JP3441279B2 - 発振子を用いた発振器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発振子を用いた発振
器に関するものである。水晶振動子等の発振子を用いた
発振器は水晶時計をはじめ多くの電子機器に用いられて
いる。本発明はこのような発振器のうち、発振回路の主
要部が、該発振器を内蔵する集積化回路に供給される電
源を基に作成された定電圧で駆動されるもの全てに有効
なものであるが、以下の説明は本願発明の実施が特に効
果的な高精度デジタル温度補償型水晶発振器を例にして
行う。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話や自動車電話などに搭載される
水晶発振器は、周囲温度の変化に対して発振周波数が変
化しない温度補償型水晶発振器が用いられている。

【０００３】温度補償型水晶発振器の周波数の温度補償
方法は、水晶振動子の温度特性に合わせて水晶発振手段
の負荷容量を変えることにより、発振周波数を一定に保
つというものである。

【０００４】その際に、不揮発性メモリなどを用いて信
号のデジタル処理を伴うものはデジタル温度補償型水晶
発振器と呼ばれ、構成部品の温度特性の組み合わせのみ
で負荷容量を変えるものはアナログ温度補償型水晶発振
器と呼ばれている。

【０００５】従来はアナログ温度補償型水晶発振器が主
流であったが、８０℃以上の高温で温度補償がしにくい
ことや部品点数が多くて低コスト化の要求に応えられな
いことなどから、最近はデジタル温度補償型水晶発振器
が注目を集めるようになってきている。

【０００６】図４はｎ基板ＣＭＯＳによるデジタル温度
補償型水晶発振器の構成の一例を示す回路図である。た
だし図４は、水晶発振手段は回路記号を用いて、また温
度計測手段などはブロック図を用いて、それぞれ示して
いる。

【０００７】図４に示すように、水晶発振手段１からの
基準信号を受けて、温度計測手段３はある時間周期で温
度を計測し、不揮発性メモリーやＤ／Ａ変換回路などで
構成する温度補償手段５は、その温度情報を受けて可変
容量７に補償信号を送り、それによって負荷容量を可変
し、水晶発振手段１の発振周波数の温度補償を行う。

【０００８】固定容量２３は、水晶発振手段１の発振の
バランスをとったりすることを目的として、水晶発振手
段と高電位側の電源２５との間に接続している。この固
定容量２３の代わりに第２の可変容量を接続して、外部
信号による周波数調整に用いたりする場合もある。

【０００９】また、温度補償型水晶発振器の電源にはプ
ラスマイナス５％の電圧変動が許容されており、水晶発
振手段１はその発振周波数が電源電圧によって変化する
から、電源電圧の変動によって発振周波数が変動しない
ように、水晶発振手段１は定電圧発生手段９と、この定
電圧発生手段９の基準電位となる高電位側の電源２５と
の間で駆動している。

【００１０】水晶発振手段１の構成は、Ｘｉｎ端子１１
に発振インバータ１５の入力と帰還抵抗１７の一端子と
を接続し、Ｘｏｕｔ端子１３に発振インバータ１５の出
力と帰還抵抗１７の他端子とを接続し、Ｘｉｎ端子１１
とＸｏｕｔ端子１３との間に水晶振動子１９を接続して
いる。

【００１１】また、Ｘｉｎ端子１１およびＸｏｕｔ端子
１３と高電位側の電源２５および低電位側の電源２７と
の間に、それぞれ保護ダイオード２１を接続している。

【００１２】図４はｎ基板ＣＭＯＳによるデジタル温度
補償型水晶発振器の例であるから、定電圧発生手段９の
基準電位は高電位側の電源２５であるが、デジタル温度
補償型水晶発振器をｐ基板ＣＭＯＳで形成する場合に
は、定電圧発生手段９の基準電位は低電位側の電源２７
であることはいうまでもない。

【００１３】いずれにしても定電圧発生手段９を用いる
目的は、水晶発振手段１を駆動する電圧が電源電圧変動
の影響を受けないようにして、発振周波数の電源電圧依
存性をなくすことである。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の構成の
デジタル温度補償型水晶発振器は、定電圧発生手段を用
いているにもかかわらず電源電圧の変動によって発振周
波数が変動するという課題がある。

【００１５】本発明の目的は、発振周波数が電源電圧の
変動の影響を受けないデジタル温度補償型水晶発振器を
提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明による温度補償型水晶発振器の構成は、下記
のとおりとする。

【００１７】すなわち、水晶発振手段を駆動する定電圧
発生手段を備え、水晶振動子に接続する端子は、正の異
常電圧を緩和する保護回路も負の異常電圧を緩和する保
護回路も、いずれもこの定電圧発生手段の基準電位とな
る電源との間に接続することを特徴とする。

【００１８】あるいはまた、水晶発振手段を駆動する定
電圧発生手段と、絶対最大定格電圧と同程度の逆方向ブ
レイクダウン電圧を有するｐｎ接合ダイオードとを備
え、水晶振動子に接続する端子とこの定電圧発生手段の
基準電位となる電源との間に、このｐｎ接合ダイオード
を逆方向に接続することを特徴とする。

【００１９】あるいはまた、水晶発振手段と水晶振動子
に一端子を接続する保護ダイオードの他方の端子とに出
力を接続する定電圧発生手段を備えることを特徴とす
る。

【００２０】あるいはまた、水晶発振手段を駆動する第
１の定電圧発生手段と、水晶振動子に一端子を接続する
保護ダイオードの他方の端子に出力を接続する第２の定
電圧発生手段とを備えることを特徴とする。

【００２１】本発明は、Ｘｉｎ端子およびＸｏｕｔ端子
に設けられた保護ダイオードのうち、片方の電源側の保
護ダイオードが発振周波数の電源電圧依存性の原因であ
ることを解明し、その対策として考案したものである。

【００２２】片方の電源とは、ｎ基板ＣＭＯＳによるデ
ジタル温度補償型水晶発振器であれば低電位側の電源で
あり、ｐ基板ＣＭＯＳによるデジタル温度補償型水晶発
振器であれば高電位側の電源である。すなわち、定電圧
発生手段の基準電位ではない電源である。

【００２３】保護ダイオードは、通常ｐｎ接合ダイオー
ドを逆方向接続にして、Ｘｉｎ端子やＸｏｕｔ端子など
と電源との間に設けるものであるから、その端子と電源
との間にｐｎ接合容量が浮遊容量として付随する。

【００２４】このｐｎ接合容量の容量値は、ｐ側とｎ側
との電位差に依存するから、Ｘｉｎ端子やＸｏｕｔ端子
などのように電位が脈動状態にある端子の保護ダイオー
ドの容量値は、瞬時値としては電位の動きと共に上下し
て一定していない。

【００２５】しかし、電源電圧が一定で発振が定常状態
である場合には、時間平均をとればこれらの端子と電源
との電位差は一定であり、したがって保護ダイオードの
容量値も時間平均をとれば一定である。容量値が一定で
ある限り、この保護ダイオードは発振周波数に変動を与
えることはない。

【００２６】水晶発振手段の駆動は定電圧発生手段と基
準電位側の電源との間で行うから、Ｘｉｎ端子あるいは
Ｘｏｕｔ端子と基準電位側の電源との間の電位差は、た
とえ電源電圧が変動しても、時間平均をとれば一定であ
る。

【００２７】したがって、Ｘｉｎ端子やＸｏｕｔ端子と
基準電位側の電源との間に接続する保護ダイオードの容
量値は、たとえ電源電圧が変動したとしても時間平均を
とれば一定であるから、この保護ダイオードは発振周波
数に変動を与えることはない。

【００２８】しかし、Ｘｉｎ端子あるいはＸｏｕｔ端子
の電位が基準電位側の電源に対して時間平均で一定とい
うことは、基準電位ではない他の電源に対しては、電源
電圧の変動と共に電位差が変化するということである。

【００２９】したがって、基準電位ではない電源側に接
続する保護ダイオードは、電源電圧の変動と共にその容
量値が変化するため、発振周波数に変動を与えてしま
う。

【００３０】これが、定電圧発生手段を用いているにも
かかわらず電源電圧の変動によって発振周波数が変動す
る原因である。

【００３１】この対策としては、周波数を変動させる側
の保護ダイオードを単純に除去するという方法も考えら
れるが、それでは端子に印加される正負の異常電圧のす
べてを緩和することができないので保護回路としては不
十分であり、他の方法が望まれる。これについて、実施
例を用いて以下に詳述する。

【００３２】

【発明の実施の形態】水晶発振手段を駆動する定電圧発
生手段を備え、水晶振動子に接続する端子は正および負
の異常電圧を緩和する保護回路を前記定電圧発生手段の
基準電位となる電源との間に接続することを特徴とする
デジタル温度補償型水晶発振器である。

【００３３】

【実施例】以下図面を用いて、本発明の実施例を詳述す
る。図１は、本発明の第１の実施例におけるデジタル温
度補償型水晶発振器の構成を示す回路図である。ただし
図１は、水晶発振手段は回路記号を用いて、また温度計
測手段などはブロック図を用いて、それぞれ示してい
る。

【００３４】図１に示す第１の実施例であるデジタル温
度補償型水晶発振器は、高電位側の電源２５を基準電位
とするｎ基板ＣＭＯＳによる構成であって、水晶発振手
段１からの基準信号を受けて、温度計測手段３はある時
間周期で温度を計測し、不揮発性メモリーやＤ／Ａ変換
回路などで構成する温度補償手段５は、その温度情報を
受けて可変容量７に補償信号を送り、それによって負荷
容量を可変し、水晶発振手段１の発振周波数の温度補償
を行う。固定容量２３は、水晶発振手段１の発振のバラ
ンスをとったりすることを目的として、水晶発振手段と
高電位側の電源２５との間に接続している。仕様によっ
てはこの固定容量２３の代わりに第２の可変容量を接続
して、外部信号による周波数調整に用いたり、周波数の
初期設定に用いたりすることもある。

【００３５】また、水晶発振手段１は定電圧発生手段９
と高電位側の電源２５との間で駆動している。

【００３６】水晶発振手段１の構成は、Ｘｉｎ端子１１
に発振インバータ１５の入力と帰還抵抗１７の一端子と
を接続し、Ｘｏｕｔ端子１３に発振インバータ１５の出
力と帰還抵抗１７の他端子とを接続し、Ｘｉｎ端子１１
とＸｏｕｔ端子１３との間に水晶振動子１９を接続して
いる。

【００３７】また、Ｘｉｎ端子１１およびＸｏｕｔ端子
１３と高電位側の電源２５との間に、それぞれ保護ダイ
オード２１を接続している。

【００３８】この保護ダイオード２１は、逆方向ブレイ
クダウン電圧が絶対最大定格電圧程度になるよう、ｐｎ
接合の不純物濃度を調整したものである。この調整によ
り、１つの保護ダイオードで正負の異常電圧をすべて緩
和することができる。その理由は以下の通りである。

【００３９】すなわち、Ｘｉｎ端子１１あるいはＸｏｕ
ｔ端子１３に負の異常電圧が印加された場合、その異常
電圧が絶対最大定格電圧程度以上であれば、保護ダイオ
ード２１が逆方向ブレイクダウンを起こすことにより、
負の異常電圧を速やかに高電位側の電源２５に逃がす。
また正の異常電圧が印加された場合は、保護ダイオード
２１は高電位側の電源２５に対して順方向接続の電位関
係になるので、やはり速やかに正の異常電圧を高電位側
の電源２５に逃がす役目を果たす。

【００４０】したがって、１つの保護ダイオード２１で
正負の異常電圧をすべて緩和することができるのであ
る。

【００４１】また、水晶発振手段１は定電圧発生手段９
と高電位側の電源２５との間で駆動しているから、たと
え電源電圧が変動しても、Ｘｉｎ端子１１やＸｏｕｔ端
子１３と高電位側の電源２５との時間平均での電位差は
一定である。

【００４２】したがって、保護ダイオード２１の接合容
量の容量値の時間平均も、電源電圧の変動によらず一定
であるから、この保護ダイオード２１は発振周波数に変
動を与えることはない。

【００４３】そして、周波数変動の原因となる低電位側
の電源２７に接続する保護ダイオードは設けていないか
ら、図１に示す構成により、正負の異常電圧をすべて緩
和する機能を有しながら電源電圧の変動による発振周波
数の変動がないデジタル温度補償型水晶発振器を提供す
ることができる。

【００４４】なお、保護ダイオード２１の逆方向ブレイ
クダウン電圧を絶対最大定格電圧程度としている理由は
次の通りである。

【００４５】すなわち、保護ダイオードとしての機能だ
けを考えれば電源電圧を超える異常電圧をすべて緩和す
る方が良いから、逆方向ブレイクダウン電圧は電源電圧
程度が望ましいが、逆方向ブレイクダウン電圧が低い保
護ダイオードはリーク電流が多いので、消費電流などの
点からは逆方向ブレイクダウン電圧は高い程良い。

【００４６】したがって、両方を考慮すれば、内部回路
が破壊されない限界の電圧まで逆方向ブレイクダウン電
圧を高く設定するのが最良ということになる。

【００４７】内部回路が破壊されない限界の電圧は、通
常絶対最大定格電圧程度であるから、図１に示す保護ダ
イオード２１の逆方向ブレイクダウン電圧を絶対最大定
格電圧程度に設定しているのである。

【００４８】これが保護ダイオード２１の逆方向ブレイ
クダウン電圧を絶対最大定格電圧程度としている理由で
ある。

【００４９】次に本発明の他の実施例を詳述する。図２
は、本発明の第２の実施例におけるデジタル温度補償型
水晶発振器の構成を示す回路図である。ただし図２は、
水晶発振手段は回路記号を用いて、また温度計測手段な
どはブロック図を用いて、それぞれ示している。

【００５０】図２に示す第１の実施例であるデジタル温
度補償型水晶発振器は、高電位側の電源２５を基準電位
とするｎ基板ＣＭＯＳによる構成であって、水晶発振手
段１からの基準信号を受けて、温度計測手段３はある時
間周期で温度を計測し、不揮発性メモリーやＤ／Ａ変換
回路などで構成する温度補償手段５は、その温度情報を
受けて可変容量７に補償信号を送り、それによって負荷
容量を可変し、水晶発振手段１の発振周波数の温度補償
を行う。

【００５１】水晶発振手段１は定電圧発生手段９と高電
位側の電源２５との間で駆動しており、その構成は、Ｘ
ｉｎ端子１１に発振インバータ１５の入力と帰還抵抗１
７の一端子とを接続し、Ｘｏｕｔ端子１３に発振インバ
ータ１５の出力と帰還抵抗１７の他端子とを接続し、Ｘ
ｉｎ端子１１とＸｏｕｔ端子１３との間に水晶振動子１
９を接続している。

【００５２】また、Ｘｉｎ端子１１およびＸｏｕｔ端子
１３と高電位側の電源２５との間に、それぞれ保護ダイ
オード２１および保護トランジスタ２９を接続してい
る。

【００５３】図２に示す保護ダイオード２１は、ｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタのソース・ドレーンと同時に形
成されるｐｎ接合ダイオードであって、逆方向ブレイク
ダウン電圧が高いために、負の異常電圧に対する保護回
路としての役目を果たすことはできない。

【００５４】そのため、負の異常電圧を緩和する保護回
路として保護トランジスタ２９を設けている。

【００５５】保護トランジスタ２９はアルミゲートｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタであり、ゲートおよびドレー
ンをＸｉｎ端子１１あるいはＸｏｕｔ端子１３に接続
し、ソースおよびバルクを高電位側の電源２５に接続し
ている。

【００５６】アルミゲートｐチャネルＭＯＳトランジス
タはスレショールド電圧が高いため、通常の使用状態で
は保護トランジスタ２９は非導通状態であり、回路動作
を妨げることはない。

【００５７】しかし、Ｘｉｎ端子１１あるいはＸｏｕｔ
端子１３に負の異常電圧が印加された場合には、ゲート
に高電圧が印加されるのであるから保護トランジスタ２
９は導通状態となり、異常電圧を速やかに緩和する。

【００５８】この保護トランジスタ自身のゲートは、ト
ランジスタ領域を横切るアルミニウム配線と同一構造で
あるから耐圧は高く、したがって保護回路なしで直接Ｘ
ｉｎ端子１１やＸｏｕｔ端子１３に接続することができ
る。

【００５９】なお図２に示す第２の実施例では、正の異
常電圧を緩和する保護ダイオード２１と負の異常電圧を
緩和する保護トランジスタ２９とを別々に設けている
が、保護トランジスタ２９はアルミゲートｐチャネルＭ
ＯＳトランジスタであるから、そのドレーンとバルクと
が保護ダイオード２１と同じｐｎ接合ダイオードを構成
しており、実際上は保護トランジスタ２９だけで正の異
常電圧をも緩和することができる。

【００６０】したがって、回路表現上は保護ダイオード
２１と保護トランジスタ２９という２種類の保護回路素
子を設けるとしても、半導体集積回路のパターンレイア
ウトとしては保護トランジスタ２９だけにしてもよい。

【００６１】なおＭＯＳトランジスタを保護回路に用い
る場合の構成方法には種々のものがあり、図２に示す第
２の実施例の構成に限定されるものではないことは言う
までもない。

【００６２】次に本発明の他の実施例を詳述する。図３
は、本発明の第３の実施例におけるデジタル温度補償型
水晶発振器の構成を示す回路図である。ただし図３は、
水晶発振手段は回路記号を用いて、また温度計測手段な
どはブロック図を用いて、それぞれ示している。

【００６３】図３に示す第３の実施例であるデジタル温
度補償型水晶発振器は、高電位側の電源２５を基準電位
とするｎ基板ＣＭＯＳによる構成であって、水晶発振手
段１からの基準信号を受けて、温度計測手段３はある時
間周期で温度を計測し、不揮発性メモリーやＤ／Ａ変換
回路などで構成する温度補償手段５は、その温度情報を
受けて可変容量７に補償信号を送り、それによって負荷
容量を可変し、水晶発振手段１の発振周波数の温度補償
を行う。

【００６４】水晶発振手段１は定電圧発生手段９と高電
位側の電源２５との間で駆動しており、その構成は、Ｘ
ｉｎ端子１１に発振インバータ１５の入力と帰還抵抗１
７の一端子とを接続し、Ｘｏｕｔ端子１３に発振インバ
ータ１５の出力と帰還抵抗１７の他端子とを接続し、Ｘ
ｉｎ端子１１とＸｏｕｔ端子１３との間に水晶振動子１
９を接続している。

【００６５】また、Ｘｉｎ端子１１およびＸｏｕｔ端子
１３と高電位側の電源２５および定電圧発生手段９との
間に、それぞれ保護ダイオード２１を接続している。

【００６６】図３に示す第３の実施例と図４に示す従来
例とでは、負の異常電圧を緩和するための保護ダイオー
ド２１の接続先が異なっている。

【００６７】すなわち図４に示すように、従来例におい
ては負の異常電圧を緩和するための保護ダイオード２１
の接続先は低電位側の電源２７であるのに対し、図３に
示すように、第３の実施例では負の異常電圧を緩和する
ための保護ダイオード２１の接続先を定電圧発生手段９
としている。

【００６８】定電圧発生手段９の出力電圧は、電源電圧
が変動しても常に一定であるから、Ｘｉｎ端子１１ある
いはＸｏｕｔ端子１３と定電圧発生手段９との電位差
は、時間平均をとれば一定である。

【００６９】したがって、Ｘｉｎ端子１１あるいはＸｏ
ｕｔ端子１３と定電圧発生手段９との間に接続する保護
ダイオード２１のｐｎ接合容量の容量値も、時間平均を
とれば一定であり電源電圧変動の影響を受けないから、
電源電圧が変動しても発振周波数は変化しない。

【００７０】なお、負の異常電圧を緩和する役目を担う
定電圧発生手段９の出力トランジスタについては、その
異常電圧で破壊されることのないよう、ドレーン配線と
ゲートとの距離を大きくするなどパターンレイアウト上
の配慮が必要であることは言うまでもない。

【００７１】ところで図３に示す第３の実施例では、定
電圧発生手段９を水晶発振手段１と保護ダイオード２１
との両方に接続しているが、これを第１の定電圧発生手
段とし、保護ダイオード２１の接続先の定電圧発生手段
は、水晶発振手段１を駆動するための定電圧発生手段９
とは別に第２の定電圧発生手段として設けても差し支え
ない。

【００７２】定電圧発生手段９は水晶発振手段１を駆動
するものであるから、発振起動性を阻害しないようにそ
の出力トランジスタはかなり大きくなければならず、そ
のような大きな出力トランジスタに対して、異常電圧で
の破壊を防ぐためのパターンレイアウト上の工夫を施そ
うとすると、半導体集積回路内での占有面積が非常に大
きくなってしまう場合があり、そのような場合は別に設
けた方がよい。

【００７３】以上のように実施例に基づき本発明を具体
的に説明したが、本発明は上記の実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が
可能であることは言うまでもない。

【００７４】たとえば、上記の３つの実施例はｎ基盤Ｃ
ＭＯＳで構成しているが、ｐ基盤ＣＭＯＳで構成しても
よく、その場合は定電圧発生手段の基準電位は低電位側
の電源となり、正の異常電圧を緩和する保護回路に本発
明を適用することになる。

【００７５】またその場合、図２に示す第２の実施例に
おける保護トランジスタ２９は、アルミゲートｎチャネ
ルＭＯＳトランジスタになる。

【００７６】また図２に示す第２の実施例における保護
トランジスタ２９は、アルミゲートのＭＯＳトランジス
タとしているが、他のゲート電極材料でも差し支えない
ことは言うまでもない。

【００７７】

【発明の効果】以上のように水晶振動子に接続するＸｉ
ｎ端子１１およびＸｏｕｔ端子の保護ダイオードのう
ち、定電圧発生手段の基準電位と異なる側の電源に接続
する保護ダイオードを排除する。

【００７８】そして第１の実施例では、定電圧発生手段
の基準電位側の電源に接続する保護ダイオードとして、
逆方向ブレイクダウン電圧を絶対最大定格程度に設定し
たｐｎ接合ダイオードを用いることにより、保護回路と
しての機能を十分に満足しながら、発振周波数の電源電
圧依存性のないデジタル温度補償型水晶発振器を提供す
ることができる。

【００７９】また第２の実施例では、ＭＯＳトランジス
タで構成する保護回路を定電圧発生手段の基準電位側の
電源に接続することにより、保護回路としての機能を十
分に満足しながら、発振周波数の電源電圧依存性のない
デジタル温度補償型水晶発振器を提供することができ
る。

【００８０】また第３の実施例では、保護ダイオードの
接続先を定電圧発生手段と基準電位側の電源にとするこ
とにより、発振周波数の電源電圧依存性のないデジタル
温度補償型水晶発振器を提供することができる。

【００８１】したがって、特に周波数精度の要求が厳し
い携帯電話機搭載用のデジタル温度補償型水晶発振器に
適用するならば、その効果は絶大である。

【００８２】なお本発明は、デジタル温度補償型水晶発
振器への適用に関してのみ有効なものではなく、水晶時
計などのような水晶振動子を用いる発振器すべてに適用
して有効であるほかに、セラミック発振子などを用いる
発振器のような、発振子を半導体集積回路に外付けして
構成する発振器すべてに適用して効果的であることは言
うまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例におけるデジタル温度補
償型水晶発振器の構成を示す回路図である。

【図２】本発明の第２の実施例におけるデジタル温度補
償型水晶発振器の構成を示す回路図である。

【図３】本発明の第３の実施例におけるデジタル温度補
償型水晶発振器の構成を示す回路図である。

【図４】従来例におけるデジタル温度補償型水晶発振器
の構成を示す回路図である。

【符号の説明】

１ 水晶発振手段 ３ 温度計測手段 ５ 温度補償手段 ７ 可変容量 ９ 定電圧発生手段 １１ Ｘｉｎ端子 １３ Ｘｏｕｔ端子 ２１ 保護ダイオード ２５ 高電位側の電源 ２７ 低電位側の電源

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 集積回路に供給される電源の一方の電源
   線と他方の電源線に接続されて前記一方の電源線の電位
   に対して一定電位を出力端に発生する定電圧発生手段と
   ともに該集積回路中に設けられ、前記一方の電源線と前
   記定電圧発生手段の前記出力端から電源の供給を受けて
   動作する発振インバータと、前記集積回路の外部端子を
   介して該発振インバータに接続される発振子と、前記集
   積回路内に設けられ、前記発振インバータと前記発振子
   との接続点を保護する保護回路を有する発振器に於い
   て、 少なくとも一部の保護回路が前記定電圧発生手段の出力
   に接続されていることを特徴とする、発振子を用いた発
   振器。
2. 【請求項２】 集積回路に供給される電源の一方の電源
   線と他方の電源線に接続されて前記一方の電源線の電位
   に対して一定電位を出力端に発生する定電圧発生手段と
   ともに該集積回路中に設けられ、前記一方の電源線と前
   記定電圧発生手段の前記出力端から電源の供給を受けて
   動作する発振インバータと、前記集積回路の外部端子を
   介して該発振インバータに接続される発振子と、前記集
   積回路内に設けられ、前記発振インバータと前記発振子
   との接続点を保護する保護回路を有する発振器に於い
   て、 前記集積回路は前記定電圧発生手段とは異なる他の定電
   圧発生手段を有し、少なくとも一部の保護回路が該他の
   定電圧発生手段の出力に接続されていることを特徴とす
   る、発振子を用いた発振器。