JP3374335B2 - イオン加速装置 - Google Patents
イオン加速装置Info
- Publication number
- JP3374335B2 JP3374335B2 JP01808793A JP1808793A JP3374335B2 JP 3374335 B2 JP3374335 B2 JP 3374335B2 JP 01808793 A JP01808793 A JP 01808793A JP 1808793 A JP1808793 A JP 1808793A JP 3374335 B2 JP3374335 B2 JP 3374335B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- state
- ions
- terminal
- stage
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 96
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H5/00—Direct voltage accelerators; Accelerators using single pulses
- H05H5/06—Multistage accelerators
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/14—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using charge exchange devices, e.g. for neutralising or changing the sign of the electrical charges of beams
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H3/00—Production or acceleration of neutral particle beams, e.g. molecular or atomic beams
- H05H3/04—Acceleration by electromagnetic wave pressure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体の製造等に用い
られるイオン加速装置に関する。
られるイオン加速装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体の高集積化に伴い、不純物
濃度の深さ方向の分布をシリコン基板内部で自由に制御
できる高エネルギイオン注入プロセスの重要性が高まっ
ている。イオンを高エネルギに加速し、シリコン基板に
注入する方法としては、現在タンデム加速方式が最も広
く採用されている。このタンデム加速方式は、米国特許
３３５３１０７号等により広く知られている。タンデム
加速方式においては、正イオン源と荷電変換セルを組み
合わせるか、スパッタ型イオン源を用いて負イオンビー
ムが生成される。この負イオンビームは正の高電圧が印
加された加速器ターミナルＴに向けて入射加速され、タ
ーミナル電圧まで加速される。そして加速ターミナルＴ
において、この加速された負イオンビームを気体又は薄
膜に衝突させることにより、電子をはぎ取り、これによ
り負イオンビームを正イオンビームへと変換する。この
正イオンビームは正の高電圧が印加されている加速器タ
ーミナルＴから大地側へ再び加速されて、その最終エネ
ルギを得るようになっている。この時のイオンの最終エ
ネルギＥtot（eV）は、次の様に表せる。 Ｅtot（eV）＝Ｅinj＋Ｑ×（Ｎ＋１）Ｖter ここで、Ｅinj（eV）は加速装置への入射エネルギであ
り、Ｖter（Ｖｏｌｔ）はターミナル電圧、Ｎは正イオ
ンの荷数、Ｑは素電荷である。この式からわかるよう
に、印加電圧Ｖｔｅｒを効率よく粒子の加速に用いるこ
とができる。
濃度の深さ方向の分布をシリコン基板内部で自由に制御
できる高エネルギイオン注入プロセスの重要性が高まっ
ている。イオンを高エネルギに加速し、シリコン基板に
注入する方法としては、現在タンデム加速方式が最も広
く採用されている。このタンデム加速方式は、米国特許
３３５３１０７号等により広く知られている。タンデム
加速方式においては、正イオン源と荷電変換セルを組み
合わせるか、スパッタ型イオン源を用いて負イオンビー
ムが生成される。この負イオンビームは正の高電圧が印
加された加速器ターミナルＴに向けて入射加速され、タ
ーミナル電圧まで加速される。そして加速ターミナルＴ
において、この加速された負イオンビームを気体又は薄
膜に衝突させることにより、電子をはぎ取り、これによ
り負イオンビームを正イオンビームへと変換する。この
正イオンビームは正の高電圧が印加されている加速器タ
ーミナルＴから大地側へ再び加速されて、その最終エネ
ルギを得るようになっている。この時のイオンの最終エ
ネルギＥtot（eV）は、次の様に表せる。 Ｅtot（eV）＝Ｅinj＋Ｑ×（Ｎ＋１）Ｖter ここで、Ｅinj（eV）は加速装置への入射エネルギであ
り、Ｖter（Ｖｏｌｔ）はターミナル電圧、Ｎは正イオ
ンの荷数、Ｑは素電荷である。この式からわかるよう
に、印加電圧Ｖｔｅｒを効率よく粒子の加速に用いるこ
とができる。
【０００３】このようなタンデム方式を用いた実際の装
置を図５に示す。この装置はＧｅｎｕｓｕ社のモデルＧ
１５００高エネルギイオン注入装置である。この装置に
おいて、正イオンは熱陰極ＰＩＧイオン源１により生成
される。この正イオンはイオン源に正の高電圧を印加す
ることによりビームとして引き出される。引き出された
正イオンビームは、引き出し電極系の直後に設置された
荷電変換セル２を通過する際にマグネシウム蒸気と衝突
し、一部がマグネシウムから電子を２個受け取り、負イ
オンビームへと変換されるように構成されている。この
負イオンビームは荷電変換セル２を通過した後、９０度
分析磁石３により荷電状態及び質量を分析され、目的と
する負イオンのみがタンデム加速器６へ入射されるよう
になっている。タンデム加速器６は前段加速管７とその
前段に前段Ｑレンズ４を備えており、９０度分析磁石３
で質量分析された負イオンビームは該前段Ｑレンズ４に
より収束作用を受け、ストリッパカナル８の中央にビー
ムウエストを形成するようになっている。この時に、同
時に負イオンビームは前段加速管７により正の高電圧が
印加されたタンデム加速ターミナルＴ部に向かって加速
されるようになっている。
置を図５に示す。この装置はＧｅｎｕｓｕ社のモデルＧ
１５００高エネルギイオン注入装置である。この装置に
おいて、正イオンは熱陰極ＰＩＧイオン源１により生成
される。この正イオンはイオン源に正の高電圧を印加す
ることによりビームとして引き出される。引き出された
正イオンビームは、引き出し電極系の直後に設置された
荷電変換セル２を通過する際にマグネシウム蒸気と衝突
し、一部がマグネシウムから電子を２個受け取り、負イ
オンビームへと変換されるように構成されている。この
負イオンビームは荷電変換セル２を通過した後、９０度
分析磁石３により荷電状態及び質量を分析され、目的と
する負イオンのみがタンデム加速器６へ入射されるよう
になっている。タンデム加速器６は前段加速管７とその
前段に前段Ｑレンズ４を備えており、９０度分析磁石３
で質量分析された負イオンビームは該前段Ｑレンズ４に
より収束作用を受け、ストリッパカナル８の中央にビー
ムウエストを形成するようになっている。この時に、同
時に負イオンビームは前段加速管７により正の高電圧が
印加されたタンデム加速ターミナルＴ部に向かって加速
されるようになっている。
【０００４】加速された負イオンビームはストリッパカ
ナル８を通過する際に、ストリッパカナル８内に導入さ
れた窒素ガスと衝突して軌道電子を失い、再び正イオン
ビームへと変換される様に構成されている。この時の荷
電状態の分布は衝突のエネルギにより決まっており、衝
突エネルギが高いほど多くの多価イオンが生成される。
この価電状態分布の一例をホウ素の場合について図６に
示す。得られた正イオンビームはタンデム加速器ターミ
ナルＴから大地電圧へ向かって後段加速管１０により再
び加速され、このように最終エネルギを得たビームは、
後段Ｑレンズ１１により再び収束作用を受け、１０度分
析磁石１２により荷電状態を選別され、ターゲットの設
置されているプロセスチャンバ１３へと導かれるように
なっている。
ナル８を通過する際に、ストリッパカナル８内に導入さ
れた窒素ガスと衝突して軌道電子を失い、再び正イオン
ビームへと変換される様に構成されている。この時の荷
電状態の分布は衝突のエネルギにより決まっており、衝
突エネルギが高いほど多くの多価イオンが生成される。
この価電状態分布の一例をホウ素の場合について図６に
示す。得られた正イオンビームはタンデム加速器ターミ
ナルＴから大地電圧へ向かって後段加速管１０により再
び加速され、このように最終エネルギを得たビームは、
後段Ｑレンズ１１により再び収束作用を受け、１０度分
析磁石１２により荷電状態を選別され、ターゲットの設
置されているプロセスチャンバ１３へと導かれるように
なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記した従来の
タンデム加速装置の場合、ターゲットにおける有効ビー
ム電流が加速器ターミナルＴにおける荷電状態分布によ
り規定されているため、最終エネルギが低い領域ではビ
ーム電流が急激に減少するという欠点があった。例え
ば、図７に示すようにホウ素の場合には最終エネルギが
５００KeV以下の領域で、ビーム電流が急激に減少して
いることがわかる。また、負イオンの生成効率が一般的
に５〜１５％と低いため、ビームの使用効率が低いとい
う欠点があった。本発明は上記した従来技術の問題点を
解決することを目的とする。
タンデム加速装置の場合、ターゲットにおける有効ビー
ム電流が加速器ターミナルＴにおける荷電状態分布によ
り規定されているため、最終エネルギが低い領域ではビ
ーム電流が急激に減少するという欠点があった。例え
ば、図７に示すようにホウ素の場合には最終エネルギが
５００KeV以下の領域で、ビーム電流が急激に減少して
いることがわかる。また、負イオンの生成効率が一般的
に５〜１５％と低いため、ビームの使用効率が低いとい
う欠点があった。本発明は上記した従来技術の問題点を
解決することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のイオン加速装置は、ガスを導入した状態とガ
スを導入しない状態とを設定可能なストリッパカナルを
有する高電圧のターミナルと、負イオンを該ターミナル
に向けて加速する低エネルギ加速管と、該ターミナルか
らの正イオンを加速する高エネルギ加速管と、正イオン
源と、金属蒸気を発生し該正イオン源からのイオンを負
イオンに変換する状態と、金属蒸気を発生せず正イオン
源からのイオンをそのまま通過させる状態を設定可能な
荷電変換セルと、正イオンを屈折させる状態と、負イオ
ンを屈折させる状態を設定可能な前段分析磁石と、正イ
オンを収束させる状態と負イオンを収束させる状態とを
設定可能な前段Ｑレンズと、該前段Ｑレンズから入射し
たイオンを中性化する状態と中性化せずそのまま通過さ
せる状態を設定可能なビーム中性化器と、前記ターミナ
ルをショートさせた状態と非ショート状態を設定可能な
接地棒とを備え、前記荷電変換セル、前段分析磁石、前
段Ｑレンズ、ビーム中性化器、ストリッパカナル、接地
棒の前記状態を最終エネルギに応じて選択する、ことを
特徴とする。
に本発明のイオン加速装置は、ガスを導入した状態とガ
スを導入しない状態とを設定可能なストリッパカナルを
有する高電圧のターミナルと、負イオンを該ターミナル
に向けて加速する低エネルギ加速管と、該ターミナルか
らの正イオンを加速する高エネルギ加速管と、正イオン
源と、金属蒸気を発生し該正イオン源からのイオンを負
イオンに変換する状態と、金属蒸気を発生せず正イオン
源からのイオンをそのまま通過させる状態を設定可能な
荷電変換セルと、正イオンを屈折させる状態と、負イオ
ンを屈折させる状態を設定可能な前段分析磁石と、正イ
オンを収束させる状態と負イオンを収束させる状態とを
設定可能な前段Ｑレンズと、該前段Ｑレンズから入射し
たイオンを中性化する状態と中性化せずそのまま通過さ
せる状態を設定可能なビーム中性化器と、前記ターミナ
ルをショートさせた状態と非ショート状態を設定可能な
接地棒とを備え、前記荷電変換セル、前段分析磁石、前
段Ｑレンズ、ビーム中性化器、ストリッパカナル、接地
棒の前記状態を最終エネルギに応じて選択する、ことを
特徴とする。
【０００７】
【作用】最終エネルギに応じて、前記荷電変換セル、前
段分析磁石、前段Ｑレンズ、ビーム中性化器、ストリッ
パカナル、接地棒の前記状態を選択する。
段分析磁石、前段Ｑレンズ、ビーム中性化器、ストリッ
パカナル、接地棒の前記状態を選択する。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１において、図４に示す従来と同一のものには同
一の番号を付してある。熱陰極ＰＩＧイオン源１には６
０kＶまでの正電圧が印加され、ここから正イオンがビ
ームとして引き出されるように構成されている。引き出
し電極系の直後に設置された荷電変換セル２は、金属蒸
気を発生する場合には４００°Ｃ前後に昇温され、金属
蒸気を発生させない場合は室温に保たれるようになって
いる。
る。図１において、図４に示す従来と同一のものには同
一の番号を付してある。熱陰極ＰＩＧイオン源１には６
０kＶまでの正電圧が印加され、ここから正イオンがビ
ームとして引き出されるように構成されている。引き出
し電極系の直後に設置された荷電変換セル２は、金属蒸
気を発生する場合には４００°Ｃ前後に昇温され、金属
蒸気を発生させない場合は室温に保たれるようになって
いる。
【０００９】９０度分析磁石３は極性を切り換えること
が出来るようになっており、正イオンと負イオンの両方
の分析ができるようになっている。９０度分析磁石３の
後段に設定された前段Ｑレンズ４も同様に極性を切り換
えることが出来るようになっており、正イオンと負イオ
ンの両方を収束可能に構成されている。
が出来るようになっており、正イオンと負イオンの両方
の分析ができるようになっている。９０度分析磁石３の
後段に設定された前段Ｑレンズ４も同様に極性を切り換
えることが出来るようになっており、正イオンと負イオ
ンの両方を収束可能に構成されている。
【００１０】前段Ｑレンズ４と前段加速管７の間にはビ
ーム中性化器５が介装されている。このビーム中性化器
５は正イオンビームを中性化するためのものであり、ビ
ーム電流の約７０％を中性化できるように構成されてい
る。このビーム中性化器５の基本的な構成を図２に示
す。このビーム中性化器５はターボモレキュラーポンプ
５０とガス導入口５１とを備えたガスセルであり、室内
に大量のガスが導入されても差動排気により周囲の真空
度に極力影響を及ぼさないように配慮されている。正イ
オンビームはこの室内に導入されたガスと衝突すること
により、荷電変換されて中性化されるようになってい
る。室内に導入されるガスとしては水素、窒素、酸素、
エタン或いはメタン等が使用され、入射されるイオン種
により適宜選択すれば良い。このように中性化され入射
されたビームは、たとえ加速器ターミナルに正の高電圧
が印加されていても、電荷を持たないため加速されるこ
となくタンデム加速器ターミナルＴに達し、ここでスト
リッパカナル８に導入された窒素ガスと衝突することに
より一部が正イオンへと再変換される。そして、この変
換された正イオンビームは加速器ターミナルＴから大地
に向かって加速され、最終エネルギを得るようになって
いる。この中性ビームを入射したときの最終エネルギ
は、 Ｅtot（eV）＝ Ｅinj ＋ Ｑ×Ｖter となる。なお、ビーム中性化器５にはガスを導入した中
性化を行うモードとガスを導入せず中性化を行わないモ
ードとを選択出来るようになっている。
ーム中性化器５が介装されている。このビーム中性化器
５は正イオンビームを中性化するためのものであり、ビ
ーム電流の約７０％を中性化できるように構成されてい
る。このビーム中性化器５の基本的な構成を図２に示
す。このビーム中性化器５はターボモレキュラーポンプ
５０とガス導入口５１とを備えたガスセルであり、室内
に大量のガスが導入されても差動排気により周囲の真空
度に極力影響を及ぼさないように配慮されている。正イ
オンビームはこの室内に導入されたガスと衝突すること
により、荷電変換されて中性化されるようになってい
る。室内に導入されるガスとしては水素、窒素、酸素、
エタン或いはメタン等が使用され、入射されるイオン種
により適宜選択すれば良い。このように中性化され入射
されたビームは、たとえ加速器ターミナルに正の高電圧
が印加されていても、電荷を持たないため加速されるこ
となくタンデム加速器ターミナルＴに達し、ここでスト
リッパカナル８に導入された窒素ガスと衝突することに
より一部が正イオンへと再変換される。そして、この変
換された正イオンビームは加速器ターミナルＴから大地
に向かって加速され、最終エネルギを得るようになって
いる。この中性ビームを入射したときの最終エネルギ
は、 Ｅtot（eV）＝ Ｅinj ＋ Ｑ×Ｖter となる。なお、ビーム中性化器５にはガスを導入した中
性化を行うモードとガスを導入せず中性化を行わないモ
ードとを選択出来るようになっている。
【００１１】タンデム加速器６のターミナルＴは接地棒
９により接地され、タンデム加速器６のターミナルＴが
チャージアップすることを防止するようになっている。
この接地棒９もターミナルＴの接地状態と非接地状態の
切り換えが行えるようになっている。
９により接地され、タンデム加速器６のターミナルＴが
チャージアップすることを防止するようになっている。
この接地棒９もターミナルＴの接地状態と非接地状態の
切り換えが行えるようになっている。
【００１２】またタンデム加速器６の前段加速管７、ス
トリッパカナル８、後段加速管１０及び後段Ｑレンズ１
１、１０度分析磁石１２とプロセスチャンバ１３の構成
は従来のものと同じであるのが、ストリッパカナル８は
ガスを導入した状態と非導入状態を選択出来るようにな
っており、イオンの変換を行わないモードも選択出来る
ように構成されている。また後段Ｑレンズ１１及び１０
度分析磁石１２は常に正イオンビームに対して正しく作
用するように極性を固定してある。
トリッパカナル８、後段加速管１０及び後段Ｑレンズ１
１、１０度分析磁石１２とプロセスチャンバ１３の構成
は従来のものと同じであるのが、ストリッパカナル８は
ガスを導入した状態と非導入状態を選択出来るようにな
っており、イオンの変換を行わないモードも選択出来る
ように構成されている。また後段Ｑレンズ１１及び１０
度分析磁石１２は常に正イオンビームに対して正しく作
用するように極性を固定してある。
【００１３】以上の構成を有する装置において、得られ
る最終エネルギに応じて次のように装置を使用する。 （１）０〜６０keV このエネルギ領域においては、ＰＩＧイオン源１に印加
する電圧によってのみ、加速エネルギが得られるように
する。また荷電変換セル２は金属蒸気を発生せず、室温
に保って使用しない。更に９０度分析磁石３の極性を正
イオンを分析するように設定し、前段Ｑレンズ４は正イ
オンを収束するように設定しておく。またビーム中性化
器５にはガスを導入せず、中性変換は行わない。更にス
トリッパカナル８には窒素ガスを導入せず、また接地棒
９により加速器ターミナルＴを接地しておく。このよう
な状態において、ＰＩＧイオン源１から引き出された正
イオンは、９０度分析磁石３により質量分析され、前段
Ｑレンズ４により収束され、タンデム加速器６を通過す
る。この際、加速器ターミナルＴは接地棒９により接地
されているから、加速器ターミナルＴのチャージアップ
の防止が図られる。このようにして得られたビーム電流
値をホウ素及び燐の場合について、それぞれ図３と図４
にそれぞれ示す。図３と図６との比較から明かなよう
に、例えばホウ素の場合従来の負イオンを使用した場合
に比較して、６０KeV以下の領域におけるビーム電流は
２倍〜１０倍に増大している。
る最終エネルギに応じて次のように装置を使用する。 （１）０〜６０keV このエネルギ領域においては、ＰＩＧイオン源１に印加
する電圧によってのみ、加速エネルギが得られるように
する。また荷電変換セル２は金属蒸気を発生せず、室温
に保って使用しない。更に９０度分析磁石３の極性を正
イオンを分析するように設定し、前段Ｑレンズ４は正イ
オンを収束するように設定しておく。またビーム中性化
器５にはガスを導入せず、中性変換は行わない。更にス
トリッパカナル８には窒素ガスを導入せず、また接地棒
９により加速器ターミナルＴを接地しておく。このよう
な状態において、ＰＩＧイオン源１から引き出された正
イオンは、９０度分析磁石３により質量分析され、前段
Ｑレンズ４により収束され、タンデム加速器６を通過す
る。この際、加速器ターミナルＴは接地棒９により接地
されているから、加速器ターミナルＴのチャージアップ
の防止が図られる。このようにして得られたビーム電流
値をホウ素及び燐の場合について、それぞれ図３と図４
にそれぞれ示す。図３と図６との比較から明かなよう
に、例えばホウ素の場合従来の負イオンを使用した場合
に比較して、６０KeV以下の領域におけるビーム電流は
２倍〜１０倍に増大している。
【００１４】（２）６０〜５６０keV
このエネルギ領域においても、荷電変換セル２は金属蒸
気を発生せず、室温に保ち使用しない。更に９０度分析
磁石３の極性を正イオンを分析するように設定し、前段
Ｑレンズ４は正イオンを収束するように設定しておく。
またビーム中性化器５を稼働しここでビーム電流の約７
０％以上を中性化して、タンデム加速器６に入射するよ
うにしておく。ストリッパカナル８にはガスを導入し、
また加速器ターミナルＴは接地棒９により接地しない。
この状態において、正イオンビームは前段Ｑレンズ４に
より収束作用を受けて焦点をストリッパカナル８中央に
結ぶように調節され、その後ビーム中性化器５により中
性化される。そして中性化されたイオンビームはタンデ
ム加速器６に入射するが、加速器ターミナルＴに正の高
電圧が印加されていても電荷をもたないため加速される
ことなく、加速器ターミナルＴに到達する。そして、ス
トリッパカナル８に導入された窒素ガスと衝突すること
により、加速器ターミナルＴから大地に向かって加速さ
れ、最終エネルギを得る。この中性ビームを入射したと
きの最終エネルギは、前記した様にＥtot（eV）＝ Ｅi
nj ＋ Ｑ×Ｖterで表される。図３及び図４の×印のプ
ロットは、それぞれこの使用方法により得られたビーム
電流を示すもので、この領域で図７に示す従来のものに
比較して１．５〜２倍に増大されていることがわかる。
なお、加速器ターミナルＴの電圧を変化させてもストリ
ッパカナル８での衝突エネルギは変化しないため、ビー
ム電流のエネルギ依存性はほとんど無くなる。
気を発生せず、室温に保ち使用しない。更に９０度分析
磁石３の極性を正イオンを分析するように設定し、前段
Ｑレンズ４は正イオンを収束するように設定しておく。
またビーム中性化器５を稼働しここでビーム電流の約７
０％以上を中性化して、タンデム加速器６に入射するよ
うにしておく。ストリッパカナル８にはガスを導入し、
また加速器ターミナルＴは接地棒９により接地しない。
この状態において、正イオンビームは前段Ｑレンズ４に
より収束作用を受けて焦点をストリッパカナル８中央に
結ぶように調節され、その後ビーム中性化器５により中
性化される。そして中性化されたイオンビームはタンデ
ム加速器６に入射するが、加速器ターミナルＴに正の高
電圧が印加されていても電荷をもたないため加速される
ことなく、加速器ターミナルＴに到達する。そして、ス
トリッパカナル８に導入された窒素ガスと衝突すること
により、加速器ターミナルＴから大地に向かって加速さ
れ、最終エネルギを得る。この中性ビームを入射したと
きの最終エネルギは、前記した様にＥtot（eV）＝ Ｅi
nj ＋ Ｑ×Ｖterで表される。図３及び図４の×印のプ
ロットは、それぞれこの使用方法により得られたビーム
電流を示すもので、この領域で図７に示す従来のものに
比較して１．５〜２倍に増大されていることがわかる。
なお、加速器ターミナルＴの電圧を変化させてもストリ
ッパカナル８での衝突エネルギは変化しないため、ビー
ム電流のエネルギ依存性はほとんど無くなる。
【００１５】（３）５６０〜１５６０keV
このエネルギ領域においては、荷電変換セル２に金属蒸
気を発生し、９０度分析磁石３及び前段Ｑレンズ４の極
性は負イオンに対してのものに変更される。またビーム
中性化器５は使用せず、ストリッパカナル８にはガスを
導入し、接地棒９は加速器ターミナルＴを接地しない。
即ち従来のタンデム加速の使用方法が採用され、５６０
〜１０６０KeVのエネルギを得るために１価イオンが使
用され、１０６０〜１５６０KeVのエネルギを得るため
に２価イオンが使用される。
気を発生し、９０度分析磁石３及び前段Ｑレンズ４の極
性は負イオンに対してのものに変更される。またビーム
中性化器５は使用せず、ストリッパカナル８にはガスを
導入し、接地棒９は加速器ターミナルＴを接地しない。
即ち従来のタンデム加速の使用方法が採用され、５６０
〜１０６０KeVのエネルギを得るために１価イオンが使
用され、１０６０〜１５６０KeVのエネルギを得るため
に２価イオンが使用される。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のイオン加速
装置は、ガスを導入した状態とガスを導入しない状態と
を設定可能なストリッパカナルを有する高電圧のターミ
ナルＴと、負イオンを該ターミナルＴに向けて加速する
低エネルギ加速管と、該ターミナルＴからの正イオンを
加速する高エネルギ加速管と、正イオン源と、金属蒸気
を発生し該正イオン源からのイオンを負イオンに変換す
る状態と、金属蒸気を発生せず正イオン源からのイオン
をそのまま通過させる状態を設定可能な荷電変換セル
と、正イオンを屈折させる状態と、負イオンを屈折させ
る状態を設定可能な前段分析磁石と、正イオンを収束さ
せる状態と負イオンを収束させる状態とを設定可能な前
段Ｑレンズと、該前段Ｑレンズから入射したイオンを中
性化する状態と中性化せずそのまま通過させる状態を設
定可能なビーム中性化器と、前記ターミナルＴをショー
トさせた状態と非ショート状態を設定可能な接地棒とを
備え、前記荷電変換セル、前段分析磁石、前段Ｑレン
ズ、ビーム中性化器、ストリッパカナル、接地棒の前記
状態を最終エネルギに応じて選択するため、最終エネル
ギに応じて、大きなビーム電流を得ることが可能にな
る。
装置は、ガスを導入した状態とガスを導入しない状態と
を設定可能なストリッパカナルを有する高電圧のターミ
ナルＴと、負イオンを該ターミナルＴに向けて加速する
低エネルギ加速管と、該ターミナルＴからの正イオンを
加速する高エネルギ加速管と、正イオン源と、金属蒸気
を発生し該正イオン源からのイオンを負イオンに変換す
る状態と、金属蒸気を発生せず正イオン源からのイオン
をそのまま通過させる状態を設定可能な荷電変換セル
と、正イオンを屈折させる状態と、負イオンを屈折させ
る状態を設定可能な前段分析磁石と、正イオンを収束さ
せる状態と負イオンを収束させる状態とを設定可能な前
段Ｑレンズと、該前段Ｑレンズから入射したイオンを中
性化する状態と中性化せずそのまま通過させる状態を設
定可能なビーム中性化器と、前記ターミナルＴをショー
トさせた状態と非ショート状態を設定可能な接地棒とを
備え、前記荷電変換セル、前段分析磁石、前段Ｑレン
ズ、ビーム中性化器、ストリッパカナル、接地棒の前記
状態を最終エネルギに応じて選択するため、最終エネル
ギに応じて、大きなビーム電流を得ることが可能にな
る。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図。
【図２】本発明のビーム中性化器５の一実施例を示す概
略図。
略図。
【図３】本発明の一実施例におけるホウ素の最大ビーム
電流を示すグラフ。
電流を示すグラフ。
【図４】本発明の一実施例におけるリンの最大ビーム電
流を示すグラフ。
流を示すグラフ。
【図５】従来の装置の一例を示す概略図。
【図６】従来の装置における荷電状態分布を示すグラ
フ。
フ。
【図７】従来の装置における規格化されたビーム電流を
示すグラフ。
示すグラフ。
１：ＰＩＧイオン源、２：荷電変換セル、３：９０度分
析磁石、４：前段Ｑレンズ、５：ビーム中性化器、６：
タンデム加速器、７：前段加速管、８：ストリッパカナ
ル、９：接地棒、１０：後段加速管、１１：後段Ｑレン
ズ、１２：１０度分析磁石、１３：プロセスチャンバ、
５０：ターボモレキュラーポンプ、５１：ガス導入口、
５２：ガスセル。
析磁石、４：前段Ｑレンズ、５：ビーム中性化器、６：
タンデム加速器、７：前段加速管、８：ストリッパカナ
ル、９：接地棒、１０：後段加速管、１１：後段Ｑレン
ズ、１２：１０度分析磁石、１３：プロセスチャンバ、
５０：ターボモレキュラーポンプ、５１：ガス導入口、
５２：ガスセル。
Claims (3)
- 【請求項１】ガスを導入した状態とガスを導入しない状
態とを設定可能なストリッパカナルを有する高電圧のタ
ーミナルと、 負イオンを該ターミナルに向けて加速する低エネルギ加
速管と、 該ターミナルからの正イオンを加速する高エネルギ加速
管と、 正イオン源と、 金属蒸気を発生し該正イオン源からのイオンを負イオン
に変換する状態と、金属蒸気を発生せず正イオン源から
のイオンをそのまま通過させる状態を設定可能な荷電変
換セルと、 正イオンを屈折させる状態と、負イオンを屈折させる状
態を設定可能な前段分析磁石と、 正イオンを収束させる状態と負イオンを収束させる状態
とを設定可能な前段Ｑレンズと、 該前段Ｑレンズから入射したイオンを中性化する状態と
中性化せずそのまま通過させる状態を設定可能なビーム
中性化器と、 前記ターミナルをショートさせた状態と非ショート状態
を設定可能な接地棒と、を備え；前記荷電変換セル、前
段分析磁石、前段Ｑレンズ、ビーム中性化器、ストリッ
パカナル、接地棒の前記状態を最終エネルギに応じて選
択する、 ことを特徴とするイオン加速装置。 - 【請求項２】ストリッパカナルを有する高電圧のターミ
ナルと、 該ターミナルを０〜５００ｋＶのターミナル電圧Ｖに維
持する手段と、 負イオンを該ターミナルに向けて加速する低エネルギ加
速管と、 該ターミナルからの正イオンを加速する高エネルギ加速
管と、 正イオン源と、 荷電変換セルと、 前段分析磁石と、 前段Ｑレンズと、 ビーム中性化器と、 接地棒と、 該正イオン源から正イオンを引き出し、これらを順次荷
電変換セル、前段分析磁石、前段Ｑレンズ、ビーム中性
化器、低エネルギ加速管、ストリッパカナル、高エネル
ギ加速管、に通過させ、これにより前記イオンを前記低
エネルギ加速管に入射エネルギＥ（ｋｅＶ）で入射させ
る手段と、を備え；前記荷電変換セルが金属蒸気を発生
した第１状態と金属蒸気を排除した第２状態の中の１つ
の状態に設定可能であり、 前記前段分析磁石と前段Ｑレンズが、正イオンを屈折さ
せ収束させる第１状態と、負イオンを屈折させ収束させ
る第２状態の中の１つの状態に設定可能であり、 前記ビーム中性化器がガスを導入した第１状態とガスを
排除した第２状態の中の１つの状態に設定可能であり、 前記ストリッパカナルがガスを導入した第１状態とガス
を排除した第２状態の中の１つの状態に設定可能であ
り、 接地棒が前記ターミナルをショートさせた第１状態と、
ショートさせない第２状態の中の１つの状態に設定可能
であり；更に前記荷電変換セル、前段分析磁石、前段Ｑ
レンズ、ビーム中性化器、ストリッパカナル、接地棒の
状態を最終エネルギに応じて下記の様に設定し、後段加
速管からのイオンのそれぞれの該最終エネルギを得る手
段と、 を備えたことを特徴とするイオン加速装置。 ＥｋｅＶ以下 Ｅ以上（Ｖ＋Ｅ） （Ｖ＋Ｅ） ｋｅＶ以下 ｋｅＶ以上 荷電変換セル 第２状態 第２状態 第１状態 前段分析磁石 第１状態 第１状態 第２状態 前段Ｑレンズ 第１状態 第１状態 第２状態 ビーム中性化器 第２状態 第１状態 第２状態 ストリッパカナル 第２状態 第１状態 第１状態 接地棒 第１状態 第２状態 第２状態 - 【請求項３】ストリッパカナルを有する高電圧のターミ
ナルと、 該ターミナルを０〜５００ｋＶの電圧に維持する手段
と、 負イオンを該ターミナルに向けて加速する低エネルギ加
速管と、 該ターミナルからの正イオンを加速する高エネルギ加速
管と、 ６０ｋＶまでの正電圧が印加される正イオン源と、 荷電変換セルと、 前段分析磁石と、 前段Ｑレンズと、 ビーム中性化器と、 接地棒と、 該正イオン源から正イオンを引き出し、これらを順次荷
電変換セル、前段分析磁石、前段Ｑレンズ、ビーム中性
化器、低エネルギ加速管、スリッパカナル、高エネルギ
加速管、に通過させる手段と、を備え；前記荷電変換セ
ルがガスを導入した第１状態とガスを排除した第２状態
の中の１つの状態に設定可能であり、 前記前段分析磁石と前段Ｑレンズとが、正イオンを屈折
させ収束させる第１状態と、負イオンを屈折させ収束さ
せる第２状態の中の１つの状態に設定可能であり、 前記ビーム中性化器がガスを導入した第１状態とガスを
排除した第２状態の中の１つの状態に設定可能であり、 前記ストリッパカナルがガスを導入した第１状態とガス
を排除した第２状態の中の１つの状態に設定可能であ
り、 接地棒が前記ターミナルをショートさせた第１状態と、
ショートさせない第２状態の中の１つの状態に設定可能
であり；更に前記荷電変換セル、前段分析磁石、前段Ｑ
レンズ、ビーム中性化器、ストリッパカナル、接地棒の
状態を最終エネルギに応じて下記の様に設定し、後段加
速管からのイオンのそれぞれの該最終エネルギを得る手
段と、 を備えたことを特徴とするイオン加速装置。 0〜60ｋｅＶ以下 60〜560ｋｅＶ 560〜1560ｋｅＶ 荷電変換セル 第２状態 第２状態 第１状態 前段分析磁石 第１状態 第１状態 第２状態 前段Ｑレンズ 第１状態 第１状態 第２状態 ビーム中性化器 第２状態 第１状態 第２状態 ストリッパカナル 第２状態 第１状態 第１状態 接地棒 第１状態 第２状態 第２状態
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US877452 | 1992-05-01 | ||
| US07/877,452 US5300891A (en) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | Ion accelerator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620641A JPH0620641A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3374335B2 true JP3374335B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=25369991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01808793A Expired - Lifetime JP3374335B2 (ja) | 1992-05-01 | 1993-01-08 | イオン加速装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5300891A (ja) |
| JP (1) | JP3374335B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140071886A (ko) | 2012-12-04 | 2014-06-12 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치 |
| KR20140139407A (ko) | 2013-05-27 | 2014-12-05 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 이온주입장치 |
| KR20140139957A (ko) | 2013-05-28 | 2014-12-08 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 이온주입장치 |
| KR20140140479A (ko) | 2013-05-29 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 이온주입장치 |
| KR20140145975A (ko) | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 이온주입장치 |
| KR20150000399A (ko) | 2013-06-24 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 정밀도의 고주파 가속식의 이온가속·수송장치 |
| US9373481B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-21 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | High-energy ion implanter, beam collimator, and beam collimation method |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693939A (en) * | 1996-07-03 | 1997-12-02 | Purser; Kenneth H. | MeV neutral beam ion implanter |
| US5729028A (en) * | 1997-01-27 | 1998-03-17 | Rose; Peter H. | Ion accelerator for use in ion implanter |
| US5838012A (en) * | 1997-03-19 | 1998-11-17 | Genus, Inc. | Charge exchange cell |
| US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
| KR100282492B1 (ko) | 1998-04-13 | 2001-02-15 | 윤종용 | 불순물차단장치를구비하는이온주입장치 |
| US6414327B1 (en) | 1998-09-14 | 2002-07-02 | Newton Scientific, Inc. | Method and apparatus for ion beam generation |
| JP3934262B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2007-06-20 | 三星電子株式会社 | 半導体を製造するため使用するイオン注入装置のファラデーカップをモニタする方法 |
| JP2000124148A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体を製造するため使用するイオン注入装置のターボポンプ動作をモニタする方法 |
| GB2344005B (en) | 1998-11-17 | 2000-12-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Method of monitoring turbo pump operation in ion implantation apparatus for use in manufacturing semiconductors |
| CN1208997C (zh) | 2000-02-11 | 2005-06-29 | 瓦里安半导体设备联合公司 | 在低能模式中操作高能加速器的方法及装置 |
| US7888630B2 (en) * | 2006-04-06 | 2011-02-15 | Wong Alfred Y | Reduced size high frequency quadrupole accelerator for producing a neutralized ion beam of high energy |
| US7498588B1 (en) * | 2008-05-07 | 2009-03-03 | International Business Machines Corporation | Tandem accelerator having low-energy static voltage injection and method of operation thereof |
| US20110209983A1 (en) * | 2009-04-03 | 2011-09-01 | Glass Gary A | Use of high energy heavy ion beam for direct sputtering |
| CN104183447B (zh) * | 2013-05-27 | 2018-05-22 | 斯伊恩股份有限公司 | 高能量离子注入装置 |
| GB201411407D0 (en) | 2014-06-26 | 2014-08-13 | Univ Glasgow | Particle beam treatment |
| US20210345476A1 (en) * | 2020-04-09 | 2021-11-04 | Tae Technologies, Inc. | Systems, devices, and methods for secondary particle suppression from a charge exchange device |
| KR102337327B1 (ko) | 2021-05-18 | 2021-12-09 | (주)거성 | 전하 교환 셀용 챔버 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4419203A (en) * | 1982-03-05 | 1983-12-06 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for neutralizing ion beams |
| US4812775A (en) * | 1986-04-30 | 1989-03-14 | Science Research Laboratory, Inc. | Electrostatic ion accelerator |
| US5038111A (en) * | 1989-05-04 | 1991-08-06 | Apricot S.A. | Particle accelerator |
| US5019705A (en) * | 1990-01-03 | 1991-05-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High brilliance negative ion and neutral beam source |
| US5120956A (en) * | 1991-05-06 | 1992-06-09 | High Voltage Engineering Europa B.V. | Acceleration apparatus which reduced backgrounds of accelerator mass spectrometry measurements of 14 C and other radionuclides |
-
1992
- 1992-05-01 US US07/877,452 patent/US5300891A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-08 JP JP01808793A patent/JP3374335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9466467B2 (en) | 2012-12-04 | 2016-10-11 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus |
| KR20140071886A (ko) | 2012-12-04 | 2014-06-12 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치 |
| US9355847B2 (en) | 2013-05-27 | 2016-05-31 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | High-energy ion implanter |
| KR20140139407A (ko) | 2013-05-27 | 2014-12-05 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 이온주입장치 |
| KR20140139957A (ko) | 2013-05-28 | 2014-12-08 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 이온주입장치 |
| US8987690B2 (en) | 2013-05-28 | 2015-03-24 | Sen Corporation | High-energy ion implanter |
| KR20140140479A (ko) | 2013-05-29 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 이온주입장치 |
| US9390890B2 (en) | 2013-05-29 | 2016-07-12 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | High-energy ion implanter |
| US9368327B2 (en) | 2013-06-14 | 2016-06-14 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | High-energy ion implanter |
| KR20140145975A (ko) | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 이온주입장치 |
| US8952340B2 (en) | 2013-06-24 | 2015-02-10 | Sen Corporation | High-frequency acceleration type ion acceleration and transportation apparatus having high energy precision |
| KR20150000399A (ko) | 2013-06-24 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 정밀도의 고주파 가속식의 이온가속·수송장치 |
| US9373481B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-21 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | High-energy ion implanter, beam collimator, and beam collimation method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5300891A (en) | 1994-04-05 |
| JPH0620641A (ja) | 1994-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3374335B2 (ja) | イオン加速装置 | |
| US6130436A (en) | Acceleration and analysis architecture for ion implanter | |
| US5729028A (en) | Ion accelerator for use in ion implanter | |
| JP3727047B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| US9281165B1 (en) | Bias electrodes for tandem accelerator | |
| US5693939A (en) | MeV neutral beam ion implanter | |
| TWI246105B (en) | System and method for removing particles entrained in an ion beam | |
| US20100019141A1 (en) | Energy contamination monitor with neutral current detection | |
| JPH07326319A (ja) | イオン打込み装置 | |
| JP3105931B2 (ja) | 電子ビーム照射装置及び電子ビーム照射方法 | |
| JPH0473847A (ja) | 電子照射装置 | |
| JP2797310B2 (ja) | 多価イオン注入装置 | |
| JP3264987B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| Makarov et al. | Why does a low-pressure wire-discharge exist self-sustained? | |
| JPS62291032A (ja) | 表面処理装置 | |
| Suzuki et al. | Size selection and focusing of neutral carbon clusters | |
| EP0491311B1 (en) | Ion implanting apparatus and method | |
| JP3543356B2 (ja) | イオンビーム発生装置 | |
| SU1421174A1 (ru) | Способ получени отрицательных ионов | |
| JPH06251743A (ja) | イオン注入装置 | |
| SU243104A1 (ru) | Способ получения ионного луча для размерной обработки материалов | |
| JPS5838908B2 (ja) | イオン源 | |
| JPH0528955A (ja) | イオン注入方法および装置 | |
| JPH1092371A (ja) | 拡張レンジイオン注入システム | |
| O'Connor et al. | The use of negative ions to enhance beam currents at low energies in an MeV ion implanter |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081129 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091129 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091129 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101129 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111129 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121129 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131129 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131129 Year of fee payment: 11 |