JP3434166B2 - 高抵抗外導型シースインタラプタ - Google Patents
高抵抗外導型シースインタラプタInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属シース付き電
力ケーブルにおけるシースインタラプタに係り、特に、
高抵抗外導型シースインタラプタに関するものである。
力ケーブルにおけるシースインタラプタに係り、特に、
高抵抗外導型シースインタラプタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属シース付き電力ケーブルの導体に電
流を流すと、金属シースに循環電流が生じると共に、金
属シース内にジュール熱が生じるため、シース回路損失
として見かけ上の電力損失となる。このため、従来よ
り、電力ケーブルを接続する接続部において、金属シー
スを長手方向に絶縁するための絶縁接続部が設けられて
いる。
流を流すと、金属シースに循環電流が生じると共に、金
属シース内にジュール熱が生じるため、シース回路損失
として見かけ上の電力損失となる。このため、従来よ
り、電力ケーブルを接続する接続部において、金属シー
スを長手方向に絶縁するための絶縁接続部が設けられて
いる。
【０００３】従来の金属シース付き電力ケーブルにおけ
るシース回路損失を減少するための接地方式の模式図を
図６に示す。図６（ａ）は、クロスボンド接地方式、図
６（ｂ）は、片端接地方式である。
るシース回路損失を減少するための接地方式の模式図を
図６に示す。図６（ａ）は、クロスボンド接地方式、図
６（ｂ）は、片端接地方式である。
【０００４】図６（ａ）に示すように、クロスボンド接
地方式は、平行に布設された複数（図中では３本）の電
力ケーブルの金属シース５におけるそれぞれの接続部に
絶縁接続箱５１を設け、それぞれの絶縁接続箱５１をク
ロスボンドしたものである。また、図６（ｂ）に示すよ
うに、片端接地方式は、平行に布設された複数（図中で
は３本）の電力ケーブルの金属シース５におけるそれぞ
れの接続部に絶縁接続箱５１を設け、それぞれの絶縁接
続箱５１の電流Ｉの流れ方向の下流側（図中の左側）に
アース５２を設けたものである。
地方式は、平行に布設された複数（図中では３本）の電
力ケーブルの金属シース５におけるそれぞれの接続部に
絶縁接続箱５１を設け、それぞれの絶縁接続箱５１をク
ロスボンドしたものである。また、図６（ｂ）に示すよ
うに、片端接地方式は、平行に布設された複数（図中で
は３本）の電力ケーブルの金属シース５におけるそれぞ
れの接続部に絶縁接続箱５１を設け、それぞれの絶縁接
続箱５１の電流Ｉの流れ方向の下流側（図中の左側）に
アース５２を設けたものである。
【０００５】また、近年のケーブル製造技術の進歩によ
り、電力ケーブル一条の長尺化が可能になり、金属シー
ス絶縁部分に生じる電位差が大きくなる場合も有り得る
ようになった。すなわち、電気的信頼性や安全性の面か
ら、電力ケーブルの長さ方向の任意の部分に絶縁接続部
を設置する必要性が生じてきた。
り、電力ケーブル一条の長尺化が可能になり、金属シー
ス絶縁部分に生じる電位差が大きくなる場合も有り得る
ようになった。すなわち、電気的信頼性や安全性の面か
ら、電力ケーブルの長さ方向の任意の部分に絶縁接続部
を設置する必要性が生じてきた。
【０００６】そこで、電力ケーブルの任意の位置で、ケ
ーブル外径を大幅に増大させることなく容易に金属シー
スを絶縁し、かつ、シース回路損失を低減することがで
きるシースインタラプタを備えた電力ケーブルが提案さ
れている。
ーブル外径を大幅に増大させることなく容易に金属シー
スを絶縁し、かつ、シース回路損失を低減することがで
きるシースインタラプタを備えた電力ケーブルが提案さ
れている。
【０００７】従来のシースインタラプタの金属シース縁
切り部の縦断面図を図５に示す。尚、図６と同じ部材に
は同じ符号を付している。
切り部の縦断面図を図５に示す。尚、図６と同じ部材に
は同じ符号を付している。
【０００８】図５に示すように、電力ケーブル（図示せ
ず）は、ケーブル導体２の外周を、順次、ケーブル絶縁
体３、外部半導電層４で被覆し、その外部半導電層４を
金属シース５で囲繞してなるものである。この電力ケー
ブルにおける金属シース５の一部を縁切りすると共に金
属シース縁切り部全体を絶縁筒６で囲繞する。絶縁筒６
と金属シース５との間隙をシールすべくシール部材７を
設ける。金属シース縁切り部と外部半導電層４とのそれ
ぞれの境界部において、金属シース縁切り端と外部半導
電層４との間隙部のそれぞれに電極８，８を挿入する。
ここで、金属シース５は、金属の押し出しによって形成
したもの、金属テープを巻き回し又は縦添えすることに
よって形成したテープ状あるいは綿状のものである。
ず）は、ケーブル導体２の外周を、順次、ケーブル絶縁
体３、外部半導電層４で被覆し、その外部半導電層４を
金属シース５で囲繞してなるものである。この電力ケー
ブルにおける金属シース５の一部を縁切りすると共に金
属シース縁切り部全体を絶縁筒６で囲繞する。絶縁筒６
と金属シース５との間隙をシールすべくシール部材７を
設ける。金属シース縁切り部と外部半導電層４とのそれ
ぞれの境界部において、金属シース縁切り端と外部半導
電層４との間隙部のそれぞれに電極８，８を挿入する。
ここで、金属シース５は、金属の押し出しによって形成
したもの、金属テープを巻き回し又は縦添えすることに
よって形成したテープ状あるいは綿状のものである。
【０００９】すなわち、シースインタラプタ４１におい
て、ケーブル絶縁体３の外側における電気的な導通は、
外部半導電層４を除いて遮断されている。
て、ケーブル絶縁体３の外側における電気的な導通は、
外部半導電層４を除いて遮断されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６
（ａ）に示したクロスボンド接地を行った場合、絶縁接
続箱５１の金属シース絶縁部分には、電力ケーブル単長
に比例して増加する電位差（常時誘起電圧）が生じる。
金属シース絶縁部分の電界集中を避け、かつ、絶縁体の
電気的信頼性を確保するためには、絶縁接続箱５１の外
形を大きくする必要がある。また、絶縁接続箱５１の組
み立てには技術を要する。このことから、絶縁接続箱５
１を設置する場所には制限があるため、シース回路損失
を減じることができる最良の位置に絶縁接続箱５１を設
置することは困難であった。
（ａ）に示したクロスボンド接地を行った場合、絶縁接
続箱５１の金属シース絶縁部分には、電力ケーブル単長
に比例して増加する電位差（常時誘起電圧）が生じる。
金属シース絶縁部分の電界集中を避け、かつ、絶縁体の
電気的信頼性を確保するためには、絶縁接続箱５１の外
形を大きくする必要がある。また、絶縁接続箱５１の組
み立てには技術を要する。このことから、絶縁接続箱５
１を設置する場所には制限があるため、シース回路損失
を減じることができる最良の位置に絶縁接続箱５１を設
置することは困難であった。
【００１１】図５に示したシースインタラプタ４１の場
合、各金属シース縁切り部端間の遮蔽層として電力ケー
ブル本体の外部半導電層４をそのまま用いていることに
問題があった。すなわち、商用周波での交流で電力ケー
ブルを使用する際、電極８，８間には、常時、ケーブル
導体２の電磁誘導により電圧が発生し、この電圧により
外部半導電層４に電流が流れる。また、ケーブル絶縁体
３の充電電流が外部半導電層４を通り金属シース５に流
れる。
合、各金属シース縁切り部端間の遮蔽層として電力ケー
ブル本体の外部半導電層４をそのまま用いていることに
問題があった。すなわち、商用周波での交流で電力ケー
ブルを使用する際、電極８，８間には、常時、ケーブル
導体２の電磁誘導により電圧が発生し、この電圧により
外部半導電層４に電流が流れる。また、ケーブル絶縁体
３の充電電流が外部半導電層４を通り金属シース５に流
れる。
【００１２】これらの電流により外部半導電層４が発熱
し、この熱によりケーブル導体２の温度を部分的に上昇
させ、この温度上昇部分が電力ケーブル許容電流を制限
するおそれがある。また、外部半導電層４の発熱が大き
くなると、ケーブル絶縁体３を溶融すると共に、ケーブ
ル絶縁性能が低下する可能性がある。
し、この熱によりケーブル導体２の温度を部分的に上昇
させ、この温度上昇部分が電力ケーブル許容電流を制限
するおそれがある。また、外部半導電層４の発熱が大き
くなると、ケーブル絶縁体３を溶融すると共に、ケーブ
ル絶縁性能が低下する可能性がある。
【００１３】そこで本発明は、上記課題を解決し、外部
半導電層の発熱による温度上昇を抑えた高抵抗外導型シ
ースインタラプタを提供することにある。
半導電層の発熱による温度上昇を抑えた高抵抗外導型シ
ースインタラプタを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、 ケーブル導体の外周を、順次、
ケーブル絶縁体、外部半導電層で被覆し、その外部半導
電層を金属シースで囲繞してなる電力ケーブルの、任意
の位置で金属シースの絶縁を行うシースインタラプタに
おいて、上記金属シースの一部を縁切りすると共に金属
シース縁切り部全体を絶縁筒で囲繞し、その絶縁筒と金
属シースとの間隙をシール部材でシールし、上記外部半
導電層と上記金属シースの縁切り部端との隙間にそれぞ
れ電極を設け、各電極間の外部半導電層を除去し、その
外部半導電層の除去部に高抵抗半導電体を設け、各電極
間の外部半導電層の９０℃の抵抗を１０ 3 〜１０ 6 Ωとし
たものである。
に請求項１の発明は、 ケーブル導体の外周を、順次、
ケーブル絶縁体、外部半導電層で被覆し、その外部半導
電層を金属シースで囲繞してなる電力ケーブルの、任意
の位置で金属シースの絶縁を行うシースインタラプタに
おいて、上記金属シースの一部を縁切りすると共に金属
シース縁切り部全体を絶縁筒で囲繞し、その絶縁筒と金
属シースとの間隙をシール部材でシールし、上記外部半
導電層と上記金属シースの縁切り部端との隙間にそれぞ
れ電極を設け、各電極間の外部半導電層を除去し、その
外部半導電層の除去部に高抵抗半導電体を設け、各電極
間の外部半導電層の９０℃の抵抗を１０ 3 〜１０ 6 Ωとし
たものである。
【００１５】請求項２の発明は、ケーブル導体の外周
を、順次、ケーブル絶縁体、外部半導電層で被覆し、そ
の外部半導電層を金属シースで囲繞してなる電力ケーブ
ルの、任意の位置で金属シースの絶縁を行うシースイン
タラプタにおいて、上記金属シースの一部を縁切りする
と共に金属シース縁切り部全体を絶縁筒で囲繞し、その
絶縁筒と金属シースとの間隙をシール部材でシールし、
上記外部半導電層と上記金属シースの縁切り部端との隙
間にそれぞれ電極を設け、各電極間の外部半導電層に凹
部を形成し、各電極間の外部半導電層の９０℃の抵抗を
１０ 3 〜１０ 6 Ωとしたものである。
を、順次、ケーブル絶縁体、外部半導電層で被覆し、そ
の外部半導電層を金属シースで囲繞してなる電力ケーブ
ルの、任意の位置で金属シースの絶縁を行うシースイン
タラプタにおいて、上記金属シースの一部を縁切りする
と共に金属シース縁切り部全体を絶縁筒で囲繞し、その
絶縁筒と金属シースとの間隙をシール部材でシールし、
上記外部半導電層と上記金属シースの縁切り部端との隙
間にそれぞれ電極を設け、各電極間の外部半導電層に凹
部を形成し、各電極間の外部半導電層の９０℃の抵抗を
１０ 3 〜１０ 6 Ωとしたものである。
【００１６】
【００１７】上記数値範囲を限定した理由を以下に述べ
る。
る。
【００１８】各電極間の外部半導電層の９０℃の抵抗を
１０3〜１０6Ωと限定した理由は、抵抗が１０3Ωより
も低いと、各電極間の外部半導電層に、ケーブル導体の
電磁誘導によって発生した電圧により電流が流れ、発熱
が大きくなるためである。また、抵抗が１０6Ωよりも
高いと、充電電流による発熱が大きくなるためである。
１０3〜１０6Ωと限定した理由は、抵抗が１０3Ωより
も低いと、各電極間の外部半導電層に、ケーブル導体の
電磁誘導によって発生した電圧により電流が流れ、発熱
が大きくなるためである。また、抵抗が１０6Ωよりも
高いと、充電電流による発熱が大きくなるためである。
【００１９】以上の構成によれば、各電極間の外部半導
電層を除去し、その外部半導電層の除去部に高抵抗半導
電体を設け又は各電極間の外部半導電層に凹部を形成
し、各電極間の外部半導電層の９０℃の抵抗を１０ 3 〜
１０ 6 Ωとしたため、外部半導電層の発熱による温度上
昇を抑えることができる。
電層を除去し、その外部半導電層の除去部に高抵抗半導
電体を設け又は各電極間の外部半導電層に凹部を形成
し、各電極間の外部半導電層の９０℃の抵抗を１０ 3 〜
１０ 6 Ωとしたため、外部半導電層の発熱による温度上
昇を抑えることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００２１】第１の実施の形態の高抵抗外導型シースイ
ンタラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図を図１
に示す。尚、図５と同じ部材には同じ符号を付してい
る。
ンタラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図を図１
に示す。尚、図５と同じ部材には同じ符号を付してい
る。
【００２２】図１に示すように、高抵抗外導型シースイ
ンタラプタ１は、ケーブル導体２の外周を、順次、ケー
ブル絶縁体３、外部半導電層４で被覆し、その外部半導
電層４の外周に金属シース５を囲繞して設け、その金属
シース５の一部を縁切りすると共に金属シース縁切り部
全体の外周を絶縁筒（図示せず；図５参照）で囲繞して
設け、その絶縁筒と金属シース５との間隙にシール部材
（図示せず；図５参照）を設け、外部半導電層４と金属
シースの縁切り部端との隙間にそれぞれ電極８，８を設
け、各電極８，８間における外部半導電層４を除去して
外部半導電層除去部４ａを形成し、その外部半導電層除
去部４ａに９０℃における抵抗が１０3〜１０6Ωの高抵
抗半導電体９を設けたものである。
ンタラプタ１は、ケーブル導体２の外周を、順次、ケー
ブル絶縁体３、外部半導電層４で被覆し、その外部半導
電層４の外周に金属シース５を囲繞して設け、その金属
シース５の一部を縁切りすると共に金属シース縁切り部
全体の外周を絶縁筒（図示せず；図５参照）で囲繞して
設け、その絶縁筒と金属シース５との間隙にシール部材
（図示せず；図５参照）を設け、外部半導電層４と金属
シースの縁切り部端との隙間にそれぞれ電極８，８を設
け、各電極８，８間における外部半導電層４を除去して
外部半導電層除去部４ａを形成し、その外部半導電層除
去部４ａに９０℃における抵抗が１０3〜１０6Ωの高抵
抗半導電体９を設けたものである。
【００２３】高抵抗半導電体９の材料は、特に限定する
ものではなく、９０℃における抵抗が１０3 〜１０6 Ω
のものであれば何でもよい。
ものではなく、９０℃における抵抗が１０3 〜１０6 Ω
のものであれば何でもよい。
【００２４】次に、本実施の形態の作用を説明する。
【００２５】高抵抗外導型シースインタラプタ１におい
ては、各電極８，８間における外部半導電層４を除去し
て外部半導電層除去部４ａを形成し、その外部半導電層
除去部４ａに９０℃における抵抗が１０3 〜１０6 Ωの
高抵抗半導電体９を設けている。
ては、各電極８，８間における外部半導電層４を除去し
て外部半導電層除去部４ａを形成し、その外部半導電層
除去部４ａに９０℃における抵抗が１０3 〜１０6 Ωの
高抵抗半導電体９を設けている。
【００２６】このため、商用周波での交流で電力ケーブ
ルを使用するにおいて、各電極８，８間にケーブル導体
２の電磁誘導により電圧が発生し、この電圧により外部
半導電層４に電流が流れようとしても、外部半導電層除
去部４ａに設けた高抵抗半導電体９の部分は９０℃にお
ける抵抗が１０ 3 〜１０ 6 Ωと高抵抗であるため電流の流
れが抑えられ、外部半導電層４の発熱を抑えることがで
きる。同様に、ケーブル絶縁体３の充電電流が外部半導
電層４を通り金属シース５に流れようとしても、外部半
導電層除去部４ａに設けた高抵抗半導電体９の部分で電
流の流れが抑えられ、外部半導電層４の発熱を抑えるこ
とができる。
ルを使用するにおいて、各電極８，８間にケーブル導体
２の電磁誘導により電圧が発生し、この電圧により外部
半導電層４に電流が流れようとしても、外部半導電層除
去部４ａに設けた高抵抗半導電体９の部分は９０℃にお
ける抵抗が１０ 3 〜１０ 6 Ωと高抵抗であるため電流の流
れが抑えられ、外部半導電層４の発熱を抑えることがで
きる。同様に、ケーブル絶縁体３の充電電流が外部半導
電層４を通り金属シース５に流れようとしても、外部半
導電層除去部４ａに設けた高抵抗半導電体９の部分で電
流の流れが抑えられ、外部半導電層４の発熱を抑えるこ
とができる。
【００２７】すなわち、シースインタラプタ１を設けた
部分における外部半導電層４、具体的には各電極８，８
間の外部半導電層４の発熱を抑えることができるため、
外部半導電層４の発熱によるケーブル導体２の部分的な
温度上昇を抑えることができると共に、電力ケーブル許
容電流に与える影響を極力少なくすることができる。ま
た、外部半導電層４の発熱を抑えることができるため、
ケーブル絶縁体３が溶融しなくなると共に、ケーブル絶
縁性能が低下しなくなる。また、外部半導電層４の発熱
を抑えたため、シースインタラプタ１を設置する間隔を
長くすることができる、コストダウンを図ることができ
る。
部分における外部半導電層４、具体的には各電極８，８
間の外部半導電層４の発熱を抑えることができるため、
外部半導電層４の発熱によるケーブル導体２の部分的な
温度上昇を抑えることができると共に、電力ケーブル許
容電流に与える影響を極力少なくすることができる。ま
た、外部半導電層４の発熱を抑えることができるため、
ケーブル絶縁体３が溶融しなくなると共に、ケーブル絶
縁性能が低下しなくなる。また、外部半導電層４の発熱
を抑えたため、シースインタラプタ１を設置する間隔を
長くすることができる、コストダウンを図ることができ
る。
【００２８】次に、本発明の他の実施の形態を説明す
る。
る。
【００２９】第２の実施の形態の高抵抗外導型シースイ
ンタラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図を図２
に示す。尚、図１と同じ部材には同じ符号を付してい
る。
ンタラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図を図２
に示す。尚、図１と同じ部材には同じ符号を付してい
る。
【００３０】図２に示すように、高抵抗外導型シースイ
ンタラプタ１１は、ケーブル導体２の外周を、順次、ケ
ーブル絶縁体３、外部半導電層４で被覆し、その外部半
導電層４の外周に金属シース５を囲繞して設け、その金
属シース５の一部を縁切りすると共に金属シース縁切り
部全体の外周を絶縁筒（図示せず；図５参照）で囲繞し
て設け、その絶縁筒と金属シース５との間隙にシール部
材（図示せず；図５参照）を設け、外部半導電層４と金
属シースの縁切り部端との隙間にそれぞれ電極８，８を
設け、９０℃における抵抗が１０3〜１０6Ωとなるべく
各電極８，８間における外部半導電層４に凹部４ｂを形
成したものである。
ンタラプタ１１は、ケーブル導体２の外周を、順次、ケ
ーブル絶縁体３、外部半導電層４で被覆し、その外部半
導電層４の外周に金属シース５を囲繞して設け、その金
属シース５の一部を縁切りすると共に金属シース縁切り
部全体の外周を絶縁筒（図示せず；図５参照）で囲繞し
て設け、その絶縁筒と金属シース５との間隙にシール部
材（図示せず；図５参照）を設け、外部半導電層４と金
属シースの縁切り部端との隙間にそれぞれ電極８，８を
設け、９０℃における抵抗が１０3〜１０6Ωとなるべく
各電極８，８間における外部半導電層４に凹部４ｂを形
成したものである。
【００３１】本実施の形態の高抵抗外導型シースインタ
ラプタ１１においても、第１の実施の形態の高抵抗外導
型シースインタラプタ１と同様の作用効果を得ることが
できる。
ラプタ１１においても、第１の実施の形態の高抵抗外導
型シースインタラプタ１と同様の作用効果を得ることが
できる。
【００３２】第３の実施の形態の高抵抗外導型シースイ
ンタラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図を図３
に示す。尚、図１と同じ部材には同じ符号を付してい
る。
ンタラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図を図３
に示す。尚、図１と同じ部材には同じ符号を付してい
る。
【００３３】図３に示すように、高抵抗外導型シースイ
ンタラプタ２１は、ケーブル導体２の外周を、順次、ケ
ーブル絶縁体３、９０℃における抵抗が１０3〜１０6Ω
の外部半導電層１０で被覆し、その外部半導電層４の外
周に金属シース５を囲繞して設け、その金属シース５の
一部を縁切りすると共に金属シース縁切り部全体の外周
を絶縁筒（図示せず；図５参照）で囲繞して設け、その
絶縁筒と金属シース５との間隙にシール部材（図示せ
ず；図５参照）を設け、外部半導電層４と金属シースの
縁切り部端との隙間にそれぞれ電極８，８を設けたもの
である。
ンタラプタ２１は、ケーブル導体２の外周を、順次、ケ
ーブル絶縁体３、９０℃における抵抗が１０3〜１０6Ω
の外部半導電層１０で被覆し、その外部半導電層４の外
周に金属シース５を囲繞して設け、その金属シース５の
一部を縁切りすると共に金属シース縁切り部全体の外周
を絶縁筒（図示せず；図５参照）で囲繞して設け、その
絶縁筒と金属シース５との間隙にシール部材（図示せ
ず；図５参照）を設け、外部半導電層４と金属シースの
縁切り部端との隙間にそれぞれ電極８，８を設けたもの
である。
【００３４】本実施の形態の高抵抗外導型シースインタ
ラプタ２１においても、第１の実施の形態の高抵抗外導
型シースインタラプタ１と同様の作用効果を得ることが
できる。
ラプタ２１においても、第１の実施の形態の高抵抗外導
型シースインタラプタ１と同様の作用効果を得ることが
できる。
【００３５】
（実施例１）ケーブル導体の外周を、順次、ケーブル絶
縁体、外部半導電層で被覆する。その外部半導電層の外
周に金属シースを囲繞して設ける。その金属シースの一
部を縁切りすると共に金属シース縁切り部全体の外周を
絶縁筒で囲繞する。その絶縁筒と金属シースとの間隙に
シール部材を設ける。外部半導電層と金属シースの縁切
り部端との隙間にそれぞれ電極を設ける。各電極間にお
ける外部半導電層を除去して外部半導電層除去部を形成
し、その外部半導電層除去部に９０℃における抵抗が１
０3 Ωの高抵抗半導電体を設けて高抵抗外導型シースイ
ンタラプタを作製する。
縁体、外部半導電層で被覆する。その外部半導電層の外
周に金属シースを囲繞して設ける。その金属シースの一
部を縁切りすると共に金属シース縁切り部全体の外周を
絶縁筒で囲繞する。その絶縁筒と金属シースとの間隙に
シール部材を設ける。外部半導電層と金属シースの縁切
り部端との隙間にそれぞれ電極を設ける。各電極間にお
ける外部半導電層を除去して外部半導電層除去部を形成
し、その外部半導電層除去部に９０℃における抵抗が１
０3 Ωの高抵抗半導電体を設けて高抵抗外導型シースイ
ンタラプタを作製する。
【００３６】（実施例２）実施例１と同様にして、外部
半導電層除去部に９０℃における抵抗が１０4 Ωの高抵
抗半導電体を設けて高抵抗外導型シースインタラプタを
作製する。
半導電層除去部に９０℃における抵抗が１０4 Ωの高抵
抗半導電体を設けて高抵抗外導型シースインタラプタを
作製する。
【００３７】（実施例３）実施例１と同様にして、外部
半導電層除去部に９０℃における抵抗が１０5 Ωの高抵
抗半導電体を設けて高抵抗外導型シースインタラプタを
作製する。
半導電層除去部に９０℃における抵抗が１０5 Ωの高抵
抗半導電体を設けて高抵抗外導型シースインタラプタを
作製する。
【００３８】（実施例４）実施例１と同様にして、外部
半導電層除去部に９０℃における抵抗が１０6 Ωの高抵
抗半導電体を設けて高抵抗外導型シースインタラプタを
作製する。
半導電層除去部に９０℃における抵抗が１０6 Ωの高抵
抗半導電体を設けて高抵抗外導型シースインタラプタを
作製する。
【００３９】（比較例１）実施例１と同様にして、外部
半導電層除去部に９０℃における抵抗が１０2 Ωの高抵
抗半導電体を設けてシースインタラプタを作製する。
半導電層除去部に９０℃における抵抗が１０2 Ωの高抵
抗半導電体を設けてシースインタラプタを作製する。
【００４０】実施例１〜４の高抵抗外導型シースインタ
ラプタおよび比較例１のシースインタラプタのそれぞれ
を７７ｋＶ級電力ケーブルに施工し、通電試験を行っ
た。
ラプタおよび比較例１のシースインタラプタのそれぞれ
を７７ｋＶ級電力ケーブルに施工し、通電試験を行っ
た。
【００４１】実施例１〜４の高抵抗外導型シースインタ
ラプタに対する交流電圧の印加位置の一例を図４に示
す。
ラプタに対する交流電圧の印加位置の一例を図４に示
す。
【００４２】図４に示すように、電力ケーブル（図示せ
ず）のケーブル導体２に７００Ａの電流を通電すると共
に、絶縁筒６の外側における金属シース５のＡ、Ｂの位
置に３００Ｖの交流電圧を印加し、ケーブル導体２およ
び各電極８，８間の外部半導電層４のそれぞれを発熱さ
せることによって、シースインタラプタ３１の部分のケ
ーブル導体２ａの温度とシースインタラプタ３１以外の
部分のケーブル導体２ｂの温度との温度差（以下、ΔＴ
と呼ぶ）を調べた。その結果を表１に示す。
ず）のケーブル導体２に７００Ａの電流を通電すると共
に、絶縁筒６の外側における金属シース５のＡ、Ｂの位
置に３００Ｖの交流電圧を印加し、ケーブル導体２およ
び各電極８，８間の外部半導電層４のそれぞれを発熱さ
せることによって、シースインタラプタ３１の部分のケ
ーブル導体２ａの温度とシースインタラプタ３１以外の
部分のケーブル導体２ｂの温度との温度差（以下、ΔＴ
と呼ぶ）を調べた。その結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１に示すように、実施例１〜４の高抵抗
外導型シースインタラプタを用いた電力ケーブルにおい
ては、高抵抗半導電体の抵抗が１０3 、１０4 、１
０5 、１０6 （Ω）と上昇すると、ΔＴは６．２、２．
０、１．０、０．７（℃）と小さくなっており、高抵抗
半導電体の抵抗が１０6 Ωの場合においては、ほとんど
温度上昇しないことがわかる。
外導型シースインタラプタを用いた電力ケーブルにおい
ては、高抵抗半導電体の抵抗が１０3 、１０4 、１
０5 、１０6 （Ω）と上昇すると、ΔＴは６．２、２．
０、１．０、０．７（℃）と小さくなっており、高抵抗
半導電体の抵抗が１０6 Ωの場合においては、ほとんど
温度上昇しないことがわかる。
【００４５】ここで、高抵抗半導電体の抵抗が１０6 Ω
より大きくなると、ｔａｎδ発熱が大きくなるため、電
力ケーブルおよびシースインタラプタとしても好ましく
ない。
より大きくなると、ｔａｎδ発熱が大きくなるため、電
力ケーブルおよびシースインタラプタとしても好ましく
ない。
【００４６】これに対して、比較例１のシースインタラ
プタを用いた電力ケーブルにおいては、高抵抗半導電体
の抵抗が１０2 （Ω）と規定範囲外であるため、ΔＴは
１９．５（℃）と非常に大きくなる。
プタを用いた電力ケーブルにおいては、高抵抗半導電体
の抵抗が１０2 （Ω）と規定範囲外であるため、ΔＴは
１９．５（℃）と非常に大きくなる。
【００４７】高抵抗半導電体の抵抗が低くなる（即ち、
外部半導電層の抵抗が低くなる）と、シースインタラプ
タの部分のケーブル導体の温度上昇が大きくなり、その
上昇割合は高抵抗半導電体の抵抗が低くなるほど大き
い。電力ケーブル許容電流への影響を考慮した場合、Δ
Ｔは少なくとも１０℃以下であることが必要なことか
ら、高抵抗半導電体の９０℃における抵抗は１０3 Ω以
上にする必要がある。
外部半導電層の抵抗が低くなる）と、シースインタラプ
タの部分のケーブル導体の温度上昇が大きくなり、その
上昇割合は高抵抗半導電体の抵抗が低くなるほど大き
い。電力ケーブル許容電流への影響を考慮した場合、Δ
Ｔは少なくとも１０℃以下であることが必要なことか
ら、高抵抗半導電体の９０℃における抵抗は１０3 Ω以
上にする必要がある。
【００４８】すなわち、高抵抗半導電体の９０℃におけ
る抵抗を１０3 〜１０6 Ωにすることで、シースインタ
ラプタ設置による電力ケーブル許容電流に与える影響を
最少限にすることができる。
る抵抗を１０3 〜１０6 Ωにすることで、シースインタ
ラプタ設置による電力ケーブル許容電流に与える影響を
最少限にすることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００５０】（１） シースインタラプタを設けた部分
における外部半導電層の発熱を抑えることができるた
め、外部半導電層の発熱によるケーブル導体の部分的な
温度上昇を抑えることができると共に、電力ケーブル許
容電流に与える影響を極力少なくすることができる。
における外部半導電層の発熱を抑えることができるた
め、外部半導電層の発熱によるケーブル導体の部分的な
温度上昇を抑えることができると共に、電力ケーブル許
容電流に与える影響を極力少なくすることができる。
【００５１】（２） 外部半導電層の発熱を抑えたた
め、シースインタラプタを設置する間隔を長くすること
ができる。
め、シースインタラプタを設置する間隔を長くすること
ができる。
【図１】第１の実施の形態の高抵抗外導型シースインタ
ラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図である。
ラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図である。
【図２】第２の実施の形態の高抵抗外導型シースインタ
ラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図である。
ラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図である。
【図３】第３の実施の形態の高抵抗外導型シースインタ
ラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図である。
ラプタの金属シース縁切り部の要部縦断面図である。
【図４】実施例１〜４の高抵抗外導型シースインタラプ
タに対する交流電圧の印加位置の一例を示した図であ
る。
タに対する交流電圧の印加位置の一例を示した図であ
る。
【図５】従来のシースインタラプタの金属シース縁切り
部の要部縦断面図である。
部の要部縦断面図である。
【図６】従来の金属シース付き電力ケーブルにおけるシ
ース回路損失を減少するための接地方式の模式図であ
る。
ース回路損失を減少するための接地方式の模式図であ
る。
１，１１，２１ 高抵抗外導型シースインタラプタ
２ ケーブル導体
３ ケーブル絶縁体
４，１０ 外部半導電層
４ａ 外部半導電層除去部
４ｂ 凹部
５ 金属シース
６ 絶縁筒
７ シール部材
８ 電極
９ 高抵抗半導電体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 日渡 重雄
茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日
立電線株式会社パワーシステム研究所内
(72)発明者 五来 高志
茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日
立電線株式会社日高工場内
(56)参考文献 特開 平７−245836（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−131079（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−255736（ＪＰ，Ａ)
実開 昭56−46918（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭59−126531（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H02G 15/08
H01B 7/28
Claims (2)
- 【請求項１】 ケーブル導体の外周を、順次、ケーブル
絶縁体、外部半導電層で被覆し、その外部半導電層を金
属シースで囲繞してなる電力ケーブルの、任意の位置で
金属シースの絶縁を行うシースインタラプタにおいて、
上記金属シースの一部を縁切りすると共に金属シース縁
切り部全体を絶縁筒で囲繞し、その絶縁筒と金属シース
との間隙をシール部材でシールし、上記外部半導電層と
上記金属シースの縁切り部端との隙間にそれぞれ電極を
設け、各電極間の外部半導電層を除去し、その外部半導
電層の除去部に高抵抗半導電体を設け、各電極間の外部
半導電層の９０℃の抵抗を１０ 3 〜１０ 6 Ωとしたことを
特徴とする高抵抗外導型シースインタラプタ。 - 【請求項２】 ケーブル導体の外周を、順次、ケーブル
絶縁体、外部半導電層で被覆し、その外部半導電層を金
属シースで囲繞してなる電力ケーブルの、任意の位置で
金属シースの絶縁を行うシースインタラプタにおいて、
上記金属シースの一部を縁切りすると共に金属シース縁
切り部全体を絶縁筒で囲繞し、その絶縁筒と金属シース
との間隙をシール部材でシールし、上記外部半導電層と
上記金属シースの縁切り部端との隙間にそれぞれ電極を
設け、各電極間の外部半導電層に凹部を形成し、各電極
間の外部半導電層の９０℃の抵抗を１０ 3 〜１０ 6 Ωとし
たことを特徴とする高抵抗外導型シースインタラプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12439497A JP3434166B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 高抵抗外導型シースインタラプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12439497A JP3434166B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 高抵抗外導型シースインタラプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10322872A JPH10322872A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3434166B2 true JP3434166B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=14884349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12439497A Expired - Fee Related JP3434166B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 高抵抗外導型シースインタラプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3434166B2 (ja) |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP12439497A patent/JP3434166B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10322872A (ja) | 1998-12-04 |
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