JP3400531B2 - マイクロ波吸収成形型 - Google Patents
マイクロ波吸収成形型Info
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- JP3400531B2 JP3400531B2 JP09804594A JP9804594A JP3400531B2 JP 3400531 B2 JP3400531 B2 JP 3400531B2 JP 09804594 A JP09804594 A JP 09804594A JP 9804594 A JP9804594 A JP 9804594A JP 3400531 B2 JP3400531 B2 JP 3400531B2
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- Japan
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- microwave
- silicon carbide
- mold
- dielectric
- resin
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波を吸収し熱
エネルギーに変換して発熱する誘電体の粉末をマイクロ
波を透過する物質に含有させてなるマイクロ波吸収成形
型に関する。
エネルギーに変換して発熱する誘電体の粉末をマイクロ
波を透過する物質に含有させてなるマイクロ波吸収成形
型に関する。
【０００２】
【従来の技術】産業上汎用されている成形型としては、
代表的なものとして、金型と鋳型とがある。金型は、熱
硬化性樹脂等の樹脂からなる製品等を製造する工程にお
いて射出成形、ブロー成形等をする際に、最終製品の形
状にする型として使用される。また鋳型は、鋳物を鋳造
する際に、熔融された金属を鋳入して冷却固化させる型
として使用される。
代表的なものとして、金型と鋳型とがある。金型は、熱
硬化性樹脂等の樹脂からなる製品等を製造する工程にお
いて射出成形、ブロー成形等をする際に、最終製品の形
状にする型として使用される。また鋳型は、鋳物を鋳造
する際に、熔融された金属を鋳入して冷却固化させる型
として使用される。
【０００３】これらには、製造される成形品又は鋳物の
品質を向上させるための種々の工夫がなされている。上
記金型においては、樹脂が一定温度で加熱されしかも一
定状態で冷却しなければ、均質かつ精密な最終製品が得
られない。また上記鋳型においては、一定の温度勾配を
有しながら冷却してゆかなければ、ムラ等のない良質な
鋳物を得ることができない。従って、上記成形型は、加
熱も含めた温度調節が緻密かつ自由になしうるものであ
り、しかもそれが型全体に均一であるものでなければな
らない。
品質を向上させるための種々の工夫がなされている。上
記金型においては、樹脂が一定温度で加熱されしかも一
定状態で冷却しなければ、均質かつ精密な最終製品が得
られない。また上記鋳型においては、一定の温度勾配を
有しながら冷却してゆかなければ、ムラ等のない良質な
鋳物を得ることができない。従って、上記成形型は、加
熱も含めた温度調節が緻密かつ自由になしうるものであ
り、しかもそれが型全体に均一であるものでなければな
らない。
【０００４】ところでマイクロ波とは、周波数３００Ｍ
Ｈｚ〜３００ＧＨｚの電磁波であり、これを吸収する誘
電体は当該エネルギーを熱に変換して発熱する。このよ
うなマイクロ波加熱は、その温度制御が容易であるこ
と、防火対策が不要であること等の優れた利点を有して
おり、電子レンジ等家電製品にも汎用されている。
Ｈｚ〜３００ＧＨｚの電磁波であり、これを吸収する誘
電体は当該エネルギーを熱に変換して発熱する。このよ
うなマイクロ波加熱は、その温度制御が容易であるこ
と、防火対策が不要であること等の優れた利点を有して
おり、電子レンジ等家電製品にも汎用されている。
【０００５】特開昭６２−１２４９３１号公報には、金
型又は鋳型をマイクロ波吸収誘電体により構成し、マイ
クロ波加熱により焼結製品を得る技術が開示されてい
る。しかしながら、この技術は、焼結製品の焼結のため
にマイクロ波加熱を応用せんとするもので、焼結に適す
る温度であれば特に緻密な制御をする必要がなく、樹脂
成形のための金型、精密鋳物の鋳造のための鋳型として
は、使用することが困難であった。
型又は鋳型をマイクロ波吸収誘電体により構成し、マイ
クロ波加熱により焼結製品を得る技術が開示されてい
る。しかしながら、この技術は、焼結製品の焼結のため
にマイクロ波加熱を応用せんとするもので、焼結に適す
る温度であれば特に緻密な制御をする必要がなく、樹脂
成形のための金型、精密鋳物の鋳造のための鋳型として
は、使用することが困難であった。
【０００６】マイクロ波吸収の誘電体としては、その比
誘電率、誘電体損失角及び浸透深さ（電力半減深度）の
関係から、炭化珪素（ＳｉＣ）が良く、例えば、２４５
０ＭＨｚのマイクロ波に対しては、水分を１７％含有す
る砂、水分を２０％含有する粘土等と同等の良好度を有
していることが判っていた。
誘電率、誘電体損失角及び浸透深さ（電力半減深度）の
関係から、炭化珪素（ＳｉＣ）が良く、例えば、２４５
０ＭＨｚのマイクロ波に対しては、水分を１７％含有す
る砂、水分を２０％含有する粘土等と同等の良好度を有
していることが判っていた。
【０００７】マイクロ波吸収誘電体として、炭化珪素を
利用する技術は、すでに知られている。特開昭５３−４
７７５０号公報には、炭化珪素に特定の結合剤を添加し
て焼成したマイクロ波の誘電体を使用すると、耐高温性
が向上しかつ熱伝導が良好となる技術が開示されてい
る。しかしながら、この誘電体では、炭化珪素を焼成す
ることの必然的特性として、製造ロット間で品質にばら
つきが多く、緻密温度制御を必要とする場合には適用で
きない欠点があった。また、焼成炭化珪素は肉厚を厚く
しないと形を保つことができないため、複雑な形状の成
形型とはすることができず、かつ温度むらを完全に払拭
することが本質的に困難である欠点も有していた。
利用する技術は、すでに知られている。特開昭５３−４
７７５０号公報には、炭化珪素に特定の結合剤を添加し
て焼成したマイクロ波の誘電体を使用すると、耐高温性
が向上しかつ熱伝導が良好となる技術が開示されてい
る。しかしながら、この誘電体では、炭化珪素を焼成す
ることの必然的特性として、製造ロット間で品質にばら
つきが多く、緻密温度制御を必要とする場合には適用で
きない欠点があった。また、焼成炭化珪素は肉厚を厚く
しないと形を保つことができないため、複雑な形状の成
形型とはすることができず、かつ温度むらを完全に払拭
することが本質的に困難である欠点も有していた。
【０００８】特開昭５８−４９６６５号公報には、マイ
クロ波吸収誘電体としてセラミック体を使用し、これに
７０体積％以上の炭化珪素を含有させて、加熱効率をあ
げる技術が開示されている。しかしながら、この技術
は、電子レンジに適用して食品を経済的に加熱し、また
食品に焦げ目をつけて風味を向上させるためのものであ
って、温度を緻密に制御しうるものではなかった。
クロ波吸収誘電体としてセラミック体を使用し、これに
７０体積％以上の炭化珪素を含有させて、加熱効率をあ
げる技術が開示されている。しかしながら、この技術
は、電子レンジに適用して食品を経済的に加熱し、また
食品に焦げ目をつけて風味を向上させるためのものであ
って、温度を緻密に制御しうるものではなかった。
【０００９】特開昭６１−６５４９９号公報には、マイ
クロ波吸収誘電体として特定の炭化珪素質焼結体を使用
する技術が開示されている。しかしながら、これはコン
ピューター機器から発生するノイズとしてのマイクロ波
を吸収して誤動作を阻止するシールド材の技術であっ
て、マイクロ波吸収誘電体の温度制御をなしうる技術で
はなかった。
クロ波吸収誘電体として特定の炭化珪素質焼結体を使用
する技術が開示されている。しかしながら、これはコン
ピューター機器から発生するノイズとしてのマイクロ波
を吸収して誤動作を阻止するシールド材の技術であっ
て、マイクロ波吸収誘電体の温度制御をなしうる技術で
はなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記にみてきたよう
に、炭化珪素をマイクロ波吸収誘電体として使用する場
合には、吸収率をあげるため、従来はその焼結体を使用
することが多かった。しかしながら、炭化珪素の焼結体
は、製造ロットや形状の違いによりマイクロ波誘電率に
ばらつきがあり、均一な効果を有するマイクロ波吸収体
を得ることが困難であった。
に、炭化珪素をマイクロ波吸収誘電体として使用する場
合には、吸収率をあげるため、従来はその焼結体を使用
することが多かった。しかしながら、炭化珪素の焼結体
は、製造ロットや形状の違いによりマイクロ波誘電率に
ばらつきがあり、均一な効果を有するマイクロ波吸収体
を得ることが困難であった。
【００１１】また炭化珪素の焼結体では、大型の成形型
を作ることができず、精密な加工をするのにはコストが
高くつくこととなり、更に複雑な形状を一体の型として
成形することができないので分割した型を作ってこれを
組み合わせる必要がある等の本質的な欠陥があった。
を作ることができず、精密な加工をするのにはコストが
高くつくこととなり、更に複雑な形状を一体の型として
成形することができないので分割した型を作ってこれを
組み合わせる必要がある等の本質的な欠陥があった。
【００１２】上記現状に鑑み、本発明は、精密部品を製
造する金型及び鋳型として使用しうる緻密な温度制御が
可能で、大型の成形型まで高精度に製作可能なマイクロ
波吸収成形型を提供することを目的とするものである。
造する金型及び鋳型として使用しうる緻密な温度制御が
可能で、大型の成形型まで高精度に製作可能なマイクロ
波吸収成形型を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、マイク
ロ波吸収成形型を構成するにあたって、合成樹脂に炭化
珪素粉末を５〜９０体積％含有させるところにある。以
下に本発明を詳述する。
ロ波吸収成形型を構成するにあたって、合成樹脂に炭化
珪素粉末を５〜９０体積％含有させるところにある。以
下に本発明を詳述する。
【００１４】本発明で使用される合成樹脂は、成形性を
有するものであれば特に限定されず、例えば、塩化ビニ
ル樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹
脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレン等を挙
げることができる。なかでも、成形性と耐熱衝撃性に優
れたものがより好ましい。また、耐熱性及び寸法安定性
（低熱膨張性）を有するものが更に好ましい。
有するものであれば特に限定されず、例えば、塩化ビニ
ル樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹
脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレン等を挙
げることができる。なかでも、成形性と耐熱衝撃性に優
れたものがより好ましい。また、耐熱性及び寸法安定性
（低熱膨張性）を有するものが更に好ましい。
【００１５】本発明で使用される炭化珪素粉末は、５〜
９０体積％の範囲内で含有させる。５体積％未満である
とマイクロ波吸収能力が充分でなく発熱効率が低下し、
９０体積％を超えると合成樹脂と炭化珪素との混合が難
しくなり、また成形型の表面の炭化珪素粒子が脱落しや
すくなるので、上記範囲内に限られる。好ましくは、２
０〜７０体積％であり、更に好ましくは２０〜５０体積
％である。
９０体積％の範囲内で含有させる。５体積％未満である
とマイクロ波吸収能力が充分でなく発熱効率が低下し、
９０体積％を超えると合成樹脂と炭化珪素との混合が難
しくなり、また成形型の表面の炭化珪素粒子が脱落しや
すくなるので、上記範囲内に限られる。好ましくは、２
０〜７０体積％であり、更に好ましくは２０〜５０体積
％である。
【００１６】一般に、マイクロ波吸収誘電体を含有する
物質の誘電効率は、誘界厚さをＬとし、誘電体の粒子径
をＤとした場合、Ｄ／Ｌに比例することとなる（図
１）。また、マイクロ波吸収体にマイクロ波を与えた場
合の等価回路（図２）における熱エネルギーへの変換量
Ｐは、 Ｐ＝ＧＶ2 により表される。Ｖは電圧を、Ｇはマイクロ波吸収体中
の誘電体粒子１個の抵抗値を表す。
物質の誘電効率は、誘界厚さをＬとし、誘電体の粒子径
をＤとした場合、Ｄ／Ｌに比例することとなる（図
１）。また、マイクロ波吸収体にマイクロ波を与えた場
合の等価回路（図２）における熱エネルギーへの変換量
Ｐは、 Ｐ＝ＧＶ2 により表される。Ｖは電圧を、Ｇはマイクロ波吸収体中
の誘電体粒子１個の抵抗値を表す。
【００１７】上記抵抗値Ｇは、図３において、誘電体粒
子表面の抵抗Ｒ1 と誘電体粒子内部抵抗Ｒ2 との並列回
路となっている。Ｒ2 の値は誘電体の物性に特有の値で
あるので、Ｇを高めるためにはＲ1 を大きくする必要が
ある。粒子表面積を小さくし粒子径を大きくすれば、Ｒ
1 が大きくなり、Ｇを高めてＰで表される変換量を大き
くすることができる。
子表面の抵抗Ｒ1 と誘電体粒子内部抵抗Ｒ2 との並列回
路となっている。Ｒ2 の値は誘電体の物性に特有の値で
あるので、Ｇを高めるためにはＲ1 を大きくする必要が
ある。粒子表面積を小さくし粒子径を大きくすれば、Ｒ
1 が大きくなり、Ｇを高めてＰで表される変換量を大き
くすることができる。
【００１８】本発明で使用される炭化珪素粉末は、平均
粒子径４〜５００μｍのものが好ましい。４μｍ未満で
あると、上記理由によりエネルギー変換量が少なくなり
過ぎて本発明の目的を達成することができない。しか
し、５００μｍを超えると、樹脂中に均一に含有させる
ことが困難となり、型表面から粒子の脱落が起こり、本
発明の目的を達成することができない。より好ましく
は、８〜１４μｍの範囲である。平均粒子径がこの範囲
内にあれば、発熱効率が炭化珪素焼結体と同程度でかつ
合成樹脂充填による強度劣化を起こすことがない。
粒子径４〜５００μｍのものが好ましい。４μｍ未満で
あると、上記理由によりエネルギー変換量が少なくなり
過ぎて本発明の目的を達成することができない。しか
し、５００μｍを超えると、樹脂中に均一に含有させる
ことが困難となり、型表面から粒子の脱落が起こり、本
発明の目的を達成することができない。より好ましく
は、８〜１４μｍの範囲である。平均粒子径がこの範囲
内にあれば、発熱効率が炭化珪素焼結体と同程度でかつ
合成樹脂充填による強度劣化を起こすことがない。
【００１９】かくして、上記合成樹脂と上記炭化珪素粉
末とにより、本発明のマイクロ波吸収成形型を構成する
マイクロ波吸収体が得られる。上記で得られたマイクロ
波吸収体は、気孔率が１０％以下であることが好まし
い。気孔率が１０％を超えると、場所による誘電率の差
異が生じて温度制御が困難となり、また成形型表面の気
孔に成形樹脂が入り離型が困難となる。
末とにより、本発明のマイクロ波吸収成形型を構成する
マイクロ波吸収体が得られる。上記で得られたマイクロ
波吸収体は、気孔率が１０％以下であることが好まし
い。気孔率が１０％を超えると、場所による誘電率の差
異が生じて温度制御が困難となり、また成形型表面の気
孔に成形樹脂が入り離型が困難となる。
【００２０】本発明のマイクロ波吸収成形型の製造方法
は特に限定されず、例えば、上記により構成されるマイ
クロ波吸収体を、樹脂を成形する通常の方法により、所
望の形状に成形することによって型とすることができ
る。本発明のマイクロ波吸収成形型としては、例えば、
合成樹脂製品の成形に使用される金型、鋳物の鋳造に使
用される鋳型等を挙げることができる。
は特に限定されず、例えば、上記により構成されるマイ
クロ波吸収体を、樹脂を成形する通常の方法により、所
望の形状に成形することによって型とすることができ
る。本発明のマイクロ波吸収成形型としては、例えば、
合成樹脂製品の成形に使用される金型、鋳物の鋳造に使
用される鋳型等を挙げることができる。
【００２１】本発明では誘電体として炭化珪素粉末を使
用する。しかしながら、上記炭化珪素粉末と同様の性質
を有する誘電体であれば、上記炭化珪素粉末以外のもの
であっても本発明に適用することができる。このような
誘電体としては、例えば、フェライト、チタン酸バリウ
ム等を挙げることができる。
用する。しかしながら、上記炭化珪素粉末と同様の性質
を有する誘電体であれば、上記炭化珪素粉末以外のもの
であっても本発明に適用することができる。このような
誘電体としては、例えば、フェライト、チタン酸バリウ
ム等を挙げることができる。
【００２２】
【作用】マイクロ波吸収体用の炭化珪素は、誘電率を高
くする目的のため、従来のようにその焼結体を使用する
と、焼結のロット差、同じロット内での差により、誘電
率に大きな差異が生じて誘電率安定性が得られない。ま
た、焼結体の炭化珪素は、成形加工をするのが難しく精
密部品の型としては使用することができない。しかしな
がら、本発明の炭化珪素粉末含有合成樹脂は、誘電安定
性が良く、かつ品質が一定であるので、成形型としたと
きの温度制御が極めて容易となる。また、成形及び加工
が容易な樹脂により構成されているので、大型の型とし
ても精密部品の型としても必要な緻密な成形性と加工性
とを有する。
くする目的のため、従来のようにその焼結体を使用する
と、焼結のロット差、同じロット内での差により、誘電
率に大きな差異が生じて誘電率安定性が得られない。ま
た、焼結体の炭化珪素は、成形加工をするのが難しく精
密部品の型としては使用することができない。しかしな
がら、本発明の炭化珪素粉末含有合成樹脂は、誘電安定
性が良く、かつ品質が一定であるので、成形型としたと
きの温度制御が極めて容易となる。また、成形及び加工
が容易な樹脂により構成されているので、大型の型とし
ても精密部品の型としても必要な緻密な成形性と加工性
とを有する。
【００２３】
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。 実施例１ ビスフェノール型エポキシ樹脂（電力半減深度２０ｃ
ｍ）にポリアミン系硬化剤を体積比４：１の配合割合で
加えて混合して樹脂組成物を得た。この樹脂組成物７０
体積％に、平均粒子径１４μｍのα−炭化珪素粉末を３
０体積％加えて混合し、１００℃で１時間脱気した後、
１５０℃で５時間加熱して硬化させた。硬化した組成物
を切削して、６０×４０×４ｃｍのプレートを作成し
た。吸収効率の測定 別途、炭化珪素焼結体を用いて６０×４０×４ｃｍのプ
レートを作成した。１．４ＫＷ、２４５０ＭＨｚの電子
レンジ中に、上記のプレートを入れて発熱状態を調べ、
（吸収効率）＝（発熱量）／（加えたエネルギー）とし
て、吸収効率を測定したところ、炭化珪素焼結体のプレ
ートは３５％であり、上記実施例１のプレートは３３％
であった。
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。 実施例１ ビスフェノール型エポキシ樹脂（電力半減深度２０ｃ
ｍ）にポリアミン系硬化剤を体積比４：１の配合割合で
加えて混合して樹脂組成物を得た。この樹脂組成物７０
体積％に、平均粒子径１４μｍのα−炭化珪素粉末を３
０体積％加えて混合し、１００℃で１時間脱気した後、
１５０℃で５時間加熱して硬化させた。硬化した組成物
を切削して、６０×４０×４ｃｍのプレートを作成し
た。吸収効率の測定 別途、炭化珪素焼結体を用いて６０×４０×４ｃｍのプ
レートを作成した。１．４ＫＷ、２４５０ＭＨｚの電子
レンジ中に、上記のプレートを入れて発熱状態を調べ、
（吸収効率）＝（発熱量）／（加えたエネルギー）とし
て、吸収効率を測定したところ、炭化珪素焼結体のプレ
ートは３５％であり、上記実施例１のプレートは３３％
であった。
【００２４】実施例２
ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン、電力半減深度
２０ｃｍ）の粉末７０体積％に、平均粒子径８μｍのα
−炭化珪素粉末を３０体積％加えて混合し、圧縮成形機
にかけて１３００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力をかけて６０×４
０×４ｃｍのプレートを作成し、３７０℃で１時間加熱
し成形した。実施例１と同様に吸収効率を特定したとこ
ろ、３０％であった。
２０ｃｍ）の粉末７０体積％に、平均粒子径８μｍのα
−炭化珪素粉末を３０体積％加えて混合し、圧縮成形機
にかけて１３００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力をかけて６０×４
０×４ｃｍのプレートを作成し、３７０℃で１時間加熱
し成形した。実施例１と同様に吸収効率を特定したとこ
ろ、３０％であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明のマイクロ波吸収成形型は、特定
粒子径の炭化珪素粉末が所定量含有されているので、精
密部品を製造する金型及び鋳型として使用しうる緻密な
温度制御が可能で、大型の成形型まで高精度に製作可能
である。
粒子径の炭化珪素粉末が所定量含有されているので、精
密部品を製造する金型及び鋳型として使用しうる緻密な
温度制御が可能で、大型の成形型まで高精度に製作可能
である。
【図１】マイクロ波吸収誘電体を含有する物質の概念断
面図。
面図。
【図２】マイクロ波吸収体にマイクロ波を与えた場合の
等価回路図。
等価回路図。
【図３】誘電体粒子の断面概念図。
１ マイクロ波吸収誘電体
Ｌ 誘界厚さ
Ｄ 誘電体の粒子径
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 竹中 悟
岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビ
デン株式会社 大垣北工場内
(56)参考文献 特開 平３−147824（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−219033（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−42554（ＪＰ，Ａ)
実開 平３−66708（ＪＰ，Ｕ)
特表 平２−503888（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B29C 33/00 - 33/76
B29C 39/26 - 39/34
B29C 41/38 - 41/40
B29C 43/36 - 43/42
B29C 45/26 - 45/37
B29C 49/48 - 49/54
B29C 51/30 - 51/40
Claims (2)
- 【請求項１】 合成樹脂に炭化珪素粉末が５〜９０体積
％含有されてなることを特徴とするマイクロ波吸収成形
型。 - 【請求項２】 炭化珪素粉末が、平均粒子径４〜５００
μｍのものである請求項１記載のマイクロ波吸収成形
型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09804594A JP3400531B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | マイクロ波吸収成形型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09804594A JP3400531B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | マイクロ波吸収成形型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07276374A JPH07276374A (ja) | 1995-10-24 |
| JP3400531B2 true JP3400531B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=14209187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09804594A Expired - Lifetime JP3400531B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | マイクロ波吸収成形型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3400531B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1063711B1 (en) | 1998-03-12 | 2013-02-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| NZ515097A (en) * | 2001-10-29 | 2004-03-26 | Blue Marble Polymers Ltd | Improvements in and relating to bio-degradable foamed products |
| EP2722146B1 (en) * | 2011-06-17 | 2021-01-27 | micro-AMS Inc. | Electromagnetic wave irradiation molding device and electromagnetic wave irradiation molding method |
| JP6305913B2 (ja) * | 2014-12-17 | 2018-04-04 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | 熱可塑性樹脂の加熱方法 |
-
1994
- 1994-04-11 JP JP09804594A patent/JP3400531B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07276374A (ja) | 1995-10-24 |
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