JP3374620B2 - Semiconductor pressure sensor - Google Patents

Semiconductor pressure sensor

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JP3374620B2 JP27818295A JP27818295A JP3374620B2 JP 3374620 B2 JP3374620 B2 JP 3374620B2 JP 27818295 A JP27818295 A JP 27818295A JP 27818295 A JP27818295 A JP 27818295A JP 3374620 B2 JP3374620 B2 JP 3374620B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ピエゾ抵抗効果を
利用した半導体圧力センサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor pressure sensor utilizing the piezoresistive effect.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図１３の断面図に基づいて従来の半導体
圧力センサの一例について説明する。図で、１はシリコ
ン単結晶で構成された略平板状の圧力センサチップで、
圧力センサチップ１の裏面側には凹部１ａが形成され、
凹部１ａの上方には、印加された圧力を応力に変換する
ダイヤフラム部１ｂが形成されている。また、圧力セン
サチップ１には、拡散歪みゲージ（図示省略）が形成さ
れており、ピエゾ抵抗効果によりダイヤフラム部１ｂの
応力の変化を電気抵抗の変化に変換するように構成され
ている。2. Description of the Related Art An example of a conventional semiconductor pressure sensor will be described with reference to the sectional view of FIG. In the figure, 1 is a substantially flat plate-shaped pressure sensor chip made of silicon single crystal,
A recess 1a is formed on the back surface side of the pressure sensor chip 1,
A diaphragm portion 1b that converts the applied pressure into stress is formed above the concave portion 1a. A diffusion strain gauge (not shown) is formed on the pressure sensor chip 1, and is configured to convert a change in stress of the diaphragm portion 1b into a change in electrical resistance by the piezoresistive effect.

【０００３】２は高価なＰＰＳ（ポリフェニレンサルフ
ァイド樹脂）やＬＣＰ（芳香族液晶ポリエステル樹脂）
等のモールド樹脂で構成された、凹状のチップ収納部２
ａ内に圧力センサチップ１を実装するパッケージ（プリ
モールドパッケージ）で、チップ収納部２ａの底面に
は、その中空部分が外部の被測定圧力をセンサ内部に導
入するための圧力導入孔２ｂとなるパイプ部２ｃが形成
されている。圧力センサチップ１は、圧力導入孔２ｂ
の、封止樹脂パッケージ２の内部側の開口を塞ぐように
接着剤３によって封止樹脂パッケージ２に実装されてい
る。2 is expensive PPS (polyphenylene sulfide resin) or LCP (aromatic liquid crystal polyester resin)
Recessed chip housing 2 made of mold resin
In the package (pre-molded package) in which the pressure sensor chip 1 is mounted in a, the hollow portion on the bottom surface of the chip housing portion 2a serves as a pressure introduction hole 2b for introducing an external measured pressure into the sensor. A pipe portion 2c is formed. The pressure sensor chip 1 has a pressure introducing hole 2b.
Is mounted on the sealing resin package 2 with the adhesive 3 so as to close the opening on the inner side of the sealing resin package 2.

【０００４】また、封止樹脂パッケージ２は、外部接続
用端子４と一体に成形されており、複数の外部接続用端
子４の一端は、ボンディングワイヤ５によって圧力セン
サチップ１の表面に形成された電極パッド６とそれぞれ
接続されており、他端は封止樹脂パッケージ２の側面部
から外側に露出するよう構成されている。さらに、７は
圧力センサチップ１の表面を覆うシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン、８はチップ収納部２ａを密閉
する蓋である。封止樹脂パッケージ２の構成材料として
ＰＰＳやＬＣＰを用いるのは、ボンディングワイヤ５が
金ワイヤである場合、ワイヤボンディング時に 150〜 2
00℃に加熱するので耐熱性が必要なためである。The sealing resin package 2 is formed integrally with the external connection terminals 4, and one ends of the plurality of external connection terminals 4 are formed on the surface of the pressure sensor chip 1 by the bonding wires 5. It is connected to each of the electrode pads 6, and the other end is configured to be exposed from the side surface portion of the sealing resin package 2 to the outside. Further, 7 is a silicone junction coating resin that covers the surface of the pressure sensor chip 1, and 8 is a lid that seals the chip housing portion 2a. PPS or LCP is used as a constituent material of the encapsulating resin package 2 when the bonding wire 5 is a gold wire.
This is because heat is required because it is heated to 00 ° C.

【０００５】図１３に示すように構成することによっ
て、圧力センサチップ１に形成されたダイヤフラム部１
ｂの表面側に印加されるチップ収納部２ａ内の圧力と、
封止樹脂パッケージ２の外部から圧力導入孔２ｂを介し
てダイヤフラム部１ｂの裏面側に印加される圧力との差
圧に応じてダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、
その応力に応じたピエゾ抵抗の抵抗値を外部接続用端子
４から取り出すことができ圧力を測定することができ
る。The diaphragm portion 1 formed on the pressure sensor chip 1 is configured as shown in FIG.
the pressure in the chip storage portion 2a applied to the front surface side of b,
Since stress is generated in the diaphragm portion 1b according to the pressure difference from the pressure applied to the back surface side of the diaphragm portion 1b from the outside of the sealing resin package 2 through the pressure introduction hole 2b,
The resistance value of the piezoresistor according to the stress can be taken out from the external connection terminal 4, and the pressure can be measured.

【０００６】図１３に示す半導体圧力センサの製造方法
の一例について説明する。まず、リードフレーム等の形
態で供給される外部接続用端子４を同時成形した封止樹
脂パッケージ２のチップ収納部２ａに、圧力センサチッ
プ１を接着（ダイボンド）し、圧力センサチップ１に形
成された電極パッド６と外部接続用端子４をAuワイヤ等
のボンディングワイヤ５で電気的に接続する。その後、
圧力センサチップ１の表面保護のため、シリコーンジャ
ンクションコーティングレジン７で圧力センサチップ１
の表面を被覆し、封止樹脂パッケージ２のチップ収納部
２ａの開口に蓋８を接着する。An example of a method of manufacturing the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 13 will be described. First, the pressure sensor chip 1 is bonded (die-bonded) to the chip housing portion 2a of the encapsulating resin package 2 in which the external connection terminals 4 supplied in the form of a lead frame or the like are simultaneously molded, and the pressure sensor chip 1 is formed. The electrode pad 6 and the external connection terminal 4 are electrically connected by a bonding wire 5 such as an Au wire. afterwards,
In order to protect the surface of the pressure sensor chip 1, a silicone junction coating resin 7 is used.
And the lid 8 is adhered to the opening of the chip housing portion 2a of the sealing resin package 2.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】図１３に示した半導体
圧力センサでは、封止樹脂パッケージ２の内部に実装し
た圧力センサチップ１の機械的保護のため、蓋８を封止
樹脂パッケージ２に取付けなければならないため、その
分、部品コスト及び組み立てコストが高くなるという問
題点があった。In the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 13, the lid 8 is attached to the sealing resin package 2 for mechanical protection of the pressure sensor chip 1 mounted inside the sealing resin package 2. Therefore, there is a problem in that the component cost and the assembly cost increase accordingly.

【０００８】また、封止樹脂パッケージ２の内部に配置
された、圧力センサチップ１及び外部接続用端子４をボ
ンディングワイヤ５により接続する必要があるが、ボン
ディングワイヤ５としてAuワイヤを用いた場合、ワイヤ
ボンダーのツールであるキャピラリが移動する範囲を確
保するために、蓋８を取付けるチップ収納部２ａの開口
部分を大きくする必要があり封止樹脂パッケージ２の外
形寸法が大きくなるという問題点があった。Further, it is necessary to connect the pressure sensor chip 1 and the external connection terminal 4 arranged inside the sealing resin package 2 with the bonding wire 5. However, when the Au wire is used as the bonding wire 5, In order to secure a range in which the capillary, which is a tool of the wire bonder, can move, it is necessary to enlarge the opening portion of the chip storage portion 2a to which the lid 8 is attached, which causes a problem that the outer dimensions of the sealing resin package 2 increase. It was

【０００９】さらに、封止樹脂パッケージ２への外部接
続用端子４の接合強度を確保するため、外部接続用端子
４が貫通する、封止樹脂パッケージ２の側壁部分の幅を
大きくする必要があり、図１３に示すような、外部接続
用端子４と一体成形したパッケージ（プリモールドパッ
ケージ）では小型化を図ることが困難であった。Further, in order to secure the bonding strength of the external connection terminal 4 to the sealing resin package 2, it is necessary to increase the width of the side wall portion of the sealing resin package 2 through which the external connection terminal 4 penetrates. It was difficult to reduce the size of the package (pre-molded package) integrally formed with the external connection terminal 4 as shown in FIG.

【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、低コストで小型化が図れ
る半導体圧力センサの構造を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a structure of a semiconductor pressure sensor which can be downsized at low cost.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体圧
力センサは、裏面側に凹部が形成され、その凹部の上方
に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成された
圧力センサチップと、その圧力センサチップを実装する
リードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、シリ
コーンジャンクションコーティングレジンによって前記
ダイヤフラム部の表面が覆われ、前記圧力センサチップ
の前記凹部の空間に繋がる第１貫通孔が前記リードフレ
ームに形成され、前記第１貫通孔に繋がる第１圧力導入
孔が前記封止樹脂パッケージに形成されていると共に、
前記シリコーンジャンクションコーティングレジンが充
填された空間に繋がる第２貫通孔が前記リードフレーム
に形成され、前記第２貫通孔に繋がる第２圧力導入孔が
前記封止樹脂パッケージに形成されていることを特徴と
するものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor pressure sensor, wherein a recess is formed on the back surface side, and a diaphragm portion for converting pressure into stress is formed above the recess, and a pressure sensor chip is provided. a lead frame for mounting the pressure sensor chip, and a sealing resin package, Siri
By corn junction coating resin
The surface of the diaphragm part is covered, and the pressure sensor chip
The first through hole connected to the space of the recess of
First pressure introduction which is formed in the chamber and is connected to the first through hole.
A hole is formed in the sealing resin package,
The silicone junction coating resin is
The second through hole connected to the filled space is the lead frame.
And a second pressure introducing hole connected to the second through hole.
It is characterized in that it is formed in the sealing resin package .

【００１２】[0012]

【００１３】[0013]

【００１４】つまり、請求項１記載の半導体圧力センサ
は、リードフレーム上に実装した圧力センサチップを封
止樹脂にて封止したもので、リードフレームの圧力セン
サチップ実装位置に第１貫通孔を形成し、その第１貫通
孔に繋がる第１圧力導入孔を、封止樹脂パッケージに形
成して、第１貫通孔及び第１圧力導入孔を介して圧力セ
ンサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加
されるように構成すると共に、ダイヤフラム部の表面側
の面を保護するシリコーンジャンクションコーティング
レジンが充填された空間に繋がる第２貫通孔を、リード
フレームの圧力センサチップ実装位置の近傍に形成し、
その第２貫通孔に繋がる第２圧力導入孔を、封止樹脂パ
ッケージに形成して、第２圧力導入孔及び第２貫通孔及
びシリコーンジャンクションコーティングレジンを介し
て圧力センサチップのダイヤフラム部の表面側に別の圧
力が印加されるように構成したものである。[0014] That is, the semiconductor pressure sensor according to claim 1 is intended to seal the pressure sensor chip mounted on a lead frame in a sealing resin, the first through hole to the pressure sensor chip mounting position of the lead frame A first pressure introducing hole that is formed and connected to the first through hole is formed in the sealing resin package, and is formed on the back surface side of the diaphragm portion of the pressure sensor chip through the first through hole and the first pressure introducing hole. A second through hole is formed near the pressure sensor chip mounting position on the lead frame, which is configured to apply pressure and connects to the space filled with the silicone junction coating resin that protects the front surface of the diaphragm part. Then
A second pressure introducing hole connected to the second through hole is formed in the sealing resin package, and the second pressure introducing hole, the second through hole, and the surface of the diaphragm portion of the pressure sensor chip through the silicone junction coating resin. It is configured such that another pressure is applied to.

【００１５】[0015]

【００１６】[0016]

【００１７】請求項２記載の半導体圧力センサは、請求
項１において、前記第１圧力導入孔には第１パイプが配
置されて前記第１貫通孔に接続されており、前記第２圧
力導入孔には第２パイプが配置されて前記第２貫通孔に
接続されていることを特徴とするものである。The semiconductor pressure sensor according to the second aspect, wherein
In paragraph 1, a first pipe is installed in the first pressure introducing hole.
Is placed and connected to the first through hole, the second pressure
A second pipe is arranged in the force introducing hole and is inserted into the second through hole.
It is characterized by being connected .

【００１８】つまり、請求項２記載の半導体圧力センサ
は、リードフレームの圧力センサチップ実装位置に第１
貫通孔を形成し、その第１貫通孔に第１パイプを接続
し、ダイヤフラム部の表面側の面を保護するシリコーン
ジャンクションコーティングレジンが充填された空間に
繋がる第２貫通孔を、リードフレームの圧力センサチッ
プ実装位置の近傍に形成し、第１貫通孔を塞ぐように圧
力センサチップを実装し、全体を封止樹脂にて封止した
ものであり、第１貫通孔及び第１パイプを介して圧力セ
ンサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加
されると共に、第２貫通孔及び第２パイプを介して、圧
力センサチップのダイヤフラム部の表面側に別の圧力が
印加されるように構成したものである。That is, according to the semiconductor pressure sensor of the second aspect , the first position is provided at the pressure sensor chip mounting position of the lead frame.
The through hole is formed, the first pipe is connected to the first through hole, and the second through hole, which is connected to the space filled with the silicone junction coating resin that protects the surface side of the diaphragm part, is connected to the lead frame pressure. The pressure sensor chip is formed in the vicinity of the sensor chip mounting position, the pressure sensor chip is mounted so as to close the first through hole, and the whole is sealed with a sealing resin. Through the first through hole and the first pipe. A predetermined pressure is applied to the back surface side of the diaphragm portion of the pressure sensor chip, and another pressure is applied to the front surface side of the diaphragm portion of the pressure sensor chip via the second through hole and the second pipe. It was done.

【００１９】請求項３記載の半導体圧力センサは、請求
項２において、前記圧力センサチップは前記リードフレ
ームに支持された回路基板に対して他の部品とともに実
装され、前記回路基板に取り付けられ少なくとも前記圧
力センサチップを覆うよう蓋が設けられ、前記シリコー
ンジャンクションコーティングレジンは前記蓋の内部に
充填されており、前記回路基板には前記リードフレーム
の第１貫通孔と連通する基板側第１貫通孔が形成され
て、前記第１パイプを介して前記凹部の内部の空間が前
記封止樹脂パッケージの外側の空間に連通し、前記回路
基板には前記リードフレームの第２貫通孔に連通する基
板側第２貫通孔が形成されて、前記第２パイプを介し
て、前記シリコーンジャンクションコーティングレジン
が充填された空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空
間に連通するように構成されていることを特徴とするも
のである。The semiconductor pressure sensor according to claim 3, wherein the billing
In item 2, the pressure sensor chip is the lead frame.
The circuit board supported by the chassis together with other components.
Mounted on the circuit board and attached to the circuit board.
A lid is provided to cover the force sensor chip,
The junction coating resin is inside the lid.
The circuit board is filled with the lead frame
A substrate-side first through hole that communicates with the first through hole of
Through the first pipe, the space inside the recess is
The circuit connected to the outer space of the encapsulating resin package
The substrate has a base communicating with the second through hole of the lead frame.
The plate-side second through hole is formed, and the second pipe is inserted.
The silicone junction coating resin
The space filled with is the space outside the encapsulation resin package.
It is characterized in that it is configured to communicate with each other.

【００２０】つまり、請求項３記載の半導体圧力センサ
は、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、抵
抗等のチップ部品、ＩＣ等）を回路基板に実装し、少な
くとも圧力センサチップを蓋で覆って封止し、蓋の内部
にシリコーンジャンクションコーティングレジンを充填
し、圧力センサチップに形成した凹部に通じる基板側第
１貫通孔に第１パイプを接続すると共に、蓋によって密
閉される空間に通じる基板側第２貫通孔に第２パイプを
接続し、基板側第１貫通孔及び第１パイプを介して圧力
センサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印
加され、第２パイプ及び基板側第２貫通孔及びシリコー
ンジャンクションコーティングレジンを介してダイヤフ
ラム部の表面側に別の圧力が印加されるように構成した
ものである。That is, according to the semiconductor pressure sensor of the third aspect , the pressure sensor chip and other parts (capacitor, resistor)
Chip components such as resistance, IC, etc.) are mounted on the circuit board,
Cover the at least pressure sensor chip with a lid and seal
Filled with silicone junction coating resin
The board side leading to the recess formed in the pressure sensor chip.
1 Connect the first pipe to the through hole and close it with the lid.
The second pipe is installed in the second through hole on the substrate side that leads to the closed space.
Connect and apply pressure through the board-side first through hole and the first pipe.
Predetermined pressure is applied to the back side of the diaphragm part of the sensor chip.
The second pipe, the second through hole on the substrate side, and the silicon
Diaphragm through the junction coating resin
Another pressure is applied to the surface side of the ram portion .

【００２１】請求項４記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイアフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを支持して前記凹部の内部の
空間を密閉する台座と、その台座を支持するリードフレ
ームと、樹脂封止パッケージとを備え、前記ダイアフラ
ム部の表面が、シリコーンジャンクションコーティング
レジンによって覆われ、前記シリコーンジャンクション
コーティングレジン中に差し込まれたパイプを介して前
記封止樹脂パッケージの外側の空間に連通するように構
成されていることを特徴とするものである。According to another aspect of the semiconductor pressure sensor of the present invention, a concave portion is formed on the back surface side, and a diaphragm portion for converting pressure into stress is formed above the concave portion, and the pressure sensor chip is supported. And a lead frame supporting the pedestal, and a resin-sealed package, the surface of the diaphragm portion being covered with a silicone junction coating resin, and the silicone junction coating. It is characterized in that it is configured to communicate with a space outside the sealing resin package via a pipe inserted into the resin.

【００２２】つまり、請求項４記載の半導体圧力センサ
は、圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持
する台座間に、例えば、その内部圧力を略真空とした圧
力基準室を設け、台座をリードフレームに実装（ダイ付
け）し、圧力センサチップの表面及びその周辺のリード
フレーム上を、シリコーンジャンクションコーティング
レジンで覆い、そのシリコーンジャンクションコーティ
ングレジン中にパイプの一端を固定した後、封止樹脂で
全体を封止し、パイプ及びシリコーンジャンクションコ
ーティングレジンを介して、ダイヤフラム部の表面側に
被測定圧力が印加されるように構成したものである。That is, in the semiconductor pressure sensor according to the fourth aspect , for example, a pressure reference chamber whose internal pressure is substantially vacuum is provided between the pressure sensor chip and the pedestal supporting the pressure sensor chip, and the pedestal is lead. After mounting (die attachment) on the frame, cover the surface of the pressure sensor chip and the lead frame on the periphery with a silicone junction coating resin, fix one end of the pipe in the silicone junction coating resin, and then seal with a resin. Is sealed, and the pressure to be measured is applied to the surface side of the diaphragm portion via a pipe and a silicone junction coating resin.

【００２３】[0023]

【００２４】[0024]

【００２５】[0025]

【００２６】[0026]

【００２７】[0027]

【００２８】[0028]

【００２９】[0029]

【００３０】[0030]

【００３１】[0031]

【００３２】[0032]

【００３３】[0033]

【００３４】[0034]

【００３５】[0035]

【発明の実施の形態】以下、図１の断面図に基づいて本
発明の半導体圧力センサの参考例１について説明する。
図で、９はシリコン単結晶で構成された略平板状の圧力
センサチップで、圧力センサチップ９の裏面側には凹部
９ａが形成され、凹部９ａの上方には、印可された圧力
を応力に変換するダイアフラム部９ｂが形成されてい
る。また、圧力センサチップ９には、拡散歪みゲージ
（図示省略）が形成されており、ピエゾ抵抗効果により
ダイアフラム部９ｂに発生した応力を電気抵抗に変換す
るように構成されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A reference example 1 of a semiconductor pressure sensor of the present invention will be described below with reference to the sectional view of FIG.
In the figure, 9 is a substantially flat plate-shaped pressure sensor chip made of silicon single crystal, and a recess 9a is formed on the back surface side of the pressure sensor chip 9, and the applied pressure is applied above the recess 9a as a stress. A diaphragm portion 9b for conversion is formed. A diffusion strain gauge (not shown) is formed on the pressure sensor chip 9, and is configured to convert the stress generated in the diaphragm portion 9b due to the piezoresistive effect into electric resistance.

【００３６】１０は圧力センサチップ９を実装するリー
ドフレーム、１１は圧力センサチップ９及びリードフレ
ーム１０を封止する樹脂製のパッケージ（封止樹脂パッ
ケージ）である。１２はダイヤフラム部９ｂの表面を覆
う、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジンで、その一部が封止樹脂パッケ
ージ１１の外側に露出するように構成されている。シリ
コーンジャンクションコーティングレジンは、通常、応
力緩和、耐湿性向上のためのＩＣ等の表面コート材とし
て用いられているものである。図１に示す半導体圧力セ
ンサの場合、シリコーンジャンクションコーティングレ
ジンとしては、比較的柔らかい、ゴム状またはゲル状の
タイプのものを用いる。１３は、リードフレーム１０の
外部接続用端子１０ａと圧力センサチップ９の表面側に
形成された電極パッド１４を接続する、AuまたはAl等で
構成されたボンディングワイヤである。Reference numeral 10 is a lead frame on which the pressure sensor chip 9 is mounted, and 11 is a resin package (sealing resin package) for sealing the pressure sensor chip 9 and the lead frame 10. Reference numeral 12 is a silicone-junction coating resin such as a gel-like silicone resin that covers the surface of the diaphragm portion 9b, and a part of the resin is exposed to the outside of the sealing resin package 11. The silicone junction coating resin is usually used as a surface coating material for ICs and the like for stress relaxation and moisture resistance improvement. In the case of the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 1, as the silicone junction coating resin, a relatively soft, rubber-like or gel-like type is used. Reference numeral 13 is a bonding wire made of Au, Al or the like for connecting the external connection terminal 10a of the lead frame 10 and the electrode pad 14 formed on the front surface side of the pressure sensor chip 9.

【００３７】また、リードフレーム１０のダイ付け部１
０ｂの圧力センサチップ実装位置には、貫通孔１０ｃが
形成されており、圧力センサチップ９はこの貫通孔１０
ｃを塞ぐように、シリコーンまたはエポキシ等の接着剤
１５によってリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに
固定されている。さらに、封止樹脂パッケージ１１に
は、貫通孔１０ｃに繋がるように圧力導入孔１１ａが形
成されている。Further, the die attaching portion 1 of the lead frame 10
A through hole 10c is formed at the pressure sensor chip mounting position of 0b, and the pressure sensor chip 9 has the through hole 10c.
It is fixed to the die attaching portion 10b of the lead frame 10 by an adhesive 15 such as silicone or epoxy so as to close c. Further, the sealing resin package 11 is formed with a pressure introducing hole 11a so as to be connected to the through hole 10c.

【００３８】図１に示す圧力センサチップは、大気圧を
基準として圧力を測定するもので、図１に示すように構
成し、圧力導入孔１１ａに、チューブ等を接続してその
チューブ等を介して被測定圧力が半導体圧力センサの内
部に導入されるように構成すれば、シリコーンジャンク
ションコーティングレジン１２を介して圧力センサチッ
プ９のダイヤフラム部９ｂの表面側には、基準圧力であ
る大気圧が印加され、圧力導入孔１１ａに接続されたチ
ューブ及び封止樹脂パッケージ１１に形成された圧力導
入孔１１ａ及びリードフレーム１０に形成された貫通孔
１０ｃを介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定圧
力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧に応じて
ダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、その応力に
応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外部
接続用端子１０ａから取り出して圧力を測定することが
できる。The pressure sensor chip shown in FIG. 1 measures pressure with reference to atmospheric pressure. It is constructed as shown in FIG. 1, and a tube or the like is connected to the pressure introducing hole 11a and the tube or the like is interposed. If the measured pressure is introduced into the inside of the semiconductor pressure sensor, the atmospheric pressure, which is the reference pressure, is applied to the surface side of the diaphragm portion 9b of the pressure sensor chip 9 through the silicone junction coating resin 12. The pressure to be measured is applied to the back surface of the diaphragm portion 9b through the tube connected to the pressure introducing hole 11a, the pressure introducing hole 11a formed in the sealing resin package 11 and the through hole 10c formed in the lead frame 10. Since a stress is generated in the diaphragm portion 1b in accordance with the applied pressure and the pressure difference from the atmospheric pressure which is the reference pressure, the piezo resistance corresponding to the stress is generated. Remove the resistance from the external connection terminals 10a of the lead frame 10 can be measured pressure.

【００３９】図１に示す半導体圧力センサの製造方法に
ついて説明する。まず、圧力センサチップ９をリードフ
レーム１０のダイ付け部１０ｂに接着し、ボンディング
ワイヤ１３によってリードフレーム１０の外部接続端子
１０ａと圧力センサチップ９の電極パッド１４とを接続
する。次に、圧力センサチップ９の表面をシリコーンジ
ャンクションコーティングレジン１２（例えば、ゲル状
のシリコーン樹脂）で被覆する。[0039] For <br/> described manufacturing how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. First, the pressure sensor chip 9 is adhered to the die attaching portion 10b of the lead frame 10, and the bonding wire 13 connects the external connection terminal 10a of the lead frame 10 and the electrode pad 14 of the pressure sensor chip 9. Next, the surface of the pressure sensor chip 9 is covered with a silicone junction coating resin 12 (eg gel silicone resin).

【００４０】次に、圧力センサチップ９を実装したリー
ドフレーム１０をモールド封止用金型内にセットする。
ここで、金型の下型に、リードフレーム１０の貫通孔１
０ｃの径より少し大きい略円筒形のピンを設けておき、
そのピンの先端が、貫通孔１０ｃの裏面側の開口を塞ぐ
ようにピン位置を調整しておく。モールド封止時、モー
ルド封止に用いる封止樹脂（熱硬化性のエポキシ樹脂
等、一般に成形温度は170 〜190 ℃である）が、ピンと
リードフレーム１０との隙間に流れ込み、リードフレー
ム１０の貫通孔１０ｃを塞がないように注意する。この
ための工夫は色々あるが、例えば、モールド封止前に、
貫通孔１０ｃをプラスチックまたは金属等で構成された
薄い板または膜で塞いでおき、モールド封止後に、ドリ
ルによる穿孔、レーザ焼切り、薬品溶解等の方法によっ
て、薄い板または膜に開口を形成する方法がある。ま
た、予め、貫通孔１０ｃの裏面側開口の周囲に離型剤を
塗布しておき、モールド封止するようにしてもよいが、
その方法は特に限定されない。Next, the lead frame 10 on which the pressure sensor chip 9 is mounted is set in a mold sealing die.
Here, the through hole 1 of the lead frame 10 is provided in the lower mold of the mold.
Provide a substantially cylindrical pin that is slightly larger than the diameter of 0c,
The pin position is adjusted so that the tip of the pin closes the opening on the back surface side of the through hole 10c. At the time of mold sealing, the sealing resin used for the mold sealing (thermosetting epoxy resin or the like, the molding temperature is generally 170 to 190 ° C.) flows into the gap between the pin and the lead frame 10 and penetrates the lead frame 10. Be careful not to block the hole 10c. There are various ideas for this, for example, before molding the mold,
The through hole 10c is closed with a thin plate or film made of plastic, metal, or the like, and after the mold is sealed, an opening is formed in the thin plate or film by a method such as drilling with a drill, laser burning, or chemical dissolution. There is a way. Further, a mold release agent may be applied in advance around the rear surface side opening of the through hole 10c, and the mold sealing may be performed.
The method is not particularly limited.

【００４１】圧力センサチップ９の表面を被覆したシリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２は、モー
ルド封止した後、その一部が封止樹脂パッケージ１１の
外側に露出していなければならないが、例えば、これは
金型の上型に、シリコーンジャンクションコーティング
レジン１２に接する、または、シリコーンジャンクショ
ンコーティングレジン１２中にわずかに入り込むように
位置を調整したピンを設けておけばよい。これにより、
モールド封止後に、シリコーンジャンクションコーティ
ングレジン１２の一部が封止樹脂パッケージ１１の外側
に露出するようになる。The silicone junction coating resin 12 that covers the surface of the pressure sensor chip 9 must be partially exposed to the outside of the encapsulation resin package 11 after molding and encapsulation. It suffices to provide a pin on the top of the mold, which is in contact with the silicone junction coating resin 12 or whose position is adjusted so as to slightly enter the silicone junction coating resin 12. This allows
After the molding is sealed, a part of the silicone junction coating resin 12 is exposed to the outside of the sealing resin package 11.

【００４２】リードフレーム１０は、42アロイ、コバー
ル、銅系合金等の材料で構成され、ボンディングワイヤ
を接続するために、表面にAu，Agめっき等が施されてい
る。但し、リードフレーム１０の材料は特に限定される
ものではない。リードフレーム１０の外部接続用端子１
０ａの、封止樹脂パッケージ１１の外側に突出した部分
は、上方または下方方向に屈曲した形状、または、ガル
ウィング状やＪベンド状等の形状に加工され、プリント
配線基板上に形成した配線パターンと半田等により接続
される。The lead frame 10 is made of a material such as 42 alloy, Kovar, copper alloy or the like, and its surface is plated with Au or Ag for connecting a bonding wire. However, the material of the lead frame 10 is not particularly limited. External connection terminal 1 of the lead frame 10
The portion of 0a protruding to the outside of the sealing resin package 11 is processed into a shape bent upward or downward, or a shape such as a gull wing shape or a J bend shape, and a wiring pattern formed on the printed wiring board. It is connected by solder or the like.

【００４３】図２の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサの実施形態１について説明する。但し、図１に
示した構成と同等構成については同符号を付すこととし
詳細な説明を省略することとする。図に示す半導体圧力
センサの場合、リードフレーム１０のダイ付け部１０ｂ
には、樹脂封止パッケージ１１に形成された第１圧力導
入孔１１ａ及び第２圧力導入孔１１ｂにそれぞれ繋が
る、第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄが形成され
ており、圧力センサチップ９は、接着剤１５によって第
１貫通孔１０ｃの表面側開口を塞ぐようにリードフレー
ム１０のダイ付け部１０ｂに実装されている。[0043] The first embodiment of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described with reference to sectional views of FIG. However, the same components as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In the case of the semiconductor pressure sensor shown in the figure, the die attaching portion 10b of the lead frame 10
Has a first through hole 10c and a second through hole 10d, which are respectively connected to the first pressure introducing hole 11a and the second pressure introducing hole 11b formed in the resin-sealed package 11, and the pressure sensor chip 9 is formed. Is mounted on the die attaching portion 10b of the lead frame 10 so as to close the front surface side opening of the first through hole 10c with the adhesive 15.

【００４４】また、圧力センサチップ９の表面、及び、
第２貫通孔１０ｄの表面側開口を含む、圧力センサチッ
プ９周辺のダイ付け部１０ｂの表面が、ゲル状のシリコ
ーン樹脂等で構成されるシリコーンジャンクションコー
ティングレジン１２でグローブトップ状に覆われてお
り、第２貫通孔１０ｄの箇所でリードフレーム１０の裏
面側にシリコーンジャンクションコーティングレジン１
２が露出するように構成されている。The surface of the pressure sensor chip 9 and
The surface of the die attaching portion 10b around the pressure sensor chip 9 including the surface side opening of the second through hole 10d is covered with a silicone junction coating resin 12 made of a gel silicone resin or the like in a glove top shape. , The silicone junction coating resin 1 on the back surface side of the lead frame 10 at the second through hole 10d.
2 is exposed.

【００４５】図２に示すように構成し、第１圧力導入孔
１１ａに、チューブ等を接続してそのチューブによって
被測定圧力が半導体圧力センサ内に導入されるように構
成する。これにより、第２圧力導入孔１１ｂ及び第２貫
通孔１０ｄ及びシリコーンジャンクションコーティング
レジン１２を介して、圧力センサチップ９のダイアフラ
ム部９ｂの表面側には、基準圧力である大気圧が印加さ
れ、第１圧力導入孔１１ａに接続されたチューブ及び第
１貫通孔１０ｃを介してダイアフラム部９ｂの裏面側に
被測定圧力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧
に応じてダイアフラム部９ｂに応力が発生するので、そ
の応力に応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１
０の外部接続用端子１０ａから取り出すことができ圧力
を測定することができる。図２に示す半導体圧力センサ
の製造方法について説明する。圧力センサチップ９をリ
ードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに接着し、ボンデ
ィングワイヤ１３によってリードフレーム１０の外部接
続用端子１０ａと圧力センサチップ９の電極パッド１４
とを接続し、圧力センサチップ９の表面及びその周辺の
ダイ付け部１０ｂの表面を、シリコーンジャンクション
コーティングレジン１２でポッティングしグローブトッ
プ状に覆う。この場合、第２貫通孔１０ｄからシリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２がリードフレ
ーム１０の裏面側に流れ出さないよう注意する。この対
策としては、シリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２を、約 100〜 150℃、30分〜90分程度の条件で
熱硬化させる前に、予め、第２貫通孔１０ｄの裏面側開
口に、テフロンコーティング等を施したピン等を差し込
んでおき、シリコーンジャンクションコーティングレジ
ン１２の硬化後にそのピン等を取り外す方法、または、
第２貫通孔１０ｄを小さくして、シリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン１２の表面張力により、第２貫
通孔１０ｄからリードフレーム１０の裏面側にシリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２が流れ出さな
いように構成する方法等がある。As shown in FIG. 2, a tube or the like is connected to the first pressure introducing hole 11a, and the pressure to be measured is introduced into the semiconductor pressure sensor by the tube. As a result, the atmospheric pressure, which is the reference pressure, is applied to the front surface side of the diaphragm portion 9b of the pressure sensor chip 9 through the second pressure introducing hole 11b, the second through hole 10d, and the silicone junction coating resin 12. The pressure to be measured is applied to the back surface side of the diaphragm portion 9b through the tube connected to the first pressure introducing hole 11a and the first through hole 10c, and the diaphragm portion 9b is applied to the diaphragm portion 9b in accordance with the pressure difference from the atmospheric pressure which is the reference pressure. Since stress is generated, the resistance value of the piezoresistor according to the stress is determined by the lead frame 1
It can be taken out from the external connection terminal 10a of 0 and the pressure can be measured. For be described the production how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. The pressure sensor chip 9 is adhered to the die attachment part 10b of the lead frame 10, and the external connection terminal 10a of the lead frame 10 and the electrode pad 14 of the pressure sensor chip 9 are bonded by the bonding wire 13.
The surface of the pressure sensor chip 9 and the surface of the die-attached portion 10b around the pressure sensor chip 9 are potted with the silicone junction coating resin 12 and covered in a glove top shape. In this case, be careful so that the silicone junction coating resin 12 does not flow out to the back surface side of the lead frame 10 from the second through hole 10d. As a countermeasure against this, before the silicone junction coating resin 12 is thermally cured under the condition of about 100 to 150 ° C. for about 30 to 90 minutes, a Teflon coating or the like is previously formed on the back side opening of the second through hole 10d. Insert the applied pin etc. and remove the pin etc. after curing the silicone junction coating resin 12, or
There is a method in which the second through hole 10d is made small so that the silicone junction coating resin 12 does not flow out from the second through hole 10d to the back surface side of the lead frame 10 due to the surface tension of the silicone junction coating resin 12. .

【００４６】次に、圧力センサチップ９を実装したリー
ドフレーム１０をモールド封止用金型内にセットし、エ
ポキシ樹脂等でモールド封止（トランスファ成形）す
る。ここで、金型の下型に、リードフレーム１０の第１
貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄのそれぞれの径より
少し大きい略円筒形のピンをそれぞれ設けておき、それ
らのピンの先端が、第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１
０ｄの裏面側の開口を塞ぐようにピン位置を調整してモ
ールド封止する。Next, the lead frame 10 on which the pressure sensor chip 9 is mounted is set in a mold-sealing die and mold-molded (transfer molding) with epoxy resin or the like. Here, the first of the lead frame 10 is placed on the lower die of the die.
A substantially cylindrical pin having a diameter slightly larger than the diameter of each of the through hole 10c and the second through hole 10d is provided, and the tip of each pin has the first through hole 10c and the second through hole 1c.
The pin position is adjusted so as to close the opening on the back surface side of 0d, and mold sealing is performed.

【００４７】図３の断面図に基づいて本発明の参考例２
について説明する。図３に示す半導体圧力センサは、図
１に示した半導体圧力センサに対して、予め、リードフ
レーム１０の圧力センサチップ９の実装位置に形成した
貫通孔１０ｃに、一端が封止樹脂パッケージ１１の外側
に露出する金属製のパイプ１６を接続してモールド封止
した点が異なるものである。パイプ１６をリードフレー
ム１０に接続するには、パイプ１６をかしめる、溶接す
る、高温半田（融点が約 220℃）により半田付けする、
エポキシ系接着剤で接着する等の方法があるが特に限定
されるものではない。 Reference Example 2 of the present invention based on the sectional view of FIG.
Will be described. The semiconductor pressure sensor shown in FIG. 3 is different from the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 1 in that a through hole 10c formed in advance in the mounting position of the pressure sensor chip 9 of the lead frame 10 has one end of the sealing resin package 11. The difference is that a metal pipe 16 exposed to the outside is connected and mold-sealed. To connect the pipe 16 to the lead frame 10, the pipe 16 is caulked, welded, and soldered with high temperature solder (melting point is about 220 ° C.).
There is a method such as bonding with an epoxy adhesive, but the method is not particularly limited.

【００４８】図３に示す半導体圧力センサの製造方法に
ついて説明する。まず、圧力センサチップ９をリードフ
レーム１０のダイ付け部１０ｂにダイボンドし、圧力セ
ンサチップ９に形成された電極パッド１４とリードフレ
ーム１０の外部接続用端子１０ａをボンディングワイヤ
１３により接続する。その後、圧力センサチップ９の表
面をゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン１２で被覆してトランスファー
モールド成形を行う。この場合、パイプ１６の先端部分
と、シリコーンジャンクションコーティングレジン１２
の一部が、封止樹脂パッケージ１１の外側に露出するよ
うに構成する。図３に示すように構成し、パイプ１６に
チューブ等を接続し、空気または液体等を媒体として、
チューブ及びパイプ１６を介して被測定圧力をダイアフ
ラム部９ｂの裏面側に印加することによって、シリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２を介してダイ
アフラム部９ｂの表面側に印加される大気圧を基準圧力
とした圧力測定が可能となる。[0048] For <br/> described manufacturing how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. First, the pressure sensor chip 9 is die-bonded to the die attaching portion 10 b of the lead frame 10, and the electrode pad 14 formed on the pressure sensor chip 9 and the external connection terminal 10 a of the lead frame 10 are connected by the bonding wire 13. Then, the surface of the pressure sensor chip 9 is covered with a silicone junction coating resin 12 such as a gel silicone resin, and transfer molding is performed. In this case, the tip of the pipe 16 and the silicone junction coating resin 12
Is partially exposed to the outside of the sealing resin package 11. As shown in FIG. 3, a tube or the like is connected to the pipe 16 and air or liquid is used as a medium,
By applying a pressure to be measured to the back surface side of the diaphragm portion 9b via the tube and the pipe 16, pressure measurement using the atmospheric pressure applied to the front surface side of the diaphragm portion 9b via the silicone junction coating resin 12 as a reference pressure. Is possible.

【００４９】図４の断面図に基づいて本発明の実施形態
２について説明する。図に示す半導体圧力センサは、図
２に示した半導体圧力センサに対して、予め、リードフ
レーム１０に形成した、第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通
孔１０ｄに、それぞれ、一端が封止樹脂パッケージ１１
の外側に露出する金属製の、第１パイプ１７及び第２パ
イプ１８を接続してモールド封止した点が異なるもので
ある。第１パイプ１７及び第２パイプ１８をリードフレ
ーム１０に接続するには、第１パイプ１７及び第２パイ
プ１８をかしめる、溶接する、高温半田（融点が約 220
℃）により半田付けする、エポキシ系接着剤で接着する
等の方法があるが特に限定されるものではない。An embodiment of the present invention based on the sectional view of FIG.
2 will be described. The semiconductor pressure sensor shown in the figure is different from the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 2 in that the first through hole 10c and the second through hole 10d formed in the lead frame 10 in advance each have a sealing resin package at one end. 11
The difference is that the first pipe 17 and the second pipe 18 made of metal, which are exposed to the outside of, are connected and mold-sealed. In order to connect the first pipe 17 and the second pipe 18 to the lead frame 10, the first pipe 17 and the second pipe 18 are crimped, welded, and high temperature solder (melting point is about 220).
There is a method such as soldering at (° C.) or bonding with an epoxy adhesive, but the method is not particularly limited.

【００５０】図４に示す半導体圧力センサの製造方法に
ついて説明する。まず、リードフレーム１０に形成した
第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄに、それぞれ、
第１パイプ１７及び第２パイプ１８を接続して、リード
フレーム１０の裏面側に第１パイプ１７及び第２パイプ
１８が突出するように構成する。次に、第１貫通孔１０
ｃの表面側開口を塞ぐように、圧力センサチップ９をリ
ードフレーム１０のダイ付け部１０ｂにダイボンドし、
圧力センサチップ９に形成された電極パッド１４と外部
接続用端子１０ａをボンディングワイヤ１３により接続
する。その後、圧力センサチップ９の表面、及び、その
周辺のダイ付け部１０ｂの表面（第２貫通孔１０ｄの表
面側開口を含む）を、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２で被覆し
てトランスファーモールド成形を行う。この場合、シリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２が、第２
パイプ１８から封止樹脂パッケージ１１の外側に流れ出
さないように、封止樹脂パッケージ１１の外側に露出す
る第２パイプ１８の開口を塞いだ状態でモールド封止す
る。[0050] For <br/> described manufacturing how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. First, in the first through hole 10c and the second through hole 10d formed in the lead frame 10, respectively,
The first pipe 17 and the second pipe 18 are connected to each other so that the first pipe 17 and the second pipe 18 project to the back surface side of the lead frame 10. Next, the first through hole 10
The pressure sensor chip 9 is die-bonded to the die attaching portion 10b of the lead frame 10 so as to close the front surface side opening of c.
The electrode pad 14 formed on the pressure sensor chip 9 and the external connection terminal 10 a are connected by the bonding wire 13. After that, the surface of the pressure sensor chip 9 and the surface of the die attaching portion 10b around the pressure sensor chip 9 (including the surface side opening of the second through hole 10d) are covered with a silicone junction coating resin 12 such as a gel silicone resin. Transfer molding. In this case, the silicone junction coating resin 12
The opening of the second pipe 18 exposed to the outside of the sealing resin package 11 is closed in a mold so as not to flow out of the pipe 18 to the outside of the sealing resin package 11.

【００５１】図５の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサの参考例３について説明する。図に示す半導体
圧力センサは、略真空の圧力基準室を形成した絶対圧型
の半導体圧力センサである。図で、１９は圧力センサチ
ップ９を実装するガラス等（例えば、パイレックスガラ
ス＃７７４０（コーニング（株）製））で構成された略
平板状の台座で、略真空下で、陽極接合によって圧力セ
ンサチップ９の凹部９ａを塞ぐように圧力センサチップ
９と接合されている。これにより、凹部９ａは略真空の
圧力基準室となっている。また、圧力センサチップ９を
実装した台座１９がリードフレーム１０のダイ付け部１
０ｂに接着剤１５によって固定されている。さらに、圧
力センサチップ９の表面を覆うシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジン１２の一部が封止樹脂パッケージ
１１の外側に露出するように構成されている。図５に示
すように構成し、シリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２を介して圧力センサチップ９のダイアフラ
ム部９ｂの表面側に被測定圧力を印加することによって
絶対圧力を測定することが可能となる。A reference example 3 of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described with reference to the sectional view of FIG. The semiconductor pressure sensor shown in the figure is an absolute pressure type semiconductor pressure sensor in which a substantially vacuum pressure reference chamber is formed. In the figure, 19 is a substantially flat plate-shaped pedestal made of glass or the like (for example, Pyrex glass # 7740 (manufactured by Corning Corp.)) on which the pressure sensor chip 9 is mounted. The pressure sensor is formed by anodic bonding under substantially vacuum. It is bonded to the pressure sensor chip 9 so as to close the recess 9a of the chip 9. As a result, the recess 9a serves as a substantially vacuum pressure reference chamber. In addition, the pedestal 19 on which the pressure sensor chip 9 is mounted is the die attachment part 1 of the lead frame 10.
0b is fixed by an adhesive 15. Further, a part of the silicone junction coating resin 12 that covers the surface of the pressure sensor chip 9 is configured to be exposed to the outside of the sealing resin package 11. With the configuration shown in FIG. 5, the absolute pressure can be measured by applying the measured pressure to the surface side of the diaphragm portion 9b of the pressure sensor chip 9 via the silicone junction coating resin 12.

【００５２】図５に示す半導体圧力センサの製造方法に
ついて説明する。まず、略真空下で、陽極接合によって
圧力センサチップ９の凹部９ａを塞ぐように台座１９を
圧力センサチップ９に接合する。次に、圧力センサチッ
プ９を実装した台座１９をリードフレーム１０のダイ付
け部１０ｂに接着剤１５により接着する。次に、ボンデ
ィングワイヤ１３によって圧力センサチップ９に形成さ
れた電極パッド１４とリードフレーム１０の外部接続用
端子１０ａを接続した後、圧力センサチップ９の表面を
シリコーンジャンクションコーティングレジン１２によ
って覆う。最後に、トランスファーモールド成形を行い
全体を封止する。この時、圧力センサチップ９を被覆し
たシリコーンジャンクションコーティングレジン１２の
一部が、封止樹脂パッケージ１０の外側に露出するよう
に構成する。[0052] For <br/> described manufacturing how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. First, the pedestal 19 is bonded to the pressure sensor chip 9 by anodic bonding so as to close the recess 9a of the pressure sensor chip 9 under substantially vacuum. Next, the pedestal 19 on which the pressure sensor chip 9 is mounted is adhered to the die attaching portion 10b of the lead frame 10 with the adhesive 15. Next, after connecting the electrode pad 14 formed on the pressure sensor chip 9 with the bonding wire 13 to the external connection terminal 10 a of the lead frame 10, the surface of the pressure sensor chip 9 is covered with the silicone junction coating resin 12. Finally, transfer molding is performed and the whole is sealed. At this time, a part of the silicone junction coating resin 12 covering the pressure sensor chip 9 is exposed outside the sealing resin package 10.

【００５３】図６の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサの実施形態３について説明する。図に示す半導
体圧力センサは、図５に示した半導体圧力センサに対し
て、パイプ２０及びシリコーンジャンクションコーティ
ングレジン１２を介して圧力センサチップ９に被測定圧
力が伝達されるように構成したものである。シリコーン
ジャンクションコーティングレジン１２は、圧力センサ
チップ９の表面、及び、その周辺のダイ付け部１０ｂの
表面を覆うように塗布されており、パイプ２０の一端が
シリコーンジャンクションコーティングレジン１２中に
差し込まれた構成となっている。パイプ２０の他端は、
封止樹脂パッケージ１１の外側に露出した構成となって
いる。このように構成し、チューブ等をパイプ２０に接
続して被測定圧力をパイプ２０の内部に印加することに
よって、シリコーンジャンクションコーティングレジン
１２を介して被測定圧力がダイアフラム部９ｂの表面側
に印加されるので絶対圧力を測定することができる。A third embodiment of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described based on the sectional view of FIG. The semiconductor pressure sensor shown in the figure is different from the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 5 in that the measured pressure is transmitted to the pressure sensor chip 9 through the pipe 20 and the silicone junction coating resin 12. . The silicone junction coating resin 12 is applied so as to cover the surface of the pressure sensor chip 9 and the surface of the die attaching portion 10b around the pressure sensor chip 9, and one end of the pipe 20 is inserted into the silicone junction coating resin 12. Has become. The other end of the pipe 20
The structure is exposed outside the sealing resin package 11. With such a configuration, by connecting a tube or the like to the pipe 20 and applying the measured pressure to the inside of the pipe 20, the measured pressure is applied to the surface side of the diaphragm portion 9b via the silicone junction coating resin 12. Therefore, absolute pressure can be measured.

【００５４】図６に示した半導体圧力センサの製造方法
について説明する。まず、略真空下で、陽極接合によっ
て圧力センサチップ９の凹部９ａを塞ぐように台座１９
を圧力センサチップ９に接合する。次に、圧力センサチ
ップ９を実装した台座１９をリードフレーム１０のダイ
付け部１０ｂに接着剤１５により接着する。次に、ボン
ディングワイヤ１３によって圧力センサチップ９に形成
された電極パッド１４とリードフレーム１０の外部接続
用端子１０ａを接続した後、圧力センサチップ９の表
面、及び、その周辺のダイ付け部１０ｂの表面をシリコ
ーンジャンクションコーティングレジン１２によって覆
う。次に、シリコーンジャンクションコーティングレジ
ン１２中にパイプ２０を差し込み、インサート成形す
る。この時、パイプ２０の先端部分が封止樹脂パッケー
ジ１１の外側に露出するように構成する。このように構
成し、チューブ等をパイプ２０に接続して被測定圧力を
パイプ２０の内部に印加することによって、シリコーン
ジャンクションコーティングレジン１２を介して被測定
圧力がダイアフラム部９ｂの表面側に印加されるので絶
対圧力を測定することができる。[0054] Production how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 6
Attached to be described. First, under substantially vacuum, the pedestal 19 is formed so as to close the recess 9a of the pressure sensor chip 9 by anodic bonding.
Is bonded to the pressure sensor chip 9. Next, the pedestal 19 on which the pressure sensor chip 9 is mounted is adhered to the die attaching portion 10b of the lead frame 10 with the adhesive 15. Next, after connecting the electrode pad 14 formed on the pressure sensor chip 9 with the bonding wire 13 to the external connection terminal 10a of the lead frame 10, the surface of the pressure sensor chip 9 and the die attaching portion 10b around it are connected. The surface is covered with a silicone junction coating resin 12. Next, the pipe 20 is inserted into the silicone junction coating resin 12 and insert molding is performed. At this time, the tip portion of the pipe 20 is exposed to the outside of the sealing resin package 11. With such a configuration, by connecting a tube or the like to the pipe 20 and applying the measured pressure to the inside of the pipe 20, the measured pressure is applied to the surface side of the diaphragm portion 9b via the silicone junction coating resin 12. Therefore, absolute pressure can be measured.

【００５５】図７の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサの参考例４について説明する。図に示す半導体
圧力センサは、図５に示した半導体圧力センサに対し
て、台座１９を介さずに、圧力センサチップ９を直接リ
ードフレーム１０のダイ付け部長１０ｂに実装したもの
であるため、構造の詳細な詳細な説明を省略し製造方法
について説明することとする。A reference example 4 of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described with reference to the sectional view of FIG. The semiconductor pressure sensor shown in the figure is different from the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 5 in that the pressure sensor chip 9 is directly mounted on the die attachment portion length 10b of the lead frame 10 without using the pedestal 19. detailed detailed description is omitted manufacture how of
And it will be explained to.

【００５６】まず、圧力センサチップ９を、略真空下
で、リードフレーム１０のダイ付け部１０ｂの表面に直
接陽極接合により接合する。これにより、凹部９ａが密
閉されて圧力センサチップ９とリードフレーム１０間に
略真空の圧力基準室が形成される。リードフレーム１０
の材料は、圧力センサチップ９の材料（シリコン）の熱
膨張係数に近いコバール等を用いる。その後、ボンディ
ングワイヤ１３により圧力センサチップ９の表面に形成
した電極パッド１４とリードフレーム１０の外部接続用
端子１０ａを接続し、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２で圧力セ
ンサチップ９の表面を被覆し、トランスファーモールド
成形を行う。ここで、圧力センサチップ９の表面を被覆
したシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
の一部が、封止樹脂パッケージ１１の外側に露出するよ
うに成形する。First, the pressure sensor chip 9 is directly bonded to the surface of the die attaching portion 10b of the lead frame 10 by anodic bonding under substantially vacuum. As a result, the recess 9a is sealed and a substantially vacuum pressure reference chamber is formed between the pressure sensor chip 9 and the lead frame 10. Lead frame 10
As the material, Kovar or the like having a thermal expansion coefficient close to that of the material (silicon) of the pressure sensor chip 9 is used. After that, the electrode pad 14 formed on the surface of the pressure sensor chip 9 is connected to the external connection terminal 10a of the lead frame 10 by the bonding wire 13, and the pressure sensor chip 9 is bonded with the silicone junction coating resin 12 such as gel silicone resin. The surface is covered and transfer molding is performed. Here, the silicone junction coating resin 12 covering the surface of the pressure sensor chip 9 is used.
Is molded so that a part of it is exposed to the outside of the sealing resin package 11.

【００５７】図８の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサの参考例５について説明する。図に示す半導体
圧力センサは、図１に示した半導体圧力センサに対し
て、封止樹脂パッケージ１１に形成した圧力導入孔１１
ａの代わりにパイプ２１を用いて圧力センサチップ９の
ダイアフラム部９ｂの裏面側に所定の圧力が印加される
ように構成したものであり、貫通孔１０ｃの裏面側開口
の周囲のダイ付け部１０ｂの部分が封止樹脂パッケージ
１１の外側に露出しており、その露出したダイ付け部１
０ｂにパイプ２１が接合されている。パイプ２１は、リ
ードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに形成された貫通
孔１０ｃを介して、圧力センサチップ９の凹部９ａの空
間に接続されている。A fifth embodiment of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described with reference to the sectional view of FIG. The semiconductor pressure sensor shown in the figure is different from the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 1 in that a pressure introduction hole 11 formed in a sealing resin package 11 is provided.
A pipe 21 is used instead of a so that a predetermined pressure is applied to the back surface side of the diaphragm portion 9b of the pressure sensor chip 9, and the die attaching portion 10b around the back surface side opening of the through hole 10c. Is exposed to the outside of the sealing resin package 11, and the exposed die attachment part 1
The pipe 21 is joined to 0b. The pipe 21 is connected to the space of the recess 9a of the pressure sensor chip 9 through the through hole 10c formed in the die attaching portion 10b of the lead frame 10.

【００５８】次に、製造方法について説明する。まず、
リードフレーム１０の圧力センサチップ９実装位置に形
成した貫通孔１０ｃの表面側開口を塞ぐように、圧力セ
ンサチップ９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂ
に接着した後、ワイヤボンディングを行い、圧力センサ
チップ９の表面をシリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２で覆い、貫通孔１０ｃの裏面側開口及びそ
の周囲のダイ付け部１０ｂが封止樹脂パッケージ１１の
外側に露出するように成形する。成形後、パイプ２１を
リードフレーム９の貫通孔１０ｃの裏面側開口の位置に
合わせて半田またはガラス等でダイ付け部１０ｂに接合
する。パイプ２１は金属製で、リードフレーム１０のダ
イ付け部１０ｂと金属的に接合できるので、その接合部
分が堅固であり、接着剤とは異なり、腐食性ガス（プロ
パン、ブタン等）の圧力を測定する場合でも、パイプ２
１とダイ付け部１０ｂの接合部分が腐食され、強度劣化
による破損が起こることがない。また、パイプ２１をモ
ールド封止後に接合すれば良いので、圧力センサチップ
９のリードフレーム１０へのダイボンド工程、ワイヤボ
ンド工程及びシリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２の被覆工程が容易に行え、設備等を改良せず
に、従来のリードフレームの搬送設備を用いて製造する
ことができる。Next, a description will be given to the production how. First,
The pressure sensor chip 9 is attached to the die attachment part 10b of the lead frame 10 so as to close the front surface side opening of the through hole 10c formed at the mounting position of the pressure sensor chip 9 of the lead frame 10.
Then, wire bonding is performed, the surface of the pressure sensor chip 9 is covered with the silicone junction coating resin 12, and the back side opening of the through hole 10c and the die attaching portion 10b around it are exposed to the outside of the sealing resin package 11. To be molded. After the molding, the pipe 21 is joined to the die attaching portion 10b with solder, glass or the like in alignment with the position of the rear surface side opening of the through hole 10c of the lead frame 9. Since the pipe 21 is made of metal and can be metallically joined to the die-attached portion 10b of the lead frame 10, the joined portion is firm and unlike adhesives, measures the pressure of corrosive gas (propane, butane, etc.). Even if you do pipe 2
The joint portion between 1 and the die attaching portion 10b is not corroded, and the damage due to deterioration in strength does not occur. Further, since it is sufficient to join the pipe 21 after molding and sealing, the die bonding step of the pressure sensor chip 9 to the lead frame 10, the wire bonding step, and the coating step of the silicone junction coating resin 12 can be easily performed, and the equipment etc. can be improved. Instead, it can be manufactured using conventional lead frame transport equipment.

【００５９】図８に示すように構成し、パイプ２１に、
チューブ等（図示省略）を接続してそのチューブ及びパ
イプ２１によって被測定圧力が半導体圧力センサ内に導
入されるように構成すれば、シリコーンジャンクション
コーティングレジン１２を介して圧力センサチップ９の
ダイヤフラム部９ｂの表面側には、基準圧力である大気
圧が印加され、パイプ２１に接続されたチューブ及びパ
イプ２１を介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定
圧力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧に応じ
てダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、その応力
に応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外
部接続用端子１０ａから取り出すことができ圧力を測定
することができる。The pipe 21 is constructed as shown in FIG.
If a tube or the like (not shown) is connected and the pressure to be measured is introduced into the semiconductor pressure sensor by the tube and the pipe 21, the diaphragm portion 9b of the pressure sensor chip 9 via the silicone junction coating resin 12. The atmospheric pressure, which is the reference pressure, is applied to the front surface side of the, and the measured pressure is applied to the back surface side of the diaphragm portion 9b through the tube connected to the pipe 21 and the pipe 21, and the atmospheric pressure which is the reference pressure Since a stress is generated in the diaphragm portion 1b according to the pressure difference, the resistance value of the piezoresistor corresponding to the stress can be taken out from the external connection terminal 10a of the lead frame 10 and the pressure can be measured.

【００６０】図９の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサの参考例６について説明する。図で、２２は回
路基板で、その表面には、圧力センサチップ９と、コン
デンサ、抵抗等のチップ部品２３、及び、オペアンプ等
のＩＣ２４が実装されている。回路基板２２は、樹脂
（エポキシ、フェノール、ポリイミドその他）、また
は、セラミック（アルミナ、窒化アルミその他）で構成
されており、リードフレーム１０に接着剤１５により接
着されている。この回路基板２２は、片面基板に限定さ
れず、両面基板、または、多層基板で構成してもよい。
回路基板２２の圧力センサチップ９の実装位置には、基
板側貫通孔２２ａが形成されており、圧力センサチップ
９は、この基板側貫通孔２２ａの表面側開口を塞ぐよう
に回路基板２２に接着されている。圧力センサチップ９
に形成された電極パッド１４はボンディングワイヤ１３
によって回路基板２２の表面に形成された電極パッド
（図示省略）と接続されており、圧力センサチップ９の
表面はシリコーンジャンクションコーティングレジン１
２によって覆われている。A sixth embodiment of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described with reference to the sectional view of FIG. In the figure, 22 is a circuit board, on the surface of which a pressure sensor chip 9, a chip component 23 such as a capacitor and a resistor, and an IC 24 such as an operational amplifier are mounted. The circuit board 22 is made of resin (epoxy, phenol, polyimide, etc.) or ceramic (alumina, aluminum nitride, etc.), and is bonded to the lead frame 10 with an adhesive 15. The circuit board 22 is not limited to a single-sided board, and may be a double-sided board or a multilayer board.
A board-side through hole 22a is formed at the mounting position of the pressure sensor chip 9 on the circuit board 22, and the pressure sensor chip 9 is bonded to the circuit board 22 so as to close the front surface side opening of the board-side through hole 22a. Has been done. Pressure sensor chip 9
The electrode pad 14 formed on the
Is connected to an electrode pad (not shown) formed on the surface of the circuit board 22, and the surface of the pressure sensor chip 9 is a silicone junction coating resin 1.
Covered by two.

【００６１】また、リードフレーム１１にも、基板側貫
通孔２２ａに繋がる貫通孔１０ｃが形成されており、貫
通孔１０ｃの裏面側開口にはパイプ２５が接続されてい
る。さらに、シリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２の一部、及び、パイプ２５の一端が、封止樹脂
パッケージ１１の外側に露出するようにモールド封止さ
れている。Further, the lead frame 11 also has a through hole 10c connected to the substrate side through hole 22a, and a pipe 25 is connected to the rear surface side opening of the through hole 10c. Further, a part of the silicone junction coating resin 12 and one end of the pipe 25 are molded and sealed so as to be exposed to the outside of the sealing resin package 11.

【００６２】回路基板２２とリードフレーム１１との電
気的接続は、エポキシ、シリコーン樹脂等を主材とした
導電性接着剤、または、高融点半田（例えば、融点が 2
20℃程度の、モールド封止温度より融点が高い半田、Sn
-3.5%Ag 半田等）、または、ボンディングワイヤを介し
て行えばよいが特に限定されるものではない。Electrical connection between the circuit board 22 and the lead frame 11 is performed by a conductive adhesive mainly made of epoxy, silicone resin or the like, or a high melting point solder (for example, a melting point of 2 or more).
Solder with a melting point of around 20 ℃, which has a melting point higher than the mold sealing temperature, Sn
-3.5% Ag solder, etc.) or a bonding wire may be used, but it is not particularly limited.

【００６３】図９に示すように構成し、パイプ２５に、
チューブ等を接続してそのチューブ及びパイプ２５によ
って被測定圧力が半導体圧力センサ内に導入されるよう
に構成すれば、シリコーンジャンクションコーティング
レジン１２を介して圧力センサチップ９のダイヤフラム
部９ｂの表面側には、基準圧力である大気圧が印加さ
れ、パイプ２５に接続されたチューブ及びパイプ２５を
介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定圧力が印加
され、基準圧力である大気圧との差圧に応じてダイヤフ
ラム部１ｂに応力が発生するので、その応力に応じたピ
エゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外部接続用端
子１０ａから取り出すことができ圧力を測定することが
できる。The pipe 25 is constructed as shown in FIG.
If a tube or the like is connected and the pressure to be measured is introduced into the semiconductor pressure sensor by the tube and the pipe 25, the pressure sensor chip 9 is provided on the surface side of the diaphragm portion 9b through the silicone junction coating resin 12. Is applied with the atmospheric pressure that is the reference pressure, and the measured pressure is applied to the back side of the diaphragm portion 9b via the tube connected to the pipe 25 and the pipe 25, and the differential pressure from the atmospheric pressure that is the reference pressure is applied. Accordingly, a stress is generated in the diaphragm portion 1b, so that the resistance value of the piezoresistor corresponding to the stress can be taken out from the external connection terminal 10a of the lead frame 10 and the pressure can be measured.

【００６４】図１０の断面図に基づいて本発明の半導体
圧力センサの参考例７について説明する。但し、図９に
示した構成と同等構成については説明を省略する。圧力
センサチップ９、チップ部品２３、ＩＣ２４が実装され
た回路基板２２の、圧力センサチップ９の実装位置に
は、基板側貫通孔２２ａが形成されており、その基板側
貫通孔２２ａには、金属製のパイプ２６が、回路基板２
２の裏面側に突出するように取り付けられている。ま
た、回路基板２２の別の位置には、回路基板２２の裏面
側に突出する位置決めピン２７が取り付けられている。
一方、リードフレーム１０には、回路基板２２に取り付
けた、パイプ２６及び位置決めピン２７をそれぞれ挿通
させる、パイプ位置決め孔１０ｅ及びピン位置決め孔１
０ｆが形成されており、これらの構成によって、回路基
板２２は、リードフレーム１０の所定の位置に容易に位
置決めされることになる。 Reference Example 7 of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described with reference to the sectional view of FIG. However, the description of the same configuration as that shown in FIG. 9 is omitted. A board-side through hole 22a is formed at the mounting position of the pressure sensor chip 9 on the circuit board 22 on which the pressure sensor chip 9, the chip component 23, and the IC 24 are mounted, and the board-side through hole 22a is made of metal. The pipe 26 made of the circuit board 2
It is attached so as to project to the back surface side of 2. Further, at another position of the circuit board 22, a positioning pin 27 protruding to the back surface side of the circuit board 22 is attached.
On the other hand, in the lead frame 10, the pipe positioning hole 10e and the pin positioning hole 1 which are attached to the circuit board 22 and through which the pipe 26 and the positioning pin 27 are inserted, respectively.
0f is formed, and the circuit board 22 is easily positioned at a predetermined position of the lead frame 10 by these configurations.

【００６５】図１０に示す半導体圧力センサの製造方法
について説明する。まず、基板側貫通孔２２ａ及び位置
決めピン２７を形成し、パイプ２６を、回路基板２２の
裏面側に突出するように、基板側貫通孔２２ａに取り付
ける。次に、圧力センサチップ９等を回路基板２２上に
実装し、ワイヤボンド工程、圧力センサチップ９の表面
へのシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
の塗布工程を行う。次に、パイプ位置決め孔１０ｅ及び
ピン位置決め孔１０ｆに、それぞれ、パイプ２６及び位
置決めピン２７を挿通させて、リードフレーム１０上に
回路基板２２を配置する。その後、シリコーンジャンク
ションコーティングレジン１２の一部及びパイプ２６が
封止樹脂パッケージ１１の外側に露出するように全体を
モールド封止する。[0065] Production how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 10
Attached to be described. First, the board-side through hole 22a and the positioning pin 27 are formed, and the pipe 26 is attached to the board-side through hole 22a so as to project to the back surface side of the circuit board 22. Next, the pressure sensor chip 9 and the like are mounted on the circuit board 22, and a wire bonding process is performed, and the surface of the pressure sensor chip 9 is covered with the silicone junction coating resin 12.
The coating process is performed. Next, the pipe 26 and the positioning pin 27 are inserted into the pipe positioning hole 10e and the pin positioning hole 10f, respectively, and the circuit board 22 is arranged on the lead frame 10. After that, the entire silicone junction coating resin 12 and the pipe 26 are molded and sealed so that the pipe 26 is exposed to the outside of the sealing resin package 11.

【００６６】図１１の断面図に基づいて本発明の半導体
圧力センサの参考例８について説明する。図９に示した
半導体圧力センサでは、パイプ２５をリードフレーム１
０の裏面側に取り付けていたが、図に示す半導体圧力セ
ンサは、一端にフランジ部２８ａを形成したパイプ２８
のフランジ部２８ａを、回路基板２２とリードフレーム
１０で挟むようにしてパイプ２８を固定したものであ
る。A reference example 8 of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described with reference to the sectional view of FIG. In the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 9, the pipe 25 is connected to the lead frame 1
Although it was attached to the back side of 0, the semiconductor pressure sensor shown in the figure has a pipe 28 with a flange 28a formed at one end.
The pipe 28 is fixed so that the flange portion 28a is sandwiched between the circuit board 22 and the lead frame 10.

【００６７】圧力センサチップ９、チップ部品２３、Ｉ
Ｃ２４を実装した回路基板２２の、圧力センサチップ９
の実装位置には基板側貫通孔２２ａが形成されている。
一方、リードフレーム１０には、基板側貫通孔２２ａに
対応した位置に貫通孔１０ｇが形成されており、その貫
通孔１０ｇにパイプ２８を挿通させた状態で、パイプ２
８の一端に形成したフランジ部２８ａを収納する、凹状
のフランジ収納部１０ｈが形成されている。Pressure sensor chip 9, chip component 23, I
Pressure sensor chip 9 of the circuit board 22 mounted with C24
A board-side through hole 22a is formed at the mounting position.
On the other hand, the lead frame 10 has a through hole 10g formed at a position corresponding to the substrate side through hole 22a, and the pipe 28 is inserted into the through hole 10g.
A concave flange housing portion 10h is formed to house the flange portion 28a formed at one end of the flange 8.

【００６８】次に、図１１に示す半導体圧力センサの製
造方法について説明する。まず、基板側貫通孔２２ａを
形成した回路基板２２に、圧力センサチップ９等を実装
し、ワイヤボンド工程、圧力センサチップ９の表面への
シリコーンジャンクションコーティングレジン１２の塗
布工程を行う。次に、リードフレーム１０に形成したフ
ランジ収納部１０ｈにパイプ２８のフランジ部２８ａが
収納されるように、リードフレーム１０に形成した貫通
孔１０ｇにパイプ２８を挿通させ、回路基板２２をリー
ドフレーム１０に接着剤１５によって接着する。これに
より、パイプ２８も固定する。最後に、シリコーンジャ
ンクションコーティングレジン１２の一部及びパイプ２
８が封止樹脂パッケージ１１の外側に露出するように全
体をモールド封止する。[0068] Next, a description will be given of the production how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 11. First, the pressure sensor chip 9 and the like are mounted on the circuit board 22 in which the board-side through hole 22a is formed, and the wire bonding step and the step of applying the silicone junction coating resin 12 to the surface of the pressure sensor chip 9 are performed. Next, the pipe 28 is inserted through the through hole 10g formed in the lead frame 10 so that the flange 28a of the pipe 28 is housed in the flange housing 10h formed in the lead frame 10, and the circuit board 22 is inserted into the lead frame 10. The adhesive 15 is attached to the. As a result, the pipe 28 is also fixed. Finally, a part of the silicone junction coating resin 12 and the pipe 2
The whole is molded and sealed so that 8 is exposed to the outside of the sealing resin package 11.

【００６９】図１２に基づいて本発明の半導体圧力セン
サの実施形態４について説明する。圧力センサチップ
９、チップ部品２３、ＩＣ２４が実装された回路基板２
２は、リードフレーム１０に接着固定されている。ま
た、回路基板２２の圧力センサチップ９の実装位置に
は、基板側第１貫通孔２２ｂが形成されており、その基
板側第１貫通孔２２ｂには、裏面側に突出する第１パイ
プ２９が接続されている。また、回路基板２２の別の位
置には、基板側第２貫通孔２２ｃが形成されており、そ
の基板側第２貫通孔２２ｃには、裏面側に突出する第２
パイプ３０が接続されている。A fourth embodiment of the semiconductor pressure sensor of the present invention will be described with reference to FIG. Circuit board 2 on which pressure sensor chip 9, chip component 23, and IC 24 are mounted
2 is adhesively fixed to the lead frame 10. A board-side first through hole 22b is formed at the mounting position of the pressure sensor chip 9 on the circuit board 22, and the board-side first through-hole 22b has a first pipe 29 projecting to the back surface side. It is connected. A board-side second through-hole 22c is formed at another position of the circuit board 22, and the board-side second through-hole 22c has a second-side through-hole that projects to the back surface side.
The pipe 30 is connected.

【００７０】一方、リードフレーム１０には、基板側第
１貫通孔２２ｂ及び基板側第２貫通孔２２ｃに対応した
位置にそれぞれ第１貫通孔１０ｉ及び第２貫通孔１０ｊ
が形成されており、第１パイプ２９、第２パイプ３０が
それぞれ挿通されている。また、回路基板２２の表面に
は、圧力センサチップ９等の実装部品を覆う金属製の蓋
３１が接着剤３２によって接着されており、蓋３１の内
部には、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャン
クションコーティングレジン１２が充填されている。こ
のように構成することによって、第１パイプ２９を介し
て圧力センサチップ９のダイヤフラム部９ｂの裏面側に
一方の圧力を印加し、第２パイプ３０及びシリコーンジ
ャンクションコーティングレジン１２を介して圧力セン
サチップ９のダイヤフラム部９ｂの表面側に別の圧力を
印加することができる。On the other hand, in the lead frame 10, the first through hole 10i and the second through hole 10j are provided at positions corresponding to the board-side first through hole 22b and the board-side second through hole 22c, respectively.
Are formed, and the first pipe 29 and the second pipe 30 are respectively inserted therethrough. Further, a metallic lid 31 that covers mounted components such as the pressure sensor chip 9 is adhered to the surface of the circuit board 22 with an adhesive 32. Inside the lid 31, a silicone gel such as a silicone resin is used. The junction coating resin 12 is filled. With this configuration, one pressure is applied to the back surface side of the diaphragm portion 9b of the pressure sensor chip 9 via the first pipe 29, and the pressure sensor chip via the second pipe 30 and the silicone junction coating resin 12. Another pressure can be applied to the surface side of the diaphragm portion 9b of 9.

【００７１】図１２に示す半導体圧力センサの製造方法
について説明する。まず、回路基板２２に圧力センサチ
ップ９等の部品を実装し、ワイヤボンド工程、パイプ取
付け工程を行い、回路基板２２をリードフレーム１０に
接着する。その後、蓋３１を回路基板２２に接着し、回
路基板２２に取り付けた第２パイプ３０からゲル状のシ
リコーン樹脂等のシリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２を流し込み、蓋３１の内部に充填する。こ
のとき、回路基板２２を上下面逆にして第２パイプ３０
からシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
を流し込み熱硬化させる。その後、全体をモールド封止
し、第１パイプ２９及び第２パイプ３０のそれぞれの一
端が封止樹脂パッケージ１１から外側に突出した構造と
する。[0071] Production how the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 12
Attached to be described. First, components such as the pressure sensor chip 9 are mounted on the circuit board 22, a wire bonding step and a pipe mounting step are performed, and the circuit board 22 is bonded to the lead frame 10. After that, the lid 31 is adhered to the circuit board 22, and the silicone junction coating resin 12 such as gel silicone resin is poured from the second pipe 30 attached to the circuit board 22 to fill the inside of the lid 31. At this time, the circuit board 22 is turned upside down and the second pipe 30 is turned upside down.
From Silicone Junction Coating Resin 12
Pour and heat cure. After that, the entire structure is molded and sealed, and one end of each of the first pipe 29 and the second pipe 30 is projected from the sealing resin package 11 to the outside.

【００７２】なお、本発明の半導体圧力センサは、以上
に説明した実施形態に限定されない。また、各実施形態
に示した構成を組み合わせて構成してもよい。The semiconductor pressure sensor of the present invention is not limited to the embodiment described above. Further, the configurations shown in the respective embodiments may be combined.

【００７３】[0073]

【発明の効果】本発明の半導体圧力センサは以上に説明
したように、圧力センサチップをリードフレームまたは
リードフレームに実装した回路基板上に実装し、その全
体を低圧トランスファーモールド成形で封止する構造と
したので、量産に適し、実装工程が容易な、プリモール
ドパッケージを用いた場合の蓋付け工程が不要な構造を
実現することができる。As described above, the semiconductor pressure sensor of the present invention has a structure in which the pressure sensor chip is mounted on the lead frame or the circuit board mounted on the lead frame, and the whole is sealed by low-pressure transfer molding. Therefore, it is possible to realize a structure that is suitable for mass production, has an easy mounting process, and does not require a lid attaching process when a premolded package is used.

【００７４】また、圧力センサチップは圧力導入孔また
はパイプ等からその内部に圧力を導入するが、それらの
構成の周囲がモールド封止されているため、機械的衝撃
に対しての耐久性が高いという特徴を有する。また、コ
ストについても、プリモールドパッケージを用いた場合
に必要な蓋のコスト及び実装コストが削減できると共
に、ワイヤボンディング工程での耐熱性を確保するため
に高価なＰＰＳやＬＣＰなどの成形材料を用いる必要が
なく、最終工程でモールド封止するので、半導体用のモ
ールドレジンのうち、一般的によく用いられる安価なＤ
−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノール硬
化剤をベースにしたモールドレジン等が使用できるので
よりコスト低減が図れる。Further, the pressure sensor chip introduces pressure into the inside from the pressure introducing hole or the pipe, but since the periphery of these components is molded and sealed, the durability is high against mechanical shock. It has the feature. As for the cost, the cost of the lid and the mounting cost required when using the pre-molded package can be reduced, and an expensive molding material such as PPS or LCP is used to secure heat resistance in the wire bonding process. Since it is not necessary and is molded and sealed in the final step, it is an inexpensive D that is commonly used among the mold resins for semiconductors.
-A mold resin or the like based on a cresol novolac type epoxy resin and a phenol curing agent can be used, so that the cost can be further reduced.

【００７５】さらに、従来、ワイヤボンディング時にワ
イヤボンダーのキャピラリの先端部分がプリモールドパ
ッケージの内部に入るようにプリモールドパッケージの
開口部を大きくしなければならなかったが、このような
制限も無くなり、パッケージとリードフレームとの接合
強度を確保するためにパッケージの側面を肉厚にする必
要もなくなるので、パッケージ内に無駄なスペースがで
きず非常に小型化を図ることができる。Further, conventionally, at the time of wire bonding, the opening of the premold package had to be made large so that the tip of the capillary of the wire bonder could enter the inside of the premold package. Since it is not necessary to increase the thickness of the side surface of the package in order to secure the bonding strength between the package and the lead frame, no wasted space can be created in the package and the package can be made extremely small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の半導体圧力センサの参考例１を示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing Reference Example 1 of a semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図２】本発明の半導体圧力センサの実施形態１を示す
断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing Embodiment 1 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図３】本発明の半導体圧力センサの参考例２を示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing Reference Example 2 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図４】本発明の半導体圧力センサの実施形態２を示す
断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing Embodiment 2 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図５】本発明の半導体圧力センサの参考例３を示す断
面図である。FIG. 5 is a sectional view showing Reference Example 3 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図６】本発明の半導体圧力センサの実施形態３を示す
断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図７】本発明の半導体圧力センサの参考例４を示す断
面図である。FIG. 7 is a sectional view showing Reference Example 4 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図８】本発明の半導体圧力センサの参考例５を示す断
面図である。FIG. 8 is a sectional view showing Reference Example 5 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図９】本発明の半導体圧力センサの参考例６を示す断
面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing Reference Example 6 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図１０】本発明の半導体圧力センサの参考例７を示す
断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing Reference Example 7 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図１１】本発明の半導体圧力センサの参考例８を示す
断面図である。FIG. 11 is a sectional view showing Reference Example 8 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図１２】本発明の半導体圧力センサの実施形態４を示
す断面図である。FIG. 12 is a sectional view showing Embodiment 4 of the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図１３】従来の半導体圧力センサの一例を示す断面図
である。FIG. 13 is a sectional view showing an example of a conventional semiconductor pressure sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

９ 圧力センサチッ
プ ９ａ 凹部 ９ｂ ダイアフラム部 １０ リードフレーム １０ｃ，１０ｇ 貫通孔 １０ｃ，１０ｉ 第１貫通孔 １０ｄ，１０ｊ 第２貫通孔 １０ｅ パイプ位置決め
孔 １０ｆ ピン位置決め孔 １１ 封止樹脂パッケ
ージ １１ａ 圧力導入孔 １１ａ 第１圧力導入孔 １１ｂ 第２圧力導入孔 １２ シリコーンジャ
ンクションコーティングレジン １６，２０，２１，２５，２６，２８ パイプ １９ 台座 ２２ 回路基板 ２２ａ 基板側貫通孔 ２２ｂ 基板側第１貫通
孔 ２２ｃ 基板側第２貫通
孔 ２７ 位置決めピン ２８ａ フランジ部 ２９ 第１パイプ ３０ 第２パイプ ３１ 蓋9 Pressure Sensor Chip 9a Recess 9b Diaphragm 10 Lead Frames 10c, 10g Through Holes 10c, 10i First Through Holes 10d, 10j Second Through Holes 10e Pipe Positioning Holes 10f Pin Positioning Holes 11 Sealing Resin Package 11a Pressure Introducing Holes 11a 1 pressure introduction hole 11b second pressure introduction hole 12 silicone junction coating resin 16, 20, 21, 25, 26, 28 pipe 19 pedestal 22 circuit board 22a board side through hole 22b board side first through hole 22c board side second penetration Hole 27 Positioning Pin 28a Flange 29 First Pipe 30 Second Pipe 31 Lid

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−155970（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−238441（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01L 9/00 303 H01L 29/84 H01L 23/28 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-4-155970 (JP, A) JP-A-63-238441 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G01L 9/00 303 H01L 29/84 H01L 23/28

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを実装す
るリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、シ
リコーンジャンクションコーティングレジンによって前
記ダイヤフラム部の表面が覆われ、前記圧力センサチッ
プの前記凹部の空間に繋がる第１貫通孔が前記リードフ
レームに形成され、前記第１貫通孔に繋がる第１圧力導
入孔が前記封止樹脂パッケージに形成されていると共
に、前記シリコーンジャンクションコーティングレジン
が充填された空間に繋がる第２貫通孔が前記リードフレ
ームに形成され、前記第２貫通孔に繋がる第２圧力導入
孔が前記封止樹脂パッケージに形成されていることを特
徴とする半導体圧力センサ。1. A pressure sensor chip in which a recess is formed on the back side and a diaphragm part for converting pressure into stress is formed above the recess, a lead frame for mounting the pressure sensor chip, and a sealing resin. A package, the surface of the diaphragm portion is covered with a silicone junction coating resin, a first through hole connecting to the space of the recess of the pressure sensor chip is formed in the lead frame, and a first connecting hole to the first through hole is formed. A first pressure introducing hole is formed in the sealing resin package, a second through hole connecting to a space filled with the silicone junction coating resin is formed in the lead frame, and a second connecting hole is connected to the second through hole. A semiconductor pressure cell characterized in that a pressure introduction hole is formed in the sealing resin package. Nsa. 【請求項２】 請求項１において、前記第１圧力導入孔
には第１パイプが配置されて前記第１貫通孔に接続され
ており、前記第２圧力導入孔には第２パイプが配置され
て前記第２貫通孔に接続されていることを特徴とする半
導体圧力センサ。2. The first pressure introducing hole according to claim 1.
A first pipe is disposed on the first pipe and connected to the first through hole.
And a second pipe is arranged in the second pressure introducing hole.
And a semiconductor pressure sensor connected to the second through hole . 【請求項３】 請求項２において、前記圧力センサチッ
プは前記リードフレームに支持された回路基板に対して
他の部品とともに実装され、前記回路基板に取り付けら
れ少なくとも前記圧力センサチップを覆うよう蓋が設け
られ、前記シリコーンジャンクションコーティングレジ
ンは前記蓋の内部に充填されており、前記回路基板には
前記リードフレームの第１貫通孔と連通する基板側第１
貫通孔が形成されて、前記第１パイプを介して前記凹部
の内部の空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空間に
連通し、前記回路基板には前記リードフレームの第２貫
通孔に連通する基板側第２貫通孔が形成されて、前記第
２パイプを介して、前記シリコーンジャンクションコー
ティングレジンが充填された空間が前記封止樹脂パッケ
ージの外側の空間に連通するように構成されていること
を特徴とする半導体圧力センサ。3. The pressure sensor chip according to claim 2,
The circuit board supported by the lead frame
It is mounted together with other components and mounted on the circuit board.
A lid is provided to cover at least the pressure sensor chip
The silicone junction coating register
Is filled inside the lid and the circuit board
First board side communicating with the first through hole of the lead frame
A through hole is formed, and the recess is formed through the first pipe.
The space inside is the space outside the encapsulation resin package
And a second through hole of the lead frame on the circuit board.
A substrate-side second through hole communicating with the through hole is formed,
Through the 2 pipes, the silicone junction coat
The space filled with the resin is the sealing resin package
A semiconductor pressure sensor, which is configured to communicate with a space outside the package. 【請求項４】裏面側に凹部が形成され、その凹部の上方
に、圧力を応力に変換するダイアフラム部が形成された
圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持して
前記凹部の内部の空間を密閉する台座と、その台座を支
持するリードフレームと、樹脂封止パッケージとを備
え、前記ダイアフラム部の表面が、シリコーンジャンク
ションコーティングレジンによって覆われ、前記シリコ
ーンジャンクションコーティングレジン中に差し込まれ
たパイプを介して前記封止樹脂パッケージの外側の空間
に連通するように構成されていることを特徴とする半導
体圧力センサ。4. A pressure sensor chip in which a recess is formed on the back surface side and a diaphragm part for converting pressure into stress is formed above the recess, and a space inside the recess for supporting the pressure sensor chip. A pedestal that seals the pedestal, a lead frame that supports the pedestal, and a resin-sealed package. The surface of the diaphragm portion is covered with a silicone junction coating resin and inserted into the silicone junction coating resin.
A semiconductor pressure sensor, which is configured to communicate with a space outside the sealing resin package via a pipe.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6762077B2 (en) 2001-05-11 2004-07-13 Melexis Nv Integrated sensor packages and methods of making the same
US7060216B2 (en) * 2001-05-11 2006-06-13 Melexis, Nv Tire pressure sensors and methods of making the same
DE10144467B4 (en) * 2001-09-10 2006-07-27 Infineon Technologies Ag Electronic sensor component and method for its production
US6886929B2 (en) 2002-10-25 2005-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Techniques for improving pressure sensor shock robustness in fluid containment devices
JP2004309212A (en) 2003-04-03 2004-11-04 Denso Corp Pressure sensor, and suction system pressure measuring apparatus
JP2007043134A (en) * 2005-07-05 2007-02-15 Oki Electric Ind Co Ltd Semiconductor chip package and its manufacturing method
JP4642634B2 (en) * 2005-10-31 2011-03-02 パナソニック株式会社 Manufacturing method of acoustic sensor
JP4952428B2 (en) * 2007-08-01 2012-06-13 株式会社デンソー Sensor device
EP2051298B1 (en) * 2007-10-18 2012-09-19 Sencio B.V. Integrated Circuit Package
JP4869322B2 (en) * 2008-12-12 2012-02-08 株式会社東芝 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US7900521B2 (en) * 2009-02-10 2011-03-08 Freescale Semiconductor, Inc. Exposed pad backside pressure sensor package
JP5045769B2 (en) * 2009-03-04 2012-10-10 株式会社デンソー Manufacturing method of sensor device
JP6435468B2 (en) * 2014-08-21 2018-12-12 株式会社テージーケー Pressure sensor module and manufacturing method of pressure sensor module
WO2017002528A1 (en) * 2015-07-01 2017-01-05 日立オートモティブシステムズ株式会社 Semiconductor device

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