JP3388503B2 - Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device - Google Patents
Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、成形性、高温放置
性および難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物および半導
体封止装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an epoxy resin composition and a semiconductor encapsulation device which are excellent in moldability, high temperature storage property and flame retardancy.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子・電気部品の封止用途に使用されて
いるエポキシ樹脂組成物は、そのままでは非常に燃えや
すく、難燃性をもたせるために、一般には臭素系の難燃
剤およびアンチモン化合物などの難燃助剤が使用されて
いる。しかし、一部のハロゲン系難燃剤を含む材料は、
燃焼時に毒性の強いダイオキシン化合物が発生するので
はないかという指摘から、環境上の問題があった。ま
た、アンチモン化合物は、それ自体の毒性も指摘されて
いる他に、アンチモン化合物が水に溶出しやすいため、
それを含む材料は水質環境に著しく影響を及ぼすという
問題があった。2. Description of the Related Art Epoxy resin compositions used for encapsulation of electronic and electric parts are extremely flammable as they are, and in order to have flame retardancy, they are generally brominated flame retardants and antimony compounds. Flame retardant aids are used. However, materials containing some halogen-based flame retardants are
There was an environmental problem because it was pointed out that a highly toxic dioxin compound might be generated during combustion. In addition to the fact that the antimony compound itself has been pointed out to be toxic, since the antimony compound easily dissolves in water,
The material containing it has a problem that it significantly affects the water quality environment.
【0003】このため、種々の難燃剤が検討されている
が、リン系の難燃剤は少量の添加で難燃性の材料になる
ものの、やはり水質環境に対する問題があり、また金属
酸化物、水酸化物などの無機系難燃剤は難燃性が低いた
めに多量添加の必要があった。また、これらの難燃剤を
使用すると、従来の臭素系・アンチモン化合物の組合せ
と比較して長期の耐湿信頼性に劣るという欠点があっ
た。For this reason, various flame retardants have been investigated, but even if a small amount of phosphorus-based flame retardant is added, it becomes a flame retardant material, but it still has a problem for the water quality environment, metal oxides and water. Inorganic flame retardants, such as oxides, have low flame retardance, so it was necessary to add a large amount. Further, when these flame retardants are used, there is a drawback that the long-term moisture resistance reliability is inferior to the conventional combination of brominated antimony compound.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、環境への影響が極めて低く、半田耐熱性、実装後の
高温放置信頼性に優れた難燃性のエポキシ樹脂組成物お
よびその硬化物で封止された半導体封止装置を提供しよ
うとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a flame-retardant epoxy resin composition having extremely low impact on the environment, excellent solder heat resistance, and high reliability of being left at high temperature after mounting, and its curing. An object of the present invention is to provide a semiconductor encapsulation device sealed with an object.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと、鋭意研究を重ねた結果、特定のフェノ
ール硬化剤を用いる下記組成によって成形性や高温放置
信頼性に優れた難燃性のエポキシ樹脂組成物が得られる
ことを見いだし、本発明を完成したものである。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted extensive studies in order to achieve the above-mentioned object, and as a result, the following composition using a specific phenol curing agent has excellent moldability and high temperature storage reliability. It was found that a flammable epoxy resin composition can be obtained, and the present invention has been completed.
【0006】即ち、本発明は、
(A)エポキシ樹脂、
(B)窒素含有量が10%以上の窒素含有フェノール樹
脂、
(C)トリフェニルホスフィンおよび
(D)最大粒径100μm以下のシリカ粉末を必須成分
として、樹脂組成物全体に対し(D)最大粒径100μ
m以下のシリカ粉末を80〜95重量%含有し、臭素系
難燃剤、アンチモン化合物または金属水酸化物を使用し
ないことを特徴とする難燃性エポキシ樹脂組成物であ
り、その(A)エポキシ樹脂が、o−クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂および
フェノールキシレン樹脂のエポキシ化物からなる群から
選ばれた1種類以上のエポキシ樹脂である難燃性エポキ
シ樹脂組成物である。また、本発明の半導体封止装置
は、上記の難燃性エポキシ樹脂組成物の硬化物によって
封止されたことを特徴とする半導体封止装置である。That is, the present invention provides (A) an epoxy resin, (B) a nitrogen-containing phenol resin having a nitrogen content of 10% or more, (C) triphenylphosphine, and (D) a silica powder having a maximum particle size of 100 μm or less. As an essential component, (D) maximum particle size of 100μ with respect to the entire resin composition
A flame-retardant epoxy resin composition containing 80 to 95% by weight of a silica powder of m or less and not using a brominated flame retardant , an antimony compound or a metal hydroxide, which is an epoxy resin (A). Is a flame-retardant epoxy resin composition which is one or more epoxy resins selected from the group consisting of o-cresol novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and epoxidized phenol xylene resins. The semiconductor encapsulation device of the present invention is a semiconductor encapsulation device characterized by being encapsulated with a cured product of the flame-retardant epoxy resin composition.
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below.
【0008】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、エポキシ基を2個以上有するエポキシ樹脂であれば
種類を問わないが、耐湿信頼性などから好ましくは、一
般式化1に示されるo−クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、一般式化2に示されるビフェニル型エポキシ樹
脂あるいは一般式化3に示されるフェノールキシレン樹
脂のエポキシ化物が使用される。具体的には、例えば、The epoxy resin (A) used in the present invention may be of any kind as long as it is an epoxy resin having two or more epoxy groups, but from the viewpoint of moisture resistance reliability and the like, it is preferable that the epoxy resin represented by the general formula 1 A cresol novolac type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin represented by the general formula 2 or an epoxidized product of a phenol xylene resin represented by the general formula 3 is used. Specifically, for example,
【化4】 (但し、式中、nは1以上の整数を表す)[Chemical 4] (However, in the formula, n represents an integer of 1 or more)
【化5】 [Chemical 5]
【化6】 [Chemical 6]
【化7】
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用
することができる。また、このエポキシ樹脂には、ビス
フェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールF型エポ
キシ樹脂等、その他の一般公知のエポキシ樹脂を併用す
ることができる。[Chemical 7] (However, in the formula, n represents an integer of 1 or more) and the like, and these can be used alone or in combination of two or more kinds. In addition, other generally known epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin can be used in combination with this epoxy resin.
【0009】本発明に用いる(B)窒素含有量が10%
以上の窒素含有フェノール樹脂において、その含有され
る窒素は、当該フェノール樹脂構造のいずれに存在して
いてもよい。例えば、その窒素は、フェノール環に置換
したアミノ基により提供されてもよい。その具体例とし
てアミノフェノール樹脂が挙げられる。The nitrogen content (B) used in the present invention is 10%.
In the above nitrogen-containing phenol resin, the contained nitrogen may be present in any of the phenol resin structures. For example, the nitrogen may be provided by an amino group substituted on the phenol ring. Specific examples thereof include aminophenol resins.
【0010】しかしながら、本発明の好ましい態様とし
ての窒素含有フェノール樹脂は、フェノール化合物とグ
アナミン化合物とアルデヒド化合物との共縮合樹脂であ
る。However, the nitrogen-containing phenol resin as a preferred embodiment of the present invention is a co-condensation resin of a phenol compound, a guanamine compound and an aldehyde compound.
【0011】そこで使用するフェノール化合物として
は、フェノール、レゾルシン、アルキルフェノール(ク
レゾール、キシノール等)を例示することができる。ア
ルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒドなどが特に
好ましい。また、グアナミン化合物としては、次式に示
すことができる。Examples of the phenol compound used therein include phenol, resorcin, and alkylphenol (cresol, xynol, etc.). Formaldehyde and the like are particularly preferable as the aldehyde compound. The guanamine compound can be represented by the following formula.
【0012】[0012]
【化8】
(但し、式中、Rは、アミノ基、フェニル基、又はメチ
ル基等のアルキル基を表す)
具体的なものは、例えば、メラミン、ベンゾグアナミ
ン、メチルグアナミン等が挙げられ、これらは単独又は
2種以上混合して使用することができる。[Chemical 8] (However, in the formula, R represents an amino group, a phenyl group, or an alkyl group such as a methyl group.) Specific examples include, for example, melamine, benzoguanamine, methylguanamine, and the like, which may be used alone or in combination of two kinds. The above can be mixed and used.
【0013】そのような共縮合樹脂は、フェノール化合
物、アルデヒド化合物およびグアナミン化合物を酸触媒
(例えば、シュウ酸、p−トルエンスルホン酸)の存在
下で反応させることによって製造することができる。そ
の場合、アルデヒド化合物とフェノール化合物とのモル
比は、1.0未満、好ましくは0.5ないし1.0未満
であり、かつグアナミン化合物の一級アミノ基(−NH
2 )1つに対して1モルのアルデヒド化合物(例えば、
メラミン1モルに対し、ホルムアルデヒド3モル、ベン
ゾグアナミン1モルに対し、ホルムアルデヒド2モル)
を用いることが好ましい。Such a co-condensation resin can be produced by reacting a phenol compound, an aldehyde compound and a guanamine compound in the presence of an acid catalyst (for example, oxalic acid, p-toluenesulfonic acid). In that case, the molar ratio of the aldehyde compound to the phenol compound is less than 1.0, preferably 0.5 to less than 1.0, and the primary amino group (-NH) of the guanamine compound.
2 ) One mole of aldehyde compound (for example,
(3 mol formaldehyde for 1 mol melamine, 2 mol formaldehyde for 1 mol benzoguanamine)
Is preferably used.
【0014】本発明に用いる(C)トリフェニルホスフ
ィンとしては、不純物濃度が低いものが好ましく使用さ
れる。このトリフェニルホスフィンには、その他の公知
のリン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、DB
U(ジアザビシクロウンデセン)系硬化促進剤、その他
の硬化促進剤を単独又は2種以上混合して使用すること
ができる。(C)トリフェニルホスフィンの配合割合
は、樹脂組成物全体に対して0.01〜5重量%含有す
ることが望ましい。その割合が0.01重量%未満では
樹脂組成物のゲルタイムが長く、半導体封止装置の生産
サイクルが長くなってしまい好ましくない。また、5重
量%を超えると極端に流動性が悪くなるため充填性が悪
くなり、また実装後の耐湿信頼性が劣り好ましくない。As the (C) triphenylphosphine used in the present invention, those having a low impurity concentration are preferably used. This triphenylphosphine contains other known phosphorus-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, DB
A U (diazabicycloundecene) -based curing accelerator and other curing accelerators may be used alone or in combination of two or more. The compounding ratio of (C) triphenylphosphine is preferably 0.01 to 5% by weight based on the entire resin composition. If the proportion is less than 0.01% by weight, the gel time of the resin composition is long and the production cycle of the semiconductor encapsulation device becomes long, which is not preferable. On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the fluidity is extremely deteriorated, the filling property is deteriorated, and the moisture resistance reliability after mounting is deteriorated, which is not preferable.
【0015】本発明に用いる(D)最大粒径100μm
以下のシリカ粉末としては、不純物濃度が低く、平均粒
径が40μm以下のシリカ粉末が好ましく使用される。
最大粒径が100μm以下のシリカ粉末の配合割合は、
全体の樹脂成分に対して80〜95重量%、好ましくは
84〜92重量%である。その割合が80重量%未満で
は樹脂組成物の難燃性が低く、実装後の耐湿信頼性に劣
り、95重量%を超えると極端に流動性が悪くなるため
充填性が悪くなり好ましくない。(D) Maximum particle size 100 μm used in the present invention
As the following silica powder, silica powder having a low impurity concentration and an average particle diameter of 40 μm or less is preferably used.
The blending ratio of silica powder having a maximum particle size of 100 μm or less is
It is 80 to 95% by weight, preferably 84 to 92% by weight, based on the entire resin component. If the proportion is less than 80% by weight, the flame retardancy of the resin composition is low and the moisture resistance reliability after mounting is inferior. If it exceeds 95% by weight, the fluidity is extremely deteriorated and the filling property is deteriorated, which is not preferable.
【0016】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
エポキシ樹脂、窒素含有量が10%以上の窒素含有フェ
ノール樹脂、トリフェニルホスフィンおよび最大粒径1
00μm以下のシリカ粉末を必須成分とするが、本発明
の目的に反しない限度において、また必要に応じて、例
えば天然ワックス類、合成ワックス類などの離型剤、カ
ーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシリコーン系ポリ
マーの低応力付与剤、アミン変性およびエポキシ変性シ
リコーンオイル等のカップリング剤等を適宜添加配合す
ることができる。The epoxy resin composition of the present invention comprises the above-mentioned epoxy resin, a nitrogen-containing phenol resin having a nitrogen content of 10% or more, triphenylphosphine and a maximum particle size of 1.
Silica powder having a particle size of 00 μm or less is an essential component, but as long as it does not deviate from the object of the present invention and, if necessary, a releasing agent such as natural waxes and synthetic waxes, a coloring agent such as carbon black, and rubber. A low-stress imparting agent for a system-based or silicone-based polymer, a coupling agent such as amine-modified and epoxy-modified silicone oil, and the like can be appropriately added and blended.
【0017】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する方法の一般的な方法としては、前述したエ
ポキシ樹脂、窒素含有量が10%以上の窒素含有フェノ
ール樹脂、トリフェニルホスフィンおよび最大粒径10
0μm以下のシリカ粉末、その他の成分を配合し、ミキ
サー等によって十分均一に混合し、さらに熱ロールまた
はニーダ等により加熱溶融混合処理を行い、ついで冷却
固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすること
ができる。こうして作られた成形材料は、半導体装置を
はじめとする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、
絶縁等に適用すれば、優れた成形性と信頼性等の特性を
付与することができる。As a general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material, the above-mentioned epoxy resin, nitrogen-containing phenol resin having a nitrogen content of 10% or more, triphenylphosphine and maximum particle diameter are used. 10
Silica powder of 0 μm or less and other components are blended, sufficiently mixed by a mixer or the like, further subjected to heat melting and mixing treatment with a hot roll or a kneader, then cooled and solidified, and crushed to an appropriate size for molding. It can be a material. The molding material made in this way is used for sealing and coating electronic components such as semiconductor devices or electrical components.
When applied to insulation or the like, it is possible to impart characteristics such as excellent moldability and reliability.
【0018】また、本発明の半導体封止装置は、上記の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより、
容易に製造することができる。封止を行う半導体チップ
としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トラン
ジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるも
のではない。封止の最も一般的な方法としては、トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形等による
封止も可能であり、必要に応じて真空成形することによ
り隙間の充填性を向上させることができる。封止および
封止後加熱して樹脂を硬化させる際、150℃以上にす
ることが望ましい。Further, the semiconductor encapsulation device of the present invention is obtained by encapsulating a semiconductor chip by using the above molding material.
It can be easily manufactured. The semiconductor chip to be sealed is not particularly limited to, for example, an integrated circuit, a large scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode and the like. The most common method of sealing is transfer molding, but sealing by injection molding, compression molding, etc. is also possible, and if necessary vacuum molding can improve the filling property of the gap. it can. When sealing and heating after sealing to cure the resin, it is desirable to set the temperature to 150 ° C. or higher.
【0019】[0019]
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、前述したエポキシ樹脂(特に化1〜3に特定し
たエポキシ樹脂)、窒素含有量が10%以上の窒素含有
フェノール樹脂、トリフェニルホスフィンおよび最大粒
径100μm以下のシリカ粉末を用いることによって、
臭素系難燃剤またはアンチモン化合物を実質的に使用し
なくても難燃性を保持することができ、実装後の高温放
置劣化が少なくなるものである。The epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention include the above-mentioned epoxy resin (particularly the epoxy resins specified in Chemical Formulas 1 to 3), nitrogen-containing phenol resin having a nitrogen content of 10% or more, and triphenylphosphine. And by using silica powder having a maximum particle size of 100 μm or less,
The flame retardancy can be maintained without using a brominated flame retardant or an antimony compound, and the deterioration at high temperature after mounting is reduced.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】次に、本発明を実施例によって具
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限
定されるものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, the present invention will be specifically described with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
【0021】窒素含有フェノール樹脂の合成
ベンゾグアナミン235重量部、37%ホルマリン30
0重量部、およびフェノール87重量部からなる混合物
にシュウ酸0.1重量部を加えた。得られた混合物を8
0℃で2時間反応させた後、減圧下で脱水した。得られ
た共縮合樹脂は、19重量%の窒素を含有していた。Synthesis of nitrogen-containing phenol resin 235 parts by weight of benzoguanamine, 37% formalin 30
0.1 part by weight of oxalic acid was added to a mixture consisting of 0 part by weight and 87 parts by weight of phenol. The resulting mixture is 8
After reacting at 0 ° C. for 2 hours, it was dehydrated under reduced pressure. The resulting co-condensed resin contained 19% by weight nitrogen.
【0022】実施例1
最大粒径100μm以下の溶融球状シリカ粉末(平均粒
径20μm)85重量部をミキサーに入れ、攪拌しなが
らγ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン0.
4重量部を添加して表面処理した。この処理シリカに、
化4のo−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂6.9
重量部、合成した窒素含有フェノール樹脂(窒素含有量
19%)6.7重量部、トリフェニルホスフィン0.4
重量部、エステルワックス0.3重量部およびカーボン
ブラック0.3重量部を常温で混合し、さらに70〜1
00℃で混練してこれを冷却、粉砕して成形材料を製造
した。Example 1 Eighty-five parts by weight of fused spherical silica powder (average particle size 20 μm) having a maximum particle size of 100 μm or less was put in a mixer, and γ-phenylaminopropyltrimethoxysilane (0.1%) was added with stirring.
Surface treatment was carried out by adding 4 parts by weight. With this treated silica,
Chemical Formula 4 o-cresol novolac type epoxy resin 6.9
Parts by weight, 6.7 parts by weight of synthesized nitrogen-containing phenol resin (nitrogen content 19%), triphenylphosphine 0.4
Parts by weight, 0.3 parts by weight of ester wax, and 0.3 parts by weight of carbon black are mixed at room temperature, and then 70 to 1
The mixture was kneaded at 00 ° C., cooled and pulverized to produce a molding material.
【0023】実施例2〜3、比較例1〜2
表1に示す組成で、それぞれ実施例1と同様にして成形
材料を製造した。Examples 2 to 3 and Comparative Examples 1 to 2 Molding materials having the compositions shown in Table 1 were produced in the same manner as in Example 1.
【0024】こうして製造した実施例1〜3、比較例1
〜2の成形材料を用いてトランスファー成形機により1
75℃に加熱した金型内で2分間成形し、さらに175
℃で4時間アフターキュアして試験成形品および半導体
装置を得た。それらについて諸試験を行ったのでその結
果を表2に示したが、本発明のエポキシ樹脂組成物は臭
素系難燃剤やアンチモン化合物を実質的に使用しなくて
も難燃性を保持することができ、その樹脂組成物によっ
て封止された半導体装置は実装後の高温放置信頼性に優
れており、本発明の顕著な効果を確認することができ
た。Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 thus manufactured
1 by transfer molding machine using ~ 2 molding materials
Mold for 2 minutes in a mold heated to 75 ° C, then 175
After-curing at 4 ° C. for 4 hours, a test molded product and a semiconductor device were obtained. Various tests were carried out on them, and the results are shown in Table 2. The epoxy resin composition of the present invention can maintain flame retardancy without substantially using a brominated flame retardant or an antimony compound. The semiconductor device sealed with the resin composition was excellent in high temperature storage reliability after mounting, and the remarkable effect of the present invention could be confirmed.
【0025】[0025]
【表1】 [Table 1]
【表2】
*1:EMMI−I−66に準じたスパイラルフロー測
定を行った(175℃)。[Table 2] * 1: Spiral flow measurement according to EMMI-I-66 was performed (175 ° C).
【0026】*2:熱板法により測定した(175
℃)。* 2: Measured by the hot plate method (175
C).
【0027】*3:適当な大きさの試験片を作り、熱分
析装置を用いて測定した。* 3: A test piece having an appropriate size was prepared and measured using a thermal analyzer.
【0028】*4:UL−94に準じた方法により評価
した(0.8mm厚試験片)。* 4: Evaluated by the method according to UL-94 (0.8 mm thick test piece).
【0029】*5:成形材料を用いて、2本以上のアル
ミニウム配線を有するシリコン製チップを、通常の42
アロイフレームに接着し、170℃で4分間トランスフ
ァー成形した後、170℃で4時間の後硬化を行った。
こうして得た成形品を予め30℃,60%,100時間
の吸湿処理をした後、250℃の半田浴に10秒間浸漬
した。その後、200℃における高温放置試験を行い、
アルミニウム配線のオープン・ショートを不良として評
価した。* 5: Using a molding material, a silicon chip having two or more aluminum wirings is formed into a normal 42
After bonding to an alloy frame and transfer molding at 170 ° C. for 4 minutes, post-curing was performed at 170 ° C. for 4 hours.
The molded product thus obtained was previously subjected to moisture absorption treatment at 30 ° C. and 60% for 100 hours, and then immersed in a solder bath at 250 ° C. for 10 seconds. After that, a high temperature storage test at 200 ° C is performed,
The open / short of the aluminum wiring was evaluated as a defect.
【0030】*6:試験片がすべて燃えきり、V−0、
V−1、HBのいずれにも属さなかった。* 6: All test pieces burned out, V-0,
It did not belong to either V-1 or HB.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上の説明および表2から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物は、臭素系難燃剤やア
ンチモン化合物を実質的に使用しなくても難燃性を保持
することができ、環境に対する影響が少なく、その樹脂
組成物によって封止された半導体装置は成形性に優れ、
実装後長期にわたり高温放置信頼性を保証することがで
きる。As is clear from the above description and Table 2, the epoxy resin composition of the present invention can maintain flame retardancy without substantially using a brominated flame retardant or an antimony compound. The semiconductor device sealed with the resin composition has excellent moldability,
High-temperature storage reliability can be guaranteed for a long time after mounting.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C08L 63/00 C08L 63/00 Z H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 59/24 C08G 59/32 - 59/38 C08G 59/40 - 59/66 C08L 63/00 - 63/10 H01L 23/29 H01L 23/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI C08L 63/00 C08L 63/00 Z H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C08G 59/24 C08G 59/32-59/38 C08G 59/40-59/66 C08L 63/00-63/10 H01L 23/29 H01L 23/31
Claims (4)
脂、 (C)トリフェニルホスフィンおよび (D)最大粒径100μm以下のシリカ粉末を必須成分
として、樹脂組成物全体に対し(D)最大粒径100μ
m以下のシリカ粉末を80〜95重量%含有し、臭素系
難燃剤、アンチモン化合物または金属水酸化物を使用し
ないことを特徴とする難燃性エポキシ樹脂組成物。1. An (A) epoxy resin, (B) a nitrogen-containing phenol resin having a nitrogen content of 10% or more, (C) triphenylphosphine and (D) a silica powder having a maximum particle size of 100 μm or less as essential components, (D) Maximum particle size of 100μ for the entire resin composition
A flame-retardant epoxy resin composition comprising 80 to 95% by weight of silica powder of m or less and not using a brominated flame retardant , an antimony compound or a metal hydroxide .
o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、 【化1】 (但し、式中、nは1以上の整数を表す) 次式に示すビフェニル型エポキシ樹脂、 【化2】 (但し、式中、R1 は水素原子またはアルキル基を表
す)および次式に示すフェノールキシレン樹脂のエポキ
シ化物 【化3】 (但し、式中、nは1以上の整数を表す)からなる群か
ら選ばれた1種類以上のエポキシ樹脂である請求項1記
載の難燃性エポキシ樹脂組成物。2. The (A) epoxy resin is an o-cresol novolac type epoxy resin represented by the following formula: (In the formula, n represents an integer of 1 or more.) A biphenyl type epoxy resin represented by the following formula: (Wherein, R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group) and an epoxidized compound of a phenol xylene resin represented by the following formula: The flame-retardant epoxy resin composition according to claim 1, which is one or more epoxy resin selected from the group consisting of (wherein, n represents an integer of 1 or more).
ェノール化合物とグアナミン化合物とアルデヒド化合物
の共縮合樹脂である請求項1記載の難燃性エポキシ樹脂
組成物。3. The flame-retardant epoxy resin composition according to claim 1, wherein the nitrogen-containing phenol resin (B) is a co-condensation resin of a phenol compound, a guanamine compound and an aldehyde compound.
燃性エポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導体チップ
が封止されてなることを特徴とする半導体封止装置。4. A semiconductor encapsulation device, wherein a semiconductor chip is encapsulated with a cured product of the flame-retardant epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 3.
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