JP3378747B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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Description
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ホール注入電極
と電子注入電極との間に、少なくとも有機材料を用いた
発光層が設けられてなる有機エレクトロルミネッセンス
素子に係り、電子注入電極における電子の注入効率を低
下させることなく、この電子注入電極の安定性を向上さ
せた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device having a light emitting layer made of at least an organic material between a hole injecting electrode and an electron injecting electrode, and injecting electrons in the electron injecting electrode. The present invention relates to an organic electroluminescence device in which the stability of this electron injection electrode is improved without lowering the efficiency.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報機器の多様化等にともなっ
て、従来より一般に使用されているＣＲＴに比べて消費
電力が少なく容積の小さい平面表示素子のニーズが高ま
り、このような平面表示素子の一つとしてエレクトロル
ミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と略す。）が注目さ
れている。2. Description of the Related Art In recent years, with the diversification of information equipment, the need for a flat display element that consumes less power and has a smaller volume than that of a CRT that has been generally used, has increased. As one of them, an electroluminescence element (hereinafter, abbreviated as EL element) is receiving attention.
【０００３】そして、このようなＥＬ素子は、使用する
材料によって無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに大別され
る。Such EL elements are roughly classified into inorganic EL elements and organic EL elements depending on the materials used.
【０００４】ここで、無機ＥＬ素子は、一般に発光部に
高電界を作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光
中心に衝突させ、これにより発光中心を励起させて発光
させるようになっている。これに対し、有機ＥＬ素子
は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子
とホールとを発光部内に注入し、このように注入された
電子とホールとを発光中心で再結合させて、有機分子を
励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態に
戻るときに蛍光を発光するようになっている。Here, in the inorganic EL element, generally, a high electric field is applied to the light emitting portion, electrons are accelerated in the high electric field to collide with the emission center, and thereby the emission center is excited to emit light. ing. On the other hand, in the organic EL device, electrons and holes are injected into the light emitting portion from the electron injection electrode and the hole injection electrode, respectively, and the electrons and holes thus injected are recombined at the emission center to form an organic EL element. A molecule is excited to emit fluorescence when the organic molecule returns from the excited state to the ground state.
【０００５】そして、無機ＥＬ素子の場合には、上記の
ように高電界を作用させるために、その駆動電圧として
１００〜２００Ｖと高い電圧を必要とするのに対して、
有機ＥＬ素子の場合には、５〜２０Ｖ程度の低い電圧で
駆動できるという利点があった。In the case of an inorganic EL element, in order to apply a high electric field as described above, a high driving voltage of 100 to 200 V is required, whereas
The organic EL element has an advantage that it can be driven at a low voltage of about 5 to 20V.
【０００６】また、上記の有機ＥＬ素子の場合には、発
光材料である螢光物質を選択することによって適当な色
彩に発光する発光素子を得ることができ、マルチカラー
やフルカラーの表示装置等としても利用できるという期
待があり、さらに低電圧で面発光できるために、近年、
このような有機ＥＬ素子について様々な研究が行なわれ
るようになった。Further, in the case of the above organic EL element, a light emitting element which emits light in an appropriate color can be obtained by selecting a fluorescent substance which is a light emitting material, and is used as a multicolor or full color display device or the like. Is also expected to be used, and since surface emission can be performed at a lower voltage, in recent years,
Various studies have been conducted on such organic EL devices.
【０００７】そして、近年においては、このような有機
ＥＬ素子として、ホール注入電極と電子注入電極との間
にホール輸送層と発光層と電子輸送層とを積層させたＤ
Ｈ構造と称される三層構造のものや、ホール注入電極と
電子注入電極との間にホール輸送層と電子輸送性に富む
発光層とが積層されたＳＨ−Ａ構造と称される二層構造
のものや、ホール注入電極と電子注入電極との間にホー
ル輸送性に富む発光層と電子輸送層とが積層されたＳＨ
−Ｂ構造と称される二層構造のものが開発されている。In recent years, as such an organic EL device, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated between a hole injection electrode and an electron injection electrode.
A three-layer structure called an H structure or a two-layer SH-A structure in which a hole transport layer and a light emitting layer having a high electron transport property are stacked between a hole injection electrode and an electron injection electrode. SH having a structure or a light emitting layer having a high hole transporting property and an electron transporting layer stacked between the hole injecting electrode and the electron injecting electrode
A two-layer structure called a -B structure has been developed.
【０００８】また、従来の有機ＥＬ素子においては、上
記のホール注入電極や電子注入電極からホールや電子が
効率よく注入されるようにするため、ホール注入電極と
しては、仕事関数が大きいインジウム−スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）等が用いられる一方、電子注入電極としては、仕
事関数が小さいマグネシウム−インジウム合金やリチウ
ム−アルミニウム合金等が広く利用されていた。Further, in the conventional organic EL element, in order to efficiently inject holes and electrons from the above hole injecting electrode and electron injecting electrode, indium-tin having a large work function is used as the hole injecting electrode. Oxide (I
While TO) and the like are used, magnesium-indium alloy, lithium-aluminum alloy and the like having a small work function have been widely used as the electron injection electrode.
【０００９】しかし、電子注入電極に使用される上記の
マグネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミニウ
ム合金等は一般に酸化されやすく、これにより電子注入
電極としての特性が低下し、有機ＥＬ素子の耐環境性や
信頼性が悪くなり、有機ＥＬ素子の寿命が短くなるとい
う問題があった。However, the above-mentioned magnesium-indium alloy, lithium-aluminum alloy and the like used for the electron injecting electrode are generally easily oxidized, which deteriorates the characteristics as the electron injecting electrode, and the environment resistance of the organic EL element and the There is a problem that reliability is deteriorated and the life of the organic EL element is shortened.
【００１０】また、上記のような従来の有機ＥＬ素子を
使用すると、上記の発光層等に使用されている有機材料
が次第に結晶化し、これにより有機ＥＬ素子に短絡等が
生じ、長期にわたって安定した発光が得られなくなると
いう問題もあった。Further, when the conventional organic EL element as described above is used, the organic material used for the light emitting layer or the like is gradually crystallized, which causes a short circuit or the like in the organic EL element, which is stable for a long period of time. There was also a problem that light emission could not be obtained.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ホール注
入電極と電子注入電極との間に、少なくとも有機材料を
用いた発光層が設けられた有機ＥＬ素子における上記の
ような問題を解決することを課題とするものであり、電
子注入電極からの電子の注入が効率よく行なえると共
に、この電子注入電極が酸化されて特性が低下するとい
うことが少なく、また発光層等に使用した有機材料が時
間が経過するに連れて次第に結晶化して、有機ＥＬ素子
に短絡等が生じるということも抑制され、長期にわたっ
て十分な輝度の光を安定して発光できる有機ＥＬ素子を
提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to solve the above problems in an organic EL device in which a light emitting layer made of at least an organic material is provided between a hole injecting electrode and an electron injecting electrode. In addition to being able to efficiently inject electrons from the electron injecting electrode, the electron injecting electrode is less likely to be deteriorated in characteristics due to oxidation, and the organic material used for the light emitting layer is It is an object of the present invention to provide an organic EL element capable of stably emitting light with sufficient brightness for a long period of time, which is also prevented from being crystallized gradually with time and causing a short circuit or the like in the organic EL element.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】この発明における有機エ
レクトロルミネッセンス素子においては、上記のような
課題を解決するため、ホール注入電極と電子注入電極と
の間に、少なくとも有機材料を用いた発光層が設けられ
てなり、上記の電子注入電極として、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕの少なくとも１つと、
Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｓｉの少なくとも１つの元素とを含むアモ
ルファス金属で構成すると共に、この電子注入電極にお
ける発光層側の面に仕事関数の低い金属層を設けたこと
を特徴する。In order to solve the above-mentioned problems, in the organic electroluminescence device according to the present invention, a light emitting layer made of at least an organic material is provided between the hole injecting electrode and the electron injecting electrode. The electron injection electrodes are provided as Ti, V, Cr,
At least one of Mn, Fe, Co, Ni, Cu,
Ammo containing at least one element of B, C, P and Si
It is characterized in that it is made of rufus metal and that a metal layer having a low work function is provided on the surface of the electron injection electrode on the side of the light emitting layer.
【００１３】そして、この発明における有機ＥＬ素子の
ように、電子注入電極をアモルファス金属で構成する
と、マグネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミ
ニウム合金を用いた従来の電子注入電極のように酸化さ
れて、その特性が低下するということが少なくなり、有
機ＥＬ素子の耐環境性や信頼性が向上すると共に、アモ
ルファス金属で構成されて電子注入電極によって発光層
等に使用されている有機材料の結晶化が抑制され、有機
ＥＬ素子における短絡等も少なくなり、長期にわたって
安定した発光が行なえようになる。When the electron injection electrode is made of an amorphous metal as in the organic EL device of the present invention, it is oxidized like a conventional electron injection electrode using a magnesium-indium alloy or a lithium-aluminum alloy, The characteristics are less likely to deteriorate, the environment resistance and reliability of the organic EL element are improved, and the crystallization of the organic material composed of an amorphous metal and used in the light emitting layer by the electron injection electrode is suppressed. As a result, short circuits and the like in the organic EL element are reduced, and stable light emission can be performed for a long period of time.
【００１４】また、この発明の有機ＥＬ素子において
は、上記のような電子注入電極における発光層側の面に
仕事関数の低い金属層を設けているため、この金属層を
通して電子が効率よく注入されるようになり、長期にわ
たって十分な輝度の発光が安定して行なえるようにな
る。Further, in the organic EL device of the present invention, since the metal layer having a low work function is provided on the surface of the electron injecting electrode on the side of the light emitting layer, electrons are efficiently injected through this metal layer. As a result, it becomes possible to stably emit light with sufficient brightness for a long period of time.
【００１５】ここで、この発明における有機ＥＬ素子に
おいて、電子注入電極を構成するアモルファス金属とし
ては、例えば、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素の少なくとも１つと、Ｂ，
Ｃ，Ｐ，Ｓｉの少なくとも１つの元素とを含むアモルフ
ァス金属等を用いることができ、具体的には、Ｆｅ80Ｂ
20，Ｆｅ78Ｂ13Ｓｉ9 ，Ｆｅ5 Ｃｏ70Ｓｉ15Ｂ10等のア
モルファス金属を用いることができる。Here, in the organic EL device according to the present invention,
As an amorphous metal forming the electron injection electrode,
For example, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, N
i, Cu, at least one of transition metal elements, B,
Amorph containing at least one element of C, P and Si
For example, Fe metal can be used, and specifically Fe80B
20, Fe78B13Si9 , FeFive Co70Si15BTenEtc.
Morphos metal can be used.
【００１６】また、この電子注入電極における発光層側
の面に設ける仕事関数の低い金属層を構成する材料とし
ては、例えば、従来より一般に電子注入電極に使用され
ているマグネシウム−インジウム合金やリチウム−アル
ミニウム合金等を用いることができる。As a material for the metal layer having a low work function provided on the surface of the electron injecting electrode on the side of the light emitting layer, for example, a magnesium-indium alloy or a lithium-metal which has been conventionally used for an electron injecting electrode has been used. Aluminum alloy or the like can be used.
【００１７】また、この発明における有機ＥＬ素子にお
いて、上記のように電子注入電極における発光層側の面
に仕事関数の低い金属層を設けるにあたり、この金属層
の膜厚が厚くなり過ぎると、電子注入電極によって発光
層等に使用されている有機材料の結晶化を十分に抑制す
ることができなくなるため、この金属層の膜厚を４０ｎ
ｍ以下にすることが好ましい。Further, in the organic EL device of the present invention, when the metal layer having a low work function is provided on the surface of the electron injection electrode on the side of the light emitting layer as described above, if the metal layer becomes too thick, Since the crystallization of the organic material used for the light emitting layer or the like cannot be sufficiently suppressed by the injection electrode, the film thickness of this metal layer is set to 40 n.
It is preferably m or less.
【００１８】なお、この発明における有機ＥＬ素子の素
子構造は、前記のＤＨ構造、ＳＨ−Ａ構造、ＳＨ−Ｂ構
造の何れの構造のものであってもよい。The element structure of the organic EL element according to the present invention may be any one of the above-mentioned DH structure, SH-A structure and SH-B structure.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、この発明の実施例に係る有機ＥＬ素子
を添付図面に基づいて具体的に説明すると共に、比較例
を挙げ、この発明の実施例における有機ＥＬ素子の場
合、長期にわたって十分な輝度の発光が行なえることを
明らかにする。なお、この発明における有機ＥＬ素子
は、下記の実施例に示したものに限定されるものではな
く、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実
施できるものである。EXAMPLES Hereinafter, the organic EL elements according to the examples of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings, and comparative examples will be given. In the case of the organic EL elements according to the examples of the present invention, they are sufficiently long-term. It is revealed that light emission with brightness can be performed. The organic EL device according to the present invention is not limited to the ones shown in the following examples, and can be implemented by appropriately changing it without departing from the scope of the invention.
【００２０】（実施例１）この実施例１の有機ＥＬ素子
においては、図１に示すように、１ｍｍのガラス基板１
１上に、前記のＩＴＯで構成されて膜厚が８０〜１００
ｎｍになったホール注入電極１２と、下記の化１に示す
トリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）で構成され
て膜厚が６０ｎｍになったホール輸送層１３と、下記の
化２に示すＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’
−ジアミン（ＴＰＤ）からなるホスト材料に下記の化３
に示すルブレンが５重量％ドープされて膜厚が４０ｎｍ
になった発光層１４と、下記の化４に示す１０−ベンゾ
［ｈ］キノリノール−ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ2 ）で
構成されて膜厚が４０〜５０ｎｍになった電子輸送層１
５と、マグネシウム−インジウム合金で構成されて膜厚
が１０ｎｍになった金属層１６ａと、Ｆｅ80Ｂ 20からな
るアモルファス金属で構成されて膜厚が２００ｎｍにな
った電子注入電極１６とが順々に形成されて前記のＤＨ
構造になっている。Example 1 The organic EL device of this Example 1
In FIG. 1, as shown in FIG.
1 is made of the above ITO and has a film thickness of 80-100.
The hole injection electrode 12 having a thickness of nm and the following chemical formula 1 are shown.
Composed of triphenylamine derivative (MTDATA)
And the hole transport layer 13 having a thickness of 60 nm
N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3
-Methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4 '
-The following chemical formula 3 was added to the host material composed of diamine (TPD).
Is doped with 5% by weight of rubrene and the film thickness is 40 nm.
And the 10-benzo shown in Chemical Formula 4 below.
[H] Quinolinol-beryllium complex (BeBq2 )so
Electron transport layer 1 configured to have a film thickness of 40 to 50 nm
5 and a film thickness composed of magnesium-indium alloy
With a metal layer 16a having a thickness of 10 nm and Fe80B 20Empty
It is made of amorphous metal and has a film thickness of 200 nm.
And the electron injection electrode 16 is sequentially formed to form the DH.
It is structured.
【００２１】[0021]
【化１】 [Chemical 1]
【００２２】[0022]
【化２】 [Chemical 2]
【００２３】[0023]
【化３】 [Chemical 3]
【００２４】[0024]
【化４】 [Chemical 4]
【００２５】ここで、この実施例１の有機ＥＬ素子を製
造する場合について具体的に説明する。Here, the case of manufacturing the organic EL device of Example 1 will be specifically described.
【００２６】先ず、ＩＴＯで構成されたホール注入電極
１２が表面に形成されたガラス基板１１を中性洗剤によ
り洗浄した後、これをアセトン中で２０分間、エタノー
ル中で２０分間それぞれ超音波洗浄し、さらに上記のガ
ラス基板１１を沸騰したエタノール中に約１分間入れて
取り出した後、このガラス基板１１をすぐに窒素ブロー
により乾燥させた。First, the glass substrate 11 on the surface of which the hole injecting electrode 12 made of ITO is formed is washed with a neutral detergent, and then ultrasonically washed in acetone for 20 minutes and in ethanol for 20 minutes. Then, the glass substrate 11 was put in boiling ethanol for about 1 minute and taken out, and then the glass substrate 11 was immediately dried by nitrogen blowing.
【００２７】次いで、このガラス基板１１を抵抗加熱さ
せながら、このガラス基板１１に形成されたホール注入
電極１２の上に、前記のＭＴＤＡＴＡを真空蒸着させて
ホール輸送層１３を形成し、またこのホール輸送層１３
の上に前記のＴＰＤとルブレンとを真空下で共蒸着させ
て発光層１４を形成し、さらにこの発光層１４の上に前
記のＢｅＢｑ2 を真空蒸着させて電子輸送層１５を形成
した後、この電子輸送層１５の上にマグネシウム−イン
ジウム合金を真空蒸着させて金属層１６ａを形成した。
そして、この金属層１６ａの上にスパッタリングにより
Ｆｅ80Ｂ20からなるアモルファス金属を被着させて電子
注入電極１６を形成した。Next, while the glass substrate 11 is being resistively heated, the above-mentioned MTDATA is vacuum-deposited on the hole injecting electrode 12 formed on the glass substrate 11 to form the hole transport layer 13, and this hole is also formed. Transport layer 13
After the above TPD and rubrene are co-evaporated under vacuum to form the light emitting layer 14, the above BeBq 2 is vacuum deposited on the light emitting layer 14 to form the electron transport layer 15, A magnesium-indium alloy was vacuum-deposited on the electron transport layer 15 to form a metal layer 16a.
Then, an amorphous metal made of Fe 80 B 20 was deposited on the metal layer 16a by sputtering to form the electron injection electrode 16.
【００２８】（実施例２）この実施例２の有機ＥＬ素子
においては、上記の実施例１における有機ＥＬ素子にお
いて、マグネシウム−インジウム合金で構成された金属
層１６ａの膜厚を７０ｎｍにし、それ以外については、
実施例１の場合と同様にして有機ＥＬ素子を得た。(Embodiment 2) In the organic EL element of this embodiment 2, the thickness of the metal layer 16a made of the magnesium-indium alloy is set to 70 nm in the organic EL element of the above-mentioned embodiment 1, and other than that. about,
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1.
【００２９】（比較例１）この比較例１の有機ＥＬ素子
においては、上記の実施例１の有機ＥＬ素子におけるＢ
ｅＢｑ2 で構成された電子輸送層１５の上に、図２に示
すように、マグネシウム−インジウム合金で構成されて
膜厚が２００ｎｍになった電子注入電極１６を設けるよ
うにし、マグネシウム−インジウム合金で構成された金
属層１６ａは設けないようにした。(Comparative Example 1) In the organic EL element of Comparative Example 1, B in the organic EL element of Example 1 described above was used.
As shown in FIG. 2, an electron injection electrode 16 made of a magnesium-indium alloy and having a film thickness of 200 nm is provided on the electron transport layer 15 made of eBq 2 , and the electron injection layer 16 is made of a magnesium-indium alloy. The configured metal layer 16a was not provided.
【００３０】そして、上記の実施例１，２及び比較例１
の各有機ＥＬ素子において、ホール注入電極１２をプラ
ス、電子注入電極１６をマイナスにして電圧を印加する
と、何れも電圧１４Ｖ，電流密度３００ｍＡ／ｃｍ2
で、最高輝度が８０００ｃｄ／ｍ2 になった高輝度なル
ブレンによる発光が得られた。Then, the above Examples 1 and 2 and Comparative Example 1
In each of the organic EL elements, when the voltage is applied with the hole injection electrode 12 being positive and the electron injection electrode 16 being negative, the voltage is 14 V and the current density is 300 mA / cm 2 in both cases.
At that time, high-luminance luminescence from rubrene having a maximum luminance of 8000 cd / m 2 was obtained.
【００３１】また、これらの各有機ＥＬ素子における初
期輝度が１０００ｃｄ／ｍ2 になるように発光させ、こ
れを３カ月連続発光させた後における各有機ＥＬ素子の
発光輝度を測定し、その結果を下記の表１に示した。Further, each of the organic EL elements was caused to emit light with an initial luminance of 1000 cd / m 2, and the emission luminance of each of the organic EL elements after being continuously emitted for 3 months was measured. The results are shown in Table 1 below.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】この結果、電子輸送層１５の上に、従来の
ようにマグネシウム−インジウム合金からなる電子注入
電極１６を設けた比較例１の有機ＥＬ素子に比べて、マ
グネシウム−インジウム合金で構成された金属層１６ａ
とＦｅ80Ｂ20からなるアモルファス金属で構成された電
子注入電極１６とを設けた実施例１，２の各有機ＥＬ素
子の方が３カ月連続発光させた後における輝度の低下が
少なくなっており、特に、上記の金属層１６ａの膜厚を
４０ｎｍ以下にした実施例１の有機ＥＬ素子において
は、電子輸送層１５等における有機材料の結晶化が抑制
されて、３カ月連続発光させた後における輝度の低下が
より少なくなっていた。As a result, as compared with the organic EL device of Comparative Example 1 in which the electron injection electrode 16 made of a magnesium-indium alloy is provided on the electron transport layer 15 as in the conventional case, the organic EL device is made of a magnesium-indium alloy. Metal layer 16a
Each of the organic EL elements of Examples 1 and 2 provided with the electron injecting electrode 16 composed of amorphous metal composed of Fe 80 B 20 has less decrease in luminance after continuous light emission for 3 months. In particular, in the organic EL element of Example 1 in which the film thickness of the metal layer 16a is 40 nm or less, crystallization of the organic material in the electron transport layer 15 and the like is suppressed, and light is emitted continuously for 3 months. The decrease in brightness was less.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上詳述したように、この発明における
有機ＥＬ素子においては、電子注入電極をアモルファス
金属で構成すると共に、この電子注入電極における発光
層側の面に仕事関数の低い金属層を設けているため、こ
の金属層を通して電子が効率よく注入されると共に、マ
グネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミニウム
合金を用いた従来の電子注入電極に比べて電子注入電極
が安定化して、電子注入電極の特性が低下するというこ
とが少なくなり、また発光層等に使用されている有機材
料の結晶化も抑制されるようになった。As described in detail above, in the organic EL device of the present invention, the electron injecting electrode is made of an amorphous metal, and a metal layer having a low work function is formed on the surface of the electron injecting electrode on the light emitting layer side. Since it is provided, electrons are efficiently injected through this metal layer, and the electron injection electrode is stabilized compared to the conventional electron injection electrode using a magnesium-indium alloy or a lithium-aluminum alloy, and The characteristics are less likely to deteriorate, and the crystallization of the organic material used for the light emitting layer and the like is also suppressed.
【００３５】この結果、この発明における有機ＥＬ素子
の場合、有機ＥＬ素子の耐環境性や信頼性が向上すると
共に、有機ＥＬ素子における短絡等の発生も少なくな
り、長期にわたって十分な輝度の発光が安定して行なえ
るようになった。As a result, in the case of the organic EL element according to the present invention, the environment resistance and reliability of the organic EL element are improved, the occurrence of short circuits and the like in the organic EL element are reduced, and light emission of sufficient brightness is achieved for a long period of time. It became possible to perform stably.
【図１】この発明の実施例１，２に示した有機ＥＬ素子
の構造を示した概略説明図である。FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a structure of an organic EL element shown in Examples 1 and 2 of the present invention.
【図２】比較例１の有機ＥＬ素子の構造を示した概略説
明図である。2 is a schematic explanatory view showing a structure of an organic EL device of Comparative Example 1. FIG.
１１ ガラス基板 １２ ホール注入電極 １３ ホール輸送層 １４ 発光層 １５ 電子輸送層 １６ 電子注入電極 １６ａ 金属層 11 glass substrate 12 hole injection electrode 13 Hall transport layer 14 Light-emitting layer 15 Electron transport layer 16 Electron injection electrode 16a metal layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28 B22F 1/00 - 8/00 C22C 33/02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H05B 33/00-33/28 B22F 1/00-8/00 C22C 33/02
Claims (2)
に、少なくとも有機材料を用いた発光層が設けられてな
る有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記の
電子注入電極として、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕの少なくとも１つと、Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｓｉ
の少なくとも１つの元素とを含むアモルファス金属で構
成すると共に、この電子注入電極における発光層側の面
に仕事関数の低い金属層を設けたことを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。1. An organic electroluminescence device comprising a light emitting layer made of at least an organic material between a hole injecting electrode and an electron injecting electrode.
As an electron injection electrode, Ti, V, Cr, Mn, Fe, C
at least one of o, Ni, Cu and B, C, P, Si
Amorphous metal containing at least one element of
While formed, the organic electroluminescent device characterized in that a lower metal layer having a work function on the surface of the light emitting layer side of the electron injecting electrode.
ミネッセンス素子において、上記の仕事関数の低い金属
層の膜厚を４０ｎｍ以下にしたことを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。2. The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the metal layer having a low work function has a film thickness of 40 nm or less.
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