JP3383169B2 - Peripheral exposure equipment - Google Patents

Peripheral exposure equipment

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JP3383169B2
JP3383169B2 JP28523296A JP28523296A JP3383169B2 JP 3383169 B2 JP3383169 B2 JP 3383169B2 JP 28523296 A JP28523296 A JP 28523296A JP 28523296 A JP28523296 A JP 28523296A JP 3383169 B2 JP3383169 B2 JP 3383169B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板の表面に塗布された感光膜の周縁部(周辺部)を露
光する周辺露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a peripheral exposure apparatus for exposing a peripheral portion (peripheral portion) of a photosensitive film coated on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、半導体
ウエハ等の基板上にレジスト液を回転塗布し、所定のパ
ターンに現像してレジストマスクを形成した後、このレ
ジストマスクを用いて薄膜パターンを形成することが行
われている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a resist solution is spin-coated on a substrate such as a semiconductor wafer, developed into a predetermined pattern to form a resist mask, and then a thin film pattern is formed using the resist mask. Is being done.

【0003】レジスト液が回転塗布された基板は、その
周縁部を把持されて種々の基板装置間を搬送される。レ
ジスト液は回転塗布によって基板の周縁部にまで塗り広
げられている。したがって、基板の周縁部を把持する
と、周縁部のレジストが剥離して飛散し、基板中央部の
レジスト膜表面を汚染したり、他の基板の表面を汚染し
たりして基板処理の歩留りを低下させてしまう場合があ
る。
The substrate on which the resist solution is spin-coated is gripped at the peripheral edge thereof and conveyed between various substrate devices. The resist solution is applied to the peripheral portion of the substrate by spin coating. Therefore, when the peripheral edge of the substrate is gripped, the resist on the peripheral edge is peeled off and scattered, which contaminates the resist film surface in the central part of the substrate or the surface of another substrate, thereby lowering the yield of substrate processing. There is a case to let you.

【0004】このために、ポジ型のレジストの場合に
は、周辺露光装置を用いて予め基板の周縁部のレジスト
を露光しておき、レジストパターンの現像時に同時に基
板周縁部の不要なレジストを除去する処理が行われてい
る。
For this reason, in the case of a positive resist, the peripheral edge of the substrate is exposed in advance by using a peripheral exposure device, and unnecessary resist on the peripheral edge of the substrate is removed at the same time when the resist pattern is developed. Processing is being performed.

【0005】従来の周辺露光装置では、基板の外縁から
一定幅の領域を環状に露光する方法が行われている。こ
のような露光方法は、例えば、特開平2−288221
号公報あるいは特公平6−12756号公報に開示され
ている。前者の周辺露光装置では、基板の外周縁に接触
させたカムを用いて機械的に基板のオリエンテーション
フラット(以下、オリフラと称す)またはノッチの位置
を検出し、これを基準として基板の周縁部に一定幅の周
辺露光領域を環状に形成している。
In the conventional peripheral exposure apparatus, a method of annularly exposing a region having a constant width from the outer edge of the substrate is used. Such an exposure method is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-288221.
It is disclosed in Japanese Patent Publication No. 6-127756. In the former peripheral exposure apparatus, the position of the orientation flat (hereinafter referred to as orientation flat) or notch of the substrate is mechanically detected using a cam that is in contact with the outer peripheral edge of the substrate, and this is used as a reference for the peripheral edge of the substrate. A peripheral exposure area having a constant width is formed in an annular shape.

【0006】また、後者の周辺露光装置では、ラインセ
ンサを用いて光学的に基板のオリフラやノッチの位置を
検出し、これを基準として一定幅の周辺露光領域を環状
に形成している。
In the latter peripheral exposure apparatus, the position of the orientation flat or notch of the substrate is optically detected by using the line sensor, and the peripheral exposure area having a constant width is formed in an annular shape with reference to this.

【0007】ところが、近年では、レジストから発生す
るパーティクルによる汚染を確実に防止するために、基
板周縁部の不要なレジストをより完全に除去する要望が
高まってきた。
However, in recent years, in order to reliably prevent contamination by particles generated from the resist, there is an increasing demand for more complete removal of unnecessary resist on the peripheral portion of the substrate.

【0008】基板上には矩形の素子が複数形成されるた
め、整列した複数の素子(素子領域)の外形は階段状に
形成されている。一方、基板はほぼ円形であるため、基
板の外周縁から一定幅の周辺露光領域を形成すると、階
段状の素子領域の外形部分との間に不要なレジストが残
存する領域が生じる。
Since a plurality of rectangular elements are formed on the substrate, the outer shapes of the plurality of aligned elements (element regions) are formed in a step shape. On the other hand, since the substrate has a substantially circular shape, when a peripheral exposure region having a constant width is formed from the outer peripheral edge of the substrate, a region where unnecessary resist remains is formed between the substrate and the outer peripheral portion of the stepwise element region.

【0009】そこで、最近では、階段状の素子領域の外
形に沿って周辺露光を行うことが可能な周辺露光装置が
提案されている。このような周辺露光装置は、例えば特
開平3−242922号公報に開示されている。図9
は、階段状周辺露光が可能な周辺露光装置の露光動作の
説明図である。図9において、基板1上には複数の素子
2が配列されており、素子間には各素子2を切断するた
めの切断線(スクライブライン)3が形成されている。
Therefore, recently, there has been proposed a peripheral exposure apparatus capable of performing peripheral exposure along the outer shape of a stepwise element region. Such a peripheral exposure apparatus is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-242922. Figure 9
FIG. 7 is an explanatory diagram of an exposure operation of a peripheral exposure apparatus capable of performing stepwise peripheral exposure. In FIG. 9, a plurality of elements 2 are arranged on a substrate 1, and cutting lines (scribe lines) 3 for cutting each element 2 are formed between the elements.

【0010】この周辺露光装置では、基板1の周縁部に
形成すべき階段状の周辺露光領域5の寸法データが予め
記憶されている。そして、周辺露光処理では、まずフォ
トセンサ45を用いて基板1のオリフラ部1aを検出
し、オリフラ部1aの位置に基づいて周辺露光の基準位
置を設定し、この基準位置から予め記憶した周辺露光領
域5の寸法データに従って基板1上のレジストの周辺露
光が行われる。図9中の点線4aは素子領域の外形線7
から一定距離隔てた位置に形成されるべき正規の周辺露
光領域5との境界線を示している。
In this peripheral exposure apparatus, the dimension data of the stepwise peripheral exposure region 5 to be formed on the peripheral portion of the substrate 1 is stored in advance. In the peripheral exposure processing, first, the photo sensor 45 is used to detect the orientation flat portion 1a of the substrate 1, a reference position for the peripheral exposure is set based on the position of the orientation flat portion 1a, and the peripheral exposure stored in advance from the reference position. Peripheral exposure of the resist on the substrate 1 is performed according to the dimension data of the region 5. The dotted line 4a in FIG. 9 is the outline 7 of the element region.
The boundary line with the regular peripheral exposure area 5 which is to be formed at a position separated by a certain distance from is shown.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ところが、各素子2は
基板1に形成されたアライメントマーク(図示省略)を
基準に形成されており、基板1の外周縁あるいはオリフ
ラ部1aを基準に形成されているものではない。このた
め、基板1の外周縁位置、例えばオリフラ部1aの位置
を基準に上記の周辺露光を行うと、基板1の外周縁に対
する素子2の相対的な位置関係が基板ごとにばらつきを
生じ、図9中で実線4bで示すように、周辺露光領域5
の端縁位置が正規の位置(点線4a)からずれる場合が
生じる。この場合には、素子2上の必要なレジストの部
分までが露光されたり、あるいは本来周辺露光により除
去すべき部分が残存したりして周辺露光の不良が発生す
るという問題があった。また、周辺露光領域5の寸法デ
ータを予め記憶させておく作業は煩雑であり、操作者の
負担が大きいものであった。
However, each element 2 is formed on the basis of the alignment mark (not shown) formed on the substrate 1, and is formed on the basis of the outer peripheral edge of the substrate 1 or the orientation flat portion 1a. It does not exist. Therefore, when the above-mentioned peripheral exposure is performed with reference to the outer peripheral edge position of the substrate 1, for example, the position of the orientation flat portion 1a, the relative positional relationship of the element 2 with respect to the outer peripheral edge of the substrate 1 varies from substrate to substrate. As shown by the solid line 4b in FIG.
There is a case in which the edge position of is displaced from the regular position (dotted line 4a). In this case, there has been a problem that a peripheral exposure defect occurs due to the exposure of even the required resist portion on the element 2 or the remaining portion that should be removed by the peripheral exposure. Further, the work of pre-storing the dimensional data of the peripheral exposure area 5 is complicated and the operator's burden is heavy.

【0012】本発明の目的は、基板上の素子領域の外形
に沿って階段状に高精度で周辺露光を行うことができる
周辺露光装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a peripheral exposure apparatus capable of performing peripheral exposure with high accuracy in a stepwise manner along the outer shape of an element region on a substrate.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る周辺露光装置は、基板上に塗布された感光膜
のうち、基板の素子領域の外側にある周辺露光領域を素
子領域の外形に沿って階段状に露光する周辺露光装置で
あって、基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、基
板の端縁位置を検出する端縁位置検出手段と、素子領域
に含まれる少なくとも1つの素子の形状を画像データと
して入力する画像入力手段と、画像入力手段から入力さ
れた画像データから1つの素子の寸法と位置を検出し、
素子の寸法および端縁位置検出手段によって検出された
基板の端縁位置に基づいて素子領域の外形位置を算出
し、素子領域の外形位置に基づいて素子領域の外形に沿
った周辺露光領域の位置を算出する露光領域算出手段
と、感光膜に光を照射する光照射手段と、露光領域算出
手段によって算出された周辺露光領域の位置に基づいて
感光膜の周辺露光領域が露光されるように光照射手段を
制御する制御手段とを備えたものである。
In the peripheral exposure apparatus according to the first aspect of the present invention, the peripheral exposure area outside the element area of the substrate is defined as the element area of the photosensitive film coated on the substrate. A peripheral exposure apparatus that performs stepwise exposure along an outer shape, including substrate holding means for holding a substrate in a horizontal posture, edge position detecting means for detecting an edge position of the substrate, and at least 1 included in the element region. Image input means for inputting the shape of one element as image data, and the size and position of one element are detected from the image data input from the image input means,
The outer peripheral position of the element region is calculated based on the element size and the edge position of the substrate detected by the edge position detecting means, and the position of the peripheral exposure region along the outer shape of the element region is calculated based on the outer position of the element region. Exposure area calculation means, a light irradiation means for irradiating the photosensitive film with light, and light for exposing the peripheral exposure area of the photosensitive film based on the position of the peripheral exposure area calculated by the exposure area calculation means. And a control means for controlling the irradiation means.

【0014】第2の発明に係る周辺露光装置は、第1の
発明に係る周辺露光装置の構成において、露光領域算出
手段が、素子の周囲を取り囲むスクライブラインの位置
に基づいて素子の寸法を検出するスクライブライン算出
部を含むものである。
In the peripheral exposure apparatus according to the second invention, in the configuration of the peripheral exposure apparatus according to the first invention, the exposure area calculation means detects the dimension of the element based on the position of a scribe line surrounding the element. It includes a scribe line calculation unit that does this.

【0015】第3の発明に係る周辺露光装置は、第1ま
たは第2の発明に係る周辺露光装置の構成において、基
板保持手段が基板を回転させる基板回転部を有してお
り、制御手段が、基板が所定角度ずつ回転された位置毎
に周辺露光領域が分割して露光されるように光照射手段
を制御するものである。
A peripheral exposure apparatus according to a third aspect of the present invention is the configuration of the peripheral exposure apparatus according to the first or second aspect, wherein the substrate holding means has a substrate rotating section for rotating the substrate, and the control means is The light irradiation means is controlled so that the peripheral exposure region is divided and exposed at each position where the substrate is rotated by a predetermined angle.

【0016】第4の発明に係る周辺露光装置は、第1ま
たは第2の発明に係る周辺露光装置の構成において、光
照射手段が光を照射する光照射部と光照射部を基板の全
面に亘って移動させる移動部とを備えたものである。
A peripheral exposure apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the peripheral exposure apparatus according to the first or second aspect of the present invention, wherein the light irradiation section for irradiating light by the light irradiation unit and the light irradiation section are provided on the entire surface of the substrate. And a moving unit for moving the same.

【0017】第1〜第4の発明に係る周辺露光装置にお
いては、画像入力手段から入力した1つの素子の形状と
端縁位置検出手段が検出した基板の端縁位置とによって
基板の素子領域が算出され、さらに周辺露光領域の位置
が算出される。このため、素子領域の外形に沿った階段
状の複雑な形状を有する周辺露光領域の位置座標を操作
者が入力することなく周辺露光が可能となり、周辺露光
装置の操作性が向上する。
In the peripheral exposure apparatus according to the first to fourth aspects of the invention, the element area of the substrate is determined by the shape of one element input from the image input means and the edge position of the substrate detected by the edge position detection means. Then, the position of the peripheral exposure area is calculated. Therefore, it is possible to perform the peripheral exposure without the operator inputting the position coordinates of the peripheral exposure area having a stepwise complicated shape along the outer shape of the element area, and the operability of the peripheral exposure apparatus is improved.

【0018】また、画像入力範囲が基板外径よりも小さ
い画像入力手段であっても周辺露光領域の算出が可能と
なる。しかも、基板保持手段に保持された基板の画像を
直接入力することにより、周辺露光領域の位置の算出を
高精度に行うことができる。
Further, even if the image input means has an image input range smaller than the substrate outer diameter, the peripheral exposure area can be calculated. Moreover, the position of the peripheral exposure region can be calculated with high accuracy by directly inputting the image of the substrate held by the substrate holding means.

【0019】特に、第2の発明に係る周辺露光装置にお
いては、素子の周囲を取り囲むスクライブラインの画像
データから素子の寸法を算出し、これに基づいて素子領
域の外形および周辺露光領域の位置を算出することによ
り、周辺露光領域の位置の検出精度を向上することがで
きる。
In particular, in the peripheral exposure apparatus according to the second aspect of the invention, the dimensions of the element are calculated from the image data of the scribe lines surrounding the periphery of the element, and the outer shape of the element area and the position of the peripheral exposure area are calculated based on this. By calculating, the detection accuracy of the position of the peripheral exposure area can be improved.

【0020】特に、第3の発明に係る周辺露光装置にお
いては、基板を所定角度ずつ回転させながら基板を分割
した所定領域毎に周辺露光処理を行うことにより、光照
射手段の移動範囲に比べて外径の大きい基板に対しても
周辺露光処理を行うことができる。
Particularly, in the peripheral exposure apparatus according to the third aspect of the present invention, the peripheral exposure processing is performed for each predetermined area obtained by dividing the substrate while rotating the substrate by a predetermined angle, so that the range of movement of the light irradiation means is increased. The peripheral exposure process can be performed on a substrate having a large outer diameter.

【0021】特に、第4の発明に係る周辺露光装置にお
いては、光照射手段が基板の全面にわたって移動可能に
構成されているため、基板を静止した状態で周辺露光処
理を行うことができ、周辺露光装置の構成および制御動
作を簡素化することができる。
In particular, in the peripheral exposure apparatus according to the fourth aspect of the invention, since the light irradiation means is constructed so as to be movable over the entire surface of the substrate, the peripheral exposure processing can be performed while the substrate is stationary, The configuration and control operation of the exposure apparatus can be simplified.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施例による周
辺露光装置の構成図である。周辺露光装置は、基板1を
水平に保持して回転する基板回転部10、基板1の周縁
部に光線を照射して露光する光照射部20、光照射部2
0の照射位置を移動させるための移動部30、基板1の
端縁位置を検出するためのCCDラインセンサ40およ
び基板1の素子領域の画像を入力する画像入力部50を
備えている。
1 is a block diagram of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The peripheral exposure apparatus includes a substrate rotating unit 10 that horizontally holds and rotates the substrate 1, a light irradiating unit 20 that irradiates a peripheral portion of the substrate 1 with a light beam, and exposes the light.
A moving unit 30 for moving the irradiation position of 0, a CCD line sensor 40 for detecting the edge position of the substrate 1, and an image input unit 50 for inputting an image of the element region of the substrate 1 are provided.

【0023】基板回転部10は、基板1の裏面を吸引し
て保持するスピンチャック11と、スピンチャック11
を鉛直方向に延びる軸の回りに回転させるモータ12と
から構成されている。基板1はスピンチャック11に水
平姿勢で吸引保持され、モータ12の回転軸の軸芯を中
心に回動される。
The substrate rotating unit 10 includes a spin chuck 11 for sucking and holding the back surface of the substrate 1, and a spin chuck 11 for holding the back surface of the substrate 1.
And a motor 12 for rotating the shaft around an axis extending in the vertical direction. The substrate 1 is sucked and held by the spin chuck 11 in a horizontal posture, and is rotated about the axis of the rotation shaft of the motor 12.

【0024】光照射部20は、露光光線となる紫外線を
発生するための露光光源28と、露光光源28からの紫
外線を伝達する光ファイバ23と、光ファイバ23の先
端に取り付けられかつ基板1の表面に紫外線を照射する
照射端21とを備えている。露光光源28は、水銀キセ
ノンランプ25、楕円鏡26、紫外線透過フィルタ24
およびシャッタ27から構成されている。紫外線透過フ
ィルタ24を透過した紫外線は光ファイバ23を通り照
射端21に導かれる。照射端21は、紫外線を所定のス
ポット形状(例えば矩形)に絞って基板1に照射するた
めのスリットや光学レンズ系(図示省略)等を備えてい
る。
The light irradiating section 20 is attached to the exposure light source 28 for generating ultraviolet rays as an exposure light beam, the optical fiber 23 for transmitting the ultraviolet rays from the exposure light source 28, the tip of the optical fiber 23, and the substrate 1. An irradiation end 21 for irradiating the surface with ultraviolet rays is provided. The exposure light source 28 is a mercury xenon lamp 25, an elliptical mirror 26, an ultraviolet transmission filter 24.
And a shutter 27. The ultraviolet rays transmitted through the ultraviolet ray transmitting filter 24 are guided to the irradiation end 21 through the optical fiber 23. The irradiation end 21 is provided with a slit, an optical lens system (not shown), etc. for narrowing the ultraviolet light into a predetermined spot shape (for example, a rectangle) and irradiating the substrate 1.

【0025】移動部30は、照射端21を支持する支持
アーム22をX方向(X軸)およびY方向(Y軸)にそ
れぞれ変位させるための半径方向変位部Mxおよび接線
方向変位部Myとから構成される。半径方向変位部Mx
は、X方向に往復移動可能なXテーブル30と、Xテー
ブル30を移動させるためのステッピングモータ32お
よびボールねじから構成されている。さらに、接線方向
変位部Myは、Y方向に移動可能なYテーブル33とY
テーブル33を移動させるためのステッピングモータ3
4およびボールねじから構成されている。
The moving section 30 includes a radial displacement section Mx and a tangential displacement section My for displacing the support arm 22 supporting the irradiation end 21 in the X direction (X axis) and the Y direction (Y axis), respectively. Composed. Radial displacement part Mx
Is composed of an X table 30 capable of reciprocating in the X direction, a stepping motor 32 for moving the X table 30, and a ball screw. Further, the tangential displacement portion My is provided with a Y table 33 that is movable in the Y direction.
Stepping motor 3 for moving the table 33
4 and a ball screw.

【0026】CCDラインセンサ40は、基板1の上方
に配置される光源41と、基板1の下方において光源4
1と対向して配置される受光部42とを備えている。光
源41および受光部42の一部は基板1の外周縁部より
も中心側に入り込んだ位置に設置されている。そして、
光源41から受光部42に光を照射した状態で基板1を
回転させ、光源41からの光線を基板1が遮る位置を受
光部42で検出することによって基板1の端縁位置を検
出する。
The CCD line sensor 40 includes a light source 41 disposed above the substrate 1 and a light source 4 disposed below the substrate 1.
1 and a light receiving section 42 arranged so as to face each other. A part of the light source 41 and the light receiving portion 42 is installed at a position closer to the center side than the outer peripheral edge portion of the substrate 1. And
The substrate 1 is rotated in a state in which the light source 41 irradiates the light receiving unit 42, and the light receiving unit 42 detects the position where the substrate 1 blocks the light beam from the light source 41, thereby detecting the edge position of the substrate 1.

【0027】画像入力部50は、基板1表面に形成され
る素子領域の形状を画像として入力するためのCCDカ
メラ51、カメラレンズ52および基板1の表面を照明
するカメラ用照明器53から構成されている。カメラレ
ンズ52が取り付けられたCCDカメラ51は、少なく
とも1つの素子の画像を取り込むことができる入力範囲
を有し、かつ各素子のサイズと位置を高精度に算出でき
る程度の解像度を有している。CCDカメラ51は基板
1の上方に配置されており、特に基板1の中心上方に配
置された場合には、光照射部20の照射端21との干渉
を防止する上で有効である。また、カメラ用照明器12
は基板1表面の照度が不足する場合に使用する。
The image input section 50 is composed of a CCD camera 51 for inputting the shape of an element region formed on the surface of the substrate 1 as an image, a camera lens 52, and a camera illuminator 53 for illuminating the surface of the substrate 1. ing. The CCD camera 51 to which the camera lens 52 is attached has an input range in which an image of at least one element can be captured, and has a resolution that allows the size and position of each element to be calculated with high accuracy. . The CCD camera 51 is arranged above the substrate 1, and particularly when arranged above the center of the substrate 1, it is effective in preventing interference with the irradiation end 21 of the light irradiation unit 20. In addition, the camera illuminator 12
Is used when the illuminance on the surface of the substrate 1 is insufficient.

【0028】図2は、周辺露光装置の機能ブロック図で
ある。ここで、基板端縁位置算出手段A、露光量設定手
段C、制御部D、露光位置算出手段Fは、パーソナルコ
ンピュータから構成され、露光幅設定手段Bはディスプ
レイおよびキーボード装置から構成され、さらにスクラ
イブライン位置算出部Eは画像処理基板から構成され
る。なお、上記構成において、スクライブライン位置算
出部Eおよび露光位置算出手段Fが本発明の露光領域算
出手段を構成し、光照射部20および移動部30が本発
明の光照射手段を構成する。また、基板回転部10が本
発明の基板保持手段を構成し、画像入力部50が本発明
の画像入力手段を構成し、制御部Dが制御手段を構成す
る。
FIG. 2 is a functional block diagram of the peripheral exposure apparatus. Here, the substrate edge position calculating means A, the exposure amount setting means C, the control section D, and the exposure position calculating means F are composed of a personal computer, the exposure width setting means B is composed of a display and a keyboard device, and further scribe. The line position calculation unit E is composed of an image processing board. In the above configuration, the scribe line position calculation unit E and the exposure position calculation unit F form the exposure area calculation unit of the present invention, and the light irradiation unit 20 and the moving unit 30 form the light irradiation unit of the present invention. The substrate rotating unit 10 constitutes the substrate holding unit of the present invention, the image input unit 50 constitutes the image input unit of the present invention, and the control unit D constitutes the control unit.

【0029】上記の周辺露光装置の各部の動作は制御部
Dにより制御される。図3は、本発明の実施例による周
辺露光装置の動作を示すフローチャートである。以下、
図3を参照して周辺露光装置の周辺露光動作について説
明する。
The operation of each section of the above-mentioned peripheral exposure apparatus is controlled by the control section D. FIG. 3 is a flow chart showing the operation of the peripheral exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. Less than,
The peripheral exposure operation of the peripheral exposure apparatus will be described with reference to FIG.

【0030】なお、周辺露光動作の説明に先立ち、基板
1の基板中心Ow、スピンチャック11の回転中心Or
およびCCDカメラ51の画像入力領域Vの視野中心O
vの位置関係および周辺露光装置における座標系につい
て図4を参照して説明する。
Prior to the description of the peripheral exposure operation, the substrate center Ow of the substrate 1 and the rotation center Or of the spin chuck 11 are rotated.
And the field center O of the image input area V of the CCD camera 51
The positional relationship of v and the coordinate system in the peripheral exposure apparatus will be described with reference to FIG.

【0031】スピンチャック11の回転中心Orは、X
軸の軸線上に位置し、さらにCCDラインセンサ40の
検出位置もX軸の軸線上に設定されている。また、移動
部30の移動原点が図中O点に設定されている。
The rotation center Or of the spin chuck 11 is X.
It is located on the axis of the axis, and the detection position of the CCD line sensor 40 is also set on the axis of the X axis. Further, the moving origin of the moving unit 30 is set to point O in the figure.

【0032】基板1は、基板中心Owがスピンチャック
11の回転中心Orに一致するようにスピンチャック1
1に載置されることが好ましいが、実際には、ずれて載
置される場合がある。また、CCDカメラ51もその視
野中心Ovがスピンチャック11の回転中心Orに一致
するようにCCDカメラ51を設置することが難しく、
ずれて設置される場合がある。この場合、基板中心O
w、視野中心Ov、回転中心Orの間には、例えば図中
に示す変位が生じる。そこで、以下に示す周辺露光装置
の動作の各ステップでは、これらの位置の変位量を考慮
した作業が行われる。
The substrate 1 is spin chuck 1 so that the substrate center Ow coincides with the rotation center Or of the spin chuck 11.
Although it is preferable to mount it on No. 1, there are cases where it is actually mounted with a shift. Also, it is difficult to install the CCD camera 51 so that the center Ov of the field of view of the CCD camera 51 coincides with the rotation center Or of the spin chuck 11,
It may be installed at a different position. In this case, the substrate center O
For example, the displacement shown in the figure occurs between w, the visual field center Ov, and the rotation center Or. Therefore, in each step of the operation of the peripheral exposure apparatus described below, work is performed in consideration of the displacement amounts of these positions.

【0033】まず、周辺露光装置でのCCDカメラ51
の組み立て時には、CCDカメラ51の視野中心Ovと
スピンチャック11の回転中心Orとのオフセット量を
検出する。例えば、中心部分に「+」印を描いたダミー
の基板をスピンチャック11上に吸引保持して1/n周
毎(nは2以上の整数)に回転させ、1/n周毎の
「+」印を含む画像をCCDカメラ51から取り込む。
そして、1/n周毎の画像の「+」印の位置を算出し、
それらの平均が回転中心Orとなる。そこで、求められ
た回転中心Orと視野中心Ovとの変位量(△X2 ,△
2 )をオフセット量として検出する。
First, the CCD camera 51 in the peripheral exposure device
At the time of assembling, the offset amount between the visual field center Ov of the CCD camera 51 and the rotation center Or of the spin chuck 11 is detected. For example, a dummy substrate having a "+" mark drawn in the center thereof is suction-held on the spin chuck 11 and rotated every 1 / n round (n is an integer of 2 or more), and "+" every 1 / n round. An image including a mark is captured from the CCD camera 51.
Then, the position of the "+" mark of the image for each 1 / n round is calculated,
The average of them becomes the rotation center Or. Therefore, the calculated displacement amount (ΔX 2 , Δ) between the rotation center Or and the visual field center Ov.
Y 2 ) is detected as the offset amount.

【0034】図3において、周辺露光処理が開始される
と、まず周辺露光処理の対象となる基板1が搬送装置に
よりスピンチャック11上に載置され、吸引保持される
(ステップS1)。
In FIG. 3, when the peripheral exposure process is started, the substrate 1 which is the target of the peripheral exposure process is first placed on the spin chuck 11 by the transfer device and suction-held (step S1).

【0035】次に、モータ12を起動し、基板1を回転
させながらCCDラインセンサ40により基板1の端縁
位置を検出する。CCDラインセンサ40では、基板1
の下方にある受光部42の画素からOFF信号が出力さ
れ、基板1の外方にある画素からON信号が出力され
る。そして、ON信号を出力した画素の位置に基づい
て、スピンチャック11の回転中心Orから基板1の外
周端縁までの半径が基板1の外周縁に沿って数度の回転
角度毎に複数箇所で求められる。また、この時半径が求
められた各外周縁位置の回転角度も同時に検出される。
Next, the motor 12 is started, and the CCD line sensor 40 detects the edge position of the substrate 1 while rotating the substrate 1. In the CCD line sensor 40, the substrate 1
The OFF signal is output from the pixel of the light receiving section 42 below the pixel, and the ON signal is output from the pixel outside the substrate 1. Then, based on the position of the pixel that outputs the ON signal, the radius from the rotation center Or of the spin chuck 11 to the outer peripheral edge of the substrate 1 is set at a plurality of positions along the outer peripheral edge of the substrate 1 at every rotation angle of several degrees. Desired. At this time, the rotation angle of each outer peripheral edge position whose radius is obtained is also detected at the same time.

【0036】基板1の基板中心Owがスピンチャック1
1の回転中心Orと一致している場合には、ON信号を
出力する画素の個数は変動しないが、偏心している場合
にはON信号を出力する画素の個数が変化する。そこ
で、この画素の変化量に基づいて基板1の基板中心Ow
とスピンチャック11の回転中心Orとのオフセット量
を算出する。図4に示す例では、両者のオフセット量は
(△X1 ,△Y1 )である(ステップS2)。
The substrate center Ow of the substrate 1 is the spin chuck 1.
The number of pixels that output the ON signal does not change when the rotation center Or is 1, but the number of pixels that output the ON signal changes when the rotation center Or is 1. Therefore, the substrate center Ow of the substrate 1 is determined based on the change amount of the pixel.
And the offset amount between the rotation center Or of the spin chuck 11 is calculated. In the example shown in FIG. 4, the offset amounts of both are (ΔX 1 , ΔY 1 ) (step S2).

【0037】さらに、CCDラインセンサ40により検
出したスピンチャック11の回転中心Orから外周端縁
までの半径が最も短くなる点をオリフラ部1aの中心位
置と判定し、このオリフラ部1aの中心位置がCCDラ
インセンサ40の検出位置に一致する位置、あるいはそ
の位置から90度、180度、270度回転した位置の
いずれかに基板1を停止させる。図4に示すように、C
CDラインセンサ40は、スピンチャック11の回転中
心Orを通るX軸上に検出位置が設定されている。した
がって、上記の位置で基板1を停止させると、基板1の
オリフラ1aの直線部分がX軸方向あるいはY軸方向に
ほぼ平行になる。以下の説明では、図4に示すように、
オリフラ部1aをCCDラインセンサ40と反対側の位
置でY軸に平行に停止させたものとする(ステップS
3)。
Further, the point where the radius from the rotation center Or of the spin chuck 11 to the outer peripheral edge detected by the CCD line sensor 40 is the shortest is determined to be the center position of the orientation flat portion 1a, and the center position of this orientation flat portion 1a is determined. The substrate 1 is stopped at either a position corresponding to the detection position of the CCD line sensor 40 or a position rotated by 90 °, 180 ° or 270 ° from that position. As shown in FIG.
The detection position of the CD line sensor 40 is set on the X axis passing through the rotation center Or of the spin chuck 11. Therefore, when the substrate 1 is stopped at the above position, the straight portion of the orientation flat 1a of the substrate 1 becomes substantially parallel to the X-axis direction or the Y-axis direction. In the following description, as shown in FIG.
It is assumed that the orientation flat portion 1a is stopped parallel to the Y axis at a position opposite to the CCD line sensor 40 (step S).
3).

【0038】さらに、画像入力部50から基板1表面の
素子領域の画像を入力する(ステップS4)。図5は、
素子領域の入力画像の模式図である。図5(a)におい
て、CCDカメラ51の入力範囲Vは、少なくとも1つ
の素子2を含む大きさを有している。素子2はそれぞれ
平行な2組のスクライブラインSLX0,SLX1,S
LY0,SLY1に囲まれている。スクライブライン位
置算出部Eは、入力された画像データから各スクライブ
ラインSLX0〜1,SLY0〜1を識別し、スクライ
ブラインの交点の位置座標を求める。そして、例えば交
点A1,A2の座標値に基づいてスクライブラインSL
Y0がY軸と平行であるか否かを判定する。図5(a)
のように、θだけ傾いている場合には、基板1を回転
し、図5(b)に示すように、スクライブラインSLY
0,SLY1がY軸に平行となるように基板1の回転停
止位置を微調整する(ステップS5)。
Further, an image of the element region on the surface of the substrate 1 is input from the image input section 50 (step S4). Figure 5
It is a schematic diagram of the input image of an element region. In FIG. 5A, the input range V of the CCD camera 51 has a size including at least one element 2. Element 2 has two sets of parallel scribe lines SLX0, SLX1, S
It is surrounded by LY0 and SLY1. The scribe line position calculation unit E identifies each scribe line SLX0-1, SLY0-1 from the input image data, and obtains the position coordinates of the intersections of the scribe lines. Then, for example, based on the coordinate values of the intersections A1 and A2, the scribe line SL
It is determined whether Y0 is parallel to the Y axis. Figure 5 (a)
As shown in FIG. 5B, the substrate 1 is rotated to tilt the scribe line SLY as shown in FIG.
The rotation stop position of the substrate 1 is finely adjusted so that 0 and SLY1 are parallel to the Y axis (step S5).

【0039】図6は、スクライブライン位置算出部の動
作を示す説明図である。図5(b)および図6におい
て、スクライブライン位置算出部Eは、視野中心Ovと
基板中心Owのオフセット量あるいは入力画像から視野
中心OvからスクライブラインSLX0,SLY0まで
の距離(△X1 ,△Y1 )および1対のスクライブライ
ンSLX0とSLX1との間隔Ycおよび1対のスクラ
イブラインSLY0とSLY1との間隔Xcを求める。
素子領域では同一形状の素子2が繰り返し配列されてい
る。そこで、スクライブラインの間隔YcをY軸方向に
整数倍することによりX軸に平行な各スクライブライン
SLX−3〜SLX3のY軸方向の座標値が視野中心O
vを基準として求まり、スクライブラインの間隔Xcを
X軸方向に整数倍することによりY軸に平行な各スクラ
イブラインSLY−3〜SLY3のX軸方向の座標値が
視野中心Ovを基準として求まる。また、スピンチャッ
ク11の回転中心Ovと視野中心Ovとのオフセット量
(△X2 ,△Y2 )も予め算出されている。したがっ
て、各スクライブラインの座標値にオフセット量(△X
2 ,△Y2 )を加えることによりスピンチャック11の
回転中心Orを基準とする各スクライブラインSLX−
3〜3,SLY−3〜3の座標値が求められる。
FIG. 6 shows the operation of the scribe line position calculation unit.
It is an explanatory view showing a work. 5 (b) and 6
Then, the scribe line position calculation unit E determines the field center Ov
Field of view from the offset amount of the substrate center Ow or the input image
From the center Ov to the scribe lines SLX0 and SLY0
Distance (△ X1, △ Y1) And a pair of scribe lines
Distance Sc between SLX0 and SLX1 and a pair of scrubbers
The distance Xc between the lane lines SLY0 and SLY1 is obtained.
In the element area, elements 2 having the same shape are repeatedly arranged.
It Therefore, the distance Yc between the scribe lines is set in the Y-axis direction.
Each scribe line parallel to the X axis by multiplying by an integer
The coordinate values of the SLX-3 to SLX3 in the Y-axis direction are the field of view center O
Obtained based on v, the scribe line interval Xc
Each scalar parallel to the Y-axis is multiplied by an integral multiple in the X-axis direction.
If the coordinate values of the Y-lines SLY-3 to SLY3 in the X-axis direction are
It is obtained with the center of view Ov as a reference. Also, spin ch
Offset amount between the center of rotation Ov and the center of field of view Ov
(△ X2, △ Y2) Is also calculated in advance. According to
The offset value (ΔX
2, △ Y2) Is added to the spin chuck 11
Each scribe line SLX-based on the rotation center Or
The coordinate values of 3 to 3 and SLY-3 to 3 are obtained.

【0040】また、基板1の外形寸法も予めCCDライ
ンセンサ40により求められている。そこで、基板1内
に含まれる最も外側のスクライブラインSLX3,SL
X−3,SLY3,SLY−3を想定し、矩形の素子領
域Rを仮定する(ステップS6)。
The external dimensions of the substrate 1 are also obtained in advance by the CCD line sensor 40. Therefore, the outermost scribe lines SLX3, SL included in the substrate 1
X-3, SLY3, and SLY-3 are assumed, and a rectangular element region R is assumed (step S6).

【0041】仮定された素子領域Rは、基板1から一部
がはみ出た素子あるいは基板1の外周端縁に極めて近接
する素子も含まれている。そこで、基板1上での有効な
素子領域を決定する必要がある。図7は、基板上の有効
な素子領域の決定方法を説明するための模式図である。
有効な素子領域Reを決定する方法としては、図6に示
す基板1の模式図をモニタに表示し、図7中に斜線で示
した不適切な素子2aを操作者が直接指示する方法があ
る。または、各素子を取り囲むスクライブラインの座標
値に基づいて、素子の一部が基板1の外方に存在する素
子、さらには基板1の外周端縁に一定距離以内に近接す
る素子を不適切な素子として排除する方法を用いること
もできる。
The assumed element region R includes an element that partially protrudes from the substrate 1 or an element that is extremely close to the outer peripheral edge of the substrate 1. Therefore, it is necessary to determine the effective element region on the substrate 1. FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a method of determining an effective element region on the substrate.
As a method for determining the effective element region Re, there is a method in which the schematic diagram of the substrate 1 shown in FIG. 6 is displayed on the monitor, and the operator directly points to the inappropriate element 2a shown by hatching in FIG. . Alternatively, based on the coordinate value of the scribe line surrounding each element, an element in which a part of the element exists outside the substrate 1 or an element which is close to the outer peripheral edge of the substrate 1 within a certain distance is inappropriate. A method of excluding it as an element can also be used.

【0042】図7に示すように、有効な素子領域Reの
外形を規定する基準点(図中黒丸で表示)が求まると、
露光位置算出手段Fは、素子領域Reの外形から一定幅
離れた領域を露光するためのオフセット幅を基準点の座
標値に加算して図8に示すような露光基準点P0 〜P5
の位置データを算出する。素子領域Reの外形と周辺露
光領域とのオフセット量は例えば200μm以下に設定
する(ステップS7)。
As shown in FIG. 7, when a reference point (indicated by a black circle in the figure) that defines the outer shape of the effective element region Re is obtained,
The exposure position calculation means F adds the offset width for exposing a region separated from the outer shape of the element region Re by a constant width to the coordinate value of the reference point, and the exposure reference points P 0 to P 5 as shown in FIG.
Position data is calculated. The offset amount between the outer shape of the element region Re and the peripheral exposure region is set to, for example, 200 μm or less (step S7).

【0043】図8は、周辺露光処理の動作を示す模式図
である。周辺露光処理は、基板1を4分割したそれぞれ
の領域毎に、周辺露光領域の露光基準点P0 〜P5 に従
って行われる。光照射部20の照射端21(図1参照)
から照射されるスポット光SBは、矩形に絞られてい
る。そして、移動部30は、まずスポット光SBの基準
点S0 が露光基準点P0 に一致する位置に照射端21を
移動し、スポット光SBの照射を開始する。さらに、照
射端には、露光量設定手段Cにより設定された露光量デ
ータに基づいて所定の速度で図中の矢印方向に従って順
次露光基準点P1〜P5 間を移動し、基板1の約4分の
1の周辺領域の露光処理を行う(ステップS8)。
FIG. 8 is a schematic diagram showing the operation of the peripheral exposure processing. The peripheral exposure process is performed for each of the four divided regions of the substrate 1 according to the exposure reference points P 0 to P 5 of the peripheral exposure region. Irradiation end 21 of the light irradiation unit 20 (see FIG. 1)
The spot light SB emitted from is narrowed down into a rectangle. Then, the moving unit 30 first moves the irradiation end 21 to a position where the reference point S 0 of the spot light SB matches the exposure reference point P 0 , and starts irradiation of the spot light SB. Further, at the irradiation end, based on the exposure amount data set by the exposure amount setting means C, the exposure end points are sequentially moved between the exposure reference points P 1 to P 5 in accordance with the arrow direction in the figure, and the substrate 1 Exposure processing is performed on the peripheral region of 1/4 (step S8).

【0044】その後、基板のすべての周辺領域の露光処
理が終わったか否かを判定し(ステップS9)、終了し
ていなければ、基板1を90度回転し、ステップS5か
らステップS8の処理を繰り返し行う。
After that, it is judged whether or not the exposure processing for all the peripheral areas of the substrate has been completed (step S9). If not completed, the substrate 1 is rotated 90 degrees and the processing from step S5 to step S8 is repeated. To do.

【0045】すべての周辺領域の露光処理が終了すると
周辺露光処理を終了する。これにより、素子領域Reの
外形に沿って所定距離だけ離れた階段状の周辺露光領域
を形成することができる。
When the exposure processing for all the peripheral areas is completed, the peripheral exposure processing is completed. Accordingly, it is possible to form a stepwise peripheral exposure region that is separated by a predetermined distance along the outer shape of the element region Re.

【0046】このように、本実施例による周辺露光装置
は、基板の端縁位置を検出するCCDラインセンサ40
と、基板上の1つの素子の形状を画像情報として入力す
るCCDカメラ51とを備え、1つの素子の形状を検出
することによって素子領域Reの外形寸法を算出し、こ
の外形寸法に基づいて周辺露光領域の座標値を算出して
周辺露光処理を行うことができる。したがって、従来の
ように素子領域Reの位置情報を逐一入力する必要が無
くなり、操作性のよい処理効率の高い周辺露光装置を得
ることができる。
As described above, the peripheral exposure apparatus according to the present embodiment has the CCD line sensor 40 for detecting the edge position of the substrate.
And a CCD camera 51 for inputting the shape of one element on the substrate as image information, the outer dimension of the element region Re is calculated by detecting the shape of one element, and the periphery is calculated based on this outer dimension. The peripheral exposure processing can be performed by calculating the coordinate values of the exposure area. Therefore, it is not necessary to input the position information of the element region Re one by one as in the conventional case, and it is possible to obtain a peripheral exposure apparatus having good operability and high processing efficiency.

【0047】なお、基板処理の初期段階において、基板
1表面の画像が不鮮明な場合には素子領域の画像データ
を取り込むことが困難となる。この場合には、CCDラ
インセンサ40により得られた基板の端縁位置に基づい
て露光幅設定手段Bが露光幅を設定し、その露光幅で基
板の外周縁を環状に露光する周辺露光処理を併せて用い
てもよい。
In the initial stage of the substrate processing, if the image on the surface of the substrate 1 is unclear, it becomes difficult to capture the image data of the element region. In this case, the exposure width setting means B sets the exposure width on the basis of the edge position of the substrate obtained by the CCD line sensor 40, and the peripheral exposure processing of exposing the outer peripheral edge of the substrate in an annular shape with the exposure width is performed. You may use together.

【0048】また、上記の実施例では、基板1の中心部
の素子2の画像を取り込むようにCCDカメラ51を配
置したが、画像を取り込む素子2としては中心部のもの
に限定されるものではなく、素子領域Re内の任意の素
子2の画像を取り込むようにCCDカメラ51を配置し
てもよい。この場合、素子2の位置は、スピンチャック
11の回転中心OrとCCDカメラ51の視野中心Ov
とのオフセット量から算出することができる。
Further, in the above embodiment, the CCD camera 51 is arranged so as to capture the image of the element 2 in the central portion of the substrate 1, but the element 2 for capturing the image is not limited to the central portion. Instead, the CCD camera 51 may be arranged so as to capture an image of any element 2 in the element region Re. In this case, the position of the element 2 is the center of rotation Or of the spin chuck 11 and the center of view Ov of the CCD camera 51.
It can be calculated from the offset amount between and.

【0049】さらに、上記実施例では、CCDラインセ
ンサ40を用いて基板1の端縁位置を検出するように構
成したが、基板1の端縁位置は他の手段を用いて検出す
るように構成してもよい。
Further, in the above embodiment, the CCD line sensor 40 is used to detect the edge position of the substrate 1, but the edge position of the substrate 1 is detected using other means. You may.

【0050】さらに、上記実施例では、基板1の4分の
1領域毎に周辺露光を行うように構成したが、移動部3
0のX,Y方向への変位量が大きく、照射端21が基板
1の全表面にわたって移動可能に構成される場合には、
基板1を回転することなく基板1の周辺露光を行うこと
ができる。この場合、露光位置算出手段Fは、基板1の
すべての周辺露光領域における露光基準点を同時に算出
するように構成される。
Further, in the above embodiment, the peripheral exposure is performed for each quarter area of the substrate 1, but the moving unit 3 is used.
When the displacement amount of 0 in the X and Y directions is large and the irradiation end 21 is configured to be movable over the entire surface of the substrate 1,
Peripheral exposure of the substrate 1 can be performed without rotating the substrate 1. In this case, the exposure position calculation means F is configured to simultaneously calculate the exposure reference points in all the peripheral exposure areas of the substrate 1.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例による周辺露光装置の構成図で
ある。
FIG. 1 is a configuration diagram of an edge exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例による周辺露光装置の機能ブロ
ック図である。
FIG. 2 is a functional block diagram of an edge exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図3】図1に示す周辺露光装置の動作を示すフローチ
ャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing an operation of the peripheral exposure apparatus shown in FIG.

【図4】周辺露光装置の基板中心、回転中心および視野
中心のオフセットの関係を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a relationship of offsets of a substrate center, a rotation center, and a visual field center of the peripheral exposure apparatus.

【図5】図1の周辺露光装置のCCDカメラの入力画像
の模式図である。
5 is a schematic diagram of an input image of a CCD camera of the peripheral exposure apparatus of FIG.

【図6】スクライブライン位置算出部における動作を示
す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an operation in a scribe line position calculation unit.

【図7】基板上の有効な素子領域を決定する動作を示す
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an operation of determining an effective element region on a substrate.

【図8】図1の周辺露光装置における露光動作を示す説
明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing an exposure operation in the peripheral exposure apparatus of FIG.

【図9】従来の周辺露光装置における露光動作を示す説
明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an exposure operation in a conventional peripheral exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 素子 10 基板回転部 11 スピンチャック 20 光照射部 21 照射端 30 移動部 40 CCDラインセンサ 50 画像入力部 51 CCDカメラ SLX−3〜SLX3,SLY−3〜SLY3 スクラ
イブライン Or スピンチャックの回転中心 Ov 視野中心 Ow 基板中心
1 substrate 2 element 10 substrate rotating part 11 spin chuck 20 light irradiation part 21 irradiation end 30 moving part 40 CCD line sensor 50 image input part 51 CCD camera SLX-3 to SLX3, SLY-3 to SLY3 scribe line Or rotation of spin chuck Center Ov View center Ow Substrate center

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−242922(JP,A) 特開 平5−3153(JP,A) 特開 平6−224117(JP,A) 特開 平7−142332(JP,A) 特開 平3−195011(JP,A) 特開 平6−109446(JP,A) 特開 平3−84921(JP,A) 特開 平9−162120(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 521 ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) References JP-A-3-242922 (JP, A) JP-A-5-3153 (JP, A) JP-A-6-224117 (JP, A) JP-A-7- 142332 (JP, A) JP 3-195011 (JP, A) JP 6-109446 (JP, A) JP 3-84921 (JP, A) JP 9-162120 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20 521

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板上に塗布された感光膜のうち、前記
基板の素子領域の外側にある周辺露光領域を前記素子領
域の外形に沿って階段状に露光する周辺露光装置であっ
て、 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、 前記基板の端縁位置を検出する端縁位置検出手段と、 前記素子領域に含まれる少なくとも1つの素子の形状を
画像データとして入力する画像入力手段と、 前記画像入力手段から入力された前記画像データから前
記1つの素子の寸法と位置を検出し、前記素子の寸法お
よび前記端縁位置検出手段によって検出された前記基板
の端縁位置に基づいて前記素子領域の外形位置を算出
し、前記素子領域の外形位置に基づいて前記素子領域の
外形に沿った周辺露光領域の位置を算出する露光領域算
出手段と、 前記感光膜に光を照射する光照射手段と、 前記露光領域算出手段によって算出された前記周辺露光
領域の位置に基づいて前記感光膜の周辺露光領域が露光
されるように前記光照射手段を制御する制御手段とを備
えたことを特徴する周辺露光装置。
1. A peripheral exposure apparatus which exposes a peripheral exposure region outside a device region of the substrate in a stepwise manner along the outer shape of the device region, of the photosensitive film coated on the substrate, the substrate comprising: A substrate holding means for holding the substrate in a horizontal posture, an edge position detecting means for detecting an edge position of the substrate, an image input means for inputting the shape of at least one element included in the element region as image data, The size and position of the one element are detected from the image data input from the image input means, and the element is based on the size of the element and the edge position of the substrate detected by the edge position detection means. Exposure area calculation means for calculating the outer shape position of the area and calculating the position of the peripheral exposure area along the outer shape of the element area based on the outer shape position of the element area; and irradiating the photosensitive film with light. An irradiation means; and a control means for controlling the light irradiation means so that the peripheral exposure area of the photosensitive film is exposed based on the position of the peripheral exposure area calculated by the exposure area calculation means. A characteristic edge exposure system.
【請求項2】 前記露光領域算出手段は、前記素子の周
囲を取り囲むスクライブラインの位置に基づいて前記素
子の寸法を検出するスクライブライン算出部を含むこと
を特徴とする請求項1記載の周辺露光装置。
2. The peripheral exposure according to claim 1, wherein the exposure area calculation means includes a scribe line calculation unit that detects a dimension of the element based on a position of a scribe line surrounding the element. apparatus.
【請求項3】 前記基板保持手段は、前記基板を回転さ
せる基板回転部を有しており、 前記制御手段は、前記基板が所定角度ずつ回転された位
置毎に周辺露光領域が分割して露光されるように光照射
手段を制御することを特徴とする請求項1または2記載
の周辺露光装置。
3. The substrate holding unit has a substrate rotating unit for rotating the substrate, and the control unit exposes a peripheral exposure region by dividing the substrate at each position rotated by a predetermined angle. 3. The peripheral exposure apparatus according to claim 1, wherein the light irradiating means is controlled as described above.
【請求項4】 前記光照射手段は、光を照射する光照射
部と、前記光照射部を前記基板の全面に亘って移動させ
る移動部とを備えたことを特徴とする請求項1または2
記載の周辺露光装置。
4. The light irradiating means comprises a light irradiating section for irradiating light, and a moving section for moving the light irradiating section over the entire surface of the substrate.
The peripheral exposure apparatus described.
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