできる。さら
に、本実施例でも、前述の実施例1もしくは実施例2も
しくは実施例3と同様な各種の利点を得ることができ
る。
In this embodiment, the first power amplifier
The high-frequency switching operation is performed on the NMOS power transistor and the second NMOS power transistor of the second power amplifier, so that the power loss in these power transistors is significantly reduced. At this time,
Since the first power amplifier and the second power amplifier are turned on / off at the same time in response to the single switching control signal W1, the configuration for performing high frequency switching operation and the configuration for controlling the drive current to the coil can be extremely simplified. . Furthermore, this embodiment can also obtain various advantages similar to those of the above-described first embodiment, second embodiment, or third embodiment.

【0111】《実施例5》図23から図27に本発明の
実施例5のモータを示す。図23に全体構成を示す。本
実施例5では、前述の実施例4において、第2のパワー
増幅器815、816、817を第2のPMOS型パワ
ートランジスタを使用して構成したものである。また、
スイッチング制御器800、補助供給器810、第2の
電流増幅器845、846、847を変更している。そ
の他の構成において、前述の実施例1、実施例2、実施
例3もしくは実施例4と同様なものには同一の番号を付
し、詳細な説明を省略する。
<Fifth Embodiment> FIGS. 23 to 27 show a motor according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 23 shows the overall configuration. In the fifth embodiment, the second power amplifiers 815, 816, 817 in the fourth embodiment are configured by using the second PMOS type power transistor. Also,
The switching controller 800, the auxiliary supply 810, and the second current amplifiers 845, 846, 847 are modified. In other configurations, the same components as those in the first, second, third or fourth embodiment described above are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0112】図23において、第1のパワー増幅器61
1は、通電制御端子側の第1端子に第1の電流増幅器4
1の第1の増幅電流信号F1が入力され、通電制御端子
側の第2端子に補助供給器810の第1の補助電流信号
F4が入力され、通電制御端子側の第3端子にスイッチ
ング制御器800の制御パルス信号Y1が入力されてい
る。同様に、第1のパワー増幅器612は、通電制御端
子側の第1端子に第1の電流増幅器42の第1の増幅電
流信号F2が入力され、通電制御端子側の第2端子に補
助供給器810の第1の補助電流信号F5が入力され、
通電制御端子側の第3端子にスイッチング制御器800
の制御パルス信号Y2が入力されている。同様に、第1
のパワー増幅器613は、通電制御端子側の第1端子に
第1の電流増幅器43の第1の増幅電流信号F3が入力
され、通電制御端子側の第2端子に補助供給器810の
第1の補助電流信号F6が入力され、通電制御端子側の
第3端子にスイッチング制御器800の制御パルス信号
Y3が入力されている。
In FIG. 23, the first power amplifier 61
1 is a first current amplifier 4 at the first terminal on the energization control terminal side.
No. 1 first amplified current signal F1 is input, the first auxiliary current signal F4 of the auxiliary feeder 810 is input to the second terminal on the energization control terminal side, and the switching controller is supplied to the third terminal on the energization control terminal side. The control pulse signal Y1 of 800 is input. Similarly, in the first power amplifier 612, the first amplified current signal F2 of the first current amplifier 42 is input to the first terminal on the energization control terminal side, and the auxiliary supply device is supplied to the second terminal on the energization control terminal side. The first auxiliary current signal F5 of 810 is input,
A switching controller 800 is provided at the third terminal on the energization control terminal side.
Control pulse signal Y2 is input. Similarly, the first
In the power amplifier 613, the first amplified current signal F3 of the first current amplifier 43 is input to the first terminal on the energization control terminal side, and the first terminal of the auxiliary feeder 810 is connected to the second terminal on the energization control terminal side. The auxiliary current signal F6 is input, and the control pulse signal Y3 of the switching controller 800 is input to the third terminal on the energization control terminal side.

【0113】図19に示した前述のパワー増幅器620
を第1のパワー増幅器611、612、613として使
用する。図19のパワー増幅器620を第1のパワー増
幅器611として使用する場合は、すでに説明した通り
である。また、第1のパワー増幅器612、613の場
合も同様な構成である。図23において、第2のパワー
増幅器815は、通電制御端子側の第1端子に第2の電
流増幅器845の第2の増幅電流信号H1が入力され、
通電制御端子側の第2端子に補助供給器810の第2の
補助電流信号H4が入力され、通電制御端子側の第3端
子にスイッチング制御器800の制御パルス信号Y4が
入力されている。同様に、第2のパワー増幅器816
は、通電制御端子側の第1端子に第2の電流増幅器84
6の第2の増幅電流信号H2が入力され、通電制御端子
側の第2端子に補助供給器810の第2の補助電流信号
H5が入力され、通電制御端子側の第3端子にスイッチ
ング制御器800の制御パルス信号Y5が入力されてい
る。同様に、第2のパワー増幅器817は、通電制御端
子側の第1端子に第2の電流増幅器847の第2の増幅
電流信号H3が入力され、通電制御端子側の第2端子に
補助供給器810の第2の補助電流信号H6が入力さ
れ、通電制御端子側の第3端子にスイッチング制御器8
00の制御パルス信号Y6が入力されている。
The aforementioned power amplifier 620 shown in FIG.
Are used as the first power amplifiers 611, 612, and 613. When the power amplifier 620 of FIG. 19 is used as the first power amplifier 611, it has already been described. Further, the first power amplifiers 612 and 613 have the same configuration. In FIG. 23, in the second power amplifier 815, the second amplified current signal H1 of the second current amplifier 845 is input to the first terminal on the energization control terminal side,
The second auxiliary current signal H4 of the auxiliary feeder 810 is input to the second terminal on the energization control terminal side, and the control pulse signal Y4 of the switching controller 800 is input to the third terminal on the energization control terminal side. Similarly, the second power amplifier 816
Is the second current amplifier 84 at the first terminal on the energization control terminal side.
The second amplified current signal H2 of No. 6 is input, the second auxiliary current signal H5 of the auxiliary feeder 810 is input to the second terminal on the energization control terminal side, and the switching controller is input to the third terminal on the energization control terminal side. The control pulse signal Y5 of 800 is input. Similarly, in the second power amplifier 817, the second amplified current signal H3 of the second current amplifier 847 is input to the first terminal on the energization control terminal side, and the auxiliary supply device is input to the second terminal on the energization control terminal side. The second auxiliary current signal H6 of 810 is input, and the switching controller 8 is connected to the third terminal on the energization control terminal side.
The control pulse signal Y6 of 00 is input.

【0114】図27に第2のパワー増幅器815、81
6、817の具体的な構成に相当するパワー増幅器90
0を示す。ここでは、パワー増幅器900を第2のパワ
ー増幅器815として使用する場合を示している。パワ
ー増幅器900は、PMOS型パワートランジスタ90
5と、PMOS型パワートランジスタ905に並列に逆
接続されたパワーダイオード905dを含んで構成され
ている。パワーダイオード905dの電流流入端子側は
PMOS型パワートランジスタ905の電流流出端子側
に接続され、電流流出端子側はPMOS型パワートラン
ジスタ905の電流流入端子側に接続されている。パワ
ー増幅器900は、PMOS型パワートランジスタ90
5とPMOS型トランジスタ906により電界効果型パ
ワー部カレントミラー回路を形成している(セル面積比
は100倍)。パワー増幅器900の通電制御端子側の
第1端子とPMOS型トランジスタ906の電流路端子
対の一方の端子側の間に抵抗907が接続され、通電制
御端子側の第1端子と第2端子の間に抵抗908が接続
され、通電制御端子側の第3端子はPMOS型パワート
ランジスタ905の制御端子側に接続されている。これ
により、パワー増幅器900の電界効果型パワー部カレ
ントミラー回路は、通電制御端子側の第1端子への第2
の増幅電流信号H1が小さい内は所定の電流増幅率を有
し、第2の増幅電流信号H1が大きくなると、その電流
増幅率が急激に大きくなる。
FIG. 27 shows the second power amplifiers 815 and 81.
Power amplifier 90 corresponding to the concrete configuration of 6, 817
Indicates 0. Here, the case where the power amplifier 900 is used as the second power amplifier 815 is shown. The power amplifier 900 is a PMOS power transistor 90.
5 and a power diode 905d reversely connected in parallel to the PMOS power transistor 905. The current inflow terminal side of the power diode 905d is connected to the current outflow terminal side of the PMOS power transistor 905, and the current outflow terminal side is connected to the current inflow terminal side of the PMOS power transistor 905. The power amplifier 900 is a PMOS power transistor 90.
5 and the PMOS transistor 906 form a field effect type power section current mirror circuit (cell area ratio is 100 times). A resistor 907 is connected between the first terminal on the side of the current control terminal of the power amplifier 900 and one terminal side of the current path terminal pair of the PMOS transistor 906, and the resistor 907 is connected between the first and second terminals on the side of the current control terminal. Is connected to the resistor 908, and the third terminal on the energization control terminal side is connected to the control terminal side of the PMOS power transistor 905. As a result, the field effect type current mirror circuit of the power amplifier 900 has a second terminal to the first terminal on the energization control terminal side.
The amplified current signal H1 has a small current amplification factor, and the second amplification current signal H1 has a large amplification factor.

【0115】また、通電制御端子側の第2端子への第2
の補助電流信号H4によってPMOS型パワートランジ
スタ905のオン抵抗を低減する。さらに、パワー増幅
器900のPMOS型パワートランジスタ905および
電界効果型パワー部カレントミラー回路は、通電制御端
子側の第3端子への制御パルス信号Y4がオン・オフの
高周波スイッチングする場合に、オン・オフの高周波ス
イッチング動作を行う。なお、PMOS型パワートラン
ジスタ905は、たとえば二重拡散PチャンネルMOS
構造の電界効果型トランジスタによって構成され、PM
OS型パワートランジスタ905の寄生ダイオード素子
をパワーダイオード905dとして使用している。な
お、パワー増幅器900の抵抗907または/および抵
抗908は、零にしても動作上問題はない。図23の第
2の電流増幅器845、846、847は、第1の分配
電流信号G1、G2、G3を電流増幅した第2の増幅電
流信号H1、H2、H3を作りだす。第2の増幅電流信
号H1、H2、H3は、それぞれ第2のパワー増幅器8
15、816、817の通電制御端子側の第1端子に供
給されている。
Further, the second terminal to the second terminal on the energization control terminal side is
The auxiliary current signal H4 reduces the ON resistance of the PMOS power transistor 905. Further, the PMOS power transistor 905 and the field effect power current mirror circuit of the power amplifier 900 are turned on / off when the control pulse signal Y4 to the third terminal on the energization control terminal side is turned on / off at high frequency. High frequency switching operation. The PMOS type power transistor 905 is, for example, a double diffused P channel MOS.
PM composed of a field effect transistor having a structure
The parasitic diode element of the OS type power transistor 905 is used as the power diode 905d. Note that there is no operational problem even if the resistance 907 and / or the resistance 908 of the power amplifier 900 is zero. The second current amplifiers 845, 846, 847 in FIG. 23 generate second amplified current signals H1, H2, H3 by current-amplifying the first distributed current signals G1, G2, G3. The second amplified current signals H1, H2, H3 are respectively supplied to the second power amplifier 8
It is supplied to the first terminals of the energization control terminals 15 to 816 and 817.

【0116】図26に第2の電流増幅器845、84
6、847の具体的な構成を示す。第2の電流増幅器8
45は、トランジスタ951、952による初段のカレ
ントミラー回路と、トランジスタ953、954と抵抗
955、956による次段のカレントミラー回路を縦続
接続した第2の増幅部カレントミラー回路によって構成
されている。第2の電流増幅器845は、電流増幅率で
50倍の所定の増幅を行う。同様に、第2の電流増幅器
846は、トランジスタ961、962、963、96
4と抵抗965、966による第2の増幅部カレントミ
ラー回路によって構成され、電流増幅率で50倍の所定
の増幅を行う。同様に、第2の電流増幅器847は、ト
ランジスタ971、972、973、974と抵抗97
5、976による第2の増幅部カレントミラー回路によ
って構成され、電流増幅率で50倍の所定の増幅を行
う。これにより、第2の電流増幅器845、846、8
47は、3相の第2の分配電流信号G1、G2、G3を
それぞれ50倍の増幅し、3相の増幅電流信号H1、H
2、H3を出力する。
FIG. 26 shows the second current amplifiers 845 and 84.
6 and 847 show specific configurations. Second current amplifier 8
Reference numeral 45 is composed of a first-stage current mirror circuit including transistors 951 and 952, and a second amplifier current mirror circuit in which the next-stage current mirror circuits including transistors 953 and 954 and resistors 955 and 956 are connected in cascade. The second current amplifier 845 performs a predetermined amplification of 50 times the current amplification factor. Similarly, the second current amplifier 846 includes transistors 961, 962, 963, 96.
4 and resistors 965 and 966, which is a second amplification unit current mirror circuit, and performs a predetermined amplification of 50 times the current amplification factor. Similarly, the second current amplifier 847 includes transistors 971, 972, 973, 974 and a resistor 97.
5, 976 and a second amplifier current mirror circuit, and performs a predetermined amplification of 50 times with a current amplification factor. This allows the second current amplifiers 845, 846, 8
47 amplifies the three-phase second distributed current signals G1, G2, and G3 by 50 times, respectively, and amplifies the three-phase amplified current signals H1 and H3.
2 and H3 are output.

【0117】図23のスイッチング制御器800は、第
1のパワー増幅器611、612、613または/およ
び第2のパワー増幅器815、816、817をオン・
オフの高周波スイッチング動作させる。図24にスイッ
チング制御器800の具体的な構成の一例を示す。スイ
ッチング制御器800のスイッチングパルス回路330
は、前述の図7に示した構成と同様であり、スイッチン
グ制御信号W1を出力する。設定スイッチ回路840が
Ga側に接続されている場合には、設定スイッチ信号S
fは“Lb”であるから、アンド回路830の出力は
“Lb”になり、制御トランジスタ835、836、8
37はオフになる。従って、制御パルス信号Y4、Y
5、Y6はオフ状態になる。また、スイッチング制御信
号W1に応動して制御トランジスタ831、832、8
33がオン・オフ動作し、制御パルス信号Y1、Y2、
Y3はオン・オフ出力される。その結果、制御パルス信
号Y1、Y2、Y3に応動して第1のパワー増幅器61
1、612、613の第1のNMOS型パワートランジ
スタがオン・オフの高周波スイッチング動作する。な
お、制御パルス信号Y4、Y5、Y6はオフであるか
ら、第2のパワー増幅器815、816、817は第2
の電流増幅器845、846、847の第2の増幅電流
信号H1、H2、H3に応動して通電を分配制御される
(高周波スイッチング動作はしない)。
The switching controller 800 of FIG. 23 turns on the first power amplifiers 611, 612, 613 or / and the second power amplifiers 815, 816, 817.
Turn off high-frequency switching operation. FIG. 24 shows an example of a specific configuration of the switching controller 800. Switching pulse circuit 330 of switching controller 800
Has the same configuration as that shown in FIG. 7 and outputs the switching control signal W1. When the setting switch circuit 840 is connected to the Ga side, the setting switch signal S
Since f is “Lb”, the output of the AND circuit 830 becomes “Lb” and the control transistors 835, 836, 8
37 turns off. Therefore, the control pulse signals Y4, Y
5 and Y6 are turned off. Further, in response to the switching control signal W1, the control transistors 831, 832, 8
33 is turned on / off, and control pulse signals Y1, Y2,
Y3 is output on / off. As a result, the first power amplifier 61 responds to the control pulse signals Y1, Y2, Y3.
The first NMOS power transistors 1, 612 and 613 perform high frequency switching operation of on / off. Since the control pulse signals Y4, Y5, Y6 are off, the second power amplifiers 815, 816, 817 are the second power amplifiers.
The energization is distributed and controlled in response to the second amplified current signals H1, H2, and H3 of the current amplifiers 845, 846, and 847 (the high frequency switching operation is not performed).

【0118】また、設定スイッチ回路840がGb側に
接続されている場合には、設定スイッチ信号Sfは“H
b”であるから、スイッチング制御信号W1に応動して
制御トランジスタ835、836、837もオン・オフ
動作する。従って、スイッチング制御信号W1に応動し
て制御トランジスタ831、832、833、835、
836、837がオン・オフ動作し、制御パルス信号Y
1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6がオン・オフ出力さ
れる。その結果、制御パルス信号Y1、Y2、Y3に応
動して第1のパワー増幅器611、612、613の第
1のNMOS型パワートランジスタがオン・オフの高周
波スイッチング動作し、制御パルス信号Y4、Y5、Y
6に応動して第2のパワー増幅器815、816、81
7の第2のPMOS型パワートランジスタがオン・オフ
の高周波スイッチング動作する。なお、設定スイッチ回
路840の接続はどちらかに固定されるものであるが、
必要に応じて適時切り換えても良い。
When the setting switch circuit 840 is connected to the Gb side, the setting switch signal Sf is "H".
b ″, the control transistors 835, 836, and 837 are turned on / off in response to the switching control signal W1. Therefore, the control transistors 831, 832, 833, and 835 are activated in response to the switching control signal W1.
836 and 837 are turned on and off, and the control pulse signal Y
1, Y2, Y3, Y4, Y5, and Y6 are output on / off. As a result, in response to the control pulse signals Y1, Y2, Y3, the first NMOS power transistors of the first power amplifiers 611, 612, 613 perform high-frequency switching operation of on / off, and the control pulse signals Y4, Y5, Y
6 in response to the second power amplifier 815, 816, 81
The second PMOS type power transistor 7 has an ON / OFF high frequency switching operation. Although the connection of the setting switch circuit 840 is fixed to either one,
It may be switched as needed.

【0119】図23の補助供給器810は、切換作成器
34の出力信号に応動して3相の第1の補助電流信号F
4、F5、F6を第1のパワー増幅器611、612、
613の通電制御端子側に供給し、切換作成器34の出
力信号に応動して3相の第2の補助電流信号H4、H
5、H6を第2のパワー増幅器815、816、817
の通電制御端子側に供給する。図25に補助供給器81
0の具体的な構成を示す。補助供給器810の補助切換
作成部510は前述の図14もしくは図15に示した構
成と同様であり、詳細な説明は省略する。補助電流切換
部850は、3個の第1の電流源871、872、87
3と3個の第2の電流源875、876、877と3個
の第1のスイッチ回路881、882、883と3個の
第2のスイッチ回路885、886、887を有してい
る。第1の電流源871、872、873は直流電源5
0の正極端子側より流出する方向に接続され、第2の電
流源875、876、877は直流電源50の負極端子
側に流入する方向に接続されている。
The auxiliary supply device 810 of FIG. 23 responds to the output signal of the switching generator 34 to generate a three-phase first auxiliary current signal F.
4, F5, F6 are connected to the first power amplifiers 611, 612,
It is supplied to the energization control terminal side of 613, and in response to the output signal of the switching generator 34, three-phase second auxiliary current signals H4 and H4.
5, H6 to the second power amplifiers 815, 816, 817
Supply to the energization control terminal side of. Auxiliary feeder 81 in FIG.
A specific configuration of 0 is shown. The auxiliary switching creation unit 510 of the auxiliary feeder 810 has the same configuration as that shown in FIG. 14 or FIG. 15 described above, and detailed description thereof will be omitted. The auxiliary current switching unit 850 includes three first current sources 871, 872, 87.
It has three and three second current sources 875, 876, 877 and three first switch circuits 881, 882, 883 and three second switch circuits 885, 886, 887. The first current sources 871, 872, 873 are the DC power supply 5
The second current sources 875, 876, 877 are connected in the direction in which they flow out from the positive electrode terminal side of 0, and the second current sources 875, 876, 877 are connected in the direction in which they flow into the negative electrode terminal side of the DC power supply 50.

【0120】第1のスイッチ回路881、882、88
3は、補助切換作成部510の補助切換信号J4、J
5、J6が“Hb”になるとスイッチをオンにし、第1
の電流源871、872、873の電流を3相の第1の
補助電流信号F4、F5、F6として出力する。第2の
スイッチ回路885、886、887は、補助切換作成
部510の補助切換信号J7、J8、J9が“Hb”に
なるとスイッチをオンにし、第2の電流源875、87
6、877の電流を3相の第2の補助電流信号H4、H
5、H6として出力する。第1の補助電流信号F4、F
5、F6と第1の増幅電流信号F1、F2、F3の波形
関係は、前述の図17(a)〜(c)、(g)に示した
ものと同様である。また、第2の補助電流信号H4、H
5、H6と第2の増幅電流信号H1、H2、H3の波形
関係は、前述の図17(d)〜(f)、(h)に示した
ものと同様である。
First switch circuits 881, 882, 88
3 is the auxiliary switching signals J4, J of the auxiliary switching creating section 510.
When 5 and J6 become "Hb", the switch is turned on and the first
The currents of the current sources 871, 872, 873 are output as three-phase first auxiliary current signals F4, F5, F6. The second switch circuits 885, 886, 887 turn on the switches when the auxiliary switching signals J7, J8, J9 of the auxiliary switching generator 510 become "Hb", and the second current sources 875, 87.
The currents of 6, 877 are applied to the three-phase second auxiliary current signals H4, H
5, and output as H6. First auxiliary current signals F4, F
5, F6 and the first amplified current signals F1, F2, F3 have the same waveform relationship as that shown in FIGS. 17 (a) to (c), (g). In addition, the second auxiliary current signals H4, H
5, H6 and the second amplified current signals H1, H2, H3 have the same waveform relationship as shown in FIGS. 17 (d) to (f) and (h).

【0121】その他の構成及び動作は、前述の実施例1
や実施例2や実施例3や実施例4と同様であり、詳細な
説明を省略する。本実施例では、第1のパワー増幅器の
第1のNMOS型パワートランジスタをオン・オフの高
周波スイッチング動作させているので、第1のパワー増
幅器の電力損失は小さい。また、第2のパワー増幅器の
第2のPMOS型パワートランジスタをフルオン動作も
しくはオン・オフの高周波のスイッチング動作させてい
るので、第2のパワー増幅器の電力損失は小さい。従っ
て、電力効率の良いモータになる。また、第1の増幅電
流信号や第2の増幅電流信号を指令信号Adに応動して
変化させ、第1のパワー増幅器や第2のパワー増幅器の
入力電流による電力損失も小さくしている。なお、3個
の第1のパワー増幅器のみを高周波スイッチング動作さ
せる場合、3個の第2のパワー増幅器のみを高周波スイ
ッチング動作させる場合、3個の第1のパワー増幅器と
3個の第2のパワー増幅器の両方を高周波スイッチング
動作させる場合、3個の第1のパワー増幅器の高周波ス
イッチング動作と3個の第2のパワー増幅器の高周波ス
イッチング動作を適時切り換えて動作させる場合、な
ど、各種のスイッチング動作の行わせ方がある。これら
は設計事項であり、詳細な説明を省略する。
Other configurations and operations are the same as those in the first embodiment.
The second embodiment, the third embodiment, and the fourth embodiment are the same as those described above, and detailed description thereof will be omitted. In this embodiment, since the first NMOS type power transistor of the first power amplifier is turned on / off at high frequency switching operation, the power loss of the first power amplifier is small. Further, since the second PMOS type power transistor of the second power amplifier is operated in a full-on operation or a high-frequency switching operation of on / off, the power loss of the second power amplifier is small. Therefore, the motor has high power efficiency. Further, the first amplified current signal and the second amplified current signal are changed in response to the command signal Ad to reduce the power loss due to the input current of the first power amplifier and the second power amplifier. When only three first power amplifiers are subjected to high frequency switching operation, when only three second power amplifiers are subjected to high frequency switching operation, three first power amplifiers and three second power amplifiers are used. In the case where both the amplifiers are subjected to high frequency switching operation, the high frequency switching operation of the three first power amplifiers and the high frequency switching operation of the three second power amplifiers are appropriately switched, and various switching operations are performed. There is a way to do it. These are design items, and detailed description thereof will be omitted.

【0122】また、本実施例では、第1のパワー増幅器
に第1のNMOS型パワートランジスタを使用し、第2
のパワー増幅器に第2のPMOS型パワートランジスタ
を使用し、第1のNMOS型パワートランジスタや第2
のPMOS型パワートランジスタを通電制御するための
構成を大幅に簡素にした。すなわち、高電圧出力器をな
くし、パワートランジスタを駆動制御するために直流電
源50以外の電圧源を不要にした。これにより、全体の
構成は著しく簡素になった。また、本実施例では、非線
形な電圧増幅利得を有するNMOS型パワートランジス
タとPMOS型パワートランジスタを使用しながらも、
電界効果型パワー部カレントミラー回路を構成し、第1
のパワー増幅器と第2のパワー増幅器の電流増幅率のば
らつきを大幅に低減した。これにより、電流路の切換動
作を滑らかにした。また、本実施例では、第1の増幅電
流信号(第1の3相の電流信号)や第2の増幅電流信号
(第2の3相の電流信号)を指令信号Adに応動して変
化させ、指令信号Adが変化した場合であっても常に滑
らかな電流路の切換動作を実現した。
Further, in this embodiment, the first NMOS power transistor is used for the first power amplifier and the second power amplifier is used for the second power amplifier.
The second PMOS type power transistor is used for the power amplifier of
The configuration for controlling the energization of the PMOS type power transistor has been greatly simplified. That is, the high voltage output device is eliminated, and the voltage source other than the DC power source 50 is unnecessary for driving and controlling the power transistor. As a result, the overall configuration is significantly simplified. Further, in this embodiment, while using the NMOS type power transistor and the PMOS type power transistor having the non-linear voltage amplification gain,
A field effect type power section current mirror circuit is configured to
The variation in the current amplification factor between the power amplifier of No. 2 and the power amplifier of No. 2 was significantly reduced. This made the switching operation of the current path smooth. Further, in the present embodiment, the first amplified current signal (first three-phase current signal) and the second amplified current signal (second three-phase current signal) are changed in response to the command signal Ad. Even when the command signal Ad changes, a smooth current path switching operation is always realized.

【0123】さらに、本実施例でも、前述の実施例と同
様な各種の利点を得ることができる。また、本実施例に
おいて、第1のパワー増幅器611、612、613は
図19に示された構成のパワー増幅器620に限らず、
種々の変形が可能である。たとえば、図20に示したパ
ワー増幅器640を第1のパワー増幅器611、61
2、613として使用可能である。また、本実施例にお
いて、第2のパワー増幅器815、816、817は図
27に示された構成のパワー増幅器900に限らず、種
々の変形が可能である。図28に第2のパワー増幅器8
15、816、817に使用可能な別の構成のパワー増
幅器920を示す。ここでは、パワー増幅器920を第
2のパワー増幅器815として使用する場合を示してい
る。パワー増幅器920は、PMOS型パワートランジ
スタ925と、PMOS型パワートランジスタ925に
並列に逆接続されたパワーダイオード925dを含んで
構成されている。パワーダイオード925dの電流流入
端子側はPMOS型パワートランジスタ925の電流流
出端子側に接続され、電流流出端子側はPMOS型パワ
ートランジスタ925の電流流入端子側に接続されてい
る。
Further, in this embodiment, various advantages similar to those of the above-described embodiments can be obtained. Further, in the present embodiment, the first power amplifiers 611, 612 and 613 are not limited to the power amplifier 620 having the configuration shown in FIG.
Various modifications are possible. For example, the power amplifier 640 shown in FIG. 20 is replaced by the first power amplifiers 611, 61.
It can be used as 2, 613. Further, in the present embodiment, the second power amplifiers 815, 816, 817 are not limited to the power amplifier 900 having the configuration shown in FIG. 27, and various modifications are possible. FIG. 28 shows the second power amplifier 8
15 shows another configuration of power amplifier 920 that can be used for 15, 816, 817. Here, the case where the power amplifier 920 is used as the second power amplifier 815 is shown. The power amplifier 920 includes a PMOS power transistor 925 and a power diode 925d reversely connected in parallel to the PMOS power transistor 925. The current inflow terminal side of the power diode 925d is connected to the current outflow terminal side of the PMOS type power transistor 925, and the current outflow terminal side is connected to the current inflow terminal side of the PMOS type power transistor 925.

【0124】パワー増幅器920は、PMOS型パワー
トランジスタ925とPMOS型トランジスタ926に
より電界効果型パワー部カレントミラー回路を形成して
いる(セル面積比は100倍)。パワー増幅器920の
通電制御端子側の第1端子はPMOS型トランジスタ9
26の電流路端子対の一方の端子側に接続され、PMO
S型トランジスタ926の電流路端子対の他方の端子側
とPMOS型パワートランジスタ925の電流路端子対
の一方の端子側の間に抵抗927が接続され、通電制御
端子側の第1端子と第2端子の間に抵抗928が接続さ
れ、通電制御端子側の第3端子はPMOS型パワートラ
ンジスタ925の制御端子に接続されている。これによ
り、パワー増幅器920の電界効果型パワー部カレント
ミラー回路は、通電制御端子側の第1端子への第2の増
幅電流信号H1が小さいときから、かなり大きな電流増
幅動作を行うようになる。
In the power amplifier 920, a field effect type power section current mirror circuit is formed by a PMOS type power transistor 925 and a PMOS type transistor 926 (cell area ratio is 100 times). The first terminal on the energization control terminal side of the power amplifier 920 is a PMOS transistor 9
26 is connected to one terminal side of the current path terminal pair, and the PMO
A resistor 927 is connected between the other terminal side of the current path terminal pair of the S-type transistor 926 and one terminal side of the current path terminal pair of the PMOS type power transistor 925, and the first terminal and the second terminal on the conduction control terminal side are connected. A resistor 928 is connected between the terminals, and the third terminal on the energization control terminal side is connected to the control terminal of the PMOS power transistor 925. As a result, the field effect type power unit current mirror circuit of the power amplifier 920 performs a considerably large current amplification operation even when the second amplified current signal H1 to the first terminal on the energization control terminal side is small.

【0125】また、通電制御端子側の第2端子への第2
の補助電流信号H4によってPMOS型パワートランジ
スタ925のオン抵抗による電力損失を低減している。
さらに、パワー増幅器920のPMOS型パワートラン
ジスタ925および電界効果型パワー部カレントミラー
回路は、通電制御端子側の第3端子への制御パルス信号
Y4がオン・オフ動作している場合に、オン・オフの高
周波スイッチング動作を行う。なお、PMOS型パワー
トランジスタ925は、たとえば二重拡散Pチャンネル
MOS構造の電界効果型トランジスタによって構成さ
れ、PMOS型パワートランジスタ925の寄生ダイオ
ード素子をパワーダイオード925dとして使用してい
る。なお、パワー増幅器920の抵抗927または/お
よび抵抗928は、零にしても動作上問題はない。
Further, the second terminal to the second terminal on the energization control terminal side is
The auxiliary current signal H4 reduces the power loss due to the on-resistance of the PMOS power transistor 925.
Further, the PMOS type power transistor 925 and the field effect type power part current mirror circuit of the power amplifier 920 are turned on / off when the control pulse signal Y4 to the third terminal on the energization control terminal side is turned on / off. High frequency switching operation. The PMOS power transistor 925 is formed of, for example, a field effect transistor having a double diffused P-channel MOS structure, and the parasitic diode element of the PMOS power transistor 925 is used as the power diode 925d. Note that there is no operational problem even if the resistance 927 and / or the resistance 928 of the power amplifier 920 is zero.

【0126】《実施例6》図29と図30に本発明の実
施例6のモータを示す。図29に全体構成を示す。本実
施例は、前述の実施例3において、さらに、オフ動作器
1000を設けたものである。その他の構成において、
前述の実施例1、実施例2、実施例3、実施例4もしく
は実施例5と同様なものには同一の番号を付し、詳細な
説明を省略する。
Sixth Embodiment FIG. 29 and FIG. 30 show a motor according to a sixth embodiment of the present invention. FIG. 29 shows the overall configuration. In the present embodiment, the off-operation unit 1000 is further provided in the third embodiment described above. In other configurations,
The same components as those in the above-described first, second, third, fourth, or fifth embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0127】図29において、第1のパワー増幅器61
1は、通電制御端子側の第1端子に第1の電流増幅器4
1の第1の増幅電流信号F1が入力され、通電制御端子
側の第2端子に補助供給器500の第1の補助電流信号
F4が入力され、通電制御端子側の第3端子にスイッチ
ング制御器22の制御パルス信号Y1が入力されてい
る。同様に、第1のパワー増幅器612は、通電制御端
子側の第1端子に第1の電流増幅器42の第1の増幅電
流信号F2が入力され、通電制御端子側の第2端子に補
助供給器500の第1の補助電流信号F5が入力され、
通電制御端子側の第3端子にスイッチング制御器22の
制御パルス信号Y2が入力されている。同様に、第1の
パワー増幅器613は、通電制御端子側の第1端子に第
1の電流増幅器43の第1の増幅電流信号F3が入力さ
れ、通電制御端子側の第2端子に補助供給器500の第
1の補助電流信号F6が入力され、通電制御端子側の第
3端子にスイッチング制御器22の制御パルス信号Y3
が入力されている。
In FIG. 29, the first power amplifier 61
1 is a first current amplifier 4 at the first terminal on the energization control terminal side.
No. 1 first amplified current signal F1 is input, the first auxiliary current signal F4 of the auxiliary supply device 500 is input to the second terminal on the energization control terminal side, and the switching controller is supplied to the third terminal on the energization control terminal side. The control pulse signal Y1 of 22 is input. Similarly, in the first power amplifier 612, the first amplified current signal F2 of the first current amplifier 42 is input to the first terminal on the energization control terminal side, and the auxiliary supply device is input to the second terminal on the energization control terminal side. The first auxiliary current signal F5 of 500 is input,
The control pulse signal Y2 of the switching controller 22 is input to the third terminal on the energization control terminal side. Similarly, in the first power amplifier 613, the first amplified current signal F3 of the first current amplifier 43 is input to the first terminal on the energization control terminal side, and the auxiliary supply device is input to the second terminal on the energization control terminal side. The first auxiliary current signal F6 of 500 is input, and the control pulse signal Y3 of the switching controller 22 is supplied to the third terminal on the energization control terminal side.
Has been entered.

【0128】また、第2のパワー増幅器615は、通電
制御端子側の第1端子に第2の電流増幅器45の第2の
増幅電流信号H1が入力され、通電制御端子側の第2端
子に補助供給器500の第2の補助電流信号H4が入力
され、通電制御端子側の第3端子にオフ動作器1000
のオフ電流信号Z4が入力されている。同様に、第2の
パワー増幅器616は、通電制御端子側の第1端子に第
2の電流増幅器46の第2の増幅電流信号H2が入力さ
れ、通電制御端子側の第2端子に補助供給器500の第
2の補助電流信号H5が入力され、通電制御端子側の第
3端子にオフ動作器1000のオフ電流信号Z5が入力
されている。同様に、第2のパワー増幅器617は、通
電制御端子側の第1端子に第2の電流増幅器47の第2
の増幅電流信号H3が入力され、通電制御端子側の第2
端子に補助供給器500の第2の補助電流信号H6が入
力され、通電制御端子側の第3端子にオフ動作器100
0のオフ電流信号Z6が入力されている。
In the second power amplifier 615, the second amplified current signal H1 of the second current amplifier 45 is input to the first terminal on the energization control terminal side and the second terminal on the energization control terminal side is supplemented. The second auxiliary current signal H4 of the supplier 500 is input, and the off-operation unit 1000 is connected to the third terminal on the energization control terminal side.
OFF current signal Z4 is input. Similarly, in the second power amplifier 616, the second amplified current signal H2 of the second current amplifier 46 is input to the first terminal on the energization control terminal side, and the second power amplifier 616 receives the auxiliary supply device on the second terminal on the energization control terminal side. The second auxiliary current signal H5 of 500 is input, and the off-current signal Z5 of the off-operation unit 1000 is input to the third terminal on the energization control terminal side. Similarly, the second power amplifier 617 has the second terminal of the second current amplifier 47 connected to the first terminal on the energization control terminal side.
The amplified current signal H3 of
The second auxiliary current signal H6 of the auxiliary supply device 500 is input to the terminal, and the OFF operation device 100 is connected to the third terminal on the energization control terminal side.
The off current signal Z6 of 0 is input.

【0129】オフ動作器1000のオフ電流信号Z4
は、少なくとも第1のパワー増幅器611が通電状態の
高周波スイッチング動作を行っている場合に、同じ相の
第2のパワー増幅器615の通電制御端子側から電流を
流出させ、第2のパワー増幅器615をオフ動作させ
る。また、第2のパワー増幅器615が通電状態になる
ときには、オフ電流信号Z4は無信号状態(零電流)に
なり、第2のパワー増幅器615は通電制御端子側への
入力電流に応動して通電制御される。同様に、オフ動作
器1000のオフ電流信号Z5は、少なくとも第1のパ
ワー増幅器612が通電状態の高周波スイッチング動作
を行っている場合に、同じ相の第2のパワー増幅器61
6の通電制御端子側から電流を流出させ、第2のパワー
増幅器616をオフ動作させる。
Off-current signal Z4 of off-operation unit 1000
At least when the first power amplifier 611 is performing the high frequency switching operation in the energized state, the current is caused to flow out from the energization control terminal side of the second power amplifier 615 of the same phase, and the second power amplifier 615 is turned on. Turn off. When the second power amplifier 615 is in the energized state, the off-current signal Z4 is in a non-signal state (zero current), and the second power amplifier 615 is energized in response to the input current to the energization control terminal side. Controlled. Similarly, the off-current signal Z5 of the off-operation unit 1000 is the same as that of the second power amplifier 61 of the same phase when at least the first power amplifier 612 is performing the high frequency switching operation in the energized state.
A current is caused to flow out from the energization control terminal side of No. 6 to turn off the second power amplifier 616.

【0130】また、第2のパワー増幅器616が通電状
態になるときには、オフ電流信号Z5は無信号状態(零
電流)になり、第2のパワー増幅器616は通電制御端
子側への入力電流に応動して通電制御される。同様に、
オフ動作器1000のオフ電流信号Z6は、少なくとも
第1のパワー増幅器613が通電状態の高周波スイッチ
ング動作を行っている場合に、同じ相の第2のパワー増
幅器617の通電制御端子側から電流を流出させ、第2
のパワー増幅器617をオフ動作させる。また、第2の
パワー増幅器617が通電状態になるときには、オフ電
流信号Z6は無信号状態(零電流)になり、第2のパワ
ー増幅器617は通電制御端子側への入力電流に応動し
て通電制御される。
When the second power amplifier 616 is in the energized state, the off-current signal Z5 is in the non-signal state (zero current), and the second power amplifier 616 responds to the input current to the energization control terminal side. Then, energization is controlled. Similarly,
The off-current signal Z6 of the off-operation unit 1000 causes a current to flow from the energization control terminal side of the second power amplifier 617 in the same phase when at least the first power amplifier 613 is performing the high-frequency switching operation in the energized state. Let the second
The power amplifier 617 is turned off. Further, when the second power amplifier 617 is in the energized state, the off-current signal Z6 is in a non-signal state (zero current), and the second power amplifier 617 is energized in response to the input current to the energization control terminal side. Controlled.

【0131】図30にオフ動作器1000の具体的な構
成を示す。オフ動作器1000のコンパレータ1010
は、切換作成器34の出力信号Ja1と所定電圧を比較
し、その比較結果に応動して電界効果型トランジスタ1
012をオン・オフさせる。その結果、オフ電流信号Z
4を出力し、第2のパワー増幅器615を確実にオフ動
作させる。同様に、コンパレータ1020は、切換作成
器34の出力信号Jb1と所定電圧を比較し、その比較
結果に応動して電界効果型トランジスタ1022をオン
・オフさせる。その結果、オフ電流信号Z5を出力し、
第2のパワー増幅器616を確実にオフ動作させる。同
様に、コンパレータ1030は、切換作成器34の出力
信号Jc1と所定電圧を比較し、その比較結果に応動し
て電界効果型トランジスタ1032をオン・オフさせ
る。その結果、オフ電流信号Z6を出力し、第2のパワ
ー増幅器617を確実にオフ動作させる。
FIG. 30 shows a specific structure of the off-operation unit 1000. Comparator 1010 of off-operation unit 1000
Compares the output signal Ja1 of the switching generator 34 with a predetermined voltage and, in response to the comparison result, the field effect transistor 1
012 is turned on and off. As a result, the off-current signal Z
4 is output, and the second power amplifier 615 is surely turned off. Similarly, the comparator 1020 compares the output signal Jb1 of the switching generator 34 with a predetermined voltage, and turns on / off the field effect transistor 1022 in response to the comparison result. As a result, the off-current signal Z5 is output,
The second power amplifier 616 is surely turned off. Similarly, the comparator 1030 compares the output signal Jc1 of the switching generator 34 with a predetermined voltage, and turns on / off the field effect transistor 1032 in response to the comparison result. As a result, the off current signal Z6 is output, and the second power amplifier 617 is surely turned off.

【0132】その他の構成及び動作は、前述の実施例
3、実施例2もしくは実施例1と同様であり、詳細な説
明を省略する。本実施例では、通電状態にある第1のパ
ワー増幅器が高周波スイッチング動作を行っている場合
に、オフ動作器のオフ信号によって同じ相の第2のパワ
ー増幅器をオフにしているので、駆動電圧が大振幅の高
周波パルス電圧になっても、第2のパワー増幅器の不要
な電流通電を防止することができる。特に、第2のパワ
ー増幅器を電界効果型パワー部カレントミラー回路で構
成している場合に、電界効果型パワートランジスタの特
性ばらつきによってこのような不要電流が発生しやす
く、オフ動作器によって完全にオフする必要がある。
Other configurations and operations are the same as those of the above-described third embodiment, second embodiment or first embodiment, and detailed description thereof will be omitted. In this embodiment, when the first power amplifier in the energized state is performing the high frequency switching operation, the second power amplifier of the same phase is turned off by the off signal of the off operation device, so that the drive voltage is Even if a high-frequency pulse voltage having a large amplitude is generated, it is possible to prevent unnecessary current conduction in the second power amplifier. In particular, when the second power amplifier is composed of the field effect type current mirror circuit of the power section, such an unnecessary current is likely to occur due to the characteristic variation of the field effect type power transistor, and it is completely turned off by the off operation device. There is a need to.

【0133】なお、前述の構成では、第1のパワー増幅
器のみを高周波スイッチング動作させるようにしたが、
そのような場合に限定されず、第1のパワー増幅器と第
2のパワー増幅器を高周波スイッチング動作させるよう
にしても良い。また、第1の増幅電流信号が零になって
第1のパワー増幅器がオフ状態になる期間に、オフ動作
器の新たなオフ信号によって第1のパワー増幅器を強制
的にオフ動作させるようにしても良い。また、本実施例
でも、前述の実施例と同様な各種の利点を得ることがで
きる。
In the above-mentioned configuration, only the first power amplifier is operated for high frequency switching.
The present invention is not limited to such a case, and the first power amplifier and the second power amplifier may be subjected to high-frequency switching operation. Further, during the period in which the first amplified current signal becomes zero and the first power amplifier is in the OFF state, the first power amplifier is forcibly turned OFF by a new OFF signal from the OFF operator. Is also good. Also, in this embodiment, various advantages similar to those of the above-described embodiments can be obtained.

【0134】なお、前述の各実施例の具体的な構成につ
いては、各種の変形が可能である。たとえば、各相のコ
イルは複数個の部分コイルを直列もしくは並列に接続し
て構成しても良い。3相のコイルはスター結線に限ら
ず、デルタ結線であってもよい。また、一般に、多相の
モータが構成できる。また、移動体の界磁部は図示のも
のに限定されるものではない。一般に、界磁部は多極構
成が可能である。また、移動体の移動動作に伴って変化
する磁束をコイルに供給する構成の界磁部は容易に使用
可能であり、公知の各種の構成が可能である。さらに、
移動体もしくは界磁部の構成に限定されるものではな
い。本発明にもとづいて、ブラシレスモータや永久磁石
界磁型ステッピングモータやレラクタンス型ステッピン
グモータやハイブリッド型ステッピングモータやその他
の各種のモータが構成可能であり、本発明に含まれるこ
とは言うまでもない。さらに、移動体は回転移動に限ら
ず、直進移動しても良い。また、スイッチング制御器や
電流検出器や分配作成器や第1の電流増幅器や第2の電
流増幅器などは前述の構成に限定されるものではない。
また、スイッチング制御器の機能やその他の所要の機能
のすべてもしくは一部を、マイクロプロセッサによって
ディジタル的に実行しても良い。
Various modifications can be made to the specific configurations of the above-described embodiments. For example, each phase coil may be configured by connecting a plurality of partial coils in series or in parallel. The three-phase coil is not limited to star connection but may be delta connection. Further, generally, a multi-phase motor can be constructed. Further, the field part of the moving body is not limited to that shown in the figure. In general, the magnetic field part can have a multi-pole structure. Further, the field magnet portion configured to supply the magnetic flux that changes with the moving operation of the moving body to the coil can be easily used, and various known configurations are possible. further,
It is not limited to the configuration of the moving body or the magnetic field section. Needless to say, a brushless motor, a permanent magnet field type stepping motor, a reluctance type stepping motor, a hybrid type stepping motor, and various other motors can be configured based on the present invention and are included in the present invention. Furthermore, the moving body is not limited to rotational movement, and may move straight ahead. Moreover, the switching controller, the current detector, the distribution generator, the first current amplifier, the second current amplifier, and the like are not limited to the above-described configurations.
Further, all or some of the functions of the switching controller and other required functions may be digitally executed by the microprocessor.

【0135】また、分配作成器36は前述の構成に限定
されるものではない。図31に他の構成の分配作成器1
136を示す。これについて説明する。分配作成器11
36は、第1の分配器1137と第2の分配器1138
を含んで構成されている。第1の分配器1137は、切
換作成器34の3相の切換電流信号D1、D2、D3に
応動して電流供給器30の第1の供給電流信号C1を分
配し、滑らかに変化する3相の第1の分配電流信号E
1、E2、E3を作り出す。第2の分配器1138は、
切換作成器34の3相の切換電流信号D1、D2、D3
に応動して電流供給器30の第2の供給電流信号C2を
分配し、滑らかに変化する3相の第2の分配電流信号G
1、G2、G3を作り出す。
The distribution generator 36 is not limited to the above-mentioned configuration. FIG. 31 shows a distribution creator 1 having another configuration.
136 is shown. This will be described. Distribution creator 11
36 is a first distributor 1137 and a second distributor 1138.
It is configured to include. The first distributor 1137 distributes the first supply current signal C1 of the current supplier 30 in response to the three-phase switching current signals D1, D2, D3 of the switching generator 34, and the three-phase smoothly changing. The first distribution current signal E of
Create 1, E2, E3. The second distributor 1138 is
Three-phase switching current signals D1, D2, D3 of the switching generator 34
In response to the current, the second supply current signal C2 of the current supply unit 30 is distributed, and the three-phase second distribution current signal G that smoothly changes is distributed.
Create 1, G2, G3.

【0136】第1の分配器1137は、3個の第1の入
力トランジスタ1201、1202、1203と3個の
第1の分配トランジスタ1205、1206、1207
によって構成されている。それぞれの第1の入力トラン
ジスタ1201、1202、1203の通電制御端子と
電流路端子対の信号入力端子は、切換作成器34の3相
の切換電流信号D1、D2、D3がそれぞれ供給される
電流流入流出端子側に接続されている。第1の入力トラ
ンジスタ1201、1202、1203の電流路端子対
の信号出力端子は共通接続されている。第1の分配トラ
ンジスタ1205、1206、1207の電流信号入力
端子側は共通接続され、共通接続端子側に電流供給器3
0の第1の供給電流信号C1が入力される。第1の分配
トランジスタ1205、1206、1207は、それぞ
れの通電制御端子側を3相の切換電流信号D1、D2、
D3がそれぞれ供給される電流流入流出端子側に接続さ
れている。
The first distributor 1137 includes three first input transistors 1201, 1202, 1203 and three first distributor transistors 1205, 1206, 1207.
It is composed by. The energization control terminals of the respective first input transistors 1201, 1202, 1203 and the signal input terminals of the current path terminal pairs are supplied with the three-phase switching current signals D1, D2, D3 of the switching generator 34, respectively. It is connected to the outflow terminal side. The signal output terminals of the current path terminal pairs of the first input transistors 1201, 1202, 1203 are commonly connected. The current signal input terminal sides of the first distribution transistors 1205, 1206, 1207 are commonly connected, and the current supply unit 3 is connected to the common connection terminal side.
The first supply current signal C1 of 0 is input. The first distribution transistors 1205, 1206, and 1207 have three-phase switching current signals D1 and D2 on their respective energization control terminal sides.
D3 is connected to the current inflow / outflow terminal side to which each is supplied.

【0137】これにより、3個の第1の分配トランジス
タ1205、1206、1207は、その電流信号出力
端子側から3相の第1の分配電流信号E1、E2、E3
を出力する。また、第1の入力トランジスタ1201、
1202、1203と第1の分配トランジスタ120
5、1206、1207は同じ型のトランジスタを使用
している。ここでは、第1の入力トランジスタ120
1、1202、1203と第1の分配トランジスタ12
05、1206、1207にPNP型バイポーラトラン
ジスタを使用している。第1の入力トランジスタの通電
制御端子はベース端子、電流路端子対の信号入力端子は
コレクタ端子、電流路端子対の信号出力端子はエミッタ
端子にしている。第1の分配トランジスタの通電制御端
子はベース端子、電流信号入力端子はエミッタ端子、電
流信号出力端子はコレクタ端子にしている。
As a result, the three first distribution transistors 1205, 1206, 1207 have three-phase first distribution current signals E1, E2, E3 from the current signal output terminal side.
Is output. In addition, the first input transistor 1201,
1202, 1203 and the first distribution transistor 120
5, 1206 and 1207 use the same type of transistors. Here, the first input transistor 120
1, 1202, 1203 and the first distribution transistor 12
05, 1206 and 1207 use PNP type bipolar transistors. The energization control terminal of the first input transistor is the base terminal, the signal input terminal of the current path terminal pair is the collector terminal, and the signal output terminal of the current path terminal pair is the emitter terminal. The energization control terminal of the first distribution transistor is the base terminal, the current signal input terminal is the emitter terminal, and the current signal output terminal is the collector terminal.

【0138】第2の分配器1138は、3個の第2の入
力トランジスタ1211、1212、1213と3個の
第2の分配トランジスタ1215、1216、1217
によって構成されている。それぞれの第2の入力トラン
ジスタ1211、1212、1213の通電制御端子と
電流路端子対の信号入力端子は、切換作成器34の3相
の切換電流信号D1、D2、D3がそれぞれ供給される
電流流入流出端子側に接続されている。第2の入力トラ
ンジスタ1211、1212、1213の電流路端子対
の信号出力端子は共通接続されている。第2の分配トラ
ンジスタ1215、1216、1217の電流信号入力
端子側は共通接続され、共通接続端子側に電流供給器3
0の第2の供給電流信号C2が入力される。第2の分配
トランジスタ1215、1216、1217は、それぞ
れの通電制御端子側を3相の切換電流信号D1、D2、
D3がそれぞれ供給される電流流入流出端子側に接続さ
れている。
The second distributor 1138 has three second input transistors 1211, 1212, 1213 and three second distributor transistors 1215, 1216, 1217.
It is composed by. The energization control terminals and the signal input terminals of the current path terminal pairs of the respective second input transistors 1211, 1212, 1213 are current inflows to which the three-phase switching current signals D1, D2, D3 of the switching generator 34 are supplied, respectively. It is connected to the outflow terminal side. The signal output terminals of the current path terminal pairs of the second input transistors 1211, 1212, 1213 are commonly connected. The current signal input terminal sides of the second distribution transistors 1215, 1216, 1217 are commonly connected, and the current supply device 3 is connected to the common connection terminal side.
The second supply current signal C2 of 0 is input. The second distribution transistors 1215, 1216, and 1217 have three-phase switching current signals D1, D2, on their respective energization control terminal sides.
D3 is connected to the current inflow / outflow terminal side to which each is supplied.

【0139】これにより、3個の第2の分配トランジス
タ1215、1216、1217は、その電流信号出力
端子側から3相の第2の分配電流信号G1、G2、G3
を出力する。また、第2の入力トランジスタ1211、
1212、1213と第2の分配トランジスタ121
5、1216、1217は同じ型のトランジスタを使用
している。さらに、第1の入力トランジスタ1201、
1202、1203のトランジスタの型を第2の入力ト
ランジスタ1211、1212、1213のトランジス
タの型とは極性が異なるようにしている。ここでは、第
2の入力トランジスタ1211、1212、1213と
第2の分配トランジスタ1215、1216、1217
にNPN型バイポーラトランジスタを使用している。第
2の入力トランジスタの通電制御端子はベース端子、電
流路端子対の信号入力端子はコレクタ端子、電流路端子
対の信号出力端子はエミッタ端子にしている。第2の分
配トランジスタの通電制御端子はベース端子、電流信号
入力端子はエミッタ端子、電流信号出力端子はコレクタ
端子にしている。さらに、基準電圧源1220、トラン
ジスタ1221、1222は所定電圧供給部を構成し、
第1の入力トランジスタ1201、1202、1203
の共通接続端に第1の直流電圧を供給し、第2の入力ト
ランジスタ1211、1212、1213の共通接続端
に第2の直流電圧を供給している。
As a result, the three second distribution transistors 1215, 1216, 1217 have three-phase second distribution current signals G1, G2, G3 from the current signal output terminal side thereof.
Is output. In addition, the second input transistor 1211,
1212 and 1213 and the second distribution transistor 121
5, 1216 and 1217 use transistors of the same type. Furthermore, the first input transistor 1201,
The transistor types of 1202 and 1203 are different in polarity from the transistor types of the second input transistors 1211, 1212 and 1213. Here, the second input transistors 1211, 1212, 1213 and the second distribution transistors 1215, 1216, 1217.
An NPN type bipolar transistor is used for. The energization control terminal of the second input transistor is the base terminal, the signal input terminal of the current path terminal pair is the collector terminal, and the signal output terminal of the current path terminal pair is the emitter terminal. The energization control terminal of the second distribution transistor is the base terminal, the current signal input terminal is the emitter terminal, and the current signal output terminal is the collector terminal. Further, the reference voltage source 1220 and the transistors 1221 and 1222 form a predetermined voltage supply unit,
First input transistors 1201, 1202, 1203
Of the second input transistors 1211, 1212, and 1213 is supplied with the second DC voltage.

【0140】これにより、切換電流信号D1が負極側電
流の時には、第1の入力トランジスタ1201に電流を
通電し、第2の入力トランジスタ1211には電流が流
れない。また、切換電流信号D1が正極側電流の時に
は、第2の入力トランジスタ1211に電流を通電し、
第1の入力トランジスタ1201には電流が流れない。
すなわち、切換電流信号D1の極性に応じて第1の入力
トランジスタ1201と第2の入力トランジスタ121
1に相補的に滑らかな電流を供給し、第1の入力トラン
ジスタ1201と第2の入力トランジスタ1211に同
時に電流が流れることはない。同様に、切換電流信号D
2が負極側電流の時に第1の入力トランジスタ1202
に電流を通電し、正極側電流の時に第2の入力トランジ
スタ1212に電流を通電する。同様に、切換電流信号
D3が負極側電流の時に第1の入力トランジスタ120
3に電流を通電し、正極側電流の時に第2の入力トラン
ジスタ1213に電流を通電する。
As a result, when the switching current signal D1 is a negative-side current, the first input transistor 1201 is energized and the second input transistor 1211 does not flow. When the switching current signal D1 is a positive-side current, a current is passed through the second input transistor 1211,
No current flows through the first input transistor 1201.
That is, according to the polarity of the switching current signal D1, the first input transistor 1201 and the second input transistor 121
1, a smooth current is supplied complementarily, and no current flows through the first input transistor 1201 and the second input transistor 1211 at the same time. Similarly, the switching current signal D
When 2 is a negative current, the first input transistor 1202
To the second input transistor 1212 when the current is the positive electrode side current. Similarly, when the switching current signal D3 is a negative current, the first input transistor 120
3 is supplied with a current, and the current is supplied to the second input transistor 1213 when the current is the positive electrode side current.

【0141】第1の分配器1137の第1の分配トラン
ジスタ1205、1206、1207は、第1の入力ト
ランジスタ1201、1202、1203に流れる3相
電流に応動して、第1の供給電流信号C1をそれぞれの
電流信号出力端子側に分配し、3相の第1の分配電流信
号E1、E2、E3を作り出す。従って、3相の第1の
分配電流信号E1、E2、E3は3相の切換電流信号D
1、D2、D3の負極側電流に応動して滑らかに変化
し、分配電流信号E1、E2、E3の合成値は第1の供
給電流信号C1に等しくなる。同様に、第2の分配器1
138の第2の分配トランジスタ1215、1216、
1217は、第2の入力トランジスタ1211、121
2、1213に流れる3相電流に応動して、第2の供給
電流信号C2をそれぞれの電流信号出力端子側に分配
し、3相の第2の分配電流信号G1、G2、G3を作り
出す。従って、3相の第2の分配電流信号G1、G2、
G3は3相の切換電流信号D1、D2、D3の正極側電
流に応動して滑らかに変化し、分配電流信号G1、G
2、G3の合成値は第2の供給電流信号C2に等しくな
る。3相の第1の分配電流信号E1、E2、E3や3相
の第2の分配電流信号G1、G2、G3の波形は、図9
に示したものと同様になる。これらの電流信号は、立ち
上がり傾斜部分および立ち下がり傾斜部分において滑ら
かに変化する。
The first distribution transistors 1205, 1206, 1207 of the first distributor 1137 respond to the three-phase currents flowing through the first input transistors 1201, 1202, 1203 to output the first supply current signal C1. The three-phase first distribution current signals E1, E2, and E3 are generated by distributing to the respective current signal output terminals. Therefore, the three-phase first distribution current signals E1, E2, E3 are the three-phase switching current signals D.
It smoothly changes in response to the negative side currents of 1, D2 and D3, and the combined value of the distribution current signals E1, E2 and E3 becomes equal to the first supply current signal C1. Similarly, the second distributor 1
138 second distribution transistors 1215, 1216,
1217 is a second input transistor 1211, 121
In response to the three-phase currents flowing in Nos. 2 and 1213, the second supply current signal C2 is distributed to the respective current signal output terminal sides, and three-phase second distributed current signals G1, G2, G3 are produced. Therefore, the three-phase second distributed current signals G1, G2,
G3 changes smoothly in response to the positive side currents of the three-phase switching current signals D1, D2, D3, and the distribution current signals G1, G
The combined value of 2 and G3 becomes equal to the second supply current signal C2. The waveforms of the three-phase first distributed current signals E1, E2, E3 and the three-phase second distributed current signals G1, G2, G3 are shown in FIG.
It is similar to that shown in. These current signals change smoothly in the rising slope portion and the falling slope portion.

【0142】また、集積回路化において、周知の半導体
プロセスによる各種の1チップ集積回路技術が使用可能
である。たとえば、二重拡散MOS型電界効果トランジ
スタやCMOS型電界効果トランジスタやバイポーラト
ランジスタを単独種類もしくは複数種類使用できる各種
の1チップ集積回路技術がある。集積回路のサブストレ
ートを直流電源の負極端子側の電位(アース電位)に接
続して使用し、接合分離技術により高密度の集積回路化
が可能である。しかし、誘電分離技術を使用してトラン
ジスタや抵抗を1チップに形成する集積回路技術を使用
しても良い。なお、1チップ内の具体的なトランジスタ
配置は、個々の集積回路設計によって異なるので、詳細
な説明を省略する。また、パワー増幅器のパワーダイオ
ードはパワートランジスタと一緒に集積回路内に形成す
ることが可能であるが、必要に応じて、集積回路に外付
けにしても良い。たとえば、パワートランジスタに並列
にショットキー型のパワーダイオードを逆接続してもよ
い。また、第1の電流増幅器の第1の増幅部カレントミ
ラー回路や第2の電流増幅器の第2の増幅部カレントミ
ラー回路は、電流が大きくなると電流増幅率が大きくな
るような非線形な電流増幅特性を有していても良い。
In the integrated circuit, various 1-chip integrated circuit technologies based on well-known semiconductor processes can be used. For example, there are various one-chip integrated circuit technologies in which a double diffusion MOS field effect transistor, a CMOS field effect transistor, and a bipolar transistor can be used alone or in plural kinds. The integrated circuit substrate is used by connecting it to the potential (earth potential) on the negative electrode terminal side of the DC power supply, and the junction separation technology enables high-density integrated circuits. However, an integrated circuit technology in which a transistor and a resistor are formed on one chip by using the dielectric isolation technology may be used. Since the specific transistor arrangement in one chip differs depending on the individual integrated circuit design, detailed description thereof will be omitted. Further, the power diode of the power amplifier can be formed in the integrated circuit together with the power transistor, but it may be externally attached to the integrated circuit if necessary. For example, a Schottky type power diode may be reversely connected in parallel with the power transistor. The first amplification unit current mirror circuit of the first current amplifier and the second amplification unit current mirror circuit of the second current amplifier have nonlinear current amplification characteristics such that the current amplification factor increases as the current increases. May have.

【0143】また、スイッチング制御器は電流検出信号
と指令信号の比較結果に応動してパワー増幅器のスイッ
チング動作を制御し、高精度な電流制御を実現した。し
かし、本発明はこのような構成に限定されず、各種の変
形が可能である。たとえば、スイッチング制御器が単一
のスイッチング制御信号に応動して、第1のパワー増幅
器と第2のパワー増幅器のうちの少なくとも1個のパワ
ー増幅器をスイッチング動作させても良い。また、第1
のパワー増幅器や第2のパワー増幅器の一方もしくは両
方を複数相のスイッチング制御信号でスイッチング動作
させるようにしても良い。また、電流検出器の挿入場所
は、直流電源の正極端子側であっても良い。さらに、電
流検出器は、直流電源の供給電流を直接に検出する方法
に限定されるものではなく、公知の各種の方法が適用可
能である。たとえば、電界効果型パワートランジスタの
通電電流に応動する信号を得るようにしても良い。
Further, the switching controller controls the switching operation of the power amplifier in response to the result of comparison between the current detection signal and the command signal, thereby realizing highly accurate current control. However, the present invention is not limited to such a configuration, and various modifications are possible. For example, the switching controller may respond to a single switching control signal to cause at least one power amplifier of the first power amplifier and the second power amplifier to perform a switching operation. Also, the first
One or both of the second power amplifier and the second power amplifier may be switched by the switching control signals of a plurality of phases. The current detector may be inserted at the positive electrode terminal side of the DC power supply. Further, the current detector is not limited to the method of directly detecting the supply current of the DC power supply, and various known methods can be applied. For example, a signal that responds to the current flowing through the field effect power transistor may be obtained.

【0144】また、補助供給器は補助電流信号を出力す
る構成に限定されるものではなく、パワー増幅器の通電
制御端子側に補助電圧信号を供給するようにしても良
い。補助供給器の補助信号によって、パワー増幅器の電
界効果型パワートランジスタのオン抵抗を小さくし、電
流路の滑らかな切換動作を阻害すること無しに、オン抵
抗による電力損失を小さくできる。また、コイルに両方
向の電流を供給する場合に限らず、片方向の電流を供給
するように構成することも可能であり、両方向の電流供
給と片方向の電流供給を適時切り換えるようにしても良
い。
Further, the auxiliary supply device is not limited to the structure for outputting the auxiliary current signal, and the auxiliary voltage signal may be supplied to the energization control terminal side of the power amplifier. The auxiliary signal of the auxiliary supply device can reduce the on-resistance of the field-effect power transistor of the power amplifier, and can reduce the power loss due to the on-resistance without disturbing the smooth switching operation of the current path. Further, the current is not limited to be supplied to the coil in both directions, but may be configured to supply current in one direction, and the current supply in both directions and the current supply in one direction may be switched appropriately. .

【0145】また、第1のパワー増幅器や第2のパワー
増幅器は前述の実施例に示した構成に限定されず、実質
的に本発明の主旨に添った動作を行うならば、各種の変
形が可能である。前述の形態では、好ましい例として、
電界効果型パワートランジスタを用いたパワー部カレン
トミラー回路を有するパワー増幅器を示したが、このよ
うな構成に限定されるものではない。たとえば、IGB
Tトランジスタ(Insulated Gate bipolar Transistor)
もしくはCOMFETトランジスタ(Conductivity modu
lated Field Effect Transistor)は非線形な電圧増幅特
性を有する複合パワートランジスタであり、その増幅特
性のばらつきが大きいことからオン・オフのスイッチン
グ素子として利用されている。しかし、IGBTトラン
ジスタは入力側に電界効果型トランジスタを有する複合
電界効果型パワートランジスタであることから、IGB
Tトランジスタを用いた電界効果型パワー部カレントミ
ラー回路を構成することができ、IGBTトランジスタ
を用いて電流増幅特性を有するパワー増幅器を構成する
ことが可能になる。
Further, the first power amplifier and the second power amplifier are not limited to the configurations shown in the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made if the operation substantially in accordance with the gist of the present invention is performed. It is possible. In the above-mentioned form, as a preferable example,
Although the power amplifier having the power section current mirror circuit using the field effect type power transistor has been shown, the present invention is not limited to such a configuration. For example, IGB
T-transistor (Insulated Gate bipolar Transistor)
Alternatively, a COMFET transistor (Conductivity modu
A plated field effect transistor is a composite power transistor having a non-linear voltage amplification characteristic and is used as an on / off switching element because of its large variation in amplification characteristic. However, since the IGBT transistor is a composite field effect power transistor having a field effect transistor on the input side,
A field effect type power section current mirror circuit using a T-transistor can be configured, and a power amplifier having a current amplification characteristic can be configured using an IGBT transistor.

【0146】このようなパワー増幅器の通電制御端子側
に、少なくとも立ち上がり傾斜部分および/または立ち
下がり傾斜部分において滑らかに変化する電流信号を供
給することによりによって、滑らかに電流路を切り換え
ることが可能になる。これにより、複合電界効果型パワ
ートランジスタは多くの欠点(オン電圧が大きい、増幅
利得ばらつきが大きい)を有しているけれども、複合電
界効果型パワートランジスタを含んだパワー増幅器を用
いて、本発明に示した各種の効果を得ることも可能にな
る。従って、本発明の電界効果型パワートランジスタに
は、IGBTトランジスタもしくは電界効果型トランジ
スタを入力側に有する複合電界効果型トランジスタも含
んでいる。図32にIGBTトランジスタのような入力
側に電界効果型トランジスタを有する複合電界効果型パ
ワートランジスタ1910を用いたパワー増幅器190
0の構成例を示す。
By supplying a current signal that smoothly changes at least at the rising slope portion and / or the falling slope portion to the energization control terminal side of such a power amplifier, the current path can be smoothly switched. Become. Therefore, although the composite field effect power transistor has many drawbacks (the ON voltage is large and the amplification gain variation is large), the present invention can be applied to a power amplifier including the composite field effect power transistor. It is also possible to obtain the various effects shown. Therefore, the field-effect power transistor of the present invention also includes an IGBT transistor or a composite field-effect transistor having a field-effect transistor on the input side. FIG. 32 shows a power amplifier 190 using a composite field effect power transistor 1910 having a field effect transistor on the input side such as an IGBT transistor.
A configuration example of 0 is shown.

【0147】この例では、パワー増幅器1900を第1
のパワー増幅器611に使用したものである。複合電界
効果型トランジスタ1910と電界効果型トランジスタ
1911との接続により、等価的に電界効果型パワー部
カレントミラー回路を構成している。これにより、パワ
ー増幅器1900の通電制御端子側への入力電流を電流
増幅して、複合電界効果型トランジスタ1910の通電
電流路に駆動電流を出力する。パワーダイオード191
0dは、複合電界効果型トランジスタ1910の通電電
流路に並列に等価回路的に逆接続された寄生ダイオード
である。また、オン時の複合電界効果型トランジスタ1
910は、所要電圧のバイアス値を含んだフルオン動作
を行っている。なお、抵抗1912または/および19
13は零であっても良い。
In this example, the power amplifier 1900 is connected to the first
Used for the power amplifier 611. By connecting the composite field effect transistor 1910 and the field effect transistor 1911, a field effect type power section current mirror circuit is equivalently configured. As a result, the input current to the energization control terminal side of the power amplifier 1900 is current-amplified, and the drive current is output to the energizing current path of the composite field effect transistor 1910. Power diode 191
Reference numeral 0d denotes a parasitic diode that is reversely connected in parallel to the conducting current path of the composite field effect transistor 1910 in an equivalent circuit manner. In addition, the compound field effect transistor 1 when turned on
910 performs a full-on operation including the bias value of the required voltage. Note that the resistor 1912 and / or 19
13 may be zero.

【0148】図33にIGBTトランジスタのような入
力側に電界効果型トランジスタを有する複合電界効果型
パワートランジスタ1960を用いたパワー増幅器19
50の別の構成例を示す。複合電界効果型トランジスタ
1960と電界効果型トランジスタ1961との接続に
より、等価的に電界効果型パワー部カレントミラー回路
を構成している。これにより、パワー増幅器1950の
通電制御端子側への入力電流を電流増幅して、複合電界
効果型トランジスタ1960の通電電流路に駆動電流を
出力する。パワーダイオード1960dは、複合電界効
果型トランジスタ1960の通電電流路に並列に等価回
路的に逆接続された寄生ダイオードである。なお、抵抗
1962または/および1963は零であっても良い。
FIG. 33 shows a power amplifier 19 using a composite field effect power transistor 1960 having a field effect transistor on the input side such as an IGBT transistor.
Another structural example of 50 is shown. By connecting the composite field effect transistor 1960 and the field effect transistor 1961, a field effect type power section current mirror circuit is equivalently configured. As a result, the input current to the energization control terminal side of the power amplifier 1950 is current-amplified, and the drive current is output to the energization current path of the composite field effect transistor 1960. The power diode 1960d is a parasitic diode that is reversely connected in parallel to the conduction current path of the composite field effect transistor 1960 in an equivalent circuit manner. Note that the resistance 1962 and / or 1963 may be zero.

【0149】また、前述の実施例に示した直流電源50
は、直流電圧や直流電流を供給できるものであれば、各
種の構成が可能である。たとえば、電池電源やSWレギ
ュレータ電源やACラインの交流電圧をダイオード整流
した電源等が使用される。また、本発明の技術を用い
て、ディスク回転駆動用の機器に限らず、各種のモータ
応用機器が構成可能である。その他、本発明の主旨を変
えず種々の変形が可能であり、本発明に含まれることは
いうまでもない。
Further, the DC power source 50 shown in the above-mentioned embodiment is used.
Can have various configurations as long as it can supply a DC voltage or a DC current. For example, a battery power supply, a SW regulator power supply, a power supply obtained by diode rectifying an AC voltage on an AC line, or the like is used. Further, by using the technique of the present invention, not only the device for driving the disk rotation but also various motor application devices can be configured. In addition, it goes without saying that various modifications can be made without changing the gist of the present invention and are included in the present invention.

【0150】[0150]

【発明の効果】本発明のモータでは、電界効果型パワー
トランジスタを含むパワー増幅器をオン・オフの高周波
スイッチング動作させた。これにより、パワー増幅器の
電力損失・発熱を低減した。また、コイルへの駆動電流
を指令信号に応動して電流制御し、駆動電流の脈動を低
減した。これにより、電力効率が良く、振動の小さい高
性能なモータを実現できる。
In the motor of the present invention, the power amplifier including the field effect type power transistor is turned on and off at a high frequency. This reduced the power loss and heat generation of the power amplifier. Also, the drive current to the coil is controlled in response to the command signal to reduce the pulsation of the drive current. This makes it possible to realize a high-performance motor with high power efficiency and small vibration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1における全体構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration according to a first embodiment of the present invention.

【図2】実施例1における切換作成器34の回路図。FIG. 2 is a circuit diagram of a switching generator 34 according to the first embodiment.

【図3】実施例1における電流供給器30の回路図。FIG. 3 is a circuit diagram of a current supplier 30 according to the first embodiment.

【図4】実施例1における分配作成器36の構成を示す
図。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a distribution generator 36 according to the first embodiment.

【図5】実施例1における第1の電流増幅器41、4
2、43の回路図。
FIG. 5 shows first current amplifiers 41 and 4 in the first embodiment.
2 and 43 circuit diagram.

【図6】実施例1における第2の電流増幅器45、4
6、47と高電圧出力器51の回路図。
FIG. 6 shows second current amplifiers 45 and 4 in the first embodiment.
The circuit diagram of 6, 47 and the high voltage output device 51.

【図7】実施例1におけるスイッチング制御器22と電
流検出器21の回路図。
FIG. 7 is a circuit diagram of a switching controller 22 and a current detector 21 according to the first embodiment.

【図8】実施例1における集積回路の一部の断面図。FIG. 8 is a partial cross-sectional view of the integrated circuit according to the first embodiment.

【図9】実施例1の動作を説明するための信号波形を示
す図。
FIG. 9 is a diagram showing signal waveforms for explaining the operation of the first embodiment.

【図10】本発明の実施例におけるパワー増幅器の別の
構成を示す図。
FIG. 10 is a diagram showing another configuration of the power amplifier according to the embodiment of the present invention.

【図11】本発明の実施例におけるパワー増幅器の別の
構成を示す図。
FIG. 11 is a diagram showing another configuration of the power amplifier according to the embodiment of the present invention.

【図12】本発明の実施例におけるスイッチングパルス
回路の別の構成を示す図。
FIG. 12 is a diagram showing another configuration of the switching pulse circuit according to the embodiment of the invention.

【図13】本発明の実施例2における全体構成を示す
図。
FIG. 13 is a diagram showing an overall configuration according to a second embodiment of the present invention.

【図14】実施例2における補助供給器500の回路
図。
FIG. 14 is a circuit diagram of an auxiliary feeder 500 according to the second embodiment.

【図15】実施例2における補助切換作成部510の回
路図。
FIG. 15 is a circuit diagram of the auxiliary switching creation unit 510 according to the second embodiment.

【図16】実施例2における補助切換作成部510の信
号波形を示す図。
FIG. 16 is a diagram showing a signal waveform of an auxiliary switching creation unit 510 according to the second embodiment.

【図17】実施例2における第1の補助電流信号と第2
の補助電流信号と第1の増幅電流信号と第2の増幅電流
信号と第1の合成電流信号と第2の合成電流信号の信号
波形を示す図。
FIG. 17 illustrates a first auxiliary current signal and a second auxiliary current signal according to the second embodiment.
FIG. 5 is a diagram showing signal waveforms of the auxiliary current signal, the first amplified current signal, the second amplified current signal, the first combined current signal, and the second combined current signal.

【図18】本発明の実施例3における全体構成を示す
図。
FIG. 18 is a diagram showing an overall configuration according to a third embodiment of the present invention.

【図19】実施例3におけるパワー増幅器の回路図。FIG. 19 is a circuit diagram of a power amplifier according to the third embodiment.

【図20】本発明の実施例におけるパワー増幅器の別の
構成を示す図。
FIG. 20 is a diagram showing another configuration of the power amplifier according to the embodiment of the present invention.

【図21】本発明の実施例4における全体構成を示す
図。
FIG. 21 is a diagram showing an overall configuration according to a fourth embodiment of the present invention.

【図22】実施例4におけるスイッチング制御器700
の回路図。
FIG. 22 is a switching controller 700 according to the fourth embodiment.
Circuit diagram of.

【図23】本発明の実施例5における全体構成を示す
図。
FIG. 23 is a diagram showing an overall configuration according to a fifth embodiment of the present invention.

【図24】実施例5におけるスイッチング制御器800
の回路図。
FIG. 24 is a switching controller 800 according to the fifth embodiment.
Circuit diagram of.

【図25】実施例5における補助供給器810の回路
図。
FIG. 25 is a circuit diagram of an auxiliary feeder 810 according to the fifth embodiment.

【図26】実施例5における第2の電流増幅器845、
846、847の回路図。
FIG. 26 is a second current amplifier 845 according to the fifth embodiment,
The circuit diagram of 846 and 847.

【図27】実施例5における第2のパワー増幅器の回路
図。
FIG. 27 is a circuit diagram of a second power amplifier according to the fifth embodiment.

【図28】本発明の実施例における第2のパワー増幅器
の別の構成を示す図である。
FIG. 28 is a diagram showing another configuration of the second power amplifier according to the example of the present invention.

【図29】本発明の実施例6における全体構成を示す
図。
FIG. 29 is a diagram showing an overall configuration according to a sixth embodiment of the present invention.

【図30】実施例6におけるオフ動作器1000の回路
図。
FIG. 30 is a circuit diagram of an off-operation unit 1000 according to the sixth embodiment.

【図31】本発明の実施例における分配作成器の別の構
成を示す図。
FIG. 31 is a diagram showing another configuration of the distribution creator according to the embodiment of the present invention.

【図32】本発明の実施例におけるパワー増幅器の別の
構成を示す図。
FIG. 32 is a diagram showing another configuration of the power amplifier according to the example of the present invention.

【図33】本発明の実施例におけるパワー増幅器の別の
構成を示す図。
FIG. 33 is a diagram showing another configuration of the power amplifier according to the embodiment of the present invention.

【図34】従来のモータの構成を示す図。FIG. 34 is a diagram showing a configuration of a conventional motor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 移動体 1b ディスク 2、3、4 コイル 11、12、13、611、612、613 第1のパ
ワー増幅器 15、16、17、615、616、617、815、
816、817第2のパワー増幅器 20 指令器 21 電流検出器 22、700、800 スイッチング制御器 30 電流供給器 34 切換作成器 36、1036 分配作成器 37、1037 第1の分配器 38、1038 第2の分配器 41、42、43 第1の電流増幅器 45、46、47、845、846、847 第2の電
流増幅器 50 直流電源 51 高電圧出力器 81、82、83 第1の合成器 85、86、87 第2の合成器 500、810 補助供給器 1000 オフ動作器
1 moving body 1b disk 2, 3, 4 coil 11, 12, 13, 611, 612, 613 first power amplifier 15, 16, 17, 615, 616, 617, 815,
816, 817 Second power amplifier 20 Commander 21 Current detector 22, 700, 800 Switching controller 30 Current supply 34 Switching creator 36, 1036 Distribution creator 37, 1037 First distributor 38, 1038 Second Distributor 41, 42, 43 First current amplifier 45, 46, 47, 845, 846, 847 Second current amplifier 50 DC power supply 51 High voltage output device 81, 82, 83 First combiner 85, 86 , 87 Second combiner 500, 810 Auxiliary feeder 1000 Off-actuator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02P 6/08 H02P 6/10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H02P 6/08 H02P 6/10

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 移動体と、 複数相のコイルと、 直流電圧を供給する電圧供給手段と、 前記電圧供給手段の一方の出力端子側と前記コイルの一
つへの電流路を形成する第1の電界効果型パワートラン
ジスタをそれぞれ含むQ個(ここに、Qは3以上の整
数)の第1のパワー増幅手段と、 前記電圧供給手段の他方の出力端子側と前記コイルの一
つへの電流路を形成する第2の電界効果型パワートラン
ジスタをそれぞれ含むQ個の第2のパワー増幅手段と、 複数相の切換信号を作りだす切換作成手段と、 前記切換作成手段の出力信号に応動した第1のQ相の信
号を作成し、前記第1のQ相の信号によって前記Q個の
第1のパワー増幅手段のそれぞれの通電を電気角で36
0/Q度よりも大きな角度幅に制御する第1の制御手段
と、 前記切換作成手段の出力信号に応動した第2のQ相の信
号を作成し、前記第2のQ相の信号によって前記Q個の
第2のパワー増幅手段のそれぞれの通電を電気角で36
0/Q度よりも大きな角度幅に制御する第2の制御手段
と、 Q個の前記第1の電界効果型パワートランジスタとQ個
の前記第2の電界効果型パワートランジスタのうちで少
なくとも1個の電界効果型パワートランジスタを高周波
スイッチング動作させるスイッチング動作手段と、を具
備するモータであって、前記 スイッチング動作手段は、前記複数相のコイルへの
合成供給電流に応動した電流検出信号を得る電流検出手
段と、前記電流検出手段の出力信号と指令信号を比較し
たパルス信号を作成し、前記パルス信号に応動して、Q
個の前記第1の電界効果型パワートランジスタとQ個の
前記第2の電界効果型パワートランジスタのうちで少な
くとも一方のQ個の電界効果型パワートランジスタ
時にオフ状態にさせるスイッチング制御手段と、を含ん
で構成された、モータ。
1. A moving body, a coil of a plurality of phases, a voltage supply means for supplying a DC voltage, and a current path to one output terminal side of the voltage supply means and one of the coils. Q (where Q is an integer of 3 or more) first power amplifying means each including the field effect type power transistors, and a current to the other output terminal side of the voltage supply means and one of the coils. Q second power amplifying means each including a second field effect type power transistor forming a path, a switching generating means for generating switching signals of a plurality of phases, and a first switching signal responsive to an output signal of the switching generating means. Signal of the Q-phase is generated, and the energization of each of the Q first power amplifying means is performed at an electrical angle of 36 by the signal of the first Q-phase.
First control means for controlling an angle width larger than 0 / Q degree, and a second Q-phase signal generated in response to an output signal of the switching generation means, and the second Q-phase signal is used to generate the signal. The energization of each of the Q second power amplifying means is at an electrical angle of 36.
Second control means for controlling an angular width larger than 0 / Q degrees, at least one of Q first field-effect power transistors and Q second field-effect power transistors And a switching operating means for performing a high frequency switching operation of the field effect type power transistor, wherein the switching operating means obtains a current detection signal in response to a combined supply current to the coils of the plurality of phases. Means, and the output signal of the current detection means and the command signal are compared.
Generated pulse signal, and in response to the pulse signal, Q
Switching to the same <br/> sometimes turned off at least one of Q FET power transistor among the pieces of the first FET power transistors and Q pieces of said second FET power transistor A motor including a control means.
【請求項2】 前記第1の制御手段は、前記第1のQ相
の信号として、それぞれが電気角で360/Q度よりも
大きな角度幅を有する第1のQ相の電流信号を前記Q個
の第1のパワー増幅手段の通電制御端子側に供給する手
段を含んで構成された、請求項1に記載のモータ。
2. The first control means outputs, as the first Q-phase signal, a first Q-phase current signal having an angular width larger than 360 / Q degrees in electrical angle. The motor according to claim 1, wherein the motor is configured to include means for supplying the power control terminals of the first power amplifying means.
【請求項3】 前記第1の制御手段は、前記第1のQ相
の信号として、立ち上がり傾斜部分と立ち下がり傾斜部
分のうちの少なくとも一方の傾斜部分において電流振幅
滑らかに変化する第1のQ相の電流信号を前記Q個の
第1のパワー増幅手段の通電制御端子側に供給する手段
を含んで構成された、請求項1または請求項2のいずれ
かに記載のモータ。
3. The first control means uses, as the signal of the first Q-phase, a current amplitude in at least one of a rising slope portion and a falling slope portion.
Or a means for supplying a current signal of a first Q-phase that smoothly changes to the energization control terminal side of the Q first power amplifying means. The motor described in.
【請求項4】 前記第1の制御手段は、前記指令信号に
応動して前記第1のQ相の電流信号の少なくとも一部分
を変化させる手段を含んで構成された、請求項2または
請求項3のいずれかに記載のモータ。
Wherein said first control means, in response to the command signal is configured to include a means for changing at least a portion of said first Q-phase current signals, according to claim 2 or claim 3 The motor according to any one of 1.
【請求項5】 前記第1の電界効果型パワートランジス
タは前記電圧供給手段の負極出力端子側と前記コイルの
一つへの電流路を形成するように接続され、 前記スイッチング動作手段は、前記Q個の第1のパワー
増幅手段のみを高周波スイッチング動作させた、請求項
1から請求項4のいずれかに記載のモータ。
5. The first field effect type power transistor is connected so as to form a current path to the negative output terminal side of the voltage supply means and one of the coils, and the switching operation means includes the Q The motor according to any one of claims 1 to 4, wherein only the first power amplifying means are operated for high frequency switching.
【請求項6】 前記スイッチング動作手段は、前記電流
検出手段の出力信号と前記指令信号の比較結果に応動し
た単一のパルス信号を作成し、前記少なくとも一方のQ
個の電界効果型パワートランジスタを前記単一のパルス
信号に応動して高周波スイッチング動作させる手段を含
んで構成された、請求項1から請求項5のいずれかに記
載のモータ。
6. The switching operation means creates a single pulse signal in response to a comparison result between the output signal of the current detection means and the command signal, and the at least one Q signal is generated.
The motor according to any one of claims 1 to 5, which is configured to include a unit that causes a plurality of field effect power transistors to perform a high frequency switching operation in response to the single pulse signal.
【請求項7】 前記スイッチング動作手段により高周波
スイッチング動作を行う少なくとも1個のパワー増幅手
段は、通電制御端子側への入力電流の電流増幅動作を行
う手段を含んで構成された、請求項1から請求項6のい
ずれかに記載のモータ。
7. The at least one power amplification means for performing a high frequency switching operation by the switching operation means is configured to include a means for performing a current amplification operation of an input current to the energization control terminal side. The motor according to claim 6.
【請求項8】 前記スイッチング動作手段により高周波
スイッチング動作を行う少なくとも1個のパワー増幅手
段は、電界効果型パワートランジスタを用いた電界効果
型パワー部カレントミラー回路を含んで構成された、請
求項1から請求項7のいずれかに記載のモータ。
8. The at least one power amplification means for performing high-frequency switching operation by the switching operation means is configured to include a field effect type power section current mirror circuit using a field effect type power transistor. The motor according to any one of claims 1 to 7.
【請求項9】 移動体と、9. A mobile unit, 3相のコイルと、A three-phase coil, 直流電圧を供給する電圧供給手段と、Voltage supply means for supplying a DC voltage, 前記電圧供給手段の一方の出力端子側と前記3相のコイOne output terminal side of the voltage supply means and the three-phase coil
ルの一つへの電流路を形成する第1の電界効果型パワーField-effect power forming a current path to one of the
トランジスタをそれぞれ含む3個の第1のパワー増幅手Three first power amplifiers each including a transistor
段と、Dan, 前記電圧供給手段の他方の出力端子側と前記3相のコイThe other output terminal side of the voltage supply means and the three-phase coil
ルの一つへの電流路を形成する第2の電界効果型パワーField-effect power forming a current path to one of the
トランジスタをそれぞれ含む3個の第2のパワー増幅手Three second power amplifiers each including a transistor
段と、Dan, 複数相の切換信号を作りだす切換作成手段と、A switching creation means for creating switching signals of multiple phases, 前記切換作成手段の出力信号に応動した第1の3相の信The first three-phase signal in response to the output signal of the switching creating means.
号を作成し、前記第1の3相の信号によって前記3個のSignal is generated by the first three-phase signal.
第1のパワー増幅手段のそれぞれの通電を電気角で12Each energization of the first power amplification means is 12 electrical degrees.
0度よりも大きな角度幅に制御する第1の制御手段と、First control means for controlling an angular width larger than 0 degree, 前記切換作成手段の出力信号に応動した第2の3相の信The second three-phase signal in response to the output signal of the switching creating means.
号を作成し、前記第2の3相の信号によって前記3個のSignal is generated and the three signals are generated by the second three-phase signal.
第2のパワー増幅手段のそれぞれの通電を電気角で12Each of the second power amplification means is energized at an electrical angle of 12
0度よりも大きな角度幅に制御する第2の制御手段と、Second control means for controlling the angle width larger than 0 degree; 3個の前記第1の電界効果型パワートランジスタと3個Three said first field effect type power transistors and three
の前記第2の電界効果型パワートランジスタのうちで少Of the second field effect power transistor of
なくとも1個の電界効果型パワートランジスタを高周波At least one field-effect power transistor with high frequency
スイッチング動作させるスイッチング動作手段と、を具Switching operation means for performing a switching operation,
備するモータであって、A motor equipped with 前記スイッチング動作手段は、前記3相のコイルに供給The switching operation means supplies the three-phase coil
される合成供給電流に応動した電流検出信号を得る電流Current to obtain the current detection signal in response to the combined supply current
検出手段と、前記電流検出手段の出力信号と指令信号をThe output signal and the command signal of the detection means and the current detection means
比較したパルス信号を作成し、前記パルス信号に応動しCreate a compared pulse signal and respond to the pulse signal
て、3個の前記第1の電界効果型パワートランジスタとAnd the three first field effect power transistors
3個の前記第2の電界効果型パワートランジスタのうちOut of the three second field effect power transistors
で少なくとも一方の3個の電界効果型パワートランジスAt least one of three field-effect power transistors
タを同時にオフ状態にさせることにより、前記少なくとBy simultaneously turning off the
も一方の3個の電界効果パワートランジスタのうちで1One of the three field effect power transistors
個または2個の電界効果型パワートランジスタを前記指One or two field effect power transistors,
令信号に応動して同時に高周波スイッチング動作させるHigh frequency switching operation at the same time in response to the command signal
スイッチング制御手段と、を含んで構成された、モーAnd a switching control means.
タ。Ta.
【請求項10】 前記第1の制御手段は、前記第1の310. The first control means is configured to control the first 3
相の信号として、立ち上がり傾斜部分と立ち下がり傾斜Rising slope and falling slope as the phase signal
部分のうちの少なくとも一方の傾斜部分におOn at least one of the いて電流振Current swing
幅が滑らかに変化する第1の3相の電流信号を前記3個The three first-phase current signals whose width changes smoothly
の第1のパワー増幅手段の通電制御端子側に供給する手For supplying to the energization control terminal side of the first power amplification means of
段を含んで構成された、請求項9に記載のモータ。The motor according to claim 9, wherein the motor is configured to include a step.
【請求項11】 前記第1の制御手段は、前記指令信号11. The first control means includes the command signal.
に応動して前記第1の3相の電流信号の前記少なくともIn response to the at least one of the first three-phase current signals
一方の傾斜部分における電流振幅を変化させる手段を含Includes means for changing the current amplitude in one slope.
んで構成された、請求項10に記載のモータ。The motor according to claim 10, wherein the motor is configured as follows.
【請求項12】 前記第1の電界効果型パワートランジ12. The first field effect power transistor.
スタは前記電圧供給手段の負極出力端子側と前記3相のAnd a three-phase negative voltage output terminal side of the voltage supply means.
コイルの一つへの電流路を形成するように接続され、Connected to form a current path to one of the coils, 前記スイッチング動作手段は、前記3個の第1のパワーThe switching operation means includes the three first power sources.
増幅手段のみを高周波スイッチング動作させた、請求項The high-frequency switching operation of only the amplifying means,
9から請求項11のいずれかに記載のモータ。The motor according to any one of claims 9 to 11.
【請求項13】 前記3個の第1のパワー増幅手段と前13. The three first power amplifying means and the front
記3個の第2のパワー増幅手段のうちの少なくとも1個At least one of the three second power amplification means
のパワー増幅手段は、通電制御端子側への入力電流の電The power amplification means of the
流増幅動作を行う手段を含んで構成された、請求項9か10. The method according to claim 9, comprising means for performing a flow amplification operation.
ら請求項12のいずれかに記載のモータ。13. The motor according to any one of claims 12 to 13.
【請求項14】 前記3個の第1のパワー増幅手段と前14. The three first power amplifying means and the front
記3個の第2のパワー増幅手段のうちの少なくとも1個At least one of the three second power amplification means
のパワー増幅手段は、電界効果型パワートランジスタをThe power amplification means is a field effect power transistor
用いた電界効果型パワー部カレントミラー回路を含んでIncluding the used field effect power section current mirror circuit
構成された、請求項9から請求項13のいずれかに記載A configured one of claims 9 to 13.
のモータ。Motor.
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