JP3402035B2 - How to modify the resistance value of a chip resistor - Google Patents

How to modify the resistance value of a chip resistor

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JP3402035B2
JP3402035B2 JP33860295A JP33860295A JP3402035B2 JP 3402035 B2 JP3402035 B2 JP 3402035B2 JP 33860295 A JP33860295 A JP 33860295A JP 33860295 A JP33860295 A JP 33860295A JP 3402035 B2 JP3402035 B2 JP 3402035B2
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resistor
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distance
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に使用
されるチップ抵抗器を定められた抵抗値に高速かつ高精
度で修正するチップ抵抗器の抵抗値修正方法に関するも
のである。 【0002】 【従来の技術】近年、各種電子機器の高精度化に伴い、
内部に実装されるチップ抵抗器も高精度のものが要求さ
れており、したがってチップ抵抗器の抵抗値修正方法も
より高精度なものが要求されている。 【0003】以下に従来のチップ抵抗器の抵抗値修正方
法について図面を用いて説明する。図8は従来のチップ
抵抗器の抵抗値修正におけるトリミング修正制御部のブ
ロック図であり、図8において、1は複数の抵抗体と電
極が上面に形成されているセラミック基板であり通常数
千個の抵抗体が設けられている。2は反射鏡であり、レ
ーザー光17をセラミック基板1の抵抗体に照射するた
めのものである。3はレンズであり、レーザー光17の
焦点をセラミック基板1の上の抵抗体に合わせるための
ものである。4および5はX軸およびY軸ガルバノメー
タであり、これらによりレーザー光17をセラミック基
板1上の任意の抵抗体位置に移動させることができる。
6はレーザー制御ユニットであり、レーザー光17の発
振動作を制御するものであり、以上の反射鏡2からレー
ザー制御ユニット6でレーザー装置7を構成している。 【0004】13は抵抗体の抵抗値測定回路であり、セ
ラミック基板1上の任意の抵抗体の抵抗値を測定するこ
とができる。12は抵抗値測定回路13の回路を利用し
て、抵抗値を修正する前の初期抵抗値を測定する初期抵
抗値測定手段である。10は抵抗値修正のための抵抗体
のトリミング修正方向変更の1つの抵抗体のターンポイ
ント決定手段であり、初期抵抗値測定手段12により測
定した初期抵抗値を用いて、修正方向変更のターンポイ
ントと判断する抵抗値(以下、ターンポイント抵抗値と
いう)を決定する。11は現在の抵抗値とターンポイン
ト抵抗値および、最終抵抗値との抵抗値比較手段であ
り、現在の抵抗値とターンポイント抵抗値とを比較し、
一致したならば、レーザー光17の進行すなわち修正方
向を変更する動作をする。 【0005】また、現在の抵抗値と最終目標抵抗値を比
較し、一致したならばレーザー光17を停止し、X軸ガ
ルバノメータ4およびY軸ガルバノメータ5の動作を停
止する。15はガルバノ位置制御手段であり、X軸ガル
バノメータ4、Y軸ガルバノメータ5を制御し、レーザ
ー光17をセラミック基板1上の任意の抵抗体位置に照
射することができる。ここでいうX軸、Y軸とは、図2
に示す抵抗体トリミング修正動作平面図において修正開
始点29からターンポイント24へ向かう座標をX軸と
し、ターンポイント24から90度方向を変更し修正終
了点25へ向かう座標をY軸とする。 【0006】以上のように構成された抵抗体の抵抗値修
正のためのトリミング修正制御部における、チップ抵抗
器の抵抗体の抵抗値修正方法について説明する。まず、
セラミック基板1上には図2に示すような抵抗体21と
電極22で成るチップ抵抗器が複数あり、その1つを抵
抗値測定回路13を用い、初期抵抗値測定手段12で測
定する。この抵抗値を規定値に修正する前の抵抗値であ
る初期抵抗値R0と、抵抗値を修正し最終的に得たい規
定値の抵抗値である最終目標抵抗値Rmから、(数1)
のようにターンポイント抵抗値Rtを算出する。 【0007】 【数1】 【0008】このとき、K1,K2はターンポイント抵
抗値を計算するときに用いられる係数(以下、K1およ
びK2をターンポイント計算係数という)である。ター
ンポイント計算係数K1,K2は、生産に先立ち各種条
件により設定されている値である。このターンポイント
抵抗値Rtと最終目標抵抗値Rmを、現在の抵抗値とタ
ーンポイントおよび最終目標抵抗値との抵抗値比較手段
11に設定し、1つの抵抗体のトリミング修正すなわち
抵抗値の修正を開始する。抵抗体をレーザー光17で切
削し抵抗値がターンポイント抵抗値Rtに達したときに
は、ガルバノ位置制御手段15とレーザー出力制御手段
16により、レーザー光17の軌跡を90度方向を変更
させL字形に屈曲させる。このとき、抵抗体上でレーザ
ー光17の軌跡は、図2のターンポイント24に達して
いる。そして抵抗値が最終目標抵抗値Rmに達したとき
には、レーザー光17の照射とX軸およびY軸ガルバノ
メータ4および5の動作を停止させる。このとき、抵抗
体上でレーザー光17の軌跡は、図2の修正終了点25
に達している。 【0009】前記の1つの抵抗体の修正方法と同様によ
り、セラミック基板1上の残りの抵抗体を全てトリミン
グ修正した後に次のセラミック基板1に交換する。この
1連の動作を1ロット分繰り返すという方法により、セ
ラミック基板1上のチップ抵抗器の抵抗値修正を行って
いる。 【0010】しかしながら、前記の従来の方法では、タ
ーンポイント抵抗値Rtを(数1)の関係式を用いて算
出するとき、ターンポイント計算係数K1およびK2は
1ロット内では固定された値を使用しており、抵抗体の
材質や印刷焼成条件などが一定である同一ロット内の抵
抗体に関しては、図2に示す2次修正距離YLは一定の
長さで修正することができるが、修正を加える前の初期
抵抗値の違いや、レーザー光17の照射開始位置のず
れ、抵抗体の大きさなどの、ロットが変わることなどに
よる条件の変化により、2次修正距離YLが大きく異な
るという現象が発生する。 【0011】一般に、チップ抵抗器のレーザー光17に
よる抵抗値修正(以下、レーザートリミング修正とい
う)において、レーザー光17による切削の長さ(以
下、切り込み量という)と抵抗値の特性は図5に示す切
り込み量−抵抗値変化特性曲線に示された特性を持って
いる。図5の横軸は図2の抵抗体幅Wを100%とした
ときの切り込み量であり、縦軸は修正前の初期抵抗値R
0を1.0としたときの抵抗値の倍数である。71の曲
線はL字に屈曲させない修正方向を変更しない場合の特
性を示し、72,73の曲線はそれぞれ1次修正距離X
Lが抵抗体幅Wの60%と50%の位置をターンポイン
ト24にした場合の2次修正距離YLと抵抗値の特性を
示しており、したがって曲線71、曲線72、曲線73
の近似式はそれぞれ(数2)、(数3)、(数4)とな
る。ここでRは図5の縦軸の抵抗値であり、Lは図5の
横軸の切り込み量である。 【0012】 【数2】【0013】 【数3】 【0014】 【数4】 【0015】この図5の特性曲線から、2次修正距離Y
Lが短いほど、単位切り込み量当たりの抵抗値変化率で
ある(数5)は大きいことが分かる。ここでdrは抵抗
値の微少変化でありd1は切り込み量の微少変化を表わ
す。 【0016】 【数5】 【0017】抵抗値を初期抵抗値R0の1.8倍にした
ときの、曲線72、曲線73での(数5)の値はそれぞ
れ1.44、0.73であり、曲線72の方が数値が大
きく曲線の傾きが大きいことがわかる。このことから、
2次修正距離YLが短いほど1パルスのレーザー光に対
する抵抗値の変化量が大きく、レーザートリミング修正
後の抵抗値のばらつきが大きくなることがわかる。また
図2の修正終了点25にはマイクロクラックが発生する
が、このマイクロクラックによる抵抗値の変化も、前
記、1パルスのレーザー光に対する抵抗値の変化量と同
様に、曲線72の方が大きいことがわかる。 【0018】さらに、図6の特性曲線図における曲線7
4は図5の曲線73を1次微分した特性を示している。
また図2において抵抗体21は、ほぼ正方形であるので
修正開始点29は電極22から抵抗体幅Wの20%付近
の位置であるため2次修正距離YLが抵抗体幅Wの30
%の位置がY軸方向の抵抗体中心でありこの位置は図6
の切り込み量80%に相当する。これらのことから、2
次修正距離YLが抵抗体の中心点を過ぎる切り込み量8
0%の点から、(数5)に示す単位切り込み量当たりの
抵抗値変化率の値は非常に小さくなり、抵抗値の変化率
も小さくなっていることがわかる。つまり、2次修正距
離YLは抵抗体の中心を過ぎる程度の長さが必要である
ことがわかる。 【0019】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の抵抗値修正方法では、ターンポイント抵抗値Rtを決
定するときに用いるターンポイント計算用係数K1,K
2は1ロット内では固定の定数であるため、1ロット内
での個々の抵抗体の初期抵抗値R0の小幅なばらつきに
対しては、2次修正距離YLを平均化することができる
が、抵抗体の材質や印刷焼成条件などによるロット間で
の大幅な初期抵抗値R0の違いに対しては、2次修正距
離YLの調整範囲を超えてしまう。 【0020】また、レーザー光17が抵抗体のどこをト
リミング修正するかにより、抵抗値の変化のしかたは変
わるため、同じ最終目標抵抗値Rmの製品をトリミング
修正する場合であったとしても、ロットが異なれば2次
修正距離YLが短すぎたり、長すぎたりし、抵抗値のば
らつきが大きくなるロットが発生し、高精度を要求され
る製品の歩留りが悪いという問題点を有していた。 【0021】本発明は、前記従来の問題点を解決するも
ので、ロットの違いによる条件のばらつきが大きい場合
にも、トリミング修正後の抵抗値のばらつきを小さくす
ることができる高精度なチップ抵抗器の抵抗値修正方法
を提供することを目的とする。 【0022】 【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明のチップ抵抗器の抵抗値修正方法は、2次修正
距離を測定する距離計測手段と、前記距離計測手段にお
いて測定された複数抵抗器の2次修正距離の平均距離を
求める平均距離算出手段と、前記平均距離からL字に修
正方向が変更するターンポイントを変更するターンポイ
ント決定手段から成る構成の方法としたものである。 【0023】これにより1ロット毎の生産中に2次修正
距離を測定し、その長さを設定された一定の長さに自動
で修正し合わせることにより、高精度に抵抗値を修正す
ることができる。 【0024】 【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、抵抗値を修正するために抵抗体をL字形にトリミン
グ修正する際に、L字形の角点の修正方向変更のターン
ポイントから修正終了点までの距離である2次修正距離
を測定し、この測定された複数の抵抗器の平均2次修正
距離を順次求め、これにより得られた平均距離から次に
修正する抵抗体のターンポイントを変更するようにした
ものであり、フィードバック制御が可能で修正距離を平
均化してばらつきを吸収することができるという作用を
有する。 【0025】以下、本発明の一実施の形態について図1
から図7を参照しながら説明する。なお、図1に示す本
発明の実施の形態のブロック図は、基本的には従来例の
図8のブロック図と同じ構成であるので、同一構成部品
あるいは要素には同一番号あるいは記号を付与して詳細
な説明は省略する。 【0026】図1は同実施の形態におけるチップ抵抗器
の抵抗値修正方法を示すブロック図であり、図1におい
て、15はガルバノ位置制御手段でX軸およびY軸ガル
バノメータ4および5を任意の方向に動かすためのコン
トローラであり、X軸およびY軸ガルバノメータ4およ
び5の現在位置データを保持している。 【0027】11は抵抗値比較手段で、現在の抵抗値と
ターンポイント抵抗値Rt、または、現在の抵抗値と最
終目標抵抗値Rmを比較し、一致していれば一致信号を
出力する。14は距離計測手段で、ガルバノ位置制御手
段15が保持しているX軸およびY軸ガルバノメータ4
および5の現在位置データから2次修正距離YLを測定
する。8は平均距離算出手段で、距離計測手段14で測
定した複数の抵抗体の2次修正距離YLを蓄積しその平
均値を算出する。9は1つの抵抗体のターンポイント計
算用係数決定手段であり、ターンポイント計算用係数K
1,K2を算出する。そして平均距離算出手段8、ター
ンポイント計算用係数決定手段9、1つの抵抗体のター
ンポイント決定手段10、初期抵抗値測定手段12、距
離計測手段14は予め定めた制御プログラムに従ってソ
フトウェアの処理を実行するマイクロコンピュータ(図
示せず)により実施される。また1はセラミック基板、
2は反射鏡、3はレンズ、6はレーザー制御ユニット、
7はレーザー装置、17はレーザー光であり、前記従来
例と同じものである。 【0028】以上のような構成におけるチップ抵抗器の
抵抗値修正の方法を、図3、図4の本一実施の形態の動
作説明のためのフローチャートおよび、図1、図2と図
5、図6、図7の特性曲線図とともに説明する。 【0029】生産に先立ち、複数の抵抗体21と電極2
2が印刷焼成により形成されたセラミック基板1が複数
枚用意されており、このセラミック基板1を1枚ごとに
トリミング修正機(図示せず)にセットし1つの抵抗体
ごとに抵抗値を修正していく。 【0030】図3に示す動作フローチャートのステップ
31でまず最初にセラミック基板1上の抵抗体の修正前
の初期抵抗値R0を、抵抗値測定回路13により測定す
る。この初期抵抗値R0と最終的に必要な規定値の最終
目標抵抗値Rmと生産に先立って設定してあるターンポ
イント計算用係数K1,K2により、ターンポイント抵
抗値Rtを次のステップ32で算出する。このターンポ
イント抵抗値Rtと最終目標抵抗値Rmを抵抗値比較手
段11に設定する。 【0031】ステップ33で抵抗値比較手段11でトリ
ミング修正される抵抗体の抵抗値とターンポイント抵抗
値Rtを比較しながら抵抗体にレーザー光17を照射し
ながら移動して行く。抵抗体の抵抗値がターンポイント
24に達すると、抵抗値比較手段11はガルバノ位置制
御手段15とレーザー出力制御手段16に対し、ターン
ポイント抵抗値Rtに達したことを通知しレーザー光1
7の進行方向を変更してL字形に屈曲させる。さらにレ
ーザー光17を照射しながら移動し、抵抗値が最終目標
抵抗値Rmに達すると、抵抗値比較手段11はガルバノ
位置制御手段15とレーザー出力制御手段16に対し、
最終目標抵抗値Rmに達したことを通知してレーザー光
17の照射と移動を停止させるための、X軸およびY軸
ガルバノメータ4および5の動作を停止する。 【0032】次のステップ35では、ステップ34で前
記の修正した抵抗体の抵抗値が規定値の良品範囲にある
か否かを判定確認し、不良品であればNOのステップ3
9に進み、その抵抗体の2次修正距離YLはフィードバ
ックされず、ステップ35で良品であればYESのステ
ップ36に進む。ステップ36では、距離計測手段14
によりステップ34でトリミング修正した抵抗体のター
ンポイント24のY座標、つまりトリミングの開始位置
のY座標の値と修正終了点25のY座標の値から、2次
修正距離YLを計測しステップ37に進む。ステップ3
7ではステップ36で測定した2次修正距離YLを蓄積
する。その後、ステップ38で良品チップ抵抗器のチッ
プ数Cをカウントし、ステップ39に進む。 【0033】ステップ39では、現在トリミング修正し
ているセラミック基板1上にある全ての抵抗体の修正が
終了しているか否かを確認する。終了している場合はス
テップ40に進み、終了していない場合はステップ31
にもどり、次の別の抵抗体のトリミング修正を行い、現
在トリミング修正しているセラミック基板1上にある全
ての抵抗体の修正が終了するまで、ステップ31からス
テップ39の動作を繰り返す。そしてステップ40に進
むとトリミング修正を終了したセラミック基板1の枚数
を1枚分増加させる。ステップ41ではロット終了条件
を確認し、条件が成立していれば1ロットの生産終了動
作であるステップ46に進む。一方ステップ41でロッ
ト終了条件が成立していなければステップ42に進む。
2次修正距離YLはセラミック基板1を規定枚数のN枚
生産する都度に評価し、ターンポイント計算用係数K
1,K2を設定しなおす。 【0034】なお2次修正距離YLを評価しなおす基板
の規定枚数Nは生産に先立ち設定しておくものである。
ステップ42ではステップ40でカウントした基板枚数
がNに達しているか否かを確認し、達している場合には
ステップ43に進み、達していない場合にはステップ3
1に戻り別の新しいセラミック基板1のトリミング修正
を行う。ステップ42で基板枚数がNに達している場合
には、ステップ43に進み、2次修正距離YLの平均値
Lを各抵抗体の2次修正距離YLとチップ抵抗器のチッ
プ数Cと(数6)を用いて算出する。 【0035】 【数6】 【0036】ステップ44ではステップ40でカウント
する基板枚数Nを0に設定しなおしステップ45に進
む。ステップ43で求めた2次修正距離YLの平均値L
を、生産に先立ち設定しているデータテーブルである例
えば(表1)の2次修正距離YLと比較し、ターンポイ
ント計算用係数K1,K2を演算してもとめ、これ以降
はこのターンポイント計算用係数K1,K2によりター
ンポイント抵抗値Rtを算出するものとし、ステップ3
1にもどり新たなセラミック基板1の抵抗体のトリミン
グ修正動作を行うのである。 【0037】 【表1】 【0038】次に図4は図3におけるステップ45の詳
細な動作説明のフローチャートであり、2次修正距離Y
Lの平均値Lと(表1)との比較から、ターンポイント
計算用係数K1,K2を決定する動作を示している。す
なわちステップ51は2次修正距離YLの平均値Lと
(表1)のランク1に示す2次修正距離YLの基準値を
比較し、平均値Lの方が小さい場合、ステップ57に進
み、(表1)のランク1のK1,K2を生産に使用する
ようにターンポイント計算用係数K1,K2を新しく設
定する。ステップ52からステップ56は2次修正距離
YLの平均値Lと(表1)のランク2,3,4,5,6
とを比較し、条件が成立しているか否かを判定する。 【0039】条件が成立する場合、ステップ52からス
テップ56のそれぞれは、ステップ58からステップ6
2に進みそれぞれのターンポイント計算用係数K1,K
2を新しく設定し動作を終了する。ステップ56で条件
が成立しなかった場合は、ステップ63に進み、ランク
7のターンポイント計算用係数K1,K2を新しいター
ンポイント計算用係数K1,K2に設定する。ターンポ
イント計算用係数K1,K2を変更することで、初期抵
抗値R0に対するターンポイント抵抗値Rtの特性は、
図7の初期抵抗値−ターンポイント特性曲線図に示すよ
うに変化させることができる。なお曲線81から87は
(表1)のランク1から7に対応している。 【0040】本実施の形態によるトリミング修正後の抵
抗値のばらつきと従来の抵抗値修正方法による抵抗値の
ばらつきを(表2)に比較して示している。 【0041】 【表2】 【0042】この(表2)から明らかなように、本実施
の形態によるチップ抵抗器の抵抗値修正方法は、トリミ
ング修正後の抵抗値のばらつきを小さくするという点で
優れた効果が得られる。 【0043】以上のように本実施の形態によれば、距離
計測手段、平均距離算出手段、ターンポイント決定手段
をマイクロコンピュータなどによる処理とするように設
定することにより、1ロット内での2次修正距離YLを
一定の距離に平均化することができ、従来のシステム構
成に設備機械などのハードウェアを追加することなし
に、高精度のトリミング修正が可能となる。また、ター
ンポイント計算係数K1,K2の算出をデータテーブル
を用いることで高速にターンポイント係数K1,K2を
算出することができる。 【0044】なお、本実施の形態において、ターンポイ
ント計算用係数決定手段9の実施方法をデータテーブル
との比較により実現しているが、これを専用の関数によ
る計算による方法としてもよい。 【0045】また、1つの抵抗体のターンポイント決定
手段10は(数1)による計算としているが、計算式が
(数1)と同一のものに限定されなくてもよい。 【0046】さらに、計算によらずデータテーブル参照
により決定してもよい。また、平均距離算出手段8、1
つの抵抗体のターンポイント計算用係数決定手段9、1
つの抵抗体のターンポイント決定手段10、初期抵抗値
測定手段12、距離計測手段14はソフトウェアで実施
するとしたが、これらをハードウェアで実施してもよ
く、さらにレーザートリミング修正手段をサンドブラス
ト方法としてもよいことは言うまでもない。 【0047】 【発明の効果】以上のように本発明は、距離計測手段、
平均距離算出手段、ターンポイント決定手段を設けるこ
とにより、2次修正距離を自動で平均化することができ
抵抗体を高精度に修正することができる優れたチップ抵
抗器の抵抗値修正方法を実現できるという有利な効果が
得られる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resistance value of a chip resistor for correcting a chip resistor used for various electronic devices to a predetermined resistance value at high speed and with high accuracy. It relates to the correction method. 2. Description of the Related Art In recent years, with the increasing precision of various electronic devices,
A chip resistor mounted inside is also required to have high accuracy, and therefore, a method of correcting the resistance value of the chip resistor is also required to have higher accuracy. A conventional method of correcting the resistance value of a chip resistor will be described below with reference to the drawings. FIG. 8 is a block diagram of a trimming correction control unit for correcting a resistance value of a conventional chip resistor. In FIG. 8, reference numeral 1 denotes a ceramic substrate having a plurality of resistors and electrodes formed on an upper surface thereof. Are provided. Reference numeral 2 denotes a reflecting mirror for irradiating a laser beam 17 to the resistor of the ceramic substrate 1. Reference numeral 3 denotes a lens for adjusting the focus of the laser beam 17 to the resistor on the ceramic substrate 1. Reference numerals 4 and 5 denote X-axis and Y-axis galvanometers, which can move the laser beam 17 to an arbitrary resistor position on the ceramic substrate 1.
Reference numeral 6 denotes a laser control unit for controlling the oscillation operation of the laser light 17, and the laser device 7 is constituted by the above-mentioned reflecting mirror 2 and the laser control unit 6. [0004] Reference numeral 13 denotes a resistance value measuring circuit for measuring the resistance value of an arbitrary resistor on the ceramic substrate 1. Reference numeral 12 denotes an initial resistance value measuring unit that measures the initial resistance value before correcting the resistance value by using the circuit of the resistance value measurement circuit 13. Reference numeral 10 denotes a turn point determining means of one resistor for changing the trimming correction direction of the resistor for correcting the resistance value, and using the initial resistance value measured by the initial resistance value measuring means 12 to change the turning point of the correction direction. (Hereinafter referred to as a turn point resistance value). 11 is a resistance value comparing means for comparing the current resistance value with the turn point resistance value and the final resistance value, and compares the current resistance value with the turn point resistance value.
If they match, the operation of changing the progress of the laser beam 17, that is, the correction direction is performed. The current resistance value and the final target resistance value are compared, and if they match, the laser beam 17 is stopped, and the operations of the X-axis galvanometer 4 and the Y-axis galvanometer 5 are stopped. Numeral 15 denotes a galvanometer position control means, which controls the X-axis galvanometer 4 and the Y-axis galvanometer 5, and can irradiate the laser beam 17 to an arbitrary resistor position on the ceramic substrate 1. The X-axis and Y-axis referred to here are shown in FIG.
In the plan view of the resistor trimming correction operation shown in FIG. 5, the coordinate from the correction start point 29 to the turn point 24 is the X axis, and the coordinate from the turn point 24 to the 90 degree direction and toward the correction end point 25 is the Y axis. A method for correcting the resistance value of the resistor of the chip resistor in the trimming correction control unit for correcting the resistance value of the resistor configured as described above will be described. First,
As shown in FIG. 2, there are a plurality of chip resistors on the ceramic substrate 1 each including a resistor 21 and an electrode 22. One of the chip resistors is measured by an initial resistance value measuring means 12 using a resistance value measuring circuit 13. From the initial resistance value R0, which is the resistance value before correcting the resistance value to the specified value, and the final target resistance value Rm, which is the specified resistance value which is finally obtained by correcting the resistance value,
The turn point resistance value Rt is calculated as follows. [0007] At this time, K1 and K2 are coefficients used for calculating the turn point resistance value (K1 and K2 are hereinafter referred to as turn point calculation coefficients). The turn point calculation coefficients K1 and K2 are values set under various conditions prior to production. The turn point resistance value Rt and the final target resistance value Rm are set in the resistance value comparison means 11 between the current resistance value, the turn point and the final target resistance value, and trimming correction of one resistor, that is, correction of the resistance value is performed. Start. When the resistor is cut by the laser beam 17 and the resistance value reaches the turn point resistance value Rt, the trajectory of the laser beam 17 is changed by 90 degrees by the galvano position control means 15 and the laser output control means 16 into an L-shape. Bend. At this time, the locus of the laser beam 17 on the resistor has reached the turn point 24 in FIG. When the resistance value reaches the final target resistance value Rm, the irradiation of the laser beam 17 and the operations of the X-axis and Y-axis galvanometers 4 and 5 are stopped. At this time, the trajectory of the laser beam 17 on the resistor corresponds to the correction end point 25 in FIG.
Has been reached. In the same manner as the above-described method of repairing one resistor, all the remaining resistors on the ceramic substrate 1 are trimmed and then replaced with the next ceramic substrate 1. The resistance value of the chip resistor on the ceramic substrate 1 is corrected by repeating this series of operations for one lot. However, in the conventional method, when the turn point resistance value Rt is calculated by using the relational expression (Equation 1), the turn point calculation coefficients K1 and K2 use fixed values in one lot. For the resistors in the same lot where the material of the resistors and the printing and firing conditions are constant, the secondary correction distance YL shown in FIG. 2 can be corrected with a fixed length. The phenomenon that the secondary correction distance YL is significantly different due to a change in conditions due to a change in lots, such as a difference in the initial resistance value before addition, a shift in the irradiation start position of the laser beam 17, a size of the resistor, and the like. appear. In general, in the correction of the resistance value of the chip resistor by the laser beam 17 (hereinafter referred to as laser trimming correction), the characteristics of the cutting length (hereinafter referred to as "cut amount") and the resistance value by the laser beam 17 are shown in FIG. It has the characteristics shown in the cut amount-resistance value change characteristic curve shown. The horizontal axis in FIG. 5 is the cut amount when the resistor width W in FIG. 2 is 100%, and the vertical axis is the initial resistance value R before correction.
This is a multiple of the resistance value when 0 is set to 1.0. The curve 71 indicates the characteristic when the correction direction is not changed so as not to bend into an L shape, and the curves 72 and 73 respectively indicate the primary correction distance X.
L indicates the characteristic of the secondary correction distance YL and the resistance value when the position of 60% and 50% of the resistor width W is set as the turn point 24, and accordingly, the curves 71, 72, and 73
Are approximate equations (Equation 2), (Equation 3), and (Equation 4), respectively. Here, R is the resistance value on the vertical axis in FIG. 5, and L is the cutting amount on the horizontal axis in FIG. ## EQU2 ## [0013] [0014] From the characteristic curve of FIG. 5, the secondary correction distance Y
It can be seen that the shorter L is, the larger the resistance change rate per unit cut amount (Equation 5) is. Here, dr is a small change in the resistance value, and d1 is a small change in the cut amount. [Equation 5] When the resistance is 1.8 times the initial resistance R0, the values of (Equation 5) in the curves 72 and 73 are 1.44 and 0.73, respectively, and the curve 72 is better. It can be seen that the numerical value is large and the slope of the curve is large. From this,
It can be seen that the shorter the secondary correction distance YL, the larger the amount of change in resistance value for one pulse of laser light, and the greater the variation in resistance value after laser trimming correction. A microcrack occurs at the correction end point 25 in FIG. 2, and the change in the resistance value due to the microcrack is larger in the curve 72 as in the case of the change in the resistance value with respect to the one-pulse laser beam. You can see that. Further, a curve 7 in the characteristic curve diagram of FIG.
4 shows a characteristic obtained by first-order differentiation of the curve 73 in FIG.
In FIG. 2, since the resistor 21 is substantially square, the correction start point 29 is located at a position near 20% of the resistor width W from the electrode 22, so that the secondary correction distance YL is 30 times the resistor width W.
% Is the center of the resistor in the Y-axis direction.
Corresponds to a cut amount of 80%. From these, 2
The next correction distance YL is the cutting depth 8 past the center point of the resistor.
From the 0% point, it can be seen that the value of the resistance value change rate per unit cut amount shown in (Equation 5) is very small, and the change rate of the resistance value is also small. That is, it is understood that the secondary correction distance YL needs to be long enough to pass the center of the resistor. However, according to the above-described conventional resistance value correction method, the turn point calculation coefficients K1 and K used when determining the turn point resistance value Rt are determined.
Since 2 is a fixed constant in one lot, the secondary correction distance YL can be averaged for a small variation in the initial resistance value R0 of each resistor in one lot. A large difference in the initial resistance value R0 between lots due to the material of the resistor, printing firing conditions, and the like exceeds the adjustment range of the secondary correction distance YL. Further, since the resistance value changes depending on where the laser beam 17 performs trimming correction on the resistor, even if a product having the same final target resistance value Rm is trimmed and corrected, the lot number may be reduced. If the difference is too large, the secondary correction distance YL may be too short or too long, and a lot of variations in the resistance value may occur, causing a problem that the yield of products requiring high precision is poor. The present invention solves the above-mentioned conventional problems. A highly accurate chip resistor capable of reducing the variation in resistance value after trimming correction even when the variation in conditions due to the difference between lots is large. It is an object of the present invention to provide a method for correcting the resistance of a vessel. In order to solve this problem, a method of correcting a resistance value of a chip resistor according to the present invention is provided by a distance measuring means for measuring a secondary correction distance, and a measuring method for the distance measuring means. And a turn point determining means for changing a turn point at which the correction direction changes from the average distance to an L-shape. It is. Thus, the secondary correction distance is measured during the production of each lot, and the length is automatically corrected to the set constant length, whereby the resistance value can be corrected with high accuracy. it can. According to the first aspect of the present invention, when the resistor is trimmed and corrected into an L-shape to correct the resistance value, the correction direction of the L-shaped corner point is changed. The secondary correction distance, which is the distance from the turn point to the correction end point, is measured, the average secondary correction distance of the measured plurality of resistors is sequentially obtained, and the next correction is performed based on the average distance obtained thereby. The turning point of the resistor is changed, and it has the effect that feedback control is possible, the correction distance is averaged, and the variation can be absorbed. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
This will be described with reference to FIG. Since the block diagram of the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 has basically the same configuration as the block diagram of FIG. 8 of the conventional example, the same components or elements are given the same numbers or symbols. Detailed description is omitted. FIG. 1 is a block diagram showing a method of correcting the resistance value of a chip resistor according to the first embodiment. In FIG. 1, reference numeral 15 denotes a galvano position control means which controls the X-axis and Y-axis galvanometers 4 and 5 in arbitrary directions. The controller holds the current position data of the X-axis and Y-axis galvanometers 4 and 5. Reference numeral 11 denotes a resistance value comparing means which compares the current resistance value with the turn point resistance value Rt or the current resistance value with the final target resistance value Rm, and outputs a coincidence signal if they coincide with each other. Numeral 14 denotes a distance measuring means, which is an X-axis and Y-axis galvanometer 4 held by a galvanometer position control means 15.
Then, the secondary correction distance YL is measured from the current position data of (5) and (5). Reference numeral 8 denotes an average distance calculating unit that accumulates the secondary correction distances YL of the plurality of resistors measured by the distance measuring unit 14 and calculates the average value. Reference numeral 9 denotes a coefficient determining means for calculating a turn point of one resistor.
1, K2 is calculated. The average distance calculating means 8, the turn point calculating coefficient determining means 9, the turn point determining means 10 for one resistor, the initial resistance value measuring means 12, and the distance measuring means 14 execute software processing according to a predetermined control program. This is performed by a microcomputer (not shown). 1 is a ceramic substrate,
2 is a reflecting mirror, 3 is a lens, 6 is a laser control unit,
Reference numeral 7 denotes a laser device, and reference numeral 17 denotes a laser beam, which is the same as in the conventional example. FIGS. 3 and 4 are flow charts for explaining the operation of the first embodiment of the method for correcting the resistance value of the chip resistor in the above-described configuration, and FIGS. 6 and the characteristic curve diagram of FIG. Prior to production, a plurality of resistors 21 and electrodes 2
A plurality of ceramic substrates 1 formed by printing and firing 2 are prepared, and the ceramic substrates 1 are set one by one in a trimming correction machine (not shown), and the resistance value is corrected for each resistor. To go. First, in step 31 of the operation flowchart shown in FIG. 3, an initial resistance value R0 of the resistor on the ceramic substrate 1 before correction is measured by the resistance value measuring circuit 13. The turn-point resistance value Rt is calculated in the next step 32 by using the initial resistance value R0, the final target resistance value Rm of the final required value and the turn-point calculation coefficients K1 and K2 set prior to the production. I do. The turn point resistance value Rt and the final target resistance value Rm are set in the resistance value comparison means 11. In step 33, the resistor is moved while irradiating the resistor 17 with the laser beam 17 while comparing the resistance of the resistor to be trimmed and corrected by the resistance comparator 11 with the turn point resistance Rt. When the resistance value of the resistor reaches the turn point 24, the resistance value comparing means 11 notifies the galvano position control means 15 and the laser output control means 16 that the turn point resistance value Rt has been reached and notifies the laser beam 1
7 is changed to the L-shape by changing the traveling direction. When the resistance value reaches the final target resistance value Rm, the resistance value comparison means 11 instructs the galvano position control means 15 and the laser output control means 16 to move.
The operation of the X-axis and Y-axis galvanometers 4 and 5 for notifying that the final target resistance value Rm has been reached and stopping the irradiation and movement of the laser beam 17 is stopped. In the next step 35, it is determined whether or not the resistance value of the corrected resistor in the step 34 is within a non-defective range of a specified value.
In step 9, the secondary correction distance YL of the resistor is not fed back. In step 36, the distance measuring means 14
Then, the secondary correction distance YL is measured from the Y coordinate of the turn point 24 of the resistor trimmed in step 34, that is, the Y coordinate value of the trimming start position and the Y coordinate value of the correction end point 25, and the process proceeds to step 37. move on. Step 3
In step 7, the secondary correction distance YL measured in step 36 is stored. Thereafter, in step 38, the number C of chips of non-defective chip resistors is counted, and the process proceeds to step 39. In step 39, it is confirmed whether or not all the resistors on the ceramic substrate 1 whose trimming is to be corrected have been corrected. If it has been completed, the process proceeds to step 40, and if not completed, the process proceeds to step 31.
Returning to the next step, trimming of another resistor is performed, and the operations from step 31 to step 39 are repeated until the correction of all resistors on the ceramic substrate 1 which is currently being trimmed is completed. In step 40, the number of ceramic substrates 1 for which trimming correction has been completed is increased by one. In step 41, the lot end condition is confirmed, and if the condition is satisfied, the flow proceeds to step 46, which is a production end operation of one lot. On the other hand, if the lot end condition is not satisfied in step 41, the process proceeds to step 42.
The secondary correction distance YL is evaluated every time a specified number of N ceramic substrates 1 are produced, and the turn point calculation coefficient K is calculated.
1, K2 is set again. The specified number N of boards for which the secondary correction distance YL is to be re-evaluated is set before production.
In step 42, it is checked whether or not the number of substrates counted in step 40 has reached N. If so, the process proceeds to step 43;
1 and the trimming of another new ceramic substrate 1 is corrected. If the number of substrates has reached N in step 42, the process proceeds to step 43, in which the average value L of the secondary correction distance YL is calculated using the secondary correction distance YL of each resistor and the number of chips C of the chip resistor (number). Calculate using 6). (Equation 6) In step 44, the number N of substrates counted in step 40 is reset to 0, and the routine proceeds to step 45. Average value L of secondary corrected distance YL obtained in step 43
Is compared with a secondary correction distance YL of, for example, (Table 1) which is a data table set prior to production, and coefficients K1 and K2 for calculating a turn point are determined. It is assumed that the turn point resistance value Rt is calculated from the coefficients K1 and K2.
1, the trimming correction operation of the resistor of the new ceramic substrate 1 is performed. [Table 1] FIG. 4 is a flowchart for explaining the detailed operation of step 45 in FIG.
The operation of determining the turn point calculation coefficients K1 and K2 from the comparison between the average value L of L and (Table 1) is shown. That is, in step 51, the average value L of the secondary correction distance YL is compared with the reference value of the secondary correction distance YL shown in rank 1 of (Table 1). Turn point calculation coefficients K1 and K2 are newly set so that K1 and K2 of rank 1 in Table 1) are used for production. Steps 52 to 56 correspond to the average value L of the secondary correction distance YL and the ranks 2, 3, 4, 5, and 6 of (Table 1).
To determine whether the condition is satisfied. If the condition is satisfied, each of steps 52 to 56 corresponds to steps 58 to 6
Go to 2 to calculate the respective turn point calculation coefficients K1 and K
2 is newly set and the operation is terminated. If the condition is not satisfied in step 56, the process proceeds to step 63, in which the turn point calculation coefficients K1 and K2 of rank 7 are set as new turn point calculation coefficients K1 and K2. By changing the turn point calculation coefficients K1 and K2, the characteristic of the turn point resistance value Rt with respect to the initial resistance value R0 becomes
It can be changed as shown in the initial resistance value-turn point characteristic curve diagram of FIG. Note that curves 81 to 87 correspond to ranks 1 to 7 in (Table 1). The variation of the resistance value after the trimming correction according to the present embodiment and the variation of the resistance value by the conventional resistance value correction method are shown in comparison with (Table 2). [Table 2] As is clear from Table 2, the method of correcting the resistance value of the chip resistor according to the present embodiment has an excellent effect in that the variation in the resistance value after the trimming correction is reduced. As described above, according to the present embodiment, the distance measuring means, the average distance calculating means, and the turn point determining means are set to be processed by a microcomputer or the like, so that the secondary The correction distance YL can be averaged to a certain distance, and high-precision trimming correction can be performed without adding hardware such as equipment to the conventional system configuration. Further, by using the data table for the calculation of the turn point calculation coefficients K1 and K2, the turn point coefficients K1 and K2 can be calculated at high speed. In the present embodiment, the method of implementing the turn point calculation coefficient determining means 9 is realized by comparison with a data table, but this may be performed by calculation using a dedicated function. Although the turn point determining means 10 for one resistor is calculated by (Equation 1), the calculation formula is not limited to the same as that of (Equation 1). Further, the determination may be made by referring to a data table instead of calculation. Also, the average distance calculating means 8, 1
Turn point calculation coefficient determination means 9 for one resistor
Although the turn point determining means 10, the initial resistance value measuring means 12, and the distance measuring means 14 of one resistor are implemented by software, they may be implemented by hardware, and the laser trimming correcting means may be implemented by a sandblast method. Needless to say, it's good. As described above, the present invention provides a distance measuring means,
By providing the average distance calculating means and the turn point determining means, an excellent method of correcting the resistance value of the chip resistor, which can automatically average the secondary correction distance and correct the resistor with high accuracy, is realized. The advantageous effect that it can be obtained is obtained.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の
抵抗値修正のトリミング修正制御部のブロック図 【図2】チップ抵抗器の抵抗体トリミング修正動作を示
す平面図 【図3】本発明の一実施の形態における動作を説明する
フローチャート 【図4】同ターンポイント計算用係数の判定動作を説明
するフローチャート 【図5】同効果を説明する切り込み量と抵抗値変化の特
性図 【図6】同切り込み量と抵抗値変化の特性曲線を切り込
み量で1次微分した、切り込み量と抵抗値1次微分の特
性図 【図7】同効果を説明する初期抵抗値とターンポイント
の特性図 【図8】従来のチップ抵抗器の抵抗値修正におけるトリ
ミング修正制御部のブロック図 【符号の説明】 1 セラミック基板 2 反射鏡 3 レンズ 4 X軸ガルバノメータ 5 Y軸ガルバノメータ 6 レーザー制御ユニット 7 レーザー装置 8 平均距離算出手段 9 ターンポイント計算用係数決定手段 10 1つの抵抗体のターンポイント決定手段 11 抵抗値比較手段 12 初期抵抗値測定手段 13 抵抗値測定回路 14 距離計測手段 15 ガルバノ位置制御手段 16 レーザー出力制御手段 17 レーザー光
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram of a trimming correction control unit for correcting a resistance value of a chip resistor according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing a resistor trimming correction operation of the chip resistor. FIG. 3 is a flowchart illustrating an operation according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a flowchart illustrating an operation of determining a turn point calculation coefficient. FIG. 5 is a cut amount and a resistance value change illustrating the same effect. FIG. 6 is a characteristic diagram of a first-order derivative of a cutting amount and a resistance value obtained by first-order-differentiating a characteristic curve of the same cutting amount and a change in resistance value, and FIG. 7 is an initial resistance value illustrating the same effect. FIG. 8 is a block diagram of a trimming correction control unit for correcting a resistance value of a conventional chip resistor. [Description of References] 1 Ceramic substrate 2 Reflecting mirror 3 Lens 4 X-axis galvanometer Reference Signs List 5 Y-axis galvanometer 6 Laser control unit 7 Laser device 8 Average distance calculation means 9 Turn point calculation coefficient determination means 10 Turn point determination means for one resistor 11 Resistance value comparison means 12 Initial resistance value measurement means 13 Resistance value measurement circuit 14 Distance measuring means 15 Galvano position control means 16 Laser output control means 17 Laser light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01C 17/242 H01C 7/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01C 17/242 H01C 7/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 抵抗値を修正するために抵抗体をL字形
にトリミング修正する際に、L字形の角点の修正方向変
更のターンポイントから修正終了点までの距離である2
次修正距離を測定し、この測定された複数の抵抗器の平
均2次修正距離を順次求め、これにより得られる平均距
離から次に修正する抵抗体のターンポイントを変更する
ようにしたチップ抵抗器の抵抗値修正方法。
(57) [Claims] [Claim 1] When trimming and correcting a resistor into an L-shape to correct a resistance value, from a turn point for changing a correction direction of an L-shaped corner to a correction end point. Is the distance of 2
A chip resistor which measures a next correction distance, sequentially calculates an average secondary correction distance of the measured plurality of resistors, and changes a turn point of a resistor to be corrected next from the average distance obtained by this. How to correct the resistance value.
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