JP3381939B2 - Ferrite sintered body, chip inductor parts, composite laminated parts and magnetic core - Google Patents

Ferrite sintered body, chip inductor parts, composite laminated parts and magnetic core

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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、各種磁性材料として用
いられるフェライト焼結体、この焼結体を磁性材料とし
て用いるチップインダクタ、LC複合部品等の複合積層
部品および磁心に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ferrite sintered body used as various magnetic materials, a chip inductor using the sintered body as a magnetic material, a composite laminated component such as an LC composite component, and a magnetic core.

【0002】[0002]

【従来の技術】各種フェライトが、その優れた磁気特性
から各種磁心材料や複合積層部品として用いられてい
る。積層LC複合部品は、セラミック誘電体層と内部電
極層とを積層して構成されるコンデンサチップ体と、フ
ェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体とを一体的に形成したものである。この
ような複合積層部品は、体積が小さいこと、堅牢性およ
び信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多用され
ている。
2. Description of the Related Art Various ferrites are used as various magnetic core materials and composite laminated parts because of their excellent magnetic properties. The laminated LC composite component integrally includes a capacitor chip body formed by laminating a ceramic dielectric layer and an internal electrode layer, and an inductor chip body formed by laminating a ferrite magnetic layer and an internal conductor. It was done. Such composite laminated components are widely used in various electronic devices because of their small volume, high robustness and high reliability.

【0003】これらの部品、例えばLC複合部品は、通
常、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層
用ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成する
ことにより製造される。この場合、磁性層に用いられる
磁性材料としては、低温焼成が可能であることからNi
−Cu−Zn系フェライトやNi−Zn系フェライトが
一般に用いられている。
These components, for example, LC composite components, are usually formed by laminating the internal conductor paste, the magnetic layer paste, the dielectric layer paste and the internal electrode layer paste by a thick film technique and then firing them. It is manufactured by printing or transferring an external electrode paste on the surface of the obtained sintered body and then firing it. In this case, the magnetic material used for the magnetic layer is Ni because it can be fired at a low temperature.
-Cu-Zn type ferrite and Ni-Zn type ferrite are generally used.

【0004】また、このようなフェライトにガラスを添
加して、その特性を改質する試みも幾つか提案されてい
る。例えば、特開平2−288307号公報には、Ni
−フェライトにホウケイ酸ガラスを20〜30重量%添
加した磁性体を用いて、自己共振周波数を向上させた積
層インダクタが開示されている。
Also, some attempts have been proposed to add glass to such ferrite to modify its characteristics. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-288307 discloses Ni
-A laminated inductor is disclosed in which a self-resonant frequency is improved by using a magnetic material obtained by adding 20 to 30% by weight of borosilicate glass to ferrite.

【0005】また、特開平1−31823号公報には、
金属磁性粉末と低融点ガラス粉末の混合物を加圧成型し
たインダクタ部品およびその製造方法が開示されてい
る。さらに、特開平1−110708号公報には、焼結
密度を向上させ機械的強度の改善等のために、フェライ
トにホウケイ酸ガラスを15〜75重量%添加したフェ
ライト焼結体、チップインダクタおよびLC複合部品が
開示されている。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 1-31823 discloses that
An inductor component and a method for manufacturing the same are disclosed, in which a mixture of metal magnetic powder and low melting point glass powder is pressure-molded. Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-110708, a ferrite sintered body, a chip inductor and an LC in which borosilicate glass is added in an amount of 15 to 75% by weight in order to improve the sintered density and the mechanical strength, etc. Composite parts are disclosed.

【0006】その他にも、フェライトにガラスを添加し
て種々の特性の改善を図った技術が知られている(特開
昭51−151331号公報、米国特許第454050
0号明細書、特開昭58−135133号公報、特開昭
58−135606〜135609号公報等)。
In addition, a technique is known in which glass is added to ferrite to improve various properties (Japanese Patent Laid-Open No. 51-151331, US Pat. No. 454050).
No. 0, JP-A-58-135133, JP-A-58-135606 to 135609).

【0007】上述のようにフェライトにガラスを添加し
て、その特性を改質する試みはこれまでに種々なされて
きたが、磁心やチップインダクタにおけるμi、Lおよ
びQの特性を十分に向上させることのできるガラスの配
合系はこれまで知られていなかった。
Various attempts have been made so far to add glass to ferrite to modify its characteristics, but it is necessary to sufficiently improve the characteristics of μi, L and Q in the magnetic core and the chip inductor. A glass compounding system that can be used has hitherto not been known.

【0008】そこで本発明者らは、かかる特性を十分に
向上し得るガラスの配合系を見い出すべく鋭意検討した
結果、磁心またはチップインダクタの磁性材料としてN
i−Cu−Zn系フェライトを用い、これに特定のガラ
スを特定量範囲で添加することにより、上記特性を向上
させることができることを突き止めた。
Therefore, as a result of intensive investigations by the inventors of the present invention to find out a glass compounding system capable of sufficiently improving such characteristics, N was used as a magnetic material for a magnetic core or a chip inductor.
It has been found that the above characteristics can be improved by using i-Cu-Zn ferrite and adding a specific glass in a specific amount range.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フェ
ライト焼結体におけるフェライト中の特定ガラスの含有
量を所定範囲内に設定して、μi、LおよびQを高い値
に保持することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to set the content of a specific glass in ferrite in a ferrite sintered body within a predetermined range to keep μi, L and Q at high values. is there.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(6)の本発明によって達成される。 (1) Ni、CuおよびZnの2種または3種を含む
フェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライ
ト材料にB23 を50ppm以上1000ppm未満の範囲
内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して80
0〜930℃の温度で焼結したフェライト焼結体。 (2) Ni、CuおよびZnの2種または3種を含む
フェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライ
ト材料に、SiO2 :0.1〜15重量%、B23
10〜40重量%、PbO:0.1〜40重量%、Zn
O:20〜70重量%およびAl23 :0〜6重量%
を含有するガラスを250〜4000ppm の範囲内で、
焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して800〜
930℃の温度で焼結したフェライト焼結体。 (3) フェライトの組成がFe23 :40〜52mo
l%、NiO:0〜50mol%、CuO:0〜20mol%およ
びZnO:0〜50mol%である上記(1)または(2)
のフェライト焼結体。 (4) フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成
されるインダクタ部を有するチップインダクタ部品であ
って、前記フェライト磁性層が上記(1)ないし(3)
のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを
特徴とするチップインダクタ部品。 (5) フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成
されるチップインダクタ部を少なくとも有する複合積層
部品であって、前記フェライト磁性層が上記(1)ない
し(3)のいずれかのフェライト焼結体で構成されてい
ることを特徴とする複合積層部品。 (6) 上記(1)ないし(3)のいずれかのフェライ
ト焼結体で構成されていることを特徴とする磁心。
The above objects are achieved by the present invention described in (1) to (6) below. (1) A ferrite sintered body containing two or three kinds of Ni, Cu and Zn, wherein the ferrite material in the raw material stage contains B 2 O 3 in a range of 50 ppm or more and less than 1000 ppm, which is lower than the sintering temperature. It added after calcination at 80
A ferrite sintered body sintered at a temperature of 0 to 930 ° C. (2) A ferrite sintered body containing two or three kinds of Ni, Cu and Zn, wherein the ferrite material in the raw material stage contains SiO 2 : 0.1 to 15% by weight, B 2 O 3 :
10-40% by weight, PbO: 0.1-40% by weight, Zn
O: 20 to 70 wt% and Al 2 O 3: 0~6 wt%
Containing glass within the range of 250 to 4000 ppm,
800 ~ by adding after calcination at a temperature lower than the sintering temperature
A ferrite sintered body sintered at a temperature of 930 ° C. (3) the composition of the ferrite is Fe 2 O 3: 40~52mo
l%, NiO: 0 to 50 mol%, CuO: 0 to 20 mol% and ZnO: 0 to 50 mol% (1) or (2)
Ferrite sintered body. (4) A chip inductor component having an inductor portion configured by laminating a ferrite magnetic layer and an internal conductor, wherein the ferrite magnetic layer is the above (1) to (3).
A chip inductor component, characterized in that the chip inductor component is composed of any one of the above ferrite sintered bodies. (5) A composite laminated component having at least a chip inductor portion formed by laminating a ferrite magnetic layer and an internal conductor, wherein the ferrite magnetic layer is the ferrite sintered body according to any one of (1) to (3) above. A composite laminated component characterized by being composed of a body. (6) A magnetic core comprising the ferrite sintered body according to any one of (1) to (3) above.

【0011】[0011]

【0012】[0012]

【0013】[0013]

【0014】[0014]

【0015】[0015]

【0016】[0016]

【0017】[0017]

【作用】本発明のフェライト焼結体は、原料段階におけ
るNi−Cu−Zn系フェライト成分中にB23 が5
0ppm以上1000ppm 未満、好ましくは200〜90
0ppm 、より好ましくは400〜800ppm の範囲内で
添加されているか、あるいはSiO2 :0.1〜15重
量%、好ましくは3〜12重量%、B23 :10〜4
0重量%、好ましくは20〜35重量%、PbO:0.
1〜40重量%、好ましくは3〜20重量%、ZnO:
20〜70重量%、好ましくは45〜65重量%および
Al23 :0〜6重量%のSiO2 −B23 −Pb
O−ZnO−Al23 系のガラスが250〜4000
ppm 、好ましくは1000〜2000ppm の範囲内で添
加されていることを必要とする。これらガラス成分の含
有量が上記範囲内において初めて磁気特性μi、Lおよ
びQの顕著でかつ臨界的な向上効果が認められる。
In the ferrite sintered body of the present invention, B 2 O 3 is contained in the Ni—Cu—Zn type ferrite component in the raw material stage.
0 ppm or more and less than 1000 ppm, preferably 200 to 90
0 ppm, more preferably in the range of 400 to 800 ppm, or SiO 2 : 0.1 to 15 wt%, preferably 3 to 12 wt%, B 2 O 3 : 10 to 4
0% by weight, preferably 20 to 35% by weight, PbO: 0.
1-40% by weight, preferably 3-20% by weight, ZnO:
20 to 70 wt%, preferably 45 to 65 wt% and Al 2 O 3: 0~6 wt% of SiO 2 -B 2 O 3 -Pb
O-ZnO-Al 2 O 3 based glass of 250-4000
It must be added in ppm, preferably in the range 1000-2000 ppm. Only when the content of these glass components is within the above range, a remarkable and critical improvement effect of the magnetic properties μi, L and Q is recognized.

【0018】本発明において、このように特定のガラス
を所定量添加することによりμiが向上する理由は、低
融点化合物によって液相焼結を形成し、焼結性が向上す
ると共に、フェライトの粒成長を低温から促進させるた
めと考えられる。一方、Q特性が向上する理由として
は、フェライト焼結体の比抵抗が向上することにより、
フェライト磁気損失中の渦電流損失が小さくなるためと
考えられる。
In the present invention, the reason why the μi is improved by adding a predetermined amount of the specific glass is that liquid phase sintering is formed by the low melting point compound to improve the sinterability and the ferrite grains. It is considered to promote the growth from low temperature. On the other hand, the reason why the Q characteristic is improved is that the specific resistance of the ferrite sintered body is improved.
It is considered that this is because the eddy current loss during ferrite magnetic loss becomes smaller.

【0019】本発明で用いるフェライトはNi−Cu−
Zn系、Ni−Cu系、Ni−Zn系、Cu−Zn系の
いずれかであれば、それ以外に特に制限はなく、目的に
応じて種々の組成のものを選択すればよいが、例えば、
Fe23 :40〜52mol%、特に45〜50mol%、N
iO:0〜50mol%、特に3〜40mol%、CuO:0〜
20mol%、特に5〜15mol%およびZnO:0〜50mo
l%、特に6〜33mol%の組成範囲内であることが好まし
い。
The ferrite used in the present invention is Ni-Cu-
Zn, Ni-Cu, Ni-Zn, and Cu-Zn are not particularly limited, and various compositions may be selected according to the purpose.
Fe 2 O 3: 40~52mol%, particularly 45~50mol%, N
iO: 0 to 50 mol%, particularly 3 to 40 mol%, CuO: 0
20mol%, especially 5-15mol% and ZnO: 0-50mo
It is preferably within the composition range of 1%, especially 6 to 33 mol%.

【0020】Fe23 の配合量が多すぎるとα−Fe
23 の析出により、焼結性が悪くなると共に焼結体の
比抵抗が低くなるため、μi、Qの劣化の原因となり、
好ましくない。また、NiO量の多い高周波の組成領域
の組成においては、Fe23 が多すぎると同様な現象
が生じてくる。
If the content of Fe 2 O 3 is too large, α-Fe
The precipitation of 2 O 3 deteriorates the sinterability and lowers the specific resistance of the sintered body, which causes deterioration of μi and Q.
Not preferable. Further, in the composition of the high frequency composition region where the amount of NiO is large, the same phenomenon occurs when the amount of Fe 2 O 3 is too large.

【0021】内部導体にAgを用いる積層チップインダ
クタでは、焼結温度が850〜920℃程度に設定され
るため、充分な焼結性が得られないと磁気特性だけでな
く信頼性に欠け、好ましくないが、上記の組成範囲では
良好な焼結性が得られる。この場合、CuO量が適量範
囲より多い場合には、フェライトの結晶組織が不均一と
なり、μiおよびQ特性の劣化原因となる。Fe23
量とCuO量とが固定されている場合は、フェライトの
適用周波数と磁気特性はNiO量とZnO量によって決
定される。ZnO量が多くNiO量が少ない組成におい
ては低周波数で高μi組成となり、一方ZnO量が少な
くNiO量の多い組成では高周波で低μi組成となる。
なお、ZnO量が適量範囲より多くなると、フェライト
のキュリー点が100℃以下となり、実用上、信頼性に
欠けるため、好ましくない。
In a laminated chip inductor using Ag for the internal conductor, the sintering temperature is set to about 850 to 920 ° C., so that if sufficient sinterability is not obtained, not only the magnetic properties but also the reliability are lacking, which is preferable. However, good sinterability is obtained in the above composition range. In this case, when the amount of CuO is larger than the appropriate amount range, the crystal structure of ferrite becomes non-uniform, which causes deterioration of μi and Q characteristics. Fe 2 O 3
When the amount and the amount of CuO are fixed, the applied frequency and magnetic characteristics of ferrite are determined by the amounts of NiO and ZnO. A composition having a large amount of ZnO and a small amount of NiO results in a high μi composition at a low frequency, while a composition having a small amount of ZnO and a large amount of NiO results in a low μi composition at a high frequency.
If the amount of ZnO exceeds the appropriate amount range, the Curie point of ferrite becomes 100 ° C. or less, which is not practically reliable, which is not preferable.

【0022】ところで、本発明において使用するガラス
23 またはSiO2 −B23−PbO−ZnO−
Al23 系のガラスの添加効果は、フェライトの組成
によって下記の様な変化が観られる。すなわち、ZnO
量が多くNiO量の少ない適用周波数400KHz付近
の組成領域では、特にμiの向上が著しい。また、適用
周波数1MHz 付近の組成領域では、μi、Q共に向上が
著しい。さらに、NiO量が多くZnO量の少ない30
〜70MHz 付近の組成においては、本来のμiが小さい
ことから、μiQ積の向上も比較的小さい。
By the way, the glass used in the present invention B 2 O 3 or SiO 2 —B 2 O 3 —PbO—ZnO—
Regarding the effect of adding Al 2 O 3 -based glass, the following changes can be seen depending on the composition of ferrite. That is, ZnO
In the composition region near the applied frequency of 400 KHz where the amount of NiO is large and the amount of NiO is small, the μi is remarkably improved. Further, in the composition region near the applied frequency of 1 MHz, both μi and Q are remarkably improved. Furthermore, the amount of NiO is large and the amount of ZnO is small.
In the composition around ˜70 MHz, since the original μi is small, the improvement of the μiQ product is relatively small.

【0023】次に、B23 単独添加による場合のフェ
ライト組成との関係において、ZnO量が多い組成領域
ではμiQ積が大きく向上し、従ってこのガラス組成に
おいてはフェライトのZnOが主成分であることがμi
Q積を向上させることになる。
Next, in relation to the ferrite composition when only B 2 O 3 is added, the μiQ product is greatly improved in the composition region where the amount of ZnO is large. Therefore, ZnO of ferrite is the main component in this glass composition. That μi
It will improve the Q product.

【0024】これに対し、SiO2 −B23 −PbO
−ZnO−Al23 系ガラスの単独添加による場合の
フェライト組成との関係では次のような傾向が観られ
る。
On the other hand, SiO 2 --B 2 O 3 --PbO
The following tendencies are observed in relation to the ferrite composition when the —ZnO—Al 2 O 3 based glass is added alone.

【0025】すなわち、このガラス中のSiO2 成分が
適量より多くなるとフェライトの焼結性が劣化し、μi
Q積が小さくなる。また、ガラス中のPbOの成分が適
量より多くなるとAgを導体とする積層チップインダク
タでは、導体の直流抵抗やAgの拡散、断線の原因とな
る。さらに、ガラス中のAl23 の成分が適量より多
くなるとフェライトの焼結性が劣化し、μiQ積が小さ
くなる。
That is, when the SiO 2 component in this glass exceeds an appropriate amount, the sinterability of ferrite deteriorates, and
The Q product becomes smaller. Further, if the amount of PbO component in the glass exceeds an appropriate amount, in a laminated chip inductor using Ag as a conductor, it may cause direct current resistance of the conductor, Ag diffusion, and disconnection. Further, if the content of Al 2 O 3 in the glass exceeds an appropriate amount, the sinterability of ferrite deteriorates and the μiQ product becomes small.

【0026】以上のことから、本発明の条件を満たすフ
ェライト焼結体を用いたフェライトチップインダクタ部
品を少なくとも有する複合積層部品は、優れた性能を有
し、電子部品として多くの用途を有し得るものである。
From the above, a composite laminated component having at least a ferrite chip inductor component using a ferrite sintered body satisfying the conditions of the present invention has excellent performance and can have many uses as an electronic component. It is a thing.

【0027】[0027]

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の複合積層部品の好適実施例である
積層LC複合部品を図1に示す。
Specific Structure The specific structure of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 shows a laminated LC composite component which is a preferred embodiment of the composite laminated component of the present invention.

【0028】図1に示される本発明の一例LC複合部品
1は、セラミック誘電体層21と内部電極層25とを積
層して構成されるコンデンサチップ体2と、フェライト
磁性層31と内部導体35とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体3とを一体化したものであり、表面に外
部電極51を有する。
An example of the LC composite component 1 of the present invention shown in FIG. 1 is a capacitor chip body 2 formed by laminating a ceramic dielectric layer 21 and an internal electrode layer 25, a ferrite magnetic layer 31 and an internal conductor 35. And an inductor chip body 3 formed by stacking and are integrated, and has an external electrode 51 on the surface.

【0029】インダクタチップ体3のフェライト磁性層
31の材質としては、Ni−Cu−Zn系、Ni−Cu
系、Ni−Zn系あるいはCu−Zn系のフェライトを
用いる。この他、Co、Mn等が全体の5wt% 程度以下
含有されていてもよく、またCa、Si、Bi、V、P
b等が1wt% 程度以下含有されていてもよい。
The material of the ferrite magnetic layer 31 of the inductor chip body 3 is Ni-Cu-Zn system, Ni-Cu.
System, Ni-Zn system or Cu-Zn system ferrite is used. In addition, Co, Mn, etc. may be contained in an amount of about 5 wt% or less of the whole, and Ca, Si, Bi, V, P
b or the like may be contained in an amount of about 1 wt% or less.

【0030】本発明において、内部導体35を構成する
導電材は、インダクタとして実用的なQを得るためには
抵抗率の小さいことが必要であるので、Agを主体とす
る導電材を用いることが好ましい。この際、銀の含有量
が90重量%以上のもの、特に純度99.9重量%以上
の純銀を用いることが好ましい。このように、特に純銀
を用いることにより比抵抗をきわめて小さくすることが
できる。
In the present invention, the conductive material forming the internal conductor 35 needs to have a low resistivity in order to obtain a practical Q as an inductor. Therefore, a conductive material mainly containing Ag is used. preferable. At this time, it is preferable to use silver having a silver content of 90% by weight or more, particularly pure silver having a purity of 99.9% by weight or more. As described above, the specific resistance can be extremely reduced by using pure silver.

【0031】LC複合部品1のインダクタチップ体3
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図1に示されるように、内部
導体35は磁性層31内にて通常スパイラル状に配置さ
れて内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極51、
51に接続されている。
Inductor chip body 3 of LC composite component 1
May have a conventionally known structure, and the outer shape is usually a substantially rectangular parallelepiped shape. As shown in FIG. 1, the internal conductors 35 are usually arranged in a spiral shape in the magnetic layer 31 to form internal windings, and both ends of the internal conductors 35 are external electrodes 51,
It is connected to 51.

【0032】このような場合、内部導体35の巻線パタ
ーン、すなわち閉磁路形状は種々のパターンとすること
ができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択すればよ
い。また、インダクタチップ体3の各部寸法等には制限
はなく、用途に応じ適宜選択すればよい。
In such a case, the winding pattern of the inner conductor 35, that is, the shape of the closed magnetic circuit can be various patterns, and the number of turns thereof can be appropriately selected according to the application. Further, there is no limitation on the size of each part of the inductor chip body 3, and it may be appropriately selected according to the application.

【0033】なお、内部導体35の厚さは、通常5〜3
0μm 程度、巻線ピッチは通常10〜400μm 程度、
巻数は通常1.5〜50.5ターン程度とされる。ま
た、磁性層31のベース厚は通常100〜500μm 程
度、内部導体35、35間の磁性層厚は通常10〜10
0μm 程度とする。
The thickness of the inner conductor 35 is usually 5 to 3.
0 μm, winding pitch is usually 10 to 400 μm,
The number of turns is usually about 1.5 to 50.5 turns. The base thickness of the magnetic layer 31 is usually about 100 to 500 μm, and the magnetic layer thickness between the inner conductors 35 is usually 10 to 10 μm.
It is about 0 μm.

【0034】コンデンサチップ体2のセラミック誘電体
層21には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよ
いが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を
用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合
酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混
合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させ
るために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させても
よい。
There are no particular restrictions on the ceramic dielectric layer 21 of the capacitor chip body 2, and various dielectric materials may be used. However, since the firing temperature is low, it is preferable to use a titanium oxide-based dielectric. In addition, a titanic acid-based composite oxide, a zirconic acid-based composite oxide, or a mixture thereof can also be used. Further, glass such as borosilicate glass may be contained in order to lower the firing temperature.

【0035】具体的には、酸化チタン系としては、必要
に応じNiO、CuO、Mn34、Al23、Mg
O、SiO2 等、特にCuOを含むTiO2 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、BaTiO3 、SrTiO
3、CaTiO3 、MgTiO3やこれらの混合物等が、
ジルコン酸系複合酸化物としては、BaZrO3 、Sr
ZrO3 、CaZrO3 、MgZrO3 やこれらの混合
物等が挙げられる。
Specifically, as the titanium oxide-based material, NiO, CuO, Mn 3 O 4 , Al 2 O 3 and Mg may be used if necessary.
O, SiO 2 and the like, particularly TiO 2 and the like containing CuO, and BaTiO 3 and SrTiO 3 as titanic acid-based composite oxides.
3 , CaTiO 3 , MgTiO 3 and mixtures of these,
Zirconic acid-based composite oxides include BaZrO 3 , Sr.
Examples thereof include ZrO 3 , CaZrO 3 , MgZrO 3, and mixtures thereof.

【0036】本発明において、内部電極層25を構成す
る導電材に特に制限はなく、Ag、Pt、Pd、Au、
Cu、Niや、例えばAg−Pd合金など、これらを1
種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にA
g、Ag−Pd合金などのAg合金等が好適である。
In the present invention, the conductive material forming the internal electrode layer 25 is not particularly limited, and Ag, Pt, Pd, Au,
Cu, Ni, Ag-Pd alloy, etc.
It may be selected from alloys containing more than one kind, but especially A
g, Ag alloys such as Ag-Pd alloys, and the like are preferable.

【0037】LC複合部品1のコンデンサチップ体2
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図1に示されるように、内部
電極層25の一端は外部電極51に接続されている。
Capacitor chip body 2 of LC composite component 1
May have a conventionally known structure, and the outer shape is usually a substantially rectangular parallelepiped shape. Then, as shown in FIG. 1, one end of the internal electrode layer 25 is connected to the external electrode 51.

【0038】コンデンサチップ体2の各部寸法等には特
に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよい。な
お、誘電体層21の積層数は目的に応じて定めればよい
が、通常1〜100程度である。また、誘電体層21の
一層あたりの厚さは、通常20〜150μm 程度であ
り、内部電極層25の一層あたりの厚さは、通常5〜3
0μm 程度である。
The size of each part of the capacitor chip body 2 is not particularly limited and may be appropriately selected according to the application. The number of stacked dielectric layers 21 may be determined according to the purpose, but is usually about 1 to 100. The thickness of each dielectric layer 21 is usually about 20 to 150 μm, and the thickness of each internal electrode layer 25 is usually 5 to 3 μm.
It is about 0 μm.

【0039】本発明のLC複合部品1の外部電極51を
構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ag、P
t、Pd、Au、Cu、NiやAg−Pd合金などのこ
れらを1種以上含有する合金等から選択すればよいが、
特にAg、Ag−Pd合金などのAg合金等が好適であ
る。また、外部電極51の形状や寸法等には特に制限が
なく、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚
さは、通常100〜2500μm 程度である。
There is no particular limitation on the conductive material forming the external electrode 51 of the LC composite component 1 of the present invention.
It may be selected from alloys containing at least one of t, Pd, Au, Cu, Ni, Ag—Pd alloy, and the like.
Particularly, Ag alloys such as Ag and Ag-Pd alloys are suitable. The shape and size of the external electrode 51 are not particularly limited and may be appropriately determined according to the purpose and application, but the thickness is usually about 100 to 2500 μm.

【0040】本発明のLC複合部品1の寸法には特に制
限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよい
が、通常(1.6〜10.0mm)×(0.8〜15.0
mm)×(1.0〜5.0mm)程度である。本発明の複合
積層部品は、前述したLC複合部品に限定されるもので
はなく、前述した構成を一部に有するものであれば、こ
の他各種の複合積層部品であってもよい。
The size of the LC composite component 1 of the present invention is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose and application, but is usually (1.6 to 10.0 mm) × (0.8 to 15). .0
mm) × (1.0 to 5.0 mm). The composite laminated component of the present invention is not limited to the above-described LC composite component, and may be various other composite laminated components as long as it partially has the above-described configuration.

【0041】本発明のLC複合部品1等の複合積層部品
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により製
造することができる。
The composite laminated component such as the LC composite component 1 of the present invention can be manufactured by a usual printing method or a sheet method using a paste.

【0042】フェライト磁性層用ペーストは、次のよう
にして作製する。
The ferrite magnetic layer paste is prepared as follows.

【0043】まず、フェライトの原料粉末、例えばNi
O、ZnO、CuO、Fe23 等の各種粉末を、所定
量ボールミル等により湿式混合する。こうして湿式混合
したものを、通常スプレードライヤーにより乾燥し、そ
の後仮焼する。得られた仮焼材に所定量のB23 また
はSiO2 −B23 −PbO−ZnO−Al23
のガラスを添加し、これを通常は、ボールミルで粉体粒
径0.01〜0.5μm 程度の粒径となるまで湿式粉砕
し、スプレードライヤーにより乾燥する。
First, a raw material powder of ferrite, for example, Ni
Various powders of O, ZnO, CuO, Fe 2 O 3 and the like are wet-mixed in a predetermined amount by a ball mill or the like. The thus wet-mixed product is usually dried by a spray dryer and then calcined. A predetermined amount of B 2 O 3 or SiO 2 —B 2 O 3 —PbO—ZnO—Al 2 O 3 type glass was added to the obtained calcined material, and this was usually ball milled to a powder particle size of 0. Wet-pulverize to a particle size of about 0.01 to 0.5 μm and dry with a spray dryer.

【0044】得られたフェライト粉末を、エチルセルロ
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。なお、B2
3 やガラスを仮焼結前に添加すると、その成分が蒸発し
やすくなるので仮焼後に添加する。
The obtained ferrite powder is kneaded with a binder such as ethyl cellulose and a solvent such as terpineol and butyl carbitol to form a paste. B 2 O
If 3 or glass is added before calcination, its components are likely to evaporate, so it is added after calcination.

【0045】セラミック誘電体層用ペーストの構成に特
に制限はなく、上記したようなフェライト誘電体層の組
成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体と
なる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練
して調製すればよい。
There is no particular limitation on the structure of the ceramic dielectric layer paste, and various dielectric materials or raw material powders that become a dielectric by firing are selected according to the composition of the ferrite dielectric layer as described above, and various binders and It may be prepared by kneading with a solvent.

【0046】原料粉末としては、通常、酸化チタン系お
よびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いれ
ばよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ti、B
a、Sr、Ca、Zr等の酸化物を用いればよい。また
これらは焼成により酸化物になる化合物、例えば炭酸
塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等を
用いてもよい。
As the raw material powder, it is usually sufficient to use an oxide constituting a titanium oxide-based or titanic acid-based composite oxide, and Ti, B or the like depending on the composition of the corresponding oxide dielectric.
Oxides such as a, Sr, Ca and Zr may be used. Further, as these, compounds which become oxides upon firing, such as carbonates, sulfates, nitrates, oxalates, and organometallic compounds may be used.

【0047】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
0.1〜5μm 程度のものが用いられる。
As these raw material powders, those having an average particle diameter of about 0.1 to 5 μm are usually used.

【0048】また、必要に応じ、各種ガラスが含有され
ていてもよい。
If necessary, various glasses may be contained.

【0049】また、焼結助剤等として、必要に応じて各
種ガラスや酸化物を含有させてもよい。
If necessary, various glasses or oxides may be contained as a sintering aid or the like.

【0050】内部導体用ペースト、内部電極層用ペース
ト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した
各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電
材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等
と、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製
する。
The internal conductor paste, the internal electrode layer paste, and the external electrode paste are each of the above-mentioned various conductive metals, alloys, or various oxides, organometallic compounds, and resinates that become the above-mentioned conductive material after firing. Etc. and the above-mentioned various binders and solvents are kneaded to prepare.

【0051】上記した各ペースト中のバインダおよび溶
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは1〜5wt% 程度、溶剤は10〜50wt% 程度
とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて
各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
10wt% 以下であることが好ましい。
The content of the binder and the solvent in each of the above-mentioned pastes is not particularly limited, and the usual content, for example,
The binder may be about 1 to 5 wt% and the solvent may be about 10 to 50 wt%. In addition, each paste may contain additives selected from various dispersants, plasticizers, dielectrics, insulators and the like, if necessary. The total content of these is
It is preferably 10 wt% or less.

【0052】LC複合部品1を製造するに際しては、例
えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体用ペ−ス
トをPET等の基板上に積層印刷する。
In manufacturing the LC composite component 1, for example, first, a magnetic layer paste and an internal conductor paste are laminated and printed on a substrate such as PET.

【0053】なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペー
ストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導
体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、こ
れらを積層してグリーンチップを形成してもよい。この
場合、磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよ
い。
A green sheet is formed by using the magnetic layer paste or the dielectric layer paste, the internal conductor paste and the internal electrode layer paste are printed on the green sheet, and these are laminated to form a green chip. You may form. In this case, the dielectric layer adjacent to the magnetic layer may be directly printed.

【0054】次いで、外部電極用ペーストをグリーンチ
ップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体
用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペース
トおよび外部電極用ペーストを同時焼成する。
Next, the external electrode paste is printed or transferred onto the green chip, and the magnetic layer paste, the internal conductor paste, the dielectric layer paste, the internal electrode layer paste and the external electrode paste are simultaneously fired.

【0055】また、先にチップ体を焼成し、その後に外
部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。
Alternatively, the chip body may be fired first, and then the external electrode paste may be printed and fired.

【0056】焼成温度は、800〜930℃、特に85
0〜900℃とすることが好ましい。また、焼成時間
は、0.05〜5時間、特に0.1〜3時間とすること
が好まい。焼成は、PO2 =1〜100%で行なう。
The firing temperature is 800 to 930 ° C., especially 85.
The temperature is preferably 0 to 900 ° C. The firing time is preferably 0.05 to 5 hours, particularly 0.1 to 3 hours. The firing is performed with PO 2 = 1 to 100%.

【0057】また、外部電極焼き付けのための焼成温度
は、通常500〜700℃程度、焼成時間は、通常10
分〜3時間程度であり、焼成は通常、空気中で行なう。
The baking temperature for baking the external electrodes is usually about 500 to 700 ° C., and the baking time is usually 10
It is about 3 minutes to 3 hours, and firing is usually performed in air.

【0058】本発明では、焼成時および焼成後、大気よ
り酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好
ましい。
In the present invention, it is preferable to perform the heat treatment during and after firing in an atmosphere containing oxygen in excess of the air.

【0059】酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうことに
よって、Cu、Zn等の金属やCu2 O、Zn2 O等の
抵抗が低い酸化物の形で析出した物や析出していた物を
CuO、ZnO等の抵抗が高く実害のない酸化物の形で
析出させることができる。このため部品の回路抵抗がよ
り一層向上する。
By heat-treating in an oxygen-excess atmosphere, a substance such as a metal such as Cu or Zn or an oxide having a low resistance such as Cu 2 O or Zn 2 O or a substance that has been deposited is converted into CuO, It can be deposited in the form of an oxide such as ZnO having a high resistance and causing no actual damage. Therefore, the circuit resistance of the component is further improved.

【0060】また、前記熱処理は、最後の焼成時および
最後の焼成後に行なうことが好ましい。
The heat treatment is preferably performed during the final firing and after the final firing.

【0061】例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き
付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時
およびこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼
き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付
ける時や外部電極を焼き付けた後に所定の熱処理を行な
うことが好ましい。なお、後者のように2度焼成を行な
う場合は、場合によっては、さらにチップ体の焼成時や
チップ体の焼成後に熱処理を行なってもよい。
For example, when the firing of the chip body and the firing for firing the external electrode are performed simultaneously, when performing the firing for firing the external electrode after firing of the chip body at the time of this firing and after this firing, It is preferable to perform a predetermined heat treatment when the external electrode is baked or after the external electrode is baked. When the firing is performed twice as in the latter case, heat treatment may be further performed when firing the chip body or after firing the chip body.

【0062】熱処理雰囲気中の酸素分圧比は、20〜1
00%、より好ましくは50〜100%、特に好ましく
は100%が好ましい。前記範囲未満では、Cu、Z
n、Cu2 O、ZnO等の析出を抑制する能力が低下す
る。
The oxygen partial pressure ratio in the heat treatment atmosphere is 20 to 1
00%, more preferably 50 to 100%, particularly preferably 100%. Below the above range, Cu, Z
The ability to suppress the precipitation of n, Cu 2 O, ZnO, etc. decreases.

【0063】このような酸素過剰雰囲気中での熱処理
は、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行わ
れるため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条
件や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみ
を単独で行う場合、熱処理温度は、550〜900℃、
特に、650〜800℃、保持時間は0.5〜2時間、
特に1〜1.5時間とすることが好ましい。
Since such heat treatment in an oxygen-excess atmosphere is usually performed at the same time as firing or external electrode baking, various conditions such as heat treatment temperature and holding time are similar to those of the baking conditions and external electrode baking conditions. However, when the heat treatment alone is performed, the heat treatment temperature is 550 to 900 ° C.
Especially, 650 to 800 ° C., holding time 0.5 to 2 hours,
It is particularly preferable to set the time to 1 to 1.5 hours.

【0064】なお、LC複合部品以外の複合積層部品の
場合も前記のとおり作製すればよい。
The composite laminated parts other than the LC composite part may be manufactured as described above.

【0065】このようにして製造されたLC複合部品等
の本発明の複合積層部品は、外部電極に半田付等を行な
うことにより、プリント基板上等に実装され、各種電子
機器等に使用される。
The composite laminated component of the present invention such as the LC composite component manufactured in this manner is mounted on a printed circuit board or the like by soldering the external electrodes and used for various electronic devices. .

【0066】[0066]

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.

【0067】 実施例1〜4,比較例1、2、3、3’、4、4’ 最終組成でFe23 :49.4モル%、NiO:1
6.3モル%、CuO:8.7モル%およびZnO:2
5.6モル%となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、7
00℃にて仮焼した。この仮焼材にB23 を0〜50
00ppm の範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉
砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径
0.1〜0.3μm の粉体を作製した。
Examples 1 to 4, Comparative Examples 1, 2, 3, 3 ', 4 and 4'Final composition of Fe 2 O 3 : 49.4 mol%, NiO: 1
6.3 mol%, CuO: 8.7 mol% and ZnO: 2
The raw materials were mixed so as to be 5.6 mol%. The raw materials are mixed by wet mixing using a ball mill, and then,
The wet mixture is dried with a spray drier,
It was calcined at 00 ° C. Add 0 to 50 B 2 O 3 to this calcined material
It was added in the range of 00 ppm, wet-milled with a ball mill and then dried with a spray dryer to prepare a powder having a final average particle size of 0.1 to 0.3 μm.

【0068】得られた粉体をトロイダル形状に成型し
た。この成型品を大気中において焼成温度870℃で2
時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロイダ
ルコアの外径は11.1mm、内径は5.1mm、厚みは
2.4mm、巻数は20ターン、線径は0.35mmであ
る。
The obtained powder was molded into a toroidal shape. This molded product was baked in air at a firing temperature of 870 ° C for 2 hours.
The toroidal core was produced by firing for a time. The toroidal core has an outer diameter of 11.1 mm, an inner diameter of 5.1 mm, a thickness of 2.4 mm, a winding number of 20 turns, and a wire diameter of 0.35 mm.

【0069】また、上記粉体100重量部に対し、エチ
ルセルロース3.84重量部およびテルピネオール78
重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペー
ストとした。
Further, with respect to 100 parts by weight of the above powder, 3.84 parts by weight of ethyl cellulose and 78 of terpineol
A part by weight was added, and the mixture was kneaded with a triple roll to obtain a magnetic material layer paste.

【0070】次に、内部導体用ペーストを、平均粒径
0.8μm のAg100重量部に対し、エチルセルロー
ス2.5重量部およびテルピネオール40重量部を加
え、三本ロールにて混練することにより作製した。
Next, an internal conductor paste was prepared by adding 2.5 parts by weight of ethyl cellulose and 40 parts by weight of terpineol to 100 parts by weight of Ag having an average particle size of 0.8 μm and kneading with a three-roll mill. .

【0071】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表1に示すようなB23 の含有量の異なる種々
の積層積層型チップインダクタを製造した。
The magnetic layer paste and the internal conductor paste thus produced were printed and laminated, and various laminated and laminated types having different B 2 O 3 contents as shown in Table 1 were formed by the printing and laminating method. A chip inductor was manufactured.

【0072】この場合、焼成温度は870℃、焼成時間
は2時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
In this case, the firing temperature was 870 ° C., the firing time was 2 hours, and the firing atmosphere was the atmosphere.

【0073】得られた積層型チップインダクタの寸法
は、4.5mm×3.2mm×1.1mmで、巻数は9.5タ
ーンとした。
The dimensions of the obtained laminated chip inductor were 4.5 mm × 3.2 mm × 1.1 mm, and the number of turns was 9.5 turns.

【0074】これら積層型チップインダクタおよびトロ
イダルコアについて、測定周波数1MHz の条件にてμ
i、L(μH)およびQを求めた。得られた結果を表1
に示す。
Regarding these multilayer chip inductors and toroidal cores, μ was measured under the condition that the measurement frequency was 1 MHz.
i, L (μH) and Q were determined. The results obtained are shown in Table 1.
Shown in.

【0075】[0075]

【表1】 [Table 1]

【0076】表1に示す結果から分かるように、B2
3 の添加量が50〜1000ppm 未満の範囲内のときは
無添加の場合と比較して、積層型チップインダクタのL
Q積およびトロイダルコアのμiQ積は共に約25%以
上向上している。特に、B23 の添加量が200〜9
00、特に400〜800ppm のときに最も向上してお
り、トロイダルコアのμiQ積は無添加の場合と比較し
て約135%、積層型チップインダクタのLQ積は無添
加の場合と比較して約75%以上まで向上している。
As can be seen from the results shown in Table 1, B 2 O
When the addition amount of 3 is within the range of 50 to less than 1000 ppm, the L of the multilayer chip inductor is compared with the case of no addition.
Both the Q product and the μiQ product of the toroidal core are improved by about 25% or more. Especially, the addition amount of B 2 O 3 is 200 to 9
00, especially at 400 to 800 ppm, the μiQ product of the toroidal core is about 135% compared to the case without addition, and the LQ product of the multilayer chip inductor is about 35% compared to the case without addition. It has improved to over 75%.

【0077】実施例7〜13,比較例5〜7 最終組成でFe23 :49.4モル%、NiO:1
6.3モル%、CuO:8.7モル%およびZnO:2
5.6モル%となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、7
00℃にて仮焼した。この仮焼材に、SiO2 :10重
量%、B23 :25重量%、PbO:5重量%、Zn
O:59.5重量%およびAl23 :0.5重量%の
組成を有するガラス(以下、ガラスI)を0〜5000
ppm の範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉砕し
た後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径0.1
〜0.3μm の粉体を作製した。
Examples 7 to 13 and Comparative Examples 5 to 7 Fe 2 O 3 : 49.4 mol% and NiO: 1 in the final composition.
6.3 mol%, CuO: 8.7 mol% and ZnO: 2
The raw materials were mixed so as to be 5.6 mol%. The raw materials are mixed by wet mixing using a ball mill, and then,
The wet mixture is dried with a spray drier,
It was calcined at 00 ° C. On this calcined material, SiO 2 : 10% by weight, B 2 O 3 : 25% by weight, PbO: 5% by weight, Zn
O: 59.5 wt% and Al 2 O 3 : 0.5 wt% glass (hereinafter, glass I) having a composition of 0 to 5000.
Add in the range of ppm, wet pulverize with a ball mill and dry with a spray dryer to obtain a final average particle size of 0.1.
A powder of ˜0.3 μm was prepared.

【0078】得られた粉体を前記のトロイダル形状に成
型した。この成型品を大気中において焼成温度870℃
で2時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は11.1mm、内径は5.1mm、厚み
は2.4mm、巻数は20ターン、線径は0.35mmであ
る。
The obtained powder was molded into the above-mentioned toroidal shape. This molded product is baked in the air at a firing temperature of 870 ° C.
Then, it was baked for 2 hours to prepare a toroidal core. The toroidal core has an outer diameter of 11.1 mm, an inner diameter of 5.1 mm, a thickness of 2.4 mm, a winding number of 20 turns, and a wire diameter of 0.35 mm.

【0079】また、上記粉体100重量部に対し、エチ
ルセルロース3.84重量部およびテルピネオール78
重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペー
ストとした。
Also, with respect to 100 parts by weight of the above powder, 3.84 parts by weight of ethyl cellulose and 78 of terpineol
A part by weight was added, and the mixture was kneaded with a triple roll to obtain a magnetic material layer paste.

【0080】次に、内部導体用ペーストを、平均粒径
0.8μm のAg100重量部に対し、エチルセルロー
ス2.5重量部およびテルピネオール40重量部を加
え、三本ロールにて混練することにより作製した。
Next, an internal conductor paste was prepared by adding 2.5 parts by weight of ethyl cellulose and 40 parts by weight of terpineol to 100 parts by weight of Ag having an average particle size of 0.8 μm and kneading with a three-roll mill. .

【0081】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表2に示すようなガラスIの含有量の異なる種々
の積層積層型チップインダクタを製造した。
The magnetic layer paste and the internal conductor paste thus produced were printed and laminated, and various laminated and laminated chip inductors having different glass I contents as shown in Table 2 were formed by the printed and laminated method. Was manufactured.

【0082】この場合、焼成温度は870℃、焼成時間
は2時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
In this case, the firing temperature was 870 ° C., the firing time was 2 hours, and the firing atmosphere was the atmosphere.

【0083】得られた積層型チップインダクタの寸法
は、4.5mm×3.2mm×1.1mmで、巻数は9.5タ
ーンとした。
The dimensions of the obtained laminated chip inductor were 4.5 mm × 3.2 mm × 1.1 mm, and the number of turns was 9.5 turns.

【0084】これら積層型チップインダクタおよびトロ
イダルコアについて、測定周波数1MHz の条件にてμ
i、L(μH)およびQを求めた。得られた結果を表2
に示す。
Regarding these multilayer chip inductors and toroidal cores, μ was measured under the condition that the measurement frequency was 1 MHz.
i, L (μH) and Q were determined. Table 2 shows the obtained results.
Shown in.

【0085】[0085]

【表2】 [Table 2]

【0086】表2に示す結果から分かるように、ガラス
Iの添加量が250〜4000ppmの範囲内のときは無
添加の場合と比較して、積層型チップインダクタのLQ
積およびトロイダルコアのμiQ積は共に約25%以上
向上している。特に、トロイダルコアではガラスの添加
量が1500〜2000ppm の範囲ときに約140%以
上まで向上しており、また積層型チップインダクタでは
ガラスの添加量が1000〜1500ppm の範囲とき約
76%以上まで向上している。
As can be seen from the results shown in Table 2, when the amount of the glass I added is in the range of 250 to 4000 ppm, the LQ of the multilayer chip inductor is higher than that in the case of no addition.
The product and the μiQ product of the toroidal core are both improved by about 25% or more. Especially, in the toroidal core, the amount of glass added has improved to about 140% or more in the range of 1500 to 2000 ppm, and for multilayer chip inductors, the amount of glass added has improved to about 76% or more in the range of 1000 to 1500 ppm. is doing.

【0087】実施例14〜17,比較例8〜11 最終組成でFe23 :49.4モル%、NiO:1
6.3モル%、CuO:8.7モル%およびZnO:2
5.6モル%となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、7
00℃にて仮焼した。この仮焼材に表3に示す各種ガラ
スを夫々2000ppm の範囲で添加し、これをボールミ
ルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最
終平均粒径0.1〜0.3μm の粉体を作製した。
Examples 14 to 17 and Comparative Examples 8 to 11 Fe 2 O 3 : 49.4 mol% in final composition, NiO: 1
6.3 mol%, CuO: 8.7 mol% and ZnO: 2
The raw materials were mixed so as to be 5.6 mol%. The raw materials are mixed by wet mixing using a ball mill, and then,
The wet mixture is dried with a spray drier,
It was calcined at 00 ° C. The various glasses shown in Table 3 were added to this calcined material in the range of 2000 ppm, wet pulverized with a ball mill and dried with a spray drier to obtain a powder having a final average particle diameter of 0.1 to 0.3 μm. It was made.

【0088】比較用のガラスX〜XIVと本発明のガラ
スII〜Vの組成は下記表3のとおりである。
The compositions of comparative glasses X to XIV and glasses II to V of the present invention are shown in Table 3 below.

【0089】[0089]

【表3】 [Table 3]

【0090】得られた粉体を前記のトロイダル形状に成
型した。この成型品を大気中において焼成温度870℃
で2時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は11.1mm、内径は5.1mm、厚み
は2.4mm、巻数は20ターン、線径は0.35mmであ
る。
The obtained powder was molded into the above-mentioned toroidal shape. This molded product is baked in the air at a firing temperature of 870 ° C.
Then, it was baked for 2 hours to prepare a toroidal core. The toroidal core has an outer diameter of 11.1 mm, an inner diameter of 5.1 mm, a thickness of 2.4 mm, a winding number of 20 turns, and a wire diameter of 0.35 mm.

【0091】このトロイダルコアの収縮率、焼結密度お
よび測定周波数1MHz の条件におけるμiおよびQ特性
を求めた。得られた結果を表4に示す。
The shrinkage factor, sintered density and μi and Q characteristics of this toroidal core were measured under the condition of a measurement frequency of 1 MHz. The results obtained are shown in Table 4.

【0092】[0092]

【表4】 [Table 4]

【0093】表4に示す結果から分かるように、SiO
2 −B23 −PbO−ZnO−Al23 系ガラスの
組成が本発明の範囲内のときは、トロイダルコアのμi
Q積は無添加の場合と比較して約137%以上まで向上
している。これに対し、かかるガラスの組成が本発明の
範囲から逸脱している場合には、フェライト焼結体の密
度が低いためにμiおよびQが低く、μiQ積がガラス
無添加の場合に比較して悪くなっている。
As can be seen from the results shown in Table 4, SiO
When 2 -B 2 O 3 -PbO-ZnO -Al 2 Composition of O 3 based glass is within the scope of the present invention, .mu.i toroidal core
The Q product is improved to about 137% or more compared to the case of no addition. On the other hand, when the composition of the glass deviates from the range of the present invention, μi and Q are low because the density of the ferrite sintered body is low, and the μiQ product is smaller than that in the case where no glass is added. It's getting worse.

【0094】実施例18〜20 最終組成が表5に示すような配合内容となるように原料
を混合して原料粉体を得た。これら原料の混合は、ボー
ルミルを用いて湿式混合により行い、ついで、この湿式
混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、700℃に
て仮焼した。この仮焼材に、実施例8で使用したものと
同じガラスIを2000ppm の範囲で添加し、これをボ
ールミルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥
し、最終平均粒径0.1〜0.3μm の粉体を作製し
た。
Examples 18 to 20 Raw materials were mixed by mixing the raw materials so that the final composition was as shown in Table 5. These raw materials were mixed by wet mixing using a ball mill, and then the wet mixture was dried by a spray dryer and calcined at 700 ° C. To this calcined material, the same glass I as that used in Example 8 was added in the range of 2000 ppm, this was wet pulverized with a ball mill and then dried with a spray dryer, and the final average particle diameter was 0.1 to 0. A 3 μm powder was prepared.

【0095】得られた粉体を前記のトロイダル形状に成
型した。この成型品を大気中において焼成温度870℃
で2時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は11.1mm、内径は5.1mm、厚み
は2.4mm、巻数は20ターン、線径は0.35mmであ
る。
The obtained powder was molded into the above-mentioned toroidal shape. This molded product is baked in the air at a firing temperature of 870 ° C.
Then, it was baked for 2 hours to prepare a toroidal core. The toroidal core has an outer diameter of 11.1 mm, an inner diameter of 5.1 mm, a thickness of 2.4 mm, a winding number of 20 turns, and a wire diameter of 0.35 mm.

【0096】このトロイダルコアの収縮率、焼結密度並
びにμiおよびQ特性を求めた。なお、測定周波数は、
各フェライト組成においてμiQ積が最も大きい周波数
とした。得られた結果を表6に示す。
The shrinkage rate, sintered density and μi and Q characteristics of this toroidal core were determined. The measurement frequency is
The frequency was selected so that the μiQ product was the largest in each ferrite composition. The obtained results are shown in Table 6.

【0097】[0097]

【表5】 [Table 5]

【0098】[0098]

【表6】 [Table 6]

【0099】表6に示す結果から分かるように、フェラ
イト組成には好適範囲が存在し、Fe23 :40〜5
2mol%、NiO:0〜50mol%、CuO:0〜20mol%
およびZnO:0〜50mol%組成範囲内のときは、トロ
イダルコアのμiQ積は無添加の場合と比較して約70
%以上まで向上している。
As can be seen from the results shown in Table 6, there is a suitable range for the ferrite composition, and Fe 2 O 3 : 40-5
2 mol%, NiO: 0-50 mol%, CuO: 0-20 mol%
And ZnO: within the composition range of 0 to 50 mol%, the μiQ product of the toroidal core is about 70 compared with the case of no addition.
It has improved to over%.

【0100】[0100]

【発明の効果】本発明のフェライト焼結体は、Ni−C
u−Zn系、Ni−Cu系、Ni−Zn系、Cu−Zn
系のフェライトにB23 または特定組成比のSiO2
−B23 −PbO−ZnO−Al23 系ガラスを所
定範囲内の量で添加したことにより、これを磁心や積層
型チップインダクタに使用した場合には、μi、インダ
クタンスLおよびQが高い値に保持され、従って、この
ようなセラミックインダクタ部品を少なくとも有する複
合積層部品はその性能に優れ、各種電子機器に有用であ
る。
The ferrite sintered body of the present invention is made of Ni-C.
u-Zn system, Ni-Cu system, Ni-Zn system, Cu-Zn
B 2 O 3 or SiO 2 with a specific composition ratio
By the addition of -B 2 O 3 -PbO-ZnO- Al 2 O 3 based glass in an amount within the predetermined range, the case of using this magnetic core and multilayer chip inductor, .mu.i, inductance L and Q The composite laminated component which is held at a high value and therefore has at least such a ceramic inductor component has excellent performance and is useful for various electronic devices.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の複合積層部品の好適実施例であるLC
複合部品が示される断面図である。
FIG. 1 is a LC showing a preferred embodiment of a composite laminated component of the present invention.
It is sectional drawing which shows a composite component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 LC複合部品 2 コンデンサチップ体 21 セラミック誘電体層 25 内部電極 3 インダクタチップ体 31 フェライト磁性層 35 内部導体 51 外部電極 1 LC composite parts 2 Capacitor chip body 21 Ceramic Dielectric Layer 25 internal electrodes 3 Inductor chip body 31 Ferrite magnetic layer 35 Inner conductor 51 External electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C04B 35/30 H01F 17/00 D H01F 17/00 41/02 D 41/02 C04B 35/26 J (56)参考文献 特開 平2−256204(JP,A) 特開 平2−241008(JP,A) 特開 昭63−297239(JP,A) 特開 昭61−242928(JP,A) 特開 昭64−45771(JP,A) 特開 平1−308844(JP,A) 特開 平3−6803(JP,A) 特開 平3−233908(JP,A) 特開 平2−241007(JP,A) 特開 平1−203241(JP,A) オランダ特許公開第7014697号公報 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01F 1/34 C01G 49/00 C04B 35/26 - 35/40 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI C04B 35/30 H01F 17/00 D H01F 17/00 41/02 D 41/02 C04B 35/26 J (56) Reference JP-A-2-256204 (JP, A) JP-A-2-241008 (JP, A) JP-A-63-297239 (JP, A) JP-A-61-242928 (JP, A) JP-A-64-45771 (JP , A) JP-A-1-308844 (JP, A) JP-A-3-6803 (JP, A) JP-A-3-233908 (JP, A) JP-A-2-241007 (JP, A) JP-A 1-203241 (JP, A) Dutch Patent Publication No. 7014697 (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01F 1/34 C01G 49/00 C04B 35/26-35/40

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 Ni、CuおよびZnの2種または3種
を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフ
ェライト材料にB23 を50ppm以上1000ppm 未
満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加
して800〜930℃の温度で焼結したフェライト焼結
体。
1. A ferrite sintered body containing two or three kinds of Ni, Cu and Zn, wherein B 2 O 3 is contained in the ferrite material in the raw material stage within a range of 50 ppm or more and less than 1000 ppm, which is lower than the sintering temperature. A ferrite sintered body which is added after calcination at a low temperature and sintered at a temperature of 800 to 930 ° C.
【請求項2】 Ni、CuおよびZnの2種または3種
を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフ
ェライト材料に、SiO2 :0.1〜15重量%、B2
3 :10〜40重量%、PbO:0.1〜40重量
%、ZnO:20〜70重量%およびAl23 :0〜
6重量%を含有するガラスを250〜4000ppm の範
囲内で、焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して
800〜930℃の温度で焼結したフェライト焼結体。
2. A ferrite sintered body containing two or three kinds of Ni, Cu and Zn, wherein the ferrite material in the raw material stage contains SiO 2 : 0.1 to 15 wt%, B 2
O 3: 10 to 40 wt%, PbO: 0.1 to 40 wt%, ZnO: 20 to 70 wt% and Al 2 O 3: 0~
A ferrite sintered body obtained by adding glass containing 6% by weight in the range of 250 to 4000 ppm after calcination at a temperature lower than the sintering temperature and sintering at a temperature of 800 to 930 ° C.
【請求項3】 フェライトの組成がFe23 :40〜
52mol%、NiO:0〜50mol%、CuO:0〜20mo
l%およびZnO:0〜50mol%である請求項1または2
のフェライト焼結体。
3. The composition of ferrite is Fe 2 O 3 : 40 to.
52 mol%, NiO: 0-50 mol%, CuO: 0-20 mo
l% and ZnO: 0 to 50 mol%.
Ferrite sintered body.
【請求項4】 フェライト磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるインダクタ部を有するチップインダクタ部
品であって、 前記フェライト磁性層が請求項1ないし3のいずれかの
フェライト焼結体で構成されていることを特徴とするチ
ップインダクタ部品。
4. A chip inductor component having an inductor portion formed by laminating a ferrite magnetic layer and an internal conductor, wherein the ferrite magnetic layer is formed of the ferrite sintered body according to any one of claims 1 to 3. Chip inductor parts characterized by being
【請求項5】 フェライト磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるチップインダクタ部を少なくとも有する複
合積層部品であって、 前記フェライト磁性層が請求項1ないし3のいずれかの
フェライト焼結体で構成されていることを特徴とする複
合積層部品。
5. A composite laminated component having at least a chip inductor portion formed by laminating a ferrite magnetic layer and an internal conductor, wherein the ferrite magnetic layer is the ferrite sintered body according to any one of claims 1 to 3. A composite laminated component characterized by being composed of
【請求項6】 請求項1ないし3のいずれかのフェライ
ト焼結体で構成されていることを特徴とする磁心。
6. A magnetic core comprising the ferrite sintered body according to any one of claims 1 to 3.
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