JP3386250B2 - Thermal dependency detector - Google Patents

Thermal dependency detector

Info

Publication number
JP3386250B2
JP3386250B2 JP25858794A JP25858794A JP3386250B2 JP 3386250 B2 JP3386250 B2 JP 3386250B2 JP 25858794 A JP25858794 A JP 25858794A JP 25858794 A JP25858794 A JP 25858794A JP 3386250 B2 JP3386250 B2 JP 3386250B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
heat
temperature
substrate
generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP25858794A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH08122160A (en
Inventor
順二 間中
重樹 高野
一寿 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Elemex Corp
Original Assignee
Ricoh Elemex Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Elemex Corp filed Critical Ricoh Elemex Corp
Priority to JP25858794A priority Critical patent/JP3386250B2/en
Publication of JPH08122160A publication Critical patent/JPH08122160A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3386250B2 publication Critical patent/JP3386250B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、熱依存性検出装置、よ
り詳細には、温度,湿度,ガス,赤外線,圧力,真空
度,加速度,流量・流速等,測定値が熱(温度)に依存
する被測定対象の物理量を測定する装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat dependence detecting device, and more specifically, to temperature (humidity), measured values such as temperature, humidity, gas, infrared ray, pressure, vacuum degree, acceleration, flow rate and flow velocity. The present invention relates to an apparatus for measuring a dependent physical quantity of an object to be measured.

【0002】[0002]

【従来の技術】図17は、従来の検出装置の一例を説明
するための構成図で、図17(a)は平面図、図17
(b)は図17(a)のB−B線断面図を示し、図中、
1は例えばSi基板、2は該Si基板1に設けられた空
洞で、周知のように、該空洞2の上部には、例えば、S
iO2,Ta25等のような絶縁膜3からなる橋が架け
られ、該橋の上には、例えば、Pt,NiCr等からな
る抵抗体パターン4が配設され、更に、該抵抗体パター
ン4の上には、SiO1,Ta25等からなる保護膜5
が設けられ、ボンデングワイヤ6を通して前記抵抗体パ
ターン4に電流が流され、該抵抗体パターン4は、その
発熱部もしくは感温(熱)部Aが加熱される。
17 is a block diagram for explaining an example of a conventional detecting device, FIG. 17 (a) is a plan view and FIG.
17B is a sectional view taken along line BB of FIG. 17A, in which
1 is, for example, a Si substrate, 2 is a cavity provided in the Si substrate 1, and as is well known, the upper portion of the cavity 2 is, for example, S
A bridge made of an insulating film 3 such as iO 2 or Ta 2 O 5 is bridged, and a resistor pattern 4 made of, for example, Pt or NiCr is disposed on the bridge. A protective film 5 made of SiO 1 , Ta 2 O 5 or the like is formed on the pattern 4.
Is provided and a current is applied to the resistor pattern 4 through the bonding wire 6, and the heat generating portion or the temperature sensitive (heat) portion A of the resistor pattern 4 is heated.

【0003】上述のごとき検出器を用いて、例えば、湿
度を測定する場合を例に説明すると、抵抗4の抵抗値が
周囲の温度及び湿度に依存するため、例えば、最初に湿
度感度が0になるような微少電流を流して周囲温度に関
する抵抗値を測定し、次いで、湿度感度を有する電流を
流して周囲温度及び湿度に関する抵抗値を測定し、次い
で、この温度及び湿度に関する測定値から前記温度に関
する測定値を差し引いて、周囲の湿度を測定するように
している。
Taking the case of measuring humidity using the detector as described above as an example, the resistance value of the resistor 4 depends on the ambient temperature and humidity. A resistance value related to ambient temperature is measured by passing such a minute current, and then a resistance value related to ambient temperature and humidity is measured by flowing a current having humidity sensitivity. The ambient humidity is measured by subtracting the measured value for.

【0004】上述のごとき検出装置は、半導体及び集積
回路の微細加工技術を用いて、基板1と空間を隔てて
(基板1に空洞2を設けて基板1との熱伝導を避けて)
発熱又は感温部Aを形成しているが、チップは半導体製
造技術の通常の程度からして、そのサイズは厚さ0.1
〜2mm、広さ0.5×0.5mm〜10×10mmである。こ
の寸法内に上述の空洞2を設けると、発熱部又は感温部
Aと空洞壁2bの距離が、特に空洞底部2aに対して5
0〜300μmと接近してしまい、大きな間隔をとれな
い。この距離が近いと、発熱部Aよりはるかに熱容量の
大きい基板1の温度状態により発熱部が影響を受けてし
まい、せっかくの空洞部による熱絶縁の効果がなくなっ
てしまう。すなわち、基板1からの熱輻射および空洞2
内の雰囲気の熱伝導が距離が近いために、このような熱
絶縁の効果がなくなってしまうという欠点を生ずる。
The detection device as described above uses a fine processing technique for semiconductors and integrated circuits to separate a space from the substrate 1 (a cavity 2 is provided in the substrate 1 to avoid heat conduction with the substrate 1).
Although the heat-generating or temperature-sensitive part A is formed, the size of the chip is 0.1 in view of normal semiconductor manufacturing technology.
The width is ˜2 mm and the width is 0.5 × 0.5 mm to 10 × 10 mm. When the above-described cavity 2 is provided within this dimension, the distance between the heat-generating portion or temperature-sensing portion A and the cavity wall 2b becomes 5 in particular with respect to the cavity bottom 2a.
Since it approaches 0 to 300 μm, a large space cannot be secured. If this distance is short, the heat generating portion is affected by the temperature state of the substrate 1 having a much larger heat capacity than the heat generating portion A, and the effect of thermal insulation due to the hollow portion is lost. That is, the heat radiation from the substrate 1 and the cavity 2
Since the heat conduction of the inner atmosphere is short, the effect of such heat insulation disappears.

【0005】図18は、従来の検出装置の他の例を説明
するための要部構成図で、図中、1は基板、2は空洞、
3は絶縁膜、4は発熱及び/又は感温材料、4aは該発
熱又は感温材料4に対するリードパターン、6はボンデ
ングワイヤ、7はリードワイヤ、8はパッケージベー
ス、9はパッケージキャップで、基板1乃至ボンデング
ワイヤ6よりなる検出部は、図17の場合と同様にし
て、周囲の温度,湿度,その他の物理量を測定する。
FIG. 18 is a main part configuration diagram for explaining another example of the conventional detection apparatus. In the figure, 1 is a substrate, 2 is a cavity,
3 is an insulating film, 4 is a heat and / or temperature sensitive material, 4a is a lead pattern for the heat or temperature sensitive material 4, 6 is a bonding wire, 7 is a lead wire, 8 is a package base, 9 is a package cap, The detection unit including the substrate 1 to the bonding wire 6 measures ambient temperature, humidity, and other physical quantities in the same manner as in the case of FIG.

【0006】上述のごとき検出装置において、基板上の
感温材料4が受ける熱の影響として、周辺基板1からの
熱輻射(a1)、外部パッケージ9からの熱輻射
(a2)、ブリッジのサスペンション3からの熱伝導
(b1)、パッケージベース8からの熱伝導(b2)、周
辺の対流(b3)の熱伝導等がある。この感温材料4の
周囲温度の変化に対する応答時間は、周囲温度が80℃
である状態を20℃にした場合、感温材料が20℃にな
るまでに約20minを要する。感温材料4は、基板1の
空洞部2を介しているため、パッケージ8,9や基板1
と接触しておらず、しかも、微小熱容量であることもあ
り、もっと急速に周囲雰囲気の温度になじんでも良いも
のと考えられるが、実際は、上述のように多大な時間を
要してしまう。因に、パッケージベースの応答時間も約
20minである。従って、感温材料は空洞部が有っても
無くても応答時間は短くならない。
In the detection device as described above, the influence of heat received by the temperature-sensitive material 4 on the substrate is that the heat radiation from the peripheral substrate 1 (a 1 ), the heat radiation from the external package 9 (a 2 ), the bridge There are heat conduction from the suspension 3 (b 1 ), heat conduction from the package base 8 (b 2 ), heat conduction from peripheral convection (b 3 ), and the like. The response time of the temperature-sensitive material 4 to changes in the ambient temperature is 80 ° C.
If the temperature is 20 ° C., it takes about 20 minutes for the temperature-sensitive material to reach 20 ° C. Since the temperature-sensitive material 4 passes through the cavity 2 of the substrate 1, the packages 8 and 9 and the substrate 1
It may be possible to adapt to the temperature of the surrounding atmosphere more rapidly because it does not come into contact with and has a minute heat capacity, but in reality, it takes a lot of time as described above. The package-based response time is also about 20 min. Therefore, the temperature sensitive material does not have a short response time with or without a cavity.

【0007】上述のごとき検出装置においては、発熱又
は感温部の材料及びその配置をアレンジすることによ
り、例えば、温度,湿度,ガス,赤外線,圧力,真空
度,加速度,流量・流速等を被測定対象の物理現象とし
て、以下の1〜7の原理、すなわち、 1.電気抵抗体の抵抗値変化として、 2.雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の電
気抵抗値が変化するものとして、 3.雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の静
電容量が変化するものとして、 4.雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の重
量変化を共振周波数変化として、 5.雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の化
学反応により反応熱を生じ、この熱を別の抵抗体の抵抗
値変化として、 6.温度変化を熱電対膜の出力電圧変化として、 7.たわみ量をピエゾ抵抗効果の出力電圧変化として、
利用することにより測定される。
In the detection device as described above, by arranging the material of the heat-generating or temperature-sensitive part and its arrangement, for example, temperature, humidity, gas, infrared rays, pressure, vacuum degree, acceleration, flow rate, flow velocity, etc. are detected. As the physical phenomenon to be measured, the following principles 1 to 7, namely, 1. As the resistance value change of the electric resistor, 2. It has a sensitive film for desorbing an atmosphere and the electric resistance value of the sensitive film changes. 3. It has a sensitive film that desorbs an atmosphere, and the capacitance of the sensitive film changes. 4. A sensitive film for desorbing an atmosphere is provided, and a change in weight of the sensitive film is used as a change in resonance frequency. 5. Having a sensitive film for desorbing the atmosphere, the reaction heat is generated by the chemical reaction of the sensitive film, and this heat is used as the resistance value change of another resistor. 6. The temperature change is taken as the output voltage change of the thermocouple membrane, Deflection is the output voltage change of the piezoresistive effect,
It is measured by using.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】前記1乃至7の測定原
理を用いて被測定対象の物理量を測定する場合、その測
定値は、温度により影響を受けるものであるから、被測
定対象の温度が正確に分っていないと、意味のない測定
結果になってしまう。例えば、気体の圧力をピエゾ抵抗
によって検出する際に、その気体の温度が分っていない
と、正確な圧力は分らない。気体の温度とピエゾ抵抗の
温度(ピエゾ抵抗に温度依存性がある)が、ある知られ
た関係にあれば良いが、そうでない場合には、温度補償
なる手段により解決しようとする。しかし、温度平衡に
なるまでピエゾ抵抗を気体中に放置すれば別であるが、
実際には、気体の温度変動とピエゾ抵抗の温度変動がピ
エゾ抵抗の多大なる熱容量が原因で追従できない。その
結果、温度補償が不完全になってしまう。
When the physical quantity of the object to be measured is measured by using the above-mentioned measurement principles 1 to 7, the measured value is influenced by the temperature. If you don't know it accurately, you will get meaningless measurement results. For example, when the pressure of a gas is detected by piezo resistance, if the temperature of the gas is not known, the accurate pressure cannot be known. It suffices that the temperature of the gas and the temperature of the piezoresistive (the piezoresistive have temperature dependence) have a certain known relationship, but if not, a solution of temperature compensation is used. However, if the piezoresistor is left in gas until temperature equilibrium is reached,
In reality, the temperature variation of the gas and the temperature variation of the piezoresistance cannot follow because of the large heat capacity of the piezoresistance. As a result, temperature compensation becomes incomplete.

【0009】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたもので、特に、空洞部を有し、該空洞部の上に発熱
及び/又は感温材料を有する検出装置において、前記発
熱及び/又は感温材料に対する周囲温度の影響をできる
だけなくし、もって、発熱又は感温材料の応答特性を改
善することを目的としてなされたものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and in particular, in a detection device having a hollow portion and heat and / or temperature sensitive material on the hollow portion, Alternatively, the purpose of the present invention is to eliminate the influence of the ambient temperature on the temperature-sensitive material as much as possible, thereby improving the heat generation or the response characteristics of the temperature-sensitive material.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、(1)空洞を有する基板と、該空洞の上
部に設けられた発熱及び/又は感温部材とを有し、該発
熱及び/又は感温部材の抵抗値より被測定対象の物理量
を検出する温度依存性検出装置において、前記空洞
記基板を貫通する貫通空洞で、該貫通空洞が前記基板の
少なくとも一方の側方において開口していること、更に
は、()貫通空洞を有するとともに、該貫通空洞の少
なくとも一方の端が開口している基板と、前記貫通空洞
の前記開口した側に架橋された発熱及び/又は感温部材
とを有し、前記開口を上端にして前記基板をパッケージ
ケースに固定したこと、更には、()貫通空洞を有す
るとともに、該貫通空洞の一端が開口している基板と、
前記貫通空洞の前記開口側に架橋された発熱及び/又は
感温部材とを有し、前記基板を水平にして、かつ、前記
開口から離れている側をパッケージケースに固定したこ
と、更には、()前記パッケージケース側から前記架
橋に至るまでの前記基板を一本にし、前記架橋部のみ貫
通空洞にするとともに、該貫通空洞の少なくとも一端を
開口としたこと、更には、()貫通空洞と該貫通空洞
に隣接して該貫通空洞と独立した有底の空洞を有する基
板と、前記有底空洞の上部に架橋された発熱及び/又は
感温部材とを有し、前記貫通空洞側をベースプレートに
固定するようにしたこと、更には、()前記()に
おける貫通空洞を有底の空洞としたこと、更には、
)前記()又は()において、前記発熱及び/
又は感温部材を有する空洞が貫通空洞であること、更に
は、()前記()又は()又は()において、
前記発熱及び/又は感温部材を有する空洞の少なく一方
の側部が開口していること、更には、()先端部がコ
の字型又はロの字型に開口したベース部材を有し、該コ
の字型又はロの字型に開口した部分に発熱及び/又は感
温部材を具備した検出チップが架橋されていること、更
には、(10)基板上に感温部材,該感温部材に対する
リードパターン,及び、該リードパターンを外部回路に
接続するためのボンデングパッドを有する検出装置にお
いて、前記ボンデングパッドの近傍に前記基板を貫通す
る穴を有すること、更には、(11)空洞を有する基板
と、該空洞の上部に架橋された発熱及び/又は感温部材
と、該感温部材を架橋するサスペンジョンとを有する熱
依存性検出装置において、前記サスペンジョンの幅を、
該サスペンジョンの上に配設されている前記発熱及び/
又は感温部材用のリードパターンの幅よりも狭くしたこ
と、更には、(12)空洞を有する基板と、該空洞の上
部に架橋された発熱及び/又は感温部材を有する熱依存
性検出装置において、前記発熱及び/又は感温部材を支
持するサスペンジョン部の一部が、前記発熱及び/又は
感温部材に電力を供給するリードパターンのみであるこ
とを特徴としたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises (1) a substrate having a cavity and a heat-generating and / or temperature-sensing member provided above the cavity, in the temperature dependence detector for detecting a physical quantity of the object to be measured than the resistance value of the heat generating and / or temperature-sensitive member, before Symbol cavity a through cavity through the front <br/> Symbol substrate and said through cavity Opening on at least one side of the substrate, and ( 2 ) a substrate having a through cavity and at least one end of the through cavity being open, and the through cavity having the opening. A heat generating and / or temperature sensitive member cross-linked to the side, and the substrate is fixed to a package case with the opening as an upper end, and ( 3 ) the through cavity has one end. A substrate with an open
Having a heat generating and / or temperature sensitive member cross-linked on the opening side of the through cavity, the substrate is horizontal, and the side away from the opening is fixed to a package case, ( 4 ) One substrate is provided from the package case side to the bridge, and only the bridge portion has a through cavity, and at least one end of the through cavity is an opening. Further, ( 5 ) through A substrate having a cavity and a bottomed cavity adjacent to the through cavity and independent of the through cavity; and a heat-generating and / or temperature-sensing member bridged above the bottomed cavity, the through cavity side Is fixed to the base plate, further, ( 6 ) the through cavity in ( 5 ) above is a cavity with a bottom, and further,
( 7 ) In the above ( 5 ) or ( 6 ), the heat generation and / or
Alternatively, the cavity having the temperature sensitive member is a through cavity, and further ( 8 ) in ( 5 ) or ( 6 ) or ( 7 ) above,
At least one side portion of the cavity having the heat-generating and / or temperature-sensitive member is open, and ( 9 ) the base member has a U-shaped or U-shaped opening at the tip. A detection chip having a heat-generating and / or temperature-sensing member is cross-linked at the opening of the U-shape or the U-shape, and ( 10 ) the temperature-sensing member on the substrate, In a detection device having a lead pattern for a temperature member and a bonding pad for connecting the lead pattern to an external circuit, a hole penetrating the substrate is provided in the vicinity of the bonding pad, and further, ( 11 ) In a heat-dependent detection device having a substrate having a cavity, a heat-generating and / or temperature-sensitive member bridged to the upper part of the cavity, and a suspension bridging the temperature-sensitive member, the width of the suspension is
The heat generation and / or the heat radiation disposed on the suspension.
Alternatively, the width of the lead pattern for the temperature-sensitive member is made narrower, and further, a substrate having a ( 12 ) cavity and a heat-dependent detection device having a heat generation and / or temperature-sensitive member bridged to the upper part of the cavity. The part of the suspension portion supporting the heat-generating and / or temperature-sensitive member is only a lead pattern for supplying electric power to the heat-generating and / or temperature-sensitive member.

【0011】[0011]

【作用】空洞部の上部に発熱及び/又は感温材料を有す
る検出装置において、 (1)空洞部の寸法を大きくし、或いは、基板と発熱部
の距離をはなす等の手段を講ずることにより、発熱及び
/又は感温材料の応答特性を改善する。
In the detection device having the heat-generating and / or temperature-sensitive material in the upper part of the cavity, (1) by increasing the size of the cavity, or by taking measures such as separating the substrate from the heat-generating portion, Improving the response characteristics of the exothermic and / or temperature sensitive material.

【0012】[0012]

【実施例】図1は、本発明が適用される検出装置の一例
説明するための要部断面構成図で、図中、1は基板、
2は該基板1に形成された空洞、3は該空洞2の上に設
けられた橋(ブリッジ)を形成するための絶縁膜、4は
発熱及び/又は感温材料、5は保護膜(なお、全図を通
して同様の作用をする部分には同一の参照番号が付して
ある)で、これらは、図17に示した従来技術と同様に
して、例えば、周囲の温度を測定する。前記基板1がS
i基板であるとすると、市販品のウエハーは、6インチ
径の場合、厚さは0.5〜1mm程であり、従来の検出装
置においては、空洞2の深さは、図中に点線Pにて示す
ように、基板1の厚さの約半分程度であった。これに対
して、本発明においては、空洞2を形成するためのエッ
チングを更に進めて、基板1の厚さぎりぎりまで(例え
ば、基板1の空洞底部の厚さが0.1mmになるまで)空
洞2を掘り下げて、図中に実線にて示すように、基板1
内の空洞2を大きくしている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an example of a detection device to which the present invention is applied.
In principal part cross-sectional view for illustrating the, in the figure, 1 is a substrate,
2 is a cavity formed in the substrate 1, 3 is an insulating film for forming a bridge provided on the cavity 2, 4 is a heat-generating and / or temperature-sensitive material, and 5 is a protective film (note that , Which have the same reference numbers throughout the drawings), these measure the ambient temperature, for example, in the same manner as in the prior art shown in FIG. The substrate 1 is S
If it is an i substrate, a commercially available wafer has a thickness of about 0.5 to 1 mm in the case of a diameter of 6 inches, and in the conventional detection device, the depth of the cavity 2 is indicated by a dotted line P in the figure. As shown in, the thickness was about half the thickness of the substrate 1. On the other hand, in the present invention, the etching for forming the cavity 2 is further advanced so that the thickness of the substrate 1 is barely reached (for example, until the thickness of the cavity bottom of the substrate 1 becomes 0.1 mm). 2 is dug down, and as shown by the solid line in the figure, the substrate 1
The inner cavity 2 is enlarged.

【0013】図2は、本発明が適用される検出装置の他
の例を説明するための要部断面構成図で、この例は、基
板1として厚さの厚いもの(例えば、1〜5mm)を用意
(予め製作)し、基板1の厚さぎりぎりまでエッチング
を進めて(0.9〜4.9mm)、空洞部11を大きくした
ものである。
FIG. 2 shows another detection device to which the present invention is applied.
Etching in fragmentary cross-sectional configuration diagram for explaining the examples, examples of this are thicker in thickness as the substrate 1 (e.g., 1 to 5 mm) prepared was (prefabricated), until the last minute of the substrate 1 thickness (0.9 to 4.9 mm), the cavity 11 is enlarged.

【0014】図3(a),(b)は、それぞれ本発明
適用される検出装置の他の例を示す要部断面図で、共
に、基板1に貫通穴(空洞)2を形成したもので、図3
(a)は、上部から一方的にエッチングを行って貫通空
洞2を形成したもの、図3(b)は、裏面からもエッチ
ングを進めて貫通空洞2を形成したものである。
[0014] FIG. 3 (a), (b), it present invention, respectively
FIG. 3 is a cross-sectional view of an essential part showing another example of an applied detecting device , both of which show a through hole (cavity) 2 formed in a substrate 1.
In FIG. 3A, the through-cavity 2 is formed by unilaterally etching from the top, and in FIG. 3B, the through-cavity 2 is formed by advancing the etching from the back surface.

【0015】図4は、本発明が適用される他の例を説明
するための要部断面図で、図中、10は台座、11は該
台座10に設けられた切り欠き穴、12はハンダその他
の接着剤で、この実施例は、図3に示したようにして形
成した貫通空洞2を有する基板1の下部に別の通気性に
優れた切り欠き穴11を有する台座10を取り付け、図
2と同様の効果を持たせたものである。なお、切り欠き
穴11はパッケージにダイボンドした後に溶解又は選択
エッチングにて形成してもよい。このようにすると、基
板を薄手化し、しかも、エッチングを短時間に行うこと
ができる利点がある。
FIG. 4 is a sectional view of an essential part for explaining another example to which the present invention is applied . In the figure, 10 is a pedestal, 11 is a notch hole provided in the pedestal 10, and 12 is solder. In this embodiment, another pedestal 10 having another cutout hole 11 having excellent air permeability is attached to the lower portion of the substrate 1 having the through cavity 2 formed as shown in FIG. It has the same effect as 2. The cutout hole 11 may be formed by melting or selective etching after die-bonding to the package. This has the advantage that the substrate can be made thin and etching can be performed in a short time.

【0016】図5は、本発明の実施例(請求項)を
説明するための図で、図中、5(a)は平面図、図5
(b)は、図5(a)のB−B線断面図で、この実施例
は、基板1に貫通空洞2を設けるとともに、この貫通空
洞の少なくとも一方を図5(a)にAにて示すように、
開口したもので、この場合、基板1としてSi(110)
を用いるとよい。
FIG. 5 is a diagram for explaining one embodiment (claim 1 ) of the present invention, in which 5 (a) is a plan view and FIG.
5B is a sectional view taken along the line BB of FIG. 5A. In this embodiment, a through-hole cavity 2 is provided in the substrate 1 and at least one of the through-hole cavities is indicated by A in FIG. 5A. As shown
Opened, in this case Si (110) as the substrate 1
Should be used.

【0017】図6は、本発明の他の実施例(請求項
を説明するための構成図で、図6(a)に正面図、図6
(b)に同6B−B線断面図を示す。而して、この実施
例は基板に貫通空洞2を設けるとともに、この貫通空洞
の一方を開口Aし、この開口Aを上側にして、基板1を
縦方向にして使用するようにしたもので、図中、12は
基板1をパッケージベース8に取り付けるためのダイボ
ンドペーストであり、13はボンデングパッドである。
このようにすると、発熱又は感温部材4を基板1の支持
台座部(ここに、ボンデングパッド13を配設する)か
ら距離を持たせて、つまり、遠ざけて配設することがで
き、更には、発熱,感温部材4をパッケージベース8か
ら遠い位置に配置することができる。
FIG. 6 shows another embodiment (claim 2 ) of the present invention.
6A and 6B are configuration diagrams for explaining FIG. 6A and FIG.
FIG. 6B shows a sectional view taken along the line 6B-B. Thus, in this embodiment, the through-hole cavity 2 is provided in the substrate, one of the through-hole cavities is formed with the opening A, and the opening A is set to the upper side, and the substrate 1 is used in the vertical direction. In the figure, 12 is a die bond paste for attaching the substrate 1 to the package base 8, and 13 is a bonding pad.
By doing so, the heat generating or temperature sensitive member 4 can be arranged at a distance from the support pedestal portion of the substrate 1 (where the bonding pad 13 is arranged), that is, at a distance. The heat generating and temperature sensitive member 4 can be arranged at a position far from the package base 8.

【0018】図7は、本発明の他の実施例(請求項
を説明するための要部構成図で、図7(a)は平面図、
図7(b)は図7(a)のB−B線断面、図7(c)は
図7(a)のC−C線断面図で、図中、14はベースプ
レート、4aはリードフィルムパターンである。而し
て、この実施例は、ベースプレート14を用い、このベ
ースプレート14上に、基板1を水平に実装したもの
で、基板1には、一方の側Aにおいて開口した貫通空洞
2が設けられており、基板1は、この開口Aと反対の側
のボンデングパッド13付近においてベースプレート1
4によりパッケージベース8に取り付けられている。こ
のようにすると、発熱又は感温部材4をボンデングパッ
ド13から遠ざけることができ、しかも、一方(A側)
が開口されているので通気性がよい。
FIG. 7 shows another embodiment of the present invention (claim 3 ).
FIG. 7 (a) is a plan view, FIG.
7B is a sectional view taken along line BB of FIG. 7A, and FIG. 7C is a sectional view taken along line CC of FIG. 7A, in which 14 is a base plate and 4a is a lead film pattern. Is. Thus, in this embodiment, the base plate 14 is used, and the substrate 1 is horizontally mounted on the base plate 14. The substrate 1 is provided with the through cavity 2 which is open on one side A. The substrate 1 is located near the bonding pad 13 on the side opposite to the opening A.
It is attached to the package base 8 by 4. In this way, the heat generating or temperature sensitive member 4 can be kept away from the bonding pad 13 and, on the other hand, one side (A side)
Since it is opened, it has good breathability.

【0019】図8は、従来の検出装置の一例を示す概略
構成図で、図中、4は感温センサ(サーミスタビー
ド)、7はステム、8はパッケージケースで、図示のよ
うに、感温センサ4は、ステム7によってパッケージケ
ース8から1〜3mm程度離した位置に配設されている。
これに対して、図7に示した実施例においては、基板1
が図におけるステム7の役割りができるため、ベース
プレート14の熱の影響を小さくすることができる。ま
た、基板1にステムが一体化された構造となっているた
め、感温部材(サーミスタビード)とステムの2つの部
品を一度に作ることができる利点がある。
FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of a conventional detection device. In the figure, 4 is a temperature sensor (thermistor bead), 7 is a stem, and 8 is a package case. The sensor 4 is arranged at a position separated by about 1 to 3 mm from the package case 8 by the stem 7.
On the other hand, in the embodiment shown in FIG.
Can play the role of the stem 7 in FIG. 8, so that the influence of heat of the base plate 14 can be reduced. Further, since the stem is integrated with the substrate 1, there is an advantage that two parts, that is, the temperature sensitive member (thermistor bead) and the stem can be manufactured at one time.

【0020】図9は、本発明の他の実施例(請求項
を説明するための図で、図9(a)は平面図、図9
(b)は図9(a)のB−B線断面図である。而して、
この実施例は、図7における2本の基板(ビーム)1の
ボンデングパッド部から架橋部(ブリッジ部)までを1
本にまとめたもので、このようにすると、2本のときよ
り、ビームの断面積を減らすことができ、ベースプレー
ト側の熱伝導をさらに小さくすることができる。
FIG. 9 shows another embodiment of the present invention (claim 4 ).
9A is a plan view and FIG.
9B is a sectional view taken along line BB of FIG. 9A. Therefore,
In this embodiment, the two boards (beams) 1 shown in FIG.
In this case, the cross-sectional area of the beam can be reduced and the heat conduction on the side of the base plate can be further reduced.

【0021】図10は、本発明の他の実施例(請求項
)を説明するための図で、図10(a)は平面図、図
10(b)は図10(a)のB−B線断面図で、図中、
2′は貫通空洞、2は有底空洞で、該有底空洞2の上部
に発熱,感温部材4が架橋されている。而して、この実
施例によると、ベースプレート14から発熱又は感温部
材4に至る基板1に貫通空洞2′が設けられているた
め、ベースプレート14からの熱伝導を減少させること
ができる。また、発熱又は感熱部材4は、周辺が囲まれ
た、つまり、前記の貫通空洞2′とは独立した有底空洞
2上に架橋されており、この構造によって、ウエハ(基
板)のダイシングが容易となる。すなわち、基板1は四
角形であり、ダイシングラインに沿ってダイシングする
ことができ、しかも、発熱,感温部材4が有底空洞2部
に配設されているので、ダイシング時の機械ショックや
異物の衝突に対して強い。
FIG. 10 shows another embodiment of the present invention (claims).
5 (a) is a plan view, FIG. 10 (b) is a sectional view taken along line BB of FIG. 10 (a), and FIG.
Reference numeral 2'denotes a through cavity, 2 is a bottomed cavity, and a heat generating and temperature sensitive member 4 is bridged to the top of the bottomed cavity 2. Thus, according to this embodiment, since the through-hole 2'is provided in the substrate 1 extending from the base plate 14 to the heat-generating or temperature-sensitive member 4, the heat conduction from the base plate 14 can be reduced. Further, the heat-generating or heat-sensitive member 4 is surrounded, that is, bridged on the bottomed cavity 2 independent of the through cavity 2 ′, and this structure facilitates dicing of the wafer (substrate). Becomes That is, the substrate 1 has a quadrangular shape and can be diced along the dicing line. Further, since the heat generating and temperature sensitive member 4 is disposed in the bottomed cavity 2, the mechanical shock and foreign matter during dicing can be prevented. Strong against collisions.

【0022】図11は、本発明の他の実施例(請求項
)を説明するための図で、図11(a)は平面図、図
11(b)は図11(a)のB−B線断面図で、この実
施例は、図10に示した実施例の貫通空洞2′を有底の
空洞2″としたものである。なお、図10,図11にお
いては、発熱,感温部材4の下部の空洞2が有底である
が、勿論、この空洞2を貫通空洞とすることも可能であ
り、更には、基板1の端部1a部をなくして、この部分
を開口し、図7,図9に示した実施例と同様、開口Aと
してもよいことは容易に理解できよう。
FIG. 11 shows another embodiment of the present invention (claims).
6A ), FIG. 11A is a plan view, FIG. 11B is a sectional view taken along the line BB of FIG. 11A, and this embodiment is the same as the embodiment shown in FIG. The through-hole cavity 2'in the example is a bottomed cavity 2 ". In FIGS. 10 and 11, the cavity 2 under the heat- and temperature-sensitive member 4 has a bottom. It is also possible to make the cavity 2 a through cavity, and further, the end portion 1a of the substrate 1 is eliminated and this portion is opened, and the opening A is also formed as in the embodiment shown in FIGS. The good things are easy to understand.

【0023】図12は、図7,図9,図10,図11に
示した検出装置を例とした実装プロセスのフローを示す
図、図13は、図12に示したフローに従った組み立て
手順を示す概略構成図で、図12の各ステップS1〜S
5と図13の各手順(a)〜(e)は、それぞれ対応し
ている。まず、S1:ベースプレート14及びリードプ
レート7等を組み込んだフレームを形成し(a)、次い
で、S2:ベースプレート14上に、基板上に前述のご
とくして発熱又は感温部材を組み込んだチップ20をダ
イボンデングし(b)、次いで、S3:チップ20上の
ボンデングパットとリードプレート7間をボンデングワ
イヤ6により接続する(c)。次いで、S4:塵埃等か
ら保護するためのメッシュ15を組み込み(d)、最後
に、S5:通気孔9aを有するパッケージ9に取り付け
て実装を完了する(e)。
FIG. 12 is a diagram showing a flow of a mounting process using the detection device shown in FIGS. 7, 9, 10 and 11 as an example, and FIG. 13 is an assembly procedure according to the flow shown in FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing steps S1 to S in FIG.
5 and the respective steps (a) to (e) of FIG. 13 correspond to each other. First, S1: a frame in which the base plate 14 and the lead plate 7 and the like are incorporated is formed (a), and then, S2: the chip 20 in which the heat generating or temperature sensitive member is incorporated on the substrate as described above is formed on the base plate 14. Die bonding is performed (b), and then S3: the bonding pad on the chip 20 and the lead plate 7 are connected by the bonding wire 6 (c). Next, S4: The mesh 15 for protecting from dust etc. is incorporated (d), and finally, S5: The mesh 15 is attached to the package 9 having the ventilation holes 9a to complete the mounting (e).

【0024】図14は、本発明の他の実施例(請求項
)を説明するための平面構成図で、この実施例は、図
1乃至図5に示したごとき構造を有する検出装置(チッ
プ)20を実装するのに好適なベースを示す図で、ベー
ス16は、図14(a)に16aにて示すように、先端
部がコの字型に開口、或いは、図14(b)に16dに
て示すようにロの字型に開口しており、このコの字型又
はロの字型開口の先端部に検出装置20が架橋或いは取
り付けられるようになっている。換言すれば、この実施
例は、図7,図10,図11等に示した実施例における
ボンデングパット13から発熱又は感温部材4に至るま
での電極引き出しパターンを短かくし、かつ、ベース部
材16からの熱が発熱又は感温部材4に影響しないよう
にしたものである。
FIG. 14 shows another embodiment of the present invention (claims).
9 ) is a plan view showing a base suitable for mounting the detection device (chip) 20 having the structure as shown in FIGS. 1 to 5 in this embodiment. 14a has a U-shaped opening as shown by 16a in FIG. 14A, or has a square-shaped opening as shown by 16d in FIG. 14B. The detecting device 20 is bridged or attached to the tip of the U-shaped or U-shaped opening. In other words, in this embodiment, the electrode lead-out pattern from the bonding pad 13 to the heat generation or temperature sensitive member 4 in the embodiment shown in FIG. 7, FIG. 10, FIG. The heat from 16 does not affect the heat generation or the temperature sensitive member 4.

【0025】また、図14に示した検出チップを流量セ
ンサとして用いる際は、図面に対して垂直なZ方向
(上、下)、Y,X方向のいづれかの流れの中に設置す
ることができる。この場合、X方向としては、ベース1
6等の熱影響を受けないように基板1側が上流側となる
ように限定する必要がある。ボンディングワイヤ6の熱
影響を小さくするために、コの字型又はロの字型の側脚
16b,16cは発熱又は感温部材4からできるだけ遠
ざける方が良いので、これら側脚16b,16cは基板
1のコーナ部に接着する方がよい。同様に、リードビー
ム7も発熱又は感温部材4から遠くするために、基板1
のコーナ側に寄せて配置する。更に、図14等のベース
16の材料は、図13(e)の組立て図のパッケージ9
がセラミック材料である場合、熱膨張率を合せてフリッ
トガラスと共に溶着させるために、一般的には、コバー
ル合金のような材料を用いることが多い。しかし、ただ
熱膨張率を合わせるためだけよりは、熱伝導率の小さな
材料を用いることを考慮した方が、さらに効果を向上さ
せることができる。また、ベース16の材料にステンレ
ス材料の熱伝導率の小さなものや、ガラス薄板に電気導
電性のある金属材料の薄膜をコーティングした材料を選
択する。更に、図14では、図7に比して、基板1をよ
り小さくできるので、基板1より安価であるベース1
6、ボンディングビーム7で部分的に作用できるため、
コストダウンを図ることができる。
When the detection chip shown in FIG. 14 is used as a flow rate sensor, it can be installed in a flow in either the Z direction (upper or lower) or the Y or X direction perpendicular to the drawing. . In this case, in the X direction, the base 1
It is necessary to limit the substrate 1 side to the upstream side so as not to be affected by heat such as 6. In order to reduce the heat effect of the bonding wire 6, it is better to keep the U-shaped or B-shaped side legs 16b, 16c away from the heat generating or temperature sensitive member 4 as much as possible. It is better to adhere to the corner of No. 1. Similarly, since the lead beam 7 is also separated from the heat generating or temperature sensitive member 4, the substrate 1
Place it closer to the corner side of. Further, the material of the base 16 shown in FIG. 14 is the same as that of the package 9 shown in the assembly view of FIG.
When is a ceramic material, a material such as Kovar alloy is generally used in order to match the coefficient of thermal expansion and to weld it together with the frit glass. However, the effect can be further improved by considering the use of a material having a small thermal conductivity, rather than just adjusting the thermal expansion coefficient. Further, as the material of the base 16, a material having a low thermal conductivity such as a stainless steel material or a material obtained by coating a thin glass plate with a thin film of a metal material having electrical conductivity is selected. Further, in FIG. 14, since the substrate 1 can be made smaller than that in FIG. 7, the base 1 is less expensive than the substrate 1.
6, because the bonding beam 7 can partially act,
The cost can be reduced.

【0026】図15は、本発明の他の実施例(請求項
)を説明するための平面構成図で、図15(a)は従
来例を、図15(b),図15(c)は本発明を適用し
た場合の例を示す。図15において、21はセラミック
スの絶縁基板、22はクシ型電極、23はボンデングパ
ット部、24は感湿層、25はガラスコートで、該ガラ
スコート25により、ボンデングパット部23と感湿層
24が接触するのを防ぐようにしたものであるが、本実
施例は、このような湿度センサにおいて、図15(b)
に示すように、ボンデングパット部23間に貫通孔2
6、或いは、図15(c)に示すように切り欠き部26
aを設けたものである。しかし、切り欠き26aを形成
するより孔26を形成した方が強度が高い。
[0026] Figure 15 is another embodiment of the present invention (claim 1
0 ) is a plan configuration diagram, and FIG. 15A shows a conventional example, and FIGS. 15B and 15C show an example when the present invention is applied. In FIG. 15, reference numeral 21 is a ceramic insulating substrate, 22 is a comb-shaped electrode, 23 is a bonding pad portion, 24 is a moisture sensitive layer, and 25 is a glass coat. The layer 24 is designed so as to prevent the layer 24 from coming into contact with each other. In this embodiment, the humidity sensor shown in FIG.
As shown in FIG.
6 or, as shown in FIG. 15 (c), the notch 26
a is provided. However, the strength is higher when the hole 26 is formed than when the notch 26a is formed.

【0027】すなわち、図15(a)に示した湿度セン
サは、セラミック基板21を用い、このセラミック基板
21に検出層や電極層を薄膜印刷したものであるが、こ
のような湿度センサにおいて、図15(b),図15
(c)に示すような貫通孔26或いは切り欠き26aを
設けることによって、 パッド部の熱容量分が感湿層に与える分を少なくでき
る。結果として、検出性能が基板面内で均一化され、感
度が大きくなる。 パッド部に配線されるリード線の影響分も小さくな
る。 パッケージケース(特にベース)は、熱容量が大きい
から、結露になりやすい環境条件下において、基板より
先行して結露しはじめる。この時、この貫通孔26或い
は切り欠き26aがあれば、結露の水滴が伝わりにく
く、防滴効果が大きい。 水没した後に再使用までの復帰がより早くできる。貫
通孔26或いは切り欠き26aがあるから通風が良いだ
けではなく、水滴の表面張力を減らし、水滴サイズを小
さくし、上量を少くすることができる。 なお、貫通孔26或いは切り欠き26aは、セラミック
のヌキ型の成形によって容易にできるし、後加工でエッ
チングやイオンミーリング,放電加工などの方法も可能
である。
That is, the humidity sensor shown in FIG. 15 (a) uses a ceramic substrate 21, and a detection layer and an electrode layer are printed on the ceramic substrate 21 in a thin film. 15 (b), FIG.
By providing the through hole 26 or the notch 26a as shown in (c), the amount of heat capacity of the pad portion given to the moisture sensitive layer can be reduced. As a result, the detection performance is made uniform in the plane of the substrate and the sensitivity is increased. The influence of the lead wire laid on the pad portion is also reduced. Since the package case (especially the base) has a large heat capacity, under environmental conditions where dew condensation is likely to occur, dew condensation starts before the substrate. At this time, if the through hole 26 or the notch 26a is provided, the water droplets of dew condensation are less likely to be transmitted and the drip-proof effect is great. After being submerged in water, it can be quickly returned to reuse. The presence of the through hole 26 or the notch 26a not only provides good ventilation, but also can reduce the surface tension of the water droplet, reduce the size of the water droplet, and reduce the upper amount. The through hole 26 or the notch 26a can be easily formed by molding a ceramic blank type, and a method such as etching, ion milling, electric discharge machining or the like can be used as a post processing.

【0028】図16は、本発明の他の実施例(請求項
12)を説明するための図で、図16(a)は平面
図(従来例)、図16(b),(b′)は図16(a)
のB−B断面図で、(b)が従来技術の場合の断面図、
(b′)が本発明による場合の断面図である。また、図
16(c),(c′)は、図16(a)のC−C線断面
図で、(c)が従来技術の場合の断面図、(c′)が本
発明による場合の断面図で、図16(b)に示すよう
に、従来技術によると、発熱又は感温部材4を架橋する
サスペンジョン部3aの幅が広いが、図16(b′)に
示すように、本発明によると、このサスペンジョン部3
aの幅が狭く構成されている。更に、このサスペンジョ
ン部3aは、図16(c′)にAにて示すように、サス
ペンジョンの一部をエッチング除去し、リードパターン
のみにて支持している。
[0028] FIG. 16 shows another embodiment of the present invention (claim 1
1, 12) a diagram for explaining the FIG. 16 (a) a plan view (a conventional example), FIG. 16 (b), (b ') Fig 16 (a)
FIG. 3B is a sectional view taken along line BB of FIG.
(B ') is a sectional view in the case of the present invention. 16 (c) and 16 (c ') are cross-sectional views taken along the line CC of FIG. 16 (a), in which (c) is a cross-sectional view of a conventional technique and (c') is a cross-sectional view of the present invention. According to the prior art, as shown in FIG. 16 (b) in a cross-sectional view, the suspension portion 3a bridging the heat-generating or temperature-sensitive member 4 has a wide width, but as shown in FIG. According to this suspension section 3
The width of a is configured to be narrow. Further, in the suspension portion 3a, as shown by A in FIG. 16 (c '), a part of the suspension is removed by etching and is supported only by the lead pattern.

【0029】図16に示した実施例によると、発熱,感
温部材用のリードパターンを支持するサスペンジョンの
幅をリードパターンの幅より細くし、或いは、一部のサ
スペンジョンをなくしてリードパターンのみにすること
により、実質的に発熱又は感温部材を基板から離すこと
ができ、基板から発熱又は感温部材への熱伝導を少なく
することができる。
According to the embodiment shown in FIG. 16, the width of the suspension for supporting the lead pattern for the heat generating and temperature sensitive members is made narrower than the width of the lead pattern, or a part of the suspension is eliminated and only the lead pattern is formed. By doing so, the heat generation or temperature sensitive member can be substantially separated from the substrate, and the heat conduction from the substrate to the heat generation or temperature sensitive member can be reduced.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、発熱又は感温部材を基板からできるだけ離す
ようにしたので、基板の熱が発熱又は感温部材に影響せ
ず、迅速に、かつ、正確に被測定物理量を検出すること
ができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the heat-generating or temperature-sensitive member is separated from the substrate as much as possible. And, the physical quantity to be measured can be accurately detected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明が適用される検出装置の一例を説明す
るための要部断面構成図である。
FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram of main parts for explaining an example of a detection device to which the present invention is applied .

【図2】 本発明が適用される検出装置の他の例を説明
するための要部断面構成図である。
FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram of main parts for explaining another example of the detection device to which the present invention is applied .

【図3】 本発明が適用される検出装置の他の例を説明
するための要部断面構成図である。
FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram of main parts for explaining another example of the detection device to which the present invention is applied .

【図4】 本発明が適用される検出装置の他の例を説明
するための要部断面構成図である。
FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram of main parts for explaining another example of the detection device to which the present invention is applied .

【図5】 本発明による検出装置の実施例(請求項
)を説明するための平面図及び断面図である。
[5] One embodiment of the sensor according to the present invention (claim
1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view for explaining 1 ).

【図6】 本発明による検出装置の他の実施例(請求項
)を説明するための正面図及び断面図である。
FIG. 6 shows another embodiment of the detection device according to the present invention (claims)
2 ) A front view and a cross-sectional view for explaining 2 ).

【図7】 本発明による検出装置の他の実施例(請求項
)を説明するための正面図及び断面図である。
FIG. 7 shows another embodiment of the detection device according to the present invention (claims)
3 ) A front view and a sectional view for explaining FIG.

【図8】 従来の検出装置の一例を示す概略構成図であ
る。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional detection device.

【図9】 本発明の他の実施例(請求項)を説明する
ための平面図及び断面図である。
FIG. 9 is a plan view and a sectional view for explaining another embodiment (claim 4 ) of the present invention.

【図10】 本発明の他の実施例(請求項)を説明す
るための平面図及び断面図である。
FIG. 10 is a plan view and a cross-sectional view for explaining another embodiment (claim 5 ) of the present invention.

【図11】 本発明の他の実施例(請求項)を説明す
るための平面図及び断面図である。
FIG. 11 is a plan view and a sectional view for explaining another embodiment (claim 6 ) of the present invention.

【図12】 本発明による検出装置の実装プロセスの一
例を説明するためのフロー図である。
FIG. 12 is a flowchart for explaining an example of a mounting process of the detection device according to the present invention.

【図13】 図12のフローに対応した組み立て手順を
示す図である。
13 is a diagram showing an assembling procedure corresponding to the flow of FIG.

【図14】 本発明の他の実施例(請求項)を説明す
るための平面構成図である。
FIG. 14 is a plan configuration diagram for explaining another embodiment (claim 9 ) of the present invention.

【図15】 本発明の他の実施例(請求項10)を説明
するための平面構成図である。
FIG. 15 is a plan configuration diagram for explaining another embodiment (claim 10 ) of the present invention.

【図16】 本発明の他の実施例(請求項1112
を説明するための平面図及び要部断面図である。
FIG. 16 is another embodiment of the present invention (claims 11 and 12 ).
FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view of a main part for explaining the above.

【図17】 従来の検出装置の一例を説明するための平
面図及び断面図である。
FIG. 17 is a plan view and a cross-sectional view for explaining an example of a conventional detection device.

【図18】 従来の検出装置の他の例を説明するための
要部構成図である。
FIG. 18 is a main part configuration diagram for explaining another example of the conventional detection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2,2′,2″…空洞、3…絶縁膜、3a…
サスペンジョン、4…発熱又は感温部材、4a…リード
パターン、5…保護膜、6…ボンデングワイヤ、7…リ
ードワイヤ、8…パッケージケース、9…パッケージキ
ャップ、10…台座、11…切り欠き穴、12…ダイボ
ンドペースト、13…ボンデングパット、14…ベース
プレート、15…メッシュ、16…ベース、20…チッ
プ。
1 ... Substrate, 2, 2 ', 2 "... Cavity, 3 ... Insulating film, 3a ...
Suspension, 4 ... Heat or temperature sensitive member, 4a ... Lead pattern, 5 ... Protective film, 6 ... Bonding wire, 7 ... Lead wire, 8 ... Package case, 9 ... Package cap, 10 ... Pedestal, 11 ... Notch hole , 12 ... Die bond paste, 13 ... Bonding pad, 14 ... Base plate, 15 ... Mesh, 16 ... Base, 20 ... Chip.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI // H01L 31/02 H01L 31/02 B (56)参考文献 特開 平5−264564(JP,A) 特開 平6−137935(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01K 7/16,7/18,7/24 G01F 1/68 Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI // H01L 31/02 H01L 31/02 B (56) Reference JP-A-5-264564 (JP, A) JP-A-6-137935 (JP , A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G01K 7 / 16,7 / 18,7 / 24 G01F 1/68

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 空洞を有する基板と、該空洞の上部に設
けられた発熱及び/又は感温部材とを有し、該発熱及び
/又は感温部材の抵抗値より被測定対象の物理量を検出
する温度依存性検出装置において、前記空洞は前記基板
を貫通する貫通空洞で、該貫通空洞が前記基板の少なく
とも一方の側方において開口していることを特徴とする
熱依存性検出装置。
1. A substrate having a cavity and a heat-generating and / or temperature-sensitive member provided on the cavity, and a physical quantity of an object to be measured is detected from a resistance value of the heat-generating and / or temperature-sensitive member. In the temperature-dependent detection device, the cavity is the substrate
A through cavity that penetrates through the
Both are open on one side
Thermal dependence detector.
【請求項2】 貫通空洞を有するとともに、該貫通空洞
の少なくとも一方の端が開口している基板と、前記貫通
空洞の前記開口した側に架橋された発熱及び/又は感温
部材とを有し、前記開口を上端にして前記基板をパッケ
ージケースに固定したことを特徴とする熱依存性検出装
置。
2. A substrate having a through-hole and at least one end of the through-hole being open, and a heat-generating and / or temperature-sensing member bridged to the open side of the through-hole. A heat dependence detecting device, wherein the substrate is fixed to a package case with the opening as an upper end.
【請求項3】 貫通空洞を有するとともに、該貫通空洞
の一端が開口している基板と、前記貫通空洞の前記開口
側に架橋された発熱及び/又は感温部材とを有し、前記
基板を水平にして、かつ、前記開口から離れている側を
パッケージケースに固定したことを特徴とする熱依存性
検出装置。
3. A substrate having a through-cavity and having one end of the through-cavity opened, and a heat-generating and / or temperature-sensitive member bridged to the opening side of the through-cavity, the substrate comprising: A thermal dependence detection device, which is horizontal and is fixed to a package case on the side away from the opening.
【請求項4】 前記パッケージケース側から前記架橋に
至るまでの前記基板を一本にし、前記架橋部のみ貫通空
洞にするとともに、該貫通空洞の少なくとも一端を開口
としたことを特徴とする請求項に記載の熱依存性検出
装置。
4. The substrate from the side of the package case to the bridge is made one, and only the bridge is a through cavity, and at least one end of the through cavity is an opening. The heat-dependent detection device according to item 3 .
【請求項5】 貫通空洞と該貫通空洞に隣接して該貫通
空洞と独立した有底の空洞を有する基板と、前記有底空
洞の上部に架橋された発熱及び/又は感温部材とを有
し、前記貫通空洞側をベースプレートに固定するように
したことを特徴とする熱依存性検出装置。
5. A substrate having a through cavity and a bottomed cavity adjacent to the through cavity and independent of the through cavity, and a heat-generating and / or temperature-sensing member bridged above the bottomed cavity. The heat-dependent detection device is characterized in that the through cavity side is fixed to the base plate.
【請求項6】 請求項における貫通空洞を有底の空洞
としたことを特徴とする熱依存性検出装置。
6. A heat-dependent detection device, wherein the through cavity in claim 5 is a cavity with a bottom.
【請求項7】 請求項又はに記載において、前記発
熱及び/又は感温部材を有する空洞が貫通空洞であるこ
とを特徴とする熱依存性検出装置。
7. The according to claim 5 or 6, the thermal dependency detecting apparatus characterized by cavities with the heating and / or temperature-sensitive member is a through cavity.
【請求項8】 請求項又はにおいて、前記発熱
及び/又は感温部材を有する空洞の少なく一方の側部が
開口していることを特徴とする熱依存性検出装置。
8. The method of claim 5 or 6 7, the heating and / or heat-dependent detection apparatus characterized by reduced one side of the cavity is opened with a temperature-sensitive member.
【請求項9】 先端部がコの字型又はロの字型に開口し
たベース部材を有し、該コの字型又はロの字型に開口し
た部分に発熱及び/又は感温部材を具備した検出チップ
が架橋されていることを特徴とする熱依存性検出装置。
9. A base member having a U-shaped or a U-shaped opening at its tip, and a heat-generating and / or temperature-sensing member is provided at a portion of the U-shaped or B-shaped opening. A heat-dependent detection device, wherein the detection chip is cross-linked.
【請求項10】 基板上に感温部材,該感温部材に対す
るリードパターン,及び、該リードパターンを外部回路
に接続するためのボンデングパッドを有する検出装置に
おいて、前記ボンデングパッドの近傍に前記基板を貫通
する穴を有することを特徴とする熱依存性検出装置。
10. A detection device having a temperature-sensitive member, a lead pattern for the temperature-sensitive member, and a bonding pad for connecting the lead pattern to an external circuit on a substrate, wherein the bonding device is provided in the vicinity of the bonding pad. A heat-dependent detection device having a hole penetrating a substrate.
【請求項11】 空洞を有する基板と、該空洞の上部に
架橋された発熱及び/又は感温部材と、該感温部材を架
橋するサスペンジョンとを有する熱依存性検出装置にお
いて、前記サスペンジョンの幅を、該サスペンジョンの
上に配設されている前記発熱及び/又は感温部材用のリ
ードパターンの幅よりも狭くしたことを特徴とする熱依
存性検出装置。
11. A thermal dependence detection device comprising a substrate having a cavity, a heat-generating and / or temperature-sensitive member bridged to the upper part of the cavity, and a suspension bridging the temperature-sensitive member, wherein the width of the suspension is Is narrower than the width of the lead pattern for the heat-generating and / or temperature-sensitive member disposed on the suspension.
【請求項12】 空洞を有する基板と、該空洞の上部に
架橋された発熱及び/又は感温部材を有する熱依存性検
出装置において、前記発熱及び/又は感温部材を支持す
るサスペンジョン部の一部が、前記発熱及び/又は感温
部材に電力を供給するリードパターンのみであることを
特徴とする熱依存性検出装置。
12. A heat-dependent detection device having a substrate having a cavity and a heat-generating and / or temperature-sensing member bridged above the cavity, wherein a suspension part for supporting the heat-generating and / or temperature-sensitive member is provided. The heat dependency detecting device is characterized in that the part is only a lead pattern for supplying electric power to the heat generating and / or temperature sensitive member.
JP25858794A 1994-10-24 1994-10-24 Thermal dependency detector Expired - Fee Related JP3386250B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25858794A JP3386250B2 (en) 1994-10-24 1994-10-24 Thermal dependency detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25858794A JP3386250B2 (en) 1994-10-24 1994-10-24 Thermal dependency detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08122160A JPH08122160A (en) 1996-05-17
JP3386250B2 true JP3386250B2 (en) 2003-03-17

Family

ID=17322335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25858794A Expired - Fee Related JP3386250B2 (en) 1994-10-24 1994-10-24 Thermal dependency detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3386250B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4653363B2 (en) * 2001-09-28 2011-03-16 日置電機株式会社 Photoreceptor structure in light receiving sensor
JP4772560B2 (en) * 2006-03-31 2011-09-14 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Optical semiconductor device and control method thereof
JP4851831B2 (en) * 2006-04-07 2012-01-11 学校法人明治大学 Micro calorimetry apparatus and micro calorimetry method
JP5240072B2 (en) * 2009-05-27 2013-07-17 株式会社リコー Thermal element and method for manufacturing thermal element
JP2011153900A (en) * 2010-01-27 2011-08-11 Kyocera Corp Substrate for gas sensor, container for gas sensor, and gas sensor
JP5853476B2 (en) * 2011-08-04 2016-02-09 セイコーエプソン株式会社 Infrared detector and electronic device
JP6287600B2 (en) * 2014-06-05 2018-03-07 株式会社デンソー Temperature sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08122160A (en) 1996-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0376721B1 (en) Moisture-sensitive device
KR100379471B1 (en) absolute humidity sensor and circuit for detecting temperature and humidity using the same
US4991424A (en) Integrated heatable sensor
JP3386250B2 (en) Thermal dependency detector
JP3370801B2 (en) Atmosphere detector with temperature compensation
JP3402525B2 (en) Thermal dependency detector
JP3210530B2 (en) Thermistor flow rate sensor
JP3358684B2 (en) Thermal dependency detector
JP3420847B2 (en) Thermal dependency detection device and method of manufacturing the same
JPH0688802A (en) Ambient gas sensor
JPH08184575A (en) Humidity sensor
JP3387659B2 (en) Heat-dependent detector and manufacturing method
JP3345695B2 (en) Acceleration sensor
JPH06242048A (en) Thermal conduction type absolute humidity sensor
JP2000065850A (en) Thermal type acceleration sensor
JP3115669B2 (en) Sensor
JPH08122162A (en) Heat dependence detection device
JP2860086B2 (en) Microcap for humidity sensor and humidity sensor
JPH06118047A (en) Structure of atmosphere sensor
JP3363983B2 (en) Heat wire type acceleration detector
JPH0584867B2 (en)
JPH0795054B2 (en) Humidity sensor
JP3245687B2 (en) Adjustment method of heat dissipation constant
JP3433767B2 (en) Tilt detector
JPH03255918A (en) Thermally sensitive type gas flow rate detecting device

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080110

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130110

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees