JP3422298B2 - ヒートシンクの実装構造 - Google Patents

ヒートシンクの実装構造

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒートシンクの実
装構造に関し、特に大型ヒートシンクの実装構造に関す
る。
【0002】
【従来の技術】電子機器等に使用される大規模集積回路
(LSI)は、近年その集積度が加速度的に増加してお
り、これに伴い発熱量もますます増加していく傾向にあ
る。LSIの誤動作を防ぐためには、LSIの周辺温度
を一定温度以下にする必要がある。このため、通常、L
SIに放熱能力に見合ったヒートシンクを接触させて、
LSIから発生した熱を周囲の大気中に放熱させる方法
が採用されている。
【0003】この場合、発熱量が数10W程度ならば、
さほど放熱能力も必要ではないためにヒートシンクも小
型なもので足りるが、放熱能力が100W以上となる
と、大型のヒートシンクが必要となる。さらに、フィン
の放熱能力(フィン効率)を上げて、ヒートシンクの占
有体積を小さくするために、ヒートパイプを内蔵したヒ
ートシンクを使用する等の方法が考えられる。放熱能力
が100W以上のヒートシンクの重量は、数10Wクラ
スのヒートシンクと比べて10倍以上となる。ヒートシ
ンクの重量が増加すると、ヒートシンクをLSIに接触
させる際の荷重が問題となる。
【0004】LSIを高速動作させるためには、LSI
間の配線長を短くすることが望ましい。このため、LS
Iケースを使用しないベアチップとよばれるチップを用
いて、これを半田ボールにより基板に実装する構造が採
用されている。この場合、半田ボールの耐力は通常0.
2kgf/mm程度であり、ベアチップ自身で保持でき
る荷重は小さく、これに直接大型ヒートシンクを接着し
て、保持することは不可能である。しかも、一旦ベアチ
ップにヒートシンクを接着してしまうと、ベアチップを
基板に実装する際に、熱容量が大きすぎて半田ボールが
溶融できないという問題も生じる。したがって、ベアチ
ップを基板に実装した後工程でヒートシンクを取り付け
ることが必要となる。
【0005】図8を参照すると、従来のヒートシンクの
実装構造では、基板にヒートシンクをネジ止めし、両者
の間にチップが挟まれるような構造になっている。すな
わち、ヒートシンクのベース部5からスティ6を伸ば
し、このスティ6を介して基板1にネジ8で固定してい
る。
【0006】また、図9を参照すると、従来の他のヒー
トシンクの実装構造では、LSIに接着された取付板に
ヒートシンクがネジ止めされた構造になっている。すな
わち、取付板12をLSIに接着し、ヒートシンクのベ
ース部分5を取付板12にネジ止めしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図8の従来のヒートシ
ンクの実装構造では、ネジの締め付け荷重が過大とな
り、ベアチップの耐荷重を超えてしまう。また、基板も
ビルドアップ基板のような板厚の薄い基板が主流となっ
ている現在では、基板の強度が弱いためヒートシンクを
保持できないという問題が生じる。さらに、ベアチップ
からの信号配線が集中するチップ周りに貫通穴を開ける
ことは配線収容性に大きな影響を与えるおそれがある。
【0008】また、図9の従来の他のヒートシンクの実
装構造では、ヒートシンクの荷重がベアチップにそのま
ま作用するため、やはりチップの耐荷重を超えてしま
う。また、取付板とLSI間の接着剤の熱抵抗が大き
く、熱的なロスが生じるおそれがある。ここで、ヒート
シンクとチップ間を微小な間隙で保持するようにした場
合でも、その微小な間隙に充填させる放熱性グリース等
に熱抵抗のロスが生じるという問題がある。
【0009】本発明の目的は、上述の課題を解決し、熱
抵抗が小さく、チップの荷重が過大とならないヒートシ
ンクの実装構造を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のヒートシンクの実装構造は、チップを搭載し
た基板と、この基板の周囲に設けられたフランジと、こ
のフランジに取り付けられた支柱と、上記チップの上に
配置されたヒートシンクと、このヒートシンクに接合す
るものであって前記フランジと前記ヒートシンクとの間
に設けられたスティとを含み、前記スティは前記支柱が
嵌合する穴を有する。
【0011】
【0012】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記支柱は、前記フランジの四隅に取り付
けられる。
【0013】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記支柱と前記スティとを固定するための
ネジをさらに含む。
【0014】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記スティと前記ネジとの間に挟まれた弾
性部材をさらに含む。
【0015】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記チップとヒートシンクの間に放熱性グ
リースをさらに含む。
【0016】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造は、チップを搭載した基板と、この基板の周囲に設け
られたフランジと、このフランジに架けられた少なくと
も一つの第1のスティと、この第1のスティに取り付け
られた支柱と、ヒートシンクに接合する第2のスティと
を含み、前記第2のスティは前記支柱が嵌合する穴を有
することを特徴とするヒートシンクの実装構造。
【0017】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記支柱と前記第2のスティとを固定する
ためのネジをさらに含む。
【0018】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記第2のスティと前記ネジとの間に挟ま
れた弾性部材をさらに含む。
【0019】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記チップとヒートシンクの間に放熱性グ
リースをさらに含む。
【0020】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造は、チップを搭載した基板と、この基板の周囲に設け
られたフランジと、このフランジに架けられた少なくと
も一つのスティと、このスティに取り付けられた支柱
と、ベース部に前記支柱が嵌合する穴を有するヒートシ
ンクとを含む。
【0021】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記支柱と前記ヒートシンクとを固定する
ためのネジをさらに含む。
【0022】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記ヒートシンクのベース部と前記ネジと
の間に挟まれた弾性部材をさらに含む。
【0023】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記チップとヒートシンクのベース部との
間に放熱性グリースをさらに含む。
【0024】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記ヒートシンクは、例えば、アルミや銅
のような熱電導率の高い材料により構成される。
【0025】また、本発明の他のヒートシンクの実装構
造において、前記弾性部材には、スプリング状のバネ、
ラバー材を用いたバネ、ゲル材を用いたバネ等を用いる
ことができる。
【0026】
【発明の実施の形態】次に本発明のヒートシンクの実装
構造の実施の形態について図面を参照して詳細に説明す
る。
【0027】図1及び図2を参照すると、本発明の第1
の実施の形態では、ヒートシンクにスティ6を取り付
け、基板1側のフランジ3に設けられた支柱4にスティ
6を取り付けることにより、チップ2とヒートシンクと
を接触させている。
【0028】ヒートシンクは、ベース部5と、ヒートパ
イプ10と、フィン9とから成り、これらは同一の材料
により形成される。この材料としては、例えば、アルミ
や銅のような熱電導率の高いものが望ましい。ベース部
5は、チップ2と接触して、チップ2で生じた熱をヒー
トパイプ10へ伝える。この熱は、フィン9から大気中
へ放熱される。フィン9は、ヒートパイプ10内の冷媒
の凝縮部の役割を有し、ベース部5は蒸発部の役割を有
する。この第1の実施の形態では、フィン9よりも重力
方向(図1の下方向)にベース部5があるため、重力を
使って凝縮して液化したヒートパイプ10内の冷媒をベ
ース部5まで還流させる、いわゆる熱サイフォン式ヒー
トパイプとなっている。
【0029】ヒートシンクのベース部5には、スティ6
が取り付けられる。この場合のスティ6は、ヒートシン
クと同一材料から成り、溶接もしくは接着などの手段に
より接合される。スティ6は、ネジ止めのための穴を有
する。スティ6は、1本でも構わないが、複数本あると
ヒートシンクのベース部5の底面を柔軟に動かしてチッ
プ2と接触させることができる。
【0030】チップ2は、例えば、ベアチップという形
態を採用することができ、この場合はLSIケースを使
用しない状態でそのまま基板1に実装される。基板1
は、例えば、高速転送ができるビルドアップ基板を採用
することができる。チップ2と基板1との間は、例え
ば、半田ボール等により接続される。
【0031】基板1の周囲には、フランジ3が取り付け
られる。フランジ3の材料としては、アルミやステンレ
スなどの金属が用いられる。フランジ3を使用する理由
は、基板1に機械穴を開けないようにするためである。
基板1に機械穴を開けてネジ止めした場合には、チップ
2の近傍周囲における信号配線の収容率に大きな制限を
与えるおそれがある。また、ビルドアップ基板等の板厚
の薄い基板は、ネジ止めするには強度が弱いという問題
もある。本発明では、フランジ3を基板の周囲に設ける
ことで、これらの問題を解消している。フランジ3は、
基板1の反りの矯正も行えるため、基板厚の変化量、反
り量を低減でき、チップ2に与えるダメージを少なくす
ることができる。
【0032】図3(a)を参照すると、フランジ3に
は、所望の位置に支柱4が設けられる。図3(b)を参
照すると、スティ6に設けられた穴に支柱4が通され
る。図3(c)を参照すると、スティ6の上からバネ7
を圧縮するようにネジ8を締める。このため、支柱4に
は、ネジ8が締結されるようにネジ用の溝が設けられて
いる。図3(d)を参照すると、ネジ8を締めることに
よって、スティ6を押しつけ、ヒートシンクをチップ2
に接触させる。支柱4は、最適なバネ力が得られるバネ
しろとなるように予め高さを調整しておく必要がある。
支柱4は、複数本有することが望ましい。後述のよう
に、ヒートシンクのベース部5とチップ2との間の接触
を最適なものに調整できるからである。
【0033】バネ7のバネ定数は、なるべく小さいもの
を選択するのが望ましい。チップ2の高さ寸法の変化が
生じたときにヒートシンクを追随させやすくなるからで
ある。ここで、チップ2の高さ寸法とは、前述の半田ボ
ール等を含んだ高さをいい、チップ2が熱膨張を生じた
ときや、装置に振動が加わった時に変化が生じる場合が
ある。また、チップ2は、それ自身の厚さ寸法もばらつ
きが生じる場合があり、基板に実装する製造工程におい
て高さ方向、傾きともにばらつきが生じる場合がある。
このとき、同じバネ力を得るにしても、バネ定数が小さ
い方が、寸法変化の際の荷重変化が少なくなるため、ヒ
ートシンクが柔軟にチップ2の高さや傾きに追随するこ
とができる。しかも、バネ定数が小さい方が、フランジ
3やステイ6の平面度や平行度といった公差寸法を吸収
しやすくなる。特に、熱サイフォン式ヒートパイプを使
用したヒートシンクは、L字型の形状が採用されること
があり、この場合、各々のバネ力を互いに異なるものと
することによって、チップを中心としたモーメント力を
打ち消すことができるという利点もある。
【0034】ヒートシンクのベース部5は、チップ2と
の間に放熱性グリースを介して接触させてもよい。その
理由は以下のとおりである。チップ2及びベース部5の
表面には、微視的な粗さにより凹凸が生じており、これ
らチップ2とベース部5とを接触させる際には、その隙
間に空気が入るおそれがある。この場合、空気は熱伝導
率が悪いため、その部分に接触熱抵抗が生じるおそれが
ある。このため、放熱性グリース等をその隙間に充填さ
せることによって放熱性を改善させることができる。但
し、放熱性グリースも金属に比べれば熱伝導率は2桁小
さいため、グリースの厚さはなるべく薄くすることが、
熱抵抗を小さくする上で望ましい。このグリース厚さが
最小となる荷重が、本発明での最適なバネ力になる。グ
リースは稠(ちょう)度がある程度大きいもの、すなわ
ち粘度が小さいものを選択することが、厚さを薄くする
上で望ましい。例えば、ちょう度が200から400程
度のものが望ましい。
【0035】熱伝導は物質内の熱移動であるから、熱伝
導率が大きい物質で、かつ厚さ(長手方向寸法)を薄く
できれば熱抵抗は小さくできる。従って、チップとヒー
トシンクとの間の熱抵抗を小さくするには、両者の間に
はなるべく介在物がない方が有利である。つまり、本発
明のようにチップとヒートシンクとの間には放熱性グリ
ースのみが介在する構造が最も熱抵抗を小さくできる。
放熱性グリースは固体同士の接触熱抵抗を低減できるた
め、放熱性グリースがない場合よりも寧ろ熱抵抗を小さ
くできる。放熱性グリースは、シリコーンオイル単体で
使用したり、セラミックスのアルミナや窒化アルミなど
のフィラーを熱伝導の媒体としてシリコーンオイルと混
合させたコンパウンドを使用することができる。放熱性
グリースは、金属等に比べると熱伝導率は2桁小さくな
る。この値は接触抵抗を小さくするために流動性を持た
せる樹脂を材料にしている放熱性グリースの役割上、ど
うしても改善できない特性である。従って、チップから
ヒートシンクまでの熱抵抗は、この放熱性グリースの厚
さをどれだけ小さく抑えられるかに左右される。通常、
チップやヒートシンクの表面の粗さは10μm程度であ
るため、放熱性グリースを20〜30μm程度の厚さと
すれば、最も熱抵抗を小さくすることができる。
【0036】ここで、各寸法のばらつきについて考察す
ると、チップの厚さ方向の寸法ばらつきは20〜40μ
m、基板厚のばらつきは100μm、チップを基板に実
装した際の高さの製造ばらつきも100μm程度生じる
ものと考えられる。これらの寸法ばらつきを吸収しよう
とすると、グリースの厚さは200〜300μm程度に
はなってしまい、熱抵抗のロスは10倍にもなってしま
う。このロスを低減するためには、本発明のように常に
チップの放熱面にヒートシンクが接触するような構造が
有効である。しかも、本発明では、バネ7を使用してい
るため、チップ2や基板1がの寸法が熱膨張により変化
しても、常にチップ2の放熱面にヒートシンクが追随す
ることができる。また、バネ7はバネ定数が小さく、し
かも複数本のスティ6をそれぞれ押し付けるため、チッ
プ2が傾いて実装された場合にも、荷重の変化量を抑え
ながら、チップ2の放熱面に対して点ではなく面により
ヒートシンクのベース部6を接触させることができる。
【0037】次に、本発明のヒートシンクの実装構造の
第2の実施の形態について図面を参照して詳細に説明す
る。
【0038】図4及び図5を参照すると、本発明の第2
の実施の形態では、第1の実施の形態と比較して、ヒー
トシンクのベース部5に取り付けるスティ11の長さを
短くした構成となっている。この場合、バネ7をネジ止
めする支柱4は、フランジ3の上に架けたスティ6の上
に設けられる。スティ6は、ネジ止め等の手段によりフ
ランジ3に取り付けられる。。
【0039】但し、フランジ3の両端間の距離が短い場
合には、第1の実施の形態と同様にフランジ3に直接支
柱4を設ける構成でも構わない。スティ6を設けるの
は、フランジ3の両端間の距離がヒートシンクの幅より
も長い場合に、取付を容易にするためである。
【0040】この第2の実施の形態では、スティ11を
短く構成し、支柱4同士の間を短くすることにより、ス
ティ11の反り量やたわみ量を小さく抑えることができ
る。具体的には、例えば、支柱4同士の間を10mm程
度とする。従って、ヒートシンクを熱伝導率は高いが強
度の弱いアルミ材を選択した場合でも、強度を持たせる
ために板厚を大きくする必要がない。また、基板1の大
きさが異なるものが何種類か存在した場合に、各基板に
合わせた長さのスティを個別にヒートシンクに取り付け
る必要がなく、所定の長さのスティ11を取り付けたヒ
ートシンクを一種類だけ用意すればよい。すなわち、基
板1側のスティ6を交換するだけで済み、ヒートシンク
に汎用性を持たせることができる。
【0041】次に、本発明のヒートシンクの実装構造の
第3の実施の形態について図面を参照して詳細に説明す
る。
【0042】図6及び図7を参照すると、本発明の第3
の実施の形態では、ヒートシンクのベース部5に貫通穴
を設け、第2の実施の形態におけるスティ11を削除し
た構造となっており、その他は第2の実施の形態と同様
の構造となっている。
【0043】第2の実施の形態と第3の実施の形態の何
れを採用するかは、ヒートシンクのベース部5の重力方
向(図4等の下方向)の幅がどれだけ確保できるかに依
存する。支柱4を通すのに十分な幅を確保できるのであ
れば第3の実施の形態を採用する方が簡単な構造で済
む。一方、ベース部5の重力方向の幅が狭いのであれば
図4にいうスティ11を設ける必要がある。
【0044】なお、本発明の実施の形態においては、ヒ
ートパイプを用いたヒートシンクについて説明したが、
ヒートシンクの構造自体は種々のものが適用可能であ
る。また、LSIチップとしてベアチップについて説明
したが、他の種類のLSIチップであってもよい。ま
た、実施の形態の説明においては、スティを2本用いて
いるが、例えば1本であってもよく、逆に3本以上であ
ってもよい。さらに、実施の形態の説明においては、ス
プリング状のバネを用いているが、これに代えてラバー
材を用いたバネやゲル材を用いたバネを採用してもよ
い。
【0045】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よると、チップの高さや傾きのばらつきにヒートシンク
を追随できるため、放熱性グリースの厚さを常に最小に
することができる。これにより、熱抵抗を小さくするこ
とができ、発熱量の大きなチップを冷却することができ
る。
【0046】基板に取り付けたフランジに支柱を設けて
ネジ止めすることによりヒートシンクを支えているた
め、基板に特別な機械加工が不要となる。また、基板の
配線収容性への影響を回避することができる。
【0047】支柱の高さを予め調整することにより所望
のバネ力を実現できるため、基板の板厚等に左右させる
ことなく、ヒートシンクに汎用性が持たせることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のヒートシンクの実装構造の第1の実施
の形態の構成を示す斜視図である。
【図2】本発明のヒートシンクの実装構造の第1の実施
の形態の構成を示す断面図である。
【図3】本発明のヒートシンクの実装構造の実施の形態
におけるバネの締結手順を示す図である。
【図4】本発明のヒートシンクの実装構造の第2の実施
の形態の構成を示す斜視図である。
【図5】本発明のヒートシンクの実装構造の第2の実施
の形態の構成を示す断面図である。
【図6】本発明のヒートシンクの実装構造の第3の実施
の形態の構成を示す斜視図である。
【図7】本発明のヒートシンクの実装構造の第3の実施
の形態の構成を示す断面図である。
【図8】従来のヒートシンクの実装構造の構成を示す斜
視図である。
【図9】従来のヒートシンクの実装構造の構成を示す断
面図である。
【符号の説明】
1 基板 2 チップ 3 フランジ 4 支柱 5 ベース部 6,11 スティ 7 バネ 8 ネジ 9 フィン 10 ヒートパイプ 12 取付板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/34 - 23/473

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チップを搭載した基板と、 この基板の周囲に設けられたフランジと、 このフランジに取り付けられた支柱と、 上記チップの上に配置されたヒートシンクと、 このヒートシンクに接合するものであって前記フランジ
    と前記ヒートシンクとの間に設けられたスティとを含
    み、 前記スティは前記支柱が嵌合する穴を有することを特徴
    とするヒートシンクの実装構造。
  2. 【請求項2】 前記支柱は、前記フランジの四隅に取り
    付けられたことを特徴とする請求項1記載のヒートシン
    クの実装構造。
  3. 【請求項3】 前記支柱と前記スティとを固定するため
    のネジをさらに含むことを特徴とする請求項1記載のヒ
    ートシンクの実装構造。
  4. 【請求項4】 前記スティと前記ネジとの間に挟まれた
    弾性部材をさらに含むことを特徴とする請求項記載の
    ヒートシンクの実装構造。
  5. 【請求項5】 前記チップとヒートシンクの間に放熱性
    グリースをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の
    ヒートシンクの実装構造。
  6. 【請求項6】 チップを搭載した基板と、 この基板の周囲に設けられたフランジと、 このフランジに架けられた少なくとも一つの第1のステ
    ィと、 この第1のスティに取り付けられた支柱と、 ヒートシンクに接合する第2のスティとを含み、 前記第2のスティは前記支柱が嵌合する穴を有すること
    を特徴とするヒートシンクの実装構造。
  7. 【請求項7】 前記支柱と前記第2のスティとを固定す
    るためのネジをさらに含むことを特徴とする請求項
    載のヒートシンクの実装構造。
  8. 【請求項8】 前記第2のスティと前記ネジとの間に挟
    まれた弾性部材をさらに含むことを特徴とする請求項
    記載のヒートシンクの実装構造。
  9. 【請求項9】 前記チップとヒートシンクの間に放熱性
    グリースをさらに含むことを特徴とする請求項記載の
    ヒートシンクの実装構造。
  10. 【請求項10】 チップを搭載した基板と、 この基板の周囲に設けられたフランジと、 このフランジに架けられた少なくとも一つのスティと、 このスティに取り付けられた支柱と、 ベース部に前記支柱が嵌合する穴を有するヒートシンク
    とを含むことを特徴とするヒートシンクの実装構造。
  11. 【請求項11】 前記支柱と前記ヒートシンクとを固定
    するためのネジをさらに含むことを特徴とする請求項
    記載のヒートシンクの実装構造。
  12. 【請求項12】 前記ヒートシンクのベース部と前記ネ
    ジとの間に挟まれた弾性部材をさらに含むことを特徴と
    する請求項11記載のヒートシンクの実装構造。
  13. 【請求項13】 前記チップとヒートシンクのベース部
    との間に放熱性グリースをさらに含むことを特徴とする
    請求項10記載のヒートシンクの実装構造。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4999060B2 (ja) * 2006-10-02 2012-08-15 古河電気工業株式会社 受熱部材取り付け構造体

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031288U (ja) 1996-05-15 1996-11-22 陳富英 洪 コンピュータの中央処理装置と放熱ブロックの一体構造
JP3064402U (ja) 1999-05-31 2000-01-21 科昇科技有限公司 Cpu放熱装置の固定座

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031288U (ja) 1996-05-15 1996-11-22 陳富英 洪 コンピュータの中央処理装置と放熱ブロックの一体構造
JP3064402U (ja) 1999-05-31 2000-01-21 科昇科技有限公司 Cpu放熱装置の固定座

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7242582B2 (en) 2004-04-20 2007-07-10 Denso Corporation Semiconductor module mounting structure, a cardlike semiconductor module, and heat receiving members bonded to the cardlike semiconductor module

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