JP3374525B2 - 窒化アルミニウム薄膜の形成方法およびその装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば弾性表面波デ
バイスに代表される電子デバイスの圧電膜等として使用
される窒化アルミニウム（ＡlＮ）薄膜を、ＭＯＣＶＤ
法（有機金属化合物を用いる化学気相成長法）を用いて
形成する方法およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】窒化アルミニウムは、非酸化物系セラミ
ック材料の一つであり、熱伝導率が高く、色々な物のコ
ーティング膜として利用されている。

【０００３】また、その圧電性を利用して、テレビ用高
周波フィルタ等として使われる弾性表面波デバイスの圧
電膜としても利用されている。その場合、窒化アルミニ
ウム薄膜は基板の表面に形成される。

【０００４】基板の表面に窒化アルミニウム薄膜を形成
する方法の一つとして、従来から、ＭＯＣＶＤ法が利用
されている。ＭＯＣＶＤ法では、一般的に、サファイア
等から成る基板を１０００℃〜１２００℃程度に加熱し
たところへ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）等のア
ルミニウムを含む有機金属化合物と、アンモニアガス等
の窒素を含むガスとを同時に供給して、熱分解反応によ
って基板の表面に窒化アルミニウム薄膜を形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＭＯＣＶＤ法による窒
化アルミニウム薄膜は、熱化学平衡によって形成される
ため、窒化アルミニウム薄膜の結晶軸の方向を制御する
ことは困難であり、通常は、図４に模式的に示すよう
に、窒化アルミニウム薄膜４は、その結晶軸が基板２の
表面にほぼ垂直に向くように形成される。

【０００６】ところが、窒化アルミニウム薄膜の結晶軸
が基板表面の結晶面に対して傾斜している方が好ましい
場合もある。例えば、弾性表面波デバイスに利用される
窒化アルミニウム薄膜は、その結晶軸が基板結晶面に対
して傾斜している方が、弾性表面波の伝搬速度が速くな
ることが理論的に確認されている。弾性表面波の伝搬速
度が速くなれば、デハイスの応答性向上等に寄与する。

【０００７】そこで、ＭＯＣＶＤ法を用いる場合でも、
窒化アルミニウム薄膜の結晶軸配向性を制御できるよう
にすることが一つの課題である。

【０００８】また、良質の窒化アルミニウム薄膜を形成
する場合の成膜温度は、単なるＭＯＣＶＤ法では１００
０℃以上と非常に高く、これでは装置が作りにくく、装
置への熱的な負担が大きく、また高温加熱によって不純
物が発生して膜中に混入しやすいため、成膜温度の低温
化も大きな課題である。

【０００９】そこでこの発明は、ＭＯＣＶＤ法を用いて
おり、しかも窒化アルミニウム薄膜の結晶軸配向性の制
御が可能であり、かつ成膜温度の低温化が可能である窒
化アルミニウム薄膜の形成方法およびその装置を提供す
ることを主たる目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の窒化アルミニウム薄膜の形成方法は、真
空中で基板の表面に不活性ガスイオンを、基板表面の法
線に対して角度を持たせて照射して、基板表層を非晶質
化すると共に基板表面に微小凹凸を形成する第１の工程
と、この第１の工程を経た基板の表面に真空中で活性化
種を入射させて、基板表面の活性化を行う第２の工程
と、この第２の工程を経た基板の表面に真空中で金属分
子を蒸着させて、基板表面に金属薄膜を形成する第３の
工程と、この第３の工程を経た基板を真空中で加熱しな
がら、アルミニウムを含む有機金属化合物と窒素を含む
ガスを気相で基板表面に輸送して、熱分解反応によって
基板表面に窒化アルミニウム薄膜を形成する第４の工程
とを備えることを特徴とする。

【００１１】また、この発明の第１の窒化アルミニウム
薄膜の形成装置は、（イ）真空容器と、この真空容器内
において基板の表面に不活性ガスイオンを基板表面の法
線に対して角度を持たせて照射して基板表層を非晶質化
すると共に基板表面に微小凹凸を形成するイオン源と、
同基板の表面に活性化種を入射させて基板表面の活性化
を行う活性化種源とを有する前処理装置と、（ロ）この
前処理装置に真空弁を介して接続されていて、真空容器
と、この真空容器内において基板を加熱する加熱手段
と、同基板の表面に金属分子を蒸着させて基板表面に金
属薄膜を形成する蒸発源とを有する成膜装置と、（ハ）
この成膜装置に真空弁を介して接続されていて、真空容
器と、この真空容器内において基板を加熱する加熱手段
と、アルミニウムを含む有機金属化合物と窒素を含むガ
スを気相で基板表面に供給する原料供給装置とを有し、
これらの原料の熱分解反応によって基板表面に窒化アル
ミニウム薄膜を形成するＭＯＣＶＤ装置と、（ニ）基板
を前処理装置から成膜装置を経てＭＯＣＶＤ装置へと真
空中で搬送する搬送装置、とを備えることを特徴とす
る。

【００１２】この発明の第２の窒化アルミニウム薄膜の
形成装置は、活性化種源を、前処理装置に設ける代わり
に、成膜装置に設けている。

【００１３】

【作用】上記方法によれば、第１の工程においては、非
晶質化された基板表面が不活性ガスイオンによって叩か
れ、イオンの入射方向に沿って、基板の空格子内に微小
欠陥部が形成され、それによって、基板表面に、イオン
の入射方向に沿って微小凹凸が形成される。従って、基
板表面の法線に対するイオンの角度が大きいほど、微小
凹凸の斜面の法線からの傾きは大きくなる。そして第４
の工程においては、窒化アルミニウム薄膜は、その結晶
軸が、この微小凹凸の斜面に沿うように形成される。従
って、不活性ガスイオンの照射方向を変えることによっ
て、窒化アルミニウム薄膜の結晶軸の配向性の制御が可
能になる。

【００１４】しかも、第２の工程において基板表面を活
性化するため、第３の工程において比較的低温で良質の
金属薄膜の形成が可能になる。基板表面にこのような良
質の金属薄膜を形成すると、それが、基板と窒化アルミ
ニウムとの間の格子定数の違いによる欠陥部発生を抑え
るバッファ層の働きをして、第４の工程において、比較
的低温で良質の窒化アルミニウム薄膜の形成が可能にな
る。

【００１５】上記第１の装置によれば、前処理装置にお
いて上記方法の第１および第２の工程を実施することが
でき、成膜装置において上記方法の第３の工程を実施す
ることができ、ＭＯＣＶＤ装置において上記方法の第４
の工程を実施することができる。

【００１６】上記第２の装置によれば、前処理装置にお
いて上記方法の第１の工程を実現することができ、成膜
装置において上記方法の第２および第３の工程を実現す
ることができ、ＭＯＣＶＤ装置において上記方法の第４
の工程を実現することができる。

【００１７】

【実施例】図１は、この発明に係る窒化アルミニウム薄
膜の形成装置の一例を示す概略断面図である。

【００１８】この実施例の装置は、前処理装置１０と、
それに真空弁４１を介して接続された成膜装置２０と、
それに真空弁４２を介して接続されたＭＯＣＶＤ装置３
０と、基板２を前処理装置１０から成膜装置２０を経て
ＭＯＣＶＤ法３０へと真空中で搬送する搬送装置（図示
省略）とを備えている。

【００１９】前処理装置１０は、図示しない真空排気装
置によって真空排気される真空容器１１と、この真空容
器１１内に設けられていて所望の基板２を保持するホル
ダ１２と、このホルダ１２上の基板２の表面に不活性ガ
スイオン１４を基板表面の法線に対して角度θを持たせ
て照射して基板表層を非晶質化すると共に基板表面に微
小凹凸を形成するイオン源１３と、ホルダ１２上の基板
２の表面に活性化種１６を入射させて基板表面の活性化
を行う活性化種源１５とを備えている。

【００２０】基板２は、例えばサファイア、アルミナ、
溶融（Ｆｕｓｅｄ）石英等から成る。

【００２１】イオン源１３は、イオン銃とも呼ばれるも
のであり、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノン、ラドンのような不活性ガスイオン１４を所定
のエネルギーで引き出すことができる。不活性ガスイオ
ン１４を用いるのは、基板２と反応せずにその表面改質
だけを行うためである。

【００２２】この基板２に照射する不活性ガスイオン１
４のエネルギーは、２０ｅＶ〜２００ｅＶの範囲内にす
るのが好ましい。２００ｅＶを超えると、エネルギーが
高過ぎ、基板２の表面に形成される微小凹凸が大きくな
り過ぎ、後にその上に金属薄膜６および窒化アルミニウ
ム薄膜４（共に図２参照）を滑らかに形成するのが困難
になる。２０ｅＶ未満だと、エネルギーが低過ぎ、基板
２の表層の非晶質化および微小凹凸の形成が困難にな
る。

【００２３】基板２の表面の法線に対する不活性ガスイ
オン１４の角度θは、この例では０度〜６０度の範囲内
に選ばれている。この角度θは、上記範囲内の一つの角
度に固定しておいても良いが、可変にしておくのが好ま
しい。可変にするためには、例えば、ホルダ１２の角度
を可変にしておけば良い。

【００２４】活性化種源１５は、例えば、活性化種１６
としてアルゴン、酸素等のラジカル（遊離原子）を発生
させるラジカル源、活性化種１６として電子線を発生さ
せる電子線源（電子銃）、活性化種１６として紫外線を
発生させる紫外線源、活性化種１６としてレーザ光を発
生させるレーザ光源、活性化種１６としてＸ線を発生さ
せるＸ線源である。この活性化種源１５は、必ずしも基
板２に斜めに向ける必要はなく、正面に配置しても良
い。

【００２５】成膜装置２０は、図示しない真空排気装置
によって真空排気される真空容器２１と、この真空容器
２１内に設けられていて基板２を保持するホルダ２２
と、このホルダ２２上の基板２を加熱するヒータ２３
と、ホルダ２２上の基板２に金属分子２５を蒸着させて
基板２の表面に金属薄膜６（図２参照）を形成する蒸発
源２４とを備えている。蒸発源２４は、必ずしも図示例
のように二つ設ける必要はなく、一つでも良い。また、
この蒸発源２４は、必ずしも基板２に斜めに向ける必要
はなく、正面に配置しても良い。

【００２６】蒸発源２４は、例えば、分子線エピタキシ
ー装置に用いる分子線源セル（クヌードセンセル）、あ
るいは真空蒸着に用いる電子ビーム加熱式の蒸発源であ
る。これらから蒸発させる金属は、例えば、白金、金、
シリコン、ジルコニウム、アルミニウム等である。これ
らは、イオン配位を作りやすい金属であり、基板２と金
属薄膜６との界面が馴染みやすく良質な金属薄膜６を作
成することができる。また、これらの金属は、分子線の
ような分子状態で蒸発させて基板表面に蒸着させるのが
好ましく、そのようにすれば、非常に薄い金属薄膜６を
均一に形成することができる。

【００２７】上記のようにして基板２の表面に形成する
金属薄膜６の膜厚は、例えば、数十Å〜数百Åの範囲に
するのが好ましい。これは、数百Åより厚いと、基板２
の性質よりもこの金属薄膜６の性質の方が支配的になる
からであり、数十Åより薄いと、均一な膜が形成しにく
くなるからである。

【００２８】この成膜装置２０における基板２の加熱温
度は、形成する金属薄膜６の種類によって異なり一概に
は言えないが、例えば５００℃〜６００℃程度とする。

【００２９】基板２の加熱手段としては、ヒータ２３の
代わりに、ランプ等を用いても良い。

【００３０】ＭＯＣＶＤ装置３０は、図示しない真空排
気装置によって真空排気される真空容器３１と、この真
空容器３１内に設けられていて基板２を保持するホルダ
３２と、このホルダ３２上の基板２を加熱するヒータ３
３と、アルミニウムを含む有機金属化合物３６と窒素を
含むガス３９を気相で基板２の表面に供給する原料供給
装置３４とを備えており、ＭＯＣＶＤ法によって基板２
の表面に窒化アルミニウム薄膜４（図２参照）を形成す
ることができる。

【００３１】原料供給装置３４は、この例では、有機金
属化合物３６の原料を内蔵していてそれをキャリアガス
と混合して取り出す恒温槽３５、有機金属化合物３６の
流量調節を行う流量調節器３７ａ、ガス３９を収容した
ガスボンベ３８、およびガス３９の流量調節を行う流量
調節器３７ｂを有している。

【００３２】アルミニウムを含む有機金属化合物３６
は、例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエ
チルアルミニウム（ＴＥＡ）等である。窒素を含むガス
３９は、例えばアンモニアガス、窒素ガス等である。

【００３３】このＭＯＣＶＤ装置３０における基板２の
加熱温度は、後述するような理由で低温化が可能である
ことから、例えば８００℃〜１０００℃程度で良い。

【００３４】基板２の加熱手段としては、ヒータ３３の
代わりに、ランプ等を用いても良い。

【００３５】前述した、基板２を前処理装置１０から成
膜装置２０を経てＭＯＣＶＤ装置３０へと真空中で搬送
する搬送装置は、例えば基板搬送アームを有する搬送ロ
ボット、ベルトコンベア式の搬送装置等である。

【００３６】上記のような装置を用いた窒化アルミニウ
ム薄膜の形成方法の一例を図２を参照して説明する。

【００３７】まず、所望の前述したような基板２を用意
し（図２Ａ）、これを前処理装置１０のホルダ１２で保
持し、真空容器１１内を真空排気し、前述したイオン源
１３から引き出した不活性ガスイオン１４を、基板２の
表面に角度θを持たせて照射して、基板２の表層２ａを
非晶質化すると共に、基板２の表面に微小凹凸２ｂを形
成する（図２Ｂ）。このときの不活性ガスイオン１４の
エネルギー、角度θの大きさ等については、前述のとお
りである。

【００３８】ついで、基板２の表面に、前述した活性化
種源１５から引き出した活性化種１６を入射させて、基
板２の表面の活性化を行う（図２Ｃ）。

【００３９】その後、真空弁４１を開いて基板２を成膜
装置２０内のホルダ２２上に移送して、真空中で、基板
２の表面に、前述した蒸発源２４から蒸発させた金属分
子２５を蒸着させて基板２の表面に金属薄膜６を形成す
る（図２Ｄ）。このときの基板２の加熱温度、金属薄膜
６の膜厚等については、前述のとおりである。

【００４０】その後、真空弁４２を開いて基板２をＭＯ
ＣＶＤ装置３０内のホルダ３２上に移送して、基板２を
加熱して８００℃〜１０００℃に昇温した後に、原料供
給装置３４からアルミニウムを含む有機金属化合物３６
と窒素を含むガス３９を気相で基板２の表面に輸送す
る。輸送された原料は、加熱した基板２の表面で熱分解
して化学反応によって、即ちＭＯＣＶＤ法によって、基
板２の表面に、より具体的には当該表面の金属薄膜６の
上に、窒化アルミニウム薄膜４が形成される（図２
Ｅ）。

【００４１】窒化アルミニウムは、ウルツ鉱型の結晶構
造を有していて、その格子定数は、ａ＝３．１１Å、ｃ
＝４．９８Åである。良質の窒化アルミニウム薄膜を形
成する場合、基板と窒化アルミニウム薄膜との界面での
結晶性を向上させることが重要であり、また窒化アルミ
ニウム薄膜の結晶軸配向性を制御するためにも、基板表
面に工夫を加える必要があり、上記方法は、このような
点を実現したものである。

【００４２】即ち、上記方法によれば、図２Ｂの工程に
おいては、不活性ガスイオン１４の照射によって原子配
列がくずされ非晶質化された基板２の表面が更に不活性
ガスイオン１４によって叩かれ、イオン１４の入射方向
に沿って、基板２の空格子内に微小欠陥部が形成され、
それによって、基板２の表面に、イオン１４の入射方向
に沿って微小凹凸２ｂが形成される。従って、基板表面
の法線に対するイオン１４の角度θが大きいほど、微小
凹凸２ｂの斜面の法線からの傾きは大きくなる。そして
図２Ｅの工程においては、窒化アルミニウム薄膜４は、
その結晶軸が、この微小凹凸２ｂの斜面に沿うように形
成される。図２Ｅはそれを模式的に示す。従って、不活
性ガスイオン１４の照射方向θを変えることによって、
窒化アルミニウム薄膜４の結晶軸の配向性の制御が可能
になる。例えば、上記角度θを０度に近づけると、窒化
アルミニウム薄膜４の結晶軸の傾斜角度は小さくなっ
て、結晶軸は基板表面にほぼ垂直に立つようになり、角
度θを大きくすると、窒化アルミニウム薄膜４の結晶軸
の傾斜角度は大きくなって、結晶軸はより斜めに寝るよ
うになる。

【００４３】しかも、図２Ｃの工程において活性化種１
６を入射させて基板表面を活性化するため、その活性化
のエネルギーを利用して、図２Ｄの工程において比較的
低温で、例えば前述したように５００℃〜６００℃程度
で、良質の金属薄膜６の形成が可能になる。基板２の表
面にこのような良質の金属薄膜６を形成すると、それ
が、基板２とその上の窒化アルミニウムとの間の格子定
数の違いによる欠陥部発生を抑えるバッファ層の働きを
して、図２Ｅの工程において、比較的低温で、例えば前
述したように８００℃〜１０００℃程度で、良質の窒化
アルミニウム薄膜４の形成が可能になる。即ち、成膜温
度の低温化が可能になる。

【００４４】なお、図１の装置では、上記図２Ｂ〜Ｅに
示した四つの工程の内の図２ＢおよびＣの内の二つ工程
を一つの前処理装置１０内で行うようにしており、この
ようにすれば、４工程を全て別の装置内で行う場合に比
べて、一部屋少なくて済むので、装置の簡略化および小
型化を図ることができる。

【００４５】もっとも、図１のようにする代わりに、活
性化種源１５を成膜装置２０側に設けても良く、そのよ
うにしても４工程を全て別の装置内で行う場合に比べ
て、一部屋少なくて済むので、装置の簡略化および小型
化を図ることができる。

【００４６】また、上記前処理装置１０、成膜装置２０
およびＭＯＣＶＤ装置３０は、図３に示す例のように、
基板２の搬送を行う共通の搬送室５０に、真空弁４３〜
４５をそれぞれ介して接続しても良い。この場合、基板
２の搬送は、例えば矢印Ａ〜Ｄのように行う。

【００４７】

【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。

【００４８】請求項１の方法によれば、基板表面に対す
る不活性ガスイオンの照射によって、基板表面にイオン
の入射方向に沿って微小凹凸を形成することができ、後
の工程において窒化アルミニウム薄膜は、その結晶軸が
この微小凹凸の斜面に沿うように形成されるので、不活
性ガスイオンの照射方向を変えることによって、窒化ア
ルミニウム薄膜の結晶軸の配向性制御が可能になる。

【００４９】しかも、活性化種の照射によって基板表面
を活性化するため、比較的低温で良質の金属薄膜の形成
が可能になり、基板表面にこのような良質の金属薄膜を
形成すると、それが基板と窒化アルミニウムとの間の格
子定数の違いによる欠陥部発生を抑えるバッファ層の働
きをして、比較的低温で良質の窒化アルミニウム薄膜の
形成が可能になる。即ち、成膜温度の低温化が可能にな
る。

【００５０】請求項２の装置によれば、前処理装置にお
いて上記方法の第１および第２の工程を実施することが
でき、成膜装置において上記方法の第３の工程を実施す
ることができ、ＭＯＣＶＤ装置において上記方法の第４
の工程を実施することができるので、４工程を全て別の
装置で行う場合に比べて、一部屋少なくて済み、装置の
簡略化および小型化を図ることができる。

【００５１】請求項３の装置によれば、前処理装置にお
いて上記方法の第１の工程を実施することができ、成膜
装置において上記方法の第２および第３の工程を実施す
ることができ、ＭＯＣＶＤ装置において上記方法の第４
の工程を実施することができるので、４工程を全て別の
装置で行う場合に比べて、一部屋少なくて済み、装置の
簡略化および小型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る窒化アルミニウム薄膜の形成装
置の一例を示す概略断面図である。

【図２】この発明に係る窒化アルミニウム薄膜の形成方
法の一例を模式的に示す図である。

【図３】この発明に係る窒化アルミニウム薄膜の形成装
置の他の例を示す概略平面図である。

【図４】従来のＭＯＣＶＤ法によって基板上に形成され
た窒化アルミニウム薄膜を模式的に示す図である。

【符号の説明】

２ 基板 ２ｂ 微小凹凸 ４ 窒化アルミニウム薄膜 ６ 金属薄膜 １０ 前処理装置 １１ 真空容器 １３ イオン源 １４ 不活性ガスイオン １５ 活性化種源 １６ 活性化種 ２０ 成膜装置 ２１ 真空容器 ２３ ヒータ ２４ 蒸発源 ２５ 金属分子 ３０ ＭＯＣＶＤ装置 ３１ 真空容器 ３３ ヒータ ３４ 原料供給装置 ３６ アルミニウムを含む有機金属化合物 ３９ 窒素を含むガス ４１〜４５ 真空弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−156217（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−40289（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63500（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−237998（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 14/00 - 16/56 C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/31 - 21/32 H03H 3/08 - 9/76 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空中で基板の表面に不活性ガスイオン
   を、基板表面の法線に対して角度を持たせて照射して、
   基板表層を非晶質化すると共に基板表面に微小凹凸を形
   成する第１の工程と、この第１の工程を経た基板の表面
   に真空中で活性化種を入射させて、基板表面の活性化を
   行う第２の工程と、この第２の工程を経た基板の表面に
   真空中で金属分子を蒸着させて、基板表面に金属薄膜を
   形成する第３の工程と、この第３の工程を経た基板を真
   空中で加熱しながら、アルミニウムを含む有機金属化合
   物と窒素を含むガスを気相で基板表面に輸送して、熱分
   解反応によって基板表面に窒化アルミニウム薄膜を形成
   する第４の工程とを備えることを特徴とする窒化アルミ
   ニウム薄膜の形成方法。
2. 【請求項２】（イ）真空容器と、この真空容器内におい
   て基板の表面に不活性ガスイオンを基板表面の法線に対
   して角度を持たせて照射して基板表層を非晶質化すると
   共に基板表面に微小凹凸を形成するイオン源と、同基板
   の表面に活性化種を入射させて基板表面の活性化を行う
   活性化種源とを有する前処理装置と、 （ロ）この前処理装置に真空弁を介して接続されてい
   て、真空容器と、この真空容器内において基板を加熱す
   る加熱手段と、同基板の表面に金属分子を蒸着させて基
   板表面に金属薄膜を形成する蒸発源とを有する成膜装置
   と、 （ハ）この成膜装置に真空弁を介して接続されていて、
   真空容器と、この真空容器内において基板を加熱する加
   熱手段と、アルミニウムを含む有機金属化合物と窒素を
   含むガスを気相で基板表面に供給する原料供給装置とを
   有し、これらの原料の熱分解反応によって基板表面に窒
   化アルミニウム薄膜を形成するＭＯＣＶＤ装置と、 （ニ）基板を前処理装置から成膜装置を経てＭＯＣＶＤ
   装置へと真空中で搬送する搬送装置、とを備えることを
   特徴とする窒化アルミニウム薄膜の形成装置。
3. 【請求項３】（イ）真空容器と、この真空容器内におい
   て基板の表面に不活性ガスイオンを基板表面の法線に対
   して角度を持たせて照射して基板表層を非晶質化すると
   共に基板表面に微小凹凸を形成するイオン源とを有する
   前処理装置と、 （ロ）この前処理装置に真空弁を介して接続されてい
   て、真空容器と、この真空容器内において基板を加熱す
   る加熱手段と、同基板の表面に活性化種を入射させて基
   板表面の活性化を行う活性化種源と、同基板の表面に金
   属分子を蒸着させて基板表面に金属薄膜を形成する蒸発
   源とを有する成膜装置と、 （ハ）この成膜装置に真空弁を介して接続されていて、
   真空容器と、この真空容器内において基板を加熱する加
   熱手段と、アルミニウムを含む有機金属化合物と窒素を
   含むガスを気相で基板表面に供給する原料供給装置とを
   有し、これらの原料の熱分解反応によって基板表面に窒
   化アルミニウム薄膜を形成するＭＯＣＶＤ装置と、 （ニ）基板を前処理装置から成膜装置を経てＭＯＣＶＤ
   装置へと真空中で搬送する搬送装置、とを備えることを
   特徴とする窒化アルミニウム薄膜の形成装置。