JP3393531B2 - 波長板型半導体偏波制御デバイス - Google Patents
波長板型半導体偏波制御デバイスInfo
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- JP3393531B2 JP3393531B2 JP27052996A JP27052996A JP3393531B2 JP 3393531 B2 JP3393531 B2 JP 3393531B2 JP 27052996 A JP27052996 A JP 27052996A JP 27052996 A JP27052996 A JP 27052996A JP 3393531 B2 JP3393531 B2 JP 3393531B2
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- wave plate
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信，光交換の
各システム、光情報処理等に用いる波長板型半導体偏波
制御デバイスに関するものである。
各システム、光情報処理等に用いる波長板型半導体偏波
制御デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光通信
・光交換や光情報処理の分野において、光を利用したシ
ステムの構築を考えると、光導波路，光スイッチ，光受
光器，光増幅器等の光素子が必要不可欠になる。これら
の素子は、光ファイバと結合したり、集積化を行うこと
で実用的部品にする必要がある。集積化することは、μ
ｍ精度で必要とされる光ファイバと半導体素子との光軸
合せを省くことができるので、堅牢となると共に、信頼
性の増加が期待できる。
・光交換や光情報処理の分野において、光を利用したシ
ステムの構築を考えると、光導波路，光スイッチ，光受
光器，光増幅器等の光素子が必要不可欠になる。これら
の素子は、光ファイバと結合したり、集積化を行うこと
で実用的部品にする必要がある。集積化することは、μ
ｍ精度で必要とされる光ファイバと半導体素子との光軸
合せを省くことができるので、堅牢となると共に、信頼
性の増加が期待できる。
【０００３】ところで、通常の光ファイバにおいては、
光源からの偏波面を維持する機能は有しておらず、半導
体光スイッチや半導体光増幅器といった光機能素子に入
力される信号光は環境の変化に応じてその偏波状態を変
動する。
光源からの偏波面を維持する機能は有しておらず、半導
体光スイッチや半導体光増幅器といった光機能素子に入
力される信号光は環境の変化に応じてその偏波状態を変
動する。
【０００４】しかしながら、上記のような半導体デバイ
スの導波構造は、一般に等方的ではなく、幅が数ミクロ
ンあるのに対して、厚みがサブミクロンオーダであるこ
とや、導波層のスイッチング特性又は活性層の増幅特性
が偏波状態によって異なる。そのため入力信号光の偏波
状態によって出力特性が大きく変動するという問題があ
る。
スの導波構造は、一般に等方的ではなく、幅が数ミクロ
ンあるのに対して、厚みがサブミクロンオーダであるこ
とや、導波層のスイッチング特性又は活性層の増幅特性
が偏波状態によって異なる。そのため入力信号光の偏波
状態によって出力特性が大きく変動するという問題があ
る。
【０００５】上記偏波依存性を低減する方法として、二
つの半導体光増幅器の間に偏波面を９０度回転する素子
を用いることが考えられる。そこで、偏波面を９０度回
転する素子が必要になる。偏波依存性の制御方法とし
て、波長板といった光学素子の利用が公知である。二つ
の直交する直線偏波成分の位相差がπになる板厚を有し
た波長板をλ／２板と称する。このλ／２板は直線偏光
の偏光面を回転させる機能を有している。
つの半導体光増幅器の間に偏波面を９０度回転する素子
を用いることが考えられる。そこで、偏波面を９０度回
転する素子が必要になる。偏波依存性の制御方法とし
て、波長板といった光学素子の利用が公知である。二つ
の直交する直線偏波成分の位相差がπになる板厚を有し
た波長板をλ／２板と称する。このλ／２板は直線偏光
の偏光面を回転させる機能を有している。
【０００６】しかし、通常用いられているバルクのλ／
２板のサイズは大きく、半導体材料との整合性が良くな
いという問題がある。
２板のサイズは大きく、半導体材料との整合性が良くな
いという問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の波長板型半導体偏波制御デバイスは、半導体基板上
に作製された導波路を有するデバイスにおいて、その導
波路進行方向の中央部領域に上記埋め込み導波路に対し
て別な導波路を設けると共に、上記導波路進行方向と直
交する方向の断面において、二つの導波路間を結ぶ直線
と基板に平行な直線とのなす角がθを示しており、その
中央部領域における固有な導波モードの有する最低次か
ら数えて二つの等価屈折率をｎ1及びｎ2 （ｎ1 ＞
ｎ2 ）とすると、その長さＬが、下記式から求められ、
中央部領域の一方の側から入射された直線偏波光が他方
の端でその偏波面を２θ回転させることを特徴とする。
明の波長板型半導体偏波制御デバイスは、半導体基板上
に作製された導波路を有するデバイスにおいて、その導
波路進行方向の中央部領域に上記埋め込み導波路に対し
て別な導波路を設けると共に、上記導波路進行方向と直
交する方向の断面において、二つの導波路間を結ぶ直線
と基板に平行な直線とのなす角がθを示しており、その
中央部領域における固有な導波モードの有する最低次か
ら数えて二つの等価屈折率をｎ1及びｎ2 （ｎ1 ＞
ｎ2 ）とすると、その長さＬが、下記式から求められ、
中央部領域の一方の側から入射された直線偏波光が他方
の端でその偏波面を２θ回転させることを特徴とする。
【０００８】
【数２】
【０００９】上記波長板型半導体偏波制御デバイスにお
いて、導波層への電流注入を可能とする電極が設置され
てなることを特徴とする。
いて、導波層への電流注入を可能とする電極が設置され
てなることを特徴とする。
【００１０】本発明では、上記式より導かれた所定距離
Ｌだけ光が伝搬すると、入射光偏波をθ＝４５度とした
場合に２θ＝９０度となり、９０度回転させることがで
きる。これは、λ／２板は入射光偏波と波長板の結晶軸
とのなす角度をαとすれば、出射光偏波を入射光偏波よ
り２α回転させる機能を有している。その時波長板の異
方性を用いてその厚みが、２つの結晶軸を伝搬する光に
対してπだけ位相変化するように設定されている。そこ
で、伝搬光の偏波方向をｘ方向とした場合、第１の導波
路と第２の導波路とを結ぶ直線方向が結晶軸の方向に対
応するため、α＝θと考えることができる。そして、上
記「数２」に示す式で限定される長さ（Ｌ）に中央部領
域の長さを決めることで、半導体のような等方性材料に
おいても波長板の効果を実現することができる。
Ｌだけ光が伝搬すると、入射光偏波をθ＝４５度とした
場合に２θ＝９０度となり、９０度回転させることがで
きる。これは、λ／２板は入射光偏波と波長板の結晶軸
とのなす角度をαとすれば、出射光偏波を入射光偏波よ
り２α回転させる機能を有している。その時波長板の異
方性を用いてその厚みが、２つの結晶軸を伝搬する光に
対してπだけ位相変化するように設定されている。そこ
で、伝搬光の偏波方向をｘ方向とした場合、第１の導波
路と第２の導波路とを結ぶ直線方向が結晶軸の方向に対
応するため、α＝θと考えることができる。そして、上
記「数２」に示す式で限定される長さ（Ｌ）に中央部領
域の長さを決めることで、半導体のような等方性材料に
おいても波長板の効果を実現することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１２】〔実施の形態１〕図１は、本発明の第１実
施の形態にかかる半導体偏波回転素子の斜視図、図２は
その側面断面図、図３は図２の領域Ｂにおける断面図で
ある。これらの図面中、符号１１はＩｎＰ基板、１２は
ＩｎＰ埋め込み層、２１は第１のバンドギャップ波長
１．３μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ導波層、２２は第１の導
波層２１からオフセットされて位置する第２のバンドギ
ャップ波長１．３μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ導波層であ
る。なお、領域Ｂは第２のＩｎＧａＡｓＰ導波層２２が
導波方向に設けられている中央部領域を示し、領域Ａ及
び領域Ｃは、第２のＩｎＧａＡｓＰ導波層が設けられて
いない領域及びＬは上記中央部領域Ｂの導波方向の長さ
である。
施の形態にかかる半導体偏波回転素子の斜視図、図２は
その側面断面図、図３は図２の領域Ｂにおける断面図で
ある。これらの図面中、符号１１はＩｎＰ基板、１２は
ＩｎＰ埋め込み層、２１は第１のバンドギャップ波長
１．３μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ導波層、２２は第１の導
波層２１からオフセットされて位置する第２のバンドギ
ャップ波長１．３μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ導波層であ
る。なお、領域Ｂは第２のＩｎＧａＡｓＰ導波層２２が
導波方向に設けられている中央部領域を示し、領域Ａ及
び領域Ｃは、第２のＩｎＧａＡｓＰ導波層が設けられて
いない領域及びＬは上記中央部領域Ｂの導波方向の長さ
である。
【００１３】本実施の形態の波長板型半導体偏波制御デ
バイスは、半導体基板１１上に作製された第１の埋め込
み導波路２１を有すると共に、その導波路進行方向の中
央部領域Ｂに別な第２の埋め込み導波路２２を導波方向
を同一でオフセットして設けると共に、上記導波路進行
方向と直交する方向の断面において、二つの導波路２
１，２２を結ぶ直線ｌ1 と第１の埋め込み導波路２１の
中心軸において導波路進行方向と直交する方向（ｘ方
向）の直線ｌ2 との形成する角度がθ（＝４５度）を示
しており、その中央部領域Ｂにおける固有な導波モード
の有する最低次から数えて二つの等価屈折率をｎ1 及び
ｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）とすると、その長さＬが、下記「数
３」に示す式で定義されているものである。
バイスは、半導体基板１１上に作製された第１の埋め込
み導波路２１を有すると共に、その導波路進行方向の中
央部領域Ｂに別な第２の埋め込み導波路２２を導波方向
を同一でオフセットして設けると共に、上記導波路進行
方向と直交する方向の断面において、二つの導波路２
１，２２を結ぶ直線ｌ1 と第１の埋め込み導波路２１の
中心軸において導波路進行方向と直交する方向（ｘ方
向）の直線ｌ2 との形成する角度がθ（＝４５度）を示
しており、その中央部領域Ｂにおける固有な導波モード
の有する最低次から数えて二つの等価屈折率をｎ1 及び
ｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）とすると、その長さＬが、下記「数
３」に示す式で定義されているものである。
【００１４】
【数３】
【００１５】本素子の動作原理を簡単に説明する。領域
Ａを入射してきた光は、ｘ方向に電界成分を有するＴＥ
偏波とｙ方向に電界成分を有するＴＭ偏波に分解されて
進行する。なお、図１中、ｚ方向が導波方向となる。こ
こで、ＴＥ偏波を例にとると、伝搬光はｘ方向を向いて
いることになる。この光が中央部領域Ｂに侵入すると、
この中央部領域Ｂでは伝搬光が、図３に示されるよう
に、ｘ方向から４５度ずれていることになる。中央部領
域Ｂにおける固有な導波モードの有する最低次から数え
て二つの等価屈折率をｎ1 及びｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）とす
ると、その中央部領域Ｂの長さＬが、上記「数３」に示
す式に設定することで、先に述べたλ／２板の原理に基
づき、理論的には領域Ｃの入口で偏波が２θ＝９０度回
転して出射されることになる。なお、本実施の形態の測
定結果では、加工精度の問題により波長１．５５μｍの
入射光に対して７６度の偏波回転を実現できた。
Ａを入射してきた光は、ｘ方向に電界成分を有するＴＥ
偏波とｙ方向に電界成分を有するＴＭ偏波に分解されて
進行する。なお、図１中、ｚ方向が導波方向となる。こ
こで、ＴＥ偏波を例にとると、伝搬光はｘ方向を向いて
いることになる。この光が中央部領域Ｂに侵入すると、
この中央部領域Ｂでは伝搬光が、図３に示されるよう
に、ｘ方向から４５度ずれていることになる。中央部領
域Ｂにおける固有な導波モードの有する最低次から数え
て二つの等価屈折率をｎ1 及びｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）とす
ると、その中央部領域Ｂの長さＬが、上記「数３」に示
す式に設定することで、先に述べたλ／２板の原理に基
づき、理論的には領域Ｃの入口で偏波が２θ＝９０度回
転して出射されることになる。なお、本実施の形態の測
定結果では、加工精度の問題により波長１．５５μｍの
入射光に対して７６度の偏波回転を実現できた。
【００１６】ＴＭ偏波に関しても同様である。
【００１７】〔実施の形態２〕図４は、本発明の第２の
実施の形態に係る半導体偏波回転素子の側面断面図であ
る。図２に示した構造に対して、上下に電極を設けたも
のである。すなわち、第２の実施の形態に係る半導体偏
波回転素子は、上面にｎ−ＩｎＰ層１３を有するＩｎＰ
基板１１の下面側及びｐ−ＩｎＰ層１４の上面側に電極
３１，３２を各々設けたものである。このように電極３
１，３２を設けることにより、第１及び第２のＩｎＧａ
ＡｓＰ導波層２１，２２に対して電流を注入し、導波層
の屈折率を変化することができるので、トリミングが可
能となる。
実施の形態に係る半導体偏波回転素子の側面断面図であ
る。図２に示した構造に対して、上下に電極を設けたも
のである。すなわち、第２の実施の形態に係る半導体偏
波回転素子は、上面にｎ−ＩｎＰ層１３を有するＩｎＰ
基板１１の下面側及びｐ−ＩｎＰ層１４の上面側に電極
３１，３２を各々設けたものである。このように電極３
１，３２を設けることにより、第１及び第２のＩｎＧａ
ＡｓＰ導波層２１，２２に対して電流を注入し、導波層
の屈折率を変化することができるので、トリミングが可
能となる。
【００１８】このため、第１の実施の形態に比べて回転
精度を向上できる。なお、本実施の形態の測定結果で
は、波長１．５５μｍの入射光に対して８３度の偏波回
転を実現できた。
精度を向上できる。なお、本実施の形態の測定結果で
は、波長１．５５μｍの入射光に対して８３度の偏波回
転を実現できた。
【００１９】この場合において、電極は領域Ｂにのみ設
置することも可能である。さらに、各領域Ａ，Ｂ及びＣ
の各領域に電極を各々設け、領域間で電気分離を行うこ
とも可能である。
置することも可能である。さらに、各領域Ａ，Ｂ及びＣ
の各領域に電極を各々設け、領域間で電気分離を行うこ
とも可能である。
【００２０】本実施の形態においては、ＩｎＰ基板１１
上に設ける材料としてＩｎＧａＡｓＰ材料系について記
述したが、他の材料系を用いることによっても、同様な
効果を得ることができる。また、ドーピング層等も任意
に設けることができる。
上に設ける材料としてＩｎＧａＡｓＰ材料系について記
述したが、他の材料系を用いることによっても、同様な
効果を得ることができる。また、ドーピング層等も任意
に設けることができる。
【００２１】また、導波層構造に超格子構造を用いるこ
とも可能であり、さらに、導波層部を導波層よりもバン
ドギャップ波長の短い組成で挟んだＳＣＨ構造を採用す
ることも可能である。
とも可能であり、さらに、導波層部を導波層よりもバン
ドギャップ波長の短い組成で挟んだＳＣＨ構造を採用す
ることも可能である。
【００２２】また、上述した実施の形態においては、導
波層２１と導波層２２とを同一組成としたが、組成を異
なるようにすることもできる。また、第２の実施の形態
において、導波層２２若しくは導波層２１と導波層２２
との両方をバンドギャップ波長１．５５μｍ帯のＩｎＧ
ａＡｓＰ導波層とすれば、電流注入により、光増幅器と
して動作させることができる。
波層２１と導波層２２とを同一組成としたが、組成を異
なるようにすることもできる。また、第２の実施の形態
において、導波層２２若しくは導波層２１と導波層２２
との両方をバンドギャップ波長１．５５μｍ帯のＩｎＧ
ａＡｓＰ導波層とすれば、電流注入により、光増幅器と
して動作させることができる。
【００２３】上述した実施の形態に示すデバイスが光増
幅器を含めた導波型デバイスとモノリシック集積化が可
能である。
幅器を含めた導波型デバイスとモノリシック集積化が可
能である。
【００２４】上述した実施の形態では、λ／２板の効果
を半導体によって実現できることを示したが、その長さ
Ｌを半分にすることでλ／４板としての効果を持たせる
ことができるのは、いうまでもない。
を半導体によって実現できることを示したが、その長さ
Ｌを半分にすることでλ／４板としての効果を持たせる
ことができるのは、いうまでもない。
【００２５】
【発明の効果】以上、実施の形態と共に詳細に説明した
ように、本発明によれば、光デバイスの偏波依存性の解
消に有効な偏波制御デバイスを実現することができる。
ように、本発明によれば、光デバイスの偏波依存性の解
消に有効な偏波制御デバイスを実現することができる。
【図１】本発明の実施の形態１の半導体偏波回転素子の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１の半導体偏波回転素子の
側面図である。
側面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体偏波回転素子の
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２の半導体偏波回転素子の
側面図である。
側面図である。
１１ ＩｎＰ基板
１２ ＩｎＰ埋め込み層
１３ ｎ−ＩｎＰ層
１４ ｐ−ＩｎＰ層
２１ 第１のＩｎＧａＡｓＰ導波層
２２ 第２のＩｎＧａＡｓＰ導波層
Ａ，Ｂ，Ｃ 領域
Ｌ 領域Ｌの長さ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 吉本 直人
東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日
本電信電話株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−257020（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−26882（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−109159（ＪＰ，Ａ)
特表 平９−508723（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 6/126
G02F 1/025
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に作製された導波路を有す
るデバイスにおいて、 その導波路進行方向の中央部領域に上記埋め込み導波路
に対して別な導波路を設けると共に、上記導波路進行方
向と直交する方向の断面において、二つの導波路間を結
ぶ直線と基板に平行な直線とのなす角がθを示してお
り、その中央部領域における固有な導波モードの有する
最低次から数えて二つの等価屈折率をｎ1及びｎ2 （ｎ
1 ＞ｎ2 ）とすると、その長さＬが、下記式から求めら
れ、中央部領域の一方の側から入射された直線偏波光が
他方の端でその偏波面を２θ回転させることを特徴とす
る波長板型半導体偏波制御デバイス。 【数１】 - 【請求項２】 請求項１記載の波長板型半導体偏波制御
デバイスにおいて、 導波層への電流注入を可能とする電極が設置されてなる
ことを特徴とする波長板型半導体偏波制御デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27052996A JP3393531B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 波長板型半導体偏波制御デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27052996A JP3393531B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 波長板型半導体偏波制御デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10115724A JPH10115724A (ja) | 1998-05-06 |
| JP3393531B2 true JP3393531B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=17487494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27052996A Expired - Lifetime JP3393531B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 波長板型半導体偏波制御デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393531B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8750651B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-06-10 | Alcatel Lucent | Planar polarization rotator |
| JP6226427B2 (ja) * | 2014-05-15 | 2017-11-08 | 日本電信電話株式会社 | 偏波回転素子 |
| GB2612030A (en) * | 2021-10-19 | 2023-04-26 | Ligentec Sa | Dual waveguide polarization rotator |
-
1996
- 1996-10-14 JP JP27052996A patent/JP3393531B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10115724A (ja) | 1998-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030107 |
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