JP3395268B2 - 誘電体共振器装置 - Google Patents
誘電体共振器装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、誘電体ブロックに内
部電極および外部電極を形成して成る誘電体共振器装置
に関する。
部電極および外部電極を形成して成る誘電体共振器装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一体成形して成る誘電体ブロックまたは
誘電体部材を接合して形成した誘電体ブロックの外面に
外部電極を形成するとともに、内部に複数の内部電極を
形成して、この内部電極による共振器をコムライン結合
させた誘電体共振器装置が、例えばマイクロ波帯におけ
る帯域通過フィルタなどとして用いられている。
誘電体部材を接合して形成した誘電体ブロックの外面に
外部電極を形成するとともに、内部に複数の内部電極を
形成して、この内部電極による共振器をコムライン結合
させた誘電体共振器装置が、例えばマイクロ波帯におけ
る帯域通過フィルタなどとして用いられている。
【０００３】図１５に従来の一体成形による誘電体ブロ
ックを用いた誘電体共振器装置の構造を示す。同図に示
すように、誘電体ブロックの平行な第１面Ｓ１と第２面
Ｓ２との間に連続する４つの面Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６
を有し、内部に第１面Ｓ１と第２面Ｓ２間を貫通する貫
通孔２ａ，２ｂを形成していて、誘電体ブロックの第１
面Ｓ１、第２面Ｓ２および面Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６の
それぞれに外部電極６を形成している。貫通孔２ａ，２
ｂの内周面には貫通孔２ａ，２ｂの第１面Ｓ１の開口部
付近に間隙による開放端部を有する内部電極をそれぞれ
形成して、前記間隙部に先端容量を形成している。また
誘電体ブロックの外面に信号入出力電極７ａ，７ｂを形
成し、貫通孔２ａ，２ｂの内部に設けた前記内部電極に
よる共振器と容量結合させている。このようにして、内
部電極による二つの共振器がコムライン結合した誘電体
共振器装置を構成している。
ックを用いた誘電体共振器装置の構造を示す。同図に示
すように、誘電体ブロックの平行な第１面Ｓ１と第２面
Ｓ２との間に連続する４つの面Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６
を有し、内部に第１面Ｓ１と第２面Ｓ２間を貫通する貫
通孔２ａ，２ｂを形成していて、誘電体ブロックの第１
面Ｓ１、第２面Ｓ２および面Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６の
それぞれに外部電極６を形成している。貫通孔２ａ，２
ｂの内周面には貫通孔２ａ，２ｂの第１面Ｓ１の開口部
付近に間隙による開放端部を有する内部電極をそれぞれ
形成して、前記間隙部に先端容量を形成している。また
誘電体ブロックの外面に信号入出力電極７ａ，７ｂを形
成し、貫通孔２ａ，２ｂの内部に設けた前記内部電極に
よる共振器と容量結合させている。このようにして、内
部電極による二つの共振器がコムライン結合した誘電体
共振器装置を構成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１５に示した従来の
誘電体共振器装置の集中定数回路および分布定数回路に
よる等価回路は図１３に示される。図１３においてＣｓ
は前記貫通孔の内周面に設けた内部電極の間隙部に形成
される先端容量、Ｃｅは内部電極の開放端部付近と容量
結合する信号入出力電極７ａ，７ｂとの間に形成される
外部結合容量である。このような共振器装置の特性は図
１４に示すようになる。図１４において上半部は図１３
に示した矢印方向から見た回路のアドミタンスＢの周波
数特性、下半部は共振器回路の減衰特性を示す。このよ
うに単純なコムライン結合の場合、共振周波数ｆｏで前
記アドミタンスＢは誘導性となり、高域側に極を持つ。
従ってｆｏを中心周波数とし、高域側に減衰極を持つ帯
域通過フィルタ特性となる。
誘電体共振器装置の集中定数回路および分布定数回路に
よる等価回路は図１３に示される。図１３においてＣｓ
は前記貫通孔の内周面に設けた内部電極の間隙部に形成
される先端容量、Ｃｅは内部電極の開放端部付近と容量
結合する信号入出力電極７ａ，７ｂとの間に形成される
外部結合容量である。このような共振器装置の特性は図
１４に示すようになる。図１４において上半部は図１３
に示した矢印方向から見た回路のアドミタンスＢの周波
数特性、下半部は共振器回路の減衰特性を示す。このよ
うに単純なコムライン結合の場合、共振周波数ｆｏで前
記アドミタンスＢは誘導性となり、高域側に極を持つ。
従ってｆｏを中心周波数とし、高域側に減衰極を持つ帯
域通過フィルタ特性となる。
【０００５】また、図１４において低域側の部と通過
帯域の部とでは、の方が共振器間の結合が強くなる
ため、低域側の減衰特性がなだらかとなる。
帯域の部とでは、の方が共振器間の結合が強くなる
ため、低域側の減衰特性がなだらかとなる。
【０００６】このように従来の単純なコムライン結合に
よる誘電体共振器装置においては、通過帯域の高域側に
減衰極を持つため、高域側の減衰特性が優れているのに
対し、通過帯域の低域側の減衰特性が良好ではない。そ
のため、通過帯域の低域側に大きな減衰量が要求される
場合には、共振器の段数を増すか、内周面に内部電極を
形成する前記貫通孔をステップ状に形成するなど、複雑
な構造を採らなければ、隣接する共振器間を容量性結合
とすることができず、通過帯域の低域側の特性を容易に
改善することはできなかった。
よる誘電体共振器装置においては、通過帯域の高域側に
減衰極を持つため、高域側の減衰特性が優れているのに
対し、通過帯域の低域側の減衰特性が良好ではない。そ
のため、通過帯域の低域側に大きな減衰量が要求される
場合には、共振器の段数を増すか、内周面に内部電極を
形成する前記貫通孔をステップ状に形成するなど、複雑
な構造を採らなければ、隣接する共振器間を容量性結合
とすることができず、通過帯域の低域側の特性を容易に
改善することはできなかった。
【０００７】この発明の目的は、簡単な構造により、帯
域通過フィルタとして用いる場合の通過帯域の低域側特
性を改善した誘電体共振器装置を提供することにある。
域通過フィルタとして用いる場合の通過帯域の低域側特
性を改善した誘電体共振器装置を提供することにある。
【０００８】また、この発明の他の目的は、共振器間の
結合性を容易に調整して通過帯域の低域側または高域側
の減衰特性を自在に調整し得るようにした誘電体共振器
装置を提供することにある。
結合性を容易に調整して通過帯域の低域側または高域側
の減衰特性を自在に調整し得るようにした誘電体共振器
装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る誘電体共振器装置は、略平行な第１面と第２面と、こ
の第１・第２面に略垂直な外面を有し、内部に前記第１
面と第２面間を貫通する複数の貫通孔を形成した誘電体
ブロックを備え、この誘電体ブロックの前記貫通孔の配
列方向に平行で且つ貫通孔の長手方向に平行な一方の外
面を除く他の外面に外部電極を形成し、前記複数の貫通
孔の内周面に内部電極をそれぞれ形成するとともに、前
記一方の外面には少なくとも周辺部を除く主要部に電極
を形成せず、外形が前記誘電体ブロックの一方の面と略
同一形状であり、前記誘電体ブロックの一方の外面を覆
う形状の外部電極を形成した誘電体基板を、前記誘電体
ブロックの一方の外面に対して一定の間隙を保って接合
して成る。
る誘電体共振器装置は、略平行な第１面と第２面と、こ
の第１・第２面に略垂直な外面を有し、内部に前記第１
面と第２面間を貫通する複数の貫通孔を形成した誘電体
ブロックを備え、この誘電体ブロックの前記貫通孔の配
列方向に平行で且つ貫通孔の長手方向に平行な一方の外
面を除く他の外面に外部電極を形成し、前記複数の貫通
孔の内周面に内部電極をそれぞれ形成するとともに、前
記一方の外面には少なくとも周辺部を除く主要部に電極
を形成せず、外形が前記誘電体ブロックの一方の面と略
同一形状であり、前記誘電体ブロックの一方の外面を覆
う形状の外部電極を形成した誘電体基板を、前記誘電体
ブロックの一方の外面に対して一定の間隙を保って接合
して成る。
【００１０】請求項２に係る誘電体共振器装置は、前記
誘電体ブロックを、複数の誘電体部材を接合して構成し
たものとする。
誘電体ブロックを、複数の誘電体部材を接合して構成し
たものとする。
【００１１】請求項３に係る誘電体共振器装置は、請求
項１または２記載のものにおいて、前記間隙を空気層か
ら構成して成る。
項１または２記載のものにおいて、前記間隙を空気層か
ら構成して成る。
【００１２】請求項４に係る誘電体共振器装置は、略平
行な第１面と第２面との間に連続する外面を有し、内部
に前記第１面と第２面間を貫通する複数の貫通孔を形成
した誘電体ブロックを備え、この誘電体ブロックの前記
外面のうち前記貫通孔の配列方向に平行な少なくとも一
方の外面を除く他の外面に外部電極を形成し、前記複数
の貫通孔の内周面に内部電極をそれぞれ形成するととも
に、前記外部電極の形成していない前記誘電体ブロック
の外面に、外部電極を形成した誘電体基板を一定の間隙
を保って配置するとともに、前記間隙に前記誘電体ブロ
ックの誘電率より低誘電率の接合材を充填して成る。
行な第１面と第２面との間に連続する外面を有し、内部
に前記第１面と第２面間を貫通する複数の貫通孔を形成
した誘電体ブロックを備え、この誘電体ブロックの前記
外面のうち前記貫通孔の配列方向に平行な少なくとも一
方の外面を除く他の外面に外部電極を形成し、前記複数
の貫通孔の内周面に内部電極をそれぞれ形成するととも
に、前記外部電極の形成していない前記誘電体ブロック
の外面に、外部電極を形成した誘電体基板を一定の間隙
を保って配置するとともに、前記間隙に前記誘電体ブロ
ックの誘電率より低誘電率の接合材を充填して成る。
【００１３】
【作用】この発明の誘電体共振器装置は誘電体ブロック
と誘電体基板とから構成され、誘電体ブロックは略平行
な第１面と第２面との間に連続する外面を有し、内部に
前記第１面と第２面間を貫通する複数の貫通孔が形成さ
れていて、この誘電体ブロックの前記貫通孔の配列方向
に平行で且つ貫通孔の長手方向に平行な一方の外面を除
く他の外面に外部電極が形成されていて、前記一方の外
面には少なくとも周辺部を除く主要部に電極が形成され
ておらず、前記複数の貫通孔の内周面に内部電極がそれ
ぞれ形成されている。そして、外形が前記誘電体ブロッ
クの一方の面と略同一形状であり、前記誘電体ブロック
の一方の外面を覆う形状の外部電極が形成された誘電体
基板が誘電体ブロックの外部電極の形成されていない外
面に一定の間隙を保って配置されている。
と誘電体基板とから構成され、誘電体ブロックは略平行
な第１面と第２面との間に連続する外面を有し、内部に
前記第１面と第２面間を貫通する複数の貫通孔が形成さ
れていて、この誘電体ブロックの前記貫通孔の配列方向
に平行で且つ貫通孔の長手方向に平行な一方の外面を除
く他の外面に外部電極が形成されていて、前記一方の外
面には少なくとも周辺部を除く主要部に電極が形成され
ておらず、前記複数の貫通孔の内周面に内部電極がそれ
ぞれ形成されている。そして、外形が前記誘電体ブロッ
クの一方の面と略同一形状であり、前記誘電体ブロック
の一方の外面を覆う形状の外部電極が形成された誘電体
基板が誘電体ブロックの外部電極の形成されていない外
面に一定の間隙を保って配置されている。
【００１４】
【００１５】ここで２段の誘電体共振器装置の等価回路
を図１０に示す。図１０においてＺは前記内部電極によ
る共振器のインピーダンス、εｒは誘電体ブロックの比
誘電率、Ｌは共振器長である。またＣｓは前記内部電極
の開放端部に形成される先端容量である。このような共
振器の偶モード、奇モードの各共振周波数ｆeven，ｆod
d は次式で示される。
を図１０に示す。図１０においてＺは前記内部電極によ
る共振器のインピーダンス、εｒは誘電体ブロックの比
誘電率、Ｌは共振器長である。またＣｓは前記内部電極
の開放端部に形成される先端容量である。このような共
振器の偶モード、奇モードの各共振周波数ｆeven，ｆod
d は次式で示される。
【００１６】
【数１】
【００１７】
【数２】
【００１８】ここでＣｏは光速である。そこで、誘電体
ブロックと誘電体基板間の間隙ｔに対する偶モード、奇
モードについてのインピーダンスＺeven，Ｚodd 、比誘
電率εｒeven，εｒodd 、先端容量Ｃｓeven，Ｃｓodd
の各傾向からｆeven，ｆoddの傾向を求めると図１１の
下部に示すようになる。このように間隙ｔが０のときｆ
even＜ｆodd の関係にあり、間隙ｔが広くなるに従い、
ｆodd は徐々に上昇するのに対し、ｆevenは比較的急激
に上昇する。従ってｆeven＝ｆodd の関係となる間隙ｔ
ｏが存在し、間隙ｔがｔｏより小さいときｆeven＜ｆod
d ，間隙ｔがｔｏより大きいときｆeven＞ｆodd の関係
となる。一方、共振器間の結合値ｋは次式で示される。
ブロックと誘電体基板間の間隙ｔに対する偶モード、奇
モードについてのインピーダンスＺeven，Ｚodd 、比誘
電率εｒeven，εｒodd 、先端容量Ｃｓeven，Ｃｓodd
の各傾向からｆeven，ｆoddの傾向を求めると図１１の
下部に示すようになる。このように間隙ｔが０のときｆ
even＜ｆodd の関係にあり、間隙ｔが広くなるに従い、
ｆodd は徐々に上昇するのに対し、ｆevenは比較的急激
に上昇する。従ってｆeven＝ｆodd の関係となる間隙ｔ
ｏが存在し、間隙ｔがｔｏより小さいときｆeven＜ｆod
d ，間隙ｔがｔｏより大きいときｆeven＞ｆodd の関係
となる。一方、共振器間の結合値ｋは次式で示される。
【００１９】
【数３】
【００２０】従って、間隙ｔの変化に対する結合値ｋの
変化は図１１の上部に示すようになる。このように間隙
ｔがｔｏより狭いときには誘導性結合し、間隙ｔがｔｏ
より広い場合に容量性係合することになる。
変化は図１１の上部に示すようになる。このように間隙
ｔがｔｏより狭いときには誘導性結合し、間隙ｔがｔｏ
より広い場合に容量性係合することになる。
【００２１】その結果、図１３に示した等価回路におい
て矢印方向の回路を見たときのアドミタンスＢは図１２
の上部に示すようになる。ここでＢ１は間隙ｔが小さく
て誘導性結合しているときの周波数特性、Ｂ２は間隙ｔ
が大きくて容量性結合しているときの周波数特性を示
す。この例で、間隙ｔが小さいときの共振器の共振周波
数をｆｏ１とすれば、第１２図の下部においてＡ１で示
すように、通過帯域の高域側に減衰極が生じ、間隙ｔが
大きい場合の共振器の共振周波数をｆｏ２とすれば、通
過帯域の低域側に減衰極が生じ、低域側の減衰特性が改
善される。
て矢印方向の回路を見たときのアドミタンスＢは図１２
の上部に示すようになる。ここでＢ１は間隙ｔが小さく
て誘導性結合しているときの周波数特性、Ｂ２は間隙ｔ
が大きくて容量性結合しているときの周波数特性を示
す。この例で、間隙ｔが小さいときの共振器の共振周波
数をｆｏ１とすれば、第１２図の下部においてＡ１で示
すように、通過帯域の高域側に減衰極が生じ、間隙ｔが
大きい場合の共振器の共振周波数をｆｏ２とすれば、通
過帯域の低域側に減衰極が生じ、低域側の減衰特性が改
善される。
【００２２】このように間隙ｔの大きさによって通過帯
域の中心周波数を変化させるとともに減衰極の位置を移
動させることができ、それにより、通過帯域の高域側ま
たは低域側の減衰特性を選択的に改善できるようにな
る。
域の中心周波数を変化させるとともに減衰極の位置を移
動させることができ、それにより、通過帯域の高域側ま
たは低域側の減衰特性を選択的に改善できるようにな
る。
【００２３】なお、前記間隙としては、請求項３のよう
に、空気層のままとしてもよく、請求項４のように、誘
電体ブロックと誘電体基板間を接合するための、誘電体
ブロックの誘電率より低誘電率の接合材を前記間隙に充
填しても構成できる。
に、空気層のままとしてもよく、請求項４のように、誘
電体ブロックと誘電体基板間を接合するための、誘電体
ブロックの誘電率より低誘電率の接合材を前記間隙に充
填しても構成できる。
【００２４】
【実施例】この発明の第１の実施例に係る誘電体共振器
装置の外観斜視図を図１に示す。
装置の外観斜視図を図１に示す。
【００２５】図１において１は誘電体ブロック、８は誘
電体基板であって、両者は所定の間隙を保って接合して
いる。誘電体ブロック１には二つの貫通孔２ａ，２ｂを
形成していて、この二つの貫通孔２ａ，２ｂの内周面に
内部電極を形成し、誘電体ブロック１および誘電体基板
８の外面には外部電極６を形成している。このようにし
て２段の共振器から成る帯域通過フィルタとして用いら
れる誘電体共振器装置を構成している。
電体基板であって、両者は所定の間隙を保って接合して
いる。誘電体ブロック１には二つの貫通孔２ａ，２ｂを
形成していて、この二つの貫通孔２ａ，２ｂの内周面に
内部電極を形成し、誘電体ブロック１および誘電体基板
８の外面には外部電極６を形成している。このようにし
て２段の共振器から成る帯域通過フィルタとして用いら
れる誘電体共振器装置を構成している。
【００２６】図２は図１に示した誘電体ブロックの内部
構造を示す図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）
におけるＸ−Ｘの矢視断面図、（Ｃ）は底面図である。
同図に示すように、誘電体ブロック１の平行な第１面Ｓ
１と第２面Ｓ２との間に連続する４つの面Ｓ３，Ｓ４，
Ｓ５，Ｓ６を有し、第１面Ｓ１、第２面Ｓ２、面Ｓ３，
Ｓ５，Ｓ６の略全面および面Ｓ４の周縁部に外部電極６
を形成している。また、面Ｓ４には、内部電極３ａ，３
ｂの開放端部付近と容量結合する電極１３ａ，１３ｂを
形成している。内部には第１面Ｓ１と第２面Ｓ２間を貫
通する貫通孔２ａ，２ｂを形成していて、貫通孔２ａ，
２ｂの内周面に、貫通孔２ａ，２ｂの第１面Ｓ１の開口
部付近に間隙による開放端部５ａ，５ｂを有する内部電
極３ａ，４ａ，３ｂ，４ｂをそれぞれ形成している。こ
のような構成によって、開放端部５ａ，５ｂに先端容量
Ｃｓが形成され、内部電極３ａ，３ｂによる二つの共振
器がコムライン結合する。
構造を示す図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）
におけるＸ−Ｘの矢視断面図、（Ｃ）は底面図である。
同図に示すように、誘電体ブロック１の平行な第１面Ｓ
１と第２面Ｓ２との間に連続する４つの面Ｓ３，Ｓ４，
Ｓ５，Ｓ６を有し、第１面Ｓ１、第２面Ｓ２、面Ｓ３，
Ｓ５，Ｓ６の略全面および面Ｓ４の周縁部に外部電極６
を形成している。また、面Ｓ４には、内部電極３ａ，３
ｂの開放端部付近と容量結合する電極１３ａ，１３ｂを
形成している。内部には第１面Ｓ１と第２面Ｓ２間を貫
通する貫通孔２ａ，２ｂを形成していて、貫通孔２ａ，
２ｂの内周面に、貫通孔２ａ，２ｂの第１面Ｓ１の開口
部付近に間隙による開放端部５ａ，５ｂを有する内部電
極３ａ，４ａ，３ｂ，４ｂをそれぞれ形成している。こ
のような構成によって、開放端部５ａ，５ｂに先端容量
Ｃｓが形成され、内部電極３ａ，３ｂによる二つの共振
器がコムライン結合する。
【００２７】図３は図１に示した誘電体基板８の構成を
示す図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は底面図である。誘電体基板８の上面の周縁部お
よびこの上面を除く他の五面にはそれぞれ外部電極９を
設けている。また、誘電体基板８の上面から側面を経由
して底面にかけて、信号入出力電極１２ａ，１２ｂを形
成している。このように信号入出力電極を形成した誘電
体基板を図２に示した誘電体ブロックの底面（面Ｓ４）
に接合した際、信号入出力電極１２ａ，１２ｂと誘電体
ブロック底面の電極１３ａ，１３ｂとの間に容量が形成
され、結果として、信号入出力電極１２ａ，１２ｂと内
部電極３ａ，３ｂの開放端部付近との間に一定の外部結
合容量が構成される。
示す図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は底面図である。誘電体基板８の上面の周縁部お
よびこの上面を除く他の五面にはそれぞれ外部電極９を
設けている。また、誘電体基板８の上面から側面を経由
して底面にかけて、信号入出力電極１２ａ，１２ｂを形
成している。このように信号入出力電極を形成した誘電
体基板を図２に示した誘電体ブロックの底面（面Ｓ４）
に接合した際、信号入出力電極１２ａ，１２ｂと誘電体
ブロック底面の電極１３ａ，１３ｂとの間に容量が形成
され、結果として、信号入出力電極１２ａ，１２ｂと内
部電極３ａ，３ｂの開放端部付近との間に一定の外部結
合容量が構成される。
【００２８】図４は図１に示したＡ−Ａにおける断面図
である。同図に示すように、誘電体ブロック１の貫通孔
２ａ，２ｂの内周面にはそれぞれ内部電極３ａ，３ｂを
形成している。また誘電体ブロック１の底面に対し誘電
体基板８を接合材１０を介して接合していて、誘電体ブ
ロック１の底面と誘電体基板８間に間隙ｔの空気層を形
成している。尚、誘電体ブロックに誘電体基板を接合す
る際、誘電体ブロック側の電極１３ａ，１３ｂと誘電体
基板側の信号入出力電極１２ａ，１２ｂとの間を導電材
を介して接合するようにしてもよい。
である。同図に示すように、誘電体ブロック１の貫通孔
２ａ，２ｂの内周面にはそれぞれ内部電極３ａ，３ｂを
形成している。また誘電体ブロック１の底面に対し誘電
体基板８を接合材１０を介して接合していて、誘電体ブ
ロック１の底面と誘電体基板８間に間隙ｔの空気層を形
成している。尚、誘電体ブロックに誘電体基板を接合す
る際、誘電体ブロック側の電極１３ａ，１３ｂと誘電体
基板側の信号入出力電極１２ａ，１２ｂとの間を導電材
を介して接合するようにしてもよい。
【００２９】次に、この発明の第２の実施例に係る誘電
体共振器装置の構成を図５に示す。
体共振器装置の構成を図５に示す。
【００３０】第１の実施例と異なる点は、誘電体ブロッ
ク１と誘電体基板間の間隙に両者を接合する接合材を充
填したことである。同図における１０は誘電体ブロック
１と誘電体基板８間を接合する接合材であり、誘電体ブ
ロック１および誘電体基板８の誘電率より低誘電率の例
えば合成樹脂材からなる。このような構成であっても、
間隙ｔの大きさによって二つの共振器間の結合性を調整
することができる。
ク１と誘電体基板間の間隙に両者を接合する接合材を充
填したことである。同図における１０は誘電体ブロック
１と誘電体基板８間を接合する接合材であり、誘電体ブ
ロック１および誘電体基板８の誘電率より低誘電率の例
えば合成樹脂材からなる。このような構成であっても、
間隙ｔの大きさによって二つの共振器間の結合性を調整
することができる。
【００３１】次に、この発明の第３の実施例に係る誘電
体共振器装置の外観斜視図を図６に示す。図１に示した
例と異なり、この例では誘電体ブロック側に信号入出力
電極を形成している。図６において１は誘電体ブロッ
ク、８は誘電体基板であって、両者は所定の間隙を保っ
て接合している。誘電体ブロック１には二つの貫通孔２
ａ，２ｂを形成していて、この二つの貫通孔２ａ，２ｂ
の内周面に内部電極を形成し、誘電体ブロック１および
誘電体基板８の外面には外部電極６を形成している。こ
の誘電体ブロック１の外面に信号入出力電極７ａ，７ｂ
を形成し、貫通孔２ａ，２ｂの内部に設けた内部電極に
よる共振器と容量結合させている。
体共振器装置の外観斜視図を図６に示す。図１に示した
例と異なり、この例では誘電体ブロック側に信号入出力
電極を形成している。図６において１は誘電体ブロッ
ク、８は誘電体基板であって、両者は所定の間隙を保っ
て接合している。誘電体ブロック１には二つの貫通孔２
ａ，２ｂを形成していて、この二つの貫通孔２ａ，２ｂ
の内周面に内部電極を形成し、誘電体ブロック１および
誘電体基板８の外面には外部電極６を形成している。こ
の誘電体ブロック１の外面に信号入出力電極７ａ，７ｂ
を形成し、貫通孔２ａ，２ｂの内部に設けた内部電極に
よる共振器と容量結合させている。
【００３２】図７は図６に示した誘電体ブロックの内部
構造を示す図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）
におけるＸ−Ｘの矢視断面図、（Ｃ）は底面図である。
同図に示すように、誘電体ブロック１の平行な第１面Ｓ
１と第２面Ｓ２との間に連続する４つの面Ｓ３，Ｓ４，
Ｓ５，Ｓ６を有し、第１面Ｓ１、第２面Ｓ２、面Ｓ３，
Ｓ５，Ｓ６の略全面および面Ｓ４の周縁部に外部電極６
を形成している。内部には第１面Ｓ１と第２面Ｓ２間を
貫通する貫通孔２ａ，２ｂを形成していて、貫通孔２
ａ，２ｂの内周面に、貫通孔２ａ，２ｂの第１面Ｓ１の
開口部付近に間隙による開放端部５ａ，５ｂを有する内
部電極３ａ，４ａ，３ｂ，４ｂをそれぞれ形成してい
る。このような構成によって、開放端部５ａ，５ｂに先
端容量Ｃｓが形成され、内部電極３ａ，３ｂによる二つ
の共振器がコムライン結合する。
構造を示す図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）
におけるＸ−Ｘの矢視断面図、（Ｃ）は底面図である。
同図に示すように、誘電体ブロック１の平行な第１面Ｓ
１と第２面Ｓ２との間に連続する４つの面Ｓ３，Ｓ４，
Ｓ５，Ｓ６を有し、第１面Ｓ１、第２面Ｓ２、面Ｓ３，
Ｓ５，Ｓ６の略全面および面Ｓ４の周縁部に外部電極６
を形成している。内部には第１面Ｓ１と第２面Ｓ２間を
貫通する貫通孔２ａ，２ｂを形成していて、貫通孔２
ａ，２ｂの内周面に、貫通孔２ａ，２ｂの第１面Ｓ１の
開口部付近に間隙による開放端部５ａ，５ｂを有する内
部電極３ａ，４ａ，３ｂ，４ｂをそれぞれ形成してい
る。このような構成によって、開放端部５ａ，５ｂに先
端容量Ｃｓが形成され、内部電極３ａ，３ｂによる二つ
の共振器がコムライン結合する。
【００３３】図８は図６に示した誘電体基板８の構成を
示す図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は底面図である。誘電体基板８の上面の周縁部を
除く他の五面にはそれぞれ外部電極９を設けている。
示す図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は底面図である。誘電体基板８の上面の周縁部を
除く他の五面にはそれぞれ外部電極９を設けている。
【００３４】次に、この発明の第４の実施例に係る誘電
体共振器装置の構成を図９に示す。
体共振器装置の構成を図９に示す。
【００３５】図９は二つの貫通孔に直交する面における
断面図である。第３の実施例と異なり、この例では誘電
体基板８の全ての外周面に外部電極９を形成している。
この場合でも、空気層ｔの大きさを調整することによっ
て、二つの共振器間の結合性を変えて、通過帯域の高域
側または低域側に減衰極を形成することができる。
断面図である。第３の実施例と異なり、この例では誘電
体基板８の全ての外周面に外部電極９を形成している。
この場合でも、空気層ｔの大きさを調整することによっ
て、二つの共振器間の結合性を変えて、通過帯域の高域
側または低域側に減衰極を形成することができる。
【００３６】なお、上述したいずれの実施例も２段の共
振器からなる誘電体共振器装置を例としたが、３段以上
の場合についても同様に本願発明は適用し得る。また、
上述した実施例では、いずれも誘電体ブロックの第２面
Ｓ２を短絡面として、誘電体ブロック内に複数のλ／４
共振器を構成した例を示したが、第１面Ｓ１と第２面Ｓ
２の両面を短絡面としてλ／２共振器を構成してもよ
い。また、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２の両面を開放面とし
てλ／２共振器を構成してもよい。
振器からなる誘電体共振器装置を例としたが、３段以上
の場合についても同様に本願発明は適用し得る。また、
上述した実施例では、いずれも誘電体ブロックの第２面
Ｓ２を短絡面として、誘電体ブロック内に複数のλ／４
共振器を構成した例を示したが、第１面Ｓ１と第２面Ｓ
２の両面を短絡面としてλ／２共振器を構成してもよ
い。また、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２の両面を開放面とし
てλ／２共振器を構成してもよい。
【００３７】
【発明の効果】この発明によれば、誘電体ブロックと誘
電体基板間の間隙を設定または調整することによって、
帯域通過フィルタとして用いる場合の通過帯域の低域側
または高域側に減衰極を自在にもたせることができ、通
過帯域幅の低域側または高域側の減衰特性を容易に改善
できるようになる。しかも、前記間隙の設定または調整
によって通過帯域の中心周波数および減衰極の位置を容
易に変えることができ、同一金型から作成した部材を用
いて種々の特性の異なる誘電体共振器装置を得ることが
できる。
電体基板間の間隙を設定または調整することによって、
帯域通過フィルタとして用いる場合の通過帯域の低域側
または高域側に減衰極を自在にもたせることができ、通
過帯域幅の低域側または高域側の減衰特性を容易に改善
できるようになる。しかも、前記間隙の設定または調整
によって通過帯域の中心周波数および減衰極の位置を容
易に変えることができ、同一金型から作成した部材を用
いて種々の特性の異なる誘電体共振器装置を得ることが
できる。
【図１】この発明の第１の実施例に係る誘電体共振器装
置の外観斜視図である。
置の外観斜視図である。
【図２】図１中の誘電体ブロックの構成を示す図であ
り、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＸ−Ｘの
断面図、（Ｃ）は底面図である。
り、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＸ−Ｘの
断面図、（Ｃ）は底面図である。
【図３】図１中の誘電体基板の構成を示す図であり、
（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図であ
る。
（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図であ
る。
【図４】図１に示す誘電体共振器装置のＡ−Ａの断面図
である。
である。
【図５】この発明の第２の実施例に係る誘電体共振器装
置の主要部の断面図である。
置の主要部の断面図である。
【図６】この発明の第３の実施例に係る誘電体共振器装
置の外観斜視図である。
置の外観斜視図である。
【図７】図６中の誘電体ブロックの構成を示す図であ
り、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＸ−Ｘの
断面図、（Ｃ）は底面図である。
り、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＸ−Ｘの
断面図、（Ｃ）は底面図である。
【図８】図６中の誘電体基板の構成を示す図であり、
（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図であ
る。
（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図であ
る。
【図９】この発明の第４の実施例に係る誘電体共振器装
置の主要部の断面図である。
置の主要部の断面図である。
【図１０】コムライン結合した２段の共振器から成る共
振器装置の等価回路図である。
振器装置の等価回路図である。
【図１１】間隙の大きさに対する偶モード、奇モードの
共振周波数の変化および共振器間の結合値の変化の例を
示す図である。
共振周波数の変化および共振器間の結合値の変化の例を
示す図である。
【図１２】間隙の異なる二つの共振器装置の周波数特性
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】集中定数回路および分布定数回路を用いて表
したコムライン結合する２段の誘電体共振器装置の等価
回路図である。
したコムライン結合する２段の誘電体共振器装置の等価
回路図である。
【図１４】従来の誘電体共振器装置の周波数特性を示す
図である。
図である。
【図１５】従来の誘電体共振器装置の構成を示す外観斜
視図である。
視図である。
１−誘電体ブロック
２ａ，２ｂ−貫通孔
３ａ，３ｂ−内部電極（共振器）
４ａ，４ｂ−内部電極
５ａ，５ｂ−開放端部
６−外部電極
７ａ，７ｂ−信号入出力電極
８−誘電体基板
９−外部電極
１０−接合材
１１−空気層
１２ａ，１２ｂ−信号入出力電極
１３ａ，１３ｂ−電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 1/20 - 1/219
H01P 7/00 - 7/10
Claims (4)
- 【請求項１】 略平行な第１面と第２面と、この第１・
第２面に略垂直な外面を有し、内部に前記第１面と第２
面間を貫通する複数の貫通孔を形成した誘電体ブロック
を備え、この誘電体ブロックの前記貫通孔の配列方向に
平行で且つ貫通孔の長手方向に平行な一方の外面を除く
他の外面に外部電極を形成し、前記複数の貫通孔の内周
面に内部電極をそれぞれ形成するとともに、前記一方の
外面には少なくとも周辺部を除く主要部に電極を形成せ
ず、 外形が前記誘電体ブロックの一方の面と略同一形状であ
り、前記誘電体ブロックの一方の外面を覆う形状の外部
電極を形成した誘電体基板を、前記誘電体ブロックの一
方の外面に対して 一定の間隙を保って接合して成る誘電
体共振器装置。 - 【請求項２】 前記誘電体ブロックが、複数の誘電体部
材を接合して構成したものである請求項１に記載の誘電
体共振器装置。 - 【請求項３】 前記間隙を空気層から構成した請求項１
または２記載の誘電体共振器装置。 - 【請求項４】 略平行な第１面と第２面との間に連続す
る外面を有し、内部に前記第１面と第２面間を貫通する
複数の貫通孔を形成した誘電体ブロックを備え、この誘
電体ブロックの前記外面のうち前記貫通孔の配列方向に
平行な少なくとも一方の外面を除く他の外面に外部電極
を形成し、前記複数の貫通孔の内周面に内部電極をそれ
ぞれ形成するとともに、前記外部電極の形成していない
前記誘電体ブロックの外面に、外部電極を形成した誘電
体基板を一定の間隙を保って配置するとともに、前記間
隙に前記誘電体ブロックの誘電率より低誘電率の接合材
を充填した誘電体共振器装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19806593A JP3395268B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 誘電体共振器装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19806593A JP3395268B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 誘電体共振器装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758515A JPH0758515A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3395268B2 true JP3395268B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=16384947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19806593A Expired - Lifetime JP3395268B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 誘電体共振器装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395268B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100330685B1 (ko) * | 1999-11-23 | 2002-04-03 | 박호군 | 감쇠극을 갖는 일체형 유전체 필터 |
-
1993
- 1993-08-10 JP JP19806593A patent/JP3395268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758515A (ja) | 1995-03-03 |
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