JP3417259B2 - Substrate dry etching equipment - Google Patents

Substrate dry etching equipment

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JP3417259B2
JP3417259B2 JP18481797A JP18481797A JP3417259B2 JP 3417259 B2 JP3417259 B2 JP 3417259B2 JP 18481797 A JP18481797 A JP 18481797A JP 18481797 A JP18481797 A JP 18481797A JP 3417259 B2 JP3417259 B2 JP 3417259B2
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Japan
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electrode
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dry etching
vacuum chamber
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哲博 岩井
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Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、基板をプラズマに
よりエッチングする基板のドライエッチング装置に関す
るものである。 【0002】 【従来の技術】ガラスなどからなる基板に微細加工を行
う方法としてドライエッチングが用いられている。ドラ
イエッチングは、減圧雰囲気中の電極上に基板を載置
し、電極に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、
この結果発生するイオンや電子を基板に衝突させてエッ
チングを行うものである。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】ところで、ガラスなど
の基板では基板の表裏両面のドライエッチング加工を要
するものがある。このような基板では、一方の面を加工
した後に基板を反転して電極上に再び基板を載置して保
持する際に、加工済の面を電極に接触させないようにす
ることが望ましい。またドライエッチングを行うと基板
の温度は上昇する。殊にガラスなどの絶縁体では半導体
などの他の材質と比較して温度上昇しやすいため、基板
を冷却する必要があり、さらに基板に温度むらが生じる
とエッチング結果にばらつきを生じる原因となるので、
基板を均一に冷却することが求められる。 【0004】そこで本発明は、基板の加工済の面を電極
に接触させることなく、基板を均一に冷却することがで
きる基板のドライエッチング装置を提供することを目的
とする。 【0005】 【課題を解決するための手段】請求項1記載の基板のド
ライエッチング装置は、接地された真空チャンバと、こ
の真空チャンバに絶縁体を介して装着され上面に基板を
載置する電極と、この電極に高周波電圧を印加する高周
波電源部と、前記電極の上面に形成された凹部と、基板
を電極上に固定する固定手段と、前記凹部に連通したガ
ス供給路と、このガス供給路を介して前記凹部に冷却ガ
スを供給する冷却ガス供給部とを備え、前記ガス供給路
が、前記電極に形成された第1の管路と前記絶縁体を貫
通する第2の管路と、第2の管路を前記ガス供給部に接
続する第3の管路より成り、且つ前記第2の管路を螺旋
溝から構成し、前記第2の管路により前記第1の管路と
前記第2の管路の間の局部的な放電を抑制するようにし
た。 【0006】 【発明の実施の形態】上記構成の本発明によれば、電極
に形成された凹部上に基板を載置し、凹部内に冷却ガス
を供給して基板を冷却することにより、基板のドライエ
ッチング加工済面を電極に接触させることなく基板を均
一に冷却することができる。 【0007】次に、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。図1は本発明の一実施の形態の基板のドラ
イエッチング装置の正断面図、図2は同基板のドライエ
ッチング装置の部分斜視図、図3は同基板のドライエッ
チング装置の第2の管路の部分断面図、図4(a),
(b),(c)は同基板のドライエッチング装置の第2
の管路の拡大斜視図、図5、図6は同基板のドライエッ
チング装置の正断面図である。 【0008】まず図1、図2を参照して基板のドライエ
ッチング装置の全体構造を説明する。図1において、1
は真空チャンバであり、円筒形の真空密容器である。真
空チャンバ1の底面には電極2が絶縁体3を介して装着
されている。電極2の上面には深さが数十ミクロン程度
の円形の凹部2aが形成されている。電極2の上面に
は、基板10が縁部を電極2に支持されて載置されてい
る。基板10の中央部は凹部2aによりわずかな隙間を
以て電極2と隔てられている。 【0009】凹部2aは電極2内に設けられた第1の管
路4aと連通しており、第1の管路4aは第2の管路4
bと連通している。第2の管路4bは絶縁体3を貫通し
て挿着された管路部材5に設けられている。第2の管路
4bは真空チャンバ1の外部に設けられた第3の管路4
cを介して冷却ガス供給部8と接続されている。冷却ガ
ス供給部8からヘリウムなどの冷却ガスを、第3の管路
4c、第2の管路4bおよび第1の管路4aを介して凹
部2a内に供給することにより、冷却ガスはドライエッ
チングによって温度が上昇した基板10を冷却し、その
後基板10と電極2の隙間より真空チャンバ11内へ放
散される。 【0010】電極2の内部には空間2bが設けられてお
り、管路6a,6bを介して冷却部7と接続されてい
る。冷却部7から送られる冷却水が、管路6a,6b、
空間2b内を循環することにより、プラズマ放電により
温度が上昇した電極2を冷却する。電極2の上面には3
ヶ所に溝部2cが設けられており(図2参照)、溝部2
cには樹脂材料などの絶縁体よりなる基板の昇降爪11
が嵌入している。昇降爪11はロッド12に結合されて
おり、ロッド12を基板昇降手段13によって上下動す
ることにより、電極2上に載置された基板10を真空チ
ャンバ11内で昇降する。 【0011】図2において、電極2上には導電体である
カーボンよりなる円環状のスペーサ20が配設されてい
る。スペーサ20は3分割されており、溝部2cの部分
を除いて基板10の周囲を囲んで配設されている。従っ
て、スペーサ20は昇降爪11の上下動作を妨げない。
21は導電体であるカーボンよりなる円環状の基板の押
え部材であり、図2に示すように、昇降爪11の位置に
対応して内側への突起部21aが3ヶ所に設けられてい
る。押え部材21は、突起部21aの下面によって基板
10を上方より電極2の上面に押し付ける。図2におい
て鎖線で示す基板10は突起部21aと基板10との位
置関係を示している。 【0012】押え部材21は3個のブロック22を介し
て3基のシリンダ24のロッド23に結合されている。
従ってシリンダ24のロッド23が突没することによ
り、押え部材21は真空チャンバ1内で上下動し、下降
状態で基板10を電極2の上面に押し付けて固定する。
すなわち、押さえ部材21、シリンダ24は基板10の
固定手段となっている。 【0013】図1において、電極2は、高周波電源16
と電気的に接続されており、高周波電源16は真空チャ
ンバ1と共通の接地部17に電気的に接地されている。
真空チャンバ1内の上部には上部電極25が設けられて
おり、上部電極25と電極2との間に高周波電圧が印加
される。真空チャンバ1にはパイプ14,26が設けら
れており、それぞれ真空排気部15、プラズマガス供給
部27に接続されている。真空排気部15は真空チャン
バ1内を真空吸引して減圧する。プラズマガス供給部2
7は真空チャンバ1内にプラズマ発生用のガスを供給す
る。 【0014】次に図3、図4を参照して管路部材5につ
いて説明する。管路部材5は、凹部2aに冷却ガスを供
給する管路のうち、絶縁体3を貫通する第2の管路4b
を形成するものである。ドライエッチング時には電極2
と真空チャンバ1との間には高周波電圧が印加される。
したがって、第1の管路4aと第3の管路4cの間にも
同様に高周波電圧が印加されており、印加された高周波
電圧と管路4a,4c間の間隔が放電の条件に適合して
いる場合には、第1の管路4aと第3の管路4cの間に
放電が発生することがある。そしてこのような局部的な
放電が発生すると、電極2上面での放電が不安定とな
り、エッチング効果のばらつきの原因となる。このた
め、第2の管路4bの部分での放電の発生を抑制する目
的で、放電が発生しにくい形状の第2の管路4bが形成
された管路部材5を、絶縁体3を貫通して装着する。 【0015】一般に、10Torr程度の圧力下におい
てある空間で隔てられた2導体間に発生する放電は、2
導体間を継ぐ空間の長さが長い程、また空間の幅(管形
状の空間の場合では管径)が小さい程発生しにくい。し
たがって、2導体間を継ぐ空間を出来るだけ細長い形状
とすることにより、2導体間の放電を抑制することがで
きる。以下、具体例を説明する。 【0016】図3において、絶縁体3には管路部材5が
装着されている。管路部材5は耐熱性に優れたセラミッ
クなどより成り、第1の管路4aと第3の管路4cを連
通させる。第2の管路4bの部分は、小径(d)の貫通
孔となっている。31は、管路部材5と、電極2、真空
チャンバ1をシールするO−リングである。管径dを、
冷却ガスの必要流量を確保するために必要な最小径に設
定することにより、電極2と真空チャンバ1の間の放電
を抑制することができる。 【0017】また前記形状以外にも、図4の各図に示す
ような形状とすることにより、更に放電を抑制すること
ができる。図4(a)は、管路部材5aに微小径を有す
る複数の貫通孔41を設け、冷却ガスの流量を十分に確
保しながら管径を極力小さくすることにより、放電を抑
制するものである。図4(b)は、管路部材5bを貫通
する開口42を設け、その中に螺旋溝44を有する円筒
部材43を挿入したものである。このような形状とする
ことにより、螺旋溝44の長さを大幅に増大させて放電
を抑制している。 【0018】図4(c)は、管路部材5cとして、焼結
材などの多孔質材料を用いたものである。管路部材5c
には管路は形成されず、冷却ガスは管路部材5cの内部
に存在する無数の微小孔部を介して供給される。このた
め、この場合の電極2と真空チャンバ1を継ぐ空間は、
幅がきわめて小さい微小空間が多数連通したものの集り
と見なすことができ、空間の幅を小さくし、かつ長さを
大きくする効果を併せたものとなることから、放電を抑
制する効果はきわめて大きい。 【0019】このドライエッチング装置は上記のような
構成より成り、次に動作を各図を参照して説明する。図
5において、50は搬送アームであり、基板10を載せ
た状態で真空チャンバ1の開口部1aを介して真空チャ
ンバ1内に進入し(矢印a参照)、次いで下降して(矢
印b参照)上昇状態にある昇降爪11上に基板10(破
線で示す)を載置した後に、真空チャンバ1外に退去す
る(矢印c参照)。この後、昇降爪11は下降して基板
10を電極2上に載置し、次いで基板押え部材21が下
降して基板10を電極2上に押しつけ、図1に示す状態
となる。 【0020】次に真空排気部15を駆動して真空チャン
バ1内を真空排気し、その後にプラズマガス供給部27
より真空チャンバ1内にプラズマ発生用ガスを供給す
る。次いで高周波電源16を駆動して電極2に高周波電
圧を印加すると、電極2と上部電極25との間にプラズ
マが発生し、この結果発生したイオンや電子が基板10
の表面に衝突することによりドライエッチングが行われ
る。このとき、電極2の凹部2aには冷却ガス供給部8
より冷却ガスが供給される。これによりドライエッチン
グによって発生する熱で昇温した基板10は冷却され
る。 【0021】このとき、基板10と電極2との間は数十
ミクロン程度のわずかな隙間であるため、この隙間内に
供給される冷却ガスの圧力分布は凹部2a内の各部分に
ついてほぼ均一となる。この結果、基板10の表面から
冷却ガスに伝達される熱量も基板10の各部でほぼ均一
であり、したがって基板10の各部の温度は均一に保た
れる。 【0022】また絶縁体3には管路部材5が装着されて
おり、十分な流量の冷却ガスを供給するとともに、冷却
用のガス供給路4bでの電極2と真空チャンバ1の間の
局部的な放電を抑制する。従って、凹部2aには常に十
分な冷却ガスが供給されて上述の冷却効果を十分なもの
とするとともに、電極2と上部電極25の間の放電が安
定し、良好なドライエッチングが行われる。 【0023】次に、ドライエッチングが完了したなら
ば、図6に示すように搬入時と逆の動作順で基板10が
搬出される。まず昇降爪11が上昇して基板10(破線
で示す)を上昇させた後(矢印d参照)、搬送アーム5
0が基板10の下方まで進入する(矢印e参照)。次い
で搬送アーム50は上昇して(矢印f参照)基板10を
搬送アーム50上に載置した後に後退して(矢印g参
照)基板10を真空チャンバ1外に搬出し、ドライエッ
チングの1サイクルが終了する。 【0024】本発明は上記実施の形態には限定されない
のであって、例えば基板10は両面加工されるものに限
定されず、また管路部材5の形状も、要は第1の管路4
aと第3の管路4cを連通し、かつ電極2と真空チャン
バ1を隔てる空間の幅を小さくし、間隔を大きくするよ
うなものであれば、他の形状であってもよい。 【0025】 【発明の効果】本発明によれば、電極に形成された凹部
上に基板を載置し、凹部内に冷却ガスを供給して基板を
冷却することにより、基板のドライエッチング加工済の
表面を電極に接触させて損傷させることなく基板を均一
に冷却することができる。また、冷却用ガス供給路の絶
縁体部分に挿入される管路部材を放電が発生しにくい形
状のものとすることにより局部的な放電を抑制し、電極
と上部電極の間の放電を安定させて良好なドライエッチ
ングを行うことができるものであり、殊に第2の管路を
螺旋溝とすることにより、その長さを大巾に増大させて
放電を抑制することができる
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate dry etching apparatus for etching a substrate by plasma. 2. Description of the Related Art Dry etching is used as a method for performing fine processing on a substrate made of glass or the like. In dry etching, a substrate is placed on an electrode in a reduced pressure atmosphere, a high frequency voltage is applied to the electrode to generate plasma,
The etching is performed by causing ions and electrons generated as a result to collide with the substrate. Some substrates such as glass require dry etching on both the front and back surfaces of the substrate. In such a substrate, it is desirable to prevent the processed surface from being brought into contact with the electrode when the substrate is turned over after processing one surface and the substrate is placed and held again on the electrode. When dry etching is performed, the temperature of the substrate rises. In particular, insulators such as glass are more likely to rise in temperature than other materials such as semiconductors, so the substrate must be cooled. ,
It is required to cool the substrate uniformly. Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate dry etching apparatus capable of uniformly cooling a substrate without bringing the processed surface of the substrate into contact with an electrode. According to a first aspect of the present invention, there is provided a dry etching apparatus for a substrate, comprising: a grounded vacuum chamber; and an electrode mounted on the vacuum chamber via an insulator to mount the substrate on the upper surface. A high-frequency power supply for applying a high-frequency voltage to the electrode, a concave portion formed on the upper surface of the electrode, fixing means for fixing the substrate on the electrode, a gas supply passage communicating with the concave portion, A cooling gas supply unit for supplying a cooling gas to the recess through a passage, wherein the gas supply passage is provided with a first conduit formed in the electrode and a second conduit penetrating the insulator. , A third conduit connecting a second conduit to the gas supply, and spiraling the second conduit.
A groove is formed, and a local discharge between the first conduit and the second conduit is suppressed by the second conduit. According to the present invention having the above-described structure, a substrate is placed on a concave portion formed in an electrode, and a cooling gas is supplied into the concave portion to cool the substrate. The substrate can be uniformly cooled without bringing the dry-etched surface of the substrate into contact with the electrode. Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a front sectional view of a substrate dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial perspective view of the substrate dry etching apparatus, and FIG. 3 is a second conduit of the substrate dry etching apparatus. 4 (a), a partial sectional view of FIG.
(B) and (c) show a second example of the dry etching apparatus for the same substrate.
5 and 6 are front sectional views of a dry etching apparatus for the substrate. First, the overall structure of a substrate dry etching apparatus will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, 1
Denotes a vacuum chamber, which is a cylindrical vacuum tight container. An electrode 2 is mounted on the bottom surface of the vacuum chamber 1 via an insulator 3. On the upper surface of the electrode 2, a circular concave portion 2a having a depth of about several tens of microns is formed. On the upper surface of the electrode 2, a substrate 10 is placed with its edge supported by the electrode 2. The central portion of the substrate 10 is separated from the electrode 2 with a slight gap by the concave portion 2a. The recess 2a communicates with a first conduit 4a provided in the electrode 2, and the first conduit 4a is connected to the second conduit 4a.
b. The second conduit 4b is provided on a conduit member 5 inserted through the insulator 3. The second conduit 4b is connected to a third conduit 4 provided outside the vacuum chamber 1.
It is connected to the cooling gas supply unit 8 via c. By supplying a cooling gas such as helium from the cooling gas supply unit 8 into the recess 2a through the third conduit 4c, the second conduit 4b, and the first conduit 4a, the cooling gas is dry-etched. The substrate 10 whose temperature has risen is thereby cooled, and then is diffused into the vacuum chamber 11 through the gap between the substrate 10 and the electrode 2. [0010] A space 2b is provided inside the electrode 2, and is connected to the cooling unit 7 through conduits 6a and 6b. The cooling water sent from the cooling unit 7 is supplied to the pipes 6a, 6b,
By circulating in the space 2b, the electrode 2 whose temperature has increased due to the plasma discharge is cooled. 3 on the upper surface of the electrode 2
The grooves 2c are provided at two locations (see FIG. 2).
c is a lifting claw 11 of a substrate made of an insulator such as a resin material.
Is inserted. The lifting claw 11 is connected to a rod 12, and the substrate 10 placed on the electrode 2 is moved up and down in the vacuum chamber 11 by moving the rod 12 up and down by the substrate lifting means 13. In FIG. 2, an annular spacer 20 made of carbon, which is a conductor, is provided on the electrode 2. The spacer 20 is divided into three parts, and is disposed so as to surround the periphery of the substrate 10 except for the groove 2c. Therefore, the spacer 20 does not hinder the vertical movement of the lifting claw 11.
Reference numeral 21 denotes an annular substrate pressing member made of carbon, which is a conductor. As shown in FIG. 2, three inwardly projecting portions 21 a are provided corresponding to the positions of the lifting claws 11. The pressing member 21 presses the substrate 10 against the upper surface of the electrode 2 from above by the lower surface of the protrusion 21a. In FIG. 2, a substrate 10 indicated by a chain line indicates a positional relationship between the protrusion 21 a and the substrate 10. The holding member 21 is connected to the rods 23 of three cylinders 24 via three blocks 22.
Therefore, when the rod 23 of the cylinder 24 protrudes and retracts, the pressing member 21 moves up and down in the vacuum chamber 1, and presses and fixes the substrate 10 to the upper surface of the electrode 2 in a lowered state.
That is, the pressing member 21 and the cylinder 24 are fixing means of the substrate 10. In FIG. 1, an electrode 2 is connected to a high-frequency power supply 16.
The high-frequency power supply 16 is electrically grounded to a grounding section 17 common to the vacuum chamber 1.
An upper electrode 25 is provided at an upper portion in the vacuum chamber 1, and a high-frequency voltage is applied between the upper electrode 25 and the electrode 2. The vacuum chamber 1 is provided with pipes 14 and 26, which are connected to the vacuum exhaust unit 15 and the plasma gas supply unit 27, respectively. The vacuum exhaust unit 15 depressurizes the inside of the vacuum chamber 1 by vacuum suction. Plasma gas supply unit 2
7 supplies a gas for plasma generation into the vacuum chamber 1. Next, the conduit member 5 will be described with reference to FIGS. The pipe member 5 is a second pipe 4b that penetrates through the insulator 3 among the pipes that supply the cooling gas to the recess 2a.
Is formed. Electrode 2 during dry etching
A high frequency voltage is applied between the vacuum chamber 1 and the vacuum chamber 1.
Therefore, a high-frequency voltage is similarly applied between the first conduit 4a and the third conduit 4c, and the interval between the applied high-frequency voltage and the conduits 4a and 4c conforms to discharge conditions. In such a case, discharge may occur between the first conduit 4a and the third conduit 4c. When such a local discharge occurs, the discharge on the upper surface of the electrode 2 becomes unstable and causes a variation in the etching effect. For this reason, in order to suppress the generation of electric discharge in the portion of the second conduit 4b, the conduit member 5 in which the second conduit 4b having a shape in which the electric discharge is hardly generated is penetrated through the insulator 3. And attach it. Generally, a discharge generated between two conductors separated by a certain space under a pressure of about 10 Torr is 2 discharges.
It is less likely to occur as the length of the space connecting the conductors is longer and the width of the space (in the case of a tube-shaped space, the tube diameter) is smaller. Therefore, the discharge between the two conductors can be suppressed by making the space connecting the two conductors as long as possible. Hereinafter, a specific example will be described. In FIG. 3, a conduit member 5 is mounted on the insulator 3. The pipe member 5 is made of ceramic or the like having excellent heat resistance, and connects the first pipe 4a and the third pipe 4c. The portion of the second conduit 4b is a small diameter (d) through hole. Reference numeral 31 denotes an O-ring that seals the pipe member 5, the electrode 2, and the vacuum chamber 1. Pipe diameter d,
By setting the minimum diameter required to secure the required flow rate of the cooling gas, discharge between the electrode 2 and the vacuum chamber 1 can be suppressed. In addition to the shapes described above, the discharge can be further suppressed by adopting a shape as shown in each of FIGS. FIG. 4A shows a case in which a plurality of through-holes 41 having a small diameter are provided in the pipe member 5a, and the discharge is suppressed by minimizing the pipe diameter while ensuring a sufficient flow rate of the cooling gas. . FIG. 4B shows an example in which an opening 42 penetrating through the pipe member 5b is provided, and a cylindrical member 43 having a spiral groove 44 is inserted therein. With such a shape, the length of the spiral groove 44 is greatly increased to suppress discharge. FIG. 4C shows a case where a porous material such as a sintered material is used as the pipe member 5c. Pipe line member 5c
Is not formed, and the cooling gas is supplied through the myriad of minute holes existing inside the pipe member 5c. Therefore, the space connecting the electrode 2 and the vacuum chamber 1 in this case is
It can be regarded as a collection of a large number of very small minute spaces communicating with each other, and the effect of reducing the width of the space and increasing the length thereof is combined with the effect of suppressing discharge. This dry etching apparatus has the above-described configuration, and the operation will be described next with reference to the drawings. In FIG. 5, reference numeral 50 denotes a transfer arm, which enters the vacuum chamber 1 through the opening 1a of the vacuum chamber 1 with the substrate 10 placed thereon (see arrow a), and then descends (see arrow b). After the substrate 10 (shown by a broken line) is placed on the elevating claw 11 in the ascending state, the substrate 10 moves out of the vacuum chamber 1 (see arrow c). Thereafter, the raising / lowering claw 11 descends to place the substrate 10 on the electrode 2, and then the substrate pressing member 21 descends to press the substrate 10 onto the electrode 2, resulting in the state shown in FIG. Next, the vacuum exhaust unit 15 is driven to evacuate the vacuum chamber 1, and then the plasma gas supply unit 27 is evacuated.
A gas for plasma generation is supplied into the vacuum chamber 1. Next, when the high-frequency power supply 16 is driven to apply a high-frequency voltage to the electrode 2, plasma is generated between the electrode 2 and the upper electrode 25, and the resulting ions and electrons are transferred to the substrate 10.
Dry etching is performed by colliding with the surface of the substrate. At this time, the cooling gas supply unit 8 is provided in the recess 2a of the electrode 2.
More cooling gas is supplied. Thereby, the substrate 10 heated by the heat generated by the dry etching is cooled. At this time, since the gap between the substrate 10 and the electrode 2 is a small gap of about several tens of microns, the pressure distribution of the cooling gas supplied in this gap is substantially uniform for each portion in the recess 2a. Become. As a result, the amount of heat transferred from the surface of the substrate 10 to the cooling gas is also substantially uniform in each portion of the substrate 10, and the temperature of each portion of the substrate 10 is kept uniform. A pipe member 5 is mounted on the insulator 3 to supply a sufficient flow of cooling gas, and a local gas between the electrode 2 and the vacuum chamber 1 in a cooling gas supply path 4b. Suppress excessive discharge. Therefore, a sufficient cooling gas is always supplied to the concave portion 2a to make the above-mentioned cooling effect sufficient, and the discharge between the electrode 2 and the upper electrode 25 is stabilized, so that good dry etching is performed. Next, when the dry etching is completed, as shown in FIG. 6, the substrate 10 is unloaded in the reverse order of the loading operation. First, after the lifting claw 11 is lifted to lift the substrate 10 (indicated by a broken line) (see arrow d), the transfer arm 5
0 enters below the substrate 10 (see arrow e). Next, the transfer arm 50 moves up (see arrow f), and after retreating (see arrow g) after placing the substrate 10 on the transfer arm 50, the substrate 10 is carried out of the vacuum chamber 1 and one cycle of dry etching is performed. finish. The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the substrate 10 is not limited to the one on which both sides are processed, and the shape of the pipe member 5 is, in short, the first pipe 4.
The other shape may be used as long as it allows the space between the electrode a and the third conduit 4c to communicate, and also reduces the width of the space separating the electrode 2 and the vacuum chamber 1 and increases the space therebetween. According to the present invention, the substrate is placed on the concave portion formed in the electrode, and the substrate is cooled by supplying a cooling gas into the concave portion, thereby completing the dry etching of the substrate. The substrate can be cooled uniformly without bringing the surface of the substrate into contact with the electrode and causing damage. In addition, the pipe member inserted into the insulator portion of the cooling gas supply path has a shape that does not easily generate discharge, thereby suppressing local discharge and stabilizing discharge between the electrode and the upper electrode. Te are those which can perform good dry etching, in particular the second conduit
By using a spiral groove, the length can be greatly increased
Discharge can be suppressed .

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の正断面図 【図2】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の部分斜視図 【図3】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の第2の管路の部分断面図 【図4】(a)本発明の一実施の形態の基板のドライエ
ッチング装置の第2の管路の拡大斜視図 (b)本発明の一実施の形態の基板のドライエッチング
装置の第2の管路の拡大斜視図 (c)本発明の一実施の形態の基板のドライエッチング
装置の第2の管路の拡大斜視図 【図5】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の正断面図 【図6】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の正断面図 【符号の説明】 1 真空チャンバ 2 電極 2a 凹部 3 絶縁体 4a 第1の管路 4b 第2の管路 4c 第3の管路 5 管路部材 7 冷却部 8 冷却ガス供給部 10 基板 21 押え部材 24 シリンダ 25 上部電極
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a front sectional view of a substrate dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partial perspective view of a substrate dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a second conduit of a substrate dry etching apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 4 (a) is a second sectional view of a substrate dry etching apparatus according to one embodiment of the present invention. (B) Enlarged perspective view of a second conduit of the substrate dry etching apparatus of one embodiment of the present invention (c) Second perspective view of the substrate dry etching apparatus of one embodiment of the present invention FIG. 5 is a front sectional view of a substrate dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a front sectional view of a substrate dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. [Explanation of Signs] 1 vacuum chamber 2 electrode 2a recess 3 insulator 4a First conduit 4b Second conduit 4c Third conduit 5 Pipe member 7 Cooling unit 8 Cooling gas supply unit 10 Substrate 21 Holding member 24 Cylinder 25 Upper electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/3065 C23F 4/00 H01L 21/68 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/3065 C23F 4/00 H01L 21/68

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】接地された真空チャンバと、この真空チャ
ンバに絶縁体を介して装着され上面に基板を載置する電
極と、この電極に高周波電圧を印加する高周波電源部
と、前記電極の上面に形成され、電極上に載置された基
板によって上方が閉塞される凹部と、基板を電極上に固
定する固定手段と、前記凹部に連通したガス供給路と、
このガス供給路を介して前記凹部に冷却ガスを供給する
冷却ガス供給部とを備え、前記ガス供給路が、前記電極
に形成された第1の管路と前記絶縁体を貫通する第2の
管路と、第2の管路を前記ガス供給部に接続する第3の
管路より成り、且つ前記第2の管路を螺旋溝から構成
し、前記第2の管路により前記第1の管路と前記第2の
管路の間の局部的な放電を抑制することを特徴とする基
板のドライエッチング装置。
(57) Claims 1. A grounded vacuum chamber, an electrode mounted on the vacuum chamber via an insulator, and mounting a substrate on an upper surface, and applying a high-frequency voltage to the electrode. A high-frequency power supply unit, a concave portion formed on the upper surface of the electrode and closed at the top by a substrate placed on the electrode, a fixing unit for fixing the substrate on the electrode, and a gas supply path communicating with the concave portion. ,
A cooling gas supply unit configured to supply a cooling gas to the recess through the gas supply path, wherein the gas supply path penetrates a first pipe formed in the electrode and the insulator. A pipe, and a third pipe connecting the second pipe to the gas supply unit, and the second pipe is formed by a spiral groove.
And, a dry etching apparatus of the substrate, characterized in that to suppress local discharge between said second conduit and said first conduit by said second conduit.
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