JPH04284612A - Composite laminated component - Google Patents

Composite laminated component

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JPH04284612A
JPH04284612A JP7400291A JP7400291A JPH04284612A JP H04284612 A JPH04284612 A JP H04284612A JP 7400291 A JP7400291 A JP 7400291A JP 7400291 A JP7400291 A JP 7400291A JP H04284612 A JPH04284612 A JP H04284612A
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JP
Japan
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layer
chip body
ceramic
composite laminate
paste
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JP7400291A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Nakano
敦之 中野
Takeshi Nomura
武史 野村
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TDK Corp
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TDK Corp
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Abstract

PURPOSE:To restrain that a metal such as Cu, Zn or the like and a low-resistance oxide such as Cu2O, Zn2O or the like are precipitated locally at the bonding interface between a ceramic magnetic layer and a ceramic dielectric layer and to obtain a composite laminated component whose circuit resistance is high by a method wherein, after the bonding interface between the ceramic magnetic layer and the ceramic dielectric layer has been formed to be a recessed and protruding shape, the layers are fired. CONSTITUTION:A capacitor chip body 2 constituted by laminating ceramic dielectric layers 21 and internal electrode layers 25 and an inductor chip body 3 constituted by laminating ceramic magnetic layers 31 and internal conductors 35 are united; external electrodes 51 are formed on the surface. Thereby, an LC composite component 1 is formed. At this time, the surface closest to the side of the capacitor chip body 2 out of the ceramic magnetic layers 31 and/or the surface closest to the side of the inductor chip body 3 out of the ceramic dielectric layers 21 are formed so as to be recessed and protruding; after that, the component is fired. Thereby, it is possible to restrain that Cu or Cu oxide and Zn or a Zn oxide or the like are precipitated locally at their interface, and it is possible to prevent that a layer whose electric resistance is low is formed.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、LC複合部品等の複合
積層部品に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to composite laminated parts such as LC composite parts.

【0002】0002

【従来の技術】積層セラミックLC複合部品は、セラミ
ック誘電体層と内部電極層とを積層して構成されるコン
デンサチップ体と、セラミック磁性層と内部導体とを積
層して構成されるインダクタチップ体とを一体的に形成
したものである。
[Prior Art] A multilayer ceramic LC composite component includes a capacitor chip body composed of a laminated ceramic dielectric layer and an internal electrode layer, and an inductor chip body composed of a laminated ceramic magnetic layer and an internal conductor. It is integrally formed with.

【0003】このような複合積層部品は、体積が小さい
こと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種電
子機器に多用されている。
[0003] Such composite laminated parts are often used in various electronic devices because of their small volume, high robustness, and high reliability.

【0004】これらの部品例えばLC複合部品は、通常
、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層用
ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によっ
て積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に外
部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成するこ
とにより製造される。この場合、磁性層に用いられる磁
性材料としては、低温焼成が可能であることからNi−
Cu−Znフェライトが一般に用いられている。
These parts, such as LC composite parts, are usually produced by laminating paste for internal conductors, paste for magnetic layers, paste for dielectric layers, and paste for internal electrode layers using thick film technology, and then firing the resulting product. The external electrode paste is printed or transferred onto the surface of the sintered body, and then fired. In this case, the magnetic material used for the magnetic layer is Ni-
Cu-Zn ferrite is commonly used.

【0005】しかし、磁性材料として、Ni−Cu−Z
nフェライトやNi−Znフェライトを用いると、回路
抵抗が予測される値より大幅に低いことが判明した。
However, as a magnetic material, Ni-Cu-Z
It was found that when n-ferrite and Ni-Zn ferrite were used, the circuit resistance was significantly lower than expected.

【0006】本発明者らはこのような現象につき検討を
行なったところ、焼成や外部電極焼き付けの際、インダ
クタチップ体のセラミック磁性層と、コンデンサチップ
体のセラミック誘電体層との接合界面に、CuやCu酸
化物、ZnやZn酸化物等が析出し、電気抵抗の低い層
が形成されており、この結果部品の回路抵抗が大幅に低
下してしまうことが判明した。
[0006] The inventors of the present invention investigated this phenomenon and found that during firing or baking the external electrodes, the bonding interface between the ceramic magnetic layer of the inductor chip body and the ceramic dielectric layer of the capacitor chip body. It was found that Cu, Cu oxide, Zn, Zn oxide, etc. were precipitated to form a layer with low electrical resistance, and as a result, the circuit resistance of the component was significantly reduced.

【0007】このような問題を解決するためには、セラ
ミック磁性層と、セラミック誘電体層との接合界面に、
例えば、非磁性フェライト等の中間層を設け、Cu、Z
n等の析出を防止することが考えられる。そしてこのよ
うな中間層によりこれら析出量は減少するが、接合界面
での局部的な析出を完全には防止できない。このため、
部品の回路抵抗は満足できるほどには向上しない。
[0007] In order to solve such problems, a bonding interface between the ceramic magnetic layer and the ceramic dielectric layer,
For example, an intermediate layer such as non-magnetic ferrite is provided, and Cu, Z
It is possible to prevent the precipitation of n and the like. Although such an intermediate layer reduces the amount of these precipitates, it cannot completely prevent local precipitation at the bonding interface. For this reason,
The circuit resistance of the component is not improved satisfactorily.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セラ
ミック磁性層と、セラミック誘電体層との接合界面での
Cu、Zn、Cu2 O、Zn2O等の金属や抵抗が低
い酸化物の局部的な析出を抑制し、回路抵抗が高い複合
積層部品を提供することにある。
[Problems to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to prevent the localization of metals such as Cu, Zn, Cu2O, and Zn2O or oxides with low resistance at the bonding interface between a ceramic magnetic layer and a ceramic dielectric layer. The object of the present invention is to provide a composite laminated component that suppresses precipitation and has high circuit resistance.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(10)の本発明によって達成される。 (1)セラミック誘電体層と内部電極層とを積層して構
成されるコンデンサチップ体と、セラミック磁性層と内
部導体とを積層して構成されるインダクタチップ体とを
一体的に有する複合積層部品であって、前記セラミック
磁性層がNi−Cu−Znフェライトおよび/またはN
i−Znフェライトを含有し、前記セラミック磁性層の
うち最もコンデンサチップ体側の表面および/または前
記セラミック誘電体層のうち最もインダクタチップ体側
の表面に凹凸を形成した後焼成したことを特徴とする複
合積層部品。 (2)前記凹凸の凸部の高さが3〜30μm である上
記(1)に記載の複合積層部品。 (3)前記セラミック誘電体層が酸化チタン系誘電体を
含有する上記(1)または(2)に記載の複合積層部品
。 (4)前記コンデンサチップ体と前記インダクタチップ
体とを同時焼成した上記(1)ないし(3)のいずれか
に記載の複合積層部品。 (5)前記コンデンサチップ体と、前記インダクタチッ
プ体との間に、中間層が1層以上設層されている上記(
1)ないし(4)のいずれかに記載の複合積層部品。 (6)前記中間層が前記セラミック誘電体層と実質的に
同一の誘電体材料と、前記セラミック磁性層と実質的に
同一の磁性材料とを混合した混合材料を含有する上記(
5)に記載の複合積層部品。 (7)前記中間層の混合材料中の前記誘電体材料に対す
る前記磁性材料の重量比が1/9〜9/1である上記(
6)に記載の複合積層部品。 (8)前記中間層を2層以上有し、前記中間層の混合材
料中の前記誘電体材料に対する前記磁性材料の重量比が
、インダクタチップ体側ほど大である上記(6)または
(7)に記載の複合積層部品。 (9)焼成時および/または焼成後に、大気より酸素を
過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なった上記(1)ない
し(8)のいずれかに記載の複合積層部品。 (10)前記雰囲気中の酸素分圧比が30〜100%で
ある上記(9)に記載の複合積層部品。
[Means for Solving the Problems] Such objects are achieved by the present invention as described in (1) to (10) below. (1) A composite multilayer component that integrally includes a capacitor chip body formed by laminating a ceramic dielectric layer and an internal electrode layer, and an inductor chip body formed by laminating a ceramic magnetic layer and an internal conductor. The ceramic magnetic layer is made of Ni-Cu-Zn ferrite and/or N
A composite containing i-Zn ferrite, characterized in that it is fired after forming irregularities on the surface of the ceramic magnetic layer closest to the capacitor chip body and/or the surface of the ceramic dielectric layer closest to the inductor chip body. Laminated parts. (2) The composite laminate component according to (1) above, wherein the height of the convex portion of the unevenness is 3 to 30 μm. (3) The composite laminate component according to (1) or (2) above, wherein the ceramic dielectric layer contains a titanium oxide dielectric. (4) The composite laminate component according to any one of (1) to (3) above, wherein the capacitor chip body and the inductor chip body are co-fired. (5) The above (1) in which one or more intermediate layers are provided between the capacitor chip body and the inductor chip body.
The composite laminate component according to any one of 1) to (4). (6) The above (wherein the intermediate layer contains a mixed material of a dielectric material substantially the same as the ceramic dielectric layer and a magnetic material substantially the same as the ceramic magnetic layer)
5) The composite laminate component described in 5). (7) The above (wherein the weight ratio of the magnetic material to the dielectric material in the mixed material of the intermediate layer is 1/9 to 9/1)
6) The composite laminate component described in 6). (8) In the above (6) or (7), the intermediate layer has two or more layers, and the weight ratio of the magnetic material to the dielectric material in the mixed material of the intermediate layer is larger toward the inductor chip body. Composite laminate parts as described. (9) The composite laminate component according to any one of (1) to (8) above, which is heat-treated in an atmosphere containing excess oxygen from the atmosphere during and/or after firing. (10) The composite laminate component according to (9) above, wherein the oxygen partial pressure ratio in the atmosphere is 30 to 100%.

【0010】0010

【作用】本発明の複合積層部品は、インダクタチップ体
のセラミック磁性層のうち最もコンデンサチップ体側の
表面および/またはコンデンサチップ体のセラミック誘
電体層のうち最もインダクタチップ体側の表面に凹凸を
形成した後焼成して作製される。
[Operation] The composite laminate component of the present invention has irregularities formed on the surface of the ceramic magnetic layer of the inductor chip body closest to the capacitor chip body and/or on the surface of the ceramic dielectric layer of the capacitor chip body closest to the inductor chip body. It is produced by post-firing.

【0011】このように、セラミック磁性層とセラミッ
ク誘電体層との接合界面を凹凸状とすることにより、界
面におけるCuやCu酸化物、ZnやZn酸化物等の局
部的な析出を抑制でき、電気抵抗の低い層の形成を防止
できる。このため回路抵抗が十分高い複合積層部品が実
現する。
[0011] By making the bonding interface between the ceramic magnetic layer and the ceramic dielectric layer uneven in this manner, local precipitation of Cu, Cu oxide, Zn, Zn oxide, etc. at the interface can be suppressed. Formation of a layer with low electrical resistance can be prevented. Therefore, a composite laminated component with sufficiently high circuit resistance can be realized.

【0012】0012

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
[Specific Configuration] The specific configuration of the present invention will be explained in detail below.

【0013】本発明の複合積層部品の好適実施例である
積層セラミックLC複合部品を図1および図9に示す。
A laminated ceramic LC composite part, which is a preferred embodiment of the composite laminated part of the present invention, is shown in FIGS. 1 and 9.

【0014】図1および図9に示されるLC複合部品1
は、セラミック誘電体層21と内部電極層25とを積層
して構成されるコンデンサチップ体2と、セラミック磁
性層31と内部導体35とを積層して構成されるインダ
クタチップ体3とを一体化したものであり、表面に外部
電極51を有する。
LC composite part 1 shown in FIGS. 1 and 9
integrates a capacitor chip body 2 formed by laminating a ceramic dielectric layer 21 and an internal electrode layer 25 and an inductor chip body 3 formed by laminating a ceramic magnetic layer 31 and an internal conductor 35. It has an external electrode 51 on its surface.

【0015】本発明の特徴は図1に示されるようにセラ
ミック磁性層31のうち最もコンデンサチップ体2側の
表面および/またはセラミック誘電体層21のうち最も
インダクタチップ体3側の表面に凹凸を形成した後焼成
を行なうところにあり、図示例のようにセラミック磁性
層31とセラミック誘電体層21とを直接接合一体化す
る場合には、セラミック磁性層31とセラミック誘電体
層21との界面を凹凸形状にする。なお、図9において
は、凹凸が省略されている。この場合、焼成によって相
互拡散が生じるため、凹凸の輪郭は、ある程度不明瞭に
なるが、例えば走査型電子顕微鏡(SEM)にてセラミ
ック誘電体層、セラミック磁性層の焼け具合等を観察す
ることにより、従来の界面が平坦なものとは区別できる
As shown in FIG. 1, the present invention is characterized in that the surface of the ceramic magnetic layer 31 closest to the capacitor chip body 2 and/or the surface of the ceramic dielectric layer 21 closest to the inductor chip body 3 is provided with unevenness. After forming, firing is performed, and when the ceramic magnetic layer 31 and the ceramic dielectric layer 21 are directly bonded and integrated as shown in the example, the interface between the ceramic magnetic layer 31 and the ceramic dielectric layer 21 is Create an uneven shape. Note that in FIG. 9, the unevenness is omitted. In this case, due to mutual diffusion caused by firing, the outline of the unevenness becomes unclear to some extent, but it is possible to observe the degree of firing of the ceramic dielectric layer and ceramic magnetic layer using a scanning electron microscope (SEM), for example. , which can be distinguished from the conventional flat interface.

【0016】尚、凹凸の形状やパターン、寸法等の諸条
件には特に制限がなく、用途等に応じて適宜選択すれば
よいが、これらは後記の製造方法において詳述する。
[0016] There are no particular restrictions on the various conditions such as the shape, pattern, and dimensions of the unevenness, and they may be appropriately selected depending on the application, but these will be detailed in the manufacturing method described later.

【0017】インダクタチップ体3のセラミック磁性層
31の材質としては、Ni−Cu−Znフェライトおよ
び/またはNi−Znフェライト、特にNi−Cu−Z
nフェライトを用いる。
The material of the ceramic magnetic layer 31 of the inductor chip body 3 is Ni--Cu--Zn ferrite and/or Ni--Zn ferrite, especially Ni--Cu--Z.
n-ferrite is used.

【0018】本発明で用いるNi−Znフェライトに特
に制限はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択す
ればよいが、例えば、NiOの含有量は、10〜25モ
ル%、ZnOの含有量は、15〜40モル%であること
が好ましい。
The Ni-Zn ferrite used in the present invention is not particularly limited and may be selected from various compositions depending on the purpose. For example, the NiO content may be 10 to 25 mol%, the ZnO content may be Preferably, the amount is 15 to 40 mol%.

【0019】また、本発明で用いるNi−Cu−Znフ
ェライトに特に制限はなく、目的に応じて種々の組成の
ものを選択すればよいが、例えば、NiOの含有量は、
15〜25モル%、CuOの含有量は、5〜15モル%
、ZnOの含有量は、20〜30モル%であることが好
ましい。
[0019] Further, the Ni-Cu-Zn ferrite used in the present invention is not particularly limited and may be selected from various compositions depending on the purpose. For example, the NiO content may be
15-25 mol%, CuO content is 5-15 mol%
, the content of ZnO is preferably 20 to 30 mol%.

【0020】また、この他、Co、Mn等が全体の5w
t% 程度以下含有されていてもよい。さらにCa、S
i、Bi、V、Pb等が1wt% 程度以下含有されて
いてもよい。
[0020] In addition, Co, Mn, etc. contribute to the total 5w.
The content may be about t% or less. Furthermore, Ca, S
It may contain about 1 wt% or less of i, Bi, V, Pb, etc.

【0021】また、Ni−Znフェライトを用いる場合
、通常、さらにホウケイ酸ガラス等の各種ガラスが含有
される。
[0021] When Ni--Zn ferrite is used, it usually further contains various glasses such as borosilicate glass.

【0022】本発明において、内部導体35を構成する
導電材に特に制限はなく、Ag、Pt、Pd、Au、C
u、Niや、例えばAg−Pd合金など、これらを1種
以上含有する合金等から選択すればよいが、インダクタ
として実用的なQを得るためには抵抗率の小さいことが
必要であるので、Ag、Cuおよびこれらを1種以上含
有する合金を用いることが好ましい。
In the present invention, there is no particular restriction on the conductive material constituting the internal conductor 35, and Ag, Pt, Pd, Au, C
The material may be selected from u, Ni, and alloys containing one or more of these, such as Ag-Pd alloys, but in order to obtain a practical Q as an inductor, it is necessary to have a low resistivity. It is preferable to use Ag, Cu, and alloys containing one or more of these.

【0023】LC複合部品1のインダクタチップ体3は
、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方体
状の形状とする。そして図1に示されるように、内部導
体35は磁性層31内にて通常スパイラル状に配置され
て内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極51、5
1に接続されている。
The inductor chip body 3 of the LC composite component 1 may have a conventionally known structure, and its outer shape is usually approximately rectangular parallelepiped. As shown in FIG. 1, the internal conductor 35 is normally arranged in a spiral shape within the magnetic layer 31 to constitute an internal winding, and both ends thereof are connected to the respective external electrodes 51, 5.
Connected to 1.

【0024】このような場合、内部導体35の巻線パタ
ーン、すなわち閉磁路形状は種々のパターンとすること
ができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択すればよい
。また、インダクタチップ体3の各部寸法等には制限は
なく、用途に応じ適宜選択すればよい。
In such a case, the winding pattern of the internal conductor 35, that is, the shape of the closed magnetic circuit, can be made into various patterns, and the number of turns can be selected as appropriate depending on the application. Further, the dimensions of each part of the inductor chip body 3 are not limited, and may be appropriately selected depending on the application.

【0025】なお、内部導体35の厚さは、通常5〜3
0μm 程度、巻線ピッチは通常40〜100μm 程
度、巻数は通常1.5〜50.5ターン程度とされる。 また、磁性層31のベース厚は通常250〜500μm
 程度、内部導体35、35間の磁性層厚は通常10〜
100μm 程度とする。
Note that the thickness of the internal conductor 35 is usually 5 to 3 mm.
The winding pitch is usually about 40 to 100 μm, and the number of turns is usually about 1.5 to 50.5 turns. Further, the base thickness of the magnetic layer 31 is usually 250 to 500 μm.
The thickness of the magnetic layer between the inner conductors 35 and 35 is usually 10~
It should be about 100 μm.

【0026】コンデンサチップ体2のセラミック誘電体
層21には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよ
いが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を
用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合
酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混
合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させ
るために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させても
よい。
The ceramic dielectric layer 21 of the capacitor chip body 2 is not particularly limited and various dielectric materials may be used, but it is preferable to use a titanium oxide dielectric material because of its low firing temperature. In addition, titanate-based composite oxides, zirconate-based composite oxides, or mixtures thereof can also be used. Further, in order to lower the firing temperature, glass such as borosilicate glass may be included.

【0027】具体的には、酸化チタン系としては、必要
に応じNiO、CuO、Mn3 O4、Al2 O3、
MgO、SiO2 等、特にCuOを含むTiO2 等
が、チタン酸系複合酸化物としては、BaTiO3 、
SrTiO3、CaTiO3 、MgTiO3やこれら
の混合物等が、ジルコン酸系複合酸化物としては、Ba
ZrO3 、SrZrO3 、CaZrO3 、MgZ
rO3 やこれらの混合物等が挙げられる。
Specifically, as the titanium oxide type, NiO, CuO, Mn3 O4, Al2 O3,
Examples of titanic acid-based composite oxides include MgO, SiO2, etc., especially TiO2 containing CuO, and BaTiO3,
SrTiO3, CaTiO3, MgTiO3 and mixtures thereof are used as zirconate complex oxides such as Ba
ZrO3, SrZrO3, CaZrO3, MgZ
Examples include rO3 and mixtures thereof.

【0028】本発明において、内部電極層25を構成す
る導電材に特に制限はなく、Ag、Pt、Pd、Au、
Cu、Niや、例えばAg−Pd合金など、これらを1
種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にAg
、Ag−Pd合金などのAg合金等が好適である。
In the present invention, the conductive material constituting the internal electrode layer 25 is not particularly limited, and may include Ag, Pt, Pd, Au,
Cu, Ni, Ag-Pd alloy, etc.
It may be selected from alloys containing more than 100% of Ag.
, Ag alloys such as Ag-Pd alloys are suitable.

【0029】LC複合部品1のコンデンサチップ体2は
、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方体
状の形状とする。そして図1に示されるように、内部電
極層25の一端は外部電極51に接続されている。
The capacitor chip body 2 of the LC composite component 1 may have a conventionally known structure, and its outer shape is usually approximately rectangular parallelepiped. As shown in FIG. 1, one end of the internal electrode layer 25 is connected to the external electrode 51.

【0030】コンデンサチップ体2の各部寸法等には特
に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよい。
There are no particular restrictions on the dimensions of each part of the capacitor chip body 2, and they may be selected as appropriate depending on the intended use.

【0031】なお、誘電体層21の積層数は目的に応じ
て定めればよいが、通常1〜100程度である。また、
誘電体層21の一層あたりの厚さは、通常20〜150
μm程度であり、内部電極層25の一層あたりの厚さは
、通常5〜30μm 程度である。
The number of dielectric layers 21 to be laminated may be determined depending on the purpose, but is usually about 1 to 100. Also,
The thickness of each layer of the dielectric layer 21 is usually 20 to 150 mm.
The thickness of each layer of the internal electrode layer 25 is usually about 5 to 30 μm.

【0032】本発明のLC複合部品1の外部電極51を
構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ag、Pt
、Pd、Au、Cu、NiやAg−Pd合金などのこれ
らを1種以上含有する合金等から選択すればよいが、特
にAg、Ag−Pd合金などのAg合金等が好適である
。また、外部電極51の形状や寸法等には特に制限がな
く、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚さ
は、通常100〜2500μm 程度である。
There is no particular restriction on the conductive material constituting the external electrode 51 of the LC composite component 1 of the present invention; for example, Ag, Pt
, Pd, Au, Cu, Ni, and alloys containing one or more of these, such as Ag-Pd alloys, and Ag alloys such as Ag and Ag-Pd alloys are particularly suitable. Further, the shape and dimensions of the external electrode 51 are not particularly limited and may be appropriately determined depending on the purpose and use, but the thickness is usually about 100 to 2500 μm.

【0033】本発明のLC複合部品1の寸法には特に制
限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよいが
、通常(2.0〜10.0mm)×(1.2〜15.0
mm)×(1.2〜5.0mm)程度である。
The dimensions of the LC composite component 1 of the present invention are not particularly limited and may be selected appropriately depending on the purpose and use, but are usually (2.0 to 10.0 mm) x (1.2 to 15 mm). .0
mm)×(1.2 to 5.0 mm).

【0034】次に、本発明の複合積層部品のより好まし
い実施例である積層セラミックLC複合部品を図2およ
び図10に示す。
Next, a laminated ceramic LC composite component which is a more preferred embodiment of the composite laminate component of the present invention is shown in FIGS. 2 and 10.

【0035】図2および図10に示されるLC複合部品
1は、セラミック誘電体層21と内部電極層25とを積
層して構成されるコンデンサチップ体2と、セラミック
磁性層31と内部導体35とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体3とを中間層4を介して一体化したもの
であり、表面に外部電極51を有する。
The LC composite component 1 shown in FIG. 2 and FIG. The inductor chip body 3 is integrated with an inductor chip body 3 formed by laminating layers of inductor chips 3 through an intermediate layer 4, and has an external electrode 51 on the surface.

【0036】中間層4を一層以上設層することにより、
セラミック磁性層31とセラミック誘電体層間の熱膨張
係数の違いや界面での組成の急峻な変化が緩和され、界
面におけるCuやCu酸化物、ZnやZn酸化物の析出
がより一層減少し、部品の回路抵抗が向上する。
By providing one or more intermediate layers 4,
The difference in thermal expansion coefficient between the ceramic magnetic layer 31 and the ceramic dielectric layer and the steep change in composition at the interface are alleviated, and the precipitation of Cu, Cu oxide, Zn and Zn oxide at the interface is further reduced, and the parts circuit resistance is improved.

【0037】中間層4を設層する場合は、セラミック誘
電体層21と中間層4との界面および/またはセラミッ
ク磁性層31と中間層4との界面を凹凸形状にする。
When the intermediate layer 4 is provided, the interface between the ceramic dielectric layer 21 and the intermediate layer 4 and/or the interface between the ceramic magnetic layer 31 and the intermediate layer 4 is made to have an uneven shape.

【0038】この場合、Cu、Zn等は主にセラミック
誘電体層21と中間層4との界面に析出するため、好ま
しくはセラミック誘電体層21と中間層4との界面、よ
り好ましくは図2に示されるようにセラミック誘電体層
21と中間層4との界面およびセラミック磁性層31と
中間層4との界面のそれぞれを凹凸形状にする。なお、
図10においては、凹凸が省略されている。
In this case, since Cu, Zn, etc. are mainly deposited at the interface between the ceramic dielectric layer 21 and the intermediate layer 4, it is preferable to deposit the deposits at the interface between the ceramic dielectric layer 21 and the intermediate layer 4, more preferably at the interface shown in FIG. As shown in FIG. 2, the interface between the ceramic dielectric layer 21 and the intermediate layer 4 and the interface between the ceramic magnetic layer 31 and the intermediate layer 4 are each made to have an uneven shape. In addition,
In FIG. 10, the unevenness is omitted.

【0039】中間層4は、例えば、磁性材料、誘電体材
料、非磁性Znフェライト等あるいはさらにガラス等を
添加して構成し、中間層4の熱膨張係数がセラミック誘
電体層21とセラミック磁性体層31の中間程度の値に
なるようにすることが好ましい。そして特に、セラミッ
ク誘電体層21と実質的に同一の誘電体材料と、セラミ
ック磁性層31と実質的に同一の磁性材料とを混合した
混合材料を含有させて構成することが好ましい。また、
前記混合材料を用いる場合、誘電体材料および磁性材料
は、それぞれ、実質的に同一であればよいが、特に同一
であることが好ましい。
The intermediate layer 4 is made of, for example, a magnetic material, a dielectric material, a non-magnetic Zn ferrite, etc., or glass or the like is added, and the thermal expansion coefficient of the intermediate layer 4 is equal to that of the ceramic dielectric layer 21 and the ceramic magnetic material. It is preferable to set the value to be about the middle value of the layer 31. In particular, it is preferable to include a mixed material in which a dielectric material substantially the same as that of the ceramic dielectric layer 21 and a magnetic material substantially the same as that of the ceramic magnetic layer 31 are mixed. Also,
When using the mixed material, the dielectric material and the magnetic material need only be substantially the same, but it is particularly preferable that the dielectric material and the magnetic material are the same.

【0040】また、中間層4は、図示例では単層である
が、前記混合材料を用いる場合、2層以上の多層構造と
することが好ましい。
Further, although the intermediate layer 4 is a single layer in the illustrated example, when the above-mentioned mixed material is used, it is preferable to have a multilayer structure of two or more layers.

【0041】材料が実質的に同一とは、組成が完全に一
致している場合だけではなく、組成が多少異なっている
場合、例えば10モル%以上含有する構成成分を30%
以内の相対比にて含有する場合を包含する。
[0041] The term "substantially the same materials" refers not only to cases in which the compositions are completely the same, but also cases in which the compositions are slightly different, for example, if a component containing 10 mol% or more is 30%
This includes cases in which the relative ratio is within the following range.

【0042】例えば、セラミック磁性層31の磁性材料
がNi−Cu−Znフェライトの場合、Niの含有量の
差がNiO換算で3モル%程度以下、Cuの含有量の差
がCuO換算で2モル%程度以下、Znの含有量の差が
ZnO換算で4モル%程度以下であれば実質的に同一で
あり、Ni−Znフェライトの場合、Niの含有量の差
がNiO換算で5モル%程度以下、Znの含有量の差が
ZnO換算で5モル%程度以下であれば実質的に同一で
ある。
For example, when the magnetic material of the ceramic magnetic layer 31 is Ni-Cu-Zn ferrite, the difference in Ni content is about 3 mol % or less in terms of NiO, and the difference in Cu content is 2 mol % in terms of CuO. % or less, and if the difference in Zn content is less than about 4 mol% in terms of ZnO, they are substantially the same, and in the case of Ni-Zn ferrite, the difference in Ni content is about 5 mol% in terms of NiO. Hereinafter, if the difference in Zn content is about 5 mol % or less in terms of ZnO, they are substantially the same.

【0043】この場合、中間層4に用いるNi−Cu−
ZnフェライトやNi−Znフェライトには、Co、M
n等が全体の5wt% 程度以下含有されていてもよく
、さらにCa、Si、Bi、V、Pb等が1wt% 程
度以下含有されていてもよい。
In this case, the Ni-Cu-
Zn ferrite and Ni-Zn ferrite contain Co, M
n, etc. may be contained in an amount of about 5 wt% or less of the total, and Ca, Si, Bi, V, Pb, etc. may be contained in an amount of about 1 wt% or less.

【0044】また、Ni−Znフェライトの場合は、焼
成温度を低下させるため、通常ホウケイ酸ガラス等の各
種ガラスを添加して用いる。
Further, in the case of Ni--Zn ferrite, various glasses such as borosilicate glass are usually added in order to lower the firing temperature.

【0045】また、例えば、セラミック誘電体層21の
誘電体材料が酸化チタン系誘電体の場合、Tiの含有量
の差がTiO2 換算で10wt% 程度以下、そして
さらにCu等を含む場合は、Cu等の含有量の差がCu
O等の各酸化物換算でそれぞれ7wt% 程度以下であ
れば実質的に同一である。
For example, if the dielectric material of the ceramic dielectric layer 21 is a titanium oxide dielectric, the difference in Ti content is about 10 wt% or less in terms of TiO2, and if it further contains Cu, etc. The difference in content of Cu
They are substantially the same if they are each about 7 wt% or less in terms of each oxide such as O.

【0046】この場合、焼成温度を低下させるため、ホ
ウケイ酸ガラス等の各種ガラスを添加してもよい。
In this case, various glasses such as borosilicate glass may be added to lower the firing temperature.

【0047】中間層4の混合材料中の誘電体材料と磁性
材料との含有比には特に制限がないが、誘電体材料の含
有量W1 に対する磁性材料の含有量W2 、すなわち
重量比W2 /W1 は1/9〜9/1が好ましい。
The content ratio of the dielectric material and the magnetic material in the mixed material of the intermediate layer 4 is not particularly limited, but the content ratio of the magnetic material W2 to the content W1 of the dielectric material, that is, the weight ratio W2 /W1 is preferably 1/9 to 9/1.

【0048】前記範囲の場合、CuやCu酸化物、Zn
やZn酸化物等の局部的な析出がより一層減少する。
In the case of the above range, Cu, Cu oxide, Zn
Local precipitation of Zn oxides and Zn oxides is further reduced.

【0049】中間層4の厚さには特に制限はなく、用途
等に応じて適宜選択すればよいが、通常5〜150μm
程度である。
[0049] The thickness of the intermediate layer 4 is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the application, etc., but is usually 5 to 150 μm.
That's about it.

【0050】また、中間層4の積層数には特に制限がな
く、図示例のように単層構造としてもよいが、Cu、Z
n等の析出をより一層減少できる点で、2層以上の多層
構造とし、インダクタチップ体側の層ほどW2 /W1
 が大となるような混合材料を設層することが好ましい
。この場合、各層のW2 /W1 は、例えば1/9〜
9/1の範囲内で設定すればよく、中間層全体の総重量
比W2 /W1 を5/5程度とすることが好ましい。
Further, there is no particular restriction on the number of laminated layers of the intermediate layer 4, and it may have a single layer structure as shown in the illustrated example, but Cu, Z
In order to further reduce the precipitation of n, etc., a multilayer structure with two or more layers is used, and the layer closer to the inductor chip body has a lower W2/W1.
It is preferable to use a layer of mixed material that provides a large value. In this case, W2 /W1 of each layer is, for example, 1/9 to
It may be set within the range of 9/1, and it is preferable that the total weight ratio W2 /W1 of the entire intermediate layer is about 5/5.

【0051】多層の場合の積層数には特に制限がなく、
用途等に応じて適宜選択すればよいが、作業性等を考慮
すると、積層数は通常1〜5程度である。なお、中間層
の全厚は前記と同様とすればよく、また、各層の厚さは
、互いに異なっていても同一であってもよい。
[0051] In the case of multiple layers, there is no particular restriction on the number of laminated layers;
The number of laminated layers is usually about 1 to 5 when considering workability etc., although it may be selected as appropriate depending on the purpose and the like. Note that the total thickness of the intermediate layer may be the same as described above, and the thickness of each layer may be different or the same.

【0052】前述したように中間層4を設層する場合、
焼成前には、セラミック磁性層31、中間層4、セラミ
ック誘電体層21それぞれの界面で組成のある程度の急
峻な変化があり、それぞれの層を明瞭に区別できるが、
焼成ないし外部電極51の焼き付け等により相互拡散が
生じ、焼成後は、ほぼ連続的ないしなだらかな傾斜のプ
ロファィルをもった層となる。
When installing the intermediate layer 4 as described above,
Before firing, there is a certain degree of steep change in composition at the interface between the ceramic magnetic layer 31, the intermediate layer 4, and the ceramic dielectric layer 21, and each layer can be clearly distinguished.
Mutual diffusion occurs due to firing or baking of the external electrode 51, and after firing, the layer becomes a layer having a substantially continuous or gently sloped profile.

【0053】なお、中間層4以外の構成、例えば、セラ
ミック誘電体層21、内部電極層25、セラミック磁性
層31、内部導体35および外部電極51や寸法等は前
述した中間層がないものと同様とすればよい。
Note that the structure other than the intermediate layer 4, such as the ceramic dielectric layer 21, the internal electrode layer 25, the ceramic magnetic layer 31, the internal conductor 35, and the external electrode 51, dimensions, etc., are the same as those without the intermediate layer described above. And it is sufficient.

【0054】本発明の複合積層部品は、前述したLC複
合部品に限定されるものではなく、前述した構成を一部
に有するものであれば、この他各種の複合積層部品であ
ってもよい。
The composite laminate component of the present invention is not limited to the LC composite component described above, but may be any other type of composite laminate component as long as it partially has the above-described structure.

【0055】本発明のLC複合部品1等の複合積層部品
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により製
造することができる。
[0055] Composite laminate parts such as the LC composite part 1 of the present invention can be manufactured by a conventional printing method using paste or a sheet method.

【0056】セラミック磁性層用ペーストは、次のよう
にして作製する。
The ceramic magnetic layer paste is prepared as follows.

【0057】まず、フェライトの原料粉末、例えばNi
O、ZnO、CuO、Fe2 O3 等の各種粉末を、
所定量ボールミル等により湿式混合する。用いる原料粉
末の粒径は0.1〜10μm 程度とする。
First, raw material powder of ferrite, for example, Ni
Various powders such as O, ZnO, CuO, Fe2 O3, etc.
Wet mix a predetermined amount using a ball mill, etc. The particle size of the raw material powder used is approximately 0.1 to 10 μm.

【0058】こうして湿式混合したものを、通常スプレ
ードライヤーにより乾燥し、その後仮焼する。これを通
常は、ボールミルで粉体粒径0.01〜0.5μm 程
度の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライヤーに
より乾燥する。
[0058] The wet-mixed mixture is usually dried using a spray dryer, and then calcined. This is usually wet-pulverized using a ball mill until the particle size of the powder becomes approximately 0.01 to 0.5 μm, and then dried using a spray dryer.

【0059】得られたフェライト粉末を、エチルセルロ
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。
The obtained ferrite powder is kneaded with a binder such as ethyl cellulose and a solvent such as terpineol or butyl carbitol to form a paste.

【0060】なお、磁性層用ペースト中には、必要に応
じて各種ガラスや酸化物を含有させることができる。
[0060] The paste for the magnetic layer may contain various glasses and oxides, if necessary.

【0061】セラミック誘電体層用ペーストの構成に特
に制限はなく、上記したようなセラミック誘電体層の組
成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体と
なる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練
して調製すればよい。
There is no particular restriction on the composition of the paste for the ceramic dielectric layer, and various dielectric materials or raw material powders that become a dielectric by firing are selected depending on the composition of the ceramic dielectric layer as described above, and various binders and It can be prepared by kneading it with a solvent.

【0062】原料粉末としては、通常、酸化チタン系お
よびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いれ
ばよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ti、B
a、Sr、Ca、Zr等の酸化物を用いればよい。
As the raw material powder, oxides constituting titanium oxide-based and titanic acid-based composite oxides may be used, and depending on the composition of the corresponding oxide dielectric, Ti, B
Oxides of a, Sr, Ca, Zr, etc. may be used.

【0063】またこれらは焼成により酸化物になる化合
物、例えば炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機
金属化合物等を用いてもよい。
Compounds that become oxides upon firing, such as carbonates, sulfates, nitrates, oxalates, organometallic compounds, etc., may also be used.

【0064】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径0
.1〜5μm 程度のものが用いられる。
These raw material powders usually have an average particle size of 0.
.. A material with a diameter of about 1 to 5 μm is used.

【0065】また、必要に応じ、各種ガラスが含有され
ていてもよい。
[0065] Furthermore, various glasses may be contained as necessary.

【0066】中間層用ペーストは、前記セラミック磁性
層用ペーストと同様にしてフェライト粉末を製造し、前
記セラミック誘電体層用ペーストと同様、所望の組成に
応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体となる
原料粉末を選択し、これらと、各種バインダと、各種溶
剤とを混練して調整すればよい。
For the paste for the intermediate layer, ferrite powder is produced in the same manner as the paste for the ceramic magnetic layer, and similarly to the paste for the ceramic dielectric layer, various dielectric materials or a dielectric material is prepared by baking depending on the desired composition. What is necessary is to select raw material powders and knead them with various binders and various solvents to adjust.

【0067】この場合、前述したとおり、セラミック磁
性層用ペーストに用いたフェライト粉末と実質的に同一
組成、特に同一組成のフェライト粉末と、セラミック誘
電体層用ペーストに用いた原料粉末を焼成したものと焼
成により実質的に同一組成、特に同一組成になる原料粉
末とを用いて所望の混合比に調整する。
In this case, as described above, a ferrite powder having substantially the same composition, particularly the same composition, as the ferrite powder used in the paste for the ceramic magnetic layer and a raw material powder used in the paste for the ceramic dielectric layer are fired. and a raw material powder that has substantially the same composition, especially the same composition, by firing, and adjusts it to a desired mixing ratio.

【0068】用いるフェライトの原料粉末、誘電体の原
料粉末、さらにはフェライト粉末等の粒径などの諸条件
は前記と同様にすればよい。
Conditions such as the ferrite raw material powder, the dielectric raw material powder, and the particle size of the ferrite powder may be the same as described above.

【0069】また、焼結助剤等として、必要に応じて各
種ガラスや酸化物を含有させてもよい。
[0069] Furthermore, various glasses and oxides may be contained as sintering aids and the like, if necessary.

【0070】また、混合材料を用いない場合、例えば非
磁性Znフェライト等を用いる場合にも前記と同様にし
てペーストを作製すればよい。
Furthermore, even when a mixed material is not used, for example when non-magnetic Zn ferrite is used, a paste may be prepared in the same manner as described above.

【0071】内部導体用ペースト、内部電極層用ペース
ト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した
各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電
材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と
、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製す
る。
The paste for the internal conductor, the paste for the internal electrode layer, and the paste for the external electrode are each made of the various conductive metals and alloys described above, or various oxides, organic metal compounds, and resinates that become the conductive materials described above after firing. etc., and the above-mentioned various binders and solvents are kneaded.

【0072】上記した各ペースト中のバインダおよび溶
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは1〜5wt% 程度、溶剤は10〜50wt
% 程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要
に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選
択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含
有量は、10wt% 以下であることが好ましい。
[0072] There is no particular restriction on the content of the binder and solvent in each of the pastes described above, and the content may be a normal content, for example,
Binder is about 1-5wt%, solvent is about 10-50wt
It may be about %. Further, each paste may contain additives selected from various dispersants, plasticizers, dielectrics, insulators, etc., as necessary. The total content of these is preferably 10 wt% or less.

【0073】LC複合部品1を製造するに際しては、例
えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体用ペ−ス
トをPET等の基板上に積層印刷する。この際、最後に
印刷する磁性層の表面に凹凸を形成する。
In manufacturing the LC composite component 1, for example, first, a magnetic layer paste and an internal conductor paste are laminated and printed on a substrate such as PET. At this time, irregularities are formed on the surface of the magnetic layer to be printed last.

【0074】凹凸の形状やパタ−ン、寸法等の諸条件に
は特に制限がなく、用途等に応じて適宜選択すればよい
Conditions such as the shape, pattern, and dimensions of the unevenness are not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the intended use.

【0075】例えば、凹凸の形状ないしパタ−ンとして
は、図3、図4に示されるように、平面上に線上の凸部
61を形成したものが挙げられ、これは、平面上に線状
の凹部65を形成したものと言い換えることもできる。 この場合凹部65や凸部61のパタ−ンは、図示例の直
線状のほか、波線状、曲線状、折れ線状、リング状、曲
線や折れ線が閉じた状態のもの等種々のストライプ形状
の何れであってもよい。
For example, as the shape or pattern of the unevenness, as shown in FIGS. 3 and 4, a linear projection 61 is formed on a plane. It can also be said that the recess 65 is formed. In this case, the pattern of the concave portions 65 and convex portions 61 may be any of various striped shapes, such as the linear shape shown in the illustrated example, wavy lines, curved lines, polygonal lines, ring shapes, and closed curves and polygonal lines. It may be.

【0076】また、凹凸の形状ないしパタ−ンとしては
、図5に示されるように、平面上に散点状に凹部65を
形成したもの、図7、図8に示されるように、平面上に
散点状に凸部61を形成したもの等が挙げられ、さらに
図6に示されるように凹部65や凸部61が接した状態
で形成されているもの等が挙げられる。この場合、凹部
65や凸部61の形状は、図示例の円、三角形、四角形
のほか、楕円、多角形等何れであってもよい。
Further, as for the shape or pattern of the unevenness, as shown in FIG. Examples include those in which convex portions 61 are formed in a scattered manner, and further examples include those in which concave portions 65 and convex portions 61 are formed in contact with each other as shown in FIG. In this case, the shape of the concave portion 65 and the convex portion 61 may be any shape such as an ellipse, a polygon, etc., in addition to the circle, triangle, and quadrilateral shown in the illustrated example.

【0077】また、図示例の凹凸パタ−ンは、形状、寸
法、配置等について、規則的に形成されているが、場合
によっては不規則であってもよく、さらには各種の凹凸
を組み合わせてもよい。
[0077]Although the illustrated example of the uneven pattern is formed regularly in terms of shape, size, arrangement, etc., it may be irregular in some cases, or may be formed by combining various types of unevenness. Good too.

【0078】また、凹凸の寸法については、凸部61の
高さhが3〜30μmが好ましい。前記範囲未満または
前記範囲を超えると、Cu、Zn等の析出防止能が不十
分である。なお、凸部61の高さhは、凹部65の深さ
と言い換えることができる。
Regarding the dimensions of the unevenness, it is preferable that the height h of the convex portion 61 is 3 to 30 μm. If it is less than the above range or exceeds the above range, the ability to prevent precipitation of Cu, Zn, etc. will be insufficient. Note that the height h of the convex portion 61 can be rephrased as the depth of the concave portion 65.

【0079】また、凸部61をストライプ状に設ける場
合、その幅は、0.5〜2.5mm程度、散点状に設け
る場合は、その面積は、12〜27mm2 程度とする
Further, when the convex portions 61 are provided in a striped shape, the width thereof is approximately 0.5 to 2.5 mm, and when provided in a dotted manner, the area is approximately 12 to 27 mm 2 .

【0080】また、凹部65に対する凸部61の面積比
は3/7〜7/3程度、特に1/1程度が好ましい。そ
して、凹部65と凸部61は均一に分布していることが
好ましい。
The area ratio of the convex portions 61 to the concave portions 65 is preferably about 3/7 to 7/3, particularly about 1/1. Further, it is preferable that the concave portions 65 and the convex portions 61 are uniformly distributed.

【0081】このような凹凸形状に磁性層用ペ−ストを
印刷した後、ペ−ストおよび内部電極層用ペ−ストを積
層印刷してグリ−ンチップを形成する。この際、磁性層
に隣接して印刷される誘電体層の磁性層側表面には、磁
性層の凹凸パタ−ンどおりの凹凸が形成され、接合界面
を所望の凹凸形状にできる。
After printing the paste for the magnetic layer in such an uneven shape, the paste and the paste for the internal electrode layer are laminated and printed to form a green chip. At this time, the surface of the dielectric layer printed adjacent to the magnetic layer on the magnetic layer side is formed with unevenness that corresponds to the uneven pattern of the magnetic layer, so that the bonding interface can be formed into a desired uneven shape.

【0082】次に所定形状に切断した後、基板から剥離
する。
Next, after cutting into a predetermined shape, it is peeled off from the substrate.

【0083】なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペー
ストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導
体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、こ
れらを積層してグリーンチップを形成してもよい。この
場合、磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよい
[0083] A green sheet is formed using the paste for the magnetic layer and the paste for the dielectric layer, and after printing the paste for the internal conductor and the paste for the internal electrode layer on this, these are laminated to form a green chip. may be formed. In this case, the dielectric layer adjacent to the magnetic layer may be printed directly.

【0084】また、中間層4を設層する場合は、磁性層
用ペースト上に中間層用ペーストを印刷した後、誘電体
層用ペーストを印刷すればよい。そして、この場合も前
記と同様にして、磁性層と中間層との界面や誘電体層と
中間層との界面を凹凸形状にする。
Further, when forming the intermediate layer 4, the paste for the intermediate layer may be printed on the paste for the magnetic layer, and then the paste for the dielectric layer may be printed. In this case as well, the interface between the magnetic layer and the intermediate layer and the interface between the dielectric layer and the intermediate layer are made to have an uneven shape in the same manner as described above.

【0085】次いで、外部電極用ペーストをグリーンチ
ップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体
用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペース
トおよび外部電極用ペースト、中間層を設層する場合は
、さらに中間層用ペーストを同時焼成する。
Next, the external electrode paste is printed or transferred onto the green chip, and the magnetic layer paste, internal conductor paste, dielectric layer paste, internal electrode layer paste, external electrode paste, and intermediate layer are formed. If so, the paste for the intermediate layer is additionally fired at the same time.

【0086】また、先にチップ体を焼成し、その後に外
部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。
[0086] Alternatively, the chip body may be fired first, and then the paste for external electrodes may be printed and fired.

【0087】焼成温度は、800〜930℃、特に85
0〜900℃とすることが好ましい。また、焼成時間は
、0.05〜5時間、特に0.1〜3時間とすることが
好ましい。焼成は、通常、空気中で行なう。
[0087] The firing temperature is 800 to 930°C, especially 85°C.
It is preferable to set it as 0-900 degreeC. Further, the firing time is preferably 0.05 to 5 hours, particularly 0.1 to 3 hours. Firing is usually performed in air.

【0088】また、外部電極焼き付けのための焼成温度
は、通常500〜700℃程度、焼成時間は、通常10
〜30分程度であり、焼成は通常、空気中で行なう。
[0088] Furthermore, the firing temperature for baking the external electrodes is usually about 500 to 700°C, and the firing time is usually about 10°C.
The firing time is approximately 30 minutes, and firing is usually performed in air.

【0089】本発明では、焼成時および/または焼成後
、大気より酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なう
ことが好ましい。
In the present invention, it is preferable to carry out heat treatment in an atmosphere containing more oxygen than the atmosphere during and/or after firing.

【0090】酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうことに
よって、Cu、Zn等の金属やCu2 O、Zn2 O
等の抵抗が低い酸化物の形で析出した物や析出していた
物をCuO、ZnO等の抵抗が高く実害のない酸化物の
形で析出させることができる。このため部品の回路抵抗
がより一層向上する。
By performing heat treatment in an oxygen-rich atmosphere, metals such as Cu, Zn, Cu2O, Zn2O
It is possible to precipitate or previously precipitated substances in the form of oxides with low resistance, such as CuO, ZnO, etc., in the form of oxides with high resistance and no actual damage, such as CuO and ZnO. Therefore, the circuit resistance of the component is further improved.

【0091】また、前記熱処理は、最後の焼成時および
/または最後の焼成後に行なうことが好ましい。
[0091] Furthermore, the heat treatment is preferably carried out during and/or after the final firing.

【0092】例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き
付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時
および/またはこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部
電極を焼き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極
を焼き付ける時および/または外部電極を焼き付けた後
に所定の熱処理を行なうことが好ましい。なお、後者の
ように2度焼成を行なう場合は、場合によっては、さら
にチップ体の焼成時やチップ体の焼成後に熱処理を行な
ってもよい。
For example, when firing the chip body and firing for baking the external electrodes are performed at the same time, the firing for baking the external electrodes is performed during and/or after the firing of the chip body. In this case, it is preferable to perform a predetermined heat treatment when and/or after baking the external electrodes. Note that in the case of performing twice firing as in the latter case, heat treatment may be further performed during or after firing the chip body, depending on the case.

【0093】熱処理雰囲気中の酸素分圧比は、30〜1
00%、より好ましくは50〜100%、特に好ましく
は100%が好ましい。
[0093] The oxygen partial pressure ratio in the heat treatment atmosphere is 30 to 1.
00%, more preferably 50 to 100%, particularly preferably 100%.

【0094】前記範囲未満では、Cu、Zn、Cu2 
O、Zn2 O等の析出を抑制する能力が低下する。
[0094] Below the above range, Cu, Zn, Cu2
The ability to suppress precipitation of O, Zn2O, etc. is reduced.

【0095】このような酸素過剰雰囲気中での熱処理は
、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行われ
るため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条件
や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみを
単独で行う場合、熱処理温度は、550〜900℃、特
に、650〜800℃、保持時間は0.5〜2時間、特
に1〜1.5時間とすることが好ましい。
[0095] Such heat treatment in an oxygen-rich atmosphere is usually performed at the same time as firing and baking the external electrodes, so the various conditions such as heat treatment temperature and holding time are the same as the firing conditions and the baking conditions for the external electrodes. However, when heat treatment is performed alone, the heat treatment temperature is preferably 550 to 900°C, particularly 650 to 800°C, and the holding time is preferably 0.5 to 2 hours, particularly 1 to 1.5 hours. .

【0096】なお、LC複合部品以外の複合積層部品の
場合も前記のとおり作製すればよい。
Note that composite laminated parts other than LC composite parts may also be manufactured as described above.

【0097】このようにして製造されたLC複合部品等
の本発明の複合積層部品は、外部電極に半田付等を行な
うことにより、プリント基板上等に実装され、各種電子
機器等に使用される。
The composite laminated component of the present invention, such as the LC composite component manufactured in this way, can be mounted on a printed circuit board by soldering the external electrodes, etc., and used in various electronic devices. .

【0098】[0098]

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
[Examples] Hereinafter, the present invention will be explained in more detail by giving specific examples of the present invention.

【0099】実施例1 [LC複合部品の作製] 下記の各ペーストを調製した。 (磁性層用ペースト)粒径0.1〜3.0μm 程度の
NiO(17モル%)、CuO(9モル%)、ZnO(
25モル%)およびFe2 O3 (49モル%)の粉
体を用い、これらをボールミルを用いて湿式混合し、つ
いで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥
し、750℃にて仮焼し、顆粒として、これをボールミ
ルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾燥し、平均
粒径0.1μm のNi−Cu−Znフェライト原料粉
末とした。次いで、この原料粉末100重量部に対し、
エチルセルロース3.84重量部およびテルピネオール
78重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペーストと
した。
Example 1 [Preparation of LC composite parts] The following pastes were prepared. (Magnetic layer paste) NiO (17 mol%), CuO (9 mol%), ZnO (
25 mol%) and Fe2O3 (49 mol%) powders were wet mixed using a ball mill, and then this wet mixture was dried with a spray dryer, calcined at 750°C, and made into granules. This was ground in a ball mill and then dried in a spray dryer to obtain Ni--Cu--Zn ferrite raw material powder with an average particle size of 0.1 μm. Next, for 100 parts by weight of this raw material powder,
3.84 parts by weight of ethyl cellulose and 78 parts by weight of terpineol were added and kneaded using a three-roll mill to form a paste.

【0100】(内部導体用ペースト)平均粒径0.8μ
m のAg100重量部に対し、エチルセルロース2.
5重量部およびテルピネオール40重量部を加え、三本
ロールにて混練し、ペーストとした。
(Paste for internal conductor) Average particle size 0.8μ
2.m of ethyl cellulose per 100 parts by weight of Ag.
5 parts by weight and 40 parts by weight of terpineol were added and kneaded using three rolls to form a paste.

【0101】(誘電体層用ペースト)平均粒径0.7μ
mのTiO2 (92モル%)、平均粒径0.05μm
のCuO(4モル%)および平均粒径0.5μmのNi
O(4モル%)を用いた。この誘電体粉末100重量部
に対し、エチルセルロース3.5重量部、テルピネオー
ル40重量部を加え、3本ロールにて混練してペースト
とした。
(Paste for dielectric layer) Average particle size 0.7μ
m TiO2 (92 mol%), average particle size 0.05 μm
of CuO (4 mol%) and Ni with an average particle size of 0.5 μm
O (4 mol%) was used. To 100 parts by weight of this dielectric powder, 3.5 parts by weight of ethyl cellulose and 40 parts by weight of terpineol were added and kneaded using three rolls to form a paste.

【0102】(内部電極層用ペースト)平均粒径0.8
μmのAg100重量部に対し、エチルセルロ−ス2.
5重量部、テルピネオ−ル40重量部を加え、三本ロー
ルにて混練し、ペーストとした。
(Paste for internal electrode layer) Average particle size 0.8
For every 100 parts by weight of μm Ag, 2.
5 parts by weight and 40 parts by weight of terpineol were added and kneaded using a three-roll mill to form a paste.

【0103】(中間層用ペ−スト)粒径0.8μm 程
度のZnO(50モル%)およびFe2 O3 (50
モル%)の粉体を用い、磁性層用ペ−ストと同様にして
平均粒径0.2μm の非磁性Znフェライトの原料粉
末とした。次いで、この原料粉末100重量部に対し、
エチルセルロ−ス3.5重量部、テルピネオ−ル40重
量部を加え、三本ロ−ンにて混練し、ペ−ストとした。
(Paste for intermediate layer) ZnO (50 mol %) with a particle size of about 0.8 μm and Fe2 O3 (50 mol %)
A raw material powder of non-magnetic Zn ferrite having an average particle size of 0.2 μm was prepared in the same manner as the paste for the magnetic layer. Next, for 100 parts by weight of this raw material powder,
3.5 parts by weight of ethyl cellulose and 40 parts by weight of terpineol were added and kneaded using a triple roller to form a paste.

【0104】(外部電極用ペースト)平均粒径1.2μ
mのAg100重量部に対し、エチルセルロ−ス3.0
重量部、ガラスフリット7重量部、テルピネオ−ル40
重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペーストとした
(Paste for external electrode) Average particle size 1.2μ
3.0 parts by weight of ethyl cellulose per 100 parts by weight of Ag
Parts by weight, 7 parts by weight of glass frit, 40 parts by weight of terpineol
Parts by weight were added and kneaded using three rolls to form a paste.

【0105】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、次いで中間層
用ペーストを印刷し、さらに誘電体層用ペーストと、内
部電極層用ペーストとを印刷積層してグリーンチップと
した。
The paste for the magnetic layer and the paste for the internal conductor produced in this manner are printed and laminated, then the paste for the intermediate layer is printed, and then the paste for the dielectric layer and the paste for the internal electrode layer are printed. They were laminated to form a green chip.

【0106】この場合、中間層の誘電体層側表面には、
図3に示されるようなストライプ状の凸部61を規則的
に形成し、中間層と誘電体層との界面を凹凸形状とした
。凸部61の高さhは10μm 、幅は1mm、ピッチ
は2mmとした。また、中間層の厚さは50μm とし
た。
In this case, on the surface of the intermediate layer on the dielectric layer side,
Striped convex portions 61 as shown in FIG. 3 were regularly formed to give an uneven shape to the interface between the intermediate layer and the dielectric layer. The height h of the convex portions 61 was 10 μm, the width was 1 mm, and the pitch was 2 mm. Further, the thickness of the intermediate layer was 50 μm.

【0107】次に、空気中にて、890℃で2時間焼成
した。
[0107] Next, it was fired in air at 890°C for 2 hours.

【0108】焼成後、外部電極用ペーストを印刷し、そ
の後空気中にて600℃で30分間焼成して外部電極を
焼き付けた。
After baking, a paste for external electrodes was printed, and then baked in air at 600° C. for 30 minutes to bake the external electrodes.

【0109】このようにして5.0mm×5.0mm×
2.7mmの図10に示されるLCフィルター複合部品
サンプルNo. 1を作製した。
[0109] In this way, 5.0 mm x 5.0 mm x
LC filter composite part sample No. 2.7 mm shown in FIG. 1 was produced.

【0110】磁性層の厚さは40μm、内部巻線(内部
導体)の厚さは15μm、その線巾は300μmとした
。巻回数は25ターンとした。
The thickness of the magnetic layer was 40 μm, the thickness of the internal winding (internal conductor) was 15 μm, and the wire width was 300 μm. The number of turns was 25 turns.

【0111】誘電体層の厚さは100μm、誘電体層の
積層数は5層とし、内部電極層の厚さは15μmとした
。外部電極の厚さは800μmとした。
The thickness of the dielectric layer was 100 μm, the number of laminated dielectric layers was 5, and the thickness of the internal electrode layer was 15 μm. The thickness of the external electrode was 800 μm.

【0112】また、中間層と誘電体層との界面を凹凸形
状としないほかはサンプルNo. 1と同様にして比較
用サンプルNo. 2を作製した。
[0112] Sample No. 1 was also used, except that the interface between the intermediate layer and the dielectric layer was not made uneven. Comparative sample No. 1 was prepared in the same manner as No. 1. 2 was produced.

【0113】また、焼成温度を870℃、850℃とし
たほかはNo. 1と同様にしてサンプルNo. 3(
870℃で焼成)、No. 5(850℃で焼成)、お
よび焼成温度を870℃、850℃としたほかは、No
.2と同様にしてサンプルNo. 4(870℃で焼成
)、No. 6(850℃で焼成)をそれぞれ作製した
[0113] Also, except that the firing temperature was 870°C and 850°C, No. Sample No. 1 was prepared in the same manner as in Sample No. 1. 3(
(fired at 870°C), No. 5 (fired at 850°C), and No. 5, except that the firing temperature was 870°C and 850°C.
.. Sample No. 2 was prepared in the same manner as in Sample No. 2. 4 (fired at 870°C), No. 6 (fired at 850°C) were prepared.

【0114】得られた各サンプルについてX線線分析を
行ない、コンデンサチップ体とインダクタチップ体との
接合部の近傍のZnおよびCuの含有濃度分布を求めた
[0114] Each sample obtained was subjected to X-ray analysis to determine the concentration distribution of Zn and Cu in the vicinity of the joint between the capacitor chip body and the inductor chip body.

【0115】この結果、本発明のサンプルNo. 1、
No. 3およびNo. 5は、すべて、磁性層と中間
層との界面および誘電体層と中間層との界面に、Cu、
Zn等の析出がほとんどなかった。これに対し、比較用
サンプルNo. 2は、誘電体層と中間層との界面にC
u、Zn等の析出が確認された。
As a result, sample No. of the present invention. 1,
No. 3 and no. 5, Cu, Cu,
There was almost no precipitation of Zn or the like. On the other hand, comparative sample No. 2 is C at the interface between the dielectric layer and the intermediate layer.
Precipitation of u, Zn, etc. was confirmed.

【0116】次に、各サンプルの回路抵抗IRを測定し
た。結果は表1に示されるとおりである。
Next, the circuit resistance IR of each sample was measured. The results are shown in Table 1.

【0117】[0117]

【表1】[Table 1]

【0118】表1に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
The effects of the present invention are clear from the results shown in Table 1.

【0119】なお、このほか、誘電体層と中間層との界
面の凹凸パタ−ンをかえた各種サンプルを作製したとこ
ろ同等の結果が得られた。
[0119] In addition, similar results were obtained when various samples were prepared with different unevenness patterns at the interface between the dielectric layer and the intermediate layer.

【0120】また、誘電体層と中間層との界面にかえ、
さらには、誘電体層と中間層との界面に加え、磁性層と
中間層との界面を凹凸形状とした各種サンプルを作製し
たところ、回路抵抗IRは、両界面凹凸のサンプルが最
も高く、誘電体層と中間層との界面凹凸のサンプルが次
に高く、磁性層と中間層との界面凹凸のサンプルが3番
目に高く、凹凸なしが最も低かった。
[0120] Also, instead of the interface between the dielectric layer and the intermediate layer,
Furthermore, when various samples were prepared in which the interface between the dielectric layer and the intermediate layer as well as the interface between the magnetic layer and the intermediate layer had an uneven shape, the circuit resistance IR was the highest in the sample with uneven surfaces on both interfaces. The sample with the interface unevenness between the body layer and the intermediate layer had the second highest value, the sample with the interface unevenness between the magnetic layer and the intermediate layer had the third highest value, and the sample with no unevenness had the lowest.

【0121】また、Ni−Cu−ZnフェライトをNi
−Znフェライトにかえ、ガラスフリットを添加してペ
−ストを作製し、TiO2 およびCuOをTiO2 
のみにかえ、ガラスフリットを添加してペ−ストを作製
し、これらのペ−ストを用いて各種サンプルを作製した
ところ同等の結果が得られた。
[0121] Also, Ni-Cu-Zn ferrite is
- Create a paste by adding glass frit instead of Zn ferrite, and replace TiO2 and CuO with TiO2
When pastes were prepared by adding glass frit instead of the wafer, and various samples were prepared using these pastes, similar results were obtained.

【0122】また、LCフィルタ複合部品以外に、LC
トラップ等の複合積層部品を作製したところ同等の結果
が得られた。
[0122] In addition to LC filter composite parts, LC
Similar results were obtained when composite laminated parts such as traps were made.

【0123】実施例2 実施例1において、中間層を設層しないほかは同様の図
9に示されるような各サンプルを作製したところ、実施
例1のサンプルと比べ、回路抵抗IRの低下が確認され
た。なお、この場合は、磁性層と誘電体層との界面が凹
凸形状となる。
Example 2 Samples shown in FIG. 9 similar to Example 1 except that no intermediate layer was formed were prepared, and a decrease in circuit resistance IR was confirmed compared to the sample of Example 1. It was done. Note that in this case, the interface between the magnetic layer and the dielectric layer has an uneven shape.

【0124】実施例3 下記の混合材料含有中間層用ペ−ストを作製した。Example 3 A paste for an intermediate layer containing the following mixed material was prepared.

【0125】(混合材料含有中間層用ペ−スト)実施例
1の磁性層用ペーストに用いたNi−Cu−Znフェラ
イト原料粉末100重量部および誘電体層用ペーストに
用いた誘電体粉末100重量部に対し、エチルセルロー
ス3.5重量部、テルピネオール40重量部を加え、三
本ロールにて混練し、ペーストとした。
(Paste for intermediate layer containing mixed materials) 100 parts by weight of the Ni-Cu-Zn ferrite raw material powder used in the paste for the magnetic layer in Example 1 and 100 parts by weight of the dielectric powder used in the paste for the dielectric layer. 3.5 parts by weight of ethyl cellulose and 40 parts by weight of terpineol were added and kneaded using a three-roll mill to form a paste.

【0126】実施例1において、前記混合材料含有中間
層用ペーストを用いて中間層を設層したほかは同様の各
サンプルを作製したところ、実施例1のサンプルに比べ
回路抵抗IRの向上が確認された。
[0126] When samples were prepared in the same manner as in Example 1 except that the intermediate layer was formed using the intermediate layer paste containing the mixed material, it was confirmed that the circuit resistance IR was improved compared to the sample of Example 1. It was done.

【0127】実施例4 実施例3において、単層の中間層を3層にしたほかは同
様の各サンプルを作製した。この場合、3層の中間層の
うち磁性層側の中間層には、誘電体粉末の含有量をW1
、Ni−Cu−Zn原料粉末の含有量をW2 としたと
き、重量比W2 /W1 が7/3、中央の中間層には
、W2 /W1 が5/5、誘電体層側の中間層には、
W2 /W1 が3/7となるように配合したペ−スト
を用いた。 また、3層の厚さは、それぞれ20μmとし、中間層の
全厚を60μmとした。
Example 4 Samples were prepared in the same manner as in Example 3 except that the single intermediate layer was changed to three layers. In this case, among the three intermediate layers, the intermediate layer on the magnetic layer side has a dielectric powder content of W1.
, when the content of the Ni-Cu-Zn raw material powder is W2, the weight ratio W2 /W1 is 7/3, the central intermediate layer has a W2 /W1 ratio of 5/5, and the intermediate layer on the dielectric layer side has a weight ratio of 7/3. teeth,
A paste blended so that W2/W1 was 3/7 was used. Further, the thickness of each of the three layers was 20 μm, and the total thickness of the intermediate layer was 60 μm.

【0128】この結果、実施例3のサンプルに比べ回路
抵抗IRの向上が確認された。
As a result, it was confirmed that the circuit resistance IR was improved compared to the sample of Example 3.

【0129】実施例5 実施例1〜4において、空気中での焼成を、酸素分圧比
100%の酸素雰囲気中での熱処理を兼ねた焼成にかえ
、空気中での外部電極焼き付けを、酸素分圧比100%
の酸素雰囲気中での熱処理を兼ねた焼成にかえたほかは
同様の各サンプルを作成した。
Example 5 In Examples 1 to 4, the baking in air was replaced with baking that also served as heat treatment in an oxygen atmosphere with an oxygen partial pressure ratio of 100%, and the baking of the external electrode in air was performed with an oxygen content of 100%. Pressure ratio 100%
Samples were prepared in the same manner, except that the sintering was performed in an oxygen atmosphere.

【0130】この結果、空気中焼成のサンプルに比べ回
路抵抗IRの向上が確認された。
As a result, it was confirmed that the circuit resistance IR was improved compared to the sample fired in air.

【0131】また、各サンプルのインダクタチップ体と
コンデンサチップ体との界面における析出物をX線回析
にて測定したところ、酸素過剰雰囲中熱処理を行なった
サンプルの析出物は、CuO、ZnOが大部分を占めて
いた。これに対し、酸素過剰雰囲中熱処理を行なわなか
った実施例1〜4のサンプルの析出物は、Cu、Cu2
 O、Zn、Zn2 Oが大部分を占めていた。
[0131] Furthermore, when the precipitates at the interface between the inductor chip body and the capacitor chip body of each sample were measured by accounted for the majority. In contrast, the precipitates of the samples of Examples 1 to 4 that were not heat-treated in an oxygen-rich atmosphere were Cu, Cu2
O, Zn, and Zn2O accounted for the majority.

【0132】以上、実施例1〜5により本発明の効果が
明らかである。
As described above, the effects of the present invention are clear from Examples 1 to 5.

【0133】[0133]

【発明の効果】本発明の複合積層部品は、インダクタチ
ップ体とコンデンサチップ体との界面での局部的なCu
やCu酸化物、ZnやZn酸化物の析出がほとんどない
。このため、部品の回路抵抗が高い。
Effects of the Invention The composite laminate component of the present invention has a structure in which localized Cu is removed at the interface between the inductor chip body and the capacitor chip body.
There is almost no precipitation of Zn, Cu oxide, Zn or Zn oxide. Therefore, the circuit resistance of the components is high.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の複合積層部品の好適実施例であるLC
複合部品が示される断面図である。
FIG. 1: LC, which is a preferred embodiment of the composite laminate component of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a composite part.

【図2】本発明の複合積層部品の好適実施例であるLC
複合部品が示される断面図である。
FIG. 2: LC, which is a preferred embodiment of the composite laminate component of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a composite part.

【図3】本発明の複合積層部品の磁性層の1例が示され
る部分斜視図である。
FIG. 3 is a partial perspective view showing one example of the magnetic layer of the composite laminate component of the present invention.

【図4】本発明の複合積層部品の磁性層の1例が示され
る部分斜視図である。
FIG. 4 is a partial perspective view showing one example of the magnetic layer of the composite laminate component of the present invention.

【図5】本発明の複合積層部品の磁性層の1例が示され
る部分斜視図である。
FIG. 5 is a partial perspective view showing an example of the magnetic layer of the composite laminate component of the present invention.

【図6】本発明の複合積層部品の磁性層の1例が示され
る部分斜視図である。
FIG. 6 is a partial perspective view showing one example of the magnetic layer of the composite laminate component of the present invention.

【図7】本発明の複合積層部品の磁性層の1例が示され
る部分斜視図である。
FIG. 7 is a partial perspective view showing an example of the magnetic layer of the composite laminate component of the present invention.

【図8】本発明の複合積層部品の磁性層の1例が示され
る部分斜視図である。
FIG. 8 is a partial perspective view showing one example of the magnetic layer of the composite laminate component of the present invention.

【図9】本発明の複合積層部品の好適実施例であるLC
複合部品の一部を切欠いて示す斜視図である。
FIG. 9: LC, which is a preferred embodiment of the composite laminate component of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a part of the composite component cut away.

【図10】本発明の複合積層部品の好適実施例であるL
C複合部品の一部を切欠いて示す斜視図である。
FIG. 10 is a preferred embodiment of the composite laminate component of the present invention.
It is a perspective view which shows a part of C composite part notched.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  LC複合部品 2  コンデンサチップ体 21  セラミック誘電体層 25  内部電極層 3  インダクタチップ体 31  セラミック磁性層 35  内部導体 4  中間層 51  外部電極 61  凸部 65  凹部 1 LC composite parts 2 Capacitor chip body 21 Ceramic dielectric layer 25 Internal electrode layer 3 Inductor chip body 31 Ceramic magnetic layer 35 Internal conductor 4 Middle class 51 External electrode 61 Convex part 65 Recess

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  セラミック誘電体層と内部電極層とを
積層して構成されるコンデンサチップ体と、セラミック
磁性層と内部導体とを積層して構成されるインダクタチ
ップ体とを一体的に有する複合積層部品であって、前記
セラミック磁性層がNi−Cu−Znフェライトおよび
/またはNi−Znフェライトを含有し、前記セラミッ
ク磁性層のうち最もコンデンサチップ体側の表面および
/または前記セラミック誘電体層のうち最もインダクタ
チップ体側の表面に凹凸を形成した後焼成したことを特
徴とする複合積層部品。
1. A composite body integrally comprising a capacitor chip body formed by laminating a ceramic dielectric layer and an internal electrode layer, and an inductor chip body formed by laminating a ceramic magnetic layer and an internal conductor. A multilayer component, wherein the ceramic magnetic layer contains Ni-Cu-Zn ferrite and/or Ni-Zn ferrite, and the surface of the ceramic magnetic layer closest to the capacitor chip body and/or the ceramic dielectric layer A composite laminate component characterized in that it is fired after forming irregularities on the surface closest to the inductor chip body.
【請求項2】  前記凹凸の凸部の高さが3〜30μm
 である請求項1に記載の複合積層部品。
[Claim 2] The height of the convex portion of the unevenness is 3 to 30 μm.
The composite laminate component according to claim 1.
【請求項3】  前記セラミック誘電体層が酸化チタン
系誘電体を含有する請求項1または2に記載の複合積層
部品。
3. The composite laminate component according to claim 1, wherein the ceramic dielectric layer contains a titanium oxide dielectric.
【請求項4】  前記コンデンサチップ体と前記インダ
クタチップ体とを同時焼成した請求項1ないし3のいず
れかに記載の複合積層部品。
4. The composite laminate component according to claim 1, wherein the capacitor chip body and the inductor chip body are co-fired.
【請求項5】  前記コンデンサチップ体と、前記イン
ダクタチップ体との間に、中間層が1層以上設層されて
いる請求項1ないし4のいずれかに記載の複合積層部品
5. The composite laminate component according to claim 1, wherein one or more intermediate layers are provided between the capacitor chip body and the inductor chip body.
【請求項6】  前記中間層が前記セラミック誘電体層
と実質的に同一の誘電体材料と、前記セラミック磁性層
と実質的に同一の磁性材料とを混合した混合材料を含有
する請求項5に記載の複合積層部品。
6. The intermediate layer includes a mixed material of a dielectric material substantially the same as the ceramic dielectric layer and a magnetic material substantially the same as the ceramic magnetic layer. Composite laminate parts as described.
【請求項7】  前記中間層の混合材料中の前記誘電体
材料に対する前記磁性材料の重量比が1/9〜9/1で
ある請求項6に記載の複合積層部品。
7. The composite laminate component according to claim 6, wherein the weight ratio of the magnetic material to the dielectric material in the mixed material of the intermediate layer is 1/9 to 9/1.
【請求項8】  前記中間層を2層以上有し、前記中間
層の混合材料中の前記誘電体材料に対する前記磁性材料
の重量比が、インダクタチップ体側ほど大である請求項
6または7に記載の複合積層部品。
8. The inductor according to claim 6, wherein the intermediate layer has two or more layers, and the weight ratio of the magnetic material to the dielectric material in the mixed material of the intermediate layer is larger toward the inductor chip body. composite laminate parts.
【請求項9】  焼成時および/または焼成後に、大気
より酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なった請求
項1ないし8のいずれかに記載の複合積層部品。
9. The composite laminate component according to claim 1, wherein the composite laminate component is heat-treated in an atmosphere containing oxygen in excess of the atmosphere during and/or after firing.
【請求項10】  前記雰囲気中の酸素分圧比が30〜
100%である請求項9に記載の複合積層部品。
10. Oxygen partial pressure ratio in the atmosphere is 30 to 30.
The composite laminate component according to claim 9, which is 100%.
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Cited By (5)

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